TW202301740A - 超寬頻天線 - Google Patents
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Abstract
本申請公開一種超寬頻天線。超寬頻天線包括:第一介質基材、主輻射貼片、寄生輻射貼片與阻抗匹配貼片;第一介質基材設置有第一導電過孔;主輻射貼片設置於第一介質基材的上表面,且電連接第一導電過孔;寄生輻射貼片設置於第一介質基材的下表面;阻抗匹配貼片與寄生輻射貼片位於同一平面,且電連接第一導電過孔,寄生輻射貼片環繞阻抗匹配貼片且與阻抗匹配貼片彼此隔離,阻抗匹配貼片設置有饋電點。其中,寄生輻射貼片被配置為從主輻射貼片耦合能量,且為其產生的陷波頻率靠近主輻射貼片產生的陷波頻率,以展寬頻帶寬度。
Description
本申請涉及天線技術領域,尤其涉及一種超寬頻天線。
超寬頻技術(Ultra Wide Band,UWB)是一種無線載波通訊技術,主要應用於10公尺左右的短距離高速資料通訊,利用奈秒至微秒級的非正弦波窄脈衝傳輸資料,通過在較寬的頻譜上傳送極低功率的信號。
目前超寬頻天線多採用單輻射貼片設計(即單貼片天線),其中,輻射貼片位於介質基板上方,天線參考地位於所述介質基板底面。然而,單貼片天線因受限於其物理特性,存在頻寬較窄的問題。因此,相關業者提出通過漸變的饋線或改變貼片的形狀來增加天線的駐波比頻寬,但存在定位性能較差,且外形複雜導致加工不穩定性的問題。
本申請實施例提供一種超寬頻天線,可解決現有技術中,採用單貼片天線通過漸變的饋線或改變貼片的形狀來增加天線的駐波比頻寬,而存在定位性能較差,且外形複雜導致加工不穩定性的問題。
為了解決上述技術問題,本申請是這樣實現的:
本申請提供了一種超寬頻天線,設置於包括金屬構件的通訊裝置,超寬頻天線包括:第一介質基材、主輻射貼片、寄生輻射貼片與阻抗匹配貼片;第一介質基材設置有第一導電過孔;主輻射貼片設置於第一介質基材的上表面,且電連接第一導電過孔;寄生輻射貼片設置於第一介質基材的下表面;阻抗匹配貼片與寄生輻射貼片位於同一平面,且電連接第一導電過孔,寄生輻射貼片環繞阻抗匹配貼片且與阻抗匹配貼片彼此隔離,阻抗匹配貼片設置有饋電點。其中,寄生輻射貼片被配置為從主輻射貼片耦合能量,寄生輻射貼片被配置為其產生的陷波頻率靠近主輻射貼片產生的陷波頻率,以展寬頻帶寬度。
本申請還提供了一種超寬頻天線,其包括:第一介質基材、主輻射貼片、寄生輻射貼片、阻抗匹配貼片、第二介質基材、金屬地與饋電焊盤;第一介質基材設置有第一導電過孔;主輻射貼片設置於第一介質基材的上表面,且電連接第一導電過孔;寄生輻射貼片設置於第一介質基材的下表面或內部;阻抗匹配貼片與寄生輻射貼片位於同一平面,且電連接第一導電過孔,寄生輻射貼片環繞阻抗匹配貼片且與阻抗匹配貼片彼此隔離;第二介質基材設置有第二導電過孔,第一介質基材接合到第二介質基材的上表面,第二導電過孔電連接阻抗匹配貼片;金屬地設置於第二介質基材的下表面;饋電焊盤與金屬地位於同一平面,且電連接第二導電過孔,金屬地環繞饋電焊盤且與饋電焊盤彼此隔離,饋電焊盤設置有饋電點。其中,寄生輻射貼片被配置為從主輻射貼片耦合能量,寄生輻射貼片被配置為其產生的陷波頻率靠近主輻射貼片產生的陷波頻率,以展寬頻帶寬度。
在本申請實施例中,超寬頻天線通過寄生輻射貼片配合主輻射貼片實現雙諧振,展寬天線的頻寬,彌補單貼片天線頻寬窄的缺點。另外,超寬頻天線通過在主輻射貼片的饋電線路上增加放置於寄生輻射貼片內且與寄生輻射貼片隔離的阻抗匹配貼片,實現主輻射貼片的阻抗匹配,提升寄生輻射貼片與主輻射貼片產生的陷波之間的耦合,也可達到小型化寄生輻射貼片的目的。
以下將配合相關圖式來說明本發明的實施例。在這些圖式中,相同的標號表示相同或類似的組件或方法流程。
必須瞭解的是,使用在本說明書中的「包含」、「包括」等詞,是用於表示存在特定的技術特徵、數值、方法步驟、作業處理和/或組件,但並不排除可加上更多的技術特徵、數值、方法步驟、作業處理、組件,或以上的任意組合。
必須瞭解的是,當組件描述為「連接」或「耦接」至另一組件時,可以是直接連結、或耦接至其他組件,可能出現中間組件。相反地,當組件描述為「直接連接」或「直接耦接」至另一組件時,其中不存在任何中間組件。
請參閱圖1與圖2,圖1為依據本申請的超寬頻天線的一實施例立體示意圖,圖2為圖1的超寬頻天線沿線段AA的剖面圖。超寬頻天線100可設置於包括金屬構件的通訊裝置(未繪製),所述通訊裝置泛指可以進行通訊的電子裝置,例如但不限於是手機、筆記型電腦或設置於手機或筆記型電腦中的通訊模組。如圖1與圖2所示,超寬頻天線100包括:第一介質基材110、主輻射貼片120、寄生輻射貼片130與阻抗匹配貼片140。其中,第一介質基材110設置有第一導電過孔50;主輻射貼片120設置於第一介質基材110的上表面112,且電連接第一導電過孔50;寄生輻射貼片130設置於第一介質基材110的下表面114;阻抗匹配貼片140與寄生輻射貼片130位於同一平面,且電連接第一導電過孔50,寄生輻射貼片130環繞阻抗匹配貼片140且與阻抗匹配貼片140彼此隔離,阻抗匹配貼片140設置有饋電點142。
更詳細地說,請參閱圖1至圖3,圖3為圖1的超寬頻天線的俯視圖。第一介質基材110可為軟性基板或硬質基板;軟性基板的材質可包括但不限於聚醯亞胺(PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酯纖維(polyester,PET)、環烯烴共聚物(cyclic olefin copolymer,COC)或其組合,硬質基板的材質可包括但不限於玻璃、石英、晶圓、陶瓷或其組合,但本實施例並非用以限定本申請。主輻射貼片120與第一導電過孔50的材質可為導電金屬(例如:銅、銀、鋁、鋅、金、或其合金)。所述導電金屬使用壓合或噴塗工藝覆蓋於第一介質基材110的上表面112,以形成主輻射貼片120。第一導電過孔50電連接主輻射貼片120,以作為天線饋電線路的一部分。
請參閱圖1、圖2與圖4,圖4為圖1的超寬頻天線的仰視圖。寄生輻射貼片130與阻抗匹配貼片140的材質可為導電金屬(例如:銅、銀、鋁、鋅、金、或其合金),所述導電金屬使用壓合或噴塗工藝覆蓋於第一介質基材110的下表面114,以形成寄生輻射貼片130與阻抗匹配貼片140(即寄生輻射貼片130與阻抗匹配貼片140位於同一平面),其中,寄生輻射貼片130環繞阻抗匹配貼片140,寄生輻射貼片130不與阻抗匹配貼片140相連(即寄生輻射貼片130與阻抗匹配貼片140彼此隔離)。信號由阻抗匹配貼片140設置的饋電點142輸入,經阻抗匹配貼片140、第一導電過孔50傳輸至主輻射貼片120,使得主輻射貼片120產生對應其等效諧振長度的陷波頻率(即主輻射貼片120產生的陷波頻率取決於主輻射貼片120的等效諧振長度)並向外輻射信號;寄生輻射貼片130從主輻射貼片120耦合能量,產生對應其等效諧振長度的陷波頻率(即寄生輻射貼片130產生的陷波頻率取決於寄生輻射貼片130的等效諧振長度);當寄生輻射貼片130產生的陷波頻率靠近主輻射貼片120產生的陷波頻率時,可實現展寬超寬頻天線100的頻帶寬度。其中,阻抗匹配貼片140用於匹配寄生輻射貼片130產生的頻率陷波與主輻射貼片120產生的頻率陷波之間的阻抗,也可提升兩陷波間耦合,使散射參數更平坦。
在本實施例中,設置於通訊裝置的內部的超寬頻天線100以外形尺寸大於超寬頻天線100的金屬構件(未繪製)作為天線參考地,信號直接饋電於阻抗匹配貼片140上,因此,超寬頻天線100通過第一介質基材110的上表面112設置有主輻射貼片120及下表面114設置有寄生輻射貼片130與阻抗匹配貼片140的設計,即可實現展寬超寬頻天線100的頻帶寬度,進一步減小超寬頻天線100的整體厚度尺寸,簡化製作工藝。
在一實施例中,請參閱圖4,由於饋電點142的設置位置需根據阻抗匹配要求進行調整(即通過調整饋電點142的位置調整超寬頻天線100的阻抗),因此,饋電點142與第一導電過孔50在水平方向H上間隔有預定距離D1(即第一導電過孔50的中心點至饋電點142在水平方向H上的預定距離D1),所述預定距離D1取決於超寬頻天線100的阻抗。在一些實施例中,饋電點142與第一導電過孔50在水平面上的相對位置取決於超寬頻天線100的阻抗。
在一實施例中,請參閱圖4,寄生輻射貼片130與阻抗匹配貼片140之間間隔有縫隙,所述縫隙為環繞寄生輻射貼片130的環形槽60,環形槽60用以增加寄生輻射貼片130的等效諧振長度,且可有效減小寄生輻射貼片130的尺寸,有利於小型化設計。
在一實施例中,主輻射貼片120、寄生輻射貼片130、阻抗匹配貼片140與環形槽60的外形呈規則圖形或不規則圖形。其中,所述規則圖形可為但不限於方形、矩形、圓形、橢圓或菱形,所述不規則圖形可為但不限於L形、T形或工形。
請參閱圖5與圖6,圖5為依據本申請的超寬頻天線的另一實施例立體示意圖,圖6為圖5的超寬頻天線沿線段BB的剖面圖。如圖5與圖6所示,超寬頻天線200包括第一介質基材210、主輻射貼片220、寄生輻射貼片230、阻抗匹配貼片240、第二介質基材250、金屬地260與饋電焊盤270。其中,第一介質基材210設置有第一導電過孔70;主輻射貼片220設置於第一介質基材210的上表面212,且電連接第一導電過孔70;寄生輻射貼片230設置於第一介質基材210的下表面214或內部;阻抗匹配貼片240與寄生輻射貼片230位於同一平面,且電連接第一導電過孔70,寄生輻射貼片230環繞阻抗匹配貼片240且與阻抗匹配貼片240彼此隔離;第二介質基材250設置有第二導電過孔80,第一介質基材210接合到第二介質基材250的上表面252,第二導電過孔80電連接阻抗匹配貼片240;金屬地260設置於第二介質基材250的下表面254;饋電焊盤270與金屬地260位於同一平面,且電連接第二導電過孔80,金屬地260環繞饋電焊盤270且與饋電焊盤270彼此隔離,饋電焊盤270設置有饋電點272。其中,寄生輻射貼片230被配置從主輻射貼片220耦合能量,寄生輻射貼片230被配置其產生的陷波頻率靠近主輻射貼片220產生的陷波頻率,以展寬超寬頻天線200的頻帶寬度。需注意的是,由於第一導電過孔70與第二導電過孔80在超寬頻天線200的厚度方向T是錯位的,因此,圖6中的第二導電過孔80以虛線方式繪製。
更詳細地說,請參閱圖5至圖7,圖7為圖5的超寬頻天線的俯視圖。第一介質基材210可為軟性基板或硬質基板;主輻射貼片220與第一導電過孔70的材質可為導電金屬,所述導電金屬使用壓合或噴塗工藝覆蓋於第一介質基材210的上表面212,以形成主輻射貼片220;第一導電過孔70電連接主輻射貼片220,以作為天線饋電線路的一部分。
請參閱圖5、圖6與圖8,圖8為圖5的第一介質基材設置有寄生輻射貼片與阻抗匹配貼片的一實施例示意圖。寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240的材質可為導電金屬,所述導電金屬使用壓合或噴塗工藝覆蓋於第一介質基材210的下表面214,以形成寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240(即寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240位於同一平面),其中,寄生輻射貼片230環繞阻抗匹配貼片240,寄生輻射貼片230不與阻抗匹配貼片240相連(即寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240彼此隔離)。
請參閱圖5、圖6與圖9,圖9為圖5的超寬頻天線的仰視圖。第二介質基材250可為軟性基板或硬質基板;金屬地260、第二導電過孔80與饋電焊盤270的材質可為導電金屬,所述導電金屬使用壓合或噴塗工藝覆蓋於第二介質基材250的下表面254,以形成金屬地260與饋電焊盤270(即饋電焊盤270與金屬地260位於同一平面),其中,金屬地260環繞饋電焊盤270,金屬地260不與饋電焊盤270相連(即金屬地260與饋電焊盤270彼此隔離)。第二導電過孔80電連接阻抗匹配貼片240與饋電焊盤270,以作為天線饋電線路的一部分。信號由饋電焊盤270設置的饋電點272輸入,經饋電焊盤270、第二導電過孔80、阻抗匹配貼片240、第一導電過孔70傳輸至主輻射貼片220,使得主輻射貼片220產生對應其等效諧振長度的陷波頻率(即主輻射貼片220產生的陷波頻率取決於主輻射貼片220的等效諧振長度)並向外輻射信號;寄生輻射貼片230從主輻射貼片220耦合能量,產生對應其等效諧振長度的陷波頻率(即寄生輻射貼片230產生的陷波頻率取決於寄生輻射貼片230的等效諧振長度);當寄生輻射貼片230產生的陷波頻率靠近主輻射貼片220產生的陷波頻率時,可實現展寬超寬頻天線200的頻帶寬度。其中,阻抗匹配貼片240用於匹配寄生輻射貼片230產生的頻率陷波與主輻射貼片220產生的頻率陷波之間的阻抗,也可提升兩陷波間耦合,使散射參數更平坦。
需注意的是,寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240可加工於第一介質基材210或第二介質基材250,再將第一介質基材210會壓合到第二介質基材250的上表面252;當第一介質基材210為軟性基板且第二介質基材250為硬質基板時,壓合過程的高溫會使所述軟性基板具有流動性,使得寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240設置於第一介質基材210的內部;當第一介質基材210為硬質基板且第二介質基材250為軟性基板或者第一介質基材210與第二介質基材250都為硬質基板時,壓合過程的高溫不會使所述硬質基板的具有流動性,使得寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240設置於第一介質基材210的下表面214。當第一介質基材210與第二介質基材250都為軟性基板時,需先判斷寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240先加工於第一介質基材210或第二介質基材250;寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240先加工於第一介質基材210時,將第一介質基材210會壓合到第二介質基材250的上表面252後,使得寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240位於先第一介質基材210的下表面214,並嵌入第二介質基材250的內部;寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240先加工於第二介質基材250時,將第一介質基材210會壓合到第二介質基材250的上表面252後,使得寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240位於先第二介質基材250的上表面252,並嵌入第一介質基材210的內部。
在一實施例中,請參閱圖6、圖8與圖9,由於第一導電過孔70與第二導電過孔80在超寬頻天線200的厚度方向T是錯位的,因此,天線饋電線路增加一段電流路徑,等效引入了一些電阻電容,用於更好的匹配主輻射貼片220。需注意的是,第一導電過孔70與第二導電過孔80在超寬頻天線200的厚度方向T也可以是連成一線的,取決於饋電點272的阻抗;也就是說,第一導電過孔70與第二導電過孔80在水平方向H上間隔有預定距離D2(即第一導電過孔70的中心點與第二導電過孔80的中心點在水平方向H上的預定距離D2),預定距離D2取決於饋電點272的阻抗。在一些實施例中,第一導電過孔70與第二導電過孔80在水平面上的相對位置取決於饋電點272的阻抗。另外,饋電點272的設置位置不同,也會使得第一導電過孔70與第二導電過孔80在超寬頻天線200的厚度方向T的相對位置也不同。
在一實施例中,請參閱圖8,寄生輻射貼片230與阻抗匹配貼片240之間間隔有縫隙,所述縫隙為環繞寄生輻射貼片230的環形槽90,環形槽90用以增加寄生輻射貼片230的等效諧振長度,且可有效減小寄生輻射貼片230的尺寸,有利於小型化設計。
在一實施例中,主輻射貼片220、寄生輻射貼片230、阻抗匹配貼片240與環形槽90的外形呈規則圖形或不規則圖形。其中,所述規則圖形可為但不限於方形、矩形、圓形、橢圓或菱形,所述不規則圖形可為但不限於L形、T形或工形。
請參閱圖10與圖11,圖10為現有單貼片天線的散射參數仿真圖,圖11為圖5的超寬頻天線的散射參數仿真圖,其中,圖10與圖11的橫軸為頻率,單位為千兆赫(GHz);縱軸為散射參數,單位為分貝(dB)。從圖10與圖11可知,在散射參數為-3dB時,單貼片天線的頻寬可為1.07GHz(即7.81GHz至8.88GHz),超寬頻天線200的頻寬可為1.48 GHz(即7.30GHz至8.78GHz),因此,超寬頻天線200相對於單貼片天線可將頻寬擴展40%以上。
請參閱圖11至圖14,圖12為圖11中散射參數為-3dB時工作頻率為7.3GHz的立體輻射方向圖,圖13為圖11中工作頻率為頻段中心(8GHz)的立體輻射方向圖,圖14為圖11中散射參數為-3dB時工作頻率為8.78GHz的立體輻射方向圖。由圖11至圖14可知,超寬頻天線200在高中低整個頻段內輻射方向圖的一致性好。
綜上所述,本申請實施例中,超寬頻天線通過寄生輻射貼片配合主輻射貼片實現雙諧振,展寬天線的頻寬,彌補單貼片天線頻寬窄的缺點。另外,超寬頻天線通過在主輻射貼片的饋電線路上增加放置於寄生輻射貼片內且與寄生輻射貼片隔離的阻抗匹配貼片,實現主輻射貼片的阻抗匹配,提升寄生輻射貼片與主輻射貼片產生的陷波之間的耦合,也可達到小型化寄生輻射貼片的目的。此外,設置於通訊裝置的內部的超寬頻天線以外形尺寸大於超寬頻天線的金屬構件作為天線參考地,可進一步減小超寬頻天線的整體厚度尺寸,簡化製作工藝。
雖然在本申請的圖式中包含了以上描述的組件,但不排除在不違反發明的精神下,使用更多其他的附加組件,已達成更佳的技術效果。
雖然本發明使用以上實施例進行說明,但需要注意的是,這些描述並非用於限縮本發明。相反地,此發明涵蓋了所屬技術領域中的技術人員顯而易見的修改與相似設置。所以,申請專利範圍須以最寬廣的方式解釋來包含所有顯而易見的修改與相似設置。
50,70:第一導電過孔
80:第二導電過孔
60,90:環形槽
100,200:超寬頻天線
110,210:第一介質基材
112,212,252:上表面
114,214,254:下表面
120,220:主輻射貼片
130,230:寄生輻射貼片
140,240:阻抗匹配貼片
142,272:饋電點
250:第二介質基材
260:金屬地
270:饋電焊盤
AA,BB:線段
D1,D2:預定距離
H:水平方向
T:厚度方向
此處所說明的圖式用來提供對本申請的進一步理解,構成本申請的一部分,本申請的示意性實施例及其說明用於解釋本申請,並不構成對本申請的不當限定。在圖式中:
圖1為依據本申請的超寬頻天線的一實施例立體示意圖。
圖2為圖1的超寬頻天線沿線段AA的剖面圖。
圖3為圖1的超寬頻天線的俯視圖。
圖4為圖1的超寬頻天線的仰視圖。
圖5為依據本申請的超寬頻天線的另一實施例立體示意圖。
圖6為圖5的超寬頻天線沿線段BB的剖面圖。
圖7為圖5的超寬頻天線的俯視圖。
圖8為圖5的第一介質基材設置有寄生輻射貼片與阻抗匹配貼片的一實施例示意圖。
圖9為圖5的超寬頻天線的仰視圖。
圖10為現有單貼片天線的散射參數仿真圖。
圖11為圖5的超寬頻天線的散射參數仿真圖。
圖12為圖11中散射參數為-3dB時工作頻率為7.3GHz的立體輻射方向圖。
圖13為圖11中工作頻率為頻段中心的立體輻射方向圖。
圖14為圖11中散射參數為-3dB時工作頻率為8.78GHz的立體輻射方向圖。
50:第一導電過孔
100:超寬頻天線
110:第一介質基材
112:上表面
114:下表面
120:主輻射貼片
130:寄生輻射貼片
140:阻抗匹配貼片
Claims (13)
- 一種超寬頻天線,設置於包括一金屬構件的一通訊裝置,該超寬頻天線包括: 一第一介質基材,設置有一第一導電過孔; 一主輻射貼片,設置於該第一介質基材的一上表面,且電連接該第一導電過孔; 一寄生輻射貼片,設置於該第一介質基材的一下表面;以及 一阻抗匹配貼片,與該寄生輻射貼片位於同一平面,且電連接該第一導電過孔,該寄生輻射貼片環繞該阻抗匹配貼片且與該阻抗匹配貼片彼此隔離,該阻抗匹配貼片設置有一饋電點; 其中,該寄生輻射貼片被配置為從該主輻射貼片耦合能量,該寄生輻射貼片被配置為其產生的一陷波頻率靠近該主輻射貼片產生的一陷波頻率,以展寬一頻帶寬度。
- 如請求項1所述的超寬頻天線,其中,該饋電點與該第一導電過孔在一水平方向上間隔有一預定距離,該預定距離取決於該超寬頻天線的一阻抗。
- 如請求項1所述的超寬頻天線,其中,該寄生輻射貼片與該阻抗匹配貼片之間間隔有一縫隙,該縫隙為環繞該寄生輻射貼片的一環形槽。
- 如請求項3所述的超寬頻天線,其中,該主輻射貼片、該寄生輻射貼片、該阻抗匹配貼片與該環形槽的外形呈一規則圖形或一不規則圖形。
- 如請求項4所述的超寬頻天線,其中,該規則圖形為一方形、一矩形、一圓形、一橢圓或一菱形;該不規則圖形為一L形、一T形或一工形。
- 如請求項1所述的超寬頻天線,其中,該寄生輻射貼片產生的該陷波頻率取決於該寄生輻射貼片的一等效諧振長度,該主輻射貼片產生的該陷波頻率取決於該主輻射貼片的一等效諧振長度。
- 如請求項1所述的超寬頻天線,其中,該通訊裝置的該金屬構件大於該超寬頻天線的一外形尺寸且作為一天線參考地。
- 一種超寬頻天線,包括: 一第一介質基材,設置有一第一導電過孔; 一主輻射貼片,設置於該第一介質基材的一上表面,且電連接該第一導電過孔; 一寄生輻射貼片,設置於該第一介質基材的一下表面或一內部; 一阻抗匹配貼片,與該寄生輻射貼片位於同一平面,且電連接該第一導電過孔,該寄生輻射貼片環繞該阻抗匹配貼片且與該阻抗匹配貼片彼此隔離; 一第二介質基材,設置有一第二導電過孔,該第一介質基材接合到該第二介質基材的一上表面,該第二導電過孔電連接該阻抗匹配貼片; 一金屬地,設置於該第二介質基材的一下表面;以及 一饋電焊盤,與該金屬地位於同一平面,且電連接該第二導電過孔,該金屬地環繞該饋電焊盤且與該饋電焊盤彼此隔離,該饋電焊盤設置有一饋電點; 其中,該寄生輻射貼片被配置為從該主輻射貼片耦合能量,該寄生輻射貼片被配置為其產生的一陷波頻率靠近該主輻射貼片產生的一陷波頻率,以展寬頻帶寬度。
- 如請求項8所述的超寬頻天線,其中,該第一導電過孔與該第二導電過孔在一水平方向上間隔有一預定距離,該預定距離取決於該饋電點的一阻抗。
- 如請求項8所述的超寬頻天線,其中,該寄生輻射貼片與該阻抗匹配貼片之間間隔有一縫隙,該縫隙為環繞該寄生輻射貼片的一環形槽。
- 如請求項10所述的超寬頻天線,其中,該主輻射貼片、該寄生輻射貼片、該阻抗匹配貼片與該環形槽的外形呈一規則圖形或一不規則圖形。
- 如請求項11所述的超寬頻天線,其中,該規則圖形為一方形、一矩形、一圓形、一橢圓或一菱形;該不規則圖形為一L形、一T形或一工形。
- 如請求項8所述的超寬頻天線,其中,該寄生輻射貼片產生的該陷波頻率取決於該寄生輻射貼片的一等效諧振長度,該主輻射貼片產生的該陷波頻率取決於該主輻射貼片的一等效諧振長度。
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