TW202316728A - 電子裝置及其雙頻平板陣列天線模組 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種電子裝置及其雙頻平板陣列天線模組。雙頻平板陣列天線模組包括一絕緣承載基板、一共用導電金屬層、一共用接地金屬層、一外圍繞屏蔽結構、多個第一頻段天線結構以及多個第二頻段天線結構。外圍繞屏蔽結構電性連接於共用導電金屬層與共用接地金屬層之間。每一第一頻段天線結構包括一第一輻射體、兩個第一金屬件、兩個第一饋入件以及兩個第一內圍繞屏蔽組件。每一第二頻段天線結構包括一第二輻射體、兩個第二金屬件、兩個第二饋入件以及兩個第二內圍繞屏蔽組件。藉此，以提升第一頻段天線結構與第二頻段天線結構兩者之間的隔離度，進而使得雙頻平板陣列天線模組的天線模態乾淨化，並且使得雙頻平板陣列天線模組的天線特性得到提升。

Description

電子裝置及其雙頻平板陣列天線模組
本發明涉及一種天線模組，特別是涉及一種雙頻平板陣列天線模組以及一種使用雙頻平板陣列天線模組的電子裝置。
現有技術中，平板天線大都是採用堆疊的天線結構，然而採用堆疊式天線結構的平板天線仍然具有可改善空間。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種電子裝置及其雙頻平板陣列天線模組。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是提供一種雙頻平板陣列天線模組，其包括：一絕緣承載基板、一共用導電金屬層、一共用接地金屬層、一外圍繞屏蔽結構、多個第一頻段天線結構以及多個第二頻段天線結構。共用導電金屬層設置在絕緣承載基板的內部，且共用導電金屬層具有多個第一貫穿開口以及多個第二貫穿開口。共用接地金屬層設置在絕緣承載基板的底端上。外圍繞屏蔽結構電性連接於共用導電金屬層與共用接地金屬層之間。每一第一頻段天線結構包括一第一輻射體、兩個第一金屬件、兩個第一饋入件以及兩個第一內圍繞屏蔽組件，第一輻射體設置在絕緣承載基板上，兩個第一金屬件設置在絕緣承載基板上且鄰近第一輻射體，兩個第一饋入件貫穿絕緣承載基板且分別電性連接於兩個第一金屬件，且兩個第一內圍繞屏蔽組件設置在絕緣承載基板的內部且分別圍繞兩個第一饋入件。每一第二頻段天線結構包括一第二輻射體、兩個第二金屬件、兩個第二饋入件以及兩個第二內圍繞屏蔽組件，第二輻射體設置在絕緣承載基板上，兩個第二金屬件設置在絕緣承載基板上且鄰近第二輻射體，兩個第二饋入件貫穿絕緣承載基板且分別電性連接於兩個第二金屬件，且兩個第二內圍繞屏蔽組件設置在絕緣承載基板的內部且分別圍繞兩個第二饋入件。其中，每一第一饋入件設置在相對應的第一金屬件與共用接地金屬層之間且透過一第一絕緣環的隔離而與所述共用接地金屬層彼此分離，且每一第二饋入件設置在相對應的第二金屬件與共用接地金屬層之間且透過一第二絕緣環的隔離而與所述共用接地金屬層彼此分離。其中，每一第一內圍繞屏蔽組件包括一第一環形連接件以及多個第一內屏蔽連接件，第一環形連接件電性連接於共用導電金屬層且圍繞相對應的第一饋入件，且多個第一內屏蔽連接件電性連接於第一環形連接件與共用接地金屬層之間且圍繞相對應的第一饋入件。其中，每一第二內圍繞屏蔽組件包括一第二環形連接件以及多個第二內屏蔽連接件，第二環形連接件電性連接於共用導電金屬層且圍繞相對應的第二饋入件，且多個第二內屏蔽連接件電性連接於第二環形連接件與共用接地金屬層之間且圍繞相對應的第二饋入件。其中，每一第一頻段天線結構的兩個第一饋入件以及多個第一內屏蔽連接件同時貫穿相對應的第一貫穿開口，且每一第二頻段天線結構的兩個第二饋入件以及多個第二內屏蔽連接件同時貫穿相對應的第二貫穿開口。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是提供一種雙頻平板陣列天線模組，其包括：一絕緣承載基板、一共用導電金屬層、一共用接地金屬層、一外圍繞屏蔽結構、多個第一頻段天線結構以及多個第二頻段天線結構。共用導電金屬層設置在絕緣承載基板的內部。共用接地金屬層設置在絕緣承載基板的底端上。外圍繞屏蔽結構電性連接於共用導電金屬層與共用接地金屬層之間。每一第一頻段天線結構包括設置在絕緣承載基板上的一第一輻射體、鄰近第一輻射體的兩個第一金屬件、分別電性連接於兩個第一金屬件的兩個第一饋入件以及分別圍繞兩個第一饋入件的兩個第一內圍繞屏蔽組件。每一第二頻段天線結構包括設置在絕緣承載基板上的一第二輻射體、鄰近第二輻射體的兩個第二金屬件、分別電性連接於兩個第二金屬件的兩個第二饋入件以及分別圍繞兩個第二饋入件的兩個第二內圍繞屏蔽組件。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是提供一種電子裝置，電子裝置使用一雙頻平板陣列天線模組，其特徵在於，雙頻平板陣列天線模組包括：一絕緣承載基板、一共用導電金屬層、一共用接地金屬層、一外圍繞屏蔽結構、多個第一頻段天線結構以及多個第二頻段天線結構。共用導電金屬層設置在絕緣承載基板的內部。共用接地金屬層設置在絕緣承載基板的底端上。外圍繞屏蔽結構電性連接於共用導電金屬層與共用接地金屬層之間。每一第一頻段天線結構包括設置在絕緣承載基板上的一第一輻射體、鄰近第一輻射體的兩個第一金屬件、分別電性連接於兩個第一金屬件的兩個第一饋入件以及分別圍繞兩個第一饋入件的兩個第一內圍繞屏蔽組件。每一第二頻段天線結構包括設置在絕緣承載基板上的一第二輻射體、鄰近第二輻射體的兩個第二金屬件、分別電性連接於兩個第二金屬件的兩個第二饋入件以及分別圍繞兩個第二饋入件的兩個第二內圍繞屏蔽組件。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種電子裝置及其雙頻平板陣列天線模組，其能通過“共用導電金屬層設置在絕緣承載基板的內部”、“共用接地金屬層設置在絕緣承載基板的底端上”、“外圍繞屏蔽結構電性連接於共用導電金屬層與共用接地金屬層之間”、“每一第一頻段天線結構包括設置在絕緣承載基板上的一第一輻射體、鄰近第一輻射體的兩個第一金屬件、分別電性連接於兩個第一金屬件的兩個第一饋入件以及分別圍繞兩個第一饋入件的兩個第一內圍繞屏蔽組件”以及“每一第二頻段天線結構包括設置在絕緣承載基板上的一第二輻射體、鄰近第二輻射體的兩個第二金屬件、分別電性連接於兩個第二金屬件的兩個第二饋入件以及分別圍繞兩個第二饋入件的兩個第二內圍繞屏蔽組件”的技術方案，以提升第一頻段天線結構與第二頻段天線結構兩者之間的隔離度，進而使得雙頻平板陣列天線模組的天線模態乾淨化，並且使得雙頻平板陣列天線模組的天線特性得到提升。
為使能進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“電子裝置及其雙頻平板陣列天線模組”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以實行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，需事先聲明的是，本發明的圖式僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。
配合圖1至圖12所示，本發明提供一種雙頻平板陣列天線模組M以及一種使用雙頻平板陣列天線模組M的電子裝置P，並且雙頻平板陣列天線模組M包括一絕緣承載基板1、一共用導電金屬層2、一共用接地金屬層3、一外圍繞屏蔽結構4、多個第一頻段天線結構5以及多個第二頻段天線結構6。更進一步來說，共用導電金屬層2設置在絕緣承載基板1的內部，共用接地金屬層3設置在絕緣承載基板1的底端上，並且外圍繞屏蔽結構4電性連接於共用導電金屬層2與共用接地金屬層3之間。另外，每一第一頻段天線結構5包括設置在絕緣承載基板1上的一第一輻射體51、鄰近第一輻射體51的兩個第一金屬件52、分別電性連接於兩個第一金屬件52的兩個第一饋入件53以及分別圍繞兩個第一饋入件53的兩個第一內圍繞屏蔽組件。此外，每一第二頻段天線結構6包括設置在絕緣承載基板1上的一第二輻射體61、鄰近第二輻射體61的兩個第二金屬件62、分別電性連接於兩個第二金屬件62的兩個第二饋入件63以及分別圍繞兩個第二饋入件63的兩個第二內圍繞屏蔽組件。藉此，本發明可以透過外圍繞屏蔽結構4、多個第一內圍繞屏蔽組件以及多個第二內圍繞屏蔽組件的使用，以提升第一頻段天線結構5與第二頻段天線結構6兩者之間的隔離度(isolation)，進而使得雙頻平板陣列天線模組M的天線模態(antenna mode)乾淨化(clear)，並且使得雙頻平板陣列天線模組M的天線特性得到提升。
[第一實施例]
參閱圖1至圖9所示，本發明第一實施例提供一種雙頻平板陣列天線模組M，其包括：一絕緣承載基板1、一共用導電金屬層2、一共用接地金屬層3、一外圍繞屏蔽結構4、多個第一頻段天線結構5以及多個第二頻段天線結構6。舉例來說，雙頻平板陣列天線模組M可以應用於5G毫米波頻段（例如雙頻平板陣列天線模組M可以操作在28 GHz至39 GHz之間）。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
首先，配合圖1、圖2、圖3、圖6與圖7所示，共用導電金屬層2設置在絕緣承載基板1的內部，並且共用導電金屬層2具有多個第一貫穿開口201以及多個第二貫穿開口202。另外，共用接地金屬層3設置在絕緣承載基板1的底端上，並且外圍繞屏蔽結構4電性連接於共用導電金屬層2與共用接地金屬層3之間。舉例來說，絕緣承載基板1具有多個第一缺口1001以及多個第二缺口1002。多個第一缺口1001從絕緣承載基板1的一第一側端向內凹陷且分別對應於多個第二頻段天線結構6，並且多個第二缺口1002從絕緣承載基板1的一第二側端向內凹陷且分別對應於多個第一頻段天線結構5。另外，多個第一頻段天線結構5會靠近絕緣承載基板1的第一側端且排列成一直線，多個第二頻段天線結構6會靠近絕緣承載基板1的第二側端且排列成一直線，並且多個第一頻段天線結構5以及多個第二頻段天線結構6會交替且交錯排列（如圖2所示）。再者，外圍繞屏蔽結構4包括彼此分離且排列成一圈的多個外屏蔽連接件41，多個外屏蔽連接件41圍繞多個第一頻段天線結構5以及多個第二頻段天線結構6，並且每一外屏蔽連接件41電性連接於共用導電金屬層2以及共用接地金屬層3之間。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
此外，配合圖4、圖5、圖6與圖8所示，每一第一頻段天線結構5包括一第一輻射體51、兩個第一金屬件52（或者另外兩個第一輻射體）、兩個第一饋入件53以及兩個第一內圍繞屏蔽組件。更進一步來說，第一輻射體51設置在絕緣承載基板1上，並且兩個第一金屬件52設置在絕緣承載基板1上且鄰近第一輻射體51。另外，兩個第一饋入件53貫穿絕緣承載基板1且分別電性連接於兩個第一金屬件52，並且每一第一饋入件53設置在相對應的第一金屬件52與共用接地金屬層3之間且透過一第一絕緣環R1的隔離而與共用接地金屬層3彼此分離。此外，兩個第一內圍繞屏蔽組件設置在絕緣承載基板1的內部且分別圍繞兩個第一饋入件53，並且每一第一內圍繞屏蔽組件包括一第一環形連接件54以及多個第一內屏蔽連接件55。再者，第一環形連接件54電性連接於共用導電金屬層2且圍繞相對應的第一饋入件53，並且多個第一內屏蔽連接件55電性連接於第一環形連接件54與共用接地金屬層3之間且圍繞相對應的第一饋入件53。
再者，配合圖4、圖5、圖6與圖8所示，每一第二頻段天線結構6包括一第二輻射體61、兩個第二金屬件62（或者另外兩個第二輻射體）、兩個第二饋入件63以及兩個第二內圍繞屏蔽組件。更進一步來說，第二輻射體61設置在絕緣承載基板1上，並且兩個第二金屬件62設置在絕緣承載基板1上且鄰近第二輻射體61。另外，兩個第二饋入件63貫穿絕緣承載基板1且分別電性連接於兩個第二金屬件62，並且每一第二饋入件63設置在相對應的第二金屬件62與共用接地金屬層3之間且透過一第二絕緣環R2的隔離而與共用接地金屬層3彼此分離。此外，兩個第二內圍繞屏蔽組件設置在絕緣承載基板1的內部且分別圍繞兩個第二饋入件63，並且每一第二內圍繞屏蔽組件包括一第二環形連接件64以及多個第二內屏蔽連接件65。再者，第二環形連接件64電性連接於共用導電金屬層2且圍繞相對應的第二饋入件63，且多個第二內屏蔽連接件65電性連接於第二環形連接件64與共用接地金屬層3之間且圍繞相對應的第二饋入件63。
舉例來說，如圖6所示，每一第一頻段天線結構5的兩個第一饋入件53以及多個第一內屏蔽連接件55同時貫穿相對應的第一貫穿開口201，並且每一第二頻段天線結構6的兩個第二饋入件63以及多個第二內屏蔽連接件65同時貫穿相對應的第二貫穿開口202。另外，如圖6所示，共用導電金屬層2、第一環形連接件54以及第二環形連接件64具有相同的厚度，並且共用導電金屬層2的一上表面2000、第一環形連接件54的一上表面5400以及第二環形連接件64的一上表面6400可以彼此齊平。值得注意的是，配合圖5、圖7與圖9所示，共用導電金屬層2的輪廓（或者外形）、共用接地金屬層3的輪廓（或者外形）以及絕緣承載基板1的輪廓（或者外形）可以是相同或者相異。此外，配合圖4與圖6所示，由於第一內屏蔽連接件55以及第二內屏蔽連接件65都設置在絕緣承載基板1的內部，所以第一輻射體51相對於共用接地金屬層3的高度會大於第一內屏蔽連接件55相對於共用接地金屬層3的高度，並且第二輻射體61相對於共用接地金屬層3的高度會大於第二內屏蔽連接件65相對於共用接地金屬層3的高度。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
舉例來說，當雙頻平板陣列天線模組M使用於傳送無線訊號時，雙頻平板陣列天線模組M的工作頻率的波長為λ，並且第一頻段天線結構5的工作頻率會小於第二頻段天線結構6的工作頻率。首先，如圖5所示，絕緣承載基板1的一外圍繞表面相距第一輻射體51的距離或者相距第一金屬件52的距離可以介於λ/4與λ/2之間，並且絕緣承載基板1的外圍繞表面相距第二輻射體61的距離或者相距第二金屬件62的距離可以介於λ/4與λ/2之間。此外，配合圖5與圖7所示，第一貫穿開口201的一內表面2010相距第一輻射體51的距離或者相距第一金屬件52的距離可以介於λ/4與λ/2之間，並且第二貫穿開口202的一內表面2020相距第二輻射體61的距離或者相距第二金屬件62的距離可以介於λ/4與λ/2之間。另外，如圖7所示，第一內屏蔽連接件55相距第一饋入件53的距離可以介於λ/16與λ/8之間，並且第二內屏蔽連接件65相距第二饋入件63的距離可以介於λ/16與λ/8之間。再者，配合圖7與圖9所示，相鄰的兩個第一內屏蔽連接件55之間的距離可以介於λ/16與λ/8之間，相鄰的兩個第二內屏蔽連接件65之間的距離可以介於λ/16與λ/8之間，並且相鄰的兩個外屏蔽連接件41之間的距離可以介於λ/16與λ/8之間。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
更進一步來說，配合圖1與圖3所示，第一實施例所提供的雙頻平板陣列天線模組M進一步包括一絕緣防焊層7，並且絕緣防焊層7設置在共用接地金屬層3上。舉例來說，有多個天線焊接點（未標號）被絕緣防焊層7所裸露，每一第一饋入件53具有裸露在絕緣防焊層7外的一第一饋入部530，並且每一第二饋入件63具有裸露在絕緣防焊層7外的一第二饋入部630。然而，上述所舉的例子只是其中一可行的實施例而並非用以限定本發明。
[第二實施例]
參閱圖10與圖11所示，本發明第二實施例提供一種雙頻平板陣列天線模組M，其包括：一絕緣承載基板1、一共用導電金屬層2、一共用接地金屬層3、一外圍繞屏蔽結構4、多個第一頻段天線結構5以及多個第二頻段天線結構6。由圖10與圖1的比較，以及圖11與圖3的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例最主要的差異在於：在第二實施例中，外圍繞屏蔽結構4包括設置在絕緣承載基板1的一外圍繞表面上的一外圍繞屏蔽層42。也就是說，第二實施例是以一外圍繞屏蔽層42取代第一實施例的多個外屏蔽連接件41。另外 ，外圍繞屏蔽層42會圍繞多個第一頻段天線結構5以及多個第二頻段天線結構6，並且外圍繞屏蔽層42電性連接於共用導電金屬層2以及共用接地金屬層3之間。
[第三實施例]
參閱圖12所示，本發明第三實施例提供一種電子裝置P，電子裝置P使用一雙頻平板陣列天線模組M，並且雙頻平板陣列天線模組M可以由第一實施例或者第二實施例所提供。值得注意的是，電子裝置P也可以是一種可移動裝置。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的一種電子裝置P及其雙頻平板陣列天線模組M，其能通過“共用導電金屬層2設置在絕緣承載基板1的內部”、“共用接地金屬層3設置在絕緣承載基板1的底端上”、“外圍繞屏蔽結構4電性連接於共用導電金屬層2與共用接地金屬層3之間”、“每一第一頻段天線結構包括設置在絕緣承載基板1上的一第一輻射體51、鄰近第一輻射體51的兩個第一金屬件52、分別電性連接於兩個第一金屬件52的兩個第一饋入件53以及分別圍繞兩個第一饋入件53的兩個第一內圍繞屏蔽組件”以及“每一第二頻段天線結構6包括設置在絕緣承載基板1上的一第二輻射體61、鄰近第二輻射體61的兩個第二金屬件62、分別電性連接於兩個第二金屬件62的兩個第二饋入件63以及分別圍繞兩個第二饋入件63的兩個第二內圍繞屏蔽組件”的技術方案，以提升第一頻段天線結構5與第二頻段天線結構6兩者之間的隔離度，進而使得雙頻平板陣列天線模組M的天線模態乾淨化，並且使得雙頻平板陣列天線模組M的天線特性得到提升。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
P:電子裝置 M:雙頻平板陣列天線模組 1:絕緣承載基板 1001:第一缺口 1002:第二缺口 2:共用導電金屬層 2000:上表面 201:第一貫穿開口 2010:內表面 202:第二貫穿開口 2020:內表面 3:共用接地金屬層 4:外圍繞屏蔽結構 41:外屏蔽連接件 42:外圍繞屏蔽層 5:第一頻段天線結構 51:第一輻射體 52:第一金屬件 53:第一饋入件 530:第一饋入部 54:第一環形連接件 5400:上表面 55:第一內屏蔽連接件 6:第二頻段天線結構 61:第二輻射體 62:第二金屬件 63:第二饋入件 630:第二饋入部 64:第二環形連接件 6400:上表面 65:第二內屏蔽連接件 7:絕緣防焊層 R1:第一絕緣環 R2:第二絕緣環
圖1為本發明第一實施例的雙頻平板陣列天線模組的其中一立體示意圖。
圖2為本發明第一實施例的雙頻平板陣列天線模組的俯視示意圖。
圖3為本發明第一實施例的雙頻平板陣列天線模組的另外一立體示意圖。
圖4為本發明第一實施例的雙頻平板陣列天線模組的局部立體示意圖。
圖5為本發明第一實施例的雙頻平板陣列天線模組的局部俯視示意圖。
圖6為本發明第一實施例的雙頻平板陣列天線模組移除絕緣承載基板後的局部立體示意圖。
圖7為本發明第一實施例的雙頻平板陣列天線模組移除絕緣承載基板後的局部俯視示意圖。
圖8為本發明第一實施例的雙頻平板陣列天線模組移除絕緣承載基板與共用導電金屬層後的局部立體示意圖。
圖9為本發明第一實施例的雙頻平板陣列天線模組移除絕緣承載基板與共用導電金屬層後的局部俯視示意圖。
圖10為本發明第二實施例的雙頻平板陣列天線模組的其中一立體示意圖。
圖11為本發明第二實施例的雙頻平板陣列天線模組的另外一立體示意圖。
圖12為本發明第三實施例的電子裝置使用一雙頻平板陣列天線模組的功能方塊圖。
M:雙頻平板陣列天線模組
1:絕緣承載基板
1001:第一缺口
1002:第二缺口
2:共用導電金屬層
3:共用接地金屬層
5:第一頻段天線結構
6:第二頻段天線結構
7:絕緣防焊層

Claims (10)

  1. 一種雙頻平板陣列天線模組，其包括： 一絕緣承載基板； 一共用導電金屬層，所述共用導電金屬層設置在所述絕緣承載基板的內部，且所述共用導電金屬層具有多個第一貫穿開口以及多個第二貫穿開口； 一共用接地金屬層，所述共用接地金屬層設置在所述絕緣承載基板的底端上； 一外圍繞屏蔽結構，所述外圍繞屏蔽結構電性連接於所述共用導電金屬層與所述共用接地金屬層之間； 多個第一頻段天線結構，每一所述第一頻段天線結構包括一第一輻射體、兩個第一金屬件、兩個第一饋入件以及兩個第一內圍繞屏蔽組件，所述第一輻射體設置在所述絕緣承載基板上，兩個所述第一金屬件設置在所述絕緣承載基板上且鄰近所述第一輻射體，兩個所述第一饋入件貫穿所述絕緣承載基板且分別電性連接於兩個所述第一金屬件，且兩個所述第一內圍繞屏蔽組件設置在所述絕緣承載基板的內部且分別圍繞兩個所述第一饋入件；以及 多個第二頻段天線結構，每一所述第二頻段天線結構包括一第二輻射體、兩個第二金屬件、兩個第二饋入件以及兩個第二內圍繞屏蔽組件，所述第二輻射體設置在所述絕緣承載基板上，兩個所述第二金屬件設置在所述絕緣承載基板上且鄰近所述第二輻射體，兩個所述第二饋入件貫穿所述絕緣承載基板且分別電性連接於兩個所述第二金屬件，且兩個所述第二內圍繞屏蔽組件設置在所述絕緣承載基板的內部且分別圍繞兩個所述第二饋入件； 其中，每一所述第一饋入件設置在相對應的所述第一金屬件與所述共用接地金屬層之間且透過一第一絕緣環的隔離而與所述共用接地金屬層彼此分離，且每一所述第二饋入件設置在相對應的所述第二金屬件與所述共用接地金屬層之間且透過一第二絕緣環的隔離而與所述共用接地金屬層彼此分離； 其中，每一所述第一內圍繞屏蔽組件包括一第一環形連接件以及多個第一內屏蔽連接件，所述第一環形連接件電性連接於所述共用導電金屬層且圍繞相對應的所述第一饋入件，且多個所述第一內屏蔽連接件電性連接於所述第一環形連接件與所述共用接地金屬層之間且圍繞相對應的所述第一饋入件； 其中，每一所述第二內圍繞屏蔽組件包括一第二環形連接件以及多個第二內屏蔽連接件，所述第二環形連接件電性連接於所述共用導電金屬層且圍繞相對應的所述第二饋入件，且多個所述第二內屏蔽連接件電性連接於所述第二環形連接件與所述共用接地金屬層之間且圍繞相對應的所述第二饋入件； 其中，每一所述第一頻段天線結構的兩個所述第一饋入件以及多個所述第一內屏蔽連接件同時貫穿相對應的所述第一貫穿開口，且每一所述第二頻段天線結構的兩個所述第二饋入件以及多個所述第二內屏蔽連接件同時貫穿相對應的所述第二貫穿開口。
  2. 如請求項1所述的雙頻平板陣列天線模組，其中，所述外圍繞屏蔽結構包括彼此分離且排列成一圈的多個外屏蔽連接件，多個所述外屏蔽連接件圍繞多個所述第一頻段天線結構以及多個所述第二頻段天線結構，且每一所述外屏蔽連接件電性連接於所述共用導電金屬層以及所述共用接地金屬層之間。
  3. 如請求項1所述的雙頻平板陣列天線模組，其中，所述外圍繞屏蔽結構包括設置在所述絕緣承載基板的一外圍繞表面上的一外圍繞屏蔽層，所述外圍繞屏蔽層圍繞多個所述第一頻段天線結構以及多個所述第二頻段天線結構，且所述外圍繞屏蔽層電性連接於所述共用導電金屬層以及所述共用接地金屬層之間。
  4. 如請求項1所述的雙頻平板陣列天線模組， 其中，所述絕緣承載基板具有多個第一缺口以及多個第二缺口，多個所述第一缺口從所述絕緣承載基板的一第一側端向內凹陷且分別對應於多個所述第二頻段天線結構，且多個所述第二缺口從所述絕緣承載基板的一第二側端向內凹陷且分別對應於多個所述第一頻段天線結構； 其中，多個所述第一頻段天線結構靠近所述絕緣承載基板的所述第一側端且排列成一直線，多個所述第二頻段天線結構靠近所述絕緣承載基板的所述第二側端且排列成一直線，且多個所述第一頻段天線結構以及多個所述第二頻段天線結構交替且交錯排列； 其中，所述共用導電金屬層的輪廓與所述絕緣承載基板的輪廓相同，所述共用導電金屬層、所述第一環形連接件以及所述第二環形連接件具有相同的厚度，且所述共用導電金屬層的一上表面、所述第一環形連接件的一上表面以及所述第二環形連接件的一上表面彼此齊平； 其中，所述第一輻射體相對於所述共用接地金屬層的高度大於所述第一內屏蔽連接件相對於所述共用接地金屬層的高度，且所述第二輻射體相對於所述共用接地金屬層的高度大於所述第二內屏蔽連接件相對於所述共用接地金屬層的高度。
  5. 如請求項1所述的雙頻平板陣列天線模組，進一步包括： 一絕緣防焊層，所述絕緣防焊層設置在所述共用接地金屬層上； 其中，每一所述第一饋入件具有裸露在所述絕緣防焊層外的一第一饋入部，且每一所述第二饋入件具有裸露在所述絕緣防焊層外的一第二饋入部； 其中，所述外圍繞屏蔽結構包括彼此分離且排列成一圈的多個外屏蔽連接件，多個所述外屏蔽連接件圍繞多個所述第一頻段天線結構以及多個所述第二頻段天線結構，且每一所述外屏蔽連接件電性連接於所述共用導電金屬層以及所述共用接地金屬層之間； 其中，所述第一頻段天線結構的工作頻率小於所述第二頻段天線結構的工作頻率； 其中，當所述雙頻平板陣列天線模組使用於傳送無線訊號時，所述雙頻平板陣列天線模組的工作頻率的波長為λ； 其中，所述絕緣承載基板的一外圍繞表面相距所述第一輻射體的距離或者相距所述第一金屬件的距離介於λ/4與λ/2之間，且所述絕緣承載基板的所述外圍繞表面相距所述第二輻射體的距離或者相距所述第二金屬件的距離介於λ/4與λ/2之間； 其中，所述第一貫穿開口的一內表面相距所述第一輻射體的距離或者相距所述第一金屬件的距離介於λ/4與λ/2之間，且所述第二貫穿開口的一內表面相距所述第二輻射體的距離或者相距所述第二金屬件的距離介於λ/4與λ/2之間； 其中，所述第一內屏蔽連接件相距所述第一饋入件的距離介於λ/16與λ/8之間，且所述第二內屏蔽連接件相距所述第二饋入件的距離介於λ/16與λ/8之間； 其中，相鄰的兩個所述第一內屏蔽連接件之間的距離介於λ/16與λ/8之間，相鄰的兩個所述第二內屏蔽連接件之間的距離介於λ/16與λ/8之間，且相鄰的兩個所述外屏蔽連接件之間的距離介於λ/16與λ/8之間。
  6. 一種雙頻平板陣列天線模組，其包括： 一絕緣承載基板； 一共用導電金屬層，所述共用導電金屬層設置在所述絕緣承載基板的內部； 一共用接地金屬層，所述共用接地金屬層設置在所述絕緣承載基板的底端上； 一外圍繞屏蔽結構，所述外圍繞屏蔽結構電性連接於所述共用導電金屬層與所述共用接地金屬層之間； 多個第一頻段天線結構，每一所述第一頻段天線結構包括設置在所述絕緣承載基板上的一第一輻射體、鄰近所述第一輻射體的兩個第一金屬件、分別電性連接於兩個所述第一金屬件的兩個第一饋入件以及分別圍繞兩個所述第一饋入件的兩個第一內圍繞屏蔽組件；以及 多個第二頻段天線結構，每一所述第二頻段天線結構包括設置在所述絕緣承載基板上的一第二輻射體、鄰近所述第二輻射體的兩個第二金屬件、分別電性連接於兩個所述第二金屬件的兩個第二饋入件以及分別圍繞兩個所述第二饋入件的兩個第二內圍繞屏蔽組件。
  7. 如請求項6所述的雙頻平板陣列天線模組， 其中，每一所述第一饋入件設置在相對應的所述第一金屬件與所述共用接地金屬層之間且透過一第一絕緣環的隔離而與所述共用接地金屬層彼此分離，且每一所述第二饋入件設置在相對應的所述第二金屬件與所述共用接地金屬層之間且透過一第二絕緣環的隔離而與所述共用接地金屬層彼此分離； 其中，每一所述第一內圍繞屏蔽組件包括一第一環形連接件以及多個第一內屏蔽連接件，所述第一環形連接件電性連接於所述共用導電金屬層且圍繞相對應的所述第一饋入件，且多個所述第一內屏蔽連接件電性連接於所述第一環形連接件與所述共用接地金屬層之間且圍繞相對應的所述第一饋入件； 其中，每一所述第二內圍繞屏蔽組件包括一第二環形連接件以及多個第二內屏蔽連接件，所述第二環形連接件電性連接於所述共用導電金屬層且圍繞相對應的所述第二饋入件，且多個所述第二內屏蔽連接件電性連接於所述第二環形連接件與所述共用接地金屬層之間且圍繞相對應的所述第二饋入件。
  8. 如請求項6所述的雙頻平板陣列天線模組， 其中，所述絕緣承載基板具有多個第一缺口以及多個第二缺口，多個所述第一缺口從所述絕緣承載基板的一第一側端向內凹陷且分別對應於多個所述第二頻段天線結構，且多個所述第二缺口從所述絕緣承載基板的一第二側端向內凹陷且分別對應於多個所述第一頻段天線結構； 其中，多個所述第一頻段天線結構靠近所述絕緣承載基板的所述第一側端且排列成一直線，多個所述第二頻段天線結構靠近所述絕緣承載基板的所述第二側端且排列成一直線，且多個所述第一頻段天線結構以及多個所述第二頻段天線結構交替且交錯排列； 其中，所述共用導電金屬層的輪廓與所述絕緣承載基板的輪廓相同，所述共用導電金屬層、所述第一環形連接件以及所述第二環形連接件具有相同的厚度，且所述共用導電金屬層的一上表面、所述第一環形連接件的一上表面以及所述第二環形連接件的一上表面彼此齊平； 其中，所述第一輻射體相對於所述共用接地金屬層的高度大於所述第一內屏蔽連接件相對於所述共用接地金屬層的高度，且所述第二輻射體相對於所述共用接地金屬層的高度大於所述第二內屏蔽連接件相對於所述共用接地金屬層的高度。
  9. 一種電子裝置，所述電子裝置使用一雙頻平板陣列天線模組，其特徵在於，所述雙頻平板陣列天線模組包括： 一絕緣承載基板； 一共用導電金屬層，所述共用導電金屬層設置在所述絕緣承載基板的內部； 一共用接地金屬層，所述共用接地金屬層設置在所述絕緣承載基板的底端上； 一外圍繞屏蔽結構，所述外圍繞屏蔽結構電性連接於所述共用導電金屬層與所述共用接地金屬層之間； 多個第一頻段天線結構，每一所述第一頻段天線結構包括設置在所述絕緣承載基板上的一第一輻射體、鄰近所述第一輻射體的兩個第一金屬件、分別電性連接於兩個所述第一金屬件的兩個第一饋入件以及分別圍繞兩個所述第一饋入件的兩個第一內圍繞屏蔽組件；以及 多個第二頻段天線結構，每一所述第二頻段天線結構包括設置在所述絕緣承載基板上的一第二輻射體、鄰近所述第二輻射體的兩個第二金屬件、分別電性連接於兩個所述第二金屬件的兩個第二饋入件以及分別圍繞兩個所述第二饋入件的兩個第二內圍繞屏蔽組件。
  10. 如請求項9所述的電子裝置， 其中，每一所述第一饋入件設置在相對應的所述第一金屬件與所述共用接地金屬層之間且透過一第一絕緣環的隔離而與所述共用接地金屬層彼此分離，且每一所述第二饋入件設置在相對應的所述第二金屬件與所述共用接地金屬層之間且透過一第二絕緣環的隔離而與所述共用接地金屬層彼此分離； 其中，每一所述第一內圍繞屏蔽組件包括一第一環形連接件以及多個第一內屏蔽連接件，所述第一環形連接件電性連接於所述共用導電金屬層且圍繞相對應的所述第一饋入件，且多個所述第一內屏蔽連接件電性連接於所述第一環形連接件與所述共用接地金屬層之間且圍繞相對應的所述第一饋入件； 其中，每一所述第二內圍繞屏蔽組件包括一第二環形連接件以及多個第二內屏蔽連接件，所述第二環形連接件電性連接於所述共用導電金屬層且圍繞相對應的所述第二饋入件，且多個所述第二內屏蔽連接件電性連接於所述第二環形連接件與所述共用接地金屬層之間且圍繞相對應的所述第二饋入件； 其中，所述絕緣承載基板具有多個第一缺口以及多個第二缺口，多個所述第一缺口從所述絕緣承載基板的一第一側端向內凹陷且分別對應於多個所述第二頻段天線結構，且多個所述第二缺口從所述絕緣承載基板的一第二側端向內凹陷且分別對應於多個所述第一頻段天線結構； 其中，多個所述第一頻段天線結構靠近所述絕緣承載基板的所述第一側端且排列成一直線，多個所述第二頻段天線結構靠近所述絕緣承載基板的所述第二側端且排列成一直線，且多個所述第一頻段天線結構以及多個所述第二頻段天線結構交替且交錯排列； 其中，所述共用導電金屬層的輪廓與所述絕緣承載基板的輪廓相同，所述共用導電金屬層、所述第一環形連接件以及所述第二環形連接件具有相同的厚度，且所述共用導電金屬層的一上表面、所述第一環形連接件的一上表面以及所述第二環形連接件的一上表面彼此齊平； 其中，所述第一輻射體相對於所述共用接地金屬層的高度大於所述第一內屏蔽連接件相對於所述共用接地金屬層的高度，且所述第二輻射體相對於所述共用接地金屬層的高度大於所述第二內屏蔽連接件相對於所述共用接地金屬層的高度。
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