TW202226842A - 平面式振膜揚聲器 - Google Patents

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Abstract

本發明關於一種混合振膜結構。該混合振膜結構包括一基底、一設置在該基底一中央區域的第一振膜、一設置於該第一振膜上方的第一線圈結構、一將該第一振膜和該第一線圈結構自該基底分隔的第一凹槽、以及一耦合該第一振膜至該基底的第一橋接結構。該第一振膜和該基底包括相同的材料。

Description

平面式振膜揚聲器
本發明有關一種平面式振膜揚聲器以及一種混合振膜結構。
隨著電子和資訊產業的快速發展，多媒體播放器裝置幾乎皆朝小型化和可攜化的方向發展。例如電子可攜式媒體播放器(Portable Media Player，PMP)或數位音頻播放器(Digital Audio Player，DAP)，即是可用以儲存和播放多媒體檔案的可攜式電子裝置。上述裝置都不可避免地需要揚聲器來播放聲音，但現有的揚聲器結構和製造技術不利於整合於要求輕薄短小的多媒體播放裝置。為了彌補這種不足，便發展如下所述的技術手段。
本發明之實施例提供一種混合振膜結構以及包括該混合振膜結構的平面式振膜揚聲器。混合振膜結構包括整合於振膜上的音圈，其有助於實現小型化。此外，混合振膜的形成方法可以整合至半導體製程中。因此，包括混合振膜結構的平面式振膜揚聲器可以與其他的應用，例如LED/OLED顯示器整合，也因此進一步提高了平面式振膜揚聲器的實用性。
本發明之一實施例提供了一種混合振膜結構。該混合振膜結構包括一基底、一設置於該基底一中央區域的第一振膜、一設置於該第一振膜上的第一線圈結構(coil structure)、一將該第一振膜和該第一線圈結構與該基底分隔開的第一凹槽(groove)、以及一耦合該第一振膜至該基底的第一橋接結構(bridge structure)。該第一振膜和該基底包括相同的材料。
本發明之一實施例提供了一種平面式振膜揚聲器。該平面式振膜揚聲器包括一第一基底、一第二基底、一連接該第一基底至該第二基底之邊框、一設置於該第一基底內的混合振膜、一分隔該混合振膜與該第一板之凹槽、以及至少一耦合該混合振膜至該第一基底之橋接結構。該第二基底具有面對該第一基底的一第一表面，以及與該第一表面相反的一第二表面。該混合振膜包括一振動部分和一線圈結構。該混合振膜的振動部分具有一面對該第二基底的第三表面，以及一相反於該第三表面的第四表面。該線圈結構係設置於該振動部分的該第三表面上。該第一基底和該混合振膜的該振動部分包括相同的材料。
在以下詳細描述中，闡述了許多具體細節以提供對本公開的透徹理解。然而，本領域技術人員應可理解，可以在沒有這些具體細節的情況下，實施本發明。在其他情況下，為避免混淆本發明，眾所周知的方法、過程、組件和電路係未予贅述。
本發明提供了多種可用於實現振膜的實施例，該振膜提供優於揚聲器中使用的其他類型振膜的顯著性能優勢。
以下將詳細討論本發明實施例的製作和使用。然而，應當理解的是，本揭露提供了可以實施於不同種特定用途中的發明概念。在此討論的特定實施例僅是說明性的，並不限制本發明所提供之範圍。
請參考圖1，根據本發明的一些實施例，係提供了一種平面式振膜揚聲器100，如一平面式玻璃振膜揚聲器。平面式振膜揚聲器100包括一第一基底110、一第二基底120、以及一連接第一基底110至第二基底120的邊框130。第一基底110和第二基底120可以包括相同的材料。舉例來說，第一基底110與第二基底120均可包括玻璃或石英，但本發明不限於此。在其他實施例中，第一基底110和第二基底120可以包括不同的材料。例如，第一基底110可以包括玻璃或石英，而第二基底120可以包括金屬或PCB。在一些實施例中，第一基底110可被稱為上玻璃基底，而第二基底120可被稱為下玻璃基底，但本發明不限於此。在一些實施例中，第一基底110的厚度與第二基底120的厚度可分別介於約0.03毫米(mm)與約0.7 mm之間，但本發明不限於此。在一些實施例中，第一基底110的厚度與第二基底120的厚度可分別介於約0.03 mm與約0.1 mm之間，但本發明不限於此。第一基底110的厚度與第二基底120的厚度可相同或不同，端視產品或製程要求而定。
邊框130可以包括一密封材。在一些實施例中，密封材可以是環氧基樹脂。較佳地，這種材料允許盡可能少的濕氣和氧氣滲透邊框130。此外，玻璃、石英或由玻璃纖維增強塑料(Fiberglass-reinforced plastics，FRP)、聚氟乙烯(polyvinyl fluoride，PVF)製成的塑料、聚酯、丙烯酸等，皆可作為基底的材料。在一些實施例中，邊框130的厚度可用以定義第一基底110與第二基底120之間的距離，但本發明不限於此。
在一些實施例中，可形成穿透第二基底120的開孔140（如圖6與圖7所示），但本發明不限於此。例如，在一些實施例中，係形成穿透邊框130的開孔140，如圖1所示。開孔140的數量或排列方式可根據產品要求進行調整或修改。此外，開孔140係用於改善共振。
請參考圖1至圖3，平面式振膜揚聲器100包括一設置在第一基底110內的混合振膜150。在一些實施例中，混合振膜150設置在第一基底110的一中心區域，如圖1所示，但本發明不限於此。在一些實施例中，第一基底110和混合振膜150可以被定義為一混合振膜結構200。參考圖1，混合振膜150可包括一振動部分（也稱為振膜）152和一設置於振動部分152一面向第二基底120的表面上的線圈結構154（也稱為音圈）。參考圖2A至圖2D，線圈結構154的形狀和圖案可以根據產品的需求而不同。參考圖3和圖4，線圈結構154可包括多個導電線圈156和多個將導電線圈156分開的絕緣層158。後續將描述導電線圈156和絕緣層158的製作方法。
平面式振膜揚聲器100還包括一分隔混合振膜150（即振膜152和線圈結構154）與第一基底110的溝槽160。應當注意的是，振動部分（即振膜）152和第一基底110包括相同的材料。在一些實施例中，混合振膜150的尺寸和形狀係由溝槽160定義，如圖2所示。因此，混合振膜150可以具有多邊形(例如，矩形)形狀、圓形形狀或橢圓形形狀。溝槽160的深度等於第一基底110的厚度。此外，平面式振膜揚聲器100包括一耦合混合振膜150至第一基底110的橋接結構170。因此，混合振膜150（包括振膜152以及線圈結構154）可由橋接結構170所定義的平衡位置振動，而橋接結構170可作為一阻尼器(damper)。此外，可藉由改變橋接結構170的長度、寬度和/或厚度來調整阻尼器參數(compliance)。需要注意的是，當溝槽160的深度等於第一基底的厚度時110，如圖3所示，混合振膜150僅藉由橋接結構170懸掛並連接到第一基底110。因此，阻尼器參數係可藉由改變橋接結構170的長度、寬度和/或厚度等而調整。
參考圖4，如上所述，溝槽160不僅定義了振膜152的形狀和尺寸，而且還與橋接結構170的數量一起作為混合振膜150的阻尼器。如圖4所示，藉由改變溝槽160之間的橋接結構170的數量、橋接結構170的寬度、橋接結構170的長度以及橋接結構170的厚度，可以調整混合振膜150的的阻尼器參數。
參考圖5，在一些實施例中，可在溝槽160上方設置一材料層162，並利用材料層162將第一基底110耦合至振膜152。材料層162可以包括UV固化材料。在一些實施例中，材料層162用作環繞物(surround)和阻尼器，因此可以藉由改變材料層162的厚度或/和硬度調整阻尼器參數。
在一些實施例中，可輕量化振膜152。例如，可同時減少第一基底110的厚度和振膜152的厚度。在其他實施例中，可以僅減少振膜152的厚度。參考圖6，可減少振膜152的厚度至小於第一基底110的厚度。在一些實施例中，振膜152具有一面對第二基底120的第一表面152a和一與第一表面152a相反的第二表面152b。在這些實施例中，第二表面152b可以與第一基底110的外表面（即，面向環境的表面）對齊，如圖7所示，但本發明不限於此。
在一些實施例中，可提供其他方法以符合輕量化的要求。例如，可在振膜152的第一表面152a上形成多個凹槽151。凹槽151從第一表面152a朝向第二表面152b凹進。在其他實施例中，可以在振膜152的第二表面152b上形成多個凹槽153，並且從第二表面152b朝向第一表面152a凹進。此外，在一些實施例中，可在振膜152的第一表面152a上形成凹槽151，而在振膜152的第二表面152b上形成凹槽153，如圖7所示。凹槽151和凹槽153可交替排列。在一些實施例中，凹槽151和凹槽153可排列成一圖案。例如，凹槽151和凹槽153可以排列成一蜂巢圖案，但本發明不限於此。在一些實施例中，線圈結構154圍繞前述圖案，如圖8所示。線圈結構154可以偏離凹槽151和153。或者，線圈結構154可以與凹槽151和/或153重疊，取決於產品要求。
參考圖8，平面式振膜揚聲器100可包括多個混合振膜150-1和150-2。在一些實施例中，混合振膜150-1的尺寸不同於混合振膜150-2的尺寸。在一些實施例中，混合振膜150-1設置在第一基底110的中心區域，而混合振膜150-2設置在混合振膜150-1的中心區域。混合振膜150-1包括一振動部分（即，振膜）152-1以及一設置於振動部分152-1上的線圈結構154-1。混合振膜150-1藉由溝槽160-1與第一基底110分隔，並藉由橋接結構170-1耦合至第一基底110。混合振膜150-2包括一振動部分（即，振膜）152-2以及一設置於振動部分152-2上的線圈結構154-2。此外，線圈結構154-1與線圈結構154-2設置於第一基底110的同一側。參考圖8，混合振膜150-2藉由溝槽160-2與混合振膜150-1分隔，並且藉由橋接結構170-2耦合至混合振膜150-1。在一些實施例中，混合振膜150-1和150-2可排列形成一同心圖案，如圖8所示，但本發明不限於此。在一些實施例中，橋接結構170-1和170-2彼此對齊。混合振膜150-1和混合振膜150-2以不同的頻率獨立地振動。此外，混合振膜150-1和混合振膜150-2的頻率可以藉由改變振膜152-1和152-2的尺寸以及改變振膜152-1和152-2的阻尼器參數來調整。如上所述，由於振膜152-1和152-2的形狀和尺寸係由溝槽160-1和160-2所定義，因此混合振膜150-1和150-2的阻尼器參數亦可以藉由改變溝槽160-1和160-2的數量、橋接結構170-1和170-2的長度、橋接結構170-1和170-2的寬度來調整，以及藉由改變橋接結構170-1和170-2的厚度以及溝槽160-1和160-2上方的材料層（未示出）的厚度和硬度來調整。
應當注意的是，混合振膜150-1和150-2的配置並不限於上述模式。參考圖9，平面式振膜揚聲器100可以包括多個混合振膜150-1、150-2和150-3。混合振膜150-1、150-2和150-3根據不同的產品要求排列設置。例如，混合振膜150-1、150-2和150-3可以沿著第一基底110的中心軸設置。此外，混合振膜150-1、150-2和150-3可以沿第一基底110的一中心軸分別對稱，但本發明不限於此。在一些實施例中，混合振膜150-1的尺寸、混合振膜150-2的尺寸和混合振膜150-3的尺寸彼此不同。混合振膜150-1、150-2和150-3藉由第一基底110彼此分開。混合振膜150-1包括一振膜152-1和一設置於振膜152-1上的線圈結構154-1。此外，混合振膜150-1藉由溝槽160-1與第一基底110分隔，並且藉由橋接結構（未示出）耦合至第一基底110。混合振膜150-2包括一振膜152-2和一設置於振膜152-2上的線圈結構154-2。此外，混合振膜150-2藉由溝槽160-2與第一基底110分隔，並且藉由橋接結構（未示出）耦合至第一基底110。混合振膜150-3包括一振膜152-3和一設置於振膜152-3上的線圈結構154-3。此外，混合振膜150-3藉由溝槽160-3與第一基底110分隔，並且藉由橋接結構（未示出）耦合至第一基底110。在一些實施例中，混合振膜150-1、150-2和150-3的橋接結構可以與第一基底110的中心軸對齊。在其他實施例中，混合振膜150-1、150-2和150-3的橋接結構可以有不同的排列配置。混合振膜150-1、150-2和150-3以不同的頻率獨立地振動。此外，混合振膜150-1、150-2和150-3的頻率可以藉由改變振膜152-1、152-2和150-3的尺寸以及改變振膜152-1、152-2和150-3的阻尼參數來調整。如上所述，由於振膜152-1、150-2和150-3的形狀和尺寸係由溝槽160-1、160-2和160-3所定義，因此混合振膜150-1、150-2和150-3的阻尼參數可以藉由改變溝槽160-1、160-2和160-3的數量、橋接結構的長度、橋接結構的寬度、橋接結構的厚度來調整，以及藉由調整凹槽160-1、160-2和160-3上的材料層（未示出）的厚度和硬度來調整。
參考圖10A和10B，可於第二基底120上設置一磁鐵180。在一些實施例中，磁鐵180係設置於第二基底120面向第一基底110的一表面122a上。另外，脈衝密度調製(pulse density modulation，PDM)驅動電路以及包括放大器和藍牙功能的電路182可以設置於第二基底120一與磁鐵180相反的表面122b上。此外，磁鐵180的磁極分別面向第一基底110和第二基底120。第二基底120上的磁鐵180係提供磁場，以提升平面式振膜揚聲器100的性能。
在一些實施例中，脈衝密度調製驅動IC和電路182可以從第二基底120中省略，如圖11所示。在一些實施例中，磁鐵180可設置在表面122b上，如圖12所示。在其他實施例中，磁鐵180可分別設置在第二基底120的表面122a和122b上，從而增加磁通量，如圖13所示。
上述平面式振膜揚聲器100的混合振膜結構200可以通過多種合適的方法形成。圖14至16B即為用於形成混合振膜結構200的方法的各個階段之示意圖。在這些實施例中，線圈結構154的導電線圈156可由金屬箔155例如銅箔形成。導電線圈156的圖案可以包括圖2A至2D所示的圖案，但本發明不限於此。
參考圖15，銅箔155和導電線圈156可藉由一黏合層157貼附至第一基底110。參考圖16A和16B，可在導電線圈156和金屬箔155上方形成一保護層159。保護層159可包括絕緣材料。此後，在保護層159中形成開口，並形成一導線156c以填充開口。導電線156c分別耦合至導電線圈156的兩端。在一些實施例中，導線156c可包括銀膠或銀膏，但本發明不限於此。在一些實施例中，導電線圈156可以包括多層結構，且此多層結構可藉由貼附金屬箔155的膜層形成。
圖17至25係為混合振膜結構200的另一種形成方法的各階段之示意圖。參考圖17，在一承載基底103上附接一塊體基底(bulk substrate)，且塊體基底可定義有多個第一基底110。隨後，可以執行玻璃強化製程。在一些實施例中，該製程可以包括化學強化。在一些實施例中，可均質化非晶材料、或可將氮化矽、氧化矽和氮氧化矽塗覆在第一基底110的表面上以強化玻璃。在其他實施例中，化學強化和塗層強化可以交替進行，以形成可強化玻璃的混合結構。在一些實施例中，可在玻璃強化製程之前進行玻璃輕量化製程。玻璃輕量化製程可以在整個第一基底110上進行，或者在要形成振膜152的位置進行。另外，玻璃輕量化製程可以在要形成凹槽151和/或153的位置處進行。
參考圖18，在第一基底110上方沉積一導電層156m-1。隨後，在導電層156m-1上方形成一圖案化光阻105a。然後通過圖案化光阻105a蝕刻導電層156m-1，以形成一線圈圖案。如上所述，線圈圖案可以包括圖2A至2D中所示的圖案，但本發明不限於此。之後，去除圖案化光阻105a，如圖19所示。
參考圖20，在第一基底110和線圈圖案上形成一絕緣層158。在一些實施例中，絕緣層158可包括光阻材料，但本發明不限於此。絕緣層158可以被圖案化而具有開口，並且線圈圖案的一部分藉由絕緣層158的開口暴露出來。參考圖21，在絕緣層158之上形成另一導電層156m-2。此外，導電層156m-2係填滿開口。隨後，在導電層156m-2上方形成另一圖案化光阻105b。參考圖22，通過圖案化光阻105b蝕刻導電層156m-2，以形成線圈圖案。如上所述，線圈圖案可以包括圖2A至2D中所示的圖案，但本發明不限於此。此外，絕緣層158上方的線圈圖案通過開口中的導電層耦合到絕緣層158下方的線圈圖案。是以，線圈圖案層係互相連接以形成導電線圈156。
參考圖23，形成一覆蓋導電線圈156的絕緣層158。如上所述，絕緣層158可包括光阻材料，但本發明不限於此。在一些實施例中，整個導電線圈156係嵌入絕緣層158中。隨後，在絕緣層158中形成開口158o1。當絕緣層158由光阻材料組成時，開口158o1可以藉由顯影製程形成。是以，可在絕緣層158中形成開口158o1，並且藉由開口158o1的底部暴露出第一基底110。
參考圖24，在一些實施例中，去除藉由開口158o1的底部暴露出來的部分第一基底110，從而加深開口158o1以形成開口158o2。如圖24所示，開口158o2穿透絕緣層158和第一基底110，是以部分的承載基底103係藉由開口158o2的底部暴露出來。參考圖25，沈積異方性導電膜(anisotropic conductive film，ACF)等導電材料以填充開口158o2，從而形成導電線156c。在一些實施例中，導電線156c能夠將導電線圈156電連接至設置在第二基底120中的電路。另外，導電線圈156和絕緣層158被稱為線圈結構154。
參考圖26A，在一些實施例中，多個線圈結構154可以形成於承載基底103上方的第一基底110中。線圈結構154可以藉由，例如但不限於上述的方式形成在每個第一基底110中。此外，可以在形成線圈結構154之前或之後在每個第一基底110中形成凹槽（未示出）。因此，可以在同一個承載基底103上獲得多個混合振膜150，如圖26A所示。
參考圖26B，在一些實施例中，在另一個塊體基底107中可定義出多個第二基底120。在一些實施例中，可以藉由形成能夠防止磁漏的材料塗層來定義第二基底120。例如，係可在塊體基底107上形成一鐵塗層或一鎳塗層以定義第二基底。並且，材料塗層的形狀和尺寸定義了第二基底120的形狀和尺寸。在一些實施例中，至少一磁鐵180設置於每一第二基底120中，如圖26B所示。
參考圖27，接收包括混合振膜結構150的承載基底103和包括第二基底120的塊體基底107。此外，承載基底103上形成有線圈結構154的表面係朝向第二基底120。參考圖28，形成一密封材130，圍繞每個第二基底120和每個第一基底110。參考圖29，第一基底110係藉由密封材130貼附並固定至塊體基底107。參考圖30，在將第一基底110貼附到塊體基底107之後，去除承載基底103。參考圖31，進行一單體化製程(singulation)，切割基底110和107。是以，獲得如圖32所示的平面式振膜揚聲器100。
根據本發明，係提供一種混合振膜結構。混合振膜結構係將音圈整合在振膜上，從而實現小型化。此外，用於形成混合振膜的方法可以整合在半導體製程中。因此，包括混合振膜結構的平面式振膜揚聲器可以與其他應用，例如LED/OLED顯示器等整合，進一步提高了平面式振膜揚聲器的實用性。
上文已概述若干實施例之結構，使得熟習技術者可較佳理解本揭示之態樣。熟習技術者應瞭解，其可易於將本揭示用作設計或修改其他程序及結構之一基礎以實施相同於本文中所引入之實施例之目的及/或達成相同於本文中所引入之實施例之優點。熟習技術者亦應意識到，此等等效建構不應背離本揭示之精神及範疇，且其可在不背離本揭示之精神及範疇之情況下對本文作出各種改變、替代及更改。
100:平面式振膜揚聲器 103:承載基底 105a, 105b:圖案化光阻 107:塊體基底 110:第一基底 120:第二基底 122a, 122b:表面 130:邊框 140:開孔 150, 150-1, 150-2, 150-3:混合振膜 151:凹槽 152, 152-1, 152-2, 152-3:振動部分, 振膜 152a:第一表面 152b:第二表面 153:凹槽 154, 154-1, 154-2, 154-3:線圈結構 155:銅箔 156:導電線圈 156m-1, 156m-2:導電層 156c:導電線 157:黏合層 158:絕緣層 158o1, 158o2:開口 159:保護層 160, 160-1, 160-2, 160-3:溝槽 162:材料層 170, 170-1, 170-2, 170-3:橋接結構 180:磁鐵 182:電路 200:混合振膜結構
自結合附圖解讀之以下詳細描述最佳理解本揭示之實施例之態樣。應注意，根據行業標準做法，各種結構未按比例繪製。事實上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種結構之尺寸。
圖1係本揭示之一平面式振膜揚聲器之實施例之一示意圖。
圖2A至圖2D係本揭示中不同線圈結構之實施例之示意圖。
圖3係繪示根據圖1中I-I'切線所得之剖面示意圖。
圖4係本揭示之一平面式振膜揚聲器的混合振膜結構之實施例之一示意圖。
圖5係本揭示之一平面式振膜揚聲器的混合振膜結構之實施例之一示意圖。
圖6係本揭示之一平面式振膜揚聲器之實施例之一示意圖。
圖7係本揭示之一平面式振膜揚聲器之實施例之一示意圖。
圖8係本揭示之一平面式振膜揚聲器的混合振膜結構之實施例之一示意圖。
圖9係本揭示之一平面式振膜揚聲器的混合振膜結構之實施例之一示意圖。
圖10A係本揭示之一平面式振膜揚聲器之實施例之一示意圖，圖10B為該平面式振膜揚聲器之一上視圖。
圖11係本揭示之一平面式振膜揚聲器之實施例之一示意圖。
圖12係本揭示之一平面式振膜揚聲器之實施例之一示意圖。
圖13係本揭示之一平面式振膜揚聲器之實施例之一示意圖。
圖14、15、16A及16B係繪示本發明之混合振膜結構製作方法之實施例的階段示意圖，其中圖16B為圖16A之一上視圖。
圖17至25係繪示本發明之混合振膜結構製作方法之實施例的階段示意圖。
圖26A、26B及27至32係繪示本發明之平面式振膜揚聲器製作方法之實施例的階段示意圖。
100:平面式振膜揚聲器
110:第一基底
120:第二基底
130:邊框
140:開孔
150:混合振膜
152:振動部分、振膜
154:線圈結構
160:溝槽
170:橋接結構
200:混合振膜結構

Claims (10)

  1. 一種揚聲器之混合振膜結構，其包括： 一基底； 一第一振膜，設置於該基底之一中央區域； 一第一線圈結構，設置於該第一振膜上； 一第一溝槽，分隔該第一振膜與該基底；以及 一第一橋接結構，耦接該第一振膜至該基底， 其中該第一振膜與該基底包括一相同材料。
  2. 如請求項1之混合振膜結構，其中該第一振膜之一厚度小於或等於該基底之一厚度。
  3. 如請求項1之混合振膜結構，更包括一材料層，設置於該第一溝槽上，且耦接該基底與該第一振膜。
  4. 如請求項1之混合振膜結構，其中該第一振膜更包括： 一第一表面以及與該第一表面相反之一第二表面； 複數個第一凹槽，由該第一表面朝向該第二表面凹進；以及 複數個第二凹槽，由該第二表面朝向該第一表面凹進。
  5. 如請求項1之混合振膜結構，更包括： 一第二振膜，設置於該第一振膜之一中央區域； 一第二線圈結構，設置於該第二振膜上； 一第二溝槽，將該第二振膜與該第二線圈結構自該第一振膜隔開；以及 一第二橋接結構，耦接該第二振膜至該第一振膜， 其中該第一線圈結構與該第二線圈結構係設置於該混合振膜結構之同一側。
  6. 如請求項1之混合振膜結構，更包括： 一第二振膜；以及 一第二線圈結構， 其中該第一振膜及該第一線圈結構係藉由該基底而與該第二振膜及該第二線圈結構分隔。
  7. 一種平面式振膜揚聲器，其包括： 一第一基底； 一第二基底，具有一面對該第一基底之第一表面以及一相反於該第一表面之第二表面； 一邊框，耦接該第一基底至該第二基底； 一混合振膜，設置於該第一基底之內，該混合振膜包括有： 一振動部分，包括有一面對該第二基底之第三表面以及一相反於該第三表面之第四表面；以及 一線圈結構，設置於該振動部分之該第三表面上； 一溝槽，分隔該混合振膜與該第一基底；以及 至少一橋接結構，耦接該混合振膜至該第一基底， 其中該第一基底與該混合振膜之該振動部分包括一相同材料。
  8. 如請求項7之平面式振膜揚聲器，更包括一磁鐵，設置於該第二基底之該第一表面，其中在一上視圖中該線圈結構包圍該磁鐵。
  9. 如請求項7之平面式振膜揚聲器，更包括一第一磁鐵，設置於該第二基底之該第二表面，其中在一上視圖中該線圈結構包圍該第一磁鐵。
  10. 如請求項9之平面式振膜揚聲器，更包括一第二磁鐵，設置於該第二基底之該第一表面。
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