TW202236197A - 材料管理方法以及材料管理系統 - Google Patents

Abstract

本揭露涉及一種材料管理方法以及材料管理系統。材料管理方法包括：將含有材料的載體儲存在儲存裝置中；在材料處於儲存裝置中時將儲存裝置的環境資料記錄到資料庫；基於環境資料產生對載體中的材料的預報；從半導體製造工具接收對材料的請求；以及基於預報將載體提供到半導體製造工具。

Description

材料管理方法以及材料管理系統

本發明是有關於一種材料管理方法以及材料管理系統，且特別是有關於一種用於半導體領域的材料管理方法以及材料管理系統。

半導體積體電路（semiconductor integrated circuit；IC）行業已經歷指數成長。IC材料和設計的技術進展已生產數代IC，其中每一代具有比前一代更小且更複雜的電路。在IC演進過程中，功能密度（即，每晶片面積內連器件的數目）已大體增加，而幾何大小（即，可使用製造流程產生的最小元件（或管線））已減小。這一按比例縮小流程通常通過提高生產效率和降低相關聯成本來提供效益。這種按比例縮小還增加了處理和製造IC的複雜性。

材料管理包含跟蹤、分析以及履行（fulfillment）在眾多半導體製造操作中使用的各種化學物質和其它生產材料。材料通常在超過其到期日期之後報廢以避免良率下降或對敏感處理工具的潛在損壞。

根據本揭露的實施例，材料管理方法包括：將含有材料的載體儲存在儲存裝置中；在材料處於儲存裝置中時將儲存裝置的環境資料記錄到資料庫；基於環境資料產生對載體中的材料的預報；從半導體製造工具接收對材料的請求；以及基於預報將載體提供到半導體製造工具。

根據本揭露的實施例，材料管理方法包括：將含有材料的載體安裝到用於處理半導體晶片的製造工具；在安裝載體時將製造工具的環境資料寫入到資料庫；基於環境資料產生對載體中的材料的預報；以及基於預報在載體中的材料耗盡之前從製造工具移除載體。

根據本揭露的實施例，材料管理系統包括載體、儲存裝置、至少一個環境感測器、至少一個安全性感測器、資料庫、以及微控制器單元。載體配置成含有材料，且包括至少一個標籤。儲存裝置配置成儲存載體且包括配置成讀取標籤的至少一個讀取器。所述至少一個環境感測器且配置成產生對應於至少儲存裝置的環境資料。所述至少一個安全性感測器配置成產生對應於至少載體或儲存裝置的安全性資料。資料庫配置成儲存環境資料和安全性資料。微控制器單元，配置成基於環境資料和安全性資料來預報材料的至少一個品質參數或安全性參數。

本發明的部份實施例接下來將會配合附圖來詳細描述，以下的描述所引用的元件符號，當不同附圖出現相同的元件符號將視為相同或相似的元件。這些實施例只是本發明的一部份，並未揭示所有本發明的可實施方式。更確切的說，這些實施例只是本發明的專利申請範圍中的範例。

以下公開提供用於實施所提供標的物的不同特徵的許多不同實施例或實例。下文描述元件和佈置的特定實例以簡化本揭露。當然，這些僅是實例且並不意圖為限制性的。舉例來說，在以下描述中，第一特徵在第二特徵之上或第二特徵上形成可包含第一特徵與第二特徵直接接觸地形成的實施例，且還可包含可在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵以使得第一特徵與第二特徵可以不直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各種實例中重複附圖標號及/或字母。這一重複是出於簡化和清晰的目的，且本身並不規定所論述的各種實施例及/或配置之間的關係。

另外，為易於描述，可在本文中使用空間相對術語，例如“在……之下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”以及類似物來描述如圖中所示出的一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除圖中所描繪的定向外，空間相關術語意圖涵蓋器件在使用或操作中的不同定向。設備可以其它方式定向（旋轉90度或處於其它定向），且本文中所使用的空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。

為易於描述，本文中可使用例如“約”、“大約”、“大體上”以及類似物的術語。本領域普通技術人員將能夠理解和匯出這種術語的含義。舉例來說，“約”可指示以20%、10%、5%或類似物為維度的變化，但在適當時可使用其它值。大特徵（例如半導體鰭片的最長尺寸）可具有小於5%的變化，而極小特徵（例如介面層的厚度）可具有多達50%的變化，且這兩種類型的變化可由術語“約”表示。“大體上”通常比“約”更嚴格，使得10%、5%或小於5%的變化可為適當的，但不限於此。“大體上平面”的特徵可具有從直線的10%或小於10%內的變化。具有“大體上恒定濃度”的材料可具有沿5%或小於5%內的一個或多個維度的濃度變化。同樣，本領域普通技術人員將能夠基於行業、當前製造技術以及類似物的瞭解來理解和匯出這種術語的適當含義。

半導體製造通常涉及通過進行材料層的多個沉積、刻蝕、退火及/或植入來形成電子電路，借此形成包含許多半導體器件和其間的內連線的堆疊結構。尺寸按比例縮放（縮小）為用於在相同面積中適配越來越大數目的半導體器件的一種技術。然而，在先進技術節點中尺寸按比例縮放越來越困難。光阻劑層的圖案化形成用於較小且緊密地封裝在一起的刻蝕特徵的基礎。因而，從材料管理觀點來看，光阻劑品質變得越來越合乎需要。

本揭露的實施例包含用於管理材料（例如光阻劑）以確保新鮮度、安全性以及及時履行的方法和系統，其提高良率且減少工具停工時間。當管理原料品質和安全性時，材料管理系統缺乏即時回應性。本文中所公開的材料管理系統能夠在管理原料品質和安全性時大體上即時回應。通過智慧標籤和回應系統的智慧且有目的的使用，可有效地防止材料老化問題和污染。環境感測和大資料收集和預報還解鎖改進的品質控制、材料跟蹤、生產可靠性、資料採擷以及智慧控制，同時大幅度減少操作者失誤。

圖1A為根據本揭露的至少一個實施例的積體電路（IC）製造系統100（或“材料管理系統100”）和與其相關聯的IC製造流程的框圖。圖1B為示出根據各種實施例的在另一視圖中的IC製造流程1000的框圖。圖2A到圖2B為根據各種實施例的用於製造IC裝置的流程的流程圖。

在圖1A中，IC製造系統100（下文中稱為“系統100”）包含在製造及/或與製造IC裝置160相關的服務中彼此交互的實體，例如材料供應商120、倉庫130、IC製造商/製造者（“製造廠（fab）”）140以及資料中心150。系統100中的實體通過通信網路連接。在一些實施例中，通信網路為單個網路。在一些實施例中，通信網路為各種不同的網路，例如企業內部網和網際網路。通信網路包含有線及/或無線通訊通道。在一些實施例中，通信網路包含短範圍資產跟蹤硬體和軟體，例如射頻識別（radio-frequency identification；RFID）、藍牙低功耗（Bluetooth Low Energy；BLE）、Wi-Fi、超寬頻（ultra-wideband；UWB）或類似物。在一些實施例中，通信網路包含寬範圍資產跟蹤硬體和軟體，例如低功率廣域網路（low-power wide-area network；LPWAN）、長期演進（Long-Term Evolution；LTE）、第5代移動網路（5th generation；5G）、全球定位系統（Global Positioning System；GPS）或類似物。每一實體與其它實體中的一個或多個交互，且將服務提供給其它實體中的一個或多個及/或從其它實體中的一個或多個接收服務。在一些實施例中，材料供應商120、倉庫130、IC製造廠140以及資料中心150中的一個或多個由單一個較大公司擁有。在一些實施例中，材料供應商120、倉庫130、IC製造廠140以及資料中心150中的一個或多個在共同設施中共存且使用共同資源。

參考圖1A和圖1B，材料供應商120產生材料122。在一些實施例中，材料122為光阻劑，然而，除光阻劑之外或代替光阻劑，其它生產材料可由材料供應商120生產。舉例來說，材料供應商120可設計、製造及/或分發用於光刻的材料，例如光阻劑、抗反射塗層、外塗層、顯影劑、移除劑、聚合物、剝離劑或類似物。在一些實施例中，材料供應商120進一步或改為設計及/或製造用於平坦化（例如，化學機械平坦化）的材料，例如漿料、清潔劑或類似物。在一些實施例中，材料供應商120進一步或替代地設計及/或製造用於封裝的材料，例如粘合劑、包封體、熱化合物或類似物。

材料供應商120可進一步將材料122封裝在容器中，例如封裝到載體121中，所述載體121例如由玻璃、塑膠或另一合適的材料製成的瓶子。在一些實施例中，載體121具有小於約100升、小於約80升、小於約50升或另一合適體積的體積。在一些實施例中，載體121的體積大於100升。材料供應商120可進一步通過標籤來標記容器。在一些實施例中，標籤為唯讀（read-only）標籤，例如條碼、快速回應（Quick Response；QR）碼或類似物。在一些實施例中，標籤為讀取/寫入標籤，例如RFID標籤、近場通信（Near-Field Communications；NFC）標籤或類似物。在一些實施例中，容器由例如唯讀標籤和讀取/寫入標籤的大於一個標籤標記。如圖1B中所繪示，在一些實施例中，標籤包含資訊125，例如物品識別字、批量（batch）識別字、批次（lot）識別字、提供商識別字、到期日期、唯一識別碼（identifier；ID）或類似物。在一些實施例中，材料供應商120將標籤中所含有的資訊125寫入到資料中心150的資料庫152，如圖1A中所繪示。

在一些實施例中，載體121包含載體121中/上的至少一個安全性機構，其可包含防跌落機構、洩漏隔離、排氣機構及/或空氣淨化機構。在一些實施例中，當安全性機構中的任一個時被啟動，關於安全性機構啟動的資訊（例如，事件時間、事件測量或類似物）被記錄在資料庫152中。資訊可用於預報材料122的到期及/或安全性。在一些實施例中，到期與材料122歸因於時間的老化相關，且還可通過暴露于大量環境條件（包含溫度、壓力、光、濕度以及類似物）而被加速。

在一些實施例中，材料122在運輸車輛中從材料供應商120被運輸到倉庫130。在一些實施例中，行程資訊記錄被在資料庫152中，所述行程資訊包含即時位置、路線、行程距離、行程持續時間及/或其它合適的行程參數中的一個或多個。舉例來說，運輸車輛可配備有RFID讀取器和GPS（或其它導航系統）接收器。當材料122進入（例如，材料供應商120處的）運輸車輛時，RFID讀取器可通過與材料122相關聯的RFID標籤識別材料122，且產生表示材料122進入運輸車輛的時間的進入時戳（timestamp）。在一些實施例中，運輸車輛包含環境控制及/或監測系統。環境控制及/或監測系統可控制及/或監測溫度、空氣清潔度、光、振動以及其它合適的環境參數。當運輸車輛正在從材料供應商120進行運送時，運送車輛可記錄環境參數以上傳到資料庫152。在一些實施例中，所述上傳沿運送路線即時地被進行。在一些實施例中，所述上傳在到達材料供應商120後或在其後的合適時間分批被進行。在到達倉庫130之後，當材料122離開運輸車輛時，RFID讀取器可再次通過與材料122相關聯的RFID標籤識別材料122，且產生表示材料122離開運輸車輛的時間的離開時戳。

倉庫130包含儲存裝置132。圖1C為示出根據各種實施例的儲存裝置132的圖。在一些實施例中，倉庫130進行材料攝取、儲存以及履行。倉庫130從材料供應商120接收材料122，且可進行至少一次攝取檢驗，包含對品質、安全性或其它合適的參數的檢驗。在一些實施例中，攝取檢驗包含通過掃描標籤獲得關於材料122的資訊125。在一些實施例中，獲得資訊125包含從掃描標籤立即接收到的圖像、文本或其它資料解碼資訊125（例如，編碼且儲存在標籤本身中的資訊125）。在一些實施例中，資訊125的獲得包含從掃描標籤立即接收到的圖像、文本或其它資料解碼至少唯一ID、通過將包含至少唯一ID的查詢發送到資料中心150來查詢資料庫152，以及從資料庫152接收資訊125。在一些實施例中，資訊125包含物品識別字、批量識別字、批次識別字、提供商識別字、到期日期或類似物，如上文所描述。

基於從標籤及/或資料庫152所接收到的資訊125，倉庫130可接受材料122。在一些實施例中，如果在材料122的資訊125中的任一個中被發現違規行為，那麼倉庫130可拒絕材料122。舉例來說，如果材料122被誤標記，例如，物品識別字不匹配材料122的已知物理外觀，那麼倉庫130可確定錯誤標籤被施加到材料122，且請求材料122返回給材料供應商120。在一些實施例中，如果未發現違規行為，那麼倉庫130可接受材料122。

被接受的材料122被儲存在儲存裝置132中，對應於圖2A中所示出的流程401的操作400。在材料122被接受後，倉庫130就可更新資料庫152以記錄倉庫資訊135（參見圖1B），所述倉庫資訊135可包含接收時間。倉庫資訊135可進一步包含取出時間、儲存裝置識別字（ID），以及涉及儲存裝置132的其它合適的資訊。接收時間可包含在倉庫130處接收到材料122時的日期和時間。材料122被儲存在儲存裝置132中，在一些實施例中，所述儲存裝置132可為或包含儲存室1320和互鎖1325。在一些實施例中，儲存裝置132包含儲存室1320中的一個或多個擱架1322。在一些實施例中，擱架1322被圍封在例如冷凍機的機櫃中，所述機櫃可維持低於0℃的溫度，但取決於儲存於其中的材料122的類型，維持較高溫度的機櫃也可為適當的。在一些實施例中，每一擱架1322包含用於測量擱架1322上的物體（例如，材料122）在其上的重量負載的重量感測器（未單獨示出）。

儲存裝置132可包含RFID讀取器134，使得材料122儲存在儲存裝置132中多久的準確記錄可被保持。在一些實施例中，RFID讀取器134與資料庫152通信。在一些實施例中，當RFID讀取器134檢測及/或讀取材料122上的標籤且確定材料122正進入儲存裝置132時，RFID讀取器134使進入時戳與材料122相關聯。RFID讀取器134可更新資料庫152以記錄與儲存裝置ID相關聯的進入時戳，所述儲存裝置ID唯一地標識儲存材料122的儲存裝置132。在一些實施例中，儲存裝置ID包含儲存裝置132的位置。在一些實施例中，位置包含建築物/設施名稱/識別字、建築物/設施的樓層、建築物/設施的房間及/或一個或多個其它合適的標識值。在一些實施例中，儲存裝置ID進一步包含唯一儲存單元識別字。在一些實施例中，唯一儲存單元識別字包含儲存裝置132的型號及/或模型、儲存裝置132的條件（例如，年齡、維護記錄或類似物）、儲存裝置132的功能（例如，洩漏檢測），以及類似物。

儲存裝置132可包含環境、品質、安全性以及存取監測及/或管理（例如，控制）。在一些實施例中，儲存裝置132包含環境及/或品質控制及/或監測，包含溫度、氫電位（“potential of hydrogen；pH”）、濕度、光、振動、靜電放電（electrostatic discharge；ESD）、清潔度、洩漏、壓力、顆粒以及其它合適的控制及/或監測。在一些實施例中，儲存裝置132週期性地將對應於剛剛描述的環境及/或品質控制及/或監測的環境及/或品質資訊137記錄到資料庫152，對應於圖2A中所示出的流程401的操作410。在一些實施例中，環境及/或品質資訊137的週期性記錄獨立於材料122在儲存裝置132中的存在而被進行。舉例來說，資料庫152可為關係型資料庫，且環境及/或品質資訊137可儲存在第一表中，且進入時戳和離開時戳（下文參考暫存142描述）可儲存在可連結到第一表的第二表中。

在一些實施例中，儲存裝置132進一步包含安全性監測及/或控制，其包含存取監測及/或控制。舉例來說，材料122可由操作者（例如，人或機器人）傳送到儲存裝置132。在一些實施例中，操作者可攜帶金鑰卡、金鑰扣（key fob）或其它電子可讀存取器件。在一些實施例中，為將材料122儲存在儲存裝置132中，電子存取讀取器（未單獨示出）讀取操作者的存取器件，且在已授權操作者存取儲存裝置132時解鎖儲存裝置132以接收材料122。舉例來說，互鎖1325的外門1321可打開而互鎖1325的內門1323關閉。在關閉外門1321和在互鎖1325中的任選清潔流程以移除例如顆粒後，內門1323可打開以允許操作者將材料122傳送到儲存室1320的存取。在一些實施例中，電子存取讀取器用儲存在電子可讀存取器件上及/或對應於儲存在其上的操作者資訊的操作者資訊更新資料庫152。在一些實施例中，儲存在電子可讀存取器件上的操作者資訊包含人員識別字，所述人員識別字可包含供應商/承包商公司名稱、雇員號/代碼以及類似物。

在一些實施例中，安全性監測及/或控制包含一個或多個安全性感測器，例如重量感測器、位置感測器、互鎖感測器及/或其它合適的安全性感測器。如先前所提到，每一擱架1322可包含配置成測量擱架1322上的物體（例如，材料122）在其上的重量負載的重量感測器。在一些實施例中，重量感測器包含應變計、電容式感測器、液壓感測器、氣動感測器或其它合適的重量感測器中的至少一個。在一些實施例中，重量感測器取得週期性及/或非同步重量讀數，且可通過重量感測器或通過與重量感測器聯網的控制器將重量讀數記錄在資料庫152中。

位置感測器可位於擱架1322上或附近以用於感測材料122在例如擱架1322的指定區處的存在或不存在。在一些實施例中，位置感測器包含至少相機、接近度感測器（例如，紅外感測器）或能夠檢測材料122的存在或不存在的其它合適的位置感測器。在一些實施例中，位置感測器取得週期性及/或非同步位置/接近度讀數，且可通過位置感測器或通過與位置感測器聯網的控制器將位置/接近度讀數記錄在資料庫152中。

互鎖感測器可位於外門1321及/或內門1323上或附近以用於感測互鎖1325的狀態。在一些實施例中，互鎖感測器包含能夠檢測外門1321及/或內門1323的狀態的至少一個感測器。舉例來說，狀態可包含外門1321或內門1323是打開還是關閉，或互鎖1325是否密封、外門1321是否已打破密封，或內門1323是否已打破密封。在一些實施例中，互鎖感測器包含磁性接觸感測器，其可在外門1321或內門1323打開時檢測接觸的丟失及/或在外門1321或內門1323關閉時檢測接觸的存在。在一些實施例中，互鎖感測器取得週期性及/或非同步互鎖狀態讀數，且互鎖狀態讀數可通過互鎖感測器或通過與互鎖感測器聯網的控制器記錄在資料庫152中。

在一些實施例中，在將材料122履行到製造廠140之前，儲存裝置132在一段時間內儲存材料122。在一些實施例中，儲存裝置132用儲存資料週期性地更新資料庫152，所述儲存資料包含溫度資料、濕度資料、壓力資料、顆粒資料、其它環境控制資料、安全性資料及/或其它監測資料。舉例來說，儲存裝置132可週期性地每1分鐘、每5分鐘或另一合適的間隔將儲存資料寫入到資料庫152。

在一些實施例中，儲存裝置132還可以非週期性方式（例如，在檢測到中斷條件後）將儲存資料寫入到資料庫152。在一些實施例中，中斷條件可包含安全性條件、環境條件或其它合適的條件中的一個或多個。舉例來說，安全性條件可包含檢測儲存裝置132中的材料122的洩漏。在一些實施例中，材料122的洩漏由洩漏檢測器1326檢測，所述洩漏檢測器1326可收集和分析來自儲存裝置132的地板處的排水口1324的流體。如果所收集的流體包含材料122（例如，光阻劑），那麼洩漏檢測器1326可產生安全性資料，包含對應於洩漏的檢測的時戳和對應於流體的化學分析的材料識別字。

在一些實施例中，環境條件可包含高於或低於閾值的溫度、濕度、壓力、顆粒以及其它環境控制及/或監測。舉例來說，如果溫度超過-5℃，那麼可產生品質資料，包含對應於溫度的檢測的時戳和測得溫度（例如，-3℃）。在檢測到中斷條件（例如，安全性條件或環境條件）後，儲存裝置132可將安全性資料或品質資料寫入到資料庫152。

將安全性資料或品質資料寫入到資料庫152是根據非週期性（或非同步）更新來描述的。在一些實施例中，儲存裝置132可延遲將安全性資料或品質資料寫入到資料庫152，以便與週期性地更新的資料（例如溫度資料、濕度資料、壓力資料、顆粒資料、其它環境控制資料及/或其它監測資料）同步地更新資料庫152。在寫入具有重複類型的資料（例如，週期性溫度資料和源自中斷的溫度資料）的這種情形下，可例如通過旗標或其它適當識別字來唯一地標識兩個或大於兩個資料項目。

倉庫130進一步進行將材料122履行到製造廠140。在一些實施例中，倉庫130從資料中心150接收將材料122傳送到製造廠140的請求。在一些實施例中，將材料122從倉庫130傳送到製造廠140的請求由製造廠140產生。在一些實施例中，請求由資料中心150產生。在一些實施例中，製造廠140為IC製造實體，其包含用於製造各種不同IC產品的一個或多個製造設施。在一些實施例中，製造廠140為半導體代工廠。舉例來說，可存在用於多個IC產品的前段製造（前段流程（front-end-of-line；FEOL）製造）的製造設施，而第二製造設施可提供用於IC產品的內連和封裝的後段製造（後段流程（back-end-of-line；BEOL）製造），且第三製造設施可為代工廠實體提供其它服務。

製造廠140包含晶片製造工具144（下文中稱為“製造工具144”），所述晶片製造工具144配置成對半導體晶片146執行各種製造操作，使得製造IC裝置160。在各種實施例中，製造工具144包含以下中的一個或多個：晶片步進機、離子植入機、光阻劑塗佈機、流程腔室（例如，CVD腔室或LPCVD鍋爐）、化學機械平坦化（chemical-mechanical planarization；CMP）系統、等離子刻蝕系統、晶片清潔系統，或能夠進行如本文中所論述的一個或多個合適的製造流程的其它製造裝備。在一些實施例中，材料122可安裝在用於進行半導體製造處理（例如用光阻劑塗佈晶片146）的製造工具144中。

圖1D為根據各種實施例的製造工具144的透視圖。製造工具144的存取口1450配置成將半導體晶片（例如，晶片146）傳送入/傳送出處理腔室1400。存取口1450包含例如門的至少一個存取介面1410，和與對應存取介面1410對準的至少一個對應載體平臺1420。固持至少一個晶片（例如，晶片146）的載體1430（其可類似於載體121）可定位到載體平臺1420上，且晶片可例如通過機器人臂從載體1430通過存取介面1410取出。在進入存取口1450之後，晶片可被傳送到處理腔室1400以用於進行至少一個半導體製造流程，例如植入、光阻劑塗佈、退火、沉積、刻蝕、平坦化、清潔或其它合適的流程。

製造工具144進一步包含材料安裝口148，其可包含門和殼體。材料122可通過打開門被安裝在製造工具144中，且例如由操作者將含有材料122的載體121定位在殼體中。在一些實施例中，載體121在安裝到殼體中之後進一步與處理腔室1400流體連通。舉例來說，套管或其它流體傳送管道可被附接到含有材料122的載體121，以提供載體121與處理腔室1400中的施配器（例如，噴嘴）之間的流體連通。在一些實施例中，材料122為光阻劑，且施配器包含用於將光阻劑滴注或噴霧到晶片146上的噴嘴。

在將材料122安裝在製造工具144中之前，材料122的溫度可被升高到室溫或用於半導體製造處理的另一合適的溫度。在一些實施例中，製造廠140包含暫存區域142（或“堆料機142”），其可類似於儲存裝置132，且用於使材料122適應（例如，升高溫度）以準備將材料122安裝到製造工具144。當材料122為光阻劑時，例如，暫存區域142可具有高於0℃的環境溫度，例如室溫或另一合適的環境溫度，以便進行光阻劑的適應，所述光阻劑可在從儲存裝置132移除且運送到暫存區域142之後處於低於約0℃的溫度下。適應可進行與材料122的體積、初始溫度（例如，＜0℃）以及目標溫度（例如，約20℃到約25℃）相關的適應時間段。

在一些實施例中，暫存區域142可包含RFID讀取器，使得可保持材料122儲存在暫存區域142中多久的準確記錄。在一些實施例中，RFID讀取器與資料庫152通信。在一些實施例中，當RFID讀取器檢測及/或讀取材料122上的標籤且確定材料122正進入暫存區域142時，RFID讀取器使進入時戳與材料122相關聯。RFID讀取器可更新資料庫152以記錄與唯一地標識儲存材料122的暫存區域的暫存區域ID相關聯的進入時戳，所述進入時戳可為暫存資訊1425（參見圖1B）的一部分。

暫存區域142可包含環境、品質、安全性以及存取監測及/或管理（例如，控制）。在一些實施例中，暫存區域142包含環境及/或品質控制及/或監測，包含溫度、濕度、光、振動、靜電放電（ESD）以及其它合適的控制及/或監測。在一些實施例中，暫存區域142週期性地將作為暫存資訊1425（參見圖1B）的部分的環境及/或品質資訊記錄到資料庫152，所述環境及/或品質資訊可對應於剛剛描述的環境及/或品質控制及/或監測。在一些實施例中，環境及/或品質資訊的週期性記錄獨立於材料122在暫存區域142中的存在而被進行。舉例來說，資料庫152可為關係型資料庫，且環境及/或品質資訊137可儲存在第一表中，且進入時戳和離開時戳（下文描述）可儲存在可連結到第一表的第二表中。

在一些實施例中，暫存區域142進一步包含安全性監測及/或控制，其包含存取監測及/或控制。舉例來說，材料122可由操作者（例如，人或機器人）傳送到暫存區域142。在一些實施例中，操作者可攜帶金鑰卡、金鑰扣或其它電子可讀存取器件。在一些實施例中，為將材料122儲存在暫存區域142中，電子存取讀取器（未單獨示出）讀取操作者的存取器件，且在已授權操作者存取暫存區域142時解鎖暫存區域142以接收材料122。在一些實施例中，電子存取讀取器用儲存在電子可讀存取器件上及/或對應於儲存在其上的操作者資訊的操作者資訊來更新資料庫152。在一些實施例中，儲存在電子可讀存取器件上的操作者資訊包含人員識別字，所述人員識別字可包含供應商/承包商公司名稱、雇員號/代碼以及類似物。

暫存區域142進一步進行將材料122履行到製造工具144。在一些實施例中，暫存區域142接收將材料122傳送到製造工具144例如以用於安裝到製造工具144的請求，對應於圖2A中所示出的流程401的操作430。在一些實施例中，請求起源於將材料122傳送到製造工具144的資料中心150。在一些實施例中，將材料122從暫存區域142傳送到製造工具144的請求由製造工具144或製造工具144的操作者產生。在一些實施例中，請求由資料中心150例如基於生產計畫、對由製造工具144使用材料122的預報及/或其它合適的參數產生。

基於參考圖3A到圖3C更詳細地描述的預報，含有材料122的載體121可被提供到製造工具144。類似於材料122到暫存區域142的傳送，在一些實施例中，當接收到將材料122傳送到製造工具144的請求時，具有電子可讀存取器件的操作者從暫存區域142取出材料122，且將材料122傳送到製造工具144。在一些實施例中，由操作者進行的存取由暫存區域142驗證和記錄。在一些實施例中，將對應於（例如，如由RFID讀取器檢測到的）材料122離開暫存區域142的時間的取出時間作為暫存資訊1425的部分記錄在資料庫152中。在一些實施例中，在離開暫存區域142後，材料122的內容被驗證以確保材料122匹配請求，例如具有在請求中指定的相同物品識別字、批量識別字以及批次識別字。

為了確保製造工具144接收正確的材料122，材料122的批次識別字可被取出且將被與請求進行比較。在一些實施例中，材料122在離開暫存區域142之前及/或在安裝到製造工具144中之前被驗證正確性。對於光阻劑，適應時間可進一步被驗證以確保材料122已在暫存區域142中花費足夠時間以達到適應溫度，例如室溫，如上文所描述。這避免由於（例如，在實現適應之前）在過低溫度下使用材料122而可能發生的對製造工具144的損壞或對良率的負面影響。

將從暫存區域142取出的材料122被安裝在製造工具144中，對應於圖2B中所示出的流程501的操作500。在一些實施例中，製造工具144包含例如材料安裝口148處或附近的RFID讀取器。RFID讀取器可讀含有材料122的載體121上的標籤，且可記錄對應於材料122安裝在材料安裝口148中的時間的載入時戳。載入時戳可為工具載入資訊1485（參見圖1B）的一部分，所述工具載入資訊1485可週期性地或非週期性地/非同步地記錄在資料庫152中。舉例來說，在RFID讀取器識別材料122的幾秒內，可通過製造工具144將載入時戳記錄到資料庫152。在一些實施例中，操作者可製作表示材料122安裝在材料安裝口148中的資料項目。在一些實施例中，材料安裝口148的門可包含存取感測器，例如磁性接觸感測器，且門的任何打開及/或關閉都可記錄在資料庫152中。在一些實施例中，材料安裝口148的殼體可包含例如紅外感測器的接近度感測器，及/或重量感測器。在一些實施例中，對將材料122安裝到材料安裝口148的跟蹤可包含通過RFID讀取器讀取標籤、通過存取感測器檢測門的打開、通過接近度感測器檢測材料122的接近度、通過存取感測器檢測門的關閉及/或由操作者接收資料項目。在一些實施例中，可將與對安裝的跟蹤相關聯的資料記錄到資料庫152。

在製造工具144中，對應於材料122的工具資訊1445（參見圖1B）可被記錄在資料庫152中，對應於圖2B中所示出的流程501的操作510。在一些實施例中，工具資訊1445包含使用時間，其可包含表示材料122存在於製造工具144中的時間的以時、分以及秒計的時間值。在一些實施例中，使用時間表示材料122在製造工具144中使用的時間，例如材料122由製造工具144消耗的時間，而不包含材料122未由製造工具144消耗的時間，例如當製造工具144空閒時或當未發生材料122從載體121到處理腔室1400的傳送時（例如，材料122從載體121的流出大體上為零）。在一些實施例中，工具資訊1445進一步包含製造工具144的環境資料，例如溫度、壓力、濕度、光、流程參數或其它合適的環境資料。環境資料可在連續基礎上週期性地及/或非週期性地記錄到資料庫152，對應於圖2B中所示出的流程501的操作520。

材料122在製造工具144中的使用的一個考慮因素對應於材料122的到期狀態。通過跟蹤材料122從材料供應商120到倉庫130以及從倉庫130到製造廠140的環境、品質以及安全性資料，可實現對材料122的到期狀態的極準確預報（其可對應於圖2A的操作430及/或圖2B的操作520），使得即使當材料122在製造工具144中時也即時監測材料122的到期狀態。在一些實施例中，當材料122到期時，材料122的供應（例如，從載體121到處理腔室1400的流出）可被切斷，即使在材料122處於製造工具144中時發生到期也是這樣。含有材料122的載體121可在不為清空（例如，材料122中的一些仍在載體121中）時從製造工具144被移除，其可對應於圖2B的操作530，且可從例如暫存區域142請求尚未到期的新材料。在一些實施例中，可通過使用資料庫152結合例如按批次的先進先出（first-in-first-out；FIFO）分配來智慧地管理從暫存區域142取出材料122，這可降低過期風險。

在一些實施例中，FIFO分配是基於含有材料122的許多不同載體的到期狀態的預報，使得在取出具有更長到期的其它載體之前取出基於預報含有最接近到期的材料122的載體121且將其傳送到製造工具144。在一些實施例中，FIFO分配考慮生產計畫。舉例來說，如果含有相同材料122且具有類似所預報到期的兩個載體都適應（準備就緒）且存在於暫存區域142處，且兩個載體中的第一個具有比兩個載體中的第二個較低的剩餘材料122，如果生產計畫指示將消耗相對低的所預報材料體積，那麼具有較低體積的材料122的第一載體可在第二載體之前/代替第二載體被取出，即使第一載波的所預報到期稍微晚於第二載體的所預報到期也是這樣。

系統100繪示為具有材料供應商120、倉庫130、IC製造廠140或資料中心150作為單獨元件或實體。然而，應理解，材料供應商120、倉庫130、IC製造廠140或資料中心150中的一個或多個為同一元件或實體的部分。

圖3A到圖3C為示出根據各種實施例的對應於材料122的各種參數的預報的視圖。可由微控制器單元（microcontroller unit：MCU）使用儲存在資料庫152中的資訊進行數個預報。在一些實施例中，預報包含材料122的品質參數（例如，到期）及/或安全性參數（例如，洩漏）、材料122的消耗、材料122從倉庫130及/或暫存區域142傳送的次序、材料122從材料供應商120的採購、材料122的庫存的控制/管理，及/或其它合適的預報。

圖3A為根據一個實施例的系統3224的框圖，所述系統3224可為用於進行圖2A的操作420或圖2B的操作520的控制系統。控制系統3224利用機器學習來預報對應於材料122的參數。

在一個實施例中，控制系統3224包含分析模型3302和訓練模組3304。訓練模組3304用機器學習過程來訓練分析模型3302。在一些實施例中，機器學習過程訓練分析模型3302根據品質及/或安全性參數選擇含有材料122的載體121。雖然訓練模組3304繪示為與分析模型3302分離，但實際上，訓練模組3304可為分析模型3302的部分。

控制系統3224包含或儲存訓練集合資料3306。訓練集合資料3306包含歷史安全性資料3308、歷史環境條件資料3310以及歷史流程結果資料3318。歷史安全性資料3308包含與材料122的安全性相關的資料。歷史環境條件資料3310包含與其中已存在材料122的環境相關的資料。歷史流程結果資料3318包含與在其中已存在材料122的製造流程之後的晶片品質相關的資料。如下文將更詳細地闡述，訓練模組3304利用歷史安全性資料3308、歷史環境條件資料3310以及歷史流程結果資料3318用機器學習過程訓練分析模型3302。

在一個實施例中，歷史安全性資料3308包含與安全性參數相關的資料，例如位置、方位、化學控制條帶、存取權限、配方管理系統、跌落事件、洩漏事件、排出/淨化事件或其它合適的安全性資料。舉例來說，上述安全性參數的數千或數百萬讀數可在數小時或數天的過程中被產生。在每一產生之後，材料122的安全性可被計算。歷史安全性資料3308包含材料122的每一載體121的安全性參數。因此，歷史安全性資料3308可包含材料122的大量載體的安全性資料。在一些實施例中，安全性資料在逐一運行基礎或逐一批次基礎上被產生。

在一個實施例中，歷史環境條件資料3310包含在材料122的傳送及/或儲存期間的各種環境條件或參數。因此，對於具有歷史安全性資料3308中的資料的材料122的每一載體121，歷史環境條件資料3310可包含在材料122的傳送及/或儲存期間存在的環境條件或參數。舉例來說，歷史環境條件資料3310可包含與溫度、pH、濕度、光、適應時間、振動、ESD、清潔度、生產計畫及/或其它合適的環境條件參數相關的資料。

在一個實施例中，歷史流程結果資料3318包含直接或間接從材料122在半導體製造流程中的使用產生的各種晶片品質參數。舉例來說，材料122可用於光阻劑塗佈流程、平坦化流程、清潔流程、沉積流程或其它合適的製造流程。在一些實施例中，歷史流程結果資料3318可包含在光阻劑塗佈流程之後測量刻蝕輪廓。其它測量可包含層厚度、層均勻性、粗糙度、清潔度或其它合適的測量。在一些實施例中，測量包含電測試、晶片接受測試、光學測試或其它合適的測試的結果，其可包含合格/不合格測量、可靠性測量、資料保持測量或類似物。在一些實施例中，歷史流程結果資料3318與多個先前處理的半導體晶片相關。在一些實施例中，歷史流程結果資料3318與個別半導體晶片、半導體晶片的個別運行及/或半導體晶片的個別批次相關。

在一個實施例中，訓練集合資料3306將歷史安全性資料3308及/或歷史環境條件資料3310與歷史流程結果資料3318連結。換句話說，歷史安全性資料3308中的安全性參數及/或環境條件資料3310中的環境參數（例如，通過標記）連結到歷史流程結果資料3318中的測量值。如下文將更詳細地闡述，所標記的訓練集合資料可在機器學習過程中利用以訓練分析模型3302產生先前所提到的各種預報。

在一個實施例中，控制系統3324包含處理資源3312、記憶體資源3314以及通信資源3316。處理資源3312可包含一個或多個控制器或處理器。處理資源3312配置成執行軟體指令、流程資料、作出薄膜刻蝕控制決策、進行信號處理、從記憶體讀取資料、將資料寫入到記憶體以及進行其它處理操作。處理資源3312可包含物理處理資源3312及/或虛擬處理資源3312。處理資源3312可包含基於雲的處理資源，包含經由一個或多個雲計算平臺存取的處理器和伺服器。

在一個實施例中，記憶體資源3314可包含一個或多個電腦可讀記憶體。記憶體資源3314配置成儲存與控制系統和其元件（包含但不限於分析模型3302）的功能相關聯的軟體指令。記憶體資源3314可儲存與控制系統3224和其元件的功能相關聯的資料。資料可包含訓練集合資料3306、當前流程條件資料以及與控制系統3224或其元件中的任一個的操作相關聯的任何其它資料。記憶體資源3314可包含物理記憶體資源及/或虛擬記憶體資源。記憶體資源3314可包含經由一個或多個雲端計算平臺存取的基於雲的記憶體資源。在一些實施例中，記憶體資源3314包含資料庫152。

在一個實施例中，通信資源3316可包含有線和無線通訊資源，其可促進經由例如有線網路、無線網路、網際網路或企業內部網的一個或多個網路的通信。通信資源3316可使得控制系統3224的元件能夠彼此通信。

圖3B為示出根據一個實施例的圖3A的分析模型3302的操作性方面和訓練方面的框圖。如先前所描述，訓練集合資料3306包含與多個先前所處理的半導體晶片相關的資料。用特定環境條件處理每一先前所處理的半導體晶片，且產生特定處理結果。將每一先前所處理的半導體晶片的材料122提供商、到期、溫度、光、適應、濕度、使用時間、傳送時間及/或其它合適的參數格式化成相應材料條件矩陣3352。材料條件矩陣3352包含多個資料向量3354。每一資料向量3354對應於特定參數。

圖3B的實例示出將在訓練過程期間傳遞到分析模型3302的單個材料條件矩陣3352。在圖3B的實例中，材料條件矩陣3352包含九個資料向量3354，每一資料向量對應於材料122的環境或安全性參數。對於未以數字天然表示的條件類型，例如材料3354C，數字可被分配給每一可能的材料。

分析模型3302包含多個神經層3356a到神經層3356e。每一神經層包含多個節點3358。每一節點3358還可稱為神經元。來自第一神經層3356a的每一節點3358從反射器條件矩陣3352接收每一資料欄位的資料值。因此，在圖3B的實例中，來自第一神經層3356a的每一節點3358接收36個資料值，因為反射器條件矩陣3352具有36個資料標量（9*4=36）。每一神經元3358包含在圖3B中標記為F(x)的相應內部數學函數。通過將內部數學函數F(x)應用於來自反射器條件矩陣3352的資料欄位3354的資料值，第一神經層3356a的每一節點3358產生標量值。下文提供關於內部數學函數F(x)的另外細節。

第二神經層3356b的每一節點3358接收由第一神經層3356a的每一節點3358產生的標量值。因此，在圖3B的實例中，第二神經層3356b的每一節點接收四個標量值，因為第一神經層3356a中存在四個節點3358。通過將相應內部數學函數F(x)應用於來自第一神經層3356a的標量值，第二神經層3356b的每一節點3358產生標量值。

第三神經層3356c的每一節點3358接收由第二神經層3356b的每一節點3358產生的標量值。因此，在圖3B的實例中，第三神經層3356c的每一節點接收五個標量值，因為第二神經層3356b中存在五個節點3358。通過將相應內部數學函數F(x)應用於來自第二神經層3356b的節點3358的標量值，第三神經層3356c的每一節點3358產生標量值。

神經層3356d的每一節點3358接收由前一神經層（未繪示）的每一節點3358產生的標量值。通過將相應內部數學函數F(x)應用於來自第二神經層3356b的節點3358的標量值，神經層3356d的每一節點3358產生標量值。

最終神經層僅包含單個節點3358。最終神經層接收由前一神經層3356d的每一節點3358產生的標量值。通過將數學函數F(x)應用於從神經層3356d的節點3358接收到的標量值，最終神經層3356e的節點3358產生資料值3368。

在圖3B的實例中，資料值3368對應于由對應於材料條件矩陣3352中所包含的值的資料產生的材料122的載體121的已預測的到期。在其它實施例中，最終神經層3356e可產生各自對應於特定材料特性（例如材料122的品質、安全性或其它特性）的多個資料值。在一些實施例中，最終神經層3356e可產生對應于上文所描述的各種預報的資料值。最終神經層3356e將包含用於待產生的每一輸出資料值的相應節點3358。在已預測的到期的情況下，在一個實例中，工程師可提供指定已預測的到期3368處於所選範圍內（例如大於1小時）的約束。分析模型3302將調整內建函式F(x)以確保對應於已預測的到期的資料值3368將處於指定範圍內。

在機器學習過程期間，分析模型比較資料值3368中的已預測的到期與如由資料值3370所指示的材料122的實際到期。如先前所闡述，訓練集合資料3306對於歷史環境條件資料的每一集合包含指示由製造流程產生的半導體晶片的特性的歷史流程結果資料。因此，資料欄位3370包含由在材料條件矩陣3352中反映的製造流程產生的材料122的實際到期。分析模型3302比較來自資料值3368的已預測的到期與來自資料值3370的實際到期。分析模型3302產生指示來自資料值3368的已預測的到期與來自資料值3370的實際到期之間的誤差或差的誤差值3372。利用誤差值3372訓練分析模型3302。

通過論述內部數學函數F(x)可更充分理解分析模型3302的訓練。雖然所有節點3358都用內部數學函數F(x)標記，但每一節點的數學函數F(x)是唯一的。在一個實例中，每一內部數學函數具有以下形式：

F(x) = x1*w1 + x2*w2 + … xn*w1 + b。

在以上公式中，每一值x1到值xn對應於從前一神經層中的節點3358接收到的資料值，或在第一神經層3356a的情況下，每一值x1到值xn對應於來自反射器條件矩陣3352的資料欄位3354的相應資料值。因此，對於給定節點，n等於前一神經層中的節點的數目。值w1到值wn為與來自前一層的對應節點相關聯的標量加權值。分析模型3302選擇加權值w1到加權值wn的值。常數b為標量偏置值且還可乘以加權值。由節點3358產生的值是基於加權值w1到加權值wn。因此，每一節點3358具有n個加權值w1到加權值wn。雖然上文未繪示，但每一函數F(x)還可包含啟動函數。以上公式中所闡述的總和乘以啟動函數。啟動函數的實例可包含修正線性單元（rectified linear unit；ReLU）函數、S形函數、雙曲線張力函數或其它類型的啟動函數。

在誤差值3372已被計算之後，分析模型3302針對各種神經層3356a到神經層3356e的各種節點3358調整加權值w1到加權值wn。在分析模型3302調整加權值w1到加權值wn之後，分析模型3302再次將反射器條件矩陣3352提供到輸入神經層3356a。因為加權值對於分析模型3302的各種節點3358是不同的，所以所預測反射率3368將不同於前一反覆運算。分析模型3302通過比較實際反射率3370與所預測反射率3368再次產生誤差值3372。

分析模型3302再次調整與各種節點3358相關聯的加權值w1到加權值wn。分析模型3302再次處理材料條件矩陣3352且產生已預測的到期3368和相關聯誤差值3372。訓練過程包含調整反覆運算中的加權值w1到加權值wn，直到誤差值3372最小化為止。

圖3B示出傳遞到分析模型3302的單個材料條件矩陣3352。在實踐中，訓練過程包含使大量材料條件矩陣3352傳遞通過分析模型3302、產生用於每一材料條件矩陣3352的已預測的到期3368，以及產生用於每一已預測的到期的相關聯誤差值3372。訓練過程還可包含產生指示用於一批材料條件矩陣3352的所有已預測的到期的平均誤差的聚合誤差值。分析模型3302在處理每一批材料條件矩陣3352之後調整加權值w1到加權值wn。訓練過程繼續，直到跨所有材料條件矩陣3352的平均誤差小於所選閾值容差為止。當平均誤差小於所選閾值容差時，分析模型3302訓練完成，且基於環境條件及/或安全性條件訓練分析模型準確地預測材料122的到期。分析模型3302可接著用於預測到期且選擇將使到期延長的環境及/或安全性條件。在使用經過訓練的模型3302期間，表示當前材料122的當前環境條件且具有與材料條件矩陣3352類似格式的環境條件向量或矩陣被提供到經過訓練的分析模型3302。經過訓練的分析模型3302可接著預測將由那些環境條件產生的材料122的到期。

基於關於圖3B的神經網路的分析模型3302的特定實例已被描述。然而，可在不脫離本揭露的範圍的情況下利用其它類型的基於神經網路的分析模型，或除神經網路外的類型的分析模型。此外，在不脫離本揭露的範圍的情況下，神經網路可具有具有不同數目的節點的不同數目的神經層。另外，基於神經網路的分析模型3302可產生先前描述的預報中的任一個，例如材料122的品質參數（例如，到期）及/或安全性參數（例如，洩漏）、材料122的消耗、材料122從倉庫130及/或暫存區域142傳送的次序、材料122從材料供應商120的採購、材料122的庫存的控制/管理，及/或其它合適的預報。

基於上文，且參考圖3C，用於基於基於神經網路的分析模型3302管理材料122的流程3400可包含（例如，在逐運行或逐批次基礎上）預報含有材料122的載體121的品質及/或安全性參數，對應於操作3410。流程3400可進一步包含基於在操作3410中產生的預報來接受或拒絕載體121，對應於操作3420。在操作3430中，可分析載體121例如以確定含於其中的材料122是否到期。基於在操作3430中進行的分析，可更新基於神經網路的分析模型3302以改進操作3410中的對未來載體的品質/安全性參數的預報。

實施例可提供優點。用於管理例如光阻劑的材料122的方法和系統確保新鮮度、安全性以及及時履行。其提高良率且減少工具停工時間。當管理原料品質和安全性時，材料管理系統能夠大體上即時回應。通過智慧標籤和回應系統的智慧且有目的的使用，可有效地防止材料老化問題和污染。環境感測和大資料收集和預報還改進品質控制、材料跟蹤、生產可靠性、資料採擷以及智慧控制，同時減少操作者失誤。

根據至少一個實施例，一種方法包括：將含有材料的載體儲存在儲存裝置中；在材料處於儲存裝置中時將儲存裝置的環境資料記錄到資料庫；基於環境資料產生對載體中的材料的預報；從半導體製造工具接收對材料的請求；以及基於預報將載體提供到半導體製造工具。

根據至少一個實施例，材料管理方法進一步包括：將載體的安全性資料記錄到資料庫。

根據至少一個實施例，材料管理方法在以下中的至少一個期間來記錄安全性資料：(1)將載體從材料供應商運送到儲存裝置；(2)將載體儲存在儲存裝置中；或(3)將載體從儲存裝置運送到半導體製造工具。

根據至少一個實施例，所述將載體從儲存裝置運送到半導體製造工具包括：將載體從儲存裝置運送到暫存區域（staging area），以及將載體從暫存區域運送到半導體製造工具。

根據至少一個實施例，所述安全性資料包括：載體的防跌落機構、洩漏隔離、排氣機構或空氣淨化機構中的至少一個的啟動資訊。

根據至少一個實施例，材料為光阻劑。儲存裝置的第一溫度小於約0℃。

根據至少一個實施例，材料管理方法進一步包括記錄材料在具有約20℃到約25℃的第二溫度的暫存區域處的適應時間。

根據至少一個實施例，一種方法包括：將含有材料的載體安裝到用於處理半導體晶片的製造工具；在安裝載體時將製造工具的環境資料寫入到資料庫；基於環境資料產生對載體中的材料的預報；以及基於預報在載體中的材料耗盡之前從製造工具移除載體。

根據至少一個實施例，產生預報包括基於環境資料預測材料的到期。

根據至少一個實施例，材料管理方法進一步包括基於預報在第二載體之前從暫存區域取出載體。

根據至少一個實施例，基於載體的第一已預測的到期早於第二載體的第二已預測的到期，在第二載體之前取出載體。

根據至少一個實施例，安裝載體包括將含有光阻劑的載體安裝到光阻劑塗佈機中。

根據至少一個實施例，材料包括光阻劑、抗反射塗層、罩面層、顯影劑、移除劑、聚合物、剝離劑、漿料、清潔劑、粘合劑、包封體或熱化合物。根據至少一個實施例，一種系統包括載體、儲存裝置、至少一個環境感測器、至少一個安全性感測器、資料庫以及微控制器單元。載體配置成含有材料，且包含至少一個標籤。儲存裝置配置成儲存載體，且包含配置成讀取標籤的至少一個讀取器。至少一個環境感測器配置成產生對應於至少儲存裝置的環境資料。至少一個安全性感測器配置成產生對應於至少載體或儲存裝置的安全性資料。資料庫配置成儲存環境資料和安全性資料。微控制器單元配置成基於環境資料和安全性資料來預報材料的至少一個品質參數或安全性參數。

根據至少一個實施例，儲存裝置包括冷凍機。

根據至少一個實施例，儲存裝置包括互鎖。安全性感測器包括配置成產生對應於互鎖的資訊的互鎖感測器。

根據至少一個實施例，微控制器單元配置成產生基於神經網路的分析模組。預報是基於所述基於神經網路的分析模組。

根據至少一個實施例，微控制器單元進一步配置成基於所述至少一個品質參數或安全性參數來接受或拒絕載體。

根據至少一個實施例，所述至少一個環境感測器包括溫度感測器、氫電位（pH）感測器、濕度感測器、光感測器、振動感測器、靜電放電（ESD）感測器、清潔度感測器、洩漏感測器、壓力感測器或顆粒感測器中的至少一個。

根據至少一個實施例，儲存裝置包括配置成在載體具有洩漏時接收材料的排水口，以及與排水口流體連通的配置成檢測洩漏的洩漏檢測器。

前文概述若干實施例的特徵以使本領域的技術人員可更好地理解本揭露的各方面。本領域的技術人員應瞭解，其可易於使用本揭露作為設計或修改用於進行本文中所介紹的實施例的相同目的及/或實現相同優點的其它流程和結構的基礎。本領域的技術人員還應認識到，這種等效構造並不脫離本揭露的精神和範圍，且本領域的技術人員可在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下在本文中進行各種改變、替代以及更改。

100:積體電路製造系統/材料管理系統 120:材料供應商 121、1430:載體 122、3354C:材料 125:信息 130:倉庫 132:儲存裝置 134:RFID讀取器 135:倉庫資訊 137:環境及/或品質資訊 140:IC製造商/製造者/製造廠 142:暫存區域/堆料機 144:晶片製造工具 146:半導體晶片 148:材料安裝口 150:資料中心 152:資料庫 160:IC裝置 400、410、420、430、440、500、510、520、530、3410、3420、3430:操作 401、501、3400:流程 1000:IC製造流程 1320:儲存室 1321:外門 1322:擱架 1323:內門 1324:排水口 1325:互鎖 1326:洩漏檢測器 1400:處理腔室 1410:存取介面 1420:載體平臺 1425:暫存信息 1445:工具資訊 1450:存取口 1485:工具載入資訊 3224:系統 3302:分析模型 3304:訓練模組 3306:訓練集合資料 3308:歷史安全性資料 3310:歷史環境條件資料 3312:處理資源 3314:記憶體資源 3316:通信資源 3318:歷史流程結果資料 3324:控制系統 3352:材料條件矩陣/反射器條件矩陣 3354:資料向量/資料欄位 3356a:第一神經層 3356b:第二神經層 3356c:第三神經層 3356d:神經層 3356e:最終神經層 3358:節點 3368、3370:資料值 3372:誤差值

結合附圖閱讀以下詳細描述會最好地理解本揭露的各方面。應注意，根據行業中的標準慣例，各種特徵未按比例繪製。事實上，為了論述清楚起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。 圖1A到圖1D為根據本揭露的實施例的材料管理系統的視圖。 圖2A到圖2B為根據本揭露的各種方面的用於管理材料的流程的視圖。 圖3A到圖3C為示出根據本揭露的各種方面的預報材料品質/安全性的方法的視圖。

400、410、420、430、440:操作

401:流程

Claims (1)

1. 一種材料管理方法，包括： 將含有材料的載體儲存在儲存裝置中； 在所述材料處於所述儲存裝置中時將所述儲存裝置的環境資料記錄到資料庫； 基於所述環境資料產生對所述載體中的所述材料的預報； 從半導體製造工具接收對所述材料的請求；以及 基於所述預報將所述載體提供到所述半導體製造工具。

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