TW202249326A - 鋰離子電池合金陽極之大批量生產 - Google Patents
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Abstract
本揭示案的實施例大體上係關於可撓性基板製造。特定言之，本文描述的實施例係關於可用於提高鋰離子電池壽命的可撓性基板製造方法。在一或多個實施例中，一種製造合金陽極的方法包括使用平面流動熔體旋轉製程形成合金陽極，此製程包括在旋轉鑄造鼓的淬火表面上固化熔融材料及在此合金陽極上進行預鋰化表面處理。
Description
本揭示案的實施例大體上係關於可撓性基板製造。特定言之，本文描述的實施例係關於用於提高鋰離子電池壽命的可撓性基板製造方法。
可撓性基板可用於封裝、半導體及光伏應用。可撓性基板的處理可包括用所需材料，諸如金屬、半導體及/或介電材料來塗佈可撓性基板。用於進行可撓性基板之處理的系統大體包括處理鼓，例如圓柱滾子，其耦合至用於傳送基板的處理系統，且在其上處理基板的至少部分。卷對卷塗佈系統由此提供了相對高生產量的系統。
當鋰作為充電的一部分儲存在陽極中時，可能導致陽極的非所欲體積膨脹，由此縮短所得鋰離子電池的電池壽命。因此，本領域需要用於提高鋰離子電池壽命的可撓性基板製造方法。
本揭示案的實施例大體上係關於可撓性基板製造。特定言之，本文描述的實施例係關於用於提高鋰離子電池壽命的可撓性基板製造方法。在一或多個實施例中，一種製造合金陽極的方法包括使用平面流動熔體旋轉製程形成合金陽極，此製程包括在旋轉鑄造鼓的淬火表面上固化熔融材料。此方法進一步包括對此合金陽極進行預鋰化表面處理。
在一些實施例中，製造合金陽極的方法包括使用平面流動熔體旋轉製程形成包含鋰的合金陽極，此製程包括在旋轉鑄造鼓的淬火表面上固化熔融材料。此方法進一步包括在此合金陽極上沉積保護層。
在其他實施例中，製造合金陽極的方法包括使用平面流動熔體旋轉製程形成合金陽極，經由雷射鑽孔在此合金陽極中產生工程設計孔隙度，進行預鋰化表面處理，在此合金陽極上沉積保護層，及將此合金陽極層壓至集電器上。
在一些實施例中，非暫時性電腦可讀媒體上儲存有指令，當由處理器執行時，這些指令使製程執行上述設備及/或方法的操作。
本揭示案的實施例大體上係關於可撓性基板製造。特定言之，本文描述的實施例係關於用於提高鋰離子電池壽命的可撓性基板製造方法。在以下描述及第1A-6圖中闡述了某些細節以提供對本揭示案之各種實施例的透徹理解。描述通常與卷對卷沉積系統中之可撓性基板或卷材的卷材塗佈、卷材轉移及調整卷材張力相關的公知結構及系統的其他細節未在以下揭示案中闡述，以避免不必要地混淆各種實施例的描述。
以下參考卷對卷塗佈系統提供本文描述及討論的實施例。示例性的卷對卷塗佈系統可為或包括TopMet™系統、SmartWeb™系統或TopBeam™系統，所有這些都可自加利福尼亞州聖克拉拉的應用材料公司(Applied Materials, Inc.)購得。其他能夠進行卷對卷處理的工具亦可適用於自本文描述的實施例中受益。本文描述的設備描述為說明性的，且不應被解釋或說明為限制本文描述之實施例的範疇。此外，本文描述的實施例適用於在單面上具有塗層的可撓性基板或在相對面上具有塗層或具有「雙面」塗層的可撓性基板。
應當注意，雖然可在其上實施本文描述之一些實施例的特定基板不受限制，但在可撓性基板上實施實施例係特別有益的，包括例如基於卷材的基板、面板及離散片材。
在此還應當注意，在本文描述的實施方案中使用之可撓性基板或卷材的特徵通常可在於其為可彎曲的。術語「卷材」可與術語「帶材」、術語「可撓性基板」等同義使用。例如，如本文實施方案中所述的卷材可為箔。術語「卷材」的同義詞為帶材、箔、可撓性基板等。通常，卷材包括薄而可撓性的材料的連續片材。典型的卷材材料為金屬、塑膠、紙等。如本文所理解的，卷材通常為三維實心體。如本文所理解的，卷材的厚度可小於1 mm，更典型地小於500 mm或甚至小於10 mm。如本文所理解的，卷材可具有至少0.1 m、更典型地至少1 m或甚至至少4 m的寬度。如本文所理解的，卷材可具有至少1 km、25 km或甚至60 km的長度。
應當進一步注意，在本揭示案中，「卷」或「輥」可理解為提供表面的裝置，基板（或基板的部分）可在處理系統中存在基板期間與此表面接觸。本文所指的「卷」或「輥」的至少一部分可包括用於接觸待處理或已處理的基板的類圓形形狀。在一些實施方案中，「卷」或「輥」可具有圓柱形或實質上圓柱形的形狀。實質上圓柱形的形狀可圍繞直的縱向軸線形成或可圍繞彎曲的縱向軸線形成。根據一些實施方案，如本文描述的「卷」或「輥」可適於與可撓性基板接觸。例如，如本文所指的「卷」或「輥」可為適於在處理基板時（諸如在沉積製程期間）或當基板存在於處理系統中時引導基板的引導輥；適於為待塗佈的基板提供定义張力的塗佈輥；用於根據定義的行進路徑偏轉基板的偏轉輥；用於在處理期間支撐基板的處理輥，諸如製程鼓，例如塗佈輥或塗佈鼓；調節輥、供給卷、捲取卷等。如本文描述的「卷」或「輥」可為或包括金屬。
使用石墨陽極及新電池設計的鋰離子(Li-ion)電池通常具有小百分比的矽粉。已嘗試生產矽粉末合金以克服與體積膨脹有關的問題。若電極結構由獨立式薄膜工程設計以適應體積變化，則獨立式薄膜的使用將對製造及整合產生重大影響。當前由漿料塗層製成的矽及/或氧化矽摻合陽極顯示出循環壽命（大於500次循環）的前景，但日曆壽命（小於2-3 年）仍然為電動車(electric vehicle, EV)採用的主要挑戰。隨著時間的推移，電池阻抗增加亦是當前漿料塗佈的粉末陽極遇到的主要問題。電化學循環期間的活性材料表面積及由此產生的連續固體電解質中間相(solid electrolyte interphase, SEI)生長為限制日曆壽命及電池阻抗增長的主要問題。在本揭示案中，提出了一種用於表面積問題的工程設計方法。
雖然其他方法使用微米級陽極粉末顆粒，但生長期間的表面積控制存在製造問題。本揭示案係關於在循環由單片箔製成的陽極時控制表面積。生產矽陽極的物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)或化學氣相沉積(chemical vapor deposition , CVD)沉積方法相對昂貴，而粉末方法儘管具有有前景的循環壽命及倍率能力，但仍存在日曆壽命問題。本揭示案中提出的方法由薄膜生產合金陽極且設計結構以產生低表面積，有助於減少循環中的阻抗增長及提高日曆壽命。
在本揭示案的一些實施方案中，熔融金屬或金屬合金直接沉積在冷鑄鼓上以形成合金陽極膜。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，熔融金屬合金為矽錫鋁鈦合金(Si
78Sn
16Al
4Ti
2)、鈦鋁碳合金(Ti
2AlC或Ti
3AlC)或鐵銅矽合金(Fe
2Cu
2Si
5)中的一者。此合金可為結晶的或非晶的。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，熔融金屬合金為鋰鉍(Li-Bi)合金、鋰銀(Li-Ag)合金、鋰錫(Li-Sn)合金或鋰矽(Li-Si)合金中的一者。熔融金屬經歷快速固化（例如，以每秒一百萬度的速率）。隨後使用冷轉移製程將固化的金屬或金屬合金在低溫下轉移至基板上。
在一些實例中，在將熔融金屬或金屬合金沉積在鑄造鼓上之前，用傳輸液體塗佈冷鑄鼓。傳輸液體防止沉積的金屬或金屬合金黏附至鑄造鼓的冷表面，從而提高固化的熔融金屬或金屬合金轉移至基板上的容易程度。在一或多個實例中，傳輸液體為低蒸氣壓及/或與鹼金屬相容的離子液體。傳輸液體可經由輥塗製程施加至鑄造鼓上。在將傳熱液體施加至鑄造鼓之後，熔融金屬或金屬合金可經由沉積製程沉積在傳熱層上。固化之後，固化的金屬或金屬合金隨後由鑄造鼓轉移至基板上。在一或多個實施例中，金屬或金屬合金為鋰且基板為可撓性基板，例如鋰離子陽極、金屬化塑膠基板、銅集電器或其組合。
在一些實例中，在將傳輸液體施加至鑄造鼓之後，將表面保護層形成液體施加至鑄造鼓。表面保護層形成液迅速固化以在傳輸液體層上形成表面保護層。隨後經由沉積製程，例如噴塗製程，將熔融金屬或金屬合金沉積在表面保護層上。固化之後，固化的金屬或金屬合金及保護層隨後由鑄造鼓轉移至基板上。固化的金屬或金屬合金及保護層由鑄造鼓以其沉積的相反順序轉移。例如，固化的金屬或金屬合金與形成在固化的金屬或金屬合金層上的保護層接觸基板。在一或多個實施例中，金屬或金屬合金為鋰，基板為可撓性基板，例如鋰離子陽極、金屬化塑膠基板、銅集電器或其組合，且保護層為表面保護層，諸如氟化鋰、碲化鉍(Bi
2Te
3)、銅、銦、鎵、鋁、氧化鋁、鋅、氧化鋅、錫、鋰磷氧氮化物、硝酸鋰(LiNO
3)、磷酸鹽、硫酸鹽、碳或其任意組合。
可與本文描述的實施方案一起使用的沉積製程的實例可為或包括濺射、蒸發（例如，熱或電子束）、直接液體應用（例如，縫模塗佈、逗號棒塗佈、梅耶棒塗佈(Meyer rod coating)、平面流動熔體旋塗、澆鑄噴嘴塗佈或輥塗）、噴塗製程（例如，次音速噴塗、靜電噴塗、氣壓噴塗、熱噴塗及電漿噴塗），或其任意組合。
可使用本文描述的實施方案形成的表面保護膜的實例可為或包括氟化鋰(LiF)膜；介電或陶瓷膜（例如鈦、鋁、鈮、鉭、鋯或其組合的氧化物）；一或多種金屬膜（例如錫、銻、鉍、鎵、鍺、銅膜、銀膜、金膜或其組合）；銅硫屬化物薄膜（例如，CuS、Cu
2Se、Cu
2S）；鉍硫屬化物薄膜（例如，Bi
2Te
3、Bi
2Se
3）；錫硫屬化物薄膜（例如，SnTe、SnSe、SnSe
2、SnS）、鎵硫屬化物薄膜（例如，GaS、Ga
2S
3、GaSe、Ga
2Se
3、GaTe）、鍺硫屬化物薄膜（GeTe、GeSe、GeS）、銦硫屬化物薄膜（例如，InS、In
6S
7、In
2S
3、InSe、InS
4Se
3、In
6Se
7、In
2Se
3、InTe、In
4Te
3、In
3Te
4、In
7Te
10、In
2Te
3、In
2Te
5）、硫族化銀薄膜（Ag
2Se、Ag
2S、Ag
2Te）、氮化硼、硝酸鋰、硼氫化鋰，及其組合；及含碳薄膜中的至少一或多者。在一些實例中，一或多個表面保護膜為離子傳導膜。在一些實例中，一或多個表面保護膜對鋰離子及鋰原子中的至少一者為可滲透的。一或多個表面保護膜提供金屬或金屬合金膜的表面保護，這允許在乾燥室中搬運金屬或金屬合金膜。
可與本文描述的實施方案一起使用的傳輸液體的實例可為或包括離子液體及傳熱流體（例如，合成油、礦物油及熔鹽）。可與本文描述的實施方案一起使用的油的實例可為或包括合成烴、聚矽氧、烴、芳香油、石蠟油及烷基化芳香油。可與本文描述的實施方案一起使用的合成油的實例可為或包括Therminol® VP-1 (FRAGOL AG)，其為73.5重量%聯苯醚及23.5重量%聯苯的共析混合物，熔點為12℃，Therminol® D12 (FRAGOL AG)、Diphyle®（拜耳(Bayer A.G.)）、Dowtherm®（陶氏化學(Dow Chemical)）、Therm ® S300（日本鋼鐵(Nippon Steel)）、Fragoltherm® F-12 (FRAGOL AG)、Paratherm™ LR低範圍傳熱流體(plastiXs®)、Paratherm™ NF傳熱流體(plastiXs®)。可與本文描述的實施方案一起使用的礦物油的實例可為或包括Caloria HT 43。可與本文描述的實施方案一起使用的熔鹽的實例可為或包括基於硝酸鹽的熔鹽（例如，NaNO
3、KNO
3、NaNO
2及Ca(NO
3)
3）、基於氯化物的熔鹽（例如，KCl-MgCl
2)及基於氟化物的熔鹽（例如，LiF-NaF-KF）。可與本文描述的實施方案一起使用的離子液體的實例可為或包括N,N-二乙基-N-甲基-N-(2-甲氧基乙基)銨[DEME]
+、雙(氟磺醯基)醯亞胺[FSI]
-、N-甲基-N-烷基吡咯烷[C
nmpyr]、N-甲基-N-丙基吡咯烷雙(三氟甲磺醯基)醯胺[C
3mpyr TFSI]、N-甲基-N-丙基吡咯烷雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺[C
3mpyr FSI]、雙(三氟甲磺醯基)醯胺[NTf
2]
-、N-甲基-N-烷基哌啶[C
nmpip]
+、N-甲基-N-丙基哌啶雙(三氟甲磺醯基)醯胺[C
3mpip TFSI]、N-丁基-N-甲基吡咯烷二氰胺[C
4mpyr][DCA]、N-甲基-丁基吡咯烷鎓四氰基硼酸鹽[C
4mpyr TCB]、四氟硼酸鹽[BF4]
-、1,2-二烷基甲基咪唑[C
nCnmim]
+、雙氰胺[dca]
-、基於醯亞胺的離子液體（例如，雙(三氟甲磺醯)醯亞胺(TFSI
-)、雙(氟磺醯基)醯亞胺(FSI
-)、N-丁基-N-甲基吡咯烷鎓雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺(PYR14TFSI)或N-丁基-N-甲基吡咯烷鎓雙(氟磺醯基) nyl)imide (PYR14FSI)、1-乙基-3-甲基咪唑鎓雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺 [EMI][TFSI]），及聚合的離子液體嵌段共聚物（例如，聚(苯乙烯-b-環氧乙烷) (PS-PEO)/[EMI][TFSI]溶液）。可與本文描述的實施方案一起使用的離子液體（陽離子）的實例包括四級銨、咪唑鎓、吡咯烷鎓、哌啶鎓、六三甲基鏻、三乙基锍，其含有N、P或S。可與本文描述的實施方案一起使用的離子液體（陰離子）的實例包括N,N-雙(三氟甲烷)-磺醯胺(N,N-bis(trifluoromethane)-sulphonamide, TFSI)、雙(氟磺醯基)醯亞胺(bis(fluorosulphonyl)imide, FSI)、四氟硼酸鹽(BF
4)及六氟磷酸鹽(PF
6)，及N-丁基-N-甲基吡咯烷雙(三氟甲磺醯基)-醯亞胺(N-butyl-N-methyl pyrrolidinium bis(trifluoromethanesulfonyl)-imide, Py14-TFSI)。
可與本文描述的實施方案一起使用的固體電解質形成材料的實例包括碳酸乙烯酯(vinyl carbonate, VC)、氟化乙烯碳酸酯(fluorinated vinyl carbonate, FEC)、氟化乙烯基環矽氧烷、氟化砜、三(六氟異磷酸酯) (tri(hexafluoroisophosphate), HFiP)、三(五氟苯基)膦(tris(pentafluorophenyl)phosphine, TPFPP)、聯苯、3,4-乙烯二氧噻吩(3,4 ethylenedioxythiophene, EDT)、聯苯、環己基苯、環己基苯(cyclohexylbenzen, CHB)、1,3-丙磺酸內酯 (1,3-propanesultone, PS)、1-甲基-1,3-丙磺酸內酯、2-甲基-1,3-丙磺內酯、3-甲基-1,3-丙磺內酯、1-乙基-1,3-丙磺內酯、丁二腈、癸二腈、戊二腈、己二腈、1,5-二氰基戊烷、1,6-二氰基己烷、1,7-二氰基庚烷、1,8-二氰基辛烷、1,9-二氰基壬烷、矽氧烷骨架至聚環氧乙烷、鄰三聯苯、三亞苯基、環己基苯、聯苯、1,3-丙磺酸鹽、N-丁基-N-甲基吡咯烷雙(三氟甲磺醯基)-醯亞胺(Py14-TFSI)、聚丙烯腈(poly acrylonitrile, PAN)、聚甲基丙烯酸甲酯(poly methyl methacrylate, PMMA) 及PVDF。
第1圖示出根據一或多個實施例之用於製造可撓性基板之示例性熔融金屬塗佈系統100的示意性側視圖。熔融金屬塗佈系統100可用於形成可撓性層堆疊。熔融金屬塗佈系統100包括根據本文描述之一或多種實施方案的熔融金屬塗佈模組130。熔融金屬塗佈系統100進一步包括退繞模組120，此退繞模組可操作以將諸如連續可撓性基板122的可撓性基板供應至熔融金屬塗佈模組130。熔融金屬塗佈模組130進一步包括捲繞模組140，其可操作以自熔融金屬塗佈模組130收集可撓性基板。熔融金屬塗佈系統100可操作用於可撓性基板的單面或雙面處理。在一些實施方案中，熔融金屬塗佈系統100可操作用於經由平面流動熔體旋轉製程將熔融金屬（例如，熔融鋰）沉積在可撓性基板上。
根據本揭示案的實施方案，熔融金屬塗佈系統100可包括任何適合的結構、配置、佈置及/或部件，使得熔融金屬塗佈系統100能夠在連續可撓性基板122上沉積熔融金屬及/或鈍化沉積的熔融金屬。例如，在一些實施方案中，熔融金屬塗佈系統100可為或包括適合的沉積系統，包括鑄輥、噴霧器、蒸發器、空氣軸承、電源、單獨的壓力控制、沉積控制系統、測力器、伺服電動機及溫度控制部件。
熔融金屬塗佈系統100包括腔室主體102。腔室主體102可由標準材料製成，例如鋁、石英、陶瓷或不銹鋼。腔室主體102可以由流體冷卻，例如水、一或多種基於二醇的流體或其任意組合。腔室主體102限定內部容積103。隔板104a、104b（統稱為104）延伸穿過由腔室主體102定義的內部容積103。隔板104a將內部容積103分隔成可操作以供應連續可撓性基板122的退繞容積106及熔融金屬沉積在連續可撓性基板122上的處理容積107。隔板104b將內部容積103分隔成處理容積107及可操作以收集經處理的連續可撓性基板122的捲繞容積108。隔板104a、104b包括一或多個通孔109a、109b（統稱為109），分別用於容納連續可撓性基板122。隔板104中的每個通孔109的尺寸設計成容納連續的可撓性基板122，同時能夠在退繞容積106、處理容積107及/或捲繞容積108之間進行差動泵送。在一個實施方案中，腔室主體102定義了真空腔室。在另一實施方案中，在非真空沉積技術的情況下，諸如輥塗及縫模塗佈，可使用乾燥室的腔室或手套箱。
在一些實施方案中，惰性氣體環境被維持在退繞容積106、處理容積107及/或捲繞容積108中的至少一者中。惰性氣體環境可包括選自氬氣、氮氣或氬氣及氮氣的組合的惰性氣體。退繞容積106、處理容積107及/或捲繞容積108的惰性氣體環境與熔融金屬塗佈系統100外部的基本周圍（例如大氣）環境隔離（例如，提供氣體分離），這降低了沉積的鋰膜被污染的可能性。若需要，退繞容積106、處理容積107及/或捲繞容積108的這種惰性氣體環境還將退繞容積106與處理容積107以及處理容積107與捲繞容積108隔離（例如，提供氣體分離）。這種隔離使得能夠在退繞容積106、處理容積107及/或捲繞容積108中使用不相容的化學物質。在一或多個實例中，處理容積107包含氬氣環境且捲繞容積108包含氬氣及鈍化氣體（例如氮氣）的組合。
在一些實施方案中，退繞容積106、處理容積107及捲繞容積108中的至少一者耦合至壓力控制系統（未示出），此壓力控制系統根據需要對退繞容積106、處理容積107及/或捲繞容積108抽氣及排氣，以促進連續可撓性基板122在惰性氣體環境與熔融金屬塗佈系統100外部的實質上周圍（例如大氣）環境之間傳遞。
腔室主體102包括一或多個開口（未示出），用於提供到達內部容積103的通道。在一或多個實例中，一或多個開口位於腔室主體102的頂部。一或多個開口可定位在腔室主體102的其他位置處，這提供了到達腔室部件的通路。腔室主體102可視情況包括蓋子（未示出），此蓋子可打開及關閉以允許使用者接觸腔室主體102之內部容積103內的部件。在一或多個實例中，腔室主體102包括用於監控腔室內之處理條件的透明部分或窗口。
應當理解，雖然退繞容積106、處理容積107及捲繞容積108被示為共享共同的腔室主體102，但在一些實施方案中，退繞容積106、處理容積107及捲繞容積108由單獨的腔室主體定義，其中限定退繞容積106的腔室主體堆疊在定義處理容積107及/或捲繞容積108的腔室主體上或附近（例如，並排）。例如，在一些實施方案中，熔融金屬塗佈系統100包括定義退繞容積106的退繞腔室、定義處理容積107的沉積腔室及定義捲繞容積108的單獨捲繞腔室。退繞腔室、沉積腔室及捲繞腔室為單獨的模組化及可堆疊元件。在一或多個實例中，退繞腔室定位成鄰近沉積腔室的一側且捲繞腔室定位成鄰近沉積腔室的相對側。
熔融金屬塗佈系統100構成為卷對卷系統，包括可操作以供應連續可撓性基板122的退繞模組120，可操作以將熔融金屬沉積在連續可撓性基板122上的熔融金屬塗佈模組130，以及可操作以在捲繞模組140中的熔融金屬上形成鈍化膜及/或保護膜的捲繞模組140。退繞模組120包括可操作以供應連續可撓性基板122的退繞輥150。捲繞模組140包括可操作以接受經處理的連續可撓性基板122的捲繞輥160。在一些實施方案中，熔融金屬塗佈系統100可進一步包括可操作以將保護膜供應至經處理的連續可撓性基板122的層壓膜供應輥（未示出）。
連續可撓性基板122被提供為卷材，其被捲繞在卷上，諸如退繞輥150。在一或多個實例中，連續可撓性基板122具有約15 cm至約300 cm的寬度，且通常具有約160 cm的寬度。此外，連續可撓性基板122具有約8 μm至約200 μm的厚度，例如約50 μm的厚度。連續可撓性基板122具有前表面124及後表面126。在一個實施方案中，在處理之後，連續可撓性基板122包括具有鋰電極結構及在其上形成的鈍化膜的可撓性材料。在另一實施方案中，在處理之後，連續可撓性基板122包括具有鋰化電極結構及在其上形成的鈍化膜的可撓性材料。
熔融金屬塗佈系統100進一步包括共用傳輸架構180。共用傳輸架構180可包括能夠移動連續可撓性基板122經過退繞容積106、處理容積107及捲繞容積108的任何傳送機構。在一些實施方案中，常見的傳輸架構180為包括退繞輥150及捲繞輥160的卷對卷系統。退繞輥150及捲繞輥160可取決於目標製程條件獨立地加熱或冷卻。退繞輥150可由電動機152驅動及旋轉。捲繞輥160亦可由電動機162驅動及旋轉。退繞輥150及捲繞輥160可使用位於每個捲筒內的內部熱源或外部加熱源單獨加熱。退繞輥150及捲繞輥160可以使用位於每個捲軸內的內部冷卻源或外部冷卻源單獨冷卻。
在一些實施方案中，共用傳輸架構180進一步包括一或多個輔助張力捲軸182a-182d（統稱為182），其位於退繞輥150與捲繞輥160之間。輔助張力捲軸設置在連續可撓性基板122在退繞輥150及捲繞輥160之間傳送的行進路徑142上，以允許對連續可撓性基板122施加張力。此張力防止連續可撓性基板122下垂以及改變連續可撓性基板122的移動方向。因此，即使連續可撓性基板122沿著連續的長路徑移動，亦始終保持一定的移動速率。在一些實施方案中，任何輔助張力捲軸182都可用氣墊輥代替。輔助張力捲軸182可使用定位在每個捲軸內的內部熱源或外部熱源單獨加熱。輔助張力捲軸182可使用定位在每個捲軸內的內部冷卻源或外部冷卻源單獨冷卻。輔助張力捲軸182可提供選自以下的至少一種功能：引導連續可撓性基板122、張緊連續可撓性基板122、對連續可撓性基板122充電、使連續可撓性基板122放電，以及加熱或冷卻連續可撓性基板122。輔助張力捲軸182可包括一或多個伺服電動機，用於推進連續可撓性基板122。一或多個伺服電動機允許精確控制連續可撓性基板122的線性位置、速度及/或加速度。一或多個伺服電動機可與用於位置反饋的感測器耦合。共用傳輸架構180可進一步包括一或多個用於推進連續可撓性基板122的伺服電動機及/或一或多個用於將卷材張力轉換成可測量及標準化的電信號的測力器。
大體上，熔融金屬塗佈系統100包括可操作以控制熔融金屬塗佈系統100之自動化態樣的系統控制器190。可提供系統控制器190且將其耦合到熔融金屬塗佈系統100的各種部件以控制其操作。系統控制器190包括中央處理單元(central processing unit, CPU)192、記憶體194（或電腦可讀媒體）及支援電路196。系統控制器190可直接控制熔融金屬塗佈系統100，或者藉由與特定製程腔室及/或支援系統部件相關聯的電腦（或控制器）來控制。系統控制器190可為任何形式的通用電腦處理器中的一種，其可在工業環境中用於控制各種腔室及子處理器。系統控制器190的記憶體194可為容易獲得的記憶體中的一或多者，例如隨機存取記憶體(random access memory, RAM)、唯讀記憶體(read only memory, ROM)、軟碟、硬碟、光儲存媒體（例如，光碟或數位視訊光碟）、快閃驅動或任何其他形式的局部或遠端數位儲存器。支援電路196耦合至CPU 192，用於以習知方式支援處理器。這些電路包括快取記憶體、電源、時脈電路、輸入/輸出電路系統及子系統等。本文描述的方法可作為軟體常式儲存在記憶體194中，此軟體常式可被執行或調用以以本文描述的方式控制熔融金屬塗佈系統100的操作。軟體常式亦可由遠離由CPU 192控制之硬體的第二CPU（未示出）儲存及/或執行。在一或多個實例中，系統控制器190可操作以藉由監測測力器及控制輔助張力捲軸182中的伺服電動機來控制連續可撓性基板122的行進速率。
在操作中，連續可撓性基板122自退繞輥150傳送至熔融金屬塗佈模組130中。連續可撓性基板122自退繞容積106穿過通孔109a行進，進入熔融金屬塗佈模組130的處理容積107。在處理容積107中，連續可撓性基板122暴露於塗佈製程以在連續可撓性基板122上沉積熔融金屬膜，且視情況在熔融金屬膜上沉積表面保護膜。連續可撓性基板122穿過通孔109b行進，自處理容積107前進到捲繞容積108。在捲繞容積108中，經處理的連續可撓性基板122捲繞在捲繞輥160上。
熔融金屬塗佈模組130包括可操作以處理連續可撓性基板122的一或多個處理站。例如，可提供第一沉積源佈置132a、132b（統稱為132），其可操作以在連續可撓性基板122上沉積包括第一材料的第一層。此外，可提供第二沉積源佈置134a、134b（統稱為134），其可操作以在第一層上沉積包括第二材料的第二層。此外，可提供第三沉積源佈置136a、136b（統稱為136），其可操作以在第二層上沉積包括第三材料的第三層。
根據本文描述的實例，第一沉積源佈置132、第二沉積源佈置134及第三沉積源佈置136中的每一者可以包括一或多個沉積源。沉積源的實例可為或包括濺射、蒸發（例如，熱或電子束）、直接液體應用（例如，縫模塗佈、逗號棒塗佈、梅耶棒塗佈、平面流動熔體旋塗、澆鑄噴嘴塗佈或輥塗）、噴塗製程（例如，次音速噴塗、靜電噴塗、氣壓噴塗、熱噴塗及電漿噴塗），或其任意組合。特定言之，每個沉積源佈置（諸如第一沉積源佈置132、第二沉積源佈置134及第三沉積源佈置136）的沉積源數量可根據各自沉積源佈置形成的層的預期厚度進行調整。例如，在鋰電池用負極的情況下，希望具有比形成在其上的表面保護膜更厚的鋰層。第二沉積源佈置134可經配置用於沉積鋰且包括比經配置用於沉積表面保護膜的第一沉積源佈置132更多的沉積源。第一沉積源佈置132、第二沉積源佈置134及第三沉積源佈置136各自包括一個沉積源。
熔融金屬塗佈模組130進一步包括定位在連續可撓性基板122之相對側上的一對可旋轉鑄造鼓138a、138b（統稱為138）。鑄造鼓138為具有淬火表面144a、144b（統稱為144）的圓柱體，熔融金屬沉積在此淬火表面上。淬火表面144為彎曲表面。淬火表面144可為光滑表面。淬火表面144包括不銹鋼、銅、鉻或其組合中的至少一者。在一或多個實例中，鑄造鼓138的淬火表面144為不銹鋼。鑄造鼓138具有設置在熔融金屬塗佈系統100中的旋轉軸。每個鑄造鼓138可由發動機139a、139b（統稱為139）驅動及旋轉。
根據本文描述的一些實例，鑄造鼓138可被加熱或冷卻至期望的處理溫度。鑄造鼓138內的加熱或冷卻設備可藉由連接連接至控制器。根據本文描述的典型實例，可加熱或冷卻鑄造鼓138以用於沉積目的。在一或多個實例中，鑄造鼓包括冷卻劑通道，此冷卻劑通道可操作以包含用於冷卻鑄造鼓138之淬火表面144的冷卻劑。冷卻劑通道可耦合至供應傳熱流體的冷卻劑源。流體可為水、乙二醇、氮氣(N
2)、氦氣、諸如poly-cold的混合烴類氣體、諸如Fragoltherm® F-12的烴類；Paratherm™ LR；Paratherm™ NF；礦物油；Mobil®油；壓縮CO
2或任何其他用作熱交換介質的流體。在一些實例中，使用定位在鑄造鼓138內的內部冷卻源來冷卻鑄造鼓138。在其他實例中，鑄造鼓138使用外部冷卻源冷卻。此外，可在沉積例如具有低熔點的材料（諸如鋰）期間冷卻鑄造鼓138。
熔融金屬塗佈模組130進一步包括剝離層沉積源佈置146a、146b（統稱為146），此剝離層沉積源佈置可操作以將傳輸液體輸送至鑄造鼓138的淬火表面144。傳輸液體在鑄造鼓138的淬火表面144上形成剝離層。在淬火表面144上形成的剝離層防止隨後沉積的層黏附至淬火表面144。在一或多個實例中，剝離層沉積源佈置146被定位成與鑄造鼓138相鄰且依次在第一沉積源佈置132之前，使得傳輸液體在任何材料層之前沉積在淬火表面144上。
在一個實施方案中，剝離層沉積源佈置146包括拾取輥或吻輥148a、148b（統稱為148）。吻輥148藉由接觸自傳輸液體源池152a、152b（統稱為152）中拾取包括傳輸液體的濕膜且將傳輸液體遞送至鑄造鼓138的淬火表面144。吻輥148可進一步包括用於驅動及旋轉吻輥148的伺服電動機。
在一或多個實例中，吻輥148在沿反方向行進時接觸鑄造鼓138，這意味著吻輥148在與鑄造鼓138的旋轉方向相反的方向上旋轉（例如，在反方向上接觸）。在一些實例中，在沿與鑄造鼓138的旋轉方向相同的方向旋轉時，接觸輥148不接觸鑄造鼓138（例如，在同方向上不接觸）。在其他實例中，接觸輥148接觸鑄造鼓138，同時沿與鑄造鼓138的旋轉方向相同的方向旋轉（例如，在同方向上接觸）。
熔融金屬塗佈模組130進一步包括移除佈置170a、170b（統稱為170），用於在將材料層傳送至連續可撓性基板122之後及在將剝離層形成液體施加至鑄造鼓138之前移除鑄造鼓138上剩餘的任何材料。移除佈置包括能夠清洗鑄造鼓138之淬火表面144的任何工具。可使用的工具的實例包括機械工具（例如，刮刀）、流體噴射器、氣體噴射器或其任意組合。
在操作中，鑄造鼓138依次旋轉穿過：剝離層沉積源佈置146、第一沉積源佈置132、第二沉積源佈置134、第三沉積源佈置136及移除佈置170。儘管在本文中經常將沉積源佈置稱為處理站，但亦可沿鑄造鼓138的彎曲淬火表面144提供其他處理站，例如蝕刻站或加熱站。因此，本文所述的熔融金屬塗佈系統100可具有用於各種沉積源的隔室，從而允許在單個沉積裝置中對多個沉積源或製程進行模組化組合。示例性沉積源或製程可為或包括濺射、蒸發、噴塗、PVD、CVD、電漿增強CVD (plasma-enhanced CVD, PE-CVD)、原子層沉積(atomic layer deposition, ALD)、電漿增強ALD (plasma-enhanced ALD,PE-ALD)，或其任意組合。
第2圖為示出根據一或多個實施例之製造可撓性基板之方法的流程圖。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，方法200為平面流動熔體旋轉製程。方法200包括，根據操作210，將傳輸液體輸送至旋轉鑄造鼓的冷卻淬火表面。傳輸液體可由吻輥施加至鑄造鼓上。傳輸液體可在鑄造鼓的淬火面上固化而形成剝離層。在冷卻的淬火表面上形成的剝離層防止隨後沉積的層黏附至淬火表面。例如，若隨後沉積的層為諸如鋰的黏性材料，則剝離層防止鋰黏附至淬火表面。選擇傳輸液體以與冷卻的淬火表面及隨後的沉積層均相容。
在操作220，若存在剝離層，則材料層堆疊形成在剝離層上，或者若剝離層不存在，則直接在鑄造鼓的淬火表面上形成材料層堆疊。在一或多個實例中，材料層堆疊的第一材料層為表面保護膜，例如氟化鋰。在一些實例中，第一材料層為低熔點金屬或金屬合金，例如鋰。第一材料層可為合金陽極膜。在操作230，可藉由第一沉積源佈置132將第一材料層沉積在剝離層上。視情況，在操作240，在第一材料層上形成第二材料層。在一或多個實例中，第二材料層為附加的表面保護膜。在一些實例中，第二材料層為低熔點金屬或金屬合金，例如鋰。第二材料層可由第二沉積源佈置134沉積。視情況，在操作250，在第二材料層上形成第三材料層。在一或多個實例中，第三材料層為低熔點金屬或金屬合金，例如鋰。第三材料層可由第三沉積源佈置136沉積。
在一或多個實例中，表面保護層形成液體快速固化以在傳輸液體層上形成表面保護層。隨後經由沉積製程，例如噴塗製程，將熔融金屬或金屬合金沉積在表面保護層上。固化之後，固化的金屬或金屬合金及保護層隨後在操作260藉由鑄造鼓轉移至基板。
在操作260，材料層堆疊自鑄造鼓轉移至可撓性基板。可撓性基板可為連續可撓性基板122。在一或多個實例中，可撓性基板為塑膠基板，諸如聚丙烯、聚乙烯或其組合。在一些實例中，可撓性基板具有形成於其上的膜，例如，具有形成於其上之陽極膜的銅基板。在一些實例中，可撓性基板為銅基板或鋁基板。在其他實例中，可撓性基板為塗有金屬薄層的塑膠基板（例如，塗有銅的聚丙烯或聚乙烯）。材料層堆疊的各層以其沉積在鑄造鼓上的相反順序被轉移至連續可撓性基板。例如，在平面流動熔體旋轉製程中，固化的金屬或金屬合金與可撓性基板接觸，保護層形成在固化的金屬或金屬合金層上。在一或多個實例中，金屬或金屬合金為鋰，基板為可撓性基板，例如鋰離子陽極、金屬化塑膠基板、銅集電器或其組合，且保護層為表面保護層，諸如LiF、Bi
2Te
3、Cu、Sn、LiNO
3或其組合。
視情況，在操作270，鑄造鼓被暴露於清洗製程。在重複操作210-260之前，執行清洗製程以自鑄造鼓的淬火表面移除剝離層（若存在）及任何其他污染物。可使用例如移除佈置170來執行清洗製程，此移除裝置用於在將材料層堆疊傳送至連續可撓性基板122之後及在將傳輸液體施加/重新施加至鑄造鼓138之前移除鑄造鼓上剩餘的任何材料。可使用能夠自鑄造鼓的淬火表面移除污染物的任何工具來進行清洗製程。可用於清洗鑄造鼓之淬火表面之工具的實例包括機械工具（例如刮刀）、流體噴射器、氣體噴射器或其任意組合。
第3A圖為根據一或多個實施例之可撓性基板300的示意性橫截面圖。第3B圖為根據一或多個實施例之第3A圖之可撓性基板300之一部分的示意性俯視圖。第4圖為示出根據一或多個實施例之製造第3A及3B圖之可撓性基板300之方法400的流程圖。可撓性基板300包括合金陽極301。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，合金陽極301包含矽、錫、鋁、鈦、碳、鐵、鋅、鎵、銦、鈮、鉬、銅、氧、氮、鹵素（例如，F、Cl、Br、I）、硫、磷、其合金或其任意組合。
合金陽極301在操作401經由平面流動熔體旋轉製程（例如上述方法200）由可撓性基板300形成。所得合金陽極301本質上為非晶的及玻質的。理想地，合金陽極301的非晶金屬成分為至少80%非晶的，較佳至少90%，更佳至少95%，且最佳至少98%非晶的。結晶度可由已知技術來確認。非晶金屬包括那些自熔融金屬供應中以至少104℃/秒的速率快速固化及淬火的金屬。
一旦合金陽極301形成，則在操作402，在合金陽極301中產生工程設計孔隙度305，例如複數個孔306或一或多個溝槽307。工程設計孔隙度305允許在電池充電期間合金陽極301的體積膨脹，而不會導致合金陽極301的厚度308膨脹。膨脹材料膨脹至工程設計孔隙度305中，而非移動合金陽極301的外邊界。工程設計孔隙度305係藉由濕式蝕刻、電化學蝕刻或雷射鑽孔中的一者產生的。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，濕式蝕刻包括酸處理。在濕式蝕刻製程中，根據一個實施例，銀奈米顆粒用作合金陽極301表面上的催化劑，且酸蝕刻產生工程設計孔隙度305。可在濕式蝕刻之前在合金陽極301上圖案化銀點以產生均勻的孔分佈。在執行雷射鑽孔的實施例中，可施加單個脈衝以便在合金陽極301中形成單個通孔或孔306。可施加多個脈衝以在合金陽極301中形成溝槽307。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，雷射器為重複脈衝摻釹釔鋁石榴石(Nd:YAG)雷射器，工作波長約為1.06 μm，峰值功率約為1 x 10
6瓦特，且脈衝重複率約為每秒10個脈衝。在可與本文描述的其他實施例組合的其他實施例中，雷射器為脈衝二氧化碳(CO
2)雷射器，工作波長約為10.6 μm，峰值功率為約1 x 10
5瓦特，且脈衝重複率約為每秒100個脈衝。在可與本文描述的其他實施例組合的其他實施例中，雷射器為釹玻璃（Nd:玻璃）雷射器，工作波長約為1.06 μm的波長，峰值功率為約為1 x 10
6瓦特，且脈衝重複率約為每秒少於1個脈衝。由於合金陽極301的非期望體積膨脹減少，所得合金陽極301及可撓性基板300具有改進的電池壽命及整體日曆壽命。
可進行一或多個後續製程以提高所得可撓性基板300的品質。在可選操作403中，對合金陽極301進行預鋰化表面處理。預鋰化表面處理包括在合金陽極301上沉積鋰層302。鋰層302減少電荷損失。在可選操作404，保護層303沉積在合金陽極301上。保護層303包括氟化鋰、碳、銀、鉍、鋅、銻、鋁、氧化銀、氧化鉍、氧化鋅、氧化銻、氧化鋁、氧化矽、氧化矽鋰，或其任意組合中的一或多者。在可選操作405，將合金陽極301層壓至金屬集電器304上。在可與本文揭示的其他實施例組合的一或多個實施例中，金屬集電器304包括銅。層壓製程使用碳基導電膠或機械黏合中的一者將合金陽極301黏附至金屬集電器304。
第5A圖為根據一或多個實施例之可撓性基板300的示意性橫截面圖。第5B圖為根據一或多個實施例之第5A圖之可撓性基板500的示意性俯視圖。第6圖為示出根據一或多個實施例之製造第5A及5B圖之可撓性基板500之方法600的流程圖。可撓性基板500包括合金陽極501。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，合金陽極501含有鋰及矽、錫、銀、鉍、其合金或其任意組合中的一或多者。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，合金陽極501為鋰鉍(Li-Bi)合金、鋰銀(Li-Ag)合金、鋰錫(Li-Sn)合金、或鋰矽(Li-Sn)合金、其合金或其任意組合中的一者。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，合金陽極501含有具有相對低熔點（例如，低於1000℃）的摻雜金屬或合金。
如上文關於第2及4圖所討論的，合金陽極501在操作601藉由平面流動熔體旋轉製程（例如，上述方法200）形成。所得合金陽極501本質上為非晶的及玻質的。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，合金陽極501為鋰鉍(Li-Bi)合金、鋰銀(Li-Ag)合金、鋰錫(Li-Sn)合金，或鋰矽(Li-Si)合金中的一者。理想地，合金陽極501的非晶金屬成分為至少80%非晶的，較佳至少90%，更佳至少95%，且最佳至少98%非晶的。一旦形成合金陽極501，則在操作602，在合金陽極501中產生工程設計孔隙度505，例如複數個孔506及/或溝槽507。在可與本文描述的其他實施例組合的一或多個實施例中，在合金陽極501上進行雷射鑽孔處理以產生工程設計孔隙度505。
可進行一或多個後續製程以提高合金陽極501及所得電池的品質。在可選操作603，保護層503設置在合金陽極501上。在可選操作604，將合金陽極501層壓至金屬集電器504上。在可與本文揭示的其他實施例組合的一或多個實施例中，金屬集電器504包括銅。層壓製程使用導電碳基膠或機械黏合中的一者將合金陽極501黏附至金屬集電器504。
在可選操作605中，若未執行操作603，則將保護層503設置在合金陽極501上。因此，在一或多個實施例中，層壓合金陽極501發生在沉積保護層503之前。在其他實施例中，層壓合金陽極501發生在沉積保護層503之後。由於合金陽極501的非期望體積膨脹減少，所得合金陽極501具有改進的電池壽命及整體日曆壽命。
總之，這些方法提高了在具有成本效益的卷對卷(roll-to-roll, RTR)製程中形成的鋰離子電池的品質。藉由工程設計孔隙度控制陽極的表面積增長，可提高日曆壽命，且減少循環中的阻抗增長。
本揭示案的實施例進一步係關於以下實例1-13中的任意一或多項：
1.一種製造合金陽極的方法，其包含使用平面流動熔體旋轉製程形成合金陽極，此製程包括在旋轉鑄造鼓的淬火表面上固化熔融材料；及對此合金陽極進行預鋰化表面處理。
2.一種製造合金陽極的方法，其包含使用平面流動熔體旋轉製程形成包含鋰的合金陽極，此製程包括在旋轉鑄造鼓的淬火表面上固化熔融材料；及在此合金陽極上沉積保護層。
3.一種製造合金陽極的方法，其包含使用平面流動熔體旋轉製程形成合金陽極；經由雷射鑽孔在此合金陽極中產生工程設計孔隙度；進行預鋰化表面處理；在此合金陽極上沉積保護層；及將此合金陽極層壓至集電器上。
4.如實例1-3中任一項所述之方法，其中此合金陽極包含矽、錫、鋁、鈦、碳、鐵、銅、其合金，或其任意組合。
5.如實例1-4中任一項所述之方法，其中此合金陽極為至少95%非晶的。
6.如實例1-5中任一項所述之方法，其進一步包含在此合金陽極中產生工程設計孔隙度。
7.如實例1-6中任一項所述之方法，其中產生工程設計孔隙度包括在此合金陽極中形成複數個孔、一或多個溝槽，或其組合。
8.如實例1-7中任一項所述之方法，其中此等孔及此等一或多個溝槽被雷射鑽入此合金陽極中。
9.如實例1-8中任一項所述之方法，其進一步包含在此合金陽極上沉積保護層。
10.如實例1-9任一項所述之方法，其中此保護層包含氟化鋰、碳、銀、鉍、鋅、銻、鋁、氧化銀、氧化鉍、氧化鋅、氧化銻、氧化鋁 、氧化矽、氧化矽鋰，或其任意組合中的一或多者。
11.如實例1-10中任一項所述之方法，其進一步包含將此合金陽極層壓至金屬集電器上。
12.如實例1-11中任一項所述之方法，其中在沉積此保護層之前層壓此合金陽極。
13.如實例1-12中任一項所述之方法，其中層壓此合金陽極發生在沉積此保護層之後。
雖然前述內容係關於本揭示案的實施例，但在不脫離其基本範疇的情況下可設計其他及進一步的實施例，且其範疇由所附發明申請專利範圍決定。本文所述的所有文件均藉由引用併入本文，包括與本文不矛盾的任何優先權文件及/或測試程序。自前述一般描述及具體實施例可清楚地看出，雖然已示出及描述了本揭示案的形式，但可在不背離本揭示案的精神及範疇的情況下進行各種修改。因此，本揭示案並不意在受此限制。同樣，每當組合物、元素或元素組前面帶有過渡片語「包含」時，應當理解，考慮了在組合物、元素或多個元素的敘述之前具有過渡片語「基本上由……組成」、「由……組成」、「選自由……組成的群組」或「為」的相同的組合物或元素組，反之亦然。
已使用一組數值最小值及一組數值最大值描述了某些實施例及特徵。應當理解，除非另有說明，預期範圍包括任何兩個值的組合，例如任何最小值與任何最大值的組合、任何兩個最小值的組合及/或任何兩個最大值的組合。某些最小值、最大值及範圍出現在以下一或多項請求項中。
100:熔融金屬塗佈系統
102:腔室主體
103:內部容積
104:隔板
104a:隔板
104b:隔板
106:退繞容積
107:處理容積
108:捲繞容積
109:通孔
109a:通孔
109b:通孔
120:退繞模組
122:連續可撓性基板
124:前表面
126:後表面
130:熔融金屬塗佈模組
132:第一沉積源佈置
132a:第一沉積源佈置
132b:第一沉積源佈置
134:第二沉積源佈置
134a:第二沉積源佈置
134b:第二沉積源佈置
136:第三沉積源佈置
136a:第三沉積源佈置
136b:第三沉積源佈置
138:可旋轉鑄造鼓
138a:可旋轉鑄造鼓
138b:可旋轉鑄造鼓
139:發動機
139a:發動機
139b:發動機
140:捲繞模組
142:行進路徑
144:淬火表面
144a:淬火表面
144b:淬火表面
146:剝離層沉積源佈置
146a:剝離層沉積源佈置
146b:剝離層沉積源佈置
148:吻輥
148a:吻輥
148b:吻輥
150:退繞輥
152:電動機/傳輸液體源池
152a:傳輸液體源池
152b:傳輸液體源池
160:捲繞輥
162:電動機
170:移除佈置
170a:移除佈置
170b:移除佈置
180:共用傳輸架構
182:輔助張力捲軸
182a:輔助張力捲軸
182b:輔助張力捲軸
182c:輔助張力捲軸
182d:輔助張力捲軸
190:系統控制器
192:中央處理單元
194:記憶體
196:支援電路
200:方法
210:操作
220:操作
230:操作
240:操作
250:操作
260:操作
270:操作
300:可撓性基板
301:合金陽極
302:鋰層
303:保護層
304:金屬集電器
305:工程設計化孔隙度
306:孔
307:溝槽
308:厚度
400:方法
401:操作
402:操作
403:操作
404:操作
405:操作
500:可撓性基板
501:合金陽極
503:保護層
504:金屬集電器
505:工程設計孔隙度
506:孔
507:溝槽
600:方法
601:操作
602:操作
603:操作
604:操作
605:操作
為了能夠詳細理解本揭示案的上述特徵，可藉由參考實施例來獲得上文簡要概括之本揭示案的更具體描述，此等實施例中的一些在隨附圖式中示出。然而，應當注意，隨附圖式僅示出示例性實施例，且因此不應被視為限制其範疇，且可允許其他等效的實施例。
第1圖描繪根據本文描述及討論的一或多個實施例之塗佈腔室的示意性橫截面圖。
第2圖為示出根據本文描述及討論的一或多個實施例之用於塗佈可撓性基板之方法的流程圖。
第3A圖描繪根據本文描述及討論的一或多個實施例之可撓性基板的示意性橫截面圖。
第3B圖描繪根據本文描述及討論的一或多個實施例之第3A圖之可撓性基板的示意性俯視圖。
第3C圖描繪根據本文描述及討論的一或多個實施例之第3A圖之可撓性基板之一部分的示意性橫截面圖。
第4圖為示出根據一或多個實施例之製造第3A-3C圖之可撓性基板之方法的流程圖。
第5A圖描繪根據本文描述及討論的一或多個實施例之可撓性基板的示意性橫截面圖。
第5B圖描繪根據本文描述及討論的一或多個實施例之第5A圖之可撓性基板的示意性俯視圖。
第6圖為示出根據本文描述及討論的一或多個實施例之製造第5A及5B圖之可撓性基板之方法的流程圖。
為了便於理解，在可能的情況下，使用相同的元件符號來指示附圖共有的相同元件。預期一個實施例的元件及特徵可有益地結合至其他實施例中而無需進一步敘述。
附圖中所示的許多細節、尺寸、角度及其他特徵僅僅是對特定實施例的說明。因此，在不脫離本揭示案的精神或範疇的情況下，其他實施例可具有其他細節、部件、尺寸、角度及特徵。此外，可在沒有以下描述之若干細節的情況下實施本揭示案的進一步實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
400:方法
401:操作
402:操作
403:操作
404:操作
405:操作
Claims (20)
- 一種製造合金陽極的方法，其包含以下步驟： 使用一平面流動熔體旋轉製程形成一合金陽極，該製程包含在一旋轉鑄造鼓的一淬火表面上固化一熔融材料；及 對該合金陽極進行一預鋰化表面處理。
- 如請求項1所述之方法，其中該合金陽極包含矽、錫、鋁、鈦、碳、鐵、銅、其合金，或其任意組合。
- 如請求項1所述之方法，其中該合金陽極為至少95%非晶的。
- 如請求項1所述之方法，其進一步包含以下步驟：在該合金陽極中產生工程設計孔隙度。
- 如請求項4所述之方法，其中產生工程設計孔隙度包含在該合金陽極中形成複數個孔、一或多個溝槽或其一組合。
- 如請求項5所述之方法，其中該等孔及該等一或多個溝槽經雷射鑽入該合金陽極中。
- 如請求項1所述之方法，其進一步包含以下步驟：在該合金陽極上沉積一保護層。
- 如請求項7所述之方法，其中該保護層包含氟化鋰、碳、銀、鉍、鋅、銻、鋁、氧化銀、氧化鉍、氧化鋅、氧化銻、氧化鋁、氧化矽、氧化矽鋰，或其任意組合中的一或多者。
- 如請求項1所述之方法，其進一步包含以下步驟：將該合金陽極層壓至一金屬集電器上。
- 一種製造合金陽極的方法，其包含以下步驟： 使用一平面流動熔體旋轉製程形成包含鋰的一合金陽極，該製程包含在一旋轉鑄造鼓的一淬火表面上固化一熔融材料；及 在該合金陽極上沉積一保護層。
- 如請求項10所述之方法，其進一步包含以下步驟：在該合金陽極上產生工程設計孔隙度。
- 如請求項11所述之方法，其中產生工程設計孔隙度之步驟包含以下步驟：进行一雷射鑽孔處理以在該合金陽極中形成複數個孔、一或多個溝槽或其一組合。
- 如請求項10所述之方法，其中該保護層包含氟化鋰、碳、銀、鉍、鋅、銻、鋁、氧化銀、氧化鉍、氧化鋅、氧化銻、氧化鋁、氧化矽、氧化矽鋰，或其任意組合中的一或多者。
- 如請求項10所述之方法，其進一步包含以下步驟：將該合金陽極層壓至一金屬集電器上。
- 如請求項14所述之方法，其中層壓該合金陽極在沉積該保護層之前發生。
- 如請求項15所述之方法，其中層壓該合金陽極在沉積該保護層之後發生。
- 一種製造合金陽極的方法，其包含以下步驟： 使用一平面流動熔體旋轉製程形成一合金陽極； 經由雷射鑽孔在該合金陽極中產生工程設計孔隙度； 進行一預鋰化表面處理； 在該合金陽極上沉積一保護層；及 將該合金陽極層壓至一集電器上。
- 如請求項17所述之方法，其中該合金陽極包含矽、錫、鋁、鈦、碳、鐵、銅、其合金，或其任意組合。
- 如請求項17所述之方法，其中產生工程設計孔隙度之步驟包含以下步驟：在該合金陽極中形成複數個孔、一或多個溝槽或其一組合。
- 如請求項17所述之方法，其中該保護層包含氟化鋰、碳、銀、鉍、鋅、銻、鋁、氧化銀、氧化鉍、氧化鋅、氧化銻、氧化鋁、氧化矽、氧化矽鋰，或其任意組合中的一或多者。
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