TW202339153A - 冷卻單元、物鏡模組及半導體檢查裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之冷卻單元具備外套，外套具有中央部及外側部。於中央部，形成有來自半導體器件之光通過之開口。外側部具有與配置半導體器件之載台接觸之接觸部。於外套，形成有用於冷卻半導體器件之冷卻流體流通之供給流路。於外套之中央部與外側部之間，形成有以冷卻流體自中央部之上表面流下之方式構成之溝槽部。於溝槽部，連接有排出至外部之冷卻流體流通之排出流路。

Description

冷卻單元、物鏡模組及半導體檢查裝置

本揭示係關於一種冷卻單元、物鏡模組及半導體檢查裝置。

於專利文獻1～4中，記載有半導體器件之檢查使用之冷卻單元。該等冷卻單元用於一面冷卻一面觀察驅動中之半導體器件。於專利文獻1～3記載之冷卻單元中，藉由對半導體器件噴射冷卻液，而冷卻半導體器件。於專利文獻4記載之冷卻單元中，以於冷卻單元與半導體器件之間形成空間之方式配置冷卻單元，自設置於冷卻單元之供給流路對該空間流通冷卻流體，藉此冷卻半導體器件。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：美國專利第6621275號公報 專利文獻2：日本專利特表2006-519359號公報 專利文獻3：美國專利公開2009-0095097號公報 專利文獻4：日本專利特開2020-106361號公報

[發明所欲解決之問題]

於專利文獻4記載之冷卻單元中，於冷卻單元之周緣部上配置彈性構件，該彈性構件與配置半導體器件之載台接觸，藉此密封上述空間之外緣部。於此種冷卻單元，謀求提高防水性能，抑制冷卻流體自該空間之外緣部洩漏。

因此，本揭示之一態樣之目的在於提供一種可提高防水性能之冷卻單元、物鏡模組及半導體檢查裝置。 [解決問題之技術手段]

本揭示之一態樣之冷卻單元係半導體器件之檢查時使用之冷卻單元，其具備用於將半導體器件之熱予以散熱之外套，且外套具有中央部、與位於中央部之周圍之外側部；於中央部，形成有供來自半導體器件之光通過之開口；外側部具有與配置半導體器件之載台接觸之接觸部；於外套，形成有用於冷卻半導體器件之冷卻流體流通之供給流路；於外套之中央部與外側部之間，形成有以冷卻流體自中央部之上表面流下之方式構成之溝槽部；且於溝槽部，連接有排出至外部之冷卻流體流通之排出流路。

於該冷卻單元中，於外套之中央部與外側部之間，形成有以冷卻流體自中央部之上表面流下之方式構成之溝槽部，於該溝槽部，連接有排出至外部之冷卻流體流通之排出流路。藉此，於藉由自供給流路向藉由外側部之接觸部與載台接觸而形成之空間流通冷卻流體而冷卻半導體器件之情形時，可抑制冷卻流體至該空間之外緣部。其結果，可抑制冷卻流體自該空間之外緣部洩漏，並可提高防水性能。

亦可為，於外套之中央部與外側部之間，形成有相互連接中央部與外側部之橋接部，供給流路以通過橋接部之方式形成。於該情形時，可較佳形成供給流路。

亦可為，於外套之中央部與外側部之間，形成有相互連接中央部與外側部之橋接部，橋接部之中央部之上表面所連接之表面具有位於較中央部之上表面更低之位置之部分。於該情形時，藉由橋接部之中央部之上表面所連接之表面具有位於較中央部之上表面更低之位置之部分，可抑制冷卻流體自中央部之上表面沿該表面至上述空間之外緣部。

亦可為，溝槽部具有：第1部分；及第2部分，其於與中央部之上表面垂直之方向上相對於第1部分位於中央部之上表面之相反側；且第2部分較第1部分形成得更窄，排出流路連接於第2部分。於該情形時，可較寬地形成位於中央部之上表面側之第1部分並擴大溝槽部之開口面積，冷卻流體變得容易流入溝槽部。又，藉由較窄地形成位於中央部之上表面之相反側之第2部分，冷卻流體變得容易貯存於第2部分，其結果，可自連接於第2部分之排出流路有效地排出冷卻流體。

若將中央部相對於外側部所處之側設為內側，將外側部相對於中央部所處之側設為外側，將溝槽部相對於中央部之上表面所處之側設為下側，則溝槽部之外側之內表面亦可包含以越朝向下側越朝向內側之方式傾斜之傾斜面。於該情形時，可擴大溝槽部之體積，且流入溝槽部之冷卻流體可較佳地流通於下側。

溝槽部亦可於自與中央部之上表面垂直之方向觀察之情形時具有包圍上表面之環狀之部分。於該情形時，可有效地於溝槽部貯存冷卻流體，且貯存之冷卻流體可有效地排出至外部。

亦可為，於外套，形成有以藉由外側部之接觸部與載台接觸而形成之空間與外套之外部之間之空氣可流通之方式將空間連接於外套之外部之通氣路徑，通氣路徑連接於溝槽部。於該情形時，可抑制該空間內之壓力成為負壓。因此，於一面流通冷卻流體一面使冷卻單元沿配置半導體器件之載台移動時，可避免產生因負壓而使冷卻單元貼附於載台，無法使冷卻單元移動、或移動精度降低之事態。其結果，可一面流通冷卻流體一面使冷卻單元精度較佳地移動。

本揭示之一態樣之物鏡模組具備：上述冷卻單元；浸沒透鏡，其配置於開口；及物鏡，其與浸沒透鏡對向。根據該物鏡模組，藉由上述理由，可使防水性能提高。

本揭示之一態樣之半導體檢查裝置具備：上述冷卻單元；浸沒透鏡，其配置於開口；載台，其配置半導體器件；物鏡，其與浸沒透鏡對向；及光檢測器，其經由浸沒透鏡及物鏡檢測來自半導體器件之光。根據該半導體檢查裝置，藉由上述理由，可使防水性能提高。 [發明之效果]

根據本揭示之一態樣，可提供一種可提高防水性能之冷卻單元、物鏡模組及半導體檢查裝置。

以下，針對本揭示之實施形態，參照圖式且進行詳細說明。於以下之說明中，對同一或相當要件使用同一符號，省略重複之說明。 [半導體檢查裝置]

圖1所示之半導體檢查裝置1係用於觀察並檢查檢查對象之器件(DUT：Device Under Test，被測器件)即半導體器件2之裝置。半導體檢查裝置1用於例如特定半導體器件2之故障部位。

半導體器件2係例如包含邏輯LSI(Large Scale Integration：大規模積體電路)之器件。邏輯LSI藉由MOS(Metal-Oxide-Semiconductor：金屬氧化物半導體)構造之電晶體、雙極構造之電晶體等構成。半導體器件2之消耗電力為例如200 W左右。半導體器件2配置(固定)於載台3。

半導體檢查裝置1具備信號輸入裝置11、光源12、光學系統13、光檢測器14、及控制部15。信號輸入裝置11電性連接於半導體器件2，對半導體器件2輸入信號使半導體器件2驅動。信號輸入裝置11為例如對半導體器件2施加刺激信號之脈衝發生器、或對半導體器件2輸入測試信號之測試器單元等。信號輸入裝置11對半導體器件2重複輸入特定之測試圖案等之信號。信號輸入裝置11輸入之信號可為調變電壓信號，亦可為直流電壓信號。

光源12輸出照明半導體器件2之光。光源12為例如LED(Light Emitting Diode：光電二極體)、LD(Laser Diode：雷射二極體)、SLD(Super luminescent Diode：高亮度發光二極體)或燈光源等。自光源12輸出之光之波長亦可為例如1064 nm以上。將自光源12輸出之光引導至光學系統13。

光學系統13將自光源12輸出之光向半導體器件2之表面2a導光，且將來自半導體器件2之表面2a之光向光檢測器14導光。光學系統13包含例如物鏡16、光掃描器(省略圖示)及光束分束器(省略圖示)構成。物鏡16將自光源12輸出並藉由光束分束器及光掃描器引導之光聚光於觀察區域或於觀察區域掃描。光學系統13載置於例如XYZ載台(省略圖示)。XYZ載台構成為若將與物鏡16之光軸平行之方向設為Z方向，則可於Z方向、以及與Z方向正交之X方向及Y方向移動。藉由XYZ載台之位置決定觀察區域。

自光源12輸出並自光學系統13出射之光藉由驅動中之半導體器件2反射，經由光學系統13入射至光檢測器14。此時，伴隨半導體器件2之驅動狀態，調變藉由半導體器件2反射之光之強度。

光檢測器14檢測由半導體器件2調變之光，輸出波形資料。光檢測器14亦可檢測於藉由光掃描器對半導體器件2掃描光之期間入射之光，輸出測定圖像。基於該等波形資料或測定圖像，可特定半導體器件2之故障部位。

光檢測器14亦可檢測對半導體器件2掃描光之期間入射之光，輸出圖案圖像。圖案圖像意指以可確認半導體器件2之電路圖案等之方式拍攝之圖像。作為光檢測器14，可使用例如可檢測透過半導體器件2之基板之波長之光之光電二極體、APD(Avalanche Photodiode：雪崩光電二極體)、SiPM(Silicon Photomultiplier：矽光電倍增管)等。

控制部15電性連接於信號輸入裝置11、光源12、光學系統13及光檢測器14等，進行半導體檢查裝置1整體之控制。控制部15藉由例如包含處理器(CPU：Central Processing Unit，中央處理單元)、以及記憶媒體即RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)及HDD(Hard Disk Drive：硬盤驅動器)等之電腦構成。控制部15對記憶於記憶媒體之資料，執行處理器之處理。控制部15基於例如光檢測器14之檢測結果，實施特定半導體器件2之故障部位之特定處理。 [用於冷卻半導體器件之構成]

半導體檢查裝置1進而具備冷卻單元21、貯存槽22、4個調節器(壓力調整部)23、排放槽24、及致冷器25。冷卻單元21、貯存槽22、調節器23、排放槽24及致冷器25用於檢查中冷卻半導體器件2。冷卻單元21與物鏡16組合構成物鏡模組70。 [冷卻單元]

參照圖2～圖10，且對冷卻單元21進行說明。冷卻單元21以與半導體器件2對向之方式配置，與半導體器件2之間劃定空間(間隙)S1。於半導體檢查裝置1中，藉由於空間S1流通冷卻流體5，冷卻半導體器件2。冷卻流體5為例如水或淨水，亦可為Fluorinert(註冊商標)系之具有電性絕緣性之液體。

冷卻單元21以與配置有半導體器件2之載台3接觸之方式配置(安裝於載台3)。於該例中，載台3具備DUT板3a、與保持部3b。DUT板3a例如形成為板狀，構成信號輸入裝置11與半導體器件2之間之連接部。於DUT板3a，亦可組入構成信號輸入裝置11與半導體器件2之間之連接部之插座。於該例中，半導體器件2具有封裝2b、與自封裝2b突出之晶粒2c。作為一例，封裝2b為PC(Personal Computer：個人電腦)板，晶粒2c為安裝(接合)於封裝2b上之半導體部分。

保持部3b固定於DUT板3a，保持半導體器件2。保持部3b藉由例如金屬形成為板狀。於保持部3b，設置有配置半導體器件2之開口3c。保持部3b具有以半導體器件2不自開口3c脫落之方式與半導體器件2之封裝之周緣部接觸並與半導體器件2卡合之卡合部3d。

冷卻單元21具備用於將半導體器件2之熱予以散熱之外套31。外套31藉由例如金屬材料形成為有底之大致圓筒狀。外套31以與半導體器件2及保持部3b對向之方式配置。於該外套31內配置有上述物鏡16。

以下，將與物鏡16之光軸L平行之方向作為方向D1進行說明。方向D1係與上述Z方向平行之方向。又，於配置於載台3之半導體器件2與物鏡16對向之狀態下，將物鏡16相對於半導體器件2所處之側作為下側，將半導體器件2相對於物鏡16所處之側作為上側。冷卻單元21以半導體器件2相對於物鏡16位於鉛直方向之上側之狀態使用。

外套31於自方向D1觀察之情形時，具有中央部32、外側部33、及中間部34。以下，對自方向D1觀察之情形之各部之配置及形狀等進行說明。中央部32係包含外套31之中心之部分，於該例中為圓形狀之部分。外側部33係位於中央部32之周圍之部分，包圍中央部32。外側部33於該例中為構成外套31之外緣部(外周部)之圓環狀之部分。中間部34係位於中央部32與外側部33之間之部分。中間部34配置於外側部33之內側，包圍中央部32。中間部34於該例中為圓環狀之部分。以下，將中央部32相對於外側部33所處之側作為內側(徑向之內側)，將外側部33相對於中央部32所處之側作為外側(徑向之外側)進行說明。

外套31如上所述形成為有底之大致圓筒狀，概略而言構成為，包含：第1構件M1，其構成包含上側之底部之部分；第2構件M2，其構成筒狀部；及第3構件M3，其構成包含下側之底部之部分。第1構件M1與第2構件M2相互連接且第2構件M2與第3構件M3相互連接，藉此構成外套31。中央部32藉由第1構件M1構成，外側部33及中間部34之各者藉由第1構件M1及第2構件M2構成。中央部32形成為大致圓板狀，外側部33及中間部34形成為較中央部32厚度更厚之大致圓環板狀(圓筒狀)。

於中央部32，形成有沿方向D1貫通中央部32之開口35。開口35於自方向D1觀察之情形時呈例如大致圓形狀。開口35位於光軸L上，來自半導體器件2之光通過開口35。於開口35，配置供來自半導體器件2之光入射之固體浸沒式透鏡(浸沒透鏡)72。稍後對固體浸沒式透鏡72之細節進行敘述。

如圖3及圖4所示，於開口35，進而配置有可撓性構件45及固定構件37、38。可撓性構件45藉由例如矽酮等之樹脂(例如矽酮橡膠)形成，面狀之構件具有局部波紋狀彎曲之形狀。可撓性構件45於其中央部具有開口，於該開口配置有固體浸沒式透鏡72。可撓性構件45於該開口之緣部中與固體浸沒式透鏡72之周緣部接觸，藉此水密性密封固體浸沒式透鏡72與可撓性構件45之間。可撓性構件45藉由固定構件37、38固定於中央部32。固定構件37形成為圓環板狀，例如藉由螺栓等之緊固構件37a固定於可撓性構件45。固定構件38形成為圓環板狀，以包圍固定構件37之方式配置。固定構件38藉由例如螺栓等之緊固構件38a固定於中央部32，與形成於開口35之緣部之突出部35a之間挾著可撓性構件45之外緣部。藉此，水密性密封可撓性構件45與中央部32之間。

中央部32於冷卻單元21安裝於載台3之狀態下(開口35與半導體器件2對向之狀態)，與半導體器件2對向，與半導體器件2之間具有劃定空間S1之空間劃定面32a。空間劃定面32a為中央部32之上表面。於該例中，空間劃定面32a為沿與方向D1垂直之平面延伸之圓環狀之平坦面，且與半導體器件2及保持部3b對向。空間劃定面32a於自方向D1觀察之情形時，與上述開口35相鄰，包圍開口35。空間S1之厚度(方向D1之最小厚度，即方向D1之晶粒2c與空間劃定面32a之間之距離)為例如0.05 mm以上且1.0 mm以下之程度。

外側部33具有與載台3接觸劃定空間S1之外緣部之接觸部39。即，藉由外側部33之接觸部39接觸載台3，而形成空間S1。於外側部33之上表面33a，形成有分別配置彈性構件41、42之一對配置溝槽33b(圖4)。彈性構件41、42係由外套31與保持部3b之間挾著用於密封空間S1之外緣部之構件，即例如O環。如圖3所示，彈性構件41、42形成為例如環狀。於圖3中，為容易理解，而以陰影線顯示彈性構件41、42。於該例中，藉由外側部33及彈性構件41、42，構成與載台3接觸劃定空間S1之外緣部之接觸部39。

如圖3、圖5及圖6所示，於中間部34，形成有以冷卻流體5自空間劃定面32a流下之方式構成之溝槽部51。溝槽部51具有第1部分52、與方向D1上相對於第1部分52位於下側(空間劃定面32a之相反側)之第2部分53。第1部分52雖以於自方向D1觀察之情形時沿周向延伸之方式形成為大致環狀，但藉由複數個(於該例中為8個)橋接部36分隔為複數個部分52a。即，第1部分52具有藉由相鄰之橋接部36隔開之複數個部分52a(袋部)。各部分52a於自方向D1觀察之情形時呈大致環狀扇形。各橋接部36將中央部32與外側部33相互連接。複數個橋接部36於周向上空出特定之間隔而並列。各橋接部36藉由沿徑向延伸之壁部構成。

如圖4所示，橋接部36之上表面36a具有位於較空間劃定面32a更低之位置之部分36b。上表面36a係橋接部36之空間劃定面32a所連接之表面。於該例中，藉由於上表面36a形成凹部而形成部分36b。部分36b具有：傾斜面36b1，其連接於空間劃定面32a之外緣；平坦面36b2，其連接於傾斜面36b1之外緣；傾斜面36b3，其連接於平坦面36b2之外緣；及平坦面36b4，其連接於傾斜面36b3之外緣。傾斜面36b1、36b3以越朝向下側越朝向外側之方式傾斜。傾斜面36b3相對於與空間劃定面32a平行之平面之傾斜角度大於傾斜面36b1相對於該平面之傾斜角度。平坦面36b4構成凹部之底面，較平坦面36b2位於更下側。平坦面36b4於自方向D1觀察之情形時與外側部33相鄰。平坦面36b4位於較外側部33之上表面33a更低之位置，藉此於橋接部36與外側部33之間形成階差部。

如圖6所示，第2部分53連接於第1部分52之下端。第2部分53於自方向D1觀察之情形時形成為沿周向延伸之環狀，包圍空間劃定面32a。即，第2部分53與第1部分52不同，以跨及整周連續之方式形成。第2部分53較第1部分52形成得更窄。即，溝槽部51於第2部分53之與第1部分52之邊界部中變窄。於該例中，徑向之第2部分53之寬度窄於徑向之第1部分52之寬度，藉此第2部分53較第1部分52形成得更窄。

第2部分53之內表面53a包含以越朝向下側越朝向內側之方式傾斜之傾斜面53b。內表面53a係第2部分53之徑向之外側之內表面，構成溝槽部51之徑向之外側之內表面之一部分。傾斜面53b形成於內表面53a之與第1部分52之邊界部，於上端中連接於第1部分52。於周向上，傾斜面53b跨及整周形成。

溝槽部51內之空間連接於空間劃定面32a與半導體器件2之間所劃定之空間S1。或，溝槽部51內之空間亦可視為構成空間S1之一部分。溝槽部51自空間劃定面32a向下側延伸。因此，流通於空間S1之冷卻流體5自空間劃定面32a流下至溝槽部51。即，冷卻流體5藉由重力落下而自空間劃定面32a上於溝槽51內移動。流下至溝槽部51之冷卻流體5自例如第1部分52沿傾斜面53b移動至第2部分53，貯存於第2部分53。貯存於第2部分53之冷卻流體5自稍後敘述之排出流路62排出。

於外套31，形成有：4個供給流路61，其等流通有供給至空間S1之冷卻流體5；及4個排出流路62，其等流通有自空間S1排出至外部之冷卻流體5。如圖2及圖4所示，供給流路61於外套31之側方中於外套31之外部開口，且於中央部32之空間劃定面32a開口。於外套31之側方之開口，連接有自貯存槽22供給之冷卻流體5流通之配管P1。

如圖4所示，供給流路61具有第1部分61a、與第2部分61b。第1部分61a以通過外側部33之方式形成，於外套31之外部開口。第2部分61b以連接於第1部分61a且通過橋接部36之方式形成，具有於空間劃定面32a開口之供給口61c(圖3、圖4)。冷卻流體5自供給口61c供給至空間劃定面32a(空間S1)。第2部分61b沿徑向延伸，以越朝向內側越朝向上側之方式傾斜延伸。4個供給流路61以於周向上空出特定之間隔而並列之方式配置。於該例中，於與8個橋接部36中之4個對應之位置形成有供給流路61。自供給流路61供給至空間S1之冷卻流體5於空間S1內向固體浸沒式透鏡72(開口35)流通。於圖4中，以虛線之箭頭顯示冷卻流體5通過供給流路61供給之路徑之例。

如圖5及圖6所示，排出流路62以通過外側部33之方式形成，於外套31之側方中於外套31之外部開口，且於溝槽部51之第2部分53開口。於外套31之側方之開口，連接有排出至排放槽24之冷卻流體5流通之配管P2。排出流路62具有於第2部分53之底部開口之排出口62a，於排出口62a中連接於第2部分53。冷卻流體5自第2部分53通過排出口62a排出。4個排出流路62亦可配置於任意之位置。於該例中，各排出流路62以於周向上位於相鄰之2個橋接部36之間之方式配置。於圖6中，以虛線之箭頭顯示冷卻流體5通過溝槽部51及排出流路62排出之路徑之例。

再者，於外套31，形成有以空間S1(外側部33之內側)與外套31之外部之間之空氣可流通之方式將空間S1連接於外套31之外部之通氣路徑65(大氣開放構造)。如圖8～圖10所示，通氣路徑65於外套31之側方中於外套31之外部開口，且經由通氣構件66於溝槽部51開口。外套31之側方之開口開放(未閉塞)。

通氣構件66配置於溝槽部51之第1部分52。通氣構件66具有本體部67、與罩體68。本體部67形成為大致長方體狀，具有相互對向之一對側面67a。於本體部67之表面67b，形成有溝槽部67c。表面67b係藉由罩體68覆蓋之表面。溝槽部67c以自一側面67a至另一側面67a之方式延伸。於該例中，溝槽部67c具有：一對直線狀部分67c1，其等自側面67a延伸；一對直線狀部分67c2，其等分別自一對直線狀部分67c1與直線狀部分67c1垂直延伸；及直線狀部分67c3，其以將一對直線狀部分67c2相互連接之方式與直線狀部分67c1平行延伸。

溝槽部67c之上部藉由罩體68覆蓋，藉此劃定與溝槽部67c對應之形狀之內部空間S2。於溝槽部67c之直線狀部分67c3形成有貫通本體部67之貫通孔67d。內部空間S2(溝槽部67c)經由貫通孔67d連接於通氣路徑65。又，藉由溝槽部67c至各側面67a，內部空間S2於各側面67a中開口並連接於溝槽部51之第1部分52。於該例中，罩體68以相對於各側面67a突出之方式配置於本體部67上。即，與側面67a垂直之方向之罩體68之長度較該方向之本體部67之長度(一對側面67a彼此之間之距離)更長，於該方向上罩體68自各側面67a突出。藉此，抑制自空間劃定面32a流下至溝槽部51之冷卻流體5浸入內部空間S2。罩體68相對於本體部67位於鉛直上側。

罩體68藉由例如螺栓等之緊固構件68a固定於本體部67。通氣構件66藉由例如螺栓等之緊固構件66a固定於外套31。於該例中，外套31具有以自外側部33向溝槽部51之第1部分52突出之方式形成之固定部311，通氣構件66固定於固定部311。通氣路徑65以通過固定部311內之方式形成。於圖8中，以虛線之箭頭顯示空氣通過通氣路徑65及通氣構件66流通於空間S1與外套31之外部之間之路徑之例。如上所述，外套31之側方之通氣路徑65之開口開放，且通氣路徑65始終開放。即，於冷卻單元21中，空間S1與外套31之外部之間之空氣可始終流通(空間S1未密閉)。

再次參照圖1，說明冷卻流體5流通之路徑。冷卻流體5貯存於貯存槽22。貯存槽22內之冷卻流體5藉由壓縮機(省略圖示)升壓，經由調節器23供給至供給流路61。4個調節器23分別經由配管P1連接於供給流路61。各調節器23藉由控制部15控制，使流通於供給流路61之流體之壓力變化。藉此，調整流通於空間S1之冷卻流體5之壓力。於排放槽24，貯存自排出流路62排出之冷卻流體5。致冷器25以成為特定之設定溫度之方式將冷卻流體5冷卻。於致冷器25，流入由排出流路62排出之冷卻流體5。致冷器25將流入之冷卻流體5冷卻。藉由致冷器25冷卻之冷卻流體5返回至貯存槽22，再次供給至供給流路61。外套31可藉由於形成於外套31內之冷媒流路內流通冷媒而冷卻。於該情形時，冷媒例如可為水，亦可為空氣。即，外套31亦可藉由液冷或空冷而冷卻。 [物鏡模組]

如圖2及圖4所示，冷卻單元21與物鏡16組合構成物鏡模組70。物鏡模組70除上述之冷卻單元21及物鏡16以外，具備安裝於物鏡16之固體浸沒式透鏡單元(浸沒透鏡單元)71。固體浸沒式透鏡單元71具備固體浸沒式透鏡72、與固持器73。物鏡16以介隔外套31之開口35與半導體器件2對向之方式配置。固體浸沒式透鏡72藉由固持器73保持於開口35內，位於物鏡16之光軸L上。

固體浸沒式透鏡72具有抵接面72a、球面72b、及錐面72c。抵接面72a為平坦面，與半導體器件2之晶粒2c抵接。球面72b為向下側凸之半球形狀之面，與物鏡16對向。錐面72c為向下側擴展之圓錐台形狀之面，自抵接面72a之外緣向下側延伸連接於球面72b之外緣。包含錐面72c之虛設圓錐之頂點與固體浸沒式透鏡72之球心(球面72b之曲率中心)一致，於抵接面72a之上側中位於物鏡16之光軸L上。固體浸沒式透鏡72之球心與固體浸沒式透鏡72之焦點一致。固體浸沒式透鏡72可進而具有配置於球面72b與錐面72c之間之圓柱形狀之面。另，除固體浸沒式透鏡以外，亦可使用液體浸液透鏡或油浸液透鏡等其他浸沒透鏡。

固體浸沒式透鏡72藉由與半導體器件2之基板材料實質上相同或接近其折射率之高折射率材料形成。作為其代表之例，列舉Si、GaP、GaAs等。固體浸沒式透鏡72使觀察光透過。藉由使固體浸沒式透鏡72光學密接於半導體器件2，而可利用半導體器件2自身作為固體浸沒式透鏡72之一部分。根據利用固體浸沒式透鏡72之半導體器件2之背面解析，於使物鏡16之焦點對準形成於半導體器件2之基板表面之積體電路時，藉由固體浸沒式透鏡72之效果，可於半導體器件2中通過開口數(NA：Numerical Aperture)較高之光束，並可高分辨力化。

固持器73安裝於物鏡16，與上述可撓性構件45一起保持固體浸沒式透鏡72。固持器73具有側壁部74、與蓋部75。固持器73藉由非磁性材料(例如鋁、鋁合金、非磁性之不鏽鋼等)形成。側壁部74形成為大致筒狀。蓋部75以閉塞側壁部74之上側之開口之方式構成。

於蓋部75，形成有配置固體浸沒式透鏡72之開口75a。蓋部75具有自開口75a之內表面向開口75a之中心側延伸之複數個(例如3個)突出部76。突出部76呈尖細形狀，且半導體器件2側之面成為以隨著接近開口75a之中心而接近物鏡16之方式傾斜之傾斜面。複數個突出部76於例如周向上空出特定之間隔而配置。

固體浸沒式透鏡72以抵接面72a及錐面72c自蓋部75之開口75a向上側突出，且球面72b自蓋部75之開口75a向下側突出之方式，配置於開口75a。球面72b接觸各突出部76之前端部，抵接面72a及錐面72c接觸可撓性構件45，自可撓性構件45向上側突出。固體浸沒式透鏡72於抵接面72a抵接於半導體器件2之前之狀態下，可進行搖動。例如，若固體浸沒式透鏡72搖動，則球面72b相對於突出部76之前端部滑動，且可撓性構件45追隨固體浸沒式透鏡72之搖動而變形。藉由使固體浸沒式透鏡72可搖動，於抵接面72a抵接於半導體器件2時，容易使固體浸沒式透鏡72相對於半導體器件2仿形密接。其結果，例如即使於半導體器件2相對於光軸L傾斜配置之情形時，亦可使固體浸沒式透鏡72良好地密接於半導體器件2，並可觀察半導體器件2。

於固持器73之側壁部74與蓋部75之間，設置有藉由將蓋部75向上側按壓而將固體浸沒式透鏡72對上側(物鏡16之相反側)賦能之複數個(於該例中為2個)第1賦能構件81。第1賦能構件81藉由例如保持於側壁部74內之彈簧構成。

於外套31之第2構件M2與第3構件M3之間，設置有藉由將第2構件M2向上側按壓而將外套31向載台3(向上側)賦能之複數個(於該例中為4個)第2賦能構件82。第2賦能構件82藉由例如由導件部M3a保持之彈簧構成。導件部M3a為沿設置於第3構件M3之方向D1延伸之圓柱狀之部分。第2賦能構件82與第1賦能構件81分開／獨立設置，第2賦能構件82之賦能力不作用於固體浸沒式透鏡72(物鏡16及固體浸沒式透鏡單元71)。物鏡16之下側部分藉由第3構件M3保持。 [半導體檢查方法]

於使用半導體檢查裝置1之半導體檢查方法中，首先，將半導體器件2配置(固定)於載台3(第1步驟)。接著，以開口35與半導體器件2對向，且於空間劃定面32a與半導體器件2之間劃定空間S1之方式配置冷卻單元21(第2步驟)。更具體而言，例如，以藉由上述XYZ載台使物鏡模組70移動，開口35與半導體器件2對向之方式將冷卻單元21安裝於載台3。藉此，於冷卻單元21與半導體器件2及載台3之間形成空間S1。於第2步驟中，包含外側部33及彈性構件41、42之接觸部39與載台3接觸劃定空間S1之外緣部。

接著，藉由XYZ載台使物鏡16移動藉此使固體浸沒式透鏡72以接近半導體器件2之方式移動，使固體浸沒式透鏡72之抵接面72a抵接於半導體器件2(第3步驟)。接著，藉由信號輸入裝置11使半導體器件2驅動(第4步驟)。接著，一面於空間S1流通冷卻流體5，一面藉由光檢測器14檢測自驅動中之半導體器件2到來並通過開口35之光(第5步驟)。藉由以上之步驟，可進行半導體器件2之檢查。另，使半導體器件2驅動之第4步驟亦可於第2步驟或第3步驟之前進行。

參照圖11及圖12，且進而對使用半導體檢查裝置1之半導體檢查方法進行說明。於圖11及圖12中，模式性顯示各構成。如上所述，首先，將半導體器件2配置(固定)於載台3(第1步驟、圖11(a))。接著，使XYZ載台上升使物鏡模組70向上側移動，使包含外側部33及彈性構件41、42之接觸部39與載台3接觸。藉此，於冷卻單元21與半導體器件2及載台3之間形成空間S1(第2步驟、圖11(b))。該接觸部39與載台3之間之接觸藉由例如設置於外套31之第1感測器(省略圖示)檢測。於第2步驟中，控制部15基於第1感測器之檢測結果控制XYZ載台。第1感測器可藉由例如通過遮光而導通斷開之光感測器而構成。

接著，使XYZ載台進而上升。此時，冷卻單元21因於接觸部39與載台3接觸故無法移動，外套31之第2構件M2與第3構件M3之間所設置之第2賦能構件82收縮。另一方面，物鏡16及固體浸沒式透鏡72伴隨著XYZ載台之移動上升，固體浸沒式透鏡72與半導體器件2接觸(第3步驟、圖12(a))。該固體浸沒式透鏡72與半導體器件2之間之接觸藉由例如設置於固持器73之第2感測器(省略圖示)檢測。於第3步驟中，控制部15基於第2感測器之檢測結果控制XYZ載台。第2感測器可藉由例如通過遮光而導通斷開之光感測器而構成。該光感測器之配置並無特別限定。例如，亦可為，光感測器設置於側壁部74，遮蔽感測器之光之推爪構件設置於蓋部75。或可為，光感測器設置於蓋部75，推爪構件設置於側壁部74。該點對於藉由光感測器構成稍後敘述之第3感測器之情形亦同樣。

於第3步驟之後，使半導體器件2驅動之第4步驟之前，亦可實施藉由使XYZ載台進而上升而調整焦點位置之調整步驟(圖12(b))。於調整步驟中使XYZ載台上升之情形時，冷卻單元21亦因於接觸部39與載台3接觸故無法移動，第2賦能構件82收縮。又，固體浸沒式透鏡72因與半導體器件2接觸故無法移動，物鏡16伴隨著XYZ載台之移動而上升。此時，固持器73之側壁部74與蓋部75之間所設置之第1賦能構件81收縮。於固持器73，設置有用於防止XYZ載台(物鏡16)之超限之第3感測器(省略圖示)。第3感測器檢測例如XYZ載台上升至特定位置為止。特定位置係與因XYZ載台之上升致使裝置破損之位置對應之位置。於調整步驟中，控制部15基於第3感測器之檢測結果控制XYZ載台。藉此，可抑制XYZ載台過度上升致使裝置破損之情況。第3感測器可藉由例如通過遮光導通斷開之光感測器而構成。

之後，如上所述，藉由信號輸入裝置11使半導體器件2驅動(第4步驟)，一面於空間S1流通冷卻流體5一面藉由光檢測器14檢測來自驅動中之半導體器件2之光(第5步驟)。藉此，可進行半導體器件2之檢查。

接著，對於半導體器件2上變更觀察區域(檢查位置)之步驟之例進行說明。於實施形態之半導體檢查裝置1中，可於空間S1流通冷卻流體5之狀態下變更觀察區域。即，於使半導體器件2驅動之狀態下，可保持冷卻性能，且變更觀察區域。於變更觀察區域時，首先，例如自圖12(a)或圖12(b)所示之狀態使XYZ載台下降，並使固體浸沒式透鏡72與半導體器件2隔開(圖11(b))。原因在於若於固體浸沒式透鏡72密接於半導體器件2之狀態下使物鏡模組70向X方向及／或Y方向移動，則有對固體浸沒式透鏡72或半導體器件2造成損傷之虞。例如，控制部15藉由使XYZ載台下降至第2感測器斷開之位置為止，使固體浸沒式透鏡72與半導體器件2隔開。此時，冷卻單元21之接觸部39仍與載台3接觸，於冷卻單元21與半導體器件2及載台3之間仍形成空間S1。又，繼續對空間S1供給冷卻流體5。接著，藉由XYZ載台使物鏡模組70相對於載台3於X方向及／或Y方向移動，並使固體浸沒式透鏡72移動至與所期望之觀察區域對應之位置。接著，使XYZ載台上升，且使物鏡16及固體浸沒式透鏡72上升，並使固體浸沒式透鏡72與半導體器件接觸。藉由以上之步驟，可於空間S1流通冷卻流體5之狀態下變更觀察區域。 [作用及效果]

於冷卻單元21中，於外套31之中央部32與外側部33之間，形成以冷卻流體5自空間劃定面32a(中央部32之上表面)流下之方式構成之溝槽部51，於溝槽部51，連接有排出至外部之冷卻流體5流通之排出流路62。藉此，於藉由外側部33之接觸部39與載台3接觸而形成之空間S1自供給流路61流通冷卻流體5而冷卻半導體器件2之情形時，可抑制冷卻流體5至空間S1之外緣部(外套31之外側部33與載台3接觸之部位)。其結果，可抑制冷卻流體5自空間S1之外緣部洩漏，並可提高防水性能。又，藉由形成溝槽部51，可抑制空間S1由冷卻流體5填滿，藉此亦可提高防水性能。又，因抑制冷卻流體5至空間S1之外緣部，故可省略或簡化用於密封外緣部之彈性構件41、42。例如，亦可將彈性構件41、42置換為可撓性構件。

於外套31之中央部32與外側部33之間(中間部34)，形成有將中央部32與外側部33相互連接之橋接部36，供給流路61以通過橋接部36之方式形成。藉此，可較佳形成供給流路61。例如，與供給流路61以不通過橋接部36地繞過溝槽部51之方式形成之情形相比，可簡化供給流路61之構成。

橋接部36之上表面36a(連接於空間劃定面32a之表面)具有位於較空間劃定面32a更低之位置之部分36b。藉此，可抑制冷卻流體5自空間劃定面32a沿上表面36a至空間S1之外緣部。

溝槽部51具有：第1部分52；及第2部分53，其於方向D1(與空間劃定面32a垂直之方向)上相對於第1部分52位於空間劃定面32a相反側；且第2部分53較第1部分52形成得更窄，排出流路62連接於第2部分53。藉此，可較廣地形成位於空間劃定面32a之側之第1部分52並擴大溝槽部51之開口面積，冷卻流體5容易流入溝槽部51。又，藉由較窄地形成位於空間劃定面32a相反側之第2部分53，冷卻流體5容易貯存於第2部分53，其結果，可自連接於第2部分53之排出流路62有效地排出冷卻流體5。

溝槽部51之外側之內表面53a包含以越朝向下側越朝向內側之方式傾斜之傾斜面53b。藉此，可放大溝槽部51之體積，且流入溝槽部51之冷卻流體5可較佳流通至下側。

溝槽部51於自方向D1觀察之情形時具有包圍空間劃定面32a之環狀之第2部分53。藉此，可於溝槽部51有效地貯存冷卻流體5，並可將貯存之冷卻流體5有效地排出至外部。

於外套31，形成有以空氣可在空間S1與外套31之外部之間流通之方式將空間S1連接於外套31之外部之通氣路徑65，通氣路徑65連接於溝槽部51。藉此，可抑制空間S1內之壓力成為負壓。因此，於一面流通冷卻流體5一面使冷卻單元21沿配置有半導體器件2之載台3移動時，可抑制產生因負壓而使冷卻單元21貼附於載台3，無法使冷卻單元21移動、或移動精度降低之事態。其結果，可一面流通冷卻流體5一面使冷卻單元21精度較佳地移動。

於外套31之中央部32與外側部33之間(中間部34)，形成有溝槽部51，通氣路徑65連接於溝槽部51。藉此，因溝槽部51不易由冷卻流體5填滿，故可將經由通氣路徑65之空間S1與外套31之外部之間之空氣之流通確實化。

通氣路徑65經由配置於溝槽部51之通氣構件66連接於溝槽部51。藉此，可抑制冷卻流體5浸入通氣路徑65。

通氣構件66具有連接於通氣路徑65之內部空間S2，內部空間S2於通氣構件66之側面67a中開口且連接於溝槽部51。藉此，可有效地抑制冷卻流體5浸入通氣路徑65(內部空間S2)。

通氣構件66具有包含側面67a之本體部67、與罩體68，罩體68以相對於側面67a突出之方式配置於本體部67上。藉此，可更有效地抑制冷卻流體5浸入通氣路徑65(內部空間S2)。

通氣路徑65始終開放。藉此，可確實地抑制空間劃定面32a與半導體器件2之間之空間S1之壓力成為負壓。 [變化例]

於圖13及圖14所示之第1變化例之冷卻單元21中，取代第2賦能構件82，於外套31與固持器73之間，設置有將外套31向載台3(向上側)賦能之賦能構件83。上述實施形態之第2賦能構件82與第1賦能構件81分離／獨立(與第1賦能構件81並列)設置，對此第1變化例之賦能構件83與第1賦能構件81串列設置，於第1變化例中賦能構件83之賦能力作用於固體浸沒式透鏡72。賦能構件83之彈簧常數小於第1賦能構件81之彈簧常數。另，賦能構件83之彈簧常數亦可大於第1賦能構件81之彈簧常數。

對使用第1變化例之半導體檢查裝置1之半導體檢查方法之例進行說明。首先，將半導體器件2配置(固定)於載台3(第1步驟、圖13(a))。接著，使XYZ載台上升使物鏡模組70向上側移動，並使包含外側部33及彈性構件41、42之接觸部39接觸載台3。藉此，於冷卻單元21與半導體器件2及載台3之間形成空間S1(第2步驟、圖13(b))。

接著，使XYZ載台進而上升。此時，冷卻單元21因於接觸部39中與載台3接觸故無法移動，設置於外套31與固持器73之間之賦能構件83收縮。另一方面，物鏡16及固體浸沒式透鏡72隨著XYZ載台之移動上升，固體浸沒式透鏡72與半導體器件2接觸(第3步驟、圖14(a))。接著，可實施藉由使XYZ載台進而上升而調整焦點位置之調整步驟(圖14(b))。於調整步驟中使XZY載台上升之情形時，冷卻單元21亦因於接觸部39中與載台3接觸而不移動。又，固體浸沒式透鏡72亦因與半導體器件2接觸而無法移動，物鏡16隨著XYZ載台之移動而上升。此時，賦能構件83不收縮，固持器73之側壁部74與蓋部75之間所設置之第1賦能構件81收縮。之後，藉由信號輸入裝置11使半導體器件2驅動(第4步驟)，一面於空間S1流通冷卻流體5一面藉由光檢測器14檢測來自驅動中之半導體器件2之光(第5步驟)。

於第1變化例之半導體檢查裝置1中，可於空間S1流通冷卻流體5之狀態下變更觀察區域。變更觀察區域時之步驟與上述第1實施形態之情形同樣。藉由此種第1變化例，與上述實施形態同樣，可提高防水性能。

於圖15所示之第2變化例中，於外套31不形成橋接部36，溝槽部51之第1部分52(即溝槽部51之整體)於自方向D1觀察之情形時形成為沿周向延伸之環狀。藉由此種第2變化例，亦與上述實施形態同樣，可提高防水性能。

作為其他變化例，亦可根據半導體器件2上之觀察位置，替換供給冷卻流體5之供給流路61。例如，8個供給流路61可以於周向上空出特定之間隔而並列之方式配置，於第1狀態下自8個供給流路61中之4個供給流路61供給冷卻流體5，於第2狀態下自8個供給流路61中剩下之4個供給流路61供給冷卻流體5。例如，於第1狀態下，相對於固體浸沒式透鏡72，以自X方向之兩側及Y方向之兩側之4個方向流通冷卻流體5之方式對4個供給流路61供給冷卻流體5，於第2狀態下，相對於固體浸沒式透鏡72，以自與第1狀態之4個方向各偏差45度之4個方向流通冷卻流體5之方式對剩下之4個供給流路61供給冷卻流體5。因發熱部位可根據半導體器件2上之觀察位置變化，故採用此種構成，藉此可進行半導體器件2上之觀察位置所對應之有效之冷卻。亦可適當設定冷卻流體5之數量或切換之圖案。

本揭示不限定於上述實施形態及變化例。例如，於各構成之材料及形狀，不限定於上述之材料及形狀，可採用各種材料及形狀。供給流路61及／或排出流路62可僅設置1個。彈性構件41、42可省略，亦可置換為可撓性構件。

橋接部36之上表面36a可不具有較空間劃定面32a更低之位置之部分，例如亦可與空間劃定面32a成為齊平面。溝槽部51之第2部分53可不較第1部分52形成得更窄，例如亦可具有與第1部分52相同程度之寬度。溝槽部51之外側之內表面53a亦可不包含傾斜面53b。溝槽部51於自方向D1觀察之情形時可不具有包圍空間劃定面32a之環狀之部分。溝槽部51只要以冷卻流體5自空間劃定面32a流下之方式構成即可，可具有任意之形狀及配置。可不形成通氣路徑65，空間S1與外套31之外部之間之空氣亦可不流通。

通氣路徑65只要以空間S1與外套31之外部之間之空氣可流通之方式將空間S1連接於外套31之外部即可，亦可不連接於溝槽部51。通氣構件66可省略，且通氣路徑65亦可不經由通氣構件66連接於溝槽部51。

半導體器件2不限定於包含邏輯LSI之器件。半導體器件2可為個別半導體元件(離散元件)、光電子元件、感測器／致動器、記憶體元件、或線性IC(Integrated Circuit：積體電路)等、或該等之混合器件等。個別半導體元件包含二極體、功率電晶體等。半導體器件2可為包含半導體器件之封裝、複合基板等。半導體器件2亦可藉由例如於矽基板組裝複數個元件(電容器等)而形成。

1:半導體檢查裝置 2:半導體器件 2a:表面 2b:封裝 2c:晶粒 3:載台 3a:DUT板 3b:保持部 3c:開口 3d:卡合部 5:冷卻流體 11:信號輸入裝置 12:光源 13:光學系統 14:光檢測器 15:控制部 16:物鏡 21:冷卻單元 22:貯存槽 23:調節器 24:排放槽 25:致冷器 31:外套 32:中央部 32a:空間劃定面 33:外側部 33a:上表面 33b:溝槽 34:中間部 35:開口 35a:突出部 36:橋接部 36a:上表面 36b:部分 36b1:傾斜面 36b2:平坦面 36b3:傾斜面 36b4:平坦面 37:固定構件 37a:緊固構件 38:固定構件 38a:緊固構件 39:接觸部 41:彈性構件 42:彈性構件 45:可撓性構件 51:溝槽部 52:第1部分 52a:部分 53:第2部分 53a:內表面 53b:傾斜面 61:供給流路 61a:第1部分 61b:第2部分 61c:供給口 62:排出流路 62a:排出口 65:通氣路徑 66:通氣構件 66a:緊固構件 67:本體部 67a:側面 67b:側面 67c:溝槽部 67c1:直線狀部分 67c2:直線狀部分 67c3:直線狀部分 67d:貫通孔 68:罩體 68a:緊固構件 70:物鏡模組 71:固體浸沒式透鏡單元 72:固體浸沒式透鏡(浸沒透鏡) 72a:抵接面 72b:球面 72c:錐面 73:固持器 74:側壁部 75:蓋部 75a:開口 76:突出部 81:第1賦能構件 82:第2賦能構件 83:賦能構件 311:固定部 D1:方向 L:光軸 M1:第1構件 M2:第2構件 M3:第3構件 M3a:導件部 P1:配管 P2:配管 S1:空間 S2:內部空間

圖1係實施形態之半導體檢查裝置之構成圖。 圖2係物鏡模組之周邊之剖視圖。 圖3係物鏡模組之俯視圖。 圖4係沿圖3之IV-IV線之冷卻單元之剖視圖，即圖2之部分放大圖。 圖5係沿圖3之V-V線之冷卻單元之剖視圖。 圖6係圖5之部分放大圖。 圖7係沿圖3之VII-VII線之冷卻單元之剖視圖。 圖8係圖7之部分放大圖。 圖9係物鏡模組之立體圖。 圖10係通氣構件之分解立體圖。 圖11(a)及(b)係用於說明實施形態之物鏡模組之動作之圖。 圖12(a)及(b)係用於說明實施形態之物鏡模組之動作之圖。 圖13(a)及(b)係用於說明第1變化例之物鏡模組之動作之圖。 圖14(a)及(b)係用於說明第1變化例之物鏡模組之動作之圖。 圖15係第2變化例之物鏡模組之俯視圖。

21:冷卻單元

31:外套

32:中央部

32a:空間劃定面

33:外側部

33a:上表面

34:中間部

39:接觸部

41:彈性構件

42:彈性構件

51:溝槽部

52:第1部分

52a:部分

53:第2部分

53a:內表面

53b:傾斜面

62:排出流路

62a:排出口

P2:配管

S1:空間

Claims (9)

1. 一種冷卻單元，其係半導體器件之檢查使用之冷卻單元；且 具備用於將上述半導體器件之熱予以散熱之外套；且 上述外套具有中央部、與位於上述中央部之周圍之外側部； 於上述中央部，形成有供來自上述半導體器件之光通過之開口； 上述外側部具有與配置上述半導體器件之載台接觸之接觸部； 於上述外套，形成有用於冷卻上述半導體器件之冷卻流體流通之供給流路； 於上述外套之上述中央部與上述外側部之間，形成有以上述冷卻流體自上述中央部之上表面流下之方式構成之溝槽部；且 於上述溝槽部，連接有排出至外部之上述冷卻流體流通之排出流路。
2. 如請求項1之冷卻單元，其中於上述外套之上述中央部與上述外側部之間，形成有將上述中央部與上述外側部相互連接之橋接部； 上述供給流路以通過上述橋接部之方式形成。
3. 如請求項1或2之冷卻單元，其中於上述外套之上述中央部與上述外側部之間，形成有將上述中央部與上述外側部相互連接之橋接部； 上述橋接部之上述中央部之上述上表面所連接之表面具有位於較上述中央部之上述上表面更低之位置之部分。
4. 如請求項1至3中任一項之冷卻單元，其中上述溝槽部具有：第1部分；及第2部分，其於與上述中央部之上述上表面垂直之方向上相對於上述第1部分位於上述中央部之上述上表面之相反側；且 上述第2部分較上述第1部分形成得更窄； 上述排出流路連接於上述第2部分。
5. 如請求項1至4中任一項之冷卻單元，其中若將上述中央部相對於上述外側部所處之側設為內側，將上述外側部相對於上述中央部所處之側設為外側，將上述溝槽部相對於上述中央部之上述上表面所處之側設為下側， 則上述溝槽部之上述外側之內表面包含以越朝向上述下側越朝向上述內側之方式傾斜之傾斜面。
6. 如請求項1至5中任一項之冷卻單元，其中上述溝槽部於自與上述中央部之上述上表面垂直之方向觀察之情形時具有包圍上述上表面之環狀之部分。
7. 如請求項1至6中任一項之冷卻單元，其中於上述外套，形成有以藉由上述外側部之上述接觸部與上述載台接觸而形成之空間與上述外套之外部之間之空氣可流通之方式將上述空間連接於上述外套之外部之通氣路徑； 上述通氣路徑連接於上述溝槽部。
8. 一種物鏡模組，其具備： 如請求項1至7中任一項之冷卻單元； 浸沒透鏡，其配置於上述開口；及 物鏡，其與上述浸沒透鏡對向。
9. 一種半導體檢查裝置，其具備： 如請求項1至7中任一項之冷卻單元； 浸沒透鏡，其配置於上述開口； 載台，其配置有上述半導體器件； 物鏡，其與上述浸沒透鏡對向；及 光檢測器，其經由上述浸沒透鏡及上述物鏡檢測來自上述半導體器件之光。