TW202305998A - 支撐單元、加熱單元及包括其的基板處理設備 - Google Patents

支撐單元、加熱單元及包括其的基板處理設備 Download PDF

Info

Publication number
TW202305998A
TW202305998A TW111127491A TW111127491A TW202305998A TW 202305998 A TW202305998 A TW 202305998A TW 111127491 A TW111127491 A TW 111127491A TW 111127491 A TW111127491 A TW 111127491A TW 202305998 A TW202305998 A TW 202305998A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
aforementioned
power
heating
unit
power lines
Prior art date
Application number
TW111127491A
Other languages
English (en)
Inventor
李忠禹
Original Assignee
南韓商細美事有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商細美事有限公司 filed Critical 南韓商細美事有限公司
Publication of TW202305998A publication Critical patent/TW202305998A/zh

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0019—Circuit arrangements
    • H05B3/0023—Circuit arrangements for heating by passing the current directly across the material to be heated
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
    • H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
    • H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
    • H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
    • H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
    • H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/0203—Protection arrangements
    • H01J2237/0206—Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
    • H05B2203/002—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements
    • H05B2203/007—Heaters using a particular layout for the resistive material or resistive elements using multiple electrically connected resistive elements or resistive zones

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明提供用於支撐基板的支撐單元。支撐單元包括：加熱單元，其用於加熱基板，且其中加熱單元包括：複數個加熱構件；及複數個第一電力線及複數個第二電力線，複數個第一電力線及複數個第二電力線提供用於電力往返於複數個加熱構件的供應及返迴路徑，且其中複數個第二電力線經由複數個加熱構件連接至複數個第一電力線中之每一個，且至少兩個加熱構件連接至每一個第一電力線且至少兩個加熱構件連接至每一個第二電力線，且至少兩個加熱構件並聯連接於每一個第一電力線與每一個第二電力線之間。

Description

支撐單元、加熱單元及包括其的基板處理設備
本文所述之本發明構思之實施例係關於一種支撐單元、加熱單元及包括其的基板處理設備，更具體而言，一種具有相對簡單的矩陣組態的加熱單元及包括其的基板處理設備。
包括半導體裝置的積體電路裝置或包括平板顯示器裝置的顯示器裝置可藉由使用基板處理設備來製造，該基板處理設備包括各種製程腔室，諸如沉積腔室、濺射腔室、蝕刻腔室、清潔腔室及乾燥腔室。在此種製程腔室中，可設置其中基板放置於頂部上的支撐單元及具有能夠加熱基板的矩陣組態的加熱單元。
矩陣組態的習知加熱單元具有其中連接至複數個加熱器的複數個二極體全部在一個方向上配置的組態，且需要矩陣之行數及列數之和的控制線來操作複數個加熱器中之每一個。當加熱單元之加熱器之數目增加時，用於包括加熱單元的基板處理設備之電氣連接的配線可能變得複雜，組態複雜度可能增加，且因此可能難以實施包括加熱單元的基板處理設備。
本發明構思之實施例提供一種能夠減少控制線之數目以具有相對簡單的矩陣組態的加熱單元。
本發明構思之實施例提供一種基板處理設備，該基板處理設備包括能夠減少控制線之數目，以具有相對簡單的矩陣組態的加熱單元。
本發明構思之實施例提供一種能夠經由相同數目的控制線控制更多加熱器的加熱單元。
本發明構思之技術目標不限於以上所提及之目標，且所屬技術領域中具有通常知識者根據以下描述將明白其他未提及之技術目標。
本發明構思提供一種用於支撐基板的支撐單元。該支撐單元包括：加熱單元，該加熱單元用於加熱該基板，且其中該加熱單元包含：複數個加熱構件；及複數個第一電力線及複數個第二電力線，複數個第一電力線及複數個第二電力線提供用於電力往返於複數個加熱構件的供應及返迴路徑，且其中複數個第二電力線經由複數個加熱構件連接至複數個第一電力線中之每一個，且至少兩個加熱構件連接至每一個第一電力線且至少兩個加熱構件連接至每一個第二電力線，且至少兩個加熱構件經並聯連接於每一個第一電力線與每一個第二電力線之間。
在一實施例中，並聯連接於每一個第一電力線與每一個第二電力線之間的複數個加熱構件存在有L個，複數個第一電力線存在有N個，且複數個第二電力線存在有M個，其中複數個加熱構件之總數為N*M*L。
在一實施例中，該支撐單元進一步包括：電力單元，該電力單元連接至複數個第一電力線及複數個第二電力線，以將電力供應至複數個加熱構件，且電力單元包括電源，該電源以與並聯連接於每一個第一電力線與每一個第二電力線之間的該等至少兩個加熱構件相同的數目被設置。
在一實施例中，該加熱構件包括串聯連接的加熱元件及二極體，且至少兩個二極體係在複數個第一電力線中之每一個及複數個第二電力線中之每一個彼此交叉的點處彼此並聯連接，且至少兩個二極體經連接至對應的加熱元件，使得電流在相對於每一個第一電力線及每一個第二電力線的相反方向上流動。
在一實施例中，該加熱單元包括：第一電力供應-返回選擇開關元件，該第一電力供應-返回選擇開關元件連接於該電力單元與每一個第一電力線之間；及第二電力供應-返回選擇開關元件，該第二電力供應-返回選擇開關元件連接於該電力單元與每一個第二電力線之間。
在一實施例中，第一電力供應-返回選擇開關元件及第二電力供應-返回選擇開關元件中之每一個係以與並聯連接於每一個第一電力線與每一個第二電力線之間的至少兩個加熱構件相同的數目被設置。
在一實施例中，該電力單元之每一個電源經連接於對應的第一電力供應-返回選擇開關元件與對應的第二電力供應-返回選擇開關元件之間。
在一實施例中，該支撐單元進一步包括：控制器，該控制器用於控制該第一電力供應-返回選擇開關元件及該第二電力供應-返回選擇開關元件之接通/斷開。
在一實施例中，並聯連接於每一個第一電力線與每一個第二電力線之間的該等至少兩個加熱構件包括第一加熱構件及第二加熱構件，且其中該加熱單元進一步包含：電力單元，該電力單元連接至該複數個第一電力線及該複數個第二電力線且包括用於將電力供應至該第一加熱構件的第一電源、及用於將電力供應至該第二加熱構件的第二電源；第一電力供應-返回選擇開關元件，該第一電力供應-返回選擇開關元件包括連接於該第一電源與每一個第一電力線之間的第一開關元件、及連接於該第二電源與每一個第一電力線之間的第二開關元件；及第二電力供應-返回選擇開關元件，該第二電力供應-返回選擇開關元件包括連接於該第一電源與每一個第二電力線之間的第三開關元件、及連接於該第二電源與每一個第二電力線之間的第四開關元件。
在一實施例中，該第一加熱構件及該第二加熱構件各自包括串聯連接的加熱構件及二極體，且該第一加熱構件之二極體及該第二加熱構件之二極體經連接至對應的加熱構件，使得電流在相對於被共同連接的每一個第一電力線的相反方向上流動。
在一實施例中，該支撐單元進一步包括：控制器，該控制器控制該第一電力供應-返回選擇開關元件及該第二電力供應-返回選擇開關元件之接通/斷開。
本發明構思提供一種加熱單元。該加熱單元包括：複數個加熱線組合件；複數個第一電力線，該複數個第一電力線連接至該複數個加熱線組合件中之任一個；複數個第二電力線，該複數個第二電力線連接至該複數個加熱線組合件中之任一個；第一電源，該第一電源經設置成使得電流供應至第一電力線且使得電流返回至第二電力線；及第二電源，該第二電源經設置成使得電流供應至該第二電力線且使得電流返回至該第一電力線；且其中設置同時連接至該複數個第一電力線中之任一個第一電力線及該複數個第二電力線中之任一個第二電力線的僅一個加熱線組合件，且其中加熱線組合件包含：第一加熱線；第二加熱線，該第二加熱線並聯連接至該第一加熱線；第一加熱器，該第一加熱器設置於該第一加熱線處；第二加熱器，該第二加熱器設置於該第二加熱線處；第一二極體，該第一二極體在該第一加熱線處串聯連接至該第一加熱器；第二二極體，該第二二極體在該第二加熱線處串聯連接至該第二加熱器；及開關單元，該開關單元用於控制包括在該加熱線組合件中的該第一加熱器及該第二加熱器之接通/斷開。
在一實施例中，包括在該加熱線組合件中的該第一二極體及該第二二極體經連接成使得在該第一加熱器中流動的電流及在該第二加熱器中流動的電流彼此在相反方向上流動。
在一實施例中，該開關單元包括：第一電力供應-返回選擇開關元件，該第一電力供應-返回選擇開關元件包括連接於該第一電源與每一個第一電力線之間的第一開關元件、及連接於該第二電源與每一個第一電力線之間的第二開關元件；及第二電力供應-返回選擇開關元件，該第二電力供應-返回選擇開關元件包括連接於該第一電源與每一個第二電力線之間的第三開關元件、及連接於該第二電源與每一個第二電力線之間的第四開關元件。
在一實施例中，該加熱單元進一步包括：控制器，該控制器用於控制該第一開關元件、該第二開關元件、該第三開關元件及該第四開關元件之接通/斷開。
本發明構思提供一種基板處理設備。該基板處理設備包括：製程腔室，該製程腔室具有處理空間；支撐單元，該支撐單元定位於該處理空間內且支撐基板；加熱單元，該加熱單元設置於該支撐單元處；氣體供應單元，該氣體供應單元用於將用於處理該基板的氣體供應至該處理空間；及電漿產生單元，該電漿產生單元用於自該氣體產生電漿。
在一實施例中，該支撐單元進一步包含：連接板，該連接板能夠嵌入有複數個第一電力線及複數個第二電力線中之至少一個。
在一實施例中，該複數個第一電力線及該複數個第二電力線嵌入於與該加熱單元相同的位置上。
在一實施例中，該電漿產生單元包括氣體分散板，該氣體分散板由支撐單元固定至該製程腔室。
在一實施例中，該氣體分散板之底表面經陽極處理來防止因電漿而產生電弧。
根據本發明構思之一實施例，矩陣組態的加熱單元可在與相鄰複數個二極體相反的方向上配置，且可具有其中藉由額外開關及二極體提供至複數個加熱器的電流可在正向方向及反向方向上流動。因此，能夠控制加熱器的控制線之數目可得以減少，且即使當加熱單元之矩陣組態變得更加複雜時，亦可有效防止包括加熱單元的基板處理設備之結構複雜度。
本發明構思之效果不限於以上所提及之目標，且所屬技術領域中具有通常知識者根據以下描述將明白其他未提及之效果。
本發明構思可以各種方式進行修改且可具有各種形式，且其具體實施例將在圖式中例示出並詳細描述。然而，根據本發明構思之構思之實施例並不意欲限制具體揭示形式，且應當理解，本發明構思包括了包括在本發明構思之精神及技術範疇內的所有變形、等效物及替換。在對本發明構思的描述中，當相關已知技術可能使本發明構思之本質不清楚時，可省略對該等技術的詳細描述。
本文所用之術語係僅出於描述特定實施例之目的，而並不意欲限制本發明構思。如本文所用，除非上下文另外明確指示，否則單數形式「一(a/an)」及「該」意欲包括複數形式。進一步應當理解，用語「包含(comprises及/或comprising)」在本說明書中使用時，指定所陳述之特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組的存在或增加。如本文所用，用語「及/或」包括相關聯之列出項中之一或多者之任何及所有組合。此外，用語「示範性」意欲係指實例或例子。
進一步應當理解，儘管用語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可用於描述各種元件、組件、區域、層及/或部段，但此等元件、組件、區域、層及/或部段不應受此等用語限制。此等用語僅用於將一個元件、組件、區域、層或部段與另一個元件、組件、區域、層或部段區分開。因此，在不脫離本發明構思之教示的情況下，以下討論的第一元件、組件、區域、層或部段可稱為第二元件、組件、區域、層或部段。
在本說明書中，除非特別提及，否則單數形式包括複數形式。此外，為了更清楚的說明，圖中元件之形狀或大小可能被放大。
儘管未定義，但本文所用之所有用語(包括技術或科學用語)都可具有本發明構思所屬領域中的共同技術普遍接受的相同含義。即使本文中未明確定義，一般辭典所定義之用語可理解為具有與本申請案之相關技術及揭示內容所意指者相同的含義，且既不會成為概念性的，亦不應理解為過於正式。本文所用之用語係提供來描述實施例，但不限制本發明構思。在本說明書中，除非特別提及，否則單數形式包括複數形式。本說明書中所用的表述『包括(include)』及其各種動詞變化形式諸如『包括(including)』不排除一或多個組成物、物質、元素、步驟、操作及裝置的存在或增加。
用語「單元」、「部件」及類似者可用於指示處理至少一個功能或操作的單元。例如，此類用語可意指軟體或硬體元件，諸如FPGA或ASIC。然而，此類用語不限於軟體或硬體。「單元」、「部件」及類似者可經組配成包括在可定址儲存媒體內或經組配來操作一或多個處理器。
因此，「單元」、「部件」及類似者可包括組成元件，諸如軟體元件、物件導向軟體元件、類元件及任務元件、過程、功能、屬性、程序、次常式、程式代碼段、驅動程序、韌體、微代碼電路、資料、資料庫、資料結構、表、數組及變量。在「單元」、「部件」及類似者內提供的元件及功能可劃分成元件及「單元」、「部件」及類似者，或者可與其他額外數目的元件連結。
在下文中，將參考隨附圖式詳細描述本發明構思之實施例。本發明構思之實施例可修改成各種形式，且本發明構思之範疇不應理解為限於以下實施例。本發明實施例係提供來更充分地向所屬技術領域中具有通常知識者解釋本發明構思。因此，圖式中元件之形狀被放大來強調更清楚的解釋。
用於製造包括半導體裝置的積體電路裝置或平板顯示器裝置的顯示器裝置的基板處理設備可包括但不限於沉積腔室、蝕刻腔室、濺射腔室、施塗腔室、曝光腔室、顯影腔室、清潔腔室及乾燥腔室。在各種製程腔室中，可對基板執行包括沉積製程、蝕刻製程、濺射製程、施塗製程、曝光製程、顯影製程、清潔製程及乾燥製程的每一個種製程。
一般而言，可在製程腔室中提供在其中放置基板的支撐單元。該支撐單元可包括能夠支撐基板的支撐板及能夠在對基板執行所要製程時加熱基板的加熱單元。視情況，加熱單元可安置於支撐板中。加熱單元可具有包括用於加熱基板的複數個加熱器的矩陣組態。例如，加熱單元可包括以矩陣組態配置來提供複數個加熱區域的複數個加熱器、連接至複數個加熱器的複數個二極體、能夠控制複數個加熱器的控制器以及將複數個二極體連接至控制器的線束。
圖1係例示習知加熱單元的電路圖。在圖1中，由單短劃虛線指示的部件表示複數個加熱器，由虛線指示的部件表示線束，且由雙短劃虛線指示的部件表示控制器。
如圖1所顯示，習知加熱單元具有其中連接至複數個加熱器的複數個二極體都在一個方向上配置的組態。在包括開關Sa、開關Sb、開關S1及開關S2的習知加熱單元中，打開開關S1及開關S2來操作定位於第一行及第一列[1, 1]中的加熱器。
如圖1所顯示具有2×2矩陣組態的習知加熱單元需要四個控制線作為整體來操作四個加熱器。因此，若習知加熱單元具有N×N矩陣組態，則需要2N個控制線作為整體來操作N×N個加熱器。如上所述，當加熱單元之加熱器之數目增加時，用於包括加熱單元的基板處理設備之電氣連接的配線可能變得複雜，用於加熱單元之空間可能增加，用於包括加熱單元的組態複雜度可能增加。因此，由於此等問題，可能難以實施包括加熱單元的基板處理設備。
為了解決上述問題，根據本發明構思之示範性實施例之加熱單元可具有其中相鄰二極體在相反方向上配置於複數個加熱區域內的結構。
參考圖2，根據本發明構思之加熱單元可包括複數個加熱構件224、提供用於將電力供應及返回至複數個加熱構件224的路徑的複數個第一電力線L1及複數個第二電力線L2。根據一實施例，複數個第二電力線L2可經由複數個加熱構件224連接至複數個第一電力線L1中之每一個。至少兩個加熱構件224可連接至該等第一電力線L1中之每一個，且至少兩個加熱構件224可連接至該等第二電力線L2中之每一個。至少兩個加熱構件224可並聯連接於該等第一電力線L1中之每一個每一個與該等第二電力線L2中之每一個之間。
根據本發明之一實施例，複數個第一電力線L1及複數個第二電力線L2可經由加熱構件224電連接。此外，將複數個第一電力線L1中之任一者連接至複數個第二電力線L2中之任一者的加熱構件224包括至少兩個加熱構件224，由此藉由相同數目的控制線控制更多數目的加熱構件224，由此允許更精確的控制。
根據一實施例，當存在L個加熱構件224並聯連接於每一個第一電力線L1與每一個第二電力線L2之間，存在N個複數個第一電力線L1中且存在M個複數個第二電力線L2時，因此複數個加熱構件224的所設置總數可為N*M*L。參考圖2，存在兩個加熱構件224並聯連接於每一個第一電力線L1與每一個第二電力線L2之間，存在兩個複數個第一電力線L1，且存在兩個複數個第二電力線L2，因此複數個加熱構件224的所設置總數可為2*2*2。
根據一實施例，可進一步包括連接至複數個第一電力線L1及複數個第二電力線L2的電力供應單元225a，來將電力供應至複數個加熱構件224。電力供應單元225a可係DC電源。
根據一實施例，電力供應單元225a可包括與並聯連接於第一電力線L1與第二電力線L2之間的至少兩個加熱構件224之數目相同數目的電源(225aa及225ab)。因此，存在將在不同方向上流過每一個電源的電力供應至二極體226的效果。根據一實施例，設置兩個加熱構件224，且設置兩個電源(225aa及225ab)。若設置三個加熱構件224，則可設置三個電源。
加熱構件224中之每一個可包括串聯連接的加熱元件225及二極體226。在此種情況下，至少兩個二極體226可在複數個第一電力線L1及複數個第二電力線L2彼此相交的點處彼此並聯連接。
參考圖2，兩個二極體226在第一電力線L1及第二電力線L2彼此相交的點處並聯連接。在此種情況下，兩個二極體226可連接至對應加熱元件225，使得電流在相對於第一電力線L1及第二電力線L2的相反方向上流動。
亦即，設置電連接第一電力線L1及第二電力線L2的至少兩個加熱構件224，且該等加熱構件224中之每一個包括加熱元件225及二極體226，且在此種情況下，所連接之二極體226可在相反方向上連接。
根據圖2之實施例，可揭示一種電力供應單元225a，該電力單元連接至複數個第一電力線L1及複數個第二電力線L2且包括用於將電力供應至第一加熱構件224的第一電源225aa及用於將電力供應至第二加熱構件224的第二電源225ab。根據一實施例，第一加熱構件可係包括在第一方向上連接至二極體的加熱元件的加熱構件，且第二加熱構件可係包括在第二方向上連接至二極體的加熱元件的加熱構件。
加熱單元可進一步包括用於允許電流流動至在相反方向上連接的二極體226的開關元件。
根據一實施例，可設置連接於第一電源225aa與第一電力線L1之間的第一電力供應-返回選擇開關裝置SA及連接於第一電源225aa與各別第二電力線L2之間的第二電力供應-返回選擇開關裝置SB。
第一電力供應-返回選擇開關裝置SA可包括連接於第一電源225aa與每一個第一電力線L1之間的第一開關裝置S1及連接於第二電源225ab與每一個第一電力線L1之間的第二開關裝置S2。
第二電力供應-返回選擇開關裝置SB可包括連接於第一電源225aa與第二電力線L2之間的第三開關裝置S3及連接於第二電源225ab與第二電力線L2之間的第四開關裝置S4。
第一電力供應-返回選擇開關裝置SA及第二電力供應-返回選擇開關裝置SB中之每一個可以與並聯連接於第一電力線L1與第二電力線L2之間的至少兩個加熱構件224之數目相同的數目設置。
根據一實施例，設置並聯連接於第一電力線L1與第二電力線L2之間的兩個加熱構件224，且另外可設置兩個第一電力供應-返回選擇開關裝置SA及兩個第二電力供應-返回選擇開關裝置SB。
電力供應單元225a之電源(225aa及225ab)中之每一個可連接於對應第一電力供應-返回選擇開關裝置SA與對應第二電力供應-返回選擇開關裝置SB之間。
根據一實施例，可進一步包括控制器228，以用於控制第一電力供應-返回選擇開關裝置SA及第二電力供應-返回選擇開關裝置SB之接通/斷開。在根據實施例之加熱單元中，複數個加熱器及複數個二極體226可提供複數個加熱區域，且複數個加熱區域中的相鄰二極體226可在實質上相反方向上配置。
加熱單元之控制器228可控制多個開關來操作複數個加熱器及在相反方向上配置的複數個二極體226。
根據本發明構思之加熱單元可藉由額外開關操作複數個加熱器中之至少一個所要加熱器，而線束結構與可在相反方向上配置的二極體226中沒有實質變化。因此，用於包括加熱單元的基板處理設備之電氣連接的配線可得以簡化，且基板處理設備亦可具有更簡單的組態。亦即，在習知情況下，可使用四個控制線來控制四個加熱器，亦即，可使用兩個電力供應線及兩個電力返回線來控制四個加熱器，但在本發明構思中，可使用相同數目的控制線來控制八個加熱器，且因此可精確控制更多加熱器。
圖3及圖4係例示控制根據本發明構思之實施例之加熱單元之方法的電路圖。
圖3例示出用於操作在第一行及第一列[1, 1]中的加熱器的開關之組態。如圖3所例示，當控制器228打開連接至加熱器定位在其處的第一電力線L1的第一開關裝置S1及連接至加熱器定位在其處的第二電力線L2的第三開關裝置S3時，如箭頭I所指示，在此種情況下，加熱單元中的電流可自電源沿包括開關S1、第一行及第一列中的加熱器以及開關S3的路徑流動。
圖4例示出用於操作在第一列及第二行[1, 2]中的加熱器的開關之組態。控制器228可控制連接至加熱器所位於的第一電力線L1的第二開關裝置S2及連接至加熱器所位於的第二電力線L2的第四開關裝置S4，因此至第一列及第二行中的加熱器的流可如箭頭I所指示流動。在此，加熱單元中的電流可自電源沿包括開關S4、第一列及第二行中的加熱器以及開關S2的路徑流動。
在圖3及圖4所例示的加熱單元中，加熱器用於允許電流流動至第一列及第一行中的加熱器以及第一列及第二行中的加熱器的組態可實質上相同。在此種情況下，藉由使電流流過線束之方向及相鄰二極體226之配置方向反向，電流可僅流動至一或多個所要加熱器。
根據實施例之矩陣組態的加熱單元可具有以下組態：其中複數個相鄰二極體226可在相反方向上配置且藉由額外開關及二極體226提供至複數個加熱器的電流可在正向方向及反向方向上流動。因此，加熱器之控制線之數目可得以減少，且當控制線之數目相同時，可控制與習知加熱器相比更多的加熱器。因此，即使當加熱單元之矩陣組態變得更加複雜時，亦可有效防止包括加熱單元的基板處理設備之結構複雜度。
圖5係例示根據本發明構思之實施例之向其應用該加熱單元的基板處理設備的平面圖。
參考圖5，基板處理設備10使用電漿處理基板S。例如，基板處理設備10可對基板S執行蝕刻製程。基板處理設備10可包括腔室100、基板支撐單元200、電漿產生單元300、氣體供應單元400及排氣擋板500。
腔室100可提供在其中執行基板處理製程的處理空間。腔室100在其中可具有處理空間且可以密封形狀設置。腔室100可由金屬材料製成。腔室100可由鋁材製成。腔室100可接地。排氣孔102可形成於腔室100之底表面上。排氣孔102可連接至排氣線151。在製程期間產生的反應副產物及腔室之內部空間中剩餘的氣體可經由排氣線151排放到外部。腔室100之內部可藉由排氣過程減壓至預定壓力。
根據一實施例，襯裡130可設置於腔室100內部。襯裡130可具有帶有開口頂表面及開口頂表面的圓柱形形狀。襯裡130可經設置成與腔室100之內表面接觸。襯裡130可保護腔室100之內壁以防止腔室100之內壁被電弧放電損壞。此外，可防止在基板處理過程期間產生的雜質沉積於腔室100之內壁上。
基板支撐單元200可定位於腔室100內部。基板支撐單元200可支撐基板S。基板支撐單元200可包括靜電吸盤210，該靜電吸盤使用靜電力吸住基板S。替代地，基板支撐單元200可以各種方式諸如機械夾持來支撐基板S。在下文中，將描述包括靜電吸盤210的基板支撐單元200。
基板支撐單元200可包括靜電吸盤210、底蓋250及板270。基板支撐單元200可在腔室100內部定位成與腔室100之底表面向上間隔開。
靜電吸盤210可包括介電板220、主體230及環形構件240。靜電吸盤210可支撐基板S。介電板220可定位於靜電吸盤210之頂端處。介電板220可設置為圓盤形介電質。基板S可安置於介電板220之頂表面上。介電板220之頂表面可具有比基板S之半徑小的半徑。因此，基板S之邊緣區域可位於介電板220外部。
介電板220可在其中包括第一電極223、加熱器225及第一供應流體通道221。第一供應流體通道221可自介電板220之頂表面至底表面設置。複數個第一供應流體通道221經形成為彼此間隔開，且可設置為傳熱介質供應至基板S之底表面所經由的通路。
第一電極223可電連接至第一電源223a。第一電源223a可包括DC電力。
開關223b可安設於第一電極223與第一電源223a之間。第一電極223可藉由開關223b之接通/斷開電連接至第一電源223a。當開關223b打開時，DC電流可施加至第一電極223。靜電力通過施加至第一電極223的電流而施加在第一電極223與基板S之間，且基板S可藉由靜電力被吸至介電板220。加熱器225可位於第一電極223下方。加熱器225可電連接至第二電源225a。加熱器225可藉由抵抗自第二電源225a施加的電流而產生熱。所產生之熱可經由介電板220傳遞至基板S。基板S可藉由加熱器225所產生的熱而保持處於預定溫度下。加熱器225可包括螺旋形線圈。加熱器225可以加熱單元形式設置。
主體230可定位於介電板220下方。介電板220之底表面及主體230之頂表面可藉由黏合劑236連結。主體230可由鋁材製成。主體230之頂表面可定位成使得中心區域高於邊緣區域。主體230之頂表面之中心區域具有對應於介電板220之底表面的區，且可黏附至介電板220之底表面。主體230可具有形成於其中的第一循環流體通道231、第二循環流體通道232及第二供應流體通道233。
第一循環流體通道231可設置為傳熱介質循環穿過的通道。第一循環流體通道231可以螺旋形狀形成於主體230內部。替代地，第一循環流體通道231可安置成使得具有不同半徑的環形通道具有同一中心。第一循環流體通道231中之每一個可彼此連通。第一循環流體通道231可形成於相同高度處。
第二循環流體通道232可設置為冷卻流體循環穿過的通道。第二循環流體通道232可以螺旋形狀形成於主體230內部。替代地，第二循環流體通道232可安置成使得具有不同半徑的環形通道具有同一中心。第二循環流體通道232中之每一個可彼此連通。第二循環流體通道232可具有比第一循環流體通道231之橫截面積大的橫截面積。第二循環流體通道232可形成於相同高度處。第二循環流體通道232可位於第一循環流體通道231下方。
第二供應流體通道233可自第一循環流體通道231向上延伸，且可設置至主體230之頂表面。第二供應流體通道233可以對應於第一供應流體通道221的數目設置，且可將第一循環流體通道231連接至第一供應流體通道221。
第一循環流體通道231可經由傳熱介質供應線231b連接至傳熱介質儲存單元231a。傳熱介質可儲存於傳熱介質儲存單元231a中。傳熱介質可包括惰性氣體。根據一實施例，傳熱介質可包括氦He氣。氦氣可經由傳熱介質供應線231b供應至第一循環流體通道231，且可按順序經由第二供應流體通道233及第一供應流體通道221供應至基板S之底表面。氦氣可用作自電漿傳遞至基板S的熱傳遞至靜電吸盤210所經由的介質。
第二循環流體通道232可經由冷卻流體供應線232c連接至冷卻流體儲存單元232a。冷卻流體可儲存於冷卻流體儲存單元232a中。冷卻器232b可設置於冷卻流體儲存單元232a內。冷卻器232b可使冷卻流體冷卻至預定溫度。替代地，冷卻器232b可安設於冷卻流體供應線232c處。經由冷卻流體供應線232c供應至第二循環流體通道232的冷卻流體可沿第二循環流體通道232循環來使主體230冷卻。主體230可使介電板220及基板S一起冷卻來維持基板S處於預定溫度。
主體230可包括金屬板。在一實施例中，主體230全部可設置為金屬板。
環形構件240可安置於靜電吸盤210之邊緣區域中。環形構件240可具有環形形狀，且可沿介電板220之周緣安置。環形構件240可由包括聚焦環的許多環形成。環形構件240之頂表面可定位成使得外部部分240a高於內部部分240b。環形構件240之頂表面內部部分240b可與介電板220之頂表面定位於相同高度處。環形構件240之頂表面之內部部分240b可支撐基板S之定位於介電板220外部的邊緣區域。
環形構件240之外部部分240a可設置成圍繞基板S之邊緣區域。環形構件240可控制電磁場，使得電漿密度均勻地分佈於基板S之整個區域中。因此，電漿均勻地形成於基板S之整個區域上，使得可均勻地蝕刻基板S之每一個區域。
底蓋250可位於基板支撐單元200之底端處。底蓋250可定位成與腔室100之底表面向上間隔開。底蓋250可具有在其中形成有開口頂表面的空間255。
底蓋250之外徑可與主體230之外徑具有相同長度。在底蓋250之內部空間255中，可定位升降銷模組(未顯示)或類似者以用於將所返回基板S自外部傳遞構件移動至靜電吸盤210。升降銷模組(未顯示)可與底蓋250間隔開預定距離。底蓋250之底表面可由金屬材料製成。在底蓋250之內部空間255中，可提供空氣。由於空氣具有比絕緣體之介電常數低的介電常數，因此空氣可用於減小基板支撐單元200內部的電磁場。
底蓋250可具有連接構件253。連接構件253可將底蓋250之外表面連接至腔室100之內壁。複數個連接構件253可以規則間距設置於底蓋250之外表面處。連接構件253可在腔室100內部支撐基板支撐單元200。此外，連接構件253可連接至腔室100之內壁，使得底蓋250電接地。連接至第一電源223a的第一電力線223c、連接至第二電源225a的第二電力線225c、連接至第三電源235a的第三電力線235c及連接至傳熱介質儲存單元231a的傳熱介質供應線231b等可穿過連接線之內部空間255延伸至底蓋250內。
板270可定位於靜電吸盤210與底蓋250之間。板270可覆蓋底蓋250之頂表面。板270可設置有對應於主體230的橫截面積。板270可包括絕緣體。根據一實施例，可設置一或多個板270。板270可用於增加主體230與底蓋250之間的電氣距離。
根據本發明構思之基板支撐單元200可進一步包括控制板290、連接板280及連接電極單元227。
根據本發明構思之控制板290可控制連接至包括在根據本發明構思之基板支撐單元200中的具有矩陣組態的加熱單元的第一開關裝置S1、第二開關裝置S2、第三開關裝置S3及第四開關裝置S4。根據一實施例，根據本發明構思之控制板290包括控制器228。控制板290可產生並施加控制信號，以控制連接至包括在根據本發明構思之支撐單元中的具有矩陣組態的加熱單元的第一開關裝置S1、第二開關裝置S2、第三開關裝置S3及第四開關裝置S4。控制信號可係數位信號，例如接通/斷開信號。控制板290可實施為電腦或使用硬體、軟體或它們的組合的類似裝置。
在硬體中，控制板290可實施有特殊應用積體電路(application specific integrated circuit；ASIC)、數位信號處理器(digital signal processor；DSP)、數位信號處理裝置(digital signal processing device；DSPD)、可程式邏輯裝置(programmable logic device；PLD)、現場可程式閘陣列(field programmable gate array；FPGA)、處理器、微控制器、微處理器或執行類似控制功能的電子裝置。
在軟體中，控制板290可根據一或複數種程式語言實施為軟體代碼或軟體應用程式。軟體可由硬體實施控制器執行。此外，軟體可自諸如伺服器的外部裝置傳輸至上述軟體組態並安設。
根據一實施例，連接板280可安置於加熱器225與控制板290之間。根據一實施例，連接電極單元227可電連接加熱器225、控制板290及連接板280。連接電極單元227可包括第一電力線及第二電力線。
電漿產生單元300可以電漿狀態激發腔室100中的製程氣體。電漿產生單元300可使用電容耦合電漿(capacitive coupled plasma；CCP)型電漿源。當使用CCP型電漿源時，腔室100可包括頂部電極330及底部電極230 (亦即，主體)。頂部電極330及底部電極230可彼此平行地豎直安置，它們之間插入有處理空間。頂部電極330以及底部電極230可藉由由RF電源310接收RF信號來接收用於產生電漿的能量，且施加於每一個電極的RF信號之數目不限於如圖所顯示之一個。電場形成於兩個電極之間的空間中，且供應至該空間的製程氣體可被激發至電漿狀態。基板處理過程使用該電漿來執行。儘管描述為本說明書中所述之電容耦合電漿(CCP)型，但本發明構思不限於此，且電漿產生單元300可形成為感應耦合電漿(inductively coupled plasma；ICP)型。
電漿產生單元300可設置有氣體分散板。儘管圖式中未顯示，氣體分散板可安置成與腔室100之頂表面間隔開預定距離。氣體分散板可由形成於腔室100之頂部邊緣上的支撐部分固定。氣體分散板可以具有恆定厚度的板形設置。氣體分散板之底表面可經陽極處理來防止由於電漿而產生電弧。氣體分散板之橫截面積可設置成等於基板支撐單元200之橫截面積。氣體分散板包括複數個注射孔。注射孔可在豎直方向上穿透氣體分散板之頂表面及底表面。氣體分散板310可包括金屬材料。氣體分散板310可充當頂部電極。
氣體供應單元400可將製程氣體供應至腔室100中。氣體供應單元400可包括氣體供應噴嘴410、氣體供應線420及氣體儲存單元430。氣體供應噴嘴410可安設於腔室100之頂表面之中心處。噴射孔可形成於氣體供應噴嘴410之底表面處。噴射孔可將製程氣體供應至腔室100中。氣體供應線420可連接氣體供應噴嘴410及氣體儲存單元430。氣體供應線420可將儲存於氣體儲存單元430處的製程氣體供應至氣體供應噴嘴410。閥421可安設於氣體供應線420處。閥421可打開及關閉氣體供應線420，且控制經由氣體供應線420供應的製程氣體之流量。
排氣單元500可定位於腔室100之內壁與基板支撐單元200之間。擋板510可以環圈形狀設置。複數個貫穿孔511可形成於擋板510處。腔室100中提供的製程氣體可穿過擋板510之貫穿孔511且可經由排氣孔102排出。製程氣體之流動可根據擋板510之形式及貫穿孔之形式來控制。
圖5所顯示之基板處理設備僅係實施例，且基板處理設備可包括複數個製程腔室。例如，該複數個製程腔室可包括蝕刻腔室、沉積腔室、濺射腔室、施塗腔室、曝光腔室、顯影腔室、清潔腔室、乾燥腔室及類似者，在該等製程腔室中可執行各種製程來製造包括半導體裝置及平板顯示器裝置的積體電路裝置。包括沉積製程、濺射製程、蝕刻製程、塗佈製程、曝光製程、顯影製程、清潔製程、乾燥製程及類似者的所要製程可在製程腔室內執行。基板放置於其中的支撐單元可設置於製程腔室中，且支撐單元可包括能夠支撐基板的支撐板及能夠在對基板執行所要製程時加熱基板的加熱單元。
加熱單元可具有如參考圖2所述用於加熱基板的矩陣組態。換言之，為了提供用於加熱基板的複數個加熱區域，加熱單元可包括複數個加熱器、可連接至複數個加熱器的複數個二極體、包括複數個開關來控制複數個加熱器的控制器及可將複數個加熱器及複數個二極體連接至控制器的線束。在此，加熱單元可具有以下組態：其中複數個相鄰二極體可在相反方向上配置且藉由額外開關提供至複數個加熱器的電流可在正向方向及反向方向上流動，由此減少加熱單元之控制線之數目。因此，可防止包括加熱單元的基板處理設備變得結構上複雜的現象。
圖6係例示根據本發明構思之另一實施例之向其應用該加熱單元的基板處理設備的平面圖。
參考圖6，包括在加熱單元中的複數個加熱器可包括用於加熱基板之邊緣的第一加熱器2251。根據一實施例，加熱基板之邊緣的第一加熱器2251可係用於精確控制的加熱器。
根據圖6之實施例，包括在加熱單元中的複數個加熱器可包括用於加熱基板之邊緣的第一加熱器2251及用於加熱基板之中心部分的第二加熱器2252。根據一實施例，用於加熱基板之邊緣的第一加熱器2251可係用於精確控制的加熱器，且用於加熱基板之中心部分的第二加熱器2252可係用於粗糙控制的加熱器。根據一實施例，在使用第二加熱器2252執行整體溫度控制之後，可使用第一加熱器2251執行對各區域的精確控制。
根據圖5至圖6之實施例，第一電力線可設置成嵌入於連接板280中。根據本發明構思之另一實施例，第一電力線可嵌入於包括加熱單元的介電板220中，且可嵌入及設置於諸如加熱單元的平面上。
以上實施例提供來幫助理解本發明構思，且本發明構思之範疇不受限，且應當理解，各種可變形實施例亦落入本發明構思之範疇內。本發明構思中提供的圖式僅僅係本發明構思之最佳實施例的例示。本發明構思之技術保護範疇應當由申請專利範圍之技術思想判定，且應當理解，本發明構思之技術保護範疇不限於申請專利範圍本身的文字描述，而是實質上等效的。
10:基板處理設備 100:腔室 102:排氣孔 130:襯裡 151:排氣線 200:基板支撐單元 210:靜電吸盤 220:介電板 221:第一供應流體通道 223:第一電極 223a:第一電源 223b:開關 223c:第一電力線 224:加熱構件 225:加熱器/加熱元件 225a:電力供應單元 225aa:第一電源 225ab:第二電源 225c:第二電力線 226:二極體 227:連接電極單元 228:控制器 230:主體/底部電極 231:第一循環流體通道 231a:傳熱介質儲存單元 231b:傳熱介質供應線 232:第二循環流體通道 232a:冷卻流體儲存單元 232b:冷卻器 232c:冷卻流體供應線 233:第二供應流體通道 235a:第三電源 235c:第三電力線 236:黏合劑 240:環形構件 240a:外部部分 240b:內部部分 250:底蓋 253:連接構件 270:板 280:連接板 290:控制板 330:頂部電極 400:氣體供應單元 410:氣體供應噴嘴 420:氣體供應線 421:閥 430:氣體儲存單元 500:排氣擋板/排氣單元 2251:第一加熱器 2252:第二加熱器 L1:第一電力線 L2:第二電力線 S:基板 SA:第一電力供應-返回選擇開關裝置 SB:第二電力供應-返回選擇開關裝置 Sa:開關 Sb:開關 S1:開關 S2:開關 S 1:第一開關裝置 S 2:第二開關裝置 S 3:第三開關裝置 S 4:第四開關裝置
以上及其他目標及特徵將藉由參考以下附圖的以下描述變得顯而易見，其中除非另外指定，否則相同參考數字在各個附圖中係指相同部件。
圖1係例示習知加熱單元的電路圖。
圖2係例示根據本發明構思之一實施例之加熱單元的電路圖。
圖3及圖4係例示控制根據本發明構思之實施例之加熱單元之方法的電路圖。
圖5係例示根據本發明構思之實施例之向其應用該加熱單元的基板處理設備的平面圖。
圖6係例示根據本發明構思之另一實施例之向其應用該加熱單元的基板處理設備的平面圖。
10:基板處理設備
100:腔室
102:排氣孔
130:襯裡
151:排氣線
200:基板支撐單元
210:靜電吸盤
220:介電板
221:第一供應流體通道
223:第一電極
223a:第一電源
223b:開關
223c:第一電力線
225:加熱器/加熱元件
225a:電力供應單元
225c:第二電力線
230:主體/底部電極
231:第一循環流體通道
231a:傳熱介質儲存單元
231b:傳熱介質供應線
232:第二循環流體通道
232a:冷卻流體儲存單元
232b:冷卻器
232c:冷卻流體供應線
233:第二供應流體通道
235a:第三電源
235c:第三電力線
236:黏合劑
240:環形構件
240a:外部部分
240b:內部部分
250:底蓋
253:連接構件
270:板
280:連接板
290:控制板
330:頂部電極
400:氣體供應單元
410:氣體供應噴嘴
420:氣體供應線
421:閥
430:氣體儲存單元
500:排氣擋板/排氣單元
S:基板

Claims (20)

  1. 一種用於支撐基板的支撐單元，前述支撐單元包含：用於加熱前述基板的加熱單元， 其中前述加熱單元包含： 複數個加熱構件；及 複數個第一電力線及複數個第二電力線，複數個前述第一電力線及複數個前述第二電力線提供用於電力往返於複數個前述加熱構件的供應及返迴路徑， 其中複數個前述第二電力線係經由複數個前述加熱構件連接至複數個前述第一電力線中之每一個， 至少兩個前述加熱構件連接至每一個前述第一電力線且至少兩個前述加熱構件經連接至每一個前述第二電力線，且 至少兩個前述加熱構件經並聯連接於每一個前述第一電力線與每一個前述第二電力線之間。
  2. 如請求項1所述之支撐單元，其中存在L個複數個前述加熱構件並聯連接於每一個前述第一電力線與每一個前述第二電力線之間，存在N個複數個前述第一電力線，且存在M個複數個前述第二電力線，且 其中複數個前述加熱構件之總數為N*M*L。
  3. 如請求項1或2所述之支撐單元，其進一步包含：電力單元，前述電力單元連接至複數個前述第一電力線及複數個前述第二電力線，以將電力供應至複數個前述加熱構件，且 前述電力單元包括電源，前述電源以與並聯連接於每一個前述第一電力線與每一個前述第二電力線之間的至少兩個前述加熱構件相同的數目被設置。
  4. 如請求項3所述之支撐單元，其中前述加熱構件包括串聯連接的加熱元件及二極體， 至少兩個前述二極體係在複數個前述第一電力線中之每一個及複數個前述第二電力線中之每一個彼此交叉的點處彼此並聯連接，且 至少兩個前述二極體連接至對應的加熱元件，使得電流在相對於每一個前述第一電力線及每一個前述第二電力線的相反方向上流動。
  5. 如請求項3所述之支撐單元，其中前述加熱單元進一步包含： 第一電力供應-返回選擇開關元件，前述第一電力供應-返回選擇開關元件連接於前述電力單元與每一個前述第一電力線之間；及 第二電力供應-返回選擇開關元件，前述第二電力供應-返回選擇開關元件連接於前述電力單元與每一個前述第二電力線之間。
  6. 如請求項5所述之支撐單元，其中前述第一電力供應-返回選擇開關元件及前述第二電力供應-返回選擇開關元件中之每一個以與並聯連接於每一個前述第一電力線與每一個前述第二電力線之間的至少兩個前述加熱構件相同的數目被設置。
  7. 如請求項6所述之支撐單元，其中前述電力單元之每一個電源連接於對應的第一電力供應-返回選擇開關元件與對應的第二電力供應-返回選擇開關元件之間。
  8. 如請求項5所述之支撐單元，其進一步包含：控制器，前述控制器用於控制前述第一電力供應-返回選擇開關元件及前述第二電力供應-返回選擇開關元件之接通/斷開。
  9. 如請求項1或2所述之支撐單元，其中並聯連接於每一個前述第一電力線與每一個前述第二電力線之間的至少兩個前述加熱構件包括第一加熱構件及第二加熱構件，且 其中前述加熱單元進一步包含： 電力單元，前述電力單元連接至複數個前述第一電力線及複數個前述第二電力線且包括用於將電力供應至前述第一加熱構件的第一電源、及用於將電力供應至前述第二加熱構件的第二電源； 第一電力供應-返回選擇開關元件，前述第一電力供應-返回選擇開關元件包括連接於前述第一電源與每一個前述第一電力線之間的第一開關元件、及連接於前述第二電源與每一個前述第一電力線之間的第二開關元件；及 第二電力供應-返回選擇開關元件，前述第二電力供應-返回選擇開關元件包括連接於前述第一電源與每一個前述第二電力線之間的第三開關元件、及連接於前述第二電源與每一個第二電力線之間的第四開關元件。
  10. 如請求項9所述之支撐單元，其中前述第一加熱構件及前述第二加熱構件各自包括串聯連接的加熱構件及二極體，且 前述第一加熱構件之二極體及前述第二加熱構件之二極體連接至對應的加熱構件，使得電流在相對於被共同連接的每一個前述第一電力線的相反方向上流動。
  11. 如請求項9所述之支撐單元，其進一步包含：控制器，前述控制器控制前述第一電力供應-返回選擇開關元件及前述第二電力供應-返回選擇開關元件之接通/斷開。
  12. 一種加熱單元，其包含： 複數個加熱線組合件； 複數個第一電力線，複數個前述第一電力線連接至複數個前述加熱線組合件中之任一個； 複數個第二電力線，複數個前述第二電力線連接至複數個前述加熱線組合件中之任一個； 第一電源，前述第一電源經設置成使得電流供應至前述第一電力線且使得電流返回至前述第二電力線；及 第二電源，前述第二電源經設置成使得電流供應至前述第二電力線且使得電流返回至前述第一電力線， 其中設置同時連接至複數個前述第一電力線中之任一個第一電力線及複數個前述第二電力線中之任一個第二電力線的僅一個加熱線組合件，且 其中前述加熱線組合件包含： 第一加熱線； 第二加熱線，前述第二加熱線並聯連接至前述第一加熱線； 第一加熱器，前述第一加熱器設置於前述第一加熱線處； 第二加熱器，前述第二加熱器設置於前述第二加熱線處； 第一二極體，前述第一二極體在前述第一加熱線處串聯連接至前述第一加熱器； 第二二極體，前述第二二極體在前述第二加熱線處串聯連接至前述第二加熱器；及 開關單元，前述開關單元用於控制包括在前述加熱線組合件中的前述第一加熱器及前述第二加熱器之接通/斷開。
  13. 如請求項12所述之加熱單元，其中包括在前述加熱線組合件中的前述第一二極體及前述第二二極體連接成使得在前述第一加熱器中流動的電流及在前述第二加熱器中流動的電流彼此在相反方向上流動。
  14. 如請求項13所述之加熱單元，其中前述開關單元包含： 第一電力供應-返回選擇開關元件，前述第一電力供應-返回選擇開關元件包括連接於前述第一電源與每一個前述第一電力線之間的第一開關元件、及連接於前述第二電源與每一個前述第一電力線之間的第二開關元件；及 第二電力供應-返回選擇開關元件，前述第二電力供應-返回選擇開關元件包括連接於前述第一電源與每一個前述第二電力線之間的第三開關元件、及連接於前述第二電源與每一個前述第二電力線之間的第四開關元件。
  15. 如請求項14所述之加熱單元，其進一步包含：控制器，前述控制器用於控制前述第一開關元件、前述第二開關元件、前述第三開關元件及前述第四開關元件之接通/斷開。
  16. 一種基板處理設備，其包含： 製程腔室，前述製程腔室具有處理空間； 支撐單元，前述支撐單元定位於前述處理空間內且支撐基板； 加熱單元，前述加熱單元設置於前述支撐單元處且如請求項12至15中任一項所記載； 氣體供應單元，前述氣體供應單元用於將用於處理前述基板的氣體供應至前述處理空間；及 電漿產生單元，前述電漿產生單元用於自前述氣體產生電漿。
  17. 如請求項16所述之基板處理設備，其中前述支撐單元進一步包含：連接板，前述連接板能夠嵌入有複數個第一電力線及複數個第二電力線中之至少一個。
  18. 如請求項16所述之基板處理設備，其中複數個前述第一電力線及複數個前述第二電力線嵌入於與前述加熱單元相同的位置上。
  19. 如請求項16所述之基板處理設備，其中前述電漿產生單元包括氣體分散板，前述氣體分散板由前述支撐單元固定至前述製程腔室。
  20. 如請求項19所述之基板處理設備，其中前述氣體分散板之底表面經陽極處理來防止因電漿而產生電弧。
TW111127491A 2021-07-28 2022-07-22 支撐單元、加熱單元及包括其的基板處理設備 TW202305998A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0099231 2021-07-28
KR1020210099231A KR102654892B1 (ko) 2021-07-28 2021-07-28 지지 유닛, 가열 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202305998A true TW202305998A (zh) 2023-02-01

Family

ID=85038988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111127491A TW202305998A (zh) 2021-07-28 2022-07-22 支撐單元、加熱單元及包括其的基板處理設備

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230029721A1 (zh)
JP (1) JP7440578B2 (zh)
KR (1) KR102654892B1 (zh)
CN (1) CN115692254A (zh)
TW (1) TW202305998A (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100598743B1 (ko) * 2004-10-14 2006-07-10 엘지전자 주식회사 누설전류 측정장치 및 그 측정장치에 의한 측정방법
KR101170761B1 (ko) 2010-11-01 2012-08-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
CN103931270B (zh) * 2011-08-30 2016-05-11 沃特洛电气制造公司 热阵列系统
US8461674B2 (en) * 2011-09-21 2013-06-11 Lam Research Corporation Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing
US10237916B2 (en) 2015-09-30 2019-03-19 Tokyo Electron Limited Systems and methods for ESC temperature control
CN111383891B (zh) * 2018-12-29 2023-03-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 用于半导体处理设备的温度控制装置及其温度控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102654892B1 (ko) 2024-04-05
CN115692254A (zh) 2023-02-03
JP2023020980A (ja) 2023-02-09
KR20230017571A (ko) 2023-02-06
US20230029721A1 (en) 2023-02-02
JP7440578B2 (ja) 2024-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7444842B2 (ja) ピクセル型温度制御式基板支持アセンブリ
US20180102238A1 (en) Substrate support unit, substrate treating apparatus including the same, and method for controlling the same
KR101980203B1 (ko) 지지 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR20150125837A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20200072933A (ko) 기판처리장치
TW202305998A (zh) 支撐單元、加熱單元及包括其的基板處理設備
KR20180046946A (ko) 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 그 제어 방법
KR101430745B1 (ko) 정전 척 및 기판 처리 장치
KR20220122154A (ko) 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20220021745A (ko) 기판 처리 장치
KR20220096735A (ko) 기판 처리 장치 및 가스 분배 어셈블리
KR101502853B1 (ko) 지지 유닛 및 기판 처리 장치
US20230075120A1 (en) Supporting unit and apparatus for treating substrate
KR102440417B1 (ko) 다구역 온도 제어를 위한 히터 시스템 및 그 히터 시스템을 포함하는 기판 지지 어셈블리
KR101966793B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR102242816B1 (ko) 기판 온도 제어 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN114554629A (zh) 支撑单元、包括支撑单元的基板处理设备以及温度控制方法
KR20210045827A (ko) 기판용 정전 척
KR101842122B1 (ko) 전기장 발생 장치, 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR20230030684A (ko) 지지 유닛 및 기판 처리 장치
KR102218381B1 (ko) 윈도우 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 윈도우 유닛 제조 방법
KR100903907B1 (ko) 정전척
KR20140042625A (ko) 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치