TW202401624A - 器件晶片之驗證方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種可以避免犧牲良品的器件晶片之情形的器件晶片之驗證方法。 [解決手段]一種器件晶片之驗證方法，包含以下步驟：準備步驟，準備晶圓，前述晶圓於正面形成有被分割預定線所區劃的複數個器件，且已區別電氣特性為良品的器件與不良品的器件；分割步驟，沿著分割預定線將晶圓分割成一個個的器件晶片；不良品回收步驟，回收該不良品的器件晶片；及驗證步驟，驗證已回收之不良品的器件晶片的物理特性。

Description

器件晶片之驗證方法
本發明是有關於一種藉由分割晶圓而得到的器件晶片之驗證方法。
於正面形成有被交叉之複數條分割預定線所區劃之IC、LSI等的複數個器件之晶圓，可藉由切削裝置、雷射加工裝置來分割成一個個的器件晶片，並且可將經分割之器件晶片應用在行動電話、個人電腦等的電氣機器上。
又，近年來，隨著電氣機器的小型化、薄型化，對器件晶片也一直要求小型化、薄型化。當利用上述之切削裝置、雷射裝置等來加工晶圓時，會有在晶圓形成加工應變之情形。若在藉由分割晶圓而得到之器件晶片上殘存此加工應變，會有以下問題：該器件晶片的物理特性會降低，且採用了此器件晶片之電氣機器的信賴性會降低。
為了應對上述之問題，已以如下的方式來謀求對策：在將該器件晶片組入智慧型手機等之電氣機器前，驗證抗折強度、衝擊強度等之物理特性(參照例如專利文獻1、2)，使從包含在該物理特性上發現有問題的器件晶片之晶圓所分割出之器件晶片，不會被採用於製品。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2010-160074號公報 專利文獻2：日本特開2020-094833號公報
發明欲解決之課題
在上述之器件晶片的物理特性的驗證上，為了更加確實地防止在物理特性上有問題之器件晶片被採用於製品，而將實際上形成有成為製品之器件之晶圓分割成一個個的器件晶片，並作為所謂的抽樣檢查而從分割後的器件晶片隨機抽取複數個器件晶片，來實施上述之抗折強度、衝擊強度等之和物理特性有關的驗證。然後，藉由該驗證，在判定為在器件晶片的物理特性上沒有問題的情況下，將從該晶圓分割出之器件晶片利用於電氣機器上。
但是，在上述之驗證方法中，因為形成為將可作為製品使用之良品的器件晶片犧牲複數個之情形，所以會產生不符經濟效益之問題。
據此，本發明之目的在於提供一種可以避免犧牲良品的器件晶片之情形的器件晶片之驗證方法。 用以解決課題之手段
根據本發明，可提供一種器件晶片之驗證方法，前述器件晶片之驗證方法具備有以下步驟： 準備步驟，準備晶圓，前述晶圓於正面形成有被交叉之複數條分割預定線所區劃的複數個器件，且已區別電氣特性為良品的器件與不良品的器件； 分割步驟，在該準備步驟之後，沿著分割預定線將該晶圓分割成一個個的器件晶片； 不良品回收步驟，回收不良品的器件晶片；及 驗證步驟，驗證已回收之該不良品的器件晶片的物理特性。
較佳的是，該器件晶片之驗證方法更包含判斷步驟，前述判斷步驟是根據該驗證步驟的結果，判斷是否將電氣特性為良品的器件晶片送到後續步驟。較佳的是，該晶圓是定位在具備有可容置晶圓之開口的環狀框架的該開口，且已藉由切割膠帶而構成為一體。較佳的是，該分割步驟是以下之任一種：由切削刀片進行之分割、由雷射光線進行之分割、由電漿進行之分割、由提前切割進行之分割、由SDBG(隱形切割後研磨，Stealth Dicing Before Grinding)進行之分割。 發明效果
根據本發明的器件晶片之驗證方法，在將從晶圓分割出之器件晶片組入智慧型手機等的電氣機器前，即使在驗證抗折強度、衝擊強度等之物理特性的情況下，也可以避免良品器件晶片的犧牲，而解決不符經濟效益之問題。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明實施形態的器件晶片之驗證方法，一邊參照附加圖式一邊詳細地說明。
在實施本實施形態之器件晶片之驗證方法時，首先實施準備步驟，前述準備步驟是準備已區別電氣特性為良品的器件與不良品的器件之晶圓。於圖1中顯示有成為本實施形態的器件晶片之驗證方法的對象之未加工的晶圓10。晶圓10是被分割預定線14區劃，且於正面10a形成有複數個器件12之晶圓。晶圓10容置在具有可容置晶圓10之開口Fa的環狀框架F的該開口Fa，並且藉由切割膠帶T來貼附而構成為一體。
對上述之晶圓10實施區別電氣特性為良品的器件與不良品的器件之電氣特性的檢查。該電氣特性的檢查是例如，如圖1所示，對形成在晶圓10的正面10a之器件12，定位實施電氣特性的檢查之探針20的端子22、22，並使各端子22的前端部22a、22a接觸於器件12的省略圖示之複數個電極來實施器件12的導通測試，檢查檢查對象的器件12的電氣特性是否正常。其結果，可檢查其為電氣特性為正常的良品器件12a、或電氣特性為異常的不良品器件12b。上述之電氣特性的檢查，是對形成於晶圓10的正面10a之全部的器件12實施，且如圖1的下層所示，為了區別良品器件12a與不良品器件12b，而對不良品器件12b的正面，以預定的顏色(例如紅色)的墨水來作標記。再者，圖示之晶圓10是當作以下之晶圓來說明：存在合計6個電氣特性為不良之不良品器件12b，其他則為電氣特性為正常之良品器件12a。藉由以上，準備已區別良品器件12a與不良品器件12b之晶圓10的準備步驟即完成。再者，本發明並不限定於對不良品器件12b實施標記之作法，亦可設成將可特定出不良品器件12b的位置之晶圓10上的座標，記憶在省略圖示之控制器。
已完成上述之準備步驟後，接著，實施分割步驟，前述分割步驟是沿著分割預定線14將晶圓10的器件12分割成一個個的器件晶片。在實施該分割步驟時，雖然可從各種分割方法選擇，但在本實施形態中，是將藉由上述之準備步驟所準備之晶圓10搬送到圖2所示之切削裝置30(僅顯示一部分)，來實施該分割步驟。
切削裝置30具備有吸引保持晶圓10之工作夾台(省略圖示)、與對已吸引保持在該工作夾台之晶圓10進行切削之切削單元31。該工作夾台是旋轉自如地構成，且具備有將工作夾台朝圖中以箭頭X表示之X軸方向加工進給之X軸進給機構(省略圖示)。切削單元31具備朝圖中以箭頭Y表示之Y軸方向配設之主軸殼體32、旋轉自如地保持在主軸殼體32之主軸33、與已保持在主軸33的前端之環狀的切削刀片34，並且具備有將切削刀片34在Y軸方向上分度進給之Y軸進給機構(省略圖示)。主軸33可藉由省略圖示之主軸馬達而被旋轉驅動。在主軸殼體32的前端部，配設有覆蓋主軸33的刀片蓋35，且在該刀片蓋35中配設有導入切削水之切削水導入口36、與將從切削水導入口36所導入之切削水噴射到藉由切削刀片34切削加工之處的切削水噴射噴嘴37。
在實施該分割步驟時，首先是將晶圓10的正面10a朝向上方來載置在切削裝置30的該工作夾台並進行吸引保持，且使用省略圖示之校準單元來將晶圓10的朝第1方向伸長之分割預定線14對齊於X軸方向，並且實施和切削刀片34的對位。接著，使切削刀片34朝以箭頭R1表示之方向高速旋轉且定位在已對齊於X軸方向之朝第1方向伸長之預定的分割預定線14上，且從正面10a側朝以箭頭Z表示之Z軸方向切入，並且將該工作夾台朝X軸方向加工進給來形成分割晶圓10之分割溝100。此外，作動該Y軸進給機構，將切削單元31的切削刀片34分度進給到在Y軸方向上和已形成前述分割溝100之分割預定線14相鄰之未加工的分割預定線14上，並和上述同樣地進行來形成分割溝100。藉由重複這些，而沿著朝第1方向伸長之全部的分割預定線14形成分割溝100。接著，將該工作夾台旋轉90度，使朝和先前已形成分割溝100之第1方向正交之第2方向伸長之分割預定線14對齊於X軸方向，並對新對齊於X軸方向之全部的分割預定線14實施上述之切削加工，而沿著形成於晶圓10之全部的分割預定線14形成分割溝100，藉此，分割步驟即完成。藉由像這樣地實施分割步驟，而如圖2的下層所示，將晶圓10沿著分割預定線14分割，並分割成電氣特性為正常之良品器件晶片12a’、以及電氣特性為不良之不良品器件晶片12b’。若實施了上述之分割步驟後，為了實施回收不良品器件晶片12b’之不良品回收步驟，而搬送至圖3所示之拾取裝置40。
圖3所示之拾取裝置40具備有基台41、以可在基台41上於以箭頭Y表示之Y軸方向上移動的方式配設之第1工作台42、以可在第1工作台42上於和Y軸方向正交之以箭頭X表示之X軸方向上移動的方式配設之第2工作台43、檢測器47、拾取器48與擴張單元50。基台41是形成為矩形，在其X軸方向上的兩側部上表面相互平行地配設有沿著Y軸方向之2條引導軌道411、412。於基台41上之一邊的引導軌道412，於其上表面形成有截面為V字形之引導溝412a。
第1工作台42的X軸方向上的一邊的側部下表面設置有可滑動地嵌合於形成於上述之一邊的引導軌道412的引導溝412a之被引導軌道42a。又，在第1工作台42的Y軸方向的兩側部上表面，在沿著X軸方向之方向上相互平行地配設有2條引導軌道421、422。在第1工作台42上的一邊的引導軌道422，於其上表面形成有截面為V字形的引導溝422a。
如此所構成之第1工作台42，是將上述之被引導軌道42a嵌合於形成在基台41的一邊的引導軌道412之引導溝412a，並且將另一邊的側部下表面載置於基台41的另一邊的引導軌道411上。於基台41上配設有第1移動機構44，前述第1移動機構44使第1工作台42沿著已設置於基台41之引導軌道411、412，在以箭頭Y表示之方向上移動。此第1移動機構44具備和已設置於基台41之引導軌道411平行地配設之公螺桿44a、與連結於公螺桿44a的一端且用於旋轉驅動公螺桿44a之脈衝馬達44b，且已將該公螺桿44a螺合於設置在第1工作台42的下表面之省略圖示的母螺塊。
如圖3所示，上述第2工作台43形成為矩形狀，且於中央部具備有擴張單元50，前述擴張單元50對已保持在環狀框架F之晶圓10進行擴張。在此第2工作台43的Y軸方向的一邊的側部下表面設置有被引導軌道43a，前述被引導軌道43a可滑動地嵌合於設置在第1工作台42的一邊的引導軌道422所形成之引導溝422a。如此所構成之第2工作台43，是將上述之被引導軌道43a嵌合於形成在第1工作台42的一邊的引導軌道422之引導溝422a，並將另一邊的側部下表面載置於設置在第1工作台42之另一邊的引導軌道421上。在第1工作台42上配設有第2移動機構45，前述第2移動機構45使第2工作台43沿著已設置在第1工作台42之引導軌道421、422在X軸方向上移動。如圖3所示，此第2移動機構45具備和已設置於第1工作台42的另一邊的引導軌道421平行地配設之公螺桿45a(以虛線表示)、與連結於公螺桿45a的另一端且用於旋轉驅動公螺桿45a之脈衝馬達45b，且已將公螺桿45a螺合於設置在第2工作台43的下表面之母螺塊46(以虛線表示)。
擴張單元50是以下之組件：將處於已保持在環狀框架F之晶圓10與環狀框架F之間的切割膠帶T擴張，而將相鄰的良品器件12a、不良品器件12b之間隔擴大，形成適合從晶圓10拾取一個個的器件晶片之狀態。擴張單元50具備有框架保持單元51與膠帶擴張單元52，前述框架保持單元51是保持支撐晶圓10之環狀框架F，前述膠帶擴張單元52是對已貼附於受到框架保持單元51所保持的環狀框架F之切割膠帶T進行擴張。
框架保持單元51具備有用來保持上述之環狀框架F之形成為環狀的框架保持構件51a、與在框架保持構件51a的外周以均等的間隔來配設之作為固定組件的複數個夾具51b(在本實施形態中為4個)。框架保持構件51a的上表面呈平坦地形成，且可將已載置在框架保持構件51a的上表面之環狀框架F藉由複數個夾具51b來把持而固定在框架保持構件51a的上表面。
在上述框架保持構件51a的內側配設有已固定在圓形基台53之圓筒狀的擴張圓筒54。在平面視角下，擴張圓筒54的直徑形成得比上述之環狀框架F的開口Fa的內徑更小，且比已貼附於切割膠帶T之晶圓10的外徑更大。本實施形態中的膠帶擴張單元52具備氣缸52a與活塞桿52b，前述氣缸52a是在擴張圓筒54的周圍配置複數個(例如4個)，且固定於圓形基台53，前述活塞桿52b是從氣缸52a朝上方延伸，且上端連結於框架保持構件51a的下表面。對氣缸52a透過省略圖示之連通路供給有控制用空氣，而可藉由氣缸52a的作用使活塞桿52b朝上下方向進退，藉此讓框架保持單元51朝上下方向移動。
此外，如圖3所示，本實施形態中的擴張單元50具備有使框架保持單元51和上述擴張圓筒54一起旋動之旋動機構55。此旋動機構55是由配設於上述之第2工作台43的下表面側之脈衝馬達55a(以虛線表示)、裝設於脈衝馬達55a的旋轉軸之旋轉帶輪55b、捲繞於旋轉帶輪55b與上述的圓形基台53之無端皮帶56所構成。藉由驅動如此所構成之旋動機構55的脈衝馬達55a，可以透過旋轉帶輪55b以及無端皮帶56使擴張單元50朝以箭頭R2表示之方向旋動任意的角度θ。
在上述之拾取裝置40配設有檢測第1工作台42的Y軸方向的位置、第2工作台43的X軸方向的位置、擴張單元50的旋轉方向的角度位置之位置檢測單元(省略圖示)，且可以依據藉由該位置檢測單元所檢測之位置資訊，來作動第1移動機構44、第2移動機構45以及旋動機構55，而將擴張單元50定位在任意的XY座標位置、旋轉角度位置。
檢測器47是以下之組件：配設於基台41且用於對已從晶圓10分割成一個個的良品器件晶片12a’、不良品器件晶片12b’進行檢測並判別，前述晶圓10是透過切割膠帶T被保持在框架保持單元51之環狀框架F支撐。檢測器47具備有配設於基台41之L字形的支撐柱47a、與配設於支撐柱47a的前端部之拍攝單元47b。像這樣地構成之檢測器47會對被保持在上述之框架保持單元51的環狀框架F所支撐之良品器件晶片12a’、不良品器件晶片12b’進行拍攝，並將該拍攝到之資訊傳送到省略圖示之控制器。
又，如圖3所示，拾取器48是配設於基台41且從切割膠帶T吸引並回收已被分割成一個個的良品器件晶片12a’以及不良品器件晶片12b’之組件。此拾取器48具備配設於基台41之旋繞臂48a、與裝設於旋繞臂48a的前端之拾取夾頭48b，且構成為藉由省略圖示之驅動單元讓旋繞臂48a朝以箭頭R3表示之方向旋繞，並且也可進行往以箭頭R4表示之上下方向的移動。在拾取夾頭48b連接有省略圖示之吸引組件，且可以將不良品器件晶片12b’於以拾取夾頭48b的前端部吸引後，容置到用來容置不良品器件晶片12b’而準備之容置容器49。
拾取裝置40具備有大致如上述之構成，以下針對使用此拾取裝置40來實施上述之不良品回收步驟的程序進行說明。
首先，將支撐有已實施上述之準備步驟、以及分割步驟之晶圓10的環狀框架F載置在上述之框架保持構件51a上，並藉由夾具51b來固定。此時，框架保持構件51a是藉由膠帶擴張單元52的作用而上升，且將載置環狀框架F之框架保持構件51a的上表面定位在和擴張圓筒54的上端緣大致相同的高度。
接著，作動第1移動機構44以及第2移動機構45，使第1工作台42在Y軸方向上移動，並且調整第2工作台43的X軸方向的位置，而將晶圓10定位到檢測器47的拍攝單元47b的正下方。接著，作動膠帶擴張單元52並朝以箭頭R5表示之方向下降，使框架保持構件51a的上表面下降到比擴張圓筒54的上端緣更低之位置。藉此，切割膠帶T會抵接於擴張圓筒54的上端緣，並且呈放射狀地被擴張，而可擴大良品器件晶片12a’、以及不良品器件晶片12b’之間隔。
藉由拍攝單元47b拍攝上述之良品器件晶片12a’、不良品器件晶片12b’，並依據已附加在電氣特性為不良之不良品器件晶片12b’之標記來判別不良品器件晶片12b’並取得其位置資訊，且記憶到省略圖示之控制器。接著，依據該位置資訊來作動第1移動機構44、第2移動機構45，並且作動拾取器48而僅拾取不良品器件晶片12b’，並如圖4所示，將全部的不良品器件晶片12b’(在本實施形態中為6個)容置於容置容器49。又，亦可設成配合容置不良品器件晶片12b’，也將良品器件晶片12a’回收並容置到其他的容置容器。再者，不良品回收步驟並不限定於上述之方法，亦可設成以例如以下之作法來回收不良品器件晶片12b’：先從晶圓10拾取並回收良品器件晶片12a’，而將不良品器件晶片12b’留在切割膠帶T上。
若藉由如上述地實施不良品回收步驟，而回收了電氣特性為不良之不良品器件晶片12b’後，實施驗證所回收之不良品器件晶片12b’的物理特性之驗證步驟。再者，在對已從晶圓10分割出之器件晶片的物理特性的驗證上所需的樣本數是藉由事先進行的實驗等而決定之數量，會依晶圓或器件的種類而不同，在本實施形態中，是以必須有6個為前提來說明。
驗證上述之物理特性之驗證步驟的具體的方法，雖然可因應於需要而選擇各種方法，但典型上是實施3點彎曲試驗來驗證不良品器件晶片12b’的抗折強度，前述3點彎曲試驗是使用在圖5所簡略化而顯示之物理強度測定裝置60來對不良品器件晶片12b’施加荷重。物理強度測定裝置60包含隔著預定的間隙S而配設之一對支撐台62、與從上方朝以該一對支撐台62所形成之間隙S的中央插入之壓頭64。壓頭64是厚度越朝向下端側前端部變得越小之截面前端漸細形狀，且該前端部是以帶有圓角之R形狀來形成，且具備有：壓頭移動機構(省略圖示)，使壓頭64在圖中朝以箭頭R6表示之方向移動；及荷重測定器(省略圖示)，測定施加於壓頭64之荷重。
在實施該驗證步驟時，是將不良品器件晶片12b’搬送到上述之物理強度測定裝置60，並如圖5的右方側所示，將不良品器件晶片12b’載置於一對支撐台62。此時，要將不良品器件晶片12b’的正面或背面的哪一面朝向上方，是依據設定抗折強度的基準時所進行之事前的實驗條件來決定。接著，使壓頭64從上方逐漸地下降而抵接於不良品器件晶片12b’後，即藉由上述之荷重測定器來測定施加於壓頭64之荷重。若使該壓頭64進一步下降，壓頭64會變形並朝下方產生翹曲。然後，藉由進一步使壓頭64下降，而使推壓力超過預定的極限值，不良品器件晶片12b’會被破壞。藉由該不良品器件晶片12b’被破壞，由該荷重計測器所測定之荷重會從最大值急遽減少為零。因此，可從該荷重測定器的變化，計測不良品器件晶片12b’已被破壞之時間點、與施加於不良品器件晶片12b’之荷重的最大值。以該荷重的最大值、一對支撐台62的間隙S之距離、不良品器件晶片12b’的尺寸等為依據，來計算相當於不良品器件晶片12b’的抗折強度之彎曲應力值。對已回收之6個不良品器件晶片12b’的全部都實施像這樣的物理強度的測定，並實施判斷步驟，前述判斷步驟是根據該驗證步驟的結果，判斷是否將電氣特性為正常之良品器件晶片12a’送到後續步驟。
在該判斷步驟中，是以例如上述之6個不良品器件晶片12b’的全部的抗折強度(彎曲應力值)是否滿足預定的基準值來進行判斷。在全部的不良品器件晶片12b’的抗折強度皆滿足基準值的情況下，會將電氣特性為正常之良品器件晶片12a’的全部送到後續步驟，並判斷為良好。又，上述之驗證步驟的結果，在即使有1個抗折強度未滿足基準值之不良品器件晶片12b’的情況下，即使是電氣特性為正常之良品器件晶片12a’，仍然會判斷為以一定的比例包含有不滿足物理特性的基準之器件晶片，且判斷為不搬送到後續步驟。
根據上述之實施形態，因為從晶圓10分割出之器件晶片的物理特性的驗證是設成對已判定為電氣特性為不良之不良品器件晶片12b’來實施，所以可以避免良品器件晶片12a’之犧牲，而解決不符經濟效益之問題。再者，電氣特性為不良之不良品器件晶片12b’的數量，會根據所製作之晶圓而不同，在不良品器件晶片12b’的數量不滿足必要的樣本數(例如6個)的情況下，會設成優先地實施對電氣特性為不良之不良品器件晶片12b’的物理特性的驗證，且將對良品器件晶片12a’的物理特性的驗證僅實施不足之數量。在該情況下，良品器件晶片12a’之犧牲也會成為最小限度。
在上述之實施形態中，雖然設成在實施分割步驟時，將晶圓10搬送到切削裝置30，並藉由切削刀片34來將晶圓10分割成一個個的器件晶片，但本發明並非限定於此，且可以採用各種的分割方法。亦可為例如以下之分割：由雷射加工進行之分割、利用了電漿之由蝕刻進行之分割、藉由切削刀片沿著晶圓的正面的分割預定線形成深度相當於成品厚度之溝並從背面進行磨削，藉此使該溝露出之由所謂的提前切割進行之分割、還有以雷射光線在晶圓的內部形成改質層之後，從背面一面磨削一邊分割成一個個的器件晶片之由所謂的SDBG(隱形切割後研磨，Stealth Dicing Before Grinding)進行之分割。
又，在上述之實施形態中，雖然針對在驗證步驟中所驗證之物理特性為器件晶片的抗折強度(彎曲應力值)之情況作了說明，但本發明並非限定於此，亦可為例如驗證在正面或背面的外側產生之破裂的狀態、在正面或背面產生之裂隙的狀態、成品厚度、尺寸參差、翹曲的狀態、落下強度當中的任一者、或其等的組合之實施形態。
10:晶圓 10a:正面 12:器件 12a:良品器件 12a’:良品器件晶片 12b:不良品器件 12b’:不良品器件晶片 14:分割預定線 20:探針 22:端子 22a:前端部 30:切削裝置 31:切削單元 32:主軸殼體 33:主軸 34:切削刀片 35:刀片蓋 36:切削水導入口 37:切削水噴射噴嘴 40:拾取裝置 41:基台 411,412,421,422:引導軌道 412a,422a:引導溝 42:第1工作台 42a,43a:被引導軌道 43:第2工作台 44:第1移動機構 44a,45a:公螺桿 44b,45b,55a:脈衝馬達 45:第2移動機構 46:母螺塊 47:檢測器 47a:支撐柱 47b:拍攝單元 48:拾取器 48a:旋繞臂 48b:拾取夾頭 49:容置容器 50:擴張單元 51:框架保持單元 51a:框架保持構件 51b:夾具 52:膠帶擴張單元 52a:氣缸 52b:活塞桿 53:圓形基台 54:擴張圓筒 55:旋動機構 55b:旋轉帶輪 56:無端皮帶 60:物理強度測定裝置 62:支撐台 64:壓頭 100:分割溝 F:環狀框架 Fa:開口 R1~R6:箭頭 S:間隙 T:切割膠帶 X,Y,Z:箭頭(方向)
圖1是顯示實施本實施形態的準備步驟之態樣的立體圖。 圖2是顯示實施分割步驟之態樣的立體圖。 圖3是適合於實施不良品回收步驟之拾取裝置的立體圖。 圖4是顯示已從晶圓回收不良品器件晶片之狀態的立體圖。 圖5是顯示實施驗證步驟之態樣的剖面圖。
10:晶圓
12a’:良品器件晶片
12b’:不良品器件晶片
40:拾取裝置
41:基台
411,412,421,422:引導軌道
412a,422a:引導溝
42:第1工作台
42a,43a:被引導軌道
43:第2工作台
44:第1移動機構
44a,45a:公螺桿
44b,45b,55a:脈衝馬達
45:第2移動機構
46:母螺塊
47:檢測器
47a:支撐柱
47b:拍攝單元
48:拾取器
48a:旋繞臂
48b:拾取夾頭
49:容置容器
50:擴張單元
51:框架保持單元
51a:框架保持構件
51b:夾具
52:膠帶擴張單元
52a:氣缸
52b:活塞桿
53:圓形基台
54:擴張圓筒
55:旋動機構
55b:旋轉帶輪
56:無端皮帶
100:分割溝
F:環狀框架
Fa:開口
R2~R5:箭頭
T:切割膠帶
X,Y:箭頭(方向)

Claims (4)

  1. 一種器件晶片之驗證方法，具備有以下步驟： 準備步驟，準備晶圓，前述晶圓於正面形成有被交叉之複數條分割預定線所區劃的複數個器件，且已區別電氣特性為良品的器件與不良品的器件； 分割步驟，在該準備步驟之後，沿著分割預定線將該晶圓分割成一個個的器件晶片； 不良品回收步驟，回收不良品的器件晶片；及 驗證步驟，驗證已回收之該不良品的器件晶片的物理特性。
  2. 如請求項1之器件晶片之驗證方法，其更具備有判斷步驟，前述判斷步驟是根據該驗證步驟的結果，判斷是否將電氣特性為良品的器件晶片送到後續步驟。
  3. 如請求項1之器件晶片之驗證方法，其中該晶圓是定位在具備有可容置該晶圓之開口的環狀框架的該開口，且已藉由切割膠帶而構成為一體。
  4. 如請求項1之器件晶片之驗證方法，其中該分割步驟是以下之任一種：由切削刀片進行之分割、由雷射光線進行之分割、由電漿進行之分割、由提前切割進行之分割、由SDBG進行之分割。
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