TW202230834A

TW202230834A - Ic載板的擋牆結構的結合方法及發光二極體光學結構

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Publication number: TW202230834A
Application number: TW110101636A
Authority: TW
Inventors: 王東澤
Original assignee: 榮星科技股份有限公司
Priority date: 2021-01-15
Filing date: 2021-01-15
Publication date: 2022-08-01
Also published as: TWI750998B

Abstract

一種IC載板的擋牆結構的結合方法及發光二極體光學結構，用以解決習知擋牆結構的結合方法易發生黏著劑溢膠的問題。係包含：提供一基板；於真空環境下，將一感光層熱壓施覆於該基板上；於真空環境下，將一擋牆結構熱壓結合於該感光層上；將該擋牆結構投影到該基板以外部位的感光層蝕刻去除；及以一固化溫度烘烤該感光層至定型。

Description

IC載板的擋牆結構的結合方法及發光二極體光學結構

本發明係關於一種IC載板的結合方法及結構，尤其是一種封裝結構、且可做為反射杯或IC保護結構之IC載板的擋牆結構的結合方法及發光二極體光學結構。

發光二極體（Light Emitting Diode，LED）係一種可將電流轉換成特定波長範圍的光的半導體元件，憑藉其發光效率高、體積小、重量輕、環保等優點，已被廣泛地應用到當前的各個領域中。習知的發光二極體結構具有一基板及位於該基板上的一電極，一發光二極體晶片可以設置於該基板上並與該電極電性連接，一擋牆結構可以圍繞該發光二極體晶片設置於該基板上，該發光二極體晶片的上方則可以覆蓋有一封裝體。

上述習知發光二極體結構的擋牆結構係以點膠或網印的方式結合於該基板上，其係塗佈黏著劑於該基板，再將該擋牆結構黏著於該基板。其中，若黏著劑塗佈太少，容易使該擋牆結構與該基板的結合穩固性不佳；而若黏著劑塗佈太多，將該擋牆結構結合於該基板的過程中會擠壓黏著劑，使黏著劑會由該擋牆結構的內環面及外環面溢出，且由該擋牆結構的內環面溢出的黏著劑若接觸到該電極則會影響後續應用，因此，通常會在作業之前預留該電極與該擋牆結構之間的空間，使得空間利用率不甚理想，同時也影響整體的作業效率，導致製造便利性不佳。

有鑑於此，習知的擋牆結構的結合方法確實仍有加以改善之必要。

為解決上述問題，本發明的目的是提供一種IC載板的擋牆結構的結合方法，係可以避免黏著劑溢膠、且可以大面積地製造生產，係可以提升整體的作業效率及製程便利性者。

本發明的次一目的是提供一種IC載板的擋牆結構的結合方法，係可以降低製造成本者。

本發明的又一目的是提供一種IC載板的擋牆結構的結合方法，係可以提升產品品質者。

本發明的再一目的是提供一種發光二極體光學結構，係可以提升空間利用率者。

本發明全文所述方向性或其近似用語，例如「前」、「後」、「左」、「右」、「上（頂）」、「下（底）」、「內」、「外」、「側面」等，主要係參考附加圖式的方向，各方向性或其近似用語僅用以輔助說明及理解本發明的各實施例，非用以限制本發明。

本發明全文所記載的元件及構件使用「一」或「一個」之量詞，僅是為了方便使用且提供本發明範圍的通常意義；於本發明中應被解讀為包括一個或至少一個，且單一的概念也包括複數的情況，除非其明顯意指其他意思。

本發明全文所述「結合」、「組合」或「組裝」等近似用語，主要包含連接後仍可不破壞構件地分離，或是連接後使構件不可分離等型態，係本領域中具有通常知識者可以依據欲相連之構件材質或組裝需求予以選擇者。

本發明的IC載板的擋牆結構的結合方法，包含下列步驟：提供一基板；於真空環境下，將一感光層熱壓施覆於該基板上；於真空環境下，將一擋牆結構熱壓結合於該感光層上；將該擋牆結構投影到該基板以外部位的感光層蝕刻去除；及以一固化溫度烘烤該感光層至定型。

本發明的發光二極體光學結構，係由前述的IC載板的擋牆結構的結合方法所製成，其中，一晶片電性連接該基板的一電極層，該擋牆結構環繞該晶片設置。

據此，本發明的IC載板的擋牆結構的結合方法及發光二極體光學結構，係將該感光層熱壓施覆於該基板上，並將該擋牆結構熱壓結合於該感光層，再利用蝕刻的方式將該擋牆結構投影到該基板以外部位的感光層去除，係可以避免如習知不易控制黏著劑用量而發生溢膠的情形，且本發明的擋牆結構的結合方法係可以大面積地製造生產，係可以具有提升整體的作業效率及製程便利性的功效。

其中，該固化溫度可以為120～180℃。如此，使該感光層可以固化定型以強化連接結構，係具有提升產品品質的功效。

其中，該感光層可以為膜片之型態，該感光層貼合於該基板上。如此，該結構簡易而便於製造，係具有降低製造成本的功效。

其中，該感光層可以係將感光膠塗佈或噴塗於該基板上，並經80～120℃之預烘烤定型而成。如此，該工藝便於搭配材料與結構，係具有提升製造便利性的功效。

其中，該基板可以具有連接的一基材層及一電極層，該感光層施覆於該基板上時遮蓋該電極層，且蝕刻去除部分的該感光層後，該感光層可以局部遮蓋該電極層或未遮蓋該電極層。如此，去除部分的該感光層後，該電極層可用以電性連接該晶片，係具有提升使用便利性的功效。

其中，該擋牆結構可以結合有另一感光層，該擋牆結構上的另一感光層與該基板上的感光層可以相結合。如此，該擋牆結構可以更穩固結合於該基板，係具有提升結合穩固性的功效。

其中，該擋牆結構可以具有一外環面及一內環面，該感光層與該外環面及該內環面可以平齊。如此，可以確保精準地將該感光層未與該擋牆結構結合的部位蝕刻去除，係具有提升產品品質的功效。

其中，該電極層與該擋牆結構之間可以具有一小於或等於0.15mm的徑向間距或於軸向相對位。如此，該基材層上可以設置面積較大的電極層，使該電極層可以具有足夠的面積供較大的晶片電性連接，係具有提升空間利用率的功效。

為讓本發明之上述及其他目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

請參照第1圖所示，其係本發明IC載板的擋牆結構的結合方法的一較佳實施例，係包含下列步驟：

提供一基板1，該基板1可以具有一基材層11及一電極層12，該電極層12附著於該基材層11上，該基材層11可以由陶瓷、氧化矽等絕緣材料所製成，該電極層12可以由銅、鋁等金屬材料所製成，該電極層12係可以根據實際電路的走線要求設計而成，且該電極層12加工後形成電子線路，係可以電性連接各種電子元件或電路模組。

請參照第2圖所示，於真空環境下，將一感光層2熱壓施覆於該基板1上，且該感光層2熱壓施覆於該基板1上時，該感光層2可以局部或完全遮蓋該電極層12，本發明不加以限制；在本實施例中，該感光層2係以完全遮蓋該電極層12來做說明。

詳言之，該感光層2的型態，係以能夠使感光層2熱壓結合於該基板1為原則，本發明不加以限制，例如：該感光層2可以為膜片之型態，並將該感光層2整個膜片貼合於該基板1上，該感光層2之厚度之厚度可以為150um～200um，且該感光層2之厚度較佳足以覆蓋該電極層12與該基材層11之高低差，避免因高低差而產生間隙或空洞，係具有可以強化結構及提升產品品質的作用；或者，該感光層2亦可以係將感光膠塗佈或噴塗於該基板1上，並經80～120℃之預烘烤定型而成，本發明均不加以限制。

請參照第3圖所示，接著，同樣於真空環境下，將一擋牆結構3熱壓結合於位於該基板1的感光層2上，該擋牆結構3可以環繞該電極層12設置，且該擋牆結構3與該感光層2於軸向不相對位；其中，該擋牆結構3可以由金屬、塑膠或玻璃等材料所製成。

請參照第4圖所示，將該擋牆結構3投影到該基材層11以外部位的感光層2以蝕刻的方式去除，使該感光層2僅位於該基材層11與該擋牆結構3之間，且蝕刻去除部分的該感光層2後，該電極層12未被該感光層2遮蓋，使該電極層12可以完全裸露出來，使該電極層12可用以電性連接一晶片4，該晶片4可例如為發光晶片或IC晶片，本發明不加以限制。最後，再以一固化溫度烘烤該感光層2，使該感光層2可以固化定型；其中，該固化溫度較佳可以為120～180℃。

請參照第4圖所示，其係由上述IC載板的擋牆結構的結合方法所製成的一種發光二極體光學結構，該擋牆結構3環繞該電極層12設置，該感光層2未遮蓋該電極層12，該晶片4可以位於該電極層12上，使該擋牆結構3可以環繞該晶片4設置，且該晶片4電性連接該電極層12。其中，該晶片4係以覆晶（Flip-Chip）的形式設置於該電極層12上；或者，該晶片4亦可以藉由打線（Wire-Bonding）的形式與該電極層12電性連接，本發明不加以限制。

此外，該擋牆結構3可以具有一外環面31及一內環面32，該感光層2與該外環面31及該內環面32平齊；如此，可以確保精準地將該擋牆結構3投影到該基材層11以外部位的感光層2（在此，即為該感光層2未與該擋牆結構3結合的部位）蝕刻去除，係具有可以提升產品品質，以便進行下一步的作業及應用。

又，該電極層12與該擋牆結構3的內環面32之間可以如第4圖所示具有一徑向間距D，該徑向間距D較佳可以小於或等於0.15mm；如此，該基材層11上可以設置面積較大的電極層12，使該電極層12可以具有足夠的面積供較大的晶片4電性連接，可以提升空間利用率的作用。

請參照第5、6圖所示，而在其他實施例中，該擋牆結構3可以與該電極層12部分重疊，使該擋牆結構3與該電極層12於軸向可以相對位，將該擋牆結構3投影到該基材層11以外部位的感光層2以蝕刻的方式去除後，使該電極層12的局部可以未被該感光層2覆蓋而形成裸露；在此實施例中，亦可以預先將該擋牆結構3底部結合有另一感光層2，再使該擋牆結構3上的另一感光層2與該基板1上的感光層2相結合，使該擋牆結構3可以更穩固結合於該基板1。

另外說明的是，該擋牆結構3的形狀本發明不加以限制，舉例而言，該擋牆結構3可以具有一第一擋部3a及一第二擋部3b，該第一擋部3a及該第二擋部3b可以由上述的結合方法相接合，使該第一擋部3a及該第二擋部3b之間可以具有該感光層2。

綜上所述，本發明的IC載板的擋牆結構的結合方法及發光二極體光學結構，係將該感光層熱壓施覆於該基板上，並將該擋牆結構熱壓結合於該感光層，再利用蝕刻的方式將該擋牆結構投影到該基板以外部位的感光層去除，係可以避免如習知不易控制黏著劑用量而發生溢膠的情形，且本發明的擋牆結構的結合方法係可以大面積地製造生產，係可以具有提升整體的作業效率及製程便利性的功效。

雖然本發明已利用上述較佳實施例揭示，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者在不脫離本發明之精神和範圍之內，相對上述實施例進行各種更動與修改仍屬本發明所保護之技術範疇，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

﹝本發明﹞ 1:基板 11:基材層 12:電極層 2:感光層 3:擋牆結構 3a:第一擋部 3b:第二擋部 31:外環面 32:內環面 4:晶片 D:徑向間距

［第1圖］本發明一較佳實施例之基板的剖面圖。［第2圖］本發明一較佳實施例感光層施覆於基板的剖面圖。［第3圖］本發明一較佳實施例擋牆結構結合於感光層的剖面圖。［第4圖］本發明一較佳實施例發光二極體光學結構的剖面圖。［第5圖］本發明一較佳實施例擋牆結構與電極層於軸向相對位的剖面圖。［第6圖］本發明一較佳實施例發光二極體光學結構另一態樣的剖面圖。

1:基板

11:基材層

12:電極層

2:感光層

3:擋牆結構

31:外環面

32:內環面

4:晶片

D:徑向間距

Claims

一種IC載板的擋牆結構的結合方法，包含下列步驟：提供一基板；於真空環境下，將一感光層熱壓施覆於該基板上；於真空環境下，將一擋牆結構熱壓結合於該感光層上；將該擋牆結構投影到該基板以外部位的感光層蝕刻去除；及以一固化溫度烘烤該感光層至定型。
如請求項1之IC載板的擋牆結構的結合方法，其中，該固化溫度為120～180℃。
如請求項1之IC載板的擋牆結構的結合方法，其中，該感光層為膜片之型態，該感光層貼合於該基板上。
如請求項1之IC載板的擋牆結構的結合方法，其中，該感光層係將感光膠塗佈或噴塗於該基板上，並經80～120℃之預烘烤定型而成。
如請求項1之IC載板的擋牆結構的結合方法，其中，該基板具有連接的一基材層及一電極層，該感光層施覆於該基板上時遮蓋該電極層，且蝕刻去除部分的該感光層後，該感光層局部遮蓋該電極層或未遮蓋該電極層。
如請求項1之IC載板的擋牆結構的結合方法，其中，該擋牆結構結合有另一感光層，該擋牆結構上的另一感光層與該基板上的感光層相結合。
一種發光二極體光學結構，由請求項1至6中任一項之IC載板的擋牆結構的結合方法所製成，其中，一晶片電性連接該基板的一電極層，該擋牆結構環繞該晶片設置。
如請求項7之發光二極體光學結構，其中，該擋牆結構具有一外環面及一內環面，該感光層與該外環面及該內環面平齊。
如請求項7之發光二極體光學結構，其中，該電極層與該擋牆結構之間具有一小於或等於0.15mm的徑向間距或於軸向相對位。