TW202405576A - 對準二組件的裝置與方法 - Google Patents

Abstract

本發明涉及一種用於對準半導體微影的投影曝光設備（1、101）的兩個組件（31、33）的方法，其包括以下方法步驟： - 在z方向上將第一組件（33）的至少一個心軸（30、50）插入第二組件（31）的凹部（94）中， - 將垂直於z方向的心軸（30、50）預加載到預定扭矩，預定扭矩用於在x-y平面中將兩個組件（31、33）相對於彼此預先定位， - 在z方向上利用接觸力F _A定位兩個組件（31、33），直到它們彼此接觸， - 以最大扭矩繃緊具有凹部（94）的心軸（30、50）， - 在z方向上定位兩個組件，直到第一組件（31）以最大重力F _max倚靠於第二組件（33）。 本發明還涉及一種裝置，其用於對準半導體微影的投影曝光設備（1、101）的兩個組件（31、33），其中裝置包括心軸（30）。 本發明還涉及一種用於對準半導體微影的投影曝光設備（1、101）的兩個組件（31、33）的方法，其中對準包括使用心軸（30、50）。

Description

對準二組件的裝置與方法

本發明涉及一種用於對準組件的裝置和方法，特別是用於半導體微影的投影曝光設備的組件。

投影曝光設備在成像準確度方面具有極高的要求，這在很大程度上取決於光學元件的定位，並因此取決於投影曝光設備的組件。

所實現的光學元件定位準確度是由在光學元件組裝期間實現的預對準以及利用操縱器對光學元件進行的後續定位組成。除其他事項外，操縱器可達到的準確度還取決於所需的最大總行程路徑，這也取決於組件在預對準期間所達到的準確度。操縱器所需的行程路徑越大，定位準確度所需的分辨率就越低。因此，對投影曝光設備的光學元件定位準確度的要求逐代增加，因此也導致對光學元件相對於組裝中參考全局的對準提出更高的要求。

此外，投影曝光設備的設計越來越模組化，其目的是能夠在客戶端現場簡單更換有缺陷的模組或是用進一步開發和改良的模組來替換它們，導致進一步增加對於組裝過程中光學元件或組件的對準準確度的要求。由於現有技術中使用的裝置和方法缺乏測量工具或測量工具的可用性有限，在客戶端現場進行更換期間所獲得的準確度會比初始組裝期間差。

此外，在客戶端現場對於隨插即用過程的需求，也就是現有技術中經常使用的無需配對模組而進行任何組件的更換，導致組件彼此之間對準的準確度的要求也增加了。在現有技術中使用的裝置和方法越來越不能滿足這些增加的需求。

本發明的目的是提供一種裝置和方法，利用該裝置和方法能以所需的準確度對準組件。

藉由具有獨立請求項特徵的設備和方法來實現該目的。附屬請求項則是涉及本發明的有利發展和變化。

根據本發明實施例的一種用於對準半導體微影的投影曝光設備的兩組件的方法，其包括以下方法步驟： - 在z方向上將第一組件的至少一個心軸(mandrel)插入第二組件的凹部中， - 將垂直於z方向的心軸預加載到預定扭矩，預定扭矩用於在x-y平面中將兩組件相對於彼此預先定位， - 在z方向上利用接觸力F _A定位兩組件，直到它們彼此接觸， - 以最大扭矩繃緊具有凹部的心軸， - 在z方向上定位兩組件，直到一組件以最大重力F _max倚靠於第二組件。

這兩組件例如可以設計為用於半導體微影的投影曝光設備的光學模組和框架，其中在一個實施例中，光學模組安裝並放置在框架上。心軸的設計決定所需心軸的數量，但靜態地判定組件相對彼此的對準是有利的選擇。一方面將兩組件定位在x-y平面中，另一方面定位在與其垂直的z方向上時的交互過程具有可以最小化可能產生的粉塵粒子的優點。

由於設置在凹部中的心軸，在心軸處或凹部中生成的粉塵粒子最初生成在設於光學元件上的光學有效表面(也就是為了成像結構而暴露於輻射的表面)的後側。因此，粉塵粒子要移動到光學有效表面距離的路徑非常遠。此外，可利用由心軸的預加載所實現的預定位，最小化精細定位期間接觸的組件之間的相對運動。此外，裝配過程中在組件之間的接觸區域可捕捉到在預定位和精細定位過程中所產生的粉塵粒子。

特別地，在兩組件之間，能以小於1000N、優選小於100N並且特別優選小於10N的接觸力來繃緊框架。如上所述，產生粉塵粒子的風險取決於接觸力和精細定位過程中接觸表面的移動距離，因此，在精細定位過程中較低的接觸力是有利的。

在該方法的另一實施例中，可以在該方法結束時將至少一個心軸釋放一次，接著再次最大程度地擰緊。這具有以下優點：當光學模組下降到光學模組中的框架上時，可以釋放在光學模組的重量完全加載期間所引起和凍結的張力。導致上述已經說明的光學有效表面上不會出現寄生變形。

本發明實施例的裝置，其用於對準半導體微影的投影曝光設備的兩組件，其中裝置包括心軸。心軸是機械工具領域中已知的夾持裝置，其藉由軸向運動或在心軸中饋入以實現心軸的徑向擴張。心軸通常包括錐體，夾持套筒設置在錐體上並且對應於錐體的外部幾何形狀。讓錐體相對於夾持套筒移動，並將夾持套筒推到錐體上使得夾持套筒徑向擴張。在手動驅動心軸的情況下，藉由手動使用夾持螺母或夾持螺絲實現錐體和夾持套筒之間的相對運動。備選地，可利用夾持缸液壓致動、電動致動或氣動致動心軸。本發明的裝置中，心軸的徑向擴張的作用並不是用於繃緊兩組件，而是讓兩組件彼此對準的手段。

特別地，心軸可以永久地連接到兩組件的其中之一。心軸的主體可對齊於其中一個組件上的局部或全局基準。

此外，另一個組件可以具有凹部，其對應於心軸外徑。凹部可以設計成鑽孔形式的中空圓柱體或具有其他任意的內部輪廓。

此外，心軸設計成可處於釋放狀態和繃緊狀態。在釋放狀態下，首先將心軸插入另一個組件的凹部中，下文稱為鑽孔。選擇釋放心軸和鑽孔之間的間隙，使得可以輕鬆接合，並且可以避免在接合過程中加工硬化的風險增加，特別是在真空環境中，例如在EUV投影曝光設備中。

具體地，在釋放狀態下鑽孔與心軸之間的接合間隙可以大於或等於30μm。接合後可使心軸進入繃緊狀態，使得心軸與鑽孔之間的間隙縮小。根據組件彼此的相對位置，當繃緊心軸時，組件之間可能存在相對運動，也就是組件可能會彼此對準。繃緊心軸可有利地提高兩組件相對於彼此對準的準確度。在藉由手動致動心軸的情況下，使用夾持螺母或夾持螺絲手動致動心軸。備選地，也可以利用夾持缸液壓致動、電動致動或氣動致動心軸。

在繃緊狀態下，鑽孔和心軸之間的接合間隙可以小於30μm，優選小於15μm，特別優選小於5μm。

在另一實施例中，夾持元件，例如心軸的夾持螺絲或夾持螺母，以可傳遞軸向力的方式連接到夾持套筒或主體。例如可以藉由設置在中間件和夾持套筒之間的滾珠軸承來實現這種力傳遞的分離。

此外，減少摩擦層可塗佈在夾持套筒及/或主體。該塗層可以是例如陶瓷層，例如所謂的DLC（類鑽碳）塗層，這可以減少粉塵粒子產生。這對於在真空環境或對無粉塵粒子具有高要求的環境（例如潔淨室）中使用心軸是有好處的。

在該裝置的另一實施例中，夾持套筒的外輪廓或相應凹部的內輪廓可以具有圓的幾何形狀。這優點可能是，例如，在鑽孔和夾持套筒的外輪廓之間僅有線性接觸，也就是不會發生多重判定的干擾狀況。

此外，該裝置可以包括重量補償單元，其用於其中一個組件。重量補償單元減少了組件之間的摩擦力，進而減少心軸為了使兩個組件彼此對齊而必須施加的力。

特別地，因此可以在接觸力小於1000N、優選小於100N、特別優選小於10N的狀況進行對準。此處的接觸力是作用於夾持套筒和主體之間的接觸面上的法向力，它直接決定了摩擦力。減少摩擦力可以有利於產生更少的粉塵粒子。此外，對齊各種組件的重量補償單元，其中無論組件自身重量如何，用於對齊組件的力是相近的。因此，同一個心軸可用於對齊所有組件，進而節省開發和生產成本。

在另一個實施例中，該裝置可以包括指示成功對準的指示器。該指示器可以使用視覺、聽覺或觸覺信號傳達：已經在預定準確度內可靠地實現兩組件相對於彼此的對準。例如，可用這樣的方式將控制銷設置在心軸中，使得控制銷齊平於心軸的外表面，或是在達到預定繃緊狀態且因此達到對準準確度時讓控制銷延伸超過心軸的外表面。

此外，心軸可以具有預定最大行程，這例如能藉由用於夾持螺絲或夾持螺母的固定止動件來實現。

特別地，預定的最大行程是可設定的。如果因為於所用組件的公差鏈導致無法利用簡單組裝以遵守行程公差，則這可能是一個優勢。例如使用可根據需要調整厚度的墊片來實施該設定。或者，也可以在測量行程後調整或重新加工止動件。

在本發明的另一個實施例中，心軸可以具有旋轉的滾珠軸承。裝滿滾珠的滾珠軸承將心軸的中間件連接至夾持套筒並且只能傳遞軸向力。由於滾珠，夾持套筒被繃緊時將不再旋轉。大大減少夾持套筒在主體上的相對運動，進而有利地減少了粉塵粒子的產生。可藉由包圍夾持套筒和主體之間的間隙以及部分開槽的夾持套筒的密封件將粉塵粒子保留在心軸中。因此，心軸幾乎不會向外釋放粉塵粒子，使其適於應用在潔淨室和真空環境。

特別地，夾持套筒可以具有剛性和彈性局部區域。滾珠軸承的前半部分可設置在剛性局部區域中，因此，即使在心軸被繃緊時，該前半部分的直徑也不會改變。例如可藉由分離切口來形成彈性區域，使得在繃緊期間確保夾持套筒和主體上的錐體之間的廣泛接觸表面。

進一步地，夾持套筒可以是整體式結構。

在進一步的實施例中，可將影響行程的螺紋設置在內部。在本發明的範疇中，內部應被理解為將螺紋設置在一個幾乎完全與外界環境隔絕的容積中。

特別地，可利用至少一個密封件將圍繞螺紋的容積從外部密封，以避免被粉塵粒子污染。該實施例可以特別適用於在無粉塵粒子方面具有高要求的區域，例如潔淨室和許多真空環境中所需要的。

以下首先參考圖1以示例性示出微影投影曝光設備1的基本組成部分。在這裡理解投影曝光設備1的基本構造及其組成部分的描述是非限制性的。

投影曝光設備1的照明系統2的實施例除了輻射源3之外還具有用於照明物平面6中的物場5的照明光學單元4。在替代實施例中，光源3也可以是與照明系統2的其餘部分分開的模組。在這種情況下，照明系統不包括光源3。

設置在物場5中的光罩7被照亮。由光罩支架8支撐光罩7。可利用光罩位移驅動9使光罩支架8移動，特別是在掃描方向上。

為了說明的目的，圖1示出了笛卡爾xyz坐標系統。x方向垂直於繪圖平面延伸。y方向為水平方向，z方向為垂直方向。掃描方向沿著圖1中的y方向縱向延伸。z方向垂直於物平面6。

投影曝光設備1包括投影光學單元10。投影光學單元10用於將物場5成像為像平面12中的像場11。像平面12平行於物平面6延伸。備選地，物平面6和像平面12之間的角度也可能不為0度角。

光罩7上的結構被成像到設置在像平面12中的像場11的區域中的晶圓13的感光層上。由晶圓支架14支撐晶圓13。可利用晶圓位移驅動15使晶圓支架14移動，特別是沿y方向。一方面利用光罩位移驅動9移動光罩7，並且另一方面利用晶圓位移驅動15移動晶圓13，以彼此同步發生。

輻射源3是EUV輻射源。尤其輻射源3可發射EUV輻射16，其在下文中也被稱為使用過的輻射、照明輻射或照明光。特別地，使用過的輻射的波長範圍在5nm和30nm之間。輻射源3可以是電漿源，例如LPP（雷射產生電漿）源或GDPP（氣體放電產生電漿）源。它也可以是基於同步加速器的輻射源。輻射源3可以是FEL（簡稱：自由電子雷射器）。

從輻射源3發出的照明輻射16由聚光器17聚焦。聚光器17可以具有一個或多個橢圓及/或雙曲面反射面。聚光器17的至少一個反射表面可以被照明輻射16掠入射（縮寫為：GI），也就是說入射角相對於垂直於反射面的方向大於45度，或垂直入射（縮寫為：NI），也就是說入射角小於45度。可以結構化及/或塗覆聚光器17，第一可以改良其對所使用的輻射的反射率，並且第二可以用於抑制外來光。

在聚光器17的下游，藉由中間焦點平面18中的中間焦點傳播照明輻射16。中間焦點平面18可以表示具有輻射源3與聚光器17的輻射源模組和照明光學單元4之間是分離的。

照明光學單元4包括偏光鏡19和在光束路徑中佈置在偏光鏡19下游的第一琢面反射鏡20。偏光鏡19可以是平面偏光鏡，或者備選地，具有超出純偏轉作用的光束影響作用的反射鏡。備選地或附加地，偏光鏡19可以是光譜濾波器，其將照明輻射16的使用的光波長與波長與其偏離的外來光分離。如果第一琢面反射鏡20佈置在作為場平面的與物平面6光學共軛的照明光學單元4的平面中，則它也被稱為場琢面反射鏡。第一琢面反射鏡20包括多個單獨的第一琢面21，其也可稱為場琢面。在圖1中僅示出這些第一琢面21中的一些作為示例。

第一琢面21可實施為宏觀(macroscopic)琢面，特別是矩形琢面或具有弧形邊緣輪廓或部分圓形邊緣輪廓的琢面。第一琢面21可實施為平面琢面或者可選地實施為具有凸曲率或凹曲率的琢面。

例如從DE 10 2008 009 600 A1中已知，在每種情況下也可以由多個單獨的反射鏡組成第一琢面21本身，特別是多個微鏡。特別地，第一琢面反射鏡20可以是微機電系統（MEMS系統）。細節參見DE 10 2008 009 600 A1。

在聚光器17和偏光鏡19之間，水平傳播照明輻射16，也就是說沿著y方向傳播。

在照明光學單元4的光路徑中，第二琢面反射鏡22設置在第一琢面反射鏡20的下游。如果第二琢面反射鏡22佈置在照明光學單元4的光瞳平面中，則它也被稱為光瞳琢面反射鏡。第二琢面反射鏡22也可以設置在距照明光學單元4的光瞳平面的一定距離處。在這種情況下，第一琢面反射鏡20和第二琢面反射鏡22的組合也稱為鏡面反射器(specular reflector)。鏡面反射器從US 2006/0132747 A1、EP 1 614 008 B1和US 6,573,978中已知。

第二琢面反射鏡22包括多個第二琢面23。在光瞳琢面反射鏡的情況下，第二琢面23也稱為光瞳琢面。

第二琢面23同樣可以是宏觀琢面，其例如可以具有圓形、矩形或六邊形邊界，或者可以備選地是由微鏡組成的琢面。在這方面，同樣參考DE 10 2008 009 600 A1。

第二琢面23可具有平面反射表面或可選擇地具有凸或凹曲率的反射表面。

照明光學單元4因此形成雙琢面(doubly faceted)系統。這一基本原理也稱為複眼聚光器（或複眼積分器）。

將第二琢面反射鏡22不準確地設置在與投影光學單元10的光瞳平面光學共軛的平面中可能是有利的。特別地，光瞳琢面反射鏡22可以設置成相對於投影光學單元10的光瞳平面傾斜，如例如DE 10 2017 220 586 A1中所描述的。

利用第二琢面反射鏡22將各個第一琢面21成像到物場5中。第二琢面反射鏡22是物場5上游的光束路徑中照明輻射16的最後一個光束整形鏡或實際上最後一個反射鏡。

在照明光學單元4的另一個未示出的實施例中，特別有助於將第一琢面21成像到物場5中的傳輸光學單元，其可佈置在第二琢面反射鏡22和物場5之間的光路徑中。傳輸光學單元可以恰好具有一個反射鏡，或者備選地具有兩個或更多個反射鏡，它們一個接一個地佈置在照明光學單元4的光路徑中。傳輸光學單元尤其可以包括一個或兩個法向入射鏡（NI鏡）及/或一個或兩個掠入射鏡（GI鏡）。

在圖1所示的實施例中，照明光學單元4正好可以在聚光器17的下游具有3個反射鏡，具體為偏光鏡19、場琢面反射鏡20和光瞳琢面反射鏡22。

在照明光學單元4的另一個實施例中，也不需要偏光鏡19，因此照明光學單元4可以在收集器17的下游恰好具有2個反射鏡，特別是第一琢面反射鏡20和第二琢面反射鏡22。

藉由第二琢面23或使用第二琢面23和傳遞光學單元將第一琢面21成像到物平面6中通常只是近似成像。

投影光學單元10包括多個反射鏡Mi，其根據它們在投影曝光設備1的光路徑中的佈置被連續編號。

在圖1所示的示例中，投影光學單元10包括六個反射鏡M1至M6。備選方案同樣是可能具有4個、8個、10個、12個或任何其他數量的反射鏡Mi。倒數第二個反射鏡M5和最後一個反射鏡M6均具有用於照明輻射16的通孔。投影光學單元10是二次遮光光學單元。投影光學單元10的像側數值孔徑大於0.5也可以大於0.6，例如可以是0.7或0.75。

反射鏡Mi的反射面可以實施為沒有旋轉對稱軸的自由曲面。或者，反射鏡Mi的反射面形狀可以設計為僅具有一個旋轉對稱軸的非球面。就像照明光學單元4的反射鏡一樣，反射鏡Mi可以具有用於照明輻射16的高反射塗層。這些塗層可以設計為多層塗層，特別是具有鉬和矽的交替層。

投影光學單元10在物場5中心的y坐標和像場11中心的y坐標之間在y方向上具有大的物件-圖像偏移。在y方向上，該物件-圖像偏移可大致相同於物平面6和像平面12之間的距離z。

特別地，投影光學單元10可以具有變形形式。它在x方向和y方向上具有特別不同的成像比例βx、βy。投影光學單元10的兩個成像比例βx、βy優選為（βx、βy）＝（+/-0.25、+/-0.125）。正成像比例β表示沒有圖像反轉成像。成像比例β的負號表示圖像反轉成像。

因此導致投影光學單元10的尺寸在x方向上以4:1的比例減少，也就是說垂直於掃描方向。

導致投影光學單元10的尺寸在y方向上，即在掃描方向上，以8:1的比例減少。

同樣可能會有其他成像比例。也有可能在x方向和y方向上具有相同符號和相同絕對值的成像比例，例如絕對值為0.125或0.25。

取決於投影光學單元10的實施例，在物場5和像場11之間的光路徑中的x方向和y方向上的中間像平面的數量可以相同或不同。從US 2018/0074303 A1中已知在x方向和y方向上具有不同數量的此類中間圖像的投影光學單元的示例。

在每種情況下，光瞳琢面23的其中一個恰好分配給場琢面21的其中一個，其分別形成用於照明物場5的照明通道。這尤其可以根據科勒原理產生照明。利用場琢面21將遠場分解成多個物場5。場琢面21在分配給它們的光瞳琢面23上分別產生中間焦點的多個圖像。

利用分配的光瞳琢面23，場琢面21在每種情況下以相互重疊的方式成像到光罩7上，用於照明物場5。物場5的照明特別地盡可能均勻。它優選具有小於2%的均勻性誤差。可以藉由不同照明通道的疊加來實現場均勻性。

可藉由設置光瞳琢面在幾何上限定投影光學單元10的入射光瞳的照明。可以藉由選擇照明通道，特別是引導光的光瞳琢面的子集，設置投影光學單元10的入射光瞳中的強度分佈。該強度分佈也稱為照明設置。

以定義方式照明的照明光學單元4的照明光瞳的局部區域中同樣優選的光瞳均勻性，其可以藉由重新分配照明通道來實現。

以下將敘述關於物場5的照明以及特別是投影光學單元10的入射光瞳的其他方面和細節。

投影光學單元10尤其可以具有同心入射光瞳。後者可能是可存取的或不可存取的。

使用光瞳琢面反射鏡22通常無法準確照明投影光學單元10的入射光瞳。當將光瞳琢面反射鏡22的中心遠心成像到晶圓13上的投影光學單元10成像時，孔徑光線通常不在單個點處相交。然而，可以找到其中成對確定的孔徑光線的距離變得最小的區域。該區域表示入射光瞳或與其共軛的真實空間中的區域。特別地，該區域具有有限曲率。

投影光學單元10對於切向光束路徑和矢狀光束路徑可以具有不同的入射光瞳姿態。在這種情況下，應該在第二琢面反射鏡22和光罩7之間設置成像元件，特別是傳輸光學單元的光學組成部分。利用該光學元件，可以考慮切向入射光瞳和矢狀入射光瞳的不同姿態。

在圖1所示的照明光學單元4的組件配置中，光瞳琢面反射鏡22設置在與投影光學單元10的入射光瞳共軛的區域中。場琢面反射鏡20設置成相對於物平面6傾斜。第一琢面反射鏡20設置成相對於由偏光鏡19限定的配置平面傾斜。

第一琢面反射鏡20設置成相對於由第二琢面反射鏡22限定的配置平面傾斜。

圖2示意性示出用於DUV投影微影的另一投影曝光設備101的經向剖面，其中同樣可以用於本發明。

投影曝光設備101的構造和成像原理與圖1中描述的構造和過程類似。相同的組成部件由根據圖1的附圖標號以增加100而表示，也就是說圖2中的附圖標號從101開始。

相較於圖1中描述的EUV投影曝光設備1，折射、繞射及/或反射光學元件117，例如透鏡元件、反射鏡、棱鏡、終端板等，由於其使用的DUV輻射116的光波長在100 nm至300 nm範圍內，特別是193 nm，因此在DUV投影曝光設備101中光學元件117是用於成像或照明。在這種情況下，投影曝光設備101主要包括照明系統102、用於接收和準確定位具有結構的光罩107的光罩支架108，利用該結構判定晶圓113上的後續結構、用於固定、移動並準確定位晶圓113的晶圓支架114，和投影透鏡110，以及多個光學元件117，利用安裝件118將光學元件117固定在投影透鏡110的透鏡外殼119中。

照明系統102提供晶圓113上的光罩107成像所需的DUV輻射116。輻射116的來源可以是雷射、電漿源等。藉助於光學元件在照明系統102中將輻射116整形，使得在DUV輻射116入射至光罩107時，關於DUV輻射116的直徑、偏振、波前形狀等具有期望特性。

除了額外使用例如透鏡元件、棱鏡、終端板的折射的光學元件117，具有透鏡外殼119的下游投影光學單元110的結構在原理上與圖1中描述的結構沒有區別，因此不再詳細描述。

圖3示出本發明的具有螺紋心軸30的裝置的第一實施例的示意圖。螺紋心軸30對準實施為光學模組31的第一組件，光學模組31包括如分別在圖1和圖2中示出的反射鏡Mx、117，反射鏡具有實施為框架33的第二組件。螺紋心軸30，或簡稱為心軸30，具有主體35，利用光學模組31中的間隔件40相對於圖3中示出的坐標系統定義的XY平面中的基準（未示出）定位主體35。主體35藉由凸緣44倚靠在光學模組31中凹部32的肩部45上。為了防止光學模組31對齊時主體35發生扭曲，利用多個螺絲36將主體35連接至光學模組31，其中一部分的螺絲36未見於剖面圖中。在框架33的方向上跟隨凸緣44，在旋轉對稱的主體35的周圍依次形成多個錐體41。利用光學模組31的凹部32，將主體35與錐體41一起插入到貫穿框架33的凹部34中。主體35還具有通孔42，引導夾持螺絲38穿過通孔42，利用夾持螺母39將夾持螺絲38定位在主體35的上側43。在錐體41的區域中，其內部幾何形狀以及對應於錐體41的夾持套筒37包圍主體35。夾持螺絲38的頭部46將夾持套筒37拉到錐體41上，如圖3中的箭頭所示，使得夾持套筒37徑向擴張。夾持套筒37的徑向擴張使得光學模組31與框架33之間的間隙縮小，並且使得光學模組31與框架3331、33相互對齊。在圖3中由虛線示出繃緊狀態的心軸30以及藉此縮小的光學模組31與框架3331、33之間的間隙。心軸30因此具有以下優點：當光學模組31與框架3331、33首次接合時，由於夾持套筒37處於釋放狀態，夾持套筒37與框架33中的凹部34之間存在相對大的間隙。進而有利地避免了兩光學模組31與框架3331、33在接合期間的磨損或傾斜。若隨後將心軸30繃緊，則由於縮小的間隙而使得模組31在框架33的凹部34內位於中間。此方法使得在對齊兩光學模組31與框架3331、33時，會比用螺絲和鑽孔能夠實現更高的準確度。這會導致光學模組31與框架3331、33之間的相對運動。然後將光學模組31連接到框架33的幾個點（未示出）上，並再次鬆開夾持螺絲38以避免產生張力或將張力釋放。

圖4示出螺紋心軸50的另一實施例，其特別適用於連接真空環境中的組件。螺紋心軸50，在下文中稱為心軸50，包括主體51和圓周凸緣52，圓周凸緣52具有通孔53，通孔53將主體51連接到第一組件（未示出）。緊接在凸緣52之後，錐體54形成在主體51上，在圖4所示的實施例中，該錐體的表面包括三個間隔120°的槽55。軸57位於主體51的一側與凸緣52相對，軸57利用螺紋56連接到主體51。軸57與錐體54設置為同心。軸57的加厚部58位在遠離主體51的上部區域中並且帶有外螺紋59。在增厚部58之後，軸57逐漸變細以形成實施為控制銷60的形式的區域。控制鎖60插入套筒70的鑽通孔78。其中，當繃緊心軸50到預定程度時，控制銷60的長度可使得套筒70的表面和軸57的區域的表面實施為控制銷60，以形成一個平面。這種狀態由虛線所示的控制銷60的位移來說明。套筒70的上部包括用於繃緊心軸50的外六邊形72。套筒70的凹部71中，在軸57的加厚部58的區域中，形成內螺紋73，利用該內螺紋73將套筒70鎖緊至軸57。凹部71在主體51的方向上具有第一肩部74和第二肩部75。第一肩部74作為繃緊心軸50的極限，也就是作為套筒70的止動件。當鎖緊套筒70時，經過預定距離，肩部74與墊片61接觸，藉由卡環62將墊片61固定到軸57上，防止套筒70進一步鎖緊至軸57上。藉由墊片61的厚度來設置可用的行程路徑，將墊片61開槽使得墊片61可以滑動到已經安裝好的軸57上。作為卡環62的替代方案，可以在軸57中形成另外的肩部以支撐墊片61。套筒70的第二肩部75壓在板簧63的一端上，中間件65支撐板簧63的另一端。在這種情況下，板簧63將行程轉換成力，因此成為心軸50的力控制而非行程控制。板簧63的剛性和行程路徑可用於力的設定。或者，可以再加工肩部75或者在肩部75和板簧63之間插入額外墊片（未示出），以將板簧63預加載到預定力。板簧63不是絕對必要的，因為該原理也用作純路徑控制。中間件65包括環形滾珠軸承88的第一半部67，其中滾珠軸承88的第二半部82形成在心軸50的夾持套筒80的剛性和周邊局部區域85中。在滾珠軸承88中運行的滾珠66包括例如陶瓷材料，陶瓷材料的特徵是高硬度和較少產生粉塵粒子。藉由鎖緊套筒70而由板簧63傳遞的力，其利用滾珠66沿著軸向傳遞，也就是在縱向軸線的方向上從心軸50到夾持套筒80。套筒70、板簧63和中間件65的扭轉不會傳遞到夾持套筒80，進而大大減少了夾持套筒80與主體51的錐體54之間因摩擦而產生的粉塵粒子。為了進一步降低夾持套筒80和錐體54之間的摩擦，夾持套筒80在其面向錐體54的內側塗有陶瓷塗層（未示出）。在軸向方向上將夾持套筒80壓至錐體54，並且夾持套筒80在此過程中徑向擴張，如圖3中已經解釋的那樣，這導致心軸50和鑽通孔（未示出）之間的間隙縮小並導致兩組件對準的更準確。錐體54的外輪廓81呈球形，以使得當第二組件（未示出）先連接到心軸50上時，心軸50再連接到第一組件時接觸面盡可能小。選擇性地，錐體54也可以具有線性外輪廓。如上所述，在夾持套筒80的局部區域85中的部分82中形成的滾珠軸承88在繃緊期間不得徑向擴張。儘管如此，為了在夾持期間能夠使夾持套筒80擴張，藉由分離切口83、84使得夾持套筒80的第一剛性局部區域85與第二彈性局部區域86分離（圖4中僅可見一部分的分離切口83）。在圖5中對於分離切口83、84的位置和功能進行了詳細說明。如圖4中虛線所示，剛性局部區域85的一部分在夾持套筒80的整體高度上延伸並且插入上述已解釋過的主體51的槽55中以避免徑向擴張。中間件65在徑向上具有銷68，銷68插入套筒70的側面76中的槽77中。銷68能確保中間件65與套筒70一起旋轉，此外，銷68還用於在釋放心軸50時，將夾持套筒80拉離主體51的錐體54。以這樣的方式將銷68定位在槽77中，即當銷68鎖緊時不會將任何軸向力從套筒70傳遞到中間件65。相反，當釋放套筒70時，銷68接觸到槽77的下周緣，並且藉由中間件65和滾珠66將夾持套筒80拉離錐體54。利用螺紋73和密封件64（密封件64設置在中間件65和軸57之間、或是中間件65和套筒70的側面76之間）捕獲由套筒70的凹部71中的螺紋73所產生的粉塵粒子，並且粉塵粒子不能進入環境。這特別有利於在真空環境中使用以及對無粉塵粒子要求更高的區域，例如無塵室或真空室應用。此外，儘管上述解釋了夾持套筒80的塗層，覆蓋夾持套筒80以及覆蓋夾持套筒80與主體51之間的間隙也可以捕獲夾持套筒80和錐體54的接觸表面上所產生的粉塵粒子。

圖5示出改良的夾持套筒80內部的詳細視圖。具有滾珠66的滾珠軸承88的半部82佈置在夾持套筒80的上部剛性局部區域85中，在一些區域中半部82幾乎在夾持套筒80的整體高度上延伸。為了提供更好的理解，儘管夾持套筒80為一體成形，也就是整體式構造，圖5中示出剛性局部區域85的陰影線與彈性局部區域86的陰影線不同。第一U形分離切口83允許彈性局部區域86的上部徑向擴張，而第二分離切口84允許彈性局部區域86的下部徑向擴張。這有利地確保夾持套筒80均勻倚靠在主體51的錐體54上並且避免滾珠軸承88的區域中產生徑向擴張。

圖4和圖5中詳細說明的心軸50本身已經構成一項發明，即使不將心軸50用於半導體微影的投影曝光設備，也應理解為獨立的發明。

圖6a至圖6f示出本發明的方法的可能中間步驟，用於將圖3、圖4和圖5中詳細解釋的心軸30、50連接至光學模組31和框架33。

圖6a示出具有兩個心軸30、50的框架33，其中心軸30、50處於釋放操作狀態91，這使得光學模組31能夠相對於框架33進行第一次粗略對準。光學模組31經由連接件90連接到提升裝置（未示出）並且在圖6a中的z方向上懸停在框架33上方，這使得心軸30、50已經插入到光學模組31的凹部94中。在這種情況下，在z方向上光學模組31和框架33之間在z方向上保留間隙，因此有利於光學模組31和框架33之間的無摩擦預定位。在該方法步驟中，心軸30、50相對於框架33將光學模組31預定位。

圖6b示出第二方法步驟，其中心軸30、50處於第二操作狀態92。在該操作狀態92中，心軸30、50被預加載預定扭矩，使得它們靠在光學模組31的凹部94的內部。本發明的解釋中，靜止相當於所謂的間隙配合，其中保持最小的間隙，因此光學模組31和心軸30、50之間在z方向上的可以進行相對運動，沒有楔合的風險並且摩擦為最小。

圖6c示出第三方法步驟，其中光學模組31與框架33接觸。光學模組31僅在z方向上降低，直到在光學組件31和框架33之間形成的接觸力F _A在50N-150N的範圍內，特別是100N。因此仍然藉由連接件90將光學模組31連接到提升工具。心軸30、50繼續處於第二操作狀態92。

圖6d示出進一步的方法步驟，其中心軸30、50處於繃緊操作狀態93，在該狀態下在光學模組31中的凹部94中最大程度地繃緊心軸30、50。心軸30、50的最大繃緊影響光學模組31和框架33之間的精細定位，其中，在先前方法步驟中設置的低接觸力F _A使得光學模組31和框架33之間在xy平面中以低程度的力進行相對運動。低程度的力還可以降低因為位移而在光學模組31和框架33之間產生粉塵粒子的風險。

圖6e示出進一步的方法步驟，其中光學模組31沒有利用連接件90連接至提升工具。光學模組31以其全部重量和由此產生的最大接觸力F _max倚靠在框架33上。心軸30、50仍處於最大繃緊操作狀態93。

圖6f示出最後的方法步驟，其中首先將心軸30、50成為圖6a中的釋放操作狀態91，然後回到圖6d和圖6e中的最大繃緊操作狀態93。這在圖6f中由心軸30、50內的雙頭虛線箭頭表示。結果，將光學模組31完全降低時，凍結在光學模組31中的張力會被釋放。在該過程中，由於最大接觸力F _max，光學模組31相對於框架33不會發生位置變化，或是該位置變化可忽略不計。

1:投影曝光設備 2:照明系統 3:輻射源 4:照明光學單元 5:物場 6:物平面 7:光罩 8:光罩支架 9:光罩位移驅動器 10:投影光學單元 11:像場 12:像平面 13:晶圓 14:晶圓支架 15:晶圓位移驅動器 16:EUV輻射/照明輻射 17:聚光器 18:中間焦平面 19:偏光鏡 20:琢面反射鏡 21:琢面 22:琢面反射鏡 23:琢面 30:螺紋心軸/心軸 31:光學模組 32:光學模組中的凹部 33:框架 34:框架中的凹部 35:主體 36:螺絲 37:夾持套筒 38:夾持螺釘 39:夾持螺母 40:墊片 41:錐體 42:通孔 43:主體上側 44:凸緣 45:肩部 46:夾持螺絲頭部 50:螺紋心軸/心軸 51:主體 52:凸緣 53:通孔 54:錐體 55:槽 56:螺紋 57:軸 58:增厚部 59:外螺紋 60:控制銷 61:墊片 62:卡環 63:板簧 64:密封件 65:中間件 66:滾珠 67:半球軸承 68:銷 70:套筒 71:凹部 72:六邊形 73:內螺紋 74:第一肩部 75:第二肩部 76:側邊 77:狹縫 78:鑽通孔 80:夾持套筒 81:夾持套筒的外輪廓 82:半球軸承 83:第一釋放切口 84:第二釋放切口 85:剛性局部區域 86:彈性局部區域 88:滾珠軸承 90:連接件 91:螺紋心軸的釋放操作狀態 92:螺紋心軸的第二操作狀態 93:螺紋心軸的繃緊(壓合) 操作狀態 94:凹部 101:投影曝光裝置 102:照明系統 107:光罩 108:光罩支架 110:投影光學單元 113:晶圓 114:晶圓支架 116:DUV輻射 117:光學元件 118:安裝件 119:透鏡外殼 M1:反射鏡 M2:反射鏡 M3:反射鏡 M4:反射鏡 M5:反射鏡 M6:反射鏡 M7:反射鏡 M8:反射鏡 F _A:接觸力 F _max:重力

以下參考附圖更詳細地解釋本發明的示例性實施例和變體，其中： 圖1示意性示出用於EUV投影微影的投影曝光設備的經向剖面， 圖2示意性示出用於DUV投影微影的投影曝光設備的經向剖面， 圖3示意性示出本發明的第一實施例， 圖4示出本發明的另一個實施例， 圖5示出本發明的細節，以及 圖6a至圖6f示出根據本發明的一種可能的方法。

30:螺紋心軸/心軸

31:光學模組

33:框架

50:螺紋心軸/心軸

90:連接件

91:釋放操作狀態

94:凹部

Claims (21)

1. 一種用於對準半導體微影的投影曝光設備（1、101）的兩組件（31、33）的方法，其包括以下方法步驟： - 在z方向上將第一組件（33）的至少一個心軸（30、50）插入第二組件（31）的凹部（94）中，藉由軸向移動或饋入該心軸以實現該心軸的徑向擴張， - 將垂直於該z方向的該心軸（30、50）預加載到預定扭矩，該預定扭矩用於在x-y平面中將該第一組件與該第二組件（31、33）相對於彼此預先定位， - 在該z方向上利用接觸力F _A定位該第一組件與該第二組件（31、33），直到它們彼此接觸， - 利用最大扭矩繃緊具有該凹部（94）的該心軸（30、50）， - 在該z方向上定位該第一組件與該第二組件，直到該第一組件（31）以最大重力F _max倚靠於該第二組件（33）。
2. 如請求項1所述之方法，其中： 在該第一組件與該第二組件（31、33）之間以接觸力F _A繃緊該心軸（30、50），該接觸力F _A小於1000N、優選小於100N、特別優選小於10N。
3. 如請求項1或2所述之方法，其中： 在該方法結束時，該至少一個心軸（30、50）鬆開一次，然後再次最大程度地繃緊。
4. 一種用於對準半導體微影的投影曝光設備（1、101）的兩組件（31、33）的裝置，其中： 該裝置包括心軸（30、50），其中藉由軸向移動或饋入該心軸以實現該心軸的徑向擴張。
5. 如請求項4所述之裝置，其中： 該心軸（30、50）永久連接到該組件的其中一個（31）。
6. 如請求項5所述之裝置，其中： 另一個組件（33）具有凹部（34），其對應於該心軸（30、50）的外徑。
7. 如請求項4至6中任一所述之裝置，其中： 該心軸（30、50）實施為具有釋放和繃緊狀態。
8. 如請求項7所述之裝置，其中： 在該釋放狀態下，該凹部（34）與該心軸（30、50）之間的接合間隙大於或等於30μm。
9. 如請求項7所述之裝置，其中： 在該繃緊狀態下，該凹部（34）與該心軸（30、50）之間的該接合間隙小於30μm，優選小於15μm，特別優選小於5μm。
10. 如請求項4至9中任一所述之裝置，其中： 該心軸（30、50）的夾持元件（38、39、57、70）以僅傳遞軸向力的方式連接到夾持套筒（37、80）或主體（35、51）。
11. 如請求項10所述之裝置，其中： 將減少摩擦層塗佈於該夾持套筒（37、80）及/或該主體（35、51）。
12. 如請求項10和11中任一所述之裝置，其中： 該夾持套筒（37、80）的外輪廓（81）或該相應的凹部（34）的內輪廓具有圓的幾何形狀。
13. 如請求項4至12中任一所述之裝置，其中： 該裝置具有重量補償單元，其用於該些組件（31、33）的其中一個。
14. 如請求項4至13中任一所述之裝置，其中： 該裝置包括指示器（60），其用於指示成功對準。
15. 如請求項4至14中任一所述之裝置，其中： 該心軸（30、50）具有預定最大行程。
16. 如請求項15所述之裝置，其中： 該預定最大行程是可設定的。
17. 如請求項4至16中任一所述之裝置，其中： 該心軸（30、50）具有環形滾珠軸承（88）。
18. 如請求項10至17中任一所述之裝置，其中： 該夾持套筒（37、80）具有剛性局部區域（85）和彈性局部區域（86）。
19. 如請求項10至17中任一所述之裝置，其中： 該夾持套筒（37、80）為整體式結構。
20. 如請求項15至19中任一所述之裝置，其中： 影響行程的螺紋（59、73）設置在內部。
21. 如請求項20所述之裝置，其中： 圍繞該螺紋（59、73）的容積（71），其利用至少一個密封件（64）與外界隔絕以避免粉塵粒子污染。

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