TW202334930A - 包括具有發光二極體的顯示像素的顯示螢幕 - Google Patents

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Abstract

本描述係關於顯示螢幕(10)，該顯示螢幕包括 - 顯示電路(12 i,j)，每個顯示電路包括發光二極體；可控制電流源，該可控制電流源供電至該發光二極體；及驅動器電路，該驅動器電路適於輸送用於控制該電流源的脈寬調變信號； - 第一、第二，及第三電極(18 i、20 i、16 i)，該等第一、第二，及第三電極耦接至該等驅動器電路； - 輸送電路(22)，該輸送電路用於輸送每個第一電極上的選擇信號(Com i)； - 輸送電路(24)，該輸送電路用於輸送該等第二電極上的類比資料信號(Data j)； - 輸送電路，該輸送電路用於輸送用於供電至該等第三電極上的該等發光二極體的電壓(Vcc、Gnd)， 其中每個選擇信號或該電源供應電壓包括間隔開的相位，每個間隔開的相位含有使用於電流源之控制的每間隔週期性的類比信號。

Description

包括具有發光二極體的顯示像素的顯示螢幕
本專利申請案主張以引用方式併入本文中的法國專利申請案FR21/14277之優先權權益。
本揭示案大體而言係關於具有包括發光二極體的顯示像素的顯示螢幕。
影像之像素對應於藉由顯示螢幕顯示的影像之單位元素。對於色彩影像之顯示，顯示螢幕對於影像之每一像素之顯示通常包括至少三個光源，該等光源各自大體上以單一色彩(例如，紅、綠，及藍)發射光輻射。藉由這三個光源發射的輻射之疊加為觀察者提供對應於所顯示影像之像素的有色感覺。一般地將使用於允許影像之像素之顯示的所有光輻射之發射的所有組件或僅將使用於允許影像之像素之顯示的光輻射中之一者之發射的所有組件稱為顯示螢幕之顯示像素。顯示像素之光源可包括發光二極體。
顯示像素可散佈在陣列中，每個顯示像素位於陣列之列(或行列)及行之交叉點處。通常，顯示像素之每個列經相繼選擇，且選定的列之顯示像素經程式設計以顯示所要的影像像素。
與稱為被動的陣列相反，主動陣列為賦能予對於影像之整個持續時間將所有像素列維持為主動的螢幕驅動架構，在被動陣列中，每個列僅對於時間T = Tframe/N為主動的(其中Tframe為影像之持續時間且N為螢幕之列數)。此賦能予增加顯示螢幕之發光度。此外，有可能將低電壓或電流位準發送至陣列控制線上，此舉賦能予顯示較顯著的資料流。
在基於測微計範圍尺寸之發光二極體的螢幕之上下文中，發光二極體之大小由於發光二極體之高內秉光度而通常小於螢幕上可利用於影像像素的表面區域。製造顯示螢幕之方法包括將這些單位發光二極體沉積在亦稱為平板的支撐件上，該支撐件含有驅動電子。另一製造方法包括使用包括發光二極體的顯示像素及用於控制這些發光二極體的電路。然後談及智慧型像素。此尤其賦能予簡化主動陣列之形成，因為顯示像素之發光二極體之控制電子大部分嵌入在顯示像素上。文件WO 2018/185433描述智慧型像素之實例。
希望顯示像素之尺寸為儘可能小的，以減少形成顯示像素的半導體材料之量且因而減少這些顯示像素之製造成本。然而，小尺寸的顯示像素至平板之接合則可為困難的，尤其用以確保顯示像素之傳導性襯墊與平板之傳導性軌跡之間的適當電連接。關於螢幕之顯示像素之數目之增加的當前趨勢，這個問題為更加關鍵的。
對於智慧型像素，使用於智慧型像素至平板之電連接的智慧型像素之傳導性襯墊的數目通常強加智慧型像素之尺寸，尤其由於這些襯墊之最小大小且由於將提供在這些襯墊之間的最小空間。因而，希望減少傳導性襯墊的數目。
已知藉由亦稱為PWM控制的脈寬調變控制發光二極體。這個類型的控制包括實施穿過發光二極體的恆定強度之相繼電流脈衝，脈衝經週期性地重複，工作週期決定藉由發光二極體發射的光強度。此控制有利地賦能予在發光二極體的最佳操作點處操作該發光二極體，其中等於藉由發光二極體發射的光功率與藉由發光二極體消耗的電功率之比的發光二極體之效率為最大。
PWM控制方法之實例需要類比參考信號，通常週期性類比參考信號，該類比參考信號在最小值與最大值之間連續地變化。此類比參考信號之實例包括電壓斜坡之演替。智慧型像素的此PWM控制方法之實行具有必須為每個智慧型像素提供額外傳導性襯墊以用於類比參考信號的傳輸的缺點。
實施例之一目標在於提供克服包括發光二極體的現有顯示像素之缺點中之全部或部分的包括用於顯示螢幕的發光二極體的顯示像素。
實施例之另一目標係用於用以實行脈寬調變的顯示螢幕之控制電路。
實施例之一目標在於減少顯示像素之傳導性襯墊之數目。
實施例之另一目標在於顯示像素具有小於200 µm的尺寸。
實施例提供顯示螢幕，該顯示螢幕包括： - 顯示電路，每個顯示電路包括發光二極體；可控制電流源，該可控制電流源供電至該發光二極體；及驅動器電路，該驅動器電路適於輸送用於控制該電流源的脈寬調變信號； - 第一電極，該等第一電極耦接至該等驅動器電路； - 輸送電路，該輸送電路用於輸送每個第一電極上的選擇信號； - 第二電極，該等第二電極耦接至該等驅動器電路； - 輸送電路，該輸送電路用於輸送該等第二電極上的類比資料信號，每個顯示電路之該驅動器電路包括儲存電路，該儲存電路用於儲存藉由該驅動器電路接收的該資料信號；及比較電路，該比較電路用於將該類比資料信號與每間隔週期性的類比信號進行比較，該比較電路適於輸送該脈寬調變控制信號； - 第三電極，該等第三電極耦接至該等驅動器電路；以及 - 輸送電路，該輸送電路用於輸送用於供電至該等第三電極上的該等發光二極體的電壓， 其中每個選擇信號或該電源供應電壓包括間隔開的相位，每個間隔開的相位含有每間隔週期性的類比信號。
此賦能予減少連接至顯示電路的電極之數目及因而每顯示電路提供的連接襯墊之數目。
根據一實施例，每個選擇信號包括相繼脈衝，每個顯示電路進一步包括偵測電路，該偵測電路經組配以偵測該顯示電路接收的該選擇信號之每個脈衝，且該顯示電路之該儲存電路經組配以儲存藉由該驅動器電路在每個脈衝之偵測時接收的該資料信號。該資料信號之儲存因而藉由選擇信號之脈衝控制。
根據一實施例，每個選擇信號包括適時介入兩個相繼相位之間的相位。該選擇信號包括使用於顯示電路之選擇的脈衝及使用於發光二極體之脈寬調變控制的每間隔週期性的類比信號。此賦能予在顯示螢幕之操作期間保持大體上恆定的電源供應電壓。
根據一實施例，該偵測電路經組配以在該選擇信號中將該等脈衝與該每間隔週期性的類比信號區分開。該等脈衝與該每間隔週期性的類比信號之間的區別有利地藉由每個顯示電路內部地執行。
根據一實施例，該選擇信號之該等脈衝之最大振幅大於該每間隔週期性的類比信號之最大振幅。該等脈衝與該每間隔週期性的類比信號之間的區別可有利地藉由一個或複數個比較操作內部地執行。
根據一實施例，該偵測電路包括具有不同反向臨界值的兩個相繼反向器。該偵測電路之結構有利地為尤其簡單的。
根據一實施例，每個間隔上的每間隔週期性的類比信號之週期不同於每個脈衝之持續時間。該等脈衝與該每間隔週期性的類比信號之間的區別因而並不或極少取決於脈衝及週期性的類比信號之位準的變化。
根據一實施例，該選擇信號之該等脈衝之波形不同於該每間隔週期性的類比信號之週期上的每間隔週期性的類比信號之波形。該等脈衝與該每間隔週期性的類比信號之間的區別因而並不或極少取決於脈衝及週期性的類比信號之位準的變化。
根據一實施例，該偵測電路包括高通濾波器或低通濾波器。
根據一實施例，每個驅動器電路包括用於輸送含有與選擇信號之脈衝同時發生的脈衝的二進制信號的電路。
根據一實施例，該每間隔週期性的類比信號之脈衝及相位具有相對於參考值相反的符號。該等脈衝與該每間隔週期性的類比信號之間的區別因而經促進。
根據一實施例，每間隔週期性的信號為三角的。
根據一實施例，該每間隔週期性的信號含有僅相繼上升斜坡或僅相繼下降斜坡。
根據一實施例，該驅動器電路經組配以當該類比資料信號大於該每間隔週期性的類比信號時輸送第一狀態中的該控制信號，且當該類比資料信號低於該每間隔週期性的類比信號時輸送第二狀態中的該控制信號。
實施例亦提供用於輸送意欲用於顯示電路之陣列的信號的電子系統，每個顯示電路包括發光二極體；可控制電流源，該可控制電流源供電至該發光二極體；及驅動器電路，該驅動器電路適於輸送用於控制該電流源的脈寬調變信號，那個陣列進一步包括耦接至該等驅動器電路的第一、第二，及第三電極，該系統包括： - 輸送電路，該輸送電路用於輸送每個第一電極上的選擇信號； - 輸送電路，該輸送電路用於輸送該等第二電極上的類比資料信號，每個顯示電路之該驅動器電路包括儲存電路，該儲存電路用於儲存藉由該驅動器電路接收的該資料信號；及比較電路，該比較電路用於將該類比資料信號與每間隔週期性的類比信號進行比較，該比較電路適於輸送該脈寬調變控制信號；以及 - 輸送電路，該輸送電路用於輸送用於供電至該等第三電極上的該等發光二極體的電壓， 其中每個選擇信號或該電源供應電壓包括間隔開的相位，每個間隔開的相位含有每間隔週期性的類比信號。
相同特徵在各種圖中已藉由相同參考指定。具體而言，各種實施例間共同的結構及/或功能特徵可具有相同參考且可佈置相同結構、尺寸及材料性質。為清晰起見，僅對於理解本文所描述的實施例有用的步驟及元件已經例示且詳細描述。
在以下描述中，當涉及限定絕對位置的術語諸如術語「前」、「後」、「頂部」、「底部」、「左」、「右」等，或相對位置的術語諸如術語「上方」、「下方」、「上部」、「下部」等，或涉及限定方向的術語諸如術語「水平」、「垂直」等時，除非另有指定，否則涉及圖式之方位或涉及正常使用位置中的顯示螢幕。
除非另有指示，否則當涉及連接在一起的兩個元件時，這表示無除導體之外的任何中間元件的直接連接，且當涉及耦接在一起的兩個元件時，這表示這兩個元件可經連接，或它們可經由一或多個其他元件耦接。
此外，將在例如標記為「0」的低狀態的第一恆定狀態與例如標記為「1」的高狀態的第二恆定狀態之間交替的信號稱為「二進制信號」。相同電子電路的不同二進制信號之高狀態及低狀態可為不同的。在實踐中，二進制信號可對應於可並非在高狀態或低狀態中完全恆定的電壓。
此外，在以下描述中，將MOS電晶體之源極及汲極稱為絕緣閘場效電晶體或MOS電晶體之「功率端子」。
此外，除非另有指示，否則當談及導電襯墊處的電壓時，考慮該導電襯墊處的電位與例如接地的參考電位之間的差，接地視為等於0 V。
此外，本文中考慮術語「絕緣」及「傳導性」分別表示「電氣絕緣」及「電氣傳導性」。除非另有指定，否則表達「約」、「近似」、「大體上」及「大約」表示在10%內，及較佳地在5%內。
第1圖部分地且示意性地示出顯示螢幕10之已知實例。顯示螢幕10包括例如以M列且以N行佈置的顯示像素12 i,j，M為自1變化至8,000的整數且N為自1變化至16,000的整數，i為自1變化至M的整數，且j為自1變化至N的整數。作為一實例，在第1圖中，M及N等於6。每個顯示像素12 i,j經由電極14 i耦接至低參考電位Gnd例如接地之源極，且經由電極16 j耦接至高參考電位Vcc之源極。作為一實例，電極14 i在第1圖中示出為沿列對準，且電極16 j在第1圖中示出為沿行對準，顛倒的佈局為可能的。顯示螢幕之電源供應電壓對應於高參考電位Vcc與低參考電位Gnd之間的電壓，且標記為如高參考電位的Vcc。電源供應電壓Vcc尤其取決於發光二極體之配置且取決於製造發光二極體所依據的技術。作為一實例，電源供應電壓Vcc可為大約自4 V至5 V。
對於每一列，列中的顯示像素12 i,j耦接至列電極18 i。對於每一行，行中的顯示像素12 i,j耦接至行電極20 j。顯示螢幕10包括選擇電路22，該選擇電路耦接至列電極18 i且適於輸送每個列電極18 i上的選擇及參考信號Com i。顯示螢幕10包括資料輸送電路24，該資料輸送電路耦接至行電極20 j且適於輸送每個行電極20 j上的資料信號Data j。選擇電路22及控制電路24藉由例如包括微處理器的電路26控制。
第2圖為顯示像素12 i,j之實例的極簡化橫截面圖且第3圖為顯示像素12 i,j的仰視圖。每個顯示像素12 i,j包括以顯示電路32覆蓋的控制電路30。顯示電路32包括至少一個發光二極體LED、三個發光二極體LED在第2圖中示出為一實例。顯示像素包括下表面34及與下表面34相反的上表面35，表面34及35較佳地為平面的及平行的。控制電路30進一步包括下表面34上的傳導性襯墊36，在第2圖中未示出。控制電路30可對應於包括電子組件，具體而言亦稱為MOS電晶體的絕緣閘場效電晶體或亦稱為TFT電晶體的薄膜電晶體的積體電路。較佳地，顯示電路32僅包括發光二極體LED及這些發光二極體LED之傳導性元件，且控制電路30包括控制顯示電路32之發光二極體LED所必需的所有電子組件。作為一變體，顯示電路32可亦包括除發光二極體LED之外的其他電子組件。發光二極體LED可為包括平面層之堆疊的2D發光二極體，亦稱為平面發光二極體，或各自包括以主動區域覆蓋的三維半導體元件的3D發光二極體。在第2圖中，發光二極體LED經示出為與共同陽極連接。然而，可希望根據另一組態來佈置發光二極體LED。作為一實例，發光二極體LED可與共同陰極連接，或彼此獨立連接。
根據一實施例，顯示像素12 i,j包括以第一波長、第二波長，及第三波長發射光的三個光源。根據一實施例，第一波長對應於藍光且在自430 nm至490 nm之範圍內。根據一實施例，第二波長對應於綠光且在自510 nm至570 nm之範圍內。根據一實施例，第三波長對應於紅光且在自600 nm至720 nm之範圍內。作為一變體，顯示像素12 i,j可僅包括以第一波長、第二波長，或第三波長發射光的光源，或以第一波長、第二波長，及第三波長中的兩個波長發射光的僅兩個光源。
每個傳導性襯墊36意欲連接至第2圖中示意性地示出的電極14 i、16 j、18 i、20 j中之一個。第一傳導性襯墊36耦接至低參考電位Gnd之源極。第二導電襯墊耦接至高參考電位Vcc之源極。第三傳導性襯墊36耦接至列電極18 i且接收選擇及參考信號Com i。第四傳導性襯墊36耦接至行電極20 j且接收資料信號Data j。傳導性襯墊36之尺寸及表面34上的傳導性襯墊36之配置尤其藉由顯示像素12 i,j之設計規則且藉由顯示螢幕10中的顯示像素12 i,j之裝配方法強加。
第4圖示出顯示螢幕10之顯示像素12 i,j的方塊圖之實例。
根據一實例，顯示像素12 i,j包括發光二極體或多個發光二極體，單個發光二極體LED在第4圖中示出為一實例。每個發光二極體LED串聯耦接至可控制電流源CS，該可控制電流源例如包括MOS電晶體。在目前實例中，對於每個發光二極體LED，發光二極體LED之陽極例如耦接至接收高參考電位Vcc的傳導性襯墊36，且發光二極體LED之陰極例如耦接至可控制電流源CS之端子，可控制電流源CS之另一端子耦接至接收低參考電位Gnd的傳導性襯墊36。
顯示像素12 i,j進一步包括用於驅動可控制電流源CS的電路40。驅動器電路40可尤其包括諸如MOS電晶體的電子組件。可希望使用低於4 V，例如大約1 V或1.8 V的減少的電源供應電壓來供電至驅動器電路40之至少一些，此減少的電源供應電壓賦能予使用減少的大小之低壓電晶體。出於此目的，顯示像素12 i,j可包括用於基於電源供應電壓Vcc來輸送具體使用於驅動器電路40之組件中的一些之電源供應的減少的電源供應電壓Vdd的電路42 (Vdd產生)。電路42例如包括分壓器。
根據一實施例，在每個顯示像素12 i,j之傳導性襯墊36中之一個處接收的選擇及參考信號Com i為類比信號。此外，在每個顯示像素12 i,j之傳導性襯墊36中之一個處接收的資料信號Data j為類比信號。
驅動器電路40包括耦接至傳導性襯墊36的電路44 (介面)，該電路接收選擇及參考信號Com i且基於信號Com i來輸送適於PWM控制之執行的選擇信號Prog及類比參考信號REF。驅動器電路40包括電路46 (模式選擇)，該電路接收資料信號Data j及選擇信號Prog，且經組配以將類比信號Data輸送至儲存電路48 (色彩資料記憶體)。儲存電路48經組配以儲存表示將要顯示的影像像素的R、G、B色彩信號。電路50適於用自R、G、B類比控制信號及自類比參考信號REF獲得的控制信號控制耦接至發光二極體LED的可控制電流源CS。作為一變體，在單色顯示像素之狀況下，儲存電路48經組配以儲存單個類比色彩信號，且電路50適於用自類比色彩信號及自類比參考信號獲得的控制信號控制耦接至發光二極體LED的可控制電流源CS。
如下文將描述，為限制每顯示像素12 i,j傳導性襯墊36的數目，信號Com i允許用於資料信號Data之儲存的顯示像素12 i,j之選擇及使用於發光二極體之PWM控制的類比參考信號之輸送兩者。
第5圖及第6圖示出用於將影像顯示在顯示螢幕10上的方法之實施例的由顯示像素12 i,j接收的信號的時序圖。出於例示目的，在第5圖中，已僅示出與顯示螢幕10之秩1之列及秩1之行相關聯的信號，且在第6圖中，已僅示出與顯示螢幕10之秩1之行及秩1、秩2，及秩3之相繼行相關聯的信號。
在目前實施例中，第5圖及第6圖中未示出的電位Vcc及Gnd為在顯示螢幕10之操作期間大體上恆定的。將要顯示的新影像之影像像素自秩1之列至秩M之列相繼地顯示。將分離顯示螢幕10之相同列之兩個相繼選擇的持續時間稱為訊框時間。藉由秩i之列的顯示像素12 1,j的新影像像素之顯示包括後面為第二相位P2的第一相位P1，j自1變化至N。在相位P1期間，類比資料信號Data j經傳輸至秩i之列的顯示像素12 1,j，僅信號Data 1在第5圖中示出。每個顯示像素12 i,j基於接收的類比資料信號Data j來儲存R、G，或B類比色彩信號之新值。在第二相位P2期間，每個顯示像素12 1,j之發光二極體根據所儲存R、G、B色彩信號加以控制。在顯示像素12 i,j包括發射不同色彩的發光二極體的狀況下，顯示像素12 i,j可在相位P1期間相繼地接收對應於不同色彩的資料信號Data j，且每個顯示像素12 1,j之發光二極體在下一個第二相P2期間根據自資料信號Data j獲得的新R、G、B色彩信號加以控制。
在第一相位P1期間，選擇及參考信號Com i經設定至大體上恆定的高電位，因而形成電壓脈衝。信號Com i之脈衝藉由秩i之列的每個顯示像素12 i,j之電路44偵測，且因而賦能予選擇此列之顯示像素12 i,j，而其他列之顯示像素未經選擇。根據一實施例，每個脈衝之持續時間比訊框之持續時間除以將要選擇的行數短，較佳地比100 µs短。具體而言，電路44將信號Prog輸送至電路46，信號Prog為例如對於信號Com i之脈衝之持續時間保持在狀態「1」處的二進制信號。在第一相位P1期間，資料信號Data j經傳輸至行電極20 j上。每個資料信號Data j可對應於能夠自最小值至最大值取得恆定值的類比信號。藉由信號Prog在狀態「1」處選擇的電路46輸送信號Data j，該信號以使其值取決於信號Data j的R、G，或B信號之形式儲存在顯示像素12 1,j之電路50中，藉由顯示像素12 1,1儲存的信號R 1,1，及跨越顯示像素12 1,1之發光二極體的電流I LED1,1在第5圖中示出為一實例，且分別藉由顯示像素12 1,1、12 2,1，及12 3,1儲存的信號R 1,1、R 2,1，R 3,1及分別跨越顯示像素12 1,1、12 2,1，及12 3,1之發光二極體的電流I LED1,1、I LED2,1，及I LED3,1在第6圖中示出為一實例。如第6圖中所示，信號Com 2及Com 3之時序圖類似於信號Com 1之時序圖，儘管時間移位。用於一列的第一相位P1之結束可對應於用於下一列的第一相位P1之開始。
根據一實施例，顯示像素12 1,j之發光二極體藉由脈寬調變控制。出於第三目的，在第二相位P2之第一部分P2_ON期間，選擇及參考信號Com i週期性地變化，從而展現藉由秩i之列的每個顯示像素12 i,j之電路44偵測的相同圖案之演替。電路44將信號Prog設定至狀態「0」且將圖案之演替傳輸至電路50 (類比參考信號REF)用於藉由脈寬調變控制發光二極體LED。作為一實例，在第5圖中，每個圖案包括後面是下降電壓斜坡的上升電壓斜坡。根據另一實例，每個圖案僅包括上升電壓斜坡或僅一個下降電壓斜坡。通常，每個圖案包括決定的電壓變化曲線，例如，指數增長曲線、正弦曲線等。圖案之形狀可例如包括眼靈敏度補償，具體而言伽馬校正。每個相位P2_OFF上的圖案重複頻率賦能予具有每相位P2_OFF介於1個與1,000個之間的圖案循環。
顯示像素12 i,j之電路50基於所儲存R、G，或B類比信號與類比參考信號REF之間的比較來控制發光二極體LED或多個發光二極體LED。作為一實例，當所儲存R、G，或B類比信號大於類比參考信號REF時，電流源CS經關閉，此導致零電流I LED供電至發光二極體，且當所儲存R、G，或B類比信號小於類比參考信號REF時，電流源CS經打開，此導致電流I LED以恆定的非零值供電至發光二極體。
在第二相位P2之第二部分P2_OFF期間，選擇及參考信號Com i經維持在恆定位準，例如，低位準處，使得列中的顯示像素之發光二極體LED斷開。第二部分P2_OFF之持續時間可自第二相位P2之持續時間的0%變化至100%。具體而言，第二部分P2_OFF可不存在。根據一實施例，每個相位P2之持續時間等於訊框之持續時間Tframe減去相位P1之持續時間。
第7圖、第8圖，及第9圖示出例示信號Com i之脈衝之偵測方法之實施例的信號Com i的時序圖。
根據第7圖中例示的一實施例，信號Com i之脈衝之位準Vmax_pulse與圖案之演替期間的信號Com i之最大值Vmax_sawtooth之間的差異大於允許藉由電路44的脈衝之偵測的臨界值，較佳地大於100 mV，且信號Com i之脈衝之偵測藉由振幅偵測執行。當信號Com i變成大於臨界值時，信號Com i之脈衝例如經偵測。
根據第8圖中例示的一實施例，信號Com i之脈衝之持續時間Tpulse大於或等於在斜坡之演替中重複的圖案之持續時間Tsawtooth。信號Com i之脈衝之偵測例如藉由信號Com i之低通濾波執行。具體而言，在此狀況下，信號Com i之脈衝之持續時間Tpulse等於持續時間Tsawtooth。實際上，信號Com i之脈衝具有不同於參考信號REF之圖案的那個形狀的形狀，該脈衝可藉由低通濾波偵測。
根據第9圖中例示的一實施例，信號Com i之脈衝之持續時間Tpulse比在斜坡之演替中重複的圖案之持續時間Tsawtooth短，較佳地短至少30%。信號Com i之脈衝之偵測例如藉由信號Com i之低通濾波執行。
根據一實施例，類比參考信號REF可僅包括信號Com i之圖案。根據另一實施例，類比參考REF與信號Com i相同。實際上，因為信號Com i之脈衝之持續時間，亦即，相位P1之持續時間，可比信號Com i之圖案之重複的持續時間，亦即，相位P2之部分P2_ON之持續時間，短得多，所以若發光二極體為接通，則由該等發光二極體在相位P1期間發射的光強度與在相位P2之部分P2_ON期間發射的那個光強度相比為可忽略的。
第10圖為用於驅動可控制電流源CS的電路40，具體而言電路46、電路48，及電路50的一部分之實施例的電圖表。
驅動器電路40之電路46包括第一開關T1，該第一開關將接收資料信號Data j的傳導性襯墊36耦接至節點N。開關T1藉由信號Prog控制。根據一實施例，開關T1為N通道MOS電晶體，該N通道MOS電晶體使其閘極接收信號Prog。驅動器電路40之電路48包括電容器C1，該電容器具有耦接至，較佳地連接至節點N的板極，及耦接至，較佳地連接至接收低參考電壓Gnd的傳導性襯墊的第二板極。
驅動器電路40之電路50包括比較器COMP，該比較器包括輸入端V+，該輸入端耦接至，較佳地連接至節點N；輸入端V-，該輸入端接收與信號Com i相同的信號REF；輸入端Vref，該輸入端接收恆定電壓，該恆定電壓當其存在時，可例如對應於減少的參考電壓Vdd，或自高參考電壓Vcc獲得，尤其當減少的參考電壓Vdd不存在時；輸入端，該輸入端耦接至，較佳地連接至接收高參考電壓Vcc的傳導性襯墊36；及輸出端，該輸出端輸送二進制信號Vcomp。比較器COMP可包括差動對。
電路50包括反向器INV1，該反向器接收信號Vcomp且輸送電流源CS之PWM控制之信號VCS。根據一實施例，反向器INV1包括P通道MOS電晶體T2，該P通道MOS電晶體使其源極接收高參考電壓Vcc、使其閘極接收信號Vcomp，且使其汲極輸送信號VCS；及N通道MOS電晶體T3，該N通道MOS電晶體使其源極接收低參考電壓Gnd、使其閘極接收信號Vcomp，且使其汲極連接至電晶體T2之汲極。
根據一實施例，電流源CS對應於N通道MOS電晶體T4，該N通道MOS電晶體使其閘極接收信號VCS、使其源極接收低參考電壓Gnd，且使其汲極耦接至發光二極體LED之陰極，發光二極體LED之陽極接收高參考電壓Vcc。
當選擇信號Prog處於狀態「1」處，例如，等於電壓Vcc時，開關T1為接通，且當選擇信號Prog處於狀態「0」，例如，等於0 V時，開關T1為斷開。當開關T1接通時，電容器C經由開關T1以電壓Data j充電。當選擇信號Prog處於狀態「0」處時的開關T1之關閉防止電容器C1藉由開關T1放電。信號Data j因而以跨於電容器C1的電壓R之形式經儲存。
比較器COMP將跨於電容器C1的電壓R與信號REF進行比較。反向器INV1輸送信號VCS，該信號使其狀態處於「1」處或處於「0」處，該狀態為信號Vcomp之狀態的逆。當信號VCS處於「1」處進，MOS電晶體T4處於接通狀態中，且當信號VCS處於「0」處時，MOS電晶體T4為斷開。
根據一實施例，當電壓R大於電壓REF時，信號Vcomp處於「1」處且信號VCS處於「0」處。電晶體T4然後經關閉且發光二極體LED經關閉。當電壓R小於電壓REF時，信號Vcomp處於「0」處且信號VCS處於「1」處。電晶體T4然後處於接通狀態中且發光二極體LED經打開。
第11圖為適於第7圖中例示的偵測方法之實施例之實行的電路44之實施例的電圖表。
電路44包括電阻器R，該電阻器具有耦接至，較佳地連接至接收選擇及參考信號Com i的傳導性襯墊36的第一端子及耦接至，較佳地連接至節點M的第二端子。選擇電路44包括具有不同反向臨界值的四個相繼反向器INV2、INV3、INV4，及INV5。
反向器INV2包括P通道MOS電晶體T5，該P通道MOS電晶體使其源極接收高參考電壓Vcc、使其閘極耦接至，較佳地連接至節點M，且使其汲極耦接至，較佳地連接至節點Q；及N通道MOS電晶體T6，該N通道MOS電晶體使其閘極耦接至，較佳地連接至節點M，且使其汲極耦接至，較佳地連接至節點Q。電路44包括各自二極體組裝的兩個N通道MOS電晶體T7及T8，該等N通道MOS電晶體串聯地佈置在低參考電位Gnd之源極與電晶體T6之源極之間。
反向器INV3包括P通道MOS電晶體T9，該P通道MOS電晶體使其閘極耦接至，較佳地連接至節點Q，且使其汲極耦接，較佳地連接至節點W；及N通道MOS電晶體T10，該N通道MOS電晶體使其閘極耦接至，較佳地連接至節點Q，使其汲極耦接至，較佳地連接至節點W，且使其源極耦接至，較佳地連接至低參考電位Gnd之源極。電路44包括二極體組裝的P通道MOS電晶體T11，該P通道MOS電晶體串聯地佈置在高參考電位Vcc之源極與電晶體T9之源極之間。
反向器INV4包括P通道MOS電晶體T12，該P通道MOS電晶體使其閘極耦接至，較佳地連接至節點W，使其源極耦接至，較佳地連接至高參考電位Vcc之源極，且使其汲極耦接至，較佳地連接至節點X；及N通道MOS電晶體T13，該N通道MOS電晶體使其閘極耦接至，較佳地連接至節點W，使其汲極耦接至，較佳地連接至節點X，且使其源極耦接至，較佳地連接至低參考電位Gnd之源極。反向器INV5包括P通道MOS電晶體T14，該P通道MOS電晶體使其閘極耦接至，較佳地連接至節點X，使其源極耦接至，較佳地連接至高參考電位Vcc之源極，且使其汲極耦接至，較佳地連接至節點Y；及N通道MOS電晶體T15，該N通道MOS電晶體使其閘極耦接至，較佳地連接至節點X，使其汲極耦接至，較佳地連接至節點Y，且使其源極耦接至，較佳地連接至低參考電位Gnd之源極。節點Y輸送信號Prog。
電路44如下操作。節點M處的電位遵循選擇及參考信號Com i，而具有適於反向器INV2之操作的偏移。考慮所有MOS電晶體具有相同尺寸，反向器INV2之反向臨界值大體上等於Vcc/2+2Vd，其中Vd為二極體組裝的電晶體T7之閘極-源極電壓，Vd亦等於汲極-源極電壓。反向器INV3之反向臨界值大體上等於Vcc/2-Vd。反向器INV4及反向器INV5之反向臨界值大體上等於Vcc/2。當信號Com i處於電壓Vmax_pulse處時，節點M處的電壓在自Vcc/2+2Vds至Vcc之範圍內。當信號Com i處於電壓Vmax_sawtooth處時，節點M處的電壓小於Vcc/2+2Vds。當信號Com i在相位P1處的脈衝期間處於電壓Vmax_pulse處時，節點Q處的電壓處於位準「0」處，節點W處的電壓處於位準「1」處，節點X處的電壓處於位準「0」處，且節點Y處的電壓處於位準「1」處。信號Prog因而處於「1」處。在相位P2之部分P2_ON期間，在圖案之演替期間，信號Com i保持小於電壓Vmax_sawtooth。節點Q處的電壓然後處於位準「1」處，節點W處的電壓處於位準「0」處，節點X處的電壓處於位準「1」處，且節點Y處的電壓處於位準「0」處。信號Prog因而處於「0」處。反向器INV3、INV4，及INV5尤其具有確保那個信號Prog展現充分陡峭的上升邊緣及下降邊緣的目的。
在先前關於第5圖及第6圖描述的實施例中，當電壓Data j大於類比參考信號REF時，每個顯示像素12 i,j之發光二極體LED經關閉。此意味信號Data j之儲存值越高，藉由發光二極體LED發射的光強度越低。對於某些應用，可希望每個顯示像素12 i,j之發光二極體LED經控制，使得信號Data j之儲存值越高，藉由發光二極體LED發射的光強度越高。
第12圖為類似於第5圖的圖且示出用於顯示螢幕10上的影像顯示方法之另一實施例的藉由顯示像素12 i,j接收的信號的時序圖。出於例示目的，在第12圖中，僅秩1之列已經考慮。
第12圖中的信號Com 1之極性相對於第5圖中的信號Com 1之極性反向。在相位P2期間，當所儲存類比信號R低於電壓REF時，每個顯示像素12 i,j之發光二極體LED然後斷開，此對應於零電流I LED，且當所儲存類比信號R低於電壓REF時，該等發光二極體接通，此對應於高位準處的電流I LED。類比信號R之值越高，藉由發光二極體LED發射的光強度越高。驅動器電路40可與先前關於第10圖及第11圖描述的那個相同。
第13圖為類似於第5圖的圖且示出用於顯示螢幕10上的影像顯示方法之另一實施例的藉由顯示像素12 i,j接收的信號的時序圖。出於例示目的，在第13圖中，僅秩1之列已經考慮。
第13圖中的信號Com 1與第5圖中的信號Com 1相同，其中差異在於，在相位P2之部分P2_ON期間，信號Com 1在零值與負最大值-Vmax_sawtooth之間變化。
第14圖為類似於第10圖的圖且示出用於驅動可控制電流源CS的電路40，尤其電路46、電路48，及電路50之一部分之實施例的電圖表，該電路適於第13圖中例示的控制方法之實施例之實行。
第13圖中所示的驅動器電路40包括第10圖中所示的驅動器電路40之所有元件，且進一步包括電容器C2，該電容器具有耦接至，較佳地連接至接收高參考電壓Vcc的傳導性襯墊36的第一板極且具有耦接至，較佳地連接至電容器COMP之輸入端V-的第二板極；電容器C3，該電容器具有接收信號Com 1的第一板極且具有耦接至，較佳地連接至比較器COMP之負輸入端V-的第二板極；及電容器C4，該電容器具有耦接至，較佳地連接至比較器COMP之負輸入端V-的第一板極且具有耦接至，較佳地連接至低參考電位Gnd之源極的第二板極。
在操作中，比較器COMP之輸入端V-處的信號遵循信號Com i之變化，而在兩個極端正電壓值之間變化。此實施例之優點在於電路44可不存在，因為信號Com i可直接用來控制電晶體T1之閘極。
根據另一實施例，類比參考信號REF並非存在於信號Com i上，但存在於高參考電壓Vcc上或低參考電壓Gnd上。
第15圖為類似於第5圖的圖，且示出用於將影像顯示在顯示螢幕10上的方法之另一實施例的藉由顯示像素接收的信號12 i,j的時序圖。出於例示目的，在第15圖中，僅秩1之列已經考慮。
第15圖中的信號Com 1與第5圖之信號Com 1相同，其中差異在於該信號在相位P2期間不包括圖案之演替但在相位P2期間保持在零值處。在第15圖中，除在其展現介於最大值Vcc_max與最小正值Vcc_min之間的圖案之重複的相位P2之部分P2_ON期間之外，高參考電壓Vcc恆定在值Vcc_max處。所示的驅動器電路40可具有第13圖中所示的結構。驅動器電路40可進一步包括用於基於信號Vcc來輸送穩定高參考電壓的電路。
第16圖示出可控制電流源CS的另一實施例。可控制電流源CS具有與第10圖中所示的那個相同的結構，其中差異在於該可控制電流源包括與MOS電晶體T4串聯的N通道MOS電晶體T16，電晶體T16之汲極耦接至，較佳地連接至電晶體T16之汲極，電晶體T16之源極耦接至，較佳地連接至低參考電位Gnd之源極，且電晶體T16之閘極接收恆定電壓Vbias。第16圖中所示的電流源CS之結構允許發光二極體LED之更精確的電流控制。
第17圖示出用於驅動可控制電流源CS的電路40之另一實施例。電路40包括第10圖中所示的所有元件，其中差異在於比較器COMP以N通道MOS電晶體T17替代，該N通道MOS電晶體使其源極接收信號REF，使其閘極耦接至，較佳地連接至節點M，且使其汲極耦接至，較佳地連接至電晶體T2及T3之閘極；及兩個N通道MOS電晶體T18及T19，該等N通道MOS電晶體串聯組裝在電晶體T17之汲極與高參考電壓Vcc之源極之間，電晶體T18及T19之閘極耦接至，較佳地連接至高參考電壓Vcc之源極。驅動器電路40尤其適於MOS電晶體以亦稱為TFT電晶體的薄膜電晶體替代的狀況。
模擬已經執行。為模擬，驅動器電路40具有第10圖及第11圖中所示的結構。
第18圖及第19圖示出相位P1期間的信號的時序圖。更精確地，第18圖示出跨於電容器C1的電壓R之變化曲線且第19圖示出在相位P1期間的信號Com 1及信號Prog之變化曲線。
第20圖及第21圖示出相位P2期間的信號的時序圖。更精確地，第20圖示出電晶體T4之閘極電壓VCS之變化曲線且第21圖示出信號Com 1、信號Prog之變化曲線。
第22圖及第23圖在傳輸至顯示像素的資料信號具有最大值的狀況下分別類似於第20圖及第21圖，該最大值對應於由顯示像素接收的為零的光強度(VCS恆定且等於0 V，發光二極體在相位P2期間始終為斷開)。
第24圖及第25圖在傳輸至顯示像素的資料信號具有最小值的狀況下分別類似於第20圖及第21圖，該最小值對應於由顯示像素接收的最大的光強度(VCS恆定且等於5 V，發光二極體在整個相位P2期間為接通)。
特定實施例已經描述。熟習此項技術者將容易想到各種變更及修改。此外，具有各種變化的各種實施例已在上文經描述。應注意，這些各種實施例及變體之各種元件可經組合。作為一實例，第16圖中所示的可控制電流源CS之實施例可用第10圖、第14圖，或第17圖中所示的驅動器電路40實行。
10:顯示螢幕 12 i,j:顯示像素 14 i:電極 16 j:電極 18 i:列電極 20 j:行電極 22:選擇電路 24:資料輸送電路 26:電路 30:控制電路 32:顯示電路 34:下表面 35:上表面 36:傳導性襯墊 40:電路 44:電路 46:電路 48:儲存電路 50:電路 Prog:選擇信號 REF:類比參考信號 C1,C2,C3,C4:電容器 CS:可控制電流源 Com i:選擇及參考信號 COMP:比較器 Data:類比信號 Data j:資料信號 Gnd:低參考電位 Vcc:高參考電位 P1:第一相位 P2:第二相位 P2_ON:第一部分 P2_OFF:第二部分 I LED:電流 LED:發光二極體 T1:第一開關 T2,T5,T9,T11,T12,T14:P通道MOS電晶體 T3,T4,T6,T7,T8,T10,T13,T15,T16,T17,T18,T19:N通道MOS電晶體 M:節點 N:節點 Q:節點 W:節點 X:節點 Y:節點 V+:輸入端 V-:輸入端 Vref:輸入端 Vcc:高參考電壓 Vcomp:二進制信號/信號 INV1,INV2,INV3,INV4,INV5:反向器 VCS:信號 R:電阻器 Vmax_pulse:最大振幅 Vmax_sawtooth:最大振幅 Tpulse:持續時間 Tsawtooth:持續時間 Vcc_max:最大值 Vcc_min:最小正值 Vbias:恆定電壓 R 1,1,R 2,1,R 3,1:信號 12 1,1,12 2,1,12 3,1:顯示像素 I LED1,1,I LED2,1,I LED3,1:電流 Com 1,Com 2,Com 3:信號
先前特徵及優點以及其他將在參考伴隨圖式藉由例示且非限制方式給出的特定實施例之其餘揭示內容中詳細地加以描述，在伴隨圖式中：
第1圖部分地且示意性地示出顯示螢幕之實例；
第2圖為顯示像素之實例的極簡化橫截面圖；
第3圖為第2圖之顯示像素的仰視圖；
第4圖示出第2圖之顯示像素的方塊圖之實例；
第5圖示出根據顯示螢幕之操作方法之一實施例的用於顯示像素之列的第2圖之顯示像素之信號的時序圖之實例；
第6圖示出根據顯示螢幕之操作方法之一實施例的用於顯示像素之三個相繼列的第2圖之顯示像素之信號的時序圖之實例；
第7圖示出例示偵測信號之脈衝的方法之實施例的第2圖之顯示像素之信號的時序圖之實例；
第8圖示出例示偵測信號之脈衝的方法之另一實施例的第2圖之顯示像素之信號的時序圖之實例；
第9圖示出例示偵測信號之脈衝的方法之另一實施例的第2圖之顯示像素之信號的時序圖之實例；
第10圖示出第4圖中例示的顯示像素之一部分之實施例的電圖表；
第11圖示出第4圖中例示的顯示像素之另一部分之實施例的電圖表；
第12圖示出根據顯示像素之操作方法之另一實施例的用於顯示像素之列的第2圖之顯示像素之信號的時序圖之實例；
第13圖示出根據顯示像素之操作方法之另一實施例的用於顯示像素之列的第2圖之顯示像素之信號的時序圖之實例；
第14圖示出第4圖中例示的顯示像素之一部分之另一實施例的電圖表；
第15圖示出根據顯示像素之操作方法之另一實施例的用於顯示像素之列的第2圖之顯示像素之信號的時序圖之實例；
第16圖示出第4圖中例示的顯示像素之電流源之另一實施例的電圖表；
第17圖示出第4圖中例示的顯示像素之一部分之另一實施例的電圖表；
第18圖示出在第一操作相位期間藉由顯示螢幕之信號之模擬獲得的時序圖；
第19圖示出在第一操作相位期間藉由顯示螢幕之其他信號之模擬獲得的時序圖；
第20圖示出在第二操作相位期間藉由顯示螢幕之信號之模擬獲得的時序圖；
第21圖示出在第二操作相位期間藉由顯示螢幕之其他信號之模擬獲得的時序圖；
第22圖為在藉由顯示像素的最小強度的輻射之發射期間的類似於第20圖的圖；
第23圖為在藉由顯示像素的最小強度的輻射之發射期間的類似於第21圖的圖；
第24圖為在藉由顯示像素的最大強度的輻射之發射期間的類似於第20圖的圖；且
第25圖為在藉由顯示像素的最大強度的輻射之發射期間的類似於第21圖的圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10:顯示螢幕
12i,j:顯示像素
14i:電極
16j:電極
18i:列電極
20j:行電極
22:選擇電路
24:資料輸送電路
26:電路
Comi:選擇及參考信號
Dataj:資料信號
Gnd:低參考電位
Vcc:高參考電位

Claims (23)

  1. 一種顯示螢幕(10)，包括： - 顯示電路(12 i,j)，每個顯示電路包括一發光二極體(LED)；一可控制電流源(CS)，該可控制電流源供電至該發光二極體；及一驅動器電路(40)，該驅動器電路適於輸送用於控制該電流源的一脈寬調變信號(VCS)； - 第一電極(18 i)，耦接至該等驅動器電路； - 一輸送電路(22)，用於輸送每個第一電極上的用於該等顯示電路(12 i,j)之選擇的一選擇信號(Com i)，該等顯示電路耦接至該第一電極； - 第二電極(20 j)，耦接至該等驅動器電路(40)； - 一輸送電路(24)，用於輸送該等第二電極上的類比資料信號(Data j)，每個顯示電路(12 i,j)之該驅動器電路(40)包括一電路(48)，當該顯示電路(12 i,j)經選擇時，該電路經組配以儲存由該驅動器電路接收的該類比資料信號；及一比較電路(COMP)，該比較電路用於將該類比資料信號與一每間隔週期性的類比信號(REF)進行比較，該比較電路適於輸送該脈寬調變控制信號(VCS)； - 第三電極(16 j)，耦接至該等驅動器電路(40)；以及 - 一輸送電路，用於輸送用於供電至該等第三電極上的該等發光二極體的一電壓(Vcc、Gnd)， 其中每個選擇信號(Com i)或該電源供應電壓(Vcc、Gnd)包括間隔開的相位(P2_ON)，每個相位含有該每間隔週期性的類比信號。
  2. 如請求項1所述之顯示像素，其中每個選擇信號(Com i)包括相繼脈衝，每個顯示電路(12 i,j)進一步包括一偵測電路(44)，該偵測電路經組配以偵測該顯示電路接收的該選擇信號之每個脈衝，且其中該顯示電路之儲存電路(48)經組配以儲存由該驅動器電路在每個脈衝之偵測時接收的該類比資料信號(Data j)。
  3. 如請求項2所述之顯示螢幕，其中每個選擇信號(Com i)包括適時介入兩個相繼脈衝之間的該等相位(P2_ON)。
  4. 如請求項3所述之顯示電路，其中該偵測電路(44)經組配以在該選擇信號(Com i)中將該等脈衝與該每間隔週期性的類比信號(REF)區分開。
  5. 如請求項4所述之顯示螢幕，其中該選擇信號(Com i)之該等脈衝之最大振幅(Vmax_pulse)大於該每間隔週期性的類比信號(REF)之最大振幅(Vmax_sawtooth)。
  6. 如請求項5所述之顯示螢幕，其中該偵測電路(44)包括具有不同反向臨界值的兩個相繼反向器(INV2、INV3)。
  7. 如請求項4所述之顯示螢幕，其中每個間隔上的該每間隔週期性的類比信號(REF)之週期不同於每個脈衝之持續時間。
  8. 如請求項4所述之顯示電路，其中該選擇信號(Com i)之該等脈衝之波形在該每間隔週期性的類比信號之一週期上不同於該每間隔週期性的類比信號(REF)之波形。
  9. 如請求項8或9所述之顯示螢幕，其中該偵測電路(44)包括一高通濾波器或一低通濾波器。
  10. 如請求項2至9中之任一項所述之顯示螢幕，其中每個驅動器電路(40)包括一輸送電路，該輸送電路用於輸送含有與該選擇信號(Com i)之該等脈衝同時發生的脈衝的一個二進制信號(Prog)。
  11. 如請求項2至10中之任一項所述之顯示螢幕，其中該每間隔週期性的類比信號之該等脈衝及該等相位具有相對於一參考值相反的符號。
  12. 如請求項1至11中之任一項所述之顯示螢幕，其中該每間隔週期性的信號(REF)為三角的。
  13. 如請求項1至12中之任一項所述之顯示螢幕，其中該每間隔週期性的信號(REF)含有僅相繼上升斜坡或僅相繼下降斜坡。
  14. 如請求項1至12中之任一項所述之顯示螢幕，其中該驅動器電路(40)經組配以當該類比資料信號(Data j)大於該每間隔週期性的類比信號(REF)時輸送一第一狀態中的該控制信號(VCS)，且當該類比資料信號小於該每間隔週期性的類比信號(REF)時輸送一第二狀態中的該控制信號(VCS)。
  15. 一種用於輸送意欲用於顯示電路(12 i,j)之一陣列的信號的電子系統，每個顯示電路包括一發光二極體(LED)、供電至該發光二極體的一可控制電流源(CS)，及一驅動器電路(40)，該驅動器電路適於輸送用於控制該電流源的脈寬調變的一信號(VCS)，該陣列進一步包括耦接至該等驅動器電路的第一、第二，及第三電極(18 i、20 j、16 j)，該系統包括： - 一輸送電路(22)，用於輸送每個第一電極上的一選擇信號(Com i)； - 一輸送電路(24)，用於輸送該等第二電極上的類比資料信號(Data j)，每個顯示電路(12 i,j)之該驅動器電路(40)包括一儲存電路(48)，該儲存電路用於儲存藉由該驅動器電路接收的該類比資料信號；及一比較電路(COMP)，該比較電路用於將該類比資料信號與一每間隔週期性的類比信號(REF)進行比較，該比較電路適於輸送該脈寬調變控制信號(VCS)；以及 - 一輸送電路，用於輸送用於供電至該等第三電極上的該等發光二極體的電壓(Vcc、Gnd)， 其中每個選擇信號(Com i)或該電源供應電壓(Vcc、Gnd)包括間隔開的相位(P2_ON)，每個相位含有該每間隔週期性的類比信號。
  16. 如請求項15所述之電子系統，其中每個選擇信號(Com i)包括相繼脈衝。
  17. 如請求項16所述之電子系統，其中每個選擇信號(Com i)包括適時介入兩個相繼脈衝之間的該等相位(P2_ON)。
  18. 如請求項17所述之電子系統，其中該選擇信號(Com i)之該等脈衝之該波形在一週期上不同於該每間隔週期性的類比信號(REF)之該波形。
  19. 如請求項16所述之電子系統，其中該選擇信號(Com i)之該等脈衝之最大振幅(Vmax_pulse)大於該每間隔週期性的類比信號(REF)之最大振幅(Vmax_sawtooth)。
  20. 如請求項16所述之電子系統，其中每個間隔上的該每間隔週期性的類比信號(REF)之該週期不同於每個脈衝之該持續時間。
  21. 如請求項16至20所述之電子系統，其中該每間隔週期性的類比信號之該等脈衝及該等相位具有相對於一參考值相反的符號。
  22. 如請求項16至21中之任一項所述之電子系統，其中該每間隔週期性的信號(REF)為三角的。
  23. 如請求項16至21中之任一項所述之電子系統，其中該每間隔週期性的信號(REF)含有僅相繼上升斜坡或僅相繼下降斜坡。
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