TW202329291A - 用於改正基板的熱處理的系統、方法和裝置 - Google Patents

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Abstract

本揭示內容的態樣與用於改正基板的熱處理的系統、方法和裝置相關。在一個態樣中，產生了具有複數個改正吸收係數的改正吸收係數曲線。

Description

用於改正基板的熱處理的系統、方法和裝置
本揭示內容的態樣與用於改正基板的熱處理的系統、方法和裝置相關。在一個態樣中，產生了具有複數個改正吸收係數的改正吸收係數曲線。
在對基板進行熱處理時，會出現一些處理障礙。例如，加熱基板可能需要時間，導致產量減少，成本和延遲增加。舉另一個例子，基板的加熱可能是不均勻的，導致基板缺陷和處理延遲。舉另一個例子，基板應達到足以使基板在處理期間適當吸收熱量的不透明度。
基板之間的差異可能會加劇上述的障礙。例如，摻雜的差異可能會導致加熱不同基板所需時間的差異。
因此，需要改進系統、方法和裝置，以促進改正具有各種不同類別的基板的熱處理。
本揭示內容的態樣與用於改正基板的熱處理的系統、方法和裝置相關。在一個態樣中，產生了具有複數個改正吸收係數的改正吸收係數曲線。
在一個實施方式中，一種用於處理基板的系統包括：腔室，包括內部容積；基板支撐件；複數個加熱燈；以及一個或多個輻射偵測器，相對於該複數個加熱燈設置在該基板支撐件的相對側。該系統包括：控制器，包括指令，該等指令當被執行時使複數個操作被進行。該複數個操作包括以下步驟：使用該複數個加熱燈以複數個溫度加熱基板。該加熱步驟包括為該複數個溫度中的每個溫度，以複數個波長向該基板的接收表面引導入射輻射。該複數個操作包括以下步驟：為該複數個溫度中的每個溫度以該複數個波長偵測從該基板的透射表面透射的複數個透射輻射值。該複數個操作包括以下步驟：為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收係數；為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收功率值；以及為該複數個溫度中的每個溫度產生該複數個波長下的吸收功率曲線。該複數個操作包括以下步驟：產生具有複數個改正吸收係數的改正吸收係數曲線。該複數個操作包括以下步驟：識別該基板的類別，並且變換該改正吸收係數曲線。該變換步驟包括：將該改正吸收係數曲線與具有複數個儲存的改正係數的儲存的改正係數曲線進行比較；以及將該改正吸收係數曲線與該儲存的改正係數曲線合併，以產生經變換的改正係數曲線。
在一個實施方式中，一種改正基板的熱處理的方法包括以下步驟：以複數個溫度加熱基板，該加熱步驟包括為該複數個溫度中的每個溫度以複數個波長向該基板的接收表面引導入射輻射。該方法包括以下步驟：為該複數個溫度中的每個溫度以該複數個波長偵測從該基板的透射表面透射的複數個透射輻射值。該方法包括以下步驟：為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收係數；以及產生具有複數個改正吸收係數的改正吸收係數曲線。該方法包括以下步驟：變換該改正吸收係數曲線。該變換步驟包括：將該改正吸收係數曲線與包括複數個儲存的改正係數的儲存的改正係數曲線進行比較；以及將該改正吸收係數曲線與該儲存的改正係數曲線合併，以產生經變換的改正係數曲線。
在一個實施方式中，一種用於改正基板的熱處理的非暫時性電腦可讀取媒體包括指令，該等指令當被執行時使複數個操作被進行。該複數個操作包括以下步驟：以複數個溫度加熱基板，該加熱步驟包括為該複數個溫度中的每個溫度以複數個波長向該基板的接收表面引導入射輻射。該複數個操作包括以下步驟：為該複數個溫度中的每個溫度以該複數個波長偵測從該基板的透射表面透射的複數個透射輻射值。該複數個操作包括以下步驟：為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收係數；以及產生具有複數個改正吸收係數的改正吸收係數曲線。該複數個操作包括以下步驟：變換該改正吸收係數曲線。該變換步驟包括：將該改正吸收係數曲線與具有複數個儲存的改正係數的儲存的改正係數曲線進行比較；以及將該改正吸收係數曲線與該儲存的改正係數曲線合併，以產生經變換的改正係數曲線。
本揭示內容的態樣與用於改正基板的熱處理的系統、方法和裝置相關。在一個態樣中，產生了具有複數個改正吸收係數的改正吸收係數曲線。改正吸收係數曲線用來藉由將所選的輻射功率除以沿著改正吸收係數曲線設置在所選的處理溫度的改正吸收係數，決定經改正的輻射功率。所選的輻射功率與所選的處理溫度對應。經改正的輻射功率用來在熱處理期間加熱某一類別的基板。
圖1A是依據一個實施方式，腔室100的局部示意透視圖。腔室100是用於對基板進行熱處理的系統的一部分。腔室100可以是快速熱處理（RTP）腔室。腔室100可以被配置為進行連續光譜透射高溫測量法（「CSTP」），該高溫測量法測量以某一波長範圍（例如超過一個或兩個主要波長）通過基板（例如矽基板）透射的輻射的光譜，以推斷基板的溫度。
腔室100包括燈組件110、腔室主體120和基板支撐件182。在圖1A所示的實施方式中，基板支撐件182是組件。為了明確起見，腔室100已被橫切，圖1A只示出腔室主體120的上側部分。燈組件110包括複數個加熱燈111，其中的每個加熱燈定位在相應的反射管112內部。加熱燈111可以是白熾燈，如鎢絲鹵素燈，或其他高輸出燈，如放電燈。反射管112在水冷式殼體114內佈置成蜂巢狀陣列113。薄窗口115形成燈組件110的底表面，將燈組件110與腔室100的內部容積118中經常存在的真空環境分開。石英可以用於窗口181，因為石英對紅外光是透明的。燈組件110以真空氣密方式與腔室主體220的上表面附接。
腔室主體120包括腔室100的壁和底板，以及基板開口121和排氣口122。基板通過基板開口311被輸送到腔室100的內部容積118中和從其中移除。真空泵（未示出）（例如氣體迴路的一部分）通過排氣口122將氣體從腔室100排出。縫閥或閘閥（未示出）可以用來密封基板開口121和排氣口122。
基板支撐件182設置在腔室主體120內和內部容積118中。基板支撐件182包括邊緣環131、可旋轉的石英圓筒132、反射體板133，和光探針134（例如光纖）的陣列。邊緣環131擱置在可旋轉的石英圓筒132上。可旋轉的石英圓筒132可以可選地在基板處理期間旋轉，以藉由促進最小化腔室100中基板上的熱不對稱的效應，促進在熱處理期間最大化基板溫度均勻性。反射體板133可以定位在基板下約5 mm處。光探針134通過反射體板133延伸，並在熱處理期間指向基板的底部。光探針134將輻射能量從基板傳輸到一個或多個輻射偵測器（例如輻射偵測器137），以決定熱處理期間的基板溫度、基板吸收係數、基板前側發射率和/或反射率。輻射偵測器137可以是透射式高溫計。輻射偵測器在所選的波長範圍內（例如約200 nm至約5000 nm的波長之間）測量來自基板背側的寬頻帶發射。光探針134設置在腔室100內和內部容積118中。
輻射偵測器137可以包括濾波器，它可以在約100℃與約600℃之間（例如約400℃）的基板溫度下提供對吸收間隙的波長敏感的光譜響應。在可以與其他的實施例相結合的一個實施例中，輻射偵測器137包括光電偵測器。光電偵測器可以是矽（Si）光電偵測器、鍺（Ge）光電偵測器、硫化鉛（PbS）光電偵測器、砷化銦（InAs）光電偵測器、砷化銦鎵（InGaAs）光電偵測器和/或銻化銦（InSb）光電偵測器。在可以與其他例子相結合的一個例子中，光電偵測器是矽光電偵測器或InGaAs光電偵測器。濾波器可以設置在光電偵測器與分束器之間。本揭示內容預期，可以省略濾波器和/或分束器。矽光電二極體可以具有約0.4微米至約1.1微米的範圍內的波長偵測帶。InGaAs光電二極體可以具有約0.8微米（例如0.9微米）至約1.8微米（例如1.7微米）的範圍內的波長偵測帶。
腔室100可以包括低發散的連續集輻射源，它會產生寬光譜的中紅外線輻射（其例如包括從約1000 nm至約1700 nm的波長）。連續集輻射源可以發射高度準直的輻射或包括光學件以產生高度準直的輻射。準直輻射可以通過射束導件（例如單模光纖、多模光纖等）傳輸到設置在內部容積118中的基板上。基板是透明基板或半透明基板，由矽、碳、鍺、磷、多晶矽、氧化物、氮化物、金屬膜和/或硼中的一者或多者形成。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，基板是矽基板。基板的金屬膜包括鈦、氮化鈦（TiN）、鈷、鎳、鎢、銅、錳和/或其他合適的金屬中的一者或多者。
準直輻射的一部分可以通過基板透射。透射輻射的幅度可以是基板溫度和入射輻射波長的函數。光探針134（例如光管）可以對準以接收透射的輻射。例如，光探針134可以與射束導件對準。
光探針134可以向一個或多個光譜儀引導透射的輻射（其從基板的透射表面透射）。例如，光探針134可以向繞射光柵引導透射的輻射。繞射光柵可以將透射的輻射作為波長的函數分離到不同的方向上。準直透鏡可以將繞射的輻射聚焦到一個或多個焦點。然後，一個或多個光電偵測器可以測量輻射作為方向的函數，從而成為波長的函數。例如，砷化銦鎵線性陣列可以定位在準直透鏡的後焦平面處，以測量功率作為波長的函數。透射輻射的功率譜（其是波長的函數）可以與入射輻射的功率譜進行比較。入射輻射是入射於基板上的源輻射。
這兩個功率譜可以用來計算基板透射作為波長的函數。基板的透射可以用來決定基板的吸收係數。透射也可以用來推斷基板的溫度。在一些實施例中，可以識別基板的各區，並且可以對每個區進行CSTP，以創建基板的溫度圖。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，可以利用較長波長（例如大於1080 nm）的源輻射。
如圖1A所示，基板支撐件182可以界定處理區域135，在操作期間，基板可以設置在該處理區域附近。如所示，連續集輻射源150設置在腔室100外面。連續集輻射源150可以設置在燈組件110內部，與燈組件110附接，緊鄰燈組件110的外部，或以其他方式定位以適應操作規範。
連續集輻射源150被配置為產生源輻射以輸入到源歧管179。連續集輻射源150可以是量子發射源，例如連續集雷射或適當塗覆磷光體的發光二極體（「LED」），或高功率鹵素源。源輻射通過源歧管179，最終作為入射輻射到達基板的接收表面的入射區域（例如鄰近處理區域335）。在可以與其他例子相結合的一個例子中，源歧管179包括與反射管112穿插的複數個射束導件115。準直透鏡129可以位於射束導件115的端部（例如最靠近處理區域135的端部）處。準直透鏡129可以將源輻射引導到基板的接收表面的入射區域上。從每個射束導件115引導的源輻射的一部分可以從基板的接收表面透射到基板的相對的透射表面。例如，源輻射可以在入射區域處入射於基板的接收表面上，而透射的輻射可以在發出區域處離開基板的透射表面。
該複數個光探針134可以被佈置為，每個光探針134的端部鄰近基板的透射表面。例如，每個光探針134可以與相應的射束導件115對準，以偵測從基板的透射表面透射的透射輻射。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，源歧管179的每個射束導件115具有對準的光探針134。本揭示內容預期，射束導件115可以比光探針134多。本揭示內容預期，光探針134可以比射束導件115多。光探針134的集合可以構成偵測器歧管130。透射的輻射可以通過偵測器歧管130，最終到達一個或多個輻射偵測器137。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，單個輻射偵測器137可以從所有光探針134接收透射的輻射。本揭示內容預期，可以使用多個輻射偵測器137。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，偵測器歧管130將光探針134的子集與每個輻射偵測器137連接。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，偵測器歧管130將單個光探針134與每個輻射偵測器137連接。偵測器歧管130可以使用光學分流器來將透射的輻射從一個光探針134輸送到多個輻射偵測器137。偵測器歧管130可以使用光學組合器來將透射的輻射從多個光探針134輸送到單個輻射偵測器137。
連續集輻射源150可以被配置為使得可以選擇源輻射而不是背景輻射，和/或將源輻射與背景輻射區分開來。例如，連續集輻射源150可以是明亮的源，使得任何背景輻射相比之下可以忽略不計。舉另一個例子，連續集輻射源150可以週期性地關斷，以促進對背景輻射進行取樣以進行校準和/或正規化。連續集輻射源150可以是高功率輻射源，例如諸如雷射和/或LED之類的的量子源。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，連續集輻射源150發射的源輻射的波長被選擇為與輻射偵測器137的光譜特性匹配或以其他方式互補。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，連續集輻射源150是定向輻射源，例如準直或部分準直的源，以通過基板引導輻射以由輻射偵測器137所接收。準直可以被選擇為將輻射與輻射偵測器137的數值孔徑匹配。準直可以改進系統的訊噪比。
源歧管179和/或射束導件115可以被配置為同時或依序向鄰近處理區域135的複數個位置引導源輻射。偵測器歧管130和/或光探針134可以被配置為同時或依序從鄰近處理區域135的複數個位置接收透射的輻射。
輻射偵測器137可以測量透射的輻射（其從基板透射）作為波長的函數。透射輻射的功率譜（其是波長的函數）可以與入射輻射的功率譜進行比較。例如，可以直接和/或同時獲得入射輻射的功率譜。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，源歧管179的一部分與偵測器歧管130的一部分耦合，以提供對源功率譜的直接測量。源功率譜的測量可以與透射輻射的功率譜的測量同時進行，或大約在同一時間進行。
在改正基板的熱處理的方法期間，從加熱燈111和/或連續集輻射源150向基板引導源輻射。設置在內部容積118中的基板包括面向加熱燈111的接收表面和面向反射體板133的透射表面。源輻射的入射輻射被基板接收，通過基板透射，並且從基板傳輸到光探針134。這兩個功率譜（入射輻射的光譜和透射輻射的光譜）可以用來計算基板的透射作為波長的函數。透射輻射通過基板和從基板的透射用來決定基板的吸收係數。計算出的透射用來推斷基板的溫度。
可以產生測量訊號的冗餘。冗餘的測量訊號可以藉由將透射輻射的功率譜與入射輻射的功率譜進行比較來產生。更多的冗餘訊號可以使對基板溫度、基板吸收係數、基板反射率和/或基板發射率的測量能夠更加準確。藉由將輻射偵測器137與已知標準進行校準，可以協助決定基板的吸收係數和/或根據透射光的測得功率譜推斷出溫度。基板可以被加熱到已知的溫度，並且可以決定和儲存該已知溫度下的透射輻射的功率譜。藉由儲存複數個已知溫度下的功率譜，可以建構校準曲線。然後，校準曲線可以用於決定具有相同或適當類似的透射響應的後續基板的吸收係數和/或溫度。利用儲存的值（如儲存的透射輻射值和/或吸收係數值），可以識別後續基板的一個或多個類別。藉由將基板的吸收輻射跟已知訊號與摻雜位準的關係曲線（如曲線圖800）進行比較，可以識別基板的一個或多個類別。該一個或多個類別的識別可以計及跨用來偵測發射率以決定吸收輻射的光電偵測器的波長的光敏範圍。類別可以表明後續基板的摻雜程度。平衡和非平衡讀數可以藉由控制平衡或非平衡狀態的條件並將這樣的條件與測得的功率譜相關聯來進行校準。
具有腔室100的系統包括與腔室100耦合的控制器190。控制器190包括中央處理單元（CPU）191，包含指令的記憶體192，和用於CPU 191的支援電路193。控制器190直接控制，或經由其他的電腦和/或控制器來控制，連續集輻射源150、輻射偵測器137和/或加熱燈111。控制器190是任何形式的通用電腦處理器，它用於工業環境中以控制各種腔室和設備，以及其上或其中的子處理器。
記憶體192，或非暫時性電腦可讀取媒體，是一個或多個現成的記憶體，如隨機存取記憶體（RAM）、唯讀記憶體（ROM）、軟碟、硬碟、快閃驅動器，或任何其他形式的本端或遠端數位儲存器。支援電路193與CPU 191耦合以支援CPU 191（處理器）。支援電路193包括快取記憶體、電源、時脈電路、輸入/輸出電路系統和子系統等。基板處理參數（如處理溫度（例如退火溫度）、基板摻雜、基板透射率、基板前側發射率、基板吸收率、基板厚度和/或基板反射率）和操作作為軟體常式儲存在記憶體192中，該軟體常式被執行或調用以將控制器190變成特定用途的控制器，以控制系統的操作，例如氣體迴路（包括一個或多個氣體饋件和/或真空泵）和腔室100。基板處理參數可以是已知的，也可以在熱處理期間測得。控制器190被配置為進行本文所述的任何方法。儲存在記憶體192上的指令當被執行時使方法200的操作203-217中的一者或多者被進行。
本文所述的各種操作（例如方法200的操作203-217）可以使用控制器190自動進行。控制器190可以被配置為對腔室100中被熱處理的每個基板進行方法200。
控制器190可以在顯示器（例如使用者介面）上以曲線圖和/或表格的形式輸出和顯示關於方法200描述的一個或多個方面。例如，控制器190可以在顯示器上顯示與下面描述的曲線圖300-700中的一者類似的曲線圖。
儲存在控制器190的記憶體192中的指令可以包括一個或多個機器學習/人工智慧演算法（例如下面描述的迴歸機器學習模型），除了本文所述的操作以外，還可以執行這些演算法。舉個例子，由控制器190所執行的機器學習/人工智慧演算法可以考慮、衡量、更新和儲存在腔室100中被熱處理的不同類別的基板的基板處理參數（例如處理溫度（例如退火溫度）、基板摻雜、基板透射率、基板前側發射率、基板吸收率、基板厚度和/或基板反射率）。舉另一個例子，由控制器190所執行的機器學習/人工智慧演算法可以為在腔室100中被熱處理的基板連續產生和變換改正吸收係數曲線。舉另一個例子，由控制器190所執行的機器學習/人工智慧演算法可以監測基板的不透明度，以決定用於複數個溫度的上限。
圖1B是依據一個實施方式，設置在圖1A所示的腔室100的內部容積118中的基板128的局部示意圖。基板128在圖1B中示為處於升高的處理位置，其中基板128使用升降銷147（圖1A中示出了兩個）來升高到邊緣環131上方，使得基板128被設置為與邊緣環131相隔一個間隙。本揭示內容預期，可以使用三個或更多個升降銷147來升高和降低基板128。基板128可以被降低（使用升降銷147），以在降低的處理位置下被支撐在邊緣環131上。基板128的溫度可以在降低的處理位置測量，並且方法200的操作可以在升高的處理位置進行。基板128包括接收表面126和透射表面127。熱處理和下面描述的方法200是在基板128處於升高的處理位置的同時進行的。在圖1B所示的升高的處理位置，在進行下面描述的方法200期間，基板128相對於內部容積118的上表面139定位在距離D1處。距離D1是1 mm或更小。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，距離D1在0.1 mm至1 mm的範圍內。在圖1B所示的實施方式中，上表面139是窗口181的下表面。在基板128的降低的處理位置，距離D1增加，例如增加到約24 mm。
距離D1促進將源輻射作為入射輻射朝向基板128引導，而不是引導到基板128周圍。距離D1也促進在加熱燈111的通電期間減少邊緣環131的加熱。距離D1促進快速、高效和均勻地將基板128加熱到退火溫度，並且準確地改正熱處理。
圖2是依據一個實施方式，改正基板的熱處理的方法200的示意圖形圖。操作203包括以複數個溫度加熱基板。該複數個溫度的上限是基板的不透明溫度。加熱包括為該複數個溫度中的每個溫度，以複數個波長向基板的接收表面引導入射輻射。入射輻射使用複數個加熱燈和/或附加於加熱燈使用的輻射源（例如連續集輻射源）來引導到基板。該複數個溫度中的每個溫度是已知的，或是使用一個或多個高溫計來測量的。操作205包括偵測從基板的透射表面透射（例如發射）的複數個透射輻射值。該複數個透射輻射值是為該複數個溫度中的每個溫度以該複數個波長偵測的。使用透射輻射值，為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收輻射值，因為吸收率等於發射率。
操作207包括為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收功率值。
操作209包括為該複數個溫度中的每個溫度產生該複數個波長下的吸收功率曲線。
操作211包括為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收係數。
操作213包括產生具有複數個改正吸收係數的改正吸收係數曲線。改正吸收係數曲線的產生包括為該複數個溫度中的每個溫度決定（操作209的）吸收功率曲線的吸收積分，以及決定入射於基板上的入射輻射的入射輻射曲線的發射積分。改正吸收係數曲線的產生包括為該複數個溫度中的每個溫度，將吸收積分除以發射積分，以決定該複數個改正吸收係數，並且將該複數個改正吸收係數作為改正吸收係數曲線的一部分繪製。
改正吸收係數曲線由連接該複數個改正吸收係數的多項式函數（例如二次函數）所定義。平滑的曲線擬合可以用來連接該複數個改正吸收係數並產生改正吸收係數曲線。迴歸機器學習模型可以用來連接該複數個改正吸收係數並產生改正吸收係數曲線。
操作214包括識別基板的類別。透射輻射值（可以稱為吸收輻射值，因為發射率等於吸收率）、吸收功率值、吸收功率曲線、吸收係數和/或改正吸收係數可以用來識別基板的類別。舉個例子，如果沒有已知的資料可以用來識別基板的類別，就可以識別基板。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，光電偵測器的偵測到的訊號與摻雜位準的關係曲線圖（例如圖8所示的曲線圖800）被用來識別基板的摻雜位準。基板被加熱，同時光電偵測器（用來創建曲線圖的同一個光電偵測器）測量透射訊號。將透射訊號跟偵測到的訊號與摻雜位準的關係曲線圖（例如圖8所示的曲線圖800）進行比較，以決定基板的摻雜位準。使用所識別的摻雜位準，可以為基板識別曲線圖400-700中一者或多者，例如藉由擷取作為儲存的曲線圖儲存在記憶體中的曲線圖400-700來識別。可以為基板預測曲線圖400-700，並且曲線圖400-700可以用來對基板進行熱處理。曲線圖400-700可以與在所進行的方法200的一個或多個迭代中決定的曲線圖合併。
如所述，基板的所識別的類別可以表明基板的摻雜程度。較高的輻射吸收可以表明基板的摻雜程度較高，因為與具有較低摻雜位準的基板相比，具有高摻雜位準的基板可以吸收更多的輻射並以更高的速度吸收。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，較低的透射輻射值和/或較高的改正吸收係數表明摻雜程度較高。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，輻射吸收的增加表明基板具有1E18或更大的摻雜位準。
操作214可以至少部分地與操作203-213、215和/或217的操作同時進行。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，操作214的基板的類別的識別涉及為單一溫度（例如20攝氏度的單一溫度）進行操作203-213的部分。在這種實施例中，使用操作214中所識別的類別來預測和/或從記憶體擷取該複數個溫度中的其他溫度（例如400攝氏度）的操作203-213的資料（例如透射輻射值）。
操作215包括變換改正吸收係數曲線。變換包括將改正吸收係數曲線與具有複數個儲存的改正係數的儲存的改正係數曲線進行比較。儲存的改正係數曲線和/或該複數個儲存的改正係數可以是使用操作214中所識別的類別來預測和/或從記憶體擷取的資料的至少一部分。變換改正吸收係數曲線包括，為該複數個改正吸收係數中的每個改正吸收係數：決定改正吸收係數相對於儲存的改正係數曲線在同一溫度的比率。變換改正吸收係數曲線包括，為該複數個改正吸收係數中的每個改正吸收係數：如果該比率超出第一接受範圍或在比該第一接受範圍更窄的第二接受範圍之內，那麼忽略相應的改正吸收係數。第一接受範圍是0.7至1.3，第二接受範圍是0.995至1.005。如果該比率是在第一接受範圍內並且超出第二接受範圍，則接受相應的改正吸收係數。其他的第一接受範圍和第二接受範圍也在考慮之列。第一接受範圍和第二接受範圍可以由使用者所設定，和/或可以例如藉由機器學習模型來決定。第一接受範圍和第二接受範圍可以藉由對來自校準操作的先前迭代的現有比率資料進行歷史偏差運算來決定。
如果相應的改正吸收係數被忽略，則從改正吸收係數曲線中省略相應的改正吸收係數。變換包括將改正吸收係數曲線與儲存的改正係數曲線合併，以產生經變換的改正係數曲線。將改正吸收係數曲線與儲存的改正係數曲線合併包括執行機器學習模型以產生經變換的改正係數曲線。機器學習模型是迴歸模型和分類模型。進行機器學習模型涉及決定類別（它可以具有儲存的資料），和在該類別中進行迴歸（這可以包括使用與該儲存的資料有關的新資料來進行迴歸）。例如，機器學習模型可以包括資料預處理、上下文資訊的輸入通道（用於類別決定）和訓練集定義。機器學習模型可以在每個新的資料集可用的情況下連續進行，或者在專門的訓練期期間進行。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，合併包括對該複數個改正吸收係數和該複數個儲存的改正係數進行衡量和求平均。
對該複數個改正吸收係數和該複數個儲存的改正係數進行衡量和求平均涉及在進行求平均之前將權重分配給該複數個改正吸收係數和該複數個儲存的改正係數。分配的權重可以考慮到該複數個儲存的改正係數的持續年齡和上述的比率。
經變換的改正係數曲線是為基板（以及同一類別中的其他基板）定制的，並且可以被儲存並用於同一類別中的其他基板的熱處理。
在將基板降低到降低的處理位置之前，當基板處於升高的處理位置時，可以進行操作203-215。操作203-215可以涉及將基板從室溫加熱到升高的溫度（例如300攝氏度），該升高的溫度與由於先前基板的處理而達到的邊緣環溫度對應。將基板加熱到升高的溫度有助於減少操作失效，減少處理低效，並減少基板缺少。操作217包括對基板或第二基板進行熱處理。對基板或第二基板進行熱處理包括選擇處理溫度和與處理溫度對應的輻射功率。對第二基板進行熱處理包括藉由將輻射功率除以沿著改正吸收係數曲線設置在處理溫度的改正吸收係數，決定經改正的輻射功率。經改正的輻射功率具有小於1微米的波長和0.02 W/cm 2-nm或更大（例如0.04 W/cm 2-nm或更大）的功率。方法200的操作217可以涉及在熱處理期間改正由該一個或多個燈所發射的源輻射（和改正入射輻射），例如藉由變更由這些燈所發射的輻射的波長和/或變更向該一個或多個燈施加的燈電壓來改正。改正源輻射（和入射輻射）可以促進實現用於加熱基板的目標升溫速度，該目標升溫速度是實質均勻（例如恆定）和快速的。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，波長被下移和/或燈電壓被增加。目標升溫速度可以將基板加熱到與邊緣環相同的溫度（例如400攝氏度至600攝氏度的範圍內），邊緣環的溫度是由先前的處理所導致的。
溫度上升速度（基板和邊緣環中的每一者的溫度上升速度）取決於基板或邊緣環的溫度、時間、基板摻雜位準、基板或邊緣環的吸收率、燈電壓以及基板或邊緣環的反射率。溫度上升速度可以為基板和邊緣環中的每一者決定，並被比較，使得在目標時間內將基板的溫度加熱到邊緣環的溫度。
操作217的熱處理可以涉及將基板或第二基板在處於升高的處理位置時加熱到目標溫度（例如邊緣環的溫度），以及將基板（或第二基板）降低到邊緣環（降低的處理位置），以在邊緣環上旋轉基板或第二基板時，對基板或第二基板進行額外的熱處理。
改正源輻射以實現目標升溫速度可以使用機器學習模型來進行。
第二基板的熱處理包括藉由從該複數個加熱燈發射經改正的輻射功率，將第二基板加熱到處理溫度。處理溫度在100℃至600℃（例如300℃至600℃）的範圍內。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，處理溫度為400℃。第二基板在25秒或更短的時間內從環境溫度（例如室溫）加熱到處理溫度。
本揭示內容預期，操作203-215可以在操作217之前、期間或之後對第二基板進行。本揭示內容預期，操作203-217可以對複數個基板（例如1,000個基板）連續進行。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，可以對該複數個基板中的每一者使用機器學習模型來產生和變換改正吸收係數曲線。經變換的改正係數曲線可以被儲存為儲存的改正係數曲線，以與後續的改正吸收係數曲線合併。
本揭示內容預期，在方法200的迭代期間，可以省略方法200的一個或多個操作203-215。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，操作203-211被省略，某些方面已知和/或被儲存（例如吸收功率值、吸收功率曲線和該複數個吸收係數），並且在方法200的迭代期間進行操作213-217。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，操作203-213被省略，某些方面已知和/或被儲存（例如改正吸收係數曲線和該複數個改正吸收係數），並且在方法200的迭代期間進行操作215、217。
圖3是依據一個實施方式，顯示輻射源的功率與波長的關係曲線圖300的示意圖形圖。曲線圖300包括一個或多個輻射源的複數個入射輻射曲線310-313，這些輻射源是一個或多個加熱燈。每個入射輻射曲線310-313與不同的燈電壓對應，燈電壓被施加以為該一個或多個加熱燈供電。舉個例子，每個入射輻射曲線310-313可以與最大電壓的一個百分比對應。曲線圖300的垂直軸線繪製由該一個或多個輻射源所發射的入射輻射的發射功率（以W/(cm 2-nm)為單位），曲線圖300的水平軸線繪製由該一個或多個輻射源所發射的入射輻射的波長（以nm為單位）。
圖4是依據一個實施方式，顯示吸收輻射與波長的關係曲線圖400的示意圖形圖。曲線圖400包括複數個線411-416。線411-416中的每個線與複數個溫度中的一個溫度對應。該溫度是基板被加熱到的溫度。曲線圖400的垂直軸線繪製從基板的透射表面所發射並被一個或多個輻射偵測器所偵測到的吸收輻射值（以相對於發射率為1.0的黑體的百分比為單位，可以稱為吸收率或發射率係數）。曲線圖400的水平軸線繪製由該一個或多個輻射偵測器所偵測到的吸收輻射的波長（以nm為單位）。
線411-416中的每一者為每個相應的溫度顯示該複數個波長下的該複數個吸收輻射值。在曲線圖400中，線411與350℃對應，線412與400℃對應，線413與450℃對應，線414與500℃對應，線415與550℃對應，線416與600℃對應。本揭示內容預期，也可以在曲線圖400中繪製與20℃、50℃、100℃、150℃、200℃、250℃、300℃、650℃、700℃和/或750℃對應的線。
圖5是依據一個實施方式，顯示吸收功率與波長的關係曲線圖500的示意圖形圖。曲線圖500包括複數個線511-516。線511-516中的每個線是具有複數個吸收功率值的吸收功率曲線。
線511-516中的每個線與複數個溫度中的一個溫度對應。該溫度是基板被加熱到的溫度。曲線圖500的垂直軸線繪製基板的吸收功率值（以W/(cm 2-nm)為單位）。曲線圖500的水平軸線繪製吸收輻射的波長（以nm為單位）。每個吸收功率值是藉由將曲線圖300的發射功率與曲線圖400所示的基板的發射率在相同波長和相同溫度下進行積分來決定的。
基板上的入射輻射I的關係由以下演算法所示： I=A+T+R    （方程式1） 其中A是加熱基板的吸收輻射，T是通過基板透射並由一個或多個輻射偵測器所偵測到的透射輻射，R是從接收表面126反射的反射輻射。反射輻射R可以由設置在基板的燈側的一個或多個輻射偵測器所偵測。對於通過基板的一個波長的光學輻射，基板的透射輻射T的關係由以下演算法所示： T(α,χ)=e −α·χ（方程式2） 其中α是吸收係數，χ是基板的厚度。吸收係數α代表吸收輻射A除以該一個或多個加熱燈發射到基板上的入射輻射I。
使用方程式1，吸收輻射A可以由以下演算法所代表： A=I-T-R    （方程式3）
吸收輻射A可以被計算為輻射的波長λ、透射輻射T和基板的材料（可以包括摻雜位準）的函數。反射輻射R可以被計算為輻射的波長λ、透射輻射T和基板的材料（可以包括摻雜位準）的函數。一階反射輻射R是常數，可以假設為0。在可以與其他實施例相結合的一個實施例中，依據本揭示內容，可以假定吸收輻射A等於透射輻射T的負值。
線511-516中的每一者為每個相應的溫度顯示該複數個波長下的吸收功率值（吸收輻射A）。在曲線圖500中，線511與350℃對應，線512與400℃對應，線513與450℃對應，線514與500℃對應，線515與550℃對應，線516與600℃對應。本揭示內容預期，也可以在曲線圖500中繪製與20℃、50℃、100℃、150℃、200℃、250℃、300℃、650℃、700℃和/或750℃對應的線。
圖6是依據一個實施方式，顯示吸收積分與溫度的關係曲線圖600的示意圖形圖。曲線圖600包括複數個吸收積分611-626。每個吸收積分611-626與該複數個溫度中的一個溫度對應。每個吸收積分611-626是藉由對與相同溫度對應的相應線511-516（示於圖5）進行積分來決定的。
曲線圖600的垂直軸線繪製吸收積分611-626的值（以W/cm 2為單位）。曲線圖600的水平軸線繪製與每個吸收積分611-626對應的溫度（以℃為單位）。
發射積分（未示出）是藉由對圖3所示的相應的入射輻射曲線310-313進行積分來決定的。入射輻射曲線310-313橫跨圖4和5所示的相同波長範圍。
圖7是依據一個實施方式，顯示改正吸收係數與溫度的關係曲線圖700的示意圖形圖。曲線圖700包括複數個改正吸收係數711-721。每個改正吸收係數711-721與該複數個溫度中的一個溫度對應。每個改正吸收係數711-721是藉由為該複數個溫度中的每個溫度，將吸收積分611-626（示於圖6）除以發射積分來決定的。
曲線圖700的垂直軸線繪製改正吸收係數711-721的值。曲線圖700的水平軸線繪製與每個吸改正吸收係數711-721對應的溫度（以℃為單位）。該複數個改正吸收係數711-721被繪製為改正吸收係數曲線730的一部分。改正吸收係數曲線730由多項式函數所定義。
當決定改正吸收係數711-721時，可以計及基板的反射率。反射率可以是已知的，或者可以被測量。改正吸收係數711-721和改正吸收係數曲線730使用反射率來正規化。為了明確起見，假設反射率為0，以產生曲線圖700。
圖8是依據一個實施方式，顯示偵測到的訊號與摻雜位準的關係曲線圖800的示意圖形圖。垂直軸線繪製一個或多個輻射偵測器的偵測到的訊號，該一個或多個輻射偵測器正在基板的熱處理期間偵測通過基板透射的透射輻射。偵測到的訊號可以是由該一個或多個輻射偵測器的一個或多個光電偵測器所偵測。水平軸線繪製被熱處理的基板的摻雜位準。
如由曲線圖800中的線810所示，與具有更小的摻雜位準的基板相比，具有1E18或更大的摻雜位準的基板透射更少的輻射並吸收更多的輻射。如由曲線圖800中的線810所示，隨著摻雜位準增加，基板以更高的比率吸收更多的輻射。
本揭示內容的態樣有助於快速地和均勻地加熱基板，同時有助於基板的不透明性，以快速吸收熱量。本揭示內容的態樣考慮到不同基板的變異，這些變異可能包括摻雜，並且可能隨著基板的加熱而變化。本揭示內容的好處包括改正退火的不均勻性，減少基板移動和錯位（例如跑出口袋（out-of-pocket））的機率，增強基板均勻性，減少基板翹曲，減少成本和延遲，減少基板缺陷，和增加產量。好處還包括了高效地、準確地和均勻地在目標時間內將各種不同的基板加熱到目標退火溫度，例如在25秒或更短的時間內加熱到400℃。好處還包括了使用更低的輻射波長（例如小於1微米）和更高的加熱燈功率進行熱處理。
其他為解決熱處理的基板不均勻性的嘗試是不可預測的和/或緩慢的，造成操作上的延遲。方法200是以開環方法進行的，這有助於基板的熱處理中的準確度和減少延遲。
可以預期，可以結合本文所揭露的一個或多個態樣。舉個例子，可以組合具有腔室100的系統、方法200、曲線圖300、曲線圖400、曲線圖500、曲線圖600和/或曲線圖700的一個或多個態樣、特徵、部件和/或性質。此外，可以預期，本文所揭露的一個或多個態樣可以包括上述好處中的一些或全部。
雖然上述內容是針對本揭示內容的實施例，但在不偏離其基本範圍的情況下，也可以設計出本揭示內容的其他和進一步的實施例。本揭示內容也預期，本文所述的實施例的一個或多個態樣可以替代所述的一個或多個其他態樣。本揭示內容的範圍是由後面的請求項所決定的。
100 :    腔室 110 :    燈組件 111 :    加熱燈 112 :    反射管 113 :    蜂巢狀陣列 114 :    水冷式殼體 115 :    射束導件 118 :    內部容積 120 :    腔室主體 121 :    基板開口 122 :    排氣口 126 :    接收表面 127 :    透射表面 128 :    基板 129 :    準直透鏡 130 :    偵測器歧管 131 :    邊緣環 132 :    石英圓筒 133 :    反射體板 134 :    光探針 135 :    處理區域 137 :    輻射偵測器 139 :    上表面 147 :    升降銷 150 :    連續集輻射源 179 :    源歧管 181 :    窗口 182 :    基板支撐件 190 :    控制器 191 :    中央處理單元（CPU） 192 :    記憶體 193 :    支援電路 200 :    方法 203 :    操作 205 :    操作 207 :    操作 209 :    操作 211 :    操作 213 :    操作 214 :    操作 215 :    操作 217 :    操作 300 :    曲線圖 310 :    入射輻射曲線 311 :    入射輻射曲線 312 :    入射輻射曲線 313 :    入射輻射曲線 400 :    曲線圖 411 :    線 412 :    線 413 :    線 414 :    線 415 :    線 416 :    線 500 :    曲線圖 511 :    線 512 :    線 513 :    線 514 :    線 515 :    線 516 :    線 600 :    曲線圖 611 :    吸收積分 612 :    吸收積分 613 :    吸收積分 614 :    吸收積分 615 :    吸收積分 616 :    吸收積分 617 :    吸收積分 618 :    吸收積分 619 :    吸收積分 620 :    吸收積分 621 :    吸收積分 622 :    吸收積分 623 :    吸收積分 624 :    吸收積分 625 :    吸收積分 626 :    吸收積分 700 :    曲線圖 711 :    改正吸收係數 712 :    改正吸收係數 713 :    改正吸收係數 714 :    改正吸收係數 715 :    改正吸收係數 716 :    改正吸收係數 717 :    改正吸收係數 718 :    改正吸收係數 719 :    改正吸收係數 720 :    改正吸收係數 721 :    改正吸收係數 730 :    改正吸收係數曲線 800 :    曲線圖 810 :    線 D1   :    距離
為了能夠詳細理解本揭示內容的上述特徵，可以藉由參考實施例獲得上文簡要概述的本揭示內容的更詳細的描述，其中一些實施例在附圖中得到說明。然而，需要注意的是，附圖只說明示例性的實施例，因此不應被視為對範圍的限制，因為本揭示內容可以接受其他同等有效的實施例。
圖1A是依據一個實施方式，腔室的局部示意透視圖。
圖1B是依據一個實施方式，設置在圖1A所示的腔室的內部容積中的基板的局部示意圖。
圖2是依據一個實施方式，改正基板的熱處理的方法的示意圖形圖。
圖3是依據一個實施方式，顯示輻射源的功率與波長的關係曲線圖的示意圖形圖。
圖4是依據一個實施方式，顯示透射輻射與波長的關係曲線圖的示意圖形圖。
圖5是依據一個實施方式，顯示吸收功率與波長的關係曲線圖的示意圖形圖。
圖6是依據一個實施方式，顯示吸收積分與溫度的關係曲線圖的示意圖形圖。
圖7是依據一個實施方式，顯示改正吸收係數與溫度的關係曲線圖的示意圖形圖。
圖8是依據一個實施方式，顯示偵測到的訊號與摻雜位準的關係曲線圖的示意圖形圖。
為了便於理解，在可能的情況下，使用了相同的附圖標記來指明圖式中共同的相同元素。可以預期，一個實施例的元素和特徵可以有益地併入其他實施例，而無需進一步敘述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:方法
203:操作
205:操作
207:操作
209:操作
211:操作
213:操作
214:操作
215:操作
217:操作

Claims (20)

  1. 一種用於處理基板的系統，包括： 一腔室，包括一內部容積； 一基板支撐件； 複數個加熱燈； 一個或多個輻射偵測器，相對於該複數個加熱燈設置在該基板支撐件的一相對側；以及 一控制器，包括指令，該等指令當被執行時，使複數個操作進行，該複數個操作包括以下步驟： 使用該複數個加熱燈以複數個溫度加熱一基板，該加熱步驟包括為該複數個溫度中的每個溫度以複數個波長向該基板的一接收表面引導一入射輻射； 為該複數個溫度中的每個溫度以該複數個波長偵測從該基板的一透射表面透射的複數個透射輻射值； 為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收係數； 為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收功率值； 為該複數個溫度中的每個溫度產生該複數個波長下的一吸收功率曲線； 產生包括複數個改正吸收係數的一改正吸收係數曲線； 識別該基板的一類別；以及 變換該改正吸收係數曲線，該變換步驟包括： 將該改正吸收係數曲線與包括複數個儲存的改正係數的一儲存的改正係數曲線進行比較；以及 將該改正吸收係數曲線與該儲存的改正係數曲線合併，以產生一經變換的改正係數曲線。
  2. 如請求項1所述的系統，其中該產生該改正吸收係數曲線的步驟包括： 為該複數個溫度中的每個溫度決定該吸收功率曲線的一吸收積分； 決定該入射輻射的一入射輻射曲線的一發射積分； 為該複數個溫度中的每個溫度將該吸收積分除以該發射積分，以決定該複數個改正吸收係數；以及 將該複數個改正吸收係數作為該改正吸收係數曲線的一部分繪製。
  3. 如請求項2所述的系統，其中該複數個操作進一步包括以下步驟：對該基板或一第二基板進行熱處理，該對該基板或該第二基板進行熱處理的步驟包括： 選擇一處理溫度和與該處理溫度對應的一輻射功率； 藉由將該輻射功率除以沿著該改正吸收係數曲線設置在該處理溫度的一改正吸收係數，決定一經改正的輻射功率；以及 藉由從該複數個加熱燈發射該經改正的輻射功率，將該基板或該第二基板加熱到該處理溫度。
  4. 如請求項1所述的系統，其中該改正吸收係數曲線是由一多項式函數所定義的。
  5. 如請求項1所述的系統，其中在該基板的該加熱和該複數個透射輻射值的該偵測期間，該基板相對於該內部容積的一上表面定位在一距離處，並且該距離是1 mm或更小。
  6. 一種改正基板的熱處理的方法，包括以下步驟： 以複數個溫度加熱一基板，該加熱步驟包括為該複數個溫度中的每個溫度以複數個波長向該基板的一接收表面引導一入射輻射； 為該複數個溫度中的每個溫度以該複數個波長偵測從該基板的一透射表面透射的複數個透射輻射值； 為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收係數； 產生包括複數個改正吸收係數的一改正吸收係數曲線；以及 變換該改正吸收係數曲線，該變換步驟包括： 將該改正吸收係數曲線與包括複數個儲存的改正係數的一儲存的改正係數曲線進行比較；以及 將該改正吸收係數曲線與該儲存的改正係數曲線合併，以產生一經變換的改正係數曲線。
  7. 如請求項6所述的方法，進一步包括以下步驟： 為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收功率值；以及 為該複數個溫度中的每個溫度產生該複數個波長下的一吸收功率曲線。
  8. 如請求項7所述的方法，其中該產生該改正吸收係數曲線的步驟包括： 為該複數個溫度中的每個溫度決定該吸收功率曲線的一吸收積分； 決定該入射輻射的一入射輻射曲線的一發射積分； 為該複數個溫度中的每個溫度將該吸收積分除以該發射積分，以決定該複數個改正吸收係數；以及 將該複數個改正吸收係數作為該改正吸收係數曲線的一部分繪製。
  9. 如請求項8所述的方法，進一步包括以下步驟：對該基板或一第二基板進行熱處理，包括以下步驟： 選擇一處理溫度和與該處理溫度對應的一輻射功率； 藉由將該輻射功率除以沿著該改正吸收係數曲線設置在該處理溫度的一改正吸收係數，決定一經改正的輻射功率；以及 藉由從複數個加熱燈發射該經改正的輻射功率，將該基板或該第二基板加熱到該處理溫度。
  10. 如請求項9所述的方法，其中該經改正的輻射功率具有小於1微米的一波長和0.02 W/cm 2-nm或更大的一功率。
  11. 如請求項6所述的方法，其中該改正吸收係數曲線是由一多項式函數所定義的。
  12. 如請求項6所述的方法，其中該基板是一透明基板或半透明基板，由矽、碳、鍺、磷、多晶矽、氧化物、氮化物、金屬膜或硼中的一者或多者形成。
  13. 如請求項6所述的方法，其中該複數個溫度的一上限是該基板的一不透明溫度。
  14. 如請求項6所述的方法，其中該變換該改正吸收係數曲線的步驟進一步包括，為該複數個改正吸收係數中的每個改正吸收係數： 決定該改正吸收係數相對於該儲存的改正係數曲線在同一溫度的一比率；以及 如果該比率超出一第一接受範圍或在比該第一接受範圍更窄的一第二接受範圍之內，那麼忽略相應的改正吸收係數。
  15. 如請求項6所述的方法，其中該將該改正吸收係數曲線與該儲存的改正係數曲線合併的步驟包括執行一機器學習模型，以產生該經變換的改正係數曲線，並且該機器學習模型是一迴歸模型。
  16. 一種用於改正基板的熱處理的非暫時性電腦可讀取媒體，該非暫時性電腦可讀取媒體包括指令，該等指令當被執行時使複數個操作被進行，該複數個操作包括以下步驟： 以複數個溫度加熱一基板，該加熱步驟包括為該複數個溫度中的每個溫度以複數個波長向該基板的一接收表面引導一入射輻射； 為該複數個溫度中的每個溫度以該複數個波長偵測從該基板的一透射表面透射的複數個透射輻射值； 為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收係數； 產生包括複數個改正吸收係數的一改正吸收係數曲線；以及 變換該改正吸收係數曲線，該變換步驟包括： 將該改正吸收係數曲線與包括複數個儲存的改正係數的一儲存的改正係數曲線進行比較；以及 將該改正吸收係數曲線與該儲存的改正係數曲線合併，以產生一經變換的改正係數曲線。
  17. 如請求項16所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中該複數個操作進一步包括以下步驟： 為該複數個溫度中的每個溫度決定該複數個波長下的複數個吸收功率值；以及 為該複數個溫度中的每個溫度產生該複數個波長下的一吸收功率曲線。
  18. 如請求項17所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中該產生該改正吸收係數曲線的步驟包括： 為該複數個溫度中的每個溫度決定該吸收功率曲線的一吸收積分； 決定該入射輻射的一入射輻射曲線的一發射積分； 為該複數個溫度中的每個溫度將該吸收積分除以該發射積分，以決定該複數個改正吸收係數；以及 將該複數個改正吸收係數作為該改正吸收係數曲線的一部分繪製。
  19. 如請求項18所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中該複數個操作進一步包括以下步驟：對該基板或一第二基板進行熱處理，包括以下步驟： 選擇一處理溫度和與該處理溫度對應的一輻射功率； 藉由將該輻射功率除以沿著該改正吸收係數曲線設置在該處理溫度的一改正吸收係數，決定一經改正的輻射功率；以及 藉由從複數個加熱燈發射該經改正的輻射功率，將該基板或該第二基板加熱到該處理溫度。
  20. 如請求項16所述的非暫時性電腦可讀取媒體，其中該改正吸收係數曲線是由一多項式函數所定義的。
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