TW202213483A - 用於基板的化學及/或電解表面處理的製程流體之屏蔽本體系統 - Google Patents

用於基板的化學及/或電解表面處理的製程流體之屏蔽本體系統 Download PDF

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史密特 哈拉爾 奧科恩
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Abstract

本發明係關於一種用於一基板的化學及/或電解表面處理的一製程流體之屏蔽本體系統，一屏蔽本體系統之用途，及一種用於在一製程流體中對一基板進行一化學及/或電解表面處理之方法。該屏蔽本體系統包括一屏蔽本體及一攪動單元。該屏蔽本體具有用以引導製程流體流及/或一電流密度分佈朝向該待處理基板之複數個開口。該攪動單元經組態以使該屏蔽本體連同該基板一起相對於一分配本體垂直及/或水平移動。替代地或額外地，該攪動單元經組態以使該屏蔽本體連同該基板一起相對於一沈積腔室垂直及/或水平移動，以進行化學及/或電解表面處理。

Description

用於基板的化學及/或電解表面處理的製程流體之屏蔽本體系統
本發明係關於一種用於一基板的化學及/或電解表面處理的一製程流體之屏蔽本體系統，一屏蔽本體系統之用途，及一種用於在一製程流體中對一基板進行一化學及/或電解表面處理之方法。
化學及/或電解表面處理(如無電及電化學或電解處理或沈積)通常用於平面以及非平面、經圖案化或未圖案化、非金屬以及金屬及/或金屬化表面之表面塗佈。
現今，在許多情況中，產生均勻地分佈於一較大待鍍覆基板之整個表面上方之一電流密度分佈之程序不再是高效的且足夠的。此主要歸因於待鍍覆表面元件之持續縮小(即，電子器件幾何結構不斷按比例縮小至愈來愈小的尺寸)及其等在高密度器件區域中之累積，而基板上之其他區域具有需要鍍覆之一非常低密度之特徵且在一些情況中亦具有非常大的特徵。另外，當嘗試達成高度均勻之金屬鍍覆以在尤其非常大規模的基板上製造非常厚的3D金屬結構(亦被稱為模具鍍覆(mold-plating)或模具電鍍(mold-electroplating))時，必須從鍍覆程序、設備設計及基板處置之角度克服許多挑戰。例如，透過待鍍覆基板上之一厚光阻劑層之先前沈積及適當結構化，使其中有目標發生鍍覆之凹部變得暴露於基板上。
一鍍覆程序期間之主要挑戰之一係在整個鍍覆程序期間在陽極(其通常由一惰性材料製成或出自需要沈積之金屬，例如，銅)與陰極(其一般為基板)之間建立而且維持一控制良好的電流分佈。陽極及陰極亦可暫時反轉以用於特殊鍍覆應用。
在先前技術中，可透過一經圖案化之厚光阻劑層來建立及控制電流分佈，從而將用於電沈積之電流導引至一敞開凹部，該凹部處接著可發生鍍覆。然而，在此基本程序中，電流分佈主要僅被導引至在基板之前之最後幾微米內的敞開區域。然而，在µm尺度之此最後分佈調整之前，電流分佈之主要影響已發生在一較大距離處。因此，無法以令人滿意的方式達成效率及高均勻性。
DE102010033256A1中揭示一種用於在一化學及/或電解表面處理中產生目標流量及電流密度圖案之例示性裝置及方法。器件包括一流量分配器本體，該流量分配器本體平面平行地配置而使其前側定向至一待處理基板，且其在該前側上具有出口開口，製程溶液透過該等出口開口流動至基板表面上。然而，在此情況中，即使如此可改良鍍覆程序且可在宏觀尺度上及相對於整體面板大小使電流分佈更均勻，仍無法在µm範圍內充分達成至特定凹部之目標電流分佈。
尤其是在執行一模具鍍覆程序以達成預定義區域及線中之非常厚的金屬層時，需要調整及尤其集中電流分佈之額外選項。
因此，可需要提供一種用於一基板的化學及/或電解表面處理的一製程流體之經改良屏蔽本體系統，該系統容許基板之一控制良好的電流分佈及一均勻電鍍。
藉由獨立技術方案之標的物來解決上述問題，其中進一步實施例併入於附屬技術方案中。應注意，在下文中描述之本發明之態樣亦適用於用於一基板的化學及/或電解表面處理的一製程流體之一屏蔽本體系統，一屏蔽本體系統之一用途，及用於在一製程流體中對一基板進行一化學及/或電解表面處理之一方法。
根據本發明，提出一種用於一基板的化學及/或電解表面處理的一製程流體之屏蔽本體系統。該屏蔽本體系統包括一屏蔽本體及一攪動單元。該屏蔽本體具有用以引導或容許製程流體流及/或一電流密度分佈通過朝向該待處理基板之複數個開口。該攪動單元經組態以使該屏蔽本體連同該基板一起相對於一分配本體垂直及/或水平移動。該分配本體可包括用以引導該製程流體流及/或該電流密度分佈朝向該屏蔽本體之複數個開口。該分配本體可引起該製程流體流及/或電流密度加速或減速朝向該基板。替代地或額外地，該攪動單元經組態以使該屏蔽本體連同該基板一起相對於一沈積腔室垂直及/或水平移動，以進行化學及/或電解表面處理。
根據本發明之屏蔽本體系統藉由實施藉由引導製程流體流及/或電流密度分佈通過屏蔽本體之開口至待處理基板上而進行表面處理之一新穎方式來解決先前技術之問題。本發明之攪動單元經組態以使屏蔽本體隨著基板在一垂直及/或一水平方向上移動以進行基板之一受控的且均勻的化學及/或電解表面處理。
此新穎設備設計之主要優點在於例如並非(僅)一光阻劑層負責將電解質及/或電流分佈導引至待鍍覆表面元件(在µm範圍內之微觀尺度上)。屏蔽本體負責導引已在宏觀尺度上之電解質及/或電流分佈以使微觀尺度變得更有影響力。屏蔽本體亦可被視為一額外鍍覆遮罩且可容許使電解質及/或電流密度集中於已在基板之一近距離內(例如，在上游高達幾毫米之上游)之重要表面區域，且藉此可在奈米範圍尺度內實現最終鍍覆結果之更高鍍覆效率及均勻性。
屏蔽本體可被理解為具有孔之一板。屏蔽本體之一開口可具有一圓形形狀、一角形狀或一線形狀。一線形開口可具有一筆直、弧形、z字形或波紋形狀或類似者。複數個開口可包括不同形狀或大小之開口之組合或全部可為相同的。一圓形或角形開口可具有0.1 µm至12 µm、較佳0.5 µm至6 µm之一直徑或寬度。一線形開口可具有0.5 µm至6 µm之一長度。相鄰開口彼此之間可具5 µm至80 µm (較佳針對圓形或角形開口)及/或0.1 µm至12 µm (較佳針對線形開口)之一距離。攪動單元可被理解為一電或液壓引擎或類似者。
在一實施例中，屏蔽本體經定位及/或經定尺寸使得屏蔽本體之開口精確或近似對應於待處理之一基板之表面元件。此可被理解為屏蔽本體之開口之數目、位置、大小、形狀及/或類似者經設計以對應於一基板之表面元件之數目、位置、大小、形狀及/或類似者。屏蔽本體之開口之任何數目、位置、大小、形狀(例如，圓形、角形等)及/或類似者係可能的。
例如，可藉由在面向基板之表面上具有較高數目個開口之一屏蔽本體來處理具有較高數目個表面元件之一基板。在一實例中，屏蔽本體經定位及/或經定尺寸使得屏蔽本體之開口對應於待處理之一基板之表面元件，但在尺寸上針對表面元件之一密度進行調整。藉由為對應於表面元件之開口定尺寸及進行配置，可達成對目標表面元件之一準確處理及一基板之一均勻電鍍。可在表面處理開始之前，自動地以及手動地相對於待處理基板之表面元件定位屏蔽本體之開口及/或對其等進行定尺寸。
措辭「近似對應」可被理解為屏蔽本體之開口之一數目、位置、大小、形狀及/或類似者經設計以近似對應於基板之表面元件之一數目、位置、大小、形狀及/或類似者。屏蔽本體之開口之數目、位置、大小、形狀及/或類似者亦可在數目、位置、大小及形狀及/或類似者上略微調整，以改良µm尺度鍍覆結果。例如，對於非常高密度的結構，略微增加或加寬屏蔽本體之開口之數目、位置、大小、形狀及/或類似者對於最終鍍覆均勻性可為有利的。在某些情況中，減少屏蔽本體之開口之數目、位置、大小、形狀及/或類似者亦可為有利的。
此外，屏蔽本體可近似具有待鍍覆基板之大小。更明確言之，屏蔽本體可具有待鍍覆基板之表面之大小，以達成基板之一甚至更均勻電鍍。屏蔽本體亦可比待處理基板寬，以保證製程流體不會從一非所要區域到達基板表面。
在一實施例中，屏蔽本體系統進一步包括經組態以使屏蔽本體連同基板一起相對於一分配本體旋轉之一旋轉單元。在此實施例中，屏蔽本體及基板可在平行軸上旋轉。旋轉單元可使屏蔽本體連同基板一起在與分配本體平行、垂直或成角度之一軸上旋轉。換言之，屏蔽本體或基板可面向分配本體且在平行於穿過分配本體之軸之軸上旋轉。替代地，旋轉單元可使屏蔽本體及基板在與穿過分配本體之軸成角度之一軸上旋轉。角度可在0 o至90 o、較佳45 o之一範圍內。當角度係0 o時，旋轉軸平行於分配本體/基板軸。當角度係90 o時，旋轉軸垂直於分配本體/基板軸。當然，角度可選擇為在0 o與90 o之間的任何值。類似地，角度可選擇為在90 o與180 o之間以用於處理基板之一反面(reverse side)。
在一實施例中，屏蔽本體系統進一步包括經組態以使屏蔽本體連同基板一起相對於一沈積腔室旋轉以進行化學及/或電解表面處理之一旋轉單元。此可被理解為該旋轉單元使屏蔽本體以與基板相同之速度、加速度及/或類似者旋轉。旋轉單元可為一電、液壓或類似引擎。旋轉單元可藉由使基板相對於分配本體及/或沈積腔室旋轉而容許一均勻表面處理(表面元件上之一均勻且徹底的沈積)。屏蔽本體及基板之同時旋轉可容許開口及表面元件在整個程序內保持接合及對準。分配本體及/或沈積腔室可為屏蔽本體系統之部分。
在一實施例中，屏蔽本體系統進一步包括具有用以引導製程流體流及/或一電流密度分佈朝向屏蔽本體之複數個開口的一分配本體。屏蔽本體可以50 µm至12 mm之一距離緊鄰分配本體配置。分配本體可被理解為包括用於一製程流體分配之一開口陣列之一板。又，分配本體可具有將容許製程流體流及/或一電流密度分佈轉移朝向屏蔽本體之任何其他形狀。分配本體可配置於一陽極與屏蔽本體之間，在屏蔽本體之面向該陽極之一側處且在距屏蔽本體50 µm至12 mm之一距離處。屏蔽本體與分配本體之間的距離亦可為100 µm至5 mm，且較佳500 µm至1 mm。因此，製程流體可首先藉由分配本體引導至屏蔽本體上，且從該處穿過屏蔽本體之開口而到達基板上。藉由製程流體至基板上之此兩級引導及/或分配本體與屏蔽本體之間的緊密靠近，可達成對目標表面元件之一更準確表面處理。可選擇分配本體與屏蔽本體之間的距離以確保製程流體流及/或電流密度分佈以一有效方式穿過分配本體及屏蔽本體兩者之開口。
分配本體可具有與基板基本上相同之大小，更明確言之，與基板之面向分配本體之表面相同之大小。因此，製程流體流及/或一電流密度分佈可完全施加至基板之所有部分。
分配本體可為一高速板(HSP)。HSP包括用以將製程流體引導至基板之複數個噴射口及用於使製程流體從基板往回回流且通過HSP之排洩口之複數個排洩口。排洩口緊鄰或圍繞噴射口配置。換言之，存在專用於或指派給一噴射口之至少一排洩口。較佳地，存在專用於或對應於較小數量之噴射口之複數個排洩口。因此，流動路徑相當短及/或流動池相當小。此特定言之係相較於不具有排洩口之先前技術分配本體。其等經由分配本體之敞開邊緣導引回流且因此形成遠更長的流動路徑及/或更大流動池。因此，HSP可容許使製程流體加速及/或更容易控制、平衡及/或均衡朝向基板之電流分佈。
出於相同原因，屏蔽本體可包括經組態以在與朝向基板之方向相反之一方向上引導製程流體之一回流的至少一返回孔隙。該回流改良及加速製程流體之流動。在一實施例中，至少一個返回孔隙具有一孔隙表面，該孔隙表面小於複數個開口之一組合開口表面。複數個開口之組合開口表面可被理解為所有開口表面之一加總。然而，返回孔隙之表面可大於屏蔽本體之組合開口以緩和返回流體流動且防止返回孔隙中發生堵塞。
在一實施例中，屏蔽本體系統進一步包括經組態以將屏蔽本體附接至基板或固持基板之一基板固持件之一附接單元。附接單元可被理解為一機械固定單元，例如，被理解為一或多個螺釘、夾具或類似者。藉由將屏蔽本體系統及基板彼此附接，其等之間的一距離可保持恆定。附接單元可經組態以提供屏蔽本體與基板之間之一預定距離。屏蔽本體系統與基板之間的距離可在幾微米至幾毫米範圍內變化，此取決於需要達成之結果。例如，距離可在50 µm至12 mm之一範圍內。明確言之，屏蔽本體可放置於遠離基板1 mm至5 mm之一距離處。附接單元進一步可在距待鍍覆基板表面之一特定距離內將屏蔽本體附接至攪動單元。藉由將屏蔽本體固定至基板或攪動單元，屏蔽本體能夠與基板同步攪動。同步攪動容許將電解質及/或電流密度分佈連續供應至待鍍覆之基板上之區域(例如，敞開區域)以達成一均勻鍍覆。
在一實施例中，屏蔽本體系統進一步包括經組態以使屏蔽本體相對於基板對準之一對準單元。對準單元可被理解為經組態以控制屏蔽本體與基板之間的一相對移動之一處理器。然而，替代地，對準單元可包括手動處置屏蔽本體及/或基板以使其等相對於彼此對準。在此實例中，一使用者可在運用或不運用藉由對準單元(或處理器)提供之自動對準之情況下對準屏蔽本體與所處理之基板。因此，藉由對準單元對準屏蔽本體及基板亦可包含一自動對準及手動校正兩者。藉由對準屏蔽本體及基板，可在整個程序內使屏蔽本體之開口保持與待鍍覆表面元件對準。因此，化學及/或電解表面處理可在無顯著干擾之情況下繼續進行。在一實例中，對準單元可控制攪動單元以使屏蔽本體相對於基板移動以進行其等之對準。因此，可容許屏蔽本體相對於基板之一自動對準。
在一實例中，基板可包括額外光阻劑圖案(敞開抑或封閉區域)。屏蔽本體之開口可為基板上之光阻劑圖案之一部分(準)或一完整複本。屏蔽本體之對應於基板之光阻劑區域之區域可處於一固體、不可穿透狀態，尤其在基板包括至少一個封閉光阻劑區域時。當基板包括敞開以實現金屬線(例如，銅線)之鍍覆之光阻劑區域時，屏蔽本體包括開口以使電解質及/或鍍覆電流到達待鍍覆基板表面之特定區域。
額外地或替代地，屏蔽本體系統可進一步包括配置於屏蔽本體與基板之間的一模(die)。該模可定位於基板上游之一近距離中(例如，最遠100 µm至1 mm)。模可具有具一圓形形狀、一角形狀或一線形狀之開口。一線形開口可具有一筆直、弧形、z字形或波紋形狀或類似者。一模之開口可包括不同形狀或大小之開口之組合或全部可為相同的。模開口之一大小可等於、小於或大於屏蔽本體之開口之一大小。一圓形或角形模開口可具有0.1 µm至12 µm、較佳0.5 µm至6 µm之一直徑或寬度。一線形模開口可具有0.5 µm至6 µm之一長度。相鄰模開口彼此之間可具5 µm至80 µm (較佳針對圓形或角形模)及/或0.1 µm至12 µm (較佳針對線形模)之一距離。模及模開口可容許將電解質及/或電流密度進一步集中至特定表面區域，且藉此可在微米範圍尺度內實現最終鍍覆結果之更高鍍覆效率及均勻性。
在一實例中，屏蔽本體經組態以取決於待鍍覆基板之一結構而易於被更換。例如，為鍍覆具有較不緻密表面元件之一基板，可選擇具有較少數目個開口或較小開口之一屏蔽本體。可關於數目、位置、大小、形狀及/或類似者改變屏蔽本體之開口以針對變化密度之表面元件進行調整。
在一實例中，屏蔽本體可具有一較佳平板之一形式。然而，屏蔽本體之表面之一形狀可對應於基板之表面之一形狀。例如，當基板具有一平面或彎曲表面時，屏蔽本體亦可具有一平面或彎曲表面。在一實例中，屏蔽本體可包括較佳由一屏蔽本體框架固持之一屏蔽本體部分。
在一實例中，屏蔽本體可由不干擾化學及/或電解表面處理程序之玻璃、石英或任何其他金屬或塑膠材料製成。可選擇材料以避免在屏蔽本體上收集一電荷。
屏蔽本體系統可用於預濕潤系統中。預濕潤系統可包括一旋轉單元。在一實例中，屏蔽本體系統可用於一模具鍍覆應用中。然而，屏蔽本體系統可用於除模具鍍覆應用外之其他應用中。此外，較佳具有旋轉單元之屏蔽本體系統對於具有特定電流密度分佈要求之垂直鍍覆系統以及水平鍍覆系統(例如，在水平處理中)可能特別有利，其中基板(例如，圓形基板)可在一流動中(on-streaming)製程流體(例如，電解質流)上方旋轉。因此，基板之旋轉軸可平行或垂直於分配本體放置於其上之軸。當屏蔽本體在一水平位置中時，旋轉單元可使屏蔽本體在平行於製程流體流之一平面中旋轉。
根據本發明，亦提出用於處理一基板上之表面元件之一屏蔽本體系統之一用途。
在一實施例中，基板之表面元件至少部分具有0.1 µm至12 µm之一厚度。明確言之，表面元件可具有0.5 µm至6 µm之一厚度。
在一實施例中，基板之表面元件係線形。相鄰表面元件彼此之間可具有0.1 µm至12 µm之一距離。明確言之，線形表面元件可具有0.5 µm至6 µm之一厚度。
在一實施例中，基板之表面元件係柱形。相鄰表面元件彼此之間可具有5 µm至80 µm之一距離。明確言之，柱形表面元件可具有10 µm至40 µm之一厚度。
在一實施例中，屏蔽本體具有基本上等於待處理基板之一大小之一大小。相關大小可為基板之面向分配本體之一表面之一大小。然而，屏蔽本體之大小可小於或大於待鍍覆基板表面。
根據本發明，亦提出一種用於在一製程流體中對一基板進行一化學及/或電解表面處理之方法。用於一化學及/或電解表面處理之方法包括以下步驟，不一定按此順序： -   提供一屏蔽本體，其中該屏蔽本體包括複數個開口， -   提供一攪動單元，其中該攪動單元經組態以使該屏蔽本體連同該基板一起相對於一分配本體及/或相對於一沈積腔室垂直及/或水平移動，以進行化學及/或電解表面處理， -   引導製程流體流及/或一電流密度分佈離開該屏蔽本體朝向該基板，及 -   化學地及/或電解地處理該基板之表面元件。
攪動單元可使屏蔽本體連同基板一起移動以確保將製程流體及/或電流密度分佈穿過屏蔽本體之開口引導至基板以到達表面元件。藉由以此一精確方式標定表面元件，可高效地使用製程流體流及/或電流密度分佈且可均勻地鍍覆基板。
在一實施例中，方法可進一步包括使屏蔽本體連同基板一起相對於一分配本體及/或相對於一沈積腔室垂直及/或水平移動以進行化學及/或電解表面處理的一步驟。可取決於基板上之表面元件之結構及/或表面元件如何定位來選擇屏蔽本體及基板一起在一垂直抑或一水平方向上之平行、類似或對應移動。
在一實例中，方法可進一步包括將過量製程流體饋送回至屏蔽本體系統之一步驟。可將來自一返回孔隙之製程流體饋送回至待用於化學及/或電解表面處理之製程流體流中。因此，可高效地使用製程流體。
圖1示意性地且例示性地展示用於一基板1的化學及/或電解表面處理的一製程流體之一屏蔽本體系統10之一實施例。
屏蔽本體系統10包括一屏蔽本體2及一攪動單元(未展示)。屏蔽本體2具有用以引導一製程流體流及/或一電流密度分佈朝向待處理基板1之複數個開口2a。攪動單元經組態以使屏蔽本體2連同基板1一起相對於一分配本體3垂直及/或水平移動。替代地或額外地，攪動單元經組態以使屏蔽本體2連同基板1一起相對於一沈積腔室(未展示)垂直及/或水平移動，以進行化學及/或電解表面處理。
屏蔽本體2經定位及/或經定尺寸使得屏蔽本體2之開口2a對應於待處理之基板1之表面元件1a。屏蔽本體2之數目、位置、大小、形狀及/或類似者經設計以對應於基板1之表面元件1a之數目、位置、大小、形狀及/或類似者。藉由為對應於表面元件1a之開口2a定尺寸及進行配置，確保對目標表面元件1a之一準確處理及基板1之一均勻電鍍。此外，屏蔽本體2近似具有待鍍覆基板1之大小。更明確言之，屏蔽本體2具有待鍍覆基板1之表面之大小，以達成基板1之一甚至更均勻電鍍。
屏蔽本體系統10進一步包括經組態以使屏蔽本體2連同基板1一起相對於分配本體3及/或相對於一沈積腔室(未展示)在一平行軸上旋轉以進行化學及/或電解表面處理的一旋轉單元(未展示)。旋轉單元使屏蔽本體2以與基板1相同之速度、加速度及/或類似者旋轉。旋轉單元藉由使基板1相對於分配本體3及/或沈積腔室旋轉而容許一均勻表面處理(表面元件1a上之一均勻且徹底的沈積)。屏蔽本體2及基板1之同時旋轉容許開口2a及表面元件1a在整個程序內保持接合及對準。
屏蔽本體系統10進一步包括具有用以引導製程流體流及/或一電流密度分佈朝向屏蔽本體2之複數個開口3a的一分配本體3。屏蔽本體2以50 µm至12 mm之一距離緊鄰分配本體3配置。分配本體3係包括用於一製程流體分配之一開口3a陣列之一板。如圖1中所展示，分配本體3配置於一陽極4與屏蔽本體2之間，在屏蔽本體2之面向陽極4之一側處且在距屏蔽本體2 50 µm至12 mm之一距離處。因此，製程流體首先藉由分配本體3引導至屏蔽本體2上，且從該處穿過屏蔽本體2之開口2a而到達基板1上。藉由製程流體至基板1上之此兩級引導，達成對目標表面元件1a之一更準確表面處理。
分配本體3具有與基板1基本上相同之大小，更明確言之，與基板1之面向分配本體3之表面相同之大小。因此，製程流體流及/或一電流密度分佈施加至基板1之所有部分。
圖1展示呈一平板之一形式之屏蔽本體2。屏蔽本體2之平板形狀對應於基板1之形狀。
屏蔽本體2近似具有待鍍覆基板1之大小。更明確言之，屏蔽本體2具有待鍍覆基板1之表面之大小。
圖2示意性地且例示性地展示關於具有複數個圓形及線形開口之一模之一俯視圖。圖2亦可被視為關於具有複數個圓形及線形開口之一屏蔽本體之一俯視圖。此外，圖2可被視為關於具有複數個圓形及線形開口之一基板之一俯視圖。模、屏蔽本體及/或基板經定位及/或經定尺寸使得模、屏蔽本體及/或基板之開口彼此對應。
應注意，本發明之實施例係參考不同標的物進行描述。特定言之，一些實施例係參考方法類型請求項進行描述，而其他實施例係參考器件類型請求項進行描述。然而，熟習此項技術者將從上文及下文描述瞭解，除非另有通知，否則除屬於一種類型之標的物之任何特徵組合之外，亦考量運用本申請案揭示關於不同標的物之特徵之間的任何組合。然而，可組合所有特徵，從而提供超過該等特徵之簡單加總之協同效應。
雖然已在圖式及前文描述中詳細繪示及描述本發明，但此繪示及描述應被視為闡釋性的或例示性的而非限制性的。本發明不限於所揭示實施例。熟習此項技術者可在實踐一所主張發明時自圖式、揭示內容及隨附發明申請專利範圍之研究理解及實現對所揭示實施例之其他變動。
在發明申請專利範圍中，字詞「包括」並不排除其他元件或步驟，且不定冠詞「一」或「一個」並不排除複數個。一單一處理器或其他單元可履行發明申請專利範圍中敘述之數項之功能。某些措施在互不相同的請求項中敘述，但僅就此事實，並不指示此等措施之一組合無法用於獲得好處。發明申請專利範圍中之任何元件符號不應被解釋為限制範疇。
1:基板 1a:表面元件 2:屏蔽本體 2a:開口 3:分配本體 3a:開口 4:陽極 10:屏蔽本體系統
將在下文參考隨附圖式來描述本發明之例示性實施例： 圖1示意性地且例示性地展示根據本發明之用於一基板的化學及/或電解表面處理的一製程流體之一屏蔽本體系統之一實施例。 圖2示意性地且例示性地展示關於具有複數個圓形及線形開口之一模之一俯視圖。
1:基板
1a:表面元件
2:屏蔽本體
2a:開口
3:分配本體
3a:開口
4:陽極
10:屏蔽本體系統

Claims (15)

  1. 一種用於一基板(1)的化學及/或電解表面處理的一製程流體之屏蔽本體系統(10)， 其中該屏蔽本體系統(10)包括一屏蔽本體(2)及一攪動單元， 其中該屏蔽本體(2)包括用以引導一製程流體流及/或一電流密度分佈朝向該待處理基板(1)之複數個開口(2a)，且其中該攪動單元經組態以使該屏蔽本體(2)連同該基板(1)一起相對於一分配本體(3)及/或相對於一沈積腔室垂直及/或水平移動，以進行化學及/或電解表面處理。
  2. 如請求項1之屏蔽本體系統(10)，其中該屏蔽本體(2)經定位及/或經定尺寸使得該屏蔽本體(2)之該等開口(2a)對應於待沈積之該基板(1)之表面元件(1a)。
  3. 如請求項1或2之屏蔽本體系統(10)，其進一步包括經組態以使該屏蔽本體(2)連同該基板(1)一起相對於一分配本體(3)及/或相對於一沈積腔室在一軸上旋轉以進行化學及/或電解表面處理的一旋轉單元。
  4. 如請求項1或2之屏蔽本體系統(10)，其進一步包括具有用以引導該製程流體流及/或該電流密度分佈朝向該屏蔽本體(2)之複數個開口(3a)的一分配本體(3)，其中該屏蔽本體(2)以50 µm至12 mm之一距離緊鄰該分配本體(3)配置。
  5. 如請求項1或2之屏蔽本體系統(10)，其中該屏蔽本體(2)包括經組態以在與朝向該基板(1)之方向相反之一方向上引導該製程流體之一回流的至少一返回孔隙。
  6. 如請求項1或2之屏蔽本體系統(10)，其中該至少一個返回孔隙具有一孔隙表面，該孔隙表面小於該屏蔽本體(2)之該複數個開口(2a)之一組合開口表面。
  7. 如請求項1或2之屏蔽本體系統(10)，其進一步包括經組態以將該屏蔽本體(2)附接至該基板(1)或固持該基板(1)之一基板固持件的一附接單元。
  8. 如請求項1或2之屏蔽本體系統(10)，其進一步包括經組態以使該屏蔽本體(2)相對於該基板(1)對準之一對準單元。
  9. 一種如請求項1之用於在一基板(1)上沈積表面元件(1a)之屏蔽本體系統(10)之用途。
  10. 如請求項9之用途，其中該基板(1)之表面元件(1a)至少部分具有0.1 µm至12 µm之一厚度。
  11. 如請求項9或10之用途，其中該等表面元件(1a)係線形，且其中相鄰表面元件(1a)彼此之間具有0.1 µm至12 µm之一距離。
  12. 如請求項9或10之用途，其中該等表面元件(1a)係柱形，且其中相鄰表面元件(1a)彼此之間具有5 µm至80 µm之一距離。
  13. 如請求項9或10之用途，其中該屏蔽本體系統之一屏蔽本體(2)具有基本上等於該基板(1)之一大小之一大小。
  14. 一種用於在一製程流體中對一基板(1)進行一化學及/或電解表面處理之方法，該方法包括： 提供一屏蔽本體(2)，其中該屏蔽本體(2)包括複數個開口(2a)， 提供一攪動單元，其中該攪動單元經組態以使該屏蔽本體(2)連同該基板(1)一起相對於一分配本體(3)及/或相對於一沈積腔室垂直及/或水平移動，以進行化學及/或電解表面處理， 引導一製程流體流及/或一電流密度分佈離開該屏蔽本體(2)朝向該基板(1)，及 化學地及/或電解地處理該基板(1)之表面元件(1a)。
  15. 如請求項14之方法，其進一步包括使該屏蔽本體(2)連同該基板(1)一起相對於一分配本體(3)及/或相對於一沈積腔室垂直及/或水平移動，以進行化學及/或電解表面處理。
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