TW202316680A - 顯示面板之製造裝置及其製造方法 - Google Patents

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白成恩
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Abstract

本發明提供了一種顯示面板之製造裝置，其包括：一固定框架，係配置以固定設有複數個發光元件的一第一轉移膜的一外周邊；一薄膜安裝構件，該固定框架安裝在該薄膜安裝構件上；一拉伸處理構件，係配置以通過沿一正向方向壓合該第一轉移膜的一後表面來拉伸該第一轉移膜；及一轉移處理構件，係配置以將該複數個發光元件轉移到一支撐膜或一第二轉移膜上，該複數個發光元件之間的一間隔藉由該第一轉移膜的拉伸而變化。

Description

顯示面板之製造裝置及其製造方法
本揭露關於一種顯示面板的製造裝置及其製造方法。
隨著多媒體技術的發展，顯示裝置的重要性穩步地提高，響應於此，各種類型的顯示裝置已被使用，例如：有機發光顯示器(OLED)、液晶顯示器(LCD)等。
顯示裝置是用於顯示圖像的裝置，包括顯示面板，例如發光顯示面板或液晶顯示面板。其中發光顯示面板可以包括發光二極體(LED)，發光二極體可以包括使用有機材料作為螢光材料的有機發光二極體，或者使用無機材料作為螢光材料的無機發光二極體。
在製造使用無機發光二極體作為發光元件的顯示面板時，應開發一種用於在顯示面板的基板上精確地定位微型LED的製造裝置。
本揭露的多個態樣提供了一種用於製造顯示面板的裝置及其製造方法，該裝置能夠便於發光二極體的製造和排列，並且降低製造成本。
本揭露的各個態樣還提供一種用於製造顯示面板的裝置及其製造方法，該裝置能夠通過在定位發光二極體時降低或最小化缺陷率來精確地和準確地將發光二極體定位在顯示面板的基板上。
然而，本揭露的態樣不限於本文所闡述的那些。通過參考下面給出的本揭露的詳細描述，本揭露的上述和其他態樣對於本發明所屬領域中具有通常知識者將變得更加清楚。
根據本發明的一個或多個實施例，一種顯示面板之製造裝置，其包括：一固定框架，係配置以固定設有複數個發光元件的一第一轉移膜的一外周邊；一薄膜安裝構件，該固定框架安裝在該薄膜安裝構件上；一拉伸處理構件，係配置以通過沿一正向方向壓合該第一轉移膜的一後表面來拉伸該第一轉移膜；及一轉移處理構件，係配置以將該複數個發光元件轉移到一支撐膜或一第二轉移膜上，該複數個發光元件之間的一間隔藉由該第一轉移膜的拉伸而變化。
該固定框架可以包括一第一組裝框架和一第二組裝框架，該第一組裝框架和該第二組裝框架具有一圓形或多邊形開口，並且具有該開口形成在其內之一圓形或多邊形的面板或框架結構。
該第一組裝框架和該第二組裝框架可以配置為互相重疊，該第一轉移膜位於該第一組裝框架與該第二組裝框架之間，並且該第一組裝框架和該第二組裝框架可以配置為藉由該開口的一外圍框架結構而壓合和固定該第一轉移膜的一前表面和一後表面的複數個部分區域及一外周邊。
該薄膜安裝構件可以包括：一第一安裝框架，該固定框架位於該第一安裝框架上；以及一第二安裝框架，係配置以壓合及固定在該第一安裝框架上的該固定框架的一前表面和一外周邊的一部分。
該第一安裝框架可以包括界定一開口之一圓形或多邊形的面板或框架，並且該第一安裝框架可以安裝在一殼體的上方或內部，以及其中該第二安裝框架可以包括界定一開口之一圓形或多邊形的面板或框架，並且該第二安裝框架可以配置為與該第一安裝框架重疊，以使該固定框架位於該第一安裝框架與該第二安裝框架之間。
該拉伸處理構件可以包括：一盤狀或多邊形的一板狀框架；一彈性壓合件，位於該板狀框架的一前表面上；以及一轉移驅動構件，係配置以利用該彈性壓合件和該板狀框架拉伸該第一轉移膜，此拉伸是通過支撐該板狀框架的一後表面，並且使該板狀框架沿著該正向方向從該板狀框架的該後表面朝向第一轉移膜的一前表面移動。
該彈性壓合件可以包括一前表面及實質上平坦的一後表面，該前表面為具有一曲率的一凸面形狀，並且該後表面位於該板狀框架的該前表面上。
該彈性壓合件的該凸面形狀可以對應於該第一轉移膜的一尺寸或一直徑、該發光元件的一排列寬度或一排列間隔、或該第一轉移膜的一拉伸寬度中的至少一個。
該轉移處理構件可以配置為在安裝有該支撐膜或該第二轉移膜的一狀態下沿著朝向由該拉伸處理構件拉伸的該第一轉移膜的方向移動，並且該轉移處理構件可以配置為將該複數個發光元件黏附到該支撐膜或該第二轉移膜上，以及其中該複數個發光元件可以配置為在與該第一轉移膜分離的過程中轉移至該支撐膜或該第二轉移膜。
該轉移處理構件可以包括：一第一框架結合單元和一第二框架結合單元，係配置以通過壓合一光罩框架的一外周邊來固定該光罩框架的該外周邊；一薄膜結合單元，組裝到該第二框架結合單元的一後表面，以將該支撐膜或該第二轉移膜固定到該光罩框架的一後表面；以及一框架固定單元，組裝到該薄膜結合單元的一後表面，以將一壓合框架固定到該支撐膜或該第二轉移膜的一後表面。
該第一結合單元和該第二框架結合單元可以包括具有一開口的圓形或多邊形的面板或框架結構，在該光罩框架之間相互重疊，並且可以配置為壓合和固定該光罩框架的一前表面和該後表面的複數個部分區域和該外周邊。
該光罩框架可以包括：一切割線部分，對應於一第二支撐膜的一切割覆蓋區域，該切割覆蓋區域對應於該顯示面板的覆蓋該複數個發光元件的一切割區域，使得該複數個發光元件不附接於該第二支撐膜的該切割覆蓋區域；複數個透射開口，分別對應於該顯示面板的複數個發光區域或該顯示面板的除該切割區域外的複數個前表面區域；以及一阻擋部分，對應於該顯示面板的一非發光區域。
該框架固定單元可以包括具有一開口的一圓形或多邊形的面板或框架結構，該圓形或多邊形的面板或框架結構與該薄膜結合單元的該後表面重疊，以使該壓合框架位於該圓形或多邊形的面板或框架結構與該薄膜結合單元的該後表面之間，並且該圓形或多邊形的面板或框架結構可以配置為壓合及固定該壓合框架的一前表面及一後表面的複數個部分區域和一外周邊緣。
該壓合框架可以包括：一突出壓合部分，形成為使得與該光罩框架的該複數個透射開口和該顯示面板的該複數個發光區域對應的複數個區域以一直角或一彎曲形狀突出；以及一支撐框架，係配置以支撐該突出壓合部分的複數個後表面。
根據本揭露的一個或多個實施例，一種顯示面板的製造方法，其包括：製造包括複數個像素電路和複數個像素電極的一顯示基板；在一基底基板上製造複數個發光元件；將該複數個發光元件移動及轉移至一第一轉移膜；通過該固定框架固定該第一轉移膜的一外周邊；將該固定框架安裝到一薄膜安裝構件上；通過一拉伸處理構件壓合該第一轉移膜的一後表面進行第一次拉伸該第一轉移膜至一寬度；以及將藉由拉伸而改變一間隔的該複數個發光元件轉移到安裝在一轉移處理構件上的一支撐膜或一第二轉移膜上。
該製造方法可以進一步包括：將具有被轉移的該複數個發光元件的該第二轉移膜的一外周邊與該固定框架固定；將該固定框架安裝在該薄膜安裝構件上；通過該拉伸處理構件壓合該第二轉移膜的一後表面，對該第二轉移膜進行第二次拉伸；將藉由該第二轉移膜的第二次拉伸而改變其他間隔的該複數個發光元件轉移到安裝在該轉移處理構件上的該支撐膜上；以及將被轉移到該支撐膜的該複數個發光元件設置在該顯示基板的該複數個像素電極上。
將該複數個發光元件轉移到該支撐膜或安裝在該轉移處理構件上的該第二轉移膜可以進一步包括：將一光罩框架固定到該轉移處理構件的一第一框架結合單元和一第二框架結合單元；通過被組裝到該第二框架結合單元的一後表面的一薄膜結合單元來固定該支撐膜或該第二轉移膜；通過被組裝到該薄膜結合單元的一後表面的一框架固定單元來固定一壓合框架；以及移動包括該第一框架結合單元和該第二框架結合單元、該薄膜結合單元和該框架固定單元的該轉移處理構件，以使該支撐膜或該第二轉移膜與該複數個發光元件接觸。
將該光罩框架固定到該第一框架結合單元和該第二框架結合單元可以包括：將該光罩框架設置在該第一框架結合單元與該第二框架結合單元之間，該第一框架結合單元及該第二框架結合單元包括具有一開口的一圓形或多邊形的面板或框架結構；以及通過將該第一框架結合單元和該第二框架結合單元重疊使該光罩框架固定在該第一框架結合單元與該第二框架結合單元之間，固定該光罩框架的一前表面和一後表面的複數個部分區域及一外周邊。
通過該薄膜結合單元來固定該支撐膜或該第二轉移膜可以包括：將該支撐膜或該第二轉移膜設置在該第二框架結合單元與該壓合框架之間；以及通過將該薄膜結合單元與該第二框架結合單元的該後表面重疊，使該支撐膜或該第二轉移膜位於該薄膜結合單元與該第二框架結合單元的該後表面之間，從而固定該支撐膜或第二轉移膜。
將該壓合框架與被組裝到該薄膜結合單元的該後表面的該框架固定單元固定可以包括：將該壓合框架設置在該薄膜結合單元與該框架固定單元之間；以及通過將該框架固定單元與該薄膜結合單元的該後表面重疊，將該支撐膜或該第二轉移膜固定在該框架固定單元與該薄膜結合單元的該後表面之間。
根據實施例的顯示裝置的製造裝置，通過改變所製造的無機發光二極體的排列間隔，以及將無機發光二極體設置在顯示面板的基板上，可以降低無機發光二極體的製造成本。
此外，通過精確地將無機發光二極體定位在顯示面板的基板上，通過降低或最小化缺陷率，可以提高顯示面板的製造效率，並且提高可靠性。
然而，本揭露的多個態樣不限於前述多個態樣，並且各種其他態樣涵蓋在本說明書中。
通過參考實施例的詳細描述和圖式，可以更容易地理解本揭露的一些實施例的方面和實現這些方面的方法。在下文中，將參照圖式更詳細地描述實施例。然而，所描述的實施例可以具有各種修改並且可以以各種不同的形式呈現，並且不應被解釋為僅限於在此示出的實施例。相反，這些實施例僅作為範例提供，以徹底和完整地揭露，並將本揭露的各個態樣充分地傳達給本發明所屬領域中具有通常知識者，並且應當理解，本揭露涵蓋所有修改、等同物，以及在本揭露的思想和技術範圍內的替換。因此，對於本發明所屬領域中具有通常知識者來說對於完全理解本揭露的方面而言不必要的過程、元件和技術可以不描述。
除非另有說明，在整個圖式和說明書描述中，相同的元件編號、字符或其組合表示相同的元件，因此將不重複其描述。此外，為了使描述清楚，可以不顯示與實施例的描述無關或不相關的部分。
在圖式中，為了清楚起見，可能誇大了元件、層和區域的相對尺寸。此外，圖式中交叉影線和/或陰影的使用通常用於闡明相鄰元素之間的邊界。因此，除非另有說明，交叉影線或陰影的存在或不存在均不表示或指示對特定材料、材料特性、尺寸、比例、圖式元件之間的共通性和/或任何其他特性、屬性、特性等的任何偏好或要求的元件。
在此參考作為實施例和/或中間結構的示意圖的剖視圖來描述各種實施例。因此，可以預期由於例如製造技術和/或公差而導致的圖示形狀的變化。此外，本說明書中揭露的具體結構或功能描述僅僅是為了描述根據本揭露的概念的實施例的目的。因此，本說明書中揭露的實施例不應被解釋為限於特定圖示的區域形狀，而應當包括例如因製造所引起的形狀偏差。
例如：圖示為矩形的植入區域(implanted region)通常將在其邊緣具有圓形或彎曲特徵和/或植入濃度梯度，而不是從植入區域到非植入區域的二元變化。同樣地，通過植入形成的掩埋區可能導致在掩埋區和通過其發生植入的表面之間的區域中進行一些植入。
因此，圖式中所示的區域本質上是示意性的，並且其形狀不旨在說明裝置的區域的實際形狀，並且不旨在進行限制。此外，如本發明所屬領域中具有通常知識者將意識到的可以以各種不同方式修改所描述的實施例而均不背離本揭露的精神或範圍。
在詳細的描述中，出於解釋的目的，闡述了許多具體細節以提供對各種實施例的透徹理解。然而，顯而易見的，可以在沒有這些具體細節或具有一個或多個等效配置的情況下實施各種例示性實施例。在其他情況下，以方塊圖的形式示出了習知的結構和裝置，以避免對各種例示性實施例造成不必要的混淆。
空間相對術語，例如「下(beneath)」、「下(below)」、「下(lower)」、「下(under)」、「上(above)」、「上(upper)」等在本文中可以用於說明性目的，從而說明圖式中所示的一個元件與另一個元件的關係。空間相對術語旨在涵蓋除了圖式中描繪的方位以外的設備在使用、操作及/或製造中的不同方位。例如：若圖式中的設備被翻轉，則被說明為在其他元件或特徵「下方(below)」、「下方(beneath)」或「之下(under)」的元件將被定向為在其他元件或特徵「之上(above)」。因此，例示性術語「下方(below)」或「之下(under)」可以包含上方及下方兩個方位。此外，該裝置可以以其他方式定向(例如：旋轉90度或其他定向)，並且因此，本文中所使用的空間相對描述語也應做相應的解釋。同樣地，當第一部分被描述為佈置在第二部分「上(on)」時，這表示第一部分佈置在第二部分的上側或下側，而不限於其上側，基於重力方向。
此外，在本說明書中，「在平面上(on a plane)」或「平面圖(plan view)」是指從上方觀察一目標部分，「在截面上(on a cross-section)」是指觀察從側面垂直切割目標部分形成的截面。應當理解，當一個元件、層、區域或組件被稱為「形成在(formed on)」、「在…上(on)」、「連接至(connected to)」或「耦合至(coupled to)」另一個元件、層、區域或組件時，它可以直接形成在、在、連接到或耦合到其他元件、層、區域或組件，或間接形成在、在、連接到或耦合到其他元件、層、區域或組件，使得可以存在一個或多個中間元件、層、區域或組件。此外，這可以共同表示直接或間接耦合或連接以及一體式或非一體式耦合或連接。例如：當一個層、區域或組件被稱為「電連接(electrically connected to)」或「電耦合(electrically coupled to)」到另一個層、區域或組件時，它可以直接電連接或耦合到另一個層、區域或組件，並且/或組件或中間層、區域或組件可能存在。然而，「直接連接(directly connected to)/直接耦合(directly coupled to)」是指一個組件直接連接或耦合另一個組件而沒有中間組件。同時，可以類似地解釋描述組件之間的關係的其他表達，例如「在…之間(between)」、「直接在(immediately between)」或「相鄰(adjacent to)」和「直接相鄰(directly adjacent to)」。此外，也應理解，當元件或層被稱為「介於(between)」兩個元件或層之間時，它可以是兩個元件或層之間的唯一元件或層，或者一個或多個居間的元件或層也可能存在。
為了本揭露的目的，「X、Y及Z中的至少一個」和「從包含X、Y及Z的組合中選擇至少一個」可以被解釋為僅X、僅Y、僅Z，或者X、Y及Z中兩個或多個的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ及ZZ或其任何變體。
例如：「A和B中的至少一個」可以理解為表示「A、B或A和B」。如本說明書所用，用語「和/或(and/or)」包括一個或多個相關列出的項目之任意或所有組合。例如：「A和/或B」可以理解為表示「A、B或A和B」。
應當理解，儘管術語「第一(first)」、「第二(second)」、「第三(third)」等在這裡可以用來描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層和/或部分不應受這些條款的限制。這些術語用於將一個元件、組件、區域、層或部分與另一個元件、組件、區域、層或部分區分開來。因此，下文描述的第一元件、組件、區域、層或部分可以稱為第二元件、組件、區域、層或部分，而不背離本揭露的精神和範圍。將元件描述為「第一」元件可能不需要或暗示存在第二元件或其他元件。術語「第一」、「第二」等也可以在本文中用於區分不同類別或元件組。為簡潔起見，術語「第一」、「第二」等可以分別表示「第一類(或第一組)」、「第二類(或第二組)」等。
在範例中，x軸、y軸和/或z軸不限於直角坐標系的三個軸，並且可以在更廣泛的意義上進行解釋。例如：x軸、y軸和z軸可以相互垂直，或者可以表示不相互垂直的不同方向。這同樣適用於第一、第二和/或第三方向。
在此使用的術語是為了描述特定實施例的目的，並不旨在限製本發明。如本說明書中所使用，單數形式「一（a）」和「一個（an）」旨在也包括複數形式，除非上下文另有明確說明。將進一步理解，當在本說明書中使用時，術語「包含(comprises)」、「包含(comprising)」、「具有(have)」zxac「具有(having)」、「包含(includes)」及「包含(including)」指定所陳述的特徵、整體、步驟、操作、元件、組件，及/或組合存在，但不排除一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件，及/或組合的存在或添加。
當可以不同地實施一個或多個實施例時，可以以不同於所描述的順序來執行特定的處理順序。例如：兩個連續描述的過程可以基本上同時執行或以與該順序相反的順序執行。
如本文所用，術語「實質上(substantially)」、「大約(about)」、「大約(approximately)」和類似術語用作近似術語而不是程度術語，旨在說明測量或計算值的固有偏差，這些偏差將本發明所屬領域中具有通常知識者可以識別。如本文所用，「大約(about)」或「大約(approximately)」是包含性的陳述值(stated value)及由本發明所屬領域中具有通常知識者測定的在特定值偏差的可接受範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和相關的誤差測量及特定數量(即測量系統的極限)。例如：「大約」可表示為在一個或多個標準差內，或在陳述值的± 30%、20%、10%、5%內。此外，在描述本揭露的實施例時使用的「可以(may)」是指「本揭露的一個或多個實施例」。
此外，本說明書中揭露和/或引用的任何數值範圍旨在包括包含在所引用的範圍內的具有相同數值精度的所有子範圍。例如：「1.0到10.0」的範圍旨在所列舉的最小值1.0和所列舉的最大值10.0之間(及包括)的所有子範圍，即具有等於或大於1.0的最小值和最大值等於或小於10.0，例如2.4至7.6。本文所述的任何最大數值限制旨在包括其中包含的所有較低數值限制，並且本說明書中所述的任何最小數值限制旨在包括其中包含的所有較高數值限制。因此，申請人保留修改本說明書(包括請求項)以明確列舉包含在本文明確列舉的範圍內的任何子範圍的權利。所有這些範圍都旨在於本說明書中進行固有描述，以便修改以明確引用任何此類子範圍將符合專利法的要求。
可以利用任何合適的硬件、固件(例如：專用積體電路)、軟件或軟件的組合來實現根據本文所述的本揭露的實施例的電子或電氣裝置和/或任何其他相關裝置或組件、固件和硬件，用於處理數據或數位訊號。例如：這些裝置的各種組件可以形成在一個積體電路(IC)晶片上或單獨的IC晶片上。此外，這些器件的各種組件可以在柔性印刷電路膜、載帶封裝(TCP)、印刷電路板(PCB)上實現，或者形成在一個基板上。電路硬件可以包括例如專用積體電路(ASIC)、係配置以執行儲存在非暫態儲存介質中的指令的通用或專用中央處理單元(CPU)、數位訊號處理器(DSP)、圖形處理單元(GPU)和可編程邏輯裝置，例如現場可編程門陣列(FPGA)。
此外，這些裝置的各種組件可以是在一個或多個處理器上、在一個或多個計算裝置中運行、執行電腦程序指令並與其他系統組件交互以執行本文描述的各種功能的進程或線程。電腦程序指令被儲存在儲存器中，該儲存器可以在使用標準儲存器裝置(例如隨機存取儲存器(RAM))的計算裝置中實現。電腦程序指令也可以儲存在其他非暫態電腦可讀介質中，例如：CD-ROM、閃存驅動器等。此外，本發明所屬領域中具有通常知識者應該認識到，各種計算裝置的功能可以組合或集成到單個計算裝置中，或者特定計算裝置的功能可以分佈在一個或多個其他計算裝置上而不背離本發明實施例的精神和範圍。
除非另有定義，否則本文中使用的所有術語(包含技術術語和科學術語)對於本領域具有通常知識者而言，可以根據具體情况理解上述術語的具體含義。除非在本文中另有明確定義，否則所有術語應如同在常用詞典中的定義，且依照相關領域中該術語的含義進行一致的解釋，並且不應理想化或過於正式的解釋。
第1圖係根據一個或多個實施例的顯示裝置的平面圖。
請參照第1圖，根據一個或多個實施例的顯示裝置10可以應用於智慧型手機、手機、平板PC、個人數位助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(PMP)、電視機、遊戲機、手錶式電子裝置、頭戴式顯示器、個人電腦顯示器、膝上型電腦、汽車導航系統、汽車儀表板、數碼相機、攝影機、外接廣告牌、電子廣告牌、醫療裝置、檢測裝置、冰箱、洗衣機等各種家用電器或物聯網裝置。在此，以電視機(TV)作為顯示裝置的一個範例進行說明，TV可以具有HD、UHD、4K、8K等高分辨率或超高分辨率。
此外，根據一個或多個實施例的顯示裝置10可以根據顯示方法分為各種類型。顯示裝置的範例可以包括有機發光顯示(OLED)裝置、無機發光顯示(inorganic EL)裝置、量子點發光顯示(QED)裝置、微型發光二極體(micro-LED)顯示裝置、nano-LED顯示裝置、電漿顯示裝置(PDP)、場發射顯示(FED)裝置和陰極射線管(CRT)顯示裝置、液晶顯示(LCD)裝置、電泳顯示(EPD)裝置等。在下文中，將Micro-LED顯示裝置作為顯示裝置的範例進行描述，並且將應用於所公開的實施例的Micro-LED顯示裝置簡稱為顯示裝置，除非需要特別區分。然而，本發明不限於微型LED顯示裝置，在相同技術精神的範圍內可以應用上述或本領域已知的其他顯示裝置。
此外，在圖式中，第一方向DR1表示顯示裝置10的水平方向，第二方向DR2表示顯示裝置10的垂直方向，第三方向DR3表示顯示裝置10的厚度方向。在這種情況下，「左」、「右」、「上」和「下」表示當從上方觀看顯示裝置10時的方向。例如：「右側」表示第一方向DR1的一側，「左側」表示第一方向DR1的另一側，「上側」表示第二方向DR2的一側，「下側」表示第二方向DR2的另一側。此外，「上方」表示第三方向DR3的一側，「下方」表示第三方向DR3的另一側。
根據一個或多個實施例的顯示裝置10在平面圖中可以具有圓形、橢圓形或正方形，例如：正四邊形。此外，當顯示裝置10是電視機時，其可以為具有長邊位於水平方向的矩形形狀。然而，本揭露不限於此，顯示裝置10的長邊可以沿著垂直方向延伸。或者，顯示裝置10可以安裝成可旋轉的，使得其長邊可變地定位，以在水平或垂直方向上延伸。
顯示裝置10可以包括顯示區域DPA和非顯示區域NDA，顯示區域DPA可以是顯示圖像的主動區域。顯示區域DPA在平面圖中可以具有類似於顯示裝置10的整體形狀的正方形形狀，但不限於此，並且可以具有圓形的形狀或橢圓形的形狀。
顯示區域DPA可以包括多個像素PX，多個像素PX可以排列成矩陣，每個像素PX的形狀在平面圖中可以是矩形或正方形。然而，不限於此，每個像素PX可以具有菱形的形狀，每邊皆相對於顯示裝置10的一側方向傾斜。像素PX可以包括多個顏色像素PX，例如：像素PX可以包括紅色的第一顏色像素PX、綠色的第二顏色像素PX和藍色的第三顏色像素PX，但本揭露不限於此。顏色像素PX可以以條紋型或RGBG型(例如：PENTILETM矩陣結構、PENTILETM結構或RGBG結構，PENTILETM是韓國三星顯示器有限公司的註冊商標)交替排列)。
非顯示區域NDA可以位於顯示區域DPA周圍，非顯示區域NDA可以完全或部分地圍繞顯示區域DPA。顯示區域DPA可以具有各種形狀，例如：圓形或方形。非顯示區域NDA可以形成為包圍顯示區域DPA的外圍，非顯示區域NDA可以配置為顯示裝置10的邊框。
在非顯示區域NDA中，可以設置用於驅動顯示區域DPA的驅動電路或驅動元件。在一個或多個實施例中，在與顯示裝置10的第一側(第1圖中的下側)相鄰的非顯示區域NDA中，可以在顯示裝置10的顯示基板上設置焊墊部，並且外部裝置EXD可以安裝在焊墊部的焊墊電極上。外部裝置EXD可以包括例如：連接薄膜、印刷電路板、驅動集成電路(DIC)、連接器、電線連接薄膜等。直接形成在顯示裝置10的顯示基板上的掃描驅動器SDR可以設置在與顯示裝置10的第二側(第1圖中的左側)相鄰的非顯示區域NDA中。
第2圖係示意性示出根據一個或多個實施例的每個像素的發光區域的平面圖。
請參照第2圖，多個像素PX可以排列成矩陣方向，並且多個像素PX可以被劃分為紅色的第一顏色像素PX、綠色的第二顏色像素PX和第三顏色像素藍色的PX。此外，還可以包括白色的第四顏色像素PX。
第一顏色像素PX的像素電極可以位於第一發光區域EA1中，但其至少一部分可以延伸到非發光區域NEA。第二顏色像素PX的像素電極可以位於第二發光區域EA2中，但其至少一部分可以延伸到非發光區域NEA，第三顏色像素PX的像素電極可以位於第三發光區域EA3中，但其至少一部分可以延伸到非發光區域NEA，每個像素PX的像素電極可以穿過至少一層絕緣層，以連接到每個像素電路中包括的任何一個開關元件。
多個發光元件LE分別位於第一發光區域EA1的像素電極、第二發光區域EA2的像素電極和第三發光區域EA3的像素電極上，即各個發光元件LE位於第一發光區域EA1、第二發光區域EA2和第三發光區域EA3的每一個中。此外，紅色的第一彩色濾光片、綠色的第二彩色濾光片和藍色的第三彩色濾光片可以位於第一發光區域EA1、第二發光區域EA2和第三發射區上。多個發光元件LE分別位於其中的區域EA3。第一有機層FOL可以位於非發射區NEA中。
第3圖係示意性示出根據一個或多個其他實施例的每個像素的發光區域的平面圖。
請參照第3圖，每個像素PX的形狀不限於平面圖中的矩形或正方形，並且像素PX的每條邊可以具有相對於顯示裝置10的一側方向傾斜的菱形以形成一PENTILETM結構。因此，在PENTILETM結構的每個像素PX中，第一顏色像素PX的第一發光區域EA1、第二顏色像素PX的第二發光區域EA2、第三顏色像素PX的第三發光區域EA3和第一至第三顏色中的任何一種顏色的像素PX的第四發光區域EA4皆可以形成為菱形。
每個像素PX的第一到第四發光區域EA1到EA4在尺寸或平面區域上可以相同或不同。同樣地，形成在第一至第四發光區域EA1至EA4的每一個中的發光元件LE的數量可以相同或不同。
第一發光區域EA1的面積、第二發光區域EA2的面積、第三發光區域EA3的面積和第四發光區域EA4的面積可以實質上相同，但不限於此，可以是彼此不同。相鄰的第一發光區域EA1和第二發光區域EA2之間的距離、相鄰的第二發光區域EA2和第三發光區域EA3之間的距離、相鄰的第一發光區域EA1和第三發光區域EA3之間的距離、相鄰的第三發光區域EA3和第四發光區域EA4之間的距離可以實質上相同，也可以有一個或多個的不同。.
此外，第一發光區域EA1可以發出第一光線，第二發光區域EA2可以發出第二光線，第三發光區域EA3和第四發光區域EA4可以發出第三光線，但本說明書不以此為限對此。例如：第一發光區域EA1可以發出第二光線，第二發光區域EA2可以發出第一光線，第三和第四發光區域EA3和EA4可以發出第三光線。或者，第一發光區域EA1可以發出第三光線，第二發光區域EA2可以發出第二光線，第三和第四發光區域EA3和EA4可以發出第一光線。或者，第一至第四發光區域EA1至EA4中的至少一個發光區域可以發射第四光線，第四光線可以是黃色波長頻帶(wavelength band)的光，即第四光線的主峰波長可以位於約550nm至約600nm，但本說明書不限於此。
第4圖係根據一個或多個實施例的用於每個像素的各個像素的等效電路圖。
請參照第4圖，每個像素PX可以包括用於發光元件LE的發光的三個電晶體DTR、STR1和STR2，以及用於儲存的一個電容器CST。驅動電晶體DTR根據閘極和源極之間的電壓差調整從被施加至第一電源電壓的第一電源線ELVDL流到任何一個發光元件LE的電流，驅動電晶體DTR的閘極可以連接到第一電晶體STR1的第一電極，其源極可以連接到任何一個發光元件LE的第一電極，並且其汲極可以連接到施加第一電源電壓的第一電源線ELVDL。
第一電晶體STR1由掃描線SCL的掃描訊號導通，以將數據線DTL連接到驅動電晶體DTR的閘極，第一電晶體STR1的閘極可以連接到掃描線SCL，其第一電極可以連接到驅動電晶體DTR的閘極，並且其第二電極可以連接到數據線DTL。
第二電晶體STR2由感測訊號線SSL的感測訊號導通，以將初始電壓線VIL連接到驅動電晶體DTR的源極，第二電晶體STR2的閘極可以連接到感測訊號線SSL，其第一電極可以連接到初始電壓線VIL，並且其第二電極可以連接到驅動電晶體DTR的源極。
在一個或多個實施例中，第一電晶體STR1和第二電晶體STR2中的每一個的第一電極可以是源極，並且其第二電極可以是汲極，但是本揭露不限於此，並且可以反之亦然。
電容器CST形成在驅動電晶體DTR的閘極和源極之間，儲存電容器CST儲存驅動電晶體DTR的閘極電壓和源極電壓之間的電壓差。
驅動電晶體DTR、第一電晶體STR1和第二電晶體STR2可以形成為薄膜電晶體。此外，在第4圖的描述中，假設驅動電晶體DTR、第一開關電晶體STR1和第二開關電晶體STR2為N型金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，但本發明不限於此。換言之，驅動電晶體DTR、第一開關電晶體STR1和第二開關電晶體STR2可以是P型MOSFET，或者驅動電晶體DTR、第一開關電晶體STR1和第二開關電晶體STR2中的一些可以是N型MOSFET，而其他可能是P型MOSFET。
第5圖係根據一個或多個其他實施例的每個像素的等效電路圖。
請參照第5圖，每個像素PX可以包括用於發光元件LE的發射光線的七個電晶體DTR、STR1、STR2、STR3、STR4、STR5和STR6，以及用於儲存的兩個電容器CST和Cel，包含了驅動電晶體DTR、開關元件以及電容器CST和Cel，開關元件可以包括第一至第六電晶體STR1、STR2、STR3、STR4、STR5和STR6。
驅動電晶體DTR包括閘極、第一電極和第二電極。驅動電晶體DTR根據施加到閘極的數據電壓控制在第一電極和第二電極之間流動的汲源電流(下文稱為「驅動電流」)。
電容器CST形成在驅動電晶體DTR的第二電極和第一電源線ELVDL之間，電容器CST的一個電極可以連接到驅動電晶體DTR的第二電極，並且其另一個電極可以連接到第一電源線ELVDL。
當每個驅動電晶體DTR的第一電極和第一至第六電晶體STR1至STR6為源極，其第二電極可以為汲極。或者，當驅動電晶體DTR和第一至第六電晶體STR1至STR6中的每一個的第一電極是汲極時，其第二電極可以是源極。
驅動電晶體DTR、第二電晶體STR2、第四電晶體STR4、第五電晶體STR5和第六電晶體STR6可以配置為P型金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，並且第一電晶體STR1和第三電晶體STR6可以配置為N型MOSFET。或者，第一至第六電晶體STR1、STR2、STR3、STR4、STR5、STR6和驅動電晶體DTR可以由P型金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)形成。
應當注意，根據上述描述中的像素的等效電路圖不限於第4圖和第5圖中示出的那些。除了第4圖和第5圖所示的實施例之外，根據本說明書的像素的等效電路圖可以形成為本發明所屬領域中具有通常知識者可以採用的其他已知電路結構。
第6圖係示意性地示出了根據一個或多個實施例的第2圖的A-A'截面的剖視圖。此外，第7圖係示意性地示出了第6圖的第一發光區域的放大圖，第8圖係說明第7圖的發光元件的剖視圖。
請參照第6圖至第8圖，顯示裝置10的顯示面板可以包括顯示基板100和位於顯示基板100上的波長轉換構件200。
阻擋層BR可以位於顯示基板100的第一基板110上。第一基板110可以由例如聚合物樹脂的絕緣材料形成。例如：第一基板110可以由聚醯亞胺形成，第一基板110可以是可彎曲、折疊或捲曲的柔性基板。
阻擋層BR是用於保護薄膜電晶體T1、T2和T3以及發光元件單元LEP免受濕氣滲透通過第一基板110的層，其可能相對容易受到濕氣滲透的影響。阻擋層BR可以形成為交替堆疊的多個無機層。例如：阻擋層BR可以由多層形成，其中氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層和氧化鋁層中的一個或多個無機層交替堆疊。
薄膜電晶體T1、T2和T3中的每一個可以位於阻擋層BR上，每個薄膜電晶體T1、T2和T3包括主動層ACT1/ACT2/ACT3、閘極G1/G2/G3、源極S1/S2/S3和汲極D1/D2/D3。
薄膜電晶體T1、T2和T3的主動層、源極和汲極可以位於阻擋層BR上。薄膜電晶體T1、T2、T3的主動層包括多晶矽、單晶矽、低溫多晶矽、非晶矽或氧化物半導體。請參照第一薄膜電晶體T1，在作為第一基板110的厚度方向的第三方向(Z軸方向)上與閘極G1重疊的主動層ACT1可以被定義為通道區，在第三方向(Z軸方向)上不與閘極G1重疊的源極S1和汲極D1可以通過以離子或雜質摻雜矽半導體或氧化物半導體而具有導電性。
閘極絕緣層130可以位於薄膜電晶體T1、T2和T3的主動層、源極和汲極上，閘極絕緣層130可以由無機層形成，例如：氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層。
薄膜電晶體T1、T2和T3的閘極可以佈置在閘極絕緣層130上，閘極可以在第三方向(Z軸方向)上與主動層重疊，閘極可以形成為由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或其合金中的任何一個所製成的單層或多層。
第一層間絕緣層141可以位於薄膜電晶體T1、T2和T3的閘極上。第一層間絕緣層141可以由無機層形成，例如：氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層。第一層間絕緣層141可以形成為多個無機層。
電容電極CAE可以位於第一層間絕緣層141上，電容電極CAE可以在第三方向(Z軸方向)上與薄膜電晶體T1、T2和T3的閘極G1重疊。由於第一層間絕緣層141具有介電常數(例如：預定介電常數)，因此，電容電極CAE、對應的閘極和位於它們之間的第一層間絕緣層141可以形成電容器，電容電極CAE可以形成為由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)或其合金中的任何一種所製成的單層或多層。
第二層間絕緣層142可以位於電容電極CAE上，第二層間絕緣層142可以由無機層形成，例如：氮化矽層、氮氧化矽層、氧化矽層、氧化鈦層或氧化鋁層，第二層間絕緣層142可以由多個無機層形成。
第一陽極連接電極ADNE1(例如：多個第一陽極連接電極)可以位於第二層間絕緣層142上，對應的第一陽極連接電極ADNE1可以通過第一連接接觸孔ANCT1穿過閘極絕緣層130、第一層間絕緣層141和第二層間絕緣層142而連接到對應的薄膜電晶體的對應的汲極。第一陽極連接電極ADNE1可以形成為單層或由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)和/或其合金中任何一種所製成的多層。
用於平坦化由薄膜電晶體T1、T2和T3所形成的台階部分(stepped portion)的第一平坦化層160可以位於第一陽極連接電極ADNE1上，第一平坦化層160可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等有機層形成。
第二陽極連接電極ADNE2(例如：多個第二陽極連接電極)可以位於第一平坦化層160上，對應的第二陽極連接電極ADNE2可以通過對應的第二連接接觸孔ANCT2穿過第一平坦化層160而連接到對應的第一陽極連接電極ADNE1。第二陽極連接電極ADNE2可以形成為單層或者形成為由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)和銅(Cu)和/或其合金中任何一種所製成的多層。
第二平坦化層180可以位於第二陽極連接電極ADNE2上，第二平坦化層180可以由例如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂等有機層形成。
發光元件單元LEP可以形成在第二平坦化層180上，發光元件單元LEP可以包括多個像素電極PE1、PE2和PE3、多個發光元件LE和共同電極CE。
多個像素電極PE1、PE2和PE3可以包括第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3。第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3可以用作發光元件LE的第一電極，並且可以是陽極或陰極。第一像素電極PE1可以位於第一發光區域EA1中，但其至少一部分可以延伸到非發射區NEA。第二像素電極PE2可以位於第二發光區域EA2中，但其至少一部分可以延伸到非發光區域NEA。第三像素電極PE3可以位於第三發光區域EA3中，但其至少一部分可以延伸到非發光區域NEA。第一像素電極PE1可以穿過閘極絕緣層130以連接到第一開關元件T1，第二像素電極PE2可以穿過閘極絕緣層130以連接到第二開關元件T2，以及第三像素電極PE3可以穿過閘極絕緣層130以連接到第三開關元件T3。
第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3可以是反射電極。第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3可以由鈦(Ti)、銅(Cu)和/或由鈦(Ti)和/或銅(Cu)形成的合金材料。此外，第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3可以具有鈦(Ti)和銅(Cu)的堆疊結構。此外，第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3可以具有通過堆疊具有高功函數的材料層形成的堆疊結構，例如：氧化鈦(TiO 2)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅(ITZO)或氧化鎂(MgO)，以及反射材料層，例如：銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鉛(Pb)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、銅(Cu)或其混合物。具有高功函數的材料層可以位於反射材料層上方，並且可以位於更靠近發光元件LE的位置。第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3可以具有ITO/Mg、ITO/MgF、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO的多層結構，但不限於此。
堤部(bank)BNL可以位於第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3上。堤部BNL可以包括暴露第一像素電極PE1的開口、暴露第二像素電極PE2的開口和暴露第三像素電極PE3的開口，並且可以界定第一發光區域EA1、第二發光區域EA2、第三發射區域EA3和非發光區域NEA。換言之，第一像素電極PE1的未被堤部BNL覆蓋且被暴露的區域可以是第一發光區域EA1。第二像素電極PE2的未被堤部BNL覆蓋且被暴露的區域可以是第二發光區域EA2。第三像素電極PE3的未被堤部BNL覆蓋且被暴露的區域可以是第三發光區域EA3。此外，堤部BNL所在的區域可以是非發光區域NEA。
堤部BNL可以包括無機絕緣材料，例如：丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯樹脂、聚苯硫醚樹脂、苯並環丁烯(BCB)等。
在一個或多個實施例中，堤部BNL可以與彩色濾光片CF1、CF2和CF3以及波長轉換構件200的遮光構件BK重疊，這將在後面進行描述。在一個或多個實施例中，堤部BNL可以與遮光構件BK完全重疊。此外，堤部BNL可以與第一彩色濾光片CF1、第二彩色濾光片CF2和第三彩色濾光片CF3重疊。
多個發光元件LE可以位於第一像素電極PE1、第二像素電極PE2和第三像素電極PE3上。
如第7圖和第8圖所示，一個或多個相應的發光元件LE可以位於第一發光區域EA1、第二發光區域EA2和第三發光區域EA3的每一個中。發光元件LE可以是在第三方向DR3上延伸的垂直發光二極體元件，即發光元件LE在第三方向DR3上的長度可以長於其在水平方向上的長度或寬度，在水平方向上的長度或寬度表示第一方向DR1的長度或第二方向DR2的長度。例如：發光元件LE在第三方向DR3上的長度可以是大約1μm至大約5μm。
發光元件LE可以是微型發光二極體元件(micro light emitting diode element)，發光元件LE在顯示基板100的厚度方向(即第三方向DR3)上可以包括連接電極125、第一半導體層SEM1、電子阻擋層EBL、主動層MQW、超晶格層SLT、第二半導體層SEM2和第三半導體層SEM3。連接電極125、第一半導體層SEM1、電子阻擋層EBL、主動層MQW、超晶格層SLT、第二半導體層SEM2和第三半導體層SEM3可以在第三方向DR3上依次堆疊。
在一些實施例中，發光元件LE可以具有寬度比高度長的圓柱形、圓盤形或棒形。然而，本發明不限於此，發光元件LE可以具有各種形狀，例如棒狀、線狀、管狀、多棱柱狀，例如：正立方體、長方體和長方體、六角棱柱，或沿一個方向延伸並具有部分傾斜的外表面的形狀。
相應的連接電極125可以位於每個多個像素電極PE1、PE2和PE3。以下，以位於第一像素電極PE1上的發光元件LE為範例進行說明。
連接電極125可以通過黏附到第一像素電極PE1而用於將發射訊號施加到發光元件LE。連接電極125可以是歐姆連接電極(ohmic connection electrode)。然而，本發明不限於此，其可以是肖特基連接電極(Schottky connection electrode)。發光元件LE可以包括至少一個連接電極125。第7圖和第8圖示出了發光元件LE包括一個連接電極125，但不限於此。在一些情況下，發光元件LE可以包括更多數量的連接電極125，或者可以省略連接電極125。即使連接電極125的數量不同，也可以同樣應用發光元件LE的以下描述或者進一步包括其他結構。
當發光元件LE電連接到根據一個或多個實施例的顯示裝置10中的第一像素電極PE1時，連接電極125可以降低電阻並且可以提高發光元件LE和第一像素電極PE1之間的黏附性(adhesion)。連接電極125可以包括導電金屬氧化物。例如：連接電極125可以是ITO。由於連接電極125直接接觸且連接到下方的第一像素電極PE1，因此，連接電極125可以由與第一像素電極PE1相同的材料製成。此外，連接電極125可以選擇性地進一步包括由例如鋁(Al)的具有高反射率的金屬材料製成的反射電極或包括鎳(Ni)的擴散阻擋層(diffusion barrier layer)。因此，可以提高連接電極125和第一像素電極PE1之間的黏附性，從而可以提高接觸特性。
請參照第8圖，在一個或多個實施例中，第一像素電極PE1可以包括下電極層P1、反射層P2和上電極層P3。下電極層P1可以位於第一像素電極PE1的最下方，並且可以與開關元件電性連接。下電極層P1可以包括金屬氧化物，並且可以包括例如氧化鈦(TiO 2)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅(ITZO))、氧化鎂(MgO)等。
反射層P2可以位於下電極層P1上，以將由發光元件LE發射的光向上反射。反射層P2可以包括具有高反射率的金屬，例如可以包括銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鉛(Pd)、金(Au)、鎳。(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)或其混合物。
上電極層P3可以位於反射層P2上，並且可以直接與發光元件LE接觸。上電極層P3可以位於反射層P2和發光元件LE的連接電極125之間，並且可以與連接電極125直接接觸。如上所述，連接電極125由金屬製成氧化物，並且上電極層P3也可以由金屬氧化物以與連接電極125相同的方式製成。
上電極層P3可以由鈦(Ti)、銅(Cu)或鈦(Ti)和銅(Cu)的合金材料形成。此外，其可以具有鈦(Ti)和銅(Cu)的疊層結構。此外，上電極層P3可以包括氧化鈦(TiO 2)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦錫鋅(ITZO)或氧化鎂(MgO)。在一個或多個實施例中，當連接電極125由ITO製成時，第一像素電極PE1可以具有ITO/Ag/ITO的多層結構。
第一半導體層SEM1可以位於連接電極125上，第一半導體層SEM1可以是p型半導體，並且可以包括具有化學式Al xGa yIn 1-x-yN (0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如：其可以是p型摻雜的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一個或多個。第一半導體層SEM1可以摻雜有p型摻雜劑，p型摻雜劑可以是Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。例如：第一半導體層SEM1可以是摻雜有p型Mg的p-GaN，第一半導體層SEM1的厚度可以在約30nm至約200nm的範圍內，但不限於此。
電子阻擋層EBL可以位於第一半導體層SEM1上，電子阻擋層EBL可以是用於抑制或防止過多電子流入主動層MQW的層。例如：電子阻擋層EBL可以是摻雜有p型Mg的p-AlGaN。電子阻擋層EBL的厚度可以在約10nm至約50nm的範圍內，但本揭露不限於此。此外，可以省略電子阻擋層EBL。
主動層MQW可以位於電子阻擋層EBL上，主動層MQW可以根據通過第一半導體層SEM1和第二半導體層SEM2施加的電訊號通過電子電洞對的耦合來發光。
主動層MQW可以包括具有單或多量子阱(quantum well)結構的材料，當主動層MQW包含具有多量子阱結構的材料時，主動層MQW可以具有多個阱層和阻擋層交替層疊的結構。此時，阱層(well layer)可由InGaN形成，阻擋層可由GaN或AlGaN形成，但本發明不限於此。阱層的厚度可為約1nm至約4nm，阻擋層的厚度可為約3nm至約10nm。
或者，主動層MQW可以具有其中具有大能隙能量(band gap energy)的半導體材料和具有小能隙能量的半導體材料交替堆疊的結構，並且可以根據所發出的光的波長頻帶(wavelength band)而包括其他III至V族半導體材料。主動層MQW所發出的光不限於第一光線，在一些情況下，可以發出第二光線(綠色波長頻帶的光)或第三光線(紅色波長頻帶的光)。
例如：從主動層MQW發出的光的顏色可以根據銦(In)的含量而變化。例如：隨著銦(In)含量的減少，主動層發出的光的波長頻帶可能會移動到紅色波長頻帶，而隨著銦(In)含量的增加，發出的光的波長頻帶會移動到藍色波長頻帶。作為一個範例，當銦(In)的含量小於約15％時，主動層MQW可以發射具有在約600nm至約750nm範圍內的主峰波長(main peak wavelength)的紅色波長頻帶中的第一光線。或者，作為一個範例，當銦(In)的含量為約25％時，主動層MQW可以發射具有在約480nm至約560nm範圍內的主峰波長的綠色波長頻帶中的第二光線。此外，當銦(In)的含量為約35％或以上時，主動層MQW可以發射具有在約370nm至約460nm的範圍內的主峰波長的藍色波長頻帶中的第三光線。將參照第6圖描述主動層MQW發射具有大約370nm至大約460nm的主峰波長的藍色波長頻帶中的光的範例。
超晶格層SLT可以位於主動層MQW上，超晶格層SLT可以是用於減輕第二半導體層SEM2和主動層MQW之間的應力(relieving stress)的層，例如：超晶格層SLT可以由InGaN或GaN形成，超晶格層SLT的厚度可為約50nm至約200nm。超晶格層SLT可以被省略。
第二半導體層SEM2可以位於超晶格層SLT上。第二半導體層SEM2可以是n型半導體。第二半導體層SEM2可以包括具有化學式Al xGa yIn 1-x-yN (0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導體材料。例如：其可以是n型摻雜的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一個或多個。第二半導體層SEM2可以摻雜有n型摻雜劑，n型摻雜劑可以是Si、Ge、Sn等。例如：第二半導體層SEM2可以是摻雜有n型Si的n-GaN。第二半導體層SEM2的厚度可以在約2μm至約4μm的範圍內，但本揭露不限於此。
第三半導體層SEM3可以位於第二半導體層SEM2上，第三半導體層SEM3可以位於第二半導體層SEM2和共同電極CE之間，第三半導體層SEM3可以是未摻雜的半導體。第三半導體層SEM3可以包含與第二半導體層SEM2相同的材料，並且可以包含未摻雜有n型或p型摻雜劑的材料。在一個或多個實施例中，第三共半導體層SEM3可以是但不限於未摻雜的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN或InN中的至少一個。
平坦化層PLL可以位於堤部BNL上(例如：上方)多個像素電極PE1、PE2、PE3。平坦化層PLL可以平坦化下方的台階(lower step)，從而可以形成以下將描述的共同電極CE。平坦化層PLL可以形成為具有一定高度(例如：預定高度)，使得多個發光元件LE的至少一部分(例如：上部)可以突出到平坦化層PLL上方。換言之，平坦化層PLL相對於第一像素電極PE1的頂表面的高度可以小於或低於發光元件LE的高度。
平坦化層PLL可以包括用於平坦化下台階的有機材料，例如：平坦化層PLL可以包括丙烯酸樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯樹脂、聚苯硫醚樹脂、苯並環丁烯(BCB)等。
共同電極CE可以位於平坦化層PLL和多個發光元件LE上，例如：共同電極CE可以位於其上形成有發光元件LE的第一基板110的一個表面上，並且可以完全位於顯示區域DA和非顯示區域NDA中。共同電極CE與顯示區域DA中的每個發光區域EA1、EA2和EA3重疊，並且可以相對地較薄，以允許發光。
共同電極CE可以直接位於多個發光元件LE的頂表面和側表面上，共同電極CE可以與發光元件LE的側面之中的第二半導體層SEM2和第三半導體層SEM3直接接觸。如第6圖所示，共同電極CE可以是覆蓋多個發光元件LE並共同連接多個發光元件LE的公共層。由於具有導電性的第二半導體層SEM2在每個發光元件LE中皆具有圖案化結構，因此共同電極CE可以與每個發光元件LE的第二半導體層SEM2的側面直接接觸，使得可以將共同電壓施加到每個發光元件LE。
由於共同電極CE完全地設置在第一基板110上，並且由於施加了共同電壓，因此，共同電極CE可以適合地包括具有低電阻的材料。此外，共同電極CE可以形成得較薄，以允許光通過。例如：共同電極CE可以包括具有低電阻的材料，例如：鋁(Al)、銀(Ag)、銅(Cu)等。共同電極CE的厚度可以為約10埃(Å)至約200埃，但不限於此。
可以通過連接電極125從像素電極向上述發光元件LE提供像素電壓或陽極電壓，並且可以通過共同電極CE向上述發光元件LE提供共同電壓(common voltage)。發光元件LE可以根據像素電壓和共同電壓之間的電壓差來發射具有亮度(例如：預定亮度)的光。
在一些實施例中，通過將多個發光元件LE(例如：無機發光二極體)定位在像素電極PE1、PE2和PE3上，可以避免有機發光二極體容易受到外部濕氣或氧氣影響的缺點，並且可以提高使用壽命和可靠性。
第一有機層FOL可以位於非發射區NEA中的堤部BNL上。
第一有機層FOL可以與非發光區域NEA重疊，並且可以不與發光區域EA1、EA2和EA3重疊，第一有機層FOL可以直接位於堤部BNL上，並且可以與多個相鄰的像素電極PE1、PE2和PE3間隔開。第一有機層FOL可以完全位於第一基板110上(例如：通常可以位於整個第一基板110之上)，並且可以圍繞多個發光區域EA1、EA2和EA3，第一有機層FOL可以完全是晶格形狀(lattice shaped)。
第一有機層FOL可以用於使最初與第一有機層FOL接觸的多個發光元件LE能夠適當地分離，第一有機層FOL是非發光區域NEA，如同以下將描述的製造方法中描述一樣。例如：當照射雷射光時，第一有機層FOL吸收能量並迅速(例如：瞬間)升高其溫度以被燒蝕。因此，與第一有機層FOL的頂表面接觸的多個發光元件LE可以從第一有機層FOL的頂表面分離。
第一有機層FOL可以包括基於聚醯亞胺的化合物，第一有機層FOL的基於聚醯亞胺的化合物可以包括氰基，以吸收具有約308nm波長的光，例如：雷射。在一個或多個實施例中，第一有機層FOL和堤部BNL中的每一個可以包括基於聚醯亞胺的化合物，但是可以包括不同的基於聚醯亞胺的化合物。例如：堤部BNL可以由不具有氰基的基於聚醯亞胺的化合物所形成，並且第一有機層FOL可以由具有氰基的基於聚醯亞胺的化合物所形成。對於波長約為308nm的雷射，第一有機層FOL的透射率可以小於堤部BNL的透射率，堤部BNL的透射率約為60％或更高，第一有機層FOL的透射率層FOL接近0%。此外，第一有機層FOL對具有約308nm波長的雷射的吸收率可以幾乎為100％。第一有機層FOL的厚度可以在約2埃至約10μm的範圍內。當第一有機層FOL的厚度為約2或以上時，可以提高具有約308nm波長的雷射的吸收率。當第一有機層FOL的厚度為大約10μm或以下時，可以防止第一有機層FOL和像素電極PE1之間的高度差發生不期望的增加，從而可以輕易地在以下描述的過程中將發光元件LE黏附到像素電極上。
波長轉換構件200可以位於發光元件單元LEP上。波長轉換構件200可以包括分隔壁部PW、波長轉換層QDL、彩色濾光片CF1、CF2和CF3、遮光構件BK和鈍化層PTL。
分隔壁部PW可以位於顯示區域DPA的共同電極CE上，並且可以與堤部BNL一起分隔多個發光區域EA1、EA2和EA2，分隔壁部PW可以沿著第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，並且可以在整個顯示區域DA中形成為晶格形狀的圖案(lattice shape pattern)。此外，分隔壁部PW可以不與多個發光區域EA1、EA2和EA3重疊，並且可以與非發光區域NEA重疊。
分隔壁部PW可以包括暴露下共同電極CE的多個開口OP1、OP2和OP3，多個開口OP1、OP2和OP3可以包括與第一發光區域EA1重疊的第一開口OP1、與第二發光區域EA2重疊的第二開口OP2以及與第三發光區域EA3重疊的第三開口OP3。在此的多個開口OP1、OP2和OP3可以對應於多個發光區域EA1、EA2和EA3。換言之，第一開口OP1可以對應於第一發光區域EA1，第二開口OP2可以對應於第二發光區域EA2，第三開口OP3可以對應於第三發光區域EA3。
分隔壁部PW可以用於提供可以形成第一波長轉換層QDL1和第二波長轉換層QDL2的空間，為此，分隔壁部PW可以具有厚度(例如：預定厚度)，並且例如：分隔壁部PW的厚度可以在大約1μm至大約10μm的範圍內。分隔壁部PW可以包括有機絕緣材料以具有一定厚度(例如：預定厚度)，有機絕緣材料可以包含例如環氧樹脂、丙烯酸樹脂、卡多樹脂(cardo resin)和/或醯亞胺(Imide)樹脂。
第一波長轉換層QDL1可以位於每個第一開口OP1中，第一波長轉換層QDL1可以由彼此間隔開的點狀的島狀圖案(island pattern)形成，第一波長轉換層QDL1可以包括第一基底樹脂BRS1和第一波長轉換顆粒WCP1。第一基底樹脂BRS1可以包括透明有機材料，例如：第一基底樹脂BRS1可以包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂、卡多樹脂(cardo resin)和/或醯亞胺(Imide)樹脂。第一波長轉換粒子WCP1可以是量子點(QD)、量子棒、螢光材料和/或磷光材料，例如：量子點可以是當電子從導帶(conduction band)躍遷到價帶(valence band)時發射相應顏色的光的顆粒材料。
量子點可以是半導體奈米晶體材料，量子點根據其組成和尺寸可以具有相應的能隙(band gap)。因此，量子點可以吸收光，然後可以發射具有固有波長的光。量子點的半導體奈米晶體的範例可以包括IV族奈米晶體、II-VI族化合物奈米晶體、III-V族化合物奈米晶體、IV-VI族奈米晶體、其組合等。
第一波長轉換層QDL1可以形成在第一發光區域EA1的第一開口OP1中，第一波長轉換層QDL1可以通過將入射光的峰值波長(peak wavelength)轉換或移動到另一個相應的峰值波長來發光。第一波長轉換層QDL1可以將從發光元件LE發射的藍光的一部分轉換成類似於紅光的光，即第一光線。第一波長轉換層QDL1可以發射類似於紅光的光，因此，可以通過第一彩色濾光片CF1執行轉換成作為第一光線的紅光。
第二波長轉換層QDL2可以位於每個第二開口OP2中，第二波長轉換層QDL2可以由彼此間隔開的點狀的島狀圖案形成。例如：第二波長轉換層QDL2可以與第二發光區域EA2重疊。第二波長轉換層QDL2可以包括第二基底樹脂BRS2和第二波長轉換顆粒WCP2。第二基底樹脂BRS2可以包含透明有機材料。因此，第二波長轉換層QDL2可以通過將入射光的峰值波長轉換或移動到另一個對應的峰值波長來發光，第二波長轉換層QDL2可以將從發光元件LE發射的藍光的一部分轉換為類似於綠光的光，即第二光線。第二波長轉換層QDL2可以發出類似於綠光的光，因此可以通過第二彩色濾光片CF2執行轉換成作為第一光線的紅光。
在第三發光區域EA3中，例如：可以在第三開口OP3中僅形成透明有機材料，使得從發光元件LE發射的藍光可以通過第三彩色濾光片CF3照原樣發射。
多個彩色濾光片CF1、CF2和CF3可以位於分隔壁部PW以及第一波長轉換層QDL1和第二波長轉換層QDL2以及形成在第三開口OP3中的透明有機材料上。多個彩色濾光片CF1、CF2和CF3可以與多個開口OP1、OP2、OP3以及第一波長轉換層QDL1和第二波長轉換層QDL2重疊。多個彩色濾光片CF1、CF2和CF3可以包括第一彩色濾光片CF1、第二彩色濾光片CF2和第三彩色濾光片CF3。
第一彩色濾光片CF1可以與第一發光區域EA1重疊。此外，第一彩色濾光片CF1可以位於分隔壁部PW的第一開口OP1上，以與第一開口OP1重疊。第一彩色濾光片CF1可以透射從發光元件LE發出的第一光線，並且可以吸收或阻擋第二光線和第三​​光線。例如：第一彩色濾光片CF1可以透射紅色波長頻帶的光，並且可以吸收或阻擋例如綠色和藍色的其他波長頻帶的光。
第二彩色濾光片CF2可以與第二發光區域EA2重疊。此外，第二彩色濾光片CF2可以位於分隔壁部PW的第二開口OP2上，以與第二開口OP2重疊。第二彩色濾光片CF2可以透射第二光線，並且可以吸收或阻擋第一光線和第三光線。例如：第二彩色濾光片CF2可以透射綠色波長頻帶的光線，並且可以吸收或阻擋例如藍色和紅色的其他波長頻帶的光線。
第三彩色濾光片CF3可以與第三發光區域EA3重疊。此外，第三彩色濾光片CF3可以位於分隔壁部PW的第三開口OP3上，以與第三開口OP3重疊。第三彩色濾光片CF3可以透射第三光線，並且可以吸收或阻擋第一光線和第二光線。例如：第三彩色濾光片CF3可以透射藍色波長頻帶的光線，並且可以吸收或阻擋例如紅色和綠色的其他波長頻帶的光線。
多個彩色濾光片CF1、CF2和CF3中的每一個的平面面積可以分別大於多個發光區域EA1、EA2和EA3中的每一個的平面面積。例如：第一彩色濾光片CF1可以具有比第一發光區域EA1更大的平面面積。第二彩色濾光片CF2可以具有比第二發光區域EA2更大的平面面積。第三彩色濾光片CF3可以具有比第三發光區域EA3更大的平面面積。然而，本揭露不限於此，多個彩色濾光片CF1、CF2和CF3中的每一個的平面面積可以(例如：分別)與多個發光區域EA1、EA2和EA3中的每一個的平面面積相同。
請參照第6圖，遮光構件BK可以位於分隔壁部PW上，遮光構件BK可以與非發光區域NEA重疊，以將光傳輸阻擋在與其對應的區域中。遮光構件BK在平面圖中可以大致定位成晶格形狀，類似於堤部BNL或分隔壁部PW，遮光構件BK可以與堤部BNL、第一有機層FOL和分隔壁部PW重疊，並且可以不與發光區域EA1、EA2和EA3重疊。
在一個或多個實施例中，遮光構件BK可以包括有機遮光材料，並且可以通過使用有機遮光材料的塗佈和曝光方法形成，遮光構件BK可以包括具有遮光特性的染料或顏料，並且可以是黑色矩陣(black matrix)。遮光構件BK的至少一部分可以與相鄰的彩色濾光片CF1、CF2和CF3重疊，並且彩色濾光片CF1、CF2和CF3可以位於遮光構件BK的至少一部分上。
鈍化層PTL可以位於多個彩色濾光片CF1、CF2和CF3以及遮光構件BK上。第一鈍化層PTL可以位於顯示裝置10的最上部，以保護下方的多個彩色濾光片CF1、CF2和CF3以及遮光構件BK。鈍化層PTL的一個表面，例如：底表面，可以與多個彩色濾光片CF1、CF2和CF3中的每一個以及遮光構件BK的頂表面接觸。
鈍化層PTL可以包括無機絕緣材料以保護多個彩色濾光片CF1、CF2和CF3以及遮光構件BK。例如：第一鈍化層PTL可以包括氧化矽(SiO x)、氮化矽(SiN x)、氮氧化矽(SiO xN y)、氧化鋁(Al xO y)、氮化鋁(AlN)等，但不限於此。第一鈍化層PTL可以具有例如在約0.01μm至約1μm範圍內的厚度(例如：預定厚度)。然而，本揭露不限於此。
第9圖係示意性地示出了根據一個或多個其他實施例的第2圖的A-A'截面的剖視圖。
請參照第9圖，第三波長轉換層QDL3可以位於第一開口OP1和第二開口OP2中的每一個中。
第三波長轉換層QDL3可以通過將入射光的峰值波長轉換或移動到另一個對應的峰值波長來發光，第三波長轉換層QDL3可以將從發光元件LE發射的第一(藍色)光的一部分轉換成第四(黃色)光。在第三波長轉換層QDL3中，第一光線和第四光線可以混合以發射第五(白)光。第五光線通過第一彩色濾光片CF1轉換為第一光線，並通過第二彩色濾光片CF2轉換為第二光線。
第三波長轉換層QDL3可以位於第一開口OP1和第二開口OP2中的每一個中，並且其部分可以與其相應的其他部分間隔開，即第三波長轉換層QDL3可以由彼此間隔開的點狀的島狀圖案形成。例如：第三波長轉換層QDL3可以一一對應地僅位於第一開口OP1和第二開口OP2中的每一個中。此外，第三波長轉換層QDL3可以與第一發光區域EA1和第二發光區域EA2中的每一個重疊。在一個或多個實施例中，每個第三波長轉換層QDL3可以與第一發光區域EA1和第二發光區域EA2完全重疊。
第三波長轉換層QDL3可以包括第三基底樹脂BRS3和第三波長轉換顆粒WCP3，第三基底樹脂BRS3可以包含透明有機材料。例如：第三基底樹脂BRS3可以包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂、卡多樹脂(cardo resin)和/或醯亞胺(Imide)樹脂。
第三波長轉換粒子WCP3可以將從發光元件LE入射的第一光線轉換成第四光線，例如：第三波長轉換粒子WCP3可以將藍色波長頻帶的光線轉換為黃色波長頻帶的光線，第三波長轉換粒子WCP3可以是量子點(QD)、量子棒、螢光材料或磷光材料。例如：量子點可以是當電子從導帶(conduction band)躍遷到價帶(valence band)時發射相應顏色的光線的顆粒材料。
隨著第三波長轉換層QDL3在第三方向DR3上的厚度增加，波長轉換層QDL中包含的第三波長轉換粒子WCP3的含量增加，從而可以提高第三波長轉換層QDL3的光轉換效率。因此，可以考量第三波長轉換層QDL3的光轉換效率來設置第三波長轉換層QDL3的厚度。
在上述第三波長轉換層QDL3中，從發光元件LE發出的第一光線的一部分可以在第三波長轉換層QDL3中轉換為第四光線，第三波長轉換層QDL3可以通過混合第一光線和第四光線來發射第五(白)光線。對於從第三波長轉換層QDL3發出的第五光線，後述的第一彩色濾光片CF1可以只透過第一光線，第二彩色濾光片CF2可以只透過第二光線。因此，從波長轉換構件200發出的光可以是第一光線和第二光線中的紅光和綠光。在第三發光區域EA3中，可以僅在第三開口OP3中形成透明有機材料，使得從發光元件LE發射的藍光可以通過第三彩色濾光片CF3維持原樣發射。因此，可以產生全部顏色。
第10圖係示意性地示出了根據一個或多個其他實施例的第2圖的A-A'截面的剖視圖。
如上所述，從每個發光元件LE的主動層MQW發出的光的顏色可以根據銦(In)的含量而變化。隨著銦(In)含量的減少，主動層發出的光的波長頻帶可能會移動到紅色波長頻帶，而隨著銦(In)含量的增加，主動層發出的光的波長頻帶可能會移動到藍色波長頻帶。因此，當形成在第一發光區域EA1中的每個發光元件LE的主動層MQW中的銦(In)含量為大約15％或更少時，具有主峰波長的紅色波長頻帶中的第一光線可以發射約600nm至約750nm的範圍。
當形成在第二發光區域EA2中的每個發光元件LE的主動層MQW中的銦(In)含量為約25％時，可以發射主峰波長在約480nm至約560nm範圍內的綠色波長頻帶中的第二光線。
當形成在第三發光區域EA3中的每個發光元件LE的主動層MQW中的銦(In)含量為大約35％或以上時，主動層MQW可以發射主光峰值波長在約370nm至約460nm的範圍內的藍色波長頻帶中的第三光線。
形成在第一發光區域EA1中的每個發光元件LE可以發射紅色波長頻帶的第一光線，形成在第二發光區域EA2中的每個發光元件LE可以發射綠色波長頻帶的第二光線，並且形成在第三發光區域EA3中的每個發光元件LE可以發射藍色波長頻帶的第三光線，在這種情況下，可以省略彩色濾光片CF1、CF2和CF3。
第11圖係示意性示出根據一個或多個實施例的用於製造顯示面板的裝置的立體圖，第12圖係示出了第11圖所示的製造裝置的另一立體圖。11以另一種形式，第13圖係示出了第11圖至第12圖所示的薄膜安裝部件、拉伸處理構件以及轉移處理構件的剖視圖。
請參照第11圖至第13圖，用於製造顯示面板的裝置包括殼體501、固定框架511、薄膜安裝構件510(參見第14圖)、拉伸處理構件550、轉移處理構件520，並且在一些實施例中，包括光罩框架和壓合框架。
例如：固定框架511固定配置有多個發光元件LE的轉移膜LFL的外周邊。固定框架511包括一對第一組裝框架511a和第二組裝框架511b，第一組裝框架511a和第二組裝框架511b中形成有圓形開口。在此，第一組裝框架511a和第二組裝框架511b以圓形或多邊形(例如：四邊形)面板或框架的形式來形成，並且圓形開口形成在其中，第一組裝框架511a和第二組裝框架511b可以以圓環或環形框架的形式來形成。
第一組裝框架511a和第二組裝框架511b被組裝成面向彼此。此外，第一組裝框架511a和第二組裝框架511b可以以第一組裝框架511a裝配到另一個第二組裝框架511b中的方式組裝。第一組裝框架511a和第二組裝框架511b壓合成圓形，並通過圓形開口和開口的外圍框架/外圍框架結構來固定(例如：固定或保持)轉移膜LFL的外周邊，開口區域除外。第一組裝框架511a和第二組裝框架511b的開口結構可以取決於轉移膜LFL的拉伸方向不同而形成為多邊形，例如：橢圓形或四邊形，但為了增加轉移膜LFL的拉伸方向的均勻性，適合地應用圓形開口，以壓合成圓形並固定轉移膜LFL的外周邊。
薄膜安裝構件510安裝在構成製造裝置的外形或框架的殼體501上或內部，薄膜安裝構件510包括固定框架511所在之基座部分(seating portion)以及壓合及固定該固定框架511的外表面之至少一個卡扣(clip)或環形扣合構件(annular fastening member)。薄膜安裝構件510通過至少一個卡扣或環形扣合構件扣合位於前表面基座部分上的固定框架511的至少一個外周邊來固定該固定框架511。
第14圖係示出了第13圖所示的薄膜安裝部件的其他方式的分解立體圖。
請參照第14圖，薄膜安裝構件510包括第一安裝框架510a及第二安裝框架510b，第一安裝框架510a固定框架511所在之第一安裝框架510a，第二安裝框架510b壓合及固定位於第一安裝框架510a上的固定框架511的前表面和外周邊的一部分。
第一安裝框架510a形成為形成有圓形開口的圓形或多邊形(例如：四邊形)面板或框架的形式，並安裝在殼體501的上側或內側。此外，安裝框架510b可以形成為形成有圓形開口的圓形或多邊形(例如：四邊形)面板或框架的形式，並且可以組裝成面對第一安裝框架510a，即第一安裝框架510a和第二安裝框架510b可以組裝成面向彼此並且彼此重疊，因此，可以通過以圓形壓合外周邊和前表面和後表面的一部分但不包括圓形開口區域來固定該固定框架511。
請參照第11圖和第13圖，拉伸處理構件550沿著任意方向壓合由薄膜安裝部件510和固定框架511所固定的轉移膜LFL(例如：佈置有發光元件LE的轉移膜LFL)，以拉伸該轉移膜LFL在外周邊方向上的整個寬度(例如：向外)。例如：拉伸處理構件550可以通過在前表面方向的前表面上壓合配置有發光元件LE的轉移膜LFL的後表面，拉伸轉移膜LFL的外周邊方向的整個寬度。
拉伸處理構件550包括板狀框架551、彈性壓合件552和傳送驅動構件553。
板狀框架551可以形成為盤形或多邊形的面板類型。
彈性壓合件552形成為凸狀，使得前表面具有曲率(例如：預設曲率)，並且使得後表面形成為平板形狀，彈性壓合件552通過位於板狀框架551的前表面上的具有平板形狀的後表面而附接或組裝到板狀框架551的前表面。根據排列了多個發光元件LE的轉移膜LFL的尺寸或直徑、多個發光元件的排列寬度或排列間隔或轉移膜LFL的拉伸寬度中的至少一個的適合性，不同地設置和施加彈性壓合件552的凸出曲率(convex curvature)。彈性壓合部552係由塑料、鉻、金屬層、矽、碳、橡膠等彈性材料形成。
由於彈性壓合件552的前表面形成為具有曲率，因此藉由彈性壓合件552的前表面的彎曲形狀，轉移膜LFL可以在拉伸過程中在保持曲率的同時被拉伸。因此，轉移膜LFL的拉伸寬度和方向可以更均勻地拉伸，並且可以減少或防止被壓縮在轉移膜LFL或其他轉移膜的前表面上的轉移膜LFL與支撐膜SPF之間的氣泡產生。
傳送驅動構件553支撐板狀框架551的後表面，並在板狀框架551的前後方向或前後方向上移動板狀框架551，從而使板狀框架551的後表面移動，轉移膜LFL通過位於板狀框架551的前表面上的彈性壓合件552沿前/向前方向壓合，轉移驅動構件553可以由例如活塞的液壓泵送類型形成，並且一側可以組裝到的後表面板狀框架551，而另一側可裝配氣動或液壓調節器。因此，轉移驅動構件553可以通過氣動或液壓調節器沿面向轉移處理構件520的方向或相反方向移動板狀框架551。
轉移處理構件520可以被定位和組裝，轉移處理構件520的一側被組裝到殼體501上部的任一側表面，以在殼體501的一側方向上打開和關閉殼體501的上部和固定框架511。此外，轉移處理構件520可以在殼體501的上部與固定框架511之間的預定間隔處以蓋體(cap)的形式安裝在殼體501的上方，並且在這種情況下，可以安裝成在靠近或遠離殼體501和固定框架511的上部的方向上移動。
轉移處理構件520在安裝有支撐膜SPF或另一轉移膜的狀態下，朝向通過拉伸處理構件550在整個寬度上拉伸的轉移膜LFL的方向移動，從而通過拉伸轉移膜LFL使具有變化的排列寬度的多個發光元件LE貼合到支撐膜SPF或另一個轉移膜。此外，在相對於轉移膜LFL向相反方向剝離的過程中，具有不同的排列寬度的多個發光元件LE轉移到支撐膜SPF或另一轉移膜。
轉移處理構件520包括第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b、薄膜結合單元522和框架固定單元523。
第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b壓合光罩框架的外周邊以及前後表面的部分區域，以固定(例如：緊固)光罩框架的外周邊。
第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b可以形成為形成有圓形開口的框架形式，並且可以彼此附接以面向彼此，使得光罩框架的外周邊可以固定成圓形形狀。在此，第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b可以形成為形成有圓形開口的圓形的框架形式，或者例如四邊形的多邊形形狀。此外，第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b可以形成為環形框架形式。
除了將第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b組裝成面向彼此的方法之外，第一框架結合單元521a可以通過裝配到不同的第二框架結合單元521b中來組裝。因此，第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b可以通過圓形開口而將光罩框架的外周邊(圓形開口區域之除外)以壓合成圓形的方式來固定光罩框架的外周邊。第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b的開口可以應用為多邊形，例如：四邊形或橢圓形，但可以形成為圓形以對應於轉移膜LFL的拉伸形狀和固定形狀。
薄膜結合單元522位於第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b的後表面上，堆疊成與第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b中的任何一個框架結合單元(例如：框架結合單元521b)重疊，並綁定和組裝到任何一個重疊的框架結合單元(例如：框架結合單元521b)。薄膜結合單元522根據欲與重疊框架結合單元521b結合的結合結構來壓合支撐膜SPF或另一轉移膜的前後表面的外周邊和部分區域，並且固定該支撐膜SPF或另一轉移膜的外周邊和部分區域為圓形。例如：薄膜結合單元522可以形成為圓形或多邊形(例如：四邊形)面板或框架的形式，其中形成有圓形開口，膜結合單元522通過用圓形開口壓合支撐膜SPF的外周邊和前表面和後表面的一部分(圓形開口區域之除外)，將支撐膜SPF的外周邊固定成圓形。當另一個轉移膜安裝在膜結合單元522上時，轉移膜的外周邊通過圓形開口將轉移膜的除了圓形開口區域之外的外周邊壓合成圓形來固定。
框架固定單元523位於薄膜結合單元522的後表面，堆疊以與薄膜結合單元522重疊，並結合及組裝到薄膜結合單元的後表面522、框架固定單元523根據與薄膜結合單元522的結合結構，通過壓合壓合框架的前後表面的外周邊和局部區域，將壓合框架的外周邊固定成圓形。
薄膜結合單元522可以形成為圓形或多邊形的面板或框架的形式，其中形成有圓形或四邊形開口。薄膜結合單元522通過用圓形或四邊形開口壓合壓合框架的除了圓形或四邊形開口區域以外的外周邊和前表面和後表面的一部分來固定壓合框架的外周邊。
如第13圖所示，轉移處理構件520的第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b、薄膜結合單元522和框架固定單元523通過彼此依序重疊的方式來堆疊和組裝，使得其都可以以相同的速度和方向在任意位置移動。
在下文中，將參照其他圖式描述根據一個或多個實施例的顯示面板的製造方法。
第15圖係示出了使用第11圖和第12圖的製造裝置製造顯示面板的方法的流程圖。此外，第16圖至第21圖係用於說明一個以上實施例的發光元件的製造方法的剖視圖。
首先，請參照第15圖和第16圖，發光元件LE可以單獨形成在基底基板BSUB上(第15圖的操作S100)。在這種情況下，準備藍寶石基板(Al2O3)或包含矽等的矽晶片作為基底基板BSUB。多個半導體材料層SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L形成在基底基板BSUB上。通過磊晶(epitaxial)方法生長的多個半導體材料層可以通過生長晶種(seed crystal)來形成。在此，可以使用電子束沉積、物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿雷射沉積(PLD)、雙型熱蒸發、濺鍍和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)中的一種來形成半導體材料層。然而，本揭露不限於此。
通常地，可以選擇用於形成多個半導體材料層的前體材料以在通常可選擇的範圍內形成目標材料而沒有任何限制。例如：前體材料可以是包括烷基例如甲基或乙基的金屬前體。前體材料的範例可以包括但不限於：三甲基鎵Ga(CH 3) 3、三甲基鋁Al(CH 3) 3和磷酸三乙酯(C 2H 5) 3PO 4。
例如：第三半導體材料層SEM3L形成在基底基板BSUB上。儘管在圖式中示出了沉積一個第三半導體層SEM3L，但是本揭露不限於此，並且可以形成多個層。第三半導體材料層SEM3L可以減小第二半導體材料層SEM2L和基底基板BSUB之間的晶格常數差(lattice constant difference)。作為一個範例，第三半導體材料層SEM3L可以包括未摻雜的半導體，並且可以是未摻雜有n型或p型的材料。在一個或多個實施例中，第三半導體材料層SEM3L可以是但不限於：未摻雜的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN或InN中的至少一個。
使用上述方法在第三半導體材料層SEM3L上依次形成第二半導體材料層SEM2L、超晶格材料層SLTL、主動材料層MQWL、電子阻擋材料層EBLL和第一半導體材料層SEM1L。接下來，蝕刻多個半導體材料層SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L，以形成多個發光元件LE。
例如：多個第一光罩圖案MP1形成在第一半導體材料層SEM1L上，第一光罩圖案MP1可以是包括無機材料的硬光罩或包括有機材料的光刻膠光罩，第一光罩圖案MP1防止或保護位於其下方的多個半導體材料層SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L不被蝕刻。然後，通過使用多個第一光罩圖案MP1作為光罩部分地蝕刻(第一次蝕刻)多個半導體材料層來形成多個發光元件LE。
如第17圖所示，在基底基板BSUB上蝕刻，並且去除不與第一光罩圖案MP1重疊的多個半導體材料層SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L，並且由於與第一光罩圖案MP1重疊而未被蝕刻的部分與第一光罩圖案MP1重疊，第一光罩圖案MP1可以形成多個發光元件LE。
可以通過傳統方法蝕刻半導體材料層。例如：蝕刻半導體材料層的方法可以通過乾式蝕刻法、濕式蝕刻法、反應離子蝕刻(RIE)法、深反應式離子蝕刻(DRIE)法、電感耦合電漿反應離子刻蝕(ICP-RIE)法等來執行。乾式蝕刻方法由於可以執行各向異性蝕刻而可以適用於垂直蝕刻。在使用上述蝕刻技術的情況下，可以使用Cl 2或O 2作為蝕刻劑。然而，本揭露不限於此。
與第一光罩圖案MP1重疊的多個半導體材料層SEM3L、SEM2L、SLTL、MQWL、EBLL和SEM1L未被蝕刻，並且形成為多個發光元件LE。因此，多個發光元件LE形成為包括第三半導體層SEM3、第二半導體層SEM2、超晶格層SLT、主動層MQW、電子阻擋層EBL和第一半導體層SEM1。
接著，通過在基底基板BSUB上層疊連接電極材料層，並對其進行蝕刻，在多個發光元件LE上分別形成連接電極125。連接電極125可以直接形成在發光元件LE的第一半導體層SEM1的頂表面上，連接電極125可以包括透明導電材料。例如：連接電極125可以由例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導電氧化物(TCO)形成。此外，可以在由透明導電氧化物形成的連接電極125上另外形成具有高反射率的金屬層，例如：鋁(Au)、銅(Cu)、金(Au)等。
請參照第23圖至第26圖，為了改變形成在基底基板BSUB上的多個發光元件LE的排列寬度，即改變多個發光元件LE之間的排列間隔，在多個發光元件的上表面附接在第一支撐膜SPF1之後，可以執行將多個發光元件LE的底表面附接及移動到第一轉移膜LFL1(第15圖的操作S110)。
為此，首先將第一支撐膜SPF1貼附在形成於基底基板BSUB上的多個發光元件LE上。因此，多個發光元件LE的每個連接電極125可以附接到第一支撐膜SPF1。大量設置多個發光元件LE，因此，可以附接到第一支撐膜SPF1而不會分離。
第一支撐膜SPF1可以由支撐層和位於支撐層上的黏合劑層所構成，支撐層可由透明且具有機械穩定性以允許光通過的材料製成。例如：支撐層可以包括透明聚合物，例如：聚酯、聚丙烯酸、聚環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等。黏合層可以包括用於黏合發光元件LE的黏合材料。例如：黏合劑材料可以包括聚氨酯丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯等。黏合材料可以是其黏合強度隨著施加紫外線(UV)或熱而改變的材料，因此，黏合層可以容易地與發光元件LE分離。
然後，請參​​照第19圖，通過用雷射(第一雷射)照射基底基板BSUB來分離基底基板BSUB，從多個發光元件LE的第三半導體層SEM3中的每一個分離基底基板BSUB。
請參照第20圖，第一轉移膜LFL1貼附到與基底基板BSUB分離的多個發光元件LE，第一轉移膜LFL1貼附在多個發光元件LE的第三半導體層SEM3的每一個上，第一轉移膜LFL1可以在多個發光元件LE上對齊，並且可以附接到多個發光元件LE的第三半導體層SEM3中的每一個。
第一轉移膜LFL1可以包括可拉伸材料，可拉伸材料可包括例如聚烯烴、聚氯乙烯(PVC)、彈性矽樹脂、彈性聚氨酯、彈性聚異戊二烯等。類似於上述第一支撐膜SPF1，第一轉移膜LFL1也可以包括支撐層和黏合層，以黏附和支撐發光元件LE。
請參照第21圖，第一支撐膜SPF1與多個發光元件LE分離。在對第一支撐膜SPF1施加UV或熱以降低第一支撐膜SPF1的黏合層的黏合強度之後，第一支撐膜SPF1可以物理地或自然地分離。
第22圖係示意性地示出根據一個或多個實施例在其上佈置製造的發光元件的第一轉移膜的平面圖。此外，第23圖係示意性地示出了第22圖所示的第一轉移膜安裝在薄膜安裝構件上的方式的立體圖。
請參照第22圖，其中多個發光元件LE彼此隔開第一間隔(例如：預定的第一間隔)，並且以點狀佈置的第一轉移膜LFL1位於固定框架511中，即在第一組裝框架511a和第二組裝框架511b之間組裝成面向彼此。因此，第一組裝框架511a和第二組裝框架511b通過以圓形形狀壓合第一轉移膜LFL1的除了圓形開口之外的外周邊和前表面和後表面的一部分來固定第一轉移膜LFL1的外周邊。
請參照第23圖，固定第一轉移膜LFL1的外周邊的固定框架511被安置在第一安裝框架510a的形成有圓形開口的基座部分上。然後，將其中形成有圓形開口的第二安裝框架510b組裝到第一安裝框架510a上，以面向第一安裝框架510a，而固定框架511設置於第一安裝框架510a和第二安裝框架510b之間，即第一安裝框架510a和第二安裝框架510b被組裝成面向彼此並且彼此重疊，固定框架511插入在第一安裝框架510a和第二安裝框架510b之間，從而通過以圓形形狀壓合固定框架511的除了圓形開口區域以外的外周邊和前表面和後表面的一部分來固定固定框架511。
第24圖係示意性地示出了設置在第22圖所示的第一轉移膜上的發光元件的排列的一部分的主視圖(例如：平面圖)。
第24圖，在通過固定框架511和薄膜安裝構件510來固定定位的第一轉移膜LFL1上，多個發光元件LE以第一間隔D1間隔開並且定位成點狀。
第25圖至第29圖係用於說明第一轉移膜的拉伸方法的剖視圖和主視圖。
請參照第25圖，隨著拉伸處理構件550沿第一轉移膜LFL1的後/後方向(即Z軸箭頭方向)移動，第一轉移膜LFL1的後表面沿第一轉移膜LFL1的前方向壓合(第15圖中的操作S120)。因此，如第26圖和第28圖所示，通過拉伸處理構件550的移動和後表面壓力拉伸(第一次ORI)第一轉移膜LFL1，第一轉移膜LFL1可以沿第一方向DR1和第二方向DR2二維地拉伸。
隨著第一轉移膜LFL1被拉伸，黏附在第一轉移膜LFL1上的多個發光元件LE可以彼此間隔開第二間隔D2。換言之，多個發光元件LE可以彼此基本均勻地間隔開第二間隔D2的寬度，該第二間隔D2的寬度大於上述第一間隔D1。
第一轉移膜LFL1的拉伸強度(strength strength)(或應力強度(tensile strength))可以根據發光元件LE的期望的第二間隔D2進行調整，例如可以為約120gf/英寸。然而，不限於此，可以根據第二間隔D2調整拉伸強度/應力強度。
拉伸處理構件550沿前表面方向壓合第一轉移膜LFL1的後表面，轉移處理構件520朝向安裝有第二轉移膜LFL2的第一轉移膜LFL1的前表面移動，從而附接到具有不同排列寬度的多個發光元件LE和第二轉移膜LFL2(第15圖的操作S130)。第二轉移膜LFL2可以以與上述第一轉移膜LFL1相同的方式包括支撐層和黏合層。
然後，如第29圖所示，在對第一轉移膜LFL1施加UV或熱以降低第一轉移膜LFL1的黏合層的黏合強度之後，第一轉移膜LFL1可以與多個發光元件LE物理地或自然地分離。
此後，其中多個發光元件LE彼此隔開第二間隔D2的第二轉移膜LFL2可以接合到形成到像素電極PE1、PE2和PE3的顯示基板100，使得多個發光元件LE彼此隔開第二間隔D2。多個發光元件LE可以黏附到顯示基板100並且可以製造顯示面板。在將多個發光元件LE黏附在顯示基板100上的步驟前，可以切割第二轉移膜LFL2和顯示基板100中的至少一個以適合產品的尺寸或面積，然後進行黏附。
另一方面，根據像素電極PE1、PE2、PE3的面積以及形成至像素電極PE1、PE2、PE3的顯示基板100的面積和尺寸，也可以進一步加寬和擴大。形成多個發光元件LE之間的間隔。因此，以下將描述額外拉伸第二轉移膜LFL2的方法。
第30圖至第38圖係用於說明第二轉移膜的拉伸方法的各種圖示。
首先，請參照第30圖，當多個發光元件LE以第二間隔D2位於其中的第二轉移膜LFL2的外周邊由固定框架511固定(例如：固定或保持)時，固定第二轉移膜LFL2的外周邊的固定框架511再次被薄膜安裝部件510固定。由此，由固定框架511和薄膜安裝部件510固定的第二轉移膜LFL2位於拉伸處理構件550的前表面。
位於轉移處理構件520的最下表面上的第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b壓合光罩框架MRF的外周邊，以固定光罩框架MRF的外周邊。光罩框架MRF對應於由固定框架511和薄膜安裝部件510固定的第二轉移膜LFL2，並與第二轉移膜LFL2相對。
請參照第31圖至第34圖，光罩框架MRF包括與第二支撐膜SPF2的與顯示面板的切割區域相對應的切割覆蓋區域CUD對應的切割線部分CUL，並且用於覆蓋使得發光元件LE不附接至第二支撐膜SPF2的切割覆蓋區域CUD。發光元件LE因光罩框架MRF的切割線部分CUL而可以保持與第二支撐膜SPF2的切割覆蓋區域CUD分離。因此，可以減少或防止在根據顯示面板的尺寸切割第二支撐膜SPF2的切割覆蓋區域CUD的過程中，由於發光元件LE而發生切割錯誤的情況的可能性。
此外，光罩框架MRF包括分別對應於顯示面板的發光區域EA1、EA2和EA3或顯示面板的除切割區域之外的前表面區域的透射開口OP。此外，光罩框架MRF還可以包括對應於顯示面板的非發光區域的阻擋部分MR。
光罩框架MRF由位於轉移處理構件520的任一側表面或底表面的第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b固定，因此，定位在由薄膜結合單元522固定的第二支撐膜SPF2的前表面上。
請再次參照第30圖，薄膜結合單元522位於第一框架結合單元521a和第二框架結合單元521b的後表面上，並通過堆疊在第二框架結合單元521b的後表面上來支撐和固定第二支撐膜SPF2。因此，薄膜結合單元522將第二支撐膜SPF2定位在光罩框架MRF的後表面上。因此，排列在第二轉移膜LFL2上的發光元件LE可以穿過透射開口OP，並且可以僅附接到第二支撐膜SPF2的相應區域。
框架固定單元523位於薄膜結合單元522的後表面上，並通過與薄膜結合單元522的後表面重疊來支撐和固定壓合框架PWF。因此，框架固定單元523將壓合框架PWF定位在第二支撐膜SPF2的後表面上。
壓合框架PWF包括突出壓合部分FP，其形成為使得與顯示面板的發光區域EA1、EA2和EA3對應的每個區域以及光罩框架MRF的透射開口OP突出，並且還包括支撐突出壓合部分FP的後表面的支撐框架PF。
突出壓合部分FP可以形成為從支撐框架PF以直角突出或者以具有曲率的彎曲形狀突出，突出壓合部FP可以由上述彈性構件形成。突出壓合部分FP可以增加附接成功率(attachment success rate)，從而通過壓合對應於顯示面板的每個前表面部分、發光區域EA1、EA2和EA3，以及光罩框架MRF的透射開口OP的第二支撐膜SPF2的後表面，使發光元件LE更牢固地附接到第二支撐膜SPF2。
由於拉伸處理構件550對第二轉移膜LFL2的拉伸，第二支撐膜SPF2上的具有排列寬度變化的多個發光元件LE通過轉移處理構件520的前表面的位置移動而黏附到轉移處理構件520的第二支撐膜SPF2上。
多個發光元件LE穿過光罩框架MRF的透射開口OP，並且僅貼附在第二個支撐膜SPF2的整個前表面區域中與光罩框架MRF的透射開口OP對應的區域EA1_D、EA2_D、EA3_D。
由於多個切割區域被切割，光罩框架MRF的透射開口OP可以形成為分別對應於除了切割區域之外的以單元基礎來分離的顯示面板的前表面區域。此外，光罩框架MRF的透射開口OP可以形成為對應於顯示面板的發光區域EA1、EA2和EA3。因此，穿過光罩框架MRF的透射開口OP並附接到第二支撐膜SPF2的透射對應區域EA1_D、EA2_D和EA3_D的發光元件LE可以隨後附接到在顯示面板的發光區域EA1、EA2、EA3以單位基礎來分離的顯示面板的前表面區域。
在將多個發光元件LE僅黏附到與第二支撐膜SPF2的前表面的整個區域中的透射開口OP相對應的區域EA1_D、EA2_D和EA3_D的過程中，第二支撐體的後表面與透射開口OP相對應的薄膜SPF2可以被壓合框架PWF的突出壓合部FP以更大的作用力來壓合。因此，多個發光元件LE可以以更強的壓力黏附到與第二支撐膜SPF2的前表面的整個區域中的透射開口OP相對應的區域EA1_D、EA2_D和EA3_D。
如第35圖和36所示，第二轉移膜LFL2通過拉伸處理構件550的移動和壓力被拉伸(第二次ORI)，使得第二轉移膜LFL2在第一方向DR1和第二方向DR2上二維地拉伸。隨著第二轉移膜LFL2被拉伸，黏附到第二轉移膜LFL2的多個發光元件LE可以彼此間隔開第三間隔D3。換言之，多個發光元件LE可以彼此基本均勻地隔開第三間隔D3的寬度，該第三間隔D3的寬度大於上述第二間隔D2(第15圖的操作S140)。
如第37圖和第38圖所示，當多個發光元件LE黏附到與第二支撐膜SPF2的前表面的整個區域中的透射開口OP對應的區域EA1_D、EA2_D和EA3_D時，第二轉移膜LFL2是與多個發光元件LE分開。在對第二轉移膜LFL2施加UV或熱以降低第二轉移膜LFL2的黏合層的黏合強度之後，可以物理或自然地分離第二轉移膜LFL2。
在將多個發光元件LE黏附在顯示基板100上的方法之前，可以切割第二支撐膜SPF2和顯示基板100中的至少一個以適合產品的尺寸或面積，然後進行黏附。
當切割至少一個第二支撐膜SPF2和顯示基板100以適合產品的尺寸或面積時，多個發光元件LE彼此間隔開第三間隔D3的被切割的第二支撐膜SPF2可以接合到形成至像素電極PE1、PE2和PE3的顯示基板100，從而可以將多個發光元件LE黏附到顯示基板100並且可以製造顯示面板。
第39圖至第41圖係示出根據一個或多個實施例的顯示面板的製造方法的剖視圖。
請參照第39圖至第41圖，製造了一顯示基板，其包括像素電路和被多個發光元件LE分開的像素電極PE1、PE2和PE3(第15圖的操作S150)。
例如：在製造顯示基板時，在第一基板110上形成第一開關元件T1，在第一開關元件T1上形成閘極絕緣層130，第一基板110可以是透明絕緣基板、玻璃基板或石英基板，第一開關元件T1可以包括多個薄膜電晶體和電容器。在閘極絕緣層130中，可以形成暴露第一開關元件T1的接觸孔。
接著，在閘極絕緣層130上堆疊透明導電材料並且進行圖案化，以形成多個像素電極，例如：第一像素電極PE1。第一像素電極PE1可以通過形成在閘極絕緣層130中的接觸孔連接到第一開關元件T1。然後，在第一基板110上施加第一有機材料及圖案化以形成堤部BNL，堤部BNL暴露位於其下方的第一像素電極PE1，以分隔第一發光區域EA1。
接著，在第一基板110上塗佈第二有機材料並圖案化，以形成第一有機層FOL，第一有機層FOL可以形成在堤部BNL上，並且可以與第一發光區域EA1間隔開。如上所述，第一有機層FOL可以是包括氰基的聚醯亞胺。
接下來，將其上排列有多個發光元件LE的第二支撐膜SPF2接合到顯示基板100(第15圖的操作S160)。
例如：使形成在第二支撐膜SPF2上的發光元件LE的連接電極125與顯示基板100的第一像素電極PE1接觸。接著，將顯示基板100接合到第二支撐膜SPF2，通過在一定溫度(例如：預定溫度)下將連接電極125和第一像素電極PE1彼此熔合。在這種情況下，多個發光元件LE黏附到第一像素電極PE1的頂表面。例如：連接電極125和第一像素電極PE1可以具有優異的黏合特性，因為彼此接觸的層係由相同的材料製成，例如：ITO。
接著，通過雷射剝離(LLO)方法分離第二支撐膜SPF2，在多個發光元件LE、像素電極PE1、第一有機層FOL和共同電極CE上形成平坦化層PLL。平坦化層PLL形成為具有使得平坦化層PLL的高度低於發光元件LE的高度的厚度，使得發光元件LE的第二半導體層SEM2和第三半導體層SEM3是暴露在平坦化層PLL之上。然後，通過在平坦化層PLL上沉積透明導電材料來形成共同電極CE，共同電極CE形成為覆蓋多個發光元件LE和平坦化層PLL。共同電極CE與暴露在平坦化層PLL上的發光元件LE的第二半導體層SEM2和第三半導體層SEM3接觸。
接著，在共用電極CE上形成包含多個開口OP1的分隔壁部PW。多個開口，例如第一開口OP1，形成為對應於第一發光區域EA1。在一些實施例中，還形成其他開口以對應於其他發光區域。
接下來，在多個開口OP1中形成波長轉換層QDL，波長轉換層QDL可以形成為填充多個開口OP1，波長轉換層QDL可以通過例如噴墨印刷或壓印的溶液方法形成，但不限於此。波長轉換層QDL可以形成在多個開口OP1中，並且可以形成為與多個發光區域EA1重疊。
接著，在分隔壁部PW上形成遮光部件BK，遮光部件BK通過塗敷遮光材料並對其進行圖案化而形成，遮光部件BK形成為與非發光區域NEA重疊，並且不與發光區域EA1重疊。
接著，彩色濾光片CF1形成在由遮光構件BK劃分的波長轉換層QDL上，彩色濾光片CF1可以通過黃光製程(photo process)形成，彩色濾光片CF1可以具有約1μm或更小的厚度，但不限於此。
例如：在分隔壁部PW和波長轉換層QDL上塗敷第一彩色濾光材料層，並通過黃光製程(photo process)圖案化形成與第一個開口OP1重疊的第一彩色濾光片CF1。類似地，其他彩色濾光片也可以通過圖案化製程分別與開口重疊。接下來，通過在遮光構件BK和彩色濾光片CF1上形成鈍化層PTL來製造根據一個或多個實施例的顯示面板(第15圖的操作S170)。
第42圖係示出根據一個或多個實施例的包括顯示面板的智慧型裝置的圖示，第43圖係示出根據一個或多個實施例的包括顯示面板的虛擬實境裝置的圖示。
根據一個或多個實施例的顯示裝置10可以應用於作為智慧型裝置之一的智慧型手錶2。此外，根據一個或多個實施例的虛擬實境裝置1可以是眼鏡型裝置。根據一個或多個實施例的虛擬實境裝置1可以包括顯示裝置10、左透鏡10a、右透鏡10b、支撐框架20、鏡腳30a和30b、反射構件40和顯示裝置儲存器50。
雖然第43圖示出了包括鏡腳30a和30b的虛擬實境裝置1，但是根據一個或多個實施例的虛擬實境裝置1可以應用於包括可以戴在頭上的頭戴式帶子的頭戴式顯示器，而非鏡腳30a和30b。換言之，根據一個或多個實施例的虛擬實境裝置1不限於第43圖中所示的，並且可以以各種形式應用於各種電子裝置。
顯示裝置儲存器50可以包括顯示裝置10和反射構件40，顯示在顯示裝置10上的圖像可以被反射構件40反射，並且通過右透鏡10b提供給使用者的右眼。因此，使用者可以通過右眼觀看顯示在顯示裝置10上的虛擬實境圖像。
第43圖示出了顯示裝置儲存器50位於支撐框架20的右側的端部，但是本說明書不限於此。例如：顯示裝置儲存器50可以位於支撐框架20的左端，在這種情況下，顯示裝置10上顯示的圖像可以被反射構件40反射，並通過左透鏡10a提供給使用者的左眼。因此，使用者可以通過左眼觀看顯示在顯示裝置10上的虛擬實境圖像。或者，顯示裝置儲存器50可以位於支撐框架20的左端和右端。在這種情況下，使用者可以通過左眼和右眼觀看顯示在顯示裝置10上的虛擬實境圖像。
第44圖係示出了包括根據一個或多個實施例的顯示面板的車輛的示意圖。
請參照第44圖，根據一個或多個實施例的顯示裝置10_a、10_b和10_c可應用於汽車的儀表板、汽車的中央儀表板或汽車儀表板的中央資訊顯示器(CID)。此外，根據一個或多個實施例的顯示裝置10_d和10_e可以應用於室內鏡面顯示器而非汽車的側視鏡。
第45圖係示出包括根據一個或多個實施例的顯示面板的透明顯示裝置的圖示。
請參照第45圖，根據一個或多個實施例的顯示裝置10可以應用於透明顯示裝置，透明顯示裝置可以顯示圖像IM，也可以透射。如此一來，位於透明顯示裝置前側的使用者可看到透明顯示裝置後側的物件RS或背景，以及顯示裝置10所顯示的影像IM。當顯示裝置10為應用於透明顯示裝置，第6圖所所示的顯示裝置10的第一基板110可以包括能夠透射的透射部，或者可以由能夠透射的材料製成。
在總結詳細描述時，本發明所屬領域中具有通常知識者將會理解可以對所揭露的實施例進行許多變化和修改，而不會實質上背離本揭露的多個態樣。因此，所揭露的實施例僅用於一般性和描述性意義，而不是為了限制性目的。
1:虛擬實境裝置 2:智慧型手錶 10、10_a、10_b、10_c、10_d、10_e:顯示裝置 10a:左透鏡 10b:右透鏡 20:支撐框架 30a:鏡腳 30b:鏡腳 40:反射構件 50:顯示裝置儲存器 100:顯示基板 110:第一基板 125:連接電極 130:閘極絕緣層 141:第一層間絕緣層 142:第二層間絕緣層 160:第一平坦化層 180:第二平坦化層 200:波長轉換構件 501:殼體 510:薄膜安裝構件 511:固定框架 511a:第一組裝框架 511b:第二組裝框架 520:轉移處理構件 521a:第一框架結合單元 521b:第二框架結合單元 522:薄膜結合單元 523:框架固定單元 550:拉伸處理構件 551:板狀框架 552:彈性壓合件 553:傳送驅動構件 A-A':直線 ACT1、ACT2、ACT3:主動層 ADNE1:第一陽極連接電極 ADNE2:第二陽極連接電極 ANCT1:第一連接接觸孔 ANCT2:第二連接接觸孔 BNL:堤部 BK:遮光構件 BR:阻擋層 BRS1:第一基底樹脂 BRS2:第二基底樹脂 BRS3:第三基底樹脂 BSUB:基底基板 CAE:電容電極 CE:共同電極 Cel、CST:電容器 CF1:第一彩色濾光片 CF2:第二彩色濾光片 CF3:第三彩色濾光片 CUD:切割覆蓋區域 CUL:切割線部分 D1:第一間隔或汲極 D2:第二間隔或汲極 D3:汲極 DPA:顯示區域 DR1:第一方向 DR2:第二方向 DR3:第三方向 DTL:數據線 DTR:驅動電晶體 EA1_D、EA2_D、EA3_D:區域 EA1:第一發光區域 EA2:第二發光區域 EA3:第三發光區域 EA4:第四發光區域 EBL:電子阻擋層 EBLL:電子阻擋材料層 ELVDL:第一電源線 EXD:外部裝置 FOL:第一有機層 FP:突出壓合部分 G1、G2、G3:閘極 IM:圖像 LE:發光元件 LEP:發光元件單元 LFL:轉移膜 LFL1:第一轉移膜 LFL2:第二轉移膜 MP1:第一光罩圖案 MP1:第一光線罩圖案 MQW:主動層 MQWL:主動材料層 MR:阻擋部分 MRF:光罩框架 NDA:非顯示區域 NEA:非發光區域 OP:透射開口 OP1:第一開口 OP2:第二開口 OP3:第三開口 P1:下電極層 P2:反射層 P3:上電極層 PE1:第一像素電極 PE2:第二像素電極 PE3:第三像素電極 PF:支撐框架 PLL:平坦化層 PTL:鈍化層 PW:分隔壁部 PWF:壓合框架 PX:像素 QDL:波長轉換層 QDL1:第一波長轉換層 QDL2:第二波長轉換層 QDL3:第三波長轉換層 RS:物件 S1、S2、S3:源極 S100～S100:步驟 SCL:掃描線 SEM1:第一半導體層 SEM1L:第一半導體材料層 SEM2:第二半導體層 SEM2L:第二半導體材料層 SEM3:第三半導體層 SEM3L:第三半導體材料層 SLT:超晶格層 SLTL:超晶格材料層 SPF:支撐膜 SPF1:第一支撐膜 SSL:感測訊號線 STR1:第一電晶體 STR2:第二電晶體 STR3:第三電晶體 STR4:第四電晶體 STR5:第五電晶體 STR6:第六電晶體 T1:第一開關元件或第一薄膜電晶體 T2:第二薄膜電晶體 T3:第三薄膜電晶體 VIL:初始電壓線 WCP1:第一波長轉換顆粒 WCP2:第二波長轉換顆粒 WCP3:第三波長轉換顆粒
本揭露的上述和其他態樣將通過參照圖式對其實施例的詳細描述而變得更加清楚，其中： 第1圖係根據一個或多個實施例的顯示裝置的平面圖； 第2圖係示意性地示出了一個或多個實施例的每個像素的發光區域的平面圖； 第3圖係示意性地示出了一個或多個其他實施例的每個像素的發光區域的平面圖； 第4圖係根據一個或多個實施例的用於每個像素的各個像素的等效電路圖； 第5圖係根據一個或多個其他實施例的每個像素的等效電路圖； 第6圖係示意性地示出了根據一個或多個實施例的第2圖的A-A'截面的剖視圖； 第7圖係示意性地示出了第6圖的第一發光區域的放大圖； 第8圖係說明第7圖的發光元件的剖視圖； 第9圖係示意性地示出了根據一個或多個其他實施例的第2圖的A-A'截面的剖視圖； 第10圖係示意性地示出了根據一個或多個其他實施例的第2圖的A-A'截面的剖視圖； 第11圖係示意性地示出根據一個或多個實施例的用於製造顯示面板的裝置的立體圖； 第12圖係示出了第11圖所示的製造裝置以另一種形式的另一立體圖； 第13圖係示出了第11圖至第12圖所示的薄膜安裝部件、拉伸處理構件以及轉移處理構件的剖視圖； 第14圖係示出了第13圖所示的薄膜安裝部件的其他方式的分解立體圖； 第15圖係示出了使用第11圖和第12圖的製造裝置製造顯示面板的方法的流程圖； 第16圖至第21圖係用於說明一個以上實施例的發光元件的製造方法的剖視圖； 第22圖係示意性地示出了設有根據一個或多個實施例所製造的發光元件的第一轉移膜的平面圖； 第23圖係示意性地示出了第22圖所示的第一轉移膜安裝在薄膜安裝構件上的方式的立體圖； 第24圖係示意性地示出了設置在第22圖所示的第一轉移膜上的發光元件的排列的一部分的主視圖(例如：平面圖)； 第25圖至第29圖係用於說明第一轉移膜的拉伸方法的剖視圖和主視圖； 第30圖至第38圖係用於說明第二轉移膜的拉伸方法的各種圖示； 第39圖至第41圖係示出了根據一個或多個實施例的顯示面板的製造方法的剖視圖； 第42圖係示出根據一個或多個實施例的包括顯示面板的智慧型裝置的圖示； 第43圖係示出根據一個或多個實施例的包括顯示面板的虛擬實境裝置的圖示； 第44圖係示出了包括根據一個或多個實施例的顯示面板的車輛的示意圖；及 第45圖係示出包括根據一個或多個實施例的顯示面板的透明顯示裝置的圖示。
10:顯示裝置
100:顯示基板
110:第一基板
130:閘極絕緣層
141:第一層間絕緣層
142:第二層間絕緣層
160:第一平坦化層
180:第二平坦化層
200:波長轉換構件
A-A':直線
ACT1、ACT2、ACT3:主動層
ADNE1:第一陽極連接電極
ADNE2:第二陽極連接電極
ANCT1:第一連接接觸孔
ANCT2:第二連接接觸孔
BNL:堤部
BK:遮光構件
BRS1:第一基底樹脂
BRS2:第二基底樹脂
CAE:電容電極
CE:共同電極
CF1:第一彩色濾光片
CF2:第二彩色濾光片
CF3:第三彩色濾光片
D1、D2、D3:汲極
EA1:第一發光區域
EA2:第二發光區域
EA3:第三發光區域
FOL:第一有機層
G1、G2、G3:閘極
LE:發光元件
LEP:發光元件單元
NEA:非發光區域
OP1:第一開口
OP2:第二開口
OP3:第三開口
PE1:第一像素電極
PE2:第二像素電極
PE3:第三像素電極
PTL:鈍化層
PW:分隔壁部
QDL1:第一波長轉換層
QDL2:第二波長轉換層
S1、S2、S3:源極
T1:第一薄膜電晶體
T2:第二薄膜電晶體
T3:第三薄膜電晶體
WCP1:第一波長轉換顆粒
WCP2:第二波長轉換顆粒

Claims (20)

  1. 一種顯示面板之製造裝置，其包括： 一固定框架，係配置以固定設有複數個發光元件的一第一轉移膜的一外周邊； 一薄膜安裝構件，該固定框架安裝在該薄膜安裝構件上； 一拉伸處理構件，係配置以通過沿一正向方向壓合該第一轉移膜的一後表面來拉伸該第一轉移膜；及 一轉移處理構件，係配置以將該複數個發光元件轉移到一支撐膜或一第二轉移膜上，該複數個發光元件之間的一間隔藉由該第一轉移膜的拉伸而變化。
  2. 如請求項1所述的裝置，其中該固定框架包括一第一組裝框架和一第二組裝框架，該第一組裝框架和該第二組裝框架具有一圓形或多邊形開口，並且具有該開口形成在其內之一圓形或多邊形的面板或框架結構。
  3. 如請求項2所述的裝置，其中該第一組裝框架和該第二組裝框架配置為互相重疊，該第一轉移膜位於該第一組裝框架與該第二組裝框架之間，並且該第一組裝框架和該第二組裝框架配置為藉由該開口的一外圍框架結構而壓合和固定該第一轉移膜的一前表面和一後表面的複數個部分區域及一外周邊。
  4. 如請求項1所述的裝置，其中該薄膜安裝構件包括： 一第一安裝框架，該固定框架位於該第一安裝框架上；以及 一第二安裝框架，係配置以壓合及固定在該第一安裝框架上的該固定框架的一前表面和一外周邊的一部分。
  5. 如請求項4所述的裝置，其中該第一安裝框架包括界定一開口之一圓形或多邊形的面板或框架，並且該第一安裝框架安裝在一殼體的上方或內部，且 其中該第二安裝框架包括界定一開口之一圓形或多邊形的面板或框架，並且該第二安裝框架係配置以與該第一安裝框架重疊，以使該固定框架位於該第一安裝框架與該第二安裝框架之間。
  6. 如請求項1所述的裝置，其中該拉伸處理構件包括： 一盤狀或多邊形的一板狀框架； 一彈性壓合件，位於該板狀框架的一前表面上；以及 一轉移驅動構件，係配置以利用該彈性壓合件和該板狀框架拉伸該第一轉移膜，此拉伸是通過支撐該板狀框架的一後表面，並使該板狀框架沿著該正向方向從該板狀框架的該後表面朝向第一轉移膜的一前表面移動。
  7. 如請求項6所述的裝置，其中該彈性壓合件包括一前表面及實質上平坦的一後表面，該前表面為具有一曲率的一凸面形狀，並且該後表面位於該板狀框架的該前表面上。
  8. 如請求項7所述的裝置，其中該彈性壓合件的該凸面形狀對應於該第一轉移膜的一尺寸或一直徑、該發光元件的一排列寬度或一排列間隔、或該第一轉移膜的一拉伸寬度中的至少一個。
  9. 如請求項1所述的裝置，其中該轉移處理構件係配置以在安裝有該支撐膜或該第二轉移膜的一狀態下沿著朝向由該拉伸處理構件拉伸的該第一轉移膜的方向移動，並且該轉移處理構件係配置以將該複數個發光元件黏附到該支撐膜或該第二轉移膜上，以及 其中該複數個發光元件係配置以在與該第一轉移膜分離的過程中轉移至該支撐膜或該第二轉移膜。
  10. 如請求項1所述的裝置，其中該轉移處理構件包括： 一第一框架結合單元和一第二框架結合單元，係配置以通過壓合一光罩框架的一外周邊來固定該光罩框架的該外周邊； 一薄膜結合單元，組裝到該第二框架結合單元的一後表面，以將該支撐膜或該第二轉移膜固定到該光罩框架的一後表面；以及 一框架固定單元，組裝到該薄膜結合單元的一後表面，以將一壓合框架固定到該支撐膜或該第二轉移膜的一後表面。
  11. 如請求項10所述的裝置，其中該第一框架結合單元和該第二框架結合單元包括具有一開口的圓形或多邊形的面板或框架結構，在該光罩框架之間相互重疊，並且配置以壓合和固定該光罩框架的一前表面和該後表面的複數個部分區域和該外周邊。
  12. 如請求項11所述的裝置，其中該光罩框架包括： 一切割線部分，對應於一第二支撐膜的一切割覆蓋區域，該切割覆蓋區域對應於該顯示面板的覆蓋該複數個發光元件的一切割區域，使得該複數個發光元件不附接於該第二支撐膜的該切割覆蓋區域； 複數個透射開口，分別對應於該顯示面板的複數個發光區域或該顯示面板的除該切割區域外的複數個前表面區域；以及 一阻擋部分，對應於該顯示面板的一非發光區域。
  13. 如請求項12所述的裝置，其中該框架固定單元包括具有一開口的一圓形或多邊形的面板或框架結構，該圓形或多邊形的面板或框架結構與該薄膜結合單元的該後表面重疊，以使該壓合框架位於該圓形或多邊形的面板或框架結構與該薄膜結合單元的該後表面之間，並且該圓形或多邊形的面板或框架結構係配置以壓合及固定該壓合框架的一前表面及一後表面的複數個部分區域和一外周邊緣。
  14. 如請求項13所述的裝置，其中該壓合框架包括： 一突出壓合部分，形成為使得與該光罩框架的該複數個透射開口和該顯示面板的該複數個發光區域對應的複數個區域以一直角或一彎曲形狀突出；以及 一支撐框架，係配置以支撐該突出壓合部分的複數個後表面。
  15. 一種顯示面板的製造方法，其包括： 製造包括複數個像素電路和複數個像素電極的一顯示基板； 在一基底基板上製造複數個發光元件； 將該複數個發光元件移動及轉移至一第一轉移膜； 通過一固定框架固定該第一轉移膜的一外周邊； 將該固定框架安裝到一薄膜安裝構件上； 通過一拉伸處理構件壓合該第一轉移膜的一後表面進行第一次拉伸該第一轉移膜至一寬度；以及 將藉由拉伸而改變一間隔的該複數個發光元件轉移到安裝在一轉移處理構件上的一支撐膜或一第二轉移膜上。
  16. 如請求項15所述的製造方法，其進一步包括： 將具有被轉移的該複數個發光元件的該第二轉移膜的一外周邊與該固定框架固定； 將該固定框架安裝在該薄膜安裝構件上； 通過該拉伸處理構件壓合該第二轉移膜的一後表面，對該第二轉移膜進行第二次拉伸； 將藉由該第二轉移膜的第二次拉伸而改變其他間隔的該複數個發光元件轉移到安裝在該轉移處理構件上的該支撐膜上；以及 將被轉移到該支撐膜的該複數個發光元件設置在該顯示基板的該複數個像素電極上。
  17. 如請求項16所述的製造方法，其中將該複數個發光元件轉移到該支撐膜或安裝在該轉移處理構件上的該第二轉移膜包括： 將一光罩框架固定到該轉移處理構件的一第一框架結合單元和一第二框架結合單元； 通過被組裝到該第二框架結合單元的一後表面的一薄膜結合單元來固定該支撐膜或該第二轉移膜； 通過被組裝到該薄膜結合單元的一後表面的一框架固定單元來固定一壓合框架；以及 移動包括該第一框架結合單元和該第二框架結合單元、該薄膜結合單元和該框架固定單元的該轉移處理構件，以使該支撐膜或該第二轉移膜與該複數個發光元件接觸。
  18. 如請求項17所述的製造方法，其中將該光罩框架固定到該第一框架結合單元和該第二框架結合單元包括： 將該光罩框架設置在該第一框架結合單元與該第二框架結合單元之間，該第一框架結合單元及該第二框架結合單元包括具有一開口的一圓形或多邊形的面板或框架結構；以及 通過將該第一框架結合單元和該第二框架結合單元重疊使該光罩框架固定在該第一框架結合單元與該第二框架結合單元之間，固定該光罩框架的一前表面和一後表面的複數個部分區域及一外周邊。
  19. 如請求項18所述的製造方法，其中通過該薄膜結合單元來固定該支撐膜或該第二轉移膜包括： 將該支撐膜或該第二轉移膜設置在該第二框架結合單元與該壓合框架之間；以及 通過將該薄膜結合單元與該第二框架結合單元的該後表面重疊，使該支撐膜或該第二轉移膜位於該薄膜結合單元與該第二框架結合單元的該後表面之間，從而固定該支撐膜或第二轉移膜。
  20. 如請求項19所述的製造方法，其中將該壓合框架與被組裝到該薄膜結合單元的該後表面的該框架固定單元固定包括： 將該壓合框架設置在該薄膜結合單元與該框架固定單元之間；以及 通過將該框架固定單元與該薄膜結合單元的該後表面重疊，將該支撐膜或該第二轉移膜固定在該框架固定單元與該薄膜結合單元的該後表面之間。
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