TW202321824A - 用於分配光傳遞之系統及方法 - Google Patents

用於分配光傳遞之系統及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202321824A
TW202321824A TW111127462A TW111127462A TW202321824A TW 202321824 A TW202321824 A TW 202321824A TW 111127462 A TW111127462 A TW 111127462A TW 111127462 A TW111127462 A TW 111127462A TW 202321824 A TW202321824 A TW 202321824A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
sequence
intensity
substrate
dmd
Prior art date
Application number
TW111127462A
Other languages
English (en)
Inventor
賈斯伯 溫特斯
茲維 愛爾恩 約翰 范
德 蘭斯 馬克思 強納斯 范
賈格 皮耶特 威廉 荷曼 德
吉爾騰 法蘭絲 伊斯布蘭德 卡默
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW202321824A publication Critical patent/TW202321824A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一種用於改良一微影程序中的光傳遞之定序的方法包括：判定待傳遞之光之一強度序列，其包括在該強度序列內實質上無光傳遞至基板之一間隔；以及藉由一光源利用一數位鏡面裝置(DMD)根據該強度序列將光傳遞至一基板。

Description

用於分配光傳遞之系統及方法
本文中之描述大體上係關於圖案化程序。更特定言之，本發明包括用於改良微影程序中之光傳遞的設備、方法及電腦程式產品。
微影投影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。可藉由諸如經由圖案化裝置上之圖案輻照目標部分之方法來將對應於IC的個別層之圖案(「設計佈局」)轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)上，該目標部分已塗佈有一層輻射敏感材料(「抗蝕劑」)。一般而言，單一基板含有複數個鄰近目標部分，圖案係由微影投影設備順次地轉印至該複數個鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影設備中，整個圖案化裝置上之圖案在一次操作中經轉印至一個目標部分上；此類設備亦可被稱作步進器。在替代設備中，步進掃描設備可使得投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上掃描圖案化裝置同時平行或反平行於此參考方向同步地移動基板。將圖案化裝置上之圖案之不同部分漸進地轉印至一個目標部分。因為一般而言，微影投影設備將具有縮減比率M (例如，4)，所以基板之移動速度F將為1/M時間，此時投影光束掃描圖案化裝置。關於微影裝置的更多資訊可見於例如以引用之方式併入本文中之US 6,046,792。
在將圖案自圖案化裝置轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他過程(「後曝光過程」)，諸如後曝光烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤及對經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列係用作製造一裝置(例如，IC)之個別層的基礎。基板可接著經歷各種程序，諸如，蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等等，該等程序皆意欲精整裝置之個別層。若在裝置中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一裝置。接著藉由諸如切割或鋸切之技術來使此等裝置彼此分離，由此，可將個別裝置安裝於載體上、連接至接腳，等等。
因此，製造裝置(諸如半導體裝置)通常涉及使用數個製造程序來處理基板(例如，半導體晶圓)以形成該等裝置之各種特徵及多個層。通常使用(例如)沈積、微影、蝕刻、沈積、化學機械研磨及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上製作多個裝置，且接著將該等裝置分離成個別裝置。此裝置製造程序可被認為係圖案化程序。圖案化程序涉及使用微影設備中之圖案化裝置進行圖案化步驟(諸如光學及/或奈米壓印微影)以將圖案化裝置上之圖案轉印至基板，且圖案化程序通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影設備進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻設備而使用圖案進行蝕刻等等。
如所提及，微影為在諸如IC之裝置之製造時的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定裝置之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等。類似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他裝置以及2D及/或3D積層製造。
隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地減小，而每裝置的諸如電晶體之功能元件之量已在穩定地增加，此遵循稱為「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前技術狀態下，使用微影投影設備製造裝置之層，該等微影投影設備使用來自深紫外照明源之照明將對應於設計佈局之圖案投影至基板上，從而產生尺寸遠低於100 nm，即小於來自照明源(例如，193 nm照明源)之輻射的波長之一半，的個別功能元件。
供印刷尺寸小於微影投影設備之經典解析度極限之特徵的此程序根據解析度公式CD = k1×λ/NA可稱為低k1微影，其中λ為所使用輻射之波長(例如，248 nm或193 nm)，NA為微影投影設備中之投影光學器件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k1為經驗解析度因數。大體而言，k1愈小，則在基板上再生類似於由設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用至微影投影設備、設計佈局或圖案化裝置。此等步驟包括例如但不限於NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移圖案化裝置之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。如本文所使用之術語「投影光學器件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括(例如)折射光學器件、反射光學器件、孔隙及反射折射光學器件。術語「投影光學器件」亦可包括根據此等設計類型中之任一者而操作的組件，以用於集合地或單一地導向、塑形或控制投影輻射束。術語「投影光學器件」可包括微影投影設備中之任何光學組件，而不管光學組件定位於微影投影設備之光學路徑上之何處。投影光學器件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化裝置之前塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化裝置之後塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學器件通常排除光源及圖案化裝置。
揭示用於改良微影程序期間之光傳遞的方法、系統及電腦程式。在一個態樣中，一種用於改良一微影程序中的光傳遞之定序的方法包括：判定待傳遞之光之一強度序列，其包括在該強度序列內實質上無光傳遞至基板之一間隔；以及藉由一光源利用一數位鏡面裝置(DMD)根據該強度序列將光傳遞至一基板。
在一些變化形式中，該方法可進一步包括判定傳遞至該基板處之一位點之光的一目標強度。該所判定強度序列可由該數位鏡面裝置(DMD)傳遞至該基板以達到該目標強度，其中在該間隔期間實質上無光傳遞至該基板。此可包括將用於光之該強度序列之一指令集儲存於一實體記憶體中。由此，在一些變化形式中，該間隔之存在可降低儲存於實體記憶體中的強度序列中之即將來臨指令集對DMD之組態的影響。
在其他變化形式中，該強度序列由儲存於實體記憶體中之位元表示，且該間隔在該序列中位於一最高有效位元之後。可判定該強度序列之一不對稱分佈，其減小該位點之一傳遞重心與該位點之目標重心之間的一差異。
在一相關態樣中，一種用於改良一微影程序中的光傳遞之定序的方法包括：判定傳遞至一基板處的一位點之光之一目標強度；藉由一數位鏡面裝置(DMD)判定待傳遞至該基板以達到該目標強度之光之一強度序列，該強度序列包括在該強度序列內實質上無光傳遞至該基板之一間隔；將用於光之該強度序列之一指令集儲存於一實體記憶體中；以及藉由一光源利用該DMD根據該強度序列將光傳遞至該基板，其中該間隔之存在降低儲存於該實體記憶體中的該強度序列中之即將來臨指令集對DMD之組態的影響。
在一些變化形式中，該強度序列可由儲存於實體記憶體中之位元表示，且該間隔在該序列中位於一最高有效位元之後。可判定該強度序列之一對稱分佈，其減小該位點之一傳遞重心與該位點之一目標重心之間的一差異。
在其他變化形式中，一種方法亦可包括藉由將一不對稱性包括至該強度序列中而將該對稱分佈修改成一不對稱分佈，該不對稱性進一步減小該傳遞重心與該目標重心之間的該差異。傳遞重心可藉由改變強度之序列或間隔之位置來調整。
在其他變化形式中，強度序列可為8位元強度分佈、對稱的，及/或可包括在兩個光傳遞間隔之間跳過光之傳遞。
又，一些變化形式可包括針對DMD中之鏡面中之每一者單獨地判定強度序列。
在相關態樣中，一種電腦程式產品包含上面記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如以上方法態樣中任一項之方法。
在另一相關態樣中，一種用於將光傳遞至一基板之系統包括：一光源；一數位鏡面裝置；一實體記憶體，其經組態以儲存用於利用該數位鏡面裝置自該光源傳遞光之指令；以及上面記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時引起操作，該等操作包含：判定傳遞至一基板處的一位點之光之一目標強度；藉由一數位鏡面裝置(DMD)判定待傳遞至該基板以達到該目標強度之光之一強度序列，該強度序列包括在該強度序列內實質上無光傳遞至該基板之一間隔；將用於光之該強度序列之一指令集儲存於一實體記憶體中；以及藉由一光源利用該DMD根據該強度序列將光傳遞至該基板，其中該間隔之存在降低儲存於該實體記憶體中的該強度序列中之即將來臨指令集對DMD之組態的影響。
在一些變化形式中，該實體記憶體可接近DMD定位，使得用於將該序列儲存在實體記憶體中之電荷引起DMD中之鏡面的角度之偏差。舉例而言，實體記憶體可位於距數位鏡面裝置小於1 mm處。又，該系統可包括一控制系統，該控制系統經組態以致動該數位鏡面裝置中之鏡面以將光之該強度序列傳遞至該基板。該系統亦可包括一微透鏡陣列(MLA)，其經組態以將光自該DMD引導至該基板。該系統亦可經組態以製造電腦晶片或平板顯示器。
如本文中所使用，術語「基板」描述可導向光作為製造程序之一部分的材料。舉例而言，基板可包括光阻、晶圓、平板顯示器、具有(例如，金屬或其他功能材料)之感光性材料及粒子之研磨漿等。
如本文中所用，術語「圖案化程序」或「印刷」意謂作為微影程序之部分的藉由施加光之所指定圖案產生經蝕刻基板的程序。圖案化程序亦可包括涉及在平面螢幕裝置或積體電路之製造中(例如其顯影中)傳遞光的任何程序。
本文中描述微影系統及設備、微影方法、可程式化圖案化裝置以及其他設備、製品及方法之一或多個實施例。在一實施例中，提供低成本及/或靈活性無遮罩微影設備。由於其無遮罩，因此無需習知遮罩來曝光例如用於電腦晶片(IC)或平板顯示器的製造中的圖案。類似地，封裝應用不需要一或多個環；可程式化圖案化裝置可針對封裝應用提供數位邊緣處理「環」以避免邊緣投影。無遮罩(數位圖案化)亦可在可撓性基板上實現圖案化。如本文中所描述，所揭示系統及方法之各種實施例允許增加用於微影製造中之透鏡陣列之對準/定位的容限。
圖1為繪示根據一實施例之例示性微影系統的簡圖。如圖1中所展示，微影設備100可包括圖案化裝置110及投影系統150。圖案化裝置110可包括光源112 (諸如，如本文中所論述之雷射二極體)及鏡面陣列140。鏡面陣列140可自光源112接收光(在本文中亦稱為輻射光束或光束114)且使得光束114在X及/或Y方向上側向地位移。在一實施例中，圖案化裝置110可包括透鏡130以使來自光源112之輻射光束114成像至鏡面陣列140。
來自鏡面陣列140之偏轉光束114可由投影系統150接收。投影系統150可包括物鏡152、透鏡陣列154及用於執行聚焦、放大、像差校正等等之任何數目個其他透鏡或透鏡陣列。物鏡152可經配置以自圖案化裝置110接收光束114。在圖1的實例中，光束114自物鏡152發散且由透鏡陣列154接收，該透鏡陣列可包括任何數目之個別透鏡。透鏡陣列154可接著將光束114聚焦至基板160上。如本文中進一步描述，基板160可相對於微影設備100移動，如藉由箭頭所繪示。
藉由控制成像至基板160之特定部位上的光之振幅，可執行無遮罩微影以及對微影程序提供益處之併入變灰(greyscaling) (在下文中進一步詳細描述)中的方法。因此，在一實施例中，一種執行微影之方法可包括運用光束114照明鏡面陣列140。鏡面陣列140可包括接收光之多個鏡面。光可成像至基板160上以產生圖案。
在一實施例中，可存在用於鏡面陣列140之單一光源112。在其他實施例中，光源112可包含經組合以提供照明之多個光源(例如，2個、3個、6個、10個等)。在一實施例中，光源112可以對應於鏡面陣列140之調節頻率之雙態觸發頻率來開啟及關閉。舉例而言，若鏡面陣列140能夠一秒改變其組態30次(例如，1/60秒靜止且1/60秒調整)，則光源112可經操作以接通及斷開，使得在其1/60秒調整週期期間不照明鏡面陣列140。在另一實施例中，一或多個雷射二極體可充當光源112，且可經控制以例如呈雙態觸發頻率或圖案或連續地發射光。
在另一實施例中，微影系統可包括經組態以產生具有多個光振幅之光的多個光源(在圖1中集合地繪示為光源112)。光可隨後在鏡面陣列處形成圖案，該鏡面陣列經組態以將具有圖案之光引導至基板。
視情況，微影設備可包含用以將輻射(例如，紫外線(UV)輻射)供應至複數個光源112之輻射系統(未展示)。若圖案化裝置為輻射源自身(例如，雷射二極體陣列或LED陣列)，則微影設備可經設計為不具有輻射系統(亦即，不具有除圖案化裝置自身之外之的輻射源)，或至少為經簡化輻射系統。
輻射系統可包括經組態以自輻射源接收輻射之照明系統(照明器)。照明系統可包括以下元件中之一或多者：輻射傳遞系統(例如，適合引導鏡面)、輻射調節裝置(例如，光束擴展器)、用以設定輻射之角振幅分佈(大體而言，至少可調整照明器之光瞳平面中的振幅分佈之外部及/或內部徑向範圍(其可分別稱為σ外部及σ內部))之調整裝置、積光器及/或聚光器。照明系統可用於調節提供至光源112之輻射以在其橫截面中具有所要均一性及振幅分佈。照明系統可經配置以將輻射劃分成子光束，該等子光束可例如各自與複數個光源112中之一或多者相關聯。舉例而言，二維繞射光柵可用於將輻射分成子光束。在本發明描述中，術語「輻射光束(beam of radiation/radiation beam)」及「光束」涵蓋但不限於光束114包含輻射之複數個此等子光束之情形。
在其他實施例中，輻射系統亦可包括用以產生輻射以用於供應至光源112或藉由該光源供應之輻射源(例如，準分子雷射)。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源及微影設備100可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影設備100之部分，且將輻射自源傳遞至照明器。在其他情況下，例如當源為水銀燈時，輻射源可為微影設備100之整體部分。此等情形中之兩者皆涵蓋於本發明之範疇內。
在一實施例中，輻射源(在一實施例中，其可為光源112)可提供具有以下波長之輻射：至少5 nm，例如至少10 nm、至少50 nm、至少100 nm、至少150 nm、至少175 nm、至少200 nm、至少250 nm、至少275 nm、至少300 nm、至少325 nm、至少350 nm或至少360 nm。在一實施例中，輻射具有至多450 nm(例如，至多425 nm、至多375 nm、至多360 nm、至多325 nm、至多275 nm、至多250 nm、至多225 nm、至多200 nm或至多175 nm)之波長。在一實施例中，輻射可具有包括436 nm、405 nm、365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157 nm、126 nm及/或13.5 nm的波長。在一實施例中，輻射可包括約365 nm或約355 nm之波長。在一實施例中，輻射可包括波長之寬帶，例如涵蓋365 nm、405 nm及436 nm。亦可使用355 nm雷射源。在一實施例中，輻射可具有約405 nm的波長。
在一實施例中，輻射可呈以下角度自照明系統引導於圖案化裝置110處：在0與90°之間，例如在5與85°之間、在15與75°之間、在25與65°之間或在35與55°之間。可將來自照明系統之輻射直接提供給圖案化裝置110 (亦即，而不依賴於鏡面陣列140)。在替代實施例中，可藉助於光束分光器將輻射自照明系統引導至圖案化裝置110，該光束分光器經組態以使得輻射最初由光束分光器反射且引導至圖案化裝置110。圖案化裝置110可調變光束114且將其反射回光束分光器，該光束分光器將經調變光束朝向基板160傳輸。然而，替代配置可用於將輻射引導至圖案化裝置110且隨後引導至基板160。詳言之，若使用透射圖案化裝置110 (例如，LCD陣列)或圖案化裝置110為自發光的(例如，雷射二極體)，則可能不需要照明系統配置。
儘管根據本發明之實施例的微影設備100在本文中描述為用於曝光基板，但微影設備100亦可用於將抗蝕劑曝光在基板上或用於投影經圖案化光束114供用於無抗蝕劑微影。
為了處理需要曝光之基板上之像素(或更一般而言，位置)，可提供將光束114引導至所要位置之鏡面陣列140。在一實施例中，光束114可由鏡面陣列140引導至需要曝光之基板160上之位點。在一實施例中，鏡面陣列140可經組態以使光束114在X及Y方向兩者上偏轉以將位點定位於基板上之像素上。在不需要光束114之一部分時，可使該部分朝向光束截止器偏轉。
如上文所論述，鏡面陣列140可促進光束114在X及/或Y方向上自光源112偏轉。換言之，此類型之鏡面陣列140可將光束114指向朝向透鏡陣列154上之特定位置且因此指向基板160。在一實施例中，鏡面陣列140可使輻射僅在Y方向或僅在X方向上偏轉。在一實施例中，鏡面陣列140可使輻射在X及Y方向兩者上偏轉。
在一實施例中，鏡面陣列140可為機械(亦即，電流計型)、電光及/或聲光鏡面陣列。機械鏡面陣列往往會提供最大數目之可解析輻射位點(亦即，可解析位點意指光束經偏轉等於其自身角分散之角度)，但就位點掃描速率而言往往會最慢。電光鏡面陣列就位點掃描速率而言往往會最快，但往往會具有最小數目之可解析輻射位點。
在一實施例中，鏡面陣列140可為電光鏡面陣列。電光鏡面陣列可提供至多若干奈秒之切換速度。在一實施例中，電光鏡面陣列可提供+/−15度之偏轉角度。在一實施例中，此可針對0.05度之輸入光束發散度產生約600個輻射位點。在一實施例中，電光鏡面陣列之使用可避免具有用於輻射偏轉之快速移動機械部分。在一實施例中，輻射源112與基板160之間可不存在移動光學元件。
電光鏡面陣列可包括光學透明壓電材料。因此，在一實施例中，由於施加在壓電材料上之電位差，可使光束114轉向。舉例而言，在遍及此光學透明材料施加電位差時，材料之折射率改變，此改變光束傳播的方向(亦即，可使輻射光束偏轉)。在一實施例中，材料選自以下：LiNbO 3、LiTaO 3、KH 2PO 4(KDP)或NH 4H 2PO 4(ADP)。LiTaO 3在405 nm波長下為透明的。
投影系統150 (例如，石英及/或CaF 2透鏡系統或包含由此等材料製得之透鏡元件之反射折射混合系統，或鏡面系統)可用於將光束114投影至基板160上。投影系統150可投影由光源112及鏡面陣列140提供之第一灰階圖案，以使得第一灰階圖案相干地形成於基板160上。
就此而言，投影系統可包括一聚焦元件或多個聚焦元件(本文中一般稱為鏡面陣列或透鏡陣列154)，例如，微透鏡陣列154 (MLA)或菲涅爾透鏡陣列(Fresnel lens array) 154，以形成次級源且以使位點成像至基板160上。
在一實施例中，可使光成像至包括將光聚焦至基板160上之透鏡的透鏡陣列154上。在另一實施例中，可在一位置處多次照明基板160以傳遞總光振幅。
在一實施例中，透鏡陣列154 (例如，MLA)可包括至少10個聚焦元件，例如至少100個聚焦元件、至少1,000個聚焦元件、至少10,000個聚焦元件、至少100,000個聚焦元件或至少1,000,000個聚焦元件。在一些實施例中，透鏡陣列154中之透鏡之數目可等於鏡面陣列140中的鏡面之數目。
在一實施例中，透鏡陣列154可至少在去往基板及遠離基板之方向上例如在使用一或多個致動器之情況下移動。能夠將透鏡陣列154移動至基板及遠離基板允許例如用於聚焦調整而不必移動基板160。在一實施例中，透鏡陣列154中之個別透鏡元件(例如透鏡陣列154中之各個別透鏡元件)可至少在去往基板及遠離基板的方向上移動(例如，用於對非平坦基板進行局域聚焦調整或以使各光學柱處於相同焦距。
透鏡陣列154中之透鏡中之任一者可將光聚焦至基板上的位點上。如本文中所使用，「位點」意謂來自一或多個透鏡之光到達基板160之基板上的區域。位點可為但並非必需為任何特定透鏡之焦點。在一些實施例中，位點可對應於高斯光束之腰部。由於基板及光束之距離、角度等、任何透鏡之形狀、具有塑形孔徑之光束區塊等，位點可為圓形、橢圓或任何其他形狀。
在一實施例中，位點大小可為10微米或更小、5微米或更小，例如3微米或更小、2微米或更小、1微米或更小、0.5微米或更小、0.3微米或更小或約0.1微米。在一實施例中，基板上之位點大小為0.1微米或更大、0.2微米或更大、0.3微米或更大、0.5微米或更大、0.7微米或更大、1微米或更大、1.5微米或更大、2微米或更大或5微米或更大。在一實施例中，位點大小為約0.1微米。在一實施例中，位點大小為約0.5微米。在一實施例中，位點大小為約1微米。此等大小可應用於位點之直徑、長軸或半長軸或其他相關尺寸。
在一些實施例中，微影設備可包括在曝光程序期間在每一階段產生信號以將圖案化裝置設定成必要狀態的控制器。可將待形成於基板上之圖案以例如GDSII之向量定義之格式提供至微影設備。為了將設計資訊轉換為控制信號，控制器可包括可經組態以對表示圖案之資料流執行處理步驟的一或多個資料操控裝置。資料操控裝置可統稱為「資料路徑」。
資料路徑之資料操控裝置可經組態以進行以下功能中之一或多者：將以向量為基礎之設計資訊轉換為位元映像圖案資料；且將位元映像圖案資料轉換為所需輻射劑量映像(亦即遍及基板之所需輻射劑量輪廓)；將所需輻射劑量映像轉換為用於每一光源的所需輻射振幅值；以及將用於每一光源之所需輻射振幅值轉換為相應控制信號。
在一實施例中，可藉由有線或無線通信將控制信號供應至光源112及/或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)。另外，可將來自光源112及/或來自一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)之信號傳達至控制器。以與控制信號類似之方式，可藉由有線或無線手段將電力供應至光源112或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)。舉例而言，在有線實施例中，可藉由一或多個線供應電力，而不管其與攜載信號之線相同或不同。可提供滑動接觸配置以傳輸電力。在無線實施例中，可藉由RF耦合傳遞電力。
雖然先前論述集中於供應至光源112及/或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)之控制信號，但應理解，其涵蓋另外或替代地經由適當組態將來自光源112及/或來自一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)之信號傳輸至控制器。因此，通信可為單向(例如，僅至或自光源112及/或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)或通信)或雙向(亦即，自及至光源112及/或一或多個其他裝置(例如，鏡面陣列及/或感測器)通信)。
在一實施例中，用以提供圖案之控制信號可經更改以考慮可影響基板上之圖案的恰當供應及/或顯現之因數。舉例而言，校正可應用於控制信號以考慮光源112、透鏡等中之一或多者的加熱。此加熱可造成光源112、透鏡等之指向方向改變、輻射之均一性改變等。在一實施例中，與光源112及/或來自例如感測器之其他元件相關聯之所量測溫度及/或膨脹/收縮可用於更改控制信號，該等控制信號將已經以其他方式提供以形成圖案。因此，舉例而言，在曝光期間，光源112之溫度可變化，變化造成將在單一恆定溫度下提供之經投影圖案的改變。因此，控制信號可經更改以考慮此變化。類似地，在一實施例中，來自對準感測器及/或位階感測器150之結果可用於更改由光源112提供之圖案。圖案可經更改以校正例如可起因於例如光源112與基板160之間的光學器件(若存在)、基板160之定位之不規則性、基板160的不均勻性等之失真。
藉助於定位裝置(及視情況基座上之位置感測器(例如，接收干涉光束之干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器))，可準確地移動基板160，例如以便將不同目標部分定位於光束114之路徑中。在其他實施例中，光源112之定位裝置可用於例如在掃描期間相對於光束114之路徑準確地校正光源112之位置。舉例而言，一些實施例可包括控制基板相對於本文中所描述之光學柱之MLA或其他組件(例如，具有圖1中之組件之任何組合)之掃描的控制系統。控制系統可因此以任何組合提供基板之二維水平平移、垂直平移或基板之旋轉。
圖2為繪示例示性微影系統及用於將圖案印刷至經掃描基板之方法的簡圖。在一實施例中，微影設備100可將光源112之輻射以不形成投影至基板上之個別像素而實際上形成投影至基板上之實質上連續影像的方式投影至基板上。微影設備100 (特定言之，光源112)可經配置以提供如本文中更詳細地描述之像素柵格成像。如圖2之上部圖式中所描繪，位點210將似乎具有基於微透鏡陣列中之小透鏡之間距的重疊。然而，藉由以某些角度掃描基板，可產生具有位點大小之足夠重疊的經印刷圖案以避免印刷中之間隙。
圖2之下部圖式中的實心圓圈表示由投影系統150中之透鏡陣列154投影至基板160上的位點S (或側視圖中之310)之陣列。在基板上曝光一系列曝光時使基板160相對於投影系統150在X方向上移動。空心圓表示可能先前已曝光於基板160上之位點曝光SE (或側視圖中之210)。如所展示，藉由投影系統150內之透鏡陣列154投影至基板160上的各位點在基板160上曝光位點曝光之列R。用於基板160之完整圖案由藉由位點S中之各者所曝光的位點曝光SE之所有列R之總和產生。此配置可稱為「像素柵格成像」。應瞭解，圖2為示意圖且位點S實際上可重疊，例如如本文中進一步所論述。
可見，輻射位點S之陣列可相對於基板掃描方向以角度α配置(基板160之邊緣處於平行於X及Y方向)。進行此動作，使得在基板160在掃描方向(X方向)上移動時，各輻射位點將越過基板之不同區域，由此允許整個基板由輻射位點S之陣列覆蓋。在各種實施例中，角度α可大致為80°、75°、60°、45°、30°、20°、10°、5°、3°、1°、0.5°、0.25°、0.10°、0.05°或0.01°。在一實施例中，角度α為至少0.0001°，例如至少0.001°。根據在垂直於掃描方向之方向上的影像位點大小及陣列間距來判定傾斜角α及陣列在掃描方向上之寬度以確保處理基板160之整個表面區域。在本文中進一步論述之許多實施例中，歸因於所呈現之例示性鏡面陣列，角度(亦被稱作掃描角)可大致為45°。
如本文所使用，關於掃描角之術語「大致」意謂角度可能不完全為特定角度，但實務上可歸因於系統之幾何細節而稍微不同。因此，此類數字主要出於繪示性目的而給出，且應理解，熟習此項技術者將認識到精確值將發生變化。
在光微影中，所要特徵可藉由將基板上之一層抗蝕劑選擇性地曝光於輻射而在基板上產生。接收某一最小輻射劑量(「劑量臨限值」)之抗蝕劑之區域經歷化學反應，而其他區域保持不變。抗蝕劑層中之由此所產生之化學差異允許使抗蝕劑顯影，亦即，選擇性地移除已接收至少最小劑量的區域或移除未接收最小劑量之區域。因此，基板之部分仍受到抗蝕劑保護，而曝光供移除抗蝕劑所來自的基板之區域，從而允許(例如)額外處理步驟，例如基板之選擇性蝕刻、選擇性金屬沈積等，藉此產生所要特徵。圖案化輻射可藉由控制圖案化裝置110使得在所要特徵內透射至基板上之抗蝕劑層之區域的輻射處於足夠高振幅，使得該區域在曝光期間接收高於劑量臨限值之輻射劑量，而基板上之其他區域藉由提供零或顯著較低輻射振幅而接收低於劑量臨限值之輻射劑量來執行。
實務上，即使經設定為在特徵邊界之一個側上提供最大輻射振幅且在另一側上提供最小輻射振幅，所要特徵之邊緣處之輻射劑量亦不自給定最大劑量突然改變成零劑量。取而代之，由於繞射效應，輻射劑量之位準可橫越過渡區帶而逐漸減少。隨後藉由所接收劑量下降低於輻射劑量臨限值所處之位置來判定在使抗蝕劑顯影之後最終形成的所要特徵之邊界之位置。橫越過渡區帶之輻射劑量之逐漸降低的輪廓及因此特徵邊界之精確位置可藉由將不僅達最大或最小振幅位準且亦達最大振幅位準與最小振幅位準之間的振幅位準之輻射提供至基板上之處於特徵邊界上或附近的點來更精確地控制。此可稱為「灰階化」或「灰階層次化」。
灰階化可對特徵邊界之位置提供比微影系統中可能的控制更大之控制，在該微影系統中提供至基板之輻射振幅僅可設定成兩個值(亦即，恰好最大值及最小值)。在一實施例中，可投影至少三個不同輻射振幅值，例如至少4個輻射振幅值、至少8個輻射振幅值、至少16個輻射振幅值、至少32個輻射振幅值、至少64個輻射振幅值、至少100個輻射振幅值、至少128個輻射振幅值或至少256個輻射振幅值。若圖案化裝置為輻射源自身(例如發光二極管或雷射二極體之陣列)，則可例如控制所透射之輻射的振幅位準來實現灰階化。若圖案化裝置包括鏡面陣列140，則可藉由控制鏡面陣列140之傾斜角度來實現灰階化。此外，可藉由對複數個可程式化元件及/或鏡面陣列進行分組且控制該組內之在給定時間時接通或關斷的元件及/或鏡面陣列之數目來執行灰階化。
在一個實例中，圖案化裝置(包含提供基板之一或多個曝光之序列的一或多個微影裝置)可具有一系列狀態，包括：(a)黑色狀態，其中所提供之輻射為最小值或甚至對於其相應像素之振幅分佈為零比重；(b)最白狀態，其中所提供的輻射占最大比重；以及(c)兩者之間的複數個狀態，其中所提供之輻射占中等比重。全部複數個狀態可描述為灰色狀態之序列，在黑色與白色之間，可選擇以實現灰階印刷。
圖3為繪示根據一些實施例之以給定重心將光傳遞至基板之例示性序列的簡圖。當印刷至基板時，通常需要將給定總強度或目標強度之光傳遞至特定點或位點。當執行像素柵格成像時，所需強度可自具有例如如先前參考「灰階化」所描述之逐位元等級之強度的眾多位點累積。因此，傳遞具有特定強度之光需要「強度位元」之某一組合。舉例而言，強度5(在某一逐位元等級上，對於可由光學系統傳遞之光強度)需要傳遞兩個強度1位元(2×2 1)及一個強度1位元(1x2 0)。取決於如何傳遞此等光脈衝，所得強度圖案可能偏心。此等偏心位點可能因此會在微影製造程序中引起缺陷或其他問題。應理解，用於圖案化之強度階可視需要變化以在稍後傳遞中提供所要解析度。舉例而言，在一些實施例中，可根據4、5、6、7、8等位元強度分佈來傳遞強度序列，以提供16、32、64、128、256等不同強度值。先前參考圖2描述用以提供256個輻射振幅值之8位元強度圖案。
圖3的頂部部分描繪在不同時間(標繪圖之橫座標)處傳遞且因此傳遞至基板處之稍微不同位置的強度(標繪圖之縱座標)之分佈。該分佈中之不同時間/位置在本文中被稱作「序列」，其中序列310為具有六個光傳遞「間隔」312之實例，其各自具有特定位元強度。該分佈雖然在一些實施例中藉由系統控制為儘可能對稱，但在傳遞所需總強度的同時仍然具有可能導致位點偏心地移轉之不對稱性。此藉由比較幾何中心314可見(例如，在圖3中，其中任一側上存在三個間隔)，其中「重心」316為所得強度加權分佈之中心。如本文中所使用，術語「重心」(或COG)應理解為意謂傳遞至基板之光之強度的加權中心。
圖3之中間部分描繪在序列320之兩個部分期間不傳遞光對重心之影響的實例。此實例旨在繪示包括無光傳遞至基板的間隔對重心之影響。如所描繪，序列320中之第四及第六位元實際上不傳遞至基板。在一些實施中，切斷位元(亦即，不將光傳遞至基板)可用以調變強度。然而，此可在COG中引起寄生移位。為了避免在特定間隔期間將光傳遞至基板，在一些實施例中，DMD之特定鏡面可雙態切換至將光束引導至截止器而非基板之不同位置。在其他實施中，雷射可閘控關閉，可操控不同光學器件以中斷光束傳遞等。如所展示，序列中之特定間隔之非傳遞可引起所得位點之經移位重心326，其更接近於幾何重心314，然而，處於降低之強度。
圖3之底部部分繪示替代解決方案，其中序列330傳遞與序列320相同之強度但呈對稱圖案。此處，歸因於對稱性，幾何中心334與重心336處於相同位置。然而，在此實例中，為了產生所需13個間隔而非序列310中之六個間隔所需的對稱圖案，且因此有效地將產出量減少大約兩倍(歸因於倍增傳遞所需強度之時間)。
圖4A為繪示根據一些實施例之對鏡面位置之下一圖案影響的簡圖。因為基板處之經印刷圖案常常需要奈米尺度之準確度，所以即使對光傳遞之極小影響亦可能引起不容許的偏差。在許多實施例中，當將光圖案提供至基板時，可能存在DMD之大量組態，其需要被儲存且在將基板掃描經過DMD時執行。在某些實施例中，實體記憶體(例如，CMOS記憶體電路)可接近DMD定位，使得用於將序列(例如，包括序列中之下一位元)儲存在實體記憶體中的電荷引起DMD中之鏡面的角度的偏差。舉例而言，在某些實施例中，實體記憶體可位於距DMD小於1 mm (例如，10微米)處。因此，由本發明解決之一個技術問題為，用以儲存稍後組態之電荷可足夠接近以影響電流組態之傳遞。此在本文中被稱作「下一圖案影響」 (NPE)。
如圖4A之簡化實例中所繪示，實體記憶體410可在第一位置420中儲存DMD之鏡面的當前組態422。如先前所解釋，當前組態可為DMD之鏡面在給定時間點處之位置(接通/斷開)。當相對於DMD掃描基板時，經由DMD之眾多組態將光之總體(目標)強度傳遞至基板。第一位置420中之當前組態422的電荷分佈以加(+)及減(-)來描述。
DMD之單一實例鏡面412展示於圖4A中。鏡面412可設定為具有目標位置424以將光傳遞至基板。然而，實體記憶體410中之下一位置430可含有具有影響鏡面之定向(由預期角度440表示)之下一電荷分佈432的下一圖案。在一些實施例中，所揭示之系統可包括一控制系統，該控制系統經組態以致動鏡面以在數位鏡面裝置中具有給定定向，從而將光之強度序列傳遞至基板。DMD之鏡面的定向可藉由控制系統提供特定靜電電位以使鏡面角度在將傳遞光至基板之位置與將不傳遞光之位置之間切換來達成。基於MEMS之光學開關為可與DMD一起使用之一個實例。因此，鏡面角度之極微小改變可由來自下一電荷分佈432之電場與靜電定位鏡面之相互作用引起。此藉由鏡面位置自目標位置424至新(不正確)位置434之改變來描繪(出於繪示之目的而誇示)。如本文中進一步描述，可利用對待由儲存於實體記憶體中之圖案傳遞的光之強度序列之修改來緩解此下一圖案影響。
圖4B及圖4C描繪下一圖案影響之進一步繪示。圖4B繪示處於目標位置424中及/或具有預期角度440之DMD，例如，若下一位置430未儲存圖案、未儲存電荷、遠離第一位置420、具有自抵消之電荷分佈等，使得對DMD基本上無影響。圖4C繪示歸因於不同下一圖案影響而處於不正確位置中的鏡面之兩個實例。圖4C之頂部部分繪示歸因於具有許多正電荷或主要為正電荷之例示性下一電荷分佈432的下一圖案影響之誇示版本。在此實例中，該影響係如由箭頭及不正確位置434指示而減小鏡面的角度。圖4C之底部部分繪示其中下一電荷分佈中之電荷主要為負電荷的相反實例。此處，鏡面在相反方向上偏轉，從而使角度大於預期角度440。
在一些實施例中，除「下一」圖案以外之其他圖案亦可對鏡面對準造成類似影響。舉例而言，足夠靠近鏡面儲存「先前」圖案亦可引起此等影響。先前圖案可儲存於記憶體緩衝器中以用於記錄目的或稍後在序列中有效地再使用。由此，本發明預期將電子指令儲存於實體記憶體中之效果可引起使鏡面自其所要定向擾動之靜電效應。以此方式，本文中所描述之方法一般而言可用以緩解圖案儲存之影響，其中圖案可為「下一」、「先前」或序列中之任何其他圖案，使得其儲存影響DMD。
圖5A為繪示根據一些實施例的用於緩解下一圖案影響之方法的簡圖。下一圖案影響可藉由類似於先前參考圖3論述之策略的策略緩解。前已述及，下一圖案影響可稍微改變傳遞光之位置。此結果可類似於基於特定強度序列改變光之重心的圖3實例。可類似地藉由在所規劃序列中引入不將光傳遞至基板(即使對應位元仍儲存於實體記憶體中)的間隔來緩解下一圖案影響。因為NPE係確定性的，所以可針對給定序列準確地預先判定其對重心之影響。
圖5A之頂部部分描繪以11個間隔傳遞之光的例示性序列510。該序列為對稱的，且因此將預期重心將與該序列之幾何中心516相同。然而，歸因於下一圖案影響，實際重心514稍微移位(出於繪示之目的而誇大展示)。
圖5A之中間部分繪示NPE可藉由選擇具有不傳遞至基板的某些間隔528之序列520來緩解。在此實例中，存在五個此等間隔528：中心間隔及每一側上的兩個間隔。此具有減小重心524 (歸因於NPE)與幾何中心516 (其與序列510相同)之間的差異的效應。然而，藉由不傳遞序列中之全部光，此改變經傳遞光之總強度以不同於所需或目標強度。
圖5A之底部部分描繪繪示用以緩解下一圖案影響之另一方式的實例。所展示之序列530可傳遞所要強度(例如，序列510中之相同強度)，但具有在每一傳遞間隔之間跳過的間隔，類似於圖5A之中間部分中所示之實例。此方法極大地減少NPE，如根據幾何中心534與重心536之間的小差異而顯而易見，此係因為每一位元之「下一圖案」為0，因此用於每一鏡面之COG移位與每一可能的求和強度係相同的。然而，此具有需要多達兩倍間隔的成本。此方法因此具有使傳遞光之製造產出量減小幾乎兩倍的成本。
如序列530中所描繪之框之跳過不同於具有間隔528，其中實質上無光傳遞至基板。舉例而言，在序列520中，(下一)間隔528仍具有儲存於實體記憶體中之位元，且因此將影響鏡面之當前位置。然而，因為此間隔中之光不傳遞至基板，所以影響為：印刷位點之所得重心實際上更接近幾何(或預期)重心。相比之下，完全跳過間隔意謂無位元儲存於實體記憶體中。此處，儲存於記憶體中之位元為用以雙態切換鏡面位置之固定位元(例如，1或0)。因此，並非強度相依的位元之此儲存緩解下一圖案影響。此顯著地減小下一圖案影響，此係因為「下一」位元/間隔(其為強度相依性的)現在在實體記憶體中與當前指令圖案相距較大距離。重申而言，來自此等較遠儲存之指令之電場在鏡面位置處由於此增大之距離而大大減小，且藉此下一圖案影響小得多。
圖5B為繪示下一圖案影響之緩解的另一例示性實施例。序列540為對稱圖案，其中COG 544幾乎與序列之幾何中心546對準。圖5B之中間部分中的經修改序列550具有不同於COG 544之COG 554，此係由於包括不傳遞至基板之一個間隔。此亦具有降低由序列傳遞之總強度之效果。在圖5B的底部部分中的序列560具有幾乎正確的COG 564。類似於序列530，每一循環亦包括「下一」間隔，其中無光傳遞至基板。雖然COG 564顯著地更接近幾何中心546，但此再次增加所需循環之數目。
圖6為繪示根據一些實施例的用於緩解下一圖案影響之方法的簡圖。本發明包括用於改良微影程序中之光傳遞之定序的方法。如圖6中所示，此可包括判定待傳遞之光之強度序列，其包括在強度序列內實質上無光傳遞至基板之間隔(在本文中有時被稱作「非傳遞間隔」)。在判定序列之後，該方法可包括藉由光源利用數位鏡面裝置(DMD)根據強度序列將光傳遞至基板。在一些實施中，該間隔之存在可減小儲存於實體記憶體中的強度序列中之即將來臨指令集對DMD之組態的影響。
一些實施例亦可包括判定將傳遞至基板處之位點之光的目標強度，諸如處理光阻所需之目標強度。因此，在各種實施例中，所判定強度序列可由該數位鏡面裝置(DMD)傳遞至該基板以達到該目標強度，其中在該間隔期間實質上無光傳遞至該基板。在一些實施例中，此可包括針對DMD中之鏡面中之一或多者(或每一者)單獨地判定強度序列。
展示於序列之圖6之頂部部分中的實例類似於之前描述之彼等，但具有促進NPE緩解且以減少之間隔數目傳遞所需強度之一些額外細節。間隔自身之分佈無需對稱，而實際上可經判定為傳遞所需強度但具有間隔之經減少數目(或在其他實施例中，最小數目)的某一分佈。此類實施例可包括判定傳遞至該基板處之位點之光的目標強度。藉由使用本文所揭示之各種技術，一些方法可進一步包括判定強度序列之不對稱分佈，該不對稱分佈減小該位點之傳遞重心與該位點之目標重心之間的差異。經最佳化序列中之不對稱性可由保持總所要功率(例如，由強度位元之總和表示)但亦具有實質上無光傳遞至基板之一或多個間隔的最佳化程序引起。
圖6之實例(頂部部分)具有具有不對稱分佈之序列610，該不對稱分佈減少所需間隔之總數目。重心616以間隔6描繪。又，實例序列610包括三個間隔618，其中實質上無光傳遞至基板。在一些實施例中，因為強度序列可由儲存於實體記憶體中之位元表示，所以在非傳遞間隔在具有大強度或位元值之傳遞間隔之後時，緩解NPE之效果最大。以此方式，可判定大體上在最大位元之後的間隔。由此，在一些實施例中，至少一個間隔可在序列中位於最高有效位元之後。此藉由處於位置5處的最高有效位元(MSB) 612及處於位置6處之非傳遞間隔618描繪於圖6中。其他益處可藉由在序列中之選定地點包括其他非傳遞間隔來實現。舉例而言，在圖6中，在接下來的兩個最高有效位元(位置3及7)之後，在位置4及8處存在類似的非傳遞間隔。然而，在一些實施中，並非每一間隔皆需要具有對應的非傳遞間隔，此係因為通常僅較大強度位元對下一圖案影響的貢獻最大。前已述及，在圖3之實例中，在每一傳遞間隔之間包括非傳遞間隔顯著降低產出量。由此，藉由進一步包括非傳遞間隔而緩解下一圖案影響的回報減小。因此，在一些實施例中，強度序列及任何非傳遞間隔之判定可進一步包括利用成本函數，其中成本函數反映具有準確重心與間隔數目之增加之間的平衡以進行此操作。此類成本函數在最佳化如本文中所描述之製造程序時可為極其有益的。然而，增加間隔之數目會以產出量為代價，但某些實施例可犧牲產出量以便改良準確度。因此，一些實施例可利用具有對應於最高有效位元之1至5個額外循環的6、7或8個位元序列。
圖6之底部部分繪示可用於一些實施例中之替代解決方案之一個實例。此處，判定可引起對稱之強度序列620。此可減少(或消除)位點之傳遞重心與位點之目標重心之間的差異。相比於本文所揭示之一些其他實施例，此解決方案亦具有提供技術簡化實施之優點。序列620亦繪示，在一些實施例中，強度序列可包括在兩個光傳遞間隔之間跳過光之傳遞。然而，由於此可能需要的間隔之額外總數目，所以產出量可能減少，如先前在本文中之其他實例中所解釋。
圖7A為繪示根據一些實施例的對光強度序列之重心之例示性微調的簡圖。判定光之強度序列及任何非傳遞間隔718在一些情況下可包括將非傳遞間隔置放於序列中之不同位置中以最佳化重心。舉例而言，圖7之頂部部分為一個實例序列710，其中在位置5處存在傳遞間隔712且在位置6處存在非傳遞間隔714。因此，總序列具有特定重心716。在一些實施例中，所揭示之方法可包括藉由改變強度之序列或(非傳遞)間隔之位置來調整傳遞重心。改變強度序列可包括由於使強度位元自一個位置至另一位置移位而使序列更對稱、較不對稱或任何其他改變。在一些實施例中，可針對非傳遞間隔執行類似操控。舉例而言，如圖7A之底部部分中所示，對於經修改序列720，間隔712及714自其在序列710中之位置反轉。如所展示，此稍微改變重心726。以此方式，系統及其相關聯演算法可決定及微調應用所需之重心。
圖7B繪示非傳遞光間隔之替代位置的計算。給定強度圖案(包括替代位元位置)、所寫入強度及NPE值(例如，以nm計)，可計算COG。在圖7B中，在-66[nm]之NPE的情況下執行實例COG計算。對於所有強度圖案，可計算替代位元位置及對應COG。在此實例中，來自3個替代位置(8、16及32)之8個可能性實際上用於計算，但出於繪示之目的，僅展示兩個可能性740、750。可因此針對各個別強度單獨地選擇所使用之替代位元位置，使得強度序列之COG具有與強度圖案之中間的最小偏差(由粗線760展示)。
在一些實施中，蠻力方法可用於找到最適合之週期性圖案。為判定最佳強度圖案，吾人可界定成本函數(CF)以判定哪一強度圖案給出最佳結果。成本之一個實例可為在運用強度自身對針對輪廓之每一強度所計算的COG值加權之後在該等COG值上之RMS值。此為圖7B中之曲線760的RMS值。經計算為具有較低成本之強度圖案相比於具有較高成本之強度圖案具有較低COG移位，且導致改良之圖案化。
作為蠻力方法之一個實例，可藉由對於在待測試序列中之各數目個框中待測試的每數目個位元，判定所有可能強度圖案而判定可能的所有可能強度圖案之成本。接著，判定每一強度圖案中之可能的零框/平衡位元位置。在一些實施中，為了在不過度影響最終結果的情況下減小參數空間，一些低強度位元可為固定的(亦即，作為最佳化之部分在位置上不發生變化)。舉例而言，最低的兩個強度可固定至最外部位置以減少可能性。接著，對於每一可能的強度圖案及可能的替代位元位置，計算成本。此可產生極大量之組態。可選擇得到最低成本之強度圖案及替代位元位置。
在其他實施中，所判定序列可在開始時對稱，但該方法進一步包括藉由將不對稱性包括至強度序列中而將對稱分佈修改成不對稱分佈(相似於序列610)，該不對稱性進一減小傳遞重心與目標重心之間的差異。此不對稱性可藉由用位元之一個組合替代具有不同強度貢獻但具有相同總強度之另一組合而產生。
圖8為根據一實施例的實例電腦系統CS之方塊圖。
電腦系統CS包括用於傳達資訊之匯流排BS或其他通信機構，及與匯流排BS耦接以處理資訊之處理器PRO (或多個處理器)。電腦系統CS亦包括耦合至匯流排BS以用於儲存待由處理器PRO執行之資訊及指令的主記憶體MM，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存裝置。主記憶體MM亦可用於在待由處理器PRO執行之指令的執行期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統CS進一步包括耦接至匯流排BS以用於儲存用於處理器PRO之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM) ROM或其他靜態儲存裝置。提供諸如磁碟或光碟之儲存裝置SD，且將其耦接至匯流排BS以用於儲存資訊及指令。
電腦系統CS可經由匯流排BS耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器DS，諸如陰極射線管(CRT)，或平板或觸控面板顯示器。包括文數字及其他按鍵之輸入裝置ID耦接至匯流排BS以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器PRO。另一類型之使用者輸入裝置為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器PRO且用於控制顯示器DS上之游標移動的游標控制件CC，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入裝置通常在兩個軸線(第一軸線(例如x)及第二軸線(例如y))中具有兩個自由度，該等自由度允許裝置在平面中指定位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可被用作輸入裝置。
根據一個實施例，本文中所描述之一或多種方法的部分可藉由電腦系統CS回應於處理器PRO執行主記憶體MM中所含有之一或多個指令的一或多個序列來執行。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存裝置SD)讀取至主記憶體MM中。主記憶體MM中所含有之指令序列的執行促使處理器PRO執行本文中所描述之程序步驟。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用於執行主記憶體MM中所含有之指令序列。在替代性實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路。因此，本文中之描述不限於硬體電路及軟體之任何特定組合。
如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器PRO以供執行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括(但不限於)非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存裝置SD。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體MM。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排BS之導線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如，在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體可為非暫時性的，例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣。非暫時性電腦可讀媒體可具有記錄於其上之指令。在由電腦執行時，指令可實施本文中所描述的特徵中之任一者。暫時性電腦可讀媒體可包括載波或其他傳播電磁信號。
可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器PRO以供執行時涉及電腦可讀媒體之各種形式。舉例而言，初始地可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體內，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統CS本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換為紅外線信號。耦接至匯流排BS之紅外線偵測器可接收紅外線信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排BS上。匯流排BS將資料攜載至主記憶體MM，處理器PRO自該主記憶體擷取且執行指令。由主記憶體MM接收之指令可視情況在由處理器PRO執行之前或之後儲存於儲存裝置SD上。
電腦系統CS亦可包括耦合至匯流排BS之通信介面CI。通信介面CI提供與網路連結NDL之雙向資料通信耦接，該網路連結NDL連接至區域網路LAN。舉例而言，通信介面CI可為整合服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供與相應類型之電話線的資料通信連接。作為另一實例，通信介面CI可為區域網路(LAN)卡以提供與相容LAN的資料通信連接。亦可實施無線連結。在任何此實施中，通信介面CI發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料流的電信號、電磁信號或光學信號。
網路連結NDL通常通過一或多個網路提供與其他資料裝置之資料通信。舉例而言，網路連結NDL可通過區域網路LAN提供與主電腦HC之連接。此可包括經由全球封包資料通信網路(現在通常稱為「網際網路」INT)而提供資料通信服務。區域網路LAN (網際網路)皆使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。通過各種網路之信號及在網路資料連結NDL上且通過通信介面CI之信號為輸送資訊的例示性載波形式，該等信號將數位資料攜載至電腦系統CS且自該電腦系統攜載數位資料。
電腦系統CS可通過網路、網路資料連結NDL及通信介面CI發送訊息及接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，主機電腦HC可經由網際網路INT、網路資料連結NDL、區域網路LAN及通信介面CI傳輸用於應用程式之經請求程式碼。例如，一個此經下載應用程式可提供本文中所描述之方法的全部或部分。所接收程式碼可在接收其時由處理器PRO執行，及/或儲存於儲存裝置SD或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統CS可獲得呈載波之形式之應用程式碼。
圖9為根據一實施例之微影投影設備的示意圖。
微影投影設備可包括照明系統IL、第一物件台MT、第二物件台WT及投影系統PS。
照明系統IL可調節輻射光束B。在此特定情況下，照明系統亦包含輻射源SO。
第一物件台(例如，圖案化裝置台) MT可具有用以固持圖案化裝置MA (例如，倍縮光罩)之圖案化裝置固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位圖案化裝置之第一定位器。
第二物件台(基板台) WT可具備用以固持基板W (例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以相對於項目PS來準確地定位該基板之第二定位器。
投影系統(「透鏡」) PS (例如，折射、反射或反射折射光學系統)可使圖案化裝置MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。
如本文中所描繪，設備可屬於透射型(亦即，具有透射圖案化裝置)。然而，一般而言，其亦可屬於反射類型，例如(具有反射圖案化裝置)。該設備可使用與經典遮罩不同種類之圖案化裝置；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。
源SO (例如，水銀燈或準分子雷射、LPP (雷射產生電漿) EUV源)產生輻射光束。舉例而言，此光束直接地抑或在已橫穿諸如光束擴展器Ex之調節設備之後饋送至照明系統(照明器) IL中。σσ照明器IL可包含調整裝置AD，以用於設定光束中之振幅分佈之外部及/或內部徑向範圍(通常分別稱為σ外部及σ內部)。另外，其通常將包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。以此方式，照射於圖案化裝置MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及振幅分佈。
在一些實施例中，源SO可在微影投影設備之外殼內(如常常係在源SO為例如水銀燈時的情況)，但其亦可遠離微影投影設備，源SO產生之輻射光束經引導至設備中(例如憑藉適合導向鏡面)；此後一情形可為在源SO為準分子雷射(例如，基於KrF、ArF或F2發出雷射)時的情況。
光束PB隨後截取固持於圖案化裝置台MT上之圖案化裝置MA。在已橫穿圖案化裝置MA的情況下，光束B可穿過透鏡PL，該透鏡將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位設備(及干涉量測設備IF)，可準確地移動基板台WT，例如以便將不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。類似地，第一定位設備可用於例如在自圖案化裝置庫中機械擷取圖案化裝置MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑精確地定位圖案化裝置MA。大體而言，可藉助於長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在步進器(相對於步進掃描工具)之情況下，圖案化裝置台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。
可在兩種不同模式-步進模式及掃描模式中使用所描繪工具。在步進模式中，將圖案化裝置台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化裝置影像一次性投影((亦即，單次「閃光」)至目標部分C上。在x及/或y方向上使基板台WT移位，以使得不同目標部分C可由光束PB照射。
在掃描模式中，除了單次「閃光」中不曝光給定目標部分C之外，基本上相同之情形適用。取而代之，圖案化裝置台MT可在給定方向(所謂的「掃描方向」，例如，y方向)上以速度v移動，以使得使投影光束B在圖案化裝置影像上進行掃描；同時，基板台WT以速度V = Mv在相同或相對方向上同時地移動，其中M為透鏡PL之放大率(通常，M = 1/4或1/5)。以此方式，可在不必損害解析度的情況下曝光相對大目標部分C。
圖10為根據一實施例之另一微影投影設備(LPA)之示意圖。
LPA可包括源收集器模組SO、經組態以調節輻射光束B (例如，EUV輻射)之照明系統(照明器) IL、支撐結構MT、基板台WT及投影系統PS。
支撐結構(例如圖案化裝置台) MT可經建構以支撐圖案化裝置(例如遮罩或倍縮光罩) MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置之第一定位器PM。
基板台(例如，晶圓台) WT可經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且連接至經組態以準確地定位基板之第二定位器PW。
投影系統(例如，反射性投影系統) PS可經組態以將藉由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W的目標部分C (例如，包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，LPA可具有反射類型(例如，使用反射圖案化裝置)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以圖案化裝置可具有包含(例如)鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一個實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度層四分之一波長。可運用X射線微影來產生甚至更小的波長。因為大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，所以圖案化裝置構形(topography)上之經圖案化吸收材料薄片段(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。
照明器IL可自源收集器模組SO接收極紫外輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由用雷射光束來輻照燃料(諸如，具有譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射之EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料的雷射光束。所得電漿發射輸出輻射(例如EUV輻射)，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言當CO2雷射用於為燃料激發提供雷射光束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。
在此等情況下，可不認為雷射形成微影設備之部分，且輻射光束可憑藉包含例如適合導向鏡面及/或光束擴展器之光束傳遞系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他情況下，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(常常被稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部分。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角振幅分佈之調整器。大體上，可調整照明器之光瞳平面中之振幅分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱為σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面元件及光瞳鏡面裝置。照明器可用於調節輻射光束以在其橫截面中具有所要均一性及振幅分佈。
輻射光束B可入射於固持於支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且由該圖案化裝置來圖案化。在自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統將該輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器PS2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可精確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩) MA。可使用圖案化裝置對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩) MA與基板W。
所描繪之設備LPA可用於以下模式中之至少一者：步進模式、掃描模式及靜止模式。
在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。
在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，圖案化裝置台) MT之速度及方向。
在靜止模式下，使支撐結構(例如圖案化裝置台) MT保持基本上靜止從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT，同時將向輻射光束賦予之圖案投射至目標部分C上。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。
圖11為根據一實施例之微影投影設備之詳細視圖。
如所展示，LPA可包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置成使得可在源收集器模組SO之圍封結構ES中維持真空環境。可藉由放電產生電漿源來形成EUV輻射發射熱電漿HP。可藉由氣體或蒸汽(例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)來產生EUV輻射，其中建立熱電漿HP以發射在電磁波譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由產生至少部分離子化電漿之放電來建立熱電漿HP。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如) 10 Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿HP發射之輻射經由定位於源腔室SC中的開口中或後方之視情況選用的氣體障壁或污染物截留器CT (在一些情況下，亦稱為污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室SC傳遞至收集器腔室CC中。污染物截留器CT可包括通道結構。污染物截留器CT亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如此項技術中已知，本文中進一步指示之污染物截留器或污染物障壁CT至少包括通道結構。
收集器腔室CC可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側US及下游輻射收集器側DS。橫穿輻射收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器SF反射以沿由點虛線『O』指示之光軸聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF可稱為中間焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構ES中之開口OP處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿HP之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統可包括琢面化場鏡面裝置FM及琢面化光瞳鏡面裝置pm，該琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置經配置以提供在圖案化裝置MA處的輻射光束B之所要角度分佈以及在圖案化裝置MA處的輻射振幅之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射光束B後，隨即形成經圖案化光束PB，且經圖案化光束PB藉由投影系統PS經由反射元件RE成像至由基板台WT固持之基板W上。
比所展示裝置多的裝置通常可存在於照明光學器件單元IL及投影系統PS中。取決於微影設備之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器SF。另外，可存在比圖式中所展示之鏡面更多的鏡面，例如，可存在存在於投影系統PS中的1至6個額外反射元件。
收集器光學器件CO可為具有掠入射反射器GR之巢套式收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器GR經安置為繞光軸O軸向對稱，且此類型之收集器光學器件CO可與通常稱為DPP源之放電產生電漿源組合使用。
圖12為根據一實施例之微影投影設備LPA之源收集器模組SO的詳細視圖。
源收集器模組SO可為LPP輻射系統之部分。雷射LA可經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數10 eV之電子溫度的高度離子化電漿HP。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射自電漿發射，由近正入射收集器光學器件CO收集，且聚焦至圍封結構ES中的開口OP上。
本文中所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生愈來愈短波長之新興成像技術使用。已在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193 nm波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157 nm波長之極紫外(EUV)、DUV微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)而產生在20 nm至50 nm之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。
雖然本文所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之成像，但應理解，所揭示概念可供與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在除了矽晶圓以外之的基板上之成像之微影成像系統。
上方描述意欲為繪示性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。
在經編號條項之後續清單中揭示其他實施例： 1. 一種用於改良一微影程序中的光傳遞之定序的方法，該方法包含：判定待傳遞之光之一強度序列，其包括在該強度序列內實質上無光傳遞至基板之一間隔；以及藉由一光源利用一數位鏡面裝置(DMD)根據該強度序列將光傳遞至一基板。 2. 如前述條項中任一項之方法，該方法進一步包含判定傳遞至該基板處之一位點之光的一目標強度。 3. 如前述條項中任一項之方法，其中該所判定強度序列待由該數位鏡面裝置(DMD)傳遞至該基板以達到該目標強度，且其中在該間隔期間，實質上無光傳遞至該基板。 4. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含將用於光之該強度序列的一指令集儲存在一實體記憶體中。 5. 如前述條項中任一項之方法，其中該間隔之存在降低儲存於該實體記憶體中的該強度序列中之一即將來臨指令集對該DMD之一組態的一影響。 6. 如前述條項中任一項之方法，其中該強度序列由儲存於實體記憶體中之位元表示，且該間隔在該序列中位於一最高有效位元之後。 7. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含判定該強度序列之一不對稱分佈，該不對稱分佈減小該位點之一傳遞重心與該位點之目標重心之間的一差異。 8. 一種用於改良一微影程序中的光傳遞之定序的方法，該方法包含：判定傳遞至一基板處的一位點之光之一目標強度；藉由一數位鏡面裝置(DMD)判定待傳遞至該基板以達到該目標強度之光之一強度序列，該強度序列包括在該強度序列內實質上無光傳遞至該基板之一間隔；將用於光之該強度序列之一指令集儲存於一實體記憶體中；以及藉由一光源利用該DMD根據該強度序列將光傳遞至該基板，其中該間隔之存在降低儲存於該實體記憶體中的該強度序列中之即將來臨指令集對DMD之組態的影響。 9. 如前述條項中任一項之方法，其中該強度序列由儲存於實體記憶體中之位元表示，且該間隔在該序列中位於一最高有效位元之後。 10. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含判定該強度序列之一對稱分佈，該對稱分佈減小該位點之一傳遞重心與該位點之一目標重心之間的一差異。 11. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含藉由將一不對稱性包括至該強度序列中而將該對稱分佈修改成一不對稱分佈，該不對稱性進一步減小該傳遞重心與該目標重心之間的該差異。 12. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含藉由改變強度之該序列或該間隔之一位置來調整一傳遞重心。 13. 如前述條項中任一項之方法，其中該強度序列為一8位元強度分佈。 14. 如前述條項中任一項之方法，其中該強度序列為對稱的。 15. 如前述條項中任一項之方法，其中該強度序列包括在兩個光傳遞間隔之間跳過該光之傳遞。 16. 如前述條項中任一項之方法，其進一步包含針對該DMD中之複數個鏡面中之每一者單獨地判定該強度序列。 17. 如前述條項中任一項之方法，該改變該等強度之該序列或該間隔之一位置進一步包含：依據強度計算複數個替代位元位置及其對應重心；以及選擇與由該DMD傳遞之一強度圖案之一中間具有最小偏差的替代位元位置。 18. 如前述條項中任一項之方法，其中該計算包括執行一蠻力方法以計算一參數空間中除了保持固定之至少一個低強度位元以外的所有可能強度圖案。 19. 一種電腦程式產品，其包含上面記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如以上條項中任一項之方法。 20. 一種用於將光傳遞至一基板之系統，該系統包含：一光源；一數位鏡面裝置；一實體記憶體，其經組態以儲存用於利用該數位鏡面裝置自該光源傳遞光之指令；以及上面記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時引起操作，該等操作包含：判定傳遞至一基板處的一位點之光之一目標強度；藉由一數位鏡面裝置(DMD)判定待傳遞至該基板以達到該目標強度之光之一強度序列，該強度序列包括在該強度序列內實質上無光傳遞至該基板之一間隔；將用於光之該強度序列之一指令集儲存於一實體記憶體中；以及藉由一光源利用該DMD根據該強度序列將光傳遞至該基板，其中該間隔之存在降低儲存於該實體記憶體中的該強度序列中之即將來臨指令集對DMD之組態的影響。 21. 如前述系統條項中任一項之系統，其中該實體記憶體接近DMD定位，使得用於將該序列儲存在實體記憶體中之電荷引起DMD中之鏡面的角度之偏差。 22. 如前述系統條項中任一項之系統，其中該實體記憶體位於距該數位鏡面裝置小於1 mm處。 23. 如前述系統條項中任一項之系統，其進一步包含一控制系統，該控制系統經組態以致動該數位鏡面裝置中之鏡面以將光之該強度序列傳遞至該基板。 24. 如前述系統條項中任一項之系統，其進一步包含一微透鏡陣列(MLA)，該微透鏡陣列經組態以將光自該DMD引導至該基板。
100:微影設備 110:圖案化裝置 112:光源 140:鏡面陣列 150:投影系統 152:物鏡 154:透鏡陣列 160:基板 210:位點曝光 310:序列 312:間隔 314:幾何中心 316:重心 320:序列 326:經移位重心 330:序列 334:幾何中心 336:重心 410:實體記憶體 412:鏡面 420:第一位置 422:當前組態 424:目標位置 430:下一位置 432:下一電荷分佈 434:新(不正確)位置 440:預期角度 510:序列 514:實際重心 516:幾何中心 520:序列 524:重心 528:間隔 530:序列 534:幾何中心 536:重心 540:序列 544:COG 546:幾何中心 550:經修改序列 554:COG 560:序列 564:COG 610:序列 612:最高有效位元 616:重心 618:間隔 620:強度序列 710:序列 712:傳遞間隔 714:非傳遞間隔 716:重心 720:經修改序列 726:重心 740:可能性 750:可能性 760:粗線/曲線 AD:調整裝置 B:輻射光束 BS:匯流排 C:目標部分 CC:游標控制件/收集器腔室 CI:通信介面 CO:收集器光學器件/聚光器/輻射收集器 CS:電腦系統 CT:污染物截留器 DS:顯示器/下游輻射收集器側 ES:圍封結構 FM:琢面化場鏡面裝置 GR:掠入射反射器 HC:主電腦 HP:熱電漿 ID:輸入裝置 IF:干涉量測設備/中間焦點/虛擬源點 IN:積光器 IL:照明系統 INT:網際網路 LA:雷射 LAN:區域網路 LPA:微影投影設備 M1:圖案化裝置對準標記 M2:圖案化裝置對準標記 MA:圖案化裝置 MM:主記憶體 MT:第一物件台/支撐結構 NDL:網路連結 O:點虛線 OP:開口 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PB:光束 PM:第一定位器 PRO:處理器 PS:投影系統/項目 PS1:位置感測器 PS2:位置感測器 PW:第二定位器 R:列 RE:反射元件 ROM:唯讀記憶體 S:位點 SC:源腔室 SD:儲存裝置 SE:位點曝光 SF:光柵光譜濾光器 SO:輻射源 US:上游輻射收集器側 W:基板 WT:第二物件台/基板台
併入於本說明書中且構成其之一部分之隨附圖式展示本文揭示之主題的某些態樣，且與描述一起，有助於解釋與所揭示實例相關聯之一些原理。在諸圖中：
圖1為繪示根據一實施例之例示性無遮罩微影系統的簡圖。
圖2為繪示根據一實施例之例示性基板及曝光圖案的簡圖。
圖3為繪示根據一實施例之基板處之像素柵格成像的簡圖。
圖4A為繪示根據一實施例之對鏡面位置之下一圖案影響的簡圖。
圖4B為繪示根據一實施例的處於正確位置之鏡面之簡圖。
圖4C為繪示根據一實施例之處於不正確位置之鏡面的簡圖。
圖5A為繪示根據一實施例之臨界尺寸之移位的簡圖。
圖5B為繪示根據一實施例的繪示下一圖案影響之緩解之另一例示性實施例的簡圖。
圖6為繪示根據一實施例之無遮罩微影方法的處理流程圖。
圖7A為繪示根據一實施例的對光強度序列之重心之例示性微調的簡圖。
圖7B繪示根據一實施例的非傳遞光間隔之交替位置的計算。
圖8為根據一實施例之實例電腦系統之方塊圖。
圖9為根據一實施例之微影投影設備的示意圖。
圖10為根據一實施例之另一微影投影設備之示意圖。
圖11為根據一實施例之微影投影設備之詳細視圖。
圖12為根據一實施例之微影投影設備之源收集器模組的詳細視圖。
510:序列
514:實際重心
516:幾何中心
520:序列
524:重心
528:間隔
530:序列
534:幾何中心
536:重心

Claims (20)

  1. 一種用於改良一微影程序中的光傳遞之定序的方法，該方法包含： 判定待傳遞之光之一強度序列，其包括在該強度序列內實質上無光傳遞至基板之一間隔；以及 藉由一光源利用一數位鏡面裝置(DMD)根據該強度序列將光傳遞至一基板。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含判定傳遞至該基板處之一位點之光的一目標強度。
  3. 如請求項2之方法，其中該所判定強度序列待由該數位鏡面裝置(DMD)傳遞至該基板以達到該目標強度，且其中在該間隔期間，實質上無光傳遞至該基板。
  4. 如請求項3之方法，其進一步包含將用於光之該強度序列的一指令集儲存在一實體記憶體中。
  5. 如請求項4之方法，其中該間隔之存在降低儲存於該實體記憶體中的該強度序列中之一即將來臨指令集對該DMD之一組態的一影響。
  6. 如請求項1之方法，其中該強度序列由儲存於實體記憶體中之位元表示，且該間隔在該序列中位於一最高有效位元之後。
  7. 如請求項2之方法，其進一步包含判定該強度序列之一不對稱分佈，該不對稱分佈減小該位點之一傳遞重心與該位點之目標重心之間的一差異。
  8. 一種用於改良一微影程序中的光傳遞之定序的方法，該方法包含： 判定傳遞至一基板處的一位點之光之一目標強度； 藉由一數位鏡面裝置(DMD)判定待傳遞至該基板以達到該目標強度之光之一強度序列，該強度序列包括在該強度序列內實質上無光傳遞至該基板之一間隔； 將用於光之該強度序列之一指令集儲存於一實體記憶體中；以及 藉由一光源利用該DMD根據該強度序列將光傳遞至該基板，其中該間隔之存在降低儲存於該實體記憶體中的該強度序列中之一即將來臨指令集對該DMD之一組態的一影響。
  9. 如請求項8之方法，其中該強度序列由儲存於實體記憶體中之位元表示，且該間隔在該序列中位於一最高有效位元之後。
  10. 如請求項8之方法，其進一步包含判定該強度序列之一對稱分佈，該對稱分佈減小該位點之一傳遞重心與該位點之一目標重心之間的一差異。
  11. 如請求項10之方法，其進一步包含藉由將一不對稱性包括至該強度序列中而將該對稱分佈修改成一不對稱分佈，該不對稱性進一步減小該傳遞重心與該目標重心之間的該差異。
  12. 如請求項8之方法，其進一步包含藉由改變強度之該序列或該間隔之一位置來調整一傳遞重心。
  13. 如請求項8之方法，其中該強度序列包括在兩個光傳遞間隔之間跳過該光之傳遞。
  14. 如請求項8之方法，其進一步包含針對該DMD中之複數個鏡面中之每一者單獨地判定該強度序列。
  15. 如請求項12之方法，該改變該等強度之該序列或該間隔之一位置進一步包含： 依據強度計算複數個替代位元位置及其對應重心；以及 選擇替代位元位置，使得該強度序列之COG與由包含該DMD之一光學系統傳遞之一強度圖案之一中間具有最小偏差。
  16. 一種電腦程式產品，其包含上面記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1至15中任一項之方法。
  17. 一種用於將光傳遞至一基板之系統，該系統包含： 一光源； 一數位鏡面裝置； 一實體記憶體，其經組態以儲存用於利用該數位鏡面裝置自該光源傳遞光之指令；以及 其上記錄有指令之一非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時引起操作，該等操作包含： 判定傳遞至一基板處的一位點之光之一目標強度； 藉由一數位鏡面裝置(DMD)判定待傳遞至該基板以達到該目標強度之光之一強度序列，該強度序列包括在該強度序列內實質上無光傳遞至該基板之一間隔； 將用於光之該強度序列之一指令集儲存於一實體記憶體中；以及 藉由一光源利用該DMD根據該強度序列將光傳遞至該基板，其中該間隔之存在降低儲存於該實體記憶體中的該強度序列中之一即將來臨指令集對該DMD之一組態的一影響。
  18. 如請求項17之系統，其中該實體記憶體接近該DMD定位，使得用於將該序列儲存在該實體記憶體中之電荷引起該DMD中之一鏡面的一角度之一偏差。
  19. 如請求項17之系統，其中該系統經組態以製造電腦晶片。
  20. 如請求項17之系統，其中該系統經組態以製造平板顯示器。
TW111127462A 2021-07-23 2022-07-22 用於分配光傳遞之系統及方法 TW202321824A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP21187368.2 2021-07-23
EP21187368 2021-07-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202321824A true TW202321824A (zh) 2023-06-01

Family

ID=77398370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111127462A TW202321824A (zh) 2021-07-23 2022-07-22 用於分配光傳遞之系統及方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240160110A1 (zh)
CN (1) CN117751329A (zh)
TW (1) TW202321824A (zh)
WO (1) WO2023001536A1 (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0824722B1 (en) 1996-03-06 2001-07-25 Asm Lithography B.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
US6379867B1 (en) * 2000-01-10 2002-04-30 Ball Semiconductor, Inc. Moving exposure system and method for maskless lithography system
EP3605231A1 (en) * 2018-08-01 2020-02-05 ASML Netherlands B.V. Optical maskless lithography

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023001536A1 (en) 2023-01-26
CN117751329A (zh) 2024-03-22
US20240160110A1 (en) 2024-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9052605B2 (en) Illumination system for lithographic apparatus with control system to effect an adjustment of an imaging parameter
TWI643243B (zh) 微影方法及裝置
JP2013516079A (ja) 照明システム、リソグラフィ装置および照明方法
US11448971B2 (en) Optical maskless
US7684014B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR102655261B1 (ko) 소스 및 마스크 최적화로 이상적인 소스 스펙트럼들을 생성하는 방법
EP2178107A1 (en) Lighting optical apparatus, photolithography equipment and device manufacturing method
TW202321824A (zh) 用於分配光傳遞之系統及方法
TW202309644A (zh) 用於具有經增加容限之微影工具的系統及方法
TW202307586A (zh) 藉由奇異形狀之圖案拼貼基板之系統及方法
TWI661264B (zh) 調諧製程模型之方法
US20230035511A1 (en) Lithographic apparatus and method for drift compensation
JP2012099686A (ja) 光源形成方法、露光方法、及びデバイス製造方法
WO2024068308A1 (en) Systems for path compensation with a moving objective
JP2022524206A (ja) リソグラフィ装置、計測装置、光学システムおよび方法
JP2004264337A (ja) マスク作成方法、及びマスク作成装置
JP2007266155A (ja) 可変式照明源
KR20080084109A (ko) 노광설비