TW202410481A - 光學感測裝置及其製造方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 75
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 1
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/1808—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table including only Ge
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
提供了用於光學感測的裝置及方法。例如,光學感測裝置可以包括基板、收光器件、發光器件、封裝結構、覆蓋帽及黏合層。收光器件及發光器件可以佈置於基板上,並且電連接至基板。封裝結構可以佈置於基板上,並且覆蓋發光器件及收光器件。封裝結構可以包括頂表面、第一側表面及底表面。第一側表面及底表面可以共同形成凹部。覆蓋帽可以佈置於封裝結構上,並且可以包括第一開口、頂部、突出部及延伸部。黏合層可以安置於封裝結構和覆蓋帽之間,以黏合封裝結構及覆蓋帽。
Description
本公開內容大體上係關於感測器系統。特別地,本公開內容提供了一種光學感測裝置及相關方法。
光學感測器被使用於許多系統,諸如智慧電話、可穿戴電子設備、機器人及自動駕駛等,用於近接檢測、2D/3D影像偵測、物體辨識、圖像增強、材料辨認、色彩融合、健康監控及其它有關應用。本公開內容揭露了一種光學感測裝置,其具有覆蓋帽,覆蓋發光器件及收光器件。光學感測裝置可以是可操作用於不同波長範圍,包括可見(例如,波長範圍380 nm到780 nm,或者如由特定應用定義的相似波長範圍)及不可見光。不可見光包括近紅外光(NIR,例如,波長範圍從780 nm到1400 nm,或者如由特定應用定義的相似波長範圍)及短波長紅外光(SWIR,例如,波長範圍從1400到3000 nm,或者如由特定應用定義的相似波長範圍)。
通過以下說明或經由實施本發明實施例將可得知並理解本申請實施例的各種態樣及優點。
本公開內容之一個示例態樣係關於一種光學感測裝置。光學感測裝置可包括:基板、收光器件佈置於基板上並且電連接至基板、發光器件佈置於基板上並且電連接至基板、封裝結構,佈置於基板上、覆蓋帽,佈置於封裝結構上、以及黏合層,安置於封裝結構和覆蓋帽之間,以黏合封裝結構及覆蓋帽。封裝結構可覆蓋發光器件及收光器件。封裝結構可包括頂表面、第一側表面及下表面。第一側表面及下表面可共同形成凹部。覆蓋帽可包括第一開口、頂部、突出部及延伸部。此外,突出部可從頂部向基板延伸,並且接觸至封裝結構之頂表面。延伸部可從頂部向基板延伸,並且安置於凹部中。在俯視面中,覆蓋帽可不延伸到封裝結構之外。
在一些實現方式中,覆蓋帽包括被配置屏蔽或吸收NIR光或SWIR光的材料。
在一些實現方式中,封裝結構可包括對NIR光或SWIR光呈透光的材料。
在一些實現方式中,收光器件可包括光電子器件,其具有包含鍺的檢測區。
在一些實現方式中,在剖面中,第一開口之位置對應於收光器件。
在一些實現方式中,延伸部可位於封裝結構之外圍處。
在一些實現方式中,延伸部可具有與封裝結構共面的外側表面。
在一些實現方式中,突出部可圍繞第一開口。
在一些實現方式中,突出部可圍繞第一開口之至少一部分。
在一些實現方式中,覆蓋帽可包括第二開口,其位置對應於發光器件。此外,突出部可圍繞第二開口之至少一部分。在一些實現方式中,第二開口可具有小於第一開口之面積的面積。
在一些實現方式中,黏合層可具有第一部分,位於頂部和頂表面之間,以及第二部分,位於凹部中;第一部分可具有厚於第二部分之厚度的厚度。
在一些實現方式中,收光器件可具有大於發光器件的面積。
本公開內容之另一個示例態樣指向一種用於製造光學感測裝置的方法。方法包括形成覆蓋帽,其具有第一開口、頂部、突出部及延伸部。方法進一步包括提供基板。方法進一步包括佈置收光器件及發光器件於基板上。方法進一步包括形成封裝結構於基板上,以覆蓋發光器件及收光器件。方法進一步包括形成凹部於封裝結構上,用於容置延伸部。方法進一步包括形成膠材於封裝結構上。方法進一步包括將覆蓋帽與收光器件及發光器件對齊,以使第一開口位於收光器件上方。方法進一步包括通過膠材黏合覆蓋帽於封裝結構上。方法進一步包括切割以形成光學感測裝置。
本公開內容之另一個示例態樣指向一種光學感測裝置。光學感測裝置包括:基板、收光器件,佈置於基板上並且電連接至基板、發光器件,佈置於基板上並且電連接至基板、封裝結構,佈置於基板上並且覆蓋發光器件及收光器件、覆蓋帽,佈置於封裝結構上、以及黏合層,安置於封裝結構和覆蓋帽之間,以黏合封裝結構及覆蓋帽。封裝結構包括凹部。覆蓋帽包括第一開口、頂部及第一延伸部。此外,第一延伸部從頂部向基板延伸,並且安置於凹部中。覆蓋帽在俯視面中並未延伸到封裝結構之外。
在一些實現方式中,光學感測裝置進一步包括第二延伸部,從頂部延伸。第二延伸部位於收光器件和發光器件之間。
在一些實現方式中,黏合層具有從覆蓋帽之最外側內縮的最外側。此外,黏合層之最外側具有曲線形狀。
在一些實現方式中,收光器件包括光電子器件,其具有包含鍺的檢測區。
各種實施例之此等以及其它特徵、態樣及優勢,將參考以下描述及所附申請專利範圍而變得更好地理解。隨附圖式納入本說明書並構成本說明書之一部分,繪示本公開內容之各個實施例,並且與描述一同解釋相關原理。
以下各個實施例隨同圖式以說明本公開內容之概念。在圖式或描述中,相似或相同的部件使用相同的參考標記,並且在圖式中,元件之形狀、厚度或高度可以合理擴展或縮減。本申請中列出的各個實施例只是用來說明本申請,並且不是用來限制本申請之範疇。對本申請做出的任何明顯變更或變化並未脫離本申請之精神及範疇。
圖1繪示根據本公開內容之一個實施例的光學感測裝置100之俯視面。圖2繪示沿著圖1中的AA'線取得的剖面。光學感測裝置100包括基板5、收光器件1、發光器件2、封裝結構3、黏合層6及覆蓋帽4。收光器件1佈置於基板5上,並且電連接至基板5。發光器件2佈置於基板5上,並且電連接至基板5。在一些實施例中,收光器件1之面積在俯視面中(例如,垂直於入射光)大於發光器件2之面積。收光器件1包括側表面11及頂表面12。發光器件2包括側表面21及頂表面22。封裝結構3佈置於基板5上,以覆蓋收光器件1及發光器件2。封裝結構3接觸側表面11、21及頂表面12、22。封裝結構3包括遠離頂表面12、22的頂表面31。
覆蓋帽4佈置於封裝結構3上,以屏蔽或吸收干涉光(例如,環境光、來自不希望的角度及地點的反射光等等)。於是,覆蓋帽4被配置防止干涉光進入收光器件1。此外,覆蓋帽4亦被配置屏蔽(例如,保護)收光器件1及發光器件2。干涉光可以是來自周遭的可見光或不可見光。不可見光包括NIR光及/或SWIR光。覆蓋帽4包括第一開口44及第二開口45。第一開口44之位置對應於收光器件1。第二開口45之位置對應於發光器件2。在一個實施例中,第二開口45之面積可小於第一開口44之面積。詳細地,在俯視面中,第一開口44之面積相近於或大於收光器件1之面積。第二開口45之面積相近於或大於發光器件2之面積。在一個實施例中,第一開口44之面積對收光器件1之面積的比值可以在1~2.5的範圍中。第二開口45之面積對發光器件2之面積的比值可以在1~2.5的範圍中。因此,從發光器件2發出的光射向目標對象,諸如皮膚、食物、血管等,並且由目標對象反射為反射光。反射光射向收光器件1,故光學感測裝置100或另一個計算設備(圖未示)可以根據收光器件1之測量算出感測結果。
覆蓋帽4通過黏合層6黏合至封裝結構3。在一些實現方式中,覆蓋帽4在俯視面中並未延伸到封裝結構3之外。如圖2所示,覆蓋帽4包括頂部41、複數個突出部42及延伸部43。複數個突出部42從頂部41向基板5延伸,並且接觸封裝結構3之頂表面31。所以,覆蓋帽4以大於零的距離遠離封裝結構3。因此,黏合層6位於覆蓋帽4和封裝結構3之間的空間中。複數個突出部42位於靠近第一開口44及第二開口45的位置,以防止黏合層6溢流至第一開口44及第二開口45內而影響收光器件1及發光器件2之光路徑。在一個實施例中,複數個突出部42在剖面中位於第一開口44之兩個相對側,以及位於第二開口45之兩個相對側。在另一個實施例中,複數個突出部42在俯視面中圍繞第一開口44及第二開口45。在一個實施例中,黏合層6完全填充於覆蓋帽4和封裝結構3之間的空間中。在另一個實施例中,黏合層6部分填充於覆蓋帽4和封裝結構3之間的空間中。圖2示出突出部42具有梯形的形狀,這並不是本公開內容之限制。在其它實施例中,突出部42可以是其它形狀,諸如矩形、三角形、菱形、平行四邊形、正方形、圓形或其它多邊形。
在一些實現方式中,延伸部43從頂部41向基板5延伸,並且具有下端46,下端46以在50~200µm的範圍中的距離遠離基板5。封裝結構3具有複數個凹部,每個凹部具有實質匹配對應延伸部43的形狀,以容置對應延伸部43。詳細地,封裝結構3具有第一側表面32、外側表面33及下表面34。第一側表面32在不同於外側表面33的平面上(例如,通過蝕刻、精密切削等),下表面34連接至第一側表面32及外側表面33。下表面34及第一側表面32在剖面中共同形成凹部。延伸部43位於凹部中,並且通過黏合層6黏合至封裝結構3。詳細地,黏合層6具有第一部分61及第二部分62。第一部分61佈置於封裝結構3之頂表面31上,用於接合覆蓋帽4之頂部41至封裝結構3。第二部分62佈置於封裝結構3之凹部中、第一側表面32和延伸部43之間、以及下表面34和延伸部43之間,用於接合延伸部43至封裝結構3。覆蓋帽4具有與封裝結構3之外側表面33共面的外側表面47。黏合層6之第二部分62具有與外側表面33、47共面的外側表面63。延伸部43位於封裝結構3之外圍處,用於增強光學感測裝置100之機械可靠度。
黏合層6之第一部分61具有厚度T1,是從封裝結構3之頂表面31測量到覆蓋帽4之頂部41之接觸表面。黏合層6之第二部分62具有厚度T2,是從封裝結構3之第一側表面32或下表面34測量到覆蓋帽4之延伸部43之接觸表面。在一個實施例中,厚度T2薄於厚度T1。換一種說法,在一個實施例中,厚度T1厚於厚度T2。在另一個實施例中,厚度T2實質相同於或大於厚度T1。作為一個示例,厚度T1在5~30µm的範圍中。厚度T2在2~30µm範圍中。覆蓋帽4之頂部41具有厚度T3,在100~350µm的範圍中。覆蓋帽4之延伸部43具有厚度T4,在100~350µm的範圍中。在一個實施例中,厚度T3實質相同於厚度T4。在另一個實施例中,厚度T3不同於厚度T4。封裝結構3之厚度是從基板5測量到封裝結構3之頂表面31,並且在150µm ~900µm的範圍中。
收光器件1可以包括單個光電子器件,或者設置為一陣列的複數個光電子器件。光電子器件可以由覆晶接合或打線接合連接至基板5。在一個實施例中,收光器件1包括設置為一維陣列或二維陣列的複數個光電子器件。在另一個實施例中,收光器件1可以包括電連接至光電子器件的電子組件,用於傳送信號或提供功率。電子組件可以包括電阻器、電容器、電感器或積體電路(IC)。光電子器件可以包括支撐基板,以及由支撐基板支撐的檢測區。檢測區可以包括鍺(Ge),並且被配置用於吸收光子。支撐基板可以包括不同於檢測區的材料,諸如矽。收光器件1可以根據應用檢測可見光或不可見光。可見光可以包括藍色、藏青色、綠色、黃色或紅色光。不可見光可以包括NIR或SWIR。
發光器件2可以是半導體發光元件,諸如發光二極體(LED)、雷射二極體或有機發光二極體(OLED)。發光器件2可以發出對應於收光器件之可檢測波長的光。
封裝結構3可以是矽樹脂或環氧樹脂,並且對從發光器件2發出的光或者由收光器件1檢測的光呈透光的。覆蓋帽4可以是矽樹脂、環氧樹脂,並且含有可遮擋不需要的光的吸光物質。
圖3A–3G示出根據本公開內容之一個實施例的製造光學感測裝置(例如,光學感測裝置100、200、300或400)之步驟。參見圖3A,覆蓋帽4由剝除(ablation)、模鑄(molding)、注射成型(injection molding)、壓模成型(compression molding)、轉移成型(transfer molding)、機械加工(machining)、快速原型法(rapid prototyping)、三維列印(three-dimensional printing)等形成,並且包括第一開口、第二開口、頂部、延伸部及突出部。參見圖3B,收光器件1及發光器件2接合至基板5之同一側。然後,參見圖3C,封裝材料35由列印(printing)、塗佈(coating)、噴塗(spraying)、點膠(dispensing)或模鑄(molding)的方式形成,以覆蓋收光器件1及發光器件2。可選地,可以在封裝材料35上履行研磨製程,用於調整厚度或平面化。隨後,參見圖3D,位於與覆蓋帽4之延伸部對齊的凹部36中的封裝材料35之一部分藉由切削移除,以形成帶有凹部36的封裝結構3。參見圖3E,膠材7佈置於封裝結構3之頂表面31及凹部36上。然後,參見圖3F,移動覆蓋帽4以與封裝結構3對齊,並且通過膠材7黏合覆蓋帽4至封裝結構3。在黏合步驟後,膠材7固化而形成為黏合層6。最後,參見圖3G,履行切割製程以形成複數個光學感測裝置。
在另一個實施例中,覆蓋帽4之突出部並未完全圍繞覆蓋帽4之開口。圖4示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置200之俯視面。光學感測裝置200具有長側111及短側112。在一個實施例中,長側111具有範圍在2~7mm的長度。短側112具有範圍在0.5~5mm的長度。長側111和對應於收光器件1或發光器件2之開口44、45之間的距離較小,所以膠材不容易塗佈在封裝結構3之頂表面31之這個區域上。也就是說,黏合層6並未完全圍繞第一開口44及/或第二開口45。第一開口44具有平行於光學感測裝置200之長側111的第一側46,以及平行於光學感測裝置200之短側112的第二側47。黏合層6完全圍繞第二側47,或者完全填充於第二側47和封裝結構3之頂表面31之短側112之間的區域中。黏合層6部分圍繞第一側46,或者部分填充於第一側46和封裝結構3之頂表面31之長側111之間的區域中。覆蓋帽4之突出部具有第一部分421及第二部分422,其彼此分離並且圍繞平行於短側112的第一開口44之兩個相對側。突出部之第一部分421、第二部分422並未完全圍繞平行於長側111的第一開口44之另兩個相對側。
第二開口45具有平行於光學感測裝置200之長側111的第一側48,以及平行於光學感測裝置200之短側112的第二側49。黏合層6完全圍繞第二側49,或者完全填充於第二側49和封裝結構3之頂表面31之短側112之間的區域中。黏合層6部分圍繞第一側48,或者部分填充於第一側48和封裝結構3之頂表面31之長側111之間的區域中。覆蓋帽4之突出部具有第三部分423及第四部分424,其彼此分離並且圍繞平行於短側112的第二開口45之兩個相對側。突出部之第三部分423、第四部分424並未完全圍繞平行於長側111的第二開口45之另兩個相對側。
在另一個實施例中,覆蓋帽4之外側表面並未與封裝結構3共面。圖5示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置300之剖面。封裝結構3具有至少一個凹部36位於靠近光學感測裝置300之外圍的位置。封裝結構3具有第一側表面32、第二側表面37面對第一側表面32、以及下表面34連接至第一側表面32及第二側表面37。第一側表面32、第二側表面37及下表面34共同形成凹部36。覆蓋帽4具有延伸部43,其嵌入凹部36並且通過黏合層6黏合至封裝結構3。
在另一個實施例中,光學感測裝置可以具有遮擋結構,其佈置於收光器件1和發光器件2之間以減少來自發光器件2的干涉光。圖6示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置400之剖面。遮擋結構8位於收光器件1和發光器件2之間,並且由封裝結構3覆蓋。遮擋結構8可以是矽樹脂、環氧樹脂,並且含有吸光物質以減少從發光器件2發出並放射至收光器件1的光。因此,光學感測裝置之靈敏度可以進一步改進。在另一個實施例中,遮擋結構8接觸覆蓋帽4位於遮擋結構8上方的部分。換句話說,遮擋結構8及覆蓋帽4可以整合於一體成形的結構中。
在另一個實施例中,覆蓋帽4並未具有突出部。圖7A示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置700之剖面。覆蓋帽4佈置於封裝結構3上,以屏蔽或吸收干涉光。覆蓋帽4通過黏合層6黏合至封裝結構3。雖然覆蓋帽4並未具有突出部以防止黏合層6溢流至第一開口44及第二開口45內。但是,可以調整黏合層6之量以使黏合層6不超過覆蓋帽4之最外側而溢流至開口。如圖7A所示,覆蓋帽4包括頂部41、延伸部43從頂部41向基板5延伸、第一開口44及第二開口45。黏合層6具有第一部分61及第二部分62。第一部分61佈置於封裝結構3之頂表面31上,用於接合覆蓋帽4之頂部41至封裝結構3。第二部分62佈置於封裝結構3之凹部中、位於第一側表面32和延伸部43之間以及下表面34和延伸部43之間,用於接合延伸部43至封裝結構3。第一部分61具有靠近開口45或44的最外側611,並且最外側611從覆蓋帽4之頂部41之最外側411內縮。黏合層6之第一部分61之最外側611具有曲線形狀。
在另一個實施例中,覆蓋帽4之延伸部可以位於收光器件1和發光器件2之間,以減少來自發光器件2的干涉光。圖7B示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置710之剖面。覆蓋帽4包括頂部41、第一延伸部43、第二延伸部43'、第一開口44及第二開口45。第一延伸部43及第二延伸部43'從頂部41向基板5延伸。第一延伸部43位於封裝結構3之外圍處,用於增強光學感測裝置710之機械可靠度。第二延伸部43'位於收光器件1和發光器件2之間,以減少來自發光器件2的干涉光。覆蓋帽4通過黏合層6黏合至封裝結構3。覆蓋帽4之第一延伸部43及第二延伸部43'以大於零的距離遠離基板5。第一延伸部43和基板5之間的距離D1可以不同於並且小於第二延伸部43'和基板5之間的距離D2。在另一個實施例中,距離D1可以等於或大於距離D2。
圖8A–8B示出根據本公開內容之不同實施例的包括光學感測器器件的不同可穿戴設備。圖8A示出包括光學感測器器件800的耳機。當用戶佩戴耳機以聆聽音樂或通訊時,光學感測器器件800接觸用戶之皮膚,並且可以被配置同時測量各種生物資訊。圖8B示出包括光學感測器器件810的眼鏡。當用戶佩戴眼鏡時,光學感測器器件810接觸用戶之皮膚,並且可以被配置同時測量各種生物資訊。光學感測器器件800、810可以是前述光學感測器器件中的一個。圖8A–8B示出可穿戴設備之兩個示例,但是諸如頭盔、腕帶、手錶的合適可穿戴設備可以安裝光學感測器器件來測量各種生物資訊。
圖9示出根據本公開內容之一個實施例的收光器件。收光器件900包括光電子器件901、控制器件902及接合界面903。光電子器件901及控制器件902經由接合界面903(例如,氧化物或任何其它合適材料)晶圓接合。光電子器件901包括第一基板910以及沉積於第一基板910上的複數個檢測區912。控制器件902包括第二基板930以及由第二基板930承載的複數個對應電路區域932。每個電路區域932通過接合界面903之導電路線922電耦接至對應檢測區912。第一基板910及第二基板930兩者可以是矽基板。檢測區912包括可以不同於(例如,從異質材料製作)或相同於(例如,從同質材料製作)第一基板910的材料。在一個實施例中,檢測區912之材料可以包括III-V族材料,諸如P、N、Ga、In、Al。在另一個實施例中,檢測區912之材料可以包括IV族材料,諸如鍺(Ge)、Si。
圖10示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置1000之剖面。光學感測裝置1000與圖7B中示出的光學感測裝置710相似。差別是光學感測裝置1000包括控制元件9,其被配置控制收光器件1及發光器件2。收光器件1及發光器件2位於控制元件9上,並且通過導線10電連接至控制元件9。收光器件1、發光器件2及控制元件9佈置於基板5上,並且由封裝結構3包封。
儘管本公開內容已經通過示例及根據優選實施例進行了描述,應當理解本公開內容不限於此。相反地,本公開內容旨在覆蓋各種變更以及相似安排及程序,並且所附申請專利範圍之範疇因此應給予最廣泛的解釋,以涵蓋所有此類變更以及相似安排及程序。
100:光學感測裝置
1:收光器件
11:側表面
12:頂表面
2:發光器件
21:側表面
22:頂表面
3:封裝結構
31:頂表面
32:第一側表面
33:外側表面
34:下表面
35:封裝材料
36:凹部
4:覆蓋帽
41:頂部
42:突出部
43:延伸部
44:第一開口
45:第二開口
46:下端
47:外側表面
5:基板
6:黏合層
61:第一部分
62:第二部分
63:外側表面
7:膠材
T1:厚度(第一部分)
T2:厚度(第二部分)
T3:厚度(頂部)
T4:厚度(延伸部)
400:光學感測裝置
111:長側
112:短側
421:第一部分
422:第二部分
423:第三部分
424:第四部分
46:第一側(第一開口)
47:第二側(第一開口)
48:第一側(第二開口)
49:第二側(第二開口)
500:光學感測裝置
37:第二側表面
600:光學感測裝置
8:遮擋結構
700:光學感測裝置
411:最外側(頂部)
611:最外側(第一部分)
710:光學感測裝置
43:第一延伸部
43':第二延伸部
D1、D2:距離
800、810:光學感測器器件
900:收光器件
901:光電子器件
902:控制器件
903:接合界面
910:第一基板
912:檢測區
922:導電路線
930:第二基板
932:電路區域
1000:光學感測裝置
9:控制元件
10:導線
各個實施例之面向所屬技術領域中具有通常知識者的詳細討論在說明書中闡述,說明書參考所附圖式,其中:
圖1示出根據本公開內容之一個實施例的光學感測裝置之俯視面。
圖2示出根據本公開內容之一個實施例的光學感測裝置之剖面。
圖3A–3G示出製造根據本公開內容之一個實施例的光學感測裝置之步驟。
圖4示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置之俯視面。
圖5示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置之剖面。
圖6示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置之剖面。
圖7A示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置之剖面。
圖7B示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置之剖面。
圖8A示出根據本公開內容之一個實施例的包括光學感測器器件的耳機。
圖8B示出根據本公開內容之一個實施例的包括光學感測器器件的眼鏡。
圖9示出根據本公開內容之一個實施例的收光元件。
圖10示出根據本公開內容之另一個實施例的光學感測裝置之剖面。
本說明書及圖式中參考標記之重複使用旨在表示本發明之相同及/或類似特徵或元素。
500:光學感測裝置
1:收光器件
2:發光器件
3:封裝結構
31:頂表面
32:第一側表面
33:外側表面
34:下表面
36:凹部
37:第二側表面
4:覆蓋帽
41:頂部
42:突出部
43:延伸部
44:第一開口
45:第二開口
5:基板
6:黏合層
Claims (20)
- 一種光學感測裝置,包含: 一基板; 一收光器件,佈置於該基板上,並且電連接至該基板; 一發光器件,佈置於該基板上,並且電連接至該基板; 一封裝結構,佈置於該基板上,並且覆蓋該發光器件及該收光器件,該封裝結構包含一頂表面、一第一側表面及一下表面,其中該第一側表面及該下表面共同形成一凹部; 一覆蓋帽,佈置於該封裝結構上,包含一第一開口、一頂部、一突出部及一延伸部;以及 一黏合層,安置於該封裝結構和該覆蓋帽之間,以黏合該封裝結構及該覆蓋帽, 其中該突出部從該頂部向該基板延伸,並且接觸至該封裝結構之頂表面, 其中該延伸部從該頂部向該基板延伸,並且安置於該凹部中,並且 其中該覆蓋帽在一俯視面中並未延伸到該封裝結構之外。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該覆蓋帽包含被配置屏蔽或吸收一NIR(近紅外)光或一SWIR(短波長紅外)光的一材料。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該封裝結構包含對一NIR光或一SWIR光呈透明的一材料。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該收光器件包含一光電子器件,其具有包含鍺的一檢測區。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中在一剖面中,該第一開口之位置對應於該收光器件。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該延伸部位於該封裝結構之一外圍處。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該延伸部具有與該封裝結構之外側表面共面的一外側表面。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該突出部圍繞該第一開口。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該突出部圍繞該第一開口之至少一部分。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該覆蓋帽包含一第二開口,其位置對應於該發光器件。
- 如請求項10之光學感測裝置,其中該突出部圍繞該第二開口之至少一部分。
- 如請求項10之光學感測裝置,其中該第二開口具有小於該第一開口之面積的一面積。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該黏合層具有一第一部分,位於該頂部和該頂表面之間,以及一第二部分,位於該凹部中,該第一部分具有厚於該第二部分之厚度的一厚度。
- 如請求項1之光學感測裝置,其中該收光器件具有大於該發光器件的一面積。
- 一種用於製造光學感測裝置的方法,包含: 形成一覆蓋帽,包含一第一開口、一頂部、一突出部及一延伸部; 提供一基板; 佈置一收光器件及一發光器件於該基板上; 形成一封裝結構於該基板上,以覆蓋該收光器件及該發光器件; 形成一凹部於該封裝結構上,用於容置該延伸部; 形成一膠材於該封裝結構上; 將該覆蓋帽與該收光器件及該發光器件對齊,以使該第一開口位於該收光器件上方; 通過該膠材黏合該覆蓋帽於該封裝結構上;以及 切割以形成該光學感測裝置。
- 一種光學感測裝置,包含: 一基板; 一收光器件,佈置於該基板上,並且電連接至該基板; 一發光器件,佈置於該基板上,並且電連接至該基板; 一封裝結構,佈置於該基板上,並且覆蓋該發光器件及該收光器件,該封裝結構包含一凹部; 一覆蓋帽,佈置於該封裝結構上,包含一第一開口、一頂部及一第一延伸部;以及 一黏合層,安置於該封裝結構和該覆蓋帽之間,以黏合該封裝結構及該覆蓋帽, 其中該第一延伸部從該頂部向該基板延伸,並且安置於該凹部中,並且 其中在一俯視面中,該覆蓋帽並未延伸到該封裝結構之外。
- 如請求項16之光學感測裝置,進一步包含一第二延伸部,從該頂部延伸,並且位於該收光器件和該發光器件之間。
- 如請求項16之光學感測裝置,其中該黏合層具有從該覆蓋帽之最外側內縮的一最外側。
- 如請求項18之光學感測裝置,其中該黏合層之該最外側具有一曲線形狀。
- 如請求項16之光學感測裝置,其中該收光器件包含一光電子器件,其具有包含鍺的一檢測區。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202263398857P | 2022-08-18 | 2022-08-18 | |
US63/398,857 | 2022-08-18 | ||
US18/345,830 | 2023-06-30 | ||
US18/345,830 US20240063322A1 (en) | 2022-08-18 | 2023-06-30 | Optical Sensing Apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202410481A true TW202410481A (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=89906144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW112130615A TW202410481A (zh) | 2022-08-18 | 2023-08-15 | 光學感測裝置及其製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240063322A1 (zh) |
CN (1) | CN117594582A (zh) |
TW (1) | TW202410481A (zh) |
-
2023
- 2023-06-30 US US18/345,830 patent/US20240063322A1/en active Pending
- 2023-08-09 CN CN202310996948.6A patent/CN117594582A/zh active Pending
- 2023-08-15 TW TW112130615A patent/TW202410481A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117594582A (zh) | 2024-02-23 |
US20240063322A1 (en) | 2024-02-22 |
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