TW202215621A - 用於高效率傳熱的單塊式台座 - Google Patents

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普拉哈拉德 那拉辛達斯 阿加瓦爾
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Abstract

一種用於基板處理系統的基板支架包含一單塊式台座板，其具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面設置成支撐一基板，該第二表面設置成與一台座桿介接。一溝槽係形成在該單塊式台座板的該第二表面中。該溝槽具有蜿蜒的形狀，且該溝槽的深度係自該單塊式台座板的該第二表面往上延伸。一加熱器線圈係安置在該溝槽內。一間隙係界定在該加熱器線圈與該單塊式台座板的該第二表面之間，以及一間隙材料係安置在該間隙內以將該加熱器線圈密封在該溝槽之內。

Description

用於高效率傳熱的單塊式台座
[相關申請案之交互參照]本申請案係主張美國臨時申請案第63/033,979號之優先權，該美國臨時申請案申請於2020年6月3號。上述美國臨時申請案之整體揭露內容乃藉由參考文獻方式合併於此。
本揭露內容係關於基板處理系統的基板支架。
在此提供的先前技術說明係為了大致呈現本揭露內容背景之目的。在該先前技術段落中所述之目前列名發明人之工作、以及不可以其他方式認定為申請時之先前技術的實施態樣敘述皆不被明示或暗示地承認為針對本揭露內容之先前技術。
基板處理系統用以在例如半導體晶圓之基板上執行例如膜之沉積及蝕刻的處理。例如，可使用化學氣相沉積(CVD，chemical vapor deposition)、電漿增強CVD(PECVD，plasma enhanced CVD)、原子層沉積(ALD，atomic layer deposition)、電漿增強ALD(PEALD，plasma enhance ALD)、及/或其他沉積製程來執行沉積，以沉積導電膜、介電膜、其他種類的膜。在沉積期間，將基板安置在基板支架(例如台座)上，並且在一或更多處理步驟期間，可將一或更多前驅物氣體供應至處理腔室。在PECVD或PEALD製程中，於沉積期間，在處理腔室內使用電漿來啟動化學反應。
一種用於基板處理系統的基板支架包含一單塊式台座板，其具有一第一表面以及一第二表面，該第一表面設置成支撐一基板，該第二表面設置成與一台座桿介接。一溝槽係形成在該單塊式台座板的該第二表面中。該溝槽具有蜿蜒的形狀，且該溝槽的深度係自該單塊式台座板的該第二表面往上延伸。一加熱器線圈係安置在該溝槽內。一間隙係界定在該加熱器線圈與該單塊式台座板的該第二表面之間，以及一間隙材料係安置在該間隙內以將該加熱器線圈密封在該溝槽之內。
在其他特徵中，該單塊式台座板係由包含鋁的材料所構成。該加熱器線圈包含鋁。該間隙材料包含鋁。該單塊式台座板與該間隙材料係由相同的材料所構成。該間隙材料的導熱率係在該單塊式台座板之導熱率的增減5%範圍之內。該溝槽的該深度為該單塊式台座板之厚度的40-60%。
在其他特徵中，該基板支架更包含形成在該單塊式台座板之該第二表面中的一凹部。該台座桿係安置在該凹部內。該溝槽的形狀為下列其中至少一者：環形、螺旋形、以及振盪形。該溝槽係以下列其中至少一方式形成於該單塊式台座板的該第二表面中：切削、研磨、以及蝕刻。該加熱器線圈具有電絕緣且導熱的一塗層。該塗層為導熱環氧樹脂。該加熱器線圈被摩擦攪拌焊接於該溝槽內。
一種組裝用於基板處理系統之基板支架的方法包含：提供一單塊式台座板，其包含一第一表面以及一第二表面，該第一表面設置成支撐一基板，該第二表面設置成與一台座桿介接；以及在該單塊式台座板的該第二表面中形成一溝槽。該溝槽具有蜿蜒的形狀，且該溝槽的深度係自該單塊式台座板的該第二表面往上延伸。該方法更包含將一加熱器線圈安置在該溝槽內。間隙係界定在該加熱器線圈與該單塊式台座板的該第二表面之間，並且以一間隙材料加以填充而將該加熱器線圈密封在該溝槽之內。
在其他特徵中，該單塊式台座板係由包含鋁的材料所構成。該加熱器線圈包含鋁。該間隙材料包含鋁。該間隙材料的導熱率係在該單塊式台座板之導熱率的增減5%範圍之內。該方法更包含在該單塊式台座板之該第二表面中形成一凹部，並且將該台座桿安置在該凹部內。該方法更包含以下列其中至少一方式在該單塊式台座板的該第二表面中形成該溝槽：切削、研磨、以及蝕刻。該方法更包含將該加熱器線圈摩擦攪拌焊接於該溝槽內。
由詳細說明、請求項、及圖式，本揭露內容之其他領域的可應用性將變得顯而易見。詳細說明與具體範例僅係為了例示之目的而提出，並非意指限制本揭露內容的範圍。
一般而言，例如溫控式台座的基板支架包含多個層與材料。例如，基板支架可包含多個金屬層及/或陶瓷層。一或更多加熱器層或線圈可嵌入於一金屬或陶瓷層內、安置在相鄰之金屬或陶瓷層之間等等。在某些範例中，基板支架的層係焊接(welded)或層疊在一起，且加熱器線圈係硬焊(brazed)(例如真空硬焊)或焊接至該等層的其中一者。然而，基板支架的層之間及/或基板支架的加熱器線圈與層之間的焊接界面可能會隨著時間退化，而引起降低的熱均勻性以及低效率的熱傳遞。又，使用多個層來組裝基板支架會增加製造複雜性、成本、以及前置時間。
依照本揭露內容的基板支架係實現由單一材料所構成的單一金屬板(例如單塊式基板支架)，其具有嵌入式加熱器線圈。例如，加熱器線圈被摩擦攪拌焊接到通道內，該通道係形成在該板內。相對於包含多個焊接層的基板支架，單塊式基板支架具有產生改善之熱與機械性能的均勻晶粒結構、較簡易之製造方法、以及降低之成本。
現在參考圖1，顯示依照本揭露內容之原理之基板處理系統100的一範例。雖然上述範例係與PECVD系統有關，但可使用其他以電漿為基礎之基板處理腔室。基板處理系統100包含處理腔室104，該處理腔室圍住基板處理系統100的其他構件。基板處理系統100包含第一(例如，上)電極108以及基板支架，該基板支架例如為包含第二(例如，下)電極116的台座112。基板120係安置在台座112上並且位於上電極108與下電極116之間。
僅為示範，上電極108可包含噴淋頭124，該噴淋頭導入並且分佈處理氣體。或者，上電極108可包含導電板，並且可以另一方式來導入處理氣體。在某些範例中，下電極116可相當於嵌入在非導電台座內的導電電極。或者，台座112可包含靜電夾頭，其包含作為下電極116的導電板。
當使用電漿時，射頻(RF，radio frequency)產生系統126產生並且輸出RF電壓至上電極108及/或下電極116。在某些範例中，上電極108與下電極116之其中一者可被DC接地、AC接地、或在浮動電位。僅為示範，RF產生系統126可包含一或更多RF電壓產生器128(例如，電容耦合電漿RF功率產生器、偏壓RF功率產生器、及/或其他RF功率產生器)，例如產生RF電壓的RF產生器128，該RF電壓被一或更多匹配與分佈網路130饋送至下電極116及/或上電極108。例如，如圖所示，RF產生器128將RF及/或偏壓電壓提供至下電極116。或者或此外，下電極116可接收來自其他電源(例如電源132)的電力。在其他範例中，可將RF電壓供應至上電極108或者可將上電極108連接至接地參考。
示範之氣體輸送系統140包含一或更多氣體源144-1、144-2、…、以及144-N(統稱為氣體源144)，其中N為大於零的整數。氣體源144供應一或更多氣體(例如前驅物、惰性氣體等等)及其混合物。亦可使用經氣化之前驅物。氣體源144的其中至少一者可含有在本揭露內容之前處理製程中所使用的氣體(例如NH 3、N 2等等)。藉由閥148-1、148-2、…、以及148-N(統稱為閥148)與質量流量控制器152-1、152-2、…、以及152-N(統稱為質量流量控制器152)，將氣體源144連接至歧管154。將歧管154的輸出饋送至處理腔室104。僅為示範，將歧管154的輸出饋送至噴淋頭124。在某些範例中，可選的臭氧產生器156可設置在質量流量控制器152與歧管154之間。在某些範例中，基板處理系統100可包含液體前驅物輸送系統158。液體前驅物輸送系統158可如圖所示合併在氣體輸送系統140內或者可在氣體輸送系統140的外部。液體前驅物輸送系統158係設置成經由起泡器、直接液體注入、蒸氣抽吸等等方式在室溫下提供液態及/或固態的前驅物。
加熱器160可連接至安置在台座112中的加熱器線圈162，以加熱台座112。加熱器160可用以控制台座112與基板120的溫度。如以下更詳細地說明，依照本揭露內容的台座112包含單塊板，該單塊板具有嵌入於其內的加熱器線圈162。
閥164與幫浦168可用以從處理腔室104排空反應物。控制器172可用以控制基板處理系統100的各種構件。僅為示範，控制器172可用以控制製程的流程、載氣與前驅物氣體、觸發與熄滅電漿、反應物的移除、腔室參數的監視等等。
圖2A-2D顯示依照本揭露內容之用以製造示範單塊式台座200的製程。如在此所使用，『單塊(monobloc)』係指由單一塊體或鑄件所形成的台座。如圖2A所示，台座200係由單一塊體或板204(即，單塊式台座板)所形成。例如，板204包含金屬材料，例如呈大致矩形的鋁鑄件。板204的材料具有均勻晶粒結構。
如圖2B所示，與台座200之最終期望形狀相對應的特徵係形成在板204中。例如，通道或溝槽208係形成在板204的第二(例如，下)表面210中。如以下更詳細地在圖3A-3C中所示，溝槽208大致上為蜿蜒並且可具有圓形或環形、螺旋形、振盪形等等的形狀(即，在平面圖中)。板204可被切削、研磨、蝕刻、雷射燒蝕(laser-ablated)等等，以形成溝槽208。溝槽208(即，該溝槽的垂直深度)自板204的下表面210往上延伸。例如，溝槽208的深度可相當於板204之厚度的40-60%。如圖所示，溝槽208的深度為板204之厚度的大約50%(例如+/- 2%)。
板204的第一(例如，上)表面212係相當於台座200的上支撐表面。換言之，板204係設置成將基板(例如基板120)直接支撐在上表面212上，而在基板與上表面212之間未安置任何額外的層。
如圖2C所示，加熱器線圈214係安置在溝槽208內(即，在溝槽208的頂端)。由於溝槽208係從板204的下表面210延伸到板204的內部區域內，所以加熱器線圈214可經由自下表面210延伸的溝槽208而直接嵌入於板204內。例如，加熱器線圈214被摩擦攪拌焊接到溝槽208內。摩擦攪拌焊接(Friction stir welding)係指一種固態焊接製程，於其中，二或更多構件(例如板204與加熱器線圈214)係在不使該等構件之任一者熔化的情況下藉由在該等構件之間產生摩擦而焊接在一起。在其他範例中，使用另一合適之焊接或接合方法、熱接著劑(例如導熱環氧樹脂)等等，將加熱器線圈214附接於溝槽208之內。加熱器線圈214可由與板204相同的材料所構成或由不同材料所構成。例如，加熱器線圈214可由鋁所構成並且具有電絕緣、導熱的塗層。例如，加熱器線圈214可塗佈有導熱環氧樹脂。雖然顯示具有圓形截面，但在某些實施例中，加熱器線圈214可具有扁平矩形形狀(例如，加熱器線圈214可被形成為一電跡線)。
在其他範例中，溝槽208的深度可被伸長或縮短而相應地減少或增加加熱器線圈214與板204之上表面212的距離。以此方式，從加熱器線圈214到上表面212的熱分佈可針對相應的台座和/或製程進行定制。
加熱器線圈214係設置成作為電阻加熱器。 換言之，(例如，經由加熱器160)將電力提供至加熱器線圈214，以使電流流過加熱器線圈214。電流對加熱器線圈214進行加熱，該加熱器線圈將熱分佈遍佈於板204。包含單一材料與均勻晶粒結構的單塊板204有助於將熱從加熱器線圈214均勻分佈到板204中。例如，由於板204並非係由多個層所構成，所以來自加熱器線圈214的熱分佈不會受到不同層之間的界面(通過不同層之間所安置的黏著劑或其他中間材料等等)的阻礙。
如圖2D所示，可以間隙材料220來填充在加熱器線圈214下方(即，在加熱器線圈214與下表面210之間)的間隙216。間隙材料220將加熱器線圈214密封在溝槽208之內。間隙材料220可由與板204相同的材料所構成或由不同材料所構成。例如，間隙材料220可由鋁所構成。若間隙材料220係不同於板204的材料，則間隙材料220可經選擇而具有與板204相同或相似的導熱率及/或導電率特性。例如，間隙材料220的導熱率係在板204之導熱率的增減5%範圍之內。
如圖所示，台座200可包含其他特徵，該等其他特徵係使用用以形成溝槽208的相同製程所形成。在某些範例中，所有該等特徵皆在相同的步驟(例如相同的切削或研磨步驟)中被形成。例如，環形的凸耳(ledge)或台階224可形成在台座200的上表面212中。在某些範例中，台階224可設置成支撐一邊緣環。凹部228與中央開口232係形成在底表面210中。例如，凹部228係設置成與台座桿(例如，如圖3B與3C所示)介接，且中央開口232係設置成容納用以對加熱器線圈214供電、用以將RF功率提供至台座200等等的配線連接件。台座的下環形邊緣236可被去角(chamfered)或斜切(beveled)。
現在參考圖3A、3B、以及3C，顯示依照本揭露內容的示範單塊式台座300。圖3A為單塊式台座300的仰視圖。溝槽304係形成在台座300的底側中。溝槽304的一示範形狀或圖案係顯示在圖3A中。在其他範例中，溝槽304可具有不同形狀。例如，溝槽304可具有圓形、螺旋形、或振盪形(正弦波或鋸齒)圖案。雖然僅顯示溝槽304中的一個溝槽，但在其他範例中，台座300可包含二或更多的溝槽304，每一溝槽容納不同的加熱器線圈。圖3B係包含桿308之台座300的等視角圖。圖3C係包含桿308之台座300的仰視圖。
現在參考圖4，依照本揭露內容之用以製造單塊式台座(例如，台座200)的示範方法400係起始於404。在408，提供單一塊體或板。在412，在板的底側中形成通道或溝槽。例如，溝槽被切削、研磨、蝕刻、雷射燒蝕等等。在416，將加熱器線圈安置在溝槽內。在420，以間隙材料來填充在溝槽內之加熱器線圈下方的間隙。方法400結束於424。
上述說明內容在本質上僅為例示性，而絕非意圖限制本揭露內容、其應用、或用途。本揭露內容的廣泛教示可以各種形式實施。因此，雖然本揭露內容包括特定的範例，但由於當研究圖式、說明書、與下列請求項時，其他修改將變得顯而易見，故本揭露內容之真實範圍不應如此受限。應理解，在不改變本揭露內容之原理的情形下，方法中之一或更多步驟可以不同順序(或同時)執行。又，雖然實施例之每一者係於以上描述為具有某些特徵，但關於本揭露內容之任何實施例所述該等特徵之任何一者或多者可在任何其他實施例中實施、及/或與其特徵組合(即使並未明確描述該組合)。換言之，所述實施例並非相互排斥，且一或更多實施例彼此的置換維持在本揭露內容之範圍內。
在元件之間(例如，在模組、電路元件、半導體層等等之間)的空間與功能上的關係乃使用包括「連接」、「接合」、「耦合」、「鄰近」、「在…旁」、「在…之上」、「上方」、「下方」、與「設置」之各種用語描述。除非明確地描述為「直接」，否則當於上述揭露內容中描述第一與第二元件之間的關係時，該關係可為在第一與第二元件之間不存在其他中介元件的直接關係，但亦可為在第一與第二元件之間存在一或更多中介元件(空間上或功能上)的間接關係。如在此所使用，詞組「A、B、與C之至少一者」應解釋成意指使用非排除性邏輯OR之邏輯(A OR B OR C)，且不應解釋成意指「A之至少一者、B之至少一者、與C之至少一者」。
在某些實施例中，控制器為系統的部分，該系統可為上述範例的部分。此種系統可包含半導體處理設備，其包含處理工具、腔室、處理用平台、及/或特定處理構件(晶圓台座、氣體流動系統等等)。這些系統可與電子元件整合在一起，該電子元件用以在處理半導體晶圓或基板之前、期間、以及之後，控制這些系統的操作。該電子元件可被稱為『控制器』，其可控制該系統的各種構件或子部件。可根據製程需求及/或系統類型，將該控制器程式化，以控制在此所揭露之任何製程，其包含處理氣體的輸送、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流率設定、流體輸送設定、位置與操作設定、進入及離開與一特定系統連接或介接之一工具及其他搬運工具及/或負載室的晶圓搬運。
大體而言，該控制器可被定義為具有各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子元件，其接收指令、發出指令、控制操作、進行清理操作、進行終點測量等等。該積體電路可包含具有韌體形式而儲存有程式指令的晶片、數位信號處理器(DSP，digital signal processor)、被定義為特定用途積體電路(ASIC，application specific integrated circuits)的晶片、及/或執行程式指令(例如軟體)的一或更多微處理器、或微控制器。程式指令可為以各種獨立設定值(或程式檔案)形式傳送至控制器的指令，以定義用以在半導體晶圓上或對一系統實現特定製程的操作參數。在某些實施例中，這些操作參數可為製程工程師所定義之配方的部分，以在晶圓之一或更多層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶粒的加工期間實現一或更多處理步驟。
在某些實施例中，該控制器可為電腦的一部分或耦合至該電腦，該電腦係與該系統整合在一起、耦合至該系統、或網路連接至該系統、或為其組合。例如，該控制器可位在「雲端(cloud)」中或為晶圓廠主電腦系統的全部或一部分，此可允許晶圓處理的遠端存取。該電腦可對該系統進行遠端存取，以監視加工操作的當前進度、檢查過去加工操作的歷史、從複數加工操作來檢查趨勢或性能指標、改變當前處理的參數、依當前處理來設定處理步驟、或開始新的製程。在某些範例中，遠端電腦(例如伺服器)可透過網路將處理配方提供給系統，該網路可包含區域網路或網際網路。該遠端電腦可包含使用者介面，其可進行參數及/或設定值的輸入或程式化，這些參數及/或設定值之後從該遠端電腦傳送至該系統。在某些範例中，該控制器接收具有資料形式的指令，該指令規定待於一或更多操作期間執行之每一處理步驟的參數。吾人應瞭解這些參數可特定於待執行之製程的類型以及該控制器所介接或控制之工具的類型。因此，如上所述，可以下列方式來分配該控制器：例如藉由包含以網路連接在一起並且為一共同目的(例如在此所述的製程與控制)而運作的一或更多分離控制器。為此種目的而分配的控制器之一範例可為在腔室上之一或更多積體電路，該積體電路係與遠端設置(例如平台等級或作為遠端電腦之部分)的一或更多積體電路通信，以聯合控制在腔室上的製程。
示範的系統可包含但不限於電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉清洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清理腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD，physical vapor deposition)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE，atomic layer etch)腔室或模組、離子植入腔室或模組、塗佈顯影(track)腔室或模組、以及可聯合或用於半導體晶圓之加工及/或製造的任何其他半導體處理系統。
如上所述，根據待由該工具所執行的處理步驟，該控制器可與下列其中一或多者進行通信：其他工具電路或模組、其他工具構件、群集(cluster)工具、其他工具介面、相鄰工具、鄰近工具、設置遍布於工廠的工具、主電腦、另一控制器、或用於原料運送而將晶圓容器運至與運離半導體製造廠中之工具位置及/或裝載通道的工具。
100:基板處理系統 104:處理腔室 108:上電極(第一電極) 112:台座 116:下電極(第二電極) 120:基板 124:噴淋頭 126:射頻產生系統 128:RF產生器 130:匹配與分佈網路 132:電源 140:氣體輸送系統 144-1:氣體源 144-2:氣體源 144-N:氣體源 148-1:閥 148-2:閥 148-N:閥 152-1:質量流量控制器 152-2:質量流量控制器 152-N:質量流量控制器 154:歧管 156:臭氧產生器 158:液體前驅物輸送系統 160:加熱器 162:加熱器線圈 164:閥 168:幫浦 172:控制器 200:台座 204:板 208:溝槽 210:下表面(第二表面) 212:上表面(第一表面) 214:加熱器線圈 216:間隙 220:間隙材料 224:台階 228:凹部 232:中央開口 236:下環形邊緣 300:台座 304:溝槽 308:桿 400:方法 404:開始 408:提供用於單塊式台座的板 412:藉由切削、研磨等等以在板之底側中形成通道或溝槽 416:將加熱器線圈安置在溝槽內 420:以間隙材料來填充在溝槽內之加熱器線圈下方的間隙 424:結束
本揭露內容將由詳細說明與附圖而變得更受到完整瞭解，其中：
圖1係依照本揭露內容之一示範基板處理系統的功能方塊圖；
圖2A、2B、2C、以及2D顯示依照本揭露內容之用以製造一示範單塊式台座的製程；
圖3A係依照本揭露內容之單塊式台座的仰視圖；
圖3B係依照本揭露內容之單塊式台座與桿的等視角圖；
圖3C係依照本揭露內容之單塊式台座與桿的仰視圖；以及
圖4例示依照本揭露內容之用以製造單塊式台座之一示範方法的步驟。
在圖式中，參考符號可重複使用以指示相似及/或相同的元件。
400:方法
404:開始
408:提供用於單塊式台座的板
412:藉由切削、研磨等等以在板之底側中形成通道或溝槽
416:將加熱器線圈安置在溝槽內
420:以間隙材料來填充在溝槽內之加熱器線圈下方的間隙
424:結束

Claims (20)

  1. 一種用於基板處理系統的基板支架，該基板支架包含： 一單塊式台座板，包含一第一表面以及一第二表面，該第一表面設置成支撐一基板，該第二表面設置成與一台座桿介接； 一溝槽，形成在該單塊式台座板的該第二表面中，其中該溝槽具有蜿蜒的形狀，且該溝槽的深度係自該單塊式台座板的該第二表面往上延伸；以及 一加熱器線圈，安置在該溝槽內，其中(i) 一間隙係界定在該加熱器線圈與該單塊式台座板的該第二表面之間以及(ii) 一間隙材料係安置在該間隙內以將該加熱器線圈密封在該溝槽之內。
  2. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該單塊式台座板係由包含鋁的材料所構成。
  3. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該加熱器線圈包含鋁。
  4. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該間隙材料包含鋁。
  5. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該單塊式台座板與該間隙材料係由相同的材料所構成。
  6. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該間隙材料的導熱率係在該單塊式台座板之導熱率的增減5%範圍之內。
  7. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該溝槽的該深度為該單塊式台座板之厚度的40-60%。
  8. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，更包含形成在該單塊式台座板之該第二表面中的一凹部，其中該台座桿係安置在該凹部內。
  9. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該溝槽的形狀為下列其中至少一者：環形、螺旋形、以及振盪形。
  10. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該溝槽係以下列其中至少一方式形成於該單塊式台座板的該第二表面中：切削、研磨、以及蝕刻。
  11. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該加熱器線圈具有電絕緣且導熱的一塗層。
  12. 如請求項11所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該塗層為導熱環氧樹脂。
  13. 如請求項1所述之用於基板處理系統的基板支架，其中該加熱器線圈被摩擦攪拌焊接於該溝槽內。
  14. 一種組裝用於基板處理系統之基板支架的方法，該方法包含： 提供一單塊式台座板，該單塊式台座板包含一第一表面以及一第二表面，該第一表面設置成支撐一基板，該第二表面設置成與一台座桿介接； 在該單塊式台座板的該第二表面中形成一溝槽，其中該溝槽具有蜿蜒的形狀，且該溝槽的深度係自該單塊式台座板的該第二表面往上延伸； 將一加熱器線圈安置在該溝槽內，其中在該加熱器線圈與該單塊式台座板的該第二表面之間界定一間隙；以及 以一間隙材料來填充該間隙而將該加熱器線圈密封在該溝槽之內。
  15. 如請求項14所述之組裝用於基板處理系統之基板支架的方法，其中該單塊式台座板係由包含鋁的材料所構成。
  16. 如請求項14所述之組裝用於基板處理系統之基板支架的方法，其中該加熱器線圈包含鋁。
  17. 如請求項14所述之組裝用於基板處理系統之基板支架的方法，其中該間隙材料包含鋁。
  18. 如請求項14所述之組裝用於基板處理系統之基板支架的方法，其中該間隙材料的導熱率係在該單塊式台座板之導熱率的增減5%範圍之內。
  19. 如請求項14所述之組裝用於基板處理系統之基板支架的方法，更包含在該單塊式台座板之該第二表面中形成一凹部，並且將該台座桿安置在該凹部內。
  20. 如請求項14所述之組裝用於基板處理系統之基板支架的方法，更包含以下列其中至少一方式在該單塊式台座板的該第二表面中形成該溝槽：切削、研磨、以及蝕刻。
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