TW202405964A - 傳熱氣體之洩漏量降低方法及電漿處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種供給至邊緣環與靜電吸盤之間的傳熱氣體之洩漏量降低方法及電漿處理裝置。
本發明之傳熱氣體之洩漏量降低方法，包含以下步驟：將邊緣環載置於具有靜電吸盤之本體部之步驟、使該邊緣環吸附於該靜電吸盤之步驟、將該邊緣環升溫之步驟、將該邊緣環降溫之步驟，以及反覆進行複數次該升溫步驟及該降溫步驟之步驟。
Description
本發明係關於一種傳熱氣體之洩漏量降低方法及電漿處理裝置。
專利文獻1中揭示一種蝕刻裝置，其將邊緣環靜電吸附於靜電吸盤，並向邊緣環之底面供給氦氣。
〔先行技術文獻〕
〔專利文獻〕
專利文獻1：日本特開2022－007865號公報
〔發明欲解決之課題〕
在一態樣中，本發明提供一種供給至邊緣環與靜電吸盤之間的傳熱氣體之洩漏量降低方法及電漿處理裝置。
〔解決課題之手段〕
為解決上述課題，透過一態樣，提供一種傳熱氣體之洩漏量降低方法，包含以下步驟：將邊緣環載置於具有靜電吸盤之本體部之步驟、使該邊緣環吸附於該靜電吸盤之步驟、將該邊緣環升溫之步驟、將該邊緣環降溫之步驟，以及反覆進行複數次該升溫步驟及該降溫步驟之步驟。
〔發明效果〕
透過一態樣，可提供一種供給至邊緣環與靜電吸盤之間的傳熱氣體之洩漏量降低方法及電漿處理裝置。
以下，參照圖式詳細說明各種例示性的實施態樣。又，在各圖式中對於相同或相當之部分附上相同符號。
［電漿處理系統］
以下說明電漿處理系統之構成例。圖1係用以說明電容耦合型之電漿處理裝置(基板處理裝置)1之構成例之圖之一例。
電漿處理系統包含電容耦合型之電漿處理裝置1及控制部2。電容耦合型之電漿處理裝置1包含電漿處理腔室10、氣體供給部20、電源30及排氣系統40。又，電漿處理裝置1包含基板支持部11及氣體導入部。氣體導入部將至少一種處理氣體導入漿處理腔室10內。氣體導入部包含噴淋頭13。基板支持部11配置於電漿處理腔室10內。噴淋頭13配置於基板支持部11之上方。在一實施態樣中，噴淋頭13構成電漿處理腔室10之頂蓋部(ceiling)的至少一部分。電漿處理腔室10具有由噴淋頭13、電漿處理腔室10之側壁10a及基板支持部11界定出之電漿處理空間10s。電漿處理腔室10具有用以將至少一種處理氣體供給至電漿處理空間10s之至少一個氣體供給口，以及用以從電漿處理空間10s排出氣體之至少一個氣體排出口。電漿處理腔室10接地。噴淋頭13及基板支持部11與電漿處理腔室10之框體電性絕緣。
基板支持部11包含本體部111及環組件112。本體部111具有支持基板W之中央區域111a及支持環組件112之環狀區域111b。晶圓係基板W之一例。本體部111之環狀區域111b在俯視下包圍本體部111之中央區域111a。基板W配置於本體部111之中央區域111a上，環組件112以包圍本體部111之中央區域111a上之基板W之方式配置於本體部111之環狀區域111b上。從而，中央區域111a亦稱為支持基板W之基板支持面，環狀區域111b亦稱為支持環組件112之環支持面。
在一實施態樣中，本體部111包含基台1110及靜電吸盤1111。基台1110包含導電性構件。基台1110之導電性構件可作為下部電極發揮機能。靜電吸盤1111配置於基台1110之上。靜電吸盤1111包含陶瓷構件1111a及配置於陶瓷構件1111a內之靜電電極1111b、1111c。陶瓷構件1111a具有中央區域111a。在一實施態樣中，陶瓷構件1111a亦具有環狀區域111b。靜電電極1111b設於中央區域111a。靜電電極1111c設於環狀區域111b。又，亦可使環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件等包圍靜電吸盤1111之其他構件具有環狀區域111b。此情況下，環組件112可配置於環狀靜電吸盤或環狀絕緣構件之上，亦可配置於靜電吸盤1111與環狀絕緣構件雙方之上。又，亦可將結合於後述之RF(Radio Frequency，射頻)電源31及／或DC(Direct Current直流)電源32之至少一個RF／DC電極配置於陶瓷構件1111a內。此情況下，至少一個RF／DC電極作為下部電極發揮機能。後述之偏壓RF信號及／或DC信號供給至至少一個RF／DC電極之情況，RF／DC電極亦稱為偏壓電極。又，亦可使基台1110之導電性構件及至少一個RF／DC電極作為複數之下部電極發揮機能。又，亦可使靜電電極1111b作為下部電極發揮機能。從而，基板支持部11包含至少一個下部電極。
環組件112包含一個或複數之環狀構件。在一實施態樣中，一個或複數之環狀構件包含一個或複數之邊緣環112A(參照後述之圖2)及至少一個覆蓋環。邊緣環112A由導電性材料或絕緣材料形成，覆蓋環由絕緣材料形成。
又，基板支持部11可包含將靜電吸盤1111、環組件112及基板W之中的至少一個調節至目標溫度之調溫模組。調溫模組可包含加熱器1111f、1111g(參照後述之圖2)、傳熱媒介、流路1110a或該等之組合。流路1110a中流通鹽水或氣體等傳熱流體。在一實施態樣中，流路1110a形成於基台1110內，一個或複數之加熱器配置於靜電吸盤1111之陶瓷構件1111a內。又，基板支持部11可包含向基板W之背面與中央區域111a之間的間隙供給傳熱氣體之傳熱氣體供給部。
又，基板支持部11設有連通於邊緣環112A之背面與環狀區域111b之間的間隙之流路16。於流路16連接傳熱氣體供給部17及排氣部18。傳熱氣體供給部17經由流路16向邊緣環112A之背面與環狀區域111b之間的間隙供給傳熱氣體。排氣部18經由流路16從邊緣環112A之背面與環狀區域111b之間的間隙將傳熱氣體排氣。
噴淋頭13將來自氣體供給部20之至少一種處理氣體導入電漿處理空間10s內。噴淋頭13具有至少一個氣體供給口13a、至少一個氣體擴散室13b及複數之氣體導入口13c。供給至氣體供給口13a之處理氣體，通過氣體擴散室13b而從複數之氣體導入口13c導入電漿處理空間10s內。又，噴淋頭13包含至少一個上部電極。又，氣體導入部除了噴淋頭13，亦可包含安裝在形成於側壁10a之一個或複數之開口部之一個或複數之側面氣體注入部(SGI：Side Gas Injector)。
氣體供給部20可包含至少一個氣體供給源21及至少一個流量控制器22。在一實施態樣中，氣體供給部20將至少一種處理氣體從分別對應之氣體供給源21經由分別對應之流量控制器22供給至噴淋頭13。各流量控制器22例如可包含質量流量控制器或壓力控制式之流量控制器。再者，氣體供給部20亦可包含將至少一種處理氣體之流量調變或脈衝化之一個或以上之流量調變元件。
電源30包含經由至少一個阻抗匹配電路結合於電漿處理腔室10之RF電源31。RF電源31將至少一個RF信號(RF功率)供給至至少一個下部電極及／或至少一個上部電極。藉此，從供給至電漿處理空間10s之至少一種處理氣體形成電漿。從而，RF電源31可作為在電漿處理腔室10中從一種或以上之處理氣體生成電漿之電漿生成部之至少一部分發揮機能。又，可藉由將偏壓RF信號供給至至少一個下部電極，於基板W產生偏壓電位，而將形成之電漿中的離子成分引入基板W。
在一實施態樣中，RF電源31包含第1RF生成部31a及第2RF生成部31b。第1RF生成部31a經由至少一個阻抗匹配電路結合於至少一個下部電極及／或至少一個上部電極，並生成電漿生成用之電漿源RF信號(電漿源RF功率)。在一實施態樣中，電漿源RF信號具有10MHz～150MHz之範圍內之頻率。在一實施態樣中，第1RF生成部31a可生成具有不同頻率之複數之電漿源RF信號。生成之一個或複數之電漿源RF信號，供給至至少一個下部電極及／或至少一個上部電極。
第2RF生成部31b經由至少一個阻抗匹配電路結合於至少一個下部電極，並生成偏壓RF信號(偏壓RF功率)。偏壓RF信號之頻率可與電漿源RF信號之頻率相同亦可不同。在一實施態樣中，偏壓RF信號具有比電漿源RF信號之頻率低之頻率。在一實施態樣中，偏壓RF信號具有100kHz～60MHz之範圍內之頻率。在一實施態樣中，第2RF生成部31b可生成具有不同頻率之複數之偏壓RF信號。生成之一個或複數之偏壓RF信號供給至至少一個下部電極。又，在各種實施態樣中，亦可將電漿源RF信號及偏壓RF信號之中的至少一者脈衝化。
又，電源30可包含結合於電漿處理腔室10之DC電源32。DC電源32包含第1DC生成部32a及第2DC生成部32b。在一實施態樣中，第1DC生成部32a連接於至少一個下部電極，並生成第1DC信號。生成之第1偏壓DC信號施加於至少一個下部電極。在一實施態樣中，第2DC生成部32b連接於至少一個上部電極，並生成第2DC信號。生成之第2DC信號施加於至少一個上部電極。
在各種實施態樣中，可將第1及第2DC信號之中的至少一者脈衝化。此情況下，將電壓脈衝之序列施加於至少一個下部電極及／或至少一個上部電極。電壓脈衝可具有矩形、台形、三角形或該等之組合之脈衝波形。在一實施態樣中，用以從DC信號生成電壓脈衝之序列之波形生成部連接在第1DC生成部32a與至少一個下部電極之間。從而，第1DC生成部32a及波形生成部構成電壓脈衝生成部。第2DC生成部32b及波形生成部構成電壓脈衝生成部之情況，電壓脈衝生成部連接於至少一個上部電極。電壓脈衝可具有正極性，亦可具有負極性。又，電壓脈衝之序列可在1周期內包含一個或複數之正極性電壓脈衝及一個或複數之負極性電壓脈衝。又，第1及第2DC生成部32a、32b可在RF電源31之外額外設置，亦可設置第1DC生成部32a而取代第2RF生成部31b。
排氣系統40可連接於設在例如電漿處理腔室10之底部之氣體排出口10e。排氣系統40可包含壓力調整閥及真空泵。透過壓力調整閥，調整電漿處理空間10s內之壓力。真空泵可包含渦輪分子泵、乾式泵或該等之組合。
控制部2處理使電漿處理裝置1執行本發明中敘述之各種步驟之電腦可執行之命令。控制部2控制電漿處理裝置1之各要素，以執行所述之各種步驟。在一實施態樣中，控制部2之一部分或全部可包含於電漿處理裝置1。控制部2可包含處理部2a1、儲存部2a2及通信介面2a3。控制部2例如透過電腦2a實現。處理部2a1從儲存部2a2讀取程式，並執行讀取之程式而進行各種控制動作。此程式可預先儲存於儲存部2a2，亦可係在必要時經由媒體取得。取得之程式儲存於儲存部2a2，並透過處理部2a1從儲存部2a2讀取而執行。媒體可係電腦2a可讀取之各種記錄媒體，亦可係連接於通信介面2a3之通信網路。處理部2a1可係CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。儲存部2a2可包含RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)、HDD(Hard Disk Drive，硬碟)、SSD(Solid State Drive，固態硬碟)或該等之組合。通信介面2a3可經由LAN(Local Area Network，區域網路)等通信網路而在其與電漿處理裝置1之間進行通信。
［基板支持部］
接著，利用圖2進一步說明基板支持部11。圖2係說明基板支持部11之邊緣環112A附近之構成之部分擴大剖面示意圖之一例。
在中央區域111a之下的陶瓷構件1111a內，設有吸附基板W之靜電電極1111b。靜電電極1111b與吸盤電源14連接。
在環狀區域111b之下的陶瓷構件1111a內，設有吸附邊緣環112A之靜電電極1111c。靜電電極1111c例如係雙極電極。靜電電極1111c與吸盤電源15連接。
亦可在陶瓷構件1111a內設置偏壓電極1111d、1111e。偏壓電極1111d設於中央區域111a之下的陶瓷構件1111a內。偏壓電極1111e設於環狀區域111b之下的陶瓷構件1111a內。偏壓電極1111d、1111e連接於偏壓電源19。偏壓電源19向偏壓電極1111d、1111e施加負脈衝電壓作為偏壓DC信號。又，偏壓電極1111d、1111e亦可連接於供給RF信號之RF電源(未圖示)。又，偏壓電源19、RF電源(未圖示)可利用電源30(參照圖1)。
又，靜電電極1111b與偏壓電極1111d可如圖2所示個別設置，亦可使靜電電極1111b作為偏壓電極1111d發揮機能。又，靜電電極1111c與偏壓電極1111e可如圖2所示個別設置，亦可使靜電電極1111c作為偏壓電極1111e發揮機能。
於陶瓷構件1111a內可設有加熱器1111f、1111g。加熱器1111f設於中央區域111a之下的陶瓷構件1111a內。加熱器1111g設於環狀區域111b之下的陶瓷構件1111a內。加熱器1111f、1111g連接於加熱器電源(未圖示)。
此處，以電漿處理裝置1為電漿蝕刻處理裝置之情況為例說明。在電漿處理裝置1中，利用靜電吸盤1111固持基板W。又，在基板W周圍配置導電性之邊緣環112A，以提升蝕刻形狀之均一性。邊緣環112A可能由固持基板W之靜電吸盤1111或與該靜電吸盤1111不同之其他靜電吸盤固持。此情況下，有時會在邊緣環112A與靜電吸盤1111之間充填傳熱氣體以提高熱傳導率。作為傳熱氣體，例如使用氦氣。
但，由於邊緣環112A與靜電吸盤1111互相接觸之面的加工形狀並非完全一致，邊緣環112A與靜電吸盤1111之間可能形成間隙，而使傳熱氣體洩漏。若洩漏量較多，會使蝕刻形狀變動，故要求降低洩漏量。
接著，利用圖3說明傳熱氣體之洩漏量降低方法。圖3係說明傳熱氣體之洩漏量降低方法之流程圖之一例。
在步驟S101中，於靜電吸盤1111之環支持面(環狀區域111b)載置邊緣環112A。又，邊緣環112A之載置可將電漿處理腔室10開放並由作業員手動進行，亦可透過設於與電漿處理腔室10鄰接設置之真空搬運室(未圖示)內之搬運手臂(未圖示)自動進行。又，作為邊緣環112A之材質之一例為矽。作為靜電吸盤1111之陶瓷構件1111a之材質之一例為氧化鋁。
在步驟S102中，將電漿處理腔室10內減壓至既定之壓力後，使邊緣環112A吸附於靜電吸盤1111。首先，控制部2控制排氣系統40而將電漿處理腔室10內減壓至既定之壓力。然後，控制部2控制吸盤電源15而向雙極之靜電電極1111c施加電壓。藉此，將邊緣環112A靜電吸附於靜電吸盤1111。
在步驟S103中，向邊緣環112A與靜電吸盤1111之間供給傳熱氣體。控制部2控制傳熱氣體供給部17而向邊緣環112A與靜電吸盤1111之間供給傳熱氣體。又，作為傳熱氣體之一例為氦氣。
在步驟S104中，於靜電吸盤1111之基板支持面(中央區域111a)載置虛設晶圓(表面未形成圖案之晶圓)。又，虛設晶圓之載置可透過設於與電漿處理腔室10鄰接設置之真空搬運室(未圖示)內之搬運手臂(未圖示)自動進行。
在步驟S105中，使虛設晶圓吸附於靜電吸盤1111。控制部2控制吸盤電源14向靜電電極1111b施加電壓。藉此，將虛設晶圓靜電吸附於靜電吸盤1111。
又，從步驟S101至步驟S105之處理不限於此順序。例如，虛設晶圓之載置(S104)及虛設晶圓之吸附(S105)，可在邊緣環112A之吸附(S102)前進行。又，亦可不將虛設晶圓載置於靜電吸盤1111之基板支持面。
在步驟S106中，將邊緣環112A加熱。此處，控制部2可控制加熱器電源(未圖示)使設於靜電吸盤1111之加熱器1111f、1111g加熱，藉此將邊緣環112A加熱。又，控制部2亦可控制調溫模組(未圖示)，於流路1110a流通高溫之傳熱媒介(調溫媒介)而對基台1110進行溫度調整，藉此經由靜電吸盤1111將邊緣環112A加熱。控制部2亦可控制電漿生成部於電漿處理腔室10內生成電漿，藉此透過來自電漿之入熱將邊緣環112A加熱。又，邊緣環112A之加熱亦可組合以上方式。除了透過靜電吸盤1111之加熱器1111f、1111g及／或透過傳熱媒介對基台1110進行溫度調整，可更利用電漿之加熱而提升邊緣環112A之升溫速度。又，生成電漿時，可向偏壓電極1111d、1111e施加偏壓DC信號，亦可不施加。又，未於基板支持面(中央區域111a)載置虛設晶圓之情況下，較佳不向偏壓電極1111d供給偏壓DC信號，以抑制對於載置基板W之靜電吸盤1111之基板支持面之損傷。
在步驟S107中，將邊緣環112A冷卻。此處，控制部2可控制調溫模組(未圖示)於流路1110a流通低溫之傳熱媒介(調溫媒介)而對基台1110進行溫度調整，藉此經由靜電吸盤1111將邊緣環112A冷卻。又，在邊緣環112A之加熱(S106)時生成電漿之情況下，控制部2可控制電漿生成部停止電漿生成，而將邊緣環112A冷卻。
又，步驟S106之加熱時之邊緣環112A之設定溫度與步驟S10之冷卻時之邊緣環112A之設定溫度之間的溫度差，較佳至少設為30℃以上。
在步驟S108中，控制部2判定反覆進行邊緣環112A之加熱與冷卻之次數是否已經過既定次數。未反覆進行既定次數時(S108・否)，控制部2之處理回到步驟S106。已反覆進行既定次數時(S108・是)，控制部2之處理前進至步驟S109。
在步驟S109中，停止向邊緣環112A與靜電吸盤1111之間供給之傳熱氣體，並使靜電吸盤1111之極性反轉。首先，控制部2控制傳熱氣體供給部17，停止對於邊緣環112A與靜電吸盤1111之間的傳熱氣體之供給。接著，控制部2控制排氣部18，將邊緣環112A與靜電吸盤1111之間的傳熱氣體排氣或減壓。接著，控制部2控制吸盤電源15，將施加於雙極之靜電電極1111c之電壓之極性反轉並施加。然後，控制部2控制傳熱氣體供給部17，向邊緣環112A與靜電吸盤1111之間供給傳熱氣體。藉此，抑制靜電吸附力降低。又，此步驟亦可省略。
在步驟S110中，控制部2判定步驟S106至步驟S108之處理之反覆進行次數是否已經過既定次數。未反覆進行既定次數時(S110・否)，控制部2之處理回到步驟S106。已反覆進行既定次數時(S110・是)，控制部2之處理前進至步驟S111。
又，返回步驟S106將邊緣環112A加熱(S106)時，加熱時之設定溫度可與前一次加熱時之設定溫度相同亦可不同。又，返回步驟S106並將邊緣環112A冷卻(S107)時，冷卻時之設定溫度可與前一次冷卻時之設定溫度相同亦可不同。
又，如步驟S108及步驟S110所示，邊緣環112A之加熱(S106)與邊緣環112A之冷卻(S107)之溫度循環反覆進行複數次。具體而言，溫度循環較佳至少進行10次以上。
在步驟S111中，將載置於靜電吸盤1111之基板支持面(中央區域111a)之虛設晶圓搬出。又，邊緣環112A靜電吸附於靜電吸盤1111，又，在邊緣環112A與靜電吸盤1111之間充填傳熱氣體。
在步驟S112中，將製品晶圓(表面形成有圖案之晶圓)搬入電漿處理腔室10內，並對製品晶圓進行基板處理。又，在製品晶圓之基板處理時，邊緣環112A靜電吸附於靜電吸盤1111。又，在邊緣環112A與靜電吸盤1111之間充填有傳熱氣體。
圖4係本發明之溫度循環之一例。縱軸係邊緣環112A之溫度，橫軸係時間。如圖4所示，可在邊緣環112A之加熱時(S106)生成電漿，並在邊緣環112A之冷卻時(S107)停止電漿生成。藉由反覆進行電漿之生成與停止，可反覆進行邊緣環112A之加熱(升溫)與冷卻(降溫)。
圖5係比較傳熱氣體之洩漏量之圖表之一例。此處，「(a)無溫度循環」係在步驟S103之後測定傳熱氣體(He氣體)之洩漏量(sccm)之結果。亦即，相當於在步驟S103之後省略步驟S104至步驟S111之處理而進行步驟S112之處理之情況。又，「(b)有溫度循環」係在步驟S111之後測定傳熱氣體(He氣體)之洩漏量(sccm)之結果。亦即，相當於依照圖3所示之流程進行了降低傳熱氣體之洩漏量之處理之情況。又，圖5之例中，「(b)有溫度循環」係進行30次加熱及冷卻之溫度循環。又，對於個體A及個體B分別測定洩漏量。又，在個體A中，對於在加熱時生成電漿之情況測定洩漏量。在個體B中，對於在加熱時生成電漿之情況及未在加熱時生成電漿之情況，分別測定洩漏量。
如圖5所示，在個體A及個體B中，皆呈現藉由執行溫度循環而減少傳熱氣體(He氣體)之洩漏量。又，在個體B中，若比較在加熱時生成電漿之情況(實線)與未在加熱時生成電漿之情況(虛線)，呈現生成電漿之情況更加減少傳熱氣體(He氣體)之洩漏量。
如上，藉由在將邊緣環112A載置並靜電吸附於靜電吸盤1111後，使靜電吸盤1111(邊緣環112A)周期性地升溫及降溫，而減少向邊緣環112A與靜電吸盤1111之間充填之傳熱氣體之洩漏量。
原因在於，透過邊緣環112A與靜電吸盤1111之熱膨脹係數差，於接觸面產生偏移而減小接觸面之間隙，及／或透過靜電吸盤1111與邊緣環112A之接觸面之摩擦而減小接觸面之間隙，進而減少傳熱氣體之洩漏量。
又，藉由在加熱時生成電漿，增大邊緣環112A之升溫速度。因此，邊緣環112A與靜電吸盤1111之接觸面之偏移／摩擦變大，而更加減小接觸面之間隙。
又，在圖3所示之流程圖中，以在將邊緣環112A加熱後將邊緣環112A冷卻之情況為例說明，但不限於此。例如，亦可在將邊緣環112A冷卻後，將邊緣環112A加熱，並反覆進行冷卻與加熱之溫度循環。
以上揭示之實施態樣例如包含以下之態樣。
(附記1)
一種傳熱氣體之洩漏量降低方法，包含以下步驟：
載置步驟，將邊緣環載置於具有靜電吸盤之本體部；
吸附步驟，使該邊緣環吸附於該靜電吸盤；
升溫步驟，將該邊緣環升溫；
降溫步驟，將該邊緣環降溫；以及，
反覆步驟，反覆進行複數次該升溫步驟及該降溫步驟。
(附記2)
如附記1所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中，
該反覆步驟，係在未載置製品晶圓之狀態下進行。
(附記3)
如附記1或附記2所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中，
該靜電吸盤之熱膨脹係數與該邊緣環之線膨脹係數相異。
(附記4)
如附記1至附記3中任一項所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中，
該升溫步驟與該降溫步驟之溫度差在30度以上。
(附記5)
如附記1至附記4中任一項所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中，
該反覆步驟，係反覆進行10次以上該升溫步驟及該降溫步驟。
(附記6)
如附記1至附記5中任一項所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，更包含向該靜電吸盤與該邊緣環之間供給傳熱氣體之步驟。
(附記7)
如附記6所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中，
該升溫步驟及該降溫步驟，係在向該靜電吸盤與該邊緣環之間充填該傳熱氣體之狀態下進行。
(附記8)
如附記1至附記7中任一項所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中，
該升溫步驟，係在容納該本體部之電漿處理腔室內生成電漿。
(附記9)
如附記8所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中，
該降溫步驟，係停止該電漿之生成。
(附記10)
如附記1至附記9中任一項所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中，
該靜電吸盤包含雙極之靜電電極；
該傳熱氣體之洩漏量降低方法，更包含使施加於該靜電電極之電壓之極性反轉之步驟。
(附記11)
一種電漿處理裝置，包含：
電漿處理腔室；
本體部，配置於該電漿處理腔室內並具有靜電吸盤；
邊緣環，載置於該靜電吸盤；以及，
控制部；
該控制部，執行以下步驟：
使該邊緣環吸附於該靜電吸盤之步驟；
將該邊緣環升溫之步驟；
將該邊緣環降溫之步驟；以及，
反覆進行複數次該升溫步驟及該降溫步驟之步驟。
又，本發明不限於上述實施態樣中列舉之構成等，以及與其他要素之組合等在此揭示之構成。關於此點，可在不脫離本發明之主旨之範圍內進行變更，並因應應用形態適當設定。
又，本發明主張基於2022年3月8日提出申請之美國專利申請案63／268、985之優先權，並參照該等美國專利申請案之全部內容而援用至本發明。
1:電漿處理裝置
2:控制部
2a:電腦
2a1:處理部
2a2:儲存部
2a3:通信介面
10:電漿處理腔室
10a:側壁
10e:氣體排出口
10s:電漿處理空間
11:基板支持部
111:本體部
111a:中央區域
111b:環狀區域
1110:基台
1110a:流路
1111:靜電吸盤
1111a:陶瓷構件
1111b:靜電電極
1111c:靜電電極
1111d,1111e:偏壓電極
1111f,1111g:加熱器
112:環組件
112A:邊緣環
13:噴淋頭
13a:氣體供給口
13b:氣體擴散室
13c:氣體導入口
14:吸盤電源
15:吸盤電源
16:流路
17:傳熱氣體供給部
18:排氣部
19:偏壓電源
20:氣體供給部
21:氣體供給源
22:流量控制器
30:電源
31:RF電源
31a:第1RF生成部
31b:第2RF生成部
32:DC電源
32a:第1DC生成部
32b:第2DC生成部
40:排氣系統
W:基板
S101~112:步驟
圖1係用以說明電容耦合型之電漿處理裝置之構成例之圖之一例。
圖2係說明基板支持部之邊緣環附近之構成之部分擴大剖面示意圖之一例。
圖3係說明傳熱氣體之洩漏量降低方法之流程圖之一例。
圖4係本發明之溫度循環之一例。
圖5係比較傳熱氣體之洩漏量之圖表之一例。
S101~112:步驟
Claims (11)
- 一種傳熱氣體之洩漏量降低方法，包含以下步驟： 載置步驟，將邊緣環載置於具有靜電吸盤之本體部； 吸附步驟，使該邊緣環吸附於該靜電吸盤； 升溫步驟，將該邊緣環升溫； 降溫步驟，將該邊緣環降溫；以及， 反覆步驟，反覆進行複數次該升溫步驟及該降溫步驟。
- 如請求項1所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中， 該反覆步驟，係在未載置製品晶圓之狀態下進行。
- 如請求項1所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中， 該靜電吸盤之熱膨脹係數與該邊緣環之線膨脹係數相異。
- 如請求項1所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中， 該升溫步驟與該降溫步驟之溫度差在30度以上。
- 如請求項1所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中， 該反覆步驟，係反覆進行10次以上該升溫步驟及該降溫步驟。
- 如請求項1所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，更包含向該靜電吸盤與該邊緣環之間供給傳熱氣體之步驟。
- 如請求項6所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中， 該升溫步驟及該降溫步驟，係在向該靜電吸盤與該邊緣環之間充填了該傳熱氣體之狀態下進行。
- 如請求項1至請求項7中任一項所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中， 將該邊緣環升溫之該升溫步驟，係在容納該本體部之電漿處理腔室內生成電漿。
- 如請求項8所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中， 將該邊緣環降溫之該降溫步驟，係停止該電漿之生成。
- 如請求項1至請求項5中任一項所述之傳熱氣體之洩漏量降低方法，其中， 該靜電吸盤包含雙極之靜電電極； 該傳熱氣體之洩漏量降低方法更包含使施加於該靜電電極之電壓之極性反轉之步驟。
- 一種電漿處理裝置，包含： 電漿處理腔室； 本體部，配置於該電漿處理腔室內並具有靜電吸盤； 邊緣環，載置於該靜電吸盤；以及， 控制部； 該控制部可執行以下步驟： 吸附步驟，使該邊緣環吸附於該靜電吸盤； 升溫步驟，將該邊緣環升溫； 降溫步驟，將該邊緣環降溫；以及， 反覆步驟，反覆進行複數次該升溫步驟及該降溫步驟。
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