TW202326419A - 資料儲存裝置及其操作方法 - Google Patents

資料儲存裝置及其操作方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202326419A
TW202326419A TW111148154A TW111148154A TW202326419A TW 202326419 A TW202326419 A TW 202326419A TW 111148154 A TW111148154 A TW 111148154A TW 111148154 A TW111148154 A TW 111148154A TW 202326419 A TW202326419 A TW 202326419A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
section
mapping
physical address
segment
address
Prior art date
Application number
TW111148154A
Other languages
English (en)
Inventor
姜寭美
Original Assignee
韓商愛思開海力士有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 韓商愛思開海力士有限公司 filed Critical 韓商愛思開海力士有限公司
Publication of TW202326419A publication Critical patent/TW202326419A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/06—Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
    • G06F12/0646—Configuration or reconfiguration
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/0292—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing using tables or multilevel address translation means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/08—Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
    • G06F12/0802—Addressing of a memory level in which the access to the desired data or data block requires associative addressing means, e.g. caches
    • G06F12/0806—Multiuser, multiprocessor or multiprocessing cache systems
    • G06F12/0815—Cache consistency protocols
    • G06F12/0817—Cache consistency protocols using directory methods
    • G06F12/082—Associative directories
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/10—Providing a specific technical effect
    • G06F2212/1016—Performance improvement
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7201—Logical to physical mapping or translation of blocks or pages
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7208—Multiple device management, e.g. distributing data over multiple flash devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

本申請公開了一種資料儲存裝置及其操作方法。資料儲存裝置可以包括儲存裝置和控制器。儲存裝置可以包括第一實體位址範圍的第一區域和第二實體位址範圍的第二區域。控制器可以產生包括多個映射區段、第一區段條目和第二區段條目的映射資料，並且將除了第一映射區段之外的映射資料儲存在第二區域中。映射區段中的每一個包括與多個順序邏輯位址相對應的實體位址組。第一區段條目包括與第一映射區段相關聯並且屬第一實體位址範圍的第一區段實體位址，並且第二區段條目包括與第二映射區段相關聯並且屬第二實體位址範圍的第二區段實體位址。

Description

資料儲存裝置及其操作方法
本發明的多種實施例總體上係關於一種半導體集成裝置，並且更具體地，係關於一種資料儲存裝置以及操作該資料儲存裝置的方法。
資料儲存裝置可以基於主機裝置的請求使用揮發性記憶體裝置或非揮發性記憶體裝置作為儲存介質來輸入和輸出資料。
資料儲存裝置可以使用各種儲存介質。例如，資料儲存裝置可以使用諸如快閃記憶體裝置的非揮發性記憶體裝置作為儲存介質。
透過同步資料儲存裝置與主機裝置來存取儲存介質可能需要的映射資料可以指示由主機裝置使用的邏輯位址與由資料儲存裝置使用的實體位址之間的映射關係。映射資料可以儲存在儲存介質中。當可以操作資料儲存裝置時，可以將映射資料載入到由控制器使用的操作記憶體中。
由於儲存介質的容量可能已經增加，因此映射資料的大小也可能增加。因此，可以部分地載入和使用操作控制器所需的映射資料。
為了將映射資料載入到控制器或將改變後的映射資料更新到儲存介質中，映射資料可以重複存取儲存介質，這降低了資料儲存裝置的性能。
相關申請案的交叉引用： 本申請請求於2021年12月28日提交的申請號為10-2021-0189518的韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部公開內容透過引用整體併入本文。
根據本發明的實施例，可以提供一種資料儲存裝置。資料儲存裝置可以包括儲存裝置和控制器。儲存裝置可以包括第一實體位址範圍的第一區域和第二實體位址範圍的第二區域。控制器可以產生包括多個映射區段、第一區段條目和第二區段條目的映射資料，並且將除了第一映射區段之外的映射資料儲存在第二區域中。映射區段中的每一個包括與多個順序邏輯位址相對應的實體位址組。第一區段條目包括與第一映射區段相關聯並且屬第一實體位址範圍的第一區段實體位址，並且第二區段條目包括與第二映射區段相關聯並且屬第二實體位址範圍的第二區段實體位址。
根據本發明的實施例，可以提供一種資料儲存裝置。資料儲存裝置可以包括具有第一區域和第二區域的儲存裝置以及控制器。控制器可以產生多個映射區段和區段條目，每個映射區段包括與多個順序邏輯位址相對應的實體位址組，並且區段條目包括與所選擇的映射區段相關聯的區段實體位址；當所選擇的映射區段中的實體位址具有順序值時，將作為所選擇的映射區段中的該實體位址的前導實體位址的第一實體位址儲存為與所選擇的映射區段相關聯的區段實體位址；並且將除了所選擇的映射區段之外的映射區段儲存在第二區域中，與所選擇的映射區段相關聯的區段實體位址為第一實體位址。
根據本發明的實施例，可以提供一種資料儲存裝置的操作方法，資料儲存裝置包括第一實體位址範圍的第一區域和第二實體位址範圍的第二區域，該方法包括：產生多個映射區段，每個映射區段包括與多個順序邏輯位址相對應的實體位址組；產生第一區段條目和第二區段條目，第一區段條目包括與第一映射區段相關聯並且屬第一實體位址範圍的第一區段實體位址，並且第二區段條目包括與第二映射區段相關聯並且屬第二實體位址範圍的第二區段實體位址；並且將除了第一映射區段之外的映射資料儲存在第二區域中。
根據本發明的實施例，可以提供一種操作控制器的方法，包括：分配分別與第一存取請求的邏輯位址相對應的、順序的第一請求存取的實體位址；並且控制儲存裝置在其中儲存包括一對區段標識符和區段實體位址的資訊，其中區段標識符是第一存取請求的邏輯位址所屬的順序邏輯位址中的一個代表性邏輯位址，其中區段實體位址是與順序邏輯位址分別相對應的順序實體位址之中與代表性邏輯位址相對應的實體位址，並且其中儲存裝置被控制成在其中儲存除了順序邏輯位址和實體位址之外的資訊。
將參照圖式更詳細地描述本發明的多種實施例。圖式是多種實施例和中間結構的示意圖。因此，由於例如製造技術和/或許可差而導致的圖示的配置和形狀的變化是可預期的。因此，所描述的實施例不應被解釋為限於本文所示的特定構造和形狀，而是可以包括不脫離如所附申請專利範圍所限定的本發明的精神和範圍的構造和形狀的偏差。
本文參照本發明的實施例的截面圖和/或平面圖來描述本發明。然而，本發明的實施例不應被解釋為限制本發明的構思。儘管將示出和描述本發明的幾個實施例，但是本發明所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，在不脫離本發明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行改變。
圖1是示出基於本發明的實施例的資料儲存裝置10的示圖。
參照圖1，資料儲存裝置10可以包括控制器100和儲存裝置200。
控制器100可以回應於主機裝置的請求而控制儲存裝置200。例如，控制器100可以基於主機裝置的編程（寫入）請求將資料編程到儲存裝置200中。控制器100可以回應於主機裝置的讀取請求而向主機裝置提供儲存裝置200中的資料。
控制器100可以包括被配置成執行快閃轉換層（FTL）的功能的硬體和軟體，快閃轉換層（FTL）的功能包括用於管理儲存裝置200的各種功能，例如，垃圾收集、位址映射、損耗均衡等。
儲存裝置200可以在控制器100的控制下寫入資料或輸出寫入的資料。儲存裝置200可以包括揮發性記憶體裝置或非揮發性記憶體裝置。在多種實施例中，儲存裝置200可以包括電可擦除可編程ROM（EEPROM）、NAND快閃記憶體、NOR快閃記憶體、相變RAM（PRAM）、電阻式RAM（ReRAM）、鐵電RAM（FRAM）、自旋轉移扭矩磁性RAM（STT-MRAM）等。儲存裝置200可以包括多個晶粒、多個晶片、多個封裝等。儲存裝置200中的記憶體單元可以包括被配置成在一個記憶體單元中儲存一位資料的單層單元或者被配置成在一個記憶體單元中儲存多位資料的多層單元。
儲存裝置200可以包括第一區域210和第二區域220。第一區域210可以由第一實體位址範圍PA＜0:L＞指示。第一區域210可以對應於使用者資料儲存區域。第二區域220可以由第二實體位址範圍PA＜M:N＞指示，第二實體位址範圍PA＜M:N＞不包括在第一實體位址範圍PA＜0:L＞中。控制器100控制獨立於第一實體位址範圍PA＜0:L＞的第二實體位址範圍PA＜M:N＞。第二區域220可以對應於映射資料儲存區域。
在多種實施例中，控制器100可以包括讀取/寫入處理電路110、映射資料管理電路120和映射資料儲存電路130。
讀取/寫入處理電路110可以透過主機裝置的、包括寫入資料和邏輯位址的寫入請求，將包括寫入資料和實體位址的編程命令傳輸到儲存裝置200，以將資料儲存在儲存裝置200中。讀取/寫入處理電路110可以透過主機裝置的、包括邏輯位址的讀取請求，將包括實體位址的讀取命令傳輸到儲存裝置200，以獲取儲存裝置200中的資料並向主機裝置提供該資料。
映射資料管理電路120可以將由主機裝置傳輸的讀取請求或寫入請求中的邏輯位址轉換為實體位址。
用於操作資料儲存裝置10的映射資料的至少一部分可以從儲存裝置200載入到映射資料儲存電路130中。在操作資料儲存裝置10時產生或改變的映射資料可以臨時儲存在映射資料儲存電路130中。然後可以將映射資料更新到儲存裝置200中。
映射資料管理電路120可以產生映射區段。映射區段可以包括一組順序邏輯位址以及與邏輯位址相對應的實體位址。映射資料管理電路120可以產生區段條目。區段條目可以包括映射區段以及與映射區段相關的區段實體位址。與映射區段相關的區段實體位址可以指示儲存裝置200內待儲存映射區段的實體位置。區段條目可以由區段映射表管理。
一對“一個邏輯位址”以及“與該邏輯位址相對應的實體位址”可以被稱為映射條目。映射區段可以是一組設定數量的映射條目。
在具有順序實體位址的順序映射區段的情況下，映射資料管理器120可以將順序映射區段中包括的順序實體位址的前導（leading）實體位址分配為區段實體位址。映射區段中包括的實體位址可以指示使用者資料在第一實體位址範圍的第一區域210內的儲存位置。因此，包括前導實體位址的順序實體位址也可以屬指示第一區域210的第一實體位址範圍。在本發明中，順序實體位址的前導實體位址可以是順序實體位址之中具有最低值的實體位址。
當映射區段中的實體位址包括沒有順序值的隨機映射區段時，映射資料管理器120可以分配在指示儲存裝置200的第二區域220的第二實體位址範圍內選擇的第二實體位址。
當映射資料可以儲存在儲存裝置200中時，例如，當可以執行映射更新時，映射資料管理電路120可以更新除了包括第一實體位址範圍內的區段實體位址的映射區段之外的映射資料。包括第一實體位址範圍內的區段實體位址的映射區段保留在映射資料儲存電路130中。
當映射載入可以被操作以將映射資料從儲存裝置200儲存到映射資料儲存電路130中時，映射資料管理電路120可以將區段映射表載入到映射資料管理電路130中。
當請求存取的邏輯位址包括在順序映射區段中時，映射資料管理電路120可以基於相應順序映射區段的前導邏輯位址計算請求讀取的邏輯位址或寫入請求的邏輯位址的偏移。映射資料管理電路120可以將偏移應用於相應順序映射區段的前導實體位址以獲得請求存取的實體位址。也就是說，可以透過應用與作為前導實體位址的區段實體位址的偏移來搜索順序映射區段中的實體位址。因此，可以不需要將所有映射區段儲存在儲存裝置200中。
根據多種實施例，包括關於順序映射區段、隨機映射區段的區段條目以及關於除了順序映射區段之外的隨機映射區段的區段條目的映射資料可以被儲存在儲存裝置200中，以減少映射資料的儲存空間。
可以在映射載入時將區段條目而不是所有順序映射區段載入到映射資料儲存電路130中，從而可以有效地使用映射資料儲存電路130。
圖2是示出基於本發明的實施例的資料儲存裝置的結構的示圖。
映射資料管理電路120可以分層管理映射資料。
參照圖2，映射資料可以包括基礎映射表以及用於管理基礎映射表的實體位址的區段映射表。
區段映射表也可以分層產生。例如，區段映射表可以包括用於管理基礎映射表的實體位址的低級區段映射表以及用於管理低級區段映射表的實體位址的高級區段映射表。
基礎映射表可以包括多個映射區段BSEG 0、BSEG 1、……、BSEG X。映射區段BSEG 0、BSEG 1、……、BSEG X中的每一個可以包括多個映射條目。
映射條目中的每一個可以指示由主機裝置使用的邏輯位址LA以及與邏輯位址LA相對應的實體位址PA。映射區段可以是一組邏輯位址以及與邏輯位址相對應的實體位址。
主機裝置可以在寫入操作中提供順序增加的邏輯位址LA，以產生映射條目。大量映射條目可以被分組，以形成映射區段。
低級區段映射表可以包括多個低級區段條目組LSEG 0、LSEG 1和LESG Y。低級區段條目組LSEG 0、LSEG 1和LESG Y中的每一個可以包括多個低級區段條目。每個低級區段條目可以包括一對映射區段標識符BSEG_ID以及與映射區段標識符BSEG_ID相對應的區段實體位址PA_BSEG。
在多種實施例中，映射區段標識符BSEG_ID可以是相應映射區段中的前導邏輯位址。在這種情況下，區段條目可以包括一對前導邏輯位址以及與前導邏輯位址相對應的區段實體位址。在本發明中，順序邏輯位址的前導邏輯位址可以是順序邏輯位址之中具有最低值的邏輯位址。
在多種實施例中，當順序增加的映射區段標識符BSEG_ID被分配給映射區段時，可以獲得由主機裝置傳輸的邏輯位址LA所屬的映射區段的映射區段標識BSEG_ID，從而可以搜索到與映射區段標識BSEG_ID相對應的區段實體位址PA_BSEG。
高級區段映射表可以包括多個高級區段條目組USEG 0、USEG 1和UESG Y。高級區段條目組USEG 0、USEG 1和UESG Y中的每一個可以包括多個高級區段條目。每個高級區段條目可以包括一對低級區段條目組標識符LSEG_ID和相應低級區段實體位址PA_LSEG。
下文中，為了便於描述，映射資料管理電路120可以產生和管理基礎映射表和一個區段映射表。
當可以產生包括順序實體位址的順序映射區段時，映射資料管理電路120可以將順序實體位址的前導實體位址作為順序映射區段的區段實體位址PA_BSEG儲存在區段映射表中。當可以產生包括非順序（即，隨機）實體位址的隨機映射區段時，映射資料管理電路120可以分配指示儲存裝置200內待儲存隨機映射區段的儲存位置的實體位址。所分配的實體位址可以落入指示第二區域220的第二實體位址範圍內。映射資料管理電路120可以將所分配的實體位址儲存為隨機映射區段的區段實體位址PA_BSEG。
圖3是示出基於本發明的實施例的映射資料管理的示圖。
參照圖3，映射資料管理電路120可以包括映射資料產生器121、更新器123、映射資料搜索器125和載入器127。
當主機裝置傳輸包括邏輯位址LA的存取請求REQ時，存取請求REQ可以透過。存取請求REQ可以被傳輸到讀取/寫入處理電路110。邏輯位址LA可以被傳輸到映射資料產生器121。當主機裝置的存取請求REQ是寫入請求時，可以從主機裝置傳輸寫入資料DATA。
映射資料產生器121可以回應於與寫入請求一起提供的邏輯位址LA而映射實體位址PA。映射資料產生器121可以產生映射區段以及包括與映射區段相關聯的區段映射表的映射資料。映射實體位址PA可以被傳輸到讀取/寫入處理電路110。映射資料可以儲存在映射資料儲存電路130中。
讀取/寫入處理電路110可以將可以透過解譯主機裝置的請求REQ產生的命令以及可以從映射資料產生器121接收的實體位址PA傳輸到儲存裝置200。編程命令可以與由主機裝置傳輸的寫入資料DATA一起傳輸。
當所產生的映射區段是順序映射區段時，映射資料產生器121可以將順序映射區段中包括的順序實體位址的前導實體位址儲存為順序映射區段的區段實體位址。此處，前導實體位址可以落入表示第一區域210的第一實體位址範圍內。當產生的映射區段是隨機映射區段時，映射資料產生器121可以分配指示儲存裝置200內待儲存隨機映射區段的儲存位置的實體位址。所分配的實體位址可以落入指示第二區域220的第二實體位址範圍內。映射資料產生器121可以將所分配的實體位址儲存為隨機映射區段的區段實體位址PA_BSEG。
包括映射區段和區段條目的映射資料可以儲存在映射資料儲存電路130中。
更新器123可以將映射資料儲存電路130中儲存的映射資料儲存在儲存裝置200中。更新器123可以被配置成省略與區段條目之中的、包括屬第一實體位址範圍的區段實體位址的區段條目相對應的映射區段的更新。因為與包括落入指示可以儲存使用者資料的第一區域210的第一實體位址範圍內的區段實體位址的區段條目相對應的映射區段可以是順序映射區段，所以可以不需要更新順序映射區段。
映射資料搜索器125可以存取映射資料儲存電路130，以搜索與和讀取請求一起提供的請求讀取的邏輯位址LA相對應的請求讀取的實體位址PA。映射資料搜索器125可以向讀取/寫入處理電路110提供請求讀取的實體位址PA。
例如，映射資料搜索器125可以檢測與由主機裝置傳輸的請求讀取的邏輯位址LA相對應的映射區段標識符BSEG_ID。映射資料搜索器125可以在載入到映射資料儲存電路130中的區段映射表中搜索具有與請求讀取的邏輯位址LA相對應的映射區段標識符BSEG_ID的區段條目。當區段映射表具有分層結構時，映射資料搜索器125可以從高級區段映射表到低級區段映射表搜索具有與請求讀取的邏輯位址LA相對應的映射區段標識符BSEG_ID的區段條目。
當與搜索到的映射區段標識BSEG_ID相對應的區段實體位址PA_BSEG包括在第一實體位址範圍內時，映射資料搜索器125可以基於映射區段標識BSEG_ID（即，前導邏輯位址）計算請求讀取的邏輯位址LA的偏移。映射資料搜索器125可以將偏移應用於區段實體位址PA_BSEG（即，與映射區段標識符BSEG_ID或前導邏輯位址相對應的前導實體位址），以獲得與請求讀取的邏輯位址LA相對應的請求讀取的實體位址PA。
當與搜索到的映射區段標識符BSEG_ID相對應的區段實體位址PA_BSEG包括在第二實體位址範圍內並且相應映射區段不被載入到映射資料儲存電路130中時，映射資料搜索器125可以向載入器127提供與搜索到的映射區段標識符BSEG_ID相對應的區段實體位址PA_BSEG。
在資料儲存裝置10啟動之後，載入器127可以將整個區段映射表從儲存裝置200載入到映射資料儲存電路130中。
當從映射資料搜索器125提供與搜索到的映射區段標識符BSEG_ID相對應的區段實體位址PA_BSEG時，載入器127可以將包括區段實體位址的讀取命令傳輸到儲存裝置200，以獲得映射區段並將映射區段儲存在映射資料儲存電路130中。
映射資料搜索器125可以從載入到映射資料儲存電路130的映射區段中搜索實體位址PA。
圖4是示出基於本發明的實施例的用於管理映射資料的過程的示圖。
參照圖4，映射資料管理電路120可以基於主機裝置的寫入請求來產生第一映射區段1201和第二映射區段1202。
第一映射區段1201可以是與邏輯位址LA相對應的實體位址PA可以是隨機的隨機映射區段。
第二映射區段1202可以是與邏輯位址LA相對應的實體位址PA可以是順序的順序映射區段。
映射資料管理電路120可以基於順序映射區段和隨機映射區段以不同的方法指定區段實體位址PA_BSEG，以產生區段映射表1203。
映射區段標識符BSEG_ID以及與映射區段標識符BSEG_ID相關聯的區段實體位址PA_BSEG可以儲存在區段映射表1203的條目中的每一個中。可以注意到的是，可以儲存關於第一映射區段1201的值為0x4000的映射區段標識符BSEG_ID的值為B（C）0x10的區段實體位址PA_BSEG，並且可以儲存關於第二映射區段1202的值為0x8000的區段實體位址PA_BSEG的值為B（A）0的區段實體位址PA_BSEG。
值為B（C）0x10的區段實體位址PA_BSEG可以是指示第二區域220的第二實體位址範圍內的實體位址。值為B（A）0的區段實體位址PA_BSEG可以是第二映射區段1202內的實體位址PA的前導實體位址。
第一映射區段1201、第二映射區段1202和映射區段表1203可以臨時儲存在映射資料儲存電路130中。然後可以將第一映射區段1201和區段映射表1203更新到儲存裝置200中。
當可能需要映射更新時，映射資料管理電路120可以將隨機映射區段1201和區段映射表1203儲存在儲存裝置200中。相反，映射資料管理電路120可以不更新順序映射區段1202。
當可以接收到對邏輯位址0X4002的讀取請求時，映射資料管理電路120可以基於邏輯位址0X4002檢測值為0x4000的映射區段標識符BSEG_ID。映射資料管理電路120可以查詢載入到映射資料儲存電路130中的區段映射表1203，以獲得值為B（C）0x10的區段實體位址PA_BSEG。
因為所獲得的區段實體位址B（C）0x10可以包括在指示第二區域220的第二實體位址範圍內，所以當第一映射區段1201未被載入到映射資料儲存電路130中時，映射資料管理電路120可以從儲存裝置200內由值為B（C）0x10的區段實體位址PA_BSEG指示的區域載入第一映射區段1201。
映射資料管理電路120可以從儲存裝置200內由值為B（C）0x10的區段實體位址PA_BSEG指示的位置讀取第一映射區段1201。映射資料管理電路120可以將所讀取的第一映射區段載入到映射資料儲存電路130中，以獲得值為B（B）2並被映射到邏輯位址0X4002的實體位址。
當可以接收到對邏輯位址0X8003的讀取請求時，映射資料管理電路120可以基於邏輯位址0X8003檢測值為0x8000的映射區段標識符BSEG_ID。映射資料管理電路120可以查詢載入到映射資料儲存電路130中的區段映射表1203，以獲得值為B（A）0的區段實體位址PA_BSEG。
因為所獲得的值為B（A）0的區段實體位址PA_BSEG可以包括在指示第一區域210的第一實體位址範圍內，所以映射資料管理電路120可以基於請求讀取的邏輯位址0X8003從載入到映射資料儲存電路130的區段映射表1203中檢測到前導邏輯位址0X8000（即，映射區段標識符BSEG_ID）。映射資料管理電路120可以基於前導邏輯位址0X8000（即，映射區段標識符BSEG_ID）計算請求讀取的邏輯位址0X8003的偏移為3。映射資料管理電路120可以將偏移3應用於具有與前導邏輯位址0X8000（即，映射區段標識符BSEG_ID）相對應的值B（A）0的區段實體位址PA_BSEG，以獲得映射到請求讀取的邏輯位址0X8003的實體位址B（A）3。
因此，可以不需要將順序映射區段的所有資料儲存在儲存裝置200中或將順序映射區段的所有資料載入到映射資料儲存電路130中，從而可以降低處理映射資料的成本。
圖5是示出基於本發明的實施例的操作資料儲存裝置的方法的流程圖。
參照圖5，在操作S101中，控制器100可以從主機裝置接收包括邏輯位址LA的寫入請求。
在操作S103中，控制器100可以回應於邏輯位址LA而映射實體位址PA並且反映在映射區段中。
在操作S105中，控制器100可以識別更新後的映射區段中的實體位址，以確定映射區段是否是包括順序實體位址的順序映射區段。
當映射區段是包括順序實體位址的順序映射區段時，在操作S107中，控制器100可以將順序映射區段內的前導順序實體位址檢測為第一實體位址。
在操作S109中，控制器100可以將第一實體位址指定為順序映射區段的區段實體位址PA_BSEG，以產生順序映射區段的區段條目。
在操作S111中，順序映射區段和相應區段條目可以被臨時儲存在映射資料儲存電路130中。然後，除了順序映射區段本身之外，在操作S111中，可以僅將順序映射區段的區段條目更新到儲存裝置200中。
相反，當映射區段是包括隨機實體位址的隨機映射區段時，在操作S113中，控制器100可以分配指示儲存裝置200內待儲存隨機映射區段的儲存位置的第二實體位址。所分配的實體位址可以落入指示第二區域220的第二實體位址範圍內。
在操作S115中，控制器100可以將第二實體位址指定為隨機映射區段的區段實體位址PA_BSEG，以產生隨機映射區段的區段條目。
在操作S117中，隨機映射區段以及包括相應區段條目的映射資料可以被臨時儲存在映射資料儲存電路130中。然後，在操作S117中，可以將隨機映射區段和區段條目更新到儲存裝置200中。
如操作S111和S117所示，可以不更新區段條目之中具有屬第一實體位址範圍的區段實體位址的順序映射區段。可以更新剩餘的映射資料。因此，可以降低將映射資料更新到儲存裝置200中或從儲存裝置200載入映射資料而存取儲存裝置200的頻率。
圖6是示出基於本發明的實施例的操作資料儲存裝置的方法的流程圖。
參照圖6，在操作S201中，控制器100可以從主機裝置接收包括邏輯位址的讀取請求。
在操作S203中，控制器100可以在區段映射表中搜索請求讀取的邏輯位址所屬的映射區段的區段實體位址。例如，控制器100可以檢測包括請求讀取的邏輯位址的映射區段的映射區段標識符BSEG_ID。控制器100可以從載入到映射資料儲存電路130的區段映射表中搜索與檢測到的映射區段標識符BSEG_ID相對應的區段實體位址PA_BSEG。
在操作S205中，控制器100可以識別搜索到的區段實體位址PA_BSEG是否屬第一實體位址範圍。
當搜索到的區段實體位址PA_BSEG可以在第一實體位址範圍內時，在操作S207中，控制器100可以基於前導邏輯位址或檢測到的映射區段標識符BSEG_ID來計算請求讀取的邏輯位址的偏移。
在操作S209中，控制器100可以將偏移應用於前導實體位址或與檢測到的映射區段標識符BSEG_ID相對應的搜索到的區段實體位址PA_BSEG，以獲得與請求讀取的邏輯位址相對應的請求讀取的實體位址。
相反，當搜索到的區段實體位址PA_BSEG不在第一實體位址範圍內並且相應映射區段未載入到映射資料儲存電路130中時，在操作S211中，控制器100可以將包括搜索到的區段實體位址PA_BSEG的讀取命令傳輸到儲存裝置200，以獲得映射區段，即隨機映射區段。然後可以將隨機映射區段儲存在映射資料儲存電路130中。
在操作S213中，控制器100可以從載入到映射資料儲存電路130中的隨機映射區段中讀取與請求讀取的邏輯位址相對應的實體位址。
因此，因為順序映射區段可以不更新到儲存裝置200中，所以可以不需要將映射區段從儲存裝置200載入到映射資料儲存電路130中。另一方面，透過將偏移應用於前導實體位址或與可以由請求讀取的邏輯位址識別的映射區段標識符BSEG_ID相對應的區段實體位址PA_BSEG，可以容易地獲得與請求讀取的邏輯位址相對應的請求讀取的實體位址，該偏移透過映射區段標識符BSEG_ID和請求讀取的邏輯位址而獲得。
圖7是示出根據本發明的實施例的資料儲存系統1000的示圖。
參照圖7，資料儲存系統1000可以包括主機裝置1100和資料儲存裝置1200。在實施例中，資料儲存裝置1200可以被配置成固態驅動器（SSD）。
資料儲存裝置1200可以包括控制器1210、多個非揮發性記憶體裝置1220-0至1220-n、緩衝記憶體裝置1230、電源1240、信號連接器1101和電源連接器1103。
控制器1210可以控制資料儲存裝置1200的一般操作。控制器1210可以包括主機介面單元、控制單元、用作工作記憶體的隨機存取記憶體、錯誤校正碼（ECC）單元和記憶體介面單元。在實施例中，控制器1210可以被配置為圖1和圖2中所示的控制器110。
主機裝置1100可以透過信號連接器1101與資料儲存裝置1200交換信號。信號可以包括命令、位址、資料等。
控制器1210可以分析和處理從主機裝置1100接收到的信號。控制器1210可以根據用於驅動資料儲存裝置1200的韌體或軟體來控制內部功能塊的操作。
緩衝記憶體裝置1230可以臨時儲存待儲存在非揮發性記憶體裝置1220-0至1220-n中的至少一個中的資料。進一步地，緩衝記憶體裝置1230可以臨時儲存從非揮發性記憶體裝置1220-0至1220-n中的至少一個中讀取的資料。根據控制器1210的控制，可以將緩衝記憶體裝置1230中臨時儲存的資料傳輸到主機裝置1100或非揮發性記憶體裝置1220-0至1220-n中的至少一個。
非揮發性記憶體裝置1220-0至1220-n可以用作資料儲存裝置1200的儲存介質。非揮發性記憶體裝置1220-0至1220-n可以分別透過多個通道CH0至CHn與控制器1210聯接。一個或多個非揮發性記憶體裝置可以聯接到一個通道。聯接到各個通道的非揮發性記憶體裝置可以聯接到相同的信號匯流排和資料匯流排。
電源1240可以將透過電源連接器1103輸入的電力提供給資料儲存裝置1200的控制器1210、非揮發性記憶體裝置1220-0至1220-n和緩衝記憶體裝置1230。電源1240可以包括輔助電源。當發生突然電力中斷時，輔助電源可以供應電力以允許資料儲存裝置1200正常終止。輔助電源可以包括足以儲存所需電荷的大容量電容器。
根據主機裝置1100和資料儲存裝置1200之間的介面方案，信號連接器1101可以被配置為各種類型的連接器中的一種或多種。
根據主機裝置1100的電力供應方案，電源連接器1103可以被配置為各種類型的連接器中的一種或多種。
圖8是示出根據本發明的實施例的資料處理系統3000的示圖。參照圖8，資料處理系統3000可以包括主機裝置3100和記憶體系統3200。
主機裝置3100可以以諸如印刷電路板的板的形式來配置。儘管未示出，但主機裝置3100可以包括用於執行主機裝置的功能的內部功能塊。
主機裝置3100可以包括連接端子3110，諸如插座、插槽或連接器。記憶體系統3200可以與連接端子3110配合。
記憶體系統3200可以以諸如印刷電路板的板的形式來配置。記憶體系統3200可以被稱為記憶體模組或記憶卡。記憶體系統3200可以包括控制器3210、緩衝記憶體裝置3220、非揮發性記憶體裝置（NVM）3231和3232、電源管理積體電路（PMIC）3240和連接端子3250。
控制器3210可以控制記憶體系統3200的一般操作。控制器3210可以以與圖1和圖2所示的控制器110相同的方式配置。
緩衝記憶體裝置3220可以將資料臨時儲存在非揮發性記憶體裝置3231和3232中。進一步地，緩衝記憶體裝置3220可以臨時儲存從非揮發性記憶體裝置3231和3232讀取的資料。根據控制器3210的控制，可以將緩衝記憶體裝置3220中臨時儲存的資料傳輸到主機裝置3100或非揮發性記憶體裝置3231和3232。
非揮發性記憶體裝置3231和3232可以用作記憶體系統3200的儲存介質。
PMIC 3240可以將透過連接端子3250輸入的電力提供給記憶體系統3200的內部。PMIC 3240可以根據控制器3210的控制來管理記憶體系統3200的電源。
連接端子3250可以聯接到主機裝置3100的連接端子3110。透過連接端子3250，諸如命令、位址、資料等的信號以及電力可以在主機裝置3100與記憶體系統3200之間傳送。根據主機裝置3100與記憶體系統3200之間的介面方案，連接端子3250可以被配置為各種類型中的一種或多種。如圖所示，連接端子3250可以設置在記憶體系統3200的一側。
圖9是示出根據本發明的實施例的資料處理系統4000的示圖。參照圖9，資料處理系統4000可以包括主機裝置4100和記憶體系統4200。
主機裝置4100可以以諸如印刷電路板的板的形式來配置。儘管未示出，但主機裝置4100可以包括用於執行主機裝置的功能的內部功能塊。
記憶體系統4200可以以表面封裝類型的形式配置。記憶體系統4200可以透過焊球4250安裝到主機裝置4100。記憶體系統4200可以包括控制器4210、緩衝記憶體裝置4220和非揮發性記憶體裝置4230。
控制器4210可以控制記憶體系統4200的一般操作。控制器4210可以以與圖1和圖2所示的控制器110相同的方式配置。
緩衝記憶體裝置4220可以臨時儲存待儲存在非揮發性記憶體裝置4230中的資料。進一步地，緩衝記憶體裝置4220可以臨時儲存從非揮發性記憶體裝置4230讀取的資料。根據控制器4210的控制，可以將緩衝記憶體裝置4220中臨時儲存的資料傳輸到主機裝置4100或非揮發性記憶體裝置4230。
非揮發性記憶體裝置4230可以用作記憶體系統4200的儲存介質。
圖10是示出根據本發明的實施例的包括資料儲存裝置的網路系統5000的示圖。參照圖10，網路系統5000可以包括透過網路5500聯接的伺服器系統5300以及多個客戶端系統5410、5420和5430。
伺服器系統5300可以回應於來自多個客戶端系統5410至5430的請求而服務資料。例如，伺服器系統5300可以儲存由多個客戶端系統5410至5430提供的資料。又例如，伺服器系統5300可以向多個客戶端系統5410至5430提供資料。
伺服器系統5300可以包括主機裝置5100和記憶體系統5200。記憶體系統5200可以被配置為圖1所示的資料儲存裝置10、圖7所示的資料儲存裝置1200、圖8所示的記憶體系統3200或圖9所示的記憶體系統4200。
圖11是示出根據本發明的實施例的諸如資料儲存裝置10的資料儲存裝置中包括的非揮發性記憶體裝置300的方塊圖。參照圖11，非揮發性記憶體裝置300可以包括記憶體單元陣列310、列解碼器320、資料讀取/寫入塊330、行解碼器340、電壓產生器350和控制邏輯360。
記憶體單元陣列310可以包括設置在字元線WL1至WLm與位元線BL1至BLn彼此相交的區域處的記憶體單元MC。
記憶體單元陣列310可以包括三維記憶體陣列。例如，三維記憶體陣列具有在垂直於半導體基板的平坦表面的方向上的堆疊結構。此外，三維記憶體陣列是指包括NAND串的結構，其中NAND串中包括的記憶體單元垂直於半導體基板的平坦表面堆疊。
三維記憶體陣列的結構不限於上述實施例。記憶體陣列結構可以以在水平方向和垂直方向上的高度集成方式形成。在實施例中，在三維記憶體陣列的NAND串中，記憶體單元相對於半導體基板的表面沿水平和垂直方向佈置。記憶體單元可以有不同的間隔以提供不同的集成度。
列解碼器320可以透過字元線WL1至WLm與記憶體單元陣列310聯接。列解碼器320可以根據控制邏輯360的控制來操作。列解碼器320可以對由外部裝置（未示出）提供的位址進行解碼。列解碼器320可以基於解碼結果來選擇和驅動字元線WL1至WLm。例如，列解碼器320可以將由電壓產生器350提供的字元線電壓提供給字元線WL1至WLm。
資料讀取/寫入塊330可以透過位元線BL1至BLn與記憶體單元陣列310聯接。資料讀取/寫入塊330可以包括分別與位元線BL1至BLn相對應的讀取/寫入電路RW1至RWn。資料讀取/寫入塊330可以根據控制邏輯360的控制來操作。根據操作模式，資料讀取/寫入塊330可以作為寫入驅動器或讀出放大器操作。例如，資料讀取/寫入塊330可以作為在寫入操作中將由外部裝置提供的資料儲存在記憶體單元陣列310中的寫入驅動器來操作。又例如，資料讀取/寫入塊330可以作為在讀取操作中從記憶體單元陣列310讀出資料的讀出放大器來操作。
行解碼器340可以根據控制邏輯360的控制而操作。列解碼器340可以對由外部裝置提供的位址進行解碼。行解碼器340可以基於解碼結果，將資料讀取/寫入塊330的分別與位元線BL1至BLn相對應的讀取/寫入電路RW1至RWn與資料輸入/輸出線或資料輸入/輸出緩衝器聯接。
電壓產生器350可以產生在非揮發性記憶體裝置300的內部操作中使用的電壓。可以將由電壓產生器350產生的電壓施加到記憶體單元陣列310的記憶體單元。例如，可以將在編程操作中產生的編程電壓施加到待執行編程操作的記憶體單元的字元線。又例如，可以將在擦除操作中產生的擦除電壓施加到待執行擦除操作的記憶體單元的阱區。又例如，可以將在讀取操作中產生的讀取電壓施加到待執行讀取操作的記憶體單元的字元線。
控制邏輯360可以基於由外部裝置提供的控制信號來控制非揮發性記憶體裝置300的一般操作。例如，控制邏輯360可以控制非揮發性記憶體裝置300的操作，例如非揮發性記憶體裝置300的讀取操作、寫入操作和擦除操作。
本發明的上述實施例旨在說明而非限制本發明。各種替代方案和等效方案都是可能的。本發明不受本文中描述的實施例的限制。本發明也不限於任何特定類型的半導體裝置。鑒於本發明內容的顯而易見的添加、減少或修改旨在落入所附申請專利範圍的範圍內。此外，可以組合實施例以形成另外的實施例。
10:資料儲存裝置 100:控制器 110:讀取/寫入處理電路 120:映射資料管理電路 121:映射資料產生器 123:更新器 125:映射資料搜索器 127:載入器 130:映射資料儲存電路 200:儲存裝置 210:第一區域 220:第二區域 300:非揮發性記憶體裝置 310:記憶體單元陣列 320:列解碼器 330:資料讀取/寫入塊 340:行解碼器 350:電壓產生器 360:控制邏輯 1000:資料儲存系統 1100:主機裝置 1101:信號連接器 1103:電源連接器 1200:資料儲存裝置 1201:第一映射區段 1202:第二映射區段 1203:區段映射表 1210:控制器 1220-0~1220-n:非揮發性記憶體裝置 1230:緩衝記憶體裝置 1240:電源 3000:資料處理系統 3100:主機裝置 3110:連接端子 3200:記憶體系統 3210:控制器 3220:緩衝記憶體裝置 3231:非揮發性記憶體裝置 3232:非揮發性記憶體裝置 3240:電源管理積體電路 3250:連接端子 4100:主機裝置 4200:記憶體系統 4210:控制器 4220:緩衝記憶體裝置 4230:非揮發性記憶體裝置 4250:焊球 5000:網路系統 5100:主機裝置 5200:記憶體系統 5300:伺服器系統 5410:客戶端系統 5420:客戶端系統 5430:客戶端系統 5500:網路 BL1~BLn:位元線 BSEG_ID:映射區段標識符 BSEG 0~BSEG X:映射區段 CH0~CHn:通道 DATA:寫入資料 LA:邏輯位址 LSEG_ID:低級區段條目組標識符 LSEG 0:低級區段條目組 LSEG 1:低級區段條目組 LESG Y:低級區段條目組 MC:記憶體單元 PA:實體位址 PA_BSEG:區段實體位址 PA_LSEG:低級區段實體位址 REQ:存取請求 RW1~RWn:讀取/寫入電路 USEG 0:高級區段條目組 USEG 1:高級區段條目組 USEG Y:高級區段條目組 WL1~WLm:字元線 S101,S103,S105,S107,S109,S111,S113,S115,S117,S201,S203,S205,S207,S209,S211,S213:操作
透過以下結合圖式的具體說明，將更清楚地理解本發明的主題的上述和其它方面、特徵和優點，其中： 圖1是示出基於本發明的實施例的資料儲存裝置的示圖； 圖2是示出基於本發明的實施例的資料儲存裝置的結構的示圖； 圖3是示出基於本發明的實施例的映射資料管理的示圖； 圖4是示出基於本發明的實施例的用於管理映射資料的過程的示圖； 圖5是示出基於本發明的實施例的操作資料儲存裝置的方法的流程圖； 圖6是示出基於本發明的實施例的操作資料儲存裝置的方法的流程圖； 圖7是示出根據本發明的實施例的資料儲存系統的示圖； 圖8和圖9是示出根據本發明的實施例的資料處理系統的示圖； 圖10是示出根據本發明的實施例的包括資料儲存裝置的網路系統的示圖； 圖11是示出根據本發明的實施例的資料儲存裝置中包括的非揮發性記憶體裝置的方塊圖。
10:資料儲存裝置
100:控制器
110:讀取/寫入處理電路
120:映射資料管理電路
130:映射資料儲存電路
200:儲存裝置
210:第一區域
220:第二區域

Claims (23)

  1. 一種資料儲存裝置，包括： 儲存裝置，包括第一實體位址範圍的第一區域和第二實體位址範圍的第二區域；以及 控制器： 產生映射資料，所述映射資料包括多個映射區段、第一區段條目和第二區段條目，並且 將除了第一映射區段之外的映射資料儲存在所述第二區域中， 其中所述映射區段中的每一個包括與多個順序邏輯位址相對應的實體位址組， 其中所述第一區段條目包括與所述第一映射區段相關聯並且屬所述第一實體位址範圍的第一區段實體位址，並且 其中所述第二區段條目包括與第二映射區段相關聯並且屬所述第二實體位址範圍的第二區段實體位址。
  2. 如請求項1所述的資料儲存裝置，其中所述第一區域是使用者資料儲存區域，並且所述第二區域是映射資料儲存區域。
  3. 如請求項1所述的資料儲存裝置，其中所述第二實體位址範圍獨立於所述第一實體位址範圍。
  4. 如請求項1所述的資料儲存裝置，其中所述第一映射區段中的所述實體位址具有順序值。
  5. 如請求項1所述的資料儲存裝置，其中所述控制器進一步將所述第一映射區段中的所述實體位址的前導實體位址指定為所述第一區段實體位址。
  6. 如請求項1所述的資料儲存裝置，其中所述控制器進一步將所述第二實體位址範圍內用於儲存所述第二區段條目的實體位址指定為所述第二區段實體位址。
  7. 如請求項1所述的資料儲存裝置，其中所述控制器進一步將包括所述第一區段條目和所述第二區段條目以及所述第二映射區段的區段映射表從所述第二區域載入到所述控制器中。
  8. 如請求項1所述的資料儲存裝置，其中所述控制器進一步將映射區段中包括的多個邏輯位址之中的前導邏輯位址以及與所述前導邏輯位址相關聯的區段實體位址對作為所述映射區段的單位區段條目進行管理。
  9. 如請求項8所述的資料儲存裝置，其中當請求讀取的邏輯位址包括在所述第一映射區段中時，所述控制器進一步： 計算所述請求讀取的邏輯位址與所述第一映射區段的所述前導邏輯位址之間的偏移，並且 將所述偏移應用於與所述第一映射區段的所述前導邏輯位址相對應的所述區段實體位址，以獲得與所述請求讀取的邏輯位址映射的實體位址。
  10. 如請求項1所述的資料儲存裝置，其中當請求讀取的邏輯位址包括在所述第二映射區段中時，所述控制器進一步讀取由所述第二區域中的所述第二區段實體位址指示的位置處的所述第二映射區段，以獲得與所述請求讀取的邏輯位址映射的實體位址。
  11. 一種資料儲存裝置，包括： 儲存裝置，包括第一區域和第二區域；以及 控制器： 產生多個映射區段和區段條目，每個映射區段包括與多個順序邏輯位址相對應的實體位址組，並且所述區段條目包括與所選擇的映射區段相關聯的區段實體位址， 當所選擇的映射區段中的所述實體位址具有順序值時，將作為所選擇的映射區段中的所述實體位址的前導實體位址的第一實體位址儲存為與所選擇的映射區段相關聯的所述區段實體位址，並且 將除了所選擇的映射區段之外的映射區段儲存在所述第二區域中，與所選擇的映射區段相關聯的所述區段實體位址為所述第一實體位址。
  12. 如請求項11所述的資料儲存裝置，其中所述第一實體位址包括在指示所述第一區域的第一實體位址範圍中。
  13. 如請求項11所述的資料儲存裝置，其中所述控制器進一步： 當所選擇的映射區段中的所述實體位址不具有順序值時，將從指示所述第二區域的實體位址中選擇的第二實體位址儲存為與所選擇的映射區段相關聯的所述區段實體位址，並且 將所選擇的映射區段儲存在所述第二區域中，與所選擇的映射區段相關聯的所述區段實體位址為所述第二實體位址。
  14. 如請求項11所述的資料儲存裝置，其中所述控制器進一步將映射區段中包括的多個邏輯位址之中的前導邏輯位址以及與所述前導邏輯位址相關聯的區段實體位址對作為所述映射區段的單位區段條目進行管理。
  15. 一種操作資料儲存裝置的方法，所述資料儲存裝置包括第一實體位址範圍的第一區域和第二實體位址範圍的第二區域，所述方法包括： 產生多個映射區段，每個映射區段包括與多個順序邏輯位址相對應的實體位址組； 產生第一區段條目和第二區段條目，所述第一區段條目包括與第一映射區段相關聯並且屬所述第一實體位址範圍的第一區段實體位址，並且所述第二區段條目包括與第二映射區段相關聯並且屬所述第二實體位址範圍的第二區段實體位址；並且 將除了所述第一映射區段之外的映射資料儲存在所述第二區域中。
  16. 如請求項15所述的方法，其中所述控制器控制獨立於所述第一實體位址範圍的所述第二實體位址範圍。
  17. 如請求項15所述的方法，其中所述第一映射區段中的所述實體位址具有順序值。
  18. 如請求項15所述的方法，進一步包括：將所述第一映射區段中的所述實體位址的前導實體位址指定為所述第一區段實體位址。
  19. 如請求項15所述的方法，進一步包括：將所述第二實體位址範圍內用於儲存所述第二區段條目的實體位址指定為所述第二區段實體位址。
  20. 如請求項15所述的方法，進一步包括：將包括所述第一區段條目和所述第二區段條目以及第二映射區段的區段映射表從所述第二區域載入到所述控制器中。
  21. 如請求項15所述的方法，進一步包括：將映射區段中包括的多個邏輯位址之中的前導邏輯位址以及與所述前導邏輯位址相關聯的區段實體位址對儲存為所述映射區段的單位區段條目。
  22. 如請求項21所述的方法，進一步包括: 當請求讀取的邏輯位址包括在所述第一映射區段中時，計算所述請求讀取的邏輯位址與所述第一映射區段的所述前導邏輯位址之間的偏移；並且 將所述偏移應用於與所述第一映射區段的所述前導邏輯位址相對應的所述區段實體位址，以獲得與所述請求讀取的邏輯位址映射的實體位址。
  23. 如請求項15所述的方法，進一步包括: 當請求讀取的邏輯位址包括在所述第二映射區段中時，讀取由所述第二區域中的第二區段實體位址指示的位置處的所述第二映射區段；並且 從所讀取的第二映射區段中獲得與所述請求讀取的邏輯位址映射的實體位址。
TW111148154A 2021-12-28 2022-12-15 資料儲存裝置及其操作方法 TW202326419A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0189518 2021-12-28
KR1020210189518A KR20230100008A (ko) 2021-12-28 2021-12-28 데이터 저장 장치 및 그 동작 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202326419A true TW202326419A (zh) 2023-07-01

Family

ID=86897996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111148154A TW202326419A (zh) 2021-12-28 2022-12-15 資料儲存裝置及其操作方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US12026092B2 (zh)
KR (1) KR20230100008A (zh)
CN (1) CN116361199A (zh)
TW (1) TW202326419A (zh)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100526188B1 (ko) * 2003-12-30 2005-11-04 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 주소 사상 방법, 사상 정보 관리 방법 및상기 방법을 이용한 플래시 메모리
US9207870B2 (en) * 2009-07-30 2015-12-08 Cleversafe, Inc. Allocating storage units in a dispersed storage network
KR101226600B1 (ko) 2011-03-09 2013-01-28 주식회사 이에프텍 메모리 시스템 및 그의 메모리 맵핑 방법
US9218281B2 (en) * 2012-05-04 2015-12-22 Seagate Technology Llc Maintaining ordering via a multi-level map of a solid-state media
US9646160B2 (en) * 2014-09-08 2017-05-09 Arm Limited Apparatus and method for providing resilience to attacks on reset of the apparatus
JP2017138852A (ja) * 2016-02-04 2017-08-10 株式会社東芝 情報処理装置、記憶装置およびプログラム
JP6513888B2 (ja) * 2016-09-13 2019-05-15 株式会社日立製作所 データ量削減機能を有する計算機システム、及び、記憶制御方法
US10635331B2 (en) * 2017-07-05 2020-04-28 Western Digital Technologies, Inc. Distribution of logical-to-physical address entries across bank groups
US10534718B2 (en) * 2017-07-31 2020-01-14 Micron Technology, Inc. Variable-size table for address translation
KR20190057887A (ko) * 2017-11-21 2019-05-29 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20200116372A (ko) 2019-04-01 2020-10-12 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치, 컨트롤러 및 컨트롤러의 동작 방법
US11237973B2 (en) * 2019-04-09 2022-02-01 SK Hynix Inc. Memory system for utilizing a memory included in an external device
US11291591B1 (en) * 2020-09-18 2022-04-05 VestConn Inc. Smart monitoring system with wetness detection
KR20220052152A (ko) * 2020-10-20 2022-04-27 에스케이하이닉스 주식회사 스토리지 장치 및 그 동작 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230100008A (ko) 2023-07-05
CN116361199A (zh) 2023-06-30
US12026092B2 (en) 2024-07-02
US20230205689A1 (en) 2023-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101300657B1 (ko) 비휘발성 메모리 및 버퍼 메모리를 포함하는 메모리 시스템및 그것의 데이터 읽기 방법
CN113515231A (zh) 数据存储装置及其操作方法
KR102527265B1 (ko) 데이터 저장 장치 및 동작 방법, 이를 포함하는 스토리지 시스템
US10942681B2 (en) Memory system and operation method thereof
US11543990B2 (en) Data storage apparatus with extended lifespan and operation method thereof
CN111414131B (zh) 数据存储装置、其操作方法和包括其的存储系统
KR20200113480A (ko) 데이터 저장 장치 및 동작 방법
CN111414311B (zh) 数据存储装置、其操作方法及其控制器
US20210240627A1 (en) Data storage appratus and operating method thereof
US20200089421A1 (en) Data storage device, operation method thereof, and storage system including the same
TW202319915A (zh) 儲存裝置及其操作方法
KR20200121068A (ko) 데이터 저장 장치 및 이의 동작 방법, 이를 위한 컨트롤러
US11119938B2 (en) Apparatus and method to synchronize memory map between a storage device and host
TW202326419A (zh) 資料儲存裝置及其操作方法
US20230418743A1 (en) Data storage device and method of operating the same
CN113010092A (zh) 数据存储设备及其操作方法
US12014062B2 (en) Storage device and operating method thereof
US11593006B2 (en) Data storage apparatus and method for managing valid data based on bitmap table
US20220188008A1 (en) Data storage apparatus and operation method thereof
US20240168668A1 (en) Methods for controlling memory blocks in memory devices
CN110196817B (zh) 数据存储装置及该数据存储装置的操作方法
TW202338837A (zh) 記憶體系統及操作記憶體系統的方法
CN112306903A (zh) 数据存储设备、其操作方法及其控制器