TW202206654A - 單晶爐熱場加熱器及單晶爐 - Google Patents
單晶爐熱場加熱器及單晶爐 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202206654A TW202206654A TW110135943A TW110135943A TW202206654A TW 202206654 A TW202206654 A TW 202206654A TW 110135943 A TW110135943 A TW 110135943A TW 110135943 A TW110135943 A TW 110135943A TW 202206654 A TW202206654 A TW 202206654A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- heater
- shielding plate
- single crystal
- open end
- crystal furnace
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 111
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 45
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims description 30
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/10—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications
- H05B6/105—Induction heating apparatus, other than furnaces, for specific applications using a susceptor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/32—Seed holders, e.g. chucks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/40—Heating elements having the shape of rods or tubes
- H05B3/42—Heating elements having the shape of rods or tubes non-flexible
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/62—Heating elements specially adapted for furnaces
- H05B3/64—Heating elements specially adapted for furnaces using ribbon, rod, or wire heater
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/22—Furnaces without an endless core
- H05B6/24—Crucible furnaces
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Abstract
本發明提供了一種單晶爐熱場加熱器及單晶爐，該單晶爐熱場加熱器包括：邊部主加熱器及輔助加熱器，該邊部主加熱器和該輔助加熱器均為兩端開口的筒狀結構，該邊部主加熱器和該輔助加熱器均包括相對的頂部開口端和底部開口端；該輔助加熱器套設於該邊部主加熱器外，且該輔助加熱器的頂部開口端伸出該邊部主加熱器的頂部開口端外。
Description
本發明屬於半導體晶圓技術領域，尤其關於一種單晶爐熱場加熱器及單晶爐。
拉制單晶矽時，需要使用單晶爐，在特製石英坩堝中，將多晶矽原料融化，然後使用晶種拉制單晶矽晶棒。隨著半導體矽晶圓品質的不斷提高，對拉晶過程中晶棒的晶體缺陷有了更高的管控要求。單晶爐的內部結構形成熱場(Hot Zone)，而熱場的結構及性能直接影響著晶棒的品質，因此熱場的設計至關重要。
對於一個單晶爐來說，加熱器的設計是熱場設計的核心之一。加熱器分為主加熱器和底部加熱器，主加熱器也稱為邊部加熱器，設置在坩堝的側面，底部加熱器設置在坩堝的底部。其中邊部主加熱器承擔著單晶爐的主要熱量輸出，在多晶矽料熔化階段和後期晶棒長晶（body）階段都起著重要的作用，其形狀及加熱區域的大小直接影響著拉晶爐溫度場，進而影響晶棒的品質。
但是，相關技術中熱場內的邊部主加熱器的加熱區域很小，加熱不均勻，在保證溫度場一定的情況下，耗電量會增加，這不利於成本節約；並且，邊部主加熱器通常都是電阻加熱器，其升溫比較慢，加熱回應時間較長，在化料階段耗時較長，這極大地增加了時間成本，同時一個電阻加熱器很難保證熔矽液面固、液、氣三相點的溫度場的穩定性，溫度場的不穩定將導致局部熱衝擊的形成，這不利於晶棒的無缺陷生長。
為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種單晶爐熱場加熱器及單晶爐，具有加熱效果好、升溫快、熱場溫度穩定等特點，有利於長晶過程中晶棒的無缺陷生長，提高晶棒的良率。
本發明實施例所提供的技術方案如下：
一種單晶爐熱場加熱器，包括：邊部主加熱器及輔助加熱器，該邊部主加熱器和該輔助加熱器均為兩端開口的筒狀結構，該邊部主加熱器和該輔助加熱器均包括相對的頂部開口端和底部開口端；該輔助加熱器套設於該邊部主加熱器外，且該輔助加熱器的頂部開口端伸出該邊部主加熱器的頂部開口端外。
可選的，該輔助加熱器包括：
保護殼體，該保護殼體環繞該邊部主加熱器設置；
電磁感應線圈，該電磁感應線圈容置於該保護殼體內。
可選的，該保護殼體包括：相互扣合的內殼體和外殼體，該內殼體和該外殼體均呈筒狀，該內殼體罩設在該邊部主加熱器的外周側，該外殼體套設在該內殼體外，並與該內殼體之間形成空腔；該內殼體包括與該外殼體配合形成該空腔的第一內側壁，該電磁感應線圈容置於該空腔內，且該電磁感應線圈從該內殼體的頂部開口端向該內殼體的底部開口端、呈螺旋狀纏繞於該第一內側壁上，且該電磁感應線圈的兩端分別伸至該保護殼體外。
可選的，該內殼體的頂部開口端設有臺階狀的第一邊沿，該外殼體的頂部開口端邊緣設有臺階狀的第二邊沿，該第一邊沿和該第二邊沿的臺階結構相互搭接；該內殼體的底部開口端邊緣設有臺階狀的第三邊沿，該外殼體的底部開口端邊緣設有臺階狀的第四邊沿，該第三邊沿和該第四邊沿的臺階結構相互搭接。
可選的，該電磁感應線圈包括多個螺圈；該內殼體的第一內側壁上設有多個第一支撐體，相鄰兩個該螺圈之間設置一個該第一支撐體。
可選的，該邊部主加熱器包括：
加熱器主體，該加熱器主體呈第一筒狀結構；
及，絕緣保護罩，該絕緣保護罩為筒狀罩體，罩設於該加熱器主體外，且至少覆蓋住該加熱器主體的頂部開口端、該加熱器主體的底部開口端和該加熱器主體的外周面。
可選的，該加熱器主體包括多個U型加熱柱單元，多個該U型加熱柱單元依次連接而環繞成該第一筒狀結構，其中相鄰的兩個U型加熱柱單元中，一個U型加熱柱單元的開口朝向該第一筒狀結構的頂部開口端，另一個U型加熱柱單元的開口朝向該第一筒狀結構的底部開口端，以使該加熱器主體的輪廓呈蛇形曲線結構。
可選的，每一該U型加熱柱包括：
相互平行的兩根豎向直加熱柱，該豎向直加熱柱的延伸方向與該第一筒狀結構的軸線方向平行；
及，連接於該兩根豎向直加熱柱之間的弧狀或直線狀橫向加熱柱；其中，
兩根該豎向直加熱柱之間在該第一筒狀結構的周向方向上具有間隙，該間隙在該第一筒狀結構的周向方向上的寬度大於或等於該豎向直加熱柱在該第一筒狀結構的周向方向上的寬度。
可選的，該豎向直加熱柱的在該第一筒狀結構的周向方向上的寬度為15~20mm，該豎向直加熱柱的橫截面面積為150~200mm2
；且該豎向直加熱柱自該第一筒狀結構的頂部開口端至底部開口端的長度為320~350mm。
可選的，該絕緣保護罩的內側壁上設有用於支撐該加熱器主體的多個第二支撐體，每一U型加熱柱單元的兩根該豎向直加熱器之間的間隙內設置至少一個該第二支撐體。
可選的，多個第二支撐體包括交替設置的多個第一支撐柱和多個第二支撐柱，該第一支撐柱設置於開口朝向該頂部開口端的U型加熱柱單元的兩根豎向直加熱柱之間的間隙內，該第二支撐柱設置於開口朝向該底部開口端的U型加熱柱單元的兩根豎向直加熱柱之間的間隙內。
可選的，該絕緣保護罩包括第一罩體和第二罩體，其中，
該第一罩體包括：環狀的頂部遮擋板，該頂部遮擋板遮擋該加熱器主體的頂部開口端；及，側面遮擋板，該側面遮擋板環繞該加熱器主體的外周側，並與該頂部遮擋板固定連接，多個該第一支撐柱沿該頂部遮擋板的周向均勻分佈，並固定在該側面遮擋板的內側壁上；
該第二罩體包括：環狀的底部遮擋板，該底部遮擋板遮擋該加熱器主體的底部開口端；及，沿該底部遮擋板的周向均勻分佈的多個該第二支撐柱，多個該第二支撐柱固定在該底部遮擋板上；
多個該第二支撐柱插入該側面遮擋板內，以將該第一罩體和該第二罩體扣合。
可選的，該絕緣保護罩包括第一罩體和第二罩體，其中，
該第一罩體包括：環狀的底部遮擋板，該底部遮擋板遮擋該加熱器主體的底部開口端；及，側面遮擋板，該側面遮擋板環繞該加熱器主體的外周側，並與該底部遮擋板固定連接，多個該第二支撐柱沿該底部遮擋板的周向均勻分佈，並固定在該側面遮擋板的內側壁上；
該第二罩體包括：環狀的頂部遮擋板，該頂部遮擋板遮擋該加熱器主體的頂部開口端；及，沿該頂部遮擋板的周向均勻分佈的多個該第一支撐柱，多個該第一支撐柱固定在該頂部遮擋板上；
多個該第一支撐柱插入該側面遮擋板內，以將該第一罩體和該第二罩體扣合。
可選的，該加熱器主體上至少還連接有第一電極連接頭和第二電極連接頭，該第一電極連接頭和該第二電極連接頭分別位於該加熱器主體的相對兩側，該絕緣保護罩上至少設有第一開口和第二開口，該第一電極連接頭自該第一開口穿出，該第二電極連接頭自該第二開口伸出。
一種單晶爐，包括如上所述的單晶爐熱場加熱器。
本發明實施例所帶來的有益效果如下：
本發明實施例所提供的單晶爐熱場加熱器及單晶爐，包括邊部主加熱器和輔助加熱器，輔助加熱器的設置可以起到如下作用：快速升溫化料、晶棒長晶（body）階段對邊部主加熱器進行溫度補償以及協同邊部主加熱器共同保證矽溶液表面固、液、氣三相點的溫度場的穩定性，有助於晶棒的無缺陷生長，同時該輔助加熱裝置可分擔邊部主加熱器的加熱功率，延長整個加熱器的使用壽命。此外，相較於相關技術中的單晶爐熱場加熱器，本發明實施例提供的單晶爐熱場加熱器及單晶爐，加熱器由於加熱區域大，且能量轉化率高，在保證溫度場一定的條件下，更加節能、節約成本，且邊部主加熱器和輔助加熱器協同工作，增加了加熱器的調節範圍以及調節精準度。
為利 貴審查委員了解本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達到之功效，茲將本發明配合附圖及附件，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的申請範圍，合先敘明。
在本發明的描述中，需要理解的是，術語「中心」、「橫向」、「上」、「下」、「左」、「右」、「頂」、「底」、「內」、「外」等指示的方位或位置關係為基於圖式所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
在對本發明實施例所提供的單晶爐熱場加熱器及單晶爐進行詳細說明之前，有必要對相關技術進行以下說明：
相關技術中熱場內的邊部主加熱器的加熱區域很小，加熱不均勻，在保證溫度場一定的情況下，耗電量會增加，這不利於成本節約；並且，邊部主加熱器通常都是電阻加熱器，其升溫比較慢，加熱回應時間較長，在化料階段耗時較長，這極大地增加了時間成本，同時一個電阻加熱器很難保證熔矽液面固、液、氣三相點的溫度場的穩定性，溫度場的不穩定將導致局部熱衝擊的形成，這不利於晶棒的無缺陷生長。
針對上述問題，本發明實施例提供了一種單晶爐熱場加熱器及單晶爐，具有加熱效果好、升溫快、熱場溫度穩定等特點，有利於長晶過程中晶棒的無缺陷生長，提高晶棒的良率。
如圖1所示，本發明實施例所提供的單晶爐熱場加熱器包括：
邊部主加熱器10及輔助加熱器20，該邊部主加熱器10和該輔助加熱器20均為兩端開口的筒狀結構，該邊部主加熱器10和該輔助加熱器20均包括相對的頂部開口端和底部開口端；該輔助加熱器20套設於該邊部主加熱器10外，且該輔助加熱器20的頂部開口端伸出該邊部主加熱器10的頂部開口端外。
本發明實施例所提供的單晶爐熱場加熱器，包括邊部主加熱器10和輔助加熱器20，輔助加熱器20的設置可以起到如下作用：快速升溫化料、晶棒長晶（body）階段對邊部主加熱器進行溫度補償以及協同邊部主加熱器共同保證矽溶液表面固、液、氣三相點的溫度場的穩定性，有助於晶棒的無缺陷生長，同時該輔助加熱裝置可分擔邊部主加熱器的加熱功率，延長整個加熱器的使用壽命。此外，相較於相關技術中的單晶爐熱場加熱器，本發明實施例提供的單晶爐熱場加熱器及單晶爐，加熱器由於加熱區域大，且能量轉化率高，在保證溫度場一定的條件下，更加節能、節約成本，且邊部主加熱器和輔助加熱器協同工作，增加了加熱器的調節範圍以及調節精準度。
在一些實施例中，如圖1至圖3所示，該輔助加熱器20包括：保護殼體21和電磁感應線圈22，該保護殼體21環繞該邊部主加熱器10設置，該電磁感應線圈容置於該保護殼體21內。
在上述實施例中，該輔助加熱器20採用電磁感應加熱器，邊部主加熱器10和電磁感應輔助加熱器20協同工作，增加了加熱器的調節範圍以及調節精準度；且相較於電阻加熱器，電磁感應加熱器由於調節範圍和調節精準度更高，更能保證熔矽液面固、液、氣三相點的溫度場的穩定性。
當然可以理解的是，在實際應用中，該輔助加熱器20也可以採用電阻加熱器。
此外，在一些實施例中，如圖1至圖3所示，該保護殼體21包括：相互扣合的內殼體23和外殼體24，該內殼體23和該外殼體24均呈筒狀，該內殼體23罩設在該邊部主加熱器10的外周側，該外殼體24套設在該內殼體23外，並與該內殼體23之間形成空腔；該內殼體23包括與該外殼體24配合形成該空腔的第一內側壁，該電磁感應線圈22容置於該空腔內，且該電磁感應線圈22從該內殼體23的頂部開口端向該內殼體23的底部開口端、呈螺旋狀纏繞於該第一內側壁上，且該電磁感應線圈22的兩端分別為電源接線頭25，兩端的電源接線頭25分別伸至該保護殼體21外。
在上述實施例中，電磁感應線圈22的兩端分別為電源接線頭25，並伸出保護殼體21，並連接交流電源。根據電磁感應加熱原理，電磁感應線圈22會將產生的感應電能轉化成熱能，進而以熱輻射的方式將熱量傳遞給石英坩堝中的矽料。該保護殼體21起到對電磁感應線圈22進行保護的目的，阻止氬氣流對輔助加熱器20內電磁感應線圈22的侵蝕及SiO2
在電磁感應線圈22上的沉積，提高了輔助加熱器20的使用壽命；同時，該輔助加熱器20還具有保溫效果，減少了熱量損失，使得更多的熱量傳輸至熱場內的坩堝內部，提高了加熱器能量轉化效率。
在一些實施例中，如圖1至圖3所示，該內殼體23的頂部開口端設有臺階狀的第一邊沿2301，該外殼體24的頂部開口端邊緣設有臺階狀的第二邊沿2401，該第一邊沿2301和該第二邊沿2401的臺階結構相互搭接；該內殼體23的底部開口端邊緣設有臺階狀的第三邊沿2302，該外殼體24的底部開口端邊緣設有臺階狀的第四邊沿2402，該第三邊沿2302和該第四邊沿2402的臺階結構相互搭接。
在上述實施例中，該內殼體23和該外殼體24通過在開口邊緣設置臺階結構相互搭接，來實現兩者之間相互扣合。在實際應用中，該內殼體23和該外殼體24的具體結構不限於此。
此外，在一些實施例中，如圖1和圖3所示，該電磁感應線圈22包括多個螺圈；該內殼體23的第一內側壁上設有多個第一支撐體26，相鄰兩個該螺圈之間設置一個該第一支撐體26。
在上述方案中，電磁感應線圈22呈螺旋形分佈在保護殼體21內部，每一圈螺圈均可以通過第一支撐體26進行支撐，以提高電磁感應線圈22的綜合力學性能。
可選的，該第一支撐體26可以是支撐柱結構，但是，該第一支撐體的具體結構並不限於此。
此外，在相關技術中，單晶爐熱場內的主加熱器設置在坩堝的外周側，沒有保護裝置，直接裸露在氬氣流環境中，在拉晶過程中氬氣流會不斷侵蝕加熱器上表面和外表面，極大地縮小了主加熱器的使用壽命；並且，在相應位置會發生SiO2
（二氧化矽）的沉積，去除SiO2
時也會造成加熱器的壽命減小。
為了解決上述技術問題，在本發明一些實施例中，如圖4所示，該主加熱器10包括：加熱器主體100及絕緣保護罩200，該加熱器主體100為環繞單晶爐熱場內的坩堝設置的第一筒狀結構，包括頂部開口端、底部開口端、及位於該頂部開口端與該底部開口端之間的外周側面；該絕緣保護罩200為筒狀罩體，罩設於該加熱器主體100外，且至少覆蓋住該第一筒狀結構的頂部開口端、該第一筒狀結構的底部開口端和該第一筒狀結構的外周側面。
本發明實施例所提供的單晶爐熱場加熱器，通過在加熱器主體100外罩設有絕緣保護罩200，該絕緣保護罩200可以把加熱器主體100的頂部開口端、底部開口端及外周側面均包裹覆蓋住，這樣，阻止了氬氣流對加熱器主體100的侵蝕及SiO2
在加熱器主體100上的沉積，提高了加熱器的使用壽命；同時，筒狀的絕緣保護罩200還具有保溫效果，減少了加熱器主體100的熱量損失，使得更多的熱量傳輸至熱場內的坩堝內部，提高了加熱器能量轉化效率。
此外，在相關技術中，傳統的單晶爐熱場邊部主加熱器10包括片狀筒體結構，片狀筒體結構上設有多個狹縫，而形成多個葉片，每個葉片的寬度大，由於邊部主加熱器10的加熱功率與葉片的橫截面大小相關，其中邊部主加熱器10的加熱功率與葉片的橫截面積的關係如下：
（I）
（II）
其中P是邊部主加熱器10的功率，I為電流，R為葉片的電阻，
是葉片的電阻率，S是葉片的橫截面積，L為葉片的長度。
由公式（I）和（II）可以得到：
（III）
由公式（III）可知，當S變大時，加熱功率P減小。因此，葉片的橫截面越大，加熱器的電阻越小，加熱器的加熱功率越小，這樣，邊部主加熱器10的加熱區域很小，且加熱不均勻，在保證溫度場一定的情況下，耗電量會增加，不利用成本節約，且不利於拉晶過程中晶棒氧含量的控制，進而影響晶棒的整體品質。
在本發明一種實施例中，如圖4和圖5所示，該加熱器主體100包括多個U型加熱柱單元100A，多個該U型加熱柱單元100A依次連接而環繞成該第一筒狀結構，其中相鄰的兩個U型加熱柱單元100A中，一個U型加熱柱單元100A的開口朝向該頂部開口端，另一個U型加熱柱單元100A的開口朝向該底部開口端，以使該加熱器主體100的輪廓呈蛇形曲線結構。
可選的，每一該U型加熱柱包括：
相互平行的兩根豎向直加熱柱110，該豎向直加熱柱110的延伸方向與該第一筒狀結構的軸線方向平行；及，連接於該兩根豎向直加熱柱110之間的弧狀或直線狀橫向加熱柱120；其中，兩根該豎向直加熱柱110之間在該第一筒狀結構的周向方向上具有間隙A，該間隙A在該第一筒狀結構的周向方向上的寬度小於或等於該豎向直加熱柱110在該第一筒狀結構的周向方向上的寬度。
在上述方案中，對加熱器主體100的結構進行了改進，將該加熱器主體100設計為由首尾相連的多個U型加熱柱單元100A，來形成第一筒狀結構，U型加熱柱單元100A中的加熱柱包括兩根豎向直加熱柱110和弧狀或直線狀橫向加熱柱120，這種加熱柱的結構相較於相關技術中的邊部主加熱器10中的葉片結構，加熱柱的橫截面小於葉片的橫截面尺寸，且兩根該豎向直加熱柱110之間的間隙A相較於相關技術中邊部主加熱器10中葉片之間的狹縫，間隙A尺寸大於狹縫尺寸，這樣，由於加熱柱的橫截面減小，使得加熱器的電阻增大，加熱器的加熱功率變大，從而環狀U型加熱柱單元100A的設計保證了加熱器的加熱更加均勻，邊部主加熱器10的加熱區域大，在保證溫度場一定的情況下，耗電量會減小，有利於成本節約，且有利於拉晶過程中晶棒氧含量的控制，進而提升晶棒的整體品質。
此外，需要說明的是，在本發明實施例中，還可以通過增加單根豎向直加熱柱110的長度，來進一步增加加熱功率。
在一些實施例中，該豎向直加熱柱110在該第一筒狀結構的周向方向上的寬度為15~20mm，該豎向直加熱柱的橫截面面積小於或等於相鄰兩根豎向直加熱柱間隙的橫截面面積，進一步的，該豎向直加熱柱的橫截面面積為150~200mm2
；且該豎向直加熱柱110自該第一筒狀結構的該頂部開口端至該底部開口端的長度為320~350 mm。需要說明的是，在實際應用中，該邊部主加熱器10的具體結構可以不限於此。
此外，在本發明所提供的實施例中，如圖4至圖7所示，該絕緣保護罩200的內側壁上設有用於支撐該加熱器主體100的多個第二支撐體300，每一U型加熱柱單元100A的兩根該豎向直加熱器之間的間隙A內設置至少一個該第二支撐體300。
採用上述方案，由於加熱器主體100採用U型加熱柱單元100A，相鄰豎向直加熱柱110之間間隙A較大，其力學性能可能會減弱，為了提高該加熱器主體100的抗衝擊性能，提高其綜合力學性能，在上述方案中，通過在絕緣保護罩200上設置第二支撐體300，在每個U型加熱柱單元100A的兩根豎向直加熱柱110之間的間隙A內設置該第二支撐體300，以起到支撐保護加熱器主體100的作用，使得該單晶爐熱場加熱器的抗衝擊性能更好，提高了該加熱器的綜合力學性能。
在本發明提供的一些實施例中，如圖4至圖7所示，多個第二支撐體300包括交替設置的多個第一支撐柱310和多個第二支撐柱320，該第一支撐柱310設置於開口朝向該頂部開口端的U型加熱柱單元100A的兩根豎向直加熱柱110之間的間隙A內，該第二支撐柱320設置於開口朝向該底部開口端的U型加熱柱單元100A的兩根豎向直加熱柱110之間的間隙A內。
在上述實施例中，該第二支撐體300為設置於U型加熱柱單元100A的兩根豎向直加熱柱110之間的間隙A內的柱狀結構，即，支撐柱，在另一些實施例中，該第二支撐體300的結構不限於支撐柱的結構，還可以採用其他結構，例如，支撐塊等。
此外，在本發明的一些實施例中，如圖4至圖7所示，該絕緣保護罩200包括第一罩體210和第二罩體220，其中，該第一罩體210包括：環狀的頂部遮擋板211，該頂部遮擋板211遮擋該加熱器主體100的頂部開口端；及，側面遮擋板212，該側面遮擋板212環繞該加熱器主體100的外周側，並與該頂部遮擋板211固定連接，多個該第一支撐柱310沿該頂部遮擋板211的周向均勻分佈，並固定在該側面遮擋板212的內側壁上；該第二罩體220包括：環狀的底部遮擋板221，該底部遮擋板221遮擋該加熱器主體100的底部開口端；及，沿該底部遮擋板221的周向均勻分佈的多個該第二支撐柱320，多個該第二支撐柱320固定在該底部遮擋板221上；多個該第二支撐柱320插入該側面遮擋板212內，以將該第一罩體210和該第二罩體220扣合。
在上述實施例中，該絕緣保護罩200採用上、下兩個罩體來組成，即，第一罩體210和第二罩體220，這種結構，便於罩體扣在加熱器主體100上，且兩個罩體上分別設置第一支撐柱310和第二支撐柱320，作為加熱器主體100的骨架，起到支撐保護加熱器主體100的作用。
在本發明的另一些實施例中，該絕緣保護罩200包括第一罩體210和第二罩體220，其中，該第一罩體210包括：環狀的底部遮擋板221，該底部遮擋板221遮擋該加熱器主體100的底部開口端；及，側面遮擋板212，該側面遮擋板212環繞該加熱器主體100的外周側，並與該底部遮擋板221固定連接，多個該第二支撐柱320沿該底部遮擋板221的周向均勻分佈，並固定在該側面遮擋板212的內側壁上；該第二罩體220包括：環狀的頂部遮擋板211，該頂部遮擋板211遮擋該加熱器主體100的頂部開口端；及，沿該頂部遮擋板211的周向均勻分佈的多個該第一支撐柱310，多個該第一支撐柱310固定在該頂部遮擋板211上；多個該第一支撐柱310插入該側面遮擋板212內，以將該第一罩體210和該第二罩體220扣合。
需要說明的是，以上僅是提供了該絕緣保護罩200的示例性實施例，在實際應用中，對於該絕緣保護罩200的具體結構不限定。
此外，需要說明的是，該絕緣保護罩200可選用耐高溫、耐腐蝕的絕緣材料製成，例如，可選用半導體陶瓷材質。
此外，該豎向直加熱柱自該第一筒狀結構的該頂部開口端至該底部開口端的長度等於該第一罩體上的第一支撐柱或該第二罩體上的第二支撐柱的長度。
此外，如圖4至圖7所示，在本發明一種實施例中，該加熱器主體100上至少還連接有第一電極連接頭410和第二電極連接頭420，該第一電極連接頭410和該第二電極連接頭420分別位於該加熱器主體100的相對兩側，該絕緣保護罩200上至少設有第一開口201和第二開口202，該第一電極連接頭410自該第一開口201穿出，該第二電極連接頭420自該第二開口202伸出。
在上述實施例中，在該加熱器主體100上分別設置第一電極連接頭410和第二電極連接頭420，用於與該加熱器主體100的電極連接。
需要說明的是，在一些實施例中，該加熱器主體100上設有至少兩個電極連接頭，但是在實際應用中，該加熱器主體100上的電極連接頭數量不限於兩個，例如，還可以是包括三個電極連接頭，也就是，該加熱器主體100上連接頭為三相電接頭。
此外，本發明實施例還提供了一種單晶爐，包括本發明實施例提供的單晶爐熱場加熱器。顯然，本發明實施例所提供的單晶爐也能夠帶來本發明實施例所提供的單晶爐熱場加熱器所帶來的有益效果，在此不再贅述。
有以下幾點需要說明：
（1）本發明實施例附圖只涉及到與本發明實施例涉及到的結構，其他結構可參考通常設計。
（2）為了清晰起見，在用於描述本發明的實施例的附圖中，層或區域的厚度被放大或縮小，即這些附圖並非按照實際的比例繪製。可以理解，當諸如層、膜、區域或基板之類的元件被稱作位於另一元件“上”或“下”時，所述元件可以“直接”位於另一元件“上”或“下”或者可以存在中間元件。
（3）在不衝突的情況下，本發明的實施例及實施例中的特徵可以相互組合以得到新的實施例。
以上僅為本發明之較佳實施例，並非用來限定本發明之實施範圍，如果不脫離本發明之精神和範圍，對本發明進行修改或者等同替換，均應涵蓋在本發明申請專利範圍的保護範圍當中。
10:邊部主加熱器
20:輔助加熱器
21:保護殼體
22:電磁感應線圈
23:內殼體
24:外殼體
25:電源接線頭
26:第一支撐體
100:加熱器主體
100A:U型加熱柱單元
110:豎向直加熱柱
120:弧狀或直線狀橫向加熱柱
200:絕緣保護罩
201:第一開口
202:第二開口
210:第一罩體
211:頂部遮擋板
212:側面遮擋板
220:第二罩體
221:底部遮擋板
300:第二支撐體
310:第一支撐柱
320:第二支撐柱
410:第一電極連接頭
420:第二電極連接頭
2301:第一邊沿
2302:第三邊沿
2401:第二邊沿
2402:第四邊沿
圖1表示本發明實施例提供的一種單晶爐熱場加熱器的整體結構斷面示意圖；
圖2表示本發明實施例提供的一種單晶爐熱場加熱器中輔助加熱器的整體外觀示意圖；
圖3表示本發明實施例提供的一種單晶爐熱場加熱器中輔助加熱器的內殼體和電磁感應線圈的結構示意圖；
圖4表示本發明實施例提供的一種單晶爐熱場加熱器中邊部主加熱器的整體結構示意圖；
圖5表示本發明實施例提供的一種單晶爐熱場加熱器中邊部主加熱器的加熱器主體的結構示意圖；
圖6表示本發明實施例提供的一種單晶爐熱場加熱器中第二罩體的結構示意圖；
圖7表示本發明實施例提供的一種單晶爐熱場加熱器中第一罩體的結構示意圖。
10:邊部主加熱器
20:輔助加熱器
21:保護殼體
22:電磁感應線圈
23:內殼體
24:外殼體
100:加熱器主體
210:第一罩體
220:第二罩體
2301:第一邊沿
2302:第三邊沿
2401:第二邊沿
2402:第四邊沿
Claims (15)
- 一種單晶爐熱場加熱器，包括：邊部主加熱器及輔助加熱器，該邊部主加熱器和該輔助加熱器均為兩端開口的筒狀結構，該邊部主加熱器和該輔助加熱器均包括相對的頂部開口端和底部開口端；該輔助加熱器套設於該邊部主加熱器外，且該輔助加熱器的頂部開口端伸出該邊部主加熱器的頂部開口端外。
- 如請求項1所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該輔助加熱器包括： 保護殼體，該保護殼體環繞該邊部主加熱器設置； 電磁感應線圈，該電磁感應線圈容置於該保護殼體內。
- 如請求項2所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該保護殼體包括：相互扣合的內殼體和外殼體，該內殼體和該外殼體均呈筒狀，該內殼體罩設在該邊部主加熱器的外周側，該外殼體套設在該內殼體外，並與該內殼體之間形成空腔；該內殼體包括與該外殼體配合形成該空腔的第一內側壁，該電磁感應線圈容置於該空腔內，且該電磁感應線圈從該內殼體的頂部開口端向該內殼體的底部開口端、呈螺旋狀纏繞於該第一內側壁上，且該電磁感應線圈的兩端分別伸至該保護殼體外。
- 如請求項3所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該內殼體的頂部開口端設有臺階狀的第一邊沿，該外殼體的頂部開口端邊緣設有臺階狀的第二邊沿，該第一邊沿和該第二邊沿的臺階結構相互搭接；該內殼體的底部開口端邊緣設有臺階狀的第三邊沿，該外殼體的底部開口端邊緣設有臺階狀的第四邊沿，該第三邊沿和該第四邊沿的臺階結構相互搭接。
- 如請求項3所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該電磁感應線圈包括多個螺圈；該內殼體的第一內側壁上設有多個第一支撐體，相鄰兩個該螺圈之間設置一個該第一支撐體。
- 如請求項1所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該邊部主加熱器包括： 加熱器主體，該加熱器主體呈第一筒狀結構； 及，絕緣保護罩，該絕緣保護罩為筒狀罩體，罩設於該加熱器主體外，且至少覆蓋住該加熱器主體的頂部開口端、該加熱器主體的底部開口端和該加熱器主體的外周面。
- 如請求項6所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該加熱器主體包括多個U型加熱柱單元，多個該U型加熱柱單元依次連接而環繞成該第一筒狀結構，其中相鄰的兩個U型加熱柱單元中，一個U型加熱柱單元的開口朝向該第一筒狀結構的頂部開口端，另一個U型加熱柱單元的開口朝向該第一筒狀結構的底部開口端，以使該加熱器主體的輪廓呈蛇形曲線結構。
- 如請求項7所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 每一該U型加熱柱包括： 相互平行的兩根豎向直加熱柱，該豎向直加熱柱的延伸方向與該第一筒狀結構的軸線方向平行； 及，連接於該兩根豎向直加熱柱之間的弧狀或直線狀橫向加熱柱；其中， 兩根該豎向直加熱柱之間在該第一筒狀結構的周向方向上具有間隙，該間隙在該第一筒狀結構的周向方向上的寬度大於或等於該豎向直加熱柱在該第一筒狀結構的周向方向上的寬度。
- 如請求項8所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該豎向直加熱柱的在該第一筒狀結構的周向方向上的寬度為15~20mm，該豎向直加熱柱的橫截面面積為150~200mm2 ；且該豎向直加熱柱自該第一筒狀結構的頂部開口端至底部開口端的長度為320~350mm。
- 如請求項7所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該絕緣保護罩的內側壁上設有用於支撐該加熱器主體的多個第二支撐體，每一U型加熱柱單元的兩根該豎向直加熱器之間的間隙內設置至少一個該第二支撐體。
- 如請求項10所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 多個第二支撐體包括交替設置的多個第一支撐柱和多個第二支撐柱，該第一支撐柱設置於開口朝向該頂部開口端的U型加熱柱單元的兩根豎向直加熱柱之間的間隙內，該第二支撐柱設置於開口朝向該底部開口端的U型加熱柱單元的兩根豎向直加熱柱之間的間隙內。
- 如請求項11所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該絕緣保護罩包括第一罩體和第二罩體，其中， 該第一罩體包括：環狀的頂部遮擋板，該頂部遮擋板遮擋該加熱器主體的頂部開口端；及，側面遮擋板，該側面遮擋板環繞該加熱器主體的外周側，並與該頂部遮擋板固定連接，多個該第一支撐柱沿該頂部遮擋板的周向均勻分佈，並固定在該側面遮擋板的內側壁上； 該第二罩體包括：環狀的底部遮擋板，該底部遮擋板遮擋該加熱器主體的底部開口端；及，沿該底部遮擋板的周向均勻分佈的多個該第二支撐柱，多個該第二支撐柱固定在該底部遮擋板上； 多個該第二支撐柱插入該側面遮擋板內，以將該第一罩體和該第二罩體扣合。
- 如請求項11所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該絕緣保護罩包括第一罩體和第二罩體，其中， 該第一罩體包括：環狀的底部遮擋板，該底部遮擋板遮擋該加熱器主體的底部開口端；及，側面遮擋板，該側面遮擋板環繞該加熱器主體的外周側，並與該底部遮擋板固定連接，多個該第二支撐柱沿該底部遮擋板的周向均勻分佈，並固定在該側面遮擋板的內側壁上； 該第二罩體包括：環狀的頂部遮擋板，該頂部遮擋板遮擋該加熱器主體的頂部開口端；及，沿該頂部遮擋板的周向均勻分佈的多個該第一支撐柱，多個該第一支撐柱固定在該頂部遮擋板上； 多個該第一支撐柱插入該側面遮擋板內，以將該第一罩體和該第二罩體扣合。
- 如請求項6所述之單晶爐熱場加熱器，其中， 該加熱器主體上至少還連接有第一電極連接頭和第二電極連接頭，該第一電極連接頭和該第二電極連接頭分別位於該加熱器主體的相對兩側，該絕緣保護罩上至少設有第一開口和第二開口，該第一電極連接頭自該第一開口穿出，該第二電極連接頭自該第二開口伸出。
- 一種單晶爐，包括如請求項1至14中任一項所述之單晶爐熱場加熱器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011053337.0A CN112267147B (zh) | 2020-09-29 | 2020-09-29 | 单晶炉热场加热器及单晶炉 |
| CN202011053337.0 | 2020-09-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202206654A true TW202206654A (zh) | 2022-02-16 |
| TWI803005B TWI803005B (zh) | 2023-05-21 |
Family
ID=74337698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110135943A TWI803005B (zh) | 2020-09-29 | 2021-09-28 | 單晶爐熱場加熱器及單晶爐 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230349066A1 (zh) |
| JP (1) | JP2023509114A (zh) |
| KR (1) | KR20220042474A (zh) |
| CN (1) | CN112267147B (zh) |
| DE (1) | DE112021005133T5 (zh) |
| TW (1) | TWI803005B (zh) |
| WO (1) | WO2022068700A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI812506B (zh) * | 2022-06-21 | 2023-08-11 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 加熱器元件和單晶爐 |
| TWI812507B (zh) * | 2022-06-21 | 2023-08-11 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 坩堝和單晶爐 |
| TWI835331B (zh) * | 2022-05-26 | 2024-03-11 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 一種加熱器及其工作方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112267147B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-12-13 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 单晶炉热场加热器及单晶炉 |
| CN114508933A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-17 | 丹阳市龙鑫合金有限公司 | 一种用于镍铬高温合金带材的高频熔炼炉及其熔炼方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1015187B (zh) * | 1984-08-06 | 1991-12-25 | 索尼公司 | 单晶生长装置 |
| US5162072A (en) * | 1990-12-11 | 1992-11-10 | General Electric Company | Apparatus and method for control of melt flow pattern in a crystal growth process |
| DE19652543A1 (de) * | 1996-12-17 | 1998-06-18 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls und Heizvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| CN103556222A (zh) * | 2013-11-13 | 2014-02-05 | 英利集团有限公司 | 石墨加热器及其制备方法 |
| JP6451478B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2019-01-16 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
| CN106521624B (zh) * | 2016-12-13 | 2024-02-23 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种硅太阳能低氧、低光衰单晶热场 |
| CN208063501U (zh) * | 2018-03-14 | 2018-11-06 | 南昌金轩科技有限公司 | 一种高密封性电磁感应电加热器 |
| CN110172730B (zh) * | 2019-06-25 | 2023-11-10 | 内蒙古中环光伏材料有限公司 | 一种单晶炉用加热器及其加热工艺 |
| CN112267147B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-12-13 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 单晶炉热场加热器及单晶炉 |
-
2020
- 2020-09-29 CN CN202011053337.0A patent/CN112267147B/zh active Active
-
2021
- 2021-09-24 US US17/914,720 patent/US20230349066A1/en active Pending
- 2021-09-24 DE DE112021005133.4T patent/DE112021005133T5/de active Pending
- 2021-09-24 KR KR1020227009024A patent/KR20220042474A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-09-24 JP JP2022538790A patent/JP2023509114A/ja active Pending
- 2021-09-24 WO PCT/CN2021/120451 patent/WO2022068700A1/zh active Application Filing
- 2021-09-28 TW TW110135943A patent/TWI803005B/zh active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI835331B (zh) * | 2022-05-26 | 2024-03-11 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 一種加熱器及其工作方法 |
| TWI812506B (zh) * | 2022-06-21 | 2023-08-11 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 加熱器元件和單晶爐 |
| TWI812507B (zh) * | 2022-06-21 | 2023-08-11 | 大陸商西安奕斯偉材料科技股份有限公司 | 坩堝和單晶爐 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023509114A (ja) | 2023-03-07 |
| CN112267147A (zh) | 2021-01-26 |
| DE112021005133T5 (de) | 2023-07-20 |
| TWI803005B (zh) | 2023-05-21 |
| US20230349066A1 (en) | 2023-11-02 |
| CN112267147B (zh) | 2022-12-13 |
| KR20220042474A (ko) | 2022-04-05 |
| WO2022068700A1 (zh) | 2022-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI803005B (zh) | 單晶爐熱場加熱器及單晶爐 | |
| JP4773340B2 (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
| US20060037733A1 (en) | Electromagnetic continuous casting apparatus for materials possessing high melting temperature and low electric conductance | |
| WO2023245909A1 (zh) | 加热器组件和单晶炉 | |
| TW202227679A (zh) | 長晶爐 | |
| TWI812402B (zh) | 一種單晶矽棒的拉製方法及單晶矽棒 | |
| CN206570431U (zh) | 一种制备碳化硅单晶的装置 | |
| CN114075692A (zh) | 单晶炉热场加热器及单晶炉 | |
| JP4664967B2 (ja) | シリコン鋳造装置およびシリコン基板の製造方法 | |
| CN216237375U (zh) | 锭生长装置 | |
| JPS6153187A (ja) | 単結晶成長装置 | |
| WO2024016994A1 (en) | Upper cylinder for single crystal furnace | |
| TWI812507B (zh) | 坩堝和單晶爐 | |
| JP2018052783A (ja) | ヒータ断熱構造体および単結晶製造装置 | |
| TW202300736A (zh) | 一種加熱器和單晶爐 | |
| CN112323140B (zh) | 一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉 | |
| CN201626999U (zh) | 单晶炉勾形磁场装置 | |
| CN206768273U (zh) | 一种半导体单晶生长用热场 | |
| JP2012051779A (ja) | シリコンインゴットの電磁鋳造方法 | |
| CN114574943B (zh) | 一种单晶炉及一种单晶 | |
| CN210711827U (zh) | G7多晶铸锭炉非对称侧部石墨加热器 | |
| CN216898348U (zh) | 一种区熔炉 | |
| CN115216834B (zh) | 一种加热器及单晶炉 | |
| CN217499488U (zh) | 热场结构及单晶炉 | |
| CN207244046U (zh) | 一种石墨加热器及硅晶体生长炉 |