TW202217035A - 具有自保持低摩擦墊的ｐｖｄ靶 - Google Patents

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Abstract

本文提供了用於在基板處理腔室中使用的靶組件的實施例。在一些實施例中，靶組件包括板，該板包括第一側，該第一側具有中心部分及支撐部分；靶，該靶設置在該中心部分上；複數個凹槽，該複數個凹槽形成在該支撐部分中；以及複數個自保持低摩擦墊，該複數個自保持低摩擦墊部分地設置在該複數個凹槽中，其中該複數個低摩擦墊中的每個低摩擦墊包括實心主體部分及自保持桿，該自保持桿從該實心主體部分的底部向外延伸，其中該自保持桿包括設置在該第一通孔部分中的第一桿部分及設置在該第二通孔部分中的第二桿部分。

Description

具有自保持低摩擦墊的PVD靶
本發明的實施例大體而言係關於半導體處理設備。
物理氣相沉積（Physical vapor deposition, PVD）通常用於在基板，例如半導體基板上形成材料薄層。通常包括背板的濺射靶在合適的腔室內設置在基板附近，並且形成PVD濺射腔室的上部部分。背板往往擱置在陶瓷絕緣環上。在一些製程中，在處理靶背板及腔室壁的熱膨脹期間，靶及腔室的溫度升高。靶背板及腔室壁的熱膨脹可能不同，並且發明人已經觀察到導致靶背板及絕緣環相對於彼此移動，從而引起摩擦。已經觀察到摩擦導致背板及絕緣環一起研磨，從而導致背板的部分在界面處磨損。磨損的材料可能會污染腔室。
因此，發明人已經提供了一種靶組件，該靶組件可以使用靶背板上的自保持低摩擦墊來有利地減少在靶與PVD腔室之間的界面處的摩擦。
本文提供了用於在基板處理腔室中使用的靶組件的實施例。在一些實施例中，靶組件包括板，該板包括第一側，該第一側具有中心部分及支撐部分；靶，該靶設置在該中心部分上；複數個凹槽，該複數個凹槽形成在該支撐部分中；以及複數個自保持低摩擦墊，該複數個自保持低摩擦墊部分地設置在該複數個凹槽中，其中該複數個低摩擦墊中的每個低摩擦墊包括實心主體部分及自保持桿，該自保持桿從該實心主體部分的底部向外延伸，其中該自保持桿包括設置在該第一通孔部分中的第一桿部分及設置在該第二通孔部分中的第二桿部分。
在一些實施例中，用於基板處理腔室的靶組件包括板，該板包括第一側，該第一側包括中心部分及支撐部分，其中該中心部分被配置為支撐靶源材料；複數個凹槽，該複數個凹槽形成在該支撐部分中，其中該複數個凹槽中的每個凹槽包括具有第一直徑的第一通孔部分及具有第二直徑的第二通孔部分，該第二直徑比該第一通孔的第一直徑大；以及複數個低摩擦墊，該複數個低摩擦墊部分地設置在該複數個凹槽中，其中該複數個低摩擦墊中的每個低摩擦墊包括實心主體部分及自保持桿，該自保持桿從該實心主體部分的底部向外延伸，其中該自保持桿包括設置在該第一通孔部分中的第一桿部分及設置在該第二通孔部分中的第二桿部分。
在一些實施例中，用於在用於基板處理腔室的靶組件中使用的自保持低摩擦墊可包括實心主體部分及自保持桿，該自保持桿從該實心主體部分的底部向外延伸，其中該自保持桿包括設置在第一通孔部分中的第一桿部分；及設置在第二通孔部分中的第二桿部分，其中該第二桿部分包括爪部分，該爪部分沿至少一個方向比第一桿部分的第一直徑更寬，其中該自保持桿包括至少一個狹槽，該狹槽構被配置為允許自保持桿被壓縮。
下面描述本發明的其他及進一步的實施例。
本文提供了用於在基板處理腔室中使用，諸如用於物理氣相沉積(physical vapor deposition; PVD)腔室的靶組件的實施例。本發明的靶組件可以有利地減少靶組件與支撐靶組件的處理腔室的支撐構件之間的摩擦。摩擦的減少可以有利地減少支撐構件或靶組件的磨損，並且有利地減少磨損材料對腔室的污染。此外，本文所述的本發明的低摩擦墊是自保持的，此消除了用於將墊緊固至背板的外部緊固件的需要。此有利地允許增加墊的承載表面面積，由此與包括外部緊固件的墊相比減少了提供低摩擦承載表面所需的墊的總數。
同時參考第1圖、第2A圖至第2D圖及第3A圖至第3F圖可以更好地理解本發明的實施例，其中第1圖是仰視圖並且第2圖是側剖視圖。
第1圖描繪了根據本發明的實施例的靶組件100的仰視圖。靶組件100可與任何合適的基板處理腔室一起使用，該基板處理腔室係例如可從加利福尼亞州聖克拉拉市的應用材料公司（Applied Materials, Inc., of Santa Clara, California）購得的任何ENDURA®型號的物理氣相沉積(PVD)腔室。下面參照第4圖描述了包括靶組件100的示例性PVD腔室。本文所述的裝置亦可以有益地與其他處理腔室一起使用。靶組件100可以有利地與被配置為處理200 mm、300 mm或450 mm直徑基板的腔室一起使用，儘管被配置為處理其他大小的基板的腔室可以類似地受益。
靶組件100包括靶背板102，該靶背板具有第一側104，該第一側包括中心部分106及支撐部分112。靶組件100包括待沉積在基板上的源材料108。源材料108居中設置在背板102上，從對應於中心點116的中心位置延伸到第一徑向位置117。源材料108包括濺射表面110，該濺射表面從背板102升高（向外偏移）並定向為遠離該背板。在一些實施例中，源材料108可以使用適當的結合製程（例如擴散結合）附著至第一側104，或者機械地附著至背板102。儘管被稱為組件，但是靶組件100可以是一體構件。例如，在一些實施例中，源材料108及背板102可以由相同的材料整體形成。
支撐部分112從中心部分106徑向向外設置，並且在一些實施例中向外延伸至外周邊114，在與背板102的中心點116相距距離R1處。支撐部分112可包括通道或O形環溝槽，亦即溝槽118，該溝槽包圍中心部分106並且經由中心點116居中定位在與中心軸線204相距距離R2處。溝槽118被配置為保持密封元件（第2D圖及第4圖中的密封元件290），諸如O形環或墊圈，以促進與腔室的一部分形成密封，例如與PVD腔室的絕緣環形成密封。溝槽118可以是如圖所示的方形溝槽，或者可以是任何其他形狀，包括作為非限制性實例的半圓形或燕尾形（亦即，溝槽的側壁分叉並且基底大於開口）。
溝槽118將支撐部分112分成從溝槽118徑向向外的大氣側206及從溝槽118徑向向內的真空側208。真空部分可以延伸到中心軸204，並且包括背板102的中心部分106及源材料108。
在支撐部分112的大氣側206中，穿過第一側104並且部分地穿過背板102的厚度T形成了複數個凹槽120。如第1圖所示，在背板102中形成了12個等距隔開的凹槽120。在其他實施例中，亦可以形成更多或更少數量的墊（例如，6-36個墊），該等墊可以等距間隔開或可以不等距間隔開。在一些實施例中，所使用的凹槽及對應墊210的數量取決於所需或期望的墊的承載表面212的面積。
僅為了便於說明，凹槽120被圖示為具有相似的大小及相同或相似的矩形橫截面。在凹槽120是矩形的實施例中，凹槽120可以圍繞板成角度地均勻間隔開並且沿著以中心軸線204為中心的圓形路徑126對準（如虛線所示），使得矩形凹槽中的每個矩形凹槽的縱向軸線122在軸線122的中點124處與圓形路徑126相切。縱向軸線122可以是主軸，亦即平行於凹槽120的長邊的軸線。凹槽的大小及數量可經選擇為使得複數個凹槽的每個縱向軸線122的軸向長度之和，亦即總軸向長度，在凹槽120對準至的圓形路徑的長度的約25%與約75%之間，例如大約50%。
在一些實施例中，凹槽120可以是長方形的。凹槽120可以使用其他橫截面形狀，作為非限制性實例包括弓形（亦即，具有弓形橫截面）、圓形、橢圓形、五邊形或其他曲線或多邊形。
在一些實施例中，背板102可包括複數個背板緊固件孔130，以用於將背板緊固至處理腔室中的支撐結構。在一些實施例中，背板102亦可包括複數個對準凸片132以用於在安裝期間在處理腔室內適當地對準背板。
如第2A圖所示，墊210設置在凹槽120中，使得墊210的承載表面212在第一側104的表面上方間隔開。墊210的支承表面214由凹槽120的底表面202支撐，以防止進一步移位到背板102中。為了清楚起見僅圖示了一個墊210，儘管墊210圍繞靶組件100以足夠的數量設置以支撐如本文所述的靶組件100。在一些實施例中，墊210部分地設置在複數個凹槽120中的每個凹槽中。在其他實施例中，墊210設置在凹槽120中的一些凹槽中，例如在交替的凹槽中或在一些其他凹槽圖案中。在本發明的一些實施例中，承載表面212在第一側104上方間隔開約0.05 mm至約1 mm，例如約0.75 mm。
如第2B圖所示，在一些實施例中，一或多個墊210可以設置在穿過複數個緊固件孔130設置的背板緊固件242附近，該背板緊固件將背板緊固至處理腔室，例如在背板緊固件242的兩側上。墊210可以替代地或組合地設置在沿著背板102的其他位置。
第2C圖及第2D圖分別是示例性墊凹槽120的俯視圖及橫截面側視圖。如第2C圖所示，墊凹槽包括底表面202，該底表面支撐墊210的支承表面214。墊凹槽120亦包括具有第一直徑的第一通孔部分250及具有第二直徑的第二通孔部分252，該第二直徑大於第一通孔250的第一直徑。在一些實施例中，第二通孔部分252完全延伸穿過背板102，如第2D圖所示。在其他實施例中，第二通孔部分252不完全延伸穿過背板102，如第2A圖所示。
在一些實施例中，如第3A圖至第3D圖所示，使用自保持軸或桿302將墊中的每個墊緊固在對應的凹槽120中，該自保持軸或桿從墊的實心主體部分310的底部向外延伸。自保持桿302包括第一桿部分304，該第一桿部分被配置為設置在第一通孔部分250內。自保持桿302包括第二桿部分306，該第二桿部分被配置為設置在第二通孔部分252內。
第二桿部分306包括夾緊或爪部分314，該夾緊或爪部分沿第一方向比第一桿部分304的直徑更寬。在一些實施例中，爪部分314在兩側上被切平，使得切割側316的寬度比第一桿部304的直徑更窄。自保持桿302亦包括狹槽312，該狹槽允許桿被擠壓/壓縮以允許第二桿部分306連同其爪部分314一起穿過第二通孔部分252配合。在一些實施例中，如第3F圖所示，可以在自保持桿302中形成多於一個狹槽（例如，2個、3個、4個或更多個狹槽），以允許桿被擠壓/壓縮以允許第二桿部分306連同其爪部分314一起配合穿過第二通孔部分252。一旦第二桿部分306連同其爪部分314一起設置在第二通孔部分252中，爪部分314就彈出並抓住、卡住或以其他方式接觸保持表面254（如第2D圖所示），此將墊210保持在墊凹槽120內並將墊210緊固至背板102。
在一些實施例中，墊210具有長方形形狀。在其他實施例中，墊210可以具有矩形、圓形、卵形或其他類型的形狀。在一些實施例中，每個墊的承載表面212的承載表面積可以是約0.20平方英寸至約0.35平方英寸。在一些實施例中，所使用的凹槽及對應墊210的數量取決於所需或期望的墊的承載表面的面積。
在一些實施例中，墊210經倒角以在拐角或邊緣中的每一者處形成導引倒角308，從而避免任何尖銳的拐角。實心主體部分310上的倒角有利地提供了良好限定的滑動承載表面。與此同時，藉由允許墊210及自保持桿302更容易地配合穿過第一通孔250及第二通孔252，沿著自保持桿302的倒角有助於避免任何拐角干涉並且除了有助於安裝之外亦提供更堅固的支撐。
墊可以是任何可用的顏色。然而，在一些實施例中，墊210的顏色係米黄色、淺棕色、黃褐色或其他淺顏色以避免由深色墊引起的黑色標記。
在一些實施例中，墊210可單獨從凹槽120移除，例如以替換損壞的墊。移除的墊可以用具有與墊210相同的構造的替換墊容易地以低成本替換，並使用任何合適的方法（包括手動）壓配到凹槽120中。
墊210由製程相容材料形成，該製程相容材料具有低摩擦係數及高屈服強度以承受真空力或其他基板處理環境負載。可用於墊的材料的一些非限制性實例包括超高分子量聚乙烯（ultra-high-molecular-weight polyethylene, UHMWPE）、聚醚醚酮（polyether ether ketone, PEEK）、聚四氟乙烯（polytetrafluoroethylene, PTFE）、縮醛均聚物樹脂諸如DELRIN ®，等等。
發明人已經觀察到了在常規PVD腔室中在絕緣環與靶之間的材料轉移。轉移的材料被理解為是處理腔室的支撐構件（諸如下面參考第4圖描述的密封環481）與靶組件100之間的摩擦及所得的研磨的結果，該摩擦及所得的研磨係由於尤其是由熱負載及真空負載引起的兩個部件之間的移動。亦已經觀察到研磨從一個或兩個部件上磨損材料。在處理期間，磨損的材料可能會進入並污染腔室。已經觀察到污染尤其會導致腔室中的電弧放電以及對處理結果的相關聯的負面影響。
發明人已經觀察到靶與絕緣環之間的摩擦減小可以減少材料的磨損及轉移。根據本發明的實施例的靶組件以多種方式減少兩個部件之間的摩擦。彼此間隔開的各個墊在絕緣環與靶之間提供了離散的接觸點。為墊選擇的材料可以是任何具有適當機械特性的材料，該等適當機械特性包括例如耐熱性、摩擦係數及工作強度。已經觀察到，與不包括本發明墊的靶相比，包括由具有適合應用的工作強度及低摩擦係數的材料（諸如UHMWPE、PEEK、PTFE及縮醛均聚物樹脂）形成的墊的靶減小了摩擦力。
本發明的墊在有限的點處提供接觸，從而將摩擦源減少到僅彼等接觸點。在不包括本發明的墊的靶的支撐部分的區域中，靶及絕緣環保持間隔開並且不提供摩擦力。藉由最小化與單獨墊的接觸，與例如將支撐構件與靶組件分開的環相比，摩擦減小。
發明人亦已觀察到，與完整的環相比，使用單獨的本發明墊更容易保持緊密公差。保持緊密公差可促進改進靶組件100與腔室的密封。發明人亦已注意到，凹槽120及墊210可以針對當前腔室大小（亦即，用於處理200 mm、300 mm及450 mm直徑基板的腔室）來一致地定大小。單獨的墊亦可以與未來大小的腔室相容。此外，與環相比，單獨的墊更容易安裝及維護。
第4圖描繪了根據本發明的實施例的具有靶組件100的物理氣相沉積(PVD)腔室400的簡化示意性剖視圖。
在本發明的一些實施例中，PVD腔室400包括腔室蓋401，該腔室蓋設置在處理腔室404的頂部上並且可從處理腔室404移除。腔室蓋401可包括內部組件402及外部接地組件403。處理腔室404包含用於在其上接納基板408的基板支撐件406。基板支撐件406可以位於下部接地圍壁410內，該下部接地圍壁可以是處理腔室404的腔室壁。下部接地圍壁410可以電耦合至腔室蓋401的接地組件403，以便向設置在腔室蓋401上方的RF電源482提供RF返回路徑。
腔室蓋401通常包括接地組件403，該接地組件圍繞內部組件402設置。接地組件403可包括具有第一表面457的接地板456，該第一表面可大致平行於內部組件402的背面並與該背面相對。接地遮蔽件412可以從接地板456的第一表面457延伸並圍繞內部組件402。接地組件403可包括支撐構件475以將內部組件402支撐在接地組件403內。
內部組件402可包括源分配板458，該源分配板與靶組件100的背面相對並且沿著靶組件100的外圍邊緣電耦合至靶組件100。如上所述，靶組件100可包含源材料108，該源材料將在濺射期間沉積在基板，例如基板408上。源材料108可由金屬、金屬氧化物、金屬合金等構成。在一些實施例中，靶組件100包括背板102以支撐源材料108。如第4圖所示，源材料108可以設置在背板102的面向基板支撐件的一側上。背板102可包含導電材料，諸如銅、銅-鋅、銅-鉻、或與靶相同的材料，使得RF功率及DC功率可以經由背板102耦接至源材料108。或者，背板102可以是非導電的並且可包括導電元件（未圖示），諸如電氣饋通等。背板102包括用於保持密封元件490的溝槽118及用於保持墊210的一或多個凹槽120。
在一些實施例中，支撐構件475可以靠近支撐構件475的外周邊緣耦接至接地屏蔽件412的下端，並且徑向向內延伸以支撐密封環481及內部組件402。密封環481可以是具有所需橫截面的環或其他環形形狀。密封環481可以包括兩個相對的平坦且大致平行的表面，以促進在密封環481的第一側上與內部組件402的靶組件100的背板102介面連接以及在密封環481的第二側上與支撐構件475介面連接。密封環481可以由介電材料，諸如陶瓷製成。密封環481可以將內部組件402與接地組件403絕緣。密封環482經由墊210的承載表面212與背板102介面連接。此外，設置在背板102的溝槽118中的密封元件490亦接觸密封環481，以在背板102與密封環481之間形成真空密封。
導電構件464可以設置在源分配板458與靶組件100的背側之間，以將RF能量從源分配板傳播至靶組件100的外圍邊緣。導電構件464可以是圓柱形的，其中第一端466靠近源分配板458的外圍邊緣耦接至源分配板458的面向靶的表面，並且第二端468靠近靶組件100的外圍邊緣耦接至靶組件100的面向源分配板的表面。在一些實施例中，第二端468靠近背板102的外圍邊緣耦接至背板102的面向源分配板的表面。在一些實施例中，背板102可以經由一或多個緊固件耦接至導電構件464的第二端468。
內部組件402可包括空腔470，該空腔設置在靶組件100的背側與源分配板458之間。空腔470可以至少部分地容納磁控管組件。空腔470至少部分地由導電構件464的內表面、源分配板458的面向靶的表面及靶組件100（或背板102）的面向源分配板的表面（例如，背側）限定。在一些實施例中，空腔470可以至少部分地填充有冷卻流體，諸如水（H 2O）等。
雖然前面是針對本發明的實施例，但是在不脫離本發明的基本範疇的情況下，可以設計本發明的其他及進一步的實施例。
100:靶組件 102:背板 104:第一側 106:中心部分 108:源材料 110:濺射表面 112:支撐部分 114:外周邊 116:中心點 117:第一徑向位置 118:溝槽 120:凹槽 122:軸線 124:中點 126:圓形路徑 130:背板緊固件孔 132:對準凸片 202:底表面 204:中心軸線 206:大氣側 208:真空側 210:墊 212:承載表面 214:支承表面 242:背板緊固件 250:第一通孔部分 252:第二通孔部分 254:保持表面 290:密封元件 302:軸/桿 304:第一桿部分 308:導引倒角 310:實心主體部分 312:狹槽 314:爪部分 316:切割側 400:物理氣相沉積(PVD)腔室 401:腔室蓋 402:內部組件 403:外部接地組件 404:處理腔室 406:基板支撐件 408:基板 410:下部接地圍壁 412:接地屏蔽件 456:接地板 457:第一表面 458:源分配板 464:導電構件 466:第一端 468:第二端 470:空腔 475:支撐構件 481:密封環 482:密封環 490:密封元件 A-A:線 R1:距離 R2:距離 R3:距離 R4:距離 T:厚度
藉由參考附圖中描繪的本發明的說明性實施例，可以理解上面簡要總結並且下面更詳細論述的本發明的實施例。然而，應當注意的是，附圖僅圖示了本發明的典型實施例，因此不應被認為是對其範疇的限制，因為本發明的實施例可以允許其他同等有效的實施例。
第1圖描繪了根據本發明的一些實施例的靶組件的仰視圖。
第2A圖描繪了沿線A-A截取的第1圖的靶組件的剖視圖。
第2B圖描繪了根據本發明的一些實施例的靶組件的局部仰視圖。
第2C圖描繪了根據本發明的一些實施例的形成在靶組件中以用於接收接觸墊的接觸墊凹槽的俯視圖。
第2D圖描繪了背板的橫截面側視圖，圖示了用於接收第3A圖至第3E圖所示的接觸墊的接觸墊凹槽。
第3A圖描繪了根據本發明的一些實施例的接觸墊的等距視圖。
第3B圖描繪了根據本發明的一些實施例的接觸墊的左視圖及/或右視圖。
第3C圖描繪了根據本發明的一些實施例的接觸墊的正視圖及/或後視圖。
第3D圖描繪了根據本發明的一些實施例的接觸墊的仰視圖。
第3E圖描繪了根據本發明的一些實施例的接觸墊的俯視圖。
第3F圖描繪了根據本發明的一些實施例的接觸墊的等距視圖。
第4圖描繪了根據本發明的一些實施例的具有靶組件的處理腔室。
為了促進理解，在可能的情況下，使用相同的附圖標記來表示附圖中共用的元件。附圖不是按比例繪製的，並且為了清楚起見可以簡化。預期一個實施例的元件和特徵可以有益地結合到其他實施例中，而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:靶組件
102:背板
104:第一側
106:中心部分
108:源材料
110:濺射表面
112:支撐部分
114:外周邊
116:中心點
117:第一徑向位置
118:溝槽
120:凹槽
122:軸線
124:中點
126:圓形路徑
130:背板緊固件孔
132:對準凸片
210:墊
A-A:線

Claims (20)

  1. 一種用於一基板處理腔室的靶組件，包括： 一板，該板包括一第一側，該第一側包括一中心部分及一支撐部分，其中該中心部分被配置為支撐靶源材料； 複數個凹槽，該複數個凹槽形成在該支撐部分中，其中該複數個凹槽中的每個凹槽包括具有一第一直徑的一第一通孔部分及具有一第二直徑的一第二通孔部分，該第二直徑大於該第一通孔的該第一直徑；以及 複數個低摩擦墊，該複數個低摩擦墊部分地設置在該複數個凹槽中，其中該複數個低摩擦墊中的每個低摩擦墊包括： 一實心主體部分；以及 一自保持桿，該自保持桿從該實心主體部分的一底部向外延伸，其中該自保持桿包括設置在該第一通孔部分中的一第一桿部分及設置在該第二通孔部分中的一第二桿部分。
  2. 如請求項1所述之靶組件，其中該複數個凹槽圍繞該板周向間隔開。
  3. 如請求項1所述之靶組件，其中該複數個凹槽的大小相似。
  4. 如請求項1所述之靶組件，其中該第二桿部分包括一爪部分，該爪部分沿一第一方向比該第一桿部分的該第一直徑更寬。
  5. 如請求項4所述之靶組件，其中該爪部分在垂直於該第一方向的一第二方向上在兩側上是平坦的，使得該等平坦側的一寬度比該第一桿部分的該第一直徑更窄。
  6. 如請求項4所述之靶組件，其中該自保持桿包括至少一個狹槽，該狹槽被配置為允許該自保持桿被壓縮以允許該第二桿部分配合穿過該第二通孔部分。
  7. 如請求項6所述之靶組件，其中該爪部分與該第二通孔部分內的一保持表面接觸，該保持表面被配置為將該墊保持在該凹槽內。
  8. 如請求項1-7中任一項所述之靶組件，其中該複數個低摩擦墊中的每個低摩擦墊包括一承載表面。
  9. 如請求項8所述之靶組件，其中該複數個低摩擦墊中的每個低摩擦墊的該承載表面的一表面積係約0.20平方英寸至約0.35平方英寸。
  10. 如請求項1-7中任一項所述之靶組件，其中該複數個低摩擦墊中的每個低摩擦墊在該實心主體部分的拐角處被倒角。
  11. 如請求項1-7中任一項所述之靶組件，其中該複數個低摩擦墊中的每個低摩擦墊包括一支承表面及一承載表面，其中當該支承表面被支撐在一凹槽的一底表面上時，該承載表面在該板的該第一側上方間隔開。
  12. 如請求項11所述之靶組件，其中該承載表面在該第一側上方間隔開約0.05 mm至約1 mm。
  13. 如請求項1-7中任一項所述之靶組件，其中該板包括一溝槽，該溝槽將該支撐部分分成從該溝槽徑向向外的一大氣側及從該溝槽徑向向內的一真空側。
  14. 如請求項13所述之靶組件，其中該複數個凹槽形成在該大氣側中。
  15. 如請求項1-7中任一項所述之靶組件，其中該複數個低摩擦墊是可更換的低摩擦墊。
  16. 如請求項1-7中任一項所述之靶組件，其中該複數個低摩擦墊由超高分子量聚乙烯或聚醚醚酮中的一或多者形成。
  17. 一種用於在用於一基板處理腔室的一靶組件中使用的自保持低摩擦墊，包括： 一實心主體部分；以及 一自保持桿，該自保持桿從該實心主體部分的一底部向外延伸，其中該自保持桿包括： 一第一桿部分，該第一桿部分具有一第一直徑；以及 一第二桿部分，其中該第二桿部分包括一爪部分，該爪部分沿至少一個方向比該第一桿部分的該第一直徑更寬， 其中該自保持桿包括至少一個狹槽，該狹槽被配置為允許該自保持桿被壓縮。
  18. 如請求項17所述之自保持低摩擦墊，其中該實心主體部分是長方形的。
  19. 如請求項17所述之自保持低摩擦墊，其中該實心主體部分包括一承載表面，並且其中該等自保持低摩擦墊中的每個自保持低摩擦墊的該承載表面的一表面積為約0.20平方英寸至約0.35平方英寸。
  20. 一種基板處理裝置，包括： 一腔室主體； 一蓋，該蓋設置在該腔室主體的頂部上； 一靶組件，該靶組件耦接至該蓋，該靶組件包括 一背板，該背板具有一第一側及一相對的第二側，其中該背板的該第一側被配置為支撐靶源材料； 複數個凹槽，該複數個凹槽形成在該背板中；以及 複數個自保持低摩擦墊，該複數個自保持低摩擦墊部分地設置在該複數個凹槽中，其中該複數個自保持低摩擦墊中的每個自保持低摩擦墊包括： 一實心主體部分；以及 一自保持桿，該自保持桿從該實心主體部分的一底部向外延伸，其中該自保持桿包括設置在該第一通孔部分中的一第一桿部分及設置在該第二通孔部分中的一第二桿部分； 一支撐構件，該支撐構件在靠近該支撐構件的一外端處耦接至該蓋並且徑向向內延伸；以及 一密封環，該密封環設置在該背板與該支撐構件之間，其中該密封環由該支撐構件沿著該密封環的一底表面支撐，並且其中該密封環的一頂表面沿著該複數個自保持低摩擦墊的該承載表面接觸該靶組件。
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