TW202212961A - 用於微影裝置之護膜薄膜 - Google Patents

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Abstract

本發明描述一種用於一微影裝置之光學元件，該光學元件包含經選擇以支撐一頂部層之一錨定層，該頂部層在一運行微影裝置或含有電漿之環境中具有自終止生長。亦描述一種製造一光學元件之方法，該方法包含以下步驟：經由曝露於電漿，較佳地電磁誘發之電漿而將一頂部層沈積於錨定層上。亦描述包含此類光學元件之微影裝置。

Description

用於微影裝置之護膜薄膜
本發明係關於一種用於微影裝置之光學元件、一種用於微影裝置之總成及一種護膜薄膜在微影裝置或方法中之用途。本發明亦係關於製造光學元件及護膜薄膜之方法以及用於微影裝置及方法之護膜薄膜。
微影裝置為經建構以將所要圖案塗覆至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將來自圖案化器件(例如遮罩)之圖案投影至設置於基板上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
由微影裝置使用以將圖案投影至基板上之輻射的波長判定可形成於彼基板上之特徵的最小大小。與習知微影裝置(其可(例如)使用波長為193 nm之電磁輻射)相比，使用EUV輻射(波長在4至20 nm範圍內之電磁輻射)之微影裝置可用於在基板上形成較小特徵。
微影裝置包括圖案化器件(例如，遮罩或倍縮光罩)。輻射經提供成穿過圖案化器件或自圖案化器件反射以在基板上形成影像。薄膜總成(亦稱為護膜)可經提供成保護圖案化器件免受空浮微粒及其他形式之污染的影響。圖案化器件之表面上的污染可造成基板上之製造缺陷。
亦可提供護膜以用於保護除圖案化器件之外的光學組件。護膜亦可用於在微影裝置之彼此密封的區之間提供用於微影輻射之通路。護膜亦可用作濾光器(諸如光譜純度濾光器)或用作微影裝置之動態氣鎖的部分。
遮罩總成可包括保護圖案化器件(例如遮罩)免受微粒污染的影響之護膜。護膜可由護膜框架支撐，從而形成護膜總成。可例如藉由將護膜邊界區膠合或以其他方式附接至框架來將護膜附接至框架。框架可永久地或可拆卸地附接至圖案化器件。
由於護膜存在於EUV輻射光束之光學路徑中，因此需要護膜具有高EUV透射率。高EUV透射率允許更大比例之入射輻射穿過護膜。另外，減少由護膜吸收之EUV輻射的量可降低護膜之運行溫度。由於透射率至少部分地取決於護膜之厚度，因此需要提供在保持足以耐受微影裝置內之有時不利的環境之可靠強度的同時儘可能薄的護膜。
因此，需要提供一種能夠耐受微影裝置(特定言之，EUV微影裝置)之惡劣環境的護膜。尤其需要提供能夠耐受比先前更高的功率之護膜。
儘管本申請案大體上係關於在微影裝置(特定言之，EUV微影裝置)之內容背景中的護膜，但本發明並非僅限於護膜及微影裝置，且應瞭解，本發明之主題可用於任何其他合適的裝置或情形中。
舉例而言，本發明之方法可同樣應用於光譜純度濾光器。一些EUV源(諸如使用電漿產生EUV輻射之彼等EUV源)不僅發射所需『帶內』EUV輻射，而且亦發射非所需(帶外)輻射。此帶外輻射最顯著地處於深UV (DUV)輻射範圍(100至400 nm)內。此外，在一些EUV源(例如雷射產生電漿EUV源)之情況下，來自雷射之通常在10.6微米下之輻射呈現顯著的帶外輻射。
在微影裝置中，出於若干原因而需要光譜純度。一種原因為抗蝕劑對帶外波長之輻射敏感，且因此施加至抗蝕劑之圖案的影像品質可在抗蝕劑曝露於此帶外輻射之情況下劣化。此外，帶外輻射紅外輻射(例如一些雷射產生電漿源中之10.6微米輻射)引起對微影裝置內之圖案化器件、基板及光學器件之非所需且不必要的發熱。此發熱可導致此等元件損壞、此等元件之壽命降低及/或投影至抗蝕劑塗佈基板上及施加至抗蝕劑塗佈基板之圖案的缺陷或失真。
典型的光譜純度濾光器可例如由塗佈有諸如鉬之反射金屬的矽基礎結構(例如矽柵格，或具備孔徑之其他部件)形成。在使用中，典型光譜純度濾光器可經受來自例如入射紅外及EUV輻射之高熱負荷。熱負荷可導致光譜純度濾光器之溫度高於800℃。在高熱負荷下，塗層可由於反射鉬塗層與底層矽支撐結構之間的線性膨脹係數的差而分層。矽基礎結構之分層及分解因存在氫而加速，氫通常用作在使用光譜純度濾光器以便抑制碎屑(例如，諸如微粒或類似者之碎屑)進入或離開微影裝置之某些部分的環境中之氣體。因此，光譜純度濾光器可用作護膜，且反之亦然。因此，本申請案中對『護膜』之參考亦為對『光譜純度濾光器』之參考。儘管在本申請案中主要參考護膜，但所有特徵可同樣應用於光譜純度濾光器。
另外或替代地，本發明係關於微影裝置或其他裝置之諸如鏡面的光學元件，在該等微影裝置或其他裝置中，諸如鏡面或窗口之光學元件曝露於電漿環境。
本發明已經設計成試圖解決以上所識別之問題中的至少一些。
根據本發明之一第一態樣，提供一種用於一微影裝置之光學元件，該光學元件包含經選擇以支撐一頂部層之一錨定層，該頂部層在一運行微影裝置中具有自終止生長。
現有光學元件使用釕金屬薄層來防止在EUV輻射及電漿之影響下的化學降解。釕在某種程度上為化學惰性的且形成較薄原生氧化物層，該原生氧化物層在曝露於EUV激發之氫電漿時易於還原。亦可包括氧化鋯層以防止釕層在使用時起泡。
使用釕之一個缺點為其傾向於催化分解諸如矽及磷之材料的揮發性氫化合物。此類化合物之分解將此類材料沈積於釕表面上。此減小鏡面之反射率或減小護膜之透射率，此意謂需要增加源功率以維持相同掃描器產出量，或該掃描器的產出量隨時間而減小。需要解決此缺點。儘管可添加不形成揮發性氫化合物之二氧化鋯層，但二氧化鋯不在運行微影裝置中所見之條件下產生且可隨時間而改變形態。因而，二氧化鋯之保護效果隨時間而降低。此外，釕不可保護底層免受所有條件下之氧化。
已出人意料地發現，有可能在光學元件中提供錨定層，該錨定層支撐在運行微影裝置中使用時具有自終止生長之頂部層。此等自終止頂部層出人意料地對藉由氫離子及自由基之蝕刻具有抗性，且亦對在微影裝置中之曝露期間非所需額外材料(諸如矽)的沈積具有抗性。已發現該自終止頂部層由於沈積於其上之其他材料而在厚度上不會生長超出既定點，且其由於藉由電漿之蝕刻在厚度上亦不會收縮。因而，此形式之塗層對微影裝置及方法極其重要，此係由於光學元件之效能將不會隨時間而改變且其在運行條件下為穩定的。實驗已展示，若不可能藉由電漿蝕刻移除此類層，則此類自限制生長層為極困難的。
該光學元件可進一步包含一基板層。該基板層可包含矽、碳、石英及藍寶石中之一或多者。矽常用作光學元件(尤其係用於微影中之光學元件)中之基板，此係由於其具有高EUV透射率且能夠耐受運行微影裝置內之條件。碳(較佳地呈可為單壁、雙壁或多壁之奈米管的形式)亦可由於其能夠耐受極高溫而用作基板，石英及藍寶石為常用於微影裝置之鏡面及查看窗口以及產生電漿之其他裝置中的材料。藍寶石窗口一般為極抗蝕刻性的，但在一些情況下，石英為較佳的，因此，石英之蝕刻可能存在問題。在任一情況下，污染物(諸如矽)之沈積可為問題。基板可為鏡面多層堆疊。
該光學元件亦可包含一潤濕層。該潤濕層可包含選自由以下組成之群組中之一或多種元素：鉻、鈦及鉬。潤濕層可包含此等金屬中之一或多者的氮化物。潤濕層較佳地安置於更靠後的基板與錨定層之間。潤濕層阻止或減小沈積於潤濕層上方之金屬錨定層的熱脫濕作用。適合之潤濕層具有高氧親和力，其引起通常用作基板之氧化矽層的鈍化。另外，潤濕層充分黏結至所沈積上覆層，此致使表面遷移減弱。潤濕材料具有原子，該等原子具有較大原子半徑，該較大原子半徑致使至該等基板材料中之原子遷移減弱。
可視待應用光學元件之應用而定來選擇潤濕層厚度。對於護膜，潤濕層之厚度需要在仍執行潤濕層之功能的同時儘可能地薄。較佳地，潤濕層之厚度為5 nm或更小。潤濕層之厚度可為2 nm或更小。潤濕層之厚度可為1 nm或更小。潤濕層之厚度可為0.5 nm或更小。
該光學元件可包括該頂部層。該頂部層可包含選自由以下組成之群組中之一或多種元素：Si、Ge、Sn、B、P、Mg及Al。該頂部層可包含此類元素中之一或多者的一氧化物。
該錨定層及該頂部層可形成一電漿蝕刻障壁。已發現，具有自終止生長之電漿蝕刻障壁對藉由電漿之沖蝕或攻擊尤其具有抗性。
該錨定層包含選自由以下組成之清單中之一或多種元素：鉑、釕、鋨、銠、銥及鈀。錨定層充當自限制頂部層之黏附劑。已發現，並非所有元素皆可充當合適的錨定層，此係由於其不會產生在電漿環境中具有自限制生長及高穩定性之頂部層。
該光學元件可為一護膜總成或一鏡面。護膜總成可為用於微影裝置(諸如EUV微影裝置或使用波長比EUV更長或更短之光的微影裝置)之護膜總成。類似地，鏡面可為用於微影裝置之鏡面，諸如場琢面鏡面。
根據本發明之一第二態樣，提供一種製造一光學元件之方法，該方法包含以下步驟：經由曝露於電漿而將一頂部層沈積於一錨定層上。較佳地，該電漿為電磁誘發之電漿，亦即，藉由曝露於電磁輻射而形成之電漿。
應瞭解，本發明之第一態樣之特徵可與第二態樣的彼等特徵組合，且反之亦然。
根據本發明之第二態樣之方法允許製造在用於運行微影裝置中時顯示自限制生長之光學元件。
該頂部層可包含選自由以下組成之群組中之一或多種元素：矽、鍺、錫、鉛、硼、磷、鎂及鋁。
該潤濕層可包含選自由以下組成之群組中之一或多種元素：鉻、鈦及鉬。潤濕層可包含此類元素之氮化物。
該錨定層可包含選自由以下組成之群組中之一或多種元素：Pt、Ru、Os、Rh、Ir及Pd。
光學元件可包含相對於本發明之第一態樣提及之基板中的任一者。
光學元件可包括選自由以下組成之清單中的錨定層-頂部層組合：[Ru-SiO x]、[Pt-SiO x]、[Rh-SiO x]、[Ru-GeO x]、[Rh-GeO x]、[Ru-SnO x]及[Rh-SnO x]。錨定層與頂部層之此等組合顯示對藉由氫電漿之蝕刻的抗性以及在微影裝置內之自限制生長。
根據任一前述技術方案之光學元件，其中光學元件包括碳奈米管基板、鉬潤濕層、釕錨定層以及氧化矽頂部層。碳奈米管可為單壁碳奈米管。層之此組合亦顯示對藉由氫電漿之蝕刻的有利抗性以及頂部層在用於微影裝置期間之自限制生長。
根據本發明之一第三態樣，提供一種根據本發明之該第二態樣的該方法製造之光學元件。光學元件可適用於微影裝置，諸如EUV微影裝置。該光學元件可為一護膜或一鏡面。
根據本發明之一第四態樣，提供一種用於一微影裝置之護膜薄膜，該護膜薄膜包括一非揮發性犧牲材料。
應瞭解，相對於本發明之第四態樣描述之護膜薄膜可經包括於本發明之第一態樣或第三態樣的光學元件中，或至少部分地藉由根據本發明之第二態樣之方法製造。
應瞭解，護膜薄膜之某些層或部分可在用於微影裝置期間損壞。舉例而言，包含矽及矽化合物之護膜薄膜顯示氫誘發之排氣。氫能夠移除原生氧化物層且接著與矽核心反應以釋放氣態矽烷。類似地，碳基護膜可藉由曝露於氫電漿而經腐蝕。需要防止蝕刻護膜薄膜，此係由於此可能會導致薄膜之弱化且可能會發生故障。需要延長護膜薄膜之壽命以確保微影裝置之最大工作時間量。根據本發明之第四態樣，提供一種非揮發性犧牲材料作為護膜薄膜的部分，非揮發性犧牲材料保護護膜薄膜之其他部分免受腐蝕影響。因而，犧牲此等材料以防止或減少其他材料之降解。非揮發性意謂此等材料在其氧化、天然或還原形式下不為氣態的。舉例而言，矽烷在環境溫度及壓力下為氣態，因此其被認為係揮發性的。相比之下，金屬銀及氧化銀在環境溫度下均為固體。犧牲應理解為意謂此材料較佳地由電漿攻擊且因此犧牲以保護護膜薄膜之剩餘部分。
根據本發明之第四態樣的光學元件可包括相對於本發明之第一態樣描述的特徵中之任一者。
該非揮發性犧牲材料可包含比該薄膜中之至少一種其他材料具有一更高的氧化還原電位之一材料。因而，非揮發性犧牲材料可比要被保護之材料具有一更高的氧化還原電位。
氧化還原電位可為正或負。在本申請案中，較高氧化還原電位意謂更正之氧化還原電位。舉例而言，無關於電位之絕對量值，-0.1 V之氧化還原電位高於-0.8 V之氧化還原電位，且正氧化還原電位高於負氧化還原電位。
在微影裝置之環境內，存在高度還原性氛圍，且因此諸如碳及矽之材料可易於分別還原成矽烷及烴。藉由提供具有更正的反應電位之犧牲材料，犧牲材料較佳地經還原，且因此，其他材料(諸如矽或碳)受到保護。因而，較佳地為，犧牲材料比矽或碳具有更高(更正)的氧化還原電位，相對於自元素矽或碳還原成矽烷或甲烷，該矽或碳具有為-0.14 V及+0.13 V之各別氧化還原電位。較佳地，犧牲材料之氧化及還原形式為非揮發性的，使得其未經釋放至微影裝置之氛圍中，此係由於其可接著達至裝置之另一部分且造成損害或效能之損失。
發生於運行微影裝置中之氧化還原反應之實例包括：
Figure 02_image001
用於還原氧化矽之反應電位為-0.91 V。用於還原矽之反應電位為-0.14 V。用於還原碳之反應電位為+0.13 V。用於還原氧化釕之反應電位為+0.68 V。因而，在包含此等元素/化合物之系統中，釕氧化物將為首先經還原的，此係由於其具有最正的還原電位，且因此具有針對電子之更大親和力及具有待還原之傾向。
非揮發性犧牲材料可具有比護膜薄膜之另一材料高至少0.35 V之氧化還原電位。特定言之，氧化還原電位可比在護膜薄膜中需要受保護之材料(諸如矽或碳)高至少0.35 V。
非揮發性犧牲材料及/或其與氫之反應產物較佳地在空氣中為穩定的。亦即，除產生較薄原生氧化物層之外，犧牲材料不會在環境條件下在空氣中快速(在幾分鐘或幾秒內)反應。非揮發性犧牲材料及/或其與氫之反應產物較佳地在運行微影裝置之氛圍內為穩定的。舉例而言，在犧牲材料為金屬氧化物之情況下，金屬氧化物及其經氫還原之金屬產物為非揮發性的。
該非揮發性犧牲材料可包含選自由以下組成之清單中之元素中之一或多者：銀、金、鉑、鐵、錳及碲。材料可包含此類元素之氧化形式，諸如氧化物。此等材料之氧化物比矽及碳具有更正的氧化還原電位且因此首先經還原，由此保護矽及碳。
非揮發性犧牲材料可包含可藉由氫電漿還原成金屬元素之氧化物。此等材料藉由與護膜薄膜之其他材料相比更容易與氫反應而較佳地經還原，且因此其他材料未經腐蝕或與其他情況相比至少以低得多的速率經腐蝕。此又延長護膜薄膜之操作壽命。
該薄膜可經組態以具有與一微影裝置之電漿環境直接接觸之該非揮發性犧牲材料。因而，非揮發性犧牲材料可位於護膜薄膜之表面上。因而，犧牲材料能夠與氫電漿反應以保護護膜薄膜之剩餘部分。
該非揮發性犧牲材料可呈一連續或不連續層的形式。該非揮發性犧牲層可呈一離散島狀物及/或顆粒的形式。犧牲材料不必設置於護膜薄膜之整個範圍內，此係由於犧牲材料能夠保護護膜薄膜之比犧牲材料所覆蓋之區域更大的區域。另外，由於需要具有護膜薄膜之高透射率，因此在並非必需時，可不需要包括額外材料層。不連續層或島狀物/顆粒之使用允許薄膜保持高透射率，同時亦受益於非揮發性犧牲材料之保護效果。
該非揮發性犧牲材料經提供於一運行微影裝置之該主光路徑外部的該薄膜之一區域中。應瞭解，護膜薄膜處於用於微影裝置之光的路徑中。光並未跨護膜薄膜之整個表面均勻地分佈。替代地，存在經歷最高強度的光之區域。由於需要允許最大量之光穿過護膜薄膜，因此亦需要在最大光強度之區域中存在最大透射率。因此，該非揮發性犧牲材料較佳地遠離最大光強度之區域定位。以此方式，實現犧牲材料之有利效果且管理透射率之下降。
該非揮發性犧牲材料可經提供於該護膜薄膜之一邊界區中。由於最大強度之光穿過護膜薄膜之中心區，因此將犧牲材料定位於圍繞中心區之區域中限制了藉由添加犧牲材料而導致之透射率下降。
根據本發明之第四態樣的護膜薄膜可形成本發明之第一態樣的光學元件之部分。
根據本發明之一第五態樣，提供一種護膜總成，其包括根據本發明之該第四態樣之該護膜薄膜。
根據本發明之一第六態樣，提供一種根據本發明之任一態樣的一光學元件或護膜薄膜在一微影裝置或方法中之用途。
根據本發明之一第七態樣，提供一種微影裝置，其包含根據本發明之任一態樣之一光學元件或護膜薄膜。
應瞭解，相對於一個實施例描述之特徵可與相對於另一實施例描述的任何特徵組合，且本文中明確地考慮並揭示所有此類組合。
圖1展示根據本發明之包括護膜15 (亦稱為薄膜總成)之微影系統。微影系統包含輻射源SO及微影裝置LA。輻射源SO經組態以產生極紫外線(EUV)輻射光束B。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如，遮罩)之支撐結構MT、投影系統PS及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節該輻射光束B。投影系統經組態以將輻射光束B (現由遮罩MA圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成的圖案。在此情況下，微影裝置使經圖案化輻射光束B與先前形成於基板W上之圖案對準。在此實施例中，護膜15經描繪於輻射之路徑中且保護圖案化器件MA。應瞭解，護膜15可位於任一所需位置中且可用於保護微影裝置中之鏡面中的任一者。
輻射源SO、照明系統IL及投影系統PS可皆經建構及配置成使得其可與外部環境隔離。處於低於大氣壓力之壓力下之氣體(例如，氫)可提供於輻射源SO中。真空可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。處於遠低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如，氫)可提供於照明系統IL及/或投影系統PS中。
圖1所展示之輻射源SO係屬於可稱為雷射產生電漿(LPP)源之類型。可為例如CO 2雷射之雷射經配置以經由雷射光束將能量沈積至自燃料發射器提供之諸如錫(Sn)的燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適的燃料。燃料可例如呈液體形式，且可為例如金屬或合金。燃料發射器可包含噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區之軌跡導引例如呈小滴之形式的錫。雷射光束在電漿形成區處入射於錫上。雷射能量至錫中之沈積在電漿形成區處產生電漿。在電漿之離子的去激發及再結合期間自電漿發射包括EUV輻射之輻射。
EUV輻射係由近正入射輻射收集器(有時更一般地稱為正入射輻射收集器)收集及聚焦。收集器可具有經配置以反射EUV輻射(例如具有諸如13.5 nm之所需波長的EUV輻射)的多層結構。收集器可具有橢圓形組態，其具有兩個橢圓焦點。第一焦點可在電漿形成區處，且第二焦點可在中間焦點處，如下文所論述。
雷射可與輻射源SO分離。在此情況下，雷射光束可藉助於包含例如合適之導向鏡及/或擴束器及/或其他光學器件之光束遞送系統(未展示)而自雷射傳遞至輻射源SO。雷射及輻射源SO可一起被認為係輻射系統。
由收集器反射之輻射形成輻射光束B。輻射光束B聚焦於一點處以形成電漿形成區之影像，該影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射光束B聚焦之點可稱為中間焦點。輻射源SO經配置成使得中間焦點位於輻射源之圍封結構中的開口處或附近。
輻射光束B自輻射源SO傳遞至照明系統IL中，該照明系統IL經組態以調節輻射光束。照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起為輻射光束B提供所需橫截面形狀及所需角分佈。輻射光束B自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化器件MA上。圖案化器件MA反射及圖案化輻射光束B。除琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11之外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。
在自圖案化器件MA反射之後，經圖案化輻射光束B進入投影系統PS。投影系統包含複數個鏡面13、14，該複數個鏡面經組態以將輻射光束B投影至由基板台WT固持之基板W上。投影系統PS可將縮減因數應用於輻射光束，從而形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。例如，可應用為4之縮減因數。儘管在圖1中投影系統PS具有兩個鏡面13、14，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。
圖1中所展示之輻射源SO可包括未說明之組件。舉例而言，光譜濾光器可經設置於輻射源中。光譜濾光器可基本上透射EUV輻射，但基本上阻擋其他波長之輻射，諸如，紅外輻射。
在實施例中，薄膜總成15為用於EUV微影之圖案化器件MA的護膜。本發明之薄膜總成15可用於動態氣鎖或用於護膜或用於另一目的。在實施例中，薄膜總成15包含由至少一個薄膜層形成之薄膜，該至少一個薄膜層經組態以透射至少90%的入射EUV輻射。為確保最大化的EUV透射且最小化的對成像效能之影響，較佳地係僅在邊界處支撐薄膜。
若圖案化器件MA未受保護，則污染可能需要清潔或捨棄圖案化器件MA。清潔圖案化器件MA會中斷寶貴的製造時間，且捨棄圖案化器件MA係成本高的。替換圖案化器件MA亦會中斷寶貴的製造時間。
圖2描繪根據本發明之護膜薄膜的實施例。護膜總成15包括通常描繪為16之護膜薄膜。護膜薄膜16包括基板17。基板17通常比構成護膜薄膜16之其他層更厚。圖2之描繪為例示性的且不指示各種層之真實相對厚度。基板17通常為矽或碳，其可呈碳奈米管形式。潤濕層18安置於基板17上。潤濕層17用於減小或消除上覆錨定層19之脫濕作用。自限制頂部層20安置於錨定層19上。錨定層19與自限制頂部層20之間的斜線描繪兩個層之間的強結合，其用於防止蝕刻自限制頂部層20。
圖3描繪根據本發明之護膜薄膜的實施例。特定言之，圖3描繪包含碳奈米管(CNT)基板22之護膜薄膜之一部分。碳奈米管22具有中空核心26。所描繪實施例為單壁碳奈米管，但應瞭解，雙壁及多壁碳奈米管亦為可能之基板。在所描繪實施例中，CNT具有大約10 nm之直徑，但本發明不特定限制於此直徑且可使用其他直徑。鉬潤濕層23安置於CNT基板22上。鉬層之厚度為大約0.1 nm至大約1 nm的厚度。鉬層充當潤濕層以阻止或基本上降低上覆錨定層24脫濕之傾向。在所描繪實施例中，錨定層24包含釕。釕層之厚度為大約2 nm至大約4 nm。自終止非可蝕刻頂部層25經設置於錨定層24上。在所描繪實施例中，自終止非可蝕刻頂部層25包含氧化矽。氧化矽層之厚度為大約1 nm至大約2.5 nm的厚度。具有此組態之護膜薄膜展現對微影裝置中之蝕刻的幾乎完全抗性且亦具有超過90%之EUV透射率以及超過50%之熱發射率。因而，包含此薄膜之護膜裝置在微影裝置(特定言之，EUV微影裝置)中具有有利的機械壽命以及對電漿之改良的抗蝕刻性。 實例
以下實例提供本發明之特定實施例。此等實例並不意欲限制本發明之範疇。
下表包括尤其適用於抵抗微影裝置中之蝕刻的錨定層與自限制頂部層之組合。
錨定層 自限制頂部層 ( 及 其氧化物 )
釕 Si、Ge、Sn、B、P、Mg或Al
鉑 Si、Ge、Sn、B、P、Mg或Al
銠 Si、Ge、Sn、B、P、Mg或Al
鋨 Si、Ge、Sn、B、P、Mg或Al
銥 Si、Ge、Sn、B、P、Mg或Al
鈀 Si、Ge、Sn、B、P、Mg或Al
已發現，釕錨定層與氧化矽頂部層以及鉑錨定層與氧化矽頂部層之組合對於微影裝置中之蝕刻尤其穩定。
另一方面，已發現，鋁錨定層之銅不提供對蝕刻具有抗性的相同自限制生長頂部層。
儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述不同之其他方式來實踐本發明。
以上描述意欲為說明性的，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡述之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
10:琢面化場鏡面器件 11:琢面化光瞳鏡面器件 13:鏡面 14:鏡面 15:護膜/薄膜總成 16:護膜薄膜 17:基板 18:潤濕層 19:上覆錨定層 20:自限制頂部層 22:碳奈米管 23:鉬潤濕層 24:錨定層 25:自終止非可蝕刻頂部層 26:中空核心 B:輻射光束 IL:照明系統 LA:微影裝置 MA:圖案化器件 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台
現在將參考隨附示意性圖式僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應附圖標號指示對應部分，且在該等圖式中：
圖1描繪根據本發明之實施例的微影裝置；
圖2為根據本發明之實施例的光學元件之示意性描繪；以及
圖3為根據本發明之實施例的光學元件之一部分的示意性描繪。
根據下文結合圖式所闡述之詳細描述，本發明之特徵及優點將變得更顯而易見，在該等圖式中，相同附圖標號始終識別對應元件。在該等圖式中，相同附圖標號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。
22:碳奈米管
23:鉬潤濕層
24:錨定層
25:自終止非可蝕刻頂部層
26:中空核心

Claims (29)

  1. 一種用於一微影裝置之光學元件，該光學元件包含經選擇以支撐一頂部層之一錨定層，該頂部層在一運行微影裝置或含有電漿之環境中具有自終止生長。
  2. 如請求項1之光學元件，該光學裝置進一步包含一基板層。
  3. 如請求項1或2之光學元件，該光學裝置進一步包含一潤濕層。
  4. 如請求項1或2之光學元件，該光學元件包括該頂部層。
  5. 如請求項1或2之光學元件，其中該錨定層及該頂部層形成一電漿蝕刻障壁。
  6. 如請求項1或2之光學元件，其中該基板層包含矽、碳、石英及藍寶石中之一或多者。
  7. 如請求項1或2之光學元件，其中該頂部層包含選自由以下組成之群組中的一或多種元素：Si、Ge、Sn、B、P、Mg及Al，視情況，其中該頂部層包含此類元素中之一或多者的一氧化物。
  8. 如請求項1或2之光學元件，其中該潤濕層包含選自由以下組成之群組中的一或多種元素：Cr、Ti及Mo，視情況，其中該潤濕層包含TiN。
  9. 如請求項1或2之光學元件，其中該錨定層包含選自由以下組成之群組中的一或多種元素：Pt、Ru、Os、Rh、Ir及Pd。
  10. 如請求項1或2之光學元件，其中該光學元件為一護膜總成或一鏡面。
  11. 如請求項1或2之光學元件，其中該光學元件包括選自由以下組成之清單中的一錨定層-頂部層組合：[Ru-SiO x]、[Pt-SiO x]、[Rh-SiO x]、[Ru-GeO x]、[Rh-GeO x]、[Ru-SnO x]及[Rh-SnO x]。
  12. 如請求項2之光學元件，其中該基板包含碳奈米管、一潤濕層、一錨定層以及具有自終止生長之一頂部層，諸如塗佈有一鉬潤濕層、一釕錨定層以及一氧化矽頂部層的碳奈米管。
  13. 一種製造一光學元件之方法，該方法包含以下步驟： 經由曝露於電漿，較佳地電磁誘發之電漿而將一頂部層沈積於錨定層上。
  14. 如請求項13之方法，其中該頂部層包含選自由以下組成之群組中之一或多種元素：Si、Ge、Sn、B、P、Mg及Al，且/或其中該潤濕層包含選自由以下組成之群組中的一或多種元素：Cr、Ti及Mo，視情況，其中該潤濕層包含TiN；且/或其中該錨定層包含選自由以下組成之群組中之一或多種元素：Pt、Ru、Os、Rh、Ir及Pd。
  15. 一種光學元件，其根據如請求項13或14之方法製造。
  16. 一種用於一微影裝置之護膜薄膜，該護膜薄膜包括一非揮發性犧牲材料。
  17. 如請求項16之護膜薄膜，其中該非揮發性犧牲材料包含比該薄膜中之至少一種其他材料具有一更高的氧化還原電位之一材料。
  18. 如請求項17之護膜薄膜，其中該非揮發性犧牲材料具有比該護膜薄膜之另一材料大至少0.35 V之一氧化還原電位。
  19. 如請求項16至18中任一項之護膜薄膜，其中該非揮發性犧牲材料包含選自由以下組成之清單中的元素中之一或多者：銀、金、鉑、鐵、錳及碲。
  20. 如請求項19之護膜薄膜，其中該非揮發性犧牲材料為一氧化形式，諸如一氧化物。
  21. 如請求項16至18中任一項之護膜薄膜，其中該薄膜經組態以具有與一微影裝置之電漿環境直接接觸的該非揮發性犧牲材料。
  22. 如請求項16至18中任一項之護膜薄膜，其中該非揮發性犧牲材料呈一連續或不連續層的形式。
  23. 如請求項16至18中任一項之護膜薄膜，其中該非揮發性犧牲材料呈離散島狀物及/或顆粒的形式。
  24. 如請求項16至18中任一項之護膜薄膜，其中該非揮發性犧牲材料經提供於該薄膜的位於一運行微影裝置之一主光路徑外部之區域中。
  25. 如請求項16至18中任一項之護膜薄膜，其中該非揮發性犧牲材料經提供作為該護膜薄膜之一邊界部分。
  26. 如請求項16至18中任一項之護膜薄膜，其中該護膜薄膜形成如請求項1至12中任一項之光學元件的部分。
  27. 一種用於一微影裝置中之護膜總成，該護膜總成包括如請求項16至25中任一項之護膜薄膜。
  28. 一種如請求項1至12中任一項之光學元件或如請求項16至26中任一項之護膜薄膜在一微影裝置或方法中之用途。
  29. 一種微影裝置，其包含如請求項1至12中任一項之光學元件或如請求項16至26中任一項之護膜薄膜。
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