TW202401649A - 基板載置台、基板處理裝置及基板處理方法(一) - Google Patents

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邊見篤
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Abstract

本揭露係提供一種抑制基板處理在對應於升降銷的位置變得不均勻之基板載置台、基板處理裝置及基板處理方法。 一種基板載置台，係具有供載置基板之載置面；該基板載置台係具備：基材；升降銷，係由導體構成，相對於該載置面進行升降，在上部與下部之間具有段差，且該上部的直徑大於該下部的直徑；銷孔，係開口於該載置面，能讓形成於該基材的內部的該升降銷出沒；以及保持具，係包含能讓該升降銷貫通的貫通孔，設置在該基材，由導體構成；該保持具係具備外側保持具與內側保持具；該貫通孔係形成於該內側保持具的中心軸上，能讓該升降銷上下移動；該貫通孔的內徑係小於該升降銷的該上部的直徑；該內側保持具係透過配置於與該外側保持具之間的彈性構件可滑動地被支撐在該外側保持具。

Description

基板載置台、基板處理裝置及基板處理方法(一)
本揭露係關於一種基板載置台、基板處理裝置及基板處理方法。
專利文獻1揭示一種在對基板進行電漿處理時能抑制載置台本體在對應於升降銷的穿插孔的位置發生處理不均之基板載置台。
專利文獻1：日本特開2007-273685號公報
本揭露係提供一種抑制基板處理在對應於升降銷的位置變得不均勻之基板載置台、基板處理裝置及基板處理方法。
根據本揭露之一態樣，提供一種基板載置台，係具有供載置基板之載置面；該基板載置台係具備：基材，係位在該載置面的下方，由導體構成；升降銷，係由導體構成，相對於該載置面進行升降，在上部與下部之間具有段差，且該上部的直徑大於該下部的直徑；銷孔，係開口於該載置面，能讓形成於該基材的內部的該升降銷出沒；以及保持具，係包含能讓該升降銷貫通的貫通孔，設置在該基材，由導體構成；該保持具係具備具有共通的中心軸之外側保持具及內側保持具；該貫通孔係形成於該內側保持具的中心軸上，能讓該升降銷上下移動；該貫通孔的內徑係小於該升降銷的該上部的直徑；該內側保持具係透過配置於與該外側保持具之間的彈性構件可滑動地被支撐在該外側保持具。
根據本揭露，便能提供一種會抑制基板處理在對應於升降銷的位置變得不均勻之基板載置台、基板處理裝置及基板處理方法。
以下，參照圖式對用以實施本揭露之型態加以說明。此外，本說明書及圖式中，對於實質上相同的構成係標示相同的符號以省略重複的說明。
在平行、直角、正交、水平、垂直、上下、左右等方向上可容許不會損及實施型態的效果之程度的偏差。角部的形狀不限於直角，也可以是呈弓狀帶圓。平行、直角、正交、水平、垂直也可以包含略平行、略直角、略正交、略水平、略垂直。
圖1係顯示具備本實施型態相關的基板載置台20之基板處理裝置1的剖面圖。基板處理裝置1為例如電漿蝕刻裝置。基板處理裝置1為例如電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置。
基板處理裝置1為例如會對平面顯示器(FPD：Flat Panel Display)用的玻璃基板G進行蝕刻處理之裝置。作為平面顯示器，舉例有液晶顯示器、發光二極體顯示器、電激發光顯示器、螢光顯示管、電漿顯示器等。
基板處理裝置1具備處理容器10、基板載置台20、功率供應部30、氣體供應部40及排氣部50。
[處理容器10] 處理容器10為所謂的處理腔室。處理容器10由例如表面經耐酸鋁處理(陽極氧化處理)後的鋁或鋁合金形成。處理容器10係具有方筒狀的形狀。
處理容器10在上部具備噴淋頭11。噴淋頭11係與基板載置台20平行地對向而作為上部電極發揮功能。又，噴淋頭11會向處理容器10的處理空間10S供應氣體。
噴淋頭11設置在基板載置台20的上方。噴淋頭11被支撐在處理容器10的上部。噴淋頭11為接地。噴淋頭11與基板載置台20一同構成一對平行平板電極。
噴淋頭11在內部具有內部空間11a。又，噴淋頭11在對向於基板載置台20的一面具有會噴出處理氣體之多個噴出孔11b。
在噴淋頭11的上面設有氣體導入口11c。氣體導入口11c連接有處理氣體供應管40p。處理氣體供應管40p連接有氣體供應部40。
處理容器10在底壁10a上具備用於載置基板載置台20的間隔構件12。間隔構件12由絕緣體形成。間隔構件12係設置為與基板載置台20的外形對應。基板載置台20係載置於間隔構件12上。基板載置台20由本體部21與絕緣構件22構成。
間隔構件12與底壁10a間，以及間隔構件12與本體部21及絕緣構件22間被氣密地密封。於是，在基板載置台20所具備的本體部21與底壁10a間會形成大氣環境氣氛的空間10A。然後，藉由空間10A在大氣下進行絕緣。
處理容器10具備多個絕緣構件13。絕緣構件13埋設在處理容器10的底壁10a中。螺栓14被插入在鉛直地設在絕緣構件13的中心之貫通孔。藉由螺栓14將基板載置台20的本體部21固定在底壁10a。藉由使用多個螺栓14來將本體部21固定在底壁10a，即使處理容器10內被保持為真空，也能夠防止基板載置台20因真空環境氣氛的處理空間10S與大氣環境氣氛的空間10A間的差壓而撓曲。
處理容器10係具備連接於底壁10a之排氣管15。排氣管15連接於排氣部50。排氣部50會對處理容器10的處理空間10S內進行排氣。排氣部50會將處理容器10的處理空間10S內抽真空至既定的減壓環境氣氛。
處理容器10在側壁具備基板搬出入口16及開閉基板搬出入口16之閘閥17。基板處理裝置1在使閘閥17為打開之狀態下在與相鄰的負載鎖定室(未圖示)間進行玻璃基板G的搬送。
[基板載置台20] 基板處理裝置1在處理容器10的底部具備用於載置作為被處理基板的玻璃基板G之基板載置台20。基板載置台20將玻璃基板G載置於載置面20S上。亦即，基板載置台20具有載置面20S。基板載置台20係配置在處理容器10的內部。
基板載置台20具備本體部21、絕緣構件22及多個基板升降部23。圖2及圖3為本實施型態相關之基板載置台20的剖面放大圖。具體而言，圖2及圖3為將基板載置台20中的基板升降部23的一部分放大後之剖面圖。此外，圖2係顯示將玻璃基板G載置於基板載置台20且使升降銷23a退避至基板載置台20的內部之狀態。將圖2的狀態稱為退避狀態。圖3係顯示藉由升降銷23a來將玻璃基板G自基板載置台20抬舉的狀態。將圖3的狀態稱為支撐狀態。
(本體部21) 本體部21藉由從功率供應部30供應高頻功率來作為下部電極發揮功能。
本體部21具備基材21a、介電層21b、多個凸部21c及隆起部21d。隆起部21d在本體部21的上面的周緣部自介電層21b向上部突出而形成為框狀。本體部21係具備能讓基板升降部23所具備的升降銷23a出沒之銷孔21h。銷孔21h係設置為貫通基材21a及介電層21b。銷孔21h開口於載置面20S。載置面20S上另開口而設置有用以供應氦等冷卻用氣體(回冷氣體)之多個冷卻氣體孔(未圖示)。將氦等冷卻用氣體供應至載置面20S與玻璃基板G下側的面(內面)之間，與玻璃基板G進行熱交換以調節玻璃基板G的溫度。
基材21a由導電性構件即導體構成。基材21a由例如金屬形成。具體而言，基材21a是由例如鋁、鋁合金、不鏽鋼合金、或鋁合金與不鏽鋼合金的組合形成。基材21a位在載置面20S的下方。基板升降部23安裝在基材21a。
本體部21在基材21a的上部具備介電層21b。介電層21b由例如陶瓷等介電質形成。介電層21b在內部埋設有靜電吸附用的電極21b1。電極21b1為靜電吸附電極。從外部電源(未圖示)對電極21b1施加電壓。對電極21b1施加電壓以藉由庫倫力來吸附玻璃基板G。電極21b1由例如鎢等形成。
此外，基材21a在內部具備未圖示的流道。藉由使已設定為預定溫度的熱介質在基材21a的流道中流動，來將基材21a的溫度調整成預定的期望溫度。
本體部21在介電層21b的上部具備多個凸部21c及隆起部21d。凸部21c及隆起部21d由例如介電質材料形成。凸部21c在介電層21b的上部形成為突起狀，隆起部21d設置在介電層21b的上部的周緣部。有關隆起部21d的上面與凸部21c的上面之高度，隆起部21d的上面比凸部21c的上面高或是成為相同高度。將玻璃基板G載置於基板載置台20的情況下，玻璃基板G會成為與隆起部21d的上面接觸，或與隆起部21d的上面及凸部21c的上面接觸之狀態。此外，本體部21不一定要具備多個凸部21c，隆起部21d內側的區域也可以是平坦的。又，使隆起部21d內側的區域為平坦面的情況也可以使該面變得粗糙。
(絕緣構件22) 基板載置台20係具備以包圍基材21a的周緣的方式設置之絕緣構件22。絕緣構件22的上面比本體部21的隆起部21d的上面稍低，未和玻璃基板G接觸而形成間隙(例如0.1毫米至0.3毫米左右)。也可以使絕緣構件22分割為上部構件與下部構件等多個構件。
(基板升降部23) 基板升降部23在對基板載置台20分別進行玻璃基板G的裝載和卸載時，會使玻璃基板G離開並支撐在基板載置台20的上方。在離開基板載置台20的上方處被加以支撐之玻璃基板G係藉由搬送裝置進行搬入及搬出。
基板升降部23從底壁10a的外側插入至處理容器10的內部。基板升降部23具備升降銷23a、保持具23b、施力構件23c、O型環23d、連接部23e及升降部23f。
(升降銷23a) 升降銷23a會支撐玻璃基板G。又，升降銷23a會使玻璃基板G升降。升降銷23a會在形成於本體部21的銷孔21h出沒。升降銷23a由導電性構件形成。
圖4為本實施型態相關之基板載置台20所具備的升降銷23a的部分側視圖。升降銷23a具有上部23a1、傾斜部23a2及下部23a3。升降銷23a具有相對於中心軸AX為旋轉對稱的形狀。
升降銷23a的上部23a1具有中心軸AX且具有直徑為D2的圓柱狀的形狀。上部23a1的直徑D2小於銷孔21h的直徑D1。因此，即使升降銷23a在上下方向上移動，升降銷23a也不會接觸到銷孔21h的內面。從而，能夠防止因升降銷23a接觸到銷孔21h的內面而產生微粒等。
在升降銷23a上升時，升降銷23a是以上部23a1的上面23aA來支撐玻璃基板G。換言之，上部23a1的上面23aA會成為支撐玻璃基板G的支撐面。升降銷23a可在上部23a1的上面23aA與玻璃基板G接觸。
升降銷23a的側面23aB會成為和O型環23d接觸的密封面。上部23a1在升降銷23a處於退避狀態(參照圖2)時，側面23aB與O型環23d會接觸。藉由使升降銷23a的側面23aB與O型環23d接觸，將升降銷23a與O型環23d間保持為氣密。換言之，藉由使升降銷23a的側面23aB與O型環23d接觸，可確保升降銷23a與保持具23b間的氣密性。
例如，會有使氦等冷卻用氣體(回冷氣體)在玻璃基板G下側的面(內面)與載置面20S間流通的情況。藉由確保升降銷23a與保持具23b間的氣密性，可抑制冷卻用氣體溢漏至銷孔21h的下方。藉由抑制冷卻用氣體的溢漏，可提高溫度的穩定性。
升降銷23a的傾斜部23a2會連接外徑不同的上部23a1與下部23a3間。傾斜部23a2會連接上部23a1與下部23a3間的段差。傾斜部23a2具有相對於中心軸AX為對稱的形狀。傾斜部23a2具有上側的面較大而下側的面較小之截頂圓錐狀的形狀。
傾斜部23a2具有側面23aC。當升降銷23a處於退避狀態(參照圖2)時，側面23aC會和保持具23b所具備的內側保持具23n的傾斜面23nA(參照圖5)接觸。藉由使側面23aC與傾斜面23nA接觸來使升降銷23a和保持具23b導通。藉由使升降銷23a和保持具23b導通，來使基材21a與升降銷23a成為導通狀態且成為相同電位。藉由使基材21a和升降銷23a成為相同電位，便能使基板載置台20的載置面20S中的電位分布均勻。
又，當升降銷23a處於支撐狀態(參照圖3)時，側面23aC會離開保持具23b所具備的內側保持具23n的傾斜面23nA。藉由使側面23aC與傾斜面23nA離開來使升降銷23a自保持具23b電性分離。藉由使升降銷23a自保持具23b電性分離，來使基材21a與升降銷23a成為絕緣狀態。藉由使基材21a與升降銷23a成為絕緣狀態，例如，便能在一邊藉由除電電漿來對已帶電的玻璃基板G進行除電一邊使其自基板載置台20脫離時防止異常放電。
升降銷23a的下部23a3具有中心軸AX且具有直徑為D3的圓柱狀的形狀。下部23a3的直徑D3小於O型環23d的內徑。於是，當升降銷23a處於支撐狀態(參照圖3)時，下部23a3的側面23aD不會接觸到O型環23d的內面。從而，能抑制升降銷23a在移動時因接觸到O型環23d而產生微粒等。
(保持具23b) 保持具23b將升降銷23a保持為可升降。保持具23b具備外側保持具23m及內側保持具23n。
圖5係本實施型態相關之基板載置台20所具備的保持具23b的剖面放大圖。外側保持具23m與內側保持具23n具有共通的中心軸BX。外側保持具23m及內側保持具23n具有相對於中心軸BX為旋轉對稱的形狀。
外側保持具23m係嵌入至設在基材21a的下面之凹部21ah。外側保持具23m由導電性構件形成。外側保持具23m由例如鋁或鋁合金形成。外側保持具23m會和基材21a導通。外側保持具23m的上面23mA與側面23mB會和凹部21ah的內面接觸。藉由使外側保持具23m的上面23mA與側面23mB和凹部21ah的內面接觸，來使外側保持具23m與基材21a成為導通狀態。
外側保持具23m具有上部23ma、圓筒部23mb及下部23mc。外側保持具23m的內部為空洞狀態。外側保持具23m將內側保持具23n與施力構件23c保持在內部。
上部23ma為具有開口23mh的圓板狀的形狀。開口23mh的直徑與銷孔21h的直徑D1相等。此外，開口23mh的直徑也可以較直徑D1要來得大。上部23ma係具有能保持O型環23d之環槽23mg。在環槽23mg設有O型環23d。
圓筒部23mb具有圓筒狀的形狀。圓筒部23mb的內面23mC會和內側保持具23n的外面23nB接觸。藉由使內面23mC與外面23nB接觸來使外側保持具23m與內側保持具23n間導通。內側保持具23n會相對於外側保持具23m移動。因此，為了使內面23mC與外面23nB容易滑動，將含有氟系樹脂的金屬膜形成在內面23mC。例如使用鎳或鉑作為金屬膜。
下部23mc為具有開口23mi的圓板狀的形狀。下部23mc的開口23mi的直徑與內側保持具23n的圓筒部23nb的外徑相等。下部23mc的內面23mD會和內側保持具23n的外面23nC接觸。藉由使內面23mD與外面23nC接觸，來使外側保持具23m與內側保持具23n間導通。內側保持具23n會相對於外側保持具23m移動。因此，為了使內面23mD與外面23nC容易滑動，將含有氟系樹脂的金屬膜形成在內面23mD。例如使用鎳或鉑來作為金屬膜。
內側保持具23n設置在外側保持具23m的內側。內側保持具23n係可滑動地被支撐在外側保持具23m。內側保持具23n係設置為可相對於外側保持具23m在上下方向上移動，亦即，可上下移動。內側保持具23n由導電性構件形成。內側保持具23n由例如鋁或鋁合金形成。
內側保持具23n係具有在上下方向上貫通的貫通孔23nh。貫通孔23nh係形成於內側保持具23n的中心軸上，換言之中心軸BX上。貫通孔23nh的內徑係形成為較升降銷23a的下部23a3的直徑D3要來得大，以使升降銷23a能上下移動。又，貫通孔23nh的內徑係形成為較升降銷23a的上部23a1的直徑D2要來得小。內側保持具23n具備上部23na及圓筒部23nb。
上部23na在貫通孔23nh上側的上端具有傾斜面23nA。當升降銷23a處於退避狀態(參照圖2)時，傾斜面23nA會和升降銷23a所具有的側面23aC接觸。藉由使傾斜面23nA與側面23aC接觸來使升降銷23a和保持具23b導通。藉由使升降銷23a和保持具23b導通，來使基材21a與升降銷23a成為導通狀態且成為相同電位。藉由使基材21a與升降銷23a成為相同電位，便能使基板載置台20中的電位分布均勻。
上部23na的外徑與外側保持具23m的圓筒部23mb的內面23mC的直徑相等。於是，為上部23na的側面之外面23nB便會和圓筒部23mb的內面23mC接觸。藉由使外面23nB與內面23mC接觸，來使外側保持具23m與內側保持具23n間導通。內側保持具23n會相對於外側保持具23m移動。因此，為了使內面23mC與外面23nB容易滑動，將含有氟系樹脂的金屬膜形成在外面23nB。例如使用鎳或鉑來作為金屬膜。
又，在上部23na與外側保持具23m的下部23mc間設有施力構件23c。施力構件23c對內側保持具23n向上側施力。在退避狀態(參照圖2)下，使升降銷23a下降後，升降銷23a與內側保持具23n會接觸。藉由施力構件23c來對內側保持具23n向上施力，能夠在保持既定按壓力的同時使升降銷23a與內側保持具23n接觸。藉由在保持既定按壓力的同時使升降銷23a與內側保持具23n接觸，便能充分確保升降銷23a與內側保持具23n間的導通。
又，藉由施力構件23c來對內側保持具23n向上施力，藉此，當藉由升降銷23a來使內側保持具23n移動並接觸時，便能使內側保持具23n移動。
圓筒部23nb具有圓筒狀的形狀。圓筒部23nb的外面23nC會和外側保持具23m的內面23mD接觸。藉由使外面23nC與內面23mD接觸來使外側保持具23m與內側保持具23n間導通。內側保持具23n會相對於外側保持具23m移動。因此，為了使外面23nC與內面23mD容易滑動，將含有氟系樹脂的金屬膜形成在外面23nC。例如使用鎳或鉑來作為金屬膜。
此外，圖5中，將使外側保持具23m與內側保持具23n接觸並導通的部分以虛線的橢圓圍繞來加以顯示。
(施力構件23c) 施力構件23c會對內側保持具23n向上施力。施力構件23c為彈性構件。施力構件23c為例如螺旋彈簧。施力構件23c配置在外側保持具23m與內側保持具23n間。更具體地，施力構件23c係配置在外側保持具23m的下部23mc與內側保持具23n的上部23na間。施力構件23c也可以由導電體形成。藉由以導電體來形成施力構件23c，便能透過施力構件23c來強化外側保持具23m與內側保持具23n間的導通。
(O型環23d) O型環23d會確保升降銷23a與保持具23b間的氣密。O型環23d設在外側保持具23m的環槽23mg。O型環23d在升降銷23a處於退避狀態時，會介設在升降銷23a的上部23a1與環槽23mg間。藉由使O型環23d介設在升降銷23a的上部23a1與環槽23mg間，O型環23d便能確保升降銷23a與保持具23b間的氣密。
(連接部23e) 連接部23e係連接本體部21與升降部23f間。連接部23e由例如伸縮管形成。連接部23e由導電性構件形成。
(升降部23f) 升降部23f會使升降銷23a在垂直方向上移動。升降部23f由例如馬達構成。升降部23f藉由驅動馬達來使升降銷23a在垂直方向上移動。
升降部23f可調整升降銷23a上端的上面23aA與載置面20S的距離。亦即，升降部23f可調整升降銷23a的上面23aA與載置面20S的距離。藉由調整升降銷23a的上面23aA與載置面20S的距離，便能調整電場分布。例如，將升降銷23a的上部23a1調整成會位在玻璃基板G的附近。具體而言，將升降銷23a的上部23a1與載置玻璃基板的載置面20S的間隔調整成0.02毫米以上0.2毫米以下，例如0.06毫米。此外，當調整間隔的情況，是在升降銷23a的傾斜部23a2的側面23aC與內側保持具23n上端的傾斜面23nA會相接之狀態下進行調整。亦即，是在施力構件23c推動內側保持具23n來使傾斜面23nA接觸於側面23aC的同時會推壓側面23aC之狀態下進行調整。
[功率供應部30] 功率供應部30會向基板載置台20所具備的基材21a供應高頻功率。功率供應部30透過供電線30w與基材21a連接。功率供應部30具備高頻電源31a及高頻電源31b、匹配器32a及匹配器32b。供電線30w分歧為供電線30wa及供電線30wb。分歧後的供電線30wa係連接於匹配器32a。又，分歧後的供電線30wb係連接於匹配器32b。
高頻電源31a為電漿生成用高頻電源。高頻電源31a所生成之高頻功率的頻率為例如13.56兆赫。高頻電源31a向匹配器32a輸出高頻功率。匹配器32a會使阻抗匹配，經由供電線30wa及供電線30w向基材21a輸出電漿生成用的高頻功率。
高頻電源31b為偏壓生成用高頻電源。高頻電源31b所生成之高頻功率的頻率為例如3.2兆赫。高頻電源31b向匹配器32b輸出高頻功率。匹配器32b會使阻抗匹配，經由供電線30wb及供電線30w向基材21a輸出偏壓生成用的高頻功率。
[氣體供應部40] 氣體供應部40向處理容器10供應用以對玻璃基板G進行處理的處理氣體。氣體供應部40具備處理氣體供應源41、質流控制器42及閥43。
處理氣體供應源41會供應用以對玻璃基板G進行處理的氣體。例如，處理氣體供應源41會供應鹵素系氣體、氧氣、氬氣等通常在此領域所使用的氣體來作為用以蝕刻形成於玻璃基板G上的金屬膜、氧化矽膜、氮化矽膜等之處理氣體。
質流控制器42會調整從處理氣體供應源41所供應之處理氣體的流量。藉由質流控制器42調整流量後的處理氣體會通過閥43並經由處理氣體供應管40p被供應至噴淋頭11。
[排氣部50] 排氣部50對處理容器10的處理空間10S內進行排氣。排氣部50具備真空泵51。真空泵51連接於排氣管15。真空泵51為例如渦輪分子泵。
此外，有將功率供應部30及氣體供應部40統稱作電漿生成部的情況。
＜基板處理方法＞ 對使用具備本實施型態相關的基板載置台20之基板處理裝置1的基板處理方法進行說明。圖6係對使用具備本實施型態相關的基板載置台20之基板處理裝置1的基板處理方法進行說明之流程圖。藉由圖6來對本實施型態相關之基板處理方法的工序詳細地說明。
(步驟S10) 在開始處理後，將玻璃基板G搬入至基板處理裝置1的處理容器10的內部。具體而言，在使閘閥17為打開之狀態下，藉由搬送裝置將玻璃基板G從基板搬出入口16搬送至處理容器10的內部。
(步驟S20) 接著，使升降銷23a上升來使其自載置面20S突出。然後，將搬入後的玻璃基板G載置於突出後的升降銷23a的支撐面。然後，藉由升降銷23a來支撐玻璃基板G。
使已搬入玻璃基板G後的搬送裝置從處理容器10退出。然後，使閘閥17關閉。
(步驟S30) 接著，使升降銷23a下降來收容於銷孔21h。使升降銷23a下降來收容於銷孔21h後，玻璃基板G會被載置於凸部21c及隆起部21d上。藉由使玻璃基板G載置於凸部21c及隆起部21d上來將玻璃基板G載置於載置面20S。
(步驟S40) 接著，使升降銷23a與內側保持具23n接觸。使升降銷23a下降來收容於銷孔21h。使升降銷23a下降來收容於銷孔21h後，升降銷23a的側面23aC會和內側保持具23n的傾斜面23nA接觸。當升降銷23a的側面23aC與內側保持具23n的傾斜面23nA接觸後，升降銷23a與內側保持具23n間會導通。亦即，使升降銷23a與內側保持具23n接觸後，升降銷23a與內側保持具23n間會導通。藉由使升降銷23a與內側保持具23n間導通，來使升降銷23a與基材21a電性導通。
(步驟S50) 接著，對玻璃基板G進行電漿處理。換言之，藉由電漿來對玻璃基板G施予處理。具體而言，從氣體供應部40供應處理氣體且從功率供應部30供應功率，藉此進行電漿處理。在電漿處理結束後，藉由排氣部50將處理氣體排出。
(步驟S60) 對玻璃基板G的電漿處理結束後，使升降銷23a上升來使其自載置面20S突出。然後，藉由突出後的升降銷23a來抬舉已施予電漿處理後的玻璃基板G。
(步驟S70) 接著，將玻璃基板G從基板處理裝置1的處理容器10的內部搬出。具體而言，在使閘閥17為打開之狀態下，使搬送裝置從基板搬出入口16進入至處理容器10的內部。然後，將玻璃基板G載置於搬送裝置並從處理容器10的內部搬出。
根據本實施型態相關之基板載置台20，在進行電漿處理時，能抑制電場在作用為下部電極的基板載置台20變得不均勻。根據本實施型態相關之基板載置台20，藉由抑制電場變得不均勻，便能抑制基板處理在對應於升降銷的位置變得不均勻。
在基板處理裝置1中，本實施型態相關之基板載置台20在進行電漿處理時會作為下部電極發揮功能。兼作下部電極之基板載置台20係具備會使作為基板一例的玻璃基板G升降之升降銷23a。為了使升降銷23a上下移動，基板載置台20的基材21a係具有銷孔21h。
由於基材21a具有銷孔21h，因此當使基板載置台20作用為下部電極的情況，在銷孔21h的部分會有電場發生不均勻的情況。根據本實施型態相關之基板載置台20，藉由使收容在銷孔21h內部的升降銷23a與基材21a電性導通，便能抑制電場在銷孔21h變得不均勻。
具體地說明，本實施型態相關之基板載置台20係在銷孔21h具備由導電性構件形成的升降銷23a。又，本實施型態相關之基板載置台20係具有以下構造，在基材21a之連通於銷孔21h的部分具備由導電性構件形成的保持具23b，又，具有使升降銷23a的直徑在上部23a1較大而在下部23a3較小來成為段差的傾斜部23a2，並且，在收容升降銷23a時，升降銷23a與保持具23b會在傾斜部23a2的側面23aC處相接觸。
又，保持具23b係由同軸的外側保持具23m與內側保持具23n構成。然後，位在內側保持具23n的上部23na的傾斜面23nA在收容升降銷23a時會和傾斜部23a2接觸。又，內側保持具23n係透過施力構件23c被支撐在外側保持具23m。藉由使內側保持具23n透過施力構件23c被支撐在外側保持具23m，來使內側保持具23n可上下移動。藉由使內側保持具23n可上下移動，便能調整升降銷23a的前端在收容時的高度。
進而，藉由使升降銷23a的中間部分與基材21a導通，和使升降銷23a的下端與基材21a導通之情況相比，能夠減小電容成分。又，在收容升降銷23a時，在升降銷23a的高度調整幅度上有足夠的空間，從而能容易地進行高度調整。
此外，上述說明中雖已就對玻璃基板G進行處理的情況加以說明，惟進行處理的基板不限於玻璃基板，也可以是例如由矽、鎵或該等的合金等所形成的半導體基板等基板。
本說明書所揭示之本實施型態相關之基板載置台、基板處理裝置及基板處理方法應被認為在所有方面僅為例示而非用於限制本發明之內容。例如，上述說明中，雖已對以電容耦合型平行平板電漿蝕刻裝置作為基板處理裝置的情況加以說明，惟也可以是感應耦合型電漿裝置等其他方式的電漿裝置。又，基板處理不限於蝕刻處理，也可以是成膜處理或灰化處理等其他的基板處理。上述實施型態可在未脫離申請專利範圍及其要旨的情況下以各種型態進行變形及改良。上述多個實施型態記載的事項可在不會矛盾的範圍內亦採用其他構成，又，可在不會矛盾的範圍內加以組合。
1:基板處理裝置 10:處理容器 20:基板載置台 20S:載置面 21:本體部 21a:基材 21h:銷孔 23:基板升降部 23a:升降銷 23b:保持具 23m:外側保持具 23n:內側保持具 23nh:貫通孔 23c:施力構件 23d:O型環 30:功率供應部 40:氣體供應部 AX:中心軸 BX:中心軸
圖1係顯示具備本實施型態相關的基板載置台之基板處理裝置的剖面圖。 圖2為本實施型態相關之基板載置台的剖面放大圖。 圖3為本實施型態相關之基板載置台的剖面放大圖。 圖4為本實施型態相關之基板載置台所具備的升降銷的部分側視圖。 圖5係本實施型態相關之基板載置台所具備的保持具的剖面放大圖。 圖6係說明基板處理方法之流程圖，該基板處理方法係使用具備本實施型態相關的基板載置台之基板處理裝置。
1:基板處理裝置
10:處理容器
10a:底壁
10A:空間
10S:處理空間
11:噴淋頭
11a:內部空間
11b:噴出孔
11c:氣體導入口
12:間隔構件
13:絕緣構件
14:螺栓
15:排氣管
16:基板搬出入口
17:閘閥
20:基板載置台
20S:載置面
21:本體部
21d:隆起部
22:絕緣構件
23:基板升降部
23e:連接部
23f:升降部
30:功率供應部
30w、30wa、30wb:供電線
31a、31b:高頻電源
32a、32b:匹配器
40:氣體供應部
40p:處理氣體供應管
41:處理氣體供應源
42:質流控制器
43:閥
50:排氣部
51:真空泵
G:玻璃基板

Claims (11)

  1. 一種基板載置台，係具有供載置基板之載置面； 該基板載置台係具備： 基材，係位在該載置面的下方，由導體構成； 升降銷，係由導體構成，相對於該載置面進行升降，在上部與下部之間具有段差，且該上部的直徑大於該下部的直徑； 銷孔，係開口於該載置面，能讓形成於該基材的內部的該升降銷出沒；以及 保持具，係包含能讓該升降銷貫通的貫通孔，設置在該基材，由導體構成； 該保持具係具備具有共通的中心軸之外側保持具及內側保持具； 該貫通孔係形成於該內側保持具的中心軸上，能讓該升降銷上下移動； 該貫通孔的內徑係小於該升降銷的該上部的直徑； 該內側保持具係透過配置於與該外側保持具之間的彈性構件可滑動地被支撐在該外側保持具。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板載置台，其中將該升降銷收容在該銷孔時，該升降銷的該段差係與該內側保持具的該貫通孔的上端相接，該升降銷係透過該內側保持具及該外側保持具來與該基材電性導通。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板載置台，其可在該升降銷的該段差與該內側保持具的上端相接之狀態下調整該升降銷的上端與該載置面的距離。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板載置台，其係於該基材的上部具有埋設有靜電吸附電極之介電層； 該介電層的上面係成為該載置面。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板載置台，其另具備O型環，該O型環在將該升降銷收容在該銷孔時會使該外側保持具與該升降銷的該上部之間密封。
  6. 一種基板處理裝置，係在處理容器的內部對基板進行處理； 該基板處理裝置係具備： 基板載置台，係配置於該處理容器的內部以載置該基板；以及 電漿生成部，係在該處理容器的內部生成用於對該基板進行處理的電漿； 具有供載置該基板的載置面之該基板載置台係具備： 基材，係位在該載置面的下方，由導體構成； 升降銷，係由導體構成，相對於該載置面進行升降，在上部與下部之間具有段差，且該上部的直徑大於該下部的直徑； 銷孔，係開口於該載置面，能讓形成於該基材的內部的該升降銷出沒；以及 保持具，係包含能讓該升降銷貫通的貫通孔，設置在該基材，由導體構成； 該保持具係具備具有共通的中心軸之外側保持具及內側保持具； 該貫通孔係形成於該內側保持具的中心軸上，能讓該升降銷上下移動； 該貫通孔的內徑係小於該升降銷的該上部的直徑； 該內側保持具係透過配置於與該外側保持具之間的彈性構件可滑動地被支撐在該外側保持具。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中將該升降銷收容在該銷孔時，該升降銷的該段差係與該內側保持具的該貫通孔的上端相接，該升降銷係透過該內側保持具及該外側保持具來與該基材電性導通。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其可在該升降銷的該段差與該內側保持具的上端相接之狀態下調整該升降銷的上端與該載置面的距離。
  9. 如申請專利範圍第6至8項中任一項之基板處理裝置，其係於該基材的上部具有埋設有靜電吸附電極之介電層； 該介電層的上面係成為該載置面。
  10. 如申請專利範圍第6至9項中任一項之基板處理裝置，其另具備O型環，該O型環在將該升降銷收容在該銷孔時會使該外側保持具與該升降銷的該上部之間密封。
  11. 一種基板處理方法，係在基板處理裝置的處理容器的內部對基板進行處理； 該基板處理裝置係具備： 基板載置台，係配置於該處理容器的內部以載置該基板；以及 電漿生成部，係在該處理容器的內部生成用於對該基板進行處理的電漿； 具有供載置該基板的載置面之該基板載置台係具備： 基材，係位在該載置面的下方，由導體構成； 升降銷，係由導體構成，相對於該載置面進行升降，在上部與下部之間具有段差，且該上部的直徑大於該下部的直徑； 銷孔，係開口於該載置面，能讓形成於該基材的內部的該升降銷出沒；以及 保持具，係包含能讓該升降銷貫通的貫通孔，設置在該基材，由導體構成； 該保持具係具備具有共通的中心軸之外側保持具及內側保持具； 該貫通孔係形成於該內側保持具的中心軸上，能讓該升降銷上下移動； 該貫通孔的內徑係小於該升降銷的該上部的直徑； 該內側保持具係透過配置於與該外側保持具之間的彈性構件可滑動地被支撐在該外側保持具； 該基板處理方法係具有以下工序： 將該基板搬入至該處理容器的內部之工序； 使多個該升降銷上升而突出於較該載置面更上部來支撐該基板之工序； 使該升降銷下降來收容於該銷孔，將該基板載置於該載置面之工序； 使該升降銷與該內側保持具接觸，來使該升降銷與該基材電性導通之工序；以及 藉由該電漿來對該基板施予處理之工序。
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