TW202248113A - 奈米線之生長技術 - Google Patents

Abstract

一種用以在一基體(2)上電化生長複數條奈米線(1)之方法，其包含： a)  將一箔片(3)置放在該表面(2)上，該箔片(3)具有複數個穿通孔洞(4)，於其中該等奈米線(1)可自一電解質生長， b)  將對該電解質為可滲透的一彈性元件(5)置放在該箔片(3)上，該電解質係經由該彈性元件(5)來與該箔片(3)接觸， c)  針對一第一生長時期，電化生長該等複數條奈米線(1)， d)  移開該彈性元件(5)，以及 e)  針對一第二生長時期，繼續電化生長該等複數條奈米線(1)。

Description

奈米線之生長技術

本發明係有關於奈米線之電化(galvanic)生長。特定言之，本發明係有關於用以在一表面上提供複數條奈米線的一方法及一配置。

可用以生產奈米線之方法及配置為已知的。舉例而言，奈米線可藉由電化處理或藉助於從薄膜技術已知的方法獲得。許多已知的方法通常需要複雜的機器，且特別是由於此原因，其通常僅使用(僅可使用)於實驗室中及潔淨室中。特定言之，大多數的已知方法不合適於工業使用。

另外，許多已知的配置及方法具有以下缺點：所得之奈米線在它們的性質上變化大，且特別是關於它們的品質。來自不同生長程序之奈米線通常不同，有時相當不同，即使使用相同的機器、起始材料及/或配方。奈米線之品質通常特別取決於一對應配置之使用者或一對應方法之使用者的能力、取決於環境影響，以及亦僅僅取決於運氣。所有此情形係由於以下事實而變得更困難：奈米線係為有時甚至不能用一光學顯微鏡看見之結構。因此，精細的調查係必要的，以使得可能在第一時間確斷所述性質(以及特別是它們之中的波動)。

特別是由於所述品質上的差異，已知方法及配置通常不可能在較大表面積上生長奈米線。因此，很可能奈米線在它們生長於上之一較大表面積的不同區之間，它們的性質不同。此對於許多應用而言可能是不利的。

在此基礎上，本發明之目的為提供可用以生產具有特別一致之品質的複數條奈米線的一方法及一配置。

此目的係由如獨立請求項之配置及方法所達成。進一步有利的組態係表明於依附項中。在請求項中及在說明中所表示的特徵能以任何技術上有意義的方式彼此組合。

根據本發明，提供一種用以在一表面上電化生長複數條奈米線的方法。該方法包含： a)將一箔片置放在該表面上，該箔片具有複數個穿通孔洞，其中該等奈米線可自一電解質生長， b)將該電解質可滲透的一彈性元件置放在該箔片上，該電解質經由該彈性元件來與該箔片接觸， c)針對一第一生長時期，電化生長該等複數條奈米線， d)移開該彈性元件，以及 e)針對一第二生長時期，繼續該等複數條奈米線之電化生長。

步驟a)及b)能以所欲序列，一個接著一個、或者完全或部分重疊地進行。步驟c)至e)係在步驟a)及b)之後，以給定序列進行。

用所說明之該方法，可生產奈米線。一奈米線在本文中應理解為，意謂具有一導線狀形式且一大小係在數奈米至數微米之範圍內之任何的材料本體。一奈米線可例如具有一圓形、卵形或多邊形基底面積。特定言之，一奈米線可具有一六角形基底面積。

該等奈米線較佳係具有在100 nm [奈米]至100 µm [微米]之範圍內，特別是在500 nm至60 µm之範圍內的一長度。該等奈米線亦較佳係具有在10 nm至10 µm之範圍內，特別是在30 nm至2 µm之範圍內的一直徑。此處，用詞直徑係有關於一圓形基底面積，若該基底面積偏離此，則可適用一直徑之一可相當定義。特別較佳的是，所使用之所有奈米線係具有相同長度及相同直徑。

所述之方法可用於廣泛不同的奈米線材料。導電材料，特別是諸如銅、銀、金、鎳、錫及鉑之金屬，係較佳作為奈米線之材料。然而，非導電材料，諸如金屬氧化物，亦為較佳的。較佳地，所有奈米線係由相同材料形成。

奈米線將生長於其上的表面較佳係製成導電的。若表面為否則不導電之一本體的部分(諸如例如，一基體)，則可例如藉由一金屬化來達成導電性。因此，例如，不導電之一基體可塗覆有一薄金屬層。該金屬化可特別地用來產生一電極層。取決於表面及/或電極層的材料，在該表面與該電極層之間提供一接合層，其在該表面與該電極層之間給予一黏著接合，係可能為可取的。

該表面之導電性係允許其被用作為奈米線之電化生長的一電極。該基體可特別為一矽基體。該表面可特別為具有導電結構之一本體的表面。其可特別為一矽晶片或一所謂的印刷電路板(PCB)。

用所述之方法，奈米線可在一箔片之孔洞中電化生長至該表面上。一電解質係用於此情形。若在該生長期間，該箔片係緊密地貼靠該表面且該電解質係均勻地分佈在該箔片上，則該等奈米線能以一特別一致的品質提供。此在藉由將生長分成兩個步驟來說明之方法的情況下達成。在一第一生長步驟中，一彈性元件係貼靠該箔片，藉此該箔片係固持在該表面上。該彈性元件係該電解質可滲透的，使得該電解質可經由該彈性元件釋放至該箔片上。在該第一生長步驟中，奈米線係生長達該箔片被該等奈米線固持於表面上的程度。在該第二生長步驟中，不再需要該彈性元件。該彈性元件係因此被移開，藉此該電解質可更均勻地分佈在該表面上。

在步驟a)中，將箔片置放於將在其上生長的表面上。該箔片係較佳地由一塑膠材料，特別是由一聚合物材料形成。特定言之，較佳的是，該箔片係以使得該箔片不會滑動的一方式來連接至該表面。此可能降低所生長之奈米線的品質。

該箔片具有複數個穿通孔洞，奈米線可生長於其中。該等孔洞較佳做成穿通該箔片，其係藉由自該箔片之一上側穿通至該箔片之一底側的通道所形成。特定言之，較佳的是，該等孔洞係做成筒狀的。然而，亦為可能的是，該等孔洞係做成為循著一彎曲路徑的通道。一孔洞可具有例如一圓形、卵形或多邊形基底面積。特定言之，一孔洞可具有一六角形基底面積。該等孔洞較佳是均一地形成(亦即，該等孔洞關於大小、形狀、配置及/或距鄰近孔洞之距離，較佳是沒有不同)。當該等奈米線在步驟c)及d)中生長時，該等孔洞較佳是以電化沉積材料來填充(特別是完全地)。此使該等奈米線具有該等孔洞之大小、形狀及配置。待生長之奈米線的性質可因此藉由該箔片或孔洞之選擇來建立或影響。該箔片可因此亦被稱為一「模板」、「模板箔片」或「型樣」。

在步驟b)中，電解質可滲透的一彈性元件係置放於該箔片上。該彈性元件較佳係設計成在至少一個遞送點釋放該電解質。該遞送點較佳係做成覆蓋一表面區域，特別較佳的是，該電解質可在一遞送區域上均一地釋放。亦較佳的是，該彈性元件係完全地覆蓋該箔片。舉例而言，該彈性元件可為一海綿或一布。該彈性元件較佳係以使得其可額外促成該箔片之固定的一方式設計。此可特別藉由提供電解質的手段來實現，該電解質係做成覆蓋一表面區域且設計來將該箔片按壓抵靠該表面。

在步驟c)及e)中，該等奈米線係生長。此最初在一第一生長程序中根據步驟c)發生。為此，一電壓係施加在待生長的表面與一電極之間。該表面及該電極兩者係與該電解質接觸。因此，該等奈米線係自該電解質生長至該表面上、至該箔片之孔洞中。在該第一生長時期期間，該彈性元件係擱靠於該箔片上。此可防止該箔片滑動。在該第一生長時期中，該等奈米線經形成達該等奈米線固持該箔片之程度。該彈性元件隨後為多餘的。因此它在步驟d)中被移開。在步驟d)之持續時間內，所施加之電壓可被切斷，使得生長在此情況下被中斷。然而，亦可設想生長的是，繼續不中斷，使得生長亦在步驟d)中發生。在此情況下，該第一生長時期及該第二生長時期係僅藉由在這兩個步驟之間被移開的該彈性元件來彼此分開。在步驟e)中，該等奈米線之生長係繼續經歷一第二生長時期。此原則上如在步驟c)中般發生，但沒有該彈性元件。在步驟e)中，因此，沒有彈性元件貼靠該箔片。在此情況下，該電解質可直接與該表面接觸。此使該電解質更容易被供應至該表面。因此，可更容易地達成的是，在該表面之所有點上在任何時間都有足夠的電解質。若不是此情況，則儘管施加了電壓，該等奈米線之生長將不會在個別點處發生。此可損害所得之奈米線的品質。

該第一生長時期較佳係具有該第二生長時期之長度之至少10%的一長度、較佳係該第二生長時期之長度之至少50%。

該第一生長時期之長度及該第二生長時期之長度係可為固定的。另外較佳的是以下該方法之實施例，該實施例中一轉移電荷係從用以在步驟c)中電化生長該等奈米線的一電流所判定，其中步驟c)係在該轉移電荷已達到一預定限值時結束。

在此實施例中，該第一生長時期之長度為可變的。一旦該等奈米線之生長進展到該等奈米線可在沒有彈性元件之情況下固持該箔片的程度，則步驟c)結束。該等奈米線之生長的進展在此情況下沒有直接被量測。反之，在電化生長期間之經轉移的電荷係被判定。此係根據電化生長轉換多少原子的一量測。經轉移之電荷可藉由用於該等奈米線之電化生長之電流的時間積分來判定。若電流強度恆定，則電荷係藉由將電流強度乘以時間來獲得。用於該等奈米線之電化生長的電流係為在該表面與該電極之間流動的電子流。

在本實施例中，當該轉移電荷已達到一預定限值時，步驟c)結束。一合適的限值可藉由測試判定。該限值較佳係以下列一方式選擇：使得在步驟c完成之後，該箔片被該等奈米線固持於該表面上達所欲程度。

在該方法之一進一步較佳實施例中，該彈性元件係在步驟c)中被按壓至該箔片上。

將該彈性元件按壓抵靠該箔片係可使提供該電解質為更容易的。舉例而言，可藉由按壓一海綿來導致該電解質離開該海綿。一彈簧較佳係提供來用於按壓，該彈簧用以將該彈性元件按壓抵靠該箔片的力係為可調整的。彈性或塑膠裝置、機動化、液壓及/或氣動調整單元或槓桿機構亦可用以產生按壓力。遞送之電解質的量係可藉由調整該力來控制。此外，該彈性元件係用以將該箔片按壓至該表面上，使得該箔片以一形狀相合固持、固定於適當位置處，且沒有空氣內包(在該箔片與該表面之間及在該箔片內之孔洞中)。

該彈性元件在步驟c)中被按壓至該箔片上，係意謂該彈性元件至少在步驟c之部分的期間被按壓至該箔片上。較佳地，該彈性元件在步驟c)之整個持續時間內被按壓抵靠該箔片。

在本實施例中，該彈性元件被按壓至該箔片上，達到用超過該彈性元件之重量的力來將該彈性元件按壓至該箔片上的程度。該彈性元件的自身重量係因此不足以使其如本實施例中所提供地被按壓。作為本實施例之一替代，針對步驟c)之整個持續時間，該彈性元件可擱靠於該箔片上，而沒有按壓抵靠該箔片。

在該方法之一進一步較佳實施例中，該彈性元件在步驟d)中係藉助於一抓具自該箔片抬離。

用該抓具，該彈性元件能以一自動化方式自該箔片移開。此允許整個方法以一自動化方式進行，藉此可避免錯誤。該抓具可例如形成為一針刺抓具。

作為本發明之一進一步態樣，提供一種用以電化生長複數條奈米線的配置。該配置包含： -一表面，該等奈米線將生長於其上， -一箔片，其置放於該表面上，該箔片具有複數個穿通孔洞，於其中該等奈米線可自一電解質生長， -一彈性元件，其置放在該箔片上且係該電解質可滲透的，該電解質可能經由該彈性元件來與該箔片接觸， -一抓具，其用以將該彈性元件自該箔片移開。

該方法之優點及特徵可應用及轉移至所述配置，且反之亦然。該方法較佳係用該配置進行。該配置較佳係意欲且設計為根據所述方法來操作。

在一較佳實施例中，該配置亦包含一控制單元，其經設計以進行該方法之至少步驟c)至e)。該控制單元經設計來進行該方法，達到該方法係自動化的程度。因此，該控制單元可例如，藉由正由該控制單元控制之電化生長所需的一電壓，來控制電化生長。該彈性元件抵靠該箔片的按壓係可在步驟c)中由該控制單元控制，達到該彈性元件係例如藉助於一液壓柱塞而被按壓抵靠該箔片的程度。此一柱塞可由該控制單元控制。若步驟a)及/或b)亦以一自動化方式進行，則它們亦可由該控制單元控制。

該配置較佳係具有一外殼，該配置之所有元件係配置於該外殼內側。該外殼較佳具有用於一抽屜(drawer)的一容座。有可於其上生長之表面、其中箔片置放於其上且彈性元件置放於頂部上的一物體，係可被插入至該抽屜中且與後者一起推入該容座中。在此情況下，有可於其上生長的表面、以及置放於其上的箔片及置放於頂部上的彈性元件的該物體係可配置於該外殼內側。藉由配置於一外殼中，得到可用來生長奈米線之一特別使用者友好的機器。

在一進一步較佳實施例中，該配置亦包含用以以一自動化方式致動該抓具的一驅動件。

用該驅動件，步驟d)能以一自動化方式進行。該驅動件可例如經設計成在步驟d)中使該抓具與該彈性元件接觸，以抓持該彈性元件及/或將其自表面抬離。用該驅動件，因此該抓具之位置可變化，且/或該抓具可被致動。致動該抓具應被理解為，意謂該彈性元件可用該抓具抓持且再次釋放。該抓具可例如為一針刺抓具。

在一進一步較佳實施例中，該配置亦包含用於該彈性元件之一可移動擱架。

在步驟d)中，該彈性元件可用該抓具抓持且自該表面抬離。隨後，該可移動擱架可被推入於該表面與該彈性元件之間。該彈性元件可由該抓具置放在該可移動擱架上且釋放。隨後，該彈性元件可與該可移動擱架一起運走。隨後，該彈性元件可自該可移動擱架移開。此能以一自動化方式發生，例如藉由該可移動擱架以一方式移動，該方式係使得自一分開點開始，該彈性元件可不再跟隨該可移動元件之移動。該分開點可例如由於該可移動擱架被引導至不提供該彈性元件任何空間的一靜止容座中而獲得。該彈性元件在此情況下係被留下掛在該靜止容座之邊緣上。該彈性元件可寄放於一隔室中，該彈性元件可自該隔室手動地移開。

該可移動擱架能以一自動化方式移動，例如藉由一馬達。該可移動擱架較佳係由一撓性材料形成，例如由塑膠形成。因此，該可移動擱架在不需要時，能以一節省空間的方式收起。舉例而言，該可移動擱架可藉由一偏轉輥子引導，使得該可移動擱架在不需要時，可收起在相對於表面旋轉90°之一位置。

在一進一步較佳實施例中，該配置亦具有用以清潔該可移動擱架的一清潔裝置。

該清潔裝置較佳係經設計來將一清潔流體噴灑至該可移動擱架上。此可例如在該彈性元件已經與該可移動擱架一起運走且已經自該可移動擱架移開之後發生。該清潔裝置較佳係以一方式配置，該方式係使得在步驟d)中，一旦該彈性元件已自該可移動擱架移開，該可移動擱架就被引導經過該清潔裝置。

在一進一步較佳實施例中，該配置亦包含一電壓源，其連接至一電極及該表面，以施加用於該等奈米線之生長的一電壓。

該電壓源係用以提供電化生長所需之電流。該電壓源較佳係經設計來產生一脈衝電壓，特別是，具有在0.1至10 ms之範圍內的一脈衝頻率。已由測試顯示，用一脈衝電壓，可改良奈米線之品質。

在一進一步較佳實施例中，該配置亦具有一參考電極，其連接至該表面。

用該參考電極，可監測奈米線之生長。為此，在該電極與該參考電極之間的電壓可用該參考電極來量測。該配置可包含一或多個參考電極。

該電極較佳係藉由一第一纜線連接至該電壓源。其上待生長之表面較佳係藉由一第二纜線連接至該電壓源。該參考電極較佳係藉由一第三纜線連接至一伏特計。該表面較佳係藉由一第四纜線連接至該伏特計，其特別是獨立於該第二纜線。該第二纜線及該第四纜線較佳係各直接連接至該表面。為此，該表面可具有一個別接觸墊，該第二纜線及該第四纜線係藉其連接至該表面，例如藉助於一個別傳導帶。該參考電極因此不是由於該參考電極連接至該第二纜線的一分支而簡單地連接至該表面。已經發現的是，藉由比較，該參考電極對該表面的一直接附接係產生更準確的結果。

具有待生長之表面的物件及該參考電極係較佳地配置在抽屜中。

該第一纜線、該第二纜線、該第三纜線及該第四纜線可各分成多數個部分，該等部分例如藉由插入連接結構來連接至彼此。該第二纜線、該第三纜線及/或該第四纜線可各以一方式分成部分，該方式係使得對應纜線之兩個鄰近部分之間的一個別轉接部係配置在抽屜之一邊緣處。該抽屜可具有針對這三個纜線中之每一者的一對應連接器。因此，當抽屜被推入至容座中時，在表面與參考電極之間的電氣接觸係可藉由被形成之三個插入連接結構達成。該伏特計及該電壓源較佳係配置在外殼內側及用於該抽屜之容座外側。

在一進一步較佳實施例中，該配置亦包含一(特別是電氣傳動)輾壓機，其用以在彈性元件已經用抓具自該箔片移開時，自該彈性元件擠壓出電解質。

該輾壓機可具有兩個輥子，該彈性元件係移動通過該等兩個輥子之間。在此情況下，可藉由該等輥子將一壓力施加在該彈性元件上，使得該彈性元件釋放存在於該彈性元件中的電解質。以此方式，一相當大部分的該電解質可自該彈性元件移出且重複使用。

圖1顯示用於電化生長複數條奈米線1的一配置7。該配置7包含具有一表面2的一基體16，該等奈米線1將生長至該表面2上。該配置7亦包含一箔片3，其具有複數個穿通孔洞4，該等奈米線1可於其中自一電解質生長，且該箔片3已置放於該表面2上。該表面2具有一結構層17，其具有餘隙18。該等奈米線1僅可在該等餘隙18中生長。因此，該等奈米線1之生長係可局部地選擇性地發生。此外，該配置7包含一彈性元件5，其為電解質可滲透的且已置放於該箔片3上。該電解質可藉由該彈性元件5來與該箔片3接觸。該配置7亦包含一電壓源12，其連接至一電極13及該表面2，用以施加用於該等奈米線1之生長的一電壓。該電壓源12亦連接至控制單元8。該電極13可用一柱塞19按壓抵靠該彈性元件5。

該配置7係沒有完全地顯示於圖1中。進一步元件係顯示於圖2、3a及3b中。

圖2顯示圖1之配置7之進一步元件。為了整體清晰起見，並非所有圖1的元件係被顯示於圖2中。因此，連同電壓源12、電極13及具有表面2之基體16，配置7亦具有一參考電極14。該參考電極14藉由一伏特計20連接至該表面2。該電壓源12及該參考電極14係彼此獨立地附接至該表面2。

圖3a及3b顯示圖1及2之配置7的進一步元件。為了總體清晰起見，並非所有圖1及2之元件係顯示於圖3a及3b中。由圖3a及3b可見，特定言之，該配置7具有用以將彈性元件5自箔片3移開的一抓具6。圖3a顯示其中在該箔片3上之該彈性元件5係擱靠於基體16之表面2的狀態。該彈性元件5可用該抓具6抓持且自該表面2抬離。此係顯示於圖3b中。由於該彈性元件5在圖3b中不再擱靠於該箔片3上，因此在此情況下，根據本發明之配置7係不再顯示於圖3b中。該配置7係包含一驅動件9，其用以以一自動化方式致動該抓具6。此外，該配置7係包含一可移動擱架10，其用於該彈性元件5。在圖3a中，該可移動擱架10係被收起在相對於該表面2旋轉90°的一位置，因為在所示之狀態中不需要該可移動擱架10。在圖3b中，該可移動擱架10已被推入於該表面2與該彈性元件5之間。以此方式，該彈性元件5可置放在該可移動擱架10上。隨後，該彈性元件5可藉由該可移動擱架10移動回到圖3a所示之其狀態，來與該可移動擱架10一起運走。該彈性元件5可離開該可移動擱架10，例如，藉由該彈性元件5不跟隨該可移動擱架10之向下移動。一旦該彈性元件5已離開該可移動擱架10，便可用一清潔裝置11來清潔該可移動擱架10。為此，該可移動擱架10可被該清潔裝置11噴灑有一清潔流體。該配置7亦具有一電氣傳動輾壓機15，以用以在該彈性元件5已用該抓具6自該箔片3移開時，自該彈性元件5擠壓出電解質。該輾壓機15具有兩個輥子，該彈性元件5可在一力的作用下移動通過其等之間。

該配置7亦包含一控制單元8，其經設計以用以進行以下方法之步驟c)至e)： a)將一箔片3置放在表面2上，該箔片3具有複數個穿通孔洞4，於其中奈米線1可自一電解質生長， b)該電解質可滲透的一彈性元件5係置放在該箔片3上，該電解質經由該彈性元件5來與該箔片3接觸， c)針對一第一生長時期，電化生長該等複數條奈米線1，其中該彈性元件5係被按壓至該箔片3上， d)藉由該彈性元件5藉助於一抓具6自該箔片3抬離，來將該彈性元件5移開，以及 e)針對一第二生長時期，繼續該等複數條奈米線1之電化生長。

在步驟c)中，一轉移電荷係從用以電化生長該等奈米線1之電流所判定，其中步驟c)係在該轉移電荷已達到一預定限值時結束。

1:奈米線 2:表面 3:箔片 4:穿通孔洞 5:彈性元件 6:抓具 7:配置 8:控制單元 9:驅動件 10:可移動擱架 11:清潔裝置 12:電壓源 13:電極 14:參考電極 15:輾壓機 16:基體 17:結構層 18:餘隙 19:柱塞 20:伏特計

下文基於圖式更詳細地解釋本發明。該等圖式顯示一特別較佳的範例性實施例，然而本發明並不限於它。該等圖式及其中所示之相對尺寸係僅為示意。在該等圖式中： 圖1：顯示根據本發明之用以電化生長複數條奈米線的一配置， 圖2：顯示用於圖1之配置之一參考電極的一連接結構， 圖3a及3b：顯示在兩個不同狀態下圖1之配置的進一步元件。

1:奈米線

2:表面

3:箔片

4:穿通孔洞

5:彈性元件

7:配置

12:電壓源

13:電極

16:基體

17:結構層

18:餘隙

19:柱塞

Claims (12)

1. 一種用以在一基體(2)上電化生長複數條奈米線(1)之方法，其包含： a)將一箔片(3)置放在該表面(2)上，該箔片(3)具有複數個穿通孔洞(4)，於其中該等奈米線(1)可自一電解質生長， b)將該電解質可滲透的一彈性元件(5)置放在該箔片(3)上，該電解質係經由該彈性元件(5)來與該箔片(3)接觸， c)針對一第一生長時期，電化生長該等複數條奈米線(1)， d)移開該彈性元件(5)，以及 e)針對一第二生長時期，繼續電化生長該等複數條奈米線(1)。
2. 如請求項1之方法，其中從用以在步驟c)中電化生長該等奈米線(1)的一電流判定一轉移電荷，且其中步驟c)係在該轉移電荷已達到一預定限值時結束。
3. 如請求項1或2中任一項之方法，其中該彈性元件(5)係在步驟c)中被按壓至該箔片(3)上。
4. 如請求項1至3中任一項之方法，其中該彈性元件(5)係在步驟d)中藉助於一抓具(6)而自該箔片(3)抬離。
5. 一種用以電化生長複數條奈米線(1)的配置(7)，其包含： -一表面(2)，該等奈米線(1)係將生長於其上， -一箔片(3)，其置放在該表面(2)上，該箔片(3)具有複數個穿通孔洞(4)，於其中該等奈米線(1)可自一電解質生長， -一彈性元件(5)，其放置在該箔片(3)上且係該電解質可滲透的，該電解質可經由該彈性元件(5)來與該箔片(3)接觸， -一抓具(6)，其用以將該彈性元件(5)自該箔片(3)移開。
6. 如請求項5之配置(7)，其亦包含一控制單元(8)，該控制單元(8)經設計來供進行一種如請求項1至4中任一項之方法的步驟c)至e)。
7. 如請求項5或6之配置(7)，其亦包含用以以一自動化方式致動該抓具(6)的一驅動件(9)。
8. 如請求項5至7中任一項之配置(7)，其亦包含用於該彈性元件(5)之一可移動擱架(10)。
9. 如請求項8之配置(7)，其亦包含用以清潔該可移動擱架(10)的一清潔裝置(11)。
10. 如請求項5至9中任一項之配置(7)，其亦包含一電壓源(12)，該電壓源(12)係連接至一電極(13)及該表面(2)，用以施加用於該等奈米線(1)之該生長的一電壓。
11. 如請求項10之配置(7)，其亦包含連接至該表面(2)的一參考電極(14)。
12. 如請求項5至11中任一項之配置(7)，其亦包含一輾壓機(15)，其用以在已用該抓具(6)自該箔片(3)移開該彈性元件(5)時，自該彈性元件(5)擠出該電解質。

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