TW202326862A - 基板處理裝置，處理容器，半導體裝置的製造方法及程式 - Google Patents

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Abstract

可使被形成於基板上的膜的面內膜厚均一性提升。 具備： 可收容基板的容器； 連續構成至容器的氣體流路；及 將構成容器的壁與構成氣體流路的壁連接的連接部， 連接部的構成容器的壁的延伸線及連接部的構成氣體流路的壁的延伸線係皆被構成為與從容器的中心朝向氣體流路的軸線交叉。

Description

基板處理裝置，處理容器，半導體裝置的製造方法及程式
本案是關於基板處理裝置，處理容器，半導體裝置的製造方法及程式。
在專利文獻1是揭示使用從水平方向對於基板供給處理氣體而從水平方向排氣的反應管之基板處理裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2008-172204號公報
(發明所欲解決的課題)
在上述般的裝置中，處理氣體會有因為在從反應管排氣時衝突於壁而產生渦流的情況。若在反應管內產生渦流，則處理氣體會滯留，或處理氣體的分壓會上昇，在基板處理中有基板的面內膜厚均一性惡化的情況。
本案是以提供一種可使被形成於基板上的膜的面內膜厚均一性提升之技術為目的。 (用以解決課題的手段)
若根據本案的一形態，則提供一種下述構成的技術， 具備： 可收容基板的容器； 連續構成至前述容器的氣體流路；及 將構成前述容器的壁與構成前述氣體流路的壁連接的連接部， 前述連接部的構成前述容器的壁的延伸線及前述連接部的構成前述氣體流路的壁的延伸線係皆被構成為與從前述容器的中心朝向前述氣體流路的軸線交叉。 [發明的效果]
若根據本案，則可使被形成於基板上的膜的面內膜厚均一性提升。
以下，邊參照圖1~圖12邊說明。另外，在以下的說明中使用的圖面皆為模式性者，在圖面中所示的各要素的尺寸的關係、各要素的比率等是不一定與現實者一致。又，複數的圖面的相互間也各要素的尺寸的關係、各要素的比率等是不一定一致。
(1)基板處理裝置的構成 利用圖1說明有關基板處理裝置10的構成。
基板處理裝置10是具備反應管容納室206， 在反應管容納室206內具備： 延伸於鉛直方向的圓筒形狀的容器的反應管210； 被設置於反應管210的外周之作為加熱部(爐體)的加熱器211； 氣體供給構造212；及 氣體排氣構造213。 在氣體供給構造212是亦可包含後述的上游側整流部214或噴嘴223，224，225。 並且，在氣體排氣構造213是亦可包含後述的下游側整流部215。反應管210是被構成可收容基板S。
氣體供給構造212是被設在反應管210的氣體流動方向上游，從氣體供給構造212供給氣體至反應管210內，對於基板S從水平方向供給氣體。氣體排氣構造213是被設在反應管210的氣體流動方向下游，反應管210內的氣體是從氣體排氣構造213排出。氣體供給構造212、反應管210內及氣體排氣構造213是連通於水平方向。
在反應管210與氣體供給構造212之間的反應管210的上游側是設有整頓從氣體供給構造212供給的氣體的流動之上游側整流部214。並且，在反應管210與氣體排氣構造213之間的反應管210的下游側是設有整頓從反應管210排出的氣體的流動之下游側整流部215。反應管210的下端是以集合管(manifold)216來支撐。
反應管210、上游側整流部214、下游側整流部215是連續的構造，例如以石英或SiC等的材料所形成。該等是以透過從加熱器211放射的熱的熱透過性構件所構成。加熱器211的熱是加熱基板S或氣體。
氣體供給構造212是連接氣體供給管251、氣體供給管261、氣體供給管271，且具有分配從各氣體供給管供給的氣體的分配部125。在分配部125的下游側是設有噴嘴223、噴嘴224、噴嘴225。在氣體供給管251、氣體供給管261、氣體供給管271的下游側是經由分配部125來分別連接複數的噴嘴223，224，225。噴嘴223、噴嘴224及噴嘴225是大略水平地橫排配置。又，該等的噴嘴223，224，225會複數被配置於鉛直方向，分別被配置於對應於基板S的位置。各噴嘴是亦稱為氣體吐出部。
分配部125是被構成從氣體供給管251至複數的噴嘴223，從氣體供給管261至複數的噴嘴224，從氣體供給管271至複數的噴嘴225，供給各個的氣體。例如，按各個的氣體供給管與噴嘴的組合，構成氣體流動的路徑。藉由如此，從各氣體供給管供給的氣體不會混合，因此可抑制在分配部125氣體混合而有能發生粒子的產生。
上游側整流部214是具有作為氣體流路的供給側流路227及作為整流部的整流板226。整流板226是被延伸於水平方向。在此所謂的水平方向是表示供給側流路227的側壁方向。整流板226是複數配置於鉛直方向。整流板226是無間隙被固定於供給側流路227的側壁，被構成為氣體不會超過整流板226而移動至下方或上方的鄰接區域。藉由使不超過，可確實地形成後述的氣體流動。
整流板226是被延伸於水平方向，且為無孔連續的構造。各個的整流板226是被設在對應於各個的基板S的位置。整流板226之間或整流板226與供給側流路227之間是配置有噴嘴223、噴嘴224、噴嘴225。
從噴嘴223、噴嘴224、噴嘴225吐出的氣體是被供給至基板S的表面。亦即，若從基板S看，則氣體會從基板S的橫方向供給。由於整流板226是被延伸於水平方向，且為無孔的連續構造，因此氣體的主流是往鉛直方向的移動會被抑制，被移動於水平方向。因此可使到達至各個的基板S的氣體的壓力損失在鉛直方向形成均一。
下游側整流部215是被構成為在基板S被支撐於後述的基板支撐具300的狀態中，頂部會比被配置於最上位的基板S更高，被構成為底部會比被配置於基板支撐具300的最下位的基板S更低。基板支撐具300是可作為保持基板S的基板保持部使用。
下游側整流部215是具有：作為氣體流路的排氣側流路231；及作為整流部的整流板232。整流板232是被延伸於水平方向。在此所謂的水平方向是表示排氣側流路231的側壁方向。進一步，整流板232是複數配置於鉛直方向。整流板232是無間隙被固定於排氣側流路231的側壁，被構成為使氣體不會超過整流板232而移動至下方或上方的鄰接區域。藉由使不超過，可確實地形成後述的氣體流動。排氣側流路231之中，在與氣體排氣構造213接觸的側是設有凸緣(flange)233。
整流板232是被延伸於水平方向，且為無孔的連續構造。各個的整流板232是被設在對應於各個的基板S的位置。對應的整流板226與整流板232是最好設為同等的高度。進一步，處理基板S時，最好使基板S的高度與整流板226、整流板232的高度一致。藉由如此的構造，從各噴嘴供給的氣體是形成如圖中的箭號般的通過基板S、整流板232上的水平方向的流動。藉由將整流板232設為如此的構造，可使從各個的基板S上排出的氣體的壓力損失形成均一。因此，通過各基板S的氣體的氣體流動是一方面往鉛直方向的流動會被抑制，一方面朝向氣體排氣構造213來形成於水平方向。
藉由設置整流板226及整流板232，在各個的基板S的上游、下游各者，可使壓力損失在鉛直方向形成均一，因此在整流板226、基板S上、整流板232可確實地形成往鉛直方向的流動被抑制的水平的氣體流動。因此，可使複數的基板S的面間膜厚均一性提升。
氣體排氣構造213是被設在下游側整流部215的下游側。氣體排氣構造213是主要以框體241及氣體排氣管連接部242所構成。框體241之中，在下游側整流部215側是設有凸緣243。氣體排氣構造213是以金屬所構成，下游側整流部215是以石英所構成，因此凸緣233與凸緣243會以螺絲等而隔著O型環等的緩衝材來固定。凸緣243是最好被配置於加熱器211的外側，使能抑制加熱器211對於O型環的影響。
氣體排氣構造213是與下游側整流部215的空間連通。排氣側流路231與框體241是高度為連續的構造。排氣側流路231的頂部是被構成與框體241的頂部同等的高度，排氣側流路231的底部是被構成與框體241的底部同等的高度。在框體241的下游側，朝下側或水平方向形成排氣孔244。氣體排氣構造213是被設在反應管210的橫方向，從基板S的橫方向將氣體排氣的橫排氣構造。
通過下游側整流部215的氣體是從排氣孔244排氣。此時，氣體排氣構造213是無整流板之類的構成，因此包含鉛直方向的氣體流動會朝向排氣孔244形成。
基板支撐具300是具備隔板支撐部310與基部311，被容納於反應管210內。基板S會被配置於反應管210的頂板內壁正下面。又，基板支撐具300是經由在移載室217的內部未圖示的基板搬入口來藉由真空搬送機械手臂(robot)進行基板S的轉移，或將轉移後的基板S搬送至反應管210的內部而進行在基板S的表面形成薄膜的處理。基板搬入口是例如被設在移載室217的側壁。
在隔板支撐部310是複數片的圓板狀的隔板314會以預定的間距固定。而且，具有基板S會以預定的間隔來被支撐於隔板314間的構成。隔板314是被配置於基板S的正下面，被配置於基板S的上部及下部的任一者或雙方。隔板314是遮斷各基板S間的空間。
在基板支撐具300是複數的基板S會以預定的間隔載置。被載置於基板支撐具300的複數的基板S的預定的間隔是與被固定於隔板支撐部310的隔板314的上下的間隔相同。又，隔板314的直徑是被形成比基板S的直徑更大。
基板支撐具300是將複數片例如5片的基板S多段地支撐於鉛直方向(垂直方向)。另外，在此是表示在基板支撐具300支撐5片的基板S的例子，但不被限於此。例如，亦可構成能將基板S支撐5~50片程度的基板支撐具300。另外，隔板支撐部310的隔板314也稱為隔離物(separator)。
基板支撐具300是藉由上下方向驅動機構部400來驅動於反應管210與移載室217之間的上下方向及繞著以基板支撐具300所支撐的基板S的中心的旋轉方向。
移載室217是經由集合管216來設置於反應管210的下部。在移載室217是進行經由基板搬入口而藉由真空搬送機械手臂(robot)來將基板S載置(搭載)於基板支撐具(以下亦有簡稱為晶舟的情況)300，或藉由真空搬送機械手臂來從基板支撐具300取出基板S。
在移載室217的內部是可容納構成第1驅動部的上下方向驅動機構部400，該第1驅動部是將基板支撐具300驅動於上下方向及旋轉方向。在圖1中，顯示基板支撐具300是藉由上下方向驅動機構部400來上昇，被容納於反應管210內的狀態。
構成第1驅動部的上下方向驅動機構部400是具備上下驅動用馬達410及旋轉驅動用馬達430作為驅動源，以及晶舟(boat)上下機構420，該晶舟上下機構420是具備作為將基板支撐具300驅動於上下方向的基板支撐具昇降機構的線性促動器。
作為隔板支撐部昇降機構的上下驅動用馬達410是藉由旋轉驅動滾珠螺桿411來使螺合於滾珠螺桿411的螺帽412沿著滾珠螺桿411而上下移動。藉此，隔板支撐部310及基板支撐具300會與固定螺帽412的底板(base plate)402一起在反應管210和移載室217之間被驅動於上下方向。底板402是也被固定在和導軸414卡合的滾珠導軌415，成為可沿著導軸414來順暢地移動於上下方向的構成。滾珠螺桿411及導軸414的上端部及下端部是分別被固定於固定板413，416。
旋轉驅動用馬達430及具備線性促動器的晶舟上下機構420是構成第2驅動部，被固定於作為蓋體的底板凸緣(Base Flange)401，該蓋體是以側板403來支撐於底板402。
旋轉驅動用馬達430是驅動與安裝於前端部的齒部431卡合的旋轉傳動帶432，將與旋轉傳動帶432卡合的支撐具440旋轉驅動。支撐具440是以基部311支撐隔板支撐部310，經由旋轉傳動帶432來以旋轉驅動用馬達430驅動，藉此使隔板支撐部310及基板支撐具300旋轉。
具備線性促動器的晶舟上下機構420是將軸421驅動於上下方向。在軸421的前端部分是安裝有板422。板422是經由軸承423來與被固定於基板支撐具300的支撐部441連接。支撐部441會經由軸承423來與板422連接，藉此以旋轉驅動用馬達430旋轉驅動隔板支撐部310時，基板支撐具300也可與隔板支撐部310一起旋轉。
另一方面，支撐部441是經由線性導引軸承442來被支撐於支撐具440。藉由設為如此的構成，以具備線性促動器的晶舟上下機構420來將軸421驅動於上下方向時，對於被固定於隔板支撐部310的支撐具440，可將被固定於基板支撐具300的支撐部441相對性地驅動於上下方向。
被固定於隔板支撐部310的支撐具440與被固定於基板支撐具300的支撐部441之間是以真空波紋管443連接。
在作為蓋體的底板凸緣401的上面是設置有真空密封用的O型環446，如圖1所示般，以上下驅動用馬達410驅動而使底板凸緣401的上面上昇至推碰於移載室217的位置，藉此可將反應管210的內部保持於氣密。
其次，利用圖2來說明處理容器的詳細。
構成供給側流路227的壁與構成排氣側流路231的壁是分別和構成反應管210的壁連續構成，作為收容基板S而處理的處理容器使用。又，如上述般，構成供給側流路227的壁與構成排氣側流路231的壁是分別和構成反應管210的壁的氣體流動的上游側及下游側連續構成。構成反應管210、供給側流路227及排氣側流路231的壁是分別藉由石英所構成。
構成供給側流路227的壁是可作為對反應管210內供給氣體的氣體流路使用。又，構成排氣側流路231的壁是可作為將反應管210內的氣體排氣的氣體流路使用。
供給側流路227是具備： 被連接至反應管210的第一供給流路227a；及 被設在第一供給流路227a的氣體流動的上游側，經由第一供給流路227a來連接至反應管210的第一供給流路227b。 第一供給流路227a是對於反應管210，在連接部C1，C2分別連續連接。因此，連接部C1，C2是被構成為連接構成反應管210的壁及構成第一供給流路227a的壁。連接部C1，C2是被配置於平面與曲面的境界上，無凸構造。又，構成第一供給流路227a的壁是對於構成第二供給流路227b的壁，在連接部D1，D2分別連續連接。因此，連接部D1，D2是被構成為連接構成第一供給流路227a的壁及構成第二供給流路227b的壁。
排氣側流路231是具備： 作為被連接至反應管210的第一流路的第一排氣流路231a； 被設在第一排氣流路231a的氣體流動的下游側，作為經由第一排氣流路231a來連接至反應管210的第二流路的第二排氣流路231b。 第一排氣流路231a是對於反應管210，在連接部C3，C4分別連續連接。因此，連接部C3，C4是被構成為連接構成反應管210的壁及構成第一排氣流路231a的壁。又，第一排氣流路231a是對於第二排氣流路231b，在連接部D3，D4分別連續連接。因此，連接部D3，D4是被構成為連接構成第一排氣流路231a的壁及構成第二排氣流路231b的壁。
如圖2所示般，連接部C3的反應管210的接線，亦即連接部C3的構成反應管210的內壁的延伸線L1及連接部C3的構成氣體流路的第一排氣流路231a的內壁的延伸線L2皆是被構成為與從反應管210的中心軸O朝向排氣側的流路的軸線L3交叉。藉由如此的構成，連接部C3，C4是被配置於平面與曲面的境界上，無凸構造。
又，連接部C3的構成反應管210的內壁的延伸線L1與連接部C3的構成氣體流路的排氣側流路231的內壁的延伸線L2的交叉部(連接部C3)，延伸線L1與延伸線L2所成的角的反應管210的中心側的角度是被構成為鈍角或平角。藉由如此的構成，連接部C3，C4是被配置於平面與曲面的境界上，無凸構造。
藉由上述的構成，即使是處理氣體衝突於連接部C3的情況，也能使氣體的流動離去，可抑制渦流的發生。在連接部C1，C2，C4中也可同樣地構成，取得同樣的效果。
供給側流路227與排氣側流路231是隔著反應管210而對稱地設置。在圖2中，是被構成為隔著反應管210而左右對稱。亦即，供給側流路227與排氣側流路231是對於反應管210的中心軸O點對稱地設置。又，構成供給側流路227、反應管210及排氣側流路231的各者的壁是以軸線L3為軸而線對稱地設置。藉此，可將供給側的氣體的流動與排氣側的氣體的流動設為相同，其結果可抑制渦流的發生。又，由於可在隔著軸線L3的兩側將氣體的流動設為相同，因此可使基板的面內膜厚均一性提升。
在基板S被收容於反應管210的狀態中，連接部C1，C2的內壁與基板S的端部之間的各個的最短距離是被構成為比構成供給側流路227的內壁與基板S的端部之間的哪個的距離都更短。又，在基板S被收容於反應管210的狀態中，連接部C3，C4的內壁與基板S的端部之間的各個的最短距離是被構成為比構成排氣側流路231的內壁與基板S的端部之間的哪個的距離都更短。
又，在基板S被收容於反應管210的狀態中，構成反應管210的內壁與基板S的端部之間的最短距離是被構成為比構成供給側流路227的內壁間的哪個的距離都更短。又，在基板S被收容於反應管210的狀態中，構成反應管210的內壁與基板S的端部之間的最短距離是被構成為比構成排氣側流路231的內壁間的哪個的距離都更短。
又，構成反應管210的內壁與基板S的端部之間的最短距離是被構成為比構成供給側流路227的內壁與基板S的端部之間的哪個的距離都更短。又，構成反應管210的內壁與基板S的端部之間的最短距離是被構成為比構成排氣側流路231的內壁與基板S的端部之間的哪個的距離都更短。
構成第二供給流路227b的內壁是被構成為沿著軸線L3而平行地對於軸線L3線對稱地配置。亦即，構成第二供給流路227b的內壁間的距離為一定。構成第一供給流路227a的內壁間的距離是被構成為越接近反應管210越連續性地擴大。亦即，從構成第一供給流路227a的內壁到軸線L3的距離是被構成為在反應管210側的連接部C1，C2中最長，在第二供給流路227b側的連接部D1，D2中最短。由於可在隔著軸線L3的兩側將氣體的流動設為相同，因此可使基板的面內膜厚均一性提升。
換言之，連接部D1，D2的氣體流路的寬度是被構成為比連接部C1，C2的氣體流路的寬度更窄。亦即，被構成為配置於連接部C1，C2的氣體濃度會比連接部D1，D2的氣體濃度更薄的相隔距離的位置。
又，構成第二排氣流路231b的內壁是被構成為沿著軸線L3而平行地對於軸線L3線對稱地配置。亦即，構成第二排氣流路231b的內壁間的距離為一定。構成第一排氣流路231a的內壁間的距離是被構成為越離開反應管210越連續性地變窄。藉由如此的構成，連接部C3，C4是無凸構造。亦即，從構成第一排氣流路231a的內壁到軸線L3的距離是被構成為在反應管210側的連接部C3，C4中最長，在第二排氣流路231b側的連接部D3，D4中最短。由於可在隔著軸線L3的兩側將氣體的流動設為相同，因此可使基板的面內膜厚均一性提升。
換言之，連接部D3，D4的氣體流路的寬度是被構成為比連接部C3，C4的氣體流路的寬度更窄。又，連接部D3，D4是被配置於離基板S預定距離的位置。此預定距離是連接部C3，C4的氣體濃度會比連接部D3，D4的氣體濃度更薄的距離。因此，在接近基板S的連接部C3，C4的區域中，抑制渦流的發生，抑制氣體的滯留與分壓的上昇，藉此可抑制局部地氣體濃度變高。另外，在連接部D3，D4的區域中，對於基板S而言，由於被配置於離連接部C3，C4預定距離的位置，因此即使在連接部D3，D4中產生渦流時，也會對基板S的影響少。
另外，所謂上述的連接部的氣體濃度，具體的是表示連接部附近的空間的氣體濃度。所謂連接部附近的氣體濃度是例如表示與連接部接觸的空間的氣體濃度。
整流板226是無凸構造，在構成第一供給流路227a與第二供給流路227b的內壁間連續設置。整流板226是沿著第一供給流路227a與第二供給流路227b的內壁的形狀。因此，整流板226是被構成為從第二供給流路227b到第一供給流路227a，寬度慢慢地擴大。整流板226的氣體流動的下游側，反應管210側的端部是以和基板S的端部的最短距離會成為與反應管210的內壁和基板S的端部的最短距離同等的方式形成圓弧狀。亦即，整流板226的與基板S對向的側為沿著基板S的外周形狀的形狀。並且，整流板226的反應管210側的端部是比噴嘴223~225的前端更被配置至反應管210的中心側。
整流板232是無凸構造，在構成第一排氣流路231a與第二排氣流路231b的內壁間連續設置。整流板232是沿著第一排氣流路231a與第二排氣流路231b的內壁的形狀。因此，整流板232是被構成為從第一排氣流路231a到第二排氣流路231b，寬度慢慢地變窄。整流板232的氣體流動的上游側，反應管210側的端部是以和基板S的端部的最短距離會成為與反應管210的內壁和基板S的端部的最短距離同等的方式形成圓弧狀。亦即，整流板232的與基板S對向的側為沿著基板S的外周形狀的形狀。藉此，可抑制起因於整流板的渦流被形成。
其次，利用圖3及圖4來說明氣體供給部周邊的詳細。
如圖3記載般，在供給側流路227內之整流板226之間或整流板226與供給側流路227之間是設有作為氣體供給部的噴嘴223、噴嘴224及噴嘴225。噴嘴223、噴嘴224、噴嘴225是在對於各個的基板S大略水平方向上游側，被設在基板S的周方向。噴嘴223，224，225是被構成為連通至反應管210、供給側流路227、排氣側流路231內。
在基板S的側方的中央區域配置噴嘴223，在基板S的側方的中央區域的噴嘴223的水平方向兩側方配置噴嘴224，225。噴嘴224是被配置於噴嘴223的基板S的旋轉方向下游側。噴嘴225是被配置於噴嘴223的基板S的旋轉方向上游側。亦即，噴嘴223是被配置於噴嘴224與噴嘴225之間。換言之，噴嘴224，225是被設在噴嘴223的水平方向兩側。
噴嘴223~225的前端是被構成為被配置於連接部D1，D2的氣體流動的下游側，連接部C1，C2的氣體流動的上游側之第一供給流路227a。
如圖4所記載般，在噴嘴223的前端是形成有：經由朝向基板S的中心的副供給路而開口的孔223a；經由朝向基板S的旋轉方向下游側的邊緣區域的副供給路而開口，被配置於反應管210的壁側的孔223b；及經由朝向基板S的旋轉方向上游側的邊緣區域的副供給路而開口，被配置於反應管210的壁側的孔223c。亦即，在噴嘴223的前端是形成有經由3個的副供給路來分別開口的孔223a、223b、223c。
孔223a是被構成為朝向基板S的中心供給氣體。又，孔223b是被構成為傾斜至孔223a的基板S的旋轉方向下游側，與第一供給流路227a平行設置，朝向基板S所旋轉的下游方向側邊緣區域供給氣體。亦即，被構成為供給氣體至與被配置於基板S的旋轉方向下游側的第一供給流路227a平行的方向。
又，孔223c是被構成為傾斜至孔223a的基板S的旋轉方向上游側，與構成第一供給流路227a的壁平行設置，朝向基板S的旋轉的上游方向側邊緣區域供給氣體。亦即，被構成為供給氣體至與被配置於基板S的旋轉方向上游側的第一供給流路227a平行的方向。
如此，在噴嘴223的前端是以能供給氣體至3方向的方式形成有孔223a，223b，223c。具體而言，孔223b與孔223c的延伸方向是被構成為與構成氣體流路的壁亦即構成第一供給流路227a的內壁大略平行。藉此，可抑制渦流的發生。
孔223a的直徑例如6mm程度，被形成比被配置於孔223a的兩側的孔223b，223c的直徑更大。孔223b，223c是朝向基板S的邊緣區域方向，對於孔223a形成線對稱。
在噴嘴224的前端是形成有朝向基板S的旋轉的下游方向側邊緣區域開口的孔224a。孔224a是被構成為朝向外側斜設，朝向基板S的旋轉的下游方向側邊緣區域供給氣體。亦即，孔224a的延伸方向是被構成為與構成氣體流路的壁亦即構成第一供給流路227a的內壁大略平行。
在噴嘴225的前端是形成有朝向基板S的旋轉的上游方向側的邊緣區域開口的孔225a。孔225a是被構成為朝向外側斜設，朝向基板S的旋轉的上游方向側邊緣區域供給氣體。亦即，孔225a的延伸方向是被構成為與構成氣體流路的壁亦即構成第一供給流路227a的內壁大略平行。
孔224a，225a是朝向基板S的邊緣區域方向，對於孔223a形成線對稱。又，孔224a，225a是被配置於比孔223b，223c更進一步靠邊緣區域側。又，孔224a、孔225a的直徑是例如2mm程度。
噴嘴223是連接氣體供給管251。噴嘴224是連接氣體供給管261。噴嘴225是連接氣體供給管271。
在氣體供給管251是從上游方向依序設有原料氣體源252、流量控制器(流量控制部)的質量流控制器(MFC)253及開閉閥的閥254。
從原料氣體源252是供給處理氣體的原料氣體。原料氣體是可使用至少二個的矽原子(Si)所結合的氣體，亦即含有Si-Si結合的原料氣體，例如含有Si及氯(Cl)的氣體，六氯二矽(Si 2Cl 6，六氯二矽烷，簡稱：HCDS)氣體。
氣體供給管251之中，閥254的下游側是連接氣體供給管255。在氣體供給管255是從上游方向依序設有惰性氣體源272、MFC257及開閉閥的閥258。從惰性氣體源272是供給惰性氣體例如氮(N 2)氣體。
主要藉由氣體供給管251、MFC253、閥254、氣體供給管255、MFC257、閥258、噴嘴223來構成第一氣體供給系250。
主要從氣體供給管255供給的惰性氣體是在原料氣體供給時，作為運送原料氣體的載流氣體作用，在淨化時是作為淨化停留於反應管210內的氣體之淨化氣體作用。
如圖3記載般，在氣體供給管261是從上游方向依序設有反應氣體源262、流量控制器(流量控制部)的MFC263及開閉閥的閥264。
從反應氣體源262是供給與原料氣體反應的反應氣體。在此，反應氣體是例如含有氧(O)、氮(N)、碳(C)的任一個的氣體。在本形態中，反應氣體是例如含氮氣體，氨(NH 3)、二亞胺(N 2H 2)氣體、聯氨(N 2H 4)氣體、N 3H 8氣體等的含有N-H結合的氮化氫系氣體。
氣體供給管261之中，在閥264的下游側是連接氣體供給管265。在氣體供給管265是從上游方向依序設有惰性氣體源272、MFC267及開閉閥的閥268。
主要藉由氣體供給管261、MFC263、閥264、氣體供給管265、MFC267、閥268、噴嘴224來構成第二氣體供給系260。
主要從氣體供給管265供給的惰性氣體是在原料氣體供給時，作為運送原料氣體的載流氣體作用，在淨化時是作為淨化滯留於反應管210內的氣體之淨化氣體作用。
如圖3記載般，在氣體供給管271是從上游方向依序設有反應氣體源262、流量控制器(流量控制部)的MFC273及開閉閥的閥274。
氣體供給管271之中，在閥274的下游側是連接氣體供給管275。在氣體供給管275是從上游方向依序設有惰性氣體源272、MFC277及開閉閥的閥278。
主要藉由氣體供給管271、MFC273、閥274、氣體供給管275、MFC277、閥278、噴嘴225來構成第三氣體供給系280。
從氣體供給管275供給的惰性氣體是在原料氣體供給時，作為運送原料氣體的載流氣體作用，在淨化時是作為淨化滯留於反應管210內的氣體之淨化氣體作用。
另外，第三氣體供給系280是與第二氣體供給系260同樣反應氣體或惰性氣體會對於基板S供給。因此，第三氣體供給系亦可稱為第二氣體供給系。
接著，利用圖1來說明排氣系。將反應管210的氣氛排氣的排氣系290是具有與反應管210連通的排氣管291，經由排氣管連接部242來連接至框體241。
如圖1記載般，排氣管291是經由作為開閉閥的閥292、作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller)閥293來連接作為真空排氣裝置的真空泵294，被構成為可真空排氣，使得反應管210內的壓力成為預定的壓力(真空度)。將排氣管291、閥292、APC閥293匯集稱為排氣系290。排氣系290是亦稱為處理室排氣系。另外，亦可將真空泵294含在排氣系290中。
接著，利用圖5來說明控制部(控制手段)的控制器。基板處理裝置10是具有控制基板處理裝置10的各部的動作的控制器600。
將控制器600的概略顯示於圖5。控制器600是被構成為具備CPU(Central Processing Unit)601、RAM(Random Access Memory)602、作為記憶部的記憶裝置603、I/O埠604之電腦。RAM602、記憶裝置603、I/O埠604是被構成為可經由內部匯流排605來與CPU601作資料交換。基板處理裝置10內的資料的收發訊號是藉由也是CPU601的一個機能的收發訊號指示部606的指示來進行。
在控制器600是設有經由網路來連接至上位裝置670的網路收發訊號部683。網路收發訊號部683是可從上位裝置670接收被容納於傳送盒的基板S的處理履歴或關於預定處理的資訊等。
記憶裝置603是例如以快閃記憶體、HDD(Hard Dis k Drive)等所構成。在記憶裝置603內是可讀出地儲存有控制基板處理裝置10的動作的控制程式，或記載基板處理的程序或條件等的製程處方等。
另外，製程處方是被組合為可使後述的基板處理工序的各程序實行於控制器600，可取得預定的結果，作為程式機能。以下，亦將製程處方或控制程式等總簡稱為程式。 在本說明書中使用程式的用語時，是有只包含製程處方單體時，只包含控制程式單體時，或包含該等的雙方時。RAM602是被構成為暫時性地保持藉由CPU601所讀出的程式或資料等之記憶區域(工作區域)。
I/O埠604是被連接至基板處理裝置10的各構成。
CPU601是被構成為讀出來自記憶裝置603的控制程式而實行，且按照來自輸出入裝置681的操作指令的輸入等而從記憶裝置603讀出製程處方。然後，CPU601是被構成可按照被讀出的製程處方的內容控制基板處理裝置10。
CPU601是具有收發訊號指示部606。控制器600是利用儲存上述程式的外部記憶裝置(例如硬碟等的磁碟、DVD等的光碟、MO等的光磁碟、USB記憶體等的半導體記憶體)682來將程式安裝於電腦等，藉此可構成本形態的控制器600。另外，用以將程式供給至電腦的手段是不限於經由外部記憶裝置682來供給的情況。例如，亦可使用網際網路或專線等的通訊手段，不經由外部記憶裝置682供給程式。另外，記憶裝置603或外部記憶裝置682是被構成為電腦可讀取的記錄媒體。以下，亦將該等總簡稱為記錄媒體。另外，在本說明書中使用記錄媒體的用語時，是有只包含記憶裝置603單體時，只包含外部記憶裝置682單體時，或包含該等雙方時。
其次，說明有關使用上述的構成的基板處理裝置10在基板S上形成薄膜的工序，作為半導體製造工序(基板處理工序)之一工序。另外，在以下的說明中，構成基板處理裝置10的各部的動作是藉由控制器600來控制。
在此，利用圖6及圖7來說明有關使用原料氣體及反應氣體，藉由交替供給該等，在於表面具有作為凹部的溝的基板S上形成膜的成膜處理。
(S10) 說明移載室壓力調整工序S10。在此，將移載室217內的壓力設為與移載室217鄰接的未圖示的真空搬送室同水準的壓力。
(S11) 接著，說明基板搬入工序S11。 一旦移載室217成為真空水準，則開始基板S的搬送。 一旦基板S到達真空搬送室，則將閘閥解放，真空搬送機械手臂是將基板S搬入至移載室217。
此時基板支撐具300是在移載室217中待機，基板S是被移載至基板支撐具300。一旦預定片數的基板S被移載至基板支撐具300，則使真空搬送機械手臂退避，且藉由上下方向驅動機構部400來使基板支撐具300上昇，使基板S移動至反應管210內亦即處理室內。
往反應管210的移動，是以基板S的表面會與整流板226、整流板232的高度一致之方式定位而被收容於反應管210內。
(S12) 接著，說明加熱工序S12。 一旦將基板S搬入至反應管210內的處理室，則將反應管210內控制成為預定的壓力，且控制基板S的表面溫度成為預定的溫度。加熱器211的溫度是控制為基板S的溫度會成為例如100℃以上1500℃以下，理想是200℃以上1000℃以下，更理想是400℃以上800℃以下。又，反應管210內的壓力是可思考例如設為5Pa~100kPa。亦即，基板S是在被層疊於基板支撐具300的狀態下被處理。
(S13) 接著，說明膜處理工序S13。在膜處理工序S13中，按照製程處方，在基板S被收容於處理室的狀態下，對於表面具有作為凹部的溝之基板S，進行以下的步驟。
＜原料氣體供給、步驟S100＞ 首先，將原料氣體供給至反應管210內。開啟閥254，在氣體供給管251內流動原料氣體。原料氣體是藉由MFC253來調整流量，經由分配部125、噴嘴223、孔223a，223b，223c來供給至反應管210內。此時並行開啟閥268，278，在氣體供給管261，271內流動N 2氣體等的惰性氣體。惰性氣體是藉由MFC267，277來調整流量，經由分配部125、噴嘴224，225、孔224a，225a來供給至反應管210內。然後，經由基板S上的空間、排氣側流路231、氣體排氣構造213、排氣管281來排氣。亦即，在本步驟中，原料氣體與惰性氣體會作為處理氣體被供給至反應管210內。
如上述的基板處理裝置10般，從基板S的橫方向供給氣體，從橫方向排氣的構成中，與從基板S的下方向供給，從下方排氣的構成作比較，可在未分解狀態下供給原料氣體。
＜淨化，步驟S101＞ 開始原料氣體的供給之後經過預定時間後，關閉閥254，停止原料氣體的供給。此時，開啟閥258，268，278，對氣體供給管255，265，275內供給作為淨化氣體的惰性氣體，且排氣管291的閥292、APC閥293是維持開啟，藉由真空泵294來將反應管210內真空排氣。藉此，可抑制存在於反應管210內之氣相中的原料氣體與反應氣體的反應。
＜反應氣體供給，步驟S102＞ 開始淨化之後經過預定時間後，關閉閥268，278，開啟閥264，274，在氣體供給管261，271內流動反應氣體。反應氣體是藉由MFC263，273來調整流量，經由分配部125、噴嘴224、孔224a、噴嘴225、孔225a來供給至反應管210內。然後，經由基板S上的空間、下游側整流部215、氣體排氣構造213、排氣管291來排氣。此時，為了防止往氣體供給管251內的反應氣體的侵入，而開啟閥258，從噴嘴223使流動惰性氣體。亦即，在本步驟中，反應氣體與惰性氣體會作為處理氣體被供給至反應管210內。
此時，經由氣體供給構造212，從基板S的側方，朝向基板S供給反應氣體。在此，反應氣體是與原料氣體不同的氣體，與原料氣體反應的氣體，例如可使用含N氣體的NH 3氣體。亦即，從基板S的側方供給反應氣體至基板S表面。然後，反應氣體會被供給至溝內，與附著於構成溝的壁之前驅體反應，所望的膜會被形成於包含溝內的基板S上。具體而言，在基板S表面上，NH 3氣體是與HCDS氣體反應，被供給至溝內的NH 3氣體是與附著於構成溝的壁之SiCl 2反應，形成一空隙(void)被抑制，階梯覆蓋(step coverage)性能被改善的矽氮化(SiN)膜。
＜淨化，步驟S103＞ 開始反應氣體的供給之後經過預定時間後，關閉閥264，274，停止反應氣體的供給。此時，開啟閥258，268，278，對氣體供給管255，265，275內供給作為淨化氣體的惰性氣體，且排氣管291的閥292、APC閥293是維持開啟，藉由真空泵294來將反應管210內真空排氣。藉此，可抑制存在於反應管210內之氣相中的原料氣體與反應氣體的反應。
＜預定次數實施，步驟S104＞ 藉由實行預定次數(n次)，1次以上依序非同時進行上述的步驟S100~步驟S103之循環，在具有溝的基板S上形成預定的厚度的膜。在此是例如形成SiN膜。
(S14) 接著，說明基板搬出工序S14。在S14是以和上述的基板搬入工序S11相反的程序，將處理完了的基板S往移載室217外搬出。
(S15) 接著，說明判定S15。在此是判定是否處理了預定次數基板。若被判斷成未處理預定次數，則回到基板搬入工序S11，處理其次的基板S。若被判斷成處理預定次數，則結束處理。
圖8(A)~圖8(C)是說明作為原料氣體使用的至少二個的矽原子(Si)所結合的氣體之一例的圖。
如圖8(A)所示般，HCDS氣體是在該化學構造式中(1分子中)含有Si及氯基(氯化物)。又，如圖8(B)所示般，1,1,2,2-四氯-1,2-二甲基矽烷((CH 3) 2Si 2Cl 4，簡稱：TCDMDS)是具有Si-Si結合，更含有氯基、亞烷基。如圖8(C)所示般，1,2-二氯1,1,2,2-四甲基二矽烷((CH 3) 4Si 2Cl 2，簡稱：DCTMDS)是具有Si-Si結合，更含有氯基、亞烷基。
在此，原料氣體是具有在預定條件中具有維持預定的分解率的未分解時間及維持比前述預定的分解率更高的分解率的分解時間之性質的氣體。另外，所謂未分解是不僅氣體為完全分解的狀態，也包含某程度分解的狀態，意指未分解狀態的氣體支配的狀態。由於是如此的狀態，因此亦取代未分解而稱為低分解。所以，亦可將未分解時間稱為低分解時間。
此Si-Si結合是在反應管210內，具有藉由衝突於構成後述的基板S的凹部的壁而分解的程度的能量。在此，所謂分解是意指Si-Si結合被切斷。亦即，Si-Si結合是藉由對壁的衝突來切斷結合。
圖9(A)~圖9(C)是表示原料氣體之一例的HCDS氣體的計測後的每個壓力的3個圖表。在各個的圖表中，縱軸是表示HCDS的莫耳分率，橫軸是表示HCDS所移動的距離。圖9(A)是表示在10000Pa，圖9(B)是表示在1000Pa，圖9(C)是表示在100Pa計測的情況。另外，在各者是將計測溫度設為相同。並且，在各圖表中是藉由HCDS(Si 2Cl 6)的莫耳分率下降，SiCl 2的莫耳分率上昇，而視為HCDS的分解被進行。
若比較此3個的圖表，則可知越是高壓，越以最短的距離，SiCl 2的莫耳分率上昇。亦即可知壓力越高，HCDS的分解越會被促進。
圖10(A)是表示本案的處理容器的橫剖面圖，圖10(B)是表示比較例的處理容器的橫剖面圖。
如圖10(B)所示般，比較例的處理容器是反應管710與供給側流路727的連接部及反應管710與排氣側流路731的連接部為凸構造。並且，在噴嘴723，724，725的前端是以能分別朝向基板S的中心供給氣體的方式形成有孔。在比較例的處理容器內是有在處理氣體從反應管210排氣時，排氣側的開口寬(連接部間的距離)窄，衝突於開口附近的連接部，在連接部附近產生渦流的情況。若在反應管210內產生渦流，則會有處理氣體滯留或處理氣體的分壓上昇的情況。例如使用HCDS氣體之類含有Si-Si結合的氣體作為處理氣體時，隨著溫度上昇或分壓的上昇，分解度變高。如此一來，在溫度或分壓上昇的區域中處理氣體的分解會被促進，在該區域中處理氣體的濃度變高。並且，藉由被衝突於凸構造，Si-Si結合會被切斷，在該區域中處理氣體的分解會被促進，在該區域中處置氣體的濃度變高。藉此，在被配置於凸構造附近的基板S的端部與基板S的中心部是被供給至基板S的表面的處理氣體的濃度會不同。因此，有被形成於基板上的膜的面內膜厚均一性惡化的情況。而且，在將處理容器內抽真空時，應力會集中於凸構造，恐有破損之虞。
相對於此，如圖10(A)所示般，反應管210與供給側流路227的連接部(C1，C2)及反應管210與排氣側流路231的連接部(C3，C4)不是凸構造。並且，在處理氣體從反應管210排氣時，排氣側的開口寬(連接部C3，C4間的距離)會比圖10(B)所示的處理容器的開口寬(連接部間的距離)更寬，連接部D3，D4的離基板S的中心的距離會被構成為比圖10(B)所示的處理容器的連接部的離基板S的中心的距離更長。所以，在連接部D3，D4的區域中，對於基板S而言，由於被配置於比圖10(B)所示的處理容器的連接部還離開的位置，因此即使在連接部D3，D4中產生渦流時，也會對基板S的影響少。亦即，處理氣體往壁的衝突會被抑制，渦流的發生會被抑制。因此，處理氣體的滯留會被抑制，局部性的處理氣體的分壓的上昇會被抑制。因此，即使是使用含有Si-Si結合的氣體作為處理氣體的情況，也可成為均一的處理，可使被形成於基板上的膜的面內膜厚均一性提升。又，由於在與反應管210的連接部(C3，C4)無凸構造，因此即使在將處理容器內抽真空時，也可一面使氣體的流動離去而抑制渦流的發生，一面保持容器的真空耐性。
另外，上述是在氣體流動的形成中表現成水平，但只要全體在水平方向形成氣體的主流即可，若為不影響複數的基板的均一處理的範圍，則亦可為擴散於垂直方向的氣體流動。
又，上述是有相同、同程度、同等、相等等的表現，但當然該等是包含實質相同者。
(4)變形例 其次，詳述有關上述的形態的處理容器的變形例。在以下的變形例中，僅與上述的形態不同的點詳述。
(變形例1) 與本案的處理容器作比較說明有關上述的處理容器的變形例。
圖11(A)是表示本案的處理容器的連接部C3，C4周邊的一部分橫剖面圖，圖11(B)是表示變形例的處理容器的連接部C3，C4周邊的一部分橫剖面圖。
如圖11(A)所示般，在上述的形態中，第一排氣流路231a是對於反應管210，在連接部C3，C4分別直線狀地傾斜連接。又，第一排氣流路231a是對於第二排氣流路231b，在連接部D3，D4分別直線狀地傾斜連接。整流板232是對應於構成第一排氣流路231a與第二排氣流路231b的內壁間的形狀而設。
相對於此，如圖11(B)所示般，在變形例中，第一排氣流路231a是對於反應管210，在連接部C3，C4分別曲線狀地連續連接。又，第一排氣流路231a是對於第二排氣流路231b，在連接部D3，D4分別曲線狀地連續連接。整流板232是對應於構成第一排氣流路231a與第二排氣流路231b的內壁間的形狀而設。
藉此，在變形例的處理容器中也可使氣體的流動離去，抑制渦流的發生，抑制氣體的滯留，抑制氣體的分壓的上昇。因此，可使被形成於基板上的膜的面內膜厚均一性提升。又，藉由設置整流板232，可使從各個的基板S上排出的氣體的壓力損失形成均一。因此，通過各基板S的氣體的氣體流動是往鉛直方向的流動會被抑制，且朝向氣體排氣構造213而被形成於水平方向。因此，可使基板S的面間膜厚均一性提升。另外，被連接至反應管210的上游側之第一供給流路及第二供給流路的形狀也亦可與變形例的第一排氣流路及第二排氣流路的形狀同樣曲線狀地連續連接。
(變形例2) 利用圖12來說明有關上述的處理容器的變形例。
本變形例的處理容器700主要以第一容器的內管700a及第二容器的外管700b所構成。亦即，處理容器700是2重構造的處理容器。
外管700b是圓筒形狀，在外管700b的氣體流動的上游側及下游側是分別連續性地連接供給側流路702及排氣側流路704。
在內管700a的氣體流動的上游側及下游側是分別連續性地連接供給側流路706及排氣側流路708。
外管700b是被設在內管700a的外周，內管700a與外管700b是被同心圓狀地配設。內管700a、供給側流路706、排氣側流路708、外管700b、供給側流路702、排氣側流路704是分別以例如石英等的耐熱性材料所構成。
供給側流路706是作為對內管700a內供給氣體的氣體流路使用。排氣側流路708是作為將內管700a內的氣體排氣的氣體流路使用。
供給側流路706是對於內管700a，在連接部C1，C2連續連接。供給側流路706為曲線形狀，以構成供給側流路706的內壁會越接近內管700a越連續性地變寬之方式構成。
排氣側流路708是對於內管700a，在連接部C3，C4連續連接。排氣側流路708為曲線形狀，以構成排氣側流路708的內壁會越離開內管700a越連續性地變窄之方式構成。
又，被構成為供給側流路706的氣體流動的上游側開口會被配置於比供給側流路702與外管700b的連接部E1，E2更靠氣體流動的上游側。又，供給側流路706是被構成為在噴嘴223~225不被設置的狀態中，連通至供給側流路702。
而且，被構成為噴嘴223~225會被配置於外管700b的供給側流路702內，噴嘴223~225的前端會被配置於內管700a的供給側流路706的氣體流動的上游側開口。
又，被構成為排氣側流路708的氣體流動的下游側開口會被配置於比排氣側流路704之與外管700b的連接部E3，E4更靠氣體流動的下游側。
因此，被構成為內管700a的排氣側流路708會連通至構成外管700b的排氣側流路704的內壁間。因此，被供給至內管700a內的處理氣體是經由排氣側流路708，704來排出。藉此，渦流的發生會被抑制，氣體的滯留會被抑制，氣體的分壓的上昇會被抑制。因此，可使被形成於基板上的膜的面內膜厚均一性提升。
(其他的形態) 以上，具體說明了本形態，但不是被限定於此者，亦可在不脫離其主旨的範圍實施各種變更。
另外，在上述實施形態說明了有關在供給原料氣體的噴嘴223的兩側配置對基板S的邊緣區域供給惰性氣體的噴嘴224，225之構成，但本形態是不被限定於此，亦可在噴嘴224，225的外側更配置對基板S的邊緣區域供給原料氣體的噴嘴。又，亦可在供給側流路227內大略水平地配置3個以上的噴嘴。
又，上述實施形態是舉在基板處理裝置所進行的膜處理工序中，使用HCDS氣體作為原料氣體，使用NH 3氣體作為反應氣體來形成膜的情況為例，但本形態是不被限定於此。
又，例如，在上述的各實施形態中，作為基板處理裝置所進行的處理，是舉成膜處理為例，但本形態是不被限定於此。亦即，本形態是除了在各實施形態舉例的成膜處理以外，在各實施形態舉例表示的薄膜以外的成膜處理也可適用。並且，在本實施形態中是說明有關層疊複數的基板而處理的裝置，但不被限於此，在1片1片處理基板的單片裝置也可適用。又，可將某實施形態的構成的一部分置換成其他的實施形態的構成，又，亦可在某實施形態的構成中追加其他的實施形態的構成。又，亦可針對各實施形態的構成的一部分進行其他的構成的追加、削除、置換。
S:基板 10:基板處理裝置 210:反應管 600:控制器
[圖1]是表示本案之一形態的基板處理裝置的概略的縱剖面圖。 [圖2]是表示本案之一形態的處理容器的橫剖面圖。 [圖3]是表示本案之一形態的氣體供給部的詳細的圖。 [圖4]是表示圖3的噴嘴的氣體供給孔的詳細的圖。 [圖5]是本案之一形態的基板處理裝置的控制器的概略構成圖，以方塊圖表示控制器的控制系的圖。 [圖6]是表示本案之一形態的基板處理順序的圖。 [圖7]是表示圖6的膜處理工序的詳細的流程圖。 [圖8(A)]~[圖8(C)]是表示本案之一形態的氣體的化學構造式之一例的圖。 [圖9(A)]~[圖9(C)]是說明有關可在本案之一形態使用的氣體的說明圖。 [圖10(A)]是說明有關本案之一形態的反應管內的氣體的流動的圖，[圖10(B)]是說明有關比較例的反應管內的氣體的流動的圖。 [圖11(A)]是說明有關本案之一形態的氣體流路的圖，[圖11(B)]是說明有關本案之一形態的氣體流路的變形例的圖。 [圖12]是表示本案之一形態的處理容器的變形例的橫剖面圖。
210:反應管
223:噴嘴
224:噴嘴
225:噴嘴
226:整流板
227:側流路
227a:第一供給流路
227b:第二供給流路
231:排氣側流路
231a:第一排氣流路
231b:第二排氣流路
C1:連接部
C2:連接部
C3:連接部
C4:連接部
D1:連接部
D2:連接部
D3:連接部
D4:連接部
L1:延伸線
L2:延伸線
L3:軸線
S:基板

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具備： 可收容基板的容器； 連續構成至前述容器的氣體流路；及 將構成前述容器的壁與構成前述氣體流路的壁連接的連接部， 前述連接部的構成前述容器的壁的延伸線及前述連接部的構成前述氣體流路的壁的延伸線係皆被構成為與從前述容器的中心朝向前述氣體流路的軸線交叉。
  2. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，在前述基板被收容於前述容器的狀態中，前述連接部的內壁與前述基板之間的距離係被構成為比構成前述氣體流路的壁與前述基板之間的距離更短。
  3. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，在前述基板被收容於前述容器的狀態中，構成前述容器的壁與前述基板之間的距離係被構成為比構成前述氣體流路的壁間的距離更短。
  4. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，在前述基板被收容於前述容器的狀態中，構成前述容器的壁與前述基板之間的距離係被構成為比構成前述氣體流路的壁與前述基板之間的距離更短。
  5. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體流路係被構成為連通可供給含有Si-Si結合的氣體的氣體供給部。
  6. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述連接部的構成前述容器的壁的延伸線與前述連接部的構成前述氣體流路的壁的延伸線的交叉部的前述容器的中心側的角度係被構成為鈍角或平角。
  7. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述連接部為無凸構造的構成。
  8. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述連接部係被構成為構成前述容器的壁的延伸線與構成前述氣體流路的壁的延伸線的交叉部的前述容器的中心側的角度為鈍角或平角，或成為無凸構造的構成， 構成前述氣體流路的壁及構成前述容器的壁係以石英所構成。
  9. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，構成前述氣體流路的壁係對於前述軸線對稱地設置。
  10. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，構成前述氣體流路的壁間的距離係被構成為越離開前述容器越連續性地變窄。
  11. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體流路係具有： 將氣體供給至前述容器內的供給側流路；及 將前述容器內的氣體排氣的排氣側流路， 前述供給側流路及前述排氣側流路係隔著前述容器而對稱地設置。
  12. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體流路係具備： 被連接至前述容器的第一流路；及 經由前述第一流路來連接至前述容器的第二流路， 連接前述第一流路與前述第二流路的連接部係被配置於離前述基板預定距離的位置， 前述預定距離為連接構成前述容器的壁與前述第一流路的連接部的氣體濃度會比連接前述第一流路與前述第二流路的連接部的氣體濃度更薄的距離。
  13. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體流路係具備： 被連接至前述容器的第一排氣流路；及 經由前述第一排氣流路來連接至前述容器的第二排氣流路， 連接構成前述容器的壁與前述第一排氣流路的連接部的氣體濃度係被構成為比連接前述第一排氣流路與前述第二排氣流路的連接部的氣體濃度更薄。
  14. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體流路係具備： 被連接至前述容器的第一排氣流路；及 經由前述第一排氣流路來連接至前述容器的第二排氣流路， 連接前述第一排氣流路與前述第二排氣流路的連接部的氣體流路的寬度係被構成比連接前述容器與前述第一排氣流路的連接部的氣體流路的寬度更窄， 前述第二排氣流路係沿著前述軸線而配置。
  15. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體流路係具有供給側流路， 在前述供給側流路係設有將氣體供給至前述容器內的氣體供給部， 前述氣體供給部的前端係被構成為配置於比前述連接部更靠氣體流動上游側。
  16. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體流路係具有供給側流路， 在前述供給側流路係設有氣體供給部，該氣體供給部係具備經由複數的副供給路來分別開口的複數的供給孔， 複數的前述供給孔之中，被配置於前述容器的壁側的前述供給孔的氣體供給方向係被構成為與構成前述氣體流路的壁平行。
  17. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述氣體流路係具備： 被連接至前述容器的第一排氣流路；及 經由前述第一排氣流路來連接至前述容器的第二排氣流路， 在構成前述第一排氣流路與前述第二排氣流路的壁間係設有被構成為從前述第一排氣流路到前述第二排氣流路，寬度慢慢地變窄的整流部。
  18. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述容器為第一容器， 在前述第一容器的外周更具有第二容器， 前述氣體流路係被構成為連通至前述第二容器的氣體供給流路或氣體排氣流路。
  19. 一種處理容器，其特徵係具備： 可收容基板的容器； 連續構成至前述容器的氣體流路；及 將構成前述容器的壁與構成前述氣體流路的壁連接的連接部， 前述連接部的構成前述容器的壁的延伸線及前述連接部的構成前述氣體流路的壁的延伸線係皆被構成為與從前述容器的中心朝向前述氣體流路的軸線交叉。
  20. 一種半導體裝置的製造方法，其特徵為： 對於處理容器具有 將基板收容於容器的工序；及 在前述基板被收容於前述容器的狀態下，將氣體供給至前述容器而處理前述基板的程序， 前述處理容器係具備： 可收容前述基板的前述容器； 連續構成至前述容器的氣體流路；及 將構成前述容器的壁與構成前述氣體流路的壁連接的連接部， 前述連接部的構成前述容器的壁的延伸線及前述連接部的構成前述氣體流路的壁的延伸線係皆被構成為與從前述容器的中心朝向前述氣體流路的軸線交叉。
  21. 一種程式，其特徵係對於處理容器，藉由電腦來使下列程序實行於基板處理裝置， 將基板收容於容器的程序；及 在前述基板被收容於前述容器的狀態下，將氣體供給至前述容器而處理前述基板的程序， 前述處理容器係具備： 可收容前述基板的前述容器； 連續構成至前述容器的氣體流路；及 將構成前述容器的壁與構成前述氣體流路的壁連接的連接部， 前述連接部的構成前述容器的壁的延伸線及前述連接部的構成前述氣體流路的壁的延伸線係皆被構成為與從前述容器的中心朝向前述氣體流路的軸線交叉。
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