TW202225824A - 微影設備之防護膜薄膜 - Google Patents

Abstract

本發明描述一種用於一微影設備中之防護膜薄膜，該防護膜薄膜之特性在於其組成物在平面內發生變化。亦描述一種製造一防護膜薄膜之方法，該方法包括以下步驟：a)在一基板上提供一犧牲層：b)在該犧牲層上提供一第一材料層；c)在該第一材料層上提供一光阻層；d)圖案化該光阻層；e)蝕刻該第一材料層以形成一經圖案化表面；及f) i)將一第二材料之一層沈積於該經圖案化表面上且隨後剝離沈積於經圖案化光阻層上之該第二材料的部分，或ii)移除其餘光阻層，將一第二材料之一層沈積於該經圖案化表面上，且隨後平坦化該表面。

Description

微影設備之防護膜薄膜

本發明係關於用於微影設備之防護膜薄膜、用於微影設備之防護膜總成及防護膜薄膜在微影設備或方法中之用途。本發明亦係關於製造防護膜薄膜之方法，以及包含本發明之防護膜薄膜的微影設備。

微影設備為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將來自圖案化器件(例如光罩)之圖案投影至提供於基板上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。

由微影設備使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵之最小大小。相比於習知微影設備(其可例如使用具有193 nm之波長之電磁輻射)，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內的波長之電磁輻射之EUV輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。

微影設備包括圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)。輻射被提供穿過圖案化器件或自圖案化器件反射以在基板上形成影像。薄膜總成，亦稱作防護膜，可經提供成保護圖案化器件免受空浮粒子及其他形式之污染的影響。圖案化器件之表面上之污染可造成基板上之製造缺陷。

亦可提供防護膜以用於保護除圖案化器件之外的光學組件。防護膜亦可用以在彼此密封之微影設備之區之間提供用於微影輻射之通路。防護膜亦可用作濾光器，諸如光譜純度濾光器，或用作微影設備之動態氣鎖的部分。

光罩總成可包括保護圖案化器件(例如光罩)免受粒子污染之防護膜。防護膜可由防護膜框架支撐，從而形成防護膜總成。可例如藉由將防護膜邊界區膠合或以其他方式附接至框架來將防護膜附接至框架。框架可永久地或可移除地附接至圖案化器件。

由於防護膜存在於EUV輻射光束之光學路徑中，因此需要防護膜具有高EUV透射率。高EUV透射率允許更大比例之入射輻射穿過防護膜。另外，減少由防護膜吸收之EUV輻射的量可降低防護膜之運行溫度。由於透射率至少部分地取決於防護膜之厚度，因此需要提供在保持足以耐受微影設備內之有時不利環境之可靠強度的同時儘可能薄的防護膜。

因此，需要提供一種能夠耐受微影設備之惡劣環境的防護膜，特定言之，該微影設備為EUV微影設備。尤其需要提供能夠耐受比先前更高的功率之防護膜。

儘管本申請案大體上在微影設備，特別是EUV微影設備之上下文中提及防護膜，但本發明不僅僅限於防護膜及微影設備，且應瞭解，本發明之標的物可用於任何其他合適之設備或情形中。

例如，本發明之方法可同樣應用於光譜純度濾光器。一些EUV源，諸如使用電漿產生EUV輻射之彼等EUV源不僅發射所要「帶內」EUV輻射，而且亦發射非所需(帶外)輻射。此帶外輻射最顯著地在深UV (DUV)輻射範圍(100 nm至400 nm)內。此外，在一些EUV源，例如雷射產生電漿EUV源之情況下，來自雷射之通常在10.6微米下之輻射呈現顯著的帶外輻射。

在微影設備中，出於若干原因而需要光譜純度。一種原因為抗蝕劑對帶外波長之輻射敏感，且因此施加至抗蝕劑之圖案的影像品質可在抗蝕劑曝光於此帶外輻射之情況下劣化。此外，帶外輻射，例如一些雷射產生電漿源中之10.6微米輻射，導致對微影設備內之圖案化器件、基板及光學件之非想要及不必要加熱。此類加熱可導致此等元件損壞、其壽命降低及/或投影至抗蝕劑塗佈基板上及施加至抗蝕劑塗佈基板之圖案中的缺陷或失真。

本發明已經設計成試圖解決以上所識別問題中的至少一些。

根據本發明之第一態樣，提供一種用於微影設備中之防護膜薄膜，該防護膜薄膜之特性在於其組成物在平面內發生變化。

現有防護膜薄膜可包括多個堆疊層，以便提供所要光學及物理屬性以允許其用於微影設備中。因而，現有防護膜薄膜之組成物跨越其厚度發生變化，亦即，在垂直於防護膜薄膜之平面的方向上發生變化。即使在不包含多層堆疊之防護膜薄膜，諸如包含安置於非晶形矩陣內之發射性晶體之防護膜薄膜中，跨越防護膜薄膜之平面的組成物仍意欲為相同的。相比之下，根據本發明之防護膜薄膜的組成物在防護膜薄膜之平面內發生變化。以此方式，有可能增強防護膜薄膜之效能。

防護膜薄膜可包含兩種或兩種以上不同材料。儘管防護膜薄膜之組成物在平面內發生變化，但防護膜薄膜較佳地由自身在平面內均一或實質上均一的材料的相異區段形成。藉由具有兩種或兩種以上不同材料，可針對微影設備內之條件調整及最佳化防護膜薄膜之光學及物理屬性。特定言之，可藉由變更兩種不同材料之比率以及材料自身來調整整個防護膜薄膜之發射率及透射率。例如，為了增大透射率，可使用較大比例之較高透射性材料。類似地，在希望具有較高發射性防護膜薄膜的情況下，可使用較大比例之相對較高發射性材料。材料之相異區段之形狀可能或可能不會重複或均勻地分佈，此取決於膜中主要需要哪一功能。例如，可在膜之邊緣處提供較大比例之相對較低透射性材料及較大比例之相對較高發射性材料。在膜之中心處或朝向膜之中心，可提供較大比例之相對較高EUV透射性材料及較小比例之相對較低透射性材料。膜非均質性係在縱向側(或更長維度，或平面內)上而非橫向/垂直於該膜，此為如先前技術中已知的用於形成防護膜之層的情況。第一材料以經選擇之任何合適形狀嵌入於第二材料中，以最大化特定成像要求。

在一個實施例中，材料中之一者可形成互連部分之網狀物，其中第二材料作為不連續貼片嵌入。為使術語簡單起見，互連的材料可被定義為柵格。然而，該柵格不同於旨在提供機械支撐之先前技術防護膜柵格。因而，相較於貼附至薄膜之一面，柵格嵌入在防護膜薄膜本身中。換言之，相較於可包括用於支撐之非整體柵格的現有防護膜薄膜，柵格係防護膜薄膜之整體部分。該等材料中之至少一者可經配置為一柵格。柵格可為互連第一材料的任何形狀，其中第二材料嵌入於平面內以形成防護膜薄膜。在材料中之一者在膜中形成重複圖案的情況下，膜之另一材料將具有可定義為規則柵格形狀之形狀分佈。較佳地，包含該柵格之該材料具有比該防護膜薄膜之另一材料高的一發射率。因而，該柵格包含互連部分之一網狀物。由於包含柵格之材料經選擇為具有高發射率，因此整個防護膜薄膜歸因於互連組態而保持其發射屬性。此為有利的，因為較高發射率可降低防護膜薄膜之運行溫度，從而用以延長防護膜薄膜之壽命。當然，應瞭解，在一些實施例中，包含柵格之材料可具有比防護膜薄膜之另一材料低的發射率。以此方式，互連材料相較於形成不連續貼片之材料可具有相對較高透射率。亦應瞭解，在其他實施例中，兩種材料可在不具有互連部分的情況下形成交替形狀。因而，兩種材料可經組態為呈西洋棋或西洋棋盤組態。本發明之關鍵特徵為，存在組合在具有平滑表面之單一平面內的兩種材料以便確保適當成像，以及組合兩種功能，亦即熱控制及EUV透射。該等材料中之一者可具有大於或等於75%、大於或等於80%、大於或等於85%、大於或等於90%或大於或等於95%之一EUV透射率。該等材料中之一者可具有在0.01至0.15、較佳地0.015至0.1、或較佳地0.02至0.09之範圍內的發射率。

該柵格包括可接收不同材料之區域。因而，防護膜薄膜之組成物在柵格之平面內發生變化。應理解，柵格形成防護膜薄膜本身之部分，而非如柵格支撐式防護膜情況中一般僅充當支撐特徵。在柵格支撐式防護膜中，防護膜薄膜本身並不在平面內發生變化，而是均一的。因而，根據本發明之任何態樣之防護膜薄膜可為獨立的防護膜薄膜。在柵格提供於閉合膜之頂部上或下方的情況下，在膜與柵格之間存在重疊的區域中對EUV光將存在更大吸收率。由於本發明防護膜薄膜之變化係在平面內且柵格併入至閉合膜本身中，因此相比於先前防護膜薄膜，EUV透射率存在淨增益。另外，根據本發明之防護膜薄膜具有較慢降級。在不希望受科學理論束縛的情況下，咸信與柵格併入至膜本身中的情況相比，在柵格定位於閉合膜的頂部上的情況下，存在顯著更大的表面區域。例如，矽降解主要包含表面之氧化。因而，就EUV透射率而言，具有較小表面區域導致較低降級。

該柵格可具有任何形狀。柵格可包括重複子單元的規則圖案。該柵格可為三角形柵格、矩形柵格、正方形柵格或六邊形柵格。例如，在柵格係三角形柵格的情況下，包含柵格之材料可形成三角形陣列。實際上，柵格可包含任何重複規則形狀，諸如圓形。該柵格可為規則的或不規則的。規則柵格為具有規則形狀之重複圖案的柵格。不規則柵格為具有不規則形狀之重複圖案的柵格。

包含柵格的材料可包含以下各者中之一或多者：鋯、鉬、釕、鎢、矽化鋯、矽化鉬、矽化釕、矽化鎢、氮化鋯矽、氮化鉬矽、氮化釕矽及氮化鎢矽。此等金屬及化合物具有高發射率且因此非常適合作為用於柵格之材料。實際上，可使用任何發射性材料。矽化鉬為較佳的。

材料中之至少一者可經配置為一系列相異區。此等相異區可呈貼片形式。相異區可藉由柵格接界。相異區可由柵格周向地包圍。例如，在柵格為正方形柵格之情況下，該系列相異區可呈藉由柵格之材料接界的正方形陣列之形式。該系列相異區可規則地成形及/或隔開。該系列相異區可具有不同間距及/或形狀。包含該系列相異區之材料與防護膜薄膜之另一材料相比可具有較高EUV透射率。當然，亦涵蓋逆向組態。在其他實施例中，包含柵格或相異區之材料中之一者相比於另一材料可具有較高EUV透射率及發射率。包含相異區之材料可包含矽。包含相異區的材料可包含氮化矽及/或碳化矽。矽可呈任何形式。矽可包含p-Si、a-Si、nc-Si、單晶矽或其組合中之一或多者。

藉由具有對EUV輻射具相對較高透射性之一系列防護膜薄膜區域，整個防護膜薄膜可具有高透射率，同時由於柵格包含相對較高發射性材料，也保持高發射率。矽歸因於其高EUV透射率及耐受運行微影設備之環境的能力而為較佳的。

柵格可經組態以濾除入射電磁輻射之非所要波長。此可藉由變化防護膜薄膜中之材料的間距及/或比率來達成。此亦可藉由調整格線之厚度來達成。

防護膜薄膜可包括炫耀柵格。特定言之，柵格之表面可傾斜以調整入射光之不同波長的反射率。因而，柵格可經組態以反射入射光之非所要波長以減少具有非所要波長之光穿過防護膜薄膜的量。因而，防護膜薄膜可充當光譜純度濾光器。

防護膜薄膜可為閉合膜薄膜。使用閉合膜之優點為薄膜中不存在可讓污染物穿過之空隙或間隔。

該防護膜薄膜之至少一部分可包含材料層之一堆疊。現有防護膜薄膜可包括經選擇以提供所要光學及物理屬性之堆疊材料層。在本發明之實施例中，防護膜薄膜可包括諸如第一及/或第二材料之材料層的堆疊。例如，防護膜薄膜可包含薄膜之相異區，該等區包含堆疊層，或柵格可包含堆疊層。堆疊層可包括具有一或多個額外層之核心層。額外層可包括如本文所描述之發射層中之一或多者，諸如鉬、釕、鋯、鎢及矽化物或其氮化矽。額外層可包括經組態以保護底層發射層之保護層。

根據本發明之第二態樣，提供一種製造一防護膜薄膜之方法，該方法包括在一基板上提供一犧牲層。該方法包括在該犧牲層上提供一第一材料層及在該第一材料層上提供一光阻層。圖案化光阻層且蝕刻第一材料層以形成經圖案化表面。該方法進一步包含i)將第二材料層沈積於經圖案化表面上且隨後剝離沈積於經圖案化光阻層上之第二材料的部分，或ii)移除其餘光阻層，將第二材料層沈積於經圖案化表面上，且隨後平坦化該表面。

根據本發明之第二態樣之方法提供一種製造根據本發明之第一態樣的獨特防護膜薄膜的方式。此方法允許在圖案化步驟中形成柵格結構且允許在形成於圖案化步驟中之凹槽或通道內提供第二材料。

第一材料層及第二材料層中之一者或兩者可藉由物理或化學沈積而沈積。

該基板可包含矽。可使用矽之任何形態。

該表面可藉由化學機械平坦化及蝕刻中之一者或兩者平坦化。需要防護膜薄膜之表面係平坦的以使得其具有一致的光學屬性。

該防護膜之該表面可經拋光。拋光可藉由離子拋光實現(實行)。

可經由在生長之前沈積培育層或前驅體層而選擇性地生長第二材料。第二材料可選擇性地生長於經圖案化表面上的經蝕刻圖案內。藉由選擇性地生長第二材料，減少了進一步處理，諸如化學機械平坦化、蝕刻或拋光之量。

第一及第二材料中之一者可為矽、氮化矽、碳化矽或其組合。第一及第二材料中之另一者可選自鋯、鉬、釕、鎢、矽化鋯、矽化鉬、矽化釕、矽化鎢、氮化鋯矽、氮化鉬矽、氮化釕矽及氮化鎢矽。

根據本發明之第三態樣，提供一種用於微影設備中之防護膜總成，該防護膜總成包括根據本發明之該第一態樣之該防護膜薄膜。

根據本發明之第四態樣，提供一種根據本發明之任何態樣的防護膜薄膜或防護膜總成在一微影設備或方法中之用途。

根據本發明之第五態樣，提供一種微影設備，其包含根據本發明之任何態樣之防護膜薄膜或防護膜總成。

應瞭解，針對一個實施例描述之特徵可與針對另一實施例描述的任何特徵相組合，且本文中明確地考慮並揭示所有此類組合。

圖1展示根據本發明的包括防護膜15 (亦稱作薄膜總成)之微影系統。該微影系統包含輻射源SO及微影設備LA。輻射源SO經組態以產生極紫外線(EUV)輻射光束B。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節輻射光束B。投影系統經組態以將輻射光束B (現在由光罩MA圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此種情況下，微影設備將經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。在此實施例中，防護膜15描繪於輻射之路徑中且保護圖案化器件MA。應瞭解，防護膜15可位於任何所需位置中且可用以保護微影設備中之鏡面中的任一者。

輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS可皆經建構且經配置成使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如，氫氣)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。處於充分低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫氣)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。

圖1所展示之輻射源SO屬於可被稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如為CO ₂雷射之雷射經配置以經由雷射光束將能量沈積至自燃料發射器提供之諸如錫(Sn)的燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如係金屬或合金。燃料發射器可包含噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區之軌跡而導向例如呈小滴形式的錫。雷射光束在電漿形成區處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積在電漿形成區處產生電漿。在電漿之離子的去激發及再結合期間自電漿發射包括EUV輻射之輻射。

EUV輻射係由近正入射輻射收集器(有時更一般地稱作正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器可具有經配置以反射EUV輻射(例如具有諸如13.5 nm之所要波長的EUV輻射)的多層結構。收集器可具有橢圓形組態，其具有兩個橢圓焦點。第一焦點可在電漿形成區處，且第二焦點可在中間焦點處，如下文所論述。

雷射可與輻射源SO分離。在此情況下，雷射光束可藉助於包含例如合適之導向鏡面及/或擴束器及/或其他光學件之光束遞送系統(未展示)而自雷射傳遞至輻射源SO。雷射及輻射源SO可一起被認為係輻射系統。

由收集器反射之輻射形成輻射光束B。輻射光束B聚焦於一點處以形成電漿形成區之影像，該影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射光束B聚焦之點可被稱作中間焦點。輻射源SO經配置成使得中間焦點位於輻射源之圍封結構中之開口處或附近。

輻射光束B自輻射源SO傳遞至照明系統IL中，該照明系統IL經組態以調節輻射光束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起提供具有所要橫截面形狀及所要角度分佈之輻射光束B。輻射光束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化器件MA上。圖案化器件MA反射及圖案化輻射光束B。除琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL可包括其他鏡面或器件。

在自圖案化器件MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面13、14，該等鏡面經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射光束，從而形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵之影像。例如，可應用為4之縮減因數。儘管在圖1中投影系統PS具有兩個鏡面13、14，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。

圖1所展示之輻射源SO可包括未說明之組件。例如，光譜濾光器可提供於輻射源中。光譜濾光器可實質上透射EUV輻射，但實質上阻擋其他波長之輻射，諸如紅外線輻射。

在實施例中，薄膜總成15為用於EUV微影之圖案化器件MA的防護膜。本發明之薄膜總成15可用於動態氣鎖或用於防護膜或用於另一目的。在實施例中，薄膜總成15包含由至少一個薄膜層形成之薄膜，該至少一個薄膜層經組態以透射至少90%的入射EUV輻射。為確保最大化EUV透射且最小化對成像效能之影響，較佳地僅在邊界處支撐薄膜。

若圖案化器件MA未受保護，則污染會使得需要清潔或捨棄圖案化器件MA。清潔圖案化器件MA會中斷寶貴的製造時間，且捨棄圖案化器件MA成本很高。替換圖案化器件MA亦會中斷寶貴的製造時間。

圖2描繪根據本發明之防護膜薄膜15之一部分的平面圖。防護膜薄膜15包括包含第一材料之柵格16，及第二材料17之一系列相異區(其中僅兩者編號)。柵格16之側面的長度可為大約300 nm。因而，應瞭解，防護膜薄膜可包括圖2中所描繪之複數個此等部分。亦應瞭解，此長度為例示性的且經提供以指示此長度之數量級。本發明不特別限於此長度，該長度可取決於防護膜薄膜15之要求而變化。包括點線A-A及A'-A'以指示防護膜薄膜的組成物在平面內如何變化。在位置A-A處，線僅與包含柵格16之材料相交。當該線移動至位置A'-A'時，該線與柵格16之第一材料以及第二材料17相交。因而，防護膜薄膜之組成物在平面內變化。柵格嵌入防護膜薄膜內並形成該防護膜薄膜本身之部分，此與現有防護膜薄膜相反，即使現有防護膜薄膜可能具有支撐柵格，但其沒有整體柵格部分。相比之下，在現有防護膜薄膜中，由於現有防護膜具有均一表面，當線A-A跨越該防護膜薄膜表面移動時，與線A-A相交之材料沒有差異。本發明方向之防護膜薄膜可較佳地在x及y方向上變化(其中z方向對應於防護膜薄膜之厚度)。

圖3a至圖3g描繪根據本發明之用於製造防護膜薄膜的方法。該等圖式在本質上為示意性的，且各種層之相對尺寸並不限制本發明。在第一步驟中，提供基板18且在基板18上提供犧牲層19。基板18較佳地包含矽。在下一步驟中，將第一材料層20提供於犧牲層19上。在此之後，將光阻層21提供於第一材料層20之表面上。接著圖案化光阻層21以定義最終防護膜薄膜之柵格的佈局。一旦光阻層21已經圖案化，便進行蝕刻步驟，其蝕刻底層第一材料層20以形成經圖案化表面。在實施例中，該方法中之下一步驟為將第二材料層22沈積於該經圖案化表面上。如圖3f中所展示，第二材料22沈積於藉由早期蝕刻步驟形成的通道內以及沈積於包括光阻層21的其餘區域之頂部上。可剝離其餘光阻層21及上覆第二材料層22以提供包含第一材料20及第二材料22之防護膜薄膜。隨後，防護膜薄膜之頂部表面可經平坦化及/或拋光以提供平坦表面。拋光可藉由離子拋光實現(實行)。在另一實施例中，可在沈積第二材料層22之前移除光阻層21之其餘部分。因而，第二材料層22可提供於第一材料層20之頂部上且亦將提供於藉由圖案化步驟產生之通道內。為了提供具有平坦表面之防護膜薄膜，可藉由平坦化移除多餘第二材料22。平坦化可藉由化學機械平坦化、拋光及/或蝕刻實現(實行)。在另一實施例中，第二材料層22可在藉由圖案化步驟形成之通道內選擇性地生長。此可經由在生長之前沈積培育層或前驅體層來實現。此培育層或前驅體層可在圖案化後移除光阻層之前或之後沈積。同樣，可在選擇性生長之後進行平坦化以便提供平坦表面。

可進行如此項技術中已知之其他處理步驟，諸如背面蝕刻以蝕刻掉一部分基板以留下邊界來支撐防護膜薄膜，以便實現最終防護膜總成。

雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。

上方描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

10:琢面化場鏡面器件 11:琢面化光瞳鏡面器件 13:鏡面 14:鏡面 15:防護膜,薄膜總成 16:柵格 17:第二材料 18:基板 19:犧牲層 20:第一材料層 21:光阻層 22:第二材料層 A-A:點線,位置 A'-A':點線,位置 B:輻射光束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化器件 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台

現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部件，且在該等圖式中：

圖1描繪根據本發明之一實施例之微影設備；

圖2為根據本發明之一實施例之防護膜薄膜之示意性描繪；及

圖3a至圖3g描繪根據本發明之一實施例的製造防護膜薄膜之方法。

根據下文在結合圖式所闡述之實施方式，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，類似元件符號始終識別對應元件。在該等圖式中，相同參考數字通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。

16:柵格

17:第二材料

A-A:點線，位置

A'-A':點線，位置

Claims (24)

1. 一種用於一微影設備中之防護膜薄膜，該防護膜薄膜之特性在於其組成物在平面內發生變化。
2. 如請求項1之防護膜薄膜，其中該防護膜薄膜包含兩種或兩種以上不同材料。
3. 如請求項2之防護膜薄膜，其中該等材料中之至少一者配置為一柵格。
4. 如請求項3之防護膜薄膜，其中包含該柵格之該材料具有比該防護膜薄膜之另一材料高的一發射率，視情況其中包含該柵格之該材料包含以下各者中之一或多者：鋯、鉬、釕、鎢、矽化鋯、矽化鉬、矽化釕、矽化鎢、氮化鋯矽、氮化鉬矽、氮化釕矽及氮化鎢矽。
5. 如請求項2、3或4之防護膜薄膜，其中該等材料中之至少一者經配置為複數個相異區。
6. 如請求項5之防護膜薄膜，其中包含一系列相異區之該材料相較於該防護膜薄膜之另一材料具有一較高EUV透射率，視情況其中包含該等相異區之該材料包含矽、氮化矽及碳化矽中之一或多者。
7. 如請求項3或附屬於請求項3之請求項4之防護膜薄膜，其中該柵格經組態以濾除入射電磁輻射之非所要波長。
8. 如請求項1至4中任一項之防護膜薄膜，其中該防護膜薄膜包含一炫耀柵格。
9. 如請求項1至4中任一項之防護膜薄膜，其中該防護膜薄膜為一閉合膜薄膜。
10. 如請求項3之防護膜薄膜，其中該柵格包含一三角形柵格、一正方形柵格、一矩形柵格或一六邊形柵格。
11. 如請求項1至4中任一項之防護膜薄膜，其中該防護膜薄膜之至少一部分包含材料層之一堆疊。
12. 如請求項2至4中任一項之防護膜薄膜，其中該等材料中之一者具有大於或等於75%、大於或等於80%、大於或等於85%、大於或等於90%或大於或等於95%的一EUV透射率。
13. 如請求項2至4中任一項之防護膜薄膜，其中該等材料中之一者具有在0.01至0.15、較佳地0.015至0.1、或較佳地0.02至0.09之範圍內的一發射率。
14. 一種製造一防護膜薄膜之方法，該方法包括以下步驟： a)在一基板上提供一犧牲層： b)在該犧牲層上提供一第一材料層； c)在該第一材料層上提供一光阻層； d)圖案化該光阻層； e)蝕刻該第一材料層以形成一經圖案化表面；及 f) i)將一第二材料之一層沈積於該經圖案化表面上且隨後剝離沈積於經圖案化光阻層上之該第二材料的部分，或ii)移除其餘光阻層，將一第二材料之一層沈積於該經圖案化表面上，且隨後平坦化該表面。
15. 如請求項14之方法，其中該第一材料層及該第二材料層中之一者或兩者係藉由物理或化學沈積而沈積。
16. 如請求項14或15之方法，其中該基板包含矽。
17. 如請求項14或15之方法，其中該表面係藉由化學機械平坦化及蝕刻中之一者或兩者而平坦化。
18. 如請求項14或15之方法，其中該防護膜薄膜之一表面經拋光，較佳地經離子拋光。
19. 如請求項14或15之方法，其中經由在生長之前沈積一培育層或前驅體層而選擇性地生長該第二材料。
20. 如請求項14或15之方法，其中該第一材料及該第二材料中之一者為矽、氮化矽、碳化矽或其組合。
21. 如請求項20之方法，其中該第一材料及該第二材料中之另一者係選自鋯、鉬、釕、鎢、矽化鋯、矽化鉬、矽化釕、矽化鎢、氮化鋯矽、氮化鉬矽、氮化釕矽及氮化鎢矽。
22. 一種用於一微影設備中之防護膜總成，該防護膜總成包括如請求項1至13中任一項之防護膜薄膜。
23. 一種如請求項1至13中任一項之防護膜薄膜或如請求項22之防護膜總成在一微影設備或方法中之用途。
24. 一種微影設備，其包含如請求項1至13中任一項之防護膜薄膜或如請求項22之防護膜總成。

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