TW202242933A - 升降機構及應用其之按鍵結構 - Google Patents
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Abstract
按鍵結構包括底板、鍵帽及升降機構。底板包括第一底牆。鍵帽與底板相對配置且包括第一帽牆。升降機構可活動地連接在鍵帽與底板之間,使鍵帽可相對於底板往復移動,且升降機構包括第一下軸部及第一上軸部,分別可活動地連接在鍵帽與底板的同一側。當鍵帽處於一釋放狀態時,第一上軸部抵接於第一帽牆,但第一下軸部與第一底牆間隔一保留間隙。
Description
本發明是有關於一種按鍵結構。
習知按鍵結構包含鍵帽、升降機構及底板。採自動化組裝時,升降機構必須先組裝連接到底板上,再將鍵帽組裝連接到底板上的升降機構,使升降機構連接在鍵帽與底板之間。然,電子裝置長年追求薄型化的趨勢,讓鍵帽、升降機構及底板間的連接部件的尺寸退無可退。再者,升降機構的自動化組裝涉及多種設計需求及複雜變數,例如鍵帽的高度控制、鍵帽直上直下不能偏斜、升降機構與底板間的抗拉拔力、防止升降機構脫出、防止升降機構結構損傷形變。這些設計需求及變數都會影響按鍵結構強度、按鍵運作,以及自動化組裝動作與工序、組裝時程與產能。尤其,升降機構與底板在組裝時所發生的磨損量會改變按鍵結構的預設升降行程,導致按鍵高度控制不精確的問題。因此,如何提出一種適當設計的按鍵結構以改善前述問題是本技術領域業者重要的議題。
因此,本發明提出一種按鍵結構,可改善習知問題。
本發明一實施例提出一種按鍵結構。按鍵結構包括一底板、一鍵帽及一升降機構。底板包括一第一底牆。鍵帽與底板相對配置且包括一第一帽牆。升降機構可活動地連接在鍵帽與底板之間,使鍵帽可相對於底板往復移動,且升降機構包括一第二下軸部及一第一上軸部,分別可活動地連接在鍵帽與底板的同一側。當鍵帽處於一釋放狀態時,第一上軸部抵接於第一帽牆,但第二下軸部與第一底牆間隔一保留間隙。
本發明另一實施例提出一種升降機構。升降機構可活動地連接在一鍵帽與一底板之間,使鍵帽可相對於底板往復移動。升降機構包括彼此相對活動的一對支架,此對支架包含一第一上軸部與一第一下軸部,分別可活動地連接在鍵帽與底板的同一側。當鍵帽處於一釋放狀態時,第一上軸部抵接於鍵帽之一第一帽牆,但第一下軸部與底板之一第一底牆間隔一保留間隙。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解,下文特舉實施例,並配合所附圖式詳細說明如下:
請參照第1~7圖,第1~5圖繪示依照本發明一實施例之按鍵結構100處於釋放狀態的示意圖,而第6~7圖繪示第1圖之按鍵結構100處於按壓狀態的示意圖,其中第1圖繪示依照本發明一實施例之按鍵結構100處於釋放狀態的組合圖,第2及3圖繪示第1圖之按鍵結構100於不同視角的分解圖,第4圖繪示第1圖之按鍵結構100(未繪示鍵帽120)的俯視圖,第5圖繪示第4圖之按鍵結構100沿方向5-5’的剖面圖,第6圖繪示第1圖之按鍵結構100處於按壓狀態的組合圖,而第7圖繪示第6圖之按鍵結構100之剖面圖。
如第1~3及5圖所示,按鍵結構100包括底板110、鍵帽120、升降機構130、彈性體150(第5圖)及薄膜開關層140。鍵帽120與底板110相對配置,升降機構130可活動地連接在鍵帽120與底板110之間,使鍵帽120可相對於底板110往復移動。雖然未在所有圖式繪示,然按鍵結構100更包括彈性體150(見第5圖),其配置於鍵帽120與底板110之間,穿過升降機構130。在鍵帽120處於按壓狀態(第7圖之下極限位置PL),彈性體150形變而儲存彈性位能。在釋放鍵帽120後,彈性體150釋放彈性位能而驅使鍵帽120回復至釋放狀態(第5圖之上極限位置PU)。薄膜開關層140配置於底板110上。薄膜開關層140包括至少一開關(未繪示),當鍵帽120處於按壓狀態,彈性體150觸發薄膜開關層140之開關而發出一觸發訊號。處理器(未繪示)收到觸發訊號後,據以執行對應功能。
本發明揭露之各實施例主要涉及鍵帽120高度控制結構的調整。鍵帽高度是按鍵結構100和鍵帽120處於釋放狀態時,鍵帽120位於最高點位置時相對於底板110的高度。所謂高度控制,是透過重新設計按鍵結構100的元件結構,來控制鍵帽120在升降行程中的最高點位置;當鍵帽120達到最高點位置時,剪刀式升降機構130也展開來達到最高點。不過,由於設計上的複雜性,釐清本發明實施例的發明思路極其重要。
首先,由於經金屬加工的底板110具有較高精度與準確性,底板110的連接部件普遍被用來設計高度控制機制。再者,剪刀式升降機構120的兩個互連支架130X/132Y,要能確保鍵帽120從釋放狀態到按壓狀態都能穩定平直的上升下降。底板110上與鍵帽120上的連接部件,要能確實抓持升降機構130的轉軸(例如第二下軸部131B/第一下軸部131A、第一上軸部132A /第二上軸部132B),以避免升降機構130的轉軸脫出,又要在升降行程中確保升降機構130的轉軸能有進行轉動及/或移動的裕度。自動組裝過程中,若欲提高升降機構130分別與鍵帽120/底板110的連接強度、減少組裝間隙、又能加快組裝速度,可將干涉組裝列為優先選項。但是,干涉組裝也使得塑料支架130X/132Y受金屬底板110的連接部件邊緣切割缺損,形成新的元件間隙。因此,若要沿用過往方式以底板110的連接部件來設計高度控制機制,就要一併解決底板110這一側的元件間隙問題。
從剖面圖來看,例如第5圖所示,剪刀式升降機構120概呈中央樞轉的X形架構;為使鍵帽120在升降過程順暢穩定的運動,升降機構120的X形架構與鍵帽120/底板110分別連接的上下左右四個連接處,通常要有2個轉動側和2個滑動側。本發明較佳實施例需要在這四個連接處中,選定一個最佳者作為滑動側來設計高度控制機制。如前述,若要沿用過往方式以底板110的連接部件來設計高度控制機制,就要一併解決底板110這一側的元件間隙問題。但是隨著按鍵薄型化趨勢的演進,鍵帽120和升降機構130的最高點越來越低,使得慣用方式遭遇到新的問題。例如第5圖中,假設該實施例選擇右下角的第一底牆111作為高度控制機制,為了一併解決因為前述干涉組裝、元件損傷造成的元件間隙問題,就需要再由底板110延伸額外的限制結構,將升降機構130的第二下軸部131B擋在更右側位置,才能將鍵帽120和升降機構130的最高點保持在更低的位置。但是第一底牆111是位於內圈支架130Y的內側,其L型鉤部的側鉤段111h長度若要兼顧干涉組裝、避免過長干涉到外圈支架130X、按鍵薄型化與按鍵高度降低等等的設計限制,會得到一個側鉤段111h過短的第一底牆111,導致第一下軸部131A滑動空間不足,且第一下軸部131A容易從第一底牆111的側鉤段111h脫出。或者,在此多變數系統中,改以第一底牆111本身加工限制、第一下軸部131A滑動空間為重,確保第一底牆111的側鉤段111h有足夠長度,結果又會發生干涉組裝的干涉量過大、元件損傷造成間隙過大、按鍵高度控制失準;如此一來,底板110的額外限制結構又需再向右移,造成第一下軸部131A或第一底牆111的側鉤段111h可能跟外圈支架130X干涉,或者第一下軸部131A的滑動空間不足以讓鍵帽120被完全按壓、到達最低點。
因此,本發明的實施例選擇以升降機構130與鍵帽120二個連接處中的滑動側,作為高度控制的目標結構,如此可以避免干涉組裝/元件損傷/元件間隙等因果變數造成高度控制的不必要干擾,進而解決干涉組裝/元件損傷/元件間隙導致的高度控制不準確的問題。
如第1至5圖所示,升降機構130包括彼此相對活動的一對支架,即內圈支架130Y和圍繞在內圈支架130Y之外的外圈支架130X。此對支架130X/130Y包含前述第一下軸部131A、第一上軸部132A、第二下軸部131B及第二上軸部132B。其中第一上軸部132A及第二下軸部131B位於外圈支架130X上,而第二上軸部132B與第一下軸部131A則位於內圈支架130Y上。在實施例中,升降機構130還包括一對內圈側臂133及一對外圈側臂134。其中第一上軸部132A及第二下軸部131B位於外圈側臂134二相對側而構成一個完整的外圈支架130X;至於第二上軸部132B與第一下軸部131A則位於內圈支架130Y的二相對側而構成一個完整的內圈側臂133。此外,內圈側臂133與外圈側臂134樞接於一樞接軸向P1(樞接軸向P1繪示於第1圖)。在實施例中,內圈側臂133與外圈側臂134以純轉動的方式樞接。如圖所示,第一下軸部131A及第一上軸部132A位於樞接軸向P1的第一側S1,而第二下軸部131B及第二上軸部132B位於樞接軸向P1的第二側S2,其中第一側S1與第二側S2分別為樞接軸向P1的相對二側。
鍵帽120更包括至少一對第二帽牆122。升降機構130之第二上軸部132B位於內圈支架130Y上、相對於第一下軸部131A的另一側(第二側S2);第二上軸部132B受二第二帽牆122夾持而樞接於鍵帽120上,使第二上軸部132B成為升降機構130在鍵帽120方向的轉動側。底板110更包括一或多個第二底牆112(見第1/2/3/5圖),升降機構130之第二下軸部131B位於外圈支架130X上、相對於第一上軸部132A的另一側(第二側S2);第二下軸部131B受至少二第二底牆112夾持而樞接於底板110上,使第二下軸部131B成為升降機構130在底板110方向的轉動側。
在底板110與升降機構130的組裝過程中,升降機構130之第二下軸部131B先套入底板110之第二底牆112,然後升降機構130繞第二底牆112旋轉,直到將第一下軸部131A扣入第一底牆111。在一實施例中,第一底牆111的硬度例如是大於升降機構130之第一下軸部131A的硬度。以材質來說,底板110例如是以金屬製成,如不銹鋼或鋁合金,而升降機構130例如是以聚合物製成,如塑膠或合成樹脂。由於第一底牆111的硬度大於第一下軸部131A的硬度,因此在第一下軸部131A與第一底牆111的扣合過程中,第一下軸部131A面向第一底牆111的側鉤段111h會發生磨損量w。由於本發明實施例之第一下軸部131A與第一底牆111在釋放狀態時彼此間隔(未相抵接),因此磨損量w不影響鍵帽120的升降行程。當然,升降機構130也可以採用垂直組裝,在第二下軸部131B對準套入底板110之第二底牆112的同時,第一下軸部131A對第一底牆111的側鉤段111h進行干涉組裝,也會發生磨損量w。
就鍵帽120的高度控制機制,主要與鍵帽120及底板110上對升降機構130的連接部件相關。請參考第1至5圖所示,底板110包括第一底牆111,且鍵帽120包括至少一第一帽牆121。剪刀式升降機構130的第一下軸部131A及第一上軸部132A,其分別可活動地連接在鍵帽120與底板110的同一側(如,第一側S1),第一下軸部131A及第一上軸部132A都作為滑動側。相對的在第二側S2,升降機構130則包括第二下軸部131B與第二上軸部132B作為轉動側。請參考第6~7圖所示,在鍵帽120處於按壓狀態、位於最低點時(如第7圖之下極限位置PL)時,第一下軸部131A與第一底牆111間隔一底牆間隙Gb,第一上軸部132A與第一帽牆121間隔一帽牆間隙Gh,並且帽牆間隙Gh小於底牆間隙Gb。帽牆間隙Gh關乎第一上軸部132A在第一帽牆121的橫向段121h內緣的可滑動範圍,底牆間隙Gb則關乎第一下軸部131A在第一底牆111的側鉤段111h內緣的可滑動範圍;換言之,第一上軸部132A受限於第一帽牆121的可滑動距離,小於第一下軸部131A受限於第一底牆111的可滑動距離。
請參考第1~5圖所示,並同時參考第6~7圖所示,當鍵帽120由於按壓狀態(如第7圖所示)下、最低點的下極限位置PL,朝釋放狀態下、鍵帽120最高點的上極限位置PU上升時,第二下軸部131B與第二上軸部132B作為轉動側並不移動(如,不平移),而作為滑動側的第一下軸部131A及第一上軸部132A都由外向內(第5圖/第7圖中是由右向左)逐漸滑動。由於第一上軸部132A與第一帽牆121間的帽牆間隙Gh較短,第一下軸部131A才移動到與第一底牆111間隔一保留間隙G時,第一上軸部132A抵接於第一帽牆121,此時鍵帽120到達最高點的上極限位置PU。實務上在設計保留間隙G時,其數值可以趨近於帽牆間隙Gh與底牆間隙Gb間的差值。
鍵帽120處於釋放狀態(如第5圖所示)時,也就是鍵帽120到達上極限位置PU,同時按鍵結構100與升降機構130將整體向上完全展開。由於第一下軸部131A與第一底牆111間隔一保留間隙G,即使第一下軸部131A具有些微的磨損量w,但保留間隙G遠大於磨損量w,第一下軸部131A並不會受到第一底牆111干涉限位,而改變鍵帽120在磨損量0下之預設升降行程。
雖然一般而言,塑料的鍵帽120採模具製造,會產生一定的公差
d,但是此一公差
d並不影響前述的鍵帽高度控制。如第5圖所示,第一帽牆121與第二帽牆122之間距離D
d的公差
d小於第一下軸部131A之磨損量w之尺寸。公差
d例如是製造及/或組裝公差。公差
d比第一下軸部131A之磨損量w還小,保留間隙G也大於公差
d的絕對值。因此相較於磨損量w,公差
d對於升降行程的影響(改變量)較小;再者,即使鍵帽120在生產製造過程真的產生公差
d,由於預設的保留間隙G將大於公差
d的絕對值,會確保底牆間隙Gb不會反過來大於帽牆間隙Gh,也就是不會變成受損的第一下軸部131A先被第一底牆111限位、導致鍵帽120有一個失準的最高點。在一實施例中,公差
d例如是
0.03毫米,而磨損量w例如是0.05毫米。然公差
d的數值及/或磨損量w的數值視實際情況而定,本發明實施例不加以限定。
在一實施例中,升降機構130之第一上軸部132A的材質與鍵帽120之第一帽牆121的材質相同,例如都為聚合物,如塑膠。由於第一上軸部132A與第一帽牆121的材質相同,因此當第一上軸部132A與第一帽牆121扣合時,第一上軸部132A與第一帽牆121僅形變而不磨損,或僅發生一微小磨損量。此微小磨損量(若有的話)不足以改變鍵帽120的升降行程。
在上述實施例中,是以第5圖之外圈支架130X在鍵帽120方向的滑動側(即,第一上軸部132A)與第一帽牆121彼此限位而由外圈支架130X控制鍵帽120的高度。但是在另一實施例中,也可以用內圈支架130Y在鍵帽120方向的一端(即,第二上軸部132B)作為滑動側,並與第二帽牆122彼此限位(第二帽牆122改為第一帽牆121的L型結構)而由內圈支架130Y控制鍵帽120的高度。
換言之,雖然上述實施例是以外圈支架130X的第一上軸部132A與第一帽牆121、內圈支架130Y的第一下軸部131A與第一底牆111為例,但是在其他實施例可以反置。也就是,前述第一上軸部可以隸屬內圈支架的靠鍵帽的一端,第一帽牆可以隸屬鍵帽對應內圈支架的第一上軸部。同理,前述第一下軸部可以隸屬外圈支架靠底板的一端,第一底牆可以隸屬底板對應外圈支架的第一下軸部。意即,就剪刀式升降機構而言,只要有同側的一對滑動側、並選擇鍵帽端的滑動側作為高度控制機制,都能達到本發明思想所能實現的特殊功效。
綜上,本發明實施例提出一種按鍵結構。按鍵結構包括鍵帽、升降機構及底板。當鍵帽處於釋放狀態時,升降機構之下軸部與底板之底牆間隔一保留間隙。如此,即使下軸部具有磨損量,由於在釋放狀態時下軸部與底牆彼此間隔,磨損量也不會影響(改變)鍵帽的預設之升降行程和按鍵高度。因此,本發明實施例之按鍵結構特別能符合短行程的薄型化按鍵的設計要求。
綜上所述,雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作各種之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:按鍵結構
110:底板
111:第一底牆
111s:表面
111h:側鉤段
112:第二底牆
120:鍵帽
121:第一帽牆
121h:橫向段
122:第二帽牆
130:升降機構
130X:(外圈)支架
130Y:(內圈)支架
131A:第一下軸部
132A:第一上軸部
131B:第二下軸部
132B:第二上軸部
133:內圈側臂
134:外圈側臂
140:薄膜開關層
150:彈性體
D
d:距離
d:公差
G:保留間隙
Gb:底牆間隙
Gh:帽牆間隙
P1:樞接軸向
PU:上極限位置
PL:下極限位置
S1:第一側
S2:第二側
w:磨損量
第1圖繪示依照本發明一實施例之按鍵結構處於釋放狀態的組合圖。
第2及3圖繪示第1圖之按鍵結構於不同視角的分解圖。
第4圖繪示第1圖之按鍵結構(未繪示鍵帽)的俯視圖。
第5圖繪示第4圖之按鍵結構沿方向5-5’的剖面圖。
第6圖繪示第1圖之按鍵結構處於按壓狀態的組合圖。
第7圖繪示第6圖之按鍵結構之的剖面圖。
100:按鍵結構
110:底板
111:第一底牆
111h:側鉤段
111s:表面
112:第二底牆
120:鍵帽
121:第一帽牆
122:第二帽牆
130:升降機構
131A:第一下軸部
132A:第一上軸部
131B:第二下軸部
132B:第二上軸部
133:內圈側臂
134:外圈側臂
140:薄膜開關層
D±d:距離
±d:公差
G:保留間隙
P1:樞接軸向
PU:上極限位置
S1:第一側
S2:第二側
w:磨損量
Claims (15)
- 一種按鍵結構,包括: 一底板,包括一第一底牆; 一鍵帽,與該底板相對配置且包括一第一帽牆; 一升降機構,可活動地連接在該鍵帽與該底板之間,使該鍵帽可相對於該底板往復移動,且該升降機構包括一第一下軸部及一第一上軸部,分別可活動地連接在該鍵帽與該底板的同一側; 其中,當該鍵帽處於一釋放狀態時,該第一上軸部抵接於該第一帽牆,但該第一下軸部與該第一底牆間隔一保留間隙。
- 如請求項1所述之按鍵結構,其中該升降機構包括一內圈側臂及一外圈側臂,該內圈側臂與該外圈側臂樞接於一樞接軸向,該第一下軸部及該第一上軸部位於該樞接軸向的同一側。
- 如請求項1所述之按鍵結構,其中該底板之該第一底牆的硬度大於該升降機構之該第一下軸部的硬度。
- 如請求項1所述之按鍵結構,其中該升降機構之該第一上軸部的材質與該鍵帽之該第一帽牆的材質皆為聚合物。
- 如請求項1所述之按鍵結構,其中該第一下軸部面向該第一底牆的表面具有一磨損量,該保留間隙大於該磨損量。
- 如請求項1所述之按鍵結構,其中該鍵帽更包括一第二帽牆,該第一帽牆與該第二帽牆之間距離的一公差的絕對值小於該保留間隙。
- 如請求項1所述之按鍵結構,其中該第一下軸部與該第一底牆間隔一底牆間隙,該第一上軸部與第一帽牆間隔一帽牆間隙,並且該帽牆間隙小於該底牆間隙。
- 一種升降機構,可活動地連接在一鍵帽與一底板之間,使該鍵帽可相對於該底板往復移動,該升降機構包括: 彼此相對活動的一對支架,該對支架包含一第一上軸部與一第一下軸部,分別可活動地連接在該鍵帽與該底板的同一側; 其中,當該鍵帽處於一釋放狀態時,該第一上軸部抵接於該鍵帽之一第一帽牆,但該第一下軸部與該底板之一第一底牆間隔一保留間隙。
- 如請求項8所述之升降機構,其中該對支架彼此樞接。
- 如請求項8所述之升降機構,其中該第一上軸部與該第一下軸部分別可活動地連接在該鍵帽與該底板的一第一側;該對支架更包括一第二上軸部與一第二下軸部,分別樞接在該鍵帽與該底板的一第二側,該第二側位於該第一側的相對側。
- 如請求項8所述之升降機構,其中該對支架包括一內圈側臂及一外圈側臂,該內圈側臂與該外圈側臂樞接於一樞接軸向,該第一下軸部及該第一上軸部位於該樞接軸向的同一側。
- 如請求項11所述之升降機構,其中該對支架更包括一第二上軸部與一第二下軸部,該第二下軸部及該第二上軸部位於該樞接軸向之該同一側的相對側。
- 如請求項8所述之升降機構,其中該第一下軸部面向該第一底牆的表面具有一磨損量,該保留間隙大於該磨損量。
- 如請求項8所述之按鍵結構,其中該鍵帽更包括一第二帽牆,該第一帽牆與該第二帽牆之間距離的一公差的絕對值小於該保留間隙。
- 如請求項8所述之按鍵結構,其中該第一下軸部與該第一底牆間隔一底牆間隙,該第一上軸部與第一帽牆間隔一帽牆間隙,並且該帽牆間隙小於該底牆間隙。
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