TW202325451A - 雷射調整方法及雷射加工裝置 - Google Patents

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関本祐介
山本稔
井上直人
大久保泰地
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日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
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Abstract

本發明之雷射調整方法具備：第1準備步驟，其取得包含第1損傷之影像的圖像，作為第1損傷圖像，該第1損傷係因向包含第1晶圓與設置於上述第1晶圓之第1膜的第1膜晶圓照射第1雷射光而形成於該第1膜者；第2準備步驟，其準備包含第2晶圓與設置於上述第2晶圓之第2膜之第2膜晶圓；加工步驟，其藉由於上述第1準備步驟及上述第2準備步驟之後，對上述第2膜晶圓照射第2雷射光，而於該第2膜形成第2損傷；攝像步驟，其於上述加工步驟之後，拍攝上述第2膜，藉此取得包含上述第2損傷之影像的圖像，作為第2損傷圖像；及調整步驟，其於上述攝像步驟之後，以上述第2損傷圖像所包含之上述第2損傷之影像接近上述第1損傷圖像所包含之上述第1損傷之影像之方式，調整對上述第2雷射光賦予之像差。

Description

雷射調整方法及雷射加工裝置
本揭示係關於一種雷射調整方法及雷射加工裝置。
於專利文獻1，記載有一種雷射切割裝置。該雷射切割裝置具備：載物台，其使晶圓移動；雷射頭，其對晶圓照射雷射光；及控制部，其進行各部之控制。雷射頭具有：雷射光源，其出射用以於晶圓之內部形成改質區域之加工用雷射光；分色鏡及聚光透鏡，其依序配置於加工用雷射光之光路上；及AF(Automatic Focus：自動聚焦)裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利第5743123號
[發明所欲解決之問題]
然而，對晶圓照射雷射光且於晶圓之內部形成改質區域之情形時，有照射至加工對象物之雷射光中不由入射面反射且不由加工對象物吸收，又無助於加工對象物之改質之光，到達與加工對象物之入射面成相反之面之情形(有產生所謂洩漏光之情形)。該洩漏光有成為形成於與晶圓之雷射光入射面成相反側之面之器件等損傷之原因之虞。於有複數台裝置之情形時，因於每個裝置中該洩漏光之損傷變異，故加工結果亦可能產生變異。
本揭示之目的在於提供一種可抑制加工結果之變異之雷射調整方法及雷射加工裝置。 [解決問題之技術手段]
本揭示之雷射調整方法具備：第1準備步驟，其取得包含因第1雷射光向包含第1晶圓與設置於第1晶圓之第1膜之第1膜晶圓之照射而形成於該第1膜之第1損傷之影像的圖像，作為第1損傷圖像；第2準備步驟，其準備包含第2晶圓與設置於第2晶圓之第2膜之第2膜晶圓；加工步驟，其藉由於第1準備步驟及第2準備步驟之後，對第2膜晶圓照射第2雷射光，而於該第2膜形成第2損傷；攝像步驟，其於加工步驟之後，拍攝第2膜，藉此取得包含第2損傷之影像的圖像，作為第2損傷圖像；及調整步驟，其於攝像步驟之後，以第2損傷圖像所包含之第2損傷之影像接近第1損傷圖像所包含之第1損傷之影像之方式，調整賦予第2雷射光之像差。
本揭示之雷射加工裝置具備：支持部，其用於支持對象物；雷射照射部，其用於對支持部所支持之對象物照射雷射光；攝像部，其用於拍攝對象物；保持部，其用於保持圖像；及控制部，其用於至少控制雷射照射部及攝像部；且雷射照射部包含用於根據調變圖案變調並出射雷射光之空間光調變器；保持部保持包含因第1雷射光向包含第1晶圓與設置於第1晶圓之第1膜之第1膜晶圓之照射而形成於該第1膜之第1損傷之影像的圖像，作為第1損傷圖像；控制部執行如下處理：加工處理，其於包含第2晶圓與設置於第2晶圓之第2膜之第2膜晶圓作為對象物受支持部支持之狀態下，藉由雷射照射部之控制對第2膜晶圓照射第2雷射光；攝像處理，其藉由於加工處理之後，藉由攝像部之控制拍攝第2膜，而取得包含因第2雷射光之照射形成於第2膜之第2損傷之影像的圖像，作為第2損傷圖像；及調整處理，其以第2損傷圖像所包含之第2損傷之影像接近第1損傷圖像所包含之第1損傷之影像之方式，調整調變圖案，藉此調整賦予第2雷射光之像差。
於該等方法及裝置中，準備包含成為調整之基準之第1膜晶圓之第1膜所形成之第1損傷之影像的圖像，作為第1損傷圖像。另一方面，對第2膜晶圓照射第2雷射光形成第2損傷，且藉由拍攝該第2膜取得包含第2損傷之影像之第2損傷圖像。且，以第2損傷圖像所包含之第2損傷之影像接近第1損傷圖像所包含之第1損傷之影像之方式，調整賦予第2雷射光之像差。藉此，第2膜晶圓之第2膜所產生之損傷接近第1膜晶圓之第1膜所產生之損傷。其結果，即使於有複數台裝置之情形時，亦藉由跨及複數台裝置進行使用第1損傷圖像作為基準之同樣之調整，抑制複數台裝置之間之加工結果之變異(機差)。另，如以上所示，藉由使用於晶圓之一面形成膜之膜晶圓，將實際之晶圓之加工時因雷射光之洩漏光而可能產生於器件之損傷可視化，並可利用於雷射光之調整。
於本揭示之雷射調整方法中，具備於攝像步驟之後，顯示第1損傷圖像及第2損傷圖像之顯示步驟，於調整步驟中，顯示步驟之後，亦可基於第2損傷圖像所包含之第2損傷之影像與第1損傷圖像所包含之第1損傷之影像之比較結果，以第2損傷之影像接近第1損傷之影像之方式，調整賦予第2雷射光之像差。如此，藉由進行圖像之顯示及比較，可以第2損傷接近第1損傷之方式容易且確實地調整像差。
於本揭示之雷射調整方法中，可於調整步驟中，調整賦予第2雷射光之彗形像差。如此，於抑制加工結果之變異時，亦可調整賦予雷射光之彗形像差。
於本揭示之雷射調整方法中，於第1準備步驟中，進而取得包含因自與第1晶圓之第1膜成相反側之面側對第1晶圓照射第1雷射光而形成於第1晶圓之第1加工痕之影像的圖像，作為第1加工圖像；第1損傷圖像包含因形成第1加工圖像所包含之第1加工痕時之第1雷射光之洩漏光而形成之第1損傷之影像；於加工步驟中，因自與第2晶圓之第2膜成相反側之面側對第2晶圓照射第2雷射光而於第2晶圓形成第2加工痕，且因第2雷射光之洩漏光於第2膜形成第2損傷；於攝像步驟中，藉由拍攝第2晶圓，取得包含第2加工痕之影像的圖像，作為第2加工圖像；且於調整步驟中，亦可以第2加工圖像所包含之第2加工痕之影像之位置與第2損傷圖像所包含之第2損傷之影像之中心位置之偏差之量及方向之各者，接近第1加工圖像所包含之第1加工痕之影像之位置與第1損傷圖像所包含之第1損傷之影像之中心位置之偏差之量及方向之各者之方式，調整賦予第2雷射光之彗形像差。於該情形時，第2晶圓所產生之加工痕與第2膜所產生之損傷之偏差之量及方向之各者接近成為基準之第1膜晶圓者。其結果，可確實地抑制加工結果之變異。
於本揭示之雷射調整方法中，可於調整步驟中，調整賦予第2雷射光之散光像差。如此，亦可於抑制加工結果之變異時，調整賦予雷射光之散光像差。
於本揭示之雷射調整方法中，亦可於第1準備步驟中，進而取得第1損傷圖像所包含之第1損傷之影像相對於基準方向之角度即第1角度、與第1損傷之影像之橢圓率即第1橢圓率，且於調整步驟中，以第2損傷圖像所包含之第2損傷之影像相對於基準方向之角度即第2角度、及第2損傷之影像之橢圓率即第2橢圓率之各者，接近第1角度及第1橢圓率之各者之方式，調整賦予第2雷射光之散光像差。於該情形時，第2膜所產生之損傷向基準方向之角度與橢圓率之各者接近成為基準之第1膜者。其結果，可確實地抑制加工結果之變異。
於本揭示之雷射調整方法中，可於調整步驟中，調整賦予第2雷射光之球面像差。如此，於抑制加工結果之變異時，亦可調整賦予雷射光之球面像差。
於本揭示之雷射調整方法中，亦可於加工步驟中，使賦予第2雷射光之球面像差不同且對第2膜進行複數次第2雷射光之照射，藉此於該第2膜形成複數個第2損傷，於攝像步驟中，藉由拍攝第2膜，取得包含複數個第2損傷之影像之第2損傷圖像，且於調整步驟中，以第2損傷圖像所包含之複數個第2損傷之影像中，形成相對接近第1損傷圖像所包含之第1損傷之影像之第2損傷時之球面像差賦予第2雷射光之方式，調整賦予至第2雷射光之像差。於該情形時，可以第2膜晶圓之第2膜所產生之損傷更確實地接近第1膜晶圓之第1膜所產生之損傷之方式調整像差。
於本揭示之雷射調整方法中，可於調整步驟中，調整賦予第2雷射光之三叉像差(trefoil)。如此，於抑制加工結果之變異時，亦可調整賦予雷射光之三叉像差。
於本揭示之雷射調整方法中，亦可於加工步驟中，使賦予第2雷射光之三叉像差不同且對第2膜進行複數次第2雷射光之照射，藉此於該第2膜形成複數個第2損傷，於攝像步驟中，藉由拍攝第2膜，取得包含複數個第2損傷之影像之第2損傷圖像，且於調整步驟中，以第2損傷圖像所包含之複數個第2損傷之影像中，形成相對接近第1損傷圖像所包含之第1損傷之影像之第2損傷時之三叉像差賦予第2雷射光之方式調整賦予第2雷射光之像差。於該情形時，可以第2膜晶圓之第2膜所產生之損傷更確實地接近第1膜晶圓之第1膜所產生之損傷之方式調整像差。
於本揭示之雷射調整方法中，亦可為第2雷射光藉由顯示於空間光調變器之調變圖案接受調變，於調整步驟中，藉由調整調變圖案調整賦予至第2雷射光之像差。如此，可使用空間光調變器調整賦予至雷射光之像差。 [發明之效果]
根據本揭示，可提供一種可抑制加工結果之變異之雷射調整方法及雷射加工裝置。
以下，參照圖式，對一實施形態進行詳細說明。另，於各圖中，有對同一或相當之部分附設同一符號，省略重複之說明之情形。又，於各圖中，有顯示藉由X軸、Y軸、及Z軸規定之正交座標系之情形。
圖1係顯示一實施形態之雷射加工裝置之構成之模式圖。如圖1所示，雷射加工裝置1具備載物台(支持部)2、雷射照射部3、驅動部(移動部)4、5、控制部6、及攝像部8。雷射加工裝置1係用於藉由對對象物11照射雷射光L，而於對象物11形成改質區域12之裝置。
載物台2藉由例如保持貼附於對象物11之薄膜，而支持對象物11。載物台2可以與Z方向平行之軸線作為旋轉軸旋轉。載物台2亦可沿X方向及Y方向之各者移動。另，X方向及Y方向為相互交叉(正交)之第1水平方向及第2水平方向，Z方向為鉛直方向。
雷射照射部3將對於對象物11具有透過性之雷射光L聚光並照射至對象物11。若於載物台2所支持之對象物11之內部聚光雷射光L，則於雷射光L之聚光點C所對應之部分中特別吸收雷射光L，並於對象物11之內部形成改質區域12。另，聚光點C作為一例，可為雷射光L之光束強度變得最高之位置、或光束強度之重心位置至特定範圍之區域。
改質區域12係密度、折射率、機械強度、其他物理特性與周圍之非改質區域不同之區域。作為改質區域21，有例如熔融處理區域、裂縫區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域等。改質區域12可以龜裂自改質區域12延伸至雷射光L之入射側及其相反側之方式形成。此種改質區域12及龜裂被利用於例如對象物11之切斷。
作為一例，若使載物台2沿X方向移動，使聚光點C相對於對象物11沿X方向相對移動，則複數個改質點12s以沿X方向排列為1行之方式形成。1個改質區域12s藉由1脈衝之雷射光L之照射形成。1行改質區域12為排列為1行之複數個改質點12s之集合。相鄰之改質點12s藉由聚光點C相對於對象物11之相對之移動速度及雷射光L之重複頻率，有相互連接之情形，亦有相互分開之情形。
驅動部4包含：第1移動部41，其使載物台2於與Z方向交叉(正交)之面內之一方向移動；及第2移動部42，其使載物台2於與Z方向交叉(正交)之面內之另一方向移動。作為一例，第1移動部41使載物台2沿X方向移動，第2移動部42使載物台2沿Y方向移動。又，驅動部4使載物台2以與Z方向平行之軸線作為旋轉軸旋轉。驅動部5支持雷射照射部3。驅動部5使雷射照射部3沿X方向、Y方向、及Z方向移動。於形成有雷射光L之聚光點C之狀態下使載物台2及/或雷射照射部3移動，藉此聚光點C相對於對象物11相對移動。即，驅動部4、5係以雷射光L之聚光點C相對於對象物11相對移動之方式，使載物台2及雷射照射部3中之至少一者移動之移動部。
攝像部8基於控制部6之控制，藉由透過對象物11之光拍攝載物台2所支持之對象物11。藉由攝像部8拍攝獲得之圖像作為一例，可供雷射光L之照射位置之對準，或被利用於稍後敘述之雷射光調整方法之損傷之比較等。攝像部8可與雷射照射部3一起藉由驅動部5可移動地支持，亦可與雷射照射部3可分開移動地構成。
攝像部8藉由例如鹵素燈及濾波器構成，可包含輸出近紅外區域之光之光源(未圖示)、包含用於將自該光源出射之光向對象物11聚光之透鏡等之光學系統(未圖示)、或用於檢測自該光源輸出經由對象物11之光之光檢測部(未圖示)等。光檢測部藉由例如InGaAs相機構成，可檢測近紅外區域之光。
控制部6控制載物台2、雷射照射部3、驅動部4、5、及攝像部8之動作。控制部6具有處理部、記憶部、及輸入受理部(未圖示)。處理部作為包含處理器、記憶體、儲存器及通行器件等之電腦裝置構成。於處理部中，處理器執行讀入記憶體等之軟體(程式)，控制記憶體及儲存器之資料之讀出及寫入、以及通信器件之通信。記憶部為例如硬碟等，記憶各種資料。
記憶部可保持例如藉由攝像部8拍攝對象物11而獲得之圖像。換言之，包含記憶部之控制部6亦為用於保持圖像之保持部。輸入受理部為顯示各種資訊，且自使用者受理各種資訊之輸入之介面部。輸入受理部構成GUI(Graphical User Interface：圖形使用者介面)。輸入受理部可包含例如藉由攝像部8拍攝對象物11而獲得之圖像，顯示記憶部所保持之任意圖像。因此，包含輸入受理部之控制部6亦為用於顯示圖像之顯示部。
圖2係顯示圖1所示之雷射照射部之構成之模式圖。圖2顯示有顯示雷射加工之預定之虛擬之線T。如圖2所示，雷射照射部3具有光源31、空間光調變器7、聚光透鏡33、4f透鏡單元34。光源31針對例如脈衝振盪方式，輸出雷射光L。另，雷射照射部3亦可不具有光源31，以自雷射照射部3之外部導入雷射光L之方式構成。空間光調變器7調變自光源31輸出之雷射光L。聚光透鏡33將藉由空間光調變器7調變且自空間光調變器7輸出之雷射光L向對象物11聚光。
如圖3所示，4f透鏡單元34具有排列於自空間光調變器7向聚光透鏡33之雷射光L之光路上之一對透鏡34A、34B。一對透鏡34A、34B構成空間光調變器7之調變面7a與聚光透鏡33之入射瞳面(瞳面)33a處於成像關係之兩側遠心光學系統。藉此，空間光調變器7之調變面7a之雷射光L之影像(於空間光調變器7中調變之雷射光L之影像)轉像(成像)於聚光透鏡33之入射瞳面33a。另，圖中之Fs顯示傅立葉面。
如圖4所示，空間光調變器7為反射型液晶(LCOS：Liquid Crystal on Silicon(矽上液晶))之空間光調變器(SLM：Spatial Light Modulator)。空間光調變器7藉由於半導體基板71上，將驅動電路層72、像素電極層73、反射膜74、配向膜75、液晶層76、配向膜77、透明導電膜78及透明基板79以該順序積層而構成。
半導體基板71為例如矽基板。驅動電路層72於半導體基板71上，構成主動矩陣電路。像素電極層73包含沿半導體基板71之表面矩陣狀排列之複數個像素電極73a。各像素電極73a藉由例如鋁等金屬材料形成。於各像素電極73a，藉由驅動電路層72施加電壓。
反射膜74為例如介電質多層膜。配向膜75設置於液晶層76之反射膜74側之表面，配向膜77設置於液晶層76之與反射膜74成相反側之表面。各配向膜75、77藉由例如聚醯亞胺等高分子材料形成，對各配向膜75、77之與液晶層76之接觸面，實施例如摩擦處理。配向膜75、77使液晶層76所包含之液晶分子76a排列於一定方向。
透明導電膜78設置於透明基板79之配向膜77側之表面，夾著液晶層76等與像素電極層73對向。透明基板79為例如玻璃基板。透明導電膜78藉由例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等具備光透過性且導電性之材料形成。透明基板79及透明導電膜78使雷射光L透過。
如以上所示構成之空間光調變器7中，若顯示調變圖案之信號自控制部6輸入至驅動電路層72，則與該信號對應之電壓施加於各像素電極73a，於各像素電極73a與透明導電膜78之間形成電場。若形成該電場，則於液晶層76中，液晶分子76a之排列方向於每個與各像素電極73a對應之區域變化，折射率於每個與各像素電極73a對應之區域變化。該狀態為於液晶層76顯示調變圖案之狀態。調變圖案為用於調變雷射光L者。
即，於液晶層76顯示調變圖案之狀態下，雷射光L若自外部經由透明基板79及透明導電膜78入射至液晶層76，由反射膜74反射，並自液晶層76經由透明導電膜78及透明基板79出射至外部，則根據顯示於液晶層76之調變圖案，調變雷射光L。如此，根據空間光調變器7，藉由適當設定顯示於液晶層76之調變圖案，而可調變雷射光L。另，圖3所示之調變面7a為例如液晶層76。
如此，自光源31輸出之雷射光L經由空間光調變器7及4f透鏡單元34入射至聚光透鏡33，藉由聚光透鏡33聚光於對象物11內，藉此該聚光點C中於對象物11形成改質區域12及自改質區域12延伸之龜裂。再者，控制部6控制驅動部4、5，使聚光點C相對於對象物11相對移動，藉此沿聚光點C之移動方向形成改質區域12及龜裂。
圖5係顯示雷射加工之對象物之一例之圖。圖5(a)係俯視圖，圖5(b)係沿圖5(a)之Vb-Vb線之剖視圖。於圖5(b)中，顯示對象物受載物台支持之狀態。又，於各剖視圖中，有省略陰影線之情形。如圖5所示，對象物11包含第1面11a、第1面11a之相反側之第2面11b。對象物11以第1面11a及第2面11b與Z方向交叉(正交)，且第1面11a靠近雷射照射部3側之方式受載物台2支持。因此，於對象物11中，第1面11a成為雷射光L之入射面。
對象物11包含沿第2面11b排列為2維狀之複數個半導體器件11D。對此種對象物11，如以下所示實施雷射加工。首先，使雷射光L自第1面11a側入射至對象物11內，且於對象物11之內部形成雷射光L之聚光點C。於其狀態下，一面使雷射光L之聚光點C沿線T於X方向相對移動，一面將雷射光L照射至對象物11。此時，有雷射光L向第2面11b側之洩漏光L0對形成於第2面11b之半導體器件11D造成影響之虞。另，此處之洩漏光L0意指照射至對象物11之雷射光L中，不由第1面11a反射，且不由對象物11吸收，又無助於對象物11之改質之光到達對象物11之與第1面11a成相反側之第2面11b者。
有該洩漏光L0對半導體器件11D之影響於每個雷射加工裝置1中不同之情形。又，有即使為同一雷射加工裝置1，洩漏光L0對半導體器件11D之影響亦根據光學系統或裝置狀態而不同之情形。因此，即使於使用彼此不同之雷射加工裝置1進行同樣之雷射加工之情形時，或於調整使用同一雷射加工裝置1者之光學系統或裝置狀態之後進行同樣之雷射加工之情形時，亦有於加工結果(例如良品率)產生變異之虞(於前者之情形時為加工機差)。因此，以下對用於抑制此種加工結果之變異之雷射調整方法進行說明。
圖6係顯示使用於雷射調整方法之膜晶圓之圖。圖6(a)係膜晶圓之剖視圖，圖6(b)係顯示該膜晶圓之加工之狀況之剖視圖。如圖6(a)所示，此處之對象物11為包含晶圓111與設置於晶圓111之膜112之膜晶圓110。更具體而言，膜晶圓110包含第1面111a、第1面111a之相反側之第2面111b，膜112形成於第2面111b。
作為一例，晶圓111為相對於雷射光L具有透過性之材料，可由與實際之雷射加工之對象物11同樣之材料構成，亦可由與實際之雷射加工之對象物11不同之材料構成。晶圓111為例如藍寶石基板或矽基板。作為一例，膜112可由對雷射光L之吸收率高於晶圓111之材料構成。膜112為例如錫或金等之金屬膜。
如圖6(b)所示，此處，自第1面111a側對此種膜晶圓110入射雷射光L，於晶圓111之內部形成雷射光L之聚光點C，且對膜晶圓110照射雷射光L。藉此，因雷射光L之洩漏光L0，於膜112產生損傷D。損傷D產生於膜112之晶圓111側之表面。接著，藉由使用攝像部8，拍攝膜112之晶圓111側之表面，而取得包含該損傷D之影像之損傷圖像。
圖7係顯示損傷圖像之一例之圖。圖7(a)係某雷射加工裝置1(裝置A)之損傷圖像，圖7(b)係另一雷射加工裝置1(裝置B)之損傷圖像。若比較圖7(a)所示之裝置A之損傷DA之影像、與圖7(b)所示之裝置B之損傷DB之影像，則理解彼此不同。如此，洩漏光L0對膜112之損傷DA、DB不同之情況意指於裝置A與裝置B之間，洩漏光L0對半導體器件之影響不同，顯示有於加工結果產生變異之虞。
於本揭示之雷射調整方法中，為了抑制其加工結果之變異，而調整賦予至雷射光L之像差。此處，藉由調整賦予至雷射光L之像差，而裝置A之損傷DA與裝置B之損傷DB接近。藉此，抑制裝置A與裝置B之間因洩漏光L0對半導體器件造成之影響之差異，其結果，抑制加工結果之變異(抑制加工機差)。以下更具體地進行說明。 [第1實施形態]
接著，對第1實施形態之雷射調整方法進行說明。圖8係顯示第1實施形態之雷射調整方法之一步驟之流程圖。圖9係用於說明圖8所示之一步驟之模式性剖視圖。如圖8及圖9(a)所示，首先，準備膜晶圓(第1膜晶圓)110A(步驟S1)。膜晶圓110A與上述膜晶圓110同樣，包含晶圓111(第1晶圓)與膜(第1膜)112。
接著，將該膜晶圓110A設置為作為裝置A之雷射加工裝置1(步驟S2)。此處，以膜112成為載物台2側、即晶圓111之第1面111a面向雷射照射部3側之方式，使膜晶圓110A受載物台2支持。另，裝置A為複數台雷射加工裝置1中可獲得良好之加工結果(例如良品率較高)者，即，成為調整基準之裝置。
接著，如圖8所示，進行對準及高度設置(步驟S3)。作為一例，於該步驟S3中，基於藉由攝像部8拍攝到之圖像，決定X方向及Y方向(沿第1面111a之方向)中之雷射光LA之照射位置作為對準，且調整Z方向(與第1面111a交叉之方向)中之雷射光LA之聚光點C之位置作為高度設置。此處，作為一例，雷射光LA之聚光點C為晶圓111之內部，可以成為與實際器件加工時之聚光點C之Z方向位置一致之位置之方式，進行高度設置。實際器件加工時意指使用雷射加工裝置1，例如為了半導體器件11D之單片化，而對形成有半導體器件11D之對象物11照射雷射光L形成改質區域12及龜裂之情形。
接著，如圖8及圖9(b)所示，進行雷射加工(步驟S4)。此處，自晶圓111之與膜112成相反側之第1面111a側對膜晶圓110A照射雷射光(第1雷射光)LA。此時，可一面使聚光點C沿X方向相對於膜晶圓110A相對移動一面進行雷射光LA之照射。於該情形時，X方向成為加工進行方向。藉此，於雷射光LA之聚光點C之附近，於晶圓111形成改質區域(第1加工痕)12A，且雷射光LA之洩漏光LA0照射至膜112，藉此於膜112形成損傷(第1損傷)DA。如此，於該步驟S4中，控制部6實施藉由控制雷射照射部3，而對載物台2所支持之狀態下之膜晶圓110A之膜112照射雷射光LA(雷射光LA之一部分即洩漏光LA0)之處理。
接著，如圖8所示，進行晶圓111之攝像(步驟S5)。藉此，取得圖10(a)所示之圖像。圖10(a)係包含改質區域12A之影像之加工圖像之一例。更具體而言，於該步驟S5中，藉由於晶圓111之形成改質區域12A之Z方向之位置中，藉由攝像部8拍攝晶圓111，而如圖10(a)所示取得包含作為第1加工痕之改質區域12A之影像的圖像即第1加工圖像IA。如此，於該步驟S5中，控制部6實施藉由控制攝像部8拍攝晶圓111，取得包含改質區域12A之影像之第1加工圖像IA之處理。
接著，如圖8及圖10(a)所示，基於由步驟S5拍攝到之第1加工圖像IA，取得改質區域12A之位置資訊(步驟S6)。更具體而言，於該步驟S6中，參照第1加工圖像IA，取得顯示X方向及Y方向中之改質區域12A之位置座標PA(Xa，Ya)之資訊。另，此時，亦可進而實施顯示第1加工圖像IA之步驟。
接著，如圖8所示，進行膜112之攝像(步驟S7)。藉此，取得圖10(b)所示之圖像。圖10(b)係包含損傷DA之影像之損傷圖像之一例。更具體而言，於該步驟S7中，於膜112之形成損傷DA之Z方向之位置(膜112之表面)中，藉由攝像部8拍攝膜112，藉此如圖10(b)所示，取得包含因形成改質區域12A時之雷射光LA之洩漏光LA0形成之損傷DA之影像的圖像即第1損傷圖像JA。如此，於該步驟S7中，控制部6實施藉由控制攝像部8拍攝膜112，取得包含損傷DA之影像之第1損傷圖像JA之處理。
接著，如圖8及圖10(b)所示，基於由步驟S7拍攝到之第1損傷圖像JA，取得損傷DA之位置資訊(步驟S8)。更具體而言，於該步驟S8中，參照第1損傷圖像JA，取得顯示X方向及Y方向之損傷DA之中心(例如重心)之位置座標QA(X´a，Y´a)之資訊。另，此時，亦可進而實施顯示第1損傷圖像JA之顯示步驟。
接著，如圖8所示，算出改質區域12A之位置與損傷DA之中心之偏差之量及方向(步驟S9)。更具體而言，於該步驟S9中，算出第1加工圖像IA所包含之改質區域12A之影像之位置、與第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之中心位置之偏差之量及方向。該偏差之量及方向可藉由使用由步驟S6取得之改質區域12A之位置座標PA(Xa，Ya)、與步驟S8取得之損傷DA之中心之位置座標QA(X´a，Y´a)算出。
藉由以上，於成為調整之基準之裝置A中，取得包含改質區域12A之影像之第1加工圖像IA、包含損傷DA之影像之第1損傷圖像JA、第1加工圖像IA所包含之改質區域12A之影像之位置、與第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之中心位置之偏差之量及方向。該等取得之資訊可由包含以下之調整對象之雷射加工裝置1之複數台雷射加工裝置1之控制部6(保持部)共用並保持。以上為本實施形態之雷射調整方法之第1準備步驟。另，此處，作為雷射調整方法之一步驟，實際進行雷射加工或攝像取得上述資訊。然而，亦可另外取得預先準備之上述資訊。即，作為雷射調整方法之一系列步驟，未必為了獲得上述資訊而進行雷射加工或攝像。
於本實施形態之雷射調整方法中，接著，基於上述第1準備步驟準備之資訊進行雷射光之像差之調整。圖11係顯示第1實施形態之雷射調整方法之其他一步驟之流程圖。圖12係用於說明圖11所示之其他一步驟之模式性剖視圖。
如圖11及圖12(a)所示，首先，準備膜晶圓(第2膜晶圓)110B(步驟S11、第2準備步驟)。膜晶圓110B與上述膜晶圓110同樣，包含晶圓111(第2晶圓)與膜(第2膜)112。另，作為膜晶圓110B，可再次利用第1準備步驟使用之膜晶圓110A，亦可準備與膜晶圓110A不同之膜晶圓110。
接著，將該膜晶圓110B設置為作為裝置B之雷射加工裝置1(步驟S12)。此處，以膜112成為載物台2側，即晶圓111之第1面111a靠近雷射照射部3側之方式，使膜晶圓110B受載物台2支持。另，裝置B為複數台雷射加工裝置1中，與裝置A比較加工結果較差(例如良品率較低)，成為調整之對象之裝置。此處，雖將裝置A與裝置B作為不同之雷射加工裝置1進行說明，但裝置A與裝置B亦可捕捉為1個雷射加工裝置1之一個狀態、與自該一個狀態調整光學系統或裝置狀態之另一個狀態。
接著，如圖11所示，進行對準及高度設置(步驟S13)。作為一例，於該步驟S13中，亦與步驟S3同樣，基於藉由攝像部8拍攝到之圖像，決定X方向及Y方向(沿第1面111a之方向)中之雷射光LB之照射位置(進行對準)，且調整Z方向(與第1面111a交叉之方向)中之雷射光LB之聚光點C之位置。此處，作為一例，以雷射光LB之聚光點C位於晶圓111之內部之方式進行高度設置。又，此處，考慮針對至少Z方向，於第1準備步驟中與雷射光LA之聚光點C對齊之位置同等之位置對齊雷射光LB之聚光點C。
接著，如圖11及圖12(b)所示，進行雷射加工(步驟S14、加工步驟)。此處，與步驟S4同樣，自晶圓111之與膜112成相反側之第1面111a側對膜晶圓110B照射雷射光(第2雷射光)LB。此時，可一面使聚光點C沿X方向相對於膜晶圓110B相對移動一面進行雷射光LB之照射。於該情形時，X方向成為加工進行方向。藉此，於雷射光LB之聚光點C之附近於晶圓111形成改質區域(第2加工痕)12B，且雷射光LB之洩漏光LB0照射至膜112，藉此於膜112形成損傷(第2損傷)DB。如此，於該步驟S14中，控制部6實施藉由控制雷射照射部3，而對載物台2所支持之狀態下之膜晶圓110B之膜112照射雷射光LB(雷射光LB之一部分即洩漏光LB0)之加工處理。
接著，如圖11所示，進行晶圓111之攝像(步驟S15、攝像步驟)。藉此，取得圖13(a)所示之圖像。圖13(a)係包含改質區域12B之影像之加工圖像之一例。更具體而言，於該步驟S15中，與步驟S5同樣，藉由於晶圓111之形成改質區域12B之Z方向之位置中，藉由攝像部8拍攝晶圓111，而如圖13(a)所示取得包含作為第2加工痕之改質區域12B之影像的圖像即第2加工圖像IB。如此，於該步驟S15中，控制部6實施藉由控制攝像部8拍攝晶圓111，取得包含改質區域12B之影像之第2加工圖像2A之處理。
接著，如圖11及圖13(a)所示，基於由步驟S15拍攝到之第2加工圖像IB，取得改質區域12B之位置資訊(步驟S16)。更具體而言，於該步驟S16中，參照第2加工圖像IB，取得顯示X方向及Y方向之改質區域12B之位置座標PB(Xb，Yb)之資訊。另，此時，亦可進而實施顯示第2加工圖像IB之步驟。
接著，如圖11所示，進行膜112之攝像(步驟S17、攝像步驟)。藉此，取得圖13(b)所示之圖像。圖13(b)係包含損傷DB之影像之損傷圖像之一例。更具體而言，於該步驟S17中，於膜112之形成損傷DB之Z方向之位置(膜112之表面)中，藉由攝像部8拍攝膜112，藉此如圖13(b)所示，取得包含因形成改質區域12B時之雷射光LB之洩漏光LB0形成之損傷DB之影像的圖像即第2損傷圖像JB。如此，於該步驟S17中，控制部6實施藉由控制攝像部8拍攝膜112，取得包含損傷DB之影像之第2損傷圖像JB之攝像處理。
接著，如圖11及圖13(b)所示，基於由步驟S17拍攝到之第2損傷圖像JB，取得損傷DB之位置資訊(步驟S18)。更具體而言，於該步驟S18中，參照第2損傷圖像JB，取得顯示X方向及Y方向之損傷DB之中心(例如重心)之位置座標QB(X´b，Y´b)之資訊。另，此時，亦可進而實施顯示第2損傷圖像JB之顯示步驟。
接著，如圖11所示，算出改質區域12B之位置與損傷DB之中心之偏差之量及方向(步驟S19)。更具體而言，於該步驟S19中，算出第2加工圖像IB所包含之改質區域12B之影像之位置、與第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像之中心位置之偏差之量及方向。該偏差之量及方向可藉由使用由步驟S16取得之改質區域12B之位置座標PB(Xb，Yb)、與步驟S18取得之損傷DB之中心之位置座標QB(X´b，Y´b)算出。
接著，以第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之方式，調整賦予雷射光LB之像差(步驟S20、調整步驟)。於該步驟S20中，作為一例，藉由調整裝置B之空間光調變器7所顯示之調變圖案，調整賦予雷射光LB之像差。對該步驟S20更詳細進行說明。
圖14係顯示賦予雷射光之像差與損傷之關係之圖像之表。於該例中，顯示空間光調變器7所顯示之彗形像差圖案(調變圖案)之強度與損傷之關係。即，於本實施形態中，藉由調整空間光調變器7所顯示之彗形像差圖案之強度，而調整賦予至雷射光LB之彗形像差。如圖14所示，理解若針對X方向及Y方向之各者，使彗形像差圖案之強度增減，則賦予雷射光LB之彗形像差變更，其結果使損傷之形狀變化。另，調變圖案之強度與賦予雷射光之像差量關聯。
因此，於該步驟S20中，藉由以第2加工圖像IB所包含之改質區域12B之影像之位置與第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像之中心位置之偏差之量及方向之各者與第1加工圖像IA所包含之改質區域12A之影像之位置與第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之中心位置之偏差之量及方向之各者接近之方式，調整空間光調變器7顯示之彗形像差圖案，而調整賦予雷射光LB之彗形像差。如此，此處，控制部6執行以第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之方式，調整調變圖案，藉此調整賦予雷射光LB之像差之調整處理。
根據步驟S20之調整之結果，第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像自圖13所示之損傷DB之影像變化，接近圖10所示之損傷DA。另，根據第1次步驟S20之調整之結果，於損傷DB之影像未充分接近損傷DA之影像之情形時，可重複實施步驟S14～步驟S20之處理。
又，此處，作為調整賦予雷射光LB之彗形像差之方法，例示控制空間光調變器7所顯示之彗形像差圖案之方法，但調整賦予雷射光LB之彗形像差之方法不限定於此。例如，藉由使空間光調變器7偏移作為調變圖案顯示之球面像差修正圖案，亦可調整賦予至雷射光LB之彗形像差。
更具體而言，於空間光調變器7之調變面7a中，使球面像差修正圖案之中心相對於雷射光LB之(光束點之)中心，於X方向及/或Y方向偏移。如上所述，調變面7a藉由4f透鏡單元34，轉像於聚光透鏡33之入射瞳面33a。因此，調變面7a之調變圖案之偏移反轉並轉為入射瞳面33a之偏移。因此，藉由調整調變面7a之球面像差修正圖案之偏移之量及方向，可調整賦予雷射光LB之彗形像差。
如以上說明般，於本實施形態之雷射調整方法及雷射加工裝置1中，準備包含成為調整之基準之膜晶圓110A之膜112所形成之損傷DA之影像的圖像，作為第1損傷圖像JA。另一方面，對膜晶圓110B照射雷射光LB(洩漏光LB0)形成損傷DB，且藉由拍攝該膜112而取得包含損傷DB之影像之第2損傷圖像JB。且，以第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之方式，調整賦予雷射光LB之像差。
藉此，膜晶圓110B之膜112所產生之損傷接近膜晶圓110A之膜112所產生之損傷。即，減少實際加工時之洩漏光L0對半導體器件11D之影響之差。其結果，即使有複數台裝置之情形時，亦跨及複數台裝置進行使用第1損傷圖像JA作為基準之同樣之調整，藉此抑制複數台裝置之間之加工結果之變異(機差)。
又，於本實施形態之雷射調整方法中，於調整步驟(步驟S20)中，亦可基於第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像與第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之比較結果，以損傷DB之影像接近損傷DA之影像之方式，調整賦予雷射光LB之像差。如此，藉由進行圖像之顯示及比較，以損傷DB接近損傷DA之方式可容易且確實地調整像差。
又，於本實施形態之雷射調整方法中，於調整步驟(步驟S20)中，調整賦予雷射光LB之彗形像差。如此，於抑制加工結果之變異時，可調整賦予雷射光LB之彗形像差。
又，本實施形態之雷射調整方法中，於第1準備步驟(步驟S1～S9)中，進而取得包含因自晶圓111之與膜112成相反側之面(第1面111a)側對晶圓111照射雷射光LA而形成於晶圓111之改質區域12A(第1加工痕)之影像的圖像，作為第1加工圖像IA。又，第1損傷圖像JA包含因形成第1加工圖像IA所包含之改質區域12A時之雷射光LA之洩漏光LA0形成之損傷DA之影像。又，於加工步驟(S14)中，因自膜晶圓110B之晶圓111之與膜112成相反側之面(第1面111a)側對晶圓111照射雷射光LB而於晶圓111形成改質區域12B(第2加工痕)，且因雷射光LB之洩漏光LB0而於膜112形成損傷DB。
再者，於攝像步驟(步驟S15)中，藉由拍攝膜晶圓110B之晶圓111，取得包含改質區域12B之影像的圖像，作為第2加工圖像IB。且，於調整步驟(步驟S20)中，以第2加工圖像IB所包含之改質區域12B之影像之位置與第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像之中心位置之偏差之量及方向之各者，接近第1加工圖像IA所包含之改質區域12A之影像之位置與第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之中心位置之偏差之量及方向之各者之方式，調整賦予雷射光LB之彗形像差。因此，膜晶圓110B之晶圓111所產生之加工痕(改質區域12B)與膜112所產生之損傷DB之偏差之量及方向之各者接近成為基準之膜晶圓110A者。其結果，可確實地抑制加工結果之變異。 [第2實施形態]
接著，對第2實施形態之雷射調整方法進行說明。於上述第1實施形態中，於抑制加工結果之變異時，調整賦予雷射光LB之彗形像差，亦可於抑制加工結果之變異時，調整賦予雷射光LB之散光像差。圖16係顯示對雷射光賦予散光像差之情形之損傷之圖。
圖15(a)顯示空間光調變器7所顯示之散光像差圖案之強度相對較小之情形(例如強度為10之情形)之損傷D，圖15(b)顯示空間光調變器7所顯示之散光像差圖案之強度相對較大之情形(例如強度為20之情形)之損傷D。如圖15(a)、(b)所示，若使散光像差圖案之強度增減，則可調整損傷D之橢圓率ε。作為一例，圖15(a)之情形之損傷D之橢圓率ε為0.59左右，圖15(b)之情形之損傷D之橢圓率ε為0.43左右。另，此處之損傷D之橢圓率ε為將圖15(c)所示之橢圓之短邊b之長度除以長邊a之長度之值。
又，於圖15(a)、(b)之例中，藉由散光像差圖案之調整，損傷D相對於X方向(作為一例為加工進行方向，即基準方向)之角度θ均設為90°左右。損傷D相對於X方向之角度如圖15(c)所示，設為橢圓狀之損傷D之長邊a與X方向所成之角。另，藉由將散光像差圖案之角度設為0°，可將損傷D相對於X方向之角度θ設為90°。
如圖16及圖17所示，藉由調整散光像差圖案或使圖案旋轉，可使損傷D相對於X方向之角度θ自0°至180°變化。另，圖16之例顯示散光像差圖案之強度相對較小之情形(例如強度為10之情形)，圖17之例顯示散光像差圖案之強度相對較大之情形(例如強度為20之情形)。
如上所示，理解若調整賦予雷射光之散光像差，則可調整損傷D之橢圓率ε及角度θ。另，作為對雷射光賦予散光像差之方法，如以上說明般可使用空間光調變器7所顯示之散光像差圖案，亦可使用於雷射光之光路追加柱狀透鏡之方法。
圖18係顯示第2實施形態之雷射調整方法之一步驟之流程圖。如圖18所示，於本實施形態之雷射調整方法中，與第1實施形態同樣，準備膜晶圓110A且使用作為成為調整之基準之裝置A之雷射加工裝置1實施步驟S1～S4。接著，進行膜晶圓110A之膜112之攝像(步驟S27)。
藉此，取得圖20(a)所示之圖像。圖20(a)係包含損傷DA之影像之損傷圖像之一例。更具體而言，於該步驟S27中，於膜112之形成損傷DA之Z方向之位置(膜112之表面)中，藉由攝像部8拍攝膜112，藉此如圖20(a)所示，取得包含因形成改質區域12A時之雷射光LA之洩漏光LA0形成之損傷DA之影像的圖像即第1損傷圖像JA。如此，於該步驟S27中，控制部6實施藉由控制攝像部8拍攝膜112，取得包含損傷DA之影像之第1損傷圖像JA之處理。
接著，如圖18所示，藉由參照第1損傷圖像，取得第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像相對於X方向(基準方向)之角度θ即第1角度、與損傷DA之影像之橢圓率ε即第1橢圓率。藉由以上，於成為調整之基準之裝置A中，取得包含損傷DA之影像之第1損傷圖像JA、與關於損傷DA之第1橢圓率及第1角度之資訊。該等取得之資訊可由包含以下之調整對象之雷射加工裝置1之複數台雷射加工裝置1之控制部(保持部)共用並保持。以上為本實施形態之雷射調整方法之第1準備步驟。
於本實施形態之雷射調整方法中，接著，基於上述第1準備步驟準備之資訊進行雷射光之像差之調整。圖19係顯示第2實施形態之雷射調整方法之其他一步驟之流程圖。如圖19所示，於本實施形態之雷射調整方法中，與第1實施形態同樣，準備膜晶圓110B且使用作為成為調整之對象之裝置B之雷射加工裝置1實施步驟S11～S14。接著，進行膜晶圓110B之膜112之攝像(步驟S37)。
藉此，取得圖20(b)所示之圖像。圖20(b)係包含損傷DB之影像之損傷圖像之一例。更具體而言，於該步驟S37中，於膜112之形成損傷DB之Z方向之位置(膜112之表面)中，藉由攝像部8拍攝膜112，藉此如圖20(b)所示，取得包含因形成改質區域12B時之雷射光LB之洩漏光LB0形成之損傷DB之影像的圖像即第2損傷圖像JB。如此，於該步驟S37中，控制部6實施藉由控制攝像部8拍攝膜112，取得包含損傷DB之影像之第2損傷圖像JB之攝像處理。
接著，如圖19所示，藉由參照第2損傷圖像JB，取得第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像相對於X方向(基準方向)之角度θ即第2角度、與損傷DB之影像之橢圓率ε即第2橢圓率(步驟S38)。
且，以第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之方式，調整賦予雷射光LB之像差(步驟S39、調整步驟)。更具體而言，於該步驟S39中，以第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之第2角度及第2橢圓率之各者接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之第1角度及第1橢圓率之各者之方式，調整賦予雷射光LB之散光像差。此處，如上所述，藉由調整空間光調變器7所顯示之散光像差圖案，而調整賦予雷射光LB之散光像差。
圖20(c)係顯示調整後之損傷DB之圖像。如圖20(c)所示，根據步驟S39之調整之結果，理解第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像自圖20(b)所示之損傷DB之影像變化，接近圖20(a)所示之損傷DA。另，根據1次步驟S39之調整之結果，於損傷DB之影像未充分接近損傷DA之影像之情形時，可重複實施步驟S14～步驟S20。
如以上說明般，於本實施形態之雷射調整方法及雷射加工裝置1中，於調整步驟(步驟S39)中，調整賦予雷射光LB之散光像差。如此，於抑制加工結果之變異時，亦可調整賦予雷射光LB之散光像差。
尤其，於本實施形態之雷射調整方法及雷射加工裝置1中，於第1準備步驟(步驟S1～S4、S27、S28)中，進而取得第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之第1角度與第1橢圓率，於調整步驟(步驟S39)中，以第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像之第2角度及第2橢圓率之各者接近第1角度及第1橢圓率之各者之方式，調整賦予雷射光LB之散光像差。因此，損傷DB之角度θ與橢圓率ε之各者接近成為基準之第1膜者。其結果，可確實地抑制加工結果之變異。 [第3實施形態]
接著，對第3實施形態之雷射調整方法進行說明。於上述第1實施形態及第2實施形態中，分別於抑制加工結果之變異時，調整賦予雷射光LB之彗形像差及散光像差，亦可於抑制加工結果之變異時，調整賦予雷射光LB之球面像差。
圖21係顯示第3實施形態之雷射調整方法之一步驟之流程圖。如圖21所示，於本實施形態之雷射調整方法中，與第1實施形態及第2實施形態同樣，準備膜晶圓110A且使用作為成為調整之基準之裝置A之雷射加工裝置1實施步驟S1～S4。接著，進行膜晶圓110A之膜112之攝像(步驟S47)。
藉此，取得圖22所示之圖像。圖22係包含損傷DA之影像之損傷圖像之一例。更具體而言，於該步驟S47中，於膜112之形成損傷DA之Z方向之位置(膜112之表面)中，藉由攝像部8拍攝膜112，藉此如圖22所示，取得包含因形成改質區域12A時之雷射光LA之洩漏光LA0形成之損傷DA之影像的圖像即第1損傷圖像JA。
如此，於該步驟S47中，控制部6實施藉由控制攝像部8拍攝膜112，取得包含損傷DA之影像之第1損傷圖像JA之處理。藉由以上，於成為調整之基準之裝置A中，取得與包含損傷DA之影像之第1損傷圖像JA相關之資訊。該取得之資訊可由包含以下之調整對象之雷射加工裝置1之複數台雷射加工裝置1之控制部(保持部)共用並保持。以上為本實施形態之雷射調整方法之第1準備步驟。
於本實施形態之雷射調整方法中，接著，基於上述第1準備步驟準備之資訊進行雷射光之像差之調整。圖23係顯示第3實施形態之雷射調整方法之其他一步驟之流程圖。如圖23所示，於本實施形態之雷射調整方法中，與第1實施形態及第2實施形態同樣，準備膜晶圓110B且使用作為成為調整之對象之裝置B之雷射加工裝置1實施步驟S11～S13。
接著，進行雷射加工(步驟S54、加工步驟)。此處，與步驟S14同樣，自晶圓111之與膜112成相反側之第1面111a側對膜晶圓110B照射雷射光(第2雷射光)LB。藉此，因於雷射光LB之聚光點C附近於晶圓111形成改質區域(第2加工痕)12B，且雷射光LB之洩漏光LB0照射至膜112，而於膜112形成損傷(第2損傷)DB。
尤其，於該步驟S54中，藉由使賦予至雷射光LB之球面像差不同，且對膜112進行複數次雷射光LB(雷射光LB之一部分即洩漏光LB0)之照射，而於該膜112形成複數個損傷DB。更具體而言，例如使空間光調變器7顯示某修正量之球面像差修正圖案作為調變圖案而調變雷射光LB，且一面使聚光點C沿1條線T向X方向相對移動一面進行雷射光LB之照射(掃描)。除此以外，使空間光調變器7顯示某修正量之球面像差修正圖案而調變雷射光LB，且一面使聚光點C沿另一條線T於X方向相對移動一面進行雷射光LB之照射(掃描)。藉由使球面像差修正圖案之修正量不同且如此重複進行，而於膜112形成複數行損傷DB。藉此，可使對雷射光LB賦予之球面像差不同且形成複數個損傷DB。
接著，進行膜晶圓110B之膜112之攝像(步驟S57)。藉此，取得圖24所示之圖像。圖24係包含損傷DB之影像的損傷圖像之一例。更具體而言，於該步驟S57中，於膜112上形成有損傷DB之Z方向之位置(膜112之表面)、且複數個損傷DB之各者之X方向及Y方向之位置處，藉由攝像部8拍攝膜112，藉此如圖24所示，取得包含因形成改質區域12B時之雷射光LB之洩漏光LB0而形成之損傷DB之影像的圖像，即複數張第2損傷圖像JB。另，圖24中相對於各個第2損傷圖像JB顯示對應之球面像差之強度(BE)。
接著，藉由比較第1損傷圖像JA與複數張第2損傷圖像JB，於複數張第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像中擷取最接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之損傷DB之影像(步驟S58)。
且，以第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之方式，調整賦予雷射光LB之像差(步驟S59、調整步驟)。更具體而言，以賦予雷射光LB之球面像差成為形成最接近由步驟S58擷取之損傷DA之損傷DB時之球面像差之方式調整球面像差。即，此處，以於第2損傷圖像JB所包含之複數個損傷DB之影像中，形成相對接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之損傷DB時之球面像差賦予雷射光LB之方式，調整賦予雷射光LB之像差。因此，此處，可調整空間光調變器7所顯示之球面像差修正圖案。
如以上說明般，於本實施形態之雷射調整方法及雷射加工裝置1中，於調整步驟(步驟S59)中，調整賦予雷射光LB之球面像差。如此，於抑制加工結果之變異時，亦可調整賦予雷射光LB之球面像差。
尤其，於本實施形態之雷射調整方法及雷射加工裝置1中，於加工步驟(步驟S54)中，藉由使賦予雷射光LB之球面像差不同且對膜112進行複數次雷射光LB之照射，而於該膜112形成複數個損傷DB。又，於攝像步驟(S57)中，藉由拍攝膜112，而取得複數張包含複數個損傷DB之影像之第2損傷圖像JB。且，於調整步驟(步驟S59)中，以第2損傷圖像JB所包含之複數個損傷DB之影像中，形成相對接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之損傷DB時之球面像差賦予雷射光LB之方式，調整賦予雷射光LB之像差。因此，可以膜晶圓110B之膜112所產生之損傷DB更確實地接近膜晶圓110A之膜112所產生之損傷DA之方式調整像差。 [第4實施例]
接著，對第4實施形態之雷射調整方法進行說明。於上述第1實施形態、第2實施形態、及第3實施形態中，分別於抑制加工結果之變異時，調整賦予雷射光LB之彗形像差、散光像差、及球面像差，亦可於抑制加工結果之變異時，調整賦予雷射光LB之三叉像差。
圖25係用於說明三叉像差之圖。圖25(a)係顯示用於賦予三叉像差之三叉像差圖案之一例之圖。圖25(b)係顯示賦予三叉像差之情形之聚光點之形狀之圖。如圖25所示，三叉像差可藉由使空間光調變器7顯示三叉像差圖案Pt而賦予。三叉像差為澤爾尼克(Zernike)之三維像差中之一者。另，球面像差及散光像差包含於澤爾尼克之二維像差，彗形像差及三叉像差包含於澤爾尼克之三維像差。
若藉由顯示三叉像差圖案之空間光調變器7調變之雷射光L藉由聚光透鏡33聚光，則如圖25(b)所示，雷射光L最集中於聚光點C。此時，聚光點C之雷射光L之光束形狀成為包含中心部C0以及自中心部C0放射狀延伸之第1延伸部C1、第2延伸部C2、及第3延伸部C3且於中心部C0中具有最高之強度之光束形狀Ct。作為一例，第1延伸部C1、第2延伸部C2、及第3延伸部C3之各者之寬度越自中心部C0分開則越小，第1延伸部C1、第2延伸部C2、及第3延伸部C3之各者之強度越自中心部C0分開則越低。作為一例，雷射光L之光束形狀Ct為三邊形之各邊於內側彎曲般之形狀。
圖26係顯示第4實施形態之雷射調整方法之一步驟之流程圖。如圖26所示，於本實施形態之雷射調整方法中，與第1實施形態及第2實施形態同樣，準備膜晶圓110A且使用作為成為調整之基準之裝置A之雷射加工裝置1實施步驟S1～S4。接著，進行膜晶圓110A之膜112之攝像(步驟S67)。
藉此，取得圖27所示般之圖像。圖27係包含損傷DA之影像之損傷圖像之一例。更具體而言，於該步驟S67中，於膜112之形成損傷DA之Z方向之位置(膜112之表面)中，藉由攝像部8拍攝膜112，藉此如圖27所示，取得包含因形成改質區域12A時之雷射光LA之洩漏光LA0形成之損傷DA之影像的圖像即第1損傷圖像JA。
如此，於該步驟S67中，控制部6實施藉由控制攝像部8拍攝膜112，取得包含損傷DA之影像之第1損傷圖像JA之處理。藉由以上，於成為調整之基準之裝置A中，取得與包含損傷DA之影像之第1損傷圖像JA相關之資訊。該取得之資訊可由包含以下之調整對象之雷射加工裝置1之複數台雷射加工裝置1之控制部(保持部)共用並保持。以上為本實施形態之雷射調整方法之第1準備步驟。另，於步驟S67中，將三叉像差圖案之參數設為(t1-d，t2-d)。此為特定三叉像差圖案之2個參數(例如三叉像差強度)t1、t2之各者設為「d」之狀態。
於本實施形態之雷射調整方法中，接著，基於上述第1準備步驟準備之資訊進行雷射光之像差之調整。圖28係顯示第4實施形態之雷射調整方法之其他一步驟之流程圖。如圖28所示，於本實施形態之雷射調整方法中，與第1實施形態及第2實施形態同樣，準備膜晶圓110B且使用作為成為調整之對象之裝置B之雷射加工裝置1實施步驟S11～S13。
接著，進行雷射加工(步驟S74、加工步驟)。此處，與步驟S14同樣，自晶圓111之與膜112成相反側之第1面111a側對膜晶圓110B照射雷射光(第2雷射光)LB。藉此，藉由於雷射光LB之聚光點C之附近於晶圓111形成改質區域(第2加工痕)12B，且將雷射光LB之洩漏光LB0照射至膜112，於膜112形成損傷(第2損傷)DB。
尤其，於該步驟S74中，藉由使賦予雷射光LB之三叉像差不同，且對膜112進行複數次雷射光LB(雷射光LB之一部分即洩漏光LB0)之照射，而於該膜112形成複數個損傷DB。更具體而言，例如使空間光調變器7顯示某三叉像差強度之三叉像差圖案作為調變圖案來調變雷射光LB，且一面使聚光點C沿1條線T於X方向相對移動一面進行雷射光LB之照射(掃描)。除此以外，使空間光調變器7顯示其他三叉像差強度之三叉像差圖案來調變雷射光LB，且一面使聚光點C沿其他線T於X方向相對移動一面進行雷射光LB之照射(掃描)。藉由使三叉像差不同且將此重複，而於膜112形成複數行損傷DB。藉此，可使賦予雷射光LB之三叉像差不同且形成複數個損傷DB。
接著，進行膜晶圓110B之膜112之攝像(步驟S77)。藉此，取得圖29所示之圖像。圖29係包含損傷DB之影像之損傷圖像之一例。更具體而言，於該步驟S77中，於膜112之形成損傷DB之Z方向之位置(膜112之表面)，且複數個損傷DB之各者之X方向及Y方向之位置中，藉由攝像部8拍攝膜112，藉此如圖29所示，取得包含因形成改質區域12B時之雷射光LB之洩漏光LB0形成之損傷DB之影像的圖像即複數張第2損傷圖像JB。另，圖29中顯示相對於各者之第2損傷圖像JB對應之三叉像差強度(上述參數(t1-α，t2-β))(此處α及β可彼此獨立取得a～g之值)。
接著，藉由比較第1損傷圖像JA與複數張第2損傷圖像JB，於複數張第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像中擷取最接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之損傷DB之影像(步驟S78)。於該例中，三叉像差強度為(t1-e，t2-c)時之損傷DB之影像，作為最接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像者被擷取。換言之，於該例中，藉由將三叉像差強度設為(t1-e，t2-c)之三叉像差圖案賦予雷射光LB，而可於裝置B中進行與裝置A同樣之加工，抑制機差。
於接續之步驟中，以第2損傷圖像JB所包含之損傷DB之影像接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之方式，調整賦予雷射光LB之像差(步驟S79、調整步驟)。更具體而言，以賦予雷射光LB之三叉像差成為形成最接近由步驟S78擷取之損傷DA之損傷DB時之三叉像差之方式調整三叉像差。即，此處，以於第2損傷圖像JB所包含之複數個損傷DB之影像中，形成相對接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之損傷DB時之三叉像差賦予雷射光LB之方式，調整賦予雷射光LB之像差。因此，此處，可調整空間光調變器7所顯示之三叉像差圖案。
如以上說明般，於本實施形態之雷射調整方法及雷射加工裝置1中，於調整步驟(步驟S79)中，調整賦予雷射光LB之三叉像差。如此，於抑制加工結果之變異時，亦可調整賦予雷射光LB之三叉像差。
尤其，於本實施形態之雷射調整方法及雷射加工裝置1中，於加工步驟(步驟S74)中，藉由使賦予雷射光LB之三叉像差不同且對膜112進行複數次雷射光LB之照射，而於該膜112形成複數個損傷DB。又，於攝像步驟(S77)中，藉由拍攝膜112，而取得複數張包含複數個損傷DB之影像之第2損傷圖像JB。且，於調整步驟(步驟S79)中，以於第2損傷圖像JB所包含之複數個損傷DB之影像中，形成相對接近第1損傷圖像JA所包含之損傷DA之影像之損傷DB時之三叉像差賦予雷射光LB之方式，調整賦予雷射光LB之像差。因此，可以膜晶圓110B之膜112所產生之損傷DB更確實地接近膜晶圓110A之膜112所產生之損傷DA之方式調整像差。
另，藉由於抑制雷射加工裝置1之機差時利用三叉像差，獲得以下之效果。圖30係用於說明利用三叉像差之效果之圖。圖30之「三叉參數」意指上述三叉像差強度，「tA」、「tB」、「tC」之各者相當於將上述參數(t1-α，t2-β)中α與β指定為特定值者。又，圖30之「觀察深度」顯示拍攝對象物11之各圖像之Z方向之位置。隨著ZA朝向ZC，成為距入射面更深之位置，ZB為聚光點C附近。
又，圖30之各圖像為藉由自與對象物11之雷射光入射面平行之面(XY面)拍攝聚光點C附近獲得之圖像。再者，圖30之「龜裂之偏向」模式性顯示自藉由賦予三叉參數tA、tB、tC之各者之三叉像差之雷射光L之加工形成之改質區域12延伸之龜裂之偏向。於圖示之例中，紙面左右方向為加工進行方向(X方向)，紙面上下方向為與加工進行方向正交之方向(Y方向)。且，「龜裂之偏向」意指Y方向相關之偏向。
如圖30所示，藉由使三叉參數變化，而可控制龜裂之偏向。於圖示之例中，於三叉參數為「tA」之情形時，龜裂為偏向Y方向之一側之狀態，於三叉參數為「tC」之情形時，龜裂為偏向Y方向之另一側之狀態。另一方面，於三叉參數為「tB」之情形時，於Y方向上未發現明顯之龜裂之偏向，成為隨機之狀態。藉由如此設定獲得無明顯龜裂之偏向之隨機狀態之三叉參數，可提高對象物11之分割後之外觀品質或分割性。 [變化例]
以上之實施形態為說明本揭示之一態樣者。因此，本揭示不限定於上述者，可任意變化。
例如，於上述實施形態中，如調整彗形像差之第1實施形態、調整散光像差之第2實施形態、調整球面像差之第3實施形態、及調整三叉像差之第4實施形態般，對於各實施形態中獨立調整各像差之情形進行說明。然而，有實際上，於空間光調變器7所顯示之調變圖案中，重疊有對雷射光L賦予彗形像差之彗形像差圖案、賦予散光像差之散光像差圖案、修正球面像差之球面像差修正圖案、及賦予三叉像差之三叉像差圖案等各種圖案之情形。因此，於經由空間光調變器7之雷射光L接受該調變圖案之調變之情形時，有洩漏光L0之損傷D亦重疊複數個像差之影響之情形。
因此，於以裝置A之損傷DA之影像接近裝置B之損傷DB之影像之方式調整賦予雷射光LB之像差之情形時，亦可複合調整彗形像差、散光像差、球面像差、及三叉像差中之至少2個。換言之，可適當組合實施第1實施形態、第2實施形態、第3實施形態、及第4實施形態之要件。
又，如上述實施形態，即使於獨立調整各像差之情形時，亦可任意變化調整方法。作為一例，對於上述第1實施形態中，於調整步驟(步驟S20)中，以改質區域12B之影像之位置與損傷DB之影像之中心位置之偏差之量及方向之各者接近改質區域12A之影像之位置與損傷DA之影像之中心位置之偏差之量及方向之各者之方式，調整賦予雷射光LB之彗形像差之情形進行說明。
然而，於第1實施形態中，於調整步驟(步驟S20)中，亦可簡單基於第1損傷圖像JA與第2損傷圖像JB之比較，以損傷DB之形狀接近損傷DA之形狀之方式，調整賦予雷射光LB之彗形像差。於該情形時，用於獲得第1加工痕即改質區域12A之影像之攝像(步驟S5)、或用於獲得第2加工痕即改質區域12B之影像之攝像(步驟S15)並非必須。
又，於第3實施形態中，於加工步驟(S54)中，藉由使賦予雷射光LB之球面像差不同，且對膜112進行複數次雷射光LB(雷射光LB之一部分即洩漏光LB0)之照射，而於該膜112形成複數個損傷DB，且於調整步驟(S59)中，以該複數個損傷DB中形成相對接近損傷DA之損傷DB時之球面像差賦予雷射光LB之方式，調整賦予雷射光LB之像差。如此，使相差量變化且預先形成複數個損傷DB，自其中選擇接近成為基準之損傷DA者之方法，於第1實施形態或第2實施形態中亦可採用。
又，於各實施形態中，於加工痕(改質區域12A、12B)之影像非必須之情形時(改質區域12A、12B之形成非必須之情形)，將晶圓111之與膜112成相反側之第1面111a設為雷射光LA、LB之入射面，且於晶圓111內設定雷射光LA、LB之聚光點C亦非必須。
作為一例，亦可藉由將膜112之與晶圓111成相反側之面設為雷射光LA、LB之入射面，且至少於較膜112之晶圓111側之面(形成損傷DA、DB之面)更靠雷射照射部3側(例如膜112之外側)形成聚光點C，而使雷射光LA、LB一面自聚光點C擴散一面照射至膜112之晶圓111側之面。
或，可藉由將膜112之與晶圓111成相反側之面設為雷射光LA、LB之入射面，且至少於較膜112之晶圓111側之面(形成損傷DA、DB之面)更靠晶圓111側形成聚光點C，而向聚光點C使雷射光LA、L B一面匯聚一面照射至膜112之晶圓111側之面。
另一方面，將晶圓111之第1面111a設為雷射光LA、LB之入射面，且將雷射光LA、LB之聚光點C設定於晶圓111內部之情形時，亦可將雷射光LA、LB之聚光點C設定於與實際器件加工時之雷射光L之聚光點C之Z方向位置不同之位置(例如，接近更深之膜112之位置)。
另一方面，於將晶圓111之第1面111a設為雷射光LA、LB之入射面之情形時，可將雷射光LA、LB之聚光點C對於Z方向設定於晶圓111之外部。於該情形時，例如，亦可將雷射光LA、LB之聚光點C自晶圓111越過膜112設定於膜112之更外部。
再者，於各實施形態中，於雷射光LA、LB之照射之步驟(例如加工步驟)中，亦可使雷射光LA、LB之脈衝間距與實際器件加工時之雷射光L之脈衝間距不同(例如亦可較寬)。 [產業上之可利用性]
提供可抑制加工結果之變異之雷射調整方法及雷射加工裝置。
1:雷射加工裝置 2:載物台(支持部) 3:雷射照射部 4:驅動部 5:驅動部 6:控制部(保持部) 7:空間光調變器 7a:調變面 8:攝像部 11:對象物 11a:第1面 11b:第2面 11D:半導體器件 12:改質區域 12A:改質區域(第1加工痕) 12B:改質區域(第2加工痕) 12s:改質點 31:光源 33:聚光透鏡 33a:入射瞳面 34:4f透鏡單元 34A:透鏡 34B:透鏡 41:第1移動部 42:第2移動部 71:半導體基板 72:驅動電路層 73:像素電極層 73a:像素電極 74:反射膜 75:配向膜 76:液晶層 76a:液晶分子 77:配向膜 78:透明導電膜 79:透明基板 110:膜晶圓 110A:膜晶圓(第1膜晶圓) 110B:膜晶圓(第2膜晶圓) 111:晶圓(第1晶圓、第2晶圓) 111a:第1面 111b:第2面 112:膜(第1膜、第2膜) a:長邊 BE:強度 b:短邊 C:聚光點 C0:中心部 C1:第1延伸部 C2:第2延伸部 C3:第3延伸部 Ct:光束形狀 D:損傷 DA:損傷(第1損傷) DB:損傷(第2損傷) Fs:傅立葉面 IA:第1加工圖像 IB:第2加工圖像 JA:第1損傷圖像 JB:第2損傷圖像 L:雷射光 LA:雷射光(第1雷射光) LA0:洩漏光 LB:雷射光(第2雷射光) LB0:洩漏光 L0:洩漏光 PA:位置座標 PB:位置座標 Pt:三叉像差圖案 QA:位置座標 QB:位置座標 S1～S9:步驟 S11～S20:步驟 S27:步驟 S28:步驟 S37～S39:步驟 S47:步驟 S54:步驟 S57～S59:步驟 S67:步驟 S74:步驟 S77～S79:步驟 T:線 t1:三叉像差強度 t2:三叉像差強度 tA:三叉參數 tB:三叉參數 tC:三叉參數 Vb-Vb:線 ZA:觀察深度 ZB:觀察深度 ZC:觀察深度 θ:角度
圖1係顯示一實施形態之雷射加工裝置之構成之模式圖。 圖2係顯示圖1所示之雷射照射部之構成之模式圖。 圖3係顯示圖2所示之4f光學系統之模式圖。 圖4係顯示圖2所示之空間光調變器之一部分之模式性剖視圖。 圖5(a)、(b)係顯示雷射加工之對象物之一例之圖。 圖6(a)、(b)係顯示雷射調整方法所使用之膜晶圓之圖。 圖7(a)、(b)係顯示損傷圖像之一例之圖。 圖8係顯示第1實施形態之雷射調整方法之一步驟之流程圖。 圖9(a)、(b)係用於說明圖8所示之一步驟之模式性剖視圖。 圖10(a)、(b)係改質區域及損傷之圖像之一例。 圖11係顯示第1實施形態之雷射調整方法之其他一步驟之流程圖。 圖12(a)、(b)係用於說明圖11所示之其他一步驟之模式性剖視圖。 圖13(a)、(b)係改質區域及損傷之圖像之一例。 圖14係顯示賦予雷射光之像差與損傷之關係之圖像之表。 圖15(a)～(c)係顯示對雷射光賦予散光像差之情形之損傷之圖。 圖16係顯示散光像差圖案之強度與損傷之關係之圖。 圖17係顯示散光像差圖案之強度與損傷之關係之圖。 圖18係顯示第2實施形態之雷射調整方法之一步驟之流程圖。 圖19係顯示第2實施形態之雷射調整方法之其他一步驟之流程圖。 圖20(a)～(c)係顯示第2實施形態之雷射調整方法之各步驟之損傷之圖像。 圖21係顯示第3實施形態之雷射調整方法之一步驟之流程圖。 圖22係第3實施形態之雷射調整方法之第1準備步驟取得之第1損傷圖像。 圖23係顯示第3實施形態之雷射調整方法之其他一步驟之流程圖。 圖24係第3實施形態之雷射調整方法之攝像步驟取得之第2損傷圖像。 圖25係用於說明三叉像差之圖。 圖26(a)、(b)係顯示第4實施形態之雷射調整方法之一步驟之流程圖。 圖27係包含損傷之影像之損傷圖像之一例。 圖28係顯示第4實施形態之雷射調整方法之其他一步驟之流程圖。 圖29係包含損傷之影像之損傷圖像之一例。 圖30係用於說明利用三叉像差之效果之圖。
S11~S20:步驟

Claims (12)

  1. 一種雷射調整方法，其具備： 第1準備步驟，其取得包含第1損傷之影像的圖像，作為第1損傷圖像，該第1損傷係因向包含第1晶圓與設置於上述第1晶圓之第1膜的第1膜晶圓照射第1雷射光而形成於該第1膜者； 第2準備步驟，其準備包含第2晶圓與設置於上述第2晶圓之第2膜的第2膜晶圓； 加工步驟，其藉由於上述第1準備步驟及上述第2準備步驟之後，對上述第2膜晶圓照射第2雷射光，而於該第2膜形成第2損傷； 攝像步驟，其於上述加工步驟之後，拍攝上述第2膜，藉此取得包含上述第2損傷之影像的圖像，作為第2損傷圖像；及 調整步驟，其於上述攝像步驟之後，以上述第2損傷圖像所包含之上述第2損傷之影像接近上述第1損傷圖像所包含之上述第1損傷之影像之方式，調整對上述第2雷射光賦予之像差。
  2. 如請求項1之雷射調整方法，其具備： 顯示步驟，其於上述攝像步驟之後，顯示上述第1損傷圖像及上述第2損傷圖像；且 上述調整步驟中，於上述顯示步驟之後，基於上述第2損傷圖像所包含之上述第2損傷之影像與上述第1損傷圖像所包含之上述第1損傷之影像的比較結果，以上述第2損傷之影像接近上述第1損傷之影像之方式，調整對上述第2雷射光賦予之像差。
  3. 如請求項1或2之雷射調整方法，其中 於上述調整步驟中，調整對上述第2雷射光賦予之彗形像差。
  4. 如請求項3之雷射調整方法，其中 於上述第1準備步驟中，進而取得包含第1加工痕之影像的圖像，作為第1加工圖像，該第1加工痕係藉由自與上述第1晶圓之上述第1膜成相反側之面側對上述第1晶圓照射上述第1雷射光而形成於上述第1晶圓者； 上述第1損傷圖像包含因形成上述第1加工圖像所包含之上述第1加工痕時之上述第1雷射光之洩漏光而形成之上述第1損傷之影像； 於上述加工步驟中，藉由自與上述第2晶圓之上述第2膜成相反側之面側對上述第2晶圓照射上述第2雷射光而於上述第2晶圓形成第2加工痕，且藉由上述第2雷射光之洩漏光於上述第2膜形成上述第2損傷； 於上述攝像步驟中，藉由拍攝上述第2晶圓，取得包含上述第2加工痕之影像的圖像，作為第2加工圖像；且 於上述調整步驟中，以上述第2加工圖像所包含之上述第2加工痕之影像之位置與上述第2損傷圖像所包含之上述第2損傷之影像之中心位置之偏差量及方向之各者，接近上述第1加工圖像所包含之上述第1加工痕之影像之位置與上述第1損傷圖像所包含之上述第1損傷之影像之中心位置之偏差之量及方向之各者之方式，調整對上述第2雷射光賦予之彗形像差。
  5. 如請求項1至4中任一項之雷射調整方法，其中 於上述調整步驟中，調整對上述第2雷射光賦予之散光像差。
  6. 如請求項5之雷射調整方法，其中 於第1準備步驟中，進而取得上述第1損傷圖像所包含之上述第1損傷之影像相對於基準方向之角度即第1角度、及上述第1損傷之影像之橢圓率即第1橢圓率；且 於上述調整步驟中，以上述第2損傷圖像所包含之上述第2損傷之影像相對於上述基準方向之角度即第2角度、及上述第2損傷之影像之橢圓率即第2橢圓率之各者接近上述第1角度及上述第1橢圓率之各者之方式，調整對上述第2雷射光賦予之散光像差。
  7. 如請求項1至6中任一項之雷射調整方法，其中 於上述調整步驟中，調整對上述第2雷射光賦予之球面像差。
  8. 如請求項7之雷射調整方法，其中 於上述加工步驟中，藉由使對上述第2雷射光賦予之球面像差不同且對上述第2膜進行複數次上述第2雷射光之照射，而於該第2膜形成複數個上述第2損傷； 於上述攝像步驟中，藉由拍攝上述第2膜，取得包含複數個上述第2損傷之影像之上述第2損傷圖像；且 於上述調整步驟中，以對上述第2雷射光賦予當形成上述第2損傷圖像所包含之複數個上述第2損傷之影像中、相對接近上述第1損傷圖像所包含之上述第1損傷之影像的上述第2損傷時之球面像差之方式，調整對上述第2雷射光賦予之像差。
  9. 如請求項1至8中任一項之雷射調整方法，其中 於上述調整步驟中，調整對上述第2雷射光賦予之三叉像差。
  10. 如請求項9之雷射調整方法，其中 於上述加工步驟中，藉由使對上述第2雷射光賦予之三叉像差不同且對上述第2膜進行複數次上述第2雷射光之照射，而於該第2膜形成複數個上述第2損傷； 於上述攝像步驟中，藉由拍攝上述第2膜，取得包含複數個上述第2損傷之影像的上述第2損傷圖像；且 於上述調整步驟中，以對上述第2雷射光賦予當形成上述第2損傷圖像所包含之複數個上述第2損傷之影像中、相對接近上述第1損傷圖像所包含之上述第1損傷之影像的上述第2損傷時之三叉像差之方式，調整對上述第2雷射光賦予之像差。
  11. 如請求項1至10中任一項之雷射調整方法，其中 上述第2雷射光藉由顯示於空間光調變器之調變圖案而受調變； 於上述調整步驟中，藉由調整上述調變圖案而調整對上述第2雷射光賦予之像差。
  12. 一種雷射加工裝置，其具備： 支持部，其用於支持對象物； 雷射照射部，其用於對上述支持部所支持之上述對象物照射雷射光； 攝像部，其用於拍攝上述對象物； 保持部，其用於保持圖像；及 控制部，其用於至少控制上述雷射照射部及上述攝像部；且 上述雷射照射部包含用於根據調變圖案變調並出射上述雷射光之空間光調變器； 上述保持部保持包含因向包含第1晶圓與設置於上述第1晶圓之第1膜的第1膜晶圓照射第1雷射光而形成於該第1膜之第1損傷之影像的圖像，作為第1損傷圖像； 上述控制部執行如下處理： 加工處理，其於包含第2晶圓與設置於上述第2晶圓之第2膜的第2膜晶圓作為上述對象物而受上述支持部支持之狀態下，藉由上述雷射照射部之控制對上述第2膜晶圓照射第2雷射光； 攝像處理，其於上述加工處理之後，藉由上述攝像部之控制拍攝上述第2膜，藉此取得包含因上述第2雷射光之照射而形成於上述第2膜之第2損傷之影像的圖像，作為第2損傷圖像；及 調整處理，其以上述第2損傷圖像所包含之上述第2損傷之影像接近上述第1損傷圖像所包含之上述第1損傷之影像之方式調整上述調變圖案，藉此調整對上述第2雷射光賦予之像差。
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