TW202201599A - 基板處理系統的冷卻物通斷型連接器 - Google Patents
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Abstract
基板處理系統包含樞轉組件,該樞轉組件係配置成容許基板支撐件及RF偏壓組件相對於處理腔室的其他元件從對接位置滑動至非對接位置。通斷型連接器係配置成供應流體至基板支撐件及RF偏壓組件其中至少一者。通斷型連接器包含第一部分,該第一部分包含連接至第一導管的第一流體通道。第二部分包含連接至第二導管的第二流體通道。第一部分中的第一流體通道與第二部分中的第二流體通道流體連通。第一部分係配置成與基板支撐件及RF偏壓組件一起相對於第二部分及處理腔室的其他部分滑動。第一部分相對於第二部分係位於內側。
Description
[相關案之交互參考]本申請主張2020年3月2日申請之美國臨時申請案第62/984,081號的權利。上述臨時申請案的整體揭露內容係併入於此,以供參考。
本揭露內容關於基板處理系統,且特別地關於用以將冷卻物連接至處理腔室的系統。
本文中提供的背景描述係針對概括地呈現本揭露內容之脈絡的目的。就其在本背景部分中所描述的範圍而言,目前列名之發明人的工作,以及在提交申請時不可以其他方式作為先前技術之描述的實施態樣皆不明示地或暗示地被認為係抵觸本揭露內容的先前技術。
基板處理系統可用於處理例如半導體晶圓的基板。可在基板上執行的例示性製程包括但不限於化學氣相沉積(CVD, chemical vapor deposition)、原子層沉積(ALD, atomic layer deposition)、導體蝕刻及/或其他蝕刻、沉積、或清潔製程。基板可設置在基板處理系統之處理腔室中的基板支撐件上,例如基座、靜電卡盤 (ESC, electrostatic chuck) 等。在蝕刻期間,包括一或更多前驅物的氣體混合物可被引入至處理腔室中,且可使用電漿來啟動化學反應。
一種基板處理系統,包含樞轉組件,該樞轉組件係配置成容許處理腔室的基板支撐件及RF偏壓組件相對於該處理腔室的其他元件從對接位置滑動至非對接位置。通斷型連接器係配置成供應流體至基板支撐件及RF偏壓組件其中至少一者。通斷型連接器包含第一部分,該第一部分包含連接至第一導管的第一流體通道。第二部分包含連接至第二導管的第二流體通道。第一部分中的第一流體通道與第二部分中的第二流體通道流體連通。緊固件可移除地將第一部分連接至第二部分。第一部分係配置成與基板支撐件及RF偏壓組件一起相對於第二部分及處理腔室的其他部分滑動。相對於從對接位置至非對接位置的滑動方向,第一部分位於第二部分以內。
在其他特徵中,當通斷型連接器係位於對接位置時,第一部分係連接至第二部分。當通斷型連接器係位於非對接位置時,第一部分係與第二部分斷開。樞轉組件係配置成容許基板支撐件及RF偏壓組件從對接位置滑動至非對接位置,以及然後樞轉至大於90o
的預定角度。
在其他特徵中,通斷型連接器係設置於殼體內。殼體在操作期間係連接至氣體源,且加以吹淨。氣體源係分子氮或清潔乾燥空氣。
在其他特徵中,第一部分包含連接至第三導管的第三流體通道。第二部分包含連接至第四導管的第四流體通道。第一部分中的第三流體通道與第二部分中的第四流體通道流體連通。
一種工具,包含設備前端模組、基板轉移模組、設置於設備前端模組與基板轉移模組之間的裝載鎖,及上述2N個基板處理系統。其中N係1至5的整數。2N個基板處理系統的一半設置在基板轉移模組的一側,且2N個基板處理系統的另一半設置在基板轉移模組的相對側。
在其他特徵中,通斷型連接器的第一部分包含複數孔。通斷型連接器的第二部分包含複數對準銷,當該第一部分連接至該第二部分時,該複數對準銷分別與該複數孔匹配。
本揭露內容的應用的進一步範圍將從詳細描述、專利申請範圍、及圖式變得明顯。詳細描述及特定實施例僅意圖用於說明的目的,且不意圖限制本揭露內容的範圍。
半導體製造(fab, fabrication)室可包括複數工具,每一工具包括複數電漿處理站(以下稱為「站」)。每一站可配置為執行導體蝕刻製程、介電質蝕刻製程、或其他基板處理。製造室內的空間有限,且因此可用於接取每一工具的空間量有限,其中對工具進行接取,以在站上執行維修及/或維護。工具的站可設置成星狀圖案或線狀圖案。
當在星狀圖案中時,複數站係設置成圍繞位於中心的基板轉移模組,該基板轉移模組包括機器人。機器人將基板從一裝載鎖腔室移到電漿處理站的每一者,以及移回裝載鎖。儘管這種複數站的設置在複數站之間提供接取空間,但複數站的密度小於線狀圖案設置時的密度。
在線狀圖案中,複數站係並排設置,且形成兩排複數站。複數排係位於基板轉移模組的每一側,該基板轉移模組可操作於大氣或真空環境下。儘管線狀設置容許在特定面積內設置較多的站,但線狀設置對站的側邊提供有限的接取。
為改善可維護性,處理站可包括滑動及樞軸組件,以容許處理腔室的下部(包括處理腔室的前壁或面向通道的壁、基板支撐件、及RF偏壓組件)滑出,然後樞軸轉入相鄰工具之間的通道中。在一些範例中,基板支撐件包括具有冷卻劑通道的基部板,該冷卻劑通道使流體流動,以控制基板支撐件及設置於其上之基板的溫度。頂部板組件可移除,以進行維護、維修、或更換。處理腔室的其他部分保持在同一位置。
在移動滑動及樞軸組件到維修位置之前,需斷開基板支撐件與RF偏壓組件的連接。在一些範例中,基板支撐件及/或RF偏壓組件可藉由流體加以冷卻。因此,在移動滑動及樞軸組件到維修位置之前,需斷開流體連接。在一些範例中,使用硬導管及撓性導管的組合。一些流體傳送元件與處理腔室的其他部分保持在原位,而其他流體傳送元件則與滑動及樞軸組件一起移動。如可察知,在偏壓組件下方的相對受限的空間中,難以提供可靠的通斷型流體連接。
圖1及2顯示製造室中並排設置的兩工具100、102(一者在100處以實線表示,且另一在102處以虛線表示)的部分。工具的每一者包括兩排複數站(針對工具的每一者顯示一排)。複數站係位於鄰近基板轉移模組(為清楚起見,未在圖1中繪示)。在工具100、102之間具有有限的空間。工具100、102之間的通道的寬度係顯示為W。寬度W在工具100、102之間提供用以打開站之處理腔室、且獲得對製程模組及對應處理腔室之內部進行接取的最小量的空間。
本案中提出的範例包括滑動及樞軸組件,其被拉出及樞轉離開對應的處理腔室,以及容許在通道中執行維修或維護。滑動及樞軸組件係配置為從完全對接狀態重複地移動至完全非對接狀態,以及移動至同一完全對接位置。例如,滑動及樞軸組件係配置為使製程模組偏壓組件返回到完全對接狀態的±25微米(μm,稱為微米)以內的位置。滑動及樞軸組件係配置為搬運及補償製程模組偏壓組件的重負載。製程模組偏壓組件及對應滑動及樞軸組件的例示性總重量係約300公斤 (kg)。
工具100、102包括前開式晶圓傳送盒(FOUP, front opening unified pod)104、設備前端模組(EFEM, equipment front end module)及裝載鎖106、具有射頻產生器107及氣體箱108的站、以及電力鎖定掛牌(power lock out and tag out)面板110。站還包括製程模組偏壓組件112,其包括分別的滑動及樞軸組件(如圖4所示)。
站的每一者單獨地或組合地可被稱為基板處理系統。站的每一者可用於蝕刻基板,例如使用射頻(RF)電漿。每一站包括處理腔室,例如電感式耦合電漿(ICP, inductively coupled plasma)腔室或導電式耦合電漿(CCP,conductively coupled plasma)腔室。例如,站可執行導電蝕刻或介電質蝕刻製程或其他基板處理。
圖2顯示工具100的平面圖。工具100包括FOUP104、EFEM及裝載鎖106、站109、及電力鎖定掛牌面板110。工具具有總佔用面積220。工具還包括用於轉移基板往返站109的基板轉移模組222。基板轉移模組222可包括機器人224、226、及用以臨時存放基板的緩衝器228。機械人224、226轉移基板往返站109及緩衝器228。在一些範例中,基板轉移模組222在真空或大氣中操作。
圖3顯示工具100的側視圖。工具100包括FOUP104、EFEM及裝載鎖106、站109、及電力鎖定掛牌系統110。站包括RF產生器及氣體箱(統稱為300)、及具有滑動及樞軸組件112的製程模組偏壓組件。RF產生器可提供RF功率至站的基板支撐件中的電極。氣體箱供應氣體至站的處理腔室。亦顯示基板轉移模組222。
已排定待進行裝載及處理的基板係存放在FOUP104中。基板係藉由機械人224、226從FOUP104經由EFEM及裝載鎖106、經由分別的裝載埠302而轉移至站109。在一些範例中,RF產生器及氣體箱300係設置在站109上方,且供應RF功率及製程氣體至站109的製程模組。
圖4A顯示包括滑動及樞軸組件402的電漿處理站400。滑動及樞軸組件402容許製程模組偏壓組件406相對於處理腔室404的其他元件進行滑動及樞軸轉動。滑動及樞軸組件402容許製程模組偏壓組件406被拉出遠離處理腔室404,以及相對於處理腔室404的正面樞轉多達一預定角度。製程模組偏壓組件406包括外殼408、製程模組的部分410(包括製程偏壓碗狀部412)。除了製程偏壓碗狀部412之外,製程模組偏壓組件406還可包括靜電卡盤及/或其他基板支撐件,以及頂部板組件,如圖4B所示。
顯示站400與相對站之間的通道的例示性寬度W,以說明製程模組偏壓組件406能夠滑出且在通道內樞轉。這在滑動及樞軸組件402的右側提供開放空間414,以供技術人員接取製程偏壓碗狀部412及處理腔室404的內部,以進行包括濕式清潔的維修及維護目的。製程偏壓碗狀部412及處理腔室404的內部係從製程模組偏壓組件406的右側無干擾地加以接取。例如,沒有滑動件、導軌、及/或其他元件位於開放空間414中,且因此它們不會干擾技術人員接取處理腔室的內部。儘管製程模組偏壓組件406顯示為向左樞轉,但滑動及樞軸組件可配置及安裝在處理腔室的右側,使得製程模組及偏壓組件拉出且相對於處理腔室向右樞轉。
圖4B顯示包括加熱層470的基板支撐件460,加熱層470包括靜電電極472及/或RF偏壓電極474。加熱層470可由陶瓷或其他材料製成,且係藉由結合層結合到基部板482。基部板482通常係由鋁製成,且包括冷卻劑通道480及流體通道484及486,以供應冷卻劑至基部板482及從基部板482接收冷卻劑。冷卻劑有助於在處理期間控制基板支撐件及基板的溫度。
現在參考圖5,站其中一者係顯示為從通道面向內。站包括上部510 及下部514。上部510包括製程模組偏壓組件及具有滑動及樞軸組件112的基板支撐件。上部510的滑動及樞軸組件112容許製程模組向外滑向通道,然後進行樞轉,以容許進行接取,從而進行清潔、維護或其他維修。在一些範例中,上部510的滑動及樞軸組件向外樞轉超過90°,以容許對處理腔室更大程度的接取。下部514保持在同一位置,且包括具有可移除蓋524的殼體520。處理模組的其他元件518(例如,其他流體及/或電性部件及/或殼體)係設置在下部514的殼體與上部510的下緣之間。在一些範例中,殼體的壁及/或殼體內部或外部的導管可加以隔離,以防止冷凝。
如下文將進一步描述,容納在殼體520中的通斷型連接器(見圖7)的內部分與滑動及樞軸組件112一起向外滑入通道。在滑動或樞轉之前,通斷型流體連接器的外部分被向外及向下拉動,以容許內部分不受阻礙地移動。使用如此之設置(第二部分相對於第一部分位於外側)容許第二部分更容易地對準及連接到第一部分(相較於第二部分位於第一部分內側的情形而言)。再者,部分使用撓性線路避免公差累積,該公差累積發生於流體輸送使用全硬性線路的情形。
現在參考圖6,更詳細地顯示通斷型連接器的殼體520,該通斷型連接器係用於輸送冷卻流體到站。殼體520包括垂直外殼部分610及連接到垂直外殼部分610的水平外殼部分612。殼體520的垂直外殼部分610及水平外殼部分612界定用來容納通斷型連接器(見圖7)及其他元件的內部容積。
蓋524係藉由緊固件614連接到殼體520的側壁616、618、620、622、及頂部表面624。在一些範例中,蓋524包括面向通道的垂直表面626、及相對於面向通道之表面626成例如90°的角度向內延伸的頂部表面630。頂部表面630包括開口634,以容許流體導管638及連接器640從中穿過。撓性密封材料641係設置在頂部表面630與側壁616的頂面之間,以形成圍繞流體導管638的密封。在一些範例中,撓性密封材料641包括具有孔及/或狹縫的泡沫材料,這些狹縫從孔延伸至撓性密封材料641的一邊緣,以容許安裝流體導管638。
水平外殼部分612包括蓋650、側壁652、底部表面654。側壁652中的開口656及撓性密封材料658(例如,上述具有的孔及狹縫的泡沫)可用來針對連接器660提供撓性密封,連接器660可包括流體及/或電性連接器。
現在參考圖7,殼體520係顯示為移除蓋524(見圖6)。通斷型連接器720係位於殼體520內,且包括藉由一或更多緊固件724連接到第二部分726的第一部分722。在一些範例中,緊固件724包括螺栓。如以下參照圖11至圖13所示及所述,第二部分726包括二(或更多)對準銷728、732,這些對準銷728、732穿過第一部分722中對應的孔736、738,且有助於將第一部分722安裝到第二部分726上。
第一部分722與通道相鄰,且第二部分726係設置成相對於第一部分722向內朝向基板轉移模組。導管730及744的末端係連接到第一部分722。導管734及746的末端係連接到導管730及744的相對末端。在一些範例中,導管730及744係硬性線路,且導管734及746係撓性線路。僅舉例而言,導管730及744係藉由所顯示的斜面接合件分別接合至導管734及746。替代地,導管730及734可藉由具有圓形彎曲部的管件接合。此外,如果殼體520的高度容許,導管744及746亦可藉由具有圓形彎曲部的管件接合。
導管760係連接到第二部分726。在一些範例中,導管760包括硬性線路及/或撓性線路。殼體520包括從其側面向內延伸的凸緣750。凸緣750包括接收緊固件的孔,以將蓋524附接到殼體520。當附接蓋524時,殼體520之上邊緣上的凸件770可用來與蓋524的上末端及內末端上的凸起部進行鎖固及互鎖。
現在參考圖8至圖10,通斷型連接器720係顯示為處於連接位置(見圖8)及斷開位置(見圖9及圖10)。在這些圖中,省略對準銷728、732及孔736、738,以繪示通斷型連接器720的其他特徵。第一部分722在其側面822上包括流體連接於流道810及812的開口。流道810及812與導管730及744的末端對準(見圖7)。流道810及812延伸進入第一部分722,以及然後朝向第一部分722之鄰接第二部分726的側面826轉90°(分別見流道870及872)。第二部分726中的流道874及876與流道870及872流體連通。密封件(例如,設置在凹槽862中的O形環860)可設置在第一部分722與第二部分726之間的鄰接表面上,圍繞流道870及872與流道874及876之間的流體連接部。流道874沿向上的方向轉90°,且離開第二部分726的頂部表面。流道874的一末端係連接到導管760。流道876沿水平方向延伸穿過第二部分726的後壁,且包括與導管830流體連通的末端。
第一部分722中的孔840與第二部分726中的螺紋孔842接收螺紋緊固件,以將第一部分722與第二部分726連接在一起。當滑動及樞軸組件需從閉合位置移動到維修位置時,通斷型連接器的第一部分722及第二部分726被分離,且第一部分722係如圖9所示被向前及向下拉動。 如可察知,導管734及導管746係撓性的,以容許彎曲。
換句話說,緊固件724(見圖7)被移除,且第一部分722係沿如箭頭890所指示的向外及向下的方向向通道拉動。位於第一部分722後方的第二部分726 與滑動及樞軸組件保持在一起,且沿箭頭892所指示的方向移動。
在一些範例中,殼體520可藉由氣體源1010加以吹淨,氣體源1010係藉由導管及可選的閥1014連接到殼體520,如圖10所示。殼體520可藉由導管及可選的閥1020連接到排氣系統1022。在一些範例中,氣體源供應惰性氣體,例如分子氮(N2)。在其他範例中,使用清潔乾燥空氣(CDA, clean dry air)。使用經吹淨的殼體減少殼體520中的冷凝。
圖11-13顯示通斷型連接器720的對準銷728、732的諸多視圖。圖11顯示通斷型連接器720的橫剖面圖。在圖中,只有通斷型連接器720的第二部分726中的對準銷732及通斷型連接器720的第一部分722中的對應孔738係可見的。在圖中,通斷型連接器720的第一及第二部分722、726係顯示為配合。因此,第二部分726的對準銷728、732係顯示為插入(即,配合)第一部分722中的對應孔736、738。當將第一部分722安裝到第二部分726上時,對準銷728、732引導安裝,且有助於將緊固件插入及緊固到分別的孔840中。
圖12顯示通斷型連接器720的俯視圖。在圖中,第二部分726的對準銷728、732及第一部分722中的對應孔736、738皆係可見的。在圖中,第一及第二部分722、726係再次顯示為配合。 因此,第二部分726的對準銷728、732係顯示為插入(即,配合)第一部分722中的對應孔736、738。
圖13顯示第二部分726的俯視圖,其中對準銷728、732可見。 注意,對準銷728、732及對應的孔736、738僅例示性地顯示為圓形形狀。或者,對準銷728、732及對應孔736、738可具有任何其他的形狀(例如,方形、六邊形等)。
前述說明在本質上僅係說明性的,且絕不意圖限制本揭露內容、其應用、或用途。本揭露內容的廣泛教示可以多種形式加以實施。因此,雖然本揭露內容包括特定範例,但本揭露內容的真正範圍不應受到如此限制,因為其他修改將藉由研究圖式、說明書、及以下專利申請範圍而變得顯而易見。應理解,在不改變本揭露內容原理的情況下,方法中的一或更多步驟可以不同的順序(或同時)執行。進一步講,儘管實施例的每一者係如上所述為具有某些特徵,但關於本揭露內容之任何實施例所述的那些特徵中的任何一或更多者可在任何其他實施例實施,及/或與任何其他實施例的特徵結合,即使未明確描述該組合亦然。換言之,所述實施例並非相互排斥,且一或更多實施例彼此的排列組合仍然在本揭露內容的範圍內。
元件之間(例如,模組之間、電路元件之間、半導體層之間等)的空間及功能關係係使用諸多用於加以描述,包括「連接」、「接合」、「耦接」、「鄰近」 、「接近」、「在頂部上」、「以上」、「一下」、及「設置」。除非明確描述為「直接」,否則在上述揭露內容中,當描述第一及第二元件之間的關係時,該關係可為在第一及第二元件之間不存在其他中間元件的直接關係,但也可為在第一及第二元件之間存在一或更多(空間上或功能上)中間元件的間接關係。如本文所用,片語「A、B 、及 C其中至少一者」應解讀為意指邏輯「A或B或C」,其使用非排除性的邏輯「或」,且不應解讀為意指「A的至少一者、B的至少一者、及C的至少一者」。
100:工具
102:工具
104:前開式晶圓傳送盒(FOUP)
106:裝載鎖
107:射頻產生器
108:氣體箱
109:站
110:電力鎖定掛牌面板/系統
112:組件
220:佔用面積
222:基板轉移模組
224:機械人
226:機械人
228:緩衝器
300:RF產生器及氣體箱
302:裝載埠
400:站
402:滑動及樞軸組件
404:處理腔室
406:製程模組偏壓組件
408:外殼
410:部分
412:碗狀部
414:空間
460:基板支撐件
470:加熱層
472:電極
474:電極
480:通道
482:基部板
484:通道
486:通道
510:上部
514:下部
518:元件
520:殼體
524:蓋
610:垂直外殼部分
612:水平外殼部分
614:緊固件
616:側壁
618:側壁
620:側壁
622:側壁
624:頂部表面
626:表面
630:表面
634:開口
638:導管
640:連接器
641:密封材料
650:蓋
652:側壁
654:表面
656:開口
658:密封材料
660:連接器
720:連接器
722:第一部分
724:緊固件
726:第二部分
728:對準銷
730:導管
732:對準銷
734:導管
736:孔
738:孔
744:導管
746:導管
750:凸緣
760:導管
770:凸件
810:流道
812:流道
822:側面
826:側面
830:導管
840:孔
842:孔
860:O形環
862:凹槽
870:流道
872:流道
874:流道
876:流道
890:箭頭
892:箭頭
1010:氣體源
1014:閥
1020:閥
1022:排氣系統
W:寬度
本揭露內容將從詳細說明及附圖中得到較全面地理解,其中:
圖1係包括例示性滑動及樞軸組件的兩工具的部分的立體圖;
圖2係圖1之工具其中一者的一部分的俯視圖;
圖3係圖1之工具其中一者的一部分的側視圖;
圖4A係包括滑動及樞軸組件的電漿處理站的範例的俯視圖;
圖4B係基板支撐件的範例的簡化的橫剖面圖;
圖5係根據本揭露內容之處理站其中一者的範例的側視圖,其中該處理站包括用於通斷型流體連接器的外殼。
圖6係根據本揭露內容之通斷型連接器的外殼的範例的立體圖,該通斷型連接器係用於被傳送至處理站的冷卻流體;
圖7係根據本揭露內容之外殼的範例的立體圖,其中蓋子被移除;
圖8及圖9係根據本揭露內容之通斷型連接器的範例的側視圖,該通斷型連接器係分別在連接及斷開位置;
圖10係根據本揭露內容的通斷型連接器的範例的橫剖面側視圖,該通斷型連接器係在斷開位置;以及
圖11-13顯示通斷型連接器的之對準銷的諸多視圖;
在圖式中,參考數字可重複使用,以標識相似及/或相同的元件。
100:工具
104:前開式晶圓傳送盒(FOUP)
106:裝載鎖
109:站
110:電力鎖定掛牌面板/系統
220:佔用面積
222:基板轉移模組
224:機械人
226:機械人
228:緩衝器
Claims (11)
- 一種基板處理系統,包含: 一樞轉組件,配置成容許一處理腔室的一基板支撐件及一RF偏壓組件相對於該處理腔室的其他元件從一對接位置滑動至一非對接位置;以及 一通斷型連接器,配置成供應流體至該基板支撐件及該RF偏壓組件其中至少一者,且該通斷型連接器包含: 一第一部分,包含連接至一第一導管的一第一流體通道; 一第二部分,包含連接至一第二導管的一第二流體通道,其中該第一部分中的該第一流體通道與該第二部分中的該第二流體通道流體連通;以及 一緊固件,可移除地將該第一部分連接至該第二部分,其中該第一部分係配置成與該基板支撐件及該RF偏壓組件一起相對於該第二部分及該處理腔室的其他部分滑動,以及其中相對於從該對接位置至該非對接位置的一滑動方向,該第一部分係位於該第二部分以內。
- 如請求項1的基板處理系統,其中當該通斷型連接器係位於該對接位置時,該第一部分係連接至該第二部分。
- 如請求項1的基板處理系統,其中當該通斷型連接器係位於該非對接位置時,該第一部分係與該第二部分斷開。
- 如請求項1的基板處理系統,其中該樞轉組件係配置成容許該基板支撐件及該RF偏壓組件從該對接位置滑動至該非對接位置,以及然後樞轉至大於90o 的一預定角度。
- 如請求項1的基板處理系統,更包含一殼體,其中該通斷型連接器係設置於該殼體內。
- 如請求項5的基板處理系統,其中該殼體在操作期間係連接至一氣體源,且加以吹淨。
- 如請求項6的基板處理系統,其中該氣體源係利用分子氮加以吹淨。
- 如請求項6的基板處理系統,其中該氣體源係利用清潔乾燥空氣加以吹淨。
- 如請求項1的基板處理系統,其中: 該第一部分包含連接至一第三導管的一第三流體通道,該第二部分包含連接至一第四導管的一第四流體通道,以及該第一部分中的該第三流體通道與該第二部分中的該第四流體通道流體連通。
- 如請求項1的基板處理系統,其中: 該通斷型連接器的該第一部分包含複數孔,以及該通斷型連接器的該第二部分包含複數對準銷,當該第一部分連接至該第二部分時,該複數對準銷分別與該複數孔匹配。
- 一種基板處理工具,包含: 一設備前端模組; 一基板轉移模組; 一裝載鎖,設置於該設備前端模組與該基板轉移模組之間;以及 數目為2N之如請求項1的基板處理系統,其中N係1至5的一整數,其中數目為2N的該基板處理系統的一半係設置在該基板轉移模組的一側,且數目為2N的該基板處理系統的另一半係設置在該基板轉移模組的相對側。
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