TW202242554A - 操作微影系統的方法 - Google Patents

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蔡政宏
余昇剛
簡上傑
劉恆信
陳立銳
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

一種操作微影系統的方法包括沉積遮罩層在基材上、根據圖案將反射自微影系統的組合式集光器的集光器中央區之第一輻射導向遮罩層、根據圖案將反射自組合式集光器的第一集光器周邊區之第二輻射導向遮罩層，其中第一集光器周邊區藉由第一縫隙與集光器中央區垂直隔開。操作微影系統的方法包括移除遮罩層的數個第一區域和數個第二區域以形成數個開口在此遮罩層中，其中遮罩層的第一區域暴露在第一輻射及遮罩層的第二區域暴露在第二輻射。操作微影系統的方法包括移除顯露在開口中位於此遮罩層下方的層的材料。

Description

微影系統與方法
無
半導體積體電路(integrated circuit, IC)產業已歷經了指數成長。IC材料及設計的技術性進步已產生了數個世代的ICs，其中各世代都比前一世代具有更小且更複雜的電路。在IC演進的歷程中，功能密度(即單位晶片面積的內連線裝置數目)通常會增加，而幾何尺寸(即可使用製程生產的最小元件(或線))卻減少。此微縮化(scaling down)的製程通常藉由提高生產效率及降低相關成本來提供效益。此微縮化亦增加IC製程的複雜性。
無
以下的揭示內容提供許多不同的實施例或範例，以展示本揭示案的不同特徵。以下將揭示本揭示案各部件及其排列方式之特定範例，用以簡化本揭示案敘述。當然，這些特定範例並非用於限定本揭示案。例如，若是本揭示案以下的發明內容敘述了將形成第一結構於第二結構之上或上方，即表示其包括了所形成之第一及第二結構是直接接觸的實施例，亦包括了尚可將附加的結構形成於上述第一及第二結構之間，則第一及第二結構為未直接接觸的實施例。此外，本揭示案說明中的各式範例可能使用重複的參照符號及/或用字。這些重複符號或用字的目的在於簡化與清晰，並非用以限定各式實施例及/或所述外觀結構之間的關係。
再者，為了方便描述圖式中一元件或特徵部件與另一(些)元件或特徵部件的關係，可使用空間相關用語，例如「在...之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」及諸如此類用語。除了圖式所繪示之方位外，空間相關用語亦涵蓋使用或操作中之裝置的不同方位。當裝置被轉向不同方位時(例如，旋轉90度或者其他方位)，則其中所使用的空間相關形容詞亦將依轉向後的方位來解釋。
本文中用語如「約」、「近似」、「實質上(substantially)」、或類似用語，用以簡化本揭示案敘述。本領域普通技術人員可理解此用語並從中得到意義。舉例來說，「約(about)」可指尺寸的20%、10%、5%等的變化範圍內，但在接受的情況下可使用其他數值。「實質上(substantially)」較「約(about)」範圍限縮，其可指尺寸的10%、5%、或更小的變化範圍內，但本揭示案不限於此。特徵「實質上平面」可能是直線在10%或更小範圍內的變化。特徵「實質上固定濃度」可能是某一尺度下的濃度在5%或更小範圍內的變化。再次說明，基於產業知識和現今製造技術等，本領域普通技術人員可理解此用語並從中得到適當的意義。
本揭示案大致上是有關於製造半導體裝置的微影儀器，尤其是光源部件中的組合式集光器。尺寸微縮化(scaling down)增加先進製程節點(node)的困難度。微影技術採用更短的曝光波長，其包括深紫外(deep ultraviolet, DUV, 波長約193奈米(nm)到248nm)、極紫外(extreme ultraviolet, EUV, 波長約10nm到100nm，特別是波長13.5nm)、和X光(波長約0.01nm到10nm)，藉此確保微縮化過程中圖案化的精準度。EUV光由光源產生，接著使用數個鏡面和一個反射型遮罩將EUV光導向晶圓。由於僅一小部分的EUV光可到達晶圓，所以如何使光源產生的EUV光的強度提升是一門十分受到關注的課題。
典型的EUV掃描器包括集光器，液滴材料(例如錫)被雷射脈衝照射所發出的散射的光可透過集光器來聚焦集中。集光器具有高度拋光的鏡面，此鏡面為凹面狀且通常為圓弧截面。在主要架構中，集光器的中央設置一開口，一或多道雷射脈衝從集光器後方的光源(例如雷射) 發出，穿過開口並在集光器前方擊中液滴。在EUV微影發展過程中，提升集光器的尺寸以提升EUV轉換效率，藉此強化每日晶圓(wafer per day, WPD)產出量。然而，尺寸的提升導致集光器因重量而變形，進一步阻礙集光器聚焦EUV光的能力。錫汙染或積聚在集光器的鏡面上與集光器表面上的氣流有關，當集光器的尺寸增大時，氣流將難以維持和控制。此外，製造單個大尺寸具有精準的曲面之集光器的費用十分龐大。
在本揭示案的實施例中，揭示了具有階層結構(hierarchical structure)的組合式集光器，這使增大集光器的尺寸可以實行。集光器的各區之間的縫隙可提升氣流的覆蓋率，從而預防錫積聚在組合式集光器上。具有階層結構的組合式集光器之模組設計易於維護且製造費用較低。
第1A圖根據一些實施例繪示微影曝光系統10的示意圖。在一些實施例中，微影曝光系統10為EUV微影系統，設計以使用EUV輻射曝光一光阻層，所以微影曝光系統10亦可被稱為EUV系統。在一些實施例中，微影曝光系統10包括光源120、照明器140、遮罩載台16、投影光學模組(或投影光學盒(projection optics box, POB))130和基材載台24。微影曝光系統10的元件可額外添加或是省略，本揭示案不限於此。
在一些實施例中，光源120設置以產生波長介於1nm和100nm之間的光輻射。在一特定例子中，光源120產生波長約13.5nm的EUV輻射。因此光源120亦可被稱為EUV輻射源。然而，應理解的是光源120並不局限於發出EUV輻射。光源120可能藉由激發目標材料而發出任何高強度光子。
在一些實施例中，照明器140包括各種折射光學元件，例如單一透鏡或是由多個反光器100組成的透鏡系統，例如數個透鏡(波帶片(zone plate))，或是照明器140包括數個反射光學件(用於EUV微影曝光系統)，例如單反射鏡或具有複數反射鏡的反射鏡系統，以將來自光源120的光引導至遮罩載台16上，特別是引導至固定在遮罩載台16上的遮罩18上。在光源120產生EUV之實施例中，採用反射光學件。在一些實施例中，照明器140包括至少三個透鏡。
遮罩載台16設置以固定遮罩18。在一些實施例中，遮罩載台16包括可能包括靜電夾盤(electrostatic chuck,e-chuck)以固定遮罩18。這是因為氣體分子吸收EUV光，且用於EUV微影圖案之微影系統需維持在真空環境中以避免EUV強度損失。本揭示案中，術語遮罩(mask)、光罩(photomask)及倍縮光罩(reticle)可互換使用以代指相同的項目。在一些實施例中，遮罩18是反射式遮罩。遮罩18例示性結構包括基材，此基材由適當的材料製成，例如低熱膨脹材料(low thermal expansion material, LTEM)或石英(fused quartz)。在不同實施例中，低熱膨脹材料包括二氧化鈦(TiO 2)、摻雜的二氧化矽(SiO 2)、或其他具有低熱膨脹的合適材料。遮罩18可包括沉積在基材上的反射多層膜(reflective multiple layer)。
投影光學模組(或投影光學盒(POB))130設置以將遮罩18的圖案成像在半導體晶圓22上，且半導體晶圓22固定於微影曝光系統10的基材載台24上。在一些實施例中，投影光學模組130包括折射光學件(例如用於紫外(ultraviolet, UV)微影系統)或反射光學件(例如用於EUV微影系統)。光經過遮罩18、帶著在遮罩18上所定義的圖案影像後、集中於投影光學模組130。照明器140和投影光學模組130可被合稱為微影曝光系統10的光學模組。在一些實施例中，投影光學模組130具有至少六個反射光學件。
在一些實施例中，半導體晶圓22可能由矽或其他半導體材料組成。除此之外，半導體晶圓22可能包含元素半導體材料，如鍺。在一些實施例中，半導體晶圓22可能包括化合物半導體，例如砷化鎵(gallium arsenide, GaAs)、碳化矽(silicon carbide, SiC)、砷化銦(indium arsenide, InAs)、磷化銦(indium phosphide, InP)、其他合適的材料、或上述的組合。在一些實施例中，半導體晶圓22可能包括合金半導體，如鍺化矽(silicon germanium, SiGe)、碳化矽鍺(silicon germanium carbide, SiGeC)、磷砷化鎵(gallium arsenic phosphide, GaAsP)、或磷銦化鎵(gallium indium phosphide, GaInP)。在一些實施例中，半導體晶圓22可能包括絕緣體上矽(silicon-on-insulator, SOI)或絕緣體上鍺(germanium-on-insulator, GOI)之基材。
除此之外，半導體晶圓22可具有各種裝置元件(device element)。舉例來說，形成在半導體晶圓22中的裝置元件可能包含電晶體(transistor)(例如金屬氧化物半導體場校電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET)、互補式金屬氧化物半導體 (complementary metal oxide semiconductor, CMOS) 電晶體、雙極性接面型電晶體(bipolar junction transistor, BJT)、高壓電晶體(high-voltage transistor)、高頻率電晶體(high-frequency transistor)、p通道及/或n通道場效電晶體(PFET及/或NFET)、二極體、或其他合適的元件)。不同的裝置元件可能採用不同製程方式，包括沉積、蝕刻、植佈、微影、退火、及/或其他合適的製程方式。在一些實施例中，半導體晶圓22上塗佈一層對EUV敏感的光阻層。上述的各種元件可能整合在一起、或在微影曝光製程中採用。
微影曝光系統10可進一步包括其他模組，或是與其他模組整合(或耦合)，其他模組例如清潔模組用以提供氫氣至光源120。氫氣有助於減少光源120上的汙染。光源120的詳細說明將參照第1B圖一併描述。
第1B圖根據一些實施例繪示光源120的示意圖。在一些實施例中，光源120採用雙脈衝(dual-pulse)雷射生成式電漿(laser produced plasma, LPP)機制以產生電漿88和進一步自電漿88產生EUV輻射。光源120包括液滴產生器30、液滴貯存器35、雷射生成式電漿(LPP)集光器60(亦可被稱為組合式集光器60)、監測裝置70和控制器90。光源120的前述的部分或全部元件配置於真空環境中。應理解的是，光源120的元件可額外添加或是省略，本揭示案不限於此。
設置的液滴產生器30可使目標材料80產生數個可被拉長的液滴82，產生的液滴82進入至一激發區域中，在此發區域中至少一個雷射脈衝51沿X軸撞擊液滴82，如第1B圖所示。在一些實施例中，目標材料80包括錫。在一些實施例中，形成的液滴82可能為橢圓狀。在一些實施例中，液滴82的產出頻率為約50千赫茲(kilohertz, kHz)，並且液滴82以每秒70公尺(70m/s)的速度進入至光源120的激發區域。目標材料80可包括其他合適的材料，舉例來說，具有液態材料的錫，如帶有錫、鋰或氙的共晶合金(eutectic alloy)。液滴產生器30中的目標材料80可為液相。
雷射產生器50設置以產生至少一個雷射脈衝而使液滴82轉變成電漿88。在一些實施例中，設置的雷射產生器50產生雷射脈衝51至觸發點52，以在此位置上使液滴82轉變成電漿88，而電漿88進一步產生EUV輻射84。雷射脈衝51穿過窗口(或透鏡)55並在觸發點52上激發液滴82。窗口55形成在組合式集光器60中並採用對雷射脈衝51大致上為透明的適當材料。液滴貯存器35捕捉並收集未使用的液滴82，及/或在雷射脈衝51撞擊液滴82之後液滴82散開的材料。
電漿88發出EUV輻射84，接著組合式集光器60收集EUV輻射84。組合式集光器60進一步反射並聚焦EUV輻射84，使得EUV輻射84可在曝光設備中進行微影製程。在一些實施例中，組合式集光器60具有光軸61，光軸61平行於Z軸且垂直於X軸。組合式集光器60具有至少兩個集光器區域，例如第1B圖所示的集光器區域60A至集光器區域60C，將於下文第2A圖至第2G圖中詳細說明。組合式集光器60可進一步具有外殼65，外殼65上設有第一幫浦66和第二幫浦68。在一些實施例中，第一幫浦66和第二幫浦68裝有洗滌器(scrubber)以從組合式集光器60中移除粒子及/或氣體。第一幫浦66和第二幫浦68在本文中可被合稱為幫浦66/68。
在一些實施例中，雷射產生器50是二氧化碳(CO 2)雷射源。在一些實施例中，雷射產生器50用以產生單一波長的雷射脈衝51。藉由光學件組合使通過的雷射脈衝51聚焦並且決定雷射脈衝51的入射角。在一些實施例中，雷射脈衝51照射尺寸約200微米(μm)至300μm之間，例如225μm。產生的雷射脈衝51具有特定的驅動功率(driving power)以達到晶圓生產目標，例如每小時晶圓(wafer per hour, WPH)產出量為125片晶圓，儘管如此，組合式集光器60所用的表面面積越大，可達到的WPH產出量越高。舉例來說，雷射脈衝51裝備23千瓦(kW)驅動功率。在一些實施例中，雷射脈衝51的驅動功率至少20kW，例如27kW。
監測裝置70設置以監測監測裝置70的一或多個狀態，以產出用於調控光源120參數的數據資料。在一些實施例中，監測裝置70包括量測(metrology)工具71和分析器73。當量測工具71設置來監測液滴產生器30所供應的液滴82之狀態時，量測工具71可包括如感光耦合元件(charge coupled device)的影像感測器、CMOS感測器、或類似者。量測工具71產生的監測影像包括液滴82的圖片或錄影，並且量測工具71傳送監測影像至分析器73。當量測工具71設置來檢測在光源120中液滴82所產生的EUV輻射84之能量或強度時，量測工具71可括多個能量感測器。能量感測器可以是任何合適的感測器，只要足以觀察和測量到EUV範圍內的電磁波輻射。
分析器73設置以分析量測工具71產生的訊號，並且根據分析結果輸出偵測訊號給控制器90。例如，分析器73包括圖片分析器。分析器73接收從量測工具71傳來的圖片相關的數據資料，接著對激發區域的液滴82之圖片進行分析。隨後，分析器73傳送分析相關數據資料給控制器90。分析可包括路徑錯誤或位置錯誤。
在一些實施例中，兩個或更多個量測工具71用來監測光源120的不同狀態。一個量測工具71設置以監測液滴產生器30供應的液滴82之狀態，另一個量測工具71設置以偵測在光源120中液滴82所產生的EUV輻射84之能量或強度。在一些實施例中，量測工具71是最終焦點模組(final focus module, FFM)位於雷射產生器50中以偵測反射自液滴82的光。
控制器90設置以控制一或多個光源120中的元件。在一些實施例中，控制器90設置以驅動液滴產生器30產生液滴82。此外，控制器90設置以驅動雷射產生器50發出雷射脈衝51。控制器90控制雷射脈衝51的產生與液滴82的產生具有關聯性，使得雷射脈衝51可依序擊中每一個液滴82。
在一些實施例中，液滴產生器30包括儲槽31和噴嘴32。儲槽31設置以容納目標材料80。在一些實施例中，氣體管線41連接至儲槽31並從氣體源40導入氣體(例如氬)至儲槽31中。藉由控制氣體管線41中的氣流，從而調控儲槽31內的壓力。例如，當氣體透過氣體管線41連續地供應至儲槽31中，儲槽31內的壓力隨之提高。藉此迫使儲槽31內的目標材料80以液滴82的形式離開儲槽31。
第2A圖至第2H圖根據本揭示案的各種實施例繪示組合式集光器60的各種示意圖。第2A圖是組合式集光器60的俯視圖。第2B圖和第2E圖是組合式集光器60沿第2A圖的線B-B的截面圖。第2C圖和第2D圖根據各種實施繪示集光器區域60C的詳細示意圖。第2F圖和第2G圖是第2B圖中組合式集光器60的重疊區域62和重疊區域63之詳細示意圖。第2H圖根據各種實施繪示具有環形片段的組合式集光器60之俯視圖。
第2A圖所示的組合式集光器60包括集光器區域60A、60B和60C。集光器區域60A實質上為鏡面拋光、具有上部600和支撐部610、以及位在組合式集光器60的中央區，其中上部600面向液滴82而支撐部610設置以支撐上部。在一些實施例中，上部600和支撐部610是整體地(monolithically)形成。在一些實施例中，支撐部610附加至及/或固定上部600，例如使用夾子或其他固定結構以保持住上部600的外緣。
在一些實施例中，集光器區域60A包括如不銹鋼等的材料，並且可進一步包括其他材料的一或多個塗層，其他材料如Ru、ZrN/ZrO 2多層結構或其他適合的材料，藉此提供鏡面表面。在一些實施例中，材料具有楊氏模數大於約200GPa。在一些實施例中，集光器區域60A整體上可具有一致的直徑D 60A。在一些實施例中，集光器區域60A可具有至少兩個直徑，而直徑D 60A可為其中一個。例如，針對具有橢圓形截面(垂直於Z軸)的集光器區域60A，直徑D 60A可能是長軸或短軸。在一些實施例中，直徑D 60A介於約100mm至約600mm之間，例如約400mm，但其他較大或較小的直徑可應用於其他實施例中。集光器區域60A包括窗口55，在一些實施例中，窗口55實質上位在集光器區域60A的最中央位置。如第2B圖所示，集光器區域60A進一步包括寬度W 60A，寬度W 60A為集光器區域60A外緣與窗口55外緣在集光器區域60A面向雷射產生器50的表面之距離。在一些實施例中，集光器區域60A整體具有實質上一致的寬度W 60A。集光器區域60A，相當於組合式集光器60的中央區，設置以反射第一組光子，稍後參照第2E圖進一步詳細描述。集光器區域60A進一步具有厚度t 60A，如第2F圖所示。在一些實施例中，集光器區域60A整體具有實質上一致的厚度t 60A(例如差異少於約10%、約5%或約1%)。
在一些實施例中，沿Z軸的情況下，集光器區域60A到60C三者之中，集光器區域60A在最接近雷射產生器50且最遠離液滴82的位置。在一些實施例中，Z軸平行於組合式集光器60的中心軸(或光軸61，見第1B圖)，並且Z軸可平行或是垂直於地球重力方向，但應理解的是可依據組合式集光器60於微影曝光系統10中的位置而應用其他方位。當組合式集光器60的光軸61垂直於地球重力方向時，可簡化液滴82的移動路徑之計算，因為液滴82的移動方向可能平行於地球重力方向。
集光器區域60B實質上為鏡片拋光，並且位置與集光器區域60A有所偏移，如第2B圖所示。在第2B圖的方位中，集光器區域60B沿Z軸方向與集光器區域60A錯開。集光器區域60B位在組合式集光器60的第一周邊區。在一些實施例中，集光器區域60B包括如不銹鋼等的材料，且材料的楊氏模數大於約200GPa。集光器區域60B可進一步包括其他材料的一或多個塗層，其他材料如Ru、ZrN/ZrO 2多層結構或其他適合的材料，藉此提供鏡面表面。在一些實施例中，集光器區域60B整體上可具有一致的直徑D 60 B。在一些實施例中，集光器區域60B可具有至少兩個直徑，而直徑D 60 B可為其中一個。例如，針對具有橢圓形截面(垂直於Z軸)的集光器區域60B，直徑D 60 B可能是長軸或短軸。在一些實施例中，直徑D 60 B介於約200mm至約800mm之間，但其他較大或較小的直徑可應用於其他實施例中。集光器區域60B通常為環形，具有內緣跟外緣(外緣在第2A圖以虛線呈現)，並且，在一些實施例中，集光器區域60B大致上對齊集光器區域60A的中心點。如第2B圖所示，集光器區域60B進一步包括寬度W 60 B，寬度W 60 B為集光器區域60B的外緣與集光器區域60B的內緣之距離。集光器區域60B的內緣與集光器區域60A的外緣重疊在第2B圖所示的重疊區域62中，稍後參照第2F圖進一步詳細描述。重疊區域62的架構安排可使空氣或氣體流進及/或流出集光器區域60B的表面與集光器區域60A的表面之間的縫隙，稍後參照第3A圖至第3B圖進一步詳細描述。在一些實施例中，集光器區域60B整體具有實質上一致的寬度W 60 B。集光器區域60B，相當於組合式集光器60的第一周邊區，設置以反射第二組光子，稍後參照第2E圖進一步詳細描述。集光器區域60B進一步具有厚度t 60 B，如第2F圖和第2G圖所示。在一些實施例中，集光器區域60B整體具有實質上一致的厚度t 60 B(例如差異少於約10%、約5%或約1%)。
集光器區域60C實質上為鏡片拋光，並且位置與集光器區域60B有所偏移，如第2B圖所示。在第2B圖的方位中，集光器區域60C沿Z軸方向與集光器區域60B錯開。集光器區域60C位在組合式集光器60的第二周邊區。第一周邊區通常介於中央區和第二周邊區之間。在一些實施例中，集光器區域60C包括如不銹鋼等的材料。在一些實施例中，材料的楊氏模數大於約200GPa。集光器區域60C可進一步包括其他材料的一或多個塗層，其他材料如Ru、ZrN/ZrO 2多層結構或其他適合的材料，藉此提供鏡面表面。在一些實施例中，集光器區域60C整體上可具有一致的直徑D 60 C。在一些實施例中，集光器區域60C可具有至少兩個直徑，而直徑D 60 C可為其中一個。例如，針對具有橢圓形截面(垂直於Z軸)的集光器區域60C，直徑D 60 C可能是長軸或短軸。在一些實施例中，直徑D 60 C介於約300mm至約1000mm之間，但其他較大或較小的直徑可應用於其他實施例中。集光器區域60C通常為環形，具有內緣跟外緣(外緣在第2A圖以虛線呈現)，並且，在一些實施例中，集光器區域60C大致上對齊集光器區域60A的中心點。如第2B圖所示，集光器區域60C進一步包括寬度W 60 C，寬度W 60 C為集光器區域60C的外緣與集光器區域60C的內緣之距離。集光器區域60C的內緣與集光器區域60B的外緣重疊在第2B圖所示的重疊區域63中，稍後參照第2G圖進一步詳細描述。重疊區域63的架構安排可使空氣或氣體流進及/或流出集光器區域60C的表面與集光器區域60B的表面之間的縫隙，稍後參照第3A圖至第3B圖進一步詳細描述。在一些實施例中，集光器區域60C整體具有實質上一致的寬度W 60 C。集光器區域60C，相當於組合式集光器60的第二周邊區，設置以反射第三組光子，稍後參照第2E圖進一步詳細描述。集光器區域60C進一步具有厚度t 60 C，如第2G圖所示。在一些實施例中，集光器區域60C整體具有實質上一致的厚度t 60 C(例如差異少於約10%、約5%或約1%)。
在一些實施例中，集光器區域60A的寬度W 60A實質上相同於集光器區域60B的寬度W 60 B和集光器區域60C的寬度W 60 C，其中集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C分別相當於組合式集光器60的中心區、第一周邊區和第二週邊區。在一些實施例中，寬度W 60 A介於約50mm至約300mm之間。在一些實施例中，寬度W 60 B和寬度W 60 C中的每一者介於約50mm至約300mm之間。在一些實施例中，寬度W 60 A、寬度W 60 B和寬度W 60 C皆為約100mm。在一些實施例中，寬度W 60 A、寬度W 60 B和寬度W 60 C中的至少一者不同於寬度W 60 A、寬度W 60 B和寬度W 60 C中的其餘者。舉例而言，為了避免因自身重量而變形，針對位於周邊的集光器區域(例如集光器區域60B和集光器區域60C)的寬度通常偏好等同於或小於位於中心的集光器區域(例如集光器區域60A)的寬度。在這樣的實施例中，寬度W 60 C可能小於寬度W 60 B，而寬度W 60 B小於寬度W 60A。在一些實施例中，寬度W 60 C和W 60 B中的任一者比寬度W 60A小約20mm到300mm之間。在一些實施例中，寬度W 60 A、寬度W 60 B和寬度W 60 C中的變異少於約50%、約30%或約10%。一般而言，如果寬度W 60 A、寬度W 60 B和寬度W 60 C中存在變異，寬度W 60 A則大於寬度W 60 B和寬度W 60 C中的任一者或兩者，以避免位於組合式集光器60周邊的集光器區域60B和集光器區域60A發生變形。例如，寬度W 60 A比寬度W 60 B或寬度W 60 C的比值可介在約1到約1.5之間。在一些實施例中，寬度W 60 B比寬度W 60 C的比值可介在約0.7到約1.5之間。在一些實施例中，寬度W 60 A比寬度W 60 B比寬度W 60 C可能為約1:0.8:0.8。
在第2C圖和第2D圖中，根據各種實施例，以集光器區域60C作為例子以說明兩種架構中的截面圖。雖然第2C圖和第2D圖僅呈現出集光器區域60C，但集光器區域60A和集光器區域60B亦可具有相似的架構。在一些實施例中，集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C中的至少一者設置成第C圖所示之架構，集光器區域60A、A60B和A60C中的至少一者設置成第D圖所示之架構。
在2C圖中，集光器區域60C為曲面且整體體積具有實質上均勻的厚度t 60 C。在一些實施例中，厚度t 60 C介於約1mm到約20mm之間。集光器區域60C的第一表面600面向液滴82/電漿88，並且具有曲面的鏡面表面以反射EUV輻射84至焦點87。集光器區域60C的第二表面615相對於第一表面600，並且具有與第一表面600實質上相同的曲率，以及平行於第一表面600。集光器區域60C的第三表面620可能為集光器區域60C的外緣。在一些實施例中，第三表面620實質上垂直於第一表面600及/或第二表面615。集光器區域60C的第四表面630可能為集光器區域60C的內緣。在一些實施例中，第四表面630實質上垂直於第一表面600及/或第二表面615。在一些實施例中，第三表面620及/或第四表面630可與第一表面600夾一鈍角或一銳角。在一些實施例中，第三表面620和第四表面630設置成傾斜於第一表面600，藉此避免EUV輻射84反射自第三表面620和第四表面630。
在第2D圖中，集光器區域60C的厚度不一致。在所示的架構中，集光器區域60C具有實質上平面的橫向第二表面615L和實質上平面的縱向第二表面615V。橫向第二表面615L實質上垂直於縱向第二表面615V。在一些實施例中，第2D圖的集光器區域60C包括第三表面620和第四表面630。在一些其他的實施例中，第三表面620和第四表面630不存在，因此橫向第二表面615L及/或縱向第二表面615V與第一表面600實質上為尖銳連接。如第2D圖所示，集光器區域60C增加的厚度可有降低集光器區域60C因自身重量而變形的可能性，這與集光器區域60C的厚度成反比關係。在一些實施例中，第2D圖中厚度t 60 C為集光器區域60C最大厚度，其介於約1mm至約30mm之間。
在2B圖中，集光器區域60B和集光器區域60C中的每一者可藉由對應的驅動系統95B和驅動系統95C進行位置及/或方向的調整，驅動系統95B和驅動系統95C可被合稱為驅動系統95。驅動系統95B接觸集光器區域60B而驅動系統95C接觸集光器區域60C。在一些實施例中，驅動系統95B和驅動系統95C中的每一者可包括至少三個驅動模組(在第2A圖以虛線呈現)以提供集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C中的每一者的對齊。在一些實施例中，驅動模組為滾珠螺桿(ball screw)或類似者，以精確地控制集光器區域60B和集光器區域60C沿Z軸的位置。在一些實施例中，驅動系統95進一步包括旋轉驅動器，例如傾斜載台或類似者，以精確地控制集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C的角度方向。以集光器區域60B為例，在一些實施例中，可根據集光器區域60B的參數，例如直徑D 60 B、寬度W 60 B、厚度t 60 B、和集光器區域60B的材料，決定附加於集光器區域60B的驅動模組之數量，以避免驅動模組之間的集光器區域60B變形。
在一些實施例中，集光器區域60A的位置和方向大致上是固定住的，而集光器區域60B和集光器區域60C的位置和方向是可以調整的，因此集光器區域60A上無附加任何驅動系統。在這樣的架構下，驅動系統95的數量可能相同於或小於集光器區域的數量。舉例來說，組合式集光器60可包括四個集光器區域和三個驅動系統95。若驅動系統的數量95過少，排列每個集光器區域以將電漿88聚焦在焦點87的困難度則可能會提高。驅動系統95B和驅動系統95C的每個驅動模組及/或旋轉驅動器可電性連接至控制器90並且被控制器90控制。
請參照第2E圖，形成自液滴82的電漿88以非單一方向的形式發出EUV輻射，在一些實施例中，EUV輻射可能是全方向的。在一些實施例中，發出的EUV輻射通常朝向面對組合式集光器60的半球，而極少的EUV輻射朝向遠離組合式集光器60的半球。組合式集光器60中集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C中的每一者設置於對應的位置和方向以反射一部分的EUV輻射至焦點87。在一些實施例中，如第2E圖所示，存在一些圓錐區域900A到900C，這些區域對應於集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C的數量。在一些實施例中，圓錐區域900A到900C之間彼此不重疊。中央圓錐區域900A對應於集光器區域60A，並且自窗口55的側壁延伸至集光器區域60B的內緣。中央圓錐區域900A具有一範圍角度θ A，如第2E圖所示。第一周邊圓錐區域900B對應於集光器區域60B，並且自集光器區域60B的內緣延伸至集光器區域60C的內緣。第一周邊圓錐區域900B具有一範圍角度θ B。第二周邊圓錐區域900C對應於集光器區域60C，並且自集光器區域60C的內緣延伸至集光器區域60C的外緣。第二周邊圓錐區域900C具有一範圍角度θ C。在一些實施例中，範圍角度θ A到θ C實質上彼此相等。在一些實施例中，範圍角度θ A大於範圍角度θ B，範圍角度θ C大於範圍角度θ C。這樣的配置具有助於EUV輻射在中央圓錐區域900A內聚焦程度高於在第一周邊圓錐區域900B和第二周邊圓錐區域900C內。
基於上述之描述以及第2E圖，集光器區域60A在中央圓錐區域900A內反射來自電漿88的光子，集光器區域60B在第一周邊圓錐區域900B內反射來自電漿88的光子，以及集光器區域60C在第二周邊圓錐區域900C內反射來自電漿88的光子，上述每一者都將反射光子至焦點87(見第1B圖)。
第2F圖和第2G圖是第2B圖中組合式集光器60的重疊區域62和重疊區域63之詳細示意圖。如前第2B圖的描述，組合式集光器60具有階層結構，在此階層結構中集光器區域60A在集光器區域60B下，集光器區域60B在集光器區域60C下。在組合式集光器60收集和反射EUV輻射84的過程中，重疊區域62和重疊區域63可提供全面的光學覆蓋率，以避免光子的損失及/或無作用區(例如無光子反射的環形區域)。
在2F圖中，集光器區域60B和集光器區域60A重疊在重疊區域62中。重疊區域62具有寬度O 62，寬度O 62等於集光器區域60B的內緣和集光器區域60A的外緣之間的距離。距離可被量測為正切於集光器區域60A和集光器區域60B中任一者/兩者的鏡面表面，並接近集光器區域60B的內緣和集光器區域60A的外緣。重疊區域62可進一步包括介於集光器區域60A和集光器區域60B之間的縫隙且其具有尺寸S 62。在一些實施例中，尺寸S 62可在約1mm和約3mm之間。尺寸S 62可被量測為垂直於集光器區域60A和集光器區域60B中任一者/兩者的鏡面表面且在重疊區域62內。當尺寸S 62小於約1mm時，集光器區域60A和集光器區域60B之間無法提供足夠空間以調整集光器區域60B的方向。當尺寸S 62大於約3mm時，EUV輻射84從集光器區域60A至焦點87與EUV輻射84從集光器區域60B至焦點87之間的一致性可能會降低。在一些實施例中，寬度O 62在約1mm和約20mm之間。在一些實施例中，寬度O 62和尺寸S 62之間的比值在約0.1到約20之間。
在第2G圖中，集光器區域60C和集光器區域60B重疊在重疊區域63中。重疊區域63具有寬度O 63，寬度O 63等於集光器區域60C的內緣和集光器區域60B的外緣之間的距離。重疊區域63可進一步包括介於集光器區域60B和集光器區域60C之間的縫隙且其具有尺寸S 6 3。在一些實施例中，寬度O 63和尺寸S 6 3可相似於前述之寬度O 6 2和尺寸S 6 2(第2F圖)。在一些實施例中，寬度O 6 3小於寬度O 62，因為例如集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C之間的曲率差異的原因。在一些其他的實施例中，寬度O 6 3實質上等於或可大於寬度O 62。
第2H圖根據各種實施繪示具有環形片段的組合式集光器60之俯視圖。在如第2H圖的結構中，組合式集光器60包括兩個截面維度，例如如第2A圖和第2B圖所述的垂直截面，組合式集光器60更包含放射狀維度，如第2H所示。在一些實施例中， 每個集光器區域60B及/或集光器區域60C包括至少兩個集光器片段，例如分別為集光器片段60B1/60B2和集光器片段60C1/60C2。以集光器區域60B作為描述之例子，而對於集光器區域60B的描述可同樣地適用於集光器區域60C。每個集光器區域60B及/或集光器區域60C進一步區分成集光器片段60B1/60B2和集光器片段60C1/60C2，提升模組化(modularity)從而改善製造和維護的能力。相對於集光器區域60B及/或集光器區域60C，集光器片段60B1/60B2和集光器片段60C1/60C2的減小尺寸亦可降低形變的發生，這是因為集光器片段60B1/60B2和集光器片段60C1/60C2中的每一者所受到的應力隨著尺寸減少而降低。
在第2H圖所示的集光器區域60B中，集光器區域60B具有兩個半圓形、兩個半橢圓形、或其他形狀的集光器片段60B1/60B2。在一些實施例中，集光器區域60B具有三個、四個或更多個的集光器片段。在一些實施例中，每個集光器片段具有相同尺寸(例如，相同的直徑、寬度、厚度、曲率)和質量，但在其他結構中集光器片段可具有不同的尺寸和質量。每個集光器片段60B1/60B2的位置和方向由附接在每個集光器片段60B1/60B2上的驅動系統95B決定。一般而言，集光器片段60B1/60B2以最小化集光器片段60B1/60B2端點間之縫隙的方式排列。例如，介於集光器片段60B1的邊緣和集光器片段60B2的邊緣之間的縫隙650可能少於約1mm。若縫隙650大於約1mm則可能對離開組合式集光器60的EUV輻射84的一致性造成負面影響。
在第2A圖到第2H圖中，具有集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C的組合式集光器60採用階層結構以減少表面因自身重量而變形，藉此可產生大面積的集光器表面和高強度EUV輻射，而提升EUV輻射的強度和減少維護的停機時間皆可改善WPD產出量。除了這些益處，介於集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C之間的縫隙(在重疊區域62和63中)可改善在組合式集光器60表面上的氣流，藉此避免集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C受到汙染，並且進一步減少維護的停機時間從而改善WPD產出量。針對組合式集光器60中的氣流之描述將於第3A圖至第3D圖中說明。
第3A圖至第3B圖根據本揭示案的各種實施例繪示在組合式集光器60內的氣流之示意圖。第3A圖繪示在正壓差情況下氣流穿過重疊區域62/63的縫隙而吹入，第3B圖繪示在負壓差情況下氣流穿過重疊區域62/63的縫隙而排出。
在3A圖中，至少由第一幫浦66和第二幫浦68(見第1B圖)產生的正壓差造成的各種氣流方向如圖中箭頭所示。錐形氣流310以大概Z軸方向從窗口55流向焦點87(見第1B圖)。周邊氣流320為輻射狀氣流，從集光器區域60C的外緣向內流至集光器區域60A的中心，例如流至窗口55。傘狀氣流330為輻射狀氣流，從窗口55向外流至集光器區域60C的外緣。由於集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C之間的縫隙(在重疊區域62/63中)以及正壓差，出現向內的縫隙氣流340，縫隙氣流340為輻射狀氣流，從集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C的後方向內和向上流至錐形氣流310。內向的縫隙氣流340可增加集光器區域60A和集光器區域60B表面上的氣流，從而避免汙染物(例如錫殘留物)聚積在集光器區域60A和集光器區域60B的鏡面表面上。在一些實施例中，集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C的表面上的氣流在約50slm(standard liter per minute)和約200slm之間，例如約90slm。在汙染物積聚到影響產率之前的操作時間可拉長，從而縮短停機時間。
在3B圖中，至少由第一幫浦66和第二幫浦68(見第1B圖)產生的負壓差造成的向外氣流可帶走粒子(例如錫殘留物)穿過重疊區域62/63的縫隙而離開組合式集光器60。其他的氣流相似於第3A圖中的氣流描述。在一些實施例中，正壓差和負壓差可交替地且按次序地重複應用，以有效地從組合式集光器60上移除粒子，並最小化汙染物積聚在集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C的鏡面表面上。
第3C圖和第3D圖根據本揭示案的各種實施例繪示集光器區域(例如集光器區域60C)或集光器片段(例如集光器片段60C1)的示意圖。第3C圖和第3D圖以集光器片段60C1作為描述之例子。第3C圖是組合式集光器601C的視圖而第3D圖是第3C圖集光器片段60C1沿線D-D’的截面圖。第3E圖根據本揭示案的各種實施例繪示在集光器區域60C內的氣流示意圖。
在一些實施例中，集光器區域60B和集光器區域60C中的至少一者的一或多個集光器片段，例如集光器片段60C1，具有中空結構(內部為空心)並且具有第一孔洞640和第二孔洞660，如第3C圖和第3D圖所示。第一孔洞640可能位於第二表面615中(描述見第2C圖)而第二孔洞660可能位於，甚至取代，第四表面630(見第2C圖)。第一孔洞640與第二孔洞660之間進行流體輸送。流經集光器片段60C1的氣流分別為第一氣流370、第二氣流380和第三氣流390。第3D圖的第一氣流370進入第一孔洞640。第二氣流380離開第一幫浦66並朝向組合式集光器60的中心。第三氣流390來自第一孔洞640、經過集光器片段60C1並朝向第一幫浦66。第二氣流380增加組合式集光器60的表面上的氣流，如第3E圖所示，這樣可避免汙染物積聚(例如錫殘留物)在組合式集光器60的表面上。
第4圖根據本揭示案的各種實施例繪示製造裝置的方法401之流程圖。在一些實施例中，製造裝置的方法401包括一些步驟(步驟400、410、420和430)。製造裝置的方法401的描述為根據一或多個實施例。應理解的是，方法401可在本揭示案的觀點範疇內進行調整或修改。再者，額外的操作可在方法401前、中、後進行，並且在本文中可能對一些其他步驟稍作說明。在一些實施例中，方法401可採用第1A圖至第3E圖所述之微影曝光系統10。
在步驟400中，沉積遮罩層在基材上。在一些實施例中，遮罩層包括對EUV輻射84敏感的光阻層。在一些實施例中，基材為半導體基材，例如半導體晶圓22(見第1A圖)。在一些實施例中，基材是在半導體基材上方的層，例如介電層、金屬層、硬遮罩層或其他合適的層。在一些實施例中，藉由旋轉塗佈或其他合適的方式以沉積遮罩層。
在步驟410中，第一輻射是反射自集光器中央區(例如集光器區域60A)而第二輻射是反射自第一集光器周邊區(例如集光器區域60B)。第一輻射和第二輻射反射後沿著組合式集光器60和遮罩層之間光的路徑行進，其中遮罩層可能在半導體晶圓22上。在一些實施例中，第一輻射和第二輻射根據圖案而反射，圖案可存在於遮罩18上，遮罩18可能為反射式遮罩。在一些實施例中，進一步第三輻射反射自第二集光器周邊區(例如集光器區域60C)、沿著光的路徑行進、並且根據圖案而反射。第一、第二和第三輻射可為EUV輻射，並且相當於第2E圖的區域900A至900C。在一些實施例中，第一集光器周邊區與集光器中央區重疊，並且第一縫隙(如第2F圖所示)隔開此兩者。在一些實施例中，第二集光器周邊區與第一集光器周邊區重疊，並且第二縫隙(如第2G圖所示)隔開此兩者。
在步驟420中，移除遮罩層的第一區域和第二區域以形成開口在遮罩層中，其中遮罩層的第一區域暴露在第一輻射及遮罩層的第二區域暴露在第二輻射。在一些其他的實施例中，移除未暴露在第一輻射或第二輻射的區域以形成開口在遮罩中。在一些實施例中，步驟420進一步包括移除遮罩層中暴露在第三輻射中的第三區域，或是移除遮罩層中未暴露在第一輻射、第二輻射或第三輻射中的區域。
在步驟430中，移除顯露在開口中的層的材料，此層位於遮罩層下方。所移除的材料在遮罩層的開口範圍內。在一些實施例中，此層為介電層、半導體層或其他者。
第5圖根據本揭示案的各種實施例繪示製造裝置的方法501之流程圖。在一些實施例中，製造裝置的方法501包括一些步驟(步驟500、510和520)。製造裝置的方法501的描述為根據一或多個實施例。應理解的是，方法501可在本揭示案的觀點範疇內進行調整或修改。再者，額外的操作可在方法501前、中、後進行，並且在本文中可能對一些其他步驟稍作說明。在一些實施例中，方法501可採用第1A圖至第3E圖所述之微影曝光系統10。
在步驟500中，藉由來自第一組合式集光器的輻射以圖案化第一層在第一晶圓上。在一些實施例中，第一組合式集光器可為第1A至第3E圖所述之組合式集光器60。在一些實施例中，第一晶圓可為半導體晶圓22如第1A圖所示，並且第一層可為第一晶圓上的光阻層。在一些實施例中，輻射為自組合式集光器60反射的EUV輻射84。在一些實施例中，圖案化包括藉由遮罩，例如遮罩18(見第1A圖)，反射EUV輻射84，以及藉由液滴產生器30投影反射的EUV輻射至第一層上。
在步驟510中，用相應數量的第二集光器片段取代第一組合式集光器的至少一個第一集光器片段，以形成第二組合式集光器。在一些實施例中，第一集光器片段為集光器區域，例如第2A圖的集光器區域60B或集光器區域60C。在一些實施例中，第一集光器片段為集光器片段，例如第2H圖的集光器片段60B1、60B2、60C1、60C2中的任何者。
在一些實施例中，執行取代的步驟包括根據臨界條件來移除集光器區域或集光器片段。舉例來說，臨界條件可包括形變臨界，此形變臨界是基於集光器區域或片段因自身重量而變形到一無法接受的程度，因此在超過形變臨界之後進行第一集光器片段的置換。在一些實施例中，形變臨界可能是數值呈現的形變臨界值，例如大於約0.5mm、大於約1mm或類似者。在一些實施例中，形變臨界可能是百分比呈現的形變臨界百分比，例如大於約1%、大於約5%、或類似者。
臨界條件可包括乾淨狀態，基於集光器區域或片段上無法接受的汙染狀態，例如殘留物積聚。在一些實施例中，可採用乾淨狀態或採用汙染狀態。在一些實施例中，汙染狀態可能是百分比呈現的汙染狀態百分比，例如第一集光器片段的鏡面表面上具有汙染物的表面大於約1%、大於約5%、或其他適當的百分比狀態。在一些實施例中，汙染狀態可能包括反射率狀態，例如第一集光片段的反射率低於原本反射率的約95%、低於原本反射率的約90%、或其他適當的反射率條件。在一些實施例中，原本的反射率是指第一集光器片段在準備安裝至組合式集光器60之前或是剛安裝至組合式集光器60之後的反射率。
臨界條件可包括排程臨界。在一些實施例中，排程臨界可包括安裝集光器區域或片段之後的一段時間，例如大於約14天、大於約1個月或其他適當的時間長度。排程臨界可包括安裝集光器區域或片段之後的總執行時間，例如大於約12天、大於約3週或其他適當的執行時間。排程臨界可包括安裝集光器區域或片段之後所操作的晶圓數量，例如大於約10,000片、大於約100,000片或其他適當的晶圓數量。
第二集光器片段的物理特性(形狀、質量、材料、表面粗糙度)可與第一集光器片段之原始狀態(在發生形辨或汙染之前)大致上相等。第二集光器片段的安裝可包括先移除第一集光器片段，然後附載第二集光器片段至原先第二集光器片段的位置。在一些實施例中，在安裝之後，對第二集光器片段進行校正。校正操作包括藉由驅動系統95以調整第二集光器片段的位置及/或方向。
在步驟520中，藉由來自第二組合式集光器的輻射以圖案化第二層在第二晶圓上。在一些實施例中，第二晶圓可為相似半導體晶圓22如第1A圖所示，並且第二層可為第二晶圓上的光阻層。在一些實施例中，輻射為自組合式集光器60(置換集光區域或片段之後)反射的EUV輻射84。在一些實施例中，圖案化包括藉由遮罩，例如遮罩18(見第1A圖)或異於遮罩18的圖案的第二遮罩，反射EUV輻射84，以及藉由液滴產生器30投影反射的EUV輻射至第二層上。
實施例提供許多益處。集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C的每一者可具有不同的橢圓表面以聚焦EUV光至相同的焦點87(亦可被稱為中間焦點(intermediate focal point, IF point)，見第1B圖)。相較於製造單個相似尺寸(例如直徑D 60C)的集光器，集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C的每一者可具有大幅降低的重量和較小的尺寸，因此階層結構的使用可降低因自身重量造成的形變。階層結構進一步提供模組化的益處。如果集光器區域60A、集光器區域60B和集光器區域60C的其中一者發生缺陷、形變或過度汙染，只要更換發生缺陷、形變或過度汙染的那一者，而不用更換整個集光器，比單個相似尺寸的集光器具有優勢。集光器的各區之間的縫隙(在重疊區域62/63)可提升氣流的覆蓋率，從而保護組合式集光器60免於汙染物(來自目標材料，例如錫)積聚在組合式集光器60上，藉此減少維護集光器的停機時間，如第3A圖至第3B圖所述。
在至少一實施例中，一種方法包括沉積遮罩層在基材上、根據圖案將反射自微影系統的組合式集光器的集光器中央區之第一輻射導向遮罩層、根據圖案將反射自組合式集光器的第一集光器周邊區之第二輻射導向遮罩層，其中第一集光器周邊區藉由第一縫隙與集光器中央區垂直隔開。方法包括移除遮罩層的數個第一區域和數個第二區域以形成數個開口在遮罩層中，其中遮罩層的第一區域暴露在第一輻射及遮罩層的第二區域暴露在第二輻射。方法包括移除顯露在開口中位於遮罩層下方的層的材料。
在至少一實施例中，一種方法包括藉由來自第一組合式集光器的第一輻射以圖案化第一層在第一晶圓上、用第二集光器片段取代第一組合式集光器的第一集光器片段以形成第二組合式集光器、以及藉由來自第二組合式集光器的第二輻射以圖案化第二層在第二晶圓上。
在至少一實施例中，一種微影系統包括晶圓載台、數個投影光學件、遮罩載台、數個照明光學件和光源。晶圓載台設置以支撐一晶圓。數個投影光學件設置以將圖案化輻射導向晶圓的區域上。遮罩載台設置以形成圖案化輻射並將圖案化輻射導向投影光學件。數個照明光學件設置以將未圖案化輻射導向遮罩載台。光源包括液滴產生器、雷射源以及組合式集光器。液滴產生器設置以產生液滴。雷射源設置以發出至少一雷射脈衝至液滴。組合式集光器設置以反射輻射至照明光學件，其中輻射由液滴產生，且組合式集光器包括集光器中央區以及第一集光器周邊區。集光器中央區設置以反射輻射的第一部分。第一集光器周邊區設置以反射輻射的第二部分，第一集光器周邊區與集光器中央區重疊在第一重疊區域中。第一重疊區域包括第一垂直縫隙介於第一集光器周邊區與集光器中央區之間。
以上概略說明了本揭示案數個實施例的特徵，使所屬技術領域內具有通常知識者對於本揭示案可更為容易理解。任何所屬技術領域內具有通常知識者應瞭解到本揭示案可輕易作為其他結構或製程的變更或設計基礎，以進行相同於本揭示案實施例的目的及/或獲得相同的優點。任何所屬技術領域內具有通常知識者亦可理解與上述等同的結構並未脫離本揭示案之精神及保護範圍內，且可在不脫離本揭示案之精神及範圍內，可作更動、替代與修改。
10:微影曝光系統 16:遮罩載台 18:遮罩 22:半導體晶圓 24:基材載台 30:液滴產生器 31:儲槽 32:噴嘴 35:液滴貯存器 40:氣體源 41:氣體管線 50:雷射產生器 51:雷射脈衝 52:觸發點 55:窗口 60:雷射生成式電漿集光器/組合式集光器 60A:集光器區域 60B:集光器區域 60B1:集光器片段 60B2:集光器片段 60C:集光器區域 60C1:集光器片段 60C2:集光器片段 61:光軸 62:重疊區域 63:重疊區域 66:第一幫浦 68:第二幫浦 70:監測裝置 71:量測工具 73:分析器 80:目標材料 82:液滴 84:極紫外(extreme ultraviolet, EUV)輻射 87:焦點 88:電漿 90:控制器 95B:驅動系統 95C:驅動系統 100:反光器 120:光源 130:投影光學模組 140:照明器 310:錐形氣流 320:周邊氣流 330:傘狀氣流 340:縫隙氣流 370:第一氣流 380:第二氣流 390:第三氣流 400:步驟 401:方法 410:步驟 420:步驟 430:步驟 500:步驟 501:方法 510:步驟 520:步驟 600:上部/第一表面 610:支撐部 615:第二表面 615L:橫向第二表面 615V:縱向第二表面 620:第三表面 630:第四表面 640:第一孔洞 650:縫隙 660:第二孔洞 900A:區域 900B:區域 900C:區域 B-B:線 D-D’:線 D 60A:直徑 D 60 B:直徑 D 60 C:直徑 O 62:寬度 O 6 3:寬度 S 62:尺寸 S 63:尺寸 t 60A:厚度 t 60 B:厚度 t 60 C:厚度 W 60A:寬度 W 60 B:寬度 W 60 C:寬度 X:軸 Y:軸 Z:軸 θ A:角度 θ B:角度 θ C:角度
閱讀以下實施方法時搭配附圖以清楚理解本揭示案的觀點。應注意的是，根據業界的標準做法，各種特徵並未按照比例繪製。事實上，為了能清楚地討論，各種特徵的尺寸可能任意地放大或縮小。 第1A圖至第1B圖根據本揭示案的各種實施例繪示部分的微影掃描器之示意圖。 第2A圖至第2H圖根據本揭示案的各種觀點繪示微影掃描器的組合式集光器的各種實施例之示意圖。 第3A圖至第3E圖根據本揭示案的各種實施例繪示在組合式集光器內的氣流之示意圖。 第4圖和第5圖根據本揭示案的各種觀點繪示製造裝置的方法之流程圖。
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400:步驟
401:方法
410:步驟
420:步驟
430:步驟

Claims (20)

  1. 一種方法，包括： 沉積一遮罩層在一基材上； 根據一圖案將一第一輻射導向該遮罩層，該第一輻射反射自一微影系統的一組合式集光器的一集光器中央區； 根據該圖案將一第二輻射導向該遮罩層，該第二輻射反射自該組合式集光器的一第一集光器周邊區，其中該第一集光器周邊區藉由一第一縫隙與該集光器中央區垂直隔開； 移除該遮罩層的複數個第一區域和複數個第二區域以形成複數個開口在該遮罩層中，其中該遮罩層的該些第一區域暴露在該第一輻射及該遮罩層的該些第二區域暴露在該第二輻射；以及 移除顯露在該些開口中的一層的一材料，該層位於該遮罩層下方。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該第一縫隙位在一第一重疊區域中，該第一集光器周邊區和該集光器中央區重疊在該第一重疊區域中。
  3. 如請求項1所述之方法，進一步包括： 根據該圖案將一第三輻射導向該遮罩層，該第三輻射反射自該組合式集光器的一第二集光器周邊區，其中該第二集光器周邊區藉由一第二縫隙與該第一集光器周邊區垂直隔開。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該第二縫隙位在一第二重疊區域中，該第二集光器周邊區和該第一集光器周邊區重疊在該第二重疊區域中。
  5. 如請求項1所述之方法，進一步包括： 藉由形成一氣流通過該第一縫隙而使一氣體流動於該集光器中央區上。
  6. 如請求項5所述之方法，其中形成該氣流通過該第一縫隙包括使該氣體通過該第一縫隙流向該集光器中央區。
  7. 如請求項1所述之方法，進一步包括： 使一氣體流入該第一集光器周邊區的一第一孔洞中、經過該第一集光器周邊區、並且從該第一集光器周邊區的一第二孔洞流出。
  8. 一種方法，包括： 藉由一第一輻射以圖案化一第一層在一第一晶圓上，該第一輻射來自一第一組合式集光器； 用一第二集光器片段取代該第一組合式集光器的一第一集光器片段，以形成一第二組合式集光器；以及 藉由一第二輻射以圖案化一第二層在一第二晶圓上，該第二輻射來自該第二組合式集光器。
  9. 如請求項8所述之方法，其中取代該第一集光器片段是基於一臨界條件而執行。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該臨界條件包括該第一集光器片段的一形變超過一形變臨界。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該臨界條件包括該第一集光器片段的一污染達到一污染條件。
  12. 如請求項9所述之方法，其中該臨界條件包括超過一排程臨界。
  13. 如請求項8所述之方法，進一步包括： 在圖案化該第二層之前，校正該第二組合式集光器。
  14. 如請求項13所述之方法，其中校正該第二組合式集光器包括藉由一驅動系統以調整該第二集光器片段的位置或方向中的至少一者，該驅動系統連接至該第二組合式集光器上。
  15. 一種微影系統，包括： 一晶圓載台，設置以支撐一晶圓； 複數個投影光學件，設置以將一圖案化輻射導向該晶圓的一區域上； 一遮罩載台，設置以形成該圖案化輻射並將該圖案化輻射導向該些投影光學件； 複數個照明光學件，設置以將一未圖案化輻射導向該遮罩載台；以及 一光源，包括： 一液滴產生器，設置以產生一液滴； 一雷射源，設置以發出至少一雷射脈衝至該液滴；以及 一組合式集光器，設置以反射一輻射至該些照明光學件，該輻射由該液滴產生，且該組合式集光器包括： 一集光器中央區，設置以反射該輻射的一第一部分；以及 一第一集光器周邊區，設置以反射該輻射的一第二部分，該第一集光器周邊區與該集光器中央區重疊在一第一重疊區域中，該第一重疊區域包括一第一垂直縫隙介於該第一集光器周邊區與該集光器中央區之間。
  16. 如請求項15所述之微影系統，其中該組合式集光器進一步包括一第二集光器周邊區，該第二集光器周邊區與該第一集光器周邊區重疊在一第二重疊區域中，該第二重疊區域包括一第二垂直縫隙介於該第二集光器周邊區與該第一集光器周邊區之間。
  17. 如請求項15所述之微影系統，其中該第一垂直縫隙在約1毫米至約3毫米的一範圍內。
  18. 如請求項15所述之微影系統，其中該第一集光器周邊區實質上為環形並具有一寬度，該寬度在約50毫米至約1300毫米的一範圍內。
  19. 如請求項15所述之微影系統，其中該第一集光器周邊區包括一第一集光器片段和一第二集光器片段，該第一集光器片段和該第二集光器片段彼此隔開至少一橫向縫隙。
  20. 如請求項19所述之微影系統，其中該第一集光器片段包括一第一孔洞和一第二孔洞在一流體輸送中。
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