TW202330135A - 雷射加工裝置和雷射加工方法 - Google Patents

Abstract

雷射加工裝置，對於包含第1面和與前述第1面相反側的第2面且在前述第1面側與其它構件接合的晶圓，將前述第2面作為射入面來照射雷射光，藉此，在前述晶圓上形成改質區域，前述雷射加工裝置具備：支承部，其用於支承前述晶圓；照射部，其用於向被前述支承部支承的前述晶圓照射前述雷射光；移動部，其用於使前述雷射光的聚光區域相對於前述晶圓相對移動；和控制部，其用於控制前述照射部和前述移動部。

Description

雷射加工裝置和雷射加工方法

本發明涉及雷射加工裝置和雷射加工方法。

在專利文獻1中記載有一種雷射加工裝置，該雷射加工裝置包括保持工件的保持機構和對被保持機構保持的工件照射雷射光的雷射照射機構。在專利文獻1所記載的雷射加工裝置中，相對於基座固定具有聚光透鏡的雷射照射機構，藉由保持機構實施沿著與聚光透鏡的光軸垂直的方向的工件的移動。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1：日本專利第5456510號公報

發明要解決的課題 但是，例如在半導體元件的製造工序中，有時實施從半導體晶圓將其外緣部分作為不要部分而除去的切邊加工。即，為了從對象物除去其外緣部分，藉由在對象物的外緣的內側使雷射光的聚光區域沿著環狀延伸的線相對性地移動，有時沿著該線形成改質區域。特別是目前，對於經由半導體晶圓的元件層將半導體晶圓與其它構件(例如其它的晶圓)接合而構成的貼合晶圓，要求進行上述的切邊(trimming)加工。 在此，在貼合晶圓中，有時在半導體晶圓的內部產生應力。作為一例，該應力在將產生了翹曲的狀態的半導體晶圓或其它構件相互接合時、或在元件層的周緣部進行元件層與其它構件的剝離時會產生。如果在半導體晶圓的內部產生這種應力，則在半導體晶圓形成用於切邊加工的改質區域時，從該改質區域向元件層(其它構件)側延伸的裂紋可能會由於該應力而向非意圖的方向伸展。這種裂紋向非意圖的方向的伸展成為切邊加工的品質下降的原因。 因此，本發明的目的在於，提供可抑制貼合晶圓的切邊加工的品質下降的雷射加工裝置、和雷射加工方法。 用於解決課題的方法 本發明提供一種雷射加工裝置，對於包含第1面和與第1面相反側的第2面且在第1面側與其它構件接合的晶圓，將第2面作為射入面來照射雷射光，藉此，用於在晶圓上形成改質區域，該雷射加工裝置包括：支承部，其用於支承晶圓；照射部，其用於向被支承部支承的晶圓照射雷射光；移動部，其用於使雷射光的聚光區域相對於晶圓相對移動；控制部，其用於控制照射部和移動部，在第1面上形成有包含多個晶片並且與其它構件接合的元件層，元件層包含：主動區域，其包含多個晶片；和周緣部，其以從與第1面交叉的Z方向觀察時包圍主動區域的方式位於主動區域的外側，控制部藉由控制照射部和移動部，來執行：第1加工處理，一邊使聚光區域沿著從Z方向觀察時在周緣部上環狀延伸的第1線進行相對移動，一邊對晶圓照射雷射光，藉此，沿著第1線形成作為改質區域的第1改質區域，並且以從第1改質區域到第1面的方式形成第1裂紋；第2加工處理，一邊使聚光區域沿著從Z方向觀察時在周緣部上以從晶圓的外緣到第1線的方式延伸的第2線進行相對移動，一邊對晶圓照射雷射光，藉此，沿著第2線形成作為改質區域的第2改質區域；第3加工處理，使聚光區域位於從Z方向觀察時在周緣部上與第1線和第2線不同的位置，且對晶圓照射雷射光，藉此，形成作為改質區域的第3改質區域，控制部是在第1加工處理中使第1裂紋伸展到達第1面之前，執行第3加工處理。 本發明提供一種雷射加工方法，包括如下雷射加工工序，對於包含第1面和與第1面相反側的第2面且在第1面側與其它構件接合的晶圓，將第2面作為射入面來照射雷射光，藉此，在晶圓上形成改質區域，在第1面上形成有包含多個晶片並且與其它構件接合的元件層，元件層包含：主動區域，其包含多個晶片；和周緣部，其以從與第1面交叉的Z方向觀察時包圍主動區域的方式位於主動區域的外側，雷射加工工序包含：第1加工工序，一邊使聚光區域沿著從Z方向觀察時在周緣部上環狀延伸的第1線進行相對移動，一邊對晶圓照射雷射光，藉此，沿著第1線形成作為改質區域的第1改質區域，並且以從第1改質區域到第1面的方式形成第1裂紋；第2加工工序，一邊使聚光區域沿著從Z方向觀察時在周緣部上以從晶圓的外緣到第1線的方式延伸的第2線進行相對移動，一邊對晶圓照射雷射光，藉此，沿著第2線形成作為改質區域的第2改質區域；第3加工工序，使聚光區域位於從Z方向觀察時在周緣部上與第1線和第2線不同的位置，且對晶圓照射雷射光，藉此，形成作為改質區域的第3改質區域，第3加工工序是在第1加工工序中使第1裂紋伸展到達第1面之前實施。 在該裝置和方法中，對經由元件層與其它構件接合的晶圓照射雷射光，進行雷射加工。元件層包含：主動區域，其包含多個晶片；和周緣部，其以包圍主動區域的方式位於主動區域的外側。而且，在雷射加工中，藉由沿著在該周緣部上環狀延伸的第1線對晶圓照射雷射光，而形成沿著第1線的第1改質區域。藉此，能夠利用第1改質區域和從第1改質區域延伸的第1裂紋，進行將晶圓的外緣部分作為不要部分除去的切邊。 特別是在該裝置和方法中，在雷射加工中，沿著在元件層的周緣部上以從晶圓的外緣到第1線的方式延伸的第2線，對晶圓照射雷射光，藉此，沿著第2線形成第2改質區域。藉此，能夠利用第2改質區域和從第2改質區域延伸的裂紋，將晶圓的外緣部分沿周向分割成多個部分並容易地進行切邊。 另外，在該裝置和方法中，藉由在元件層的周緣部上的與第1線和第2線不同的位置對晶圓照射雷射光，而形成第3改質區域。這種第3改質區域緩和產生於晶圓內部的應力。因此，在使從第1改質區域延伸的第1裂紋伸展到達第1面之前進行該第3改質區域的形成，藉此抑制第1裂紋由於晶圓內部的應力向非意圖的方向伸展。因此，根據該裝置和方法，能夠抑制貼合晶圓的切邊加工的品質下降。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，控制部在第1加工處理之前執行第3加工處理。在該情況下，能夠在第1裂紋伸展到達第1面之前更可靠地進行第3改質區域的形成。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，周緣部具有包含元件層的外緣的區域且與其它構件的接合被弱化的前處理區域、和從Z方向觀察時位於前處理區域的內側的接合區域，在第1加工處理中，控制部以第1裂紋朝向前處理區域和接合區域的邊界延伸的方式形成第1改質區域。這樣，在作為晶圓的接合部分的元件層包含接合被弱化的前處理區域的情況下，容易在晶圓內部產生應力。因此，上述那樣形成第3改質區域，實現應力緩和變得更有效。另外，在該情況下，抑制第1裂紋非意圖地伸展到達前處理區域的內部，抑制品質下降。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，在第1加工處理中，控制部以隨著從第2面朝向第1面，使第1裂紋從接合區域朝向邊界傾斜延伸的方式形成第1改質區域。在該情況下，第1裂紋成為斜裂紋，所以抑制第1裂紋越過元件層到達其它構件。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，在第3加工處理中，控制部藉由至少使聚光區域位於前處理區域上並照射雷射光，而至少在前處理區域上形成第3改質區域。在該情況下，能夠可靠地緩和前處理區域引起的晶圓內部的應力。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，在第3加工處理中，控制部藉由至少一邊使聚光區域沿著從Z方向觀察時在前處理區域上環狀延伸的第3線進行相對移動，一邊照射雷射光，而沿著第3線形成第3改質區域。在該情況下，能夠遍及晶圓的全周實現應力緩和。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，在第2加工處理中，控制部執行：第1部分處理，藉由一邊使聚光區域沿著第2線中的從晶圓的外緣到第3線的第1部分進行相對移動，一邊照射雷射光，而沿著第1部分形成第2改質區域；第2部分處理，藉由一邊使聚光區域沿著第2線中的從第3線到第1線的第2部分進行相對移動，一邊照射雷射光，而沿著第2部分形成第2改質區域，控制部至少在第1加工處理之前執行第1部分處理。在該情況下，在第1裂紋伸展到達第1面之前，除了藉由第3改質區域之外，還藉由形成於第2線的第1部分的第2改質區域，能夠實現晶圓內部的應力緩和。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，控制部在第1加工處理之前執行第1部分處理和第2部分處理。在該情況下，在第1裂紋伸展到達第1面之前，除了藉由第3改質區域之外，還藉由形成於第2線的第1部分和第2部分的第2改質區域，能夠實現晶圓內部的應力緩和。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，在第3加工處理中，控制部形成第3改質區域，並且使從該第3改質區域延伸的裂紋到達第2面。在該情況下，除了晶圓內部的應力緩和之外，還能夠抑制晶圓的翹曲。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，在第3加工處理中，控制部藉由使聚光區域位於周緣部上與第1線和第2線不同的位置且照射雷射光，以從第3改質區域延伸的裂紋未到達第1面和第2面的方式形成第3改質區域。在該情況下，能夠抑制第3改質區域和從第3改質區域延伸的裂紋引起的晶圓的破裂。 在本發明的雷射加工裝置中，也可以是，在第1加工處理中，控制部藉由使聚光區域位於多個Z方向的位置並照射雷射光，沿著Z方向形成多個第1改質區域，在第3加工處理中，控制部藉由使聚光區域位於形成多個第1改質區域中的位於最靠第1面側的第1改質區域時的聚光區域的Z方向的位置即第1Z位置並照射雷射光，形成第3改質區域。在該情況下，能夠抑制第3改質區域和從第3改質區域延伸的裂紋引起的晶圓的破裂。 發明效果 根據本發明，能夠提供能夠抑制貼合晶圓的切邊加工的品質下降的雷射加工裝置和雷射加工方法。

以下，參照附圖對一個實施方式進行詳細地說明。此外，在各圖中，對相同或相當的部分標注相同的符號，有時省略重複的說明。另外，在各圖中，有時表示由X軸、Y軸和Z軸規定的正交座標系。 [雷射加工裝置、和雷射加工的概要] 圖1是表示一個實施方式的雷射加工裝置的結構的示意圖。如圖1所示，雷射加工裝置1包括載置台(支承部)2、照射部3、移動部4、5、和控制部6。雷射加工裝置1是藉由向對象物11照射雷射光L，而在對象物11上形成改質區域12用的裝置。 載置台2例如藉由保持貼附於對象物11的膜，來支承對象物11。載置台2能夠將與Z方向平行的軸線作為旋轉軸來旋轉。載置台2也能夠沿著X方向和Y方向分別移動。此外，X方向和Y方向是相互交叉(正交)的第1水準方向和第2水準方向，Z方向為鉛垂方向。 照射部3將相對於對象物11具有透射性的雷射光L聚光並照射至對象物11。當雷射光L被聚光於被載置台2支承的對象物11的內部時，特別是在與雷射光L的聚光區域C(例如後述的中心Ca)對應的部分吸收雷射光L，在對象物11的內部形成改質區域12。此外，聚光區域C是後面敘述詳細的說明，但為距雷射光L的光束強度最高的位置或光束強度的重心位置為既定範圍的區域。 改質區域12是密度、折射率、機械強度、其它的物理特性與周圍的非改質區域不同的區域。作為改質區域12，例如，具有熔融處理區域、裂紋區域、絕緣擊穿區域、折射率變化區域等。改質區域12可形成為裂紋從改質區域12向雷射光L的射入側和其相反側延伸。這種改質區域12和裂紋被用於例如對象物11的切斷。 作為一例，當使載置台2向X方向移動，使聚光區域C相對於對象物11沿著X方向相對移動時，多個改質點12s以沿著X方向並排成一列的方式形成。一個改質點12s是藉由一個脈衝的雷射光L的照射而形成。一列的改質區域12是並排成一列的多個改質點12s的集合。相鄰的改質點12s根據聚光區域C相對於對象物11相對移動速度和雷射光L的重複頻率，有時相互相連，也有時相互分開。 移動部4包含使載置台2向與Z方向交叉(正交)的面內的一方向移動的第1移動部41、和使載置台2向與Z方向交叉(正交)的面內的另一方向移動的第2移動部42。作為一例，第1移動部41使載置台2沿著X方向移動，第2移動部42使載置台2沿著Y方向移動。另外，移動部4使載置台2以與Z方向平行的軸線為旋轉軸而旋轉。移動部5支承照射部3。移動部5使照射部3沿著X方向、Y方向、和Z方向移動。在形成有雷射光L的聚光區域C的狀態下移動載置台2和/或照射部3，藉此，使聚光區域C相對於對象物11相對移動。即，移動部4、5為了使雷射光L的聚光區域C相對於對象物11相對移動，而移動載置台2和照射部3的至少一者。 控制部6控制載置台2、照射部3、和移動部4、5的動作。控制部6具有處理部、儲存部和輸入接收部(未圖示)。處理部作為包含處理器、記憶體、儲存裝置和通訊元件等的電腦裝置而構成。在處理部中，處理器執行被記憶體等讀入的軟體(程式)，控制記憶體和儲存裝置中的資料的讀出和寫入、以及通訊元件進行的通訊。儲存部例如為硬碟等，儲存各種資料。輸入接收部是顯示各種資訊，並且從使用者接收各種資訊的輸入的介面部。輸入接收部構成GUI(Graphical User Interface：圖形化使用者介面)。 圖2是表示圖1所示的照射部的結構的示意圖。在圖2中表示有表示雷射加工的預定的假想的線A。如圖2所示，照射部3具有光源31、空間光調變器(成形部)7、聚光透鏡33、和4f透鏡單元34。光源31例如藉由脈衝振盪方式輸出雷射光L。此外，照射部3也可以構成為不具有光源31，而從照射部3的外部導入雷射光L。空間光調變器7調變從光源31輸出的雷射光L。聚光透鏡33將被空間光調變器7調變並從空間光調變器7輸出的雷射光L向對象物11聚光。 如圖3所示，4f透鏡單元34具有在從空間光調變器7朝向聚光透鏡33的雷射光L的光路上排列的一對透鏡34A、34B。一對透鏡34A、34B構成使空間光調變器7的調變面7a和聚光透鏡33的射入光瞳面(瞳面)33a處於成像關係的兩側遠心光學系統。藉此，空間光調變器7的調變面7a上的雷射光L的圖像(在空間光調變器7中被調變的雷射光L的圖像)被傳像(成像)於聚光透鏡33的射入光瞳面33a。此外，圖中的Fs表示傅立葉面。 如圖4所示，空間光調變器7為反射型液晶(LCOS：Liquid Crystal on Silicon)的空間光調變器(SLM：Spatial Light Modulator)。空間光調變器7藉由在半導體基板71上依序層疊驅動電路層72、像素電極層73、反射膜74、配向膜75、液晶層76、配向膜77、透明導電膜78和透明基板79而構成。 半導體基板71例如為矽基板。驅動電路層72在半導體基板71上構成主動矩陣電路。像素電極層73包含沿著半導體基板71的表面排列成矩陣狀的多個像素電極73a。各像素電極73a例如由鋁等金屬材料形成。利用驅動電路層72對各像素電極73a施加電壓。 反射膜74例如為介電質多層膜。配向膜75設置於液晶層76中的反射膜74側的表面，配向膜77設置於液晶層76中的與反射膜74相反側的表面。各配向膜75、77例如由聚醯亞胺等高分子材料形成，對各配向膜75、77中的與液晶層76的接觸面例如施加摩擦處理。配向膜75、77將液晶層76中所含的液晶分子76a在一定方向排列。 透明導電膜78設置於透明基板79中的配向膜77側的表面，夾著液晶層76等與像素電極層73面對面。透明基板79例如為玻璃基板。透明導電膜78例如由ITO等光透射性且導電性材料形成。透明基板79和透明導電膜78透射雷射光L。 在如上構成的空間光調變器7中，當從控制部6向驅動電路層72輸入表示調變圖案的訊號時，對各像素電極73a施加與該訊號相應的電壓，在各像素電極73a和透明導電膜78之間形成電場。當形成該電場時，在液晶層76中，液晶分子76a的排列方向按照與各像素電極73a對應的區域而變化，折射率按照與各像素電極73a對應的區域而變化。該狀態為在液晶層76中顯示有調變圖案的狀態。調變圖案用於調變雷射光L。 即，在液晶層76顯示有調變圖案的狀態下，雷射光L從外部經由透明基板79和透明導電膜78射入到液晶層76，被反射膜74反射，從液晶層76經由透明導電膜78和透明基板79射出到外部時，根據顯示於液晶層76的調變圖案，調變雷射光L。這樣，根據空間光調變器7，藉由適當設定顯示於液晶層76的調變圖案，能夠進行雷射光L的調變(例如，雷射光L的強度、振幅、相位、偏振光等調變)。此外，圖3所示的調變面7a例如為液晶層76。 如上所述，從光源31輸出的雷射光L經由空間光調變器7和4f透鏡單元34向聚光透鏡33射入，在對象物11內被聚光透鏡33聚光，藉此，在該聚光區域C中，在對象物11上形成改質區域12和從改質區域12延伸的裂紋。另外，控制部6藉由控制移動部4、5，使聚光區域C相對於對象物11相對移動，藉此，沿著聚光區域C的移動方向形成改質區域12和裂紋。 [關於斜裂紋形成的見解的說明] 在此，將此時的聚光區域C的相對移動的方向(加工進行方向)設為X方向。另外，將與作為對象物11中的雷射光L的射入面的第2面11a交叉(正交)的方向設為Z方向。另外，將與X方向和Z方向交叉(正交)的方向設為Y方向。X方向和Y方向是沿著第2面11a的方向。此外，Z方向也可以被規定為聚光透鏡33的光軸、經由聚光透鏡33朝向對象物11聚光的雷射光L的光軸。 如圖5所示，要求在與作為加工進行方向的X方向交叉的交叉面(包含Y方向和Z方向的YZ面S)內，沿著相對於Z方向和Y方向傾斜的線RA(在此為從Y方向以既定的角度θ傾斜的線RA)傾斜地形成裂紋。一邊表示加工例一邊說明相對於這種斜裂紋形成的見解。 在此，作為改質區域12，形成改質區域12a、12b。藉此，將從改質區域12a延伸的裂紋13a和從改質區域12b延伸的裂紋13b相連，形成沿著線RA傾斜地延伸的裂紋13。在此，首先，如圖6所示，將對象物11的第2面11a設為雷射光L的射入面且形成聚光區域C1。另一方面，在比聚光區域C1靠第2面11a側，將第2面11a設為雷射光L的射入面且形成聚光區域C2。此時，聚光區域C2比聚光區域C1向Z方向移動距離Sz，且比聚光區域C1向Y方向移動距離Sy。作為一例，距離Sz和距離Sy與線RA的傾斜度對應。 另一方面，如圖7所示，藉由使用空間光調變器7調變雷射光L，將聚光區域C(至少聚光區域C2)的在YZ面S內的光束形狀設為至少在比聚光區域C的中心Ca靠第2面11a側，相對於Z方向往移動的方向(在此為Y方向的負側)傾斜的傾斜形狀。在圖7的例子中，設為在比中心Ca靠第2面11a側，相對於Z方向往Y方向的負側傾斜，並且在比中心Ca靠與第2面11a相反側的第1面11b側，相對於Z方向也向Y方向的負側傾斜的弧形狀。此外，YZ面S內的聚光區域C的光束形狀是YZ面S內的聚光區域C中的雷射光L的強度分佈。 這樣，至少使兩個聚光區域C1、C2向Y方向移動，並且至少將聚光區域C2(在此為聚光區域C1、C2兩者)的光束形狀設為傾斜形狀，藉此，如圖9的(a)所示，能夠形成傾斜地伸展的裂紋13。此外，在對象物11在Z方向上較薄的情況下，或在第1面11b側進一步進行加工的情況下，即使只有改質區域12a的形成，也會使從改質區域12a延伸的裂紋13a到達第1面11b。在該情況下，將用於形成改質區域12a的聚光區域C1的光束形狀設為至少在比聚光區域C的中心Ca靠第2面11a側、與期望的裂紋13a相對於Z方向的傾斜方向對應的傾斜形狀，藉此不進行改質區域12b的形成，就能夠形成到達第1面11b的斜裂紋(裂紋13a)。另外，例如也可以藉由空間光調變器7的調變圖案的控制，將雷射光L分支，藉此，同時形成聚光區域C1、C2，進行改質區域12和裂紋13的形成(多焦點加工)，也可以藉由聚光區域C1的形成而形成改質區域12a和裂紋13a後，藉由聚光區域C2的形成而形成改質區域12b和裂紋13b(單通道加工)。 另外，也可以藉由在聚光區域C1和聚光區域C2之間形成另一聚光區域，如圖9的(b)所示，在改質區域12a和改質區域12b之間介設另一改質區域12c，形成更長地傾斜伸展的裂紋13。 接著，對用於將聚光區域C的在YZ面S內的光束形狀設為傾斜形狀的見解進行說明。首先，對聚光區域C的定義進行具體地說明。在此，聚光區域C是距中心Ca為既定範圍(例如距Z方向上的中心Ca為±25μm的範圍)的區域。如上所述，中心Ca是光束強度最高位置、或光束強度的重心位置。光束強度的重心位置是例如光束強度的重心位於沒有根據用於將雷射光L分支的調變圖案那樣的使雷射光L的光軸移動的調變圖案進行調變的狀態下的雷射光L的光軸上的位置。光束強度最高的位置和光束強度的重心能夠如下獲取。即，在將雷射光L的輸出降低至在對象物11上不會形成改質區域12的程度(低於加工閾值)的狀態下，向對象物11照射雷射光L。與此同時，例如利用攝影機對圖12所示的Z方向的多個位置F1~F7拍攝來自對象物11的與雷射光L的射入面相反側的面(在此為第1面11b)的雷射光L的反射光。藉此，基於得到的圖像，能夠獲取光束強度的最高的位置和重心。此外，改質區域12在其中心Ca附近形成。 為了將聚光區域C中的光束形狀設為傾斜形狀，具有使調變圖案偏移的方法。更具體而言，在空間光調變器7中顯示用於修正波陣面的失真的失真修正圖案、用於分支雷射光的光柵圖案、狹縫圖案、像散圖案、彗形像差圖案、和球面像差修正圖案等各種圖案(顯示重疊了這些圖案的圖案)。其中，如圖8所示，藉由使球面像差修正圖案Ps偏移，能夠調整聚光區域C的光束形狀。 在圖8的例子中，在調變面7a上，使球面像差修正圖案Ps的中心Pc相對於雷射光L的(光束點的)中心Lc向Y方向的負側偏移偏移量Oy1。如上所述，調變面7a藉由4f透鏡單元34向聚光透鏡33的射入光瞳面33a傳像。因此，調變面7a上的偏移在射入光瞳面33a上成為向Y方向的正側的偏移。即，在射入光瞳面33a上，球面像差修正圖案Ps的中心Pc從雷射光L的中心Lc、和射入光瞳面33a的中心(在此，與中心Lc一致)向Y方向的正側偏移偏移量Oy2。 這樣，藉由使球面像差修正圖案Ps偏移，而使雷射光L的聚光區域C的光束形狀如圖7所示變形成弧狀的傾斜形狀。如上所述，使球面像差修正圖案Ps偏移是相當於對雷射光L賦予彗形像差。因此，也可以藉由在空間光調變器7的調變圖案中包含用於對雷射光L賦予彗形像差的彗形像差圖案，來將聚光區域C的光束形狀設為傾斜形狀。此外，作為彗形像差圖案，能夠使用相當於Zernike的多項式的9項(3次彗形像差的Y成分)的圖案，即在Y方向上產生彗形像差的圖案。 此外，用於形成這樣傾斜地延伸的裂紋13的光束形狀的控制不限定於上述的例子。接著，對用於將光束形狀設為傾斜形狀的另一例進行說明。如圖10的(a)所示，也可以根據相對於沿著作為加工進行方向的X方向的軸線Ax非對稱的調變圖案PG1來調變雷射光L，將聚光區域C的光束形狀設為傾斜形狀。調變圖案PG1在比沿著穿過在Y方向上的雷射光L的光束點的中心Lc的X方向的軸線Ax靠Y方向的負側包含光柵圖案Ga，並且在比軸線Ax靠Y方向的正側包含非調變區域Ba。換言之，調變圖案PG1僅在比軸線Ax靠Y方向的正側包含光柵圖案Ga。此外，圖10的(b)是使圖10的(a)的調變圖案PG1以與聚光透鏡33的射入光瞳面33a對應的方式反轉的圖像。 圖11的(a)表示聚光透鏡33的射入光瞳面33a上的雷射光L的強度分佈。如圖11的(a)所示，藉由使用這種調變圖案PG1，射入到空間光調變器7的雷射光L中的被光柵圖案Ga調變的部分不會射入至聚光透鏡33的射入光瞳面33a。其結果是，如圖14的(b)和圖15所示，能夠將YZ面S內的聚光區域C的光束形狀設為其整體相對於Z方向往一方向傾斜的傾斜形狀。 即，在該情況下，聚光區域C的光束形狀在比聚光區域C的中心Ca靠第2面11a側，相對於Z方向往Y方向的負側傾斜，並且在比聚光區域C的中心Ca靠與第2面11a相反側的第1面11b側，相對於Z方向往Y方向的正側傾斜。此外，圖12的(b)的各圖表示圖12的(a)所示的Z方向的各位置F1~F7處的雷射光L的XY面內的強度分佈，是攝影機的實際的觀測結果。即使在這樣控制聚光區域C的光束形狀的情況下，也與上述的例子相同，能夠形成傾斜地伸展的裂紋13。 另外，作為相對於軸線Ax非對稱的調變圖案，也能夠採用圖13所示的調變圖案PG2、PG3、PG4。調變圖案PG2在比軸線Ax靠Y方向的負側，包含向離開軸線Ax的方向依序排列的非調變區域Ba和光柵圖案Ga，在比軸線Ax靠Y方向的正側包含非調變區域Ba。即，調變圖案PG2在比軸線Ax靠Y方向的負側的區域的一部分包含光柵圖案Ga。 調變圖案PG3在比軸線AX靠Y方向的負側，包含向離開軸線Ax的方向依序排列的非調變區域Ba和光柵圖案Ga，並且在比軸線Ax靠Y方向的正側，也包含向離開軸線Ax的方向依序排列的非調變區域Ba和光柵圖案Ga。在調變圖案PG3中，在比軸線Ax靠Y方向的正側和Y方向的負側，使非調變區域Ba和光柵圖案Ga的比例不同(在Y方向的負側使非調變區域Ba相對變窄)，藉此，相對於軸線Ax構成為非對稱。 調變圖案PG4與調變圖案PG2相同，在比軸線Ax靠Y方向的負側的區域的一部分包含光柵圖案Ga。在調變圖案PG4中，在X方向上，設置有光柵圖案Ga的區域也構成一部分。即，在調變圖案PG4中，在比軸線Ax靠Y方向的負側的區域中，包含向X方向依序排列的非調變區域Ba、光柵圖案Ga、和非調變區域Ba。在此，光柵圖案Ga配置於包含穿過X方向上的雷射光L的光束點的中心Lc的沿著Y方向的軸線Ay的區域。 根據以上的任一調變圖案PG2~PG4，都能夠將聚光區域C的光束形狀設為至少在比中心Ca靠第2面11a側相對於Z方向往Y方向的負側傾斜的傾斜形狀。即，為了以至少在比中心Ca靠第2面11a側相對於Z方向往Y方向的負側傾斜的方式控制聚光區域C的光束形狀，如調變圖案PG1~PG4或不限於調變圖案PG1~PG4，能夠使用包含光柵圖案Ga的非對稱的調變圖案。 另外，作為用於將聚光區域C的光束形狀設為傾斜形狀的非對稱的調變圖案，不限定於利用光柵圖案Ga。圖14是表示非對稱的調變圖案的另一例的圖。如圖14的(a)所示，調變圖案PE在比軸線Ax靠Y方向的負側包含橢圓圖案Ew，並且在比軸線Ax靠Y方向的正側包含橢圓圖案Es。此外，圖14的(b)是使圖14的(a)的調變圖案PE以與聚光透鏡33的射入光瞳面33a對應的方式反轉的圖像。 如圖14的(c)所示，橢圓圖案Ew、Es均是用於將包含X方向和Y方向的XY面上的聚光區域C的光束形狀設為以X方向為長邊方向的橢圓形狀的圖案。但是，在橢圓圖案Ew和橢圓圖案Es中，調變的強度不同。更具體而言，橢圓圖案Es產生的調變的強度大於橢圓圖案Ew產生的調變的強度。即，由橢圓圖案Es調變的雷射光L形成的聚光區域Cs成為在X方向上比由橢圓圖案Ew調變的雷射光L形成的聚光區域Cw長的橢圓形狀。在此，在比軸線Ax靠Y方向的負側配置有相對強的橢圓圖案Es。 如圖15的(a)所示，藉由使用這種調變圖案PE，能夠將YZ面S內的聚光區域C的光束形狀設為在比中心Ca靠第2面11a側相對於Z方向往Y方向的負側傾斜的傾斜形狀。特別是在該情況下，YZ面S內的聚光區域C的光束形狀在比中心Ca靠與第2面11a相反側也相對於Z方向往Y方向的負側傾斜，作為整體成為弧狀。此外，圖15的(b)的各圖表示圖15的(a)所示的Z方向的各位置H1~F8處的雷射光L的XY面內的強度分佈，是攝影機的實際的觀測結果。 另外，用於將聚光區域C的光束形狀設為傾斜形狀的調變圖案不限定於以上的非對稱的圖案。作為一例，作為這種調變圖案，如圖16所示，可舉出以在YZ面S內的多個位置形成聚光點CI，在多個聚光點CI的整體(包含多個聚光點CI)形成傾斜形狀的聚光區域C的方式，用於調變雷射光L的圖案。作為一例，這種調變圖案能夠基於圓錐透鏡圖案形成。在使用了這種調變圖案的情況下，改質區域12本身也能夠在YZ面S內傾斜地形成。因此，在該情況下，能夠根據期望的傾斜精確地形成傾斜的裂紋13。另一方面，在使用了這種調變圖案的情況下，與上述的其它例相比，裂紋13的長度趨於變短。因此，藉由根據要求分別使用各種調變圖案，能夠進行期望的加工。 此外，上述聚光點CI例如是使非調變的雷射光聚光的點。如上所述，根據本發明人的見解，藉由在YZ面S內使至少兩個改質區域12a、12b向Y方向和Z方向移動，且在YZ面S內將聚光區域C的光束形狀設為傾斜形狀，能夠形成以相對於Z方向往Y方向傾斜的方式傾斜地延伸的裂紋13。 此外，在控制光束形狀時，在利用球面像差修正圖案的偏移的情況、利用彗形像差圖案的情況、和利用橢圓圖案的情況下，與利用繞射光柵圖案切斷雷射光的一部分的情況相比，能夠進行高能量下的加工。另外，在這些情況下，在重視裂紋的形成的情況下是有效的。另外，在利用彗形像差圖案的情況下，在多焦點加工時，能夠僅將一部分聚光區域的光束形狀設為傾斜形狀。另外，在利用圓錐透鏡圖案的情況下，與其它的圖案相比，其它的圖案的利用在重視改質區域的形成的情況下是有效的。 [雷射加工的第1實施方式] 接著，對第1實施方式的雷射加工進行說明。在此，進行切邊加工。切邊加工是在對象物11中除去不要部分的加工。圖17和圖18是表示本實施方式的加工對象物的圖。圖17的(a)、(b)和圖18的(b)為截面圖，圖18的(a)為俯視圖。以下，為了容易理解，有時在截面圖中省略陰影。 如圖17和圖18所示，對象物11包含第1晶圓(晶圓)100和第2晶圓(其它構件)200。第1晶圓100包含第1面101和第1面101的相反側的第2面102。第1晶圓100和第2晶圓200是任意的晶圓，例如為半導體晶圓(例如矽晶圓)。 第1晶圓100在第1面101側與第2晶圓200接合。更具體而言，在第1晶圓100的第1面101上形成有元件層150，在該元件層150與第2晶圓200接合。此外，在此，在第2晶圓200上也形成有元件層250，元件層150和元件層250相互接合。這樣，在本實施方式中，對象物11是第1晶圓100經由元件層150、250與作為其它構件的第2晶圓200接合而構成的貼合晶圓。 元件層150例如包含光電二極體等受光元件、雷射二極體等發光元件、記憶體等電路元件等的多個功能元件的晶片。元件層150包含從與第1面101和第2面102交叉(正交)的Z方向觀察時包含元件層的中心部分的主動區域160、以從Z方向觀察時包圍主動區域160的方式位於主動區域160的外側的環狀的周緣部170。主動區域160是包含上述多個晶片的區域。 周緣部170包含藉由切邊加工而被除去的部分。周緣部170包括包含元件層150的外緣153的區域即與第2晶圓200的接合被弱化的前處理區域172。另外，周緣部170包含從Z方向觀察時位於前處理區域的內側(主動區域160側)，並且維持與第2晶圓200的接合的接合區域。在元件層150的周緣部170，接合區域171和前處理區域172相接，形成彼此的邊界B12。 前處理區域172例如可藉由在將第1晶圓100和第2晶圓200接合之前、藉由蝕刻等使接合面粗糙的前處理而形成。在該情況下，在將第1晶圓100和第2晶圓200接合時，有時在前處理區域172的整體無法接合，也有時局部進行接合，但作為整體，接合會比其它的部分弱化(接合強度變小)。 另外，前處理區域172可藉由如下前處理形成，在將第1面101和第2晶圓200接合後，照射透射第1晶圓100並且被接合部分吸收的雷射光，藉此，在與Z方向交叉的面內形成延伸的裂紋。在該情況下，遍及前處理區域172的整體形成裂紋，也有時在前處理區域172的整體進行剝離，也有時局部維持接合，但作為整體，接合會比其它的部分弱化(接合強度變小)。 在本實施方式的雷射加工中，抑制雷射光L向第1晶圓100的與主動區域160對應的區域的照射，且藉由以上那樣雷射光L向與周緣部170對應的區域的照射，進行除去第1晶圓100的除去區域E而使有效區域R殘留的切邊加工。為此，在本實施方式的雷射加工中，進行：沿著從Z方向觀察時在周緣部170上環狀(在此為圓環狀)延伸的第1線A1的第1加工、沿著從Z方向觀察時在周緣部170上以從第1晶圓100的外緣103到達第1線A1的方式直線狀延伸的多個(在此為4個)第2線A2的第2加工、從Z方向觀察時在周緣部170上與第1線A1和第2線A2不同的位置處的第3加工。 在本實施方式中，第3加工沿著從Z方向觀察時在周緣部170上環狀(在此為圓環狀)延伸的第3線A3進行。第3線A3設定於第1線A1和外緣103之間，更具體而言，設定於邊界B12和外緣103之間。即，第3線A3位於前處理區域172上。此外，在本實施方式中，第1線A1設定於比邊界B12靠主動區域160側。即，第1線A1位於接合區域171上。 接著，對包含各加工的本實施方式的雷射加工方法(雷射加工工序)進行具體地說明。此外，在以下的說明中，Z方向為與第1晶圓100的第1面101和第2面102交叉(正交)的方向，X方向為從Z方向觀察時時的第1晶圓100的外緣103的切線方向(或周向)，Y方向為從Z方向觀察時時的從第1晶圓100的中心朝向外緣103的徑向。 如圖19所示，在本實施方式的雷射加工方法中，首先，進行第3加工(工序S101：第3加工工序)。更具體而言，在該工序S101中，以第1晶圓100的第1面101成為載置台2側的方式，構成對象物11被載置台2支承的狀態。因此，在包含該工序S101的以下的工序中，成為第1晶圓100的第2面102面向照射部3側的狀態。然後，將第2面102作為雷射光L的射入面，對第1晶圓100照射雷射光L，藉此，在第1晶圓100上形成改質區域12和從改質區域12延伸的裂紋13。 在工序S101中，控制部6藉由控制移動部4、5，來調整載置台2和照射部3的相對位置，使照射部3位於第1晶圓100上。特別是在工序S101中，雷射光L的聚光區域C在第1晶圓100的內部位於第3線A3正下方。在該狀態下，控制部6藉由控制照射部3，來對第1晶圓100照射雷射光L，並且控制移動部4，藉此，使載置台2旋轉。藉此，一邊使雷射光L的聚光區域C沿著第3線A3相對於第1晶圓100相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L。藉此，在第1晶圓100的內部形成作為改質區域12的第3改質區域123(參照圖20)。 即，在工序S101中，控制部6藉由控制照射部3和移動部4、5，執行如下第3加工處理，使聚光區域C位於從Z方向觀察時在周緣部170上與第1線A1和第2線A2不同的位置，且對第1晶圓100照射雷射光L，藉此，形成作為改質區域12的第3改質區域123。特別是在工序S101中，作為第3加工處理，控制部6一邊使聚光區域C沿著第3線A3相對移動，一邊照射雷射光L，藉此，沿著第3線A3形成第3改質區域123。如上所述，第3線A3設定於前處理區域172上。因此，在第3加工處理中，控制部6使聚光區域C位於前處理區域172上並照射雷射光L，藉此，在前處理區域172上形成第3改質區域123。 另外，在工序S101中，如圖20所示，控制部6使聚光區域C位於Z方向上的多個位置並進行同樣的雷射光L的照射，藉此，沿著Z方向形成多個第3改質區域123。而且，在該例中，形成沿著Z方向遍及多個第3改質區域123延伸的第3裂紋133，使該第3裂紋133到達第2面102。 接著，如圖21所示，在本實施方式的雷射加工方法中，進行第1加工(工序S102：第1加工工序)。更具體而言，在該工序S102中，控制部6藉由控制移動部4、5，來調整載置台2和照射部3的相對的位置，使雷射光L的聚光區域C在第1晶圓100的內部位於第1線A1的下部。在該狀態下，控制部6藉由控制照射部3，對第1晶圓100照射雷射光L，並且藉由控制移動部4，使載置台2旋轉。藉此，一邊使雷射光L的聚光區域C沿著第1線A1相對於第1晶圓100相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L。藉此，在第1晶圓100的內部形成作為改質區域12的第1改質區域121(參照圖26等)。 即，在工序S102中，控制部6藉由控制照射部3和移動部4、5，執行如下第1加工處理，一邊使聚光區域C 沿著從Z方向觀察時在周緣部170上環狀延伸的第1線A1相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L，藉此，沿著第1線A1形成作為改質區域12的第1改質區域121。 在此，在工序S102(第1加工處理)中，進行斜裂紋的形成和垂直裂紋的形成。更具體地說明這一點。在工序S102中，首先，進行斜裂紋的形成。為此，首先，如圖22所示，將聚光區域C的位置在從第1晶圓100的中心朝向外緣103的Y方向上設為第1Y位置Y1，且在Z方向上設為第1Z位置Z1，沿著第1線A1照射雷射光L。此外，第1Y位置Y1是在形成多個第1改質區域121時使聚光區域C所在的多個Y方向的位置中的最靠邊界B12側的位置。另外，第1Z位置Z1是在形成多個第1改質區域121時使聚光區域C所在的多個Z方向的位置中的最靠第1面101側的位置。藉此，如圖23所示，形成作為第1改質區域121的第1Z改質區域121a和從第1Z改質區域121a延伸的作為裂紋13的第1裂紋131。 然後，將聚光區域C的位置在Y方向上設為比第1Y位置Y1靠與邊界B12相反側(即第1晶圓100的中心側)的第2Y位置Y2，且在Z方向上設為比第1Z位置Z1靠第2面102側的第2Z位置Z2，沿著第1線A1照射雷射光L。藉此，如圖24所示，在比第1Z改質區域121a靠第2面102側且與第1晶圓100的外緣103相反側形成作為第1改質區域121的第2Z改質區域121b。在形成這些第1Z改質區域121a和第2Z改質區域121b時，如上述的斜裂紋形成的見解所示，在聚光區域C的至少比中心Ca靠第2面102側設為相對於Z方向往從第1Y位置Y1朝向第2Y位置Y2的方向(移動方向)傾斜的傾斜形狀。藉此，第1裂紋131以從第2Z改質區域121b遍及第1Z改質區域121a並且從第1Z改質區域121a朝向邊界B12的方式傾斜地伸展，並到達第1面101(特別是邊界B12)。 如上所述，在工序S102(第1加工處理)中，控制部6藉由使聚光區域C位於多個Z方向的位置並照射雷射光L，而沿著Z方向形成多個第1改質區域121(第1Z改質區域121a和第2Z改質區域121b)，以從多個第1改質區域121中的位於最靠第1面101側的第1改質區域121(第1Z改質區域121a)到達第1面101的方式形成第1裂紋131。 另外，在工序S102(第1加工處理)中，控制部6以第1裂紋131朝向前處理區域172和接合區域171的邊界B12延伸的方式，形成多個第1改質區域121(第1Z改質區域121a和第2Z改質區域121b)。特別是在工序S102(第1加工處理)中，控制部6以隨著從第2面102朝向第1面101，使第1裂紋131從接合區域171朝向邊界B12傾斜地延伸的方式，形成多個第1改質區域121(第1Z改質區域121a和第2Z改質區域121b)。 更具體而言，在工序S102(第1加工處理)中，控制部6執行如下第1斜加工處理，將聚光區域C的位置在Y方向上設為第1Y位置Y1，且在Z方向上設為第1Z位置Z1並照射雷射光L，藉此，形成第1Z改質區域121a。然後，在第1斜加工處理後，控制部6執行如下第2斜加工處理，將聚光區域C的位置在Y方向上設為比第1Y位置Y1靠與第1晶圓100的外緣103相反側的第2Y位置Y2，且在上述Z方向上設為比第1Z位置Z1靠第2面102側的第2Z位置Z2並照射雷射光L，藉此，在比第1Z改質區域121a靠第2面102側且與第1晶圓100的外緣103相反側形成第2Z改質區域121b，使第1裂紋131以從第1Z改質區域121a朝向邊界B12的方式傾斜地伸展。 接著，在工序S102中，進行垂直裂紋的形成。為此，如圖24所示，將雷射光L的聚光區域C的位置在Y方向上設為第2Y位置Y2，且在Z方向設為比第2Z位置Z2靠第2面102側的第3Z位置Z3，沿著第1線A1照射雷射光L。藉此，如圖25所示，形成作為第1改質區域121的第3Z改質區域121c。在此，對於多個第3Z位置Z3同樣進行雷射光L的照射，藉此，沿著Z方向形成多個第3Z改質區域121c，並且以遍及該多個第3Z改質區域121c的方式形成沿著Z方向延伸的第3裂紋(垂直裂紋)131b。此時，能夠使第3裂紋131b以到達第2面102的方式伸展。 這樣，在工序S102(第1加工處理)中，控制部6藉由控制照射部3和移動部4、5，執行如下垂直加工處理，在第2Y位置Y2，使聚光區域C位於比第2Z位置Z2靠第2面102側的多個第3Z位置Z3，沿著第1線A1照射雷射光L，藉此，在第2Y位置Y2形成沿著Z方向排列的多個第3Z改質區域121c，遍及該多個第3Z改質區域121c使第3裂紋131b垂直地伸展。 接著，如圖26所示，在本實施方式的雷射加工方法中，進行第2加工(工序S103，第2加工工序)。更具體而言，在該工序S103中，控制部6藉由控制移動部4、5，來調整載置台2和照射部3的相對的位置，使雷射光L的聚光區域C在第1晶圓100的內部位於第2線A2的下部。在該狀態下，控制部6藉由控制照射部3，對第1晶圓100照射雷射光L，並且藉由控制移動部4和移動部5的至少一者，使載置台2沿著Y方向移動。藉此，一邊使雷射光L的聚光區域C沿著第2線A2相對於第1晶圓100相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L。藉此，在第1晶圓100的內部形成作為改質區域12的第2改質區域122(參照圖26等)。 這樣，在工序S103中，控制部6藉由控制照射部3和移動部4、5，執行如下第2加工處理，一邊使聚光區域C沿著從Z方向觀察時在周緣部170上以從第1晶圓100的外緣103到達第1線A1的方式直線狀延伸的第2線A2相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L，藉此，沿著第2線A2形成作為改質區域12的第2改質區域122。 以上的第2工序中形成的第2改質區域122和從第2改質區域122延伸的裂紋，是以從第1晶圓100的外緣103到達沿著第1線A1形成的第1改質區域121和第1裂紋131的方式形成。藉此，第1晶圓100的除去區域E能夠沿著周向以第2線A2的數量(在此，4個)分割。 然後，利用規定的夾具和裝置，將除去區域E從第1晶圓100除去，使經由元件層150、250來與第2晶圓200接合的有效區域R殘留。藉此，對象物11的切邊加工完成。然後，能夠在實施了從第2面102側磨削有效區域R而薄化的工序後，對薄化的有效區域R進一步接合其它的晶圓，並且重複實施上述一連串的工序。 如以上進行的說明，在本實施方式的雷射加工方法和雷射加工裝置1中，對經由元件層150、250與第2晶圓200接合的第1晶圓100照射雷射光L，進行雷射加工。元件層150包含包括多個晶片的主動區域160和以包圍主動區域160的方式位於主動區域160的外側的周緣部170。而且，在雷射加工中，藉由沿著在該周緣部170上環狀延伸的第1線A1照射雷射光L，而形成沿著第1線A1的第1改質區域121。藉此，能夠利用第1改質區域121和從第1改質區域121延伸的第1裂紋131，進行將晶圓的外緣部分作為不要部分(除去區域E)除去的切邊。 特別是在本實施方式的雷射加工方法和雷射加工裝置1中，在雷射加工中，藉由沿著在元件層150的周緣部170上以從第1晶圓100的外緣103到達第1線A1的方式延伸的第2線A2照射雷射光，而沿著第2線A2形成第2改質區域122。藉此，能夠利用第2改質區域122和從第2改質區域122延伸的裂紋，將第1晶圓100的除去區域E沿周向分割成多個部分並容易地進行切邊。 另外，在本實施方式的雷射加工方法和雷射加工裝置1中，藉由在元件層150的周緣部170上的與第1線A1和第2線A2不同的位置照射雷射光L，而形成第3改質區域123。這種第3改質區域123緩和產生於第1晶圓100內部的應力。因此，在使從第1改質區域121延伸的第1裂紋131伸展到達第1面101之前進行該第3改質區域123的形成，藉此抑制第1裂紋131由於第1晶圓100內部的應力向非意圖的方向伸展。因此，能夠抑制貼合晶圓的切邊加工的品質下降。 此外，在使從第1改質區域121延伸的第1裂紋131伸展到達第1面101之前(作為一例為第1加工處理之前)形成的改質區域12(在此為第3改質區域123)作為用於緩和第1晶圓100內部的應力的改質區域發揮作用，以使第1裂紋131不向非意圖的方向伸展。 從這種觀點來看，在雷射加工裝置1中，控制部6藉由控制照射部3和移動部4、5，來執行如下應力緩和處理，從Z方向觀察時使聚光區域C位於周緣部170上的位置並對第1晶圓100照射雷射光L，藉此，形成用於緩和產生於第1晶圓100的內部的應力的改質區域12。特別是控制部6在使從第1改質區域121延伸的第1裂紋131伸展到達第1面101之前(作為一例為第1加工處理之前)，執行應力緩和處理。 此外，在本實施方式的雷射加工方法和雷射加工裝置1中，在Z方向上形成多個沿著第1線A1的第1改質區域121。藉此，能夠利用多個第1改質區域121和從第1改質區域121延伸的第1裂紋131，進行將晶圓的外緣部分作為不要部分(除去區域E)除去的切邊。而且，在用於使從多個第1改質區域121中的位於最靠第1晶圓100的第1面101側(即元件層150側)的第1Z改質區域121a延伸的第1裂紋131伸展到達第1面101的加工前進行第3改質區域123的形成，藉此抑制第1裂紋131由於第1晶圓100內部的應力而向非意圖的方向伸展。因此，能夠抑制貼合晶圓的切邊加工的品質下降。此外，在此，用於使從多個第1改質區域121中的位於最靠第1晶圓100的第1面101側的第1Z改質區域121a延伸的第1裂紋131伸展到達第1面101的加工，是形成第2Z改質區域121b的加工。 藉此，在本實施方式的雷射加工裝置1中，控制部6在形成用於使多個第1改質區域121中的第1裂紋131伸展到達第1面101的第1改質區域121(在此為第2Z改質區域121b)之前(作為一例為第1加工處理之前)，執行應力緩和處理。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，控制部6在第1加工處理之前執行第3加工處理。藉此，能夠在第1裂紋131伸展到達第1面101之前更可靠地進行第3改質區域123的形成。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，周緣部170具有包含元件層150的外緣153的區域即與第2晶圓200的接合被弱化的前處理區域172、和從Z方向觀察時位於前處理區域172的內側的接合區域171。而且，在第1加工處理中，控制部6以第1裂紋131朝向前處理區域172和接合區域171的邊界B12延伸的方式形成第1改質區域121。這樣，在作為第1晶圓100的接合部分的元件層150包含接合被弱化的前處理區域172的情況下，容易在第1晶圓100的內部產生應力。因此，如上所述，形成第3改質區域123，實現應力緩和變得更有效。另外，在該情況下，抑制第1裂紋131非意圖地伸展到達前處理區域172的內部，抑制品質下降。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，在第1加工處理中，控制部6以隨著從第2面102朝向第1面101，使第1裂紋131從接合區域171朝向邊界B12傾斜延伸的方式形成第1改質區域121。因此，第1裂紋131成為斜裂紋，所以抑制第1裂紋131越過元件層150到達第2晶圓200。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，在第3加工處理中，控制部6藉由使聚光區域C位於前處理區域172上並照射雷射光L，而在前處理區域172上形成第3改質區域123。藉此，能夠可靠地緩和前處理區域172引起的第1晶圓100內部的應力。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，在第3加工處理中，控制部6一邊使聚光區域C沿著從Z方向觀察時在前處理區域172上環狀延伸的第3線A3相對移動，一邊照射雷射光L，藉此沿著第3線A3形成第3改質區域123。因此，能夠遍及第1晶圓100的整周實現應力緩和。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，在第3加工處理中，控制部6藉由使聚光區域C位於多個Z方向的位置並照射雷射光L，而沿著Z方向形成多個第3改質區域123，並且使遍及該多個第3改質區域123延伸的第3裂紋133到達第2面102。藉此，除了第1晶圓100內部的應力緩和之外，還能夠抑制第1晶圓100的翹曲。 [第1實施方式的變形例] 接著，對第1實施方式的變形例進行說明。另外，在上述第1實施方式的雷射加工裝置1中，對如下例子進行了說明，在工序S101(第3加工工序、第3加工處理)中，控制部6藉由使聚光區域C位於多個Z方向的位置並照射雷射光L，而沿著Z方向形成多個第3改質區域123，並且使遍及該多個第3改質區域123延伸的第3裂紋133到達第2面102。但是，在工序S101中，也可以形成單一的第3改質區域123且使第3裂紋133到達第2面102。即，在工序S101中，控制部6也可以形成第3改質區域123並且使從該第3改質區域123延伸的第3裂紋133到達第2面102。另外，在上述第1實施方式中，對如下例子進行了說明，在工序S101(第3加工工序、第3加工處理)中，以第3裂紋133到達第1晶圓100的第2面102的方式，且以不到達第1晶圓100的第1面101的方式形成多個第3改質區域123。 但是，如圖27的(a)所示，在工序S101中，也可以以第3裂紋133均不到達第1面101和第2面102中的任一面的方式形成多個第3改質區域123(第3改質區域123也可以為一個)。即，在第3加工處理中，控制部6藉由使聚光區域C位於周緣部170上與第1線A1和第2線A2不同的位置且照射雷射光L，而能夠以從第3改質區域123延伸的第3裂紋133不到達第1面101和第2面102的方式形成第3改質區域123。在該情況下，能夠抑制第3改質區域和從第3改質區域延伸的裂紋引起的晶圓的破裂。 另外，如圖27的(b)所示，在工序S101中，在以第3裂紋133不到達第1面101和第2面102的方式形成第3改質區域123的情況下，也可以在更深的位置(更接近第1面101的位置)形成第3改質區域123。該情況下的第3改質區域123(形成該第3改質區域123時的聚光區域C)的Z方向的位置能夠設為至少比第1晶圓100的Z方向的中心靠第1面101側的位置。 在該例中，在第1加工處理中，控制部6藉由使聚光區域C位於多個Z方向的位置並照射雷射光L，而沿著Z方向形成多個第1改質區域121，使聚光區域C位於形成該多個第1改質區域121中的位於最靠第1面101側的第1改質區域121時的聚光區域C的Z方向的位置即第1Z位置Z1，形成第3改質區域123。即，在第3加工處理中，也可以使控制部6藉由使聚光區域C位於形成多個第1改質區域121中的位於最靠第1面101側的第1改質區域121時的聚光區域C的Z方向的位置即第1Z位置Z1並照射雷射光L，形成第3改質區域123。在該情況下，能夠抑制第3改質區域123和從第3改質區域123延伸的第3裂紋133所引起的第1晶圓100的破裂。特別是在該情況下，第3改質區域123形成於前處理區域172的正上方，所以能夠適當緩和前處理區域172所引起的應力。 此外，在以上的例子中，舉出了在工序S101中，在Y方向上形成一列第3改質區域123的例子，但也可以在Y方向上形成多列第3改質區域123。例如，在周緣部170上同心圓狀地設定多個第3線A3，且進行沿著各個第3線A3的雷射光L的照射，藉此，能夠在Y方向上形成多列第3改質區域123。 另外，在上述第1實施方式中，說明了如下例子，在工序S103(第2加工工序、第2加工處理)中，沿著從第1晶圓100的外緣103到第1線A1的一個第2線A2，一併進行雷射光L的照射。但是，也可以分多次進行沿著第2線A2的雷射光L的照射。 更具體而言，如圖28所示，第2線A2包含從第1晶圓100的外緣103到第3線A3的第1部分A2a和從第3線A3到第1線A1的第2部分A2b，能夠對各個部分進行雷射光L的照射。作為一例，能夠在第1工序S101之前進行沿著第1部分A2a的雷射光L的照射，並且在第1工序S101之後進行沿著第2部分A2b的雷射光L的照射。 即，在第2加工處理中，控制部6執行：第1部分處理，一邊使聚光區域C沿著第2線A2中的第1部分A2a相對移動，一邊照射雷射光L，藉此沿著第1部分A2a形成第2改質區域122；和第2部分處理，一邊使聚光區域C沿著第2線中的第2部分A2b相對移動，一邊照射雷射光L，藉此沿著第2部分A2b形成第2改質區域122，並且控制部6能夠至少在第1加工處理之前執行第1部分處理。 在該情況下，能夠在第1裂紋131伸展到達第1面101之前，除了利用第3改質區域123之外，還利用形成於第2線A2的第1部分A2a的第2改質區域122，實現第1晶圓100內部的應力緩和。在該情況下，除了第3改質區域123之外，藉由第1部分處理形成的第2改質區域122也作為用於緩和產生於第1晶圓100的內部的應力的改質區域12來發揮作用。因此，控制部6在第1部分處理的同時，執行應力緩和處理。 另外，在該情況下，控制部6也能夠在第1加工處理之前進行第1部分處理和第2部分處理兩者。在該情況下，能夠在第1裂紋131伸展到達第1面101之前，除了第3改質區域123之外，還利用形成於第2線A2的第1部分A2a和第2部分A2b的第2改質區域122，實現第1晶圓100內部的應力緩和。在該情況下，除了第3改質區域123之外，藉由第1部分處理和第2部分處理而形成的第2改質區域122也作為用於緩和產生於第1晶圓100的內部的應力的改質區域12來發揮作用。因此，控制部6在第1部分處理和第2部分處理的同時，執行應力緩和處理。 另一方面，控制部6也能夠在第1加工處理之前進行第1部分處理，並且在第1加工處理之後進行第2部分處理。在該情況下，在形成第2線A2中的到達第1線A1的第2部分A2b中的第2改質區域122時，在第1線A1上已經形成第1改質區域121，所以藉由第1改質區域121阻止從第2改質區域122沿水平方向延伸的裂紋的伸展。此外，在任意情況下，與工序S101(第3加工工序、第3加工處理)的前後關係也是任意的。 另外，也可以至少局部地同時進行工序S101和工序S102。更具體而言，如圖29所示，在工序S101中形成第1Z改質區域121a時(第1斜加工處理時)，將雷射光L分支成多個(在此為兩個)雷射光L1、L2，使雷射光L1的聚光區域C位於第1Z位置Z1和第1Y位置Y1，且使雷射光L2的聚光區域C位於第1Z位置Z1和第3Y位置Y3並進行雷射光L1、L2的照射，藉此，能夠在各個位置同時形成第1Z改質區域121a和第3改質區域123。此外，第3Y位置Y3是比邊界B12的Y方向的位置靠外緣153側的位置。另外，在Y方向上與第1Z改質區域121a同時形成多個第3改質區域123的情況下，只要將雷射光L分支成3個以上即可。 在以上的例子中，說明了在工序S102(第1加工工序、第1加工處理)中形成斜裂紋(第1裂紋131)的情況。但是，也可以在工序S102中，僅形成垂直裂紋。即，也可以以到達第1面101(特別是邊界B12)的方式形成從第1改質區域121向Z方向延伸的第1裂紋131。或者，也可以以到達第1面101(特別是邊界B12)的方式形成從多個第1改質區域121中的最靠第1面101側的第1改質區域121向Z方向延伸的第1裂紋131。 在此，在以上的例子中，在工序S101(第3加工工序、第3加工處理)中，進行沿著從Z方向觀察時圓環狀的第3線A3的雷射光L的照射，沿著第3線A3形成第3改質區域123。但是，第3改質區域123只要形成於第1晶圓100的至少周緣部170上的區域即可，不限定於遍及這種圓環狀的第3線A3的整體而形成的情況。換言之，在工序S101中，也可以僅在第3線A3的一部分形成第3改質區域123。 圖30是表示第1晶圓的一例的俯視圖。在圖30的例子中，第1晶圓100為矽晶圓。第1晶圓100將第2面102設為(100)面，具有包含一個(110)面、另一個(110)面、與一個(110)面正交的第1結晶方位K1、和與另一個(110)面正交的第2結晶方位K2的結晶結構。此外，第3結晶方位K3和第4結晶方位K4均為與(100)面正交的結晶方位。 將第2結晶方位K2和第3線A3正交的點設為0°和180°，將第1結晶方位K1和第3線A3正交的點設為90°和270°，將第3線A3上的0°和90°的中間的點設為45°，將90°和180°的中間的點設為135°，將180°和270°的中間的點設為225°，將270°和0°的中間的點設為315°。45°和225°的點是第3結晶方位K3和第3線A3正交的點。135°和315°的點是第4結晶方位K4和第3線A3正交的點。此外，在第1晶圓100上，在0°的位置設置有槽口100n。 在工序S101中僅在第3線A3的一部分形成第3改質區域123的情況，即在工序S102中僅形成垂直裂紋的情況下，按照以上的角度的定義，在第3線A3的5°~15°的第1角度範圍、和75°~85°的第2角度範圍內，進行雷射光L的照射而局部形成第3改質區域123是有效的。這是由於，第1角度範圍和第2角度範圍是垂直裂紋的控制相對困難的範圍，所以應力緩和更有效地發揮作用。此外，第1角度範圍和第2角度範圍還包含分別對上述的數值相加90°的整數倍的範圍。 另外，在工序S101中僅在第3線A3的一部分形成第3改質區域123的情況，即在工序S102中形成斜裂紋的情況下(上述第1實施方式的情況下)，在第3線A3的包含45°的範圍(例如40°~50°)的第3角度範圍內，進行雷射光L的照射而局部形成第3改質區域123是有效的。這是由於，第3角度範圍為斜裂紋的控制相對困難的範圍，所以應力緩和更有效地發揮作用。此外，第3角度範圍還包含對上述的數值相加90°的整數倍的範圍。 此外，在上述變形例中，說明了在圓環狀的第3線A3的一部分形成第3改質區域123的情況，但第3改質區域123的形成的方式不限定於形成為圓環狀的情況，是任意的。另外，第3改質區域123的形成位置和形成數量也是任意的。例如，第3改質區域123在周緣部170上，可以形成於比第1改質區域121靠第1晶圓100的中心側，也可以形成於第1改質區域121的兩側。 [雷射加工的第2實施方式] 接著，對第2實施方式的雷射加工進行說明。在此，與第1實施方式同樣地進行切邊加工。圖31是表示本實施方式的加工對象物的圖。圖31的(a)為俯視圖，圖31的(b)為截面圖。圖31所示的對象物11與圖17等所示的第1實施方式的對象物11同樣。即，在本實施方式中，對象物11也是將第1晶圓100經由元件層150、250與作為其它構件的第2晶圓200接合而構成的貼合晶圓。 在本實施方式的雷射加工中，也與第1實施方式同樣，抑制雷射光L對第1晶圓100的與主動區域160對應的區域的照射，藉由雷射光L對與周緣部170對應的區域的照射，進行除去第1晶圓100的除去區域E而使有效區域R殘留的切邊加工。但是，在本實施方式的雷射加工中，進行沿著從Z方向觀察時在周緣部170上環狀(在此為圓環狀)延伸的第1線A1的第1加工、和沿著以從第1晶圓100的外緣103到第1線A1的方式直線狀延伸的多個(在此為4個)第2線A2的第2加工。即，在本實施方式的雷射加工中，與第1實施方式相比，不進行從Z方向觀察時在周緣部170上與第1線A1和第2線A2不同的位置處的第3加工(第3加工不是必須的)。另外，在本實施方式中，從Z方向觀察時將第1線A1設定於前處理區域172上。 具體地說明包含各加工的本實施方式的雷射加工方法(雷射加工工序)。如圖32所示，在本實施方式的雷射加工方法中，首先，進行第1加工(工序S201：第1加工工序)。更具體而言，在該工序S101中，控制部6藉由控制移動部4、5，來調整載置台2和照射部3的相對的位置，使雷射光L的聚光區域C在第1晶圓100的內部位於第1線A1的下部。在該狀態下，控制部6藉由控制照射部3，對第1晶圓100照射雷射光L，並且藉由控制移動部4，使載置台2旋轉。藉此，一邊使雷射光L的聚光區域C沿著第1線A1相對於第1晶圓100相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L。藉此，在第1晶圓100的內部形成作為改質區域12的第1改質區域121(參照圖36等)。 即，在工序S201中，控制部藉由控制照射部3和移動部4、5，執行如下第1加工處理，一邊使聚光區域C沿著從Z方向觀察時在周緣部170上環狀延伸的第1線A1相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L，藉此沿著第1線A1形成作為改質區域12的第1改質區域121。 在此，在工序S201(第1加工處理)中，進行斜裂紋的形成和垂直裂紋的形成。更具體地說明這一點。在工序S201中，首先，進行斜裂紋的形成。為此，首先，如圖33所示，將聚光區域C的位置在從第1晶圓100的中心朝向外緣103的Y方向上設為第1Y位置Y1，且在Z方向上設為第1Z位置Z1，沿著第1線A1照射雷射光L。此外，第1Y位置Y1是在形成多個第1改質區域121時使聚光區域C所在的多個Y方向的位置中的最靠邊界B12側的位置。另外，第1Z位置Z1是在形成多個第1改質區域121時使聚光區域C所在的多個Z方向的位置中的最靠第1面101側的位置。 另外，作為一例，這裡的第1Z位置Z1與第1實施方式中的第1Z位置Z1相同，且第1Y位置Y1與第1實施方式中的第1Y位置Y1不同。即，在第1實施方式中，第1Y位置Y1是比邊界B12靠主動區域160側的位置，但在此，是比邊界B12靠外緣103、153側的位置。藉此，如圖34所示，形成作為第1改質區域121的第1Z改質區域121a和從第1Z改質區域121a延伸的作為裂紋13的第1裂紋131。在此，第1Z改質區域121a和第1裂紋131根據上述那樣的第1Y位置Y1形成於比邊界B12靠外緣103、153側。即，在本實施方式中，在第1晶圓100的前處理區域172上的區域形成第1Z改質區域121a和第1裂紋131。 然後，將聚光區域C的位置在Y方向上設為比第1Y位置Y1靠外緣103、153側的第2Y位置Y2，且在Z方向上設為比第1Z位置Z1靠第2面102側的第2Z位置Z2，沿著第1線A1照射雷射光L。藉此，如圖35所示，在比第1Z改質區域121a靠第2面102側且第1晶圓100的外緣103側形成作為第1改質區域121的第2Z改質區域121b。在形成這些第1Z改質區域121a和第2Z改質區域121b時，如上述的斜裂紋形成的見解所示，即使沒有聚光區域C，在比聚光區域C的中心Ca靠第2面102側，也設為相對於Z方向往從第1Y位置Y1朝向第2Y位置Y2的方向(移動方向)傾斜的傾斜形狀。藉此，第1裂紋131以從第2Z改質區域121b遍及第1Z改質區域121a並且從第1Z改質區域121a朝向邊界B12的方式傾斜地伸展，並到達第1面101(特別是邊界B12)。 如上所述，在工序S201(第1加工處理)中，控制部6藉由從Z方向觀察時在前處理區域172上的位置，使聚光區域C位於多個Z方向的位置並照射雷射光L，而沿著Z方向形成多個第1改質區域121(第1Z改質區域121a和第2Z改質區域121b)，從多個第1改質區域121中的位於最靠第1面101側的第1改質區域121(第1Z改質區域121a)形成第1裂紋131，該第1裂紋131隨著從第2面102朝向第1面101，以從邊界B12的外側朝向邊界B12的方式傾斜地延伸。 更具體而言，在工序S201(第1加工處理)中，控制部6執行如下第1斜加工處理，藉由將聚光區域C的位置在Y方向上設為第1Y位置Y1，且在Z方向上設為第1Z位置Z1並在照射雷射光L，而形成作為第1改質區域121的第1Z改質區域121a。而且，在第1斜加工處理之後，控制部6執行如下第2斜加工處理，藉由將聚光區域C的位置在Y方向上設為比第1Y位置Y1靠第1晶圓100的外緣103側的第2Y位置Y2，且在Z方向上設為比第1Z位置Z1靠第2面102側的第2Z位置Z2並照射雷射光L，而在比第1Z改質區域121a靠第2面102側且第1晶圓100的外緣103側形成作為第1改質區域121的第2Z改質區域121b，並以從第1Z改質區域121a朝向邊界B12的方式傾斜地使第1裂紋131伸展。 此外，多個第1改質區域121中的第2Z改質區域121b用於使第1裂紋131伸展到達第1面101。另外，第1Z改質區域121a形成於前處理區域172上而有助於第1晶圓100內部的應力緩和。因此，在工序S201中，控制部6在形成用於使多個第1改質區域121中的第1裂紋131伸展到達第1面101的第1改質區域121(第2Z改質區域121b)之前執行藉由從Z方向觀察時使聚光區域C位於周緣部170上的位置並對第1晶圓100照射雷射光L，而形成用於緩和產生於第1晶圓100的內部的應力的改質區域12(第1Z改質區域121a)的應力緩和處理。即，在此，第1斜加工處理被認為是應力緩和處理。 接著，在工序S201中，進行垂直裂紋的形成。為此，如圖35所示，將雷射光L的聚光區域C的位置在Y方向上設為第2Y位置Y2，且在Z方向上設為比第2Z位置Z2靠第2面102側的第3Z位置Z3，沿著第1線A1照射雷射光L。藉此，如圖36所示，形成作為第1改質區域121的第3Z改質區域121c。在此，對於多個第3Z位置Z3同樣進行雷射光L的照射，藉此，沿著Z方向形成多個第3Z改質區域121c，並且以遍及該多個第3Z改質區域121c的方式形成沿著Z方向延伸的第3裂紋(垂直裂紋)131b。此時，能夠使第3裂紋131b伸展到達第2面102。 這樣，在工序S201(第1加工處理)中，控制部6在第2斜加工處理之後，執行如下垂直加工處理，藉由在第2Y位置Y2，使聚光區域C位於比第2Z位置Z2靠第2面102側的多個Z方向的位置並照射雷射光L，而在第2Y位置Y2形成沿著Z方向排列的多個第1改質區域121(第3Z改質區域121c)，遍及該多個第1改質區域121使第3裂紋131b垂直地伸展。 接著，與第1實施方式同樣，在本實施方式的雷射加工方法中，也進行第2加工(工序S202，第2加工工序)。更具體而言，在該工序S202中，控制部6藉由控制移動部4、5，來調整載置台2和照射部3的相對的位置，使雷射光L的聚光區域C在第1晶圓100的內部位於第2線A2的下部(參照圖26)。在該狀態下，控制部6藉由控制照射部3，對第1晶圓100照射雷射光L，並且藉由控制移動部4和移動部5的至少一者，使載置台2沿著Y方向移動。藉此，一邊使雷射光L的聚光區域C沿著第2線A2相對於第1晶圓100相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L。藉此，在第1晶圓100的內部形成作為改質區域12的第2改質區域122(參照圖26)。 這樣，在工序S202中，控制部6藉由控制照射部3和移動部4、5，執行如下第2加工處理，一邊使聚光區域C沿著從Z方向觀察時在周緣部170上以從第1晶圓100的外緣103到第1線A1的方式直線狀延伸的第2線A2相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L，藉此，沿著第2線A2形成作為改質區域12的第2改質區域122。 以上的第2工序中形成的第2改質區域122和從第2改質區域122延伸的裂紋是以從第1晶圓100的外緣103到達沿著第1線A1形成的第1改質區域121和第1裂紋131的方式形成。藉此，第1晶圓100的除去區域E能夠沿著周向以第2線A2的數量(在此為4個)分割。 然後，利用既定的夾具和裝置，將除去區域E從第1晶圓100除去，使經由元件層150、250與第2晶圓200接合的有效區域R殘留。藉此，對象物11的切邊加工完成。然後，能夠在實施了從第2面102側磨削有效區域R而薄化的工序後，對薄化的有效區域R進一步接合其它的晶圓，並且重複實施上述一連串的工序。 如以上進行的說明，在本實施方式的雷射加工方法和雷射加工裝置1中，對經由元件層150、250與第2晶圓200接合的第1晶圓100照射雷射光L，進行雷射加工。元件層150包含包括多個晶片的主動區域160和以包圍主動區域160的方式位於主動區域160的外側的周緣部170。而且，在雷射加工中，藉由沿著在該周緣部170上環狀延伸的第1線A1照射雷射光L，而形成沿著第1線A1的第1改質區域121。藉此，能夠利用第1改質區域121和從第1改質區域121延伸的第1裂紋131，進行將晶圓的外緣部分作為不要部分(除去區域E)除去的切邊。 特別是在本實施方式的雷射加工方法和雷射加工裝置1中，相對於元件層150的周緣部170，形成有與第2晶圓200的接合被弱化的前處理區域172。在這樣形成前處理區域172的情況下，可能如上述那樣在第1晶圓100內部產生應力。前處理區域172的形成所引起的第1晶圓100內部的應力能夠藉由在前處理區域172上形成改質區域12而緩和。因此，在本實施方式的雷射加工方法和雷射加工裝置1中，在前處理區域172上的位置，照射雷射光L而形成第1改質區域121，藉此，能夠緩和前處理區域172的形成所引起的第1晶圓100內部的應力，且使第1裂紋131從第1改質區域121向意圖的方向傾斜地伸展。因此，根據本實施方式的雷射加工方法和雷射加工裝置1，能夠抑制貼合晶圓的切邊加工的品質下降。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，在第1加工處理中，控制部6執行：第1斜加工處理，將聚光區域C的位置在Y方向上設為第1Y位置Y1，且在Z方向上設為第1Z位置Z1並照射雷射光L，藉此形成作為第1改質區域121的第1Z改質區域121a；第2斜加工處理，在第1斜加工處理之後，將聚光區域C的位置在Y方向上設為比第1Y位置Y1靠外緣103側的第2Y位置Y2，且在Z方向上設為比第1Z位置Z1靠第2面102側的第2Z位置Z2並照射雷射光L，藉此在比第1Z改質區域121a靠第2面102側且外緣103側形成作為第1改質區域121的第2Z改質區域121b，使第1裂紋131以從第1Z改質區域121a朝向邊界B12的方式傾斜地伸展。這樣，藉由依序形成傾斜地並排的至少兩個改質區域12，能夠更適當地實現斜裂紋的形成。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，在第1加工處理中，控制部6在第2斜加工處理之後，執行如下垂直加工處理，藉由在第2Y位置Y2，使聚光區域C位於比第2Z位置Z2靠第2面102側的多個Z方向的位置並照射雷射光L，而在第2Y位置Y2形成沿著Z方向排列的多個第1改質區域121(第3Z改質區域121c)，遍及該多個第1改質區域121使第3裂紋131b垂直地伸展。這樣，在更遠離作為雷射光L的射入面的第2面102的(更深的)Z位置進行第1斜加工處理和第2斜加工處理後，在更淺的位置進行垂直加工處理。因此，在任意處理中，均不會受到已經形成的改質區域12的影響，能夠形成新的改質區域12。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，控制部6在第1加工處理之後，藉由控制照射部3和移動部4、5，執行如下第2加工處理，一邊使聚光區域C沿著從Z方向觀察時在周緣部170上以從第1晶圓100的外緣103到第1線A1的方式延伸的第2線A2相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L，藉此沿著第2線A2形成作為改質區域12的第2改質區域122。藉此，能夠利用第2改質區域122和從第2改質區域122延伸的裂紋，將第1晶圓100的外緣部分(除去區域E)沿周向分割成多個部分而容易地進行切邊。特別是在該情況下，在第1加工處理之後進行第2加工處理。因此，能夠藉由沿著第1線A1已經形成的第1改質區域121和從第1改質區域121延伸的裂紋阻止從第2改質區域122延伸的裂紋的伸展。因此，能夠抑制加工品質的降低。 另外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，控制部6藉由控制照射部3和移動部4、5，執行如下應力緩和處理(第1斜加工處理)，藉由從Z方向觀察時使聚光區域C位於周緣部170上的位置並對第1晶圓100照射雷射光L，而形成用於緩和產生於第1晶圓100的內部的應力的改質區域12(第1Z改質區域121a)。特別是，控制部6在使第1裂紋131伸展到達第1面101之前，執行應力緩和處理。 這樣，在本實施方式的雷射加工裝置1中，從第1改質區域121延伸的第1裂紋131伸展到達第1面101之前，形成用於緩和第1晶圓100內部的應力的改質區域12(第1Z改質區域121a)。因此，抑制第1裂紋131由於第1晶圓100內部的應力向非意圖的方向伸展。因此，根據本實施方式的雷射加工裝置1，能夠抑制貼合晶圓的切邊加工的品質下降。 此外，在本實施方式的雷射加工裝置1中，在Z方向上形成多個沿著第1線A1的第1改質區域121。藉此，能夠利用多個第1改質區域121和從第1改質區域121延伸的第1裂紋131，進行將晶圓的外緣部分作為不要部分(除去區域E)除去的切邊。而且，控制部6在形成用於使多個第1改質區域121中的至少第1裂紋131伸展到達第1面101的第1改質區域121(第2Z改質區域121b)之前，執行應力緩和處理。 這樣，在本實施方式的雷射加工裝置1中，在用於使從多個第1改質區域121中的位於最靠第1晶圓100的第1面101側(即元件層150側)的第1改質區域121(第1Z改質區域121a)延伸的第1裂紋131伸展到達第1面101的加工前，形成用於緩和第1晶圓100內部的應力的改質區域12(第1Z改質區域121a)。因此，抑制第1裂紋131由於第1晶圓100內部的應力向非意圖的方向伸展。因此，根據本實施方式的雷射加工裝置1，能夠抑制貼合晶圓的切邊加工的品質下降。 [第2實施方式的變形例] 接著，對第2實施方式的變形例進行說明。首先，在上述第2實施方式中，對不進行形成第3改質區域123的第3加工處理的情況進行了說明。但是，在第2實施方式中，也可以與第1實施方式同樣，進一步進行第3加工處理。即，控制部6也可以在工序S201(第1加工工序、第1加工處理)之前，執行如下第3加工處理，藉由使聚光區域C 位於從Z方向觀察時在周緣部170上與第1線A1和第2線A2不同的位置，且對第1晶圓100照射雷射光L，而形成作為改質區域12的第3改質區域123。第3加工處理的執行的時機和具體的處理內容能夠與第1實施方式同樣地進行。另外，在第2實施方式中進行第3加工處理的情況下，也能夠採用與第1實施方式的變形例同樣的變形。 另外，在上述第2實施方式中，說明了在工序S201(第1加工工序、第1加工處理)之後，進行工序S202(第2加工工序、第2加工處理)，沿著第2線A2形成第2改質區域122的例子。但是，該順序能夠變更。更具體地說明這一點。 即，在第2實施方式的雷射加工裝置1中，控制部6也可以在第1加工處理之前，藉由控制照射部3和移動部4、5，執行如下第2加工處理，一邊使聚光區域C沿著第2線A2相對移動，一邊對第1晶圓100照射雷射光L，藉此沿著第2線A2形成作為改質區域12的第2改質區域122。在該情況下，也與上述的情況同樣，能夠利用第2改質區域122和從第2改質區域122延伸的裂紋，將第1晶圓100的除去區域E沿周向分割成多個部分而容易地進行切邊。特別是在該情況下，在第1加工處理之前進行第2加工處理。因此，能夠在藉由第2加工處理中形成的第2改質區域122，來進一步緩和第1晶圓100內部的應力的狀態下，形成第1加工處理中傾斜地延伸的第1裂紋131。 另一方面，第2實施方式也與第1實施方式同樣，在第2加工處理中，控制部6執行：第1部分處理，一邊使聚光區域C沿著第2線A2中的第1部分A2a相對移動，一邊照射雷射光L，藉此沿著第1部分A2a形成第2改質區域122；第2部分處理，一邊使聚光區域C沿著第2線中的第2部分A2b相對移動，一邊照射雷射光L，藉此沿著第2部分A2b形成第2改質區域122，並且控制部6能夠至少在第1加工處理之前執行第1部分處理。 在該情況下，能夠在第1裂紋131伸展到達第1面101之前，除了利用第3改質區域123之外，還利用形成於第2線A2的第1部分A2a的第2改質區域122，實現第1晶圓100內部的應力緩和。在該情況下，第1部分處理中形成的第2改質區域122也作為用於緩和產生於第1晶圓100的內部的應力的改質區域12來發揮作用。因此，控制部6在第1部分處理的同時，執行應力緩和處理。 另外，在該情況下，控制部6也能夠在第1加工處理之前進行第1部分處理和第2部分處理兩者。在該情況下，能夠在第1裂紋131伸展到達第1面101之前，藉由形成於第2線A2的第1部分A2a和第2部分A2b的第2改質區域122，實現第1晶圓100內部的應力緩和。在該情況下，第1部分處理和第2部分處理中形成的第2改質區域122也作為用於緩和產生於第1晶圓100的內部的應力的改質區域12來發揮作用。因此，控制部6在第1部分處理和第2部分處理的同時，執行應力緩和處理。 另一方面，在第2實施方式中，控制部6也能夠在第1加工處理之前進行第1部分處理，並且在第1加工處理之後進行第2部分處理。在該情況下，在形成第2線A2中的到達第1線A1的第2部分A2b中的第2改質區域122時，在第1線A1上已經形成第1改質區域121，所以藉由第1改質區域121阻止從第2改質區域122沿水平方向延伸的裂紋的伸展。 [與第1實施方式和第2實施方式共通的變形例] 在此，在上述第1和第2實施方式中說明了如下例子，在工序S102、S201中，依序進行用於形成斜裂紋的第1斜加工處理、第2斜加工處理、和用於形成垂直裂紋的垂直加工處理。但是，該順序能夠變更。更具體而言，控制部6也可以在工序S102、S201中，在第1斜加工處理和第2斜加工處理之前執行垂直加工處理。 即，控制部6能夠在第1加工處理中，在第1斜加工處理之前，執行如下垂直加工處理，藉由在第2Y位置Y2，使聚光區域C位於比第2Z位置Z2靠第2面102側的多個Z方向的位置並照射雷射光L，而在第2Y位置Y2形成沿著Z方向排列的多個第1改質區域121(第3Z改質區域121c)，遍及該多個第1改質區域121使第3裂紋131b垂直地伸展。在該情況下，能夠在藉由垂直加工處理中形成的第1改質區域121緩和了晶圓內部的應力的狀態下，形成第1斜加工處理和第2斜加工處理中傾斜地延伸的第1裂紋131。 另外，在上述第1和第2實施方式中，在第1加工處理、第2加工處理、和第3加工處理中，藉由雷射光L的照射形成了改質區域12，但也能夠在各處理中使用不同的雷射。 另外，在上述第1和第2實施方式中說明了如下情況，在第1加工處理中，控制部6藉由控制照射部3和移動部4、5，來使聚光區域C位於多個Z方向的位置並照射雷射光L，而沿著Z方向形成多個第1改質區域121。但是，在對象物11在Z方向上較薄的情況或在第1面101側進一步進行加工的情況下，能夠在第1加工處理中，藉由第1Z改質區域121a的形成(未形成第2Z改質區域121b)，來形成從第1Z改質區域121a到第1面101的第1裂紋131。這在第1裂紋131為相對於Z方向傾斜的斜裂紋的情況、和第1裂紋131為沿著Z方向延伸的垂直裂紋的情況中的任一情況下也一樣。 另外，在上述第1和第2實施方式中，說明了第2線A2以從第1晶圓100的外緣103到達第1線A1的方式直線狀延伸的情況。但是，第2線A2只要從外緣103到達第1線A1即可，也可以是曲線狀。作為一例，第2線A2可設為藉由繞沿著載置台2的Z軸的旋轉軸的旋轉運動和照射部3的向Y方向的直線運動的組合而產生的(局部)旋渦狀的曲線。 另外，上述第1和第2實施方式的對象物11設為藉由將第1晶圓100與第2晶圓200接合而構成的貼合晶圓。但是，接合第1晶圓100的其它構件不限定於第2晶圓200。

1:雷射加工裝置 2:載置台(支承部) 3:照射部 4,5:移動部 6:控制部 12:改質區域 13:裂紋 100:第1晶圓(晶圓) 101:第1面 102:第2面 103:外緣 121:第1改質區域 121a:第1Z改質區域 121b:第2Z改質區域 121c:第3Z改質區域 122:第2改質區域 123:第3改質區域 131:第1裂紋 131b:第3裂紋 150:元件層 153:外緣 160:主動區域 170:周緣部 171:接合區域 172:前處理區域 A1:第1線 A2:第2線 A3:第3線 B12:邊界

[圖1]是表示一個實施方式的雷射加工裝置的結構的示意圖。 [圖2]是表示圖1所示的照射部的結構的示意圖。 [圖3]是表示圖2所示的4f透鏡單元的圖。 [圖4]是表示圖2所示的空間光調變器的圖。 [圖5]是用於說明斜裂紋形成的見解的對象物的截面圖。 [圖6]是用於說明斜裂紋形成的見解的對象物的截面圖。 [圖7]是表示雷射光的聚光區域的光束形狀的圖。 [圖8]是表示調變圖案的偏移的圖。 [圖9]是表示斜裂紋的形成狀態的截面照片。 [圖10]是表示調變圖案的一例的圖。 [圖11]是表示聚光透鏡的射入光瞳面的強度分佈、和聚光區域的光束形狀的圖。 [圖12]是表示聚光區域的光束形狀、和聚光區域的強度分佈的觀測結果的圖。 [圖13]是表示調變圖案的一例的圖。 [圖14]是表示非對稱的調變圖案的另一例的圖。 [圖15]是表示聚光透鏡的射入光瞳面的強度分佈、和聚光區域的光束形狀的圖。 [圖16]是表示調變圖案的一例、和聚光區域的形成的圖。 [圖17]是表示本實施方式的加工對象物的截面圖。 [圖18]是表示本實施方式的加工對象物的圖。(a)為俯視圖，(b)為截面圖。 [圖19]是表示本實施方式的雷射加工方法的一個工序的圖。(a)為俯視圖，(b)為截面圖。 [圖20]是表示本實施方式的雷射加工方法的一個工序的圖。(a)為俯視圖，(b)為截面圖。 [圖21]是表示本實施方式的雷射加工方法的一個工序的圖。(a)為俯視圖，(b)為截面圖。 [圖22]是表示第1加工工序的一個工序的截面圖。 [圖23]是表示第1加工工序的一個工序的截面圖。 [圖24]是表示第1加工工序的一個工序的截面圖。 [圖25]是表示第1加工工序的一個工序的截面圖。 [圖26]是表示本實施方式的雷射加工方法的一個工序的圖。(a)為俯視圖，(b)為截面圖。 [圖27]是用於說明變形例的截面圖。 [圖28]是用於說明變形例的俯視圖。 [圖29]是用於說明變形例的截面圖。 [圖30]是表示第1晶圓的一例的俯視圖。 [圖31]是表示本實施方式的加工對象物的圖。(a)為俯視圖，(b)為截面圖。 [圖32]是表示本實施方式的雷射加工方法的一個工序的圖。(a)為俯視圖，(b)為截面圖。 [圖33]是表示本實施方式的雷射加工方法的一個工序的截面圖。 [圖34]是表示本實施方式的雷射加工方法的一個工序的截面圖。 [圖35]是表示本實施方式的雷射加工方法的一個工序的截面圖。 [圖36]是表示本實施方式的雷射加工方法的一個工序的截面圖。

11:對象物

12:改質區域

100:第1晶圓(晶圓)

101:第1面

102:第2面

103:外緣

123:第3改質區域

150:元件層

153:外緣

160:主動區域

170:周緣部

171:接合區域

172:前處理區域

200:第2晶圓

250:元件層

A:線

A1:第1線

A2:第2線

B12:邊界

C:聚光區域

L:雷射光

Claims (12)

1. 一種雷射加工裝置，對於包含第1面和與前述第1面相反側的第2面且在前述第1面側與其它構件接合的晶圓，將前述第2面作為射入面來照射雷射光，藉此，在前述晶圓上形成改質區域，前述雷射加工裝置的特徵在於，具備： 支承部，其用於支承前述晶圓； 照射部，其用於向被前述支承部支承的前述晶圓照射前述雷射光； 移動部，其用於使前述雷射光的聚光區域相對於前述晶圓相對移動；和 控制部，其用於控制前述照射部和前述移動部， 在前述第1面上形成有包含多個晶片並且與前述其它構件接合的元件層， 前述元件層包含：主動區域，其包含前述多個晶片；和周緣部，其以從與前述第1面交叉的Z方向觀察時包圍前述主動區域的方式位於前述主動區域的外側， 前述控制部藉由控制前述照射部和前述移動部，執行如下處理： 第1加工處理，一邊使前述聚光區域沿著從前述Z方向觀察時在前述周緣部上環狀延伸的第1線進行相對移動，一邊對前述晶圓照射前述雷射光，藉此，沿著前述第1線形成作為前述改質區域的第1改質區域，並且以從前述第1改質區域到達前述第1面的方式形成第1裂紋； 第2加工處理，一邊使前述聚光區域沿著從前述Z方向觀察時在前述周緣部上以從前述晶圓的外緣到前述第1線的方式延伸的第2線進行相對移動，一邊對前述晶圓照射前述雷射光，藉此，沿著前述第2線形成作為前述改質區域的第2改質區域；和 第3加工處理，使前述聚光區域位於從前述Z方向觀察時在前述周緣部上與前述第1線和前述第2線不同的位置，且邊對前述晶圓照射前述雷射光，藉此，形成作為前述改質區域的第3改質區域， 前述控制部是在前述第1加工處理中使前述第1裂紋伸展到達前述第1面之前，執行前述第3加工處理。
2. 如請求項1所述的雷射加工裝置，其中： 前述控制部在前述第1加工處理之前執行前述第3加工處理。
3. 如請求項1或2所述的雷射加工裝置，其中： 前述周緣部具有作為包含前述元件層的外緣的區域的與前述其它構件的接合被弱化了的前處理區域、和從前述Z方向觀察時位於前述前處理區域的內側的接合區域， 在前述第1加工處理中，前述控制部以前述第1裂紋向前述前處理區域和前述接合區域的邊界延伸的方式形成前述第1改質區域。
4. 如請求項3所述的雷射加工裝置，其中： 在前述第1加工處理中，前述控制部以隨著從前述第2面向前述第1面使前述第1裂紋從前述接合區域向前述邊界傾斜延伸的方式形成前述第1改質區域。
5. 如請求項3或4所述的雷射加工裝置，其中： 在前述第3加工處理中，前述控制部藉由至少使前述聚光區域位於前述前處理區域上並照射前述雷射光，而至少在前述前處理區域上形成前述第3改質區域。
6. 如請求項5所述的雷射加工裝置，其中： 在前述第3加工處理中，前述控制部藉由至少一邊使前述聚光區域沿著從前述Z方向觀察時在前述前處理區域上環狀延伸的第3線進行相對移動，一邊照射前述雷射光，而沿著前述第3線形成前述第3改質區域。
7. 如請求項6所述的雷射加工裝置，其中： 在前述第2加工處理中，前述控制部執行如下處理： 第1部分處理，藉由一邊使前述聚光區域沿著前述第2線中的從前述晶圓的外緣到前述第3線的第1部分進行相對移動，一邊照射前述雷射光，而沿著前述第1部分形成前述第2改質區域；和 第2部分處理，藉由一邊使前述聚光區域沿著前述第2線中的從前述第3線到前述第1線的第2部分進行相對移動，一邊照射前述雷射光，而沿著前述第2部分形成前述第2改質區域， 前述控制部至少在前述第1加工處理之前執行前述第1部分處理。
8. 如請求項7所述的雷射加工裝置，其中： 前述控制部在前述第1加工處理之前執行前述第1部分處理和前述第2部分處理。
9. 如請求項1~8中任一項所述的雷射加工裝置，其中： 在前述第3加工處理中，前述控制部形成前述第3改質區域，並且使從該第3改質區域延伸的裂紋到達前述第2面。
10. 如請求項1~8中任一項所述的雷射加工裝置，其中： 在前述第3加工處理中，前述控制部藉由使前述聚光區域位於前述周緣部上與前述第1線和前述第2線不同的位置且照射前述雷射光，以從前述第3改質區域延伸的裂紋未到達前述第1面和前述第2面的方式形成前述第3改質區域。
11. 如請求項10所述的雷射加工裝置，其中： 在前述第1加工處理中，前述控制部藉由使前述聚光區域位於多個前述Z方向的位置並照射前述雷射光，沿著前述Z方向形成多個前述第1改質區域， 在前述第3加工處理中，前述控制部藉由使前述聚光區域位於第1Z位置並照射前述雷射光，而形成前述第3改質區域，其中，前述第1Z位置為形成多個前述第1改質區域中的位於最靠近前述第1面側的前述第1改質區域時的前述聚光區域的前述Z方向的位置。
12. 一種雷射加工方法，其特徵在於： 具備雷射加工工序，其包括對於包含第1面和與前述第1面相反側的第2面且在前述第1面與其它構件接合的晶圓，將前述第2面作為射入面來照射雷射光，藉此，在前述晶圓上形成改質區域， 在前述第1面上形成有包含多個晶片並且與前述其它構件接合的元件層， 前述元件層包含：主動區域，其包含前述多個晶片；和周緣部，其以從與前述第1面交叉的Z方向觀察時包圍前述主動區域的方式位於前述主動區域的外側， 前述雷射加工工序具備： 第1加工工序，一邊使前述雷射光的聚光區域沿著從前述Z方向觀察時在前述周緣部上環狀延伸的第1線進行相對移動，一邊對前述晶圓照射前述雷射光，藉此，沿著前述第1線形成作為前述改質區域的第1改質區域，並且以從前述第1改質區域到達前述第1面的方式形成第1裂紋； 第2加工工序，一邊使前述聚光區域沿著從前述Z方向觀察時在前述周緣部上以從前述晶圓的外緣到前述第1線的方式延伸的第2線進行相對移動，一邊對前述晶圓照射前述雷射光，藉此，沿著前述第2線形成作為前述改質區域的第2改質區域；和 第3加工工序，使前述聚光區域位於從前述Z方向觀察時在前述周緣部上與前述第1線和前述第2線不同的位置，且對前述晶圓照射前述雷射光，藉此，形成作為前述改質區域的第3改質區域， 前述第3加工工序是在前述第1加工工序中使前述第1裂紋伸展到達前述第1面之前實施。

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