TW202405507A - 用於微鏡面陣列之鏡面總成 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種用於可移動地支撐一鏡面之總成，其包含：一鏡面；及一或多個可變形部件。該或各可變形部件之一第一末端界定一支撐部分，且該或各可變形部件之一第二末端(直接地抑或間接地附接至該鏡面(例如，在該鏡面之一後表面上)。該或各可變形部件包含一第一致動器及一第二致動器，該第一致動器及該第二致動器為可獨立定址的。該第一致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在一第一方向上移動，且該第二致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在與該第一方向相對之一第二方向上移動。在使用時，該支撐部分可附接或固定至一支撐件，且該第一致動器及該第二致動器可用於使該鏡面相對於該支撐件移動。

Description

用於微鏡面陣列之鏡面總成

本發明係關於一種總成、一種包含此總成之微鏡面陣列、一種包含此微鏡面陣列之可程式化照明器、一種包含此可程式化照明器之微影設備、一種包含此可程式化照明器之檢測設備、一種用於形成此總成之方法及一種用於形成此微鏡面陣列之方法。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如，遮罩)處之圖案投影至經提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)之層上。

如在本文中所使用之術語「圖案化裝置」應廣泛地解釋為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化截面之裝置，該經圖案化截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案；在此上下文中，亦可使用術語「光閥」。通常，圖案將對應於在目標部分中產生之裝置(諸如積體電路或其他裝置)中的特定功能層。此等圖案化裝置之實例包括：遮罩(或倍縮光罩)；可程式化鏡面陣列；及/或可程式化液晶顯示器(LCD)陣列，其中之各者在下文中簡潔地論述。

遮罩(或倍縮光罩)之概念在微影中為吾人所熟知的，且其包括諸如二進位、交替相移及衰減相移之遮罩類型，以及各種混合式遮罩類型。此遮罩在輻射光束中之置放會根據該遮罩上之圖案而致使照射於該遮罩上之輻射選擇性地透射(在透射遮罩之情況下)或反射(在反射遮罩之情況下)。遮罩可由諸如遮罩台或遮罩夾具之支撐結構支撐。此支撐結構確保可將遮罩保持於入射輻射光束中之所要位置處，且其可在需要時相對於光束移動。

可程式化鏡面陣列之一個實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域將入射光反射為繞射光，而未經定址區域將入射光反射為非繞射光。使用適當濾光器，可自經反射光束濾除非繞射光，從而之後僅留下繞射光；以此方式，光束變得根據矩陣可定址表面之定址圖案而圖案化。可程式化鏡面陣列之替代實施例使用微小鏡面之矩陣配置，可例如藉由施加合適區域化電場或藉由使用靜電或壓電致動部件而使該等鏡面中之各者圍繞一軸線個別地傾斜。再次，該等鏡面係矩陣可定址的，使得經定址鏡面將使入射輻射光束在與未經定址鏡面不同之方向上反射；以此方式，反射光束根據矩陣可定址鏡面之定址圖案來圖案化。可使用合適電子部件來執行所需矩陣定址。在上文中所描述之兩種情形中，圖案化部件可包含一或多個可程式化鏡面陣列。可例如自以引用方式併入本文中之美國專利US 5,296,891及US 5,523,193以及PCT專利申請案WO 98/38597及WO 98/33096搜集到關於此處所提及之鏡面陣列之更多資訊。此可程式化鏡面陣列可由可根據需要而固定或可移動之支撐結構(諸如(例如)框架或台)支撐。

可程式化LCD陣列之實例在以引用之方式併入本文中的美國專利第5,229,872號中給出。此可程式化LCD陣列可由可根據需要而固定或可移動之支撐結構(諸如(例如)框架或台)支撐。

為了簡單性之目的，本文之其餘部分在某些位置處可特定指向涉及遮罩及遮罩台之實例；然而，在此等情況下所論述之通用原理應在如上文所闡述之圖案化部件的更廣泛內容背景中看待。

為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。與用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備相比，使用具有在4至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(EUV)輻射的微影設備可用於在基板上形成較小特徵。

除輻射之波長(l)及投影透鏡之數值孔徑(NA)以外，照明源之形狀或更一般而言角強度分佈係實現微影之高解析度的最重要參數中之一者。

包含數百或數千個微鏡面(常常在下文被簡單地稱作「鏡面」)之陣列的微鏡面陣列可用於微影設備之照明系統中以控制光之截面形狀及強度分佈。各微鏡面反射光點，且改變微鏡面之角度會改變光點之位置且因此改變輻射光束之形狀。

微機電系統(MEMS)技術可用以製造及控制鏡面。舉例而言，靜電或壓電MEMS系統可用以使鏡面成角度。

當前，存在用於塑形具有在深紫外線光譜(DUV)內之波長(例如l = 193 nm)之光的微鏡面陣列。然而，此等微鏡面陣列不能有效地用於在極紫外線光譜(EUV)中之光所需之較短波長，例如l = 13.5 nm。需要新的微鏡面陣列技術以用於EUV輻射。又，期望用於此新的微鏡面陣列技術之有利的新應用，以用於EUV及/或非EUV輻射，例如可見光或DUV輻射。

提供一種替代鏡面總成及/或微鏡面陣列可為期望的及/或可為本發明之目標，其至少部分地解決現有配置之一或多個問題，無論是否在本文中明確地陳述。

根據本發明之一第一態樣，提供一種總成，其包含：一鏡面；及一或多個可變形部件，該一或多個可變形部件之一第一末端界定一支撐部分，且該一或多個可變形部件之一第二末端直接地抑或間接地附接至該鏡面；其中該一或多個可變形部件中之該或各可變形部件包含一第一致動器及一第二致動器；其中該第一致動器及該第二致動器為可獨立定址的；且其中該第一致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在一第一方向上移動，且其中該第二致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在與該第一方向相對之一第二方向上移動。

根據第一態樣之總成為有利的，如現在所論述。在使用時，支撐部分可附接或固定至支撐件，且第一致動器及第二致動器可用於使鏡面相對於該支撐件移動。根據第一態樣之總成可被視為微機電系統(MEMS)。在一些實施例中，在使用時，可提供複數個此等總成以使得所有總成之支撐部分均附接或固定至共同支撐件以便提供鏡面陣列。鏡面陣列可為微鏡面陣列，且可被視為微機電系統(MEMS)。

有利地，在根據第一態樣之總成中提供第一致動器及第二致動器允許經由各可變形部件使鏡面相對於支撐件進行推動及拉動移位兩者。此增加可進行之所附接鏡面之旋轉的潛在範圍。

應理解，如此處所使用，術語「致動器」欲意謂可經致動以實現鏡面與支撐部分之間的相對移動之任何事物。

該或各可變形部件可包含用於支撐該第一致動器及該第二致動器之一主動部分的一結構框架。

結構框架可具有大體上平面組態。應瞭解，除非相反地陳述，否則如本文中所使用，具有「大體上平面組態」之物件欲意謂該物件之尺寸中之一者明顯小於該物件之另外兩個尺寸。

該或各可變形部件之第一致動器及第二致動器可經配置以使結構框架變形或扭曲，以便達成鏡面與支撐部分之相對移動。

如下文進一步論述，第一致動器及第二致動器中之各者的主動部分可包含由結構框架支撐之一或多個主動層。此外，結構框架之支撐彼等主動部分之部分可形成第一致動器及第二致動器之被動部分。

該第一致動器及該第二致動器之該等主動部分可安置於該結構框架的同一側上。

有利地，此配置更簡單且更易於製造，此係因為第一致動器及第二致動器兩者之主動部分可在單一程序步驟(或無需在其間移動或旋轉結構框架之兩個背靠背(back to back)程序步驟)期間應用。

該結構框架可由矽形成。

有利地，由矽形成之結構框架向總成給予彈性及順應性。

該結構框架可包含兩個或更多個大體上相互平行之橫桿部分之一陣列，各對鄰近橫桿部分在一個末端處連接在一起，其中各橫桿部分在任何給定末端處僅連接至一個鄰近橫桿部分。

應瞭解，橫桿部分欲意謂伸長部件。如上文所解釋，結構框架可具有大體上平面組態。因此，各橫桿部分亦可具有大體上平坦組態。

應瞭解，如此處所使用，一對鄰近橫桿部分在一個末端處連接在一起可藉由該對鄰近橫桿部分由相同材料一體形成來達成。連接部分可設置於各對鄰近橫桿部分之間。連接部分可大體上垂直於鄰近橫桿部分之軸線延伸。連接部分及該對鄰近橫桿部分可由相同材料一體形成。

各橫桿部分在任何給定末端處僅連接至一個鄰近橫桿部分。因此，對於具有兩個鄰近橫桿部分之中心橫桿部分，鄰近橫桿部分中之一者連接至中心橫桿部分之一個末端，且另一鄰近橫桿部分連接至中心橫桿部分之另一末端。在此配置之情況下，橫桿部分可為大體上平面且平行，且藉由彎曲該等橫桿部分中之一或多者，該等彎曲橫桿部分之至少一個末端可移出(未致動)結構框架之平面。此外，有利地，此幾何形狀使可變形部件具有高尖端偏轉，從而順應其面積佔用。

該或各可變形部件可包含：一第一橫桿部分，該第一橫桿部分之一第一末端界定界定該支撐部分的該可變形部件之該第一末端；及一第二橫桿部分，該第二橫桿部分之一第一末端界定附接至該鏡面的該可變形部件之該第二末端，其中該第一橫桿部分與該第二橫桿部分相互平行，且其中該第一橫桿部分之該第二末端直接地抑或間接地連接至該第二橫桿部分之該第二末端。

在此配置之情況下，藉由使第一橫桿部分及/或第二橫桿部分扭曲或彎曲(例如，使用第一致動器及第二致動器)，鏡面可相對於各支撐部分移動。

在一個實施例中，第一橫桿部分之第二末端直接連接至第二橫桿部分之第二末端，使得僅存在兩個橫桿部分。在此配置之情況下，在第二橫桿部分保持相對筆直(例如，相比於第一橫桿部分較少彎曲)時主動彎曲第一橫桿部分可使鏡面相對於支撐部分在第一方向上移動。相似地，在第一橫桿部分保持相對筆直(例如，相比於第二橫桿部分較少彎曲)時主動彎曲第二橫桿部分(在同一方向上)可使鏡面相對於支撐部分在與第一方向相對之第二方向上移動。當主動彎曲一個橫桿部分時不存在附接至可變形部件之支撐部分的負載時，另一橫桿部分保持筆直。然而，若可變形部件之支撐部分連接至例如支撐基板，則未主動彎曲之橫桿部分將略微彎曲，但相比於主動彎曲之橫桿部分在較小程度上彎曲。

在另一實施例中，第一橫桿部分之第二末端經由結構框架之中心部分連接至第二橫桿部分之第二末端，該中心部分又包含複數個額外相互平行之橫桿部分。對於此等實施例，各對鄰近橫桿部分可在一個末端處連接在一起，且各橫桿部分可在任何給定末端處僅連接至一個鄰近橫桿部分。

該第一致動器及該第二致動器中之至少一者可包含至少一個致動器部分。各此致動器部分可包含：一可撓性部件及安置於該可撓性部件之一表面上且可操作以使該可撓性部件扭曲之一主動層。

有利地，作為可撓性部件(其可例如包含橫桿部分)與主動層(其可例如包含壓電材料)之組合，各致動器部分形成能夠偏轉之單壓電晶片(unimorph)致動器。

該第一致動器及該第二致動器之該等致動器部分之該等主動層可安置於該結構框架的同一側上。

有利地，此配置更簡單且更易於製造，此係因為第一致動器及第二致動器兩者之主動部分可在單一程序步驟(或無需在其間移動或旋轉結構框架之兩個背靠背程序步驟)期間應用。

該或各主動層可組態為處於至少一第一標稱狀態及一第二致動狀態。

第一標稱狀態可為在未施加刺激之情況下主動層的狀態。

第二致動狀態可為在施加刺激之情況下主動層的狀態。舉例而言，第二致動狀態可為在所施加電場(或所施加電壓)之影響下主動層的狀態。主動層可膨脹抑或收縮以自第一狀態變換至第二狀態。

在一個實施例中，主動層在自第一狀態變換至第二狀態時膨脹。對於此類實施例，第一狀態可稱為收縮狀態，且第二狀態可稱為膨脹狀態。

此配置允許該或各可撓性部件(其可例如各自包含橫桿部分)彎曲。舉例而言，當處於第一狀態時，主動層可設置於可撓性部件之表面上(例如，黏附至該表面)。隨後，主動層可變換成第二狀態。此將改變可撓性部件之其上設置有主動層的表面相對於相對表面之長度，且因此可撓性部件將彎曲。

該或各可撓性部件可包含一橫桿部分。

該第一致動器可包含複數個致動器部分。該第二致動器可包含複數個致動器部分。

舉例而言，第一致動器可包含由支撐主動層之第一組橫桿部分提供的第一組致動器部分。第一組橫桿部分可包含每隔一個橫桿部分(亦即不存在一對鄰近橫桿部分)。第二致動器可包含由支撐主動層之第二組橫桿部分提供的第二組致動器部分。第二組橫桿部分可包含其餘橫桿部分，且亦可包含每隔一個橫桿部分(亦即不存在一對鄰近橫桿部分)。

該或各主動層可包含一壓電材料。

該壓電材料可為鋯鈦酸鉛。

應瞭解，鏡面可包含主體，其可界定反射表面。反射表面可包含多層堆疊(亦稱為布拉格(Bragg)鏡面)。鏡面可經組態以反射極紫外線(EUV)輻射。應瞭解，附接至鏡面之該或各可變形部件之第二末端可附接至鏡面之除反射表面以外的部分。舉例而言，該或各可變形部件之第二末端可附接至鏡面之與反射表面相對之表面(該表面可稱為鏡面之後表面)。

該或各主動層可包含具有與該等橫桿部分之熱膨脹係數不同之一熱膨脹係數且可經受電熱致動之材料。

該總成可包含複數個可變形部件，該複數個可變形部件中之至少兩者之該第二末端附接至該鏡面之一不同部分。

有利地，此可允許鏡面可圍繞不同軸線旋轉，且可限制鏡面之寄生運動，如現在所論述。寄生運動可理解為意謂鏡面之任何非所要非旋轉移位，例如與鏡面實質上共面之平移移位。

舉例而言，在一些實施例中，總成可包含一對可變形部件，其可經配置以使得該對可變形部件中之各者之第二末端附接至鏡面之表面之在第一方向上分離的不同部分。此可允許鏡面圍繞大體上垂直於第一方向之軸線旋轉。在一些實施例中，總成可包含第二對可變形部件，其可經配置以使得該對可變形部件中之各者之第二末端附接至鏡面之表面之在第二方向上分離的不同部分。此可允許鏡面圍繞大體上垂直於第二方向之軸線旋轉。

對於包含兩個可變形部件之實施例，可提供額外支撐件或鉸鏈以約束鏡面之豎直運動且允許所要旋轉。

在一些實施例中，總成可包含三個可變形部件，其可經配置以使得三個可變形部件中之各者之第二末端附接至鏡面之表面的不同部分，該三個位置係非共線的。此可允許鏡面圍繞兩個不同軸線旋轉。

該總成可包含四個可變形部件。

該等四個可變形部件可按4階旋轉對稱佈局配置。

有利地，四個可變形元件之旋轉對稱配置意謂自然旋轉軸線可穿過總成之中心，且可簡化控制信號。

四個可變形部件可為可個別定址的。各可變形部件包含第一致動器及第二致動器。因此，若四個可變形部件為可個別定址的，則總成在使用時可接收8個控制信號以控制鏡面之位置及/或定向。替代地，在一些實施例中，四個可變形部件可包含兩對相對可變形部件，且各對相對可變形部件可接收共用控制信號，使得當該對可變形部件中之一者向上移動時，相對可變形部件向下移動。有利地，此可將控制鏡面之位置及/或定向之控制信號的數目減少至4個。

該等四個可變形部件可包含兩對相對可變形部件。各對相對可變形部件可經配置以接收共用控制信號。

共用控制信號可使得當該對可變形部件中之一者向上移動時，相對可變形部件向下移動。有利地，此可將控制鏡面之位置及/或定向之控制信號的數目減少2倍。

該或各可變形部件可在近端附接至該鏡面之一反射表面之一外邊緣。

如上文所解釋，該或各可變形部件之第二末端可附接至鏡面之除反射表面以外的部分(例如，鏡面之與反射表面相對的後表面)。應瞭解，該或各可變形部件在近端附接至鏡面之反射表面之外邊緣可意謂該或各可變形部件在當投影至鏡面之反射表面上時接近於鏡面之反射表面的外邊緣的位置處附接至鏡面之另一表面。

該或各可變形部件之該支撐部分可為剛性的。

該等支撐部分可由二氧化矽形成。

該或各可變形部件可藉助於一或多個支柱附接至該鏡面。

該或各支柱可由具有比連接至該鏡面之該部件可變形部件之一熱阻更高的一熱阻之一材料形成。

有利地，在此配置之情況下，支柱減小鏡面與可變形部件之間的熱界面面積，從而限制自照射鏡面至該或各可變形部件之熱轉移。

舉例而言，在一個實施例中，該或各支柱可由二氧化矽形成。

該總成可進一步包含平衡環架，該平衡環架之一第一末端附接至該鏡面。

在使用時，平衡環架之第二末端可附接至支撐基板(例如，該或各可變形部件之支撐部分在使用時所附接至之同一支撐基板)。有利地，平衡環架可將鏡面及支撐基板之相對移動限制於若干期望組態，從而減少寄生運動。

根據本發明之一第二態樣，提供一種微鏡面陣列，其包含：基板；及根據本發明之該第一態樣之複數個總成；其中該複數個總成中之各者的該一或多個可變形部件中之各者的該支撐部分連接至該基板。

在使用時，基板可剛性地固定至支撐結構。有利地，此意謂由總成之致動器施加的致動力造成鏡面之實質上旋轉及/或移位。

根據本發明之一第三態樣，提供一種可程式化照明器，其包含：本發明之該第二態樣之微鏡面陣列；一電源；及一控制系統，該控制系統可操作以使用該電源將控制信號供應至該複數個總成中之各者的該一或多個可變形部件之該第一制動器及該第二致動器，以便控制該複數個總成之該等鏡面的定向。

亦即，該控制系統可操作以選擇性地致動/激勵第一及第二致動器(例如，壓電元件)以達成照明器之所要光學組態。

可程式化照明器之控制系統可控制藉由各鏡面圍繞兩個旋轉軸線之移動及平移移位可達成的組態。平移移位可大體上正交於基板平面。

根據本發明之一第四態樣，提供一種光微影設備，其包含本發明之該第三態樣之可程式化照明器。

根據本發明之一第五態樣，提供一種檢測或度量衡設備，其包含本發明之該第三態樣之可程式化照明器。

根據本發明之一第六態樣，提供一種用於形成一總成之方法，該方法包含：提供一鏡面；及提供一或多個可變形部件，該一或多個可變形部件之一第一末端界定一支撐部分，其中該一或多個可變形部件中之該或各可變形部件包含一第一致動器及一第二致動器，且其中該第一致動器及該第二致動器為可獨立定址的；將該一或多個可變形部件中之各者之一第二末端附接至該鏡面；其中該第一致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在一第一方向上移動，且其中該第二致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在與該第一方向相對之一第二方向上移動。

該總成可為本發明之該第一態樣之總成。

提供該一或多個可變形部件中之各者可包含：形成包含兩個或更多個橫桿部分之一結構框架；及將一主動層沈積於該兩個或更多個橫桿部分中之至少兩者的一表面上。

形成結構框架可使用微影程序或以其他方式達成。

該或各結構框架可包含兩個或更多個大體上相互平行之橫桿部分之一陣列，各對鄰近橫桿部分在一個末端處連接在一起，其中各橫桿部分在任何給定末端處僅連接至一個鄰近橫桿部分。

該或各結構框架可包含：一第一橫桿部分，該第一橫桿部分之一第一末端界定或接近於界定該支撐部分的該可變形部件之該第一末端；及一第二橫桿部分，該第二橫桿部分之一第一末端界定該可變形部件之該第二末端，其中該第一橫桿部分與該第二橫桿部分相互平行，且其中該第一橫桿部分之該第二末端直接地抑或間接地連接至該第二橫桿部分之該第二末端。

該方法可進一步包含將該一或多個結構框架中之各者的一末端連接至一剛性支撐部分。

將該一或多個可變形部件中之各者的一第二末端附接至該鏡面可包含經由一或多個支柱將該結構框架之一末端附接至該鏡面。

根據本發明之一第七態樣，提供一種用於形成一微鏡面陣列之方法，該方法包含：提供一基板；提供根據本發明之該第一態樣之複數個總成；及將複數個總成中之各者的該一或多個可變形部件中之各者的該支撐部分連接至該基板。

應理解，上文所描述之方法可以若干不同序列進行，同時產生大體上相同之微鏡面陣列。

提供根據本發明之第一態樣之複數個總成的步驟可包含根據本發明之第六態樣之方法。

圖1展示包含一輻射源SO及一微影設備LA之一微影系統。輻射源SO經組態以產生一EUV輻射光束B且將EUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含一照明系統IL、經組態以支撐一圖案化裝置MA (例如，遮罩)之一支撐結構MT、一投影系統PS，及經組態以支撐一基板W之一基板台WT。

照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括一琢面化場鏡面裝置10及一琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11共同提供具有一所需截面形狀及所需強度分佈之EUV輻射光束B。除琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11以外或代替該等裝置，照明系統IL可包括其他鏡面或裝置。

在如此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用。由於此相互作用之結果，產生一經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投射至基板W上。為了彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投射至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將一縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成具有小於圖案化裝置MA上之對應特徵之特徵的一影像。舉例而言，可應用一縮減因數4或8。儘管在圖1中將投影系統PS繪示為僅具有兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目之鏡面(例如六個或八個鏡面)。

基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影設備LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。

可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供一相對真空，亦即處於遠低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)。

輻射源SO可為一雷射產生電漿(LPP)源、一放電產生電漿(DPP)源、一自由電子雷射(FEL)或能夠產生EUV輻射之任何其他輻射源。

圖1A展示自特此以全文引用之方式併入的US 9,946,167 B2已知的一檢測設備。圖1A對應於US 9,946,167 B2之圖3a。該檢測設備為用於量測例如疊對及/或對準之一暗場度量衡設備。

在微影程序中，頻繁地期望對所產生結構進行量測，例如用於程序控制及驗證。用於進行此類量測之各種工具係已知的，包括常常用以量測關鍵尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(裝置中之兩個層之對準準確度)及對準(亦即，基板上之對準標記之位置)之特殊化工具。已開發供微影領域中使用的各種形式之散射計。此等裝置將輻射光束引導至目標結構(例如光柵或標記(標記物))上且量測散射輻射之一或多個屬性-例如，依據波長而變化的在單一反射角下肢強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振-以獲得可供判定目標之所關注屬性之「光譜」。可藉由各種技術來執行所關注屬性之判定：例如，藉由諸如嚴密耦合波分析或有限元素方法之反覆途徑而進行的目標結構之重新建構；庫搜尋；及主成份分析。

圖1A中所展示之暗場度量衡設備可為獨立裝置/系統或可作為對準系統及/或作為疊對量測系統(未展示)併入微影設備LA中。貫穿設備具有若干分支之光軸係由點線O表示。在此設備中，由輻射源111 (例如，氙氣燈)發射之光由包含透鏡112、114及物鏡116之光學系統經由光束分光器115而引導至基板W上。此等透鏡以4F配置的雙序列配置。因此，可藉由定義在呈現基板平面之空間光譜之平面(此處被稱作(共軛)光瞳平面)中的空間強度分佈來選擇輻射入射於基板上之角度分佈。特定言之，可藉由在為物鏡光瞳平面之背向投影式影像之平面中在透鏡112與114之間插入合適形式之孔徑板113來進行此選擇。在所說明實例中，孔徑板113具有不同形式，被標註為113N及113S，從而允許選擇不同照明模式。本實例中之照明系統形成離軸照明模式。在第一照明模式中，孔徑板113N提供在僅為了描述起見而指定為『北』之方向上離軸的照明模式。在第二照明模式中，孔徑板113S用以提供類似照明，但其在標註為『南』之相反方向上離軸。藉由使用不同孔徑，其他照明模式係可能的。光瞳平面之其餘部分理想地暗，此係因為在所要照明模式外部之任何不必要光將干涉所要量測信號。

基板W上之目標結構(未展示)，例如光柵或標記(標記物)被置放成正交於物鏡116之光軸O。與軸線O成一角度而照射於目標結構上之照明射線引起一個零繞射階射線及兩個第一繞射階射線。因為板113中之孔徑具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，故入射射線事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，各階+1及-1將跨一角度範圍而進一步散佈，而非單個理想射線。應注意，光柵節距及照明角度可經設計或經調整成使得進入接物鏡之一階射線與中心光軸緊密對準。

由基板W上之目標繞射之至少0階及+1階係由物鏡116收集，且被返回引導通過光束分光器115。藉由指定標註為北(N)及南(S)之完全相對孔徑來說明第一照明模式及第二照明模式兩者。當入射射線來自光軸之北側時，亦即，當使用孔徑板113N來應用第一照明模式時，標註為+1(N)之+1繞射射線進入物鏡116。相反，當使用孔徑板113S來應用第二照明模式時，-1繞射射線(標註為-1(S))為進入透鏡116之繞射射線。

第二光束分光器117將繞射光束劃分成兩個量測分支。在第一量測分支中，光學系統118使用零階繞射光束及一階繞射光束在第一感測器119 (例如CCD或CMOS感測器)上形成目標之繞射光譜(光瞳平面影像)。各繞射階射中感測器上之一不同點，使得影像處理可比較及對比若干階。由感測器119捕捉之光瞳平面影像可用於聚焦檢測設備及/或正規化一階光束之強度量測。光瞳平面影像亦可用於諸如重新建構之許多量測目的。

在第二量測分支中，包括透鏡120、122之光學系統在感測器123 (例如CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標之影像。在第二量測分支中，在與光瞳平面共軛之平面中提供稱為場光闌121之孔徑板。此平面可替代地稱為『中間光瞳平面』。場光闌121用以阻擋零階繞射光束使得形成於感測器123上之目標之影像僅由-1或+1一階光束形成。將由感測器119及123捕捉之影像輸出至影像處理器及控制器PU，影像處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。應注意，在廣泛意義上使用術語『影像』。因而，若僅存在-1階及+1階中之一者，則將不形成光柵線之影像。

檢測設備之照明系統包含照明器110。如圖1A中所展示，此照明器110包含透鏡112及孔徑板113。可在US 9,946,167 B2中找到檢測設備之更多細節。

圖1B展示用於圖1A之檢測設備中之可程式化照明器140。此可程式化照明器140可代替照明器110用於圖1A之檢測設備中。可程式化照明器140包含微鏡面陣列133 (包含複數個微鏡面134)以及包含一對透鏡之低NA中繼4F系統135。來自例如寬頻帶輻射源或白光源之輻射源130 (而非可程式化照明器140之部分)之輻射或光可經由選用光纖131及選用準直透鏡系統132而引導至微鏡面陣列133。處理單元PU可以使得微鏡面陣列133中之微鏡面134 (或更精確地，微鏡面134中之鏡面)個別地傾斜之方式來控制微鏡面陣列133。藉由獨立調節各個別鏡面之傾斜角，可控制由低NA中繼系統135輸出之光之空間分佈且可視需要產生各種照明模式，而不必使用孔徑板。若可程式化照明器140用於圖1A之檢測設備中，則其與透鏡114界接，此意謂由低NA中繼系統135輸出之光係由圖1A之透鏡114接收。

為了控制由低NA中繼系統135輸出之光之光譜分佈，鏡面之至少一部分可包含在鏡面表面之頂部上的光柵(未展示)。針對所有鏡面之光柵可為相同的，或替代地，可使用不同光柵，例如具有不同節距之光柵。藉由對微鏡面陣列133適當控制，由低NA中繼系統135輸出之光包含單一波長或單一(窄)波長範圍。然而，亦有可能以使得由低NA中繼系統135輸出之光包含多個不同波長或多個不同(窄)波長範圍之方式來控制微鏡面陣列133。可在鏡面表面上微影圖案化光柵。具有光柵之各鏡面根據關聯光柵方程式在不同方向上繞射具有不同波長之光。由低NA中繼系統135捕捉繞射光之一部分且形成影像。藉由獨立調節各鏡面之角度，可在空間上及光譜上控制輸出端處之光分佈，此係因為某一(某些)繞射階將由低NA中繼系統135捕捉且其他繞射階將未被捕捉。此空間及光譜光分佈可有利地例如用於照明及量測基板上之疊對目標結構或用於量測基板上之對準標記之位置。在本文中，術語目標結構、目標、標記、標記物及光柵在內容背景允許之情況下皆係彼此之同義詞。

可由低NA中繼系統135捕捉之繞射光束之光譜頻寬為dl=P.NA，其中P為光柵之節距，且NA為低NA中繼系統135之數值孔徑。在P=500nm且NA=0.02之情況下，光譜頻寬為10nm，此意謂光柵之繞射階包含為10nm之波長範圍或波長帶。

低NA中繼系統135之空間解析度為約λ/NA。在λ=850nm且NA=0.02之情況下，空間解析度為42.5微米。若鏡面之大小大於42.5微米，則可解析各鏡面。鏡面之合理的大小為100×100微米。

藉由使鏡面圍繞其個別軸線旋轉/傾斜，可將不同的中心波長帶引導至低NA中繼系統135中。遍及可見光波長範圍之操作所需的各鏡面之旋轉範圍應為Δλ/2P，其中針對450nm至850nm之操作波長範圍，Δλ=400nm。此意謂各鏡面必須能夠旋轉0.4弧度。

本發明之一些實施例係關於一種用於支撐鏡面以使得其可旋轉以控制該鏡面之反射表面之定向的新總成。鏡面可稱為微鏡面，且總成可被視為微機電系統(MEMS)。本發明之一些實施例係關於一種包含複數個新總成之微鏡面陣列。鏡面陣列可為微鏡面陣列，且可被視為微機電系統(MEMS)。本發明之一些實施例係關於一種包含此微鏡面陣列之微影設備。舉例而言，微鏡面陣列可形成圖1中示意性地展示之類型的微影設備LA之部分。舉例而言，琢面化場鏡面裝置10及/或琢面化光瞳鏡面裝置11可包含此微鏡面陣列。本發明之一些實施例係關於一種包含此微鏡面陣列之可程式化照明器(例如圖1B中所展示之可程式化照明器140之形式的可程式化照明器)。本發明之一些實施例係關於一種檢測及/或度量衡設備。本發明之一些實施例係關於一種包含此微鏡面陣列之可程式化照明器(例如圖1A中所展示之檢測及/或度量衡設備之形式的檢測及/或度量衡設備)，該微鏡面陣列包含此可程式化照明器。本發明之一些實施例係關於一種用於形成新總成及/或包含新總成之微鏡面陣列的方法。

現參考圖2至圖7來描述本發明之實施例。

圖2示意性地描繪根據本發明之一實施例之總成20。本發明之總成20包含鏡面21及一或多個可變形部件22 (圖2中僅展示一個)。該(或各)可變形部件22具有第一末端23及第二末端24。第一末端23界定可變形部件22之支撐部分25。可變形部件22之第二末端24附接鏡面21 (直接地抑或間接地)。

該(或各)可變形部件22包含第一致動器26及第二致動器27。第一致動器26及第二致動器27為可獨立定址的。第一致動器26之致動使鏡面21相對於支撐部分25在第一方向28上移動。第二致動器27之致動使鏡面21相對於支撐部分25在與第一方向28相對之第二方向29上移動。應理解，如此處所使用，術語「致動器」欲意謂可經致動以實現鏡面21與支撐部分25之間的相對移動之任何事物。

圖2中所展示之總成20為有利的，如現在所論述。如下文將進一步論述，在使用時，支撐部分25可附接或固定至支撐件(未展示)，且第一致動器26及第二致動器27可用於使鏡面21相對於該支撐件移動。總成20可被視為微機電系統(MEMS)。在一些實施例中，在使用時，可提供複數個此等總成20以使得所有總成20之支撐部分25 (之該者或所有者)附接或固定至共同支撐件以便提供鏡面陣列。鏡面陣列可為微鏡面陣列，且可被視為微機電系統(MEMS)。

有利地，在圖2中所展示之總成20中提供第一致動器26及第二致動器27允許經由各可變形部件22使鏡面21相對於支撐件(支撐部分25固定至該支撐件)進行推動及拉動移位兩者。特定言之，在圖2中所展示之總成20中提供第一致動器26及第二致動器27允許鏡面21藉由旋轉及/或平移進行雙向移動。應瞭解，所達成之鏡面21之旋轉及平移的量通常將取決於：(a)多少可變形部件22附接至鏡面21；(b)可變形部件22在何處附接至鏡面21 (例如，距鏡面之旋轉軸線多遠)；及(c)是否存在對鏡面21之移動範圍的任何其他約束(例如，在一些實施例中，平衡環架可設置於鏡面21與可變形部件22之支撐部分25之間以限制其間之相對移動)。舉例而言，在下文所論述之一些實施例中(參見例如圖5A至圖5C)，若可變形部件22在鏡面21之旋轉軸線處附接至鏡面21 (例如，若鏡面受平衡環架約束)，則鏡面21可旋轉而不進行顯著(淨)平移。然而，在此等實施例之情況下，若可變形部件22偏離旋轉軸線附接至鏡面21，則通常將產生平移與旋轉之組合。

可使用圖2中所展示之總成20中之第一致動器26及第二致動器27達成之鏡面21藉由旋轉及/或平移進行雙向移動增加可進行之所附接鏡面21之旋轉的潛在範圍。對於包含複數個可變形部件22之總成20的實施例，藉由使用可變形部件22之對稱組態以使得鏡面21之旋轉軸線安置於可變形部件22附接至鏡面21所處之位置之間可導致所需運動輪廓。特定言之，此配置允許鏡面21之定向經由角度範圍控制，而不存在或幾乎不存在鏡面21之平面內平移。若總成20將形成鏡面陣列之部分，則此尤其有利，如現在所論述。舉例而言，在使用時，可提供複數個此等總成20以使得所有總成20之支撐部分25均附接或固定至共同支撐基板以便提供鏡面陣列。在此配置之情況下，可能需要限制個別鏡面21平行於支撐基板之(全域或局域)平面的任何移動(其可稱為平面內平移)，此係因為此移動可導致鄰近鏡面21彼此接觸，此係不合需要的。儘管可能需要限制個別鏡面21平行於支撐基板之(全域或局域)平面的移動，但可允許鏡面21在正交於支撐基板之(全域或局部)平面之方向(其可稱為z方向)上之移動(且可藉由總成20達成)。

應瞭解，鏡面21可界定反射表面30。反射表面30可包含多層堆疊(亦稱為布拉格鏡面)。鏡面21可經組態以反射極紫外線(EUV)輻射。

亦應瞭解，附接至鏡面21之該(或各)可變形部件22之第二末端24可附接至鏡面21之除反射表面30以外的部分。舉例而言，如圖2中示意性地展示，該(或各)可變形部件22之第二末端24可附接至鏡面21之與反射表面30相對的表面31 (該表面31可稱為鏡面21之後表面31)。

應瞭解，可變形部件22可具有若干不同構造。現參考圖3A至圖3C描述可變形部件40 (其可用作圖2中所展示之可變形部件22)之第一實施例。

圖3A為呈第一組態之可變形部件40的示意性平面圖，圖3B為呈第二組態之可變形部件40的示意性側視圖；且圖3C展示為呈第三組態之可變形部件40的示意性側視圖。

可變形部件40包含結構框架41。結構框架41具有大體上平面組態(至少在致動器未致動時，如下文進一步所解釋)。應瞭解，除非相反地陳述，否則如本文中所使用，具有「大體上平面組態」之物件欲意謂該物件之尺寸中之一者明顯小於該物件之另外兩個尺寸。結構框架41在z方向上之尺寸明顯小於物件之另外兩個尺寸(在x-y平面中)。

結構框架41包含第一橫桿部分42及第二橫桿部分43。應瞭解，橫桿部分欲意謂伸長部件。如上文所解釋，結構框架41具有大體上平面組態。因此，第一橫桿部分42及第二橫桿部分43中之各者亦具有大體上平面組態(至少在藉此支撐之主動層未致動時，如下文進一步所解釋)。第一橫桿部分42在第一末端42a與第二末端42b之間延伸。第二橫桿部分43在第一末端43a與第二末端43b之間延伸。

第一橫桿部分42之第一末端42a自界定可變形部件40之支撐部分25的剛性支撐部分44延伸。第二橫桿部分43之第一末端43a自界定可變形部件40之第二末端24 (其在使用時附接至鏡面21之後表面31，參見圖2)的支柱48延伸。

可變形部件40之結構框架41在未致動、標稱或未加壓狀態下具有大體上平面組態。然而，下文進一步論述，結構框架41可藉由致動器部分而扭曲出其標稱平面。支撐部分44及支柱48並非為可變形的，且在垂直於結構框架41之標稱平面之方向上具有一定範圍。支撐部分44及支柱48在垂直於結構框架41之標稱平面之方向上的此範圍容納結構框架41之變形且防止結構框架41接觸鏡面21或支撐部分44可連接至之支撐基板。

第一橫桿部分42與第二橫桿部分43相互平行(兩者通常在圖式中之x方向上延伸)。在此實施例中，橫桿部分42、43之軸線在x方向上。第一橫桿部分42之第二末端42b連接至第二橫桿部分43之第二末端43b，從而形成類似於希臘(Greek)大寫字母Pi (亦即Ⅱ)之輪廓。應瞭解，如此處所使用，第一橫桿部分42及第二橫桿部分43在一個末端處連接在一起可藉由該對鄰近橫桿部分由相同材料一體形成來達成，如此實施例中之情況一般。連接部分45設置於第一橫桿部分42之第二末端42b與第二橫桿部分43之第二末端43b之間。連接部分45在y方向上延伸，亦即，大體上垂直於第一橫桿部分42及第二橫桿部分43之軸線(x方向)。連接部分45與第一橫桿部分42及第二橫桿部分43可由相同材料一體形成。

第一橫桿部分42及第二橫桿部分43中之各者可被視為形成致動器之被動部分的可撓性部件，如下文所論述。第一橫桿部分42及第二橫桿部分43支撐致動器之主動部分，如現在所論述。

可變形部件40進一步包含安置於第一橫桿部分42之表面上的具有壓電材料之第一主動層46及安置於第二橫桿部分43之表面上的具有壓電材料之第二主動層47。第一主動層46及第二主動層47各自可組態為處於第一收縮狀態及第二延伸狀態。應瞭解，第一主動層46及第二主動層47中之各者之狀態可藉由控制所施加電場(或所施加電壓)來控制。

第一橫桿部分42與第一主動層46一起形成第一致動器部分，其等效於上文所描述之第一致動器26。類似地，第二橫桿部分43及第二主動層47形成第二致動器部分，其等效於上文所描述之第二致動器27。此等第一致動器及第二致動器中之各者為單壓電晶片橫桿。

第一主動層46及第二主動層47中之各者允許上面安置有該等主動層之橫桿部分42、43彎曲。舉例而言，當處於第一狀態(不具有所施加場)時，第一主動層46及第二主動層47中之各者可各自設置於各別橫桿部分42、43之表面上(例如，黏附至該表面)。隨後，可使用所施加電場將主動層變換成第二狀態。此將改變橫桿部分42、43之上面設置有主動層46、47之表面(相對於彼橫桿部分42、43之相對表面)的長度。在施加電場之情況下，壓電主動層膨脹，而下伏橫桿部分不受電場影響。此引起跨越致動器部分之負彎矩及橫桿部件42、43之偏轉。在本實施例中，各致動器部分為可獨立定址的。

儘管在此實施例中，電場之施加使得壓電主動層膨脹，但應瞭解，在其他實施例中，壓電主動層可以是這樣的，即電場之施加使得壓電主動層收縮，此亦將導致橫桿部分彎曲。

儘管在此實施例中，第一主動層46及第二主動層47包含壓電材料，但熟習此項技術者應瞭解，在替代實施例中，第一主動層46及第二主動層47可由其他材料形成且可使用不同物理機構或現象而變形。舉例而言，在一個替代實施例中，第一主動層46及第二主動層47可由具有與第一橫桿部分42及第二橫桿部分43之熱膨脹係數不同之熱膨脹係數的任何材料形成。在此配置之情況下，第一致動器部分(42，46)及第二致動器部分(43，47)中之各者可被視為電熱雙壓電晶片(bimorph)以達成第一及第二致動器部分之彎曲。

具有壓電材料之第一主動層46及第二主動層47兩者安置於結構框架41的同一側上且為可獨立定址的。此配置允許第二橫桿部分43之第二末端43a (其在使用時連接至鏡面21)相對於支撐部分44移動：(a)在致動第一主動層46時在第一方向上移動(參見圖3B)；及(b)在致動第二主動層47時在與第一方向相對之第二方向上移動(參見圖3C)。

當第一層46及第二層47兩者皆未由所施加場或電壓致動時，第一橫桿部分42及第二橫桿部分43大體上共面(如圖3A中所展示)。此可稱為結構框架41之標稱、未致動或未加壓組態。

應理解，術語「標稱組態」為致動器部分中無一者藉由施加電場而致動的組態。因此，僅由鏡面重量及自重施加之負載所產生的應力在中立位置存在於可變形部件40中。

如圖3B中所繪示，致動第一主動層46引起第一橫桿部分42之拱曲(hogging)變形。第一橫桿部分42之此拱曲變形使得第一橫桿部分42之第二末端42b相對於第一橫桿部分42之第一末端42a在一個方向(在圖3B中所展示之實例中，負z方向)上移動。第二主動層47未致動，且因此第二橫桿部分43保持相對筆直且更接近於其未加壓組態。應瞭解，在使用時，第二橫桿部分43將由於其連接至第一橫桿部分42而存在些許彎曲，此係因為第一橫桿部分42及第二橫桿部分43充當串聯在兩個負載之間的兩個彈簧(經由支柱48與鏡面串聯且經由支撐部分44與支撐基板串聯)。然而，第二橫桿部分43相比於第一橫桿部分42 (其藉由第一主動層46主動變形)彎曲得不那麼明顯。因為橫桿部分42、43之第二末端42b、43b彼此連續連接(經由連接部分45)，所以第一橫桿部分42及第二橫桿部分43在其第二末端42b、43b處保持局部地相互相切(而不管第一橫桿部分42之彎曲)。因此，第二橫桿部分43由於第一橫桿部分42之彎曲而在相對方向(圖3B中所展示之實例中，正z方向)上部分地延伸。因此，第二橫桿部分43之第一末端43a相對於第一橫桿部分42之第一末端42a在正z方向上移動。此可被視為構成『推動』組態。

如圖3C中所繪示，致動第二主動層47引起第二橫桿部分43之拱曲變形。第二橫桿部分43之此拱曲變形使得第二橫桿部分43之第二末端43b相對於第二橫桿部分43之第一末端43a在一個方向(在圖3C中所展示之實例中，負z方向)上移動。第一主動層46未致動，且因此第一橫桿部分42保持相對筆直且更接近於其未加壓組態。應瞭解，在使用時，第一橫桿部分42將由於其連接至第二橫桿部分43而存在些許彎曲，此係因為第一橫桿部分42及第二橫桿部分43充當串聯之兩個彈簧(經由支柱48與鏡面串聯且經由支撐部分44與支撐基板串聯)。然而，第一橫桿部分42相比於第二橫桿部分43 (其藉由第二主動層47主動變形)彎曲得不那麼明顯。當第一橫桿部分42及第二橫桿部分43在其第二末端42b、43b處保持局部地相互相切時，第二橫桿部分43之此彎曲使得第二橫桿部分43之第一末端43a相對於第一橫桿部分42之第一末端42a在負z方向上偏轉。此可被視為構成『拉動』組態。

圖3A至圖3C中所展示之結構框架41可被視為包含兩個大體上相互平行之橫桿部分42、43之陣列，其中各對鄰近橫桿部分42、43在一個末端(第二末端(42b，43b))處連接在一起，且其中各橫桿部分42、43在任何給定末端處僅連接至一個鄰近橫桿部分42、43。

在此實施例(如圖3A至圖3C中所展示)中，第一橫桿部分42之第二末端42b直接連接至第二橫桿部分43之第二末端43b，使得僅存在兩個橫桿部分42、43。

在其他實施例中，第一橫桿部分42之第二末端42b可經由結構框架之中心部分連接至第二橫桿部分43之第二末端43b，中心部分又包含複數個額外相互平行之橫桿部分。對於此等實施例，各對鄰近橫桿部分可在一個末端處連接在一起，且各橫桿部分可在任何給定末端處僅連接至一個鄰近橫桿部分。此實施例之實例展示於圖4A至圖4C中。

現參考圖4A至圖4C描述可變形部件50 (其可用作圖2中所展示之可變形部件22)之第二實施例。圖4A為呈第一組態之可變形部件50的示意性平面圖，圖4B為呈第二組態之可變形部件50的示意性側視圖；且圖4C展示為呈第三組態之可變形部件50的示意性側視圖。

圖4A至圖4C中所展示之可變形部件50之實施例共用與圖3A至圖3C中所展示及上文所描述之可變形部件40共有的許多特徵。可變形部件40、50之兩個實施例所共有的特徵共用共同參考編號。下文將僅詳細地描述差異。

如在圖4A中最佳地所見，可變形部件50在概念上類似於圖3A中所展示之可變形部件40，但具有四個致動器部分。

圖4A中所展示之可變形部件50包含一結構框架51。結構框架51包含四個相互平行之橫桿部分42、43、52、53之陣列。如同圖3A至圖3C中所展示之實施例一樣，第一橫桿部分42之第一末端42a自界定可變形部件50之支撐部分25的剛性支撐部分44延伸。如同圖3A至圖3C中所展示之實施例一樣，第二橫桿部分43之第一末端43a界定可變形部件50之第二末端24 (其在使用時附接至鏡面21之後表面31，參見圖2)。

在此實施例中，第一橫桿部分42之第二末端42b經由結構框架51之一中心部分連接至第二橫桿部分43之第二末端43b，中心部分51包含兩個額外相互平行之橫桿部分：一第三橫桿部分52及一第四橫桿部分53。

各對鄰近橫桿部分42、43、52、53在一個末端處連接在一起。應瞭解，如此處所使用，一對鄰近橫桿部分在一個末端處連接在一起可藉由該對鄰近橫桿部分由相同材料一體形成來達成，如此實施例中之情況一般。實質上如上文參考圖3A至圖3C所描述之一連接部分45設置於各對鄰近橫桿部分42、43、52、53之間。連接部分通常在y方向上延伸，亦即，垂直於鄰近橫桿部分42、43、52、53之軸線(該軸線在x方向上延伸)。在此實施例中，各連接部分45由與其連接之該對鄰近橫桿部分42、43、52、53相同之材料一體形成。

各橫桿部分42、43、52、53在任何給定末端處僅連接至一個鄰近橫桿部分42、43、52、53。因此，對於具有兩個鄰近橫桿部分之中心橫桿部分52、53，鄰近橫桿部分中之一者連接至中心橫桿部分52、53之一個末端，且另一鄰近橫桿部分連接至中心橫桿部分52、53之另一末端。在此配置之情況下，橫桿部分42、43、52、53可大體上平面且平行，且藉由彎曲橫桿部分42、43、52、53中之一或多者，該等彎曲橫桿部分之至少一個末端可移出(未致動)結構框架51之平面。

第一橫桿部分42之第二末端42b連接至第四橫桿部分53之第二末端53b。第四橫桿部分53之一第一末端53a連接至第三橫桿部分52之一第一末端52a。第三橫桿部分52之一第二末端52b連接至第二橫桿部分43之第二末端43b。

可變形部件50進一步包含安置於第三橫桿部分52之表面上的具有壓電材料之第三主動層56，及安置於第四橫桿部分53之表面上的具有壓電材料之第四主動層57。如同上文所描述之第一主動層46及第二主動層47，第三主動層56及第四主動層57各自可組態為處於第三收縮狀態及第四延伸狀態。第三主動層56及第四主動層57中之各者的狀態可藉由控制所施加電場(或所施加電壓)來控制。

第三橫桿部分52與第三主動層56一起形成第三致動器部分。類似地，第四橫桿部分53及第四主動層57形成第四致動器部分。第一致動器部分(42，46)與第三致動器部分(52，56)一起等效於上文參考圖2所描述之第一致動器26。類似地，第二致動器部分(43，47)與第四致動器部分(53，57)一起等效於上文所描述之第二致動器27。

因此，在此實施例中，可變形部件50包含四個可獨立定址之單壓電晶片橫桿/致動器部分(42，46；52，56；43，47；53，57)。

先前關於圖3A至圖3C中所展示之可變形部件40描述單壓電晶片偏轉之原理。同一機構在操作中用於圖4A至圖4C中所展示之可變形部件50。在使用時，第一及第三致動器部分(42，46；52，56)共同定址/激勵且統稱為第一致動器。相反，第二及第四致動器部分(43，47；53，57)共同定址/激勵且統稱為第二致動器。

圖4B及圖4C分別繪示呈『推動』組態及『拉動』組態之部件可變形部件50，從而繪示可使用部件可變形部件50達成之(鏡面21之)雙向移動。

藉由激勵第一致動器(42，46；52，56)來致動『推動』組態(圖4B)，使得第一及第三致動器部分經受拱曲偏轉。如圖4B中所繪示，致動第一主動層46及第三主動層56引起第一橫桿部分42及第三橫桿部分56之拱曲變形。第二主動層47及第四主動層57未致動，且因此，第二橫桿部分43及第四橫桿部分53保持相對筆直且更接近於其未加壓組態。又，因為各對鄰近橫桿部分經由連接部分45彼此連續連接，所以在此連接部分45處，該對鄰近橫桿部分保持局部地相互相切。因此，第二橫桿部分43之第一末端43a相對於第一橫桿部分42之第一末端42a在正z方向上移位。此可被視為構成『推動』組態。

可理解，具有兩個偏轉部分(第一橫桿部分42及第三橫桿部分56)引起第二橫桿部分43之第一末端43a之經增加偏轉，且有利地增加任何所附接元件(例如，鏡面21)之移位。

藉由激勵第二致動器(43，47；53，57)來致動圖4C之拉動組態，使得第二及第四致動器部分經受拱曲偏轉。如圖4C中所繪示，致動第二主動層47及第四主動層57分別引起第二橫桿部分43及第四橫桿部分53之拱曲變形。第一主動層46及第三主動層56未致動，且因此第一部分42及第三部分52保持相對筆直且更接近於其未加壓組態。又，因為各對鄰近橫桿部分經由連接部分45彼此連續連接，所以在此連接部分45處，該對鄰近橫桿部分保持局部地相互相切。因此，第二橫桿部分43之第一末端43a相對於第一橫桿部分42之第一末端42a在負z方向上移位。此可被視為構成『拉動』組態。

在處於類似組態之情況下，共同地論述關於圖3及圖4之實施例之構造的細節。

可變形部件40及50之主動層可由任何合適之材料形成，諸如壓電材料。舉例而言，部件可變形部件40及50之主動層可由鋯鈦酸鉛(PZT) (壓電陶瓷材料)形成。PZT具有在施加外部電場下改變形狀的屬性。特定言之，PZT可在施加外部電場下膨脹抑或收縮，從而引起橫桿部分之彎曲變形。此允許在單壓電晶片致動器部分中誘發拱曲應力。替代地，如上文所描述，在一個替代實施例中，主動層46、47、56、57可由具有與支撐其之橫桿部分42、43、52、53之熱膨脹係數不同的熱膨脹係數之任何材料形成。在此配置之情況下，各致動器部分(42，46；43，46；52，56；53，57)可被視為電熱雙壓電晶片，且可經由電熱致動達成致動器部分之彎曲。

可變形部件40及50之結構框架41、51可由具有合理硬度且易於製造之任何合適的彈性材料形成。舉例而言，可變形部件40及50之結構框架可由矽形成。彈性尤其重要，此係因為結構框架41、51可能需要忍受許多致動循環。順應性亦係重要的，此係因為可變形部件在某些組態中可能經歷扭轉負載。硬度在本申請案中尤其有利，由於PZT為不良結構材料，因此結構框架41、51支撐主動層46、47、56、57。

圖2中所展示之新總成20之一些實施例可包含複數個可變形部件22。各此可變形部件22之第二末端24可附接至鏡面21之不同部分。

有利地，此可允許鏡面21可圍繞不同軸線旋轉，且可限制鏡面之寄生運動，如現在所論述。寄生運動可理解為意謂鏡面之任何非所要非旋轉移位，例如與鏡面實質上共面之平移移位。

舉例而言，在一些實施例中，總成20可包含一對可變形部件22，其可經配置以使得該對可變形部件22中之各者之第二末端24附接至鏡面21之表面31之在第一方向上分離的不同部分。此可允許鏡面21圍繞大體上垂直於第一方向之軸線旋轉。在一些實施例中，總成20可包含第二對可變形部件，其可經配置以使得該對可變形部件22中之各者之第二末端24附接至鏡面21之表面31之在第二方向上分離的不同部分。此可允許鏡面21圍繞大體上垂直於第二方向之軸線旋轉。

在一些實施例中，總成20可包含三個可變形部件22，其可經配置以使得三個可變形部件22中之各者之第二末端24附接至鏡面21之表面31的不同部分，該三個位置係非共線的。此可允許鏡面21圍繞兩個不同軸線旋轉。

圖5A至圖5C描繪包含四個可變形部件61a、61b、61c、61d之總成60 (其為圖2中所展示之總成20的一般形式)的實施例，各可變形部件61a、61b、61c、61d為圖4A至圖4C中所繪示及上文所描述之部件可變形部件50的一般形式。可變形部件61a、61b、61c、61d中之各者的組件特徵用與圖4A至圖4C中所展示之可變形部件50之對應組件特徵相同的參考編號標註。

總成60進一步包含平衡環架62。

如圖5A中所展示，可變形部件61a、61b、61c、61d分別在位置63a、63b、63c、63d處附接至鏡面21，使得可變形部件61a、61b、61c、61d之總組態在x-y平面中具有四階旋轉對稱性。

在使用時，可變形部件61a、61b、61c、61d可成對致動，較佳地，一對為61a、61c且另一對為61b、61d，使得當一對中之一個可變形部件61a、61b、61c、61d呈推動組態時，另一個呈拉動組態。推拉致動產生一力矩，且因此產生圍繞軸線之旋轉。參考圖5A中提供之軸線，以上文所描述之方式致動該對可變形部件61a及61c將引起圍繞大體上平行於x軸之軸線的旋轉。以上文所描述之方式致動一對可變形部件61b及61d將引起圍繞大體上平行於y軸之軸線的旋轉。有利地，鏡面21可藉由以上致動模式之各種組合而在複數個方向上傾斜。

應注意，在總成60中，各可變形部件61a、61b、61c、61d附接至鏡面21所處之位置63a、63b、63c、63d接近於鏡面21之反射表面的外邊緣。如上文所解釋，該或各可變形部件61a、61b、61c、61d之第二末端可附接至鏡面21之除反射表面30以外的部分(例如，鏡面21之與反射表面30相對的後表面31)。應瞭解，在近端附接至鏡面21之反射表面30之外邊緣的該或各可變形部件61a、61b、61c、61d可意謂該或各可變形部件61a、61b、61c、61d在當投影至鏡面21之反射表面30上時接近於鏡面21之反射表面30的外邊緣的位置處附接至鏡面21之另一表面31。

圖5B展示原位位於總成60內之可變形部件61c的單個例項。應理解，其他可變形部件及其周圍元件61a、61b、61d實質上相同地組態。

可變形部件61c之第二末端經由其支柱48在63c處附接至鏡面21。支柱48可由二氧化矽(SiO ₂)形成。此特徵減少可變形部件61c與鏡面21之間的界面截面，從而減少自鏡面21至可變形部件之熱轉移。

圖5C繪示由上文所描述之總成60之推拉致動產生的組態。

各上文所描述之推拉致動界定自然旋轉軸線。由於四個可變形元件61a、61b、61c、61d之旋轉對稱配置，自然旋轉軸線固有地穿過鏡面21之中心(在x-y平面中)。此最小化非所要寄生運動。寄生運動可理解為鏡面21之任何非所要非旋轉移位，例如與鏡面21實質上共面之平移移位。

平衡環架62附接至鏡面21及四個可變形元件61a、61b、61c、61d之支撐部分44。在此實施例中，四個可變形元件61a、61b、61c、61d之支撐部分44在x-y平面中通常為L形。四個可變形元件61a、61b、61c、61d之支撐部分44全部連接，以便形成可安裝至支撐基板之共同支撐部分。

寄生運動進一步由平衡環架62阻止。平衡環架充當限制鏡面21相對於由四個可變形元件61a、61b、61c、61d之支撐部分44提供的共同支撐部分之移動包絡(envelope)的可撓性多向『鉸鏈』。

另外，平衡環架62充當來自鏡面(其由入射輻射加熱)之熱通量的管道，從而促進總成之熱管理。

在使用時，複數個上文所描述之總成20可藉由其支撐部分25固定至共同基板以便形成微鏡面陣列。在使用時，基板可剛性地安裝至支撐結構。有利地，此意謂由總成20之致動器26、27施加的致動力造成鏡面21之實質上旋轉及/或移位。

上文所描述之微鏡面陣列可形成可程式化照明器之部分，該可程式化照明器進一步包含電源及與微鏡面陣列連通之控制系統。可程式化照明器可操作(在由電源供應電力時)以將控制信號選擇性地供應至複數個可變形部件22之第一致動器26及第二致動器27，以便控制複數個總成20之鏡面21的定向組態。控制系統可操作以選擇性地激勵第一及第二致動器(例如，壓電元件)以達成照明器之所要光學組態。

當若干總成鄰近地安裝於基板上(例如安裝於微鏡面陣列中)時，寄生運動尤其不利。需要限制鏡面移動包絡，使得各總成之鏡面決不侵佔鄰近總成之佔據面積。若鏡面侵佔鄰近總成之佔據面積，則鏡面之間可發生機械干擾，從而導致無法達成所要光學組態。

因此，總成20在其固有移動包絡方面之上文所描述之特性在可形成可程式化照明器之部分的微鏡面陣列中尤其有利。

微影及檢測及/或度量衡設備可包含上文所描述之類型的一或多個可程式化照明器。

圖6為用於形成圖2中所展示及上文所描述之類型之總成的方法70之示意性圖示。

方法70包含提供鏡面21之步驟71。鏡面21可包含用於EUV輻射之布拉格反射器。

方法70進一步包含取決於所要組態而提供一或多個可變形部件22之步驟72。可變形部件22之第一末端23界定支撐部分25。該或各可變形部件22包含第一致動器26及第二致動器27，且第一及第二致動器可以可獨立定址或激勵。

可變形部件22可為圖3A至圖3C及圖4A至圖4C中所展示之可變形部件40、50的一般形式。步驟72可包含：形成包含兩個或更多個橫桿部分42、43、52、53之結構框架41、51；將主動層46、47、56、57沈積於兩個或更多個橫桿部分42、43、52、53中之至少兩者之表面上。形成結構框架41、51可使用微影程序或以其他方式達成。步驟72可進一步包含將一或多個結構框架41、51中之各者之末端連接至剛性支撐部分44。

方法70進一步包含將各可變形部件22之第二末端24附接至鏡面21之步驟73。可變形部件22之第二末端24可經由一或多個支柱48附接至鏡面21之後表面31。

視情況，上文所描述之實施例及根據方法70製造之複數個總成可連同基板一起提供。藉由將複數個總成中之各者的一或多個可變形部件中之各者的支撐部分連接至基板，可形成微鏡面陣列。

圖7為用於形成微鏡面陣列之方法80的示意性圖示。方法80包含提供基板之步驟81。方法80進一步包含提供為圖2中所展示之一般形式的複數個總成20之步驟82。方法80進一步包含將複數個總成20中之各者的一或多個可變形部件22中之各者的支撐部分25連接至基板之步驟83。

應理解，上文所描述之方法可以若干不同序列進行，同時產生大體上相同之微鏡面陣列。

提供為圖2中所展示之一般形式的複數個總成20之步驟81可包含圖6中所展示之方法70。

一般熟習此項技術者應瞭解，本發明已僅藉助於實例進行描述，且本發明本身由申請專利範圍界定。在不脫離如申請專利範圍中所定義之本發明之範疇的情況下，可對上文所描述之例示性設計進行許多修改及變化。舉例而言，可以不同次序執行方法步驟及/或該方法可包含額外方法步驟。

上文所描述之結構框架41及51包含與結構框架41及51一體形成之支撐部分44。替代地，在其他實施例中，支撐部分44可分開形成且隨後附接結構框架41及51之第二末端。另一可能性將為各總成提供在多個可變形部件之間共有的單一支撐部分。

應瞭解，圖5A至圖5C中所展示之總成60之平衡環架62為視情況選用之特徵，且平衡環架62可自設計省略而對總成60之機械特性影響極小。值得注意地，此改變將允許鏡面21之平移移位，諸如藉由致動所有可變形部件以推動或拉動而正交於鏡面21之平面的平移。

另外，各總成20可包含任何數目個可變形部件22，例如三個。可變形部件22亦可具有與總成60所指定之組態不同的組態，例如，兩個橫桿部分實施例可變形部件30。

在上文所描述之實施例中，已關於圖式描述總成、總成元件及微鏡面陣列。應理解，此等之特定幾何佈局不具限制性。舉例而言，彎曲橫桿部分亦可相對於圖式之伸長立方體橫桿部分使用。

此外，上文所描述之材料選項(例如SiO ₂)不應視為限制性的-亦可選擇具有適合於各應用之屬性的任何其他材料。

儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影設備之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用。可能其他應用包括製造積體光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。

儘管上文可能已經特定地參考在光學微影之上下文中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，在上下文允許之情況下，本發明不限於光學微影，且可用於其他應用(例如壓印微影)中。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。上方描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 20:總成 21:鏡面 22:可變形部件 23:第一末端 24:第二末端 25:支撐部分 26:第一致動器 27:第二致動器 28:第一方向 29:第二方向 30:反射表面 31:後表面 40:可變形部件 41:結構框架 42:第一橫桿部分 42a:第一末端 42b:第二末端 43:第二橫桿部分 43a:第一末端 43b:第二末端 44:剛性支撐部分 45:連接部分 46:第一主動層 47:第二主動層 48:支柱 50:可變形部件 51:結構框架 52:第三橫桿部分 52a:第一末端 52b:第二末端 53:第四橫桿部分 53a:第一末端 53b:第二末端 56:第三主動層 57:第四主動層 60:總成 61a,61b,61c,61d:可變形部件 62:平衡環架 63a,63b,63c,63d:位置 70:方法 71:步驟 72:步驟 73:步驟 80:方法 81:步驟 82:步驟 83:步驟 110:照明器 111:輻射源 112:透鏡 113:孔徑板 113N:孔徑板 113S:孔徑板 114:透鏡 115:光束分光器 116:物鏡 117:第二光束分光器 118:光學系統 119:第一感測器 120:透鏡 121:場光闌 122:透鏡 123:感測器 130:輻射源 131:光纖 132:直透鏡系統 133:微鏡面陣列 134:微鏡面 135:低NA中繼4F系統 140:可程式化照明器 B:EUV輻射光束 B':經圖案化EUV輻射光束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 O:光軸 PS:投影系統 PU:控制器/處理單元 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台 X:方向 Y:方向 Z:方向

現將參考隨附示意圖而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在圖式中： -  圖1描繪包含微影設備及輻射源之微影系統； -  圖1A描繪已知檢測設備； -  圖1B描繪用於圖1A之檢測設備中之可程式化照明器； -  圖2示意性地描繪包含鏡面及一或多個可變形部件之總成； -  圖3A示意性地描繪可形成圖2中所展示且以第一組態展示之總成之部分的第一可變形部件之平面圖； -  圖3B示意性地描繪呈第二組態之圖3A之部件可變形部件的側視圖； -  圖3C示意性地描繪呈第三組態之圖3A之可變形部件的側視圖； -  圖4A示意性地描繪可形成圖2中所展示且以第一組態展示之總成之部分的替代可變形部件之平面圖； -  圖4B示意性地描繪呈第二組態之圖4A之可變形部件的側視圖； -  圖4C示意性地描繪呈第三組態之圖4A之部件可變形部件的側視圖； -  圖5A為圖2中所展示之一般類型的總成之平面圖，該總成包含鏡面及圖4A至圖4C中所展示之一般類型的四個可變形部件； -  圖5B為圖5A之總成之一個可變形部件及其鄰近環境的密切透視圖； -  圖5C為呈可能偏轉組態之圖5A之總成的透視圖； -  圖6為用於形成圖2中所展示之類型之總成的方法之示意性圖示；且 -  圖7為用於形成微鏡面陣列之方法的示意性說明，該方法可包含圖6中所展示之方法。

20:總成

21:鏡面

22:可變形部件

23:第一末端

24:第二末端

25:支撐部分

26:第一致動器

27:第二致動器

28:第一方向

29:第二方向

30:反射表面

31:後表面

Claims (36)

1. 一種總成，其包含： 一鏡面；及 一或多個可變形部件，該一或多個可變形部件之一第一末端界定一支撐部分，且該一或多個可變形部件之一第二末端直接地抑或間接地附接至該鏡面； 其中該一或多個可變形部件中之該或各可變形部件包含一第一致動器及一第二致動器； 其中該第一致動器及該第二致動器為可獨立定址的；且 其中該第一致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在一第一方向上移動，且其中該第二致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在與該第一方向相對之一第二方向上移動。
2. 如請求項1之總成，其中該或各可變形部件包含用於支撐該第一致動器及該第二致動器之一主動部分的一結構框架。
3. 如請求項2之總成，其中該第一致動器及該第二致動器之該等主動部分安置於該結構框架的同一側上。
4. 如請求項2或請求項3之總成，其中該結構框架由矽形成。
5. 如請求項2或請求項3之總成，其中該結構框架包含兩個或更多個大體上相互平行之橫桿部分之一陣列，各對鄰近橫桿部分在一個末端處連接在一起，其中各橫桿部分在任何給定末端處僅連接至一個鄰近橫桿部分。
6. 如請求項1至3中任一項之總成，其中該或各可變形部件包含： 一第一橫桿部分，該第一橫桿部分之一第一末端界定界定該支撐部分的該可變形部件之該第一末端；及 一第二橫桿部分，該第二橫桿部分之一第一末端界定附接至該鏡面的該可變形部件之該第二末端， 其中該第一橫桿部分及該第二橫桿部分相互平行，且其中該第一橫桿部分之該第二末端直接地抑或間接地連接至該第二橫桿部分之該第二末端。
7. 如請求項1至3中任一項之總成，其中該第一致動器及該第二致動器中之至少一者包含至少一個致動器部分，其中各此致動器部分包含：一可撓性部件及安置於該可撓性部件之一表面上且可操作以使該可撓性部件扭曲之一主動層。
8. 如請求項7之總成，其中該第一致動器及該第二致動器之該等致動器部分之該等主動層安置於該結構框架的同一側上。
9. 如請求項7之總成，其中該或各主動層可組態為處於至少一第一標稱狀態及一第二致動狀態。
10. 如請求項7之總成，其中該或各可撓性部件包含一橫桿部分。
11. 如請求項1至3中任一項之總成，其中該第一致動器包含複數個致動器部分，且其中該第二致動器包含複數個致動器部分。
12. 如請求項7之總成，其中該或各主動層包含一壓電材料。
13. 如請求項12之總成，其中該壓電材料為鋯鈦酸鉛。
14. 如請求項7之總成，其中該或各主動層包含具有與該等橫桿部分之熱膨脹係數不同之一熱膨脹係數且可經受電熱致動之材料。
15. 如請求項1至3中任一項之總成，其中該總成包含複數個可變形部件，該複數個可變形部件中之至少兩者之該第二末端附接至該鏡面之一不同部分。
16. 如請求項1至3中任一項之總成，其中該總成包含四個可變形部件。
17. 如請求項16之總成，其中該等四個可變形部件按4階旋轉對稱佈局配置。
18. 如請求項16之總成，其中該等四個可變形部件包含兩對相對可變形部件，且其中各對相對可變形部件經配置以接收共用控制信號。
19. 如請求項1至3中任一項之總成，其中該或各可變形部件在近端附接至該鏡面之一反射表面之一外邊緣。
20. 如請求項1至3中任一項之總成，其中該或各可變形部件之該支撐部分為剛性的。
21. 如請求項1至3中任一項之總成，其中該或各可變形部件藉助於一或多個支柱附接至該鏡面。
22. 如請求項21之總成，其中該或各支柱係由具有比連接至該鏡面之該部件可變形部件之一熱阻更高的一熱阻之一材料形成。
23. 如請求項1至3中任一項之總成，其進一步包含一平衡環架，該平衡環架之一第一末端附接至該鏡面。
24. 一種微鏡面陣列，其包含： 一基板；及 如請求項1至23中任一項之複數個總成； 其中該複數個總成中之各者的該一或多個可變形部件中之各者的該支撐部分連接至該基板。
25. 一種可程式化照明器，其包含： 如請求項24之微鏡面陣列； 一電源；及 一控制系統，該控制系統可操作以使用該電源將控制信號供應至該複數個總成中之各者的該一或多個可變形部件之該第一制動器及該第二致動器，以便控制該複數個總成之該等鏡面的定向。
26. 一種微影設備，其包含如請求項25之可程式化照明器。
27. 一種檢測及/或度量衡設備，其包含如請求項25之可程式化照明器。
28. 一種用於形成一總成之方法，該方法包含： 提供一鏡面；及 提供一或多個可變形部件，該一或多個可變形部件之一第一末端界定一支撐部分，其中該一或多個可變形部件中之該或各可變形部件包含一第一致動器及一第二致動器，且其中該第一致動器及該第二致動器為可獨立定址的； 將該一或多個可變形部件中之各者的一第二末端附接至該鏡面； 其中該第一致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在一第一方向上移動，且其中該第二致動器之致動使該鏡面相對於該支撐部分在與該第一方向相對之一第二方向上移動。
29. 如請求項28之方法，其中該總成為如請求項1至23中任一項之總成。
30. 如請求項28或請求項29之方法，其中提供該一或多個可變形部件中之各者包含： 形成包含兩個或更多個橫桿部分之一結構框架；及 將一主動層沈積於該兩個或更多個橫桿部分中之至少兩者的一表面上。
31. 如請求項30之方法，其中該或各結構框架包含兩個或更多個大體上相互平行之橫桿部分之一陣列，各對鄰近橫桿部分在一個末端處連接在一起，其中各橫桿部分在任何給定末端處僅連接至一個鄰近橫桿部分。
32. 如請求項30之方法，其中該或各結構框架包含： 一第一橫桿部分，該第一橫桿部分之一第一末端界定或接近於界定該支撐部分的該可變形部件之該第一末端；及 一第二橫桿部分，該第二橫桿部分之一第一末端界定該可變形部件之該第二末端， 其中該第一橫桿部分及該第二橫桿部分相互平行，且其中該第一橫桿部分之該第二末端直接地抑或間接地連接至該第二橫桿部分之該第二末端。
33. 如請求項30之方法，其進一步包含將該一或多個結構框架中之各者的一末端連接至一剛性支撐部分。
34. 如請求項30之方法，其中將該一或多個可變形部件中之各者的一第二末端附接至該鏡面包含經由一或多個支柱將該結構框架之一末端附接至該鏡面。
35. 一種用於形成一微鏡面陣列之方法，該方法包含： 提供一基板； 提供如請求項1至23中任一項之複數個總成；及 將該複數個總成中之各者的該一或多個可變形部件中之各者的該支撐部分連接至該基板。
36. 如請求項35之方法，其中提供如請求項1至23中任一項之複數個總成的步驟包含如請求項28至34中任一項之方法。