TW202210814A - 使用光柵耦合表面電漿子共振之光學計量台的方位角之校準 - Google Patents

使用光柵耦合表面電漿子共振之光學計量台的方位角之校準 Download PDF

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Abstract

使用校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應來校準樣本與光學計量裝置之光學系統的入射平面(POI)之間的方位角偏移。該校準光柵經組態以回應於該光學計量裝置之光學特性而產生光柵耦合表面電漿子共振。該校準光柵係耦合至該台並定位在相對於該光學計量裝置之該光學通道的已知方位角，同時測量該校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應。該校準光柵的定向與該光學系統的該POI之間的該方位角係基於該光柵耦合表面電漿子共振回應來判定。經判定方位角可接著用以校正該樣本與該POI之間的一方位角偏移。

Description

使用光柵耦合表面電漿子共振之光學計量台的方位角之校準
本文中所述標的之實施例大致上係關於光學計量設備，且更具體而言係關於光學計量台相對於光學通道之旋轉位置的校準。 相關申請案之交互參照
本申請案主張於2020年9月11日申請之美國非臨時專利申請案第17/018,726號之標題為「CALIBRATION OF AZIMUTH ANGLE FOR OPTICAL METROLOGY STAGE USING GRATING-COUPLED SURFACE PLASMON RESONANCE」之優先權，其全文以引用方式併入本文中。
半導體及其他類似產業經常在處理期間使用光學計量設備以提供基材之非接觸式評估。利用光學計量，受測試樣本係固持在一台上，該台係用以將樣本放置在相對於光學通道之一或多個位置處以供測量。在測量期間，使用光學通道以利用光來照射樣本，該光係與該樣本交互作用。在與樣本交互作用之後，檢測並分析所得光以判定樣本之所欲特性。
在測量期間，重要的是不僅使用該台以使樣本位置相對於光學通道對準，同時亦重要的是得知相對於光學通道之樣本定向。例如，相對於光學通道之樣本旋轉的知識、樣本相對於光學通道之定向可經實體調整或者可將旋轉包括在測量之分析中。若樣本相對於光學通道旋轉以一未知的量，則所得光學測量之準確度可受到不利的影響。因此，光學計量台相對於光學通道之旋轉位置的適當校準係所欲的。
該方位角使用一校準光柵而在該台上的一樣本與一光學計量裝置之該光學系統的入射平面(POI)之間偏移，該校準光柵回應於由該光學計量裝置所使用之光而產生光柵耦合表面電漿子共振。該校準光柵之材料及光柵參數可經組態以回應於該光學計量裝置之光學特性而產生光柵耦合表面電漿子共振，例如，由該光學計量裝置所使用之該光的特定波長及入射角(AOI)。產生光柵耦合表面電漿子共振之一校準光柵的使用對於方位角之校準係有利的，因為相較於習知光柵其對於方位角係約2至3倍更敏感的，且相較於習知光柵產生2倍更少的參數相關。該校準光柵可耦合至該台並定位在相對於該光學計量裝置之該光學通道的一已知方位角，同時測量該校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應。該校準光柵的定向與該光學系統的POI之間的方位角可基於光柵耦合表面電漿子共振回應來準確地測量。經判定方位角可接著用以校正該樣本與該POI之間的一方位角偏移。
在一個實施方案中，可使用一校準光柵來校準一光學計量裝置，該校準光柵經組態以產生光柵耦合表面電漿子共振。該光學計量裝置可例如，包括一光學系統，該光學系統經組態以產生沿著一入射平面(POI)且包括一或多個波長之一光束。一台固持一樣本且係耦合至該校準光柵。該校準光柵可經組態以產生於由該光學計量裝置所產生之該光束的一或多個波長處之光柵耦合表面電漿子共振。一檢測器回應於與該校準光柵交互作用之該光束而檢測並產生信號。該光學計量裝置之至少一處理器接收來自該檢測器之該等信號，且經組態以測量由該校準光柵所產生之該光柵耦合表面電漿子共振。該至少一處理器經組態以基於由該校準光柵所產生之該光柵耦合表面電漿子共振來判定該校準光柵的一定向與該光學系統的該POI之間的一方位角。該至少一處理器經組態以使用該校準光柵的該定向與該光學系統的該POI之間的該經判定方位角來校正該台上的該樣本與該光學系統的該POI之間的一方位角偏移。
在一個實施方案中，一種校準一光學計量裝置之方法，其包括測量耦合至一台之一校準光柵的一光柵耦合表面電漿子共振回應，該光柵耦合表面電漿子共振係回應於沿著在該校準光柵上之一入射平面(POI)入射之來自一光學系統的一光束而產生。該方法進一步包括基於該校準光柵之該光柵耦合表面電漿子共振回應來判定該校準光柵的一定向與該光學系統的該POI之間的一方位角。該方法進一步包括使用該校準光柵的該定向與該光學系統的該POI之間的該經判定方位角來校正該台上的一樣本與該光學系統的該POI之間的一方位角偏移。
在一個實施方案中，一光學計量裝置可經組態用於使用該光柵耦合表面電漿子共振之校準。該光學計量裝置可例如包括一構件，其用於回應於沿著一入射平面(POI)之來自一光學系統的一光束而產生光柵耦合表面電漿子共振。該光學計量裝置進一步包括一構件，其用於測量相對於該台之該光束的光柵耦合表面電漿子共振回應；及一構件，用於基於該光柵耦合表面電漿子共振回應來判定該台與該光學系統的該POI之間的一方位角。該光學計量裝置進一步包括一構件，其用於使用該台與該光學系統的該POI之間的一經判定方位角來校正該台上的一樣本與該光學系統的該POI之間的一方位角偏移。
為了產生受測試樣本之準確的光學測量，該台必須將樣本定位在相對於光學通道之適當位置處，否則可能測得樣本之不正確部分。此外，針對準確的光學測量，應已知樣本相對於光學通道之定向。例如，相對於光學通道之樣本的旋轉可影響該樣本如何影響光，而因此，可影響由光學計量系統所檢測到的所得光。若沒有相對於光學通道之樣本的定向之準確瞭解，則所得測量可受到不利的影響。
例如，光學計量裝置可小心地控制光學通道中之入射光的偏振狀態。測量由樣本所導致之入射光的偏振狀態之更改，且可將其用以判定樣本之各種特性。然而，若樣本係以不同於預期的方式相對於光學通道來定向，則光之偏振狀態的修改之至少一部分可係歸因於樣本的定向而非待判定之樣本的特性。
其他類型的光學計量裝置亦可能由於測量不準確度而受損害，若測量目標相對於光學通道之定向的對準沒有高度準確度的話。例如，在微電子製造程序中，已將散射測量廣泛地用於關鍵尺寸(CD)之特徵化及週期性結構之詳細側壁輪廓。然而，由樣本所散射的光受到相對於入射光之樣本的定向影響。因此，無法嚴密地控制測量目標相對於光學通道之定向的對準可能將不準確度引入測量中。
如在本文中所討論，樣本相對於光學通道之定向（在本文中稱為方位角）可透過使用校準光柵來精確地測量，該校準光柵係基於光學通道來組態以產生光柵耦合表面電漿子共振。表面電漿子共振係在由入射光所刺激的負介電率材料與正介電率材料之間的介面處之傳導電子的共振振盪。例如，光柵耦合表面電漿子共振可在金屬校準光柵中產生，例如，可包括銅、金、銀、鋁、鎢、及經摻雜半導體中之一或多者的光柵。校準光柵之一或多個參數（例如，節距、線寬、或高度）可經組態以產生光柵耦合表面電漿子共振。校準光柵之組態（例如，材料及/或光柵參數）可基於光學計量裝置之參數，諸如由光學計量裝置所使用之光的特定波長、及入射角(AOI)。使用回應於由光學計量裝置所使用之光而產生光柵耦合表面電漿子共振的校準光柵係有利的，此係歸因於光柵耦合表面電漿子共振對於方位角的高敏感度。例如，經組態以產生光柵耦合表面電漿子共振之校準光柵相較於習知光柵係對於方位角約2至3倍更敏感的，且相較於習知光柵產生2倍更少的參數相關。
校準光柵可位於樣本本身上或以其他方式耦合至該台，例如，當作在定位受測試樣本前之校準程序期間附接至該台或載入至該台上之參考晶片。光柵耦合表面電漿子共振可由光學計量裝置測量，且用以判定校準光柵與光學計量裝置的光學通道之間的方位角。校準光柵之方位角（一旦經判定）可用以校正在測量期間之方位角偏移，例如，藉由據此調整樣本之位置、或藉由將經判定方位角包括入測量判定程序中。
圖1繪示一光學計量裝置100，其可使用校準光柵150，該校準光柵經組態以產生光柵耦合表面電漿子共振，用以校準該台相對於光學計量裝置100之光學系統101（其有時稱為光學通道）的方位角。圖1中所示之光學計量裝置100為了作為實例係繪示為橢圓偏光儀(ellipsometer)。然而，應理解到，校準光柵150之使用不限於橢圓偏光儀而可與任何想要進行方位角之校準的光學計量裝置使用，包括散射計、橢圓偏光儀、偏光計、及反射計或其他光學計量裝置，以及寬頻或單一波長裝置。
如圖1中所示，光學計量裝置100之光學通道101係傾斜地入射在樣本152上，且形成入射平面(POI) 113，其通常係由來自樣本之入射及鏡面反射光所形成的平面。樣本152之定向（由線151所繪示）可意欲與POI 113對準，但可由方位角偏移φoff 所不利地旋轉，其在圖1的繪示中係顯著地誇大。為了簡單起見，圖1繪示樣本152之定向（由線151繪示）為與轉變方向Y對準，但實際上這些可不同。方位角偏移φoff 可由各種來源所造成，包括當載入台154上之樣本時所產生的旋轉偏移以及台154相對於POI 113的旋轉偏移。校準光柵150可用以校正由旋轉偏移之一或多個來源所產生的方位角偏移φoff 。
在圖1中之光學計量裝置100係繪示為旋轉補償器橢圓偏光儀100，其在樣本152上履行基於繞射的測量。橢圓偏光儀100包括偏振狀態產生器(PSG) 102及偏振狀態檢測器(PSD) 112。PSG 102產生具有一已知偏振狀態的光，且係繪示為包括兩個寬頻光源104及106，並可產生（例如）具有200至1700 nm之波長範圍的寬頻光。分光器108結合來自光源104、106的光，而偏振器110產生已知偏振狀態。應理解，若需要，可使用額外的、不同的、或更少的光源。另外，若需要，橢圓偏光儀100可係單色的，具有可變入射角度以提供角度解析測量。
PSD 112包括偏振元件，稱為分析器114、光譜儀116及檢測器118，其可係（例如）冷卻CCD陣列。分析器114係繪示為經由光纖纜線120而耦合至光譜儀116及檢測器118。應理解，其他配置係可行的，諸如從分析器114直接照射光譜儀116而無光纖纜線120。
橢圓偏光儀100係繪示在PSG 102與PSD 112之間具有兩個旋轉補償器122及124。若需要，橢圓偏光儀100可使用單一旋轉補償器122或124，例如，在PSG 102與樣本152之間或在樣本152與PSD 112之間。橢圓偏光儀100可進一步包括聚焦元件126及128在樣本152之前及之後。聚焦元件可係（例如）折射透鏡、或反射透鏡。
在橢圓偏光儀100傾斜地照射樣本152，例如，以相對於樣本152之表面法線的角度之非零值。例如，橢圓偏光儀100可以介於50°至85°之間的角度（例如，以65°）照射樣本152，但若需要則可使用其他角度。如上文所討論，可變化入射角以導出角度解析測量。
台154可能夠在笛卡兒坐標（亦即，X及Y）座標、或極座標（亦即，R及θ）（例如，其中R座標係與在圖1中之Y座標對準）或兩者之某組合水平移動。在一些實施方案中，光學通道101或光學通道之一部分可相對於台154移動。例如，光學通道可在R方向上移動，而台154在θ方向上移動。
圖1繪示POI 113與樣本152的定向之間的顯著誇大的方位角偏移φoff ，例如，由線151所繪示，該線在圖1顯示為與台轉變方向Y對準。如上文所討論，橢圓偏光儀100可故意採用不同的POI方位角φ，例如，藉由相對於光學系統旋轉台154。
如在圖1中所進一步繪示，檢測器118係耦合至電腦130，其包括具有記憶體134之處理器132、以及包括（例如）顯示器138及輸入裝置140之使用者介面。嵌入有電腦可讀程式碼之電腦可使用儲存媒體142可由電腦130使用，以導致處理器控制橢圓偏光儀100及台154校準方位角偏移φoff ，例如，用以測量方位角偏移φoff 、及施加角度校正至測量分析或依此調整台154。用於實施本實施方式中所描述之一或多個動作的非暫時性程式碼可由所屬技術領域中具有通常知識者按照本揭露予以實施，並儲存在例如一電腦可讀儲存媒體142上，該儲存媒體可係可儲存碼及/或資料以供電腦系統（諸如處理器132）使用的任何裝置或媒體。電腦可使用之儲存媒體142可係但不限於磁性及光學儲存裝置，諸如磁碟機、磁帶、光碟、及DVD（數位多功能光碟或數位視訊光碟）。通訊埠144亦可用以接收用以程式化電腦130之指令，以執行本文所述之功能之任何一或多者，且可表示諸如至網際網路或任何其他電腦網路之任何類型的通訊連接。此外，本文所述之功能可整體或部分地體現於特定應用積體電路(application specific integrated circuit, ASIC)或可程式化邏輯裝置(programmable logic device, PLD)之電路系統內，且該等功能可以電腦可理解之描述符語言予以體現，該電腦可理解之描述符語言可用來建立如本文所述般操作的ASIC或PLD。
圖2A及圖2B繪示校準光柵200之俯視圖及側視圖，該校準光柵可用以使用光柵耦合表面電漿子共振來判定用於光學計量裝置（諸如在圖1中所示之光學計量裝置100）之方位角偏移φoff 。校準光柵200可係金屬光柵，例如，具有在基材204上方之圖案金屬膜202。校準光柵200之參數可基於光學計量裝置之光學通道來組態，以產生光柵耦合表面電漿子共振。例如，由於光學計量裝置所使用之光係在可見光範圍中，為了產生光柵耦合表面電漿子共振，用於校準光柵200之膜202的材料可選自銅、金、銀、及鋁之一或多者。若光學計量裝置所使用之光係在紅外光範圍中，則校準光柵200之材料可選自鎢或高度摻雜半導體之一或多者。高度摻雜半導體（例如）經足夠地摻雜在IR中使得介電函數之實部小於0，且因此能夠支援電漿子共振。校準光柵200之其他物理參數可基於光學計量裝置之光學通道來額外地組態，以產生光柵耦合表面電漿子共振。例如，為了產生光柵耦合表面電漿子共振，校準光柵200之節距P可在測量系統之波長範圍的下端上，例如，針對紫外線可見光近紅外線系統之500 nm節距以及針對中紅外線系統之5-10 µm節距。此外，線寬LW可提供用於校準光柵200之1:1線對空間比。線之高度H可係（例如）節距之20%。
當入射光相對於校準光柵200係離垂直為約20°至30°時，校準光柵200之光柵耦合表面電漿子共振對於方位角之改變最敏感。因此，在校準期間，校準光柵200可經定位使得光學計量裝置之入射平面(POI)係（例如）沿著線210，其與校準光柵200之垂直線212係約20°至30°。
圖3（舉實例而言）繪示在校準期間之光學計量裝置的校準光柵200及入射平面POI 302的透視圖。POI 302係由入射光304及鏡面反射光306形成，其中入射光304相對於法向於校準光柵200而成一角度θ。相對於校準光柵200，POI 302係以相對於垂直線308之一角度φ定位。校準光柵200可形成在一樣本（例如，安裝至光學計量裝置之該台的參考晶片）、載入至該台上之參考樣本、或測試樣本上，其中校準光柵200之垂直線308具有相對於樣本之明確定義且已知的定向。例如，校準光柵200之垂直線308可與樣本之參考方向對準。該台可利用校準光柵200來旋轉樣本達一預定量φ（例如，20°至30°），校準光柵200之光柵耦合表面電漿子共振在該處對於方位角之變化最敏感。
圖4係一模擬圖表400，其繪示經預測1σ(sigma)精密度及相關程度相對於來自校準光柵之鏡面反射測量的方位角之間的關係，該校準光柵經組態以產生光柵耦合表面電漿子共振。產生圖表400之模擬係針對一光譜橢圓偏光儀，其使用具有於65° AOI之從200 nm至1700 nm波長的光，並以相對於校準光柵之垂直線介於5°至45°之間的5°增量產生在各個方位角之測量。經模擬校準光柵係銅之金屬光柵，其具有500 nm之節距P、250 nm之線寬LW、及100 nm之高度H。相對於方位角之經預測1σ係在該特定方位角之測量的精密度或不確定性的測量手段，其係使用雜訊模擬器來產生。相對於方位角之相關程度係方位之光譜靈敏度與結構中之其他參數（諸如光柵CD及光柵高度）的相關程度之測量手段。相關程度越高，則參數不確定性將越差。如在圖4中可見，1σ相對於方位角於約20°至30°具有最小值，而相關程度相對於方位角在30°後劇烈地增加。因此，來自具有光柵耦合表面電漿子共振之校準光柵的鏡面反射之測量係繪示為提供具有約20°至30°之方位角的最佳回應。
圖5顯示圖表，其繪示校準光柵之經模擬光柵耦合表面電漿子共振回應，其針對於65° AOI涵蓋從500 nm至1700 nm之波長的光譜橢圓偏光儀(spectroscopic ellipsometer)參數N、C、及S。橢圓偏光儀參數N、C、及S係針對以5°增量於0°至45°之間的方位角來測量。校準光柵具有如用以產生圖4中所示之圖表相同的參數，例如，具有500 nm之節距P、250 nm之線寬LW、及100 nm之高度H的銅之金屬光柵。
在圖5中所示之光柵耦合表面電漿子共振回應繪示光譜橢圓偏光儀參數N、C、S中的峰值，介於約700 nm至950 nm之間。針對方位角20°至30°之光柵耦合表面電漿子共振峰值峰係識別在具有括弧502之圖5中。如可見，用於校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應在各方位角之不同波長處產生明顯峰值。例如，各別在波長920 nm、900 nm、及870 nm處，SE參數S在方位角20°、25°、30°（由括弧502識別）處具有三個明顯峰值。
圖6顯示圖表，其繪示校準光柵之經模擬光柵耦合表面電漿子共振回應，其針對於65° AOI從5000 nm至12000 nm之紅外線波長的光譜橢圓偏光儀參數N、C、及S。類似於圖5，橢圓偏光儀參數N、C、及S係針對以5°增量於0°至45°之間的方位角來測量。用於圖6中所示之模擬的校準光柵經組態以基於經模擬波長來產生光柵耦合表面電漿子共振回應。例如，用以產生圖6中所示之圖表的校準光柵可係具有4 µm之節距P、2 µm之線寬LW、及1 µm之高度H的銅之金屬光柵。
在圖6中所示之光柵耦合表面電漿子共振回應繪示光譜橢圓偏光儀參數N、C、S中的峰值，其介於約5500 nm至6900 nm之間。針對方位角20°至30°之光柵耦合表面電漿子共振峰值峰係識別在具有括弧602之圖6中。如可見，用於校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應在各方位角之不同波長處產生明顯峰值。例如，各別在波長6600 nm、6400 nm、及6200 nm處，SE參數S在方位角20°、25°、30°（由括弧602識別）處具有三個明顯峰值。因此，如在圖6中所繪示，可使用來自校準光柵之經識別光柵耦合表面電漿子共振回應，並將其用以校準在可見光與紅外線兩者中之方位角。
在操作時，可於複數個方位角產生用於來自校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應的模型。例如，圖7繪示校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應的模型700，其針對圖5中所繪示的SE參數S區分方位角20°、25°、與30°之間的峰值。模型700（例如）係使光柵耦合表面電漿子共振峰值波長與方位角相關聯。介於20°至30°之間（例如，於每1°、或更少）的額外方位角可針對校準光柵來建模或測量。可內插峰值之間的光柵耦合表面電漿子共振回應。用於校準光柵之模型700可儲存在光學計量裝置中，諸如在記憶體134中、在與圖1中所示之光學計量裝置100相關聯的電腦130中之電腦可用儲存媒體142中。模型700（例如）可儲存為查找表或方程式，其描述該資料，例如，描述相對於方位角之所得光柵耦合表面電漿子共振峰值。例如，針對圖5中所繪示的資料，該模型可使光柵耦合表面電漿子共振峰值之波長與方位角相關聯。雖然其他結構參數可導致共振特徵移動，但是該模型可經設計以平衡方位敏感度及參數相關，例如，基於相關程度圖。
台154可經控制以旋轉來放置校準光柵150在相對於POI 113之所欲方位角（例如，所欲方位角25°）。例如，校準光柵150可位於受測試樣本（晶圓）上、於參考樣本（晶圓）上、或連接至台154之參考晶片上。光學計量裝置100測量校準光柵150。舉實例而言，圖8繪示校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應800的模擬，其針對於65° AOI涵蓋從600 nm至1400 nm之波長的光譜橢圓偏光儀參數SE-S。由校準光柵所產生之經測量光柵耦合表面電漿子共振回應800可接著與圖7中所示之模型700進行比較，以判定校準光柵之實際方位角。例如，如在圖8中所繪示，光柵耦合表面電漿子共振回應峰值802之波長係約880 nm。如在圖7中之實例模型700中所繪示，88 nm之峰值波長對應於28°之方位角。因此，基於校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應800及模型700，台154之實際方位角係經判定為28°。因此，有3°之方位誤差，例如，當台154經控制以產生X°之方位角時，其將產生X°+3°之實際方位角。
校準資料（亦即，經判定之實際方位角）可接著用以在樣本之測量期間校正樣本與光學計量裝置100的POI 113之間的方位角偏移。例如，在樣本之測量期間，台154可經控制以旋轉補償在校準期間所判定之方位誤差。基於上述實例，例如，在校準光柵之測量指示3°之誤差錯誤的情況下，台154可調整其旋轉之量達-3°以補償3°方位誤差，亦即，若台154係針對樣本之測量而旋轉達40°，則台154係經控制以旋轉37°。替代地，測量目標之方位角可藉由在測量分析期間考量方位角偏移來校正。例如，若在測量資料之分析期間測量資料係以在40°之台來獲取，則將方位角視為43°。
圖9係一流程圖900，其繪示（例如）使用經組態以產生光柵耦合表面電漿子共振回應之校準光柵來校準光學計量裝置的方法。光學計量裝置可係（例如）橢圓偏光儀、光譜橢圓偏光儀、散射計、偏光計、或反射計。
如在方塊902所繪示，測量耦合至一台之一校準光柵的一光柵耦合表面電漿子共振回應，該光柵耦合表面電漿子共振係回應於沿著入射在該校準光柵上之一入射平面(POI)之來自一光學系統的一光束而產生。例如，校準光柵可係金屬光柵。在一些實施方案中，校準光柵可包括銅、金、銀、鋁、鎢、及經摻雜半導體之一或多者。在一些實施方案中，校準光柵可在樣本上。在一些實施方案中，校準光柵可在附接至該台之參考晶片上。一種構件，其用於測量耦合至一台之一校準光柵的一光柵耦合表面電漿子共振回應，該光柵耦合表面電漿子共振係回應於沿著入射在該校準光柵上之一入射平面(POI)之來自一光學系統的一光束而產生，該構件可包括（例如）光學系統101、台154、檢測器118、及一或多個處理器132，其具有專用硬體或實施光學計量裝置100中的記憶體134及/或媒體142中之可執行碼或軟體指令，其等顯示在圖1中。
在方塊904，基於該校準光柵之該光柵耦合表面電漿子共振回應來判定該校準光柵的一定向與該光學系統的該POI之間的一方位角。例如，可基於將光柵耦合表面電漿子共振回應與方位角相關聯之電漿子共振曲線來判定該方位角。一種構件，其用於基於該校準光柵之該光柵耦合表面電漿子共振回應來判定該校準光柵的一定向與該光學系統的該POI之間的一方位角，可包括（例如）一或多個處理器132，其具有專用硬體或實施光學計量裝置100中的記憶體134及/或媒體142中之可執行碼或軟體指令，其等顯示在圖1中。
在方塊906，使用該校準光柵的該定向與該光學系統的該POI之間的該經判定方位角來校正該台上的一樣本與該光學系統的該POI之間的一方位角偏移。該樣本與該光學系統的該POI之間的方位角偏移可（例如）藉由以下方式來校正：基於經判定方位角來更改相對於該光學系統之該POI的該台之一定向、或考量在該樣本之測量的處理期間之方位角偏移。一種構件，其用於使用該校準光柵的該定向與該光學系統的該POI之間的該經判定方位角來校正該台上的一樣本與該光學系統的該POI之間的一方位角偏移，可包括（例如）台154及一或多個處理器132，其具有專用硬體或實施光學計量裝置100中的記憶體134及/或媒體142中之可執行碼或軟體指令，其等顯示在圖1中。
雖然本發明係為了教導之目的而關聯於具體實施例來說明，但本發明不限於此。可在不悖離本發明之範疇下進行各種調適及修改。因此，隨附申請專利範圍之精神及範疇不應限於前述說明。
100:光學計量裝置/橢圓偏光儀 101:光學系統/光學通道 102:偏振狀態產生器(PSG) 104:寬頻光源/光源 106:寬頻光源/光源 108:分光器 110:偏振器 112:偏振狀態檢測器(PSD) 114:分析器 116:光譜儀 118:檢測器 120:光纖纜線 122:旋轉補償器 124:旋轉補償器 126,128:聚焦元件 130:電腦 132:處理器 134:記憶體 138:顯示器 140:輸入裝置 142:媒體 144:通訊埠 150:校準光柵 151:線 152:樣本 154:台 200:校準光柵 202:圖案金屬膜/膜 204:基材 210:線 212:垂直線 302:入射平面POI 304:入射光 306:鏡面反射光 308:垂直線 400:圖表 700:模型 800:光柵耦合表面電漿子共振回應 900:流程圖 902:方塊 904:方塊 906:方塊
[圖1]繪示一光學計量裝置，其可使用一校準光柵，該校準光柵經組態以產生光柵耦合表面電漿子共振，以校準該台相對於該光學計量裝置之該光學通道的該方位角。 [圖2A]及[圖2B]各別地繪示一校準光柵之俯視圖及側視圖，該校準光柵可用以基於光柵耦合表面電漿子共振來判定用於光學計量裝置之方位角偏移。 [圖3]繪示在校準期間光學計量裝置之校準光柵及入射平面的透視圖。 [圖4]係模擬圖表，其繪示經預測1σ(sigma)精密度及相對於來自校準光柵之鏡面反射測量的方位角的相關程度之間的關係，該校準光柵經組態以產生光柵耦合表面電漿子共振。 [圖5]顯示圖表，其繪示校準光柵之經模擬光柵耦合表面電漿子共振回應，其針對於65° AOI涵蓋從500 nm至1700 nm之波長的光譜橢圓偏光儀(spectroscopic ellipsometer)參數N、C、及S。 [圖6]顯示圖表，其繪示校準光柵之經模擬光柵耦合表面電漿子共振回應，其針對於65° AOI從5000 nm至12000 nm之紅外線波長的光譜橢圓偏光儀參數N、C、及S。 [圖7]繪示校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應的模型，其針對圖5中所繪示的SE參數S區分方位角20°、25°、與30°之間的峰值。 [圖8]繪示校準光柵之光柵耦合表面電漿子共振回應的模擬，其針對於65° AOI涵蓋從600 nm至1400 nm之波長的光譜橢圓偏光儀參數SE-S。 [圖9]係一流程圖，其繪示使用經組態以產生光柵耦合表面電漿子共振回應之校準光柵來校準光學計量裝置的方法。
900:流程圖
902:方塊
904:方塊
906:方塊

Claims (20)

  1. 一種光學計量裝置，其包含： 一光學系統，其經組態以產生沿著一入射平面之一光束，該光束包含一或多個波長； 一台，其經組態以固持一樣本且耦合至一校準光柵，該校準光柵經組態以在該光束之該一或多個波長處產生光柵耦合表面電漿子共振； 一檢測器，其經組態以回應於與該校準光柵交互作用之該光束而檢測並產生信號；及 至少一處理器，其經耦合以接收來自該檢測器之該等信號，其中該至少一處理器經組態以： 測量由該校準光柵所產生之該光柵耦合表面電漿子共振； 基於由該校準光柵所產生之該光柵耦合表面電漿子共振來判定該校準光柵的一定向與該光學系統的該入射平面之間的一方位角；及 使用該校準光柵的該定向與該光學系統的該入射平面之間的該經判定方位角來校正該台上的該樣本與該光學系統的該入射平面之間的一方位角偏移。
  2. 如請求項1之光學計量裝置，其中該校準光柵包含一金屬光柵。
  3. 如請求項2之光學計量裝置，其中該金屬光柵包含銅、金、銀、鋁、鎢、及一經摻雜半導體中之一或多者。
  4. 如請求項1之光學計量裝置，其中該一或多個波長係在一可見光波長範圍與一紅外線波長範圍之一或多者中。
  5. 如請求項1之光學計量裝置，其中該至少一處理器經組態以基於將光柵耦合表面電漿子共振測量與方位角相關聯之電漿子共振曲線來判定該方位角。
  6. 如請求項1之光學計量裝置，其中該校準光柵係在該樣本上。
  7. 如請求項1之光學計量裝置，其中該校準光柵係在附接至該台之一參考晶片上。
  8. 如請求項1之光學計量裝置，其中該至少一處理器經組態以藉由以下方式來校正該樣本與該光學系統的該入射平面之間的該方位角偏移：經組態以基於該經判定方位角來更改相對於該光學系統之該入射平面的該台之一定向或考量在該樣本之測量的處理期間之該方位角偏移。
  9. 如請求項1之光學計量裝置，其中該光學計量裝置係包含一橢圓偏光儀、一光譜橢圓偏光儀、一散射計、一偏光計、及一反射計之一群組的一構件之一者。
  10. 一種校準一光學計量裝置之方法，其包含： 測量耦合至一台之一校準光柵的一光柵耦合表面電漿子共振回應，該光柵耦合表面電漿子共振回應係回應於沿著入射在該校準光柵上之一入射平面之來自一光學系統的一光束而產生； 基於該校準光柵之該光柵耦合表面電漿子共振回應來判定該校準光柵的一定向與該光學系統的該入射平面之間的一方位角；及 使用該校準光柵的該定向與該光學系統的該入射平面之間的該經判定方位角來校正該台上的一樣本與該光學系統的該入射平面之間的一方位角偏移。
  11. 如請求項10之方法，其中該校準光柵包含一金屬光柵。
  12. 如請求項11之方法，其中該金屬光柵包含銅、金、銀、鋁、鎢、及一經摻雜半導體中之一或多者。
  13. 如請求項10之方法，其中判定該方位角係基於將光柵耦合表面電漿子共振回應與方位角相關聯之一電漿子共振曲線。
  14. 如請求項10之方法，其中該校準光柵係在該樣本上。
  15. 如請求項10之方法，其中該校準光柵係在附接至該台之一參考晶片上。
  16. 如請求項10之方法，其中校正該樣本與該光學系統的該入射平面之間的該方位角偏移包含以下之一者：基於該經判定方位角來更改相對於該光學系統之該入射平面的該台之一定向或考量在該樣本之測量的處理期間之該方位角偏移。
  17. 如請求項10之方法，其中該光學計量裝置係包含一橢圓偏光儀、一光譜橢圓偏光儀、一散射計、一偏光計、及一反射計之一群組的一構件之一者。
  18. 一種光學計量裝置，其經組態用於校準，其包含： 用於回應於沿著一入射平面之來自一光學系統的一光束而產生光柵耦合表面電漿子共振之構件； 用於測量相對於一台之該光束的一光柵耦合表面電漿子共振回應之構件； 用於基於該光柵耦合表面電漿子共振回應來判定該台與該光學系統的該入射平面之間的一方位角之構件；及 用於使用該台與該光學系統的該入射平面之間的一經判定方位角來校正該台上的一樣本與該光學系統的該入射平面之間的一方位角偏移之構件。
  19. 如請求項18之光學計量裝置，其中用於判定該方位角之該構件使用將光柵耦合表面電漿子共振回應與方位角相關聯之一電漿子共振曲線。
  20. 如請求項18之光學計量裝置，其中用於校正該台上的該樣本與該光學系統的該入射平面之間的該方位角偏移之該構件基於該經判定方位角來更改相對於該光學系統之該入射平面的該台之一定向或考量在該樣本之測量的處理期間之該方位角偏移。
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