TW202211568A - 光纖雷射裝置 - Google Patents

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佐藤方俊
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日商濱松赫德尼古斯股份有限公司
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Abstract

本發明之光纖雷射裝置具備包含偏振保持光纖之第1光纖、第2光纖及第3光纖。第1光纖具有至少1個第1部分、及與第1部分彼此錯開地配置之至少2個第2部分。相鄰之第1部分與第2部分以於連接部位處第1部分之快軸與第2部分之慢軸一致之方式相互連接。第1部分之總長度等於第2部分之總長度。第1光纖之模場直徑小於第2光纖之模場直徑及第3光纖之模場直徑各者。

Description

光纖雷射裝置
本揭示之一層面係關於一種光纖雷射裝置。
作為光纖雷射裝置，已知使用光纖之非線性效應產生鎖模，藉此產生超短脈衝雷射者(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]歐洲專利申請公開第3300191號
[發明所欲解決之課題]
於如上述之光纖雷射裝置中，為了產生充分之非線性效應，需要使用某程度以上之長度之光纖。因此，共振器長變長，而難以提高(高重複化)輸出光之頻率。又，為了使鎖模自行開始，而需要充分提高共振器之內部功率密度，若光纖短，則與光纖長之情形相比用於獲得充分之非線性效應之內部功率密度變高，而需要較高之激發功率。又，對於光纖雷射裝置而言，要求輸出良好之波形之光。
本揭示之一層面之目的在於提供一種光纖雷射裝置，其可輸出良好之波形之光，且可謀求高重複化或低激發功率化。 [解決課題之技術手段]
本揭示之一層面之光纖雷射裝置具備：第1光纖，其包含偏振保持光纖；第2光纖，其包含偏振保持光纖，且連接於第1光纖之一端；及第3光纖，其包含偏振保持光纖，且連接於第1光纖之另一端；且第1光纖具有至少1個第1部分、及與第1部分彼此錯開地配置之至少2個第2部分，相鄰之第1部分與第2部分以於連接部位處第1部分之快軸與第2部分之慢軸一致之方式相互連接，第1部分之長度等於第2部分之總長度，第1光纖之模場直徑小於第2光纖之模場直徑及第3光纖之模場直徑各者。
於該光纖雷射裝置中，第1光纖具有至少1個第1部分、及與第1部分彼此錯開地配置之至少2個第2部分。相鄰之第1部分與第2部分以於連接部位處第1部分之快軸與第2部分之慢軸一致之方式相互連接。藉由在如此之第1光纖中使光通過，而可產生鎖模。又，第1部分之總長度等於第2部分之總長度。藉此，可補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。又，第1光纖具有至少1個第1部分及至少2個第2部分。藉此，例如與第1光纖僅包含2個光纖要素之情形相比，可抑制因沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之相互作用而輸出光之波形紊亂。其結果為，可輸出良好之波形之光。又，第1光纖之模場直徑小於第2光纖之模場直徑及第3光纖之模場直徑各者，而第1光纖之非線性效應提高。藉此，可縮短第1光纖，從而能夠謀求高重複化及低激發功率化。如此般，根據該光纖雷射裝置，可輸出良好之波形之光，且可謀求高重複化及低激發功率化。
第2光纖及第3光纖之至少一者可藉由熔合而連接於第1光纖。該情形下，可削減零件數目，且可將製造容易化。
可行的是，第2光纖具有第1部分及第2部分，第2光纖之第1部分以在連接部位處第2光纖之第1部分之快軸與第1光纖之慢軸一致之方式連接於第1光纖之一端，第2光纖之第2部分以在連接部位處第2光纖之第2部分之快軸與第2光纖之第1部分之快軸之間之角度成為0度或90度以外之角度之方式連接於第2光纖之第1部分。將具有互不相同之模場直徑之偏振保持光纖彼此以彼此之快軸間之角度成為0度或90度以外之角度之方式進行連接比較困難，而有成品率降低之虞。相對於此，於該構成中，具有互不相同之模場直徑之第1光纖與第2光纖以彼此之快軸與慢軸一致之方式(彼此之快軸間之角度成為90度之方式)連接。藉此，可將第1光纖與第2光纖之間之連接容易化，而可提高成品率。
可行的是，第3光纖具有第1部分及第2部分，第3光纖之第1部分以在連接部位處第3光纖之第1部分之快軸與第1光纖之快軸一致之方式連接於第1光纖之另一端，第3光纖之第2部分以在連接部位處第3光纖之第2部分之快軸與第3光纖之第1部分之快軸之間之角度成為0度或90度以外之角度之方式連接於第3光纖之第1部分。該情形下，可將第1光纖與第3光纖之間之連接容易化，而可進一步提高成品率。
第2光纖之第1部分之長度可等於第3光纖之第1部分之長度。該情形下，可針對第2光纖之第1部分、及第3光纖之第1部分，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。
可行的是，第2光纖具有第1部分，第2光纖之第1部分以在連接部位處第2光纖之第1部分之快軸與第1光纖之慢軸一致之方式連接於第1光纖之一端，第3光纖具有第1部分，第3光纖之第1部分以在連接部位處第3光纖之第1部分之快軸與第1光纖之快軸一致之方式，連接於第1光纖之另一端，第2光纖之第1部分之長度等於第3光纖之第1部分之長度。該情形下，可將第1光纖與第2光纖之間之連接、及第1光纖與第3光纖之間之連接容易化。又，可針對第2光纖之第1部分、及第3光纖之第1部分，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。
本揭示之一層面之光纖雷射裝置更具備第1橋接光纖，其包含偏振保持光纖，且連接於第1光纖與第2光纖之間，並且第1橋接光纖之模場直徑大於第1光纖之模場直徑，且小於第2光纖之模場直徑。若將具有互不相同之模場直徑之偏振保持光纖彼此予以連接，則在連接部位處容易產生損失。相對於此，於該構成中，在第1光纖與第2光纖之間，連接有具有較第1光纖之模場直徑更大且較第2光纖之模場直徑更小之模場直徑之第1橋接光纖。藉此，可降低連接部位處之損失。
本揭示之一層面之光纖雷射裝置更具備第2橋接光纖，其包含偏振保持光纖，且連接於第1光纖與第3光纖之間，並且第2橋接光纖之模場直徑大於第1光纖之模場直徑，且小於第3光纖之模場直徑。該情形下，可進一步降低連接部位處之損失。
可行的是，第1光纖總計具有偶數個第1部分及第2部分，連接部位處之第1橋接光纖之快軸與第1光纖之快軸之間之角度、和連接部位處之第2橋接光纖之快軸與第1光纖之快軸之間之角度之差為90度。該情形下，可針對第1橋接光纖及第2橋接光纖，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。
可行的是，第1光纖總計具有奇數個第1部分及第2部分，連接部位處之第1橋接光纖之快軸與第1光纖之快軸之間之角度、和連接部位處之第2橋接光纖之快軸與第1光纖之快軸之間之角度之差為0度。該情形下，可針對第1橋接光纖及第2橋接光纖，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。
連接部位處之第1橋接光纖之快軸與第2光纖之快軸之間之角度、和連接部位處之第2橋接光纖之快軸與第3光纖之快軸之間之角度之差可為0度。該情形下，可針對第2光纖及第3光纖，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。
第1橋接光纖之長度可等於第2橋接光纖之長度。該情形下，可針對第1橋接光纖及第2橋接光纖，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。
本揭示之一層面之光纖雷射裝置可更具備：光源，其輸出激發光；及光纖，其吸收激發光，且放出雷射光；雷射光係由第1光纖、第2光纖及第3光纖導光。該情形下，可輸出良好之波形之光，且可謀求高重複化及低激發功率化。 [發明之效果]
根據本揭示之一層面，能夠提供一種光纖雷射裝置，其可輸出良好之波形之光，且可謀求高重複化或低激發功率化。
以下，對於本揭示之一實施形態，一面參照圖式一面詳細地進行說明。於以下之說明中，對於同一或相當要素使用同一符號，且省略重複之說明。 [光纖雷射裝置]
如圖1所示般，光纖雷射裝置1具備：光源11、WDM(Wavelength Division Multiplexing)(波分復用)耦合器12、摻雜光纖13、隔離件14、鎖模部15、偏振控制器16、偏光片17、輸出耦合器18、及ASE(Amplified Spontaneous Emission，放大自發放射)(自發放射放大光)濾波器19。又，光纖雷射裝置1更具備用於將該等要素彼此予以連接之複數個光纖21～28。鎖模部15具有：第1光纖30、第2光纖40、及第3光纖50。
摻雜光纖13、光纖21～28、第1光纖30、第2光纖40及第3光纖50各者包含偏振保持(PM：Polarization Maintaining)光纖。偏振保持光纖係藉由在相互正交之快軸與慢軸之間使折射率不同，而提高所傳送之光之極化面保持特性之光纖。於該例中，摻雜光纖13、光纖21～28、第1光纖30、第2光纖40及第3光纖50各者包含使用光彈性效果之應力施加型之偏振保持光纖，亦可包含具有非軸對稱之芯形狀之結構型之偏振保持光纖。
圖2係第1光纖30之剖視圖。第1光纖30具有相互正交之快軸X1及慢軸X2。第1光纖30具備：芯30a、包層30b、及一對應力施加材30c。芯30a位於第1光纖31之中心。芯30a之折射率高於包層30b之折射率。包層30b包圍芯30a。一對應力施加材30c以在慢軸X2上位於芯30a之兩側之方式配置於包層30b內。
於第1光纖30中，利用應力施加材30c之熱收縮率大於包層30b之熱收縮率而對芯30a作用拉伸應力，藉此使芯30a具有雙折射率性。藉由其折射率差，當在第1光纖30內傳遞光之情形下，沿著快軸X1傳遞之成分較沿著慢軸X2傳遞之成分更快地傳遞。關於摻雜光纖13、光纖21～28、第2光纖40及第3光纖50亦具有與第1光纖30同樣之剖面結構。
再次參照圖1，光源11輸出激發光L1。光源11例如係輸出979 nm之波長之雷射光之雷射二極體。WDM耦合器12對自光源11經由光纖21輸入之激發光L1進行反射並輸出至光纖22，且使經由光纖28輸入之信號光L2透過並輸出至光纖22。
摻雜光纖13吸收經由光纖22輸入之激發光L1，並放出雷射光(信號光L2)。於摻雜光纖13中，所放出之信號光L2經由光纖23輸入至隔離件14。摻雜光纖13例如係於芯中添加有鉺(Er)之摻鉺光纖(EDF：Erbium-Doped Fiber)，放出1.5 μm頻帶之波長之雷射光。摻雜光纖13亦可為在芯中添加有鐿(Yb)之摻鐿光纖。該情形下，摻雜光纖13放出1.0 μm頻帶之波長之雷射光。
隔離件14使光沿自摻雜光纖13朝向鎖模部15之正向傳遞，另一方面，不使光沿與正向相反之方向傳遞。鎖模部15自光之傳遞方向上之上游側起依序具有第2光纖40、第1光纖30、第3光纖50，藉由該等光纖對信號光L2進行導光。對於鎖模部15之詳情將於後述。
偏振控制器16具有用於對自鎖模部15輸出之信號光L2之偏光狀態進行調整之機構。偏振控制器16例如構成為包含可旋轉地被保持之λ/4波長板16a及λ/2波長板16b。自偏振控制器16輸出之信號光L2經由光纖24輸入至偏光片17。偏光片17使在光纖24內傳遞之信號光L2中沿著慢軸傳遞之成分透過，另一方面，使沿著快軸傳遞之成分反射。
輸出耦合器18將自偏光片17經由光纖25輸入之信號光L2以特定之比率進行分割，將信號光L2之一部分輸出至光纖26，將其餘部分輸出至光纖27。例如，輸出耦合器18將信號光L2之25%輸出至光纖26，將其餘之75%輸出至光纖27。輸出至光纖26之信號光L2，例如作為輸出光被輸出至外部。亦可於輸出耦合器18設置隔離件，使得經由光纖26進入之來自外部之返回光不返回至共振器內。該情形下，可抑制起因於返回光而共振器中之振盪變得不穩定。
ASE濾波器19使在光纖27中傳遞之信號光L2中僅特定之波長範圍之成分透過並輸出至光纖28。於該例中，ASE濾波器19僅使1545 nm以上之波長之光透過。藉此，可抑制在1530 nm附近之波長區域之振盪。
如以上所述般，光纖雷射裝置1具備包含偏振保持光纖之環狀之共振器即全偏振保持光纖共振器(振盪器)。於光纖雷射裝置1中，藉由在鎖模部15中產生鎖模，而輸出例如脈寬為50飛秒至10皮秒之超短脈衝雷射。 [鎖模部]
如圖1及圖3所示般，鎖模部15具有：第1光纖30、連接於第1光纖30之一端之第2光纖40、及連接於第1光纖30之另一端之第3光纖50。如後述般，於圖1所示之鎖模部15及圖3所示之鎖模部15中，結構稍許不同。
第1光纖30具有第1部分31及2個第2部分32。第1部分31及2個第2部分32各者包含偏振保持光纖。第1部分31及2個第2部分32彼此錯開地配置。2個第2部分32分別連接於第1部分31之兩端。
各第2部分32以於連接部位C1處第2部分32之快軸32X1與第1部分31之慢軸31X2一致之方式連接於第1部分31。換言之，各第2部分32與第1部分31之間之連接部位C1處之第2部分32之快軸32X1與第1部分31之快軸31X1之間之角度成為90度。各第2部分32例如藉由熔合而直接連接於第1部分31。再者，圖3中以在光纖彼此之間空開間隙之方式繪製，但實際上光纖彼此無間隙地連接。所謂「快軸與慢軸(或快軸)一致」係指在自光之傳遞方向(光纖之延伸方向)觀察之情形下快軸與慢軸一致(沿著慢軸)之意思。
第1部分31之總長度L31等於第2部分32之總長度L32。總長度L31、L32係第1光纖30之沿著延伸方向(光之傳遞方向)之長度。第2部分32之總長度L32係將各第2部分32之長度L32a相加所得之長度。於「第1部分31之總長度L31等於第2部分32之總長度L32」中，包含在總長度L31與總長度L32之間存在可容許之略微之誤差之情形。可容許之誤差之大小係根據例如是否產生鎖模而設定。可容許之誤差為例如拍頻長度(2 mm左右)以下。所謂拍頻長度係雙折射之大小之指標，且係在快軸中傳遞之光與在慢軸中傳遞之光之相位差為2π之距離。或者，可容許之誤差為5 mm以下。關於此點，針對後述之第2光纖40之第1部分41之長度L41及第3光纖50之第1部分51之長度L51、以及第1橋接光纖60之長度L60及第2橋接光纖70之長度L70亦相同。
第2光纖40具有第1部分41及第2部分42。第1部分41以於連接部位C2處第1部分41之快軸41X1與第2部分32之慢軸32X2一致之方式，連接於第1光纖30之第2部分32。換言之，第1部分41與第2部分32之間之連接部位C2處之第1部分41之快軸41X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度成為90度。第1部分41例如藉由熔合而直接連接於第2部分32。
第2部分42以在連接部位C3處第2部分42之快軸42X1與第1部分41之快軸41X1之間之角度成為0度或90度以外之角度θ1之方式，連接於第1部分41之一端。亦即，角度θ1不是0度亦不是90度。角度θ1為45度以外之角度。角度θ1可如後述般以產生鎖模之方式例如實驗性地設定。角度θ1係自光之傳遞方向(第1光纖30及第2光纖40之延伸方向)觀察時之角度。關於此點，針對後述之角度θ2亦相同。第2部分42例如藉由熔合而直接連接於第1部分41。第2部分42之另一端連接於上述之隔離件14。
於圖3所示之鎖模部15中，第3光纖50具有第1部分51及第2部分52。第1部分51以於連接部位C4處第1部分51之快軸51X1與第2部分32之快軸32X1一致之方式，連接於第1光纖30之第2部分32。換言之，第1部分51與第2部分32之間之連接部位C4處之第1部分51之快軸51X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度成為0度。連接部位C4處之第1部分51之快軸51X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度，與連接部位C2處之第2光纖40之第1部分41之快軸41X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度差異90度。第1部分51例如藉由熔合而直接連接於第2部分32。
第2部分52以在連接部位C5處第2部分52之快軸52X1與第1部分51之快軸51X1之間之角度成為0度或90度以外之角度θ2之方式，連接於第1部分51之一端。亦即，角度θ2不是0度亦不是90度。角度θ2係45度以外之角度，例如係於角度θ1加上90度所得之角度。第2部分52之一端例如藉由熔合而直接連接於第1部分51。第2部分52之另一端連接於上述偏光片17。
第2光纖40之第1部分41之長度L41等於第3光纖50之第1部分51之長度L51。長度L41、L51係沿著第2光纖40及第3光纖50之延伸方向(光之傳遞方向)之長度。
於圖1所示之鎖模部15中，第3光纖50僅具有第1部分51。第1部分51之一端連接於第2部分32，第1部分51之另一端連接於上述偏振控制器16。於圖3所示之鎖模部15中，藉由連接部位C5處之第1部分51之快軸51X1與第2部分52之快軸52X1之間之角度為角度θ2，而對光之偏光狀態進行調整。相對於此，於圖1所示之鎖模部15中，藉由具備可旋轉之波長板之偏振控制器16，而與圖3所示之鎖模部15同樣地對光之偏光狀態進行調整。如此般，第3光纖50之第2部分52可置換成使用了波長板之調整機構。
第1光纖30之模場直徑(MFD：Mode Field Diameter)小於第2光纖40之MFD及第3光纖50之MFD各者。所謂模場直徑係表示在光纖內傳遞之光自芯朝包層漏出之程度之指標。例如，可藉由使光入射至光纖之一端且自另一端取得所出射之光之像，而計測模場直徑。第1光纖30之MFD例如為2 μm～4 μm。第2光纖40及第3光纖50之MFD例如為4 μm～10 μm。MFD遍及第1光纖30之整體相同。關於此點，針對第2光纖40及第3光纖50亦相同。於偏振保持光纖中，MFD愈小，則非線性效應愈大。亦即，第1光纖30包含非線性效應較構成第2光纖40及第3光纖50之偏振保持光纖更高之高非線形光纖。再者，第1光纖30之芯徑亦可小於第2光纖40之芯徑及第3光纖50之芯徑各者，亦可為該等以上。所謂第1光纖30之芯徑，如圖2所示般，係構成第1光纖30之偏振保持光纖之芯30a之直徑D。所謂第2光纖40及第3光纖50之芯徑係構成該等之偏振保持光纖之芯30a之直徑D。 [作用及效果]
如以上所說明般，於光纖雷射裝置1中，第1光纖30具有第1部分31、及與第1部分31彼此錯開地配置之2個第2部分32。相鄰之第1部分31與第2部分32，以在連接部位C1處第1部分31之快軸31X1與第2部分32之慢軸32X2一致之方式相互連接。藉由在如此之第1光纖30中使光通過，且在後段設置必要之光學元件(例如偏光片17)，而可產生鎖模。
亦即，連接部位C3處之第2光纖40之第2部分42之快軸42X1與第2光纖40之第1部分41之快軸41X1之間之角度，成為0度或90度以外之角度θ1。藉此，在第2部分42中傳遞之光在入射至第1部分41時，分成沿著第1部分41之快軸41X1傳遞之成分與沿著第1部分41之慢軸41X2傳遞之成分。由於角度θ1設為45度以外之角度，因此沿著快軸41X1傳遞之成分之強度與沿著慢軸41X2傳遞之成分之強度互不相同。在偏振保持光纖內傳遞之光之強度愈高，則接收愈大之非線性效應。因此，在沿著快軸41X1傳遞之成分與沿著慢軸41X2傳遞之成分之間產生不同大小之非線性效應。自第1部分41輸出之光經第1光纖30、及第3光纖50之第1部分51導光，而到達第3光纖50之第2部分52。於該導光之期間，亦與在第1部分41內傳遞時同樣地，於沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分中接收不同大小之非線性效應。連接部位C5處之第1部分51之快軸51X1與第2部分52之快軸52X1之間之角度成為0度或90度以外之角度θ2。或者，於圖1所示之鎖模部15中，光之偏光狀態被偏振控制器16同樣地予以調整。藉此，在光自第1部分51入射至第2部分52時，在各軸中傳遞著之成分相互合成，藉由非線性效應之差而產生相位差。因根據強度之高低而相位差不同，故可藉由提高高強度之光之透過率同時降低低強度之光之透過率而產生鎖模。
此處，在偏振保持光纖內傳遞光之情形下，藉由折射率差，而在沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間產生傳遞速度之差。關於此點，在光纖雷射裝置1中，第1部分31之總長度L31等於第2部分32之總長度L32。亦即，以沿著快軸傳遞之距離與沿著慢軸傳遞之長度成為相等之方式設定第1部分31及第2部分32之長度。藉此，可補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。
又，於光纖雷射裝置1中，第1光纖30具有第1部分31及2個第2部分32。藉此，例如與第1光纖30僅包含2個光纖要素之情形相比，可抑制因沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之相互作用而輸出光之波形紊亂。其結果為，可輸出良好之波形之光。
亦即，即便在第1光纖30僅包含以相互之快軸間之角度成為90度之方式連接之2個光纖要素之情形下，仍可產生鎖模。然而，存在下述情況，即：因在光纖要素內先行傳遞之成分之後側部分與在光纖要素內推遲傳遞之成分之前側部分彼此相互作用(相互相位調變)，而輸出光之波形紊亂。相對於此，於光纖雷射裝置1中，第1光纖30具有第1部分31及2個第2部分32。藉此，可縮短在傳遞速度上產生有差之距離，而可抑制因傳遞速度差所致之波形之紊亂。亦即，藉由第1部分31之前側部分而補償在上游側之第2部分32產生之時間差，藉由下游側之第2部分32而補償在第1部分31之後側部分產生之時間差。藉此，可抑制輸出光之波形紊亂，而可輸出良好之波形之光(交叉接續法)。
又，於光纖雷射裝置1中，第1光纖30之MFD小於第2光纖40之MFD及第3光纖50之MFD各者，而第1光纖30之非線性效應提高。藉此，可縮短第1光纖30，而能夠謀求高重複化。又，能夠降低為了使鎖模自發開始所需之激發功率。以上，根據光纖雷射裝置1，可輸出良好之波形之光，且可謀求高重複化及低激發功率化。又，於使用了半導體可飽和吸收鏡(SESAM：Semiconductor Saturable Absorber Mirror)之光纖雷射裝置中，半導體可飽和吸收鏡易於受到光損傷，壽命之偏差較大，因此會發生問題，但在光纖雷射裝置1中，由於不使用半導體可飽和吸收鏡，因此可避免如此之事態。
第2光纖40及第3光纖50藉由熔合而連接於第1光纖30。藉此，與在空間上使用光學元件(透鏡等)結合之情形相比，可削減零件數目，且可將製造容易化。通常，在將具有互不相同之MFD之偏振保持光纖彼此藉由熔合進行連接時，起因於MFD之差異及加熱時之容易變形度之差異，而於連接部位處易於產生損失。如此之損失會導致於在共振器內周繞之光中產生雜訊、畸變等之不穩定性。於光纖雷射裝置1中，在考量了如此之點後，將第2光纖40及第3光纖50藉由熔合而連接於第1光纖30，而謀求零件數目之削減及製造之容易化。
又，於光纖雷射裝置1中，第2光纖40之第1部分41以在連接部位C2處第1部分41之快軸41X1與第2部分32之慢軸32X2一致之方式連接於第1光纖30之第2部分32，第2光纖40之第2部分42以在連接部位C3處第2部分42之快軸42X1與第1部分41之快軸41X1之間之角度θ1成為0度或90度以外之角度之方式連接於第1部分41。將具有互不相同之MFD之偏振保持光纖彼此以彼此之快軸間之角度成為0度或90度以外之角度之方式進行連接比較困難，且有成品率降低之虞。關於此點，在將具有互不相同之MFD之偏振保持光纖彼此藉由熔合而連接之情形下，特別明顯。此係緣於在快軸間之角度為0度或90度以外之角度時，需要在未取得應力之對稱性之狀態下熔合，且因摻雜劑及構造不同而加熱時之變形方式不同之故。例如，在快軸間之角度為0度或90度以外之角度之情形下，與快軸間之角度為0度或90度之情形相比，成功概率低，成品率為50%以下。相對於此，於光纖雷射裝置1中，具有互不相同之MFD之第1光纖30與第2光纖40以彼此之快軸與慢軸一致之方式(彼此之快軸間之角度成為90度之方式)連接。藉此，可將第1光纖30與第2光纖40之間之連接容易化，且可提高成品率。該可提高成品率之作用效果，在如本實施形態般將第1光纖30與第2光纖40藉由熔合而連接之情形下，尤為明顯。再者，在如連接部位C3、C5般將具有同一MFD之偏振保持光纖彼此進行連接之情形下，即便快軸間之角度為0度或90度以外之角度，成功概率亦高，且成品率大致為100%。
第3光纖50之第1部分51以在連接部位C4處第1部分51之快軸51X1與第2部分32之快軸32X1一致之方式連接於第1光纖30之第2部分32，第3光纖50之第2部分52以在連接部位C5處第2部分52之快軸52X1與第1部分51之快軸51X1之間之角度θ2成為0度或90度以外之角度之方式連接於第1部分51。藉此，可將第1光纖30與第3光纖50之間之連接容易化，且可進一步提高成品率。該可提高成品率之作用效果，在如本實施形態般將第1光纖30與第3光纖50藉由熔合而連接之情形下，尤為明顯。
第2光纖40之第1部分41之長度L41等於第3光纖50之第1部分51之長度L51。藉此，針對第1部分41及第1部分51，可補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。 [實施例]
藉由圖1所示之光纖雷射裝置1進行了鎖模振盪。以輸出1.5 μm頻帶之波長之雷射光之方式構成光纖雷射裝置1。第1光纖30之MFD設為4.9 μm左右。第1光纖30之長度設為2 m左右。第2光纖40及第3光纖50之MFD設為10.1 μm左右。共振器整體之色散值為-0.014 ps2 。鎖模之自發開始時之激發功率(光源11之輸出功率)為105 mW左右。
藉由頻率解析光閘法(FROG：Frequency-Resolved Optical Gating)對輸出光之脈寬進行了測定。圖4係顯示脈衝波形及瞬時波長之圖。圖5係顯示光譜波形及相位之圖。如圖4所示般，輸出了具有良好之波形之超短脈衝波。脈寬為127 fs。如圖5所示般，光譜帶寬為32 nm，而獲得充分之光譜帶寬。由於在形成有光譜之山峰之波長區域，相位變低，因此可知脈寬被良好地壓縮。
使用高頻光譜分析儀對輸出光之頻譜進行了測定。圖6(a)及圖6(b)係顯示頻譜之圖。於圖6(a)中，橫軸之刻度間隔為100 kHz，於圖6(b)中，橫軸之刻度間隔為100 MHz。於兩者之圖中，縱軸之刻度間隔為10 dB。圖6(a)及圖6(b)係顯示頻譜之圖。輸出光之重複頻率為40.6 MHz。如圖6(a)所示般，輸出光之頻譜之S/N比為70 dB以上。如圖6(b)所示般，即便將頻帶擴寬至1 GHz，峰值之高度仍一致，而獲得充分之頻率穩定性。 [第1變化例]
於圖7及圖8所示之第1變化例之光纖雷射裝置1A中，鎖模部15更具備第1橋接光纖60、及第2橋接光纖70。
第1橋接光纖60包含偏振保持光纖，且連接於第1光纖30之第2部分32與第2光纖40之第1部分41之間。第1橋接光纖60之一端以在連接部位C6處第1橋接光纖60之快軸60X1與第2部分32之慢軸32X2一致之方式連接於第2部分32。第1橋接光纖60之另一端以在連接部位C7處第1橋接光纖60之快軸60X1與第1部分41之快軸41X1一致之方式連接於第1部分41。第1橋接光纖60例如藉由熔合而直接連接於第2部分32及第1部分41。
第2橋接光纖70包含偏振保持光纖，且連接於第1光纖30之第2部分32與第3光纖50之第1部分51之間。第2橋接光纖70之一端以在連接部位C8處第2橋接光纖70之快軸70X1與第2部分32之快軸32X1一致之方式連接於第2部分32。第2橋接光纖70之另一端以在連接部位C9處第2橋接光纖70之快軸70X1與第1部分51之快軸51X1一致之方式連接於第1部分51。第2橋接光纖70例如藉由熔合而直接連接於第2部分32及第1部分51。
第1橋接光纖60之長度L60等於第2橋接光纖70之長度L70。長度L60、L70係第1橋接光纖60及第2橋接光纖70之沿著延伸方向(光之傳遞方向)之長度。
第1橋接光纖60之MFD大於第1光纖30之MFD，且小於第2光纖40之MFD。第2橋接光纖70之MFD大於第1光纖30之MFD，且小於第3光纖50之MFD。第1橋接光纖60之MFD例如等於第2橋接光纖70之MFD。第1橋接光纖60及第2橋接光纖70之MFD例如為4 μm～5 μm。
於第1變化例中，在隔離件14與鎖模部15之間設置偏振控制器90。偏振控制器90具有用於對輸入至鎖模部15之信號光L2之偏光狀態進行調整之機構。偏振控制器90例如構成為包含可旋轉地被保持之λ/4波長板90a及λ/2波長板90b。於圖7所示之例中，偏振控制器16與偏光片17作為1個要素而一體地構成。偏振控制器16僅包含λ/2波長板16b。
根據第1變化例，亦與上述實施形態同樣地，可輸出良好之波形之光，且可謀求高重複化及低激發功率化。又，於第1變化例中，具有大於第1光纖30之MFD且小於第2光纖40之MFD之MFD之第1橋接光纖60，連接於第1光纖30與第2光纖40之間。藉此，可降低第1光纖30與第2光纖40之間之連接部位之損失。
具有大於第1光纖30之MFD且小於第3光纖50之MFD之MFD之第2橋接光纖70，連接於第1光纖30與第3光纖50之間。藉此，可進一步降低連接部位處之損失。
第1橋接光纖60以於連接部位C6處第1橋接光纖60之快軸60X1與第2部分32之慢軸32X2一致之方式，連接於第1光纖30之第2部分32，第2橋接光纖70以於連接部位C8處第2橋接光纖70之快軸70X1與第2部分32之快軸32X1一致之方式，連接於第2部分32。第1橋接光纖60之長度L60等於第2橋接光纖70之長度L70。藉此，可針對第1橋接光纖60及第2橋接光纖70，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。
第1變化例亦可如圖9所示般構成。於該例中，於連接部位C6處第1橋接光纖60之快軸60X1與第2部分32之快軸32X1一致，於連接部位C7處第1橋接光纖60之快軸60X1與第1部分41之慢軸41X2一致。於連接部位C8處第2橋接光纖70之快軸70X1與第2部分32之慢軸32X2一致，於連接部位C9處第2橋接光纖70之快軸70X1與第1部分51之慢軸51X2一致。於該情形下，亦可補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。亦即，在如圖9般第1光纖30具有總計奇數個第1部分31及第2部分32之情形下(例如，具有1個第1部分31及2個第2部分32之情形下)，若連接部位C6處之第1橋接光纖60之快軸60X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度、和連接部位C8處之第2橋接光纖70之快軸70X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度之間之差為90度，則可針對第1橋接光纖60及第2橋接光纖70，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。又，該情形下，若連接部位C7處之第1橋接光纖60之快軸60X1與第1部分41之快軸41X1之間之角度、和連接部位C9處之第2橋接光纖70之快軸70X1與第1部分51之快軸51X1之間之角度之間之差為0度，則可針對第1部分41及第1部分51，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。另一方面，在與圖9不同、而第1光纖30具有總計偶數個第1部分31及第2部分32之情形下(例如，具有2個第1部分31及2個第2部分32之情形下),若連接部位C6處之第1橋接光纖60之快軸60X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度、和連接部位C8處之第2橋接光纖70之快軸70X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度之間之差為0度，則可針對第1橋接光纖60及第2橋接光纖70，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。該情形下亦然，若連接部位C7處之第1橋接光纖60之快軸60X1與第1部分41之快軸41X1之間之角度、和連接部位C9處之第2橋接光纖70之快軸70X1與第1部分51之快軸51X1之間之角度之間之差為0度，則可針對第1部分41及第1部分51，補償沿著快軸傳遞之成分與沿著慢軸傳遞之成分之間之傳遞速度之差。
對於第1變化例之實施例進行說明。藉由圖7所示之光纖雷射裝置1A進行了鎖模振盪。以輸出1.5 μm頻帶之波長之雷射光之方式構成光纖雷射裝置1A。第1光纖30之MFD設為4 μm左右。第1光纖30之長度設為1.5 m左右。第2光纖40及第3光纖50之MFD設為10.1 μm左右。共振器整體之色散值為-0.081 ps2 。於將第1光纖30與第2光纖40藉由熔合而直接連接之情形下，連接部位處之損失為0.8 dB。當在第1光纖30與第2光纖40之間連接有第1橋接光纖60之情形下，損失為0.4 dB。據此可知，藉由設置第1橋接光纖60而可降低連接部位處之損失。
圖10係顯示光譜形狀之圖，圖11(a)及圖11(b)係顯示頻譜之圖。於圖11(a)中，橫軸之刻度間隔為200 kHz，於圖11(b)中，橫軸之刻度間隔為100 MHz。於兩者之圖中，縱軸之刻度間隔為10 dB。如圖10所示般，光譜帶寬為6.9 nm，而獲得充分之光譜帶寬。於圖11(a)中，輸出光之重複頻率為36.1 MHz。輸出光之頻譜之S/N比為70 dB以上。如圖11(b)所示般，即便將頻帶擴寬至1 GHz，峰值之高度仍一致，而獲得充分之頻率穩定性。 [比較例]
於圖12所示之比較例之光纖雷射裝置100中，鎖模部115包含3個光纖要素115a，該光纖要素115a包含具有同一MFD之偏振保持光纖。於鎖模部115之一端連接有偏振控制器116，於鎖模部115之另一端連接有偏振控制器117。將如此之比較例之光纖雷射裝置100與實施形態之光纖雷射裝置1同樣地，構成為以40 MHz左右之重複頻率輸出1.5 μm頻帶之波長之雷射光。光纖要素115a之MFD設為10.1 μm左右。鎖模部115之總長度設為2 m左右。共振器整體之色散值為-0.110 ps2 。
圖13係顯示光譜形狀之圖，圖14(a)及圖14(b)係顯示頻譜之圖。於圖14(a)中，橫軸之刻度間隔為200 kHz，於圖14(b)中，橫軸之刻度間隔為100 MHz。於兩者之圖中，縱軸之刻度間隔為10 dB。如圖13所示般，光譜帶寬為5.8 nm。於圖14(a)中，輸出光之重複頻率為40.9 MHz。輸出光之頻譜之S/N比為70 dB以上。如圖14(b)所示般，即便將頻帶擴寬至1 GHz，峰值之高度仍一致，而獲得充分之頻率穩定性。
如上述般，在圖1所示之光纖雷射裝置1中，鎖模之自發開始時之激發功率為105 mW左右。另一方面，於圖12所示之比較例之光纖雷射裝置100中，鎖模之自發開始時之激發功率為225 mW左右。如此般，滿足兩者之條件，而在將光纖長度設為2 m、將重複頻率設為40 MHz左右之情形下，於圖1所示之光纖雷射裝置1中，可以圖12所示之比較例之光纖雷射裝置100之大約一半之激發功率使超短脈衝雷射振盪。 [第2變化例]
於圖15所示之第2變化例之光纖雷射裝置1B中，與第1變化例同樣地，在隔離件14與鎖模部15之間設置偏振控制器90。偏振控制器16與偏光片17作為1個要素而一體地構成。第2光纖40僅具有第1部分41。第1部分41之一端連接於第1光纖30之第2部分32，第1部分41之另一端連接於偏振控制器90。根據如此之第2變化例，亦與上述實施形態同樣地，可輸出良好之波形之光，且可謀求高重複化及低激發功率化。 [鎖模條件]
使用圖15所示之構成對產生鎖模之條件進行了確認。使用偏振控制器90對輸入至位於最上游側之第2光纖40(以下亦稱為「入口側光纖」)之光之偏光狀態進行調整，且使用偏振控制器16對位於最下游側之第3光纖50(以下亦稱為「出口側光纖」)之輸出端處之光之偏光狀態進行調整，並對產生鎖模之角度區域進行了確認。再者，為了易於理解角度區域而提高了激發功率進行確認，但在實際之動作時角度有可能偏移。
圖16係顯示光譜形狀之圖，圖17係顯示脈衝波形及瞬時波長之圖。於圖16及圖17中，顯示將入口側光纖之旋轉角度(快軸與慢軸之間之角度)設為12度(192度)，將出口側光纖之旋轉角度設為100度時之結果。如圖16所示般，光譜帶寬為50 nm。如圖17所示般，脈寬為635 fs。於圖17中，橫軸之刻度間隔為200 fs。
圖18係顯示產生了鎖模之角度區域。於圖18中，縱軸之刻度間隔為10度，橫軸之刻度間隔為2度。經著色之區域表示在與該區域對應之角度之組合中產生了鎖模。自圖18可知，於在入口側光纖之旋轉角度上加上90度所得之角度與出口側光纖之旋轉角度成為相等之角度區域之附近，存在產生鎖模之區域。可基於如此之實驗結果，設定入口側光纖及出口側光纖之旋轉角度。又，可藉由使用該實驗結果，以產生鎖模之方式設定上述之連接部位C3、C4處之角度θ1、θ2。 [第3變化例]
圖19所示之第3變化例之光纖雷射裝置1C構成為輸出1.0 μm頻帶之波長之雷射光。第1光纖30之MFD設為3.5 μm左右。第1光纖30之長度設為6 m左右。第2光纖40及第3光纖50之MFD設為6.9 μm左右。共振器整體之色散值為0.304 ps2 。於光纖雷射裝置1C中，設置帶通濾波器BF而取代ASE濾波器19。於輸出1.0 μm頻帶之雷射光之情形下，由於色散值為正常色散，且脈衝繼續擴展，因此需要藉由帶通濾波器BF限制脈衝之擴展。根據如此之第3變化例，亦與上述實施形態同樣地，可輸出良好之波形之光，且可謀求高重複化及低激發功率化。
圖20係顯示光譜形狀之圖，圖21(a)及圖21(b)係顯示頻譜之圖。如圖20所示般，光譜帶寬為10.9 nm，而獲得充分之光譜帶寬。於圖21(a)中，輸出光之重複頻率為19.9 MHz。輸出光之頻譜之S/N比為70 dB以上。如圖21(b)所示般，即便將頻帶擴寬至1 GHz，峰值之高度仍一致，而獲得充分之頻率穩定性。
本揭示並不限於上述實施形態及變化例。於上述實施形態中，可行的是，第2光纖40僅具有第2部分42，第2部分42以第2部分42之快軸42X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度成為0度或90度以外之角度θ1之方式，連接於第1光纖30之第2部分32。同樣地，可行的是，第3光纖50僅具有第2部分52，第2部分52以第2部分52之快軸52X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度成為0度或90度以外之角度θ2之方式連接於第2部分32。
於上述實施形態中，連接部位C2處之第1部分41之快軸41X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度(第1角度)為90度，連接部位C4處之第1部分51之快軸51X1與第2部分32之快軸32X1之間之角度(第2角度)為0度，但亦可與其相反，第1角度為0度，第2角度為90度。亦即，只要第1角度與第2角度差異90度即可。該情形下，亦與上述實施形態同樣地，可輸出良好之波形之光，且可謀求高重複化及低激發功率化。換言之，於上述實施形態中，亦可將第2光纖40視為第3光纖，且將第3光纖50視為第2光纖。同樣地，於第1變化例中，亦可將第2光纖40視為第3光纖，將第3光纖50視為第2光纖，將第1橋接光纖60視為第2橋接光纖，將第2橋接光纖70視為第1橋接光纖。
第1光纖30亦可具有2個以上之第1部分31。該情形下，複數個第1部分31及複數個第2部分32彼此錯開地(交替地)配置。該情形下亦然，相鄰之第1部分31與第2部分32以於連接部位處第2部分32之快軸32X1與第1部分31之慢軸31X2一致之方式相互連接。於第1光纖30具有2個以上之第1部分31之情形下，第1部分31之總長度L31為將各第1部分31之長度相加所得之長度。第1光纖30亦可具有3個以上之第2部分32。
1,1A,1B,1C,100:光纖雷射裝置 11:光源 12:WDM耦合器 13:摻雜光纖 14:隔離件 15:鎖模部 16:偏振控制器 16a:λ/4波長板 16b:λ/2波長板 17:偏光片 18:輸出耦合器 19:ASE濾波器 21～28:光纖 30:第1光纖 30a:芯 30b:包層 30c:應力施加材 31:第1部分 31X1,32X1,41X1,42X1,51X1,52X1,60X1,70X1:快軸 31X2,32X2,41X2,51X2:慢軸 32:第2部分 40:第2光纖 41:第1部分 42:第2部分 50:第3光纖 51:第1部分 52:第2部分 60:第1橋接光纖 70:第2橋接光纖 90:偏振控制器 90a:λ/4波長板 90b:λ/2波長板 115:鎖模部 115a:光纖要素 116,117:偏振控制器 BF:帶通濾波器 C1,C2,C3,C4,C5,C6,C7,C8,C9:連接部位 D:直徑 L1:激發光 L2:信號光 L31,L32:總長度 L32a,L41,L51,L60,L70:長度 X1:快軸 X2:慢軸 θ1,θ2:角度
圖1係實施形態之光纖雷射裝置之構成圖。 圖2係第1光纖之剖視圖。 圖3係鎖模部之示意圖。 圖4係顯示脈衝波形及瞬時波長之圖。 圖5係顯示光譜波形及相位之圖。 圖6(a)及(b)係顯示頻譜之圖。 圖7係第1變化例之光纖雷射裝置之構成圖。 圖8係第1變化例之鎖模部之示意圖。 圖9係用於說明橋接光纖之連接態樣之圖。 圖10係顯示藉由圖7之構成而取得之光譜波形之圖。 圖11(a)及(b)係顯示藉由圖7之構成而取得之頻譜之圖。 圖12係比較例之光纖雷射裝置之構成圖。 圖13係顯示藉由圖12之構成而取得之光譜波形之圖。 圖14(a)及(b)係顯示藉由圖12之構成而取得之頻譜之圖。 圖15係第2變化例之光纖雷射裝置之構成圖。 圖16係顯示藉由圖15之構成而取得之光譜波形之圖。 圖17係顯示藉由圖15之構成而取得之脈衝波形及瞬時波長之圖。 圖18係顯示在圖15之構成中產生鎖模之角度區域之圖。 圖19係第3變化例之光纖雷射裝置之構成圖。 圖20係顯示藉由圖19之構成而取得之光譜波形之圖。 圖21(a)及(b)係顯示藉由圖19之構成而取得之頻譜之圖。
15:鎖模部
17:偏光片
30:第1光纖
31:第1部分
31X1,32X1,41X1,42X1,51X1,52X1:快軸
31X2,32X2,41X2,51X2:慢軸
32:第2部分
40:第2光纖
41:第1部分
42:第2部分
50:第3光纖
51:第1部分
52:第2部分
C1,C2,C3,C4,C5:連接部位
L31,L32:總長度
L32a,L41,L51:長度
θ1,θ2:角度

Claims (13)

  1. 一種光纖雷射裝置，其具備：第1光纖，其包含偏振保持光纖； 第2光纖，其包含偏振保持光纖，且連接於前述第1光纖之一端；及 第3光纖，其包含偏振保持光纖，且連接於前述第1光纖之另一端；並且 前述第1光纖具有至少1個第1部分、及與前述第1部分彼此錯開地配置之至少2個第2部分， 相鄰之前述第1部分與前述第2部分以於連接部位處前述第1部分之快軸與前述第2部分之慢軸一致之方式相互連接， 前述第1部分之總長度等於前述第2部分之總長度， 前述第1光纖之模場直徑小於前述第2光纖之模場直徑及前述第3光纖之模場直徑各者。
  2. 如請求項1之光纖雷射裝置，其中前述第2光纖及前述第3光纖之至少一者藉由熔合而連接於前述第1光纖。
  3. 如請求項1或2之光纖雷射裝置，其中前述第2光纖具有第1部分、及第2部分，且 前述第2光纖之前述第1部分以於連接部位處前述第2光纖之前述第1部分之快軸與前述第1光纖之慢軸一致之方式，連接於前述第1光纖之前述一端， 前述第2光纖之前述第2部分以於連接部位處前述第2光纖之前述第2部分之快軸與前述第2光纖之前述第1部分之快軸之間之角度成為0度或90度以外之角度之方式，連接於前述第2光纖之前述第1部分。
  4. 如請求項3之光纖雷射裝置，其中前述第3光纖具有第1部分、及第2部分，且 前述第3光纖之前述第1部分以於連接部位處前述第3光纖之前述第1部分之快軸與前述第1光纖之快軸一致之方式連接於前述第1光纖之前述另一端， 前述第3光纖之前述第2部分以於連接部位處前述第3光纖之前述第2部分之快軸與前述第3光纖之前述第1部分之快軸之間之角度成為0度或90度以外之角度之方式，連接於前述第3光纖之前述第1部分。
  5. 如請求項4之光纖雷射裝置，其中前述第2光纖之前述第1部分之長度等於前述第3光纖之前述第1部分之長度。
  6. 如請求項1或2之光纖雷射裝置，其中前述第2光纖具有第1部分， 前述第2光纖之前述第1部分以於連接部位處前述第2光纖之前述第1部分之快軸與前述第1光纖之慢軸一致之方式，連接於前述第1光纖之前述一端， 前述第3光纖具有第1部分， 前述第3光纖之前述第1部分以於連接部位處前述第3光纖之前述第1部分之快軸與前述第1光纖之快軸一致之方式連接於前述第1光纖之前述另一端， 前述第2光纖之前述第1部分之長度等於前述第3光纖之前述第1部分之長度。
  7. 如請求項1之光纖雷射裝置，其更具備第1橋接光纖，該第1橋接光纖包含偏振保持光纖，且連接於前述第1光纖與前述第2光纖之間；且 前述第1橋接光纖之模場直徑大於前述第1光纖之模場直徑，且小於前述第2光纖之模場直徑。
  8. 如請求項7之光纖雷射裝置，其更具備第2橋接光纖，該第2橋接光纖包含偏振保持光纖，且連接於前述第1光纖與前述第3光纖之間；且 前述第2橋接光纖之模場直徑大於前述第1光纖之模場直徑，且小於前述第3光纖之模場直徑。
  9. 如請求項8之光纖雷射裝置，其中前述第1光纖具有總計偶數個前述第1部分及前述第2部分，且 連接部位處之前述第1橋接光纖之快軸與前述第1光纖之快軸之間之角度、和連接部位處之前述第2橋接光纖之快軸與前述第1光纖之快軸之間之角度之差為90度。
  10. 如請求項8之光纖雷射裝置，其中前述第1光纖具有總計奇數個前述第1部分及前述第2部分，且 連接部位處之前述第1橋接光纖之快軸與前述第1光纖之快軸之間之角度、和連接部位處之前述第2橋接光纖之快軸與前述第1光纖之快軸之間之角度之差為0度。
  11. 如請求項9或10之光纖雷射裝置，其中連接部位處之前述第1橋接光纖之快軸與前述第2光纖之快軸之間之角度、和連接部位處之前述第2橋接光纖之快軸與前述第3光纖之快軸之間之角度之差為0度。
  12. 如請求項8至11中任一項之光纖雷射裝置，其中前述第1橋接光纖之長度等於前述第2橋接光纖之長度。
  13. 如請求項1至12中任一項之光纖雷射裝置，其更具備：光源，其輸出激發光；及 光纖，其吸收前述激發光，且放出雷射光；並且 前述雷射光係由前述第1光纖、前述第2光纖及前述第3光纖導光。
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