CN117855365A - 用于制造显示面板的设备 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种用于制造显示面板的设备，所述用于制造显示面板的设备包括：附接构件，在加压方向上具有固定部，加压头固定到所述固定部；附接驱动构件，配置为经由所述附接构件的固定框架使所述附接构件和所述加压头在所述加压方向或分离方向上移动；第一压力感测模块，在所述加压头和所述附接构件之间，并且配置为根据施加到所述加压头的压力产生第一压力检测信号；梯度设定模块，配置为基于所述第一压力检测信号的大小来设定所述加压头的梯度；以及梯度控制模块，配置为根据所述梯度设定模块的控制来调节所述加压头的所述梯度、所述附接构件的梯度和所述固定框架的梯度。
Description
技术领域
本公开涉及一种用于制造显示面板的设备。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置的重要性已经增加。因此，诸如有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)的各种类型的显示装置已经被使用。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。在它们之中，发光显示面板可以包括发光二极管(LED)，并且这样的发光二极管包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)或使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管等。
当制造使用无机发光二极管作为发光元件的显示面板时，需要用于将诸如微型LED的发光二极管精确地设置和附接到显示面板的基底上的制造设备。
发明内容
本公开的实施例的方面和特征提供了一种用于制造显示面板的设备和一种显示面板的制造方法，所述设备和所述制造方法能够精确且准确地设置和附接发光二极管。
本公开的实施例的方面和特征还提供了一种用于制造显示面板的设备和一种显示面板的制造方法，所述设备和所述制造方法能够通过使对发光二极管进行加压并附接发光二极管的加压构件的梯度容易地被校正，来降低或最小化发光二极管的附接缺陷率。
然而，本公开的实施例的方面和特征不限于本文中阐述的那些。通过参照以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
根据本公开的一个或多个实施例，一种用于制造显示面板的设备包括：附接构件，在加压方向上具有固定部，加压头固定到所述固定部；附接驱动构件，配置为经由所述附接构件的固定框架使所述附接构件和所述加压头在所述加压方向或分离方向上移动；第一压力感测模块，在所述加压头和所述附接构件之间，并且配置为根据施加到所述加压头的压力产生第一压力检测信号；梯度设定模块，配置为基于所述第一压力检测信号的大小来设定所述加压头的梯度；以及梯度控制模块，配置为根据所述梯度设定模块的控制来调节所述加压头的所述梯度、所述附接构件的梯度和所述固定框架的梯度。
在一个或多个实施例中，所述附接构件具有多棱柱形状或圆柱形状并且具有多边形形状或圆形形状的开口，其中，插入孔在所述加压方向上定位在所述附接构件的所述固定部中，所述加压头插入并固定在所述插入孔中，并且其中，所述插入孔根据所述加压头的外周表面的形状具有多边形或圆柱形状。
在一个或多个实施例中，根据所述附接构件的所述开口和所述插入孔之间的内径的差，在所述固定部中定位内台阶，并且所述第一压力感测模块在所述固定部的所述内台阶上。
在一个或多个实施例中，所述第一压力感测模块具有与所述固定部的所述内台阶的形状和面积对应的四边形环或O形环形状，或者分开为多个段，并且所述第一压力感测模块的所述多个段分开地定位在所述固定部的所述内台阶上，并且所述加压头插入在所述固定部的所述插入孔中并且接触所述第一压力感测模块。
在一个或多个实施例中，所述加压头包括包含透光石英和玻璃中的至少一种的透明材料，并且所述加压头具有与所述附接构件的所述固定部中的所述插入孔的形状和尺寸对应的六面体形状、立方体形状、圆柱体形状或柱状形状。
在一个或多个实施例中，所述第一压力感测模块配置为：使用分别定位于在不同方向上的位置处的多个压力传感器来感测施加到所述加压头的所述压力的大小，并且基于所述压力的所述大小产生所述第一压力检测信号；并且使用至少一个信号传输电路将所述第一压力检测信号与用于所述多个压力传感器中的每一个的方向代码一起传输到所述梯度设定模块。
在一个或多个实施例中，所述多个压力传感器：分别定位在所述固定部的所述内台阶上的x轴方向、-x轴方向、y轴方向和-y轴方向上；分别定位在形成为四边形形状的所述内台阶的四个方向的拐角位置处；或者定位在所述内台阶上，并且在所述内台阶上具有从三角形形状、四边形形状、五边形形状和六边形形状的组中选择的一种多边形形状。
在一个或多个实施例中，所述梯度设定模块配置为：检测所述第一压力检测信号之间的大小偏差，并且计算所述加压头的用于使所述第一压力检测信号之间的所述大小偏差为零的水平梯度设定值；并且产生与计算的所述水平梯度设定值的大小对应的梯度控制信号，并且将所述梯度控制信号传输到所述梯度控制模块。
在一个或多个实施例中，所述附接驱动构件配置为使用定位在平板支撑框架的向下方向上的多个压力调节器使所述固定框架、所述附接构件和所述加压头在所述加压方向或与所述加压方向相反的所述分离方向上移动。
在一个或多个实施例中，所述梯度控制模块包括：多个线性运动(LM)导向件，所述多个LM导向件在所述平板支撑框架的后表面部分上定位在与所述多个压力调节器对应的位置处；多个磁性弹簧，分别支撑所述多个LM导向件；以及至少一个伺服电机，配置为通过根据来自所述梯度设定模块的所述梯度控制信号改变所述多个磁性弹簧和所述多个LM导向件中的每一者的设置位置来调节所述平板支撑框架的水平梯度和所述多个压力调节器的水平梯度。
在一个或多个实施例中，所述梯度控制模块配置为通过基于所述梯度控制信号调节所述附接驱动构件的所述平板支撑框架的所述水平梯度来调节定位在所述平板支撑框架上的所述多个压力调节器的所述水平梯度、所述附接构件的水平梯度和所述加压头的水平梯度。
在一个或多个实施例中，所述用于制造显示面板的设备还包括第二压力感测模块，所述第二压力感测模块定位在加压板的由所述加压头加压的加压保持器中并且根据从所述加压头施加的压力的大小产生第二压力检测信号，其中，所述第二压力感测模块呈与所述加压保持器的形状和面积对应的平板形状，或者以多个段的形式分开地定位在所述加压保持器内部。
在一个或多个实施例中，所述第二压力感测模块配置为：使用定位于在不同方向上的位置处的多个压力传感器根据从所述加压头施加的所述压力的所述大小产生所述第二压力检测信号；并且经由至少一个信号传输电路将所述第二压力检测信号与用于所述多个压力传感器中的每一个的方向代码一起传输到所述梯度设定模块。
在一个或多个实施例中，所述梯度设定模块配置为：检测所述第二压力检测信号之间的大小偏差，并且计算所述加压头的用于使所述第二压力检测信号之间的所述大小偏差为零的水平梯度设定值。
在一个或多个实施例中，所述多个压力传感器：分别定位在所述加压板的所述加压保持器内部的x轴方向、-x轴方向、y轴方向和-y轴方向上；分别定位在形成为四边形形状的所述加压保持器内部的四个方向的拐角位置处；或者在所述加压保持器内部具有三角形、四边形、五边形和六边形中的一种多边形形状。
在一个或多个实施例中，所述梯度设定模块配置为：根据所述第二压力检测信号来检测压力大小偏差，计算用于将所述加压头的水平梯度调节为使根据所述第二压力检测信号的所述压力大小偏差为零的水平梯度设定值，产生与计算的所述水平梯度设定值的大小对应的梯度控制信号，并且将所述梯度控制信号传输到所述梯度控制模块。
在一个或多个实施例中，所述梯度控制模块配置为通过基于所述梯度控制信号调节所述附接驱动构件的平板支撑框架的水平梯度来调节定位在所述平板支撑框架上的所述多个压力调节器的水平梯度、所述附接构件的水平梯度和所述加压头的所述水平梯度。
此外，通过使对发光二极管进行加压并附接发光二极管的加压构件的梯度容易地被校正，可以降低或最小化发光二极管的附接缺陷率并降低制造成本。
本公开的实施例的效果、方面和特征不限于前述效果、方面和特征，并且在本说明书中包括各种其他效果、方面和特征。
附图说明
通过参照附图详细地描述本公开的实施例，本公开的上述和其他方面和特征将变得更加明显，其中：
图1是根据本公开的一个或多个实施例的显示装置的平面图；
图2是示出根据一个或多个实施例的相应的像素的发射区域的示意性平面图；
图3是示出根据一个或多个实施例的相应的像素的发射区域的示意性平面图；
图4是根据一个或多个实施例的每个像素的等效电路图；
图5是根据一个或多个实施例的每个像素的等效电路图；
图6是沿着图2的线A-A'截取的根据一个或多个实施例的相应的像素的发射区域的示意性截面图；
图7是示出图6的第一发射区域的示意性放大图；
图8是详细示出图7的发光元件的截面图；
图9是沿着图2的线A-A'截取的另一实施例的相应的像素的发射区域的示意性截面图；
图10是沿着图2的线A-A'截取的又一实施例的相应的像素的发射区域的示意性截面图；
图11是示出根据一个或多个实施例的用于制造显示面板的设备的示意性透视图；
图12是示出图11中所示的用于制造显示面板的设备的截面结构的截面图；
图13是示出图12中所示的附接构件和附接构件的固定部的截面结构的截面图；
图14是示出图12和图13的加压头、附接构件和固定框架的下表面在向上方向上的配置图；
图15是示出图12和图13的加压头、附接构件和固定框架的下表面在向上方向上的一个或多个实施例的配置图；
图16是示出图14和图15中所示的第一压力感测模块的设置形状的另一实施例的配置图；
图17是示出图14和图15中所示的第一压力感测模块的设置形状的又一实施例的配置图；
图18是示出图11和图12中所示的梯度控制模块的在平面图中的结构的配置图；
图19是用于描述第二压力感测模块的经由加压头的加压工艺和加压头的水平梯度校正工艺的截面结构图；
图20是详细示出图19中所示的加压板和第二压力感测模块的截面结构的截面图；
图21是示出图19和图20中所示的加压板和第二压力感测模块的设置结构的正视图；
图22是示出图19和图20中所示的加压板和第二压力感测模块的设置结构的一个或多个实施例的正视图；
图23是示出使用根据一个或多个实施例的用于制造显示面板的设备的显示面板的制造工艺的截面结构图；
图24是详细示出图23中所示的晶圆安装构件的透视图；
图25是示出使用根据一个或多个实施例的用于制造显示面板的设备的晶圆加压工艺的截面结构图；
图26是示出包括根据一个或多个实施例的显示装置的车辆的仪表板和中央仪表面板的示意图；
图27是示出包括根据一个或多个实施例的显示装置的眼镜型虚拟现实装置的示意图；
图28是示出包括根据一个或多个实施例的显示装置的手表型智能装置的示意图；并且
图29是示出包括根据一个或多个实施例的显示装置的透明显示装置的示意图。
具体实施方式
在下文中将参照其中示出了本公开的实施例的附图更充分地描述本公开的一个或多个实施例。然而，本公开可以以不同的形式来实施并且不应被解释为限于本文中阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
还将理解的是，当层或基底被称为“在”另一层或基底“上”时，所述层或基底可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层或基底。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的组件。
将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导和范围的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
本公开的各种实施例的特征中的每一个可以部分地或整体地组合或彼此组合，并且在技术上可以有各种联锁和驱动。每个实施例可以彼此独立地实现，或者可以联合在一起实现。
在下文中，将参照附图描述具体实施例。
图1是根据本公开的一个或多个实施例的显示装置的平面图。
参照图1，根据一个或多个实施例的显示装置10可以应用于智能电话、移动电话、平板个人计算机(PC)、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、电视机、游戏机、腕表型电子装置、头戴式显示器、个人计算机的监视器、膝上型计算机、车辆导航系统、车辆仪表板、数码相机、摄像机、外部广告牌、电子标志、医疗装置、检查装置、诸如冰箱和洗衣机的各种家用电器和/或物联网(IoT)装置。在本公开中，电视机(TV)将被描述为显示装置的示例，并且TV可以具有诸如高清晰度(HD)、超高清晰度(UHD)、4K或8K的高分辨率或超高分辨率。
此外，可以将根据一个或多个实施例的显示装置10根据显示方法不同地分类。例如，显示装置的分类可以包括有机发光二极管(OLED)显示器、无机发光二极管(无机LED)显示器、量子点发光二极管(QLED)显示器、微型LED显示器、纳米LED显示器、等离子显示面板(PDP)、场发射显示器(FED)、阴极射线管(CRT)显示器、液晶显示器(LCD)和电泳显示器(EPD)等。在下文中，微型LED显示装置将被描述为显示装置的示例，并且除非需要特殊区分，否则应用于实施例的微型LED显示装置将被简称为显示装置。然而，一个或多个实施例不限于微型LED显示装置，并且在本公开的范围内也可以应用上面列出的或本技术领域中已知的其他显示装置。
另外，在附图中，第一方向DR1是指显示装置10的横向方向，第二方向DR2是指显示装置10的纵向方向，并且第三方向DR3是指显示装置10的厚度方向。在这种情况下，“左”、“右”、“上”和“下”是指当在平面图中观察显示装置10时的方向。例如，“右侧”是指第一方向DR1上的一侧，“左侧”是指第一方向DR1上的另一侧，“上侧”是指第二方向DR2上的一侧，并且“下侧”是指第二方向DR2上的另一侧。此外，“上部”是指第三方向DR3上的一侧，并且“下部”是指第三方向DR3上的另一侧。
根据一个或多个实施例的显示装置10在平面图中可以具有圆形形状、椭圆形状或方形(quadrate)形状，并且可以具有例如正方形形状。另外，当显示装置10是电视机时，显示装置10可以具有显示装置10的长边在横向方向上定位的矩形形状。然而，本公开不限于此，并且显示装置10的长边可以在纵向方向上定位，或者显示装置10可以可旋转地安装，使得显示装置10的长边可以在横向方向或纵向方向上可变地定位。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是其中显示图像的有源区域。与显示装置10的整体形状类似，显示区域DPA在平面图中可以具有正方形形状，但是不限于此，并且可以具有圆形形状或椭圆形形状。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以以矩阵形式布置。例如，多个像素PX可以沿着矩阵的行和列布置。每个像素PX的形状在平面图中可以是长方形形状或正方形形状，但是不限于此，并且还可以是每条边相对于显示装置10的一侧方向倾斜的菱形形状。多个像素PX可以包括数个颜色像素PX。例如，多个像素PX可以包括作为红色像素的第一颜色像素PX、作为绿色像素的第二颜色像素PX以及作为蓝色像素的第三颜色像素PX。本公开不限于此，并且多个像素PX还可以包括作为白色像素的第四颜色像素PX。相应的颜色像素PX可以交替布置为条型(stripe type)或结构等。/>像素布置结构可以被称为RGBG矩阵结构(例如，/>矩阵结构或RGBG结构(例如，结构))。/>是韩国三星显示有限公司的注册商标。
非显示区域NDA可以沿着显示区域DPA的边缘或外围设置在显示区域DPA的周围。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有诸如圆形形状或正方形形状的各种形状。非显示区域NDA可以根据显示区域DPA的形状来形成为围绕显示区域DPA的外围。非显示区域NDA可以是显示装置10的边框部分。
用于驱动显示区域DPA的驱动电路或驱动元件可以设置在非显示区域NDA中。在一个或多个实施例中，在非显示区域NDA的与显示装置10的第一侧(图1中的下侧)相邻设置的区域中，焊盘部件可以提供在显示装置10的显示基底101(例如，见图6)上，并且外部装置EXD可以安装在焊盘部件的焊盘电极上。外部装置EXD的示例可以包括连接膜、印刷电路板、驱动芯片DIC、连接器和布线连接膜等。形成在显示装置10的显示基底101上的扫描驱动器SDR等可以设置在非显示区域NDA的与显示装置10的第二侧(图1中的左侧)相邻设置的区域中。
图2是示出根据一个或多个实施例的相应的像素的发射区域的示意性平面图。
参照图2，多个像素PX(见图1)可以以矩阵形式布置为条型，并且可以划分为作为红色像素的第一颜色像素PX、作为绿色像素的第二颜色像素PX以及作为蓝色像素的第三颜色像素PX。此外，多个像素PX可以划分为还包括作为白色像素的第四颜色像素PX。
第一颜色像素PX的像素电极可以定位在第一颜色像素PX的第一发射区域EA1中，并且第一颜色像素PX的像素电极的至少一部分可以延伸到非发射区域NEA。第二颜色像素PX的像素电极可以定位在第二颜色像素PX的第二发射区域EA2中，并且第二颜色像素PX的像素电极的至少一部分可以延伸到非发射区域NEA。第三颜色像素PX的像素电极可以定位在第三颜色像素PX的第三发射区域EA3中，并且第三颜色像素PX的像素电极的至少一部分可以延伸到非发射区域NEA。多个像素PX中的每一个的像素电极可以穿透至少一个绝缘层以连接到包括在每个像素电路中的任何一个开关元件。
多个发光元件LE设置在第一发射区域EA1的像素电极、第二发射区域EA2的像素电极和第三发射区域EA3的像素电极上。也就是说，发光元件LE设置在第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的每一者中。此外，作为红色滤色器的第一滤色器CF1(例如，见图6)、作为绿色滤色器的第二滤色器CF2(例如，见图6)以及作为蓝色滤色器CF3(例如，见图6)的第三滤色器可以分别设置在其中设置多个发光元件LE的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中。第一有机层FOL可以设置在非发射区域NEA中。
图3是示出根据一个或多个实施例的相应的像素的发射区域的示意性平面图。
参照图3，多个像素PX中的每一个的形状不限于平面图中的长方形形状或正方形形状，并且可以是每条边相对于显示装置10的一侧方向倾斜的菱形形状，以形成矩阵结构。因此，在/>矩阵结构的相应的像素PX中，第一颜色像素PX的第一发射区域EA1、第二颜色像素PX的第二发射区域EA2、第三颜色像素PX的第三发射区域EA3、以及与第一颜色至第三颜色中的任何一种颜色相同的颜色的像素PX的第四发射区域EA4中的每一者可以形成为菱形形状。
每个像素PX的第一发射区域EA1至第四发射区域EA4的尺寸或平面面积可以彼此相同或不同。类似地，各自设置在第一发射区域EA1至第四发射区域EA4中的发光元件LE的数量可以彼此相同或不同。
具体地，第一发射区域EA1的面积、第二发射区域EA2的面积、第三发射区域EA3的面积和第四发射区域EA4的面积可以彼此大体相同，但是不限于此，并且也可以彼此不同。彼此邻近的第一发射区域EA1和第二发射区域EA2之间的距离、彼此邻近的第二发射区域EA2和第四发射区域EA4之间的距离、彼此邻近的第一发射区域EA1和第三发射区域EA3之间的距离、以及彼此邻近的第三发射区域EA3和第四发射区域EA4之间的距离可以彼此大体相同，但是也可以彼此不同。本公开的一个或多个实施例不限于此。
此外，第一发射区域EA1可以发射第一颜色光，第二发射区域EA2可以发射第二颜色光，并且第三发射区域EA3和第四发射区域EA4可以发射第三颜色光，但是本公开的一个或多个实施例不限于此。例如，第一发射区域EA1可以发射第二颜色光，第二发射区域EA2可以发射第一颜色光，并且第三发射区域EA3和第四发射区域EA4可以发射第三颜色光。可替代地，第一发射区域EA1可以发射第三颜色光，第二发射区域EA2可以发射第二颜色光，并且第三发射区域EA3和第四发射区域EA4可以发射第一颜色光。可替代地，第一发射区域EA1至第四发射区域EA4中的至少一者可以发射第四颜色光。第四颜色光可以是白色波段的光或黄色波段的光。作为示例，第四颜色光的主峰值波长可以定位在近似550nm至600nm处，但是本公开的一个或多个实施例不限于此。
图4是根据一个或多个实施例的每个像素的等效电路图。
参照图4，每个像素PX可以包括用于控制发光元件LE的光发射的三个晶体管DTR、STR1和STR2以及一个存储电容器CST。三个晶体管DTR、STR1和STR2可以包括驱动晶体管DTR、第一晶体管STR1和第二晶体管STR2。驱动晶体管DTR根据驱动晶体管DTR的栅极电极和源极电极之间的电压差来调节从第一源电压所供应到的第一电源线ELVDL流向任何一个发光元件LE的电流。驱动晶体管DTR的栅极电极可以连接到第一晶体管STR1的第一电极，驱动晶体管DTR的源极电极可以连接到任何一个发光元件LE的第一电极，并且驱动晶体管DTR的漏极电极可以连接到第一源电压所施加到的第一电源线ELVDL。
第一晶体管STR1由扫描线SCL的扫描信号导通，以将数据线DTL连接到驱动晶体管DTR的栅极电极。第一晶体管STR1的栅极电极可以连接到扫描线SCL，第一晶体管STR1的第一电极可以连接到驱动晶体管DTR的栅极电极，并且第一晶体管STR1的第二电极可以连接到数据线DTL。
第二晶体管STR2由感测信号线SSL的感测信号导通，以将初始化电压线VIL连接到驱动晶体管DTR的源极电极。第二晶体管STR2的栅极电极可以连接到感测信号线SSL，第二晶体管STR2的第一电极可以连接到初始化电压线VIL，并且第二晶体管STR2的第二电极可以连接到驱动晶体管DTR的源极电极。
在一个或多个实施例中，第一晶体管STR1和第二晶体管STR2中的每一者的第一电极可以是源极电极，并且第一晶体管STR1和第二晶体管STR2中的每一者的第二电极可以是漏极电极，但是本公开不限于此，并且反之亦然。
存储电容器CST形成在驱动晶体管DTR的栅极电极和源极电极之间。存储电容器CST存储驱动晶体管DTR的栅极电压和源极电压之间的差电压。
驱动晶体管DTR以及第一晶体管STR1和第二晶体管STR2可以形成为薄膜晶体管(TFT)。此外，已经在图4中主要描述了驱动晶体管DTR、第一晶体管STR1和第二晶体管STR2是N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但是本公开不限于此。也就是说，驱动晶体管DTR、第一晶体管STR1和第二晶体管STR2可以是P型MOSFET，或者驱动晶体管DTR、第一晶体管STR1和第二晶体管STR2中的一些可以是N型MOSFET，并且驱动晶体管DTR、第一晶体管STR1和第二晶体管STR2中的另一些可以是P型MOSFET。
发光元件LE可以连接在驱动晶体管DTR的源极电极和第二电源线ELVSL之间。
图5是根据一个或多个实施例的每个像素的等效电路图。
参照图5，每个像素PX(见图1)可以包括用于控制发光元件LE的光发射的多个开关元件和驱动晶体管DTR以及电容器CST。这里，多个开关元件可以包括第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6。
驱动晶体管DTR包括栅极电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管DTR根据施加到驱动晶体管DTR的栅极电极的数据电压来控制在驱动晶体管DTR的第一电极和第二电极之间流动的漏极-源极电流Ids(也被称为“驱动电流”)。
电容器CST形成在驱动晶体管DTR的第二电极和第一电源线ELVDL之间。电容器CST的一个电极可以连接到驱动晶体管DTR的第二电极，并且电容器CST的另一电极可以连接到第一电源线ELVDL。
当第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每一者的第一电极是源极电极时，第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每一者的第二电极可以是漏极电极。可替代地，当第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每一者的第一电极是漏极电极时，第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR中的每一者的第二电极可以是源极电极。
驱动晶体管DTR、第二晶体管STR2、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6可以形成为P型MOSFET，并且第一晶体管STR1和第三晶体管STR3可以形成为N型MOSFET。可替代地，第一晶体管STR1、第二晶体管STR2、第三晶体管STR3、第四晶体管STR4、第五晶体管STR5和第六晶体管STR6以及驱动晶体管DTR可以形成为P型MOSFET。
要注意的是，根据本公开的上述的一个或多个实施例的像素的等效电路图不限于图4和图5中所示的那些。除了图4和图5中所示的实施例之外，根据本公开的一个或多个实施例的像素的等效电路图还可以由本领域普通技术人员采用的其他已知电路结构形成。
第一晶体管STR1连接在驱动晶体管DTR的栅极电极和驱动晶体管DTR的第一电极之间。第一晶体管STR1的栅极电极连接到栅极控制线GCL。
第二晶体管STR2连接在数据线DTL和驱动晶体管DTR的第二电极之间。第二晶体管STR2的栅极电极连接到栅极写入线GWL。
第三晶体管STR3连接在驱动晶体管DTR的栅极电极和初始化电压线VIL之间。第三晶体管STR3的栅极电极连接到栅极初始化线GIL。
第四晶体管STR4连接在发光元件LE的第一电极和初始化电压线VIL之间。第四晶体管STR4的栅极电极连接到栅极写入线GWL。
第五晶体管STR5连接在驱动晶体管DTR的第二电极和第一电源线ELVDL之间。第五晶体管STR5的栅极电极连接到发射控制线ELk。
第六晶体管STR6连接在驱动晶体管DTR的第一电极和发光元件LE的第一电极之间。第六晶体管STR6的栅极电极连接到发射控制线ELk。
发光元件LE连接在第六晶体管STR6的第二电极和第二电源线ELVSL之间。
电容器Cel连接在发光元件LE的第一电极和发光元件LE的第二电极之间。
图6是沿着图2的线A-A'截取的根据一个或多个实施例的相应的像素的发射区域的示意性截面图。此外，图7是示出图6的第一发射区域的示意性放大图，并且图8是详细示出图7的发光元件的截面图。
参照图6至图8，显示装置10的显示面板可以包括显示基底101和设置在显示基底101上的波长转换单元201。
屏障层BR可以设置在显示基底101的第一基底111上。第一基底111可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。例如，第一基底111可以由聚酰亚胺制成。第一基底111可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
屏障层BR是用于保护薄膜晶体管T1、T2和T3以及发光元件单元LEP免受穿透易受湿气渗透的第一基底111的湿气的影响的膜。屏障层BR可以包括交替堆叠的多个无机层。例如，屏障层BR可以形成为其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或多个无机层交替堆叠的多层。
相应的薄膜晶体管T1、T2和T3可以设置在屏障层BR上。薄膜晶体管T1、T2和T3分别包括有源层ACT1、ACT2和ACT3、栅极电极G1、G2和G3、源极电极S1、S2和S3以及漏极电极D1、D2和D3。
薄膜晶体管T1、T2和T3的有源层ACT1、ACT2和ACT3、源极电极S1、S2和S3以及漏极电极D1、D2和D3可以设置在屏障层BR上。薄膜晶体管T1、T2和T3的有源层ACT1、ACT2和ACT3包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。在作为第一基底111的厚度方向的第三方向DR3上与栅极电极G1、G2和G3重叠的有源层ACT1、ACT2和ACT3可以限定为沟道区。源极电极S1、S2和S3以及漏极电极D1、D2和D3是在第三方向DR3上不与栅极电极G1、G2和G3重叠的区，并且可以通过用离子或杂质掺杂硅半导体或氧化物半导体而具有导电性。
栅极绝缘层131可以设置在薄膜晶体管T1、T2和T3的有源层ACT1、ACT2和ACT3、源极电极S1、S2和S3以及漏极电极D1、D2和D3上。栅极绝缘层131可以形成为诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层的无机层。
薄膜晶体管T1、T2和T3的栅极电极G1、G2和G3可以设置在栅极绝缘层131上。栅极电极G1、G2和G3可以在第三方向上DR3分别与有源层ACT1、ACT2和ACT3重叠。栅极电极G1、G2和G3中的每一者可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(nd)、铜(Cu)和/或它们的合金制成的单层或多层。
第一层间绝缘层141可以设置在薄膜晶体管T1、T2和T3的栅极电极G1、G2和G3上。第一层间绝缘层141可以形成为诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层的无机层。第一层间绝缘层141可以形成为多个无机层。
电容器电极CAE可以设置在第一层间绝缘层141上。电容器电极CAE可以在第三方向DR3上与薄膜晶体管T1、T2和T3的栅极电极G1、G2和G3重叠，或者可以在第三方向DR3上不与薄膜晶体管T1、T2和T3的栅极电极G1、G2和G3重叠。因为第一层间绝缘层141具有合适的介电常数(例如，预定的介电常数)，所以电容器可以由电容器电极CAE、栅极电极G1、G2和G3、以及设置在电容器电极CAE与栅极电极G1、G2和G3之间的第一层间绝缘层141形成。电容器电极CAE可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和/或它们的合金制成的单层或多层。
第二层间绝缘层142可以设置在电容器电极CAE上。第二层间绝缘层142可以形成为诸如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和/或氧化铝层的无机层。第二层间绝缘层142可以形成为多个无机层。
第一阳极连接电极ADNE1可以设置在第二层间绝缘层142上。多个第一阳极连接电极ADNE1可以经由穿透栅极绝缘层131、第一层间绝缘层141和第二层间绝缘层142的第一连接接触孔ANCT1分别连接到薄膜晶体管T1、T2、T3的漏极电极D1、D2和D3。第一阳极连接电极ADNE1可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和/或它们的合金制成的单层或多层。
用于使因薄膜晶体管T1、T2和T3造成的台阶平坦化的第一平坦化层160可以设置在第一阳极连接电极ADNE1上。第一平坦化层160可以形成为由丙烯酸基树脂、环氧基树脂、酚醛基树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂等制成的有机层。
第二阳极连接电极ADNE2可以设置在第一平坦化层160上。第二阳极连接电极ADNE2可以经由穿透第一平坦化层160的第二连接接触孔ANCT2连接到第一阳极连接电极ADNE1。第二阳极连接电极ADNE2可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和/或它们的合金制成的单层或多层。
第二平坦化层180可以设置在第二阳极连接电极ADNE2上。第二平坦化层180可以形成为由丙烯酸基树脂、环氧基树脂、酚醛基树脂、聚酰胺树脂和/或聚酰亚胺树脂等制成的有机层。
发光元件单元LEP可以形成在第二平坦化层180上。发光元件单元LEP可以包括多个像素电极PE1、PE2和PE3、多个发光元件LE以及公共电极CE。
多个像素电极PE1、PE2和PE3可以包括第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以用作发光元件LE的第一电极，并且可以是阳极电极或阴极电极。第一像素电极PE1可以定位在第一发射区域EA1中，并且第一像素电极PE1的至少一部分可以延伸到非发射区域NEA。第二像素电极PE2可以定位在第二发射区域EA2中，并且第二像素电极PE2的至少一部分可以延伸到非发射区域NEA。第三像素电极PE3可以定位在第三发射区域EA3中，并且第三像素电极PE3的至少一部分可以延伸到非发射区域NEA。第一像素电极PE1可以穿透第二平坦化层180，以经由第二阳极连接电极ADNE2和第一阳极连接电极ADNE1连接到第一薄膜晶体管T1，第二像素电极PE2可以穿透第二平坦化层180，以经由第二阳极连接电极ADNE2和第一阳极连接电极ADNE1连接到第二薄膜晶体管T2，并且第三像素电极PE3可以穿透第二平坦化层180，以经由第二阳极连接电极ADNE2和第一阳极连接电极ADNE1连接到第三薄膜晶体管T3。
第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以是反射电极。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以由钛(Ti)、铜(Cu)或者钛(Ti)和铜(Cu)的合金制成。此外，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以具有钛(Ti)和铜(Cu)的堆叠层结构。此外，第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以具有其中由氧化钛(TixOy)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化镁(MgO)制成的具有高功函数的材料层以及由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和/或它们的混合物制成的反射材料层被堆叠的堆叠层结构。具有高功函数的材料层可以设置在反射材料层上方的层处以设置为靠近发光元件LE。第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3可以具有ITO/Mg、ITO/MgF2、ITO/Ag和/或ITO/Ag/ITO的多层结构，但是不限于此。
堤BNL可以定位在第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3上。堤BNL可以包括暴露第一像素电极PE1的开口、暴露第二像素电极PE2的开口和暴露第三像素电极PE3的开口，并且可以限定第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和非发射区域NEA。也就是说，第一像素电极PE1的没有被堤BNL覆盖而暴露的区域可以是第一发射区域EA1。第二像素电极PE2的没有被堤BNL覆盖而暴露的区域可以是第二发射区域EA2。第三像素电极PE3的没有被堤BNL覆盖而暴露的区域可以是第三发射区域EA3。另外，其中堤BNL位于的区域可以是非发射区域NEA。
堤BNL可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧基树脂、酚醛基树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。
在一个或多个实施例中，堤BNL可以不与波长转换单元201的滤色器CF1、CF2和CF3重叠，并且可以与稍后将描述的光阻挡构件BK重叠。在一个或多个实施例中，堤BNL可以完全与光阻挡构件BK重叠。此外，在一个或多个实施例中，堤BNL可以与第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3重叠。
多个发光元件LE可以设置在第一像素电极PE1、第二像素电极PE2和第三像素电极PE3上。
如图6、图7和图8中所示，发光元件LE可以设置在第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3的每一者中。发光元件LE可以是在第三方向DR3上延伸以伸长的垂直发光二极管元件。也就是说，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以大于发光元件LE在水平方向上的长度。在水平方向上的长度是指在第一方向DR1上的长度或在第二方向DR2上的长度。例如，发光元件LE在第三方向DR3上的长度可以为近似1μm至5μm。
发光元件LE可以是微型发光二极管元件。发光元件LE可以在显示基底101的厚度方向(即，第三方向DR3)上包括连接电极125、第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、有源层MQW、超晶格层SLT、第二半导体层SEM2和第三半导体层SEM3。连接电极125、第一半导体层SEM1、电子阻挡层EBL、有源层MQW、超晶格层SLT、第二半导体层SEM2和第三半导体层SEM3可以在第三方向DR3上顺序地堆叠。
发光元件LE可以具有圆柱形状、盘形状或宽度大于高度的棒形状。然而，本公开不限于此，并且发光元件LE可以具有诸如其他棒形状、线形状或管形状的形状，或者诸如立方体形状、长方体形状(rectangular parallelepiped shape)或六边形的棱柱形状的多边形的棱柱形状，或者可以具有诸如其在一个方向上延伸并且具有部分倾斜的外表面的形状的各种形状。
连接电极125可以设置在多个像素电极PE1、PE2和PE3的每一者上。在下文中，将通过示例的方式描述设置在第一像素电极PE1上的发光元件LE。
连接电极125可以在第一像素电极PE1上以连接到第一像素电极PE1，使得发光元件LE可以接收发光信号。连接电极125可以是欧姆(ohmic)连接电极。然而，本公开不限于此，并且连接电极125也可以是肖特基(Schottky)连接电极。发光元件LE可以包括至少一个连接电极125。已经在图7和图8中示出了发光元件LE包括一个连接电极125，但是本公开不限于此。在一些情况下，发光元件LE可以包括大量的连接电极125，或者连接电极125可以被省略。即使连接电极125的数量改变或者发光元件LE包括不同的结构，稍后将提供的发光元件LE的描述也可以同样应用。
当发光元件LE电连接到根据一个或多个实施例的显示装置10中的第一像素电极PE1时，连接电极125可以减小发光元件LE和第一像素电极PE1之间的电阻，并且改善发光元件LE和第一像素电极PE1之间的粘合性。连接电极125可以包括导电金属氧化物。例如，连接电极125可以由ITO制成。连接电极125与设置在连接电极125下方的第一像素电极PE1直接接触并连接到第一像素电极PE1，并且因此可以与第一像素电极PE1由相同的材料制成。此外，连接电极125还可以选择性地包括由具有高反射率的诸如铝(Al)的金属制成的反射电极或包含镍(Ni)的扩散防止层。因此，可以改善连接电极125和第一像素电极PE1之间的粘合性，使得可以增加连接电极125和第一像素电极PE1之间的接触特性。
参照图8，在一个或多个实施例中，第一像素电极PE1可以包括下电极层P1、反射层P2和上电极层P3。下电极层P1可以设置在第一像素电极PE1的最下部处，并且可以与薄膜晶体管电连接。下电极层P1可以包括诸如氧化钛(TixOy)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化镁(MgO)的金属氧化物。
反射层P2可以设置在下电极层P1上，并且向上反射从发光元件LE发射的光。反射层P2可以包括具有高反射率的诸如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)和/或它们的混合物的金属。
上电极层P3可以设置在反射层P2上，并且可以与发光元件LE直接接触。上电极层P3可以设置在反射层P2和发光元件LE的连接电极125之间，以与连接电极125直接接触。如上所述，与连接电极125类似，连接电极125可以由金属氧化物制成，并且上电极层P3也可以由金属氧化物制成。
上电极层P3可以由钛(Ti)、铜(Cu)或者钛(Ti)和铜(Cu)的合金制成。此外，上电极层P3可以具有钛(Ti)和铜(Cu)的堆叠层结构。此外，上电极层P3可以包括氧化钛(TixOy)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化镁(MgO)。在一个或多个实施例中，当连接电极125由ITO制成时，第一像素电极PE1可以具有ITO/Ag/ITO的多层结构。
第一半导体层SEM1可以设置在连接电极125上。第一半导体层SEM1可以是P型半导体，并且可以包括具有AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1且0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有P型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。第一半导体层SEM1可以掺杂有P型掺杂剂，所述P型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca或Ba等。例如，第一半导体层SEM1可以由掺杂有P型Mg的P-GaN制成。第一半导体层SEM1的厚度可以在30nm至200nm的范围内，但是不限于此。
电子阻挡层EBL可以设置在第一半导体层SEM1上。电子阻挡层EBL可以是用于抑制或防止太多电子流向有源层MQW的层。例如，电子阻挡层EBL可以由掺杂有P型Mg的P-AlGaN制成。电子阻挡层EBL的厚度可以在10nm至50nm的范围内，但是不限于此。此外，电子阻挡层EBL可以被省略。
有源层MQW可以设置在电子阻挡层EBL上。有源层MQW可以根据通过第一半导体层SEM1和第二半导体层SEM2施加的电信号由电子-空穴对的结合来发射光。
有源层MQW可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当有源层MQW包括具有多量子阱结构的材料时，并且有源层MQW可以具有其中多个阱层和屏障层交替堆叠的结构。在这种情况下，阱层可以由InGaN制成，并且屏障层可以由GaN或AlGaN制成，但是本公开不限于此。阱层的厚度可以为近似1nm至4nm，并且屏障层的厚度可以是3nm至10nm。
可替代地，有源层MQW可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替堆叠的结构，并且依据发射的光的波段可以包括其他III族至V族半导体材料。由有源层MQW发射的光不限于第一光(例如，红色波段的光)，并且在一些情况下，有源层MQW可以发射第二光(例如，绿色波段的光)或第三光(例如，蓝色波段的光)。
具体地，从有源层MQW发射的光的颜色可以依据铟(In)的含量而改变。例如，随着铟(In)的含量增加，由有源层MQW发射的光的波段可以移动到红色波段，并且随着铟(In)的含量减少，由有源层MQW发射的光的波段可以移动到蓝色波段。例如，当铟(In)的含量为35％或更多时，有源层MQW可以发射具有在近似600nm至750nm的范围内的主峰值波长的红色波段的第一光。相比之下，当铟(In)的含量为25％时，有源层MQW可以发射具有在近似480nm至560nm的范围内的主峰值波长的绿色波段的第二光。相比之下，当铟(In)的含量为少于15％时，有源层MQW可以发射具有在近似370nm至460nm的范围内的主峰值波长的蓝色波段的第三光。将参照图6描述其中有源层MQW发射具有在近似370nm至460nm范围内的主峰波长的蓝色波段的光的示例。
超晶格层SLT可以设置在有源层MQW上。超晶格层SLT可以是用于减轻第二半导体层SEM2和有源层MQW之间的应力的层。例如，超晶格层SLT可以由InGaN和/或GaN制成。超晶格层SLT的厚度可以为近似50nm至200nm。超晶格层SLT可以被省略。
第二半导体层SEM2可以设置在超晶格层SLT上。第二半导体层SEM2可以是N型半导体。第二半导体层SEM2可以包括具有AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1且0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料。例如，半导体材料可以是掺杂有N型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。第二半导体层SEM2可以掺杂有N型掺杂剂，所述N型掺杂剂可以是Si、Ge、Se或Sn等。例如，第二半导体层SEM2可以由掺杂有N型Si的N-GaN制成。第二半导体层SEM2的厚度可以在2μm至4μm的范围内，但是不限于此。
第三半导体层SEM3可以设置在第二半导体层SEM2上。第三半导体层SEM3可以设置在第二半导体层SEM2和公共电极CE之间。第三半导体层SEM3可以是未掺杂的半导体。第三半导体层SEM3可以包括与第二半导体层SEM2的材料相同的材料，但是不用N型掺杂剂或P型掺杂剂掺杂。在一个或多个实施例中，第三半导体层SEM3可以由未掺杂的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和/或InN中的至少一种制成，但是不限于此。
结合图6，平坦化层PLL可以设置在堤BNL和多个像素电极PE1、PE2和PE3上。平坦化层PLL可以使下部的台阶平坦化，使得可以形成稍后将描述的公共电极CE。平坦化层PLL可以形成为具有合适的高度(例如，预定的高度)，使得至少一部分(例如，多个发光元件LE的上部)可以在平坦化层PLL上方突出。也就是说，基于第一像素电极PE1的上表面，在第三方向DR3上，平坦化层PLL的高度可以小于发光元件LE的高度。
平坦化层PLL可以包括有机材料，以使下部的台阶平坦化。例如，平坦化层PLL可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧基树脂、酚醛基树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)等。
公共电极CE可以设置在平坦化层PLL和多个发光元件LE上。具体地，公共电极CE可以设置在第一基底111的其上形成有发光元件LE的一个表面上，并且公共电极CE可以设置在整个显示区域DPA和非显示区域NDA中。公共电极CE可以设置为与显示区域DPA中的发射区域EA1、EA2和EA3中的每一者重叠，并且可以形成为具有小的厚度，使得可以发射光。
公共电极CE可以直接设置在多个发光元件LE的上表面和侧表面上。公共电极CE可以与发光元件LE的侧表面上的第二半导体层SEM2以及发光元件LE的顶表面和侧表面上的第三半导体层SEM3直接接触。如图6中所示，公共电极CE可以是覆盖多个发光元件LE并设置为公共地将多个发光元件LE彼此连接的公共层。因为具有导电性的多个第二半导体层SEM2具有其中它们在发光元件LE中各自被图案化的结构，所以公共电极CE可以与每个发光元件LE的第二半导体层SEM2的侧表面直接接触，使得公共电压可以施加到每个发光元件LE。
因为公共电极CE完全设置在第一基底111上，并且公共电压施加到公共电极CE，所以公共电极CE可以包括具有低电阻的材料。此外，公共电极CE可以形成为具有小的厚度，以使光容易地穿过其透射。例如，公共电极CE可以包括具有低电阻的诸如铝(Al)、银(Ag)和/或铜(Cu)的材料。公共电极CE的厚度可以为近似至/>但是不限于此。
上述发光元件LE可以接收经由连接电极125供应的像素电极PE1、PE2和PE3的像素电压或阳极电压，并且接收经由公共电极CE供应的公共电压。发光元件LE可以根据像素电压和公共电压之间的电压差发射具有期望的亮度(例如，预定的亮度)的光。
在所描述的实施例中，通过在像素电极PE1、PE2和PE3上设置多个发光元件LE(即，无机发光二极管)，可以消除有机发光二极管易受外部湿气或氧气影响的缺点，并且改善发光元件LE的寿命和可靠性。
在一个或多个实施例中，第一有机层FOL可以设置在设置于非发射区域NEA中的堤BNL上。
第一有机层FOL可以设置为在第三方向DR3上与非发射区域NEA重叠，并且不与发射区域EA1、EA2和EA3重叠。第一有机层FOL可以直接设置在堤BNL上，并且可以设置为与和第一有机层FOL相邻的多个像素电极PE1、PE2和PE3间隔开。第一有机层FOL可以完全设置在第一基底111上，并且可以设置在多个发射区域EA1、EA2和EA3周围(例如，围绕多个发射区域EA1、EA2和EA3)。第一有机层FOL整体上可以设置为格子(lattice)形状。
如稍后将描述的制造工艺中所描述的，第一有机层FOL可以用于将与第一有机层FOL接触的多个发光元件LE从第一有机层FOL分离，第一有机层FOL设置在非发射区域NEA中。当用激光照射第一有机层FOL时，第一有机层FOL吸收能量，使得第一有机层FOL的温度瞬间上升，并且因此第一有机层FOL被烧蚀。因此，与第一有机层FOL的上表面接触的多个发光元件LE可以从第一有机层FOL的上表面分离。
第一有机层FOL可以包括聚酰亚胺化合物。第一有机层FOL的聚酰亚胺化合物可以包括氰基，以能够吸收具有308nm的波长的光(例如，激光)。在一个或多个实施例中，第一有机层FOL和堤BNL可以各自包括聚酰亚胺化合物，但是可以包括不同的聚酰亚胺化合物。例如，堤BNL可以由不包括氰基的聚酰亚胺化合物制成，并且第一有机层FOL可以由包括氰基的聚酰亚胺化合物制成。对于具有308nm的波长的激光，第一有机层FOL的透射率可以小于堤BNL的透射率，堤BNL的透射率可以为大约60％或更大，并且第一有机层FOL的透射率可以为0％。此外，第一有机层FOL对具有308nm的波长的激光的吸收率可以是100％。第一有机层FOL可以具有在大约至大约10μm的范围内的厚度。当第一有机层FOL的厚度为/>或更大时，可以改善具有308nm的波长的激光的吸收率。当第一有机层FOL的厚度为10μm或更小时，可以防止第一有机层FOL与像素电极PE1、PE2和PE3之间的台阶的增加，使得发光元件LE可以在稍后将描述的工艺中容易地粘合到像素电极PE1、PE2和PE3上。
波长转换单元201可以设置在发光元件单元LEP上。波长转换单元201可以包括分隔壁PW、波长转换层、滤色器CF1、CF2和CF3、光阻挡构件BK和钝化层PTL。
分隔壁PW可以设置在显示区域DPA(见图1)的公共电极CE上，并且可以与堤BNL一起分隔多个发射区域EA1、EA2和EA3。分隔壁PW可以被设置为在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，并且可以在整个显示区域DPA中形成为格子图案。此外，分隔壁PW可以不与多个发射区域EA1、EA2和EA3重叠，并且可以与非发射区域NEA重叠。
分隔壁PW可以包括暴露设置在分隔壁PW下方的公共电极CE的多个开口OP1、OP2和OP3。多个开口OP1、OP2和OP3可以包括与第一发射区域EA1重叠的第一开口OP1、与第二发射区域EA2重叠的第二开口OP2和与第三发射区域EA3重叠的第三开口OP3。这里，多个开口OP1、OP2和OP3可以与多个发射区域EA1、EA2和EA3对应。也就是说，第一开口OP1可以与第一发射区域EA1对应，第二开口OP2可以与第二发射区域EA2对应，并且第三开口OP3可以与第三发射区域EA3对应。
分隔壁PW可以用于提供其中将形成第一波长转换层QDL1和第二波长转换层QDL2的空间。为此，分隔壁PW可以形成为具有合适的厚度(例如，预定的厚度)，例如，在1μm至10μm范围内的厚度。分隔壁PW可以包括有机绝缘材料，以具有合适的厚度(例如，预定的厚度)。有机绝缘材料可以包括，例如，环氧基树脂、丙烯酸基树脂、卡多(cardo)基树脂和/或酰亚胺基树脂。
第一波长转换层QDL1可以设置在第一开口OP1中。第一波长转换层QDL1可以包括彼此间隔开的多个点状的岛型图案。第一波长转换层QDL1可以包括第一基体树脂BRS1和第一波长转换颗粒WCP1。第一基体树脂BRS1可以包括透光有机材料。例如，第一基体树脂BRS1可以包括环氧基树脂、丙烯酸基树脂、卡多基树脂或酰亚胺基树脂等。第一波长转换颗粒WCP1可以是量子点(QD)、量子棒、荧光材料或磷光材料。例如，量子点可以是在电子从导带跃迁到价带的同时发射特定的颜色的颗粒物质。
量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据量子点的成分和尺寸具有特定的带隙，以吸收光并且然后发射具有独特波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体和/或它们的组合。
第一波长转换层QDL1可以形成在第一发射区域EA1的第一开口OP1中。第一波长转换层QDL1可以将入射光的峰值波长转换或转变为具有另一特定的峰值波长的光，并且发射具有另一特定的峰值波长的光。第一波长转换层QDL1可以将从发光元件LE发射的蓝光中的一些转换为类似作为第一光的红光的光。第一波长转换层QDL1可以发射类似红光的光，以使类似红光的光经由第一滤色器CF1转换为作为第一光的红光。
第二波长转换层QDL2可以设置在第二开口OP2中。第二波长转换层QDL2可以包括彼此间隔开的点状的岛型图案。例如，第二波长转换层QDL2可以设置为与第二发射区域EA2重叠。第二波长转换层QDL2可以包括第二基体树脂BRS2和第二波长转换颗粒WCP2。第二基体树脂BRS2可以包括透光有机材料。因此，第二波长转换层QDL2可以将入射光的峰值波长转换或转变为具有另一特定的峰值波长的光，并且发射具有另一特定的峰值波长的光。第二波长转换层QDL2可以将从发光元件LE发射的蓝光中的一些转换为类似作为第二光的绿光的光。第二波长转换层QDL2可以发射类似绿光的光，以使类似绿光的光经由第二滤色器CF2转换为作为第二光的绿光。
在第三发射区域EA3中，仅透明的透光有机材料可以形成在第三开口OP3中，以使从发光元件LE发射的蓝光按原样经由第三滤色器CF3发射。
多个滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在分隔壁PW以及第一波长转换层QDL1和第二波长转换层QDL2上。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以设置为分别与多个开口OP1、OP2和OP3以及第一波长转换层QDL1和第二波长转换层QDL2重叠。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1可以设置为与第一发射区域EA1重叠。此外，第一滤色器CF1可以设置在分隔壁PW的第一开口OP1上，以与第一开口OP1重叠。第一滤色器CF1可以透射穿过第一滤色器CF1的第一光，并且吸收或阻挡第二光和第三光。例如，第一滤色器CF1可以透射穿过第一滤色器CF1的红色波段的光，并且吸收或阻挡诸如绿色波段和蓝色波段的其他波段的光。
第二滤色器CF2可以设置为与第二发射区域EA2重叠。此外，第二滤色器CF2可以设置在分隔壁PW的第二开口OP2上，以与第二开口OP2重叠。第二滤色器CF2可以透射穿过第二滤色器CF2的第二光，并且吸收或阻挡第一光和第三光。例如，第二滤色器CF2可以透射穿过第二滤色器CF2的绿色波段的光，并且吸收或阻挡诸如蓝色波段和红色波段的其他波段的光。
第三滤色器CF3可以设置为与第三发射区域EA3重叠。此外，第三滤色器CF3可以设置在分隔壁PW的第三开口OP3上，以与第三开口OP3重叠。第三滤色器CF3可以透射穿过第三滤色器CF3的第三光，并且吸收或阻挡第一光和第二光。例如，第三滤色器CF3可以透射穿过第三滤色器CF3的蓝色波段的光，并且吸收或阻挡诸如红色波段和绿色波段的其他波段的光。
多个滤色器CF1、CF2和CF3中的每一者在平面图中的面积可以大于多个发射区域EA1、EA2和EA3中的每一者在平面图中的面积。例如，在平面图中，第一滤色器CF1可以比第一发射区域EA1具有大的面积。在平面图中，第二滤色器CF2可以比第二发射区域EA2具有大的面积。在平面图中，第三滤色器CF3可以比第三发射区域EA3具有大的面积。然而，本公开不限于此，并且多个滤色器CF1、CF2和CF3中的每一者在平面图中的面积也可以与多个发射区域EA1、EA2和EA3中的每一者在平面图中的面积相同。
参照图6，光阻挡构件BK可以设置在分隔壁PW上。光阻挡构件BK可以与非发射区域NEA重叠，以阻挡光的透射。与堤BNL或分隔壁PW类似，光阻挡构件BK可以在平面图中设置为近似格子形状。光阻挡构件BK可以设置为与堤BNL、第一有机层FOL和分隔壁PW重叠，并且可以不与发射区域EA1、EA2和EA3重叠。
在一个或多个实施例中，光阻挡构件BK可以包括有机光阻挡材料，并且可以通过有机光阻挡材料的涂覆工艺和曝光工艺等来形成。光阻挡构件BK可以包括具有光阻挡特性的染料或颜料，并且可以是黑矩阵。光阻挡构件BK的至少一部分可以和与光阻挡构件BK相邻的滤色器CF1、CF2和CF3重叠，并且滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在光阻挡构件BK的至少一部分上。
钝化层PTL可以设置在多个滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BK上。钝化层PTL可以设置在显示装置10的最上部，以保护设置在钝化层PTL下方的多个滤色器CF1、CF2、CF3和光阻挡构件BK。钝化层PTL的一个表面(例如，下表面)可以与多个滤色器CF1、CF2、CF3和光阻挡构件BK的多个上表面中的每一个接触。
钝化层PTL可以包括无机绝缘材料，以便保护多个滤色器CF1、CF2和CF3以及光阻挡构件BK。例如，钝化层PTL可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlxOy)和/或氮化铝(AlN)等，但是不限于此。钝化层PTL可以形成为具有合适的厚度(例如，预定的厚度)，例如，在0.01μm至1μm范围内的厚度。然而，本公开不限于此。
图9是沿着图2的线A-A'截取的另一实施例的相应的像素的发射区域的示意性截面图。
参照图9，多个第三波长转换层QDL3可以分别设置在第一开口OP1和第二开口OP2中。
第三波长转换层QDL3可以将入射光的峰值波长转换或转变为具有另一特定的峰值波长的光，并且发射具有另一特定的峰值波长的光。第三波长转换层QDL3可以将从发光元件LE发射的作为蓝光的第三光中的一些转换为作为黄光的第四光。第三波长转换层QDL3可以将第三光与第四光混合以发射作为白光的第五光。第五光穿过第一滤色器CF1被转换为第一光，并且穿过第二滤色器CF2被转换为第二光。
多个第三波长转换层QDL3可以分别设置在第一开口OP1和第二开口OP2上，并且可以彼此间隔开。也就是说，第三波长转换层QDL3可以包括彼此间隔开的点状岛型图案。例如，多个第三波长转换层QDL3可以分别仅设置在第一开口OP1和第二开口OP2中，并且可以以一对一的方式与第一开口OP1和第二开口OP2对应。此外，多个第三波长转换层QDL3可以设置为分别与第一发射区域EA1和第二发射区域EA2重叠。在一个或多个实施例中，多个第三波长转换层QDL3可以分别与第一发射区域EA1和第二发射区域EA2完全重叠。
第三波长转换层QDL3可以包括第三基体树脂BRS3和第三波长转换颗粒WCP3。第三基体树脂BRS3可以包括透光有机材料。例如，第三基体树脂BRS3可以包括环氧基树脂、丙烯酸基树脂、卡多基树脂和/或酰亚胺基树脂等。
第三波长转换颗粒WCP3可以将从发光元件LE入射的第三光转换成第四光。例如，第三波长转换颗粒WCP3可以将红色波段的光转换为黄色波段的光。第三波长转换颗粒WCP3可以是量子点(QD)、量子棒、荧光材料或磷光材料。例如，量子点可以是在电子从导带跃迁到价带的同时发射特定的颜色的颗粒物质。
随着第三波长转换层QDL3在第三方向DR3上的厚度增加，包括在第三波长转换层QDL3中的第三波长转换颗粒WCP3的含量增加，并且第三波长转换层QDL3的光转换效率可以因此增加。因此，优选地考虑第三波长转换层QDL3的光转换效率来设定第三波长转换层QDL3的厚度。
在上述第三波长转换层QDL3中，从发光元件LE发射的第三光中的一些可以转换为第四光。第三波长转换层QDL3可以将第三光与第四光混合以发射作为白光的第五光。从第三波长转换层QDL3发射的第五光中仅第一光的分量可以透射穿过第一滤色器CF1，并且第五光中仅第二光的分量可以透射穿过第二滤色器CF2。因此，从波长转换单元201发射的光可以是作为第一光的红光和作为第二光的绿光。在第三发射区域EA3中，仅透明的透光有机材料可以形成在第三开口OP3中，以使从发光元件LE发射的蓝光按原样经由第三滤色器CF3发射。因此，可以实现全彩(full color)。
图10是沿着图2的线A-A'截取的根据又一实施例的相应的像素的发射区域的示意性截面图。
如上所述，从每个发光元件LE的有源层MQW发射的光的颜色可以依据铟(In)的含量而改变。随着铟(In)的含量增加，由有源层MQW发射的光的波段可以移动到红色波段，并且随着铟(In)的含量减少，由有源层MQW发射的光的波段可以移动到蓝色波段。因此，当在第一发射区域EA1中形成的每个发光元件LE的有源层MQW中的铟(In)的含量为35％或更多时，有源层MQW可以发射具有在近似600nm至750nm的范围内的主峰波长的红色波段的第一光。
当在第二发射区域EA2中形成的每个发光元件LE的有源层MQW中的铟(In)的含量为25％时，有源层MQW可以发射具有在近似480nm至560nm的范围内的主峰波长的绿色波段的第二光。
当在第三发射区域EA3中形成的每个发光元件LE的有源层MQW中的铟(In)的含量少于15％时，有源层MQW可以发射具有在近似370nm至460nm的范围内的主峰波长的蓝色波段的第三光。
形成在第一发射区域EA1中的每个发光元件LE可以发射红色波段的第一光，形成在第二发射区域EA2中的每个发光元件LE可以发射绿色波段的第二光，并且形成在第三发射区域EA3中的每个发光元件LE可以发射蓝色波段的第三光。在这种情况下，可以不形成滤色器CF1、CF2和CF3。
图11是示出根据一个或多个实施例的用于制造显示面板的设备的示意性透视图。此外，图12是示出图11中所示的用于制造显示面板的设备的截面结构的截面图。
参照图11和图12，用于制造显示面板的设备包括附接构件100、加压头200、固定框架130、附接驱动构件300、第一压力感测模块400、梯度设定模块500、梯度控制模块510、激光照射构件700和第二压力感测模块800。
附接构件100形成为其中形成具有诸如四边形形状的多边形形状或圆形形状等的开口110的多棱柱形状或圆柱形状，并且加压头200耦接并固定到在附接构件100移动所在的加压方向上形成的固定部120。在下文中，将描述附接构件100形成为其中形成具有四边形形状的开口110的四边形的棱柱形状的示例。此外，附接构件100可以设置在与地面垂直的方向上，并且朝向地面的向下方向可以是附接构件100的加压方向。相反，与朝向地面的方向相反的向上方向可以是附接构件100的分离方向。
固定部120形成在附接构件100的设置在作为向下方向的加压方向上的一端处，加压头200插入并固定在固定部120中。插入孔形成在附接构件100的固定部120中，加压头200插入并固定在插入孔中。插入孔可以是根据加压头200的外表面(例如，外周或圆周表面)形成的诸如四边形孔的多边形孔或圆柱形孔等。因此，加压头200的上表面和加压头200在横向方向上的外表面(例如，外周或圆周表面)可以插入并固定在形成在附接构件100的固定部120中的插入孔中。
如图12中所示，其中插入有加压头200插入孔的内径可以大于附接构件100的开口本身的内径。插入孔的内宽度可以大于附接构件100的开口的内宽度。因此，根据附接构件100的开口和插入孔之间的内径的差，在固定部120中形成内台阶100(a)(见图13)。
第一压力感测模块400可以设置在固定部120的内台阶100(a)上。第一压力感测模块400可以形成为与固定部120的内台阶100(a)的形状和面积对应的四边形环形状或O形环形状。可替代地，第一压力感测模块400可以分开为多个段(piece)，并且第一压力感测模块400的多个段可以分开地设置在固定部120的内台阶100(a)的表面上。在第一压力感测模块400设置在固定部120的内台阶100(a)上的状态下，加压头200可以插入并固定在固定部120的插入孔中。
加压头200由诸如透光石英或玻璃的透明材料制成，并且插入并固定在形成在附接构件100的固定部120中的插入孔中。具体地，具有透明性的加压头200可以形成为与形成在附接构件100的固定部120中的插入孔的形状和尺寸对应的六面体形状、立方体形状、圆柱体形状或柱状形状等。
加压头200可以在其插入附接构件100的固定部120的状态下，与附接构件100以相同的方式在作为向下方向的加压方向上或者在作为向上方向的分离方向上移动。作为示例，由透明材料制成的加压头200可以与附接构件100以相同的方式在加压方向上移动，以对在加压方向上设置的转印层或晶圆等加压。由透明材料制成的加压头200可以穿过其透射从作为后表面方向的向上方向到作为加压方向的向下方向施加的激光。
固定框架130可以形成为附接或组装到附接构件100的外侧表面，或者可以与附接构件100一体地形成。固定框架130形成为从附接构件100的外侧表面突出。固定框架130可以在附接构件100的外侧表面的周围(例如，可以围绕附接构件100的外侧表面)，并且以四边形形状或半球形状等突出。固定框架130的后表面或外侧表面耦接到附接驱动构件300。通过附接驱动构件300的驱动，固定框架130、加压头200和附接构件100在作为向下方向的加压方向或作为向上方向的分离方向上移动。
附接驱动构件300包括平板支撑框架和耦接到平板支撑框架的多个气动压力调节器或液压压力调节器。附接驱动构件300使用多个压力调节器310(例如，见图14)使固定框架130、加压头200和附接构件100移动。多个压力调节器310设置在平板支撑框架的向下方向上。多个压力调节器310的长度根据内部气体压力或液压压力的量的变化来调节。通过改变多个压力调节器310中的每一个的长度，附接驱动构件300可以使固定框架130、加压头200和附接构件100在作为向下方向的加压方向上或者在作为与加压方向相反的方向的向上方向上移动。
第一压力感测模块400设置在形成在附接构件100内部的台阶表面(内台阶100(a)的表面)上。第一压力感测模块400可以形成为与固定部120的内台阶100(a)的形状和面积对应的四边形环形状或O形环形状。第一压力感测模块400可以以多个段的形式分开地设置在附接构件100内部的台阶表面上。
第一压力感测模块400包括多个压力传感器410(例如，见图14)和至少一个信号传输电路420(例如，见图14)。第一压力感测模块400用多个压力传感器410感测施加到加压头200的压力的大小，并且基于施加到加压头200的压力的大小产生第一压力检测信号。第一压力感测模块400可以使用信号传输电路420将第一压力检测信号传输到梯度设定模块500。
梯度设定模块500通过将附接驱动构件300的加压力与第一压力感测模块400的第一压力检测信号的大小彼此进行比较和分析来检测加压头200的水平梯度。此外，梯度设定模块500计算用于调节加压头200的水平梯度的水平梯度设定值。例如，根据第一压力检测信号的加压头200的压力的和可以与附接驱动构件300的加压力相同。因此，梯度设定模块500可以检测经由第一压力感测模块400检测到的多个第一压力检测信号之间的大小偏差，并且可以计算加压头200的用于使多个第一压力检测信号之间的大小偏差为零的水平梯度设定值。也就是说，梯度设定模块500可以计算用于调节加压头200的水平梯度使得多个第一压力检测信号之间的大小偏差变为零的水平梯度设定值。
梯度控制模块510根据由梯度设定模块500设定的水平梯度设定值来调节附接驱动构件300的平板支撑框架的水平梯度。随着平板支撑框架的水平梯度被调节，设置在平板支撑框架上的多个压力调节器310、附接构件100和加压头200的水平梯度被调节。
梯度控制模块510包括设置在平板支撑框架的后表面部分上并且分别设置在分别与多个压力调节器310对应的多个位置处的多个线性运动(LM)导向件511(见图18)。此外，梯度控制模块510可以包括：多个磁性弹簧512(见图18)，支撑相应的LM导向件511；和至少一个伺服电机513(见图18)，通过改变多个LM导向件511中的每一个的设置位置来调节平板支撑框架和多个压力调节器310的水平梯度。
在一个或多个实施例中，与附接构件100的开口110对应的开口孔330形成在梯度控制模块510和附接驱动构件300的平板支撑框架中。形成在梯度控制模块510和附接驱动构件300中的开口孔330的形状和面积可以与附接构件100的开口110的形状和面积对应并且可以与附接构件100的开口110的形状和面积相同。
第二压力感测模块800设置在加压板810的加压保持器840(见图20)中，并且根据从加压头200施加的压力的大小来产生第二压力检测信号。第二压力感测模块800可以形成为与加压板810的加压保持器840的形状和面积对应的平板形状，或者可以以件的形式分开地设置在加压保持器840内部。还可以在第二压力感测模块800的前表面或上表面上设置用于压力分布的压缩板830。
第二压力感测模块800包括多个压力传感器820(例如，见图21)和至少一个信号传输电路850(例如，见图21)。因此，第二压力感测模块800使用多个压力传感器820根据从加压头200施加的压力的大小产生第二压力检测信号。此外，第二压力感测模块800可以经由至少一个信号传输电路850将第二压力检测信号传输到梯度设定模块500。
梯度设定模块500接收经由第二压力感测模块800的信号传输电路850传输的第二压力检测信号。梯度设定模块500可以通过将根据第二压力检测信号的压力的多个大小彼此进行比较和分析来检测加压头200的水平梯度。此外，梯度设定模块500可以计算用于调节加压头200的水平梯度的水平梯度设定值。例如，梯度设定模块500可以根据第二压力检测信号检测每个压力大小偏差，并且计算用于调节加压头200的水平梯度的水平梯度设定值，使得根据第二压力检测信号的压力大小偏差变为零。梯度设定模块500产生与计算的水平梯度设定值的大小对应的梯度控制信号，并且将梯度控制信号传输到梯度控制模块510。
梯度控制模块510基于由梯度设定模块500设定的水平梯度设定值和由梯度设定模块500产生的梯度控制信号来调节附接驱动构件300的平板支撑框架的水平梯度。随着平板支撑框架的水平梯度被调节，形成在平板支撑框架上的多个压力调节器310、附接构件100和加压头200的水平梯度被调节。
激光照射构件700设置在附接构件100的后表面方向上(例如，在附接构件100的向上方向上)，并且在梯度控制模块510和附接驱动构件300的开口孔330以及附接构件100的开口110的方向上照射激光。穿透梯度控制模块510和附接驱动构件300的开口孔330以及附接构件100的开口110的激光经由加压头200在加压头200的前表面方向上发射。
图13是示出图12中所示的附接构件和附接构件的固定部的截面结构的截面图。
参照图13，其中插入有加压头200的附接构件100的固定部120的内径(即，形成在固定部120内部的插入孔的内宽度)大于穿透附接构件100的内部的开口110的内径。因此，根据附接构件100的开口110和加压头200的插入孔之间的内径的差的台阶100(a)形成在固定部120内部。四边形环型或O形环型的第一压力感测模块400设置在插入孔的内台阶100(a)上。如上所述，第一压力感测模块400可以分开为多个段，并且第一压力感测模块400的多个段可以分开地设置在插入孔的内台阶100(a)的表面上。
在第一压力感测模块400设置在插入孔的内台阶100(a)表面上的状态下，加压头200插入并固定在插入孔中以与第一压力感测模块400接触。加压头200可以在其插入固定部120的插入孔中的状态下，与附接构件100以相同的方式通过在作为向下方向的加压方向上移动来对加压板810的加压保持器840(见图20)和压缩板830(见图12)加压。
图14是示出图12和图13的加压头、附接构件和固定框架的下表面在向上方向上的配置图。
参照图14，附接驱动构件300(见图12)的压力调节器310可以在固定框架130的后表面方向上耦接到固定框架130，并且固定框架130、加压头200和附接构件100可以通过压力调节器310在向上方向和向下方向上移动。
附接驱动构件300的多个压力调节器310可以分别耦接到固定框架130的2轴方向、3轴方向或4轴方向。例如，四个压力调节器310可以分别耦接到固定框架130的侧表面或后表面的x轴方向、-x轴方向、y轴方向和-y轴方向。四个压力调节器310的长度可以在向上方向和向下方向(或向前方向或向后方向)上调节，并且固定框架130、加压头200和附接构件100可以根据压力调节器310的长度的改变在向上方向和向下方向(或向前方向和向后方向)上移动。
因为其中固定有加压头200的插入孔的内径大于穿透附接构件100的内部的开口110的内径，所以四边形环型的第一压力感测模块400可以设置在插入孔的内台阶100(a)(见图13)上。
参照图14，四边形环型的第一压力感测模块400包括多个压力传感器410和至少一个信号传输电路420。
多个压力传感器410分别设置在不同方向的位置处，检测从加压头200施加的压力，并且根据检测到的压力的大小产生第一压力检测信号。
至少一个信号传输电路420将由多个压力传感器410产生的第一压力检测信号传输到梯度设定模块500(例如，见图12)。
多个压力传感器410可以分别设置在其中固定有加压头200的插入孔的4轴方向上。例如，多个压力传感器410可以分别设置在与耦接到固定框架130的压力调节器310的耦接位置对应的x轴方向、-x轴方向、y轴方向和-y轴方向上。压力传感器410的数量和设置位置不限于图14中所示的数量和设置位置，并且多个压力传感器410可以提供为两个或更多个数量，并且可以设置在两个或更多个轴方向上，并且可以设置在直线形或诸如三角形、四边形、五边形或六边形的多边形的轴方向上。可替代地，多个压力传感器410可以设置为诸如三角形形状、四边形形状、五边形形状或六边形形状的多边形形状。
至少一个信号传输电路420实时接收来自多个压力传感器410的第一压力检测信号，并且将根据压力的大小的第一压力检测信号与用于相应的压力传感器410的方向代码一起传输到梯度设定模块500。为此，至少一个信号传输电路420还可以包括以有线方式或无线方式传输第一压力检测信号的短距离接口通信电路。
图15是示出图12和图13的加压头、附接构件和固定框架的下表面在向上方向上的一个或多个实施例的配置图。
参照图15，多个压力传感器410可以根据其中固定有加压头200的插入孔以及内台阶100(a)(见图13)的形状分别设置在内台阶100(a)的拐角位置处。例如，多个压力传感器410可以分别设置在形成为四边形形状的内台阶100(a)的四个方向的拐角位置处。压力传感器410的数量和设置位置不限于图15中所示的数量和设置位置，并且多个压力传感器410可以提供为两个或更多个数量，并且可以设置为诸如三角形形状、四边形形状、五边形形状或六边形形状的多边形形状。
至少一个信号传输电路420设置在与任何一个压力传感器410相邻的位置处，并且从相应的压力传感器410接收第一压力检测信号。此外，至少一个信号传输电路420将根据压力的大小的第一压力检测信号与用于相应的压力传感器410的方向代码一起传输到梯度设定模块500(例如，见图12)。
图16是示出图14和图15中所示的第一压力感测模块的设置形状的另一实施例的构造图。此外，图17是示出图14和图15中所示的第一压力感测模块的设置形状的又一实施例的配置图。
如图16和图17中所示，第一压力感测模块400可以形成为O形环形状，以与固定部120(例如，见图13)的内台阶100(a)(见图13)的形状和面积对应。包括在O形环型的第一压力感测模块400中的多个压力传感器410可以分别设置在诸如除三角形或四边形之外的五边形的多边形的轴方向上。
作为示例，附接驱动构件300的压力调节器310可以在固定框架130的后表面方向上分别设置和耦接在诸如除三角形和四边形之外的五边形或六边形的多边形的轴方向上。因此，多个压力传感器410可以分别设置在诸如五边形或六边形的多边形的轴方向上，以分别与其中固定有加压头200的插入孔的多边形的轴方向对应。
设置为与至少一个压力传感器410相邻的至少一个信号传输电路420将来自多个压力传感器410的第一压力检测信号与用于相应的压力传感器410的方向代码一起传输到梯度设定模块500(例如，见图12)。
图18是示出图11和图12中所示的梯度控制模块的在平面图中的结构的配置图。
参照图18，梯度控制模块510包括多个LM导向件511、多个磁性弹簧512和至少一个伺服电机513。
多个LM导向件511布置为在压力调节器310的后表面方向上支撑压力调节器310和平板支撑框架。具体地，相应的LM导向件511可以在与压力调节器310的设置位置对应的位置处设置在平板支撑框架上，并且可以在所述后表面方向上支撑压力调节器310。当相应的LM导向件511在后表面方向上对压力调节器310加压时，压力调节器310可以在向下方向上被加压。另一方面，当用于压力调节器310的加压力降低时，压力调节器310可以在向上方向上移动。
多个磁性弹簧512设置多个在LM导向件511之间，并且支撑LM导向件511的至少一个侧表面。相应的磁性弹簧512可以可旋转地设置为螺旋形的螺旋(helical screw)结构，以根据旋转方向改变支撑在磁性弹簧512的侧表面上的LM导向件511的在向上和向下方向上的高度或位置。也就是说，当每个磁性弹簧512在第一水平方向(或顺时针方向)上旋转时，与每个磁性弹簧512的侧表面接触的至少一个LM导向件511可以在作为压力调节器310的设置方向的向下方向上移动。另一方面，当每个磁性弹簧512在第二水平方向(或逆时针方向)上旋转时，与每个磁性弹簧512的侧表面接触的至少一个LM导向件511可以在向上方向上移动，在向上方向上，至少一个LM导向件511远离压力调节器310。
至少一个伺服电机513响应于由梯度设定模块500(例如，见图12)设定的水平梯度设定值和由梯度设定模块500产生的梯度控制信号，在第一水平方向(或顺时针方向)或第二水平方向(或逆时针方向)上使多个磁性弹簧512中的至少一个旋转。至少一个旋转方向或旋转轴变换齿轮可以形成在至少一个伺服电机513中。至少一个伺服电机513基于梯度控制信号的大小调节至少一个磁性弹簧512的旋转的量。多个压力调节器310中的每一个的高度可以根据至少一个磁性弹簧512的在第一水平方向或第二水平方向上旋转的旋转的程度来调节。
图19是用于描述第二压力感测模块的经由加压头的加压工艺和加压头的水平梯度校正工艺的截面结构图。
参照图19，为了校正和调节加压头200的水平梯度，附接驱动构件300使用多个压力调节器310使固定框架130、加压头200和附接构件100移动。固定框架130、加压头200和附接构件100可以根据压力调节器310的长度的改变在作为加压方向的向下方向(箭头A的方向)上移动。
加压头200可以通过压力调节器310在向下方向(箭头A的方向)上移动，以插入加压板810的加压保持器中。此外，加压头200可以对设置在加压板810的加压保持器840(见图20)内部的压缩板830和第二压力感测模块800加压。
图20是详细示出图19中所示的加压板和第二压力感测模块的截面结构的截面图。此外，图21是示出图19和图20中所示的加压板和第二压力感测模块的设置结构的正视图。
首先与图19一起参照图20，加压头200可以通过压力调节器310插入加压板810的加压保持器840中，以对设置在加压保持器840内部的压缩板830和第二压力感测模块800加压。
第二压力感测模块800使用多个压力传感器820根据从加压头200施加的压力的大小产生第二压力检测信号。此外，第二压力感测模块800可以经由至少一个信号传输电路850将第二压力检测信号传输到梯度设定模块500。
参照图21，第二压力感测模块800包括多个压力传感器820和至少一个信号传输电路850。
多个压力传感器820可以设置在其中插入有加压头200(例如，见图19)的加压保持器840的两个或更多个轴方向上，或者可以分别设置在加压保持器840的4轴方向上。例如，多个压力传感器820可以分别在x轴方向、-x轴方向、y轴方向和-y轴方向上设置在加压保持器840的内平面上。
多个压力传感器820检测从加压头200施加的压力，并根据检测的压力的大小产生第二压力检测信号。
至少一个信号传输电路850可以设置在与多个压力传感器820中的至少一个相邻的位置处。至少一个信号传输电路850将由多个压力传感器820产生的第二压力检测信号传输到梯度设定模块500。
图22是示出图19和图20中所示的加压板和第二压力感测模块的设置结构的一个或多个实施例的正视图。
多个压力传感器820可以根据其中插入有加压头200(例如，见图19)的加压保持器840的内平面的形状分别设置在加压保持器840的内拐角位置处。例如，多个压力传感器820可以分别设置在形成为四边形平面形状的加压保持器840的四个方向的拐角位置处。压力传感器820的数量和设置位置不限于图22中所示的数量和设置位置，并且多个压力传感器820可以提供为两个或更多个数量，并且可以设置在两个或更多个轴方向上，或者可以分别设置在诸如三角形、四边形、五边形或六边形的多边形的拐角位置处。多个压力传感器820可以设置为诸如三角形形状、四边形形状、五边形形状或六边形形状的多边形形状。
至少一个信号传输电路850设置在与任何一个压力传感器820相邻的位置处，并且从相应的压力传感器820接收第二压力检测信号。此外，至少一个信号传输电路850将根据压力的大小的第二压力检测信号与用于相应的压力传感器820的方向代码一起传输到梯度设定模块500。
当经由第二压力感测模块800的信号传输电路850接收第二压力检测信号时，梯度设定模块500(例如，见图19)可以通过将根据第二压力检测信号的压力的大小彼此进行比较和分析来检测加压头200的水平梯度。此外，梯度设定模块500可以计算用于调节加压头200的水平梯度的水平梯度设定值。
梯度设定模块500可以根据第二压力检测信号检测每个压力大小偏差，并且计算用于调节加压头200的水平梯度的水平梯度设定值，使得根据第二压力检测信号的压力大小偏差变为零。梯度设定模块500产生与计算的水平梯度设定值的大小对应的梯度控制信号，并且将梯度控制信号传输到梯度控制模块510(例如，见图19)。
梯度控制模块510基于由梯度设定模块500设定的水平梯度设定值和由梯度设定模块500产生的梯度控制信号来调节附接驱动构件300(例如，见图19)的平板支撑框架的水平梯度。随着平板支撑框架的水平梯度被调节，形成在平板支撑框架上的多个压力调节器、附接构件100和加压头200的水平梯度被调节。
图23是示出使用根据一个或多个实施例的用于制造显示面板的设备的显示面板的制造工艺的截面结构图。
如图23中所示，当通过梯度控制模块510调节附接驱动构件300的平板支撑框架、附接构件100和加压头200的水平梯度时，可以使用用于制造显示面板的设备将多个发光元件LE(例如，见图6)附接到显示基底DSP上。
晶圆安装构件910可以设置在作为附接构件100和加压头200的加压方向的向下方向上。具有其上形成多个发光元件LE的晶圆被固定到晶圆安装构件910，并且晶圆安装构件910固定晶圆使得多个发光元件LE在向下方向上设置。构成显示装置的显示基底DSP在面向晶圆安装构件910的向下方向上设置在基底装载板LFP上。
附接构件100和加压头200通过附接驱动构件300在向下方向上移动，使得加压头200可以与其上形成多个发光元件LE的晶圆的后表面接触。加压头200对晶圆的后表面加压，以使形成在晶圆上的多个发光元件LE附接到显示基底DSP上。
图24是详细示出图23中所示的晶圆安装构件的透视图。
参照图24，晶圆安装构件910包括第一安装框架910a和第二安装框架910b，具有其上形成多个发光元件LE(例如，见图6)的晶圆LFL1安置在第一安装框架910a上，第二安装框架910b对安置在第一安装框架910a上的晶圆LFL1的前表面和外周边或圆周的一部分加压以固定晶圆LFL1。
第一安装框架910a形成为其中形成四边形开口或圆形开口的多边形面板或多边形框架的形状。此外，第二安装框架910b也可以形成为其中形成四边形开口或圆形开口的多边形面板或多边形框架的形状，并且可以以其中第二安装框架910b面对第一安装框架910a的形状组装到第一安装框架910a。也就是说，第一安装框架910a和第二安装框架910b彼此组装以彼此面对并重叠，并且可以因此对晶圆LFL1的外周或圆周区911以及除了开口区之外的前表面和后表面的部分加压以固定晶圆LFL1。
图25是示出使用根据一个或多个实施例的用于制造显示面板的设备的晶圆加压工艺的截面结构图。
如图25中所示，在晶圆安装构件910设置在作为加压头200的加压方向的向下方向上的状态下，附接构件100和加压头200通过附接驱动构件300在向下方向(即，箭头B的方向)上移动。加压头200可以在箭头B的方向上移动，以与其上形成多个发光元件LE的晶圆LFL1(见图24)的后表面接触。
在晶圆LFL1的后表面与加压头200接触的状态下，加压头200和晶圆LFL1可以在作为加压方向的向下方向上移动，即，在显示基底DSP的装载方向上移动。
加压头200对晶圆LFL1的后表面加压，以使在晶圆LFL1的前表面方向上形成的多个发光元件LE附接到显示基底DSP上。
激光照射构件700在梯度控制模块510和附接驱动构件300的开口孔330(见图11)以及附接构件100的开口110(见图11)的方向上(即，在箭头C的方向上)照射激光。穿透梯度控制模块510和附接驱动构件300的开口孔330以及附接构件100的开口110的激光经由加压头200在加压头200的前表面方向上发射。多个发光元件LE可以粘合到显示基底DSP，并且可以在由激光加热的同时附接到显示基底DSP上。
图26是示出包括根据一个或多个实施例的显示装置的车辆的仪表板和中央仪表面板的示意图。
参照图26，包括在根据本公开的显示装置中的显示面板或微型显示基底101(在本文中，也称为显示基底101)可以应用于车辆的仪表盘的显示设备或显示装置10。作为示例，应用了诸如微型LED的发光元件LE的显示装置10可以应用于车辆的仪表板10_a，可以应用于车辆的中央仪表面板10_b，或者可以应用于设置在车辆的仪表盘上的中央信息显示器(CID)10_c。此外，根据一个或多个实施例的显示装置10可以应用于用来代替车辆的侧视镜和导航装置等的车内后视镜显示器10_d和10_e。
图27是示出包括根据一个或多个实施例的显示装置的眼镜型虚拟现实装置的示意图。此外，图28是示出包括根据一个或多个实施例的显示装置的手表型智能装置的示意图。
图27示出了包括眼镜框腿30a和30b的眼镜型虚拟现实装置1。根据一个或多个实施例的眼镜型虚拟现实装置1可以包括虚拟图像显示装置10-1、左眼镜片10a、右眼镜片10b、支撑框架20、眼镜框腿30a和30b、反射构件40和显示装置容纳部件50。虚拟图像显示装置10_1可以使用如本公开的实施例示出的微型显示基底101来显示虚拟图像。
根据一个或多个实施例的眼镜型虚拟现实装置1也可以应用于包括可以代替眼镜框腿30a和30b安装在用户的头部的头戴式带的头戴式显示器。也就是说，根据一个或多个实施例的眼镜型虚拟现实装置1不限于图27中所示的电子装置，并且可以以各种形式应用于各种其他电子装置。
此外，如图28中所示，如本公开的实施例示出的微型显示基底101可以应用于作为多种智能装置中的一种的手表型智能装置2的位置显示装置10_2。
图29是示出包括根据一个或多个实施例的显示装置的透明显示装置的示意图。
参照图29，如本公开的实施例示出的微型显示基底101可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以在显示图像IM的同时透射穿过透明显示装置的光。因此，位于透明显示装置的前面的用户不仅可以观察到显示在微型显示面板中的图像IM，而且可以观察到位于透明显示装置的后面的物体RS或背景。当微型显示基底101应用于透明显示装置时，图29中所示的微型显示基底101可以包括能够透射光的透光部件，或者可以由能够透射光的材料制成。
在结束详细描述时，本领域的技术人员将领会到的是，在大体不脱离本公开的原理和范围的情况下，可以对实施例进行许多变化和修改而。因此，本公开的实施例仅用于一般性和描述性的意义，并且不是为了限制的目的。
Claims (15)
1.一种用于制造显示面板的设备，其中，所述用于制造显示面板的设备包括：
附接构件，在加压方向上具有固定部，加压头固定到所述固定部；
附接驱动构件，配置为经由所述附接构件的固定框架使所述附接构件和所述加压头在所述加压方向或分离方向上移动；
第一压力感测模块，在所述加压头和所述附接构件之间，并且配置为根据施加到所述加压头的压力产生第一压力检测信号；
梯度设定模块，配置为基于所述第一压力检测信号的大小来设定所述加压头的梯度；以及
梯度控制模块，配置为根据所述梯度设定模块的控制来调节所述加压头的所述梯度、所述附接构件的梯度和所述固定框架的梯度。
2.根据权利要求1所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述附接构件具有多棱柱形状或圆柱形状并且具有多边形形状或圆形形状的开口，其中，插入孔在所述加压方向上定位在所述附接构件的所述固定部中，所述加压头插入并固定在所述插入孔中，并且其中，所述插入孔根据所述加压头的外周表面的形状具有多边形或圆柱形状。
3.根据权利要求2所述的用于制造显示面板的设备，其中，根据所述附接构件的所述开口和所述插入孔之间的内径的差，在所述固定部中定位内台阶，并且所述第一压力感测模块在所述固定部的所述内台阶上。
4.根据权利要求3所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述第一压力感测模块具有与所述固定部的所述内台阶的形状和面积对应的四边形环或O形环形状，或者分开为多个段，并且所述第一压力感测模块的所述多个段分开地定位在所述固定部的所述内台阶上，并且所述加压头插入在所述固定部的所述插入孔中并且接触所述第一压力感测模块。
5.根据权利要求3所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述加压头包括包含透光石英和玻璃中的至少一种的透明材料，并且所述加压头具有与所述附接构件的所述固定部中的所述插入孔的形状和尺寸对应的六面体形状、立方体形状、圆柱体形状或柱状形状。
6.根据权利要求3所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述第一压力感测模块配置为：
使用分别定位于在不同方向上的位置处的多个压力传感器来感测施加到所述加压头的所述压力的大小，并且基于所述压力的所述大小产生所述第一压力检测信号；并且
使用至少一个信号传输电路将所述第一压力检测信号与用于所述多个压力传感器中的每一个的方向代码一起传输到所述梯度设定模块。
7.根据权利要求6所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述多个压力传感器：
分别定位在所述固定部的所述内台阶上的x轴方向、-x轴方向、y轴方向和-y轴方向上；
分别定位在形成为四边形形状的所述内台阶的四个方向的拐角位置处；或者
定位在所述内台阶上，并且在所述内台阶上具有从三角形形状、四边形形状、五边形形状和六边形形状的组中选择的一种多边形形状。
8.根据权利要求6所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述梯度设定模块配置为：
检测所述第一压力检测信号之间的大小偏差，并且计算所述加压头的用于使所述第一压力检测信号之间的所述大小偏差为零的水平梯度设定值；并且
产生与计算的所述水平梯度设定值的大小对应的梯度控制信号，并且将所述梯度控制信号传输到所述梯度控制模块。
9.根据权利要求8所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述附接驱动构件配置为使用定位在平板支撑框架的向下方向上的多个压力调节器使所述固定框架、所述附接构件和所述加压头在所述加压方向或与所述加压方向相反的所述分离方向上移动。
10.根据权利要求9所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述梯度控制模块包括：
多个线性运动导向件，所述多个线性运动导向件在所述平板支撑框架的后表面部分上定位在与所述多个压力调节器对应的位置处；
多个磁性弹簧，分别支撑所述多个线性运动导向件；以及
至少一个伺服电机，配置为通过根据来自所述梯度设定模块的所述梯度控制信号改变所述多个磁性弹簧和所述多个线性运动导向件中的每一者的设置位置来调节所述平板支撑框架的水平梯度和所述多个压力调节器的水平梯度，
其中，所述梯度控制模块配置为通过基于所述梯度控制信号调节所述附接驱动构件的所述平板支撑框架的所述水平梯度来调节定位在所述平板支撑框架上的所述多个压力调节器的所述水平梯度、所述附接构件的水平梯度和所述加压头的水平梯度。
11.根据权利要求2所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述用于制造显示面板的设备还包括第二压力感测模块，所述第二压力感测模块定位在加压板的由所述加压头加压的加压保持器中并且根据从所述加压头施加的压力的大小产生第二压力检测信号，
其中，所述第二压力感测模块呈与所述加压保持器的形状和面积对应的平板形状，或者以多个段的形式分开地定位在所述加压保持器内部。
12.根据权利要求11所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述第二压力感测模块配置为：
使用定位于在不同方向上的位置处的多个压力传感器根据从所述加压头施加的所述压力的所述大小产生所述第二压力检测信号；并且
经由至少一个信号传输电路将所述第二压力检测信号与用于所述多个压力传感器中的每一个的方向代码一起传输到所述梯度设定模块。
13.根据权利要求12所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述梯度设定模块配置为：检测所述第二压力检测信号之间的大小偏差，并且计算所述加压头的用于使所述第二压力检测信号之间的所述大小偏差为零的水平梯度设定值。
14.根据权利要求12所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述多个压力传感器：
分别定位在所述加压板的所述加压保持器内部的x轴方向、-x轴方向、y轴方向和-y轴方向上；
分别定位在形成为四边形形状的所述加压保持器内部的四个方向的拐角位置处；或者
在所述加压保持器内部具有三角形、四边形、五边形和六边形中的一种多边形形状。
15.根据权利要求12所述的用于制造显示面板的设备，其中，所述梯度设定模块配置为：根据所述第二压力检测信号来检测压力大小偏差，计算用于将所述加压头的水平梯度调节为使根据所述第二压力检测信号的所述压力大小偏差为零的水平梯度设定值，产生与计算的所述水平梯度设定值的大小对应的梯度控制信号，并且将所述梯度控制信号传输到所述梯度控制模块，
其中，所述梯度控制模块配置为通过基于所述梯度控制信号调节所述附接驱动构件的平板支撑框架的水平梯度来调节定位在所述平板支撑框架上的多个压力调节器的水平梯度、所述附接构件的水平梯度和所述加压头的所述水平梯度。
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