TW202307911A - 用於處理基板的方法與設備 - Google Patents
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Abstract
本文提供了用於處理基板的方法及設備。例如，被配置為與用於處理基板的設備一起使用的磁體至靶標間距系統包括：感測器，該感測器被配置為在相對於靶標旋轉磁體的同時提供同磁體的正面與靶標的背面之間的距離相對應的信號；和磁體控制器，該磁體控制器被配置為基於由該感測器提供的信號控制磁體的正面與靶標的背面之間的距離。
Description
本發明的實施例大體而言係關於用於處理基板的方法及設備。更特定言之，本揭露的實施例係關於利用感測器反饋系統自動增大或減小磁體至靶標(magnet to target, M-T)的間距。
常規電漿處理（物理氣相沉積）腔室使用一或多個磁體來促進將濺射材料電漿朝向基板引導。例如，磁控管組件可以位於設置在處理腔室的處理體積內的靶標上方。磁控管可包括複數個磁體，該複數個磁體被配置為在處理腔室內靠近靶標的正面產生磁場以產生電漿，因此大通量的離子流撞擊靶標，從而導致靶材料朝向基板濺射發射。
該複數個磁體可與靶標所附接至的背板的背面間隔開。該複數個磁體與靶標之間的間距是關鍵參數，其可以極大地影響沉積在基板上的膜的規格。例如，該複數個磁體與靶標之間的間距可影響膜的沉積速率、膜的沉積輪廓（例如，跨基板的不一致厚度），可導致靶標彎曲（此可導致不一致的間距、靶標的半徑處增加的DC電壓，並且可在靶標的壽命期間惡化）、背板劃傷等。
本文提供了用於處理基板的方法及設備。
例如，被配置為與用於處理基板的設備一起使用的磁體至靶標間距系統包括：感測器，該感測器被配置為在相對於靶標旋轉磁體的同時提供同磁體的正面與靶標的背面之間的距離相對應的信號；和磁體控制器，該磁體控制器被配置為基於由該感測器提供的信號控制磁體的正面與靶標的背面之間的距離。
根據至少一些實施例，一種用於處理基板的處理腔室包括：基板支撐件，該基板支撐件設置在處理腔室的處理體積內並且被配置為支撐基板；靶標，該靶標被配置為朝向基板支撐件濺射材料；磁控管，該磁控管包括在操作期間可沿路徑旋轉的磁體；感測器，該感測器被配置為在相對於靶標旋轉磁體的同時提供同磁體的正面與靶標的背面之間的距離相對應的信號；以及磁體控制器，該磁體控制器被配置為基於由該感測器提供的信號控制磁體的正面與靶標的背面之間的距離。
根據至少一些實施例，一種用於處理基板的方法包括在相對於靶標旋轉磁體的同時偵測磁體的正面與靶標的背面之間的距離；以及基於所偵測到的距離將磁體的正面與靶標的背面之間的距離控制到期望值。
下面描述本揭露案的其他及進一步的實施例。
本文提供了用於處理基板的方法及設備的實施例。例如，本文所述的方法及裝置提供了在靶標的整個壽命期間維持磁控管的一或多個磁體與靶標之間的最佳間距的改進方式。例如，磁體至靶標間距系統包括感測器，該感測器被配置為在相對於靶標旋轉磁體的同時提供同磁體的正面與靶標的背面之間的距離相對應的信號。磁體至靶標間距系統亦包括磁體控制器，該磁體控制器被配置為基於由感測器提供的信號來控制磁體的正面與靶標的背面之間的距離。本文所述的方法及設備提供了一種直接且簡單的解決方案來維持一或多個磁體與靶標之間的適當間距，該適當間距繼而可以最小化（若未消除）靶標彎曲的影響。一或多個磁體的移動可以是自動的並且不需要外部干預。此外，本文所述的方法及設備提供了M-T間距的自動調整，適用於需要穩定的M-T間距以維持良好的膜特性的不同處理腔室，能夠操作/控制具有靶彎曲的處理腔室並維持膜特性，能夠解決與M-T間距相關的覆蓋率問題，提供低製造成本，因為僅雷射感測器被添加到現有硬體，並且不限於靶標的材料。
第1圖描繪了根據本揭露的至少一些實施例的處理腔室100（例如，電漿處理腔室）的示意性側視圖。在一些實施例中，處理腔室100是適於在具有給定直徑的基板上濺射沉積材料的PVD處理腔室。適於受益於本揭露的合適的PVD腔室的說明性實例包括可從加利福尼亞州聖克拉拉市的應用材料公司(Applied Materials, Inc., of Santa Clara, California)購得的彼等。可從應用材料公司以及其他製造商獲得的其他處理腔室亦可以根據本文所述的實施例進行修改。
處理腔室100通常包括上側壁102、下側壁103、接地適配器104和蓋組件111，從而限定了封閉內部體積106的主體105。適配器板107可以設置在上側壁102與下側壁103之間。
基板支撐件108設置在處理腔室100的內部體積106中。基板支撐件108被配置為支撐具有給定直徑（例如，150 mm、200 mm、300 mm、450 mm等）的基板。基板轉移埠109形成在下側壁103中以用於將基板轉移到內部體積106中及從該內部體積轉移出。
氣體源110耦接至處理腔室100，以將處理氣體供應至內部體積106中。若需要，則製程氣體可包括惰性氣體、非反應性氣體及反應性氣體。可由氣體源110提供的處理氣體的實例包括但不限於氬氣(Ar)、氦氣(He)、氖氣(Ne)、氮氣(N
2)、氧氣(O
2)和水(H
2O)蒸汽、其他稀有氣體等。
泵送裝置112耦接至與內部體積106連通的處理腔室100，以控制內部體積106的壓力。在至少一些實施例中，在沉積期間，處理腔室100的壓力位準可維持在約1毫托至約1托，例如約300毫托至約500毫托。
接地適配器104可支撐靶標，諸如靶標114。靶標114由待沉積在基板上的材料製成。在至少一些實施例中，靶標114可由鋁(Al)、鈷(Co)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、其合金、其組合等製成。在至少一些實施例中，處理腔室100被配置為在基板上沉積例如氧化鋁(AlO
2)、氧氮化鋁（諸如ALON）、Co、Cu、Ta、氮化鉭(TaN)、氧氮化鉭(TaO
xN
y)、Ti、氧氮化鈦(TiO
xN
y)、W、或氮化鎢(WN)。
靶標114可以耦接至包括用於靶標114的電源117的源組件。例如，電源117可以是RF電源，其可以經由匹配網路116耦接至靶標114。在一些實施例中，電源117可以替代地是DC電源，在此種情況下，匹配網路116被省略。在一些實施例中，電源117可包括DC電源及RF電源兩者。此外，在一些實施例中，靶標114可包括背板（第1圖中未圖示），該背板可被提供用於提高靶標114的結構穩定性。該背板可包含導電材料，諸如銅-鋅、銅-鉻、或與靶標114相同的材料，使得RF和視情況DC功率可經由該背板耦接至靶標114。或者，背板可以是非導電的，並且可以包括導電元件（未圖示），諸如電氣饋通等。
磁控管170位於靶標114上方，並且可包括一或多個磁體172，該等磁體172可沿路徑旋轉，由連接到軸176的基底板174支撐，該軸可與處理腔室100和基板101的中心軸線軸向對準。一或多個磁體172在處理腔室100內靠近靶標114的正面產生磁場以產生電漿165，因此大通量的離子流撞擊靶標114，從而導致靶材料的濺射發射。一或多個磁體172可以圍繞軸176旋轉，以增加跨靶標114的表面的磁場的均勻性。通常，一或多個磁體172可經旋轉，使得在該一或多個磁體172的旋轉期間最內部的磁體位置設置在正在被處理的基板的直徑上方或外部（例如，從旋轉軸線至該一或多個磁體172的最內部位置的距離等於或大於正在被處理的基板的直徑）。
準直器118可位於靶標114與基板支撐件108之間的內部體積106中。準直器118的中心區域135通常對應於正在被處理的基板的直徑（例如，等於或基本上等於該基板的直徑）。因此，準直器118的周邊區域133通常對應於在正被處理的基板的徑向外側的環形區域（例如，周邊區域133的內部直徑基本上等於或大於基板的直徑）。在一些實施例中，準直器118可經電偏置以控制到基板的離子通量及基板處的中性角分佈，以及由於增加的DC偏置而增加沉積速率。
準直器118耦接至上部遮蔽件113，該上部遮蔽件繼而耦接至處理工具適配器138。處理工具適配器138可以由與處理腔室100中的處理條件相容的合適的導電材料製成。絕緣環156和絕緣環157設置在處理工具適配器138的兩側上，以將處理工具適配器138與接地適配器104電絕緣。絕緣環156、157可以由合適的處理相容的介電材料製成。
在至少一些實施例中，第一組磁體196可設置成與接地適配器104相鄰，以幫助產生磁場，從而引導從靶標114逐出的離子穿過周邊區域133。在至少一些實施例中，第二組磁體194可以設置在某一位置以在準直器118的底部與基板之間形成磁場，從而引導從靶標114逐出的金屬離子並將該等離子更均勻地分佈在基板101上方。在至少一些實施例中，第三組磁體154可以設置在第一組磁體196與第二組磁體194之間，並且大致以準直器118的中心區域135的面向基板的表面為中心或者在該表面下方，以進一步將金屬離子導向基板101的中心。
處理工具適配器138包括一或多個特徵，以促進支撐內部體積106內的處理工具，諸如準直器118。例如，如第1圖所示，處理工具適配器138包括安裝環或擱架164，該安裝環或擱架沿徑向向內方向延伸以支撐上部遮蔽件113。
在一些實施例中，可在處理工具適配器138中提供冷卻劑通道166，以促進冷卻劑流過處理工具適配器138，從而移除處理期間產生的熱量。例如，冷卻劑通道166可以耦接至冷卻設備153（冷卻劑源）以提供合適的冷卻劑，諸如水（去離子水）、氮氣、氬氣或其他稀有氣體、清潔乾燥空氣(clean dry air, CDA)或腐蝕性氣體等。冷卻劑通道166有利地從處理工具（例如，準直器118）移除不容易傳遞到其他冷卻腔室部件（諸如接地適配器104）的熱量。
提供徑向向內延伸的凸耳（例如，安裝環或擱板164）以支撐處理腔室100的內部體積106內的中央開口內的上部遮蔽件113。擱板164可以設置在靠近冷卻劑通道166的位置，以促進在使用期間最大化從準直器118至冷卻劑通道166中流動的冷卻劑的熱傳遞。
可在準直器118附近和接地適配器104或上側壁102的內部提供下部遮蔽件120。下部遮蔽件120可包括管狀主體121，該管狀主體具有設置在管狀主體121的上表面中的徑向向外延伸的凸緣122。凸緣122提供了與上側壁102的上表面的配合界面。下部遮蔽件120的管狀主體121可以包括肩部區域123，該肩部區域的內徑小於管狀主體121的其餘部分的內徑。管狀主體121的內表面沿著錐形表面124徑向向內過渡到肩部區域123的內表面。
遮蔽件環126可設置在處理腔室100中，與下部遮蔽件120相鄰並位於下部遮蔽件120與適配器板107的中間。遮蔽件環126可以至少部分地設置在由下部遮蔽件120的肩部區域123的相對兩側和適配器板107的內側壁形成的凹槽128中。遮蔽件環126可以包括軸向突出的環形側壁127，該軸向突出的環形側壁的內部直徑大於下部遮蔽件120的肩部區域123的外部直徑。
徑向凸緣130從環形側壁127延伸。徑向凸緣130包括在徑向凸緣130的下表面上形成的突起132。突起132可以是從徑向凸緣130的表面以基本上平行於遮蔽件環126的環形側壁127的內部直徑表面的取向延伸的圓形脊。突起132通常適於與設置在基板支撐件108上的邊緣環136中形成的凹槽134配合。凹槽134可以是形成在邊緣環136中的圓形凹槽。突起132和凹槽134的接合使遮蔽件環126相對於基板支撐件108的縱軸居中。藉由基板支撐件108與機器人葉片（未圖示）之間的協同定位校準，基板101（圖示為支撐在升降銷140上）相對於基板支撐件108的縱向軸線居中。
RF電源180可經由基板支撐件108耦接至處理腔室100，以在靶標114與基板支撐件108之間提供偏壓功率。在一些實施例中，匹配網路（例如，匹配網路116）可以耦接在RF電源180與基板支撐件108之間。RF電源180可以具有在約400 Hz與約60 MHz之間，諸如約13.56 MHz的頻率。
在操作中，其上設置有基板101的機器人葉片（未圖示）延伸穿過基板轉移埠109。基板支撐件108可以經降低以允許將基板101轉移到從基板支撐件108延伸的升降銷140。基板支撐件108和/或升降銷140的提升及降低可由耦接至基板支撐件108的驅動器142控制。基板101可以被降低到基板支撐件108的基板接收表面144上。隨著基板101定位在基板支撐件108的基板接收表面144上，可以在基板101上執行濺射沉積。在處理期間，邊緣環136可以與基板101電絕緣。
在濺射沉積後，可利用升降銷140將基板101提升至與基板支撐件108間隔開的位置。升高的位置可以接近鄰近適配器板107的遮蔽件環126和反射環148中的一或兩者。適配器板107包括一或多個燈150，該一或多個燈在反射器環148的下表面與適配器板107的凹陷表面152中間的位置處耦接至適配器板107。燈150提供可見光或近可見光波長的光能及/或輻射能，諸如紅外（infrared, IR）及/或紫外（ultraviolet, UV）光譜。來自燈150的能量朝向基板101的背面（亦即，下表面）徑向向內聚焦，以加熱基板101及沉積在該基板上的材料。
在將基板101控制到預定溫度之後，將基板101降低到基板支撐件108的基板接收表面144上的位置。可以利用基板支撐件108中的熱控制通道146經由傳導快速冷卻基板101。例如，冷卻設備153可以連接至基板支撐件108，並被配置為向基板支撐件108提供一或多種冷卻劑。基板101可經由基板轉移埠109從處理腔室100移除，以供進一步處理。
控制器198耦接至處理腔室100。控制器198包括中央處理單元160、記憶體158和支援電路162。控制器198用於控制製程順序，調節從氣體源110進入處理腔室100的氣體流量，並控制靶標114的離子轟擊。中央處理單元160可以是可以在工業環境中使用的任何形式的通用電腦處理器。軟體常式（例如，指令）可以儲存在記憶體158（例如，非暫時性電腦可讀取儲存媒體），諸如隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟盤或硬碟驅動器或其他形式的數位儲存裝置中。支援電路162習知地耦接至中央處理單元160，並且可包括快取、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源等。當由中央處理單元160執行時，軟體常式將中央處理單元轉換成控制處理腔室100的專用電腦，使得根據本揭露的實施例執行包括下面揭示的基板支撐件108冷卻製程在內的製程。軟體常式也可以由遠離處理腔室100定位的第二控制器（未圖示）儲存及/或執行。
在處理期間，材料從靶標114濺射並沉積在基板101的表面上。靶標114及基板支撐件108由電源117或RF電源180相對於彼此偏置，以維持從由氣體源110供應的處理氣體形成的電漿。施加到準直器118的DC脈衝偏壓功率亦有助於控制穿過準直器118的離子和中性粒子的比率，從而有利地增強溝槽側壁和底部填充能力。來自電漿的離子朝向靶標114加速並撞擊該靶標，從而導致靶材料被從靶標114中逐出。被逐出的靶材料及處理氣體在基板101上形成具有所需組成的層。
第2圖是根據本揭露的至少一些實施例，被配置用於與第1圖的處理腔室100一起使用的磁體至靶標間距系統200的示意圖。例如，磁體至靶標間距系統200包括感測器202，該感測器被配置為在相對於靶標旋轉磁體的同時提供同磁體（例如，一或多個磁體172）的正面204與靶標（例如，靶標114）的背面206之間的距離相對應的信號。感測器202可以是能夠發射和接收射束的任何感測器。例如，在至少一些實施例中，感測器202是雷射感測器，該雷射感測器被配置用於朝向靶標的背面206發射偵測射束208，並從靶標的背面206接收反射射束210。感測器202可以經由一或多個合適的耦接設備耦接至磁體的一或多個區域。例如，在所示實施例中，感測器202經由一或多個螺釘、螺母、螺栓等耦接至磁體的側表面。
靶標間距系統200亦包括磁體控制器212（例如，控制器198），該磁體控制器通訊耦合（有線或無線）至感測器202，被配置為基於由感測器202提供的信號來控制磁體的正面204與靶標的背面206之間的距離。例如，磁體控制器212被配置為基於偵測射束208的行進速度、從發射偵測射束208時到接收反射射束210時的時間變化、以及固定純量值（例如，0.5的固定純量值）來確定磁體的正面204與靶標的背面206之間的距離變化。例如，磁體的正面204與靶標的背面206之間的距離變化可以使用以下等式來計算：
距離變化=0.5*Δt*V
射束，(1)
其中V
射束=偵測射束208的行進速度，Δt=從發射偵測射束208時到接收反射射束210時的時間變化，並且0.5是固定純量值。在至少一些實施例中，在操作期間，磁體的正面24與靶標的背面206之間的距離變化可以是約2.75 mm至約3.25 mm。
第3圖是根據本揭露的至少一些實施例，被配置用於與第1圖的處理腔室100一起使用的磁體至靶標間距系統300的示意圖。第3圖的靶標間距系統300基本上類似於第2圖的靶標間距系統200。因此，本文僅描述靶標間距系統300所獨有的彼等特徵。例如，如上所述，磁控管170可以包括一或多個磁體172，該一或多個磁體可以耦接至基底板174。因此，靶標間距系統300包括兩個或更多個磁體172（第3圖中圖示為兩個），該兩個或更多個磁體包括感測器202和磁體控制器212。在第3圖的實施例中，該兩個磁體中的一個磁體設置為鄰近靶標114的中心（在該中心上方），並且該兩個磁體中的另一個磁體可設置為鄰近靶標114的周邊邊緣（在該周邊邊緣上方），該周邊邊緣通常是靶標彎曲更頻繁發生的地方。
第4圖是根據本揭露的至少一些實施例的用於處理基板的方法400的流程圖。例如，在PVD期間，磁控管170可以經由軸176旋轉一或多個磁體172，以在處理腔室100內靠近靶標114的正面產生磁場以產生電漿，因此大通量的離子流撞擊靶標114，從而導致靶材料的濺射發射。
在402處，方法400包括在相對於靶標旋轉磁體的同時，偵測磁體的正面與靶標的背面之間的距離。例如，在402處，在旋轉一或多個磁體172的同時，磁體控制器212可以偵測一或多個磁體172的正面204與靶標114的背面206之間的距離。例如，感測器202可以朝向靶標114的背面206發射偵測射束208。接下來，磁體控制器212可以從靶標114的背面206接收反射射束。磁體控制器212可以偵測一或多個磁體172的正面204與靶標的背面206之間的間距是否已經改變。例如，一或多個磁體172的正面204與靶標114的背面206之間的距離變化是基於偵測射束208的行進速度、從發射偵測射束208時到接收反射射束210時的時間變化、以及固定純量值（例如，固定純量值可以是0.5）。如上所述，在至少一些實施例中，磁體的正面204與靶標114的背面206之間的距離可以使用等式(1)來計算。
接下來，在404處，方法400包括基於所偵測到的距離將一或多個磁體172的正面204與靶標1147的背面206之間的距離控制到期望值。例如，當磁體控制器212確定一或多個磁體172的正面204與靶標114的背面206之間的距離已改變時，磁體控制器212控制器可以向連接到磁控管的軸176的磁體驅動組件（未圖示）發送命令信號，以向上或向下移動軸176（例如，以移動一或多個磁體的正面204遠離或更靠近靶標114的背面206）。例如，如第3圖所示，當例如由於靶標彎曲（d
1小於d
2），一或多個磁體172的正面204與靶標114的背面206之間的距離已經增加時，則磁體控制器212可以向磁體驅動組件發送命令信號，以向下移動軸176，例如更靠近靶標114的背面206，以維持一或多個磁體172的正面204與靶標114的背面206之間的一致距離（例如，d
3=d
1）。
儘管前面是針對本揭露案的實施例，但是在不脫離本揭露案的基本範疇的情況下，可以設計本揭露案的其他及進一步的實施例。
100:處理腔室
101:基板
102:上側壁
103:下側壁
104:接地適配器
105:主體
106:內部體積
107:適配器板
108:基板支撐件
109:基板轉移埠
110:氣體源
111:蓋組件
112:泵送裝置
113:上部遮蔽件
114:靶標
116:匹配網路
117:電源
118:準直器
120:下部遮蔽件
121:管狀主體
122:凸緣
123:肩部區域
124:錐形表面
126:遮蔽件環
127:環形側壁
128:凹槽
130:徑向凸緣
132:突起
133:周邊區域
134:凹槽
135:中心區域
136:邊緣環
138:處理工具適配器
140:升降銷
142:驅動器
144:基板接收表面
146:熱控制通道
148:反射環
150:燈
152:凹陷表面
153:冷卻設備
154:第三組磁體
156:絕緣環
157:絕緣環
158:記憶體
160:中央處理單元
162:支援電路
164:擱板
165:電漿
166:冷卻劑通道
170:磁控管
172:磁體
174:基底板
176:軸
180:RF電源
194:第二組磁體
196:第一組磁體
198:控制器
200:磁體至靶標間距系統
202:感測器
204:正面
206:背面
208:偵測射束
210:反射射束
212:磁體控制器
300:磁體至靶標間距系統
400:方法
402:步驟
404:步驟
d1:距離
d2:距離
d3:距離
藉由參考附圖中描繪的本揭露案的說明性實施例，可以理解上面簡要總結並且下面更詳細論述的本揭露案的實施例。然而，附圖僅圖示了本揭露的典型實施例，因此不應被認為是對範疇的限制，因為本揭露案可以允許其他同等有效的實施例。
第1圖係根據本揭露的至少一些實施例的處理腔室的示意性剖視圖。
第2圖係根據本揭露的至少一些實施例，被配置用於與第1圖的處理腔室一起使用的磁體至靶標間距系統的圖式。
第3圖係根據本揭露的至少一些實施例，被配置用於與第1圖的處理腔室一起使用的磁體至靶標間距系統的圖式。
第4圖是根據本揭露的至少一些實施例的用於處理基板的方法的流程圖。
為了促進理解，在可能的情況下，使用相同的附圖標記來表示附圖中共用的元件。附圖不是按比例繪製的，並且為了清楚起見可以簡化。一個實施例的元件和特徵可以有益地結合到其他實施例中，而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
114:靶標
172:磁體
200:磁體至靶標間距系統
202:感測器
204:正面
206:背面
208:偵測射束
210:反射射束
212:磁體控制器
Claims (20)
- 一種磁體至靶標間距系統，被配置為與用於處理一基板的一設備一起使用，包括： 一感測器，該感測器被配置為在相對於一靶標旋轉一磁體的同時提供同該磁體的一正面與該靶標的一背面之間的一距離相對應的一信號；以及 一磁體控制器，該磁體控制器被配置為基於由該感測器提供的該信號來控制該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離。
- 如請求項1所述之磁體至靶標間距系統，其中該感測器是一雷射感測器，該雷射感測器被配置為朝向該靶標的該背面發射一偵測射束，並接收來自該靶標的該背面的一反射射束。
- 如請求項2所述之磁體至靶標間距系統，其中該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離的一變化基於該偵測射束的一行進速度、從發射該偵測射束時到接收該反射射束時的一時間變化、以及一固定純量值。
- 如請求項1至3中任一項所述之磁體至靶標間距系統，其中該固定純量值為0.5。
- 如請求項1所述之磁體至靶標間距系統，其中該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離的一變化係使用以下等式計算的： 距離變化=0.5*Δt*V 射束， 其中V 射束=一偵測射束的一行進速度，Δt=從發射該偵測射束時到接收該反射射束時的一時間變化，並且0.5是一固定純量值。
- 如請求項1所述之磁體至靶標間距系統，其中該靶標由銅製成。
- 如請求項1至3、5或6中任一項所述之磁體至靶標間距系統，其中該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離的一變化為約2.75 mm至約3.25 mm。
- 一種用於處理一基板的處理腔室，包括： 一基板支撐件，該基板支撐件設置在該處理腔室的一處理體積內，並被配置為支撐一基板； 一靶標，該靶標被配置為朝向該基板支撐件濺射材料； 一磁控管，該磁控管包括在操作期間可沿一路徑旋轉的一磁體； 一感測器，該感測器被配置為在相對於該靶標旋轉該磁體的同時提供同該磁體的一正面與該靶標的一背面之間的一距離相對應的一信號；以及 一磁體控制器，該磁體控制器被配置為基於由該感測器提供的該信號來控制該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離。
- 如請求項8所述之處理腔室，其中該感測器是一雷射感測器，該雷射感測器被配置為朝向該靶標的該背面發射一偵測射束，並接收來自該靶標的該背面的一反射射束。
- 如請求項8所述之處理腔室，其中該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離的一變化基於一偵測射束的一行進速度、從發射該偵測射束時到接收一反射射束時的一時間變化、以及一固定純量值。
- 如請求項8至10中任一項所述之處理腔室，其中該固定純量值為0.5。
- 如請求項8所述之處理腔室，其中該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離的一變化係使用以下等式計算的： 距離變化=0.5*Δt*V 射束， 其中V 射束=一偵測射束的一行進速度，Δt=從發射該偵測射束時到接收該反射射束時的一時間變化，並且0.5是一固定純量值。
- 如請求項8所述之處理腔室，其中該靶標由銅製成。
- 如請求項8至10、12或13中任一項所述的處理腔室，其中該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離的一變化為約2.75 mm至約3.25 mm。
- 一種用於處理一基板的方法，包括以下步驟： 在相對於一靶標旋轉一磁體的同時，偵測該磁體的一正面與該靶標的一背面之間的一距離；以及 基於一偵測到的距離，將該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離控制到一期望值。
- 如請求項15所述之方法，其中偵測該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離之步驟包括以下步驟：朝向該靶標的該背面發射一偵測射束，以及從該靶標的該背面接收一反射射束。
- 如請求項15所述之方法，其中該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離的一變化基於一偵測射束的一行進速度、從發射該偵測射束時到接收一反射射束時的一時間變化、以及一固定純量值。
- 如請求項15至17中任一項所述之方法，其中該固定純量值為0.5。
- 如請求項15所述之方法，其中該磁體的該正面與該靶標的該背面之間的該距離的一變化係使用以下等式計算的： 距離變化=0.5*Δt*V 射束， 其中V 射束=一偵測射束的一行進速度，Δt=從發射該偵測射束時到接收該反射射束時的一時間變化，並且0.5是一固定純量值。
- 如請求項15至17或19中任一項所述之方法，其中該靶標由銅製成。
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2022
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