TW202410544A

TW202410544A - 開迴路天線及電子裝置

Info

Publication number: TW202410544A
Application number: TW111131016A
Authority: TW
Inventors: 王皓禹; 羅培修
Original assignee: 啟碁科技股份有限公司
Filing date: 2022-08-17
Publication date: 2024-03-01

Abstract

本發明提供一種開迴路天線及電子裝置。開迴路天線包含基座、第一輻射部、第二輻射部及接地部。第一輻射部設置於基座且包含饋入段、延伸段及高頻耦合段。饋入段連接饋入點。延伸段連接饋入段並受激發而產生第一頻帶。高頻耦合段連接延伸段並受激發而產生第二頻帶。第二輻射部與第一輻射部間隔設置而形成開迴路。第二輻射部耦合第一輻射部而產生第三頻帶，第一頻帶大於第二頻帶，第二頻帶大於第三頻帶。接地部與第一輻射部間隔設置。接地部連接第二輻射部與接地電位。藉此，透過第一輻射部、第二輻射部及接地部之間的配置以激發多種頻帶。

Description

開迴路天線及電子裝置

本發明係關於天線技術領域，特別是關於一種開迴路天線及電子裝置。

隨著無線通訊技術的快速發展，行動通訊裝置(例如：筆記型電腦、平板電腦及手機)朝向微型化的趨勢進行發展。然而，在微型化的趨勢下，使得行動通訊裝置的硬體空間嚴重地被壓縮。相對地，行動通訊裝置中用以配置天線的空間也就越來越有限。許多電子模組和電子元件的配置位置會緊鄰天線，導致互相干擾進而影響天線特性且限制輻射效率的增幅。

有鑑於此，如何讓天線在行動通訊裝置殼體內部的有限空間中仍然保有高輻射效率，並降低天線周圍的電子模組和電子元件對於天線的雜訊干擾，實為民眾所殷切企盼，亦係相關業者須努力研發突破的目標及方向。

因此，本發明之目的在於提供一種開迴路天線及電子裝置，其在狹小空間中仍能透過第一輻射部與第二輻射部之配置以使開迴路天線操作在WIFI 6E頻段。此外，由於第一輻射部與第二輻射部的周圍自帶屏蔽件，因此可有效地減少其他電子模組對於天線的雜訊干擾，進而提升輻射效率。

依據本發明的一實施方式提供一種開迴路天線，其包含一基座、一第一輻射部、一第二輻射部以及一接地部。第一輻射部設置於基座之一側，且包含一饋入段、一延伸段及一高頻耦合段。饋入段之一端連接一饋入點。延伸段連接饋入段之另一端，並受激發而產生一第一頻帶。高頻耦合段連接延伸段，並受激發而產生一第二頻帶。第二輻射部設置於基座並與第一輻射部間隔設置而形成一開迴路。第二輻射部耦合第一輻射部而產生一第三頻帶，第一頻帶大於第二頻帶，第二頻帶大於第三頻帶。接地部設置於基座並與第一輻射部間隔設置。接地部連接第二輻射部與一接地電位。

依據本發明的另一實施方式提供一種電子裝置，其包含一殼體、一開迴路天線以及至少一電子模組。開迴路天線設置於殼體內，且包含一基座、一第一輻射部、一第二輻射部、一接地部、一同軸電纜線及一屏蔽件。基座具有至少一表面。第一輻射部設置於基座之一側，且包含一饋入段、一延伸段及一高頻耦合段。饋入段之一端連接一饋入點。延伸段連接饋入段之另一端，並受激發而產生一第一頻帶。高頻耦合段連接延伸段，並受激發而產生一第二頻帶。第二輻射部設置於基座之此側並與第一輻射部間隔設置而形成一開迴路。第二輻射部耦合第一輻射部而產生一第三頻帶，第一頻帶大於第二頻帶，第二頻帶大於第三頻帶。接地部設置於基座之此側並與第一輻射部間隔設置。接地部連接第二輻射部與一接地電位。同軸電纜線設置於基座，且包含一中心導線及一導體外殼。中心導線耦接饋入點。導體外殼耦接接地電位之一接地點。屏蔽件耦接接地電位並覆蓋基座之前述至少一表面。屏蔽件圍繞第一輻射部與第二輻射部，以對第一輻射部與第二輻射部提供電磁屏蔽。前述至少一電子模組設置於殼體內並圍繞開迴路天線。

藉此，本發明之開迴路天線及電子裝置，其從饋入點延伸出第一輻射部並由第一輻射部操作於高頻頻帶，且第二輻射部與第一輻射部間隔配置，並藉由接地部連接至接地電位以達到低頻迴路諧振。另外，透過屏蔽件隔絕電子模組對於第一輻射部與第二輻射部的雜訊干擾，進而可提升開迴路天線的穩定度與輻射效率。

以下將參照圖式說明本發明之複數個實施例。為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施例中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之；並且重複之元件將可能使用相同的編號表示之。

此外，本文中當某一元件(或單元或模組等)「連接」於另一元件，可指所述元件是直接連接於另一元件，亦可指某一元件是間接連接於另一元件，意即，有其他元件介於所述元件及另一元件之間。而當有明示某一元件是「直接連接」於另一元件時，才表示沒有其他元件介於所述元件及另一元件之間。而第一、第二、第三等用語只是用來描述不同元件，而對元件本身並無限制，因此，第一元件亦可改稱為第二元件。且本文中之元件/單元/電路之組合非此領域中之一般周知、常規或習知之組合，不能以元件/單元/電路本身是否為習知，來判定其組合關係是否容易被技術領域中之通常知識者輕易完成。

請參照第1圖，第1圖係繪示依照本發明之第一實施例之開迴路天線100的立體示意圖。開迴路天線100包含基座101、第一輻射部110、第二輻射部120及接地部130。基座101可為一平面基板，例如：通訊設備或電子裝置中的一系統主板、一印刷電路板(Printed Circuit Board；PCB)、一FR4(Flame Retardant 4)基板或者是一柔性印刷電路板(Flexible Printed Circuit Board；FPCB)。第一輻射部110、第二輻射部120及接地部130均設置於基座101，且第一輻射部110包含饋入段111、延伸段112及高頻耦合段113。饋入段111之一端連接饋入點F。延伸段112連接饋入段111之另一端，並受激發而產生一第一頻帶。高頻耦合段113連接延伸段112，並受激發而產生一第二頻帶。第二輻射部120與第一輻射部110間隔設置而形成一開迴路。第二輻射部120耦合第一輻射部110而產生一第三頻帶，第一頻帶大於第二頻帶，第二頻帶大於第三頻帶。接地部130與第一輻射部110間隔設置並連接第二輻射部120。接地部130耦接至接地電位(Ground Voltage)VSS，且接地電位VSS可由開迴路天線100之一系統接地面(System Ground Plane)所提供(圖未繪示)。藉此，本發明之開迴路天線100可透過第一輻射部110、第二輻射部120及接地部130之間的配置以激發多種頻帶。

請參照第2圖，第2圖係繪示依照本發明之第二實施例之開迴路天線200的立體示意圖。開迴路天線200包含基座201、第一輻射部210、第二輻射部220及接地部230，且第一輻射部210、第二輻射部220及接地部230均設置於基座201之同一側並由金屬材質所製成，例如：銅、銀、鋁、鐵，或者是前述金屬的合金。此外，第一輻射部210、第二輻射部220及接地部230均可透過電鍍以及/或3D列印技術製造於基座201上。

第一輻射部210包含饋入段211、延伸段212及高頻耦合段213。饋入段211之一端連接饋入點F’，其可耦接至一信號源(Signal Source)S，例如：一射頻(Radio Frequency；RF)模組，而信號源S可用於激發開迴路天線200。延伸段212連接饋入段211之另一端，並受激發而產生一第一頻帶。高頻耦合段213連接延伸段212，並受激發而產生一第二頻帶。第二輻射部220與第一輻射部210間隔設置而形成一開迴路。第二輻射部220耦合第一輻射部210而產生一第三頻帶，第一頻帶大於第二頻帶，第二頻帶大於第三頻帶。接地部230與第一輻射部210間隔設置並連接第二輻射部220，且接地部230耦接至接地電位VSS’。

與第一實施例不同的是，第二實施例的基座201整體可為具有不規則形狀的一立體結構並具有複數表面。開迴路天線200可更包含屏蔽件240，且屏蔽件240係為對應基座201的部分此些表面所形成的一金屬框體(如第3圖所示)。屏蔽件240覆蓋基座201之部份此些表面並連接接地部230，且屏蔽件240耦接接地電位VSS’。特別的是，屏蔽件240圍繞第一輻射部210與第二輻射部220，以對第一輻射部210與第二輻射部220提供電磁屏蔽。藉此，本發明之開迴路天線200可透過屏蔽件240來隔絕靠近開迴路天線200的其他電子模組及電子元件所產生之電磁波，使得操作於第一頻帶與第二頻帶的第一輻射部210和操作於第三頻帶的第二輻射部220不受雜訊干擾，進而可提升開迴路天線200的穩定度與輻射效率。

另外，開迴路天線200可更包含同軸電纜線(Coaxial Cable)250。同軸電纜線250設置於基座201的一容置槽(未另標號)，且包含中心導線(Central Conductive Line)251與導體外殼(Conductive Housing)252。中心導線251耦接饋入點F’。導體外殼252耦接接地電位VSS’之接地點GP。詳細地說，信號源S之一正極(Positive Electrode)可耦接至中心導線251，信號源S之一負極(Negative Electrode)可耦接至導體外殼252，以激發開迴路天線200。以下為詳細的實施例來說明第一輻射部210與第二輻射部220之結構細節。

請一併參照第2圖與第3圖，其中第3圖係繪示第2圖之開迴路天線200的第一輻射部210、第二輻射部220、接地部230及屏蔽件240的立體示意圖。如第2圖所示，基座201的此些表面可包含第一表面2011、第二表面2012、第三表面2013、銜接第一表面2011與第二表面2012的第四表面2014及銜接第二表面2012與第三表面2013的第五表面2015。第一表面2011、第二表面2012及第三表面2013相互平行設置。如第3圖所示，第一輻射部210可更包含第一銜接段214與第二銜接段215。第一銜接段214設置於第四表面2014，並連接於饋入段211與延伸段212之間。第二銜接段215設置於第五表面2015，並連接於延伸段212與高頻耦合段213之間。

饋入段211設置於第一表面2011並包含第一饋入子段2111與第二饋入子段2112。第一饋入子段2111自饋入點F’沿第一方向(正X方向)延伸設置。第二饋入子段2112自第一饋入子段2111沿第二方向(正Y方向)延伸設置，且第二方向垂直於第一方向，藉以令第一饋入子段2111與第二饋入子段2112呈現一L字形。延伸段212係呈現一方形，並朝向第二輻射部220延伸設置於第二表面2012。

高頻耦合段213可包含第一高頻耦合子段2131、第二高頻耦合子段2132及第三高頻耦合子段2133。第一高頻耦合子段2131自連接延伸段212的第二銜接段215沿第二方向延伸設置於第三表面2013。第二高頻耦合子段2132自第一高頻耦合子段2131沿第三方向(負X方向)延伸設置於第三表面2013，且第三方向與第一方向相反。第三高頻耦合子段2133自第二高頻耦合子段2132沿第四方向(負Y方向)延伸，且第四方向與第二方向相反。此外，第三高頻耦合子段2133可包含三線段(未另標號)，此三線段分別設置於第三表面2013、第五表面2015及第二表面2012。於第三表面2013上，第一高頻耦合子段2131、第二高頻耦合子段2132及第三高頻耦合子段2133的其中一線段相連而呈現一U字形。

第二輻射部220可包含低頻耦合段221與接地段222。低頻耦合段221沿第三方向與高頻耦合段213間隔設置。接地段222自低頻耦合段221沿第四方向延伸設置。具體而言，低頻耦合段221可包含第一低頻耦合子段2211、第二低頻耦合子段2212及第三低頻耦合子段2213。第一低頻耦合子段2211沿第三方向與高頻耦合段213之第三高頻耦合子段2133間隔設置。此外，第一低頻耦合子段2211可包含三線段(未另標號)，此三線段分別設置於第二表面2012、第五表面2015及第三表面2013。第一低頻耦合子段2211的三線段分別與第三高頻耦合子段2133的三線段呈平行。第二低頻耦合子段2212自第一低頻耦合子段2211沿第三方向延伸設置於第三表面2013。第三低頻耦合子段2213自第二低頻耦合子段2212沿第四方向延伸設置於第三表面2013。於第三表面2013上，第一低頻耦合子段2211的其中一線段、第二低頻耦合子段2212及第三低頻耦合子段2213相連而呈現另一U字形。

如第3圖所示，第二輻射部220可更包含第三銜接段223與第四銜接段224。第三銜接段223設置於第五表面2015，並連接於低頻耦合段221與接地段222之間。第四銜接段224設置於第四表面2014，並連接於接地段222與接地部230之間。詳細地說，接地段222設置於第二表面2012並可包含第一接地子段2221與第二接地子段2222。第一接地子段2221自連接第三低頻耦合子段2213的第三銜接段223沿第四方向延伸設置。第二接地子段2222自第一接地子段2221沿第一方向延伸設置，第一方向與第四方向垂直，因此第一接地子段2221與第二接地子段2222呈現另一L字形。第二接地子段2222經由第四銜接段224間接連接接地部230。

於第二實施例中，開迴路天線200的操作頻帶與元件尺寸可如下列所述。第一頻帶可介於5925 MHz至7125 MHz之間，第二頻帶可介於5150 MHz至5850 MHz之間，第三頻帶可介於2400 MHz至2500 MHz之間，因此開迴路天線200可支援WIFI 6E標準要求的操作頻帶。第一輻射部210可具有長度L1，長度L1係為第二頻帶的1/4倍波長(即λ/4)。本發明可藉由配置第一輻射部210的長度L1來調整開迴路天線200操作於高頻頻段(即第一頻帶與第二頻帶)的偏移。值得一提的是，第一輻射部210與第二輻射部220之間形成耦合間隙C _G，且耦合間隙C _G可介於0.3毫米至1毫米之間。本發明可藉由配置耦合間隙C _G來調整開迴路天線200操作於第三頻帶之匹配；較佳地，耦合間隙C _G可為0.5毫米。另外，第一輻射部210、耦合間隙C _G及第二輻射部220可具有總長度L2，此長度L2係為第三頻帶的1/2倍波長(即λ/2)，而本發明不以上述為限。

請參照第4圖，第4圖係繪示依照本發明之第三實施例之電子裝置300的立體示意圖。電子裝置300可為一行動通訊裝置，例如：一智慧型手機(Smart Phone)、一平板電腦(Tablet Computer)或者是一筆記型電腦(Notebook Computer)。電子裝置300包含殼體310、開迴路天線400以及至少一電子模組500。第三實施例中的開迴路天線400可與第二實施例中的開迴路天線200相同或相似，故對應的元件及其配置在此不另贅述。殼體310可為一金屬機構件並包含天線窗(Antenna Window)311。開迴路天線400置於殼體310內，且開迴路天線400的第一輻射部410與第二輻射部420對位天線窗311。天線窗311的內部可填充非導體材料，以避免殼體310的金屬部份對開迴路天線400的輻射場型(Radiation Pattern)造成干擾。另外，電子模組500可為複數個，此些電子模組500設置於殼體310內並圍繞開迴路天線400。開迴路天線400的屏蔽件440圍繞第一輻射部410與第二輻射部420，以對第一輻射部410與第二輻射部420提供電磁屏蔽。藉此，本發明之開迴路天線400可透過屏蔽件440來隔絕在電子裝置300內圍繞開迴路天線400的此些電子模組500所產生之電磁波，使得操作於第一頻帶與第二頻帶的第一輻射部410和操作於第三頻帶的第二輻射部420不受雜訊干擾，進而可提升開迴路天線400的穩定度與輻射效率。

請一併參照第5A圖與第5B圖，其中第5A圖係繪示第4圖的電子裝置300的開迴路天線400的電壓駐波比(Voltage Standing Wave Ratio；VSWR)圖；以及第5B圖係繪示不具有屏蔽件的開迴路天線的電壓駐波比圖。於第5A圖與第5B圖中，橫軸代表頻率(GHz)，而縱軸代表電壓駐波比。當信號源激發開迴路天線400時，第一輻射部410可涵蓋第一頻帶FB ₁與第二頻帶FB ₂，且第二輻射部420可涵蓋第三頻帶FB ₃。根據第5A圖與第5B圖的電壓駐波比圖，具有屏蔽件440的開迴路天線400的電壓駐波比相似於不具有屏蔽件的開迴路天線的電壓駐波比，其代表開迴路天線400在配有屏蔽件440的情況下仍保持低反射功率，並可支援無線區域網路(Wireless Local Area Network；WLAN)2.4GHz/5GHz以及新世代WIFI 6E之寬頻操作。

請一併參照第6A圖與第6B圖，其中第6A圖係繪示第4圖的電子裝置300的開迴路天線400的輻射效率(Radiation Efficiency)圖；以及第6B圖係繪示不具有屏蔽件的開迴路天線的輻射效率圖。於第6A圖與第6B圖中，橫軸代表頻率(MHz)，而縱軸代表輻射效率(%)。根據第6A圖與第6B圖的輻射效率圖，具有屏蔽件440的開迴路天線400和不具有屏蔽件的開迴路天線於第一頻帶FB ₁、第二頻帶FB ₂及第三頻帶FB ₃的輻射效率均可達25%以上，此已可滿足一般行動通訊裝置之實際應用需求。值得注意的是，本發明的開迴路天線400可藉由屏蔽件440來隔絕在其他電子模組所產生之電磁波，進而使得開迴路天線400於第三頻帶FB ₃中可提供更好的射頻信號傳輸性能，且其輻射效率可高達40%。

由上述實施方式可知，本發明具有下列優點，其一，本發明之開迴路天線藉由第一輻射部、第二輻射部及接地部之間的配置，不僅達到天線結構的體積小型化，還可支援無線區域網路與WIFI 6E之寬頻操作；其二，本發明之開迴路天線透過屏蔽件來隔絕靠近開迴路天線的其他電子模組及電子元件所產生之電磁波，使得第一輻射部和第二輻射部不受雜訊干擾，進而可提升穩定度與輻射效率；其三，本發明之開迴路天線操作於低頻頻帶時，天線的輻射效率可高達40%。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100,200,400:開迴路天線 101,201:基座 2011:第一表面 2012:第二表面 2013:第三表面 2014:第四表面 2015:第五表面 110,210,410:第一輻射部 111,211:饋入段 112,212:延伸段 113,213:高頻耦合段 120,220,420:第二輻射部 130,230:接地部 2111:第一饋入子段 2112:第二饋入子段 2131:第一高頻耦合子段 2132:第二高頻耦合子段 2133:第三高頻耦合子段 214:第一銜接段 215:第二銜接段 221:低頻耦合段 2211:第一低頻耦合子段 2212:第二低頻耦合子段 2213:第三低頻耦合子段 222:接地段 2221:第一接地子段 2222:第二接地子段 223:第三銜接段 224:第四銜接段 240,440:屏蔽件 250:同軸電纜線 251:中心導線 252:導體外殼 300:電子裝置 310:殼體 311:天線窗 500:電子模組 F,F’:饋入點 VSS,VSS’:接地電位 GP:接地點 C _G:耦合間隙 S:信號源 X,Y:方向 FB ₁:第一頻帶 FB ₂:第二頻帶 FB ₃:第三頻帶 L1,L2:長度

第1圖係繪示依照本發明之第一實施例之開迴路天線的立體示意圖；第2圖係繪示依照本發明之第二實施例之開迴路天線的立體示意圖；第3圖係繪示第2圖之開迴路天線的第一輻射部、第二輻射部、接地部及屏蔽件的立體示意圖；第4圖係繪示依照本發明之第三實施例之電子裝置的立體示意圖；第5A圖係繪示第4圖的電子裝置的開迴路天線的電壓駐波比圖；第5B圖係繪示不具有屏蔽件的開迴路天線的電壓駐波比圖；第6A圖係繪示第4圖的電子裝置的開迴路天線的輻射效率圖；以及第6B圖係繪示不具有屏蔽件的開迴路天線的輻射效率圖。

200:開迴路天線

201:基座

2011:第一表面

2012:第二表面

2013:第三表面

2014:第四表面

2015:第五表面

210:第一輻射部

211:饋入段

212:延伸段

213:高頻耦合段

220:第二輻射部

230:接地部

240:屏蔽件

250:同軸電纜線

251:中心導線

252:導體外殼

F’:饋入點

VSS’:接地電位

GP:接地點

S:信號源

X,Y:方向

Claims

一種開迴路天線，包含：一基座；一第一輻射部，設置於該基座之一側，且包含：一饋入段，該饋入段之一端連接一饋入點；一延伸段，連接該饋入段之另一端，並受激發而產生一第一頻帶；及一高頻耦合段，連接該延伸段，並受激發而產生一第二頻帶；一第二輻射部，設置於該基座並與該第一輻射部間隔設置而形成一開迴路，該第二輻射部耦合該第一輻射部而產生一第三頻帶，其中該第一頻帶大於該第二頻帶，該第二頻帶大於該第三頻帶；以及一接地部，設置於該基座並與該第一輻射部間隔設置，該接地部連接該第二輻射部與一接地電位。
如請求項1所述之開迴路天線，其中該基座具有至少一表面，且該開迴路天線更包含：一屏蔽件，耦接該接地電位並覆蓋該基座之該至少一表面，該屏蔽件圍繞該第一輻射部與該第二輻射部，以對該第一輻射部與該第二輻射部提供電磁屏蔽。
如請求項1所述之開迴路天線，更包含：一同軸電纜線，設置於該基座，且包含：一中心導線，耦接該饋入點；及一導體外殼，耦接該接地電位之一接地點。
如請求項1所述之開迴路天線，其中該饋入段包含：一第一饋入子段，自該饋入點沿一第一方向延伸設置；及一第二饋入子段，自該第一饋入子段沿一第二方向延伸設置，其中該第二方向垂直於該第一方向，藉以令該第一饋入子段與該第二饋入子段呈現一L字形。
如請求項1所述之開迴路天線，其中該延伸段係呈現一方形，並朝向該第二輻射部延伸設置。
如請求項4所述之開迴路天線，其中該高頻耦合段包含：一第一高頻耦合子段，自該延伸段沿該第二方向延伸設置；一第二高頻耦合子段，自該第一高頻耦合子段沿一第三方向延伸設置，其中該第三方向與該第一方向相反；及一第三高頻耦合子段，自該第二高頻耦合子段沿一第四方向延伸設置，其中該第四方向與該第二方向相反；其中，該第一高頻耦合子段、該第二高頻耦合子段及該第三高頻耦合子段相連而呈現一U字形。
如請求項6所述之開迴路天線，其中該第二輻射部包含：一低頻耦合段，沿該第三方向與該高頻耦合段間隔設置；及一接地段，自該低頻耦合段沿該第四方向延伸設置。
如請求項7所述之開迴路天線，其中該低頻耦合段包含：一第一低頻耦合子段，沿該第三方向與該高頻耦合段之該第三高頻耦合子段間隔設置，並與該第三高頻耦合子段呈平行；一第二低頻耦合子段，自該第一低頻耦合子段沿該第三方向延伸設置；及一第三低頻耦合子段，自該第二低頻耦合子段沿該第四方向延伸設置；其中，該第一低頻耦合子段、該第二低頻耦合子段及該第三低頻耦合子段相連而呈現另一U字形。
如請求項8所述之開迴路天線，其中該接地段包含：一第一接地子段，自該第三低頻耦合子段沿該第四方向延伸設置；及一第二接地子段，自該第一接地子段沿該第一方向延伸設置並連接該接地部，其中該第一接地子段與該第二接地子段呈現另一L字形。
如請求項1所述之開迴路天線，其中該第一頻帶係介於5925 MHz至7125 MHz之間，該第二頻帶係介於5150 MHz至5850 MHz之間，該第三頻帶係介於2400 MHz至2500 MHz之間。
如請求項1所述之開迴路天線，其中該第一輻射部具有一長度，該長度係為該第二頻帶的1/4倍波長。
如請求項1所述之開迴路天線，其中該第一輻射部與該第二輻射部之間形成一耦合間隙，該耦合間隙為0.5毫米。
如請求項12所述之開迴路天線，其中該第一輻射部、該耦合間隙及該第二輻射部具有一總長度，該總長度係為該第三頻帶的1/2倍波長。
一種電子裝置，包含：一殼體；一開迴路天線，設置於該殼體內，且包含：一基座，具有至少一表面；一第一輻射部，設置於該基座之一側，且包含：一饋入段，該饋入段之一端連接一饋入點；一延伸段，連接該饋入段之另一端，並受激發而產生一第一頻帶；及一高頻耦合段，連接該延伸段，並受激發而產生一第二頻帶；一第二輻射部，設置於該基座之該側並與該第一輻射部間隔設置而形成一開迴路，該第二輻射部耦合該第一輻射部而產生一第三頻帶，其中該第一頻帶大於該第二頻帶，該第二頻帶大於該第三頻帶；一接地部，設置於該基座之該側並與該第一輻射部間隔設置，該接地部連接該第二輻射部與一接地電位；一同軸電纜線，設置於該基座，且包含：一中心導線，耦接該饋入點；及一導體外殼，耦接該接地電位之一接地點；及一屏蔽件，耦接該接地電位並覆蓋該基座之該至少一表面，該屏蔽件圍繞該第一輻射部與該第二輻射部，以對該第一輻射部與該第二輻射部提供電磁屏蔽；以及至少一電子模組，設置於該殼體內並圍繞該開迴路天線。
如請求項14所述之電子裝置，其中該殼體包含一天線窗，該第一輻射部與該第二輻射部對位該天線窗。
如請求項14所述之電子裝置，其中該饋入段包含：一第一饋入子段，自該饋入點沿一第一方向延伸設置；及一第二饋入子段，自該第一饋入子段沿一第二方向延伸設置，其中該第二方向垂直於該第一方向，藉以令該第一饋入子段與該第二饋入子段呈現一L字形。
如請求項14所述之電子裝置，其中該延伸段係呈現一方形，並朝向該第二輻射部延伸設置。
如請求項16所述之電子裝置，其中該高頻耦合段包含：一第一高頻耦合子段，自該延伸段沿該第二方向延伸設置；一第二高頻耦合子段，自該第一高頻耦合子段沿一第三方向延伸設置，其中該第三方向與該第一方向相反；及一第三高頻耦合子段，自該第二高頻耦合子段沿一第四方向延伸設置，其中該第四方向與該第二方向相反；其中，該第一高頻耦合子段、該第二高頻耦合子段及該第三高頻耦合子段相連而呈現一U字形。
如請求項18所述之電子裝置，其中該第二輻射部包含：一低頻耦合段，沿該第三方向與該高頻耦合段間隔設置；及一接地段，自該低頻耦合段沿該第四方向延伸設置。
如請求項19所述之電子裝置，其中，該低頻耦合段，包含：一第一低頻耦合子段，沿該第三方向與該高頻耦合段之該第三高頻耦合子段間隔設置，並與該第三高頻耦合子段呈平行；一第二低頻耦合子段，自該第一低頻耦合子段沿該第三方向延伸設置；及一第三低頻耦合子段，自該第二低頻耦合子段沿該第四方向延伸設置，其中該第一低頻耦合子段、該第二低頻耦合子段及該第三低頻耦合子段相連而呈現另一U字形；及該接地段，包含：一第一接地子段，自該第三低頻耦合子段沿該第四方向延伸設置；及一第二接地子段，自該第一接地子段沿該第一方向延伸設置並連接該接地部，其中該第一接地子段與該第二接地子段呈現另一L字形。