KR20230016185A - 리소그래피 장치를 위한 펠리클 멤브레인 - Google Patents

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KR20230016185A
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조메르 실베스터 호우벨링
볼커 디륵 힐덴브란트
알렉산더 루트비히 클레인
폴 알렉산더 베르묄렌
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

리소그래피 장치를 위한 광학 소자가 설명되고, 상기 광학 소자는 작동 중인 리소그래피 장치 또는 플라즈마 함유 환경에서 자기 종결적 성장을 갖는 최상층을 지지하도록 선택된 앵커층을 포함한다. 또한, 광학 소자를 제조하는 방법이 설명되고, 상기 방법은 플라즈마, 바람직하게는 전자기적으로 유도된 플라즈마에의 노출을 통해 앵커층 상에 최상층을 퇴적시키는 단계를 포함한다. 그러한 광학 소자들을 포함하는 리소그래피 장치들도 설명된다.

Description

리소그래피 장치를 위한 펠리클 멤브레인
관련 출원들에 대한 상호 참조
본 출원은 2020년 5월 26일자로 출원된 EP 출원 제20176421.4호의 우선권을 주장하며, 해당 출원은 그 전체가 인용에 의해 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 리소그래피 장치를 위한 광학 소자, 리소그래피 장치를 위한 어셈블리, 및 리소그래피 장치 또는 방법에서의 펠리클 멤브레인의 사용에 관한 것이다. 본 발명은 또한 광학 소자들 및 펠리클 멤브레인들을 제조하는 방법들뿐만 아니라, 리소그래피 장치들 및 방법들을 위한 펠리클 멤브레인들에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에 원하는 패턴을 적용하도록 구성된 머신이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어, 집적 회로들(IC들)의 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는 예를 들어 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)로부터의 패턴을 기판 상에 제공된 방사선 민감 재료(레지스트)의 층 상에 투영할 수 있다.
기판 상에 패턴을 투영하기 위해 리소그래피 장치에 의해 사용되는 방사선의 파장은 해당 기판 상에 형성될 수 있는 피처들의 최소 크기를 결정한다. 4-20nm 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선인 EUV 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는 종래의 리소그래피 장치(예를 들어 193nm의 파장을 갖는 전자기 방사선을 사용할 수 있음)보다 기판 상에 더 작은 피처들을 형성하기 위해 사용될 수 있다.
리소그래피 장치는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)를 포함한다. 기판 상에 이미지를 형성하기 위해 패터닝 디바이스를 통해 방사선이 제공되거나 그로부터 반사된다. 공기중 입자들 및 다른 형태들의 오염으로부터 패터닝 디바이스를 보호하기 위해 펠리클(pellicle)이라고도 지칭되는 멤브레인 어셈블리가 제공될 수 있다. 패터닝 디바이스의 표면 상의 오염은 기판 상의 제조 결함들을 야기할 수 있다.
펠리클들은 또한 패터닝 디바이스들 이외의 광학 컴포넌트들을 보호하기 위해 제공될 수도 있다. 펠리클들은 또한 서로 밀봉되는 리소그래피 장치의 영역들 사이에 리소그래피 방사를 위한 통로를 제공하기 위해 사용될 수도 있다. 펠리클은 또한 스펙트럼 순도 필터와 같은 필터들로서 또는 리소그래피 장치의 동적 가스 록(dynamic gas lock)의 일부로서 사용될 수도 있다.
마스크 어셈블리는 입자 오염으로부터 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)를 보호하는 펠리클을 포함할 수 있다. 펠리클은 펠리클 프레임에 의해 지지되어, 펠리클 어셈블리를 형성할 수 있다. 펠리클은, 예를 들어, 펠리클 경계 영역을 프레임에 접착하거나 달리 부착함으로써 프레임에 부착될 수 있다. 프레임은 패터닝 디바이스에 영구적으로 또는 해제 가능하게 부착될 수 있다.
EUV 방사선 빔의 광학 경로 내의 펠리클의 존재로 인해, 펠리클이 높은 EUV 투과율을 갖는 것이 필요하다. 높은 EUV 투과율은 입사 방사선의 더 큰 비율이 펠리클을 통과하는 것을 가능하게 한다. 또한, 펠리클에 의해 흡수되는 EUV 방사선의 양을 저감시키는 것은 펠리클의 동작 온도를 감소시킬 수 있다. 투과율은 펠리클의 두께에 적어도 부분적으로 의존하므로, 리소그래피 장치 내의 때때로 적대적인 환경을 견디기에 충분히 강함을 확실히 유지하면서 가능한 한 얇은 펠리클을 제공하는 것이 바람직하다.
따라서, 리소그래피 장치, 특히 EUV 리소그래피 장치의 가혹한 환경을 견딜 수 있는 펠리클을 제공하는 것이 바람직하다. 이전보다 더 높은 전력을 견딜 수 있는 펠리클을 제공하는 것이 특히 바람직하다.
본 출원은 일반적으로 리소그래피 장치, 특히 EUV 리소그래피 장치의 맥락에서 펠리클들을 언급하지만, 본 발명은 단지 펠리클들 및 리소그래피 장치에만 제한되지 않고, 본 발명의 주제는 임의의 다른 적합한 장치 또는 상황들에서 사용될 수도 있다는 것이 이해된다.
예를 들어, 본 발명의 방법들은 스펙트럼 순도 필터들에도 동등하게 적용될 수 있다. 플라즈마를 사용하여 EUV 방사선을 생성하는 것들과 같은 일부 EUV 소스들은 원하는 '대역내' EUV 방사선뿐만 아니라, 원하지 않는 (대역외) 방사선도 방출한다. 이러한 대역외 방사선은 가장 두드러지게는 심자외선(deep UV, DUV) 방사선 범위(100 내지 400nm)에 있다. 더욱이, 일부 EUV 소스들, 예를 들어 레이저 생성 플라즈마 EUV 소스들의 경우에, 보통 10.6 미크론에서의, 레이저로부터의 방사선은 상당한 대역외 방사선을 제공한다.
리소그래피 장치에서는, 몇 가지 이유로 스펙트럼 순도가 요구된다. 한 가지 이유는, 레지스트가 방사선의 대역외 파장들에 민감하고, 따라서 레지스트가 그러한 대역외 방사선에 노출되면 레지스트에 적용된 패턴들의 이미지 품질이 악화될 수 있다는 것이다. 더욱이, 대역외 방사선 적외선 방사선, 예를 들어 일부 레이저 생성 플라즈마 소스들에서의 10.6 미크론 방사선은 리소그래피 장치 내의 패터닝 디바이스, 기판, 및 광학계의 원치 않는 그리고 불필요한 가열로 이어진다. 그러한 가열은 이들 요소의 손상, 그들의 수명의 저하, 및/또는 레지스트-코팅된 기판 상에 투영되고 그에 적용된 패턴들의 결함들 또는 왜곡들로 이어질 수 있다.
전형적인 스펙트럼 순도 필터는, 예를 들어, 몰리브덴과 같은 반사성 금속으로 코팅된 실리콘 기초 구조물(예를 들어, 실리콘 그리드, 또는 애퍼처들이 제공된 다른 부재)로부터 형성될 수 있다. 사용 시에, 전형적인 스펙트럼 순도 필터는, 예를 들어, 입사 적외선 및 EUV 방사선으로부터의 높은 열 부하를 받을 수 있다. 이 열 부하는 스펙트럼 순도 필터의 온도가 800℃를 초과하는 결과를 야기할 수 있다. 높은 열 부하 하에서, 코팅은 반사성 몰리브덴 코팅과 하부 실리콘 지지 구조물 사이의 선형 팽창 계수들의 차이로 인해 박리(delaminate)될 수 있다. 실리콘 기초 구조물의 박리 및 열화는, 파편(예를 들어, 입자들 등과 같은 파편)이 리소그래피 장치의 특정 부분들에 들어가거나 나가는 것을 억제하기 위해 스펙트럼 순도 필터가 사용되는 환경에서 가스로서 종종 사용되는, 수소의 존재에 의해 가속화된다. 따라서, 스펙트럼 순도 필터는 펠리클로서 사용될 수 있고, 그 반대도 가능하다. 따라서, 본 출원에서 '펠리클'에 대한 언급은 '스펙트럼 순도 필터'에 대한 언급이기도 하다. 본 출원에서는 주로 펠리클들이 언급되기는 하지만, 모든 특징들은 스펙트럼 순도 필터들에도 동등하게 적용될 수 있다.
본 발명은 부가적으로 또는 대안적으로, 미러들 또는 윈도우들과 같은 광학 소자들이 플라즈마 환경에 노출되는 리소그래피 장치들 또는 다른 장치들의 미러들과 같은 광학 소자들에 관한 것이다.
본 발명은 위에서 확인된 문제들 중 적어도 일부를 해결하려는 시도로 고안되었다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 리소그래피 장치를 위한 광학 소자가 제공되고, 상기 광학 소자는 작동 중인 리소그래피 장치에서 자기 종결적 성장(self-terminating growth)을 갖는 최상층을 지지하도록 선택된 앵커층을 포함한다.
기존의 광학 소자들은 EUV 방사선 및 플라즈마의 영향 하에서 화학적 열화를 방지하기 위해 루테늄 금속의 얇은 층을 사용한다. 루테늄은 다소 화학적으로 불활성이고, EUV 여기된 수소 플라즈마에 노출 시 쉽게 환원되는 얇은 천연 산화물층을 형성한다. 사용 시에 루테늄층의 블리스터링(blistering)을 방지하기 위해 지르코늄 산화물층이 또한 포함될 수 있다.
루테늄의 사용의 한 가지 단점은 실리콘 및 인과 같은 재료들의 휘발성 수소 화합물들을 촉매 작용으로 분해하는 경향이 있다는 점이다. 그러한 화합물들의 분해는 그러한 재료들을 루테늄 표면 상에 퇴적시킨다. 이것은 미러들의 반사율을 저감시키거나 펠리클들의 투과율을 저감시키며, 이는 동일한 스캐너 처리량을 유지하기 위해 소스 전력이 증가될 필요가 있거나 스캐너의 처리량이 시간 경과에 따라 감소한다는 것을 의미한다. 이러한 단점을 해결하는 것이 바람직하다. 휘발성 수소 화합물들을 형성하지 않는 지르코늄 이산화물층이 추가될 수 있기는 하지만, 작동 중인 리소그래피 장치에서 보이는 조건들 하에서는 지르코늄 이산화물이 생성되지 않으며 시간 경과에 따라 모폴로지를 변경할 수 있다. 그에 따라, 지르코늄 이산화물의 보호 효과는 시간 경과에 따라 감소한다. 더욱이, 루테늄은 모든 조건들 하에서 하부 층들을 산화로부터 보호할 수 없다.
놀랍게도, 작동 중인 리소그래피 장치에서 사용 시에 자기 종결적 성장을 갖는 최상층을 지지하는 앵커층을 광학 소자 내에 제공하는 것이 가능하다는 것이 밝혀졌다. 이들 자기 종결적 최상층은 놀랍게도 수소 이온들 및 라디칼들에 의한 에칭에 대해 내성이 있고, 또한 리소그래피 장치들에서의 노출 동안, 실리콘과 같은 원치 않는 추가적인 재료들의 퇴적에 대해 내성이 있다. 자기 종결적 최상층은 그 위에 추가 재료가 퇴적되는 결과로서 두께가 주어진 지점을 넘어 늘지도 않고, 플라즈마에 의한 에칭의 결과로서 두께가 줄지도 않는다는 것이 밝혀졌다. 그에 따라, 이러한 형태의 코팅은, 광학 소자들의 성능이 시간 경과에 따라 변하지 않을 것이고 동작 조건들 하에서 안정적이기 때문에 리소그래피 장치들 및 방법들에 매우 중요하다. 실험들은 그러한 자기 제한적 성장(self-limiting growth) 층들이 그러한 층들이 플라즈마 에칭에 의해 제거되는 것이 불가능하지는 않더라도 매우 어렵다는 것을 보여주었다.
광학 소자는 기판층을 추가로 포함할 수 있다. 기판층은 실리콘, 탄소, 석영, 및 사파이어 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 광학 소자들에서, 특히 리소그래피에서 사용되는 광학 소자들에 대해 기판으로서 실리콘이 흔히 사용되는데, 그 이유는 그것이 높은 EUV 투과율을 가지며 작동 중인 리소그래피 장치 내의 조건들을 견딜 수 있기 때문이다. 바람직하게는 단일벽, 이중벽 또는 다중벽일 수 있는 나노튜브 형태의 탄소가 매우 높은 온도들을 견디는 그것의 능력을 감안하여 기판으로서 사용될 수 있고, 석영, 및 사파이어는 리소그래피 장치들뿐만 아니라 플라즈마가 생성되는 다른 장치들의 미러들 및 뷰잉 윈도우들에서 흔히 사용되는 재료들이다. 사파이어 윈도우들은 일반적으로 매우 에칭 내성이 있지만 일부 경우들에서는 석영의 에칭이 문제를 야기할 수 있는 석영이 바람직하다. 어느 경우든, 실리콘과 같은 오염물들의 퇴적이 문제일 수 있다. 기판은 미러 다층 스택일 수 있다.
광학 소자는 습윤층(wetting layer)을 또한 포함할 수 있다. 습윤층은 크롬, 티타늄, 및 몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다. 습윤층은 이들 금속 중 하나 이상의 질화물을 포함할 수 있다. 습윤층은 바람직하게는 기판층과 앵커층 사이에 배치된다. 습윤층은 습윤층 위에 퇴적된 금속 앵커링층의 열 탈습(thermal dewetting)을 방지하거나 저감시킨다. 적합한 습윤층들은 높은 산소 친화도를 가지며, 이는 기판으로서 종종 사용되는 실리콘 산화물층들의 패시베이션을 야기한다. 또한, 습윤층은 퇴적된 오버레이어들에 잘 점착되며, 이는 표면 이동(surface migration)의 감쇠를 야기한다. 습윤 재료들은 기판 재료들 내로의 원자 이동의 감쇠를 야기하는 큰 원자 반경을 갖는 원자들을 갖는다.
습윤층 두께는 광학 소자가 적용될 응용에 따라 선택될 수 있다. 펠리클들의 경우, 습윤층의 두께는 그의 기능을 여전히 수행하면서 가능한 한 얇을 것이 요구된다. 바람직하게는, 습윤층의 두께는 5nm 이하이다. 습윤층의 두께는 2nm 이하일 수 있다. 습윤층의 두께는 1nm 이하일 수 있다. 습윤층의 두께는 0.5nm 이하일 수 있다.
광학 소자는 최상층을 포함할 수 있다. 최상층은 Si, Ge, Sn, B, P, Mg, 및 Al로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다. 최상층은 그러한 원소들 중 하나 이상의 산화물을 포함할 수 있다.
앵커층 및 최상층은 플라즈마 에칭 장벽을 형성할 수 있다. 자기 종결적 성장을 갖는 플라즈마 에칭 장벽들은 플라즈마에 의한 침식 또는 공격에 대해 특히 내성이 있는 것으로 밝혀졌다.
앵커층은 백금, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 및 팔라듐으로 이루어진 목록에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함한다. 앵커층은 자기 제한적 최상층에 대한 접착제로서 기능한다. 모든 요소들이 적합한 앵커층의 역할을 할 수 있는 것은 아닌 것으로 밝혀졌는데, 그 이유는 그것들이 플라즈마 환경에서 자기 제한적 성장 및 높은 안정성을 갖는 최상층을 야기하지는 않기 때문이다.
광학 소자는 펠리클 어셈블리 또는 미러일 수 있다. 펠리클 어셈블리는, EUV 리소그래피 장치 또는 EUV보다 더 길거나 더 짧은 파장의 광을 이용하는 리소그래피 장치와 같은, 리소그래피 장치를 위한 펠리클 어셈블리일 수 있다. 유사하게, 미러는, 필드 패싯형 미러와 같은, 리소그래피 장치에서 사용하기 위한 미러일 수 있다.
본 발명의 제2 양태에 따르면, 광학 소자를 제조하는 방법이 제공되는데, 이 방법은 플라즈마에의 노출을 통해 앵커층 상에 최상층을 퇴적시키는 단계를 포함한다. 바람직하게는, 플라즈마는 전자기적으로 유도된 플라즈마, 즉 전자기 방사선에의 노출에 의해 형성되는 플라즈마이다.
본 발명의 제1 양태의 특징들이 제2 양태의 특징들과 조합될 수 있고, 그 반대도 가능하다는 것이 이해될 것이다.
본 발명의 제2 양태에 따른 방법은 작동 중인 리소그래피 장치에서 사용될 때 자기 제한적 성장을 나타내는 광학 소자들의 제조를 허용한다.
최상층은 실리콘, 게르마늄, 주석, 납, 붕소, 인, 마그네슘, 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다.
습윤층은 크롬, 티타늄 및 몰리브덴으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다. 습윤층은 그러한 원소들의 질화물을 포함할 수 있다.
앵커층은 Pt, Ru, Os, Rh, Ir, 및 Pd로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다.
광학 소자는 본 발명의 제1 양태에 관하여 언급된 기판들 중 임의의 것을 포함할 수 있다.
광학 소자는 [Ru-SiOx], [Pt-SiOx], [Rh-SiOx], [Ru-GeOx], [Rh-GeOx], [Ru-SnOx], 및 [Rh-SnOx]로 이루어진 목록에서 선택된 앵커층-최상층 조합을 포함한다. 이들 앵커층과 최상층의 조합들은 리소그래피 장치 내에서의 자기 제한적 성장뿐만 아니라 수소 플라즈마에 의한 에칭에 대한 내성을 나타낸다.
임의의 이전 청구항에 따른 광학 소자로서, 상기 광학 소자는 탄소 나노튜브 기판, 몰리브덴 습윤층, 루테늄 앵커층, 및 실리콘 산화물 최상층을 포함한다. 탄소 나노튜브는 단일벽 탄소 나노튜브일 수 있다. 이러한 층들의 조합은 또한 리소그래피 장치에서의 사용 중에 최상층의 자기 제한적 성장뿐만 아니라 수소 플 라즈마에 의한 에칭에 대해 유리한 내성을 나타낸다.
본 발명의 제3 양태에 따르면, 본 발명의 제2 양태의 방법에 따라 제조된 광학 소자가 제공된다. 광학 소자는, EUV 리소그래피 장치와 같은, 리소그래피 장치에서 사용하기에 적합할 수 있다. 광학 소자는 펠리클 또는 미러일 수 있다.
본 발명의 제4 양태에 따르면, 리소그래피 장치를 위한 펠리클 멤브레인이 제공되는데, 상기 펠리클 멤브레인은 비휘발성 희생 재료를 포함한다.
본 발명의 제4 양태에 관하여 기술된 펠리클 멤브레인들은 본 발명의 제1 또는 제3 양태들의 광학 소자에 포함되거나, 본 발명의 제2 양태에 따른 방법에 의해 적어도 부분적으로 제조될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
펠리클 멤브레인의 특정 층들 또는 부분들은 리소그래피 장치에서의 사용 중에 손상될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 예를 들어, 실리콘 및 실리콘 화합물들을 포함하는 펠리클 멤브레인들은 수소 유도 탈가스(outgassing)를 나타낸다. 수소는 천연 산화물층을 제거한 다음 실리콘 코어와 반응하여 가스 실란을 방출할 수 있다. 유사하게, 탄소계 펠리클들은 수소 플라즈마에의 노출에 의해 침식될 수 있다. 펠리클 멤브레인의 에칭을 방지하는 것이 바람직한데, 그 이유는 이것이 멤브레인의 약화 및 어쩌면 고장으로 이어질 수 있기 때문이다. 리소그래피 장치의 최대 가동 시간을 보증하기 위해 펠리클 멤브레인의 수명을 연장하는 것이 바람직하다. 본 발명의 제4 양태에 따르면, 펠리클 멤브레인의 다른 부분들을 침식으로부터 보호하는 비휘발성 희생 재료가 펠리클 멤브레인의 일부로서 제공된다. 그에 따라, 이들 재료는 다른 재료들의 열화를 방지하거나 저감시키기 위해 희생된다.
비휘발성이란, 이들 재료가 그들의 산화된, 천연 또는 환원된 형태에서 기체가 아님을 의미한다. 예를 들어, 실란은 주변 온도 및 압력에서 기체이므로 휘발성인 것으로 간주된다. 대조적으로, 금속성 은 및 은 산화물은 둘 다 주변 온도에서 고체이다. 희생이란, 이것이 이 재료가 플라즈마에 의해 우선적으로 공격받으며 따라서 펠리클 멤브레인의 나머지를 보호하기 위해 희생되는 것을 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 제4 양태에 따른 광학 소자는 본 발명의 제1 양태에 관하여 기술된 특징들 중 임의의 것을 포함할 수 있다.
비휘발성 희생 재료는 멤브레인 내의 적어도 하나의 다른 재료보다 더 높은 산화 환원 전위를 갖는 재료를 포함할 수 있다. 그에 따라, 비휘발성 희생 재료는 보호될 재료보다 더 높은 산화 환원 전위를 가질 수 있다.
산화 환원 전위는 플러스 또는 마이너스일 수 있다. 본 출원에서, 더 높은 산화 환원 전위는 더 플러스인 것을 의미한다. 예를 들어, -0.1V의 산화 환원 전위는 -0.8V의 산화 환원 전위보다 높고, 플러스의 산화 환원 전위는, 전위의 절대 크기에 관계없이, 마이너스의 산화 환원 전위보다 높다.
리소그래피 장치의 환경 내에서는, 매우 환원적인 분위기가 존재하며 따라서 탄소 및 실리콘과 같은 재료들은 각각 실란 및 탄화수소로 쉽게 환원될 수 있다. 더 플러스의 반응 전위를 갖는 희생 재료를 제공함으로써, 희생 재료는 우선적으로 환원되며 따라서 실리콘 또는 탄소와 같은 다른 재료들이 보호된다. 그에 따라, 희생 재료는, 원소 실리콘 또는 탄소로부터 실란 또는 메탄으로의 환원에 관하여 -0.14V 및 +0.13V의 각각의 산화 환원 전위들을 갖는, 실리콘 또는 탄소보다 더 높은(더 플러스의) 산화 환원 전위를 갖는 것이 바람직하다. 희생 재료의 산화되고 환원된 형태는 그것들이 리소그래피 장치의 대기 중으로 방출되지 않도록 비휘발성인 것이 바람직한데, 그 이유는 그것들이 방출되면 장치의 다른 부분에 도달하여 성능의 손상 또는 손실을 야기할 수 있기 때문이다.
작동 중인 리소그래피 장치에서 발생하는 산화 환원 반응의 예들은 다음을 포함한다:
Figure pct00001
실리콘 산화물의 환원을 위한 반응 전위는 -0.91V이다. 실리콘의 환원을 위한 반응 전위는 -0.14V이다. 탄소의 환원을 위한 반응 전위는 +0.13V이다. 루테늄 산화물의 환원을 위한 반응 전위는 +0.68V이다. 그에 따라, 시스템이 이들 원소/화합물을 포함하는 경우, 먼저 환원되는 것은 루테늄 산화물일 것인데 그 이유는 그것이 가장 플러스의 환원 전위를 가지며 따라서 전자들에 대한 더 큰 친화도 및 환원될 경향을 갖기 때문이다.
비휘발성 희생 재료는 펠리클 멤브레인의 다른 재료보다 적어도 0.35V 더 높은 산화 환원 전위를 가질 수 있다. 특히, 산화 환원 전위는 펠리클 멤브레인 내에서 보호하기를 원하는 재료, 예컨대 실리콘 또는 탄소보다 적어도 0.35V 더 높을 수 있다.
비휘발성 희생 재료 및/또는 수소와의 그것의 반응 생성물은 바람직하게는 공기 중에서 안정적이다. 즉, 희생 재료는, 얇은 천연 산화물층의 생성을 제외하고, 주변 조건들 하에서 공기 중에서 빠르게(수 분 또는 수 초 내에) 반응하지 않는다. 비휘발성 희생 재료 및/또는 수소와의 그것의 반응 생성물은 바람직하게는 작동 중인 리소그래피 장치의 분위기 내에서 안정적이다. 예를 들어, 희생 재료가 금속 산화물인 경우, 금속 산화물 및 수소와의 그것의 환원의 금속 생성물은 비휘발성이다.
비휘발성 희생 재료는 은, 금, 백금, 철, 망간, 및 텔루륨으로 이루어진 목록에서 선택된 원소들 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 재료는 그러한 원소들의 산화된 형태, 예컨대 산화물을 포함할 수 있다. 이들 재료의 산화물들은 실리콘 및 탄소보다 더 플러스의 산화 환원 전위를 가지며 따라서 먼저 환원됨으로써, 실리콘 및 탄소를 보호한다.
비휘발성 희생 재료는 수소 플라즈마에 의해 금속 원소로 환원될 수 있는 산화물을 포함할 수 있다. 펠리클 멤브레인의 다른 재료들보다 더 쉽게 수소와 반응함으로써, 이들 재료는 우선적으로 환원되며 따라서 다른 재료들은 침식되지 않거나 적어도 다른 경우보다 훨씬 더 낮은 속도로 침식된다. 이것은 결국 펠리클 멤브레인의 동작 수명을 연장한다.
멤브레인은 리소그래피 장치의 플라즈마 환경과 직접 접촉하는 비휘발성 희생 재료를 갖도록 구성될 수 있다. 그에 따라, 비휘발성 희생 재료는 펠리클 멤브레인의 표면 상에 있을 수 있다. 그에 따라, 희생 재료는 펠리클 멤브레인의 나머지를 보호하기 위해 수소 플라즈마와 반응할 수 있다.
비휘발성 희생 재료는 연속 또는 불연속층의 형태일 수 있다. 비휘발성 희생층은 이산 아일랜드들 및/또는 그레인들의 형태일 수 있다. 희생 재료가 펠리클 멤브레인의 전체 범위에 걸쳐 제공될 필요는 없는데 그 이유는 그것이 희생 재료에 의해 커버되는 영역보다 더 큰 펠리클 멤브레인의 영역을 보호할 수 있기 때문이다. 또한, 높은 투과율의 펠리클 멤브레인을 갖는 것이 바람직하므로, 필요하지 않을 때 추가적인 재료층을 포함하는 것은 바람직하지 않을 수 있다. 불연속층 또는 아일랜드들/그레인들의 사용은 멤브레인이 높은 투과율을 유지하는 것을 허용하면서도 비휘발성 희생 재료의 보호 효과로부터 이익을 얻는다.
비휘발성 희생 재료는 작동 중인 리소그래피 장치의 주요 광 경로 외부의 멤브레인의 영역에 제공된다. 펠리클 멤브레인이 리소그래피 장치에서 사용되는 광의 경로 내에 있다는 것이 이해될 것이다. 광은 펠리클 멤브레인의 전체 표면에 걸쳐 균일하게 분포되지 않는다. 대신에 가장 높은 광 강도를 겪는 영역이 존재한다. 최대량의 광이 펠리클 멤브레인을 통해 허용되는 것이 바람직하므로, 최대 광 강도의 영역들에서 최대 투과율이 존재하는 것도 바람직하다. 따라서, 비휘발성 희생 재료는 바람직하게는 최대 광 강도의 영역으로부터 떨어져 배치된다. 이러한 방식으로, 희생 재료의 유익한 효과들이 실현되고 투과율의 감소가 관리된다.
비휘발성 희생 재료는 펠리클 멤브레인의 경계 영역에 제공될 수 있다. 최대 강도의 광이 펠리클 멤브레인의 중심 영역을 통과하므로, 중심 영역을 둘러싸는 영역에 희생 재료를 배치하는 것은 희생 재료의 추가에 의해 야기되는 투과율의 감소를 제한한다.
본 발명의 제4 양태에 따른 펠리클 멤브레인은 본 발명의 제1 양태의 광학 소자의 일부를 형성할 수 있다.
본 발명의 제5 양태에 따르면, 본 발명의 제4 양태에 따른 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클 어셈블리가 제공된다.
본 발명의 제6 양태에 따르면, 리소그래피 장치 또는 방법에서의 본 발명의 임의의 양태에 따른 광학 소자 또는 펠리클 멤브레인의 사용이 제공된다.
본 발명의 제7 양태에 따르면, 본 발명의 임의의 양태에 따른 광학 소자 또는 펠리클 멤브레인을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다.
일 실시예에 관하여 기술된 특징들이 다른 실시예에 관하여 기술된 임의의 특징들과 조합될 수 있다는 것과 그러한 모든 조합들이 본 명세서에서 명확히 고려되고 개시된다는 것이 이해될 것이다.
이제 본 발명의 실시예들에 대해, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부의 개략도를 참조하여 단지 예로서 설명한다:
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 묘사한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광학 소자의 개략적인 묘사이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 광학 소자의 일부의 개략적인 묘사이다.
본 발명의 특징들 및 이점들은 도면들과 함께 취해질 때 후술되는 상세한 설명으로부터 더 명백해질 것이며, 도면들 전체에 걸쳐 동일한 참조 문자들은 대응하는 요소들을 식별한다. 도면들에서, 유사한 참조 번호들은 일반적으로 동일한, 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 펠리클(15)(멤브레인 어셈블리라고도 지칭됨)을 포함하는 리소그래피 시스템을 나타낸다. 리소그래피 시스템은 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함한다. 방사선 소스(SO)는 극자외선(EUV) 방사선 빔(B)을 생성하도록 구성된다. 리소그래피 장치(LA)는 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크)를 지지하도록 구성된 지지 구조물(MT), 투영 시스템(PS) 및 기판(W)을 지지하도록 구성된 기판 테이블(WT)을 포함한다. 조명 시스템(IL)은 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA)에 입사되기 전에 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하도록 구성된다. 투영 시스템은 방사선 빔(B)(이제 마스크(MA)에 의해 패터닝된)을 기판(W) 상에 투영하도록 구성된다. 기판(W)은 이전에 형성된 패턴들을 포함할 수 있다. 이 경우에는, 리소그래피 장치는 패터닝된 방사선 빔(B)을 기판(W) 상에 이전에 형성된 패터닝된 빔(B)과 정렬시킨다. 이 실시예에서, 펠리클(15)은 방사선의 경로 내에 묘사되고, 패터닝 디바이스(MA)를 보호한다. 펠리클(15)은 임의의 필요한 포지션에 위치할 수 있으며, 리소그래피 장치 내의 미러들 중 임의의 미러를 보호하기 위해 사용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
방사선 소스(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)은 모두 외부 환경으로부터 격리될 수 있도록 구성되고 배열될 수 있다. 방사선 소스(SO)에는 대기압보다 낮은 압력의 가스(예를 들어, 수소)가 제공될 수 있다. 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS)에는 진공이 제공될 수 있다. 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템(PS)에는 대기압보다 훨씬 낮은 압력의 소량의 가스(예를 들어, 수소)가 제공될 수 있다.
도 1에 도시된 방사선 소스(SO)는 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스라고 지칭될 수 있는 타입이다. 예를 들어 CO2 레이저일 수 있는 레이저가, 레이저 빔을 통해 연료 방출기로부터 제공되는 주석(Sn)과 같은 연료에 에너지를 비축하도록 배열된다. 다음의 설명에서는 주석이 언급되기는 하지만, 임의의 적합한 연료가 사용될 수 있다. 연료는 예를 들어 액체 형태일 수 있고, 예를 들어 금속 또는 합금일 수 있다. 연료 방출기는 주석을, 예를 들어 액적의 형태로, 플라즈마 형성 영역을 향한 궤적을 따라 지향시키도록 구성된 노즐을 포함할 수 있다. 레이저 빔은 플라즈마 형성 영역에서 주석에 입사된다. 주석에의 레이저 에너지의 비축은 플라즈마 형성 영역에서 플라즈마를 생성한다. 플라즈마의 이온들의 재결합 및 탈-여기 동안 플라즈마로부터 EUV 방사선을 포함하는 방사선이 방출된다.
EUV 방사선은 거의 수직 입사 방사선 수집기(때때로 더 일반적으로 수직 입사 방사선 수집기라고 지칭됨)에 의해 수집되고 집속된다. 수집기는 EUV 방사선(예를 들어, 13.5nm와 같은 원하는 파장을 갖는 EUV 방사선)을 반사하도록 배열된 다층 구조를 가질 수 있다. 수집기는 2개의 타원 초점을 갖는 타원형 구성을 가질 수 있다. 아래에 논의되는 바와 같이, 제1 초점은 플라즈마 형성 영역에 있을 수 있고, 제2 초점은 중간 포커스에 있을 수 있다.
레이저는 방사 소스(SO)로부터 분리될 수 있다. 이 경우에는, 레이저 빔은, 예를 들어, 적합한 지향 미러들 및/또는 빔 확장기, 및/또는 다른 광학계를 포함하는 빔 전달 시스템(도시되지 않음)의 도움으로 레이저로부터 방사선 소스(SO)로 전달될 수 있다. 레이저 및 방사선 소스(SO)는 함께 방사선 시스템으로 간주될 수 있다.
수집기에 의해 반사되는 방사선은 방사선 빔(B)을 형성한다. 방사선 빔(B)은 한 지점에 집속되어 플라즈마 형성 영역의 이미지를 형성하고, 이는 조명 시스템(IL)에 대한 가상 방사선 소스로서의 역할을 한다. 방사선 빔(B)이 집속되는 지점은 중간 포커스라고 지칭될 수 있다. 방사선 소스(SO)는 중간 포커스가 방사선 소스의 인클로징 구조 내의 개구에 또는 그 근처에 위치하도록 배열된다.
방사선 빔(B)은 방사선 소스(SO)로부터 조명 시스템(IL) 내로 전달되고, 조명 시스템(IL)은 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성되어 있다. 조명 시스템(IL)은 패싯형 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯형 동공 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 패싯형 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯형 동공 미러 디바이스(11)는 함께 원하는 단면 형상 및 원하는 각도 분포를 갖는 방사선 빔(B)을 제공한다. 방사선 빔(B)은 조명 시스템(IL)으로부터 전달되어 지지 구조물(MT)에 의해 유지된 패터닝 디바이스(MA)에 입사된다. 패터닝 디바이스(MA)는 방사선 빔(B)을 반사하고 패터닝한다. 조명 시스템(IL)은 패싯형 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯형 동공 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 그 대신에 다른 미러들 또는 디바이스들을 포함할 수 있다.
패터닝 디바이스(MA)로부터의 반사 후에, 패터닝된 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)에 들어간다. 투영 시스템은 기판 테이블(WT)에 의해 유지된 기판(W) 상에 상기 방사선 빔(B)을 투영하도록 구성되는 복수의 미러(13, 14)를 포함한다. 투영 시스템(PS)은 방사선 빔에 저감 계수(reduction factor)를 적용하여, 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응하는 피처들보다 더 작은 피처들을 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들면 4의 저감 계수가 적용될 수 있다. 투영 시스템(PS)은 도 1에서는 2개의 미러(13, 14)를 갖고 있기는 하지만, 투영 시스템은 임의의 수의 미러(예를 들어, 6개의 미러)를 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 방사 소스들(SO)은 예시되지 않은 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 스펙트럼 필터가 방사선 소스에서 제공될 수 있다. 스펙트럼 필터는 EUV 방사선에 대해서는 실질적으로 투과성이지만 적외선 방사선과 같은 다른 파장의 방사선 에 대해서는 실질적으로 차단성일 수 있다.
일 실시예에서 멤브레인 어셈블리(15)는 EUV 리소그래피를 위한 패터닝 디바이스(MA)를 위한 펠리클이다. 본 발명의 멤브레인 어셈블리(15)는 동적 가스 록을 위해 또는 펠리클을 위해 또는 다른 목적으로 사용될 수 있다. 일 실시예에서 멤브레인 어셈블리(15)는 입사 EUV 방사선의 적어도 90%를 투과시키도록 구성된 적어도 하나의 멤브레인 층으로부터 형성된 멤브레인을 포함한다. 최대화된 EUV 투과 및 이미징 성능에 대한 최소화된 영향을 보장하기 위해서는, 멤브레인이 경계에서만 지지되는 것이 바람직하다.
패터닝 디바이스(MA)가 보호되지 않은 상태로 방치되면, 오염은 패터닝 디바이스(MA)가 세정되거나 폐기될 것을 요구할 수 있다. 패터닝 디바이스(MA)를 세정하는 것은 귀중한 제조 시간을 중단하고 패터닝 디바이스(MA)를 폐기하는 것은 비용이 많이 든다. 패터닝 디바이스(MA)를 교체하는 것도 귀중한 제조 시간을 중단한다.
도 2는 본 발명에 따른 펠리클 멤브레인의 일 실시예를 묘사한다. 펠리클 어셈블리(15)는 일반적으로 16으로 묘사된 펠리클 멤브레인을 포함한다. 펠리클 멤브레인(16)은 기판(17)을 포함한다. 기판(17)은 일반적으로 펠리클 멤브레인(16)을 구성하는 다른 층들보다 두껍다. 도 2의 묘사는 예시적인 것이며, 다양한 층들의 진정한 상대적 두께들을 나타내지 않는다. 기판(17)은 일반적으로, 탄소 나노튜브의 형태일 수 있는 실리콘 또는 탄소이다. 기판(17) 상에 습윤층(18)이 배치된다. 습윤층(17)은 상부의 앵커층(19)의 탈습을 저감시키거나 제거하는 역할을 한다. 앵커층(19) 상에 자기 제한적 최상층(20)이 배치된다. 앵커층(19)과 자기 제한적 최상층(20) 사이의 해시선들은 자기 제한적 최상층(20)의 에칭을 방지하는 역할을 하는 2개의 층 사이의 강한 결합을 묘사한다.
도 3은 본 발명에 따른 펠리클 멤브레인의 일 실시예를 묘사한다. 특히, 도 3은 탄소 나노튜브(CNT) 기판(22)을 포함하는 펠리클 멤브레인의 일부를 묘사한다. 탄소 나노튜브(22)는 중공 코어(hollow core)(26)를 갖는다. 묘사된 실시예는 단일벽 탄소 나노튜브이지만, 이중벽 및 다중벽 탄소 나노튜브도 가능한 기판들이라는 것이 이해될 것이다. 묘사된 실시예에서, CNT는 약 10nm의 직경을 갖지만, 본 발명은 이 직경에 특별히 제한되지 않고 다른 직경들이 사용될 수도 있다. CNT 기판(22) 상에는, 몰리브덴의 습윤층(23)이 배치되어 있다. 몰리브덴층의 두께는 두께가 약 0.1nm 내지 약 1nm이다. 몰리브덴층은 습윤층으로서 기능하여, 상부의 앵커층(24)이 탈습되는 경향을 방지하거나 실질적으로 저감시킨다. 묘사된 실시예에서, 앵커층(24)은 루테늄을 포함한다. 루테늄층의 두께는 약 2nm 내지 약 4nm이다. 앵커층(24) 상에 자기 종결적 에칭 불가능한 최상층(25)이 제공된다. 묘사된 실시예에서, 자기 종결적 에칭 불가능한 최상층(25)은 실리콘 산화물을 포함한다. 실리콘 산화물층의 두께는 두께가 약 1nm 내지 약 2.5nm이다. 그러한 구성을 갖는 펠리클 멤브레인은 리소그래피 장치에서 에칭에 대한 거의 완전한 내성을 나타내며, 또한 90% 초과의 EUV 투과율뿐만 아니라 50% 초과의 열 방사율을 갖는다. 그에 따라, 그러한 멤브레인을 포함하는 펠리클 장치는 리소그래피 장치, 특히 EUV 리소그래피 장치에서 유리한 기계적 수명을 가질 뿐만 아니라 플라즈마에 대한 개선된 에칭 내성을 갖는다.
예들
다음의 예들은 본 발명의 특정 실시예들을 제공한다. 이들 예는 본 발명의 범위를 제한하도록 의도된 것이 아니다.
이하의 표는 리소그래피 장치에서 에칭에 저항하는 데 특히 적합한 앵커층과 자기 제한적 최상층의 조합들을 포함한다.
Figure pct00002
루테늄 앵커층들과 실리콘 산화물 최상층들의 조합, 및 백금 앵커층들과 실리콘 산화물 최상층들의 조합이 리소그래피 장치에서의 에칭에 특히 안정적이라는 것이 밝혀졌다.
한편, 알루미늄 앵커층의 구리는 에칭에 대한 내성을 갖는 동일한 자기 제한적 성장 최상층을 제공하지 않는다는 것이 밝혀졌다.
본 발명의 특정 실시예들이 위에 설명되었지만, 본 발명은 설명된 바와 달리 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
위의 설명들은 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 의도된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 기술자에게는 아래에 제시된 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 설명된 바와 같은 발명에 대해 수정들이 이루어질 수 있다는 것이 명백할 것이다.

Claims (29)

  1. 리소그래피 장치를 위한 광학 소자로서, 상기 광학 소자는 작동 중인 리소그래피 장치 또는 플라즈마 함유 환경에서 자기 종결적 성장을 갖는 최상층을 지지하도록 선택된 앵커층을 포함하는, 광학 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광학 장치는 기판층을 추가로 포함하는, 광학 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광학 장치는 습윤층을 추가로 포함하는, 광학 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 소자는 상기 최상층을 포함하는, 광학 소자.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 앵커층 및 상기 최상층은 플라즈마 에칭 장벽을 형성하는, 광학 소자.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판층은 실리콘, 탄소, 석영, 및 사파이어 중 하나 이상을 포함하는, 광학 소자.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 최상층은 Si, Ge, Sn, B, P, Mg, 및 AI로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하고, 옵션으로 상기 최상층은 그러한 원소들 중 하나 이상의 산화물을 포함하는, 광학 소자.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 습윤층은 Cr, Ti, 및 Mo로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하고, 옵션으로 상기 습윤층은 TiN을 포함하는, 광학 소자.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 앵커층은 Pt, Ru, Os, Rh, Ir, 및 Pd로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는, 광학 소자.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 소자는 펠리클 어셈블리 또는 미러인, 광학 소자.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 소자는 [Ru-SiOx], [Pt-SiOx], [Rh-SiOx], [Ru-GeOx], [Rh-GeOx], [Ru-SnOx], 및 [Rh-SnOx]로 이루어진 목록에서 선택된 앵커층-최상층 조합을 포함하는, 광학 소자.
  12. 제2항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 탄소 나노튜브들, 습윤층, 앵커층, 및 몰리브덴 습윤층, 루테늄 앵커층 및 실리콘 산화물 최상층으로 코팅된 탄소 나노튜브들과 같은, 자기 종결적 성장을 갖는 최상층을 포함하는, 광학 소자.
  13. 광학 소자를 제조하는 방법으로서, 상기 방법은:
    플라즈마, 바람직하게는 전자기적으로 유도된 플라즈마에의 노출을 통해 앵커층 상에 최상층을 퇴적시키는 단계를 포함하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 최상층은 Si, Ge, Sn, B, P, Mg, 및 Al로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하고/하거나, 상기 습윤층은 Cr, Ti, 및 Mo로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하고, 옵션으로 상기 습윤층은 TiN을 포함하고/하거나; 상기 앵커층은 Pt, Ru, Os, Rh, Ir, 및 Pd로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는, 방법.
  15. 제13항 또는 제14항의 방법에 따라 제조된 광학 소자.
  16. 리소그래피 장치를 위한 펠리클 멤브레인으로서, 상기 펠리클 멤브레인은 비휘발성 희생 재료를 포함하는 펠리클 멤브레인.
  17. 제16항에 있어서, 상기 비휘발성 희생 재료는 상기 멤브레인 내의 적어도 하나의 다른 재료보다 더 높은 산화 환원 전위를 갖는 재료를 포함하는, 펠리클 멤브레인.
  18. 제17항에 있어서, 상기 비휘발성 희생 재료는 상기 펠리클 멤브레인의 다른 재료보다 적어도 0.35V 더 큰 산화 환원 전위를 갖는, 펠리클 멤브레인.
  19. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비휘발성 희생 재료는 은, 금, 백금, 철, 망간, 및 텔루륨으로 이루어진 목록에서 선택된 원소들 중 하나 이상을 포함하는, 펠리클 멤브레인.
  20. 제19항에 있어서, 상기 비휘발성 희생 재료는 산화물과 같은 산화된 형태인, 펠리클 멤브레인.
  21. 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 멤브레인은 리소그래피 장치의 상기 플라즈마 환경과 직접 접촉하는 상기 비휘발성 희생 재료를 갖도록 구성되는, 펠리클 멤브레인.
  22. 제16항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비휘발성 희생 재료는 연속 또는 불연속층의 형태인, 펠리클 멤브레인.
  23. 제16항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비휘발성 희생 재료는 이산 아일랜드들 및/또는 그레인들의 형태인, 펠리클 멤브레인.
  24. 제16항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비휘발성 희생 재료는 작동 중인 리소그래피 장치의 주요 광 경로 외부의 멤브레인의 영역에 제공되는, 펠리클 멤브레인.
  25. 제16항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비휘발성 희생 재료는 상기 펠리클 멤브레인의 경계 부분에 제공되는, 펠리클 멤브레인.
  26. 제16항 내지 제25항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 펠리클 멤브레인은 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 광학 소자의 일부를 형성하는, 펠리클 멤브레인.
  27. 리소그래피 장치에 사용하기 위한 펠리클 어셈블리로서, 상기 펠리클은 제16항 내지 제25항 중 어느 한 항의 펠리클 멤브레인을 포함하는 펠리클 어셈블리.
  28. 리소그래피 장치 또는 방법에서의 제1항 내지 제27항 중 어느 한 항의 광학 소자 또는 펠리클 멤브레인의 사용.
  29. 제1항 내지 제28항 중 어느 한 항에 따른 광학 소자 또는 펠리클 멤브레인을 포함하는 리소그래피 장치.
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