TW202249308A - 光半導體元件密封用片材 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種光半導體元件密封用片材，其對光半導體元件之密封性優異，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。 光半導體元件密封用片材1係用於對配置於基板5上之1個以上之光半導體元件6進行密封之片材。光半導體元件密封用片材1具備基材部2、及設置於基材部2之一個面上之密封部3。密封部3係用於密封光半導體元件6者，具有放射線非硬化性黏著劑層32、及放射線硬化性樹脂層31。放射線硬化性樹脂層31含有具有放射線聚合性官能基之聚合物。

Description

光半導體元件密封用片材
本發明係關於一種光半導體元件密封用片材。更具體而言，本發明係關於一種用於對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封之片材。
例如，已知液晶顯示裝置中所使用之背光裝置具有如下構造，該構造係在基板上配置有複數個LED(Light-Emitting Diode，發光二極體)，且藉由密封樹脂將上述複數個LED密封。作為使用上述密封樹脂將上述複數個LED一起密封之方法，已知有如下方法，即，使液狀樹脂流入至配置有複數個LED之區域，掩埋上述複數個LED，其後藉由熱或紫外線照射使液狀樹脂硬化(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-66390號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，使用液狀樹脂密封LED等光半導體元件之方法存在塗佈液狀樹脂時會引起滴液、液狀樹脂附著於非期望之區域等操作性較差之問題。
針對於此，業者認為，藉由不使用液狀樹脂，而採用具備用於密封光半導體元件之密封層之密封用片材之形式，可容易且以簡易之步驟並於短時間內密封光半導體元件。此處，重要的是，上述密封用片材對光半導體元件之密封性優異，且對光半導體元件或具備光半導體元件之基板之密接性優異以實現充分密封光半導體元件。
順便提及，隨著4K、8K等高畫質化，對更大畫面之圖像顯示裝置之需求正在增加。又，室外、公共設施等之廣告顯示或指示板等標牌中，大畫面圖像顯示裝置之利用亦不斷增加。然而，若製造大畫面之圖像顯示裝置，則會存在良率降低、製造成本上升之問題。為了以更低成本製造大畫面圖像顯示裝置，業界正在將複數個圖像顯示裝置等光半導體裝置排列成磚塊狀之拼貼型顯示器。當將複數個光半導體裝置排列成磚塊狀即拼貼時，於鄰接配置之光半導體裝置彼此發生位置偏移等之情形或需要重新排列之情形時，會進行位置修正。
此處，於在光半導體元件被密封用片材密封之狀態下拼貼光半導體裝置之情形時，為了進行位置修正，需要在拼貼時暫時拉開鄰接之光半導體裝置。然而，當拉開時，有時會產生如下等不良情況：一個光半導體裝置中之密封用片材與鄰接之另一個光半導體裝置中之密封用片材密接並相互吸引，導致一個光半導體裝置中之密封用片材產生缺損，一個密封用片材之一部分轉印並附著於另一個光半導體裝置。對光半導體元件或基板密接性優異之密封用片材特別容易產生此種不良情況。
本發明係基於此種情況而構思者，其目的在於提供一種光半導體元件密封用片材，其對光半導體元件之密封性優異，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人為了達成上述目的進行銳意研究，結果發現，藉由具備具有放射線非硬化性黏著劑層及放射線硬化性樹脂層之密封部且放射線硬化性樹脂層含有具有放射線聚合性官能基之聚合物之光半導體元件密封用片材，而使光半導體元件之密封性優異，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。本發明係基於該等見解而完成者。
即，本發明提供一種光半導體元件密封用片材，其係用於對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封之片材， 上述光半導體元件密封用片材具備基材部、及設置於上述基材部之一個面且用於密封上述光半導體元件之密封部； 上述密封部具有放射線非硬化性黏著劑層及放射線硬化性樹脂層，且 上述放射線硬化性樹脂層含有具有放射線聚合性官能基之聚合物。
如上所述，上述光半導體元件密封用片材具備使放射線非硬化性黏著劑層與放射線硬化性樹脂層積層而成之密封部。上述密封部係在上述光半導體元件密封用片材中密封光半導體元件之區域。並且上述放射線硬化性樹脂層含有具有放射線聚合性官能基之聚合物。存在於放射線硬化性樹脂層中之具有上述放射線聚合性官能基之聚合物不易自放射線硬化性樹脂層移行至積層於該層之放射線非硬化性黏著劑層。因此，當在光半導體元件之密封後進行放射線照射時，使放射線硬化性樹脂層充分硬化而降低密封用片材側面之密接性，並且可藉由抑制放射線非硬化性黏著劑層之非期望之硬化而使黏著力不易降低，發揮原本之密接性，使光半導體元件之密封性優異。藉此，光半導體元件之密封性優異，與此同時，在拼貼狀態下鄰接之光半導體裝置中之密封部之側面彼此之密接性較低，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起光半導體裝置側面中之片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。又，上述基材部成為上述密封部之支持體，藉由具備上述基材部而使上述光半導體元件密封用片材之操作性優異。又，藉由光半導體元件密封用片材密封光半導體元件來製作光半導體裝置，其後進行切割，此時可抑制切割部分之黏膩感，可製作外觀良好之光半導體裝置。
上述放射線硬化性樹脂層較佳為比上述放射線非硬化性黏著劑層更厚。藉由具有此種構成，相較於拼貼狀態下鄰接之光半導體裝置中之放射線非硬化性黏著劑層彼此之高密接性，鄰接之光半導體裝置中之放射線硬化性樹脂層在硬化後之低密接性成為主導，因此密封部彼此之密接性更低，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，更加不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。又，藉由光半導體元件密封用片材密封光半導體元件來製作光半導體裝置，其後進行切割，此時可進一步抑制切割部分之黏膩感，可製作外觀良好之光半導體裝置。
上述密封部亦可含有包含著色劑之層。藉由具有此種構成，當拼貼上述光半導體裝置並應用於顯示器時，可在使用光半導體裝置時抑制各光半導體元件所發出之光之混色，在不使用光半導體裝置時調整顯示器之外觀。
上述光半導體元件密封用片材較佳為具備具有防眩性及/或抗反射性之層。藉由具有此種構成，當拼貼上述光半導體裝置並應用於顯示器時，可抑制顯示器之光澤或光之反射，使顯示器之外觀變得良好。
上述光半導體元件密封用片材較佳為具備將聚酯系樹脂及/或聚醯亞胺系樹脂作為主成分之層。藉由具有此種構成，而使上述光半導體元件密封用片材之耐熱性優異，可在高溫環境下抑制光半導體元件密封用片材之熱膨脹，尺寸穩定性得到提高。又，由於可賦予作為片材之剛性，故而操作性或保持性得到提高。
在上述放射線硬化性樹脂層之硬化後截面中，在溫度23℃下利用奈米壓痕法測得之硬度較佳為1.4 MPa以上。藉由具有此種構成，而使上述放射線硬化性樹脂層在硬化後具有適度之硬度，當在拼貼狀態下將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，更加不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。
又，本發明提供一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之上述光半導體元件密封用片材之上述放射線硬化性樹脂層硬化而成之硬化物。此種光半導體裝置在上述放射線硬化性樹脂之硬化後，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。又，當切割時，可抑制切割部分之黏膩感，可製作外觀良好之光半導體裝置。
上述光半導體裝置亦可為液晶畫面之背光裝置。又，上述光半導體裝置亦可為自發光型顯示裝置。上述光半導體裝置由於當應用於具有顯示器之光半導體裝置時外觀良好，故而可較佳用作液晶畫面之背光裝置或自發光型顯示裝置。
又，本發明提供一種具備上述背光裝置及顯示面板之圖像顯示裝置。
又，本發明提供一種具備上述自發光型顯示裝置之圖像顯示裝置。 [發明之效果]
根據本發明之光半導體元件密封用片材，光半導體元件之密封性優異，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。因此，於光半導體裝置之拼貼後，於鄰接之光半導體裝置彼此發生位置偏移等之情形或需要重新排列之情形時，可無不良情況且容易地進行位置修正，可減輕光半導體裝置之損失，又，可經濟性良好地製造外觀良好之顯示器。
[光半導體元件密封用片材] 本發明之光半導體元件密封用片材至少具備基材部、及設置於上述基材部之一個面且用於密封光半導體元件之密封部。再者，於本說明書中，光半導體元件密封用片材係指用於對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封之片材。又，於本說明書中，「密封光半導體元件」係指將光半導體元件之至少一部分埋入至密封部內。
本發明之光半導體元件密封用片材除了具備上述基材部及上述密封部以外，亦可具備剝離襯墊。於該情形時，上述剝離襯墊貼合於上述密封部之與上述基材部相反一側之表面。剝離襯墊用作上述密封部之保護材，在密封光半導體元件時被剝離。再者，不是必須設置剝離襯墊。
又，本發明之光半導體元件密封用片材亦可在上述基材部表面(與上述密封部相反一側之表面)具備表面保護膜。例如於使用下述光學膜作為上述基材部之情形時，保護膜可在光學膜之使用前加以保護。再者，不是必須設置表面保護膜。
以下，對於本發明之光半導體元件密封用片材之一實施方式進行說明。圖1係表示本發明之光半導體元件密封用片材之一實施方式之剖面圖。如圖1所示，光半導體元件密封用片材1可用於對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封，且具備基材部2、密封部3及剝離襯墊4。密封部3設置於基材部2之一個面。剝離襯墊4貼附於密封部3之表面(與具有基材部2之側相反一側之表面)。換言之，光半導體元件密封用片材1依次具備基材部2、密封部3、及剝離襯墊4。基材部2為具有光學膜21及塑膠膜23之複層，光學膜21與塑膠膜23係經由黏著劑層22貼合。密封部3包含放射線硬化性樹脂層31及放射線非硬化性黏著劑層32。
上述光半導體元件密封用片材較佳為具備具有防眩性及/或抗反射性之層。藉由具有此種構成，當拼貼上述光半導體裝置並應用於顯示器時，可抑制顯示器之光澤或光之反射，使顯示器之外觀變得良好。作為上述上述具有防眩性之層，可例舉防眩處理層。作為上述具有抗反射性之層，可例舉抗反射處理層。防眩處理及抗反射處理可分別藉由公知或慣用之方法實施。上述具有防眩性之層及上述具有抗反射性之層可為同一層，亦可為互不相同之層。上述具有防眩性及/或抗反射性之層可僅具有一層，亦可具有兩層以上。
上述具有防眩性及/或抗反射性之層可為上述基材部中所包含之層、上述密封部中所包含之層、或上述基材部及上述密封部中都不包含之其他任一層，較佳為上述基材部及/或上述密封部中所包含之層，更佳為上述基材部中所包含之層。
上述光半導體元件密封用片材較佳為具備將聚酯系樹脂及/或聚醯亞胺系樹脂作為主成分(構成樹脂中之質量比率最高之成分)之層。藉由具有此種構成，而使上述光半導體元件密封用片材之耐熱性優異，在高溫環境下可抑制光半導體元件密封用片材之熱膨脹，尺寸穩定性得到提高。又，由於可賦予作為片材之剛性，故而操作性或保持性得到提高。將上述聚酯系樹脂及/或聚醯亞胺系樹脂作為主成分之層可僅具有一層，亦可具有兩層以上。
將上述聚酯系樹脂及/或聚醯亞胺系樹脂作為主成分之層可為上述基材部中所包含之層、上述密封部中所包含之層、或上述基材部及上述密封部中都不包含之其他任一層，較佳為上述基材部及/或上述密封部中所包含之層，更佳為上述基材部中所包含之層。
＜密封部＞ 上述密封部具備具有藉由放射線照射而硬化之性質之樹脂層(放射線硬化性樹脂層)及不具有藉由放射線照射而硬化之性質之黏著劑層(放射線非硬化性黏著劑層)。
(放射線硬化性樹脂層) 上述放射線硬化性樹脂層至少包含具有放射線聚合性官能基之聚合物。存在於放射線硬化性樹脂層中之具有上述放射線聚合性官能基之聚合物不易自放射線硬化性樹脂層移行至積層於該層之放射線非硬化性黏著劑層。因此，當在光半導體元件之密封後進行放射線照射時，使放射線硬化性樹脂層充分硬化而降低密封用片材側面之密接性，並且可藉由抑制放射線非硬化性黏著劑層之非期望之硬化而使黏著力不易降低，發揮原本之密接性，使光半導體元件之密封性優異。藉此，光半導體元件之密封性優異，與此同時，在拼貼狀態下鄰接之光半導體裝置中之密封部之側面彼此之密接性較低，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起光半導體裝置側面中之片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。
另一方面，於使用包含不具有放射線聚合性之聚合物作為基礎聚合物且使用具有放射線聚合性之單體或低聚物作為硬化性成分的先前之放射線硬化性樹脂層之情形時，具有上述放射線聚合性之單體或低聚物容易移行至積層之放射線非硬化性黏著劑層。於該情形時，即便使減少了硬化性成分之此種放射線硬化性樹脂層硬化，硬化亦不充分，不易降低密封用片材側面之密接性，且無法充分降低側面之黏膩。又，侵入有硬化性成分之放射線非硬化性黏著劑層在放射線照射時會產生非期望之硬化，使黏著力降低，無法發揮原本之密接性，結果造成光半導體元件之密封性變差。
又，藉由光半導體元件密封用片材密封光半導體元件來製作光半導體裝置，其後進行切割，此時可抑制切割部分之黏膩感，可製作外觀良好之光半導體裝置。進而，於使用先前之放射線硬化性樹脂層之情形時，具有上述放射線聚合性之單體或低聚物在放射線硬化性樹脂層內之相容性較低，硬化後之透明性較差。針對於此，由於本發明之光半導體元件密封用片材具備上述放射線硬化性樹脂層，故而在硬化後，透明性優異。
上述放射線硬化性樹脂層較佳為具有黏著性之樹脂層即放射線硬化性黏著劑層。藉由具有此種構成，當密封光半導體元件時，可容易地埋入光半導體元件，又，於放射線硬化前，對基材部、放射線非硬化性黏著劑層或光半導體元件之密接性優異，光半導體元件之密封性更加優異。作為上述放射線，例如可例舉：電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、X射線等活性能量線。其中，較佳為紫外線。
上述放射線硬化性樹脂層較佳為包含具有上述放射線聚合性官能基之聚合物作為基礎聚合物(即，含有比率最高之聚合物)。上述放射線硬化性樹脂層中之具有上述放射線聚合性官能基之聚合物之含有比率相對於上述放射線硬化性樹脂層之總量100質量%較佳為50質量%以上(例如，50～100質量%)，更佳為80質量%以上(例如，80～100質量%)，進而較佳為90質量%以上(例如，90～100質量%)。若上述含有比率為50質量%以上，則放射線硬化性樹脂層之硬化性更加優異，藉由放射線照射而更加降低側面之黏著性。又，使光半導體元件密封用片材之透明性更加優異。
作為上述放射線聚合性官能基，可例舉：乙烯性不飽和基等包含碳-碳不飽和鍵之基等放射線自由基聚合性基、或放射線陽離子聚合性基等。作為上述包含碳-碳不飽和鍵之基，例如可例舉：乙烯基、丙烯基、異丙烯基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基等。作為上述放射線陽離子聚合性基，可例舉：環氧基、氧雜環丁烷基、氧雜環戊烷基等。其中，較佳為包含碳-碳不飽和鍵之基，更佳為丙烯醯基、甲基丙烯醯基。上述放射線聚合性官能基可僅為一種，亦可為兩種以上。上述放射線聚合性官能基之位置可為聚合物側鏈、聚合物主鏈中、聚合物主鏈末端之任一者。
具有上述放射線聚合性官能基之聚合物例如可藉由如下方法而製作，即，使具有反應性官能基(第1官能基)之聚合物、與具有可與上述第1官能基之間產生反應而形成鍵之官能基(第2官能基)及上述放射線聚合性官能基之化合物在維持上述放射線聚合性官能基之放射線聚合性之情況下發生反應而鍵結。因此，具有上述放射線聚合性官能基之聚合物較佳為包含來自具有上述第1官能基之聚合物之結構部、及來自具有上述第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之結構部。
作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，例如可例舉：羧基與環氧基、環氧基與羧基、羧基與氮丙啶基、氮丙啶基與羧基、羥基與異氰酸酯基、異氰酸酯基與羥基等。該等之中，就追蹤反應之容易性之觀點而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合、異氰酸酯基與羥基之組合。上述組合可僅為一種，亦可為兩種以上。
作為具有上述放射線聚合性官能基之聚合物即具有上述第1官能基之聚合物，例如可例舉：丙烯酸系聚合物、胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、環氧系樹脂、環氧丙烯酸酯系樹脂、氧雜環丁烷系樹脂、矽酮樹脂、矽酮丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂等。其中，較佳為丙烯酸系聚合物。上述聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系聚合物係包含來自丙烯酸系單體(分子中具有(甲基)丙烯醯基之單體成分)之構成單元作為聚合物之構成單元的聚合物。上述丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系聚合物較佳為以最多之質量比率包含來自(甲基)丙烯酸酯之構成單元之聚合物。再者，於本說明書中，「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸」及/或「甲基丙烯酸」(「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」中之任一者或兩者)，其他亦相同。
作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯中之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可例舉：具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯、具有(甲基)丙烯酸環烷基酯等脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯、具有(甲基)丙烯酸芳基酯等芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯等。可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，其中，較佳為具有碳數1～20(較佳為1～14，更佳為2～10，進而較佳為2～8)之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯。若上述碳數為上述範圍內，則容易調整上述丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度，容易使放射線硬化性樹脂層之黏著性變得更加適當。
作為具有上述脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸環庚酯、(甲基)丙烯酸環辛酯等具有一環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸異𦯉酯等具有二環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊基氧基乙酯、(甲基)丙烯酸三環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯等具有三環以上之脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯等。其中，較佳為具有一環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯，更佳為(甲基)丙烯酸環己酯。
作為具有上述芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
作為具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可例舉：上述含烴基之(甲基)丙烯酸酯中之烴基中之1個以上之氫原子被取代成烷氧基者，例如可例舉：(甲基)丙烯酸2-甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基丁酯等。
作為可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，其中，較佳為包含具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯，進而更佳為包含具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯。於該情形時，放射線硬化性樹脂層之黏著性之平衡良好，光半導體元件之密封性更加優異。
為了在放射線硬化性樹脂層中適當表現由可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所得之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分中，可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為40莫耳%以上，更佳為50莫耳%以上。又，關於上述比率，就可與其他單體成分共聚而獲得該其他單體成分之效果之觀點而言，上述比率較佳為95莫耳%以下，更佳為80莫耳%以下。
於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分中，具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為30莫耳%以上，更佳為40莫耳%以上。又，上述比率較佳為90莫耳%以下，更佳為70莫耳%以下。
於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分中，具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為1莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。又，上述比率較佳為30莫耳%以下，更佳為20莫耳%以下。
關於上述丙烯酸系聚合物，以導入上述第1官能基為目的、或以凝集力、耐熱性等之改質為目的，上述丙烯酸系聚合物亦可包含來自可與可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯共聚之其他單體成分之構成單元。作為上述其他單體成分，例如可例舉：含羧基之單體、酸酐單體、含羥基之單體、含縮水甘油基之單體、含磺酸基之單體、含磷酸基之單體、含氮原子之單體等含極性基之單體等。上述其他單體成分可分別僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述含羧基之單體，例如可例舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。作為上述酸酐單體，例如可例舉：順丁烯二酸酐、伊康酸酐等。
作為上述含羥基之單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等。
作為上述含縮水甘油基之單體，例如可例舉：(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等。
作為上述含磺酸基之單體，例如可例舉：苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等。
作為上述含磷酸基之單體，例如可例舉：2-羥乙基丙烯醯基磷酸酯等。
作為上述含氮原子之單體，例如可例舉：(甲基)丙烯醯𠰌啉等含𠰌啉基之單體、(甲基)丙烯腈等含氰基之單體、(甲基)丙烯醯胺等含醯胺基之單體等。
較佳為包含含羥基之單體作為構成上述丙烯酸系聚合物之上述含極性基之單體。藉由使用含羥基之單體，而容易導入第1官能基。又，丙烯酸系聚合物及放射線硬化性樹脂層之耐水性優異，於光半導體元件密封用片材用於高濕度之環境下之情形時，亦不易變濁，耐白化性優異。
作為上述含羥基之單體，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯，更佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
為了在放射線硬化性樹脂層中適當表現由可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所得之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分(100莫耳%)中，上述含極性基之單體之比率較佳為5～50莫耳%，更佳為10～40莫耳%。特別是，就放射線硬化性樹脂層之耐水性亦更加優異之觀點而言，含羥基之單體之比率較佳為上述範圍內。
上述丙烯酸系聚合物為了在其聚合物骨架中形成交聯結構，亦可包含來自可與構成丙烯酸系聚合物之單體成分共聚之多官能(甲基)丙烯酸酯之構成單元。作為上述多官能(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。上述多官能(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
為了在放射線硬化性樹脂層中適當表現由可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所得之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分(100莫耳%)中，上述多官能(甲基)丙烯酸酯之比率較佳為40莫耳%以下，更佳為30莫耳%以下。
作為上述第1官能基與上述第2官能基之組合，其中，製作具有較高反應性之異氰酸酯基之聚合物在技術上難度較高，另一方面，就具有羥基之丙烯酸系聚合物之製作及獲取之容易性之觀點而言，較佳為上述第1官能基為羥基且上述第2官能基為異氰酸酯基之組合。
作為具有上述放射性聚合性官能基及異氰酸酯基之化合物，可例舉：甲基丙烯醯異氰酸酯、異氰酸2-丙烯醯氧基乙酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等。上述化合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
關於具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物中的來自具有上述第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之結構部之含量，就可進一步進行放射線硬化性樹脂層之硬化之觀點而言，相對於來自具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之結構部之總量100莫耳，具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物中的來自具有上述第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之結構部之含量較佳為0.5莫耳以上，更佳為1莫耳以上，進而較佳為3莫耳以上，進而較佳為10莫耳以上。上述含量例如為100莫耳以下。
關於具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物中的上述第2官能基相對於上述第1官能基之莫耳比[第2官能基/第1官能基]，就可進一步進行放射線硬化性樹脂層之硬化之觀點而言，具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物中的上述第2官能基相對於上述第1官能基之莫耳比[第2官能基/第1官能基]較佳為0.01以上，更佳為0.05以上，進而較佳為0.2以上，尤佳為0.4以上。又，關於上述莫耳比，就更加減少放射線硬化性樹脂層中之低分子量物質之觀點而言，上述莫耳比較佳為未達1.0，更佳為0.9以下。
具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物例如可藉由如下方法而製作，即，使包含具有第1官能基之單體成分之原料單體聚合(共聚)而獲得具有第1官能基之丙烯酸系聚合物，其後，使具有上述第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物在維持放射線聚合性官能基之放射線聚合性之情況下與丙烯酸系聚合物發生縮合反應或加成反應。
具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物可藉由使上述各種單體成分聚合而獲得。作為該聚合方法，例如可例舉：溶液聚合方法、乳化聚合方法、塊狀聚合方法、利用活性能量線照射所進行之聚合方法(活性能量線聚合方法)等。又，所獲得之丙烯酸系聚合物可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等任一種，並無特別限定。
當單體成分聚合時，可使用各種通常溶劑。作為上述溶劑，例如可例舉：乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯類；甲苯、苯等芳香族烴類；正己烷、正庚烷等脂肪族烴類；環己烷、甲基環己烷等脂環式烴類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等有機溶劑。上述溶劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
單體成分之自由基聚合所使用之聚合起始劑、鏈轉移劑、乳化劑等不受特別限定，可適當選擇而使用。再者，丙烯酸系聚合物之重量平均分子量可根據聚合起始劑、鏈轉移劑之使用量、反應條件而控制，可根據其等之種類而調整為其適當之使用量。
作為單體成分之聚合所使用之聚合起始劑，可根據聚合反應之種類而使用熱聚合起始劑或光聚合起始劑(光起始劑)等。上述聚合起始劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述熱聚合起始劑，例如可例舉：偶氮系聚合起始劑、過氧化物系聚合起始劑、氧化還原系聚合起始劑等，並無特別限定。相對於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分之總量100質量份，上述熱聚合起始劑之使用量較佳為1質量份以下，更佳為0.005～1質量份，進而較佳為0.02～0.5質量份。
作為上述光聚合起始劑，例如可例舉：安息香醚系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、安息香系光聚合起始劑、二苯基乙二酮系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、縮酮系光聚合起始劑、9-氧硫𠮿
Figure 111106736-001
系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、二茂鈦系光聚合起始劑等。其中，較佳為苯乙酮系光聚合起始劑。
作為上述苯乙酮系光聚合起始劑，例如可例舉：2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-(第三丁基)二氯苯乙酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、甲氧基苯乙酮等。
相對於構成具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物之總單體成分之總量100質量份，上述光聚合起始劑之使用量較佳為0.005～1質量份，更佳為0.01～0.7質量份，進而較佳為0.18～0.5質量份。若上述使用量為0.005質量份以上(特別是0.18質量份以上)，則有容易將丙烯酸系聚合物之分子量控制得較小，放射線硬化性樹脂層之殘留應力變高，階差吸收性變得更加良好之傾向。
關於具有上述第1官能基之丙烯酸系聚合物與具有上述第2官能基及放射線聚合性官能基之化合物之反應，例如，可在溶劑中，在觸媒之存在下攪拌進行。作為上述溶劑，可例舉上述者。上述觸媒可根據第1官能基及第2官能基之組合而適當選擇。上述反應中之反應溫度例如為5～100℃，反應時間例如為1～36小時。
具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物可具有來自交聯劑之結構部。例如，可使上述丙烯酸系聚合物交聯，更加減少放射線硬化性樹脂層中之低分子量物質。又，可提高丙烯酸系聚合物之重量平均分子量。再者，上述交聯劑係使除放射線聚合性官能基以外之官能基彼此(例如，第1官能基彼此、第2官能基彼此、或第1官能基與第2官能基)交聯者。上述交聯劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述交聯劑，例如可例舉：異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑、矽酮系交聯劑、矽烷系交聯劑等。作為上述交聯劑，其中，就對光半導體元件之密接性優異之觀點、雜質離子較少之觀點而言，較佳為異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑，更佳為異氰酸酯系交聯劑。
作為上述異氰酸酯系交聯劑(多官能異氰酸酯化合物)，例如可例舉：1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族聚異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族聚異氰酸酯類；2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等芳香族聚異氰酸酯類等。又，作為上述異氰酸酯系交聯劑，例如亦可例舉：三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯加成物、三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯加成物、三羥甲基丙烷/苯二甲基二異氰酸酯加成物等。
關於來自上述交聯劑之結構部之含量，相對於具有上述放射線聚合性官能基之丙烯酸系聚合物的除來自上述交聯劑之結構部以外之總量100質量份，來自上述交聯劑之結構部之含量較佳為含有5質量份以下，更佳為0.001～5質量份，進而較佳為0.01～3質量份，並無特別限定。
上述放射線硬化性樹脂層亦可於不損害本發明之效果之範圍內包含除具有上述放射線聚合性官能基之聚合物以外之其他成分。作為上述其他成分，可例舉：交聯促進劑、黏著賦予樹脂(松香衍生物、聚萜烯樹脂、石油樹脂、油溶性酚等)、低聚物、抗老化劑、填充劑(金屬粉、有機填充劑、無機填充劑等)、著色劑(顏料或染料等)、抗氧化劑、塑化劑、軟化劑、界面活性劑、抗靜電劑、表面潤滑劑、整平劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、聚合抑制劑、粒狀物、箔狀物等。上述其他成分可分別僅使用一種，亦可使用兩種以上。
(放射線非硬化性黏著劑層) 作為形成上述放射線非硬化性黏著劑層之黏著劑，可使用不具有放射線硬化性即不含有具有放射線硬化性之化合物的公知或慣用之感壓型黏著劑。但，可少量含有自所積層之其他層移行而侵入之不可避免之具有放射線硬化性之化合物。作為上述黏著劑，例如可例舉：丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑(天然橡膠系、合成橡膠系、該等之混合系等)、矽酮系黏著劑、聚酯系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚醚系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、氟系黏著劑等。其中，作為構成放射線非硬化性黏著劑層之黏著劑，就密接性、耐候性、成本、黏著劑之設計容易性之方面而言，較佳為丙烯酸系黏著劑。上述放射線非硬化性黏著劑層較佳為包含丙烯酸系黏著劑之丙烯酸系黏著劑層。上述黏著劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系黏著劑層含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物。上述丙烯酸系聚合物係包含丙烯酸系單體作為構成聚合物之單體成分之聚合物。即，上述丙烯酸系聚合物包含來自丙烯酸系單體之構成單元。再者，丙烯酸系聚合物可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系黏著劑層中之上述丙烯酸系聚合物之含有比率相對於上述黏著劑層之總量100質量%，較佳為50質量%以上(例如，50～100質量%)，更佳為80質量%以上(例如，80～100質量%)，進而較佳為90質量%以上(例如，90～100質量%)，並無特別限定。若上述含有比率為50質量%以上，則光半導體元件密封用片材之透明性更加優異。
作為上述丙烯酸系聚合物，較佳為將(甲基)丙烯酸烷基酯作為必須之單體成分所構成(形成)之聚合體。即，上述丙烯酸系聚合物較佳為包含(甲基)丙烯酸烷基酯作為構成單元。
作為上述(甲基)丙烯酸酯，例如可例舉：可具有烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯。作為可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯中之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，可例舉：具有上述直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯、具有上述脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯、具有上述芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯等。可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
作為上述(甲基)丙烯酸烷基酯，其中，較佳為具有碳數1～20(較佳為1～14，更佳為2～10，進而較佳為2～8)之直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯。若上述碳數為上述範圍內，則容易調整上述丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度，容易使放射線非硬化性黏著劑層之黏著性變得更加適當。
作為具有上述脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯，其中，較佳為具有一環式脂肪族烴環之(甲基)丙烯酸酯，更佳為(甲基)丙烯酸環己酯。
作為可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯，其中，較佳為包含具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯，進而更佳為包含具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯。於該情形時，放射線非硬化性黏著劑層之黏著性之平衡良好，光半導體元件之密封性更加優異。
為了在放射線非硬化性黏著劑層中適當表現由可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所得之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分中，可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為40莫耳%以上，更佳為50莫耳%以上。又，關於上述比率，就可使其他單體成分共聚而獲得該其他單體成分之效果之觀點而言，上述比率較佳為95莫耳%以下，更佳為80莫耳%以下。
於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分中，具有直鏈狀或支鏈狀之脂肪族烴基之(甲基)丙烯酸烷基酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為30莫耳%以上，更佳為40莫耳%以上。又，上述比率較佳為90莫耳%以下，更佳為70莫耳%以下。
於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分中，具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯之比率相對於上述總單體成分之總量(100莫耳%)較佳為1莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。又，上述比率較佳為30莫耳%以下，更佳為20莫耳%以下。
關於上述丙烯酸系聚合物，以凝集力、耐熱性等之改質為目的，上述丙烯酸系聚合物亦可包含來自上述含極性基之單體等上述其他單體成分之構成單元。上述其他單體成分可分別僅使用一種，亦可使用兩種以上。
較佳為包含含羥基之單體作為構成上述丙烯酸系聚合物之上述含極性基之單體。於該情形時，丙烯酸系聚合物及放射線非硬化性黏著劑層之耐水性優異，於光半導體元件密封用片材用於高濕度之環境下之情形時，亦不易變濁，耐白化性優異。
作為上述含羥基之單體，較佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯，更佳為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
為了在放射線非硬化性黏著劑層中適當表現由可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所得之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100莫耳%)中，上述含極性基之單體之比率較佳為5～50莫耳%，更佳為10～40莫耳%。特別是，就放射線非硬化性黏著劑層之耐水性亦更加優異之觀點而言，含羥基之單體之比率較佳為上述範圍內。
上述丙烯酸系聚合物為了在其聚合物骨架中形成交聯結構，亦可包含來自可與構成丙烯酸系聚合物之單體成分共聚之多官能性單體之構成單元。作為上述多官能性單體，可例舉：除上述多官能(甲基)丙烯酸酯以外之環氧(甲基)丙烯酸酯(例如，聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯)、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等分子內具有(甲基)丙烯醯基及其他反應性官能基之單體等。上述多官能性單體可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
為了在放射線非硬化性黏著劑層中適當表現由可具有上述烷氧基之含烴基之(甲基)丙烯酸酯所得之黏著性或對光半導體元件之密接性等基本特性，於構成上述丙烯酸系聚合物之總單體成分(100莫耳%)中，上述多官能性單體之比率較佳為40莫耳%以下，更佳為30莫耳%以下。
上述丙烯酸系聚合物亦可具有來自上述交聯劑之結構部。例如，可使上述丙烯酸系聚合物交聯，更加減少放射線硬化性樹脂層中之低分子量物質。又，可提高丙烯酸系聚合物之重量平均分子量。上述交聯劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述丙烯酸系聚合物可藉由與上述具有第1官能基之丙烯酸系聚合物相同之方法來製作。
上述丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為10萬～300萬，更佳為20萬～250萬，並無特別限定。若上述重量平均分子量為上述範圍內，則放射線非硬化性黏著劑層之黏著性之平衡良好，光半導體元件之密封性更加優異。再者，上述重量平均分子量係指藉由凝膠滲透層析法(GPC)進行測定，藉由聚苯乙烯換算所算出之值。
上述放射線非硬化性黏著劑層亦可於不損害本發明之效果之範圍內包含除上述基礎聚合物以外之其他成分。作為上述其他成分，可例舉：作為上述放射線硬化性樹脂層可包含之其他成分所例示及說明者。上述其他成分可分別僅使用一種，亦可使用兩種以上。
(密封部) 於上述密封部中，上述放射線非硬化性黏著劑層與上述放射線硬化性樹脂層積層。上述放射線非硬化性黏著劑層與上述放射線硬化性樹脂層可不經由其他層直接積層，亦可經由其他層積層。於上述密封部具有使上述放射線非硬化性黏著劑層與上述放射線硬化性樹脂層直接積層而成之構造之情形時，上述放射線硬化性樹脂層中之具有上述放射線聚合性官能基之聚合物亦不易移行至上述放射線非硬化性黏著劑層，因此本發明之光半導體元件密封用片材對光半導體元件之密封性優異，又，在硬化後可抑制側面之黏膩。
上述放射線非硬化性黏著劑層及上述放射線硬化性樹脂層可分別為單層，亦可為相同或者組成或厚度等不同之複層。於上述密封部具有上述放射線非硬化性黏著劑層及上述放射線硬化性樹脂層中之至少一者複數個之情形時，複數個層可連續積層，亦可經由其他層積層。
上述密封層較佳為在當密封光半導體元件時成為光半導體元件側之密封部表面具有上述放射線非硬化性黏著劑層。具體而言，上述放射線非硬化性黏著劑層較佳為位於當密封光半導體元件時成為光半導體元件側之光半導體元件密封用片材表面(於具備剝離襯墊之情形時，去除了剝離襯墊後之片材表面)。於上述放射線非硬化性黏著劑層位於上述表面之情形時，當上述光半導體元件密封用片材密封光半導體元件時，與上述放射線非硬化性黏著劑層之光半導體元件及基板直接密接，光半導體元件之密封性優異。
上述放射線硬化性樹脂層較佳為比上述放射線非硬化性黏著劑層更厚。藉由具有此種構成，相較於拼貼狀態下鄰接之光半導體裝置中之放射線非硬化性黏著劑層彼此之高密接性，鄰接之光半導體裝置中之放射線硬化性樹脂層在硬化後之低密接性成為主導，因此密封部彼此之密接性更低，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，更加不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。又，藉由光半導體元件密封用片材密封光半導體元件來製作光半導體裝置，其後進行切割，此時可進一步抑制切割部分之黏膩感，可製作外觀良好之光半導體裝置。再者，於具有複數個上述放射線硬化性樹脂層或上述放射線非硬化性黏著劑層之情形時，上述厚度為複層之合計厚度(總厚度)。
上述放射線硬化性樹脂層之厚度(總厚度)較佳為在構成上述光半導體元件密封用片材之所有層中最厚。特別是，上述光半導體元件密封用片材較佳為具備放射線硬化性樹脂層，其1層之厚度在構成上述光半導體元件密封用片材之所有層中最厚。再者，將相同組成之複數個層直接積層而成之層視為1個層。又，於具有2個以上之最厚之層之情形時，任一層均屬於最厚之層。
例如，於圖1所示之光半導體元件密封用片材1中，密封部3包含放射線硬化性樹脂層31及放射線非硬化性黏著劑層32。放射線硬化性樹脂層31在密封部3內位於基材部2側。放射線非硬化性黏著劑層32在密封部3內位於光半導體元件側表面，又，位於去除了剝離襯墊4後之光半導體元件密封用片材1之與基材部2相反一側之表面。放射線硬化性樹脂層31比放射線非硬化性黏著劑層32更厚，又，於密封部3內及光半導體元件密封用片材1內為最厚之層。
上述放射線硬化性樹脂層之厚度(總厚度)較佳為20～800 μm，更佳為30～700 μm，進而較佳為50～600 μm。若上述厚度為20 μm以上，則當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，更加不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。若上述厚度為800 μm以下，則可使密封部之厚度變薄，可使光半導體裝置變得更薄。
相對於光半導體元件密封用片材之總厚度(其中，剝離襯墊及表面保護膜除外)100%，上述放射線硬化性樹脂層之厚度(總厚度)之比率較佳為5～90%，更佳為10～85%，進而較佳為40～80%。若上述比率為5%以上，則當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，更加不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。若上述厚度為90%以下，則可使密封部之厚度變薄，可使光半導體裝置變得更薄。
上述放射線硬化性樹脂層在硬化後層截面中，在溫度23℃下利用奈米壓痕法測得之硬度較佳為1.2 MPa以上，更佳為1.4 MPa以上，進而較佳為2.0 MPa以上，進而較佳為15.0 MPa以上，尤佳為50.0 MPa以上。關於上述利用奈米壓痕法測得之硬度，當將壓頭壓入至對象表面時，在負荷時及卸載時連續測定對壓頭之負荷荷重及壓入深度，根據所獲得之負荷荷重-壓入深度曲線而求出上述利用奈米壓痕法測得之硬度。若上述硬度為1.2 MPa以上，則上述放射線硬化性樹脂層在硬化後具有適度之硬度，當在拼貼狀態下將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，更加不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。
上述放射線硬化性樹脂層在硬化前層截面中，在溫度23℃下利用奈米壓痕法測得之硬度較佳為未達1.4 MPa，更佳為1.3 MPa以下，進而較佳為1.2 MPa以下。若上述硬度未達1.4 MPa，則上述放射線硬化性樹脂層在硬化前相對柔軟，密封光半導體元件時之密封性更加優異。
關於上述放射線硬化性樹脂層之層截面中在溫度23℃下利用奈米壓痕法測得之硬度，硬化後相對於硬化前之比[硬化後/硬化前]較佳為1.0以上，更佳為1.3以上，進而較佳為5.0以上，尤佳為10.0以上。若上述比為1.3以上，則在上述放射線硬化性樹脂層之硬化前，密封部對光半導體元件之密封性更加優異，且在硬化後可更加抑制側面之黏膩。
上述放射線硬化性樹脂層在硬化後之厚度方向截面之算術平均高度Sa較佳為85 μm以下，更佳為70 μm以下，進而較佳為40 μm以下，進而較佳為10 μm以下，進而較佳為4 μm以下，尤佳為1 μm以下。若上述算術平均高度Sa為85 μm以下，則作為所露出之放射線硬化性樹脂層之硬化後之層的硬化密封層側面之表面粗糙度較小，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，更加不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。
位於上述光半導體元件密封用片材之表面(即，上述密封部之表面)之放射線非硬化性黏著劑層之厚度較佳為1 μm以上，更佳為4 μm以上，進而較佳為15 μm以上。若上述厚度為1 μm以上，則光半導體元件密封用片材對光半導體元件或基板之密接性更加優異。上述厚度較佳為500 μm以下，更佳為300 μm以下，進而較佳為200 μm以下。若上述厚度為500 μm以下，則當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，更加不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。又，當切割光半導體裝置時，可進一步抑制切割部分之黏膩感，可製作外觀良好之光半導體裝置。
上述密封部亦可具有除上述放射線硬化性樹脂層及上述放射線非硬化性黏著劑層以外之其他層。其中，相對於上述密封部之厚度100%，上述放射線硬化性樹脂層及上述放射線非硬化性黏著劑層之合計厚度之比率較佳為70%以上，更佳為80%以上，進而較佳為90%以上，尤佳為96%以上。
上述密封部亦可含有包含著色劑之層。藉由具有此種構成，當拼貼上述光半導體裝置並應用於顯示器時，可在使用光半導體裝置時抑制各光半導體元件所發出之光之混色，在不使用光半導體裝置時調整顯示器之外觀。上述包含著色劑之層可僅具有一層，亦可具有兩層以上。
上述包含著色劑之層可為上述放射線硬化性樹脂層、上述放射線非硬化性黏著劑層、及除該等以外之其他層，較佳為上述放射線硬化性樹脂層及/或上述放射線非硬化性黏著劑層為包含著色劑之層，更佳為上述放射線非硬化性黏著劑層為包含著色劑之層。
作為上述著色劑，較佳為黑系著色劑。作為上述黑系著色劑，可使用公知或慣用之用於呈現黑色之著色劑(顏料、染料等)，例如可例舉：碳黑(爐黑、槽黑、乙炔黑、熱碳黑、燈黑、松煙等)、石墨、氧化銅、二氧化錳、苯胺黑、苝黑、鈦黑、花青黑、活性碳、鐵氧體(非磁性鐵氧體、磁性鐵氧體等)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻錯合物、蒽醌系著色劑、氮化鋯等。黑系著色劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。又，亦可使用如下著色劑，即，組合並調配呈現除黑色以外之色之著色劑來作為黑系著色劑發揮作用。
＜基材部＞ 上述基材部成為上述密封部之支持體，藉由具備上述基材部，而使上述光半導體元件密封用片材之操作性優異。上述基材部可為單層，可為相同或者組成或厚度等不同之複層。於上述基材部為複層之情形時，各層可藉由黏著劑層等其他層而貼合。再者，當使用光半導體元件密封用片材密封光半導體元件時，基材部中所使用之基材層係與密封部一起貼附於具備光半導體元件之基板之部分，光半導體元件密封用片材使用時(貼附時)所剝離之剝離襯墊、或僅保護基材部表面之表面保護膜不包含在「基材部」中。
作為構成上述基材部之基材層，例如可例舉：玻璃或塑膠基材(特別是塑膠膜)等。作為構成上述塑膠基材之樹脂，例如可例舉：低密度聚乙烯、直鏈狀低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯、離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯共聚物、環烯系聚合物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等聚烯烴樹脂；聚胺基甲酸酯；聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)等聚酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺系樹脂；聚醚醚酮；聚醚醯亞胺；芳香族聚醯胺、全芳香族聚醯胺等聚醯胺；聚苯硫醚；氟樹脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；三乙醯纖維素(TAC)等纖維素樹脂；矽酮樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系樹脂；聚碸；聚芳酯；聚乙酸乙烯酯等。上述樹脂可僅使用一種，亦可使用兩種以上。
上述基材層可為抗反射(AR)膜、偏光板、相位差板等各種光學膜。於上述基材部具有光學膜之情形時，上述光半導體元件密封用片材可直接應用於光學構件。
上述塑膠膜較佳為包含聚酯系樹脂及/或聚醯亞胺系樹脂作為主成分(構成樹脂中之質量比率最高之成分)。藉由具有此種構成，而使上述光半導體元件密封用片材之耐熱性優異，在高溫環境下可抑制光半導體元件密封用片材之熱膨脹，尺寸穩定性得到提高。又，由於可賦予作為片材之剛性，故而操作性或保持性得到提高。
上述塑膠膜之厚度較佳為20～200 μm，更佳為40～150 μm。若上述厚度為20 μm以上，則更加提高光半導體元件密封用片材之支持性及操作性。若上述厚度為200 μm以下，則可使光半導體元件密封用片材之厚度變薄，可使光半導體裝置變得更薄。
上述基材部較佳為包含將聚酯系樹脂及/或聚醯亞胺系樹脂作為主成分之塑膠膜、及光學膜。一般而言，偏光板等光學膜之支持性或操作性有變差之傾向，藉由與上述塑膠膜組合使用，可靈活利用兩個優點。於該情形時，特別是於上述基材部中，上述塑膠膜較佳為上述密封部側。
上述基材部較佳為具備具有防眩性及/或抗反射性之層。關於上述具有防眩性及/或抗反射性之層，例如，藉由對上述基材層之至少一個面實施防眩處理及/或抗反射處理而獲得上述防眩處理層或抗反射處理層。上述防眩處理層及上述抗反射處理層可為相同層，亦可為互不相同之層。防眩處理及抗反射處理可分別藉由公知或慣用之方法實施。
關於上述基材部之具備上述密封部之側之表面，為了提高與密封部之密接性、保持性等，例如可實施如下表面處理：電暈放電處理、電漿處理、磨砂加工處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化輻射處理等物理處理；鉻酸處理等化學處理；利用塗佈劑(底塗劑)所進行之易接著處理；等。用於提高密接性之表面處理較佳為對基材部中之密封部側之整個表面實施。
於圖1所示之光半導體元件密封用片材1中，基材部2為具有光學膜21及塑膠膜23之複層，光學膜21與塑膠膜23經由黏著劑層22貼合。又，對光學膜21之與塑膠膜23相對之面實施防眩處理及抗反射處理。
關於上述基材部之厚度，就作為支持體之功能及表面之耐擦傷性優異之觀點而言，上述基材部之厚度較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上。關於上述基材部之厚度，就透明性更加優異之觀點而言，較佳為300 μm以下，更佳為200 μm以下。
＜剝離襯墊＞ 上述剝離襯墊係用於被覆並保護上述密封部表面之元件，當將光半導體元件密封用片材貼合於配置有光半導體元件之基板時，可自該片材剝離上述剝離襯墊。
作為上述剝離襯墊，例如可例舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、藉由氟系剝離劑或丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑進行表面塗佈之塑膠膜或紙類等。
上述剝離襯墊之厚度例如為10～200 μm，較佳為15～150 μm、更佳為20～100 μm。若上述厚度為10 μm以上，則剝離襯墊在加工時不易因切口而斷裂。若上述厚度為200 μm以下，則使用時更加容易自上述密封部將剝離襯墊剝離。
＜光半導體元件密封用片材＞ 相對於上述光半導體元件密封用片材之厚度(其中，剝離襯墊及表面保護膜除外)100%，上述光半導體元件密封用片材中之上述基材部及上述密封部之合計厚度之比率較佳為80%以上，更佳為90%以上。又，包含基材部及密封部在內的自基材部表面至密封部表面為止之厚度之比率較佳為上述範圍內。
上述光半導體元件密封用片材中之上述基材部及上述密封部之合計厚度較佳為100～900 μm，更佳為200～800 μm。又，包含基材部及密封部在內的自基材部表面至密封部表面為止之厚度較佳為上述範圍內。
對本發明之光半導體元件密封用片材之製造方法之一實施方式進行說明。例如，圖1所示之光半導體元件密封用片材1可藉由下述方法進行製作。首先，於構成基材部2之塑膠膜23形成放射線硬化性樹脂層31。上述放射線硬化性樹脂層31可藉由如下方式製作，即，將形成放射線硬化性樹脂層31之樹脂組成物塗佈於塑膠膜23之一個面形成樹脂組成物層，其後進行利用加熱所進行之脫溶劑或熱硬化等除放射線照射以外之硬化，使該樹脂組成物層固化。於使放射線硬化性樹脂層31之厚度變厚之情形時，亦可將另外在剝離襯墊之剝離處理面上以相同之方式所製作之放射線硬化性樹脂層重疊在形成於上述塑膠膜23上之放射線硬化性樹脂層上進行積層。
形成上述放射線硬化性樹脂層之樹脂組成物只要不損害放射線聚合性官能基之放射線聚合性，則可為任一形態。例如，黏著劑組成物可為乳液型、溶劑型(溶液型)、熱熔融型(熱熔型)等。其中，就容易獲得生產性優異之黏著劑層之方面而言，較佳為溶劑型。
上述樹脂組成物除包含具有上述放射線聚合性官能基之聚合物及上述其他成分以外，亦可包含上述交聯劑或上述光聚合起始劑(光起始劑)。於包含上述交聯劑之情形時，當加熱上述樹脂組成物層而形成放射線硬化性樹脂層時，進行利用上述交聯劑所進行之交聯。又，於包含上述光聚合起始劑之情形時，當使放射線硬化性樹脂層硬化時，可促進上述放射線聚合性官能基之聚合。上述交聯劑及上述光聚合起始劑可分別僅使用一種，亦可使用兩種以上。
另一方面，於另外準備之剝離襯墊4之剝離處理面上形成放射線非硬化性黏著劑層32。上述放射線非硬化性黏著劑層32可藉由如下方式製作，即，將形成放射線非硬化性黏著劑層32之黏著劑組成物塗佈於剝離襯墊4之剝離處理面上形成黏著劑組成物層，其後進行利用加熱所進行之脫溶劑或硬化，使該黏著劑組成物層固化。然後，於上述放射線硬化性樹脂層上積層上述放射線非硬化性黏著劑層。如此，可獲得具有[塑膠膜23/放射線硬化性樹脂層31/放射線非硬化性黏著劑層32/剝離襯墊4]之構成之積層體。
形成上述放射線非硬化性黏著劑層之黏著劑組成物可為任一形態。例如，黏著劑組成物可為乳液型、溶劑型(溶液型)、活性能量線硬化型、熱熔融型(熱熔型)等。其中，就容易獲得生產性優異之黏著劑層之方面而言，較佳為溶劑型、活性能量線硬化型之黏著劑組成物。
另一方面，製作光學膜21與黏著劑層22之積層體。具體而言，例如，可藉由如下方式製作，即，於另外準備之剝離襯墊之剝離處理面上以與放射線非硬化性黏著劑層32相同之方式形成黏著劑層22，其次將光學膜21貼合於黏著劑層22上。然後，剝離上述剝離襯墊，使黏著劑層22露出，與上述積層體之塑膠膜23之未形成有放射線硬化性樹脂層31之表面貼合。作為上述樹脂組成物或黏著劑組成物之塗佈手法，例如可採用公知或慣用之塗佈手法，可例舉：輥塗佈、絲網塗佈、凹版塗佈等。又，各種層之積層可使用公知之輥或貼合機來進行。如此，可製作圖1所示之光半導體元件密封用片材1。
再者，本發明之光半導體元件密封用片材不限定於上述方法，於基材部包含複層之情形時，可藉由如下方式製作，即，首先，製作基材部，適當組合放射線硬化性樹脂層及放射線非硬化性黏著劑層並依次積層於基材部。
使用本發明之光半導體裝置密封用片材，將本發明之光半導體裝置密封用片材之密封部貼合於配置有光半導體元件之基板上，並藉由密封部密封光半導體元件，藉此可獲得光半導體裝置。具體而言，首先，自本發明之光半導體元件密封用片材將剝離襯墊剝離使密封部露出。然後，將密封部面貼合於光學構件之配置有光半導體元件之基板面，上述光學構件具備基板、及配置於上述基板上之光半導體元件(較佳為複數個光半導體元件)，上述密封部面為本發明之光半導體元件密封用片材之露出面，且於上述光學構件具備複數個光半導體元件之情形時，進而配置為將密封部填充於複數個光半導體元件間之間隙，一次性密封複數個光半導體元件。如此，可使用本發明之光半導體裝置密封用片材來密封光半導體元件。又，亦可藉由使用本發明之光半導體裝置密封用片材，於減壓環境下或一面加壓一面貼合而密封光半導體元件。作為此種方法，例如可例舉：日本專利特開2016-29689號公報或日本專利特開平6-97268所揭示之方法。
[光半導體裝置] 可使用本發明之光半導體元件密封用片材來製作光半導體裝置。使用本發明之光半導體元件密封用片材所製造之光半導體裝置具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之本發明之光半導體元件密封用片材硬化而成之硬化物。上述硬化物係藉由放射線照射使本發明之光半導體元件密封用片材硬化而成之硬化物，具體而言，本發明之光半導體元件密封用片材中之放射線硬化性樹脂層具備藉由放射線照射而硬化之硬化密封層。
作為上述光半導體元件，例如可例舉：藍色發光二極體、綠色發光二極體、紅色發光二極體、紫外線發光二極體等發光二極體(LED)。
於上述光半導體裝置中，本發明之光半導體元件密封用片材由於當將光半導體元件設為凸部，將複數個光半導體元件間之間隙設為凹部時，對凹凸之追隨性優異，使光半導體元件之埋入性優異，故而較佳為一次性密封複數個光半導體元件。
圖2表示使用圖1所示之光半導體元件密封用片材1之光半導體裝置之一實施方式。圖2所示之光半導體裝置10具備基板5、配置於基板5之一個面之複數個光半導體元件6、及對光半導體元件6進行密封之光半導體元件密封用片材之硬化物1'。光半導體元件密封用片材之硬化物1'係自光半導體元件密封用片材1將剝離襯墊4剝離，且形成有藉由放射線照射使放射線硬化性樹脂層31硬化所形成之硬化密封層31'者。複數個光半導體元件6被密封部一次性密封。密封部中之放射線非硬化性黏著劑層32追隨於由複數個光半導體元件6所形成之凹凸形狀而密接於光半導體元件6及基板5，將光半導體元件6埋入。
再者，於圖2所示之光半導體裝置10中，光半導體元件6完全埋入至放射線非硬化性黏著劑層32內被密封，且藉由硬化密封層31'被間接密封。上述光半導體裝置不限定於此種態樣，亦可為如下態樣，即，光半導體元件6之一部分自放射線非硬化性黏著劑層32突出，該一部分埋入至硬化密封層31'內，光半導體元件6被放射線非硬化性黏著劑層32及硬化密封層31'完全埋入並密封。
如上所述，上述光半導體裝置藉由放射線非硬化性黏著劑層及作為放射線硬化性樹脂層之硬化物之硬化密封層而密封光半導體元件。因此，光半導體元件與密封部密接，由於光半導體元件之密封性優異，且硬化密封層之側面之黏著性較低，故而當在拼貼之狀態下，將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，可容易拉開，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。
上述光半導體裝置可為各個光半導體裝置拼貼而成者。即，上述光半導體裝置可為複數個光半導體裝置在平面方向上配置成磚塊狀而成者。
圖3表示配置有複數個光半導體裝置所製作之光半導體裝置之一實施方式。圖3所示之光半導體裝置20係複數個光半導體裝置10以縱方向上4個、橫方向上4個合計16個在平面方向上配置(拼貼)成磚塊狀而成者。於鄰接之2個光半導體裝置10間之交界20a，光半導體裝置10彼此雖鄰接，但可容易拉開該等，且不易引起密封部側面之缺損，或上述密封部側面中缺損之樹脂不易自鄰接之光半導體裝置之一個附著於另一個。
上述光半導體裝置較佳為液晶畫面之背光裝置，尤佳為整個面正下方型之背光裝置。又，可藉由將上述背光裝置與顯示面板進行組合，而成為圖像顯示裝置。於上述光半導體裝置為液晶畫面之背光裝置之情形時，光半導體元件為LED元件。例如，於上述背光裝置中，於上述基板上積層有用於向各LED元件發送發光控制信號之金屬配線層。發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之各色之光之各LED元件經由金屬配線層而交替配列於顯示面板之基板上。金屬配線層可藉由銅等金屬而形成，反射各LED元件之發光，使圖像之視認性降低。又，由RGB之各色之各LED元件所發出之光發生混色，對比度降低。
又，上述光半導體裝置較佳為自發光型顯示裝置。又，可藉由將上述自發光型顯示裝置與視需要之顯示面板進行組合而成為圖像顯示裝置。於上述光半導體裝置為自發光型顯示裝置之情形時，光半導體元件為LED元件。作為上述自發光型顯示裝置，可例舉：有機電致發光(有機EL)顯示裝置等。例如，於上述自發光型顯示裝置中，於上述基板上積層有用於對各LED元件發送發光控制信號之金屬配線層。發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)之各色之光之各LED元件經由金屬配線層而交替配列於基板上。金屬配線層可藉由銅等金屬而形成，調整各LED元件之發光程度來顯示各色。
本發明之光半導體元件密封用片材可用於彎曲使用之光半導體裝置，例如，具有可彎曲之圖像顯示裝置(軟性顯示器)(特別是可摺疊之圖像顯示裝置(可摺疊顯示器))之光半導體裝置。具體而言，可用於可摺疊之背光裝置及可摺疊之自發光型顯示裝置等。
由於本發明之光半導體元件密封用片材之光半導體元件之埋入性優異，故而可較佳用於如下任一情形：上述光半導體裝置為小型LED顯示裝置之情形及上述光半導體裝置為微型LED顯示裝置之情形。
[光半導體裝置之製造方法] 上述光半導體裝置例如可藉由如下製造方法而製造，上述製造方法至少具備對積層體進行切割而獲得光半導體裝置之切割步驟，上述積層體具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之本發明之光半導體元件密封用片材之上述放射線硬化性樹脂層硬化而成之硬化物。上述硬化物係藉由放射線照射使本發明之光半導體元件密封用片材硬化而成之硬化物，具體而言，本發明之光半導體元件密封用片材中之放射線硬化性樹脂層具備藉由放射線照射而硬化之硬化密封層。
當對放射線硬化性樹脂層進行放射線照射使之硬化時，於存在氧之側面中硬化受到抑制，硬化容易變得不充分。針對於此，根據具備上述切割步驟之上述製造方法，對於具備包含藉由放射線照射使上述放射線硬化性樹脂層硬化所得之硬化密封層之光半導體元件密封用片材之硬化物的積層體，藉由切除上述切割步驟中硬化不充分之側端部，可獲得因充分硬化而使密接性降低之區域露出至側面之光半導體裝置。由於以此方式所製造之光半導體裝置之硬化後之放射線硬化性樹脂層側面之密接性充分降低，故而當在拼貼狀態下將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。
上述製造方法亦可進而具備對積層體照射放射線以使上述放射線硬化性樹脂層硬化而獲得上述硬化物之放射線照射步驟，上述積層體具備上述基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之上述光半導體元件密封用片材。
上述製造方法亦可在上述放射線照射步驟之前具備密封步驟：將上述光半導體元件密封用片材與設置於上述基板上之上述光半導體元件貼合，並藉由上述密封部對上述光半導體元件進行密封。
又，上述製造方法亦可進而具備拼貼步驟：將上述切割步驟所獲得之複數個光半導體裝置以在平面方向上接觸之方式進行排列。以下，適當參酌圖2所示之光半導體裝置10及圖3所示之光半導體裝置20之製造方法進行說明。
(密封步驟) 於上述密封步驟中，將本發明之光半導體元件密封用片材與配置有光半導體元件之基板貼合，並藉由密封部對光半導體元件進行密封。於上述密封步驟中，具體而言，如圖4所示，將剝離了剝離襯墊4之光半導體元件密封用片材1之放射線非硬化性黏著劑層32以與基板5之配置有光半導體元件6之面相對之方式進行配置，將光半導體元件密封用片材1貼合於基板5之配置有光半導體元件6之面，如圖5所示，將光半導體元件6埋入至密封部3中。如圖4所示，用於貼合之基板5相較圖2所示之光半導體裝置10中之基板5，在平面方向上延伸更廣，於基板5之端部附近未配置有光半導體元件6。又，貼合之光半導體元件密封用片材1相較用於貼合之基板5，在平面方向上延伸更廣。即，密封步驟中所貼合之光半導體元件密封用片材1之與基板5相對之面之面積大於密封步驟中所貼合之基板5之與光半導體元件密封用片材1相對之面之面積。其原因在於，於光半導體元件密封用片材1及基板5之積層體中光半導體裝置所使用之區域中，光半導體元件密封用片材1及基板5在之後之放射線照射步驟中得到充分硬化，其等之有可能硬化不充分之端部附近會在之後之切割步驟中被切割去除。
上述貼合時之溫度例如為自室溫至110℃之範圍內。又，上述貼合時，亦可進行減壓或加壓。藉由減壓或加壓，可抑制在密封部與基板或光半導體元件之間形成空隙。又，於上述密封步驟中，較佳為在減壓下貼合光半導體元件密封用片材，其後進行加壓。進行減壓時之壓力例如為1～100 Pa，減壓時間例如為5～600秒。又，進行加壓時之壓力例如為0.05～0.5 MPa，減壓時間例如為5～600秒。
(放射線照射步驟) 於上述放射線照射步驟中，對於在配置有上述光半導體元件之上述基板上貼合上述光半導體元件密封用片材而成之積層體(例如，上述密封步驟所獲得之積層體)，照射放射線，使上述放射線硬化性樹脂層硬化。於上述放射線照射步驟中，具體而言，如圖6所示，可使放射線硬化性樹脂層31硬化而形成硬化密封層31'，獲得光半導體元件密封用片材1之硬化物1'。作為上述放射線，如上所述，可例舉：電子束、紫外線、α射線、β射線、γ射線、X射線等。其中，較佳為紫外線。放射線照射時之溫度例如為自室溫至100℃之範圍內，照射時間例如為1分鐘～1小時。
(切割步驟) 於上述切割步驟中，對積層體(例如，經由上述放射線照射步驟之積層體)進行切割，上述積層體具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之本發明之光半導體元件密封用片材之硬化物。此處，於經由過切割步驟之積層體中，光半導體元件密封用片材之硬化物1'及基板5如上所述相較最終所獲得之光半導體裝置10在平面方向上延伸更廣。然後，於上述切割步驟中，切割並去除光半導體元件密封用片材之硬化物及基板之側端部。具體而言，於圖7所示之鏈線之位置進行切割，去除側端部。上述切割可藉由公知或慣用之方法進行，例如可藉由使用切割刀片之方法、雷射照射而進行。如此，例如，可製造圖2所示之光半導體裝置10。
此處，於上述製造方法中，重要的是，例如在藉由經由上述放射線照射步驟等所呈現之放射線硬化性樹脂層硬化之狀態下進行切割。於在放射線硬化性樹脂層未硬化之狀態下進行切割之情形時，當想要在切割後拉開光半導體元件密封用片材之側端部並將其去除時，存在產生如下不良情況之情形：所要去除之側端部及餘留之光半導體裝置中之放射線硬化性樹脂層彼此之黏著性較高，兩者密接並相互吸引，導致餘留之光半導體裝置中之放射線硬化性樹脂層產生缺損，所要去除之側端部之放射線硬化性樹脂層之一部分轉印並附著於餘留之光半導體裝置。針對於此，藉由具備在放射線硬化性樹脂層硬化之狀態下進行切割之上述切割步驟，而使放射線硬化性樹脂層硬化成為硬化密封層，因此切割部分之側面之密接性較低，可抑制上述不良情況之產生。
又，當對放射線硬化性樹脂層進行放射線照射使之硬化時，於存在氧之側面中硬化受到抑制，硬化容易變得不充分。針對於此，根據具備上述切割步驟之上述製造方法，藉由在上述放射線硬化性樹脂層硬化之狀態下，切除上述切割步驟中硬化不充分之端部，可獲得側面經充分硬化而使密接性降低之光半導體裝置。由於以此方式所製造之光半導體裝置在放射線硬化性樹脂層之硬化後，側面之密接性得到充分降低，故而當在拼貼狀態下將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。另一方面，於不具備上述切割步驟之情形時，由於拼貼時，硬化不充分之側面與鄰接之光半導體裝置接觸，故而當想要將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，容易產生如下不良情況：側面彼此密接並相互吸引，導致一個光半導體裝置中之放射線硬化性樹脂層產生缺損，或另一個光半導體裝置中之放射線硬化性樹脂層之一部分轉印並附著於一個光半導體裝置。
(拼貼步驟) 於上述拼貼步驟中，將上述切割步驟所獲得之複數個光半導體裝置以在平面方向上接觸之方式排列，進行拼貼。如此，例如可製造圖3所示之光半導體裝置20。拼貼後獲得之光半導體裝置之光半導體元件之密封性優異，並且，當將鄰接之光半導體裝置彼此拉開時，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。 [實施例]
以下，例舉實施例更加詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例任何限定。
實施例1 ＜TAC膜/黏合劑黏著劑層＞ 將作為單體成分之丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)69.7質量份、丙烯酸2-甲氧基乙酯(MEA)10質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)13質量份、N-乙烯基-2-吡咯啶酮(NVP)6質量份、N-羥乙基丙烯醯胺(HEAA)1.3質量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.1質量份、及作為聚合溶劑之乙酸乙酯200質量份投入至可分離式燒瓶，一面導入氮氣，一面攪拌1小時。如此，去除聚合系內之氧後，升溫至63℃，反應10小時，加入乙酸乙酯，獲得固形物成分濃度30質量%之丙烯酸系聚合物溶液。相對於上述丙烯酸系聚合物100質量份，加入作為交聯劑之異氰酸酯系交聯劑(商品名「Takenate D110N」，三井化學股份有限公司製造)0.2質量份、作為矽烷偶合劑之γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(商品名「KBM-403」，信越化學工業股份有限公司製造)0.15質量份、作為交聯促進劑之使環氧丙烷與乙二胺加成而成之多元醇(商品名「EDP-300」，ADEKA股份有限公司製造)0.2質量份，製備黏著劑組成物(溶液)。其次，以乾燥後之厚度成為25 μm之方式將上述黏著劑組成物(溶液)塗佈於剝離襯墊(隔離件)(商品名「MRF38」，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造)之剝離處理面上，於常壓下，於60℃下加熱乾燥1分鐘，並於155℃下加熱乾燥1分鐘，獲得作為黏合劑黏著劑層之雙面黏著片。並且，對於三乙醯纖維素(TAC)膜(商品名「DSR3-LR」，大日本印刷股份有限公司製造，總厚45 μm，防眩/抗反射處理)之非處理面，使用手動輥，以不會殘留氣泡之方式貼合黏合劑黏著劑層之黏著面。如此，製作具有[TAC膜/黏合劑黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體。
＜PET膜/紫外線硬化性黏著劑層/放射線非硬化性黏著劑層＞ (紫外線硬化性黏著劑層) 向1 L圓底可分離式燒瓶裝備有可分離式罩、分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、李比希冷卻器、真空密封、攪拌棒、攪拌葉片之聚合用實驗裝置中，投入丙烯酸丁酯(BA)189.77質量份、丙烯酸環己酯(CHA)38.04質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)85.93質量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.94質量份、及作為聚合溶劑之甲基乙基酮379.31質量份，一面進行攪拌，一面於常溫下進行6小時氮氣置換。其後，在通入氮氣之條件下一面攪拌，一面在65℃下保持4小時使之聚合並在75℃下保持2小時使之聚合，獲得樹脂溶液。 其次，將所獲得之樹脂溶液冷卻至室溫。其後，於上述樹脂溶液中加入作為具有聚合性碳-碳雙鍵之化合物之甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯(MOI)(商品名「Karenz MOI」，昭和電工股份有限公司製造)5.74質量份。進而添加二月桂酸二丁基錫(IV)(富士膠片和光純藥股份有限公司製造)0.03質量份，於空氣環境下，於50℃下攪拌24小時，獲得基礎聚合物。 相對於所獲得之基礎聚合物之固形物成分100質量份，將異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，東曹股份有限公司製造，固形物成分75質量%)1.5質量份、及2,2-二甲氧基-1,2-二苯基-1-酮(商品名「omnirad 651」，IGM Resins Italia Srl公司製造)1質量份加以混合。使用甲苯作為稀釋溶劑，以固形物成分率成為20～40質量%之方式進行調整，獲得黏著劑溶液(1)。
以乾燥後之厚度成為112.5 μm之方式將該黏著劑溶液(1)塗佈於PET膜(商品名「T912E75(UE80-)」，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造，厚度75 μm)之處理面上，於常壓下，於50℃下加熱乾燥1分鐘，並於125℃下加熱乾燥5分鐘，形成紫外線硬化性黏著劑層(1)。另一方面，以乾燥後之厚度成為112.5 μm之方式將上述所獲得之黏著劑溶液(1)塗佈於剝離襯墊(商品名「MRF38」，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造)之剝離處理面上，於常壓下，於50℃下加熱乾燥1分鐘，並於125℃下加熱乾燥5分鐘，形成紫外線硬化性黏著劑層(2)。
然後，使用手動輥，以不會殘留氣泡之方式將形成於PET膜上之紫外線硬化性黏著劑層(1)與形成於剝離襯墊上之紫外線硬化性黏著劑層(2)之黏著劑層面彼此貼合，形成1個紫外線硬化性黏著劑層。其後，將剝離襯墊剝離。如此，製作具有[PET膜/紫外線硬化性黏著劑層]之構成之積層體。
(放射線非硬化性黏著劑層) 向1 L圓底可分離式燒瓶裝備有可分離式罩、分液漏斗、溫度計、氮氣導入管、李比希冷卻器、真空密封、攪拌棒、攪拌葉片之聚合用實驗裝置中，投入丙烯酸丁酯(BA)189.77質量份、丙烯酸環己酯(CHA)38.04質量份、丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)85.93質量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.94質量份、及作為聚合溶劑之甲基乙基酮379.31質量份，一面進行攪拌，一面於常溫下進行6小時氮氣置換。其後，在通入氮氣之條件下一面攪拌，一面在65℃下保持4小時使之聚合並在75℃下保持2小時使之聚合，獲得樹脂溶液。 將相對於基礎聚合物之固形物成分100質量份為1.5質量份之異氰酸酯化合物(商品名「Coronate L」，東曹股份有限公司製造，固形物成分75質量%)混合於所獲得之樹脂溶液中。使用甲苯作為稀釋溶劑，以固形物成分率成為20～40質量%之方式進行調整，獲得黏著劑溶液(2)。
以乾燥後之厚度成為25 μm之方式將該黏著劑溶液(2)塗佈於剝離襯墊(商品名「MRF38」，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造)之剝離處理面上，於常壓下，於125℃下加熱乾燥2分鐘，形成放射線非硬化性黏著劑層。
(PET膜/紫外線硬化性黏著劑層/放射線非硬化性黏著劑層) 使用手動輥，以不會殘留氣泡之方式將上述放射線非硬化性黏著劑層貼合於具有[PET膜/紫外線硬化性黏著劑層]之構成之積層體之紫外線硬化性黏著劑層面。如此，製作具有[PET膜/紫外線硬化性黏著劑層/放射線非硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體。
＜光半導體元件密封用片材＞ 使用手動輥，以不會殘留氣泡之方式將自具有[TAC膜/黏合劑黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體剝離了剝離襯墊所露出之黏合劑黏著劑層面貼合於具有[PET膜/紫外線硬化性黏著劑層/放射線非硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體之PET膜面。其後，於50℃下進行48小時老化，製作具有[TAC膜/黏合劑黏著劑層/PET膜/紫外線硬化性黏著劑層/放射線非硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之層構成的實施例1之光半導體元件密封用片材。
實施例2～5 於紫外線硬化性黏著劑層之製作中，如表所記載改變甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯(MOI)及二月桂酸二丁基錫(IV)之調配量，除此以外，以與實施例1相同之方式分別製作實施例2～5之光半導體元件密封用片材。
比較例1 以乾燥後之厚度成為125 μm之方式將實施例1所製作之黏著劑溶液(2)塗佈於PET膜(商品名「T912E75(UE80-)」，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造，厚度75 μm)之處理面上，於常壓下，於50℃下加熱乾燥1分鐘，並於125℃下加熱乾燥5分鐘，形成放射線非硬化性黏著劑層(1)。另一方面，以乾燥後之厚度成為125 μm之方式將實施例1所製作之黏著劑溶液(2)塗佈於剝離襯墊(商品名「MRF38」，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造)之剝離處理面上，於常壓下，於50℃下加熱乾燥1分鐘，並於125℃下加熱乾燥5分鐘，形成放射線非硬化性黏著劑層(2)。
然後，使用手動輥，以不會殘留氣泡之方式將形成於PET膜上之放射線非硬化性黏著劑層(1)與形成於剝離襯墊上之放射線非硬化性黏著劑層(2)之黏著劑層面彼此貼合，形成1個放射線非硬化性黏著劑層。如此，製作具有[PET膜/放射線非硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體。
使用手動輥，以不會殘留氣泡之方式將自實施例1所製作之具有[TAC膜/黏合劑黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體剝離了剝離襯墊所露出之黏合劑黏著劑層面貼合於具有[PET膜/放射線非硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體之PET膜面。其後，於50℃下進行48小時老化，製作具有[TAC膜/黏合劑黏著劑層/PET膜/放射線非硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之層構成的比較例1之光半導體元件密封用片材。
比較例2 於紫外線硬化性黏著劑層之製作中，如表所記載改變甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯(MOI)及二月桂酸二丁基錫(IV)之調配量，除此以外，以與實施例1之黏著劑溶液(1)相同之方式獲得黏著劑溶液(3)。 然後，以乾燥後之厚度成為125 μm之方式將所製作之黏著劑溶液(3)塗佈於PET膜(商品名「T912E75(UE80-)」，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造，厚度75 μm)之處理面上，於常壓下，於50℃下加熱乾燥1分鐘，並於125℃下加熱乾燥5分鐘，形成紫外線硬化性黏著劑層(3)。另一方面，以乾燥後之厚度成為125 μm之方式將上述所製作之黏著劑溶液(3)塗佈於剝離襯墊(商品名「MRF38」，Mitsubishi Chemical股份有限公司製造)之剝離處理面上，於常壓下，於50℃下加熱乾燥1分鐘，並於125℃下加熱乾燥5分鐘，形成紫外線硬化性黏著劑層(4)。
然後，使用手動輥，以不會殘留氣泡之方式將形成於PET膜上之紫外線硬化性黏著劑層(3)與形成於剝離襯墊上之紫外線硬化性黏著劑層(4)之黏著劑層面彼此貼合，形成1個紫外線硬化性黏著劑層。如此，製作具有[PET膜/紫外線硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體。
使用手動輥，以不會殘留氣泡之方式將自實施例1所製作之具有[TAC膜/黏合劑黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體剝離了剝離襯墊所露出之黏合劑黏著劑層面貼合於具有[PET膜/紫外線硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之構成之積層體之PET膜面。其後，於50℃下進行48小時老化，製作具有[TAC膜/黏合劑黏著劑層/PET膜/紫外線硬化性黏著劑層/剝離襯墊]之層構成的比較例2之光半導體元件密封用片材。
＜評價＞ 對於實施例及比較例所獲得之紫外線硬化性黏著劑層及光半導體元件密封用片材，進行以下評價。將結果示於表。
(1)利用奈米壓痕法測得之硬度 對於實施例及比較例所分別獲得之光半導體元件密封用片材，進行紫外線硬化性黏著劑層之硬化前及硬化後之表面之利用奈米壓痕法之硬度的測定。紫外線硬化性黏著劑層之硬化係自TAC膜側於下述紫外線照射條件下進行紫外線照射而實施。然後，使紫外線硬化性黏著劑層之硬化前後之光半導體元件密封用片材分別在-40℃～-30℃下冷凍10～15分鐘，其後，於該冷凍條件下使用超薄切片機在厚度方向上進行切斷，使紫外線硬化性黏著劑層之截面露出。然後，藉由使Pentel修正液(商品號「XEZL1-W」)凝固而將露出有截面之光半導體元件密封用片材固定於裝置所配備之金屬製平台，其後，將聚醯亞胺膜貼附於裝置之窗等進行遮光，進行評價。使用奈米壓痕儀(商品名「TriboIndenter」，HYSITRON Inc.公司製造)，於下述奈米壓痕測定條件下，進行硬化前後之紫外線硬化性黏著劑層之表面之奈米壓痕測定。然後，將所獲得之硬度示於表1。 ＜紫外線照射條件＞ 紫外線照射裝置：商品名「UM810」，日東精機股份有限公司製造 光源：高壓水銀燈 照射強度：50 mW/cm 2(測定機器：商品名「紫外線照度計UT-101」，牛尾電機股份有限公司製造) 照射時間：100秒 累計光量：5000 mJ/cm 2＜奈米壓痕測定條件＞ 使用壓頭：Berkovich(三角錐型) 測定方法：單壓入測定 測定溫度：23℃ 壓入深度設定：3.0 μm 負荷速度：500 nm/s 卸載速度：500 nm/s
(2)切割評價 對於實施例及比較例所獲得之光半導體元件密封用片材，藉由手動輥將剝離了剝離襯墊所露出之黏著劑層面整個面貼合於基板(商品名「Lead Free Universal Board ICB93SGPBF」，Sunhayato股份有限公司製造)之圖案面，製作試驗樣品。再者，光半導體元件密封用片材之黏著劑層面積大於所貼合之基板之面積。貼合係在溫度22℃、濕度50%之環境下，以不會殘留氣泡之方式進行。其後，對於上述試驗樣品，自TAC膜側於下述紫外線照射條件(1)下進行紫外線照射，使紫外線硬化性黏著劑層硬化。再者，對於使用不具有紫外線硬化性黏著劑層之比較例1之光半導體元件密封用片材之試驗樣品，未進行紫外線照射。 ＜紫外線照射條件(1)＞ 紫外線照射裝置：商品名「UM810」，日東精機股份有限公司製造 光源：高壓水銀燈 照射強度：50 mW/cm 2(測定機器：商品名「紫外線照度計UT-101」，牛尾電機股份有限公司製造) 照射時間：100秒 累計光量：5000 mJ/cm 2
紫外線照射後，將切割膠帶(商品名「NBD-5172K」，日東電工股份有限公司製造)貼附至作為試驗樣品之未貼附有光半導體元件密封用片材之側之基板表面。將用於切割之切割環貼附於切割膠帶之黏著劑面。貼附後，於遮光下及溫度22℃之環境下放置30分鐘。其後，於下述切割條件下，對於試驗樣品及切割膠帶之積層體，進行自基板之側端向內側5 mm之位置之刀片切割。 ＜切割條件＞ 切割裝置：商品名「DFD-6450」，DISCO股份有限公司製造 切割方式：單切 切割速度：30 mm/秒 切割刀片：商品名「P1A861 SDC400N75BR597」，DISCO股份有限公司製造 切割刀片轉速：30,000 rpm 刀片高度：85 μm 水量：1.5 L/分鐘 切割間隔：10 mm 1次切割之距離：試驗樣品之全長
再者，切割所使用之刀片使用藉由以下方法進行打磨切割而得者。 將切割環、及板(商品名「DRESSER BOARD BGCA0172」，DISCO股份有限公司製造)貼附於切割膠帶(商品名「NBD-7163K」，日東電工股份有限公司製造)之黏著劑層，製作處理用之工件。其次，於下述打磨切割條件下切割所獲得之工件，獲得上述刀片切割用之刀片。 ＜打磨切割條件＞ 切割裝置：製品名「DFD-6450」，DISCO股份有限公司製造 切割方式：單切 切割速度：55 mm/秒 切割刀片：商品名「P1A861 SDC400N75BR597」(新品)，DISCO股份有限公司製造 切割刀片轉速：35,000 rpm 刀片高度：500 μm 水量：1.5 L/分鐘 1次切割之距離：板之全長 切割間隔：以1 mm為單位 切割次數：100次
刀片切割後，於下述紫外線照射條件(2)下，自切割膠帶基材側照射紫外線，降低切割膠帶對基板之剝離強度。 ＜紫外線照射條件(2)＞ 紫外線照射裝置：商品名「UM810」，日東精機股份有限公司製造 光源：高壓水銀燈 照射強度：50 mW/cm 2(測定機器：商品名「紫外線照度計UT-101」，牛尾電機股份有限公司製造) 照射時間：10秒 累計光量：500 mJ/cm 2
其後，將藉由刀片切割切斷成短條狀之試驗樣品及基板之積層體自切割膠帶剝離，將切割中確認有自試驗樣品之基板剝離者評價為「B」，將未確認有剝離者評價為「A」。
(3)截面之算術平均高度Sa 將上述切割評價中切斷成短條狀之試驗樣品及基板之積層體自切割膠帶剝離。並且，對於所露出之紫外線硬化性樹脂層之硬化物之截面，進行算術平均高度Sa之測定。再者，於不具有紫外線硬化性樹脂層之比較例1中，對於放射線非硬化性黏著劑層之截面進行算術平均高度Sa之測定。具體而言，將雙面膠帶(商品名「No.5000NS」，日東電工股份有限公司製造)貼附於未研削之Si鏡面晶圓之表面。其次，藉由鑷子將上述短條狀之積層體貼附於雙面膠帶之露出面(未與Si鏡面晶圓相接之面)上。再者，貼附係以如下方式進行：以將切割切斷面與雙面膠帶貼合之方式進行，以最表面(離雙面膠帶最遠之面)成為最後所切割之切割切斷面之方式進行。對於最後所切割之切割切斷面，使用雷射顯微鏡(製品名「VK-X150」，基恩士股份有限公司製造)進行觀察及測定。PC(Pesonal Computer，電腦)軟體使用「觀察應用程式VK-H1XV2 版本2.5.0.0」(基恩士股份有限公司製造)。物鏡使用「20X/0.46 OFN25 WD 3.1」(Nikon股份有限公司製造)。藉由PC軟體之「形狀測定」，於以下之測定設定下進行切割切斷面之粗糙度測定。 ＜測定設定＞ 測定模式：透明體(最表面) 測定尺寸：標準(1024×768) 測定品質：高精度 間距：0.75 μm
其次，保存藉由測定所獲得之三維資料。再者，設為反映自畫面之左端至右端全部為測定對象之層截面之狀態(厚度250 μm以下之層之截面被納入畫面內)。其後，進行位於PC軟體之「圖像處理」中之「傾斜修正」。作為修正方法，選擇表面傾斜修正(輪廓)，以於在所獲得之觀察圖像之層中心合併2條線之中心之狀態下，切斷面變為水平之方式實施傾斜修正。傾斜修正後，保存修正後之三維資料。其次，使用解析用PC軟體「多檔案解析應用程式VK-H1XM 版本1.1.22.87」(基恩士股份有限公司製造)進行三維資料之解析。選擇解析用PC軟體之「表面粗糙度」，選擇反映出圖像之整個層截面，測量算術平均高度Sa(μm)。
(4)拉絲評價 將 2片上述切割評價中切斷成短條狀之試驗樣品及基板之積層體自切割膠帶剝離。其次，使上述2片積層體之因切割而露出之切斷面彼此接著，於該狀態下，於溫度50℃之環境下放置24小時。其後，取出所接著之上述2片短條，於溫度22℃、濕度50%之環境下放置3小時。其後，嘗試用手將接著之切斷面彼此剝離，將未剝離者或雖剝離但明顯確認有黏著劑層之拉絲者評價為「D」，將雖剝離但略微確認有黏著劑層之拉絲者評價為「C」，將雖需要用力剝離但可於無黏著劑層之拉絲之情況下剝離者評價為「B」，將無需特別用力剝離且可於無黏著劑層之拉絲之情況下剝離者評價為「A」。
[表1]
(表1)
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 比較例1 比較例2
紫外線硬化性黏著劑層之厚度[μm] 225 225 225 225 225 - 250
放射線非硬化性黏著劑層之厚度[μm] 25 25 25 25 25 250 -
光半導體元件密封用片材之厚度[μm] 395 395 395 395 395 395 395
紫外線硬化性樹脂層之厚度之比率[%] 57 57 57 57 57 0 63
相對於除MOI以外之總單體成分之合計的調配量[莫耳%] BA 60 60 60 60 60 - 60
CHA 10 10 10 10 10 - 10
HEA 30 30 30 30 30 - 30
調配量[質量份] MOI 5.74 34.46 57.43 80.41 3.45 - 57.43
二月桂酸二丁基錫(IV) 0.03 0.17 0.29 0.40 0.02 - 0.29
MOI相對於除MOI以外之總單體成分之合計100莫耳的調配量[莫耳] 1.5 9.0 15.0 21.0 0.9 - 15.0
[MOI/HEA](莫耳比) 0.05 0.3 0.5 0.7 0.03 - 0.5
利用奈米壓痕法測得之硬度[MPa] 硬化前 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1
硬化後 1.5 11.5 63.9 250.8 1.3 1.1 63.9
平均算術高度Sa[μm] 48.8 2.9 0.8 0.6 78.3 88.3 0.8
切割評價 A A A A A A B
拉絲評價 B A A A C D A
如表1所示，本發明之光半導體元件密封用片材(實施例)之評價為，切割評價之結果良好，片材對光半導體元件及基板之密接性優異，光半導體元件之密封性優異。又，評價為，拉絲評價之結果良好，密封部側面之密接性較低，並且，當拉開鄰接之光半導體裝置彼此時，不易引起片材缺損或鄰接之光半導體裝置之片材附著。
另一方面，於不具有紫外線硬化性黏著劑層之情形時(比較例1)，拉絲評價之結果較差。又，於不具有放射線非硬化性黏著劑層之情形時(比較例2)，切割評價之結果較差，評價為光半導體元件之密封性較差。
1:光半導體元件密封用片材 1':光半導體元件密封用片材之硬化物 2:基材部 3:密封部 4:剝離襯墊 5:基板 6:光半導體裝置 10:光半導體裝置 20:光半導體裝置 20a:交界 21:光學膜 22:黏著劑層 23:塑膠膜 31:放射線硬化性樹脂層 31':硬化密封層 32:放射線非硬化性黏著劑層
圖1係本發明之一實施方式之光半導體元件密封用片材之剖面圖。 圖2係使用本發明之一實施方式之光半導體元件密封用片材的光半導體裝置之剖面圖。 圖3係表示將圖2所示之光半導體裝置拼貼而製成之光半導體裝置之一實施方式之外觀圖。 圖4表示示出光半導體裝置之製造方法之一實施方式中的密封步驟之情況之剖面圖。 圖5表示示出在圖4所示之密封步驟後所獲得之積層體之剖面圖。 圖6表示示出對圖5所示之積層體實施放射線照射步驟所獲得之積層體之剖面圖。 圖7表示示出圖6所示之積層體之切割步驟中之切割位置的剖面圖。
1:光半導體元件密封用片材
2:基材部
3:密封部
4:剝離襯墊
21:光學膜
22:黏著劑層
23:塑膠膜
31:放射線硬化性樹脂層
32:放射線非硬化性黏著劑層

Claims (11)

  1. 一種光半導體元件密封用片材，其係用於對配置於基板上之1個以上之光半導體元件進行密封之片材， 上述光半導體元件密封用片材具備基材部、及設置於上述基材部之一個面且用於密封上述光半導體元件之密封部； 上述密封部具有放射線非硬化性黏著劑層及放射線硬化性樹脂層，且 上述放射線硬化性樹脂層含有具有放射線聚合性官能基之聚合物。
  2. 如請求項1之光半導體元件密封用片材，其中上述放射線硬化性樹脂層比上述放射線非硬化性黏著劑層更厚。
  3. 如請求項1或2之光半導體元件密封用片材，其中上述密封部含有包含著色劑之層。
  4. 如請求項1或2之光半導體元件密封用片材，其具備具有防眩性及/或抗反射性之層。
  5. 如請求項1或2之光半導體元件密封用片材，其具備將聚酯系樹脂及/或聚醯亞胺系樹脂作為主成分之層。
  6. 如請求項1或2之光半導體元件密封用片材，其中在上述放射線硬化性樹脂層之硬化後截面中，在溫度23℃下利用奈米壓痕法測得之硬度為1.4 MPa以上。
  7. 一種光半導體裝置，其具備基板、配置於上述基板上之光半導體元件、及對上述光半導體元件進行密封之如請求項1至6中任一項之光半導體元件密封用片材之上述放射線硬化性樹脂層硬化而成之硬化物。
  8. 如請求項7之光半導體裝置，其為液晶畫面之背光裝置。
  9. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項8之背光裝置及顯示面板。
  10. 如請求項7之光半導體裝置，其為自發光型顯示裝置。
  11. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項10之自發光型顯示裝置。
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