TW202200847A - 奈米線之電化生長 - Google Patents
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Abstract
一種在表面上提供多重性奈米線之方法,其包含:
a)提供一電解質分配器;
b)提供一具有多重性連續孔洞的箔;
c)將該箔配置在該表面與該電解質分配器的輸出側間;
d)將一液體電解質引進該電解質分配器中,使得該液體電解質係在該電解質分配器的輸出側上沈積到該箔上;及
e)在該液體電解質與該表面間施加一電壓,使得該奈米線係在該箔的孔洞中自該液體電解質生長到該表面上。
Description
發明領域
本發明係關於一種奈米線之電化生長。特別是,本發明係關於一種在表面上提供多重性奈米線之方法及配置。
發明背景
可製造出奈米線的方法及配置已知曉。以實施例說明之,可藉由電化方法或藉由已知曉來自薄膜技術的方法獲得奈米線。許多已知曉的方法所共同具有之事實為它們需要複雜的機器,特別是,因此共同地僅(可)在實驗室中及在無塵室中使用。特別是,大部分已知的方法不合適於工業。
同樣地,許多已知曉的配置及方法具有所獲得的奈米線就其性質及特別是關於其品質來說變化甚大的缺點。通常來說,來自不同生長方法的奈米線,即使使用同一或相同機器、起始材料及/或調配物,其在某種程度上非常不同。特別是,奈米線的品質經常依相應配置的使用者或相應方法的使用者之技巧、依環境影響及/或簡單地依機會而定。此全部加重了奈米線在某些情況中甚至無法以光學顯微鏡看見結構之事實。因此,為了能夠一開始就偵測到所描述的性質(及特別是這些之變動),可需要費力的測試。
就已知的方法及配置來說,特別由於所描述的品質有差異,經常無法以奈米線之生長來覆蓋相當大的表面。因此,相關於奈米線在以生長所覆蓋之相當大表面的不同區域間之性質可能不同。此對許多應用可不利。
發明概要
由彼著手進行,本發明的目標為解決或至少減輕與先述技藝相關連所討論之工藝問題。特別是,本目的為呈現出一種可在特別大的面積上且以特別可信賴的方式提供多重性奈米線之方法及配置。
該目標係根據獨立項的構形達成。其優良的細節係在各別提出的附屬項中詳細指明。在申請專利範圍中,各別詳細指明的構形可以任何想要的技藝權宜方式彼此結合,及可藉由來自該說明之強調本發明的進一步設計變體之解釋事實來補充。
根據本發明顯現出一種在表面上提供多重性奈米線之方法。該方法包含:
a)提供一電解質分配器;
b)提供一具有多重性連續孔洞的箔;
c)將該箔配置在該表面與該電解質分配器之輸出側間;
d)將一液體電解質引進該電解質分配器中,使得該液體電解質係在該電解質分配器之輸出側上沈積於該箔上;及
e)在該液體電解質與該表面間施加一電壓,使得該奈米線係於該箔的孔洞中自該液體電解質生長到該表面上。
步驟a)至c)較佳為在步驟d)及e)前進行。步驟a)及b)可以任何想要的順序相繼或同步地進行,特別是甚至與步驟c)同步。步驟d)及e)可以任何想要的順序相繼或同步地進行。
奈米線可使用所描述的方法製造。奈米線於此欲了解為意謂著具有線狀形式且尺寸係在幾個奈米至幾個微米之範圍內的任何材料主體。該奈米線可例如具有圓形、橢圓形或多邊形基底面積。特別是,該奈米線可具有六角形基底面積。較佳的是,全部奈米線係自相同材料形成。
該奈米線較佳為具有長度在100奈米至100微米之範圍內,特別是在500奈米至30微米之範圍內。再者,該奈米線較佳為具有直徑在10奈米至10微米之範圍內,特別是在30奈米至2微米之範圍內。於此,用詞「直徑」係關於圓形基底的面積,其中在偏離此種基底面積之情況中,欲考慮類似的直徑定義。特別佳的是,所使用的全部奈米線皆具有相同長度及相同直徑。
所描述的方法可使用於廣泛多種不同的奈米線材料。至於該奈米線的材料,導電材料係較佳,特別是金屬諸如銅、銀、黃金、鎳、錫及鉑。但是,非導電材料諸如金屬氧化物亦較佳。
該上面欲生長奈米線的表面較佳為導電形式。若該表面其它方面係非導電主體(例如,基材)的部分時,該導電性可例如藉由金屬化來實現。因此例如對非導電基材來說,可藉由一金屬薄層來覆蓋其。特別是,藉由該金屬化可產生一電極層。依該表面及/或該電極層的材料而定,可權宜地在該表面與該電極層間提供一黏著層,其中該黏著層促進在該表面與該電極層間之黏附力。
由於該表面的導電性,其可使用作為用於奈米線之電化生長的電極。該基材特別可係矽基材。該表面特別可係配備有導電結構的主體之表面。此特別可係矽晶片或所謂的印刷電路板(PCB)。
使用所描述的方法,該奈米線可在一箔的孔洞中電化生長到該表面上。為這目的,使用電解質。若該電解質係以特別均勻的方式分配在該箔上時,可在特別大的面積上且以特別可信賴的方式提供該奈米線。在所描述的方法中,該電解質可藉由該電解質分配器達成於該箔上特別均勻地分配,其中該分配器係在步驟a)中提供。
該電解質分配器較佳為具有至少一個輸入口及在該輸出側上多重性輸出口。為這目的,該電解質分配器意欲及係組裝成將一液體電解質自該至少一個輸入口分配至該輸出口。由於該電解質分配器具有多重性輸出口的事實,該電解質可以特別均勻的方式在該輸出側上分配。多重性輸出口經了解意謂著至少三個輸出口。該電解質分配器較佳為具有100至1000個輸出口。該輸出口較佳為各者具有直徑在0.1至2毫米之範圍內。
該輸出口係配置在該電解質分配器的輸出側上。該電解質分配器的輸入口較佳為配置在該電解質分配器的輸入側上,該輸入側係與該輸出側相對。該輸出口較佳為組裝成相關於該輸出側呈垂直。此意謂著該電解質通過該輸出口的流動方向係與該輸出側垂直。因此,該電解質可以特別均勻的方式在該輸出側上沈積。
該輸出口較佳為以規則圖案配置在該輸出側上。結果,該電解質可以均勻的方式在該輸出側上沈積。以實施例說明之,該輸出口可呈網柵形式配置,在每種情況中,較佳為該網柵的全部列皆具有相同程度;在每種情況中,該網柵的全部行皆具有相同程度;及/或該網柵的全部列具有與該網柵的全部行相同程度。以實施例說明之,該電解質分配器可具有400個呈20列及20行配置的輸出口。
在步驟b)中,提供該具有多重性連續孔洞的箔。
該箔較佳為以塑膠材料形成,特別是聚合物材料。特別是,該箔較佳為以該箔不會滑動之此方式連接至該表面。此可能降低所生長的奈米線之品質。
將孔洞形成延伸通過該箔的情況較佳意識為該孔洞係形成一自該箔的頂端側至該箔的底部側之連續通道的情況。特別是,該孔洞較佳為圓柱狀形式。但是,該等孔洞亦可形成具有曲形輪廓的通道。例如,該等孔洞可具有圓形、橢圓形或多側形基底面積。特別是,該等孔洞可具有六角形基底面積。該些孔洞較佳為具有一致的設計(也就是說,關於該等孔洞的尺寸、形狀、配置及/或毗連孔洞的間隔較佳為無不同)。
當該奈米線係在步驟c)處生長時,該等孔洞較佳為以該電化沈積的材料填充(特別是,完全地)。以此方式,該等奈米線會呈現出該孔洞之尺寸、形狀及配置。因此,可透過該箔或在其中的孔洞之選擇來設定或影響欲生長的奈米線之性質。因此,該箔亦可指為「模板」、「模板箔」或「樣式」。
在步驟c)中,該箔係配置在該表面與該電解質分配器間,較佳為以該箔頂住該表面之此方式。該箔較佳為以一液體電解質可由該電解質分配器沈積到該箔上之此方式施用至該電解質分配器。以實施例說明之,一方面,該箔可施用至該表面,及另一方面,施用至該電解質分配器的輸出側。亦可在該箔與該電解質分配器之輸出側間配置一或多層能滲透該電解質的中間層。以實施例說明之,一方面,一海綿可施用至該箔,及另一方面,施用至該電解質分配器的輸出側。
在步驟d)中,該液體電解質較佳為引進該輸入口或該電解質分配器的輸入口之至少一個中。結果,該液體電解質係在該輸出口處輸出,及在這方面上,沈積到該箔上。
在步驟e)中,於該液體電解質與該表面間施加一電壓,如此該奈米線係在該箔的孔洞中自該液體電解質生長到該表面上。該電壓較佳為施加在該電極與表面間。該電極較佳為以自該電極至該表面會由該電解質產生一連續傳導路徑之此方式接觸該電解質。結果,該奈米線可電化生長到該表面上。
當該奈米線之材料係銅時,該方法較佳為在室溫下進行。所施加的電壓較佳為位於0.01伏特至2伏特間,特別是0.2伏特。當該用於奈米線的電解質係由銅構成時,其特別佳為由CuSO4
[硫酸銅]、H2
SO4
[硫酸]及H2
O[水]構成之混合物。依序,在這些條件下,為了獲得例如由具有直徑100奈米及長度10微米的銅構成之奈米線,較佳為在20分鐘的生長週期內使用1.5毫安培/平方公分[每平方公分的毫安培數](直流電)之電流密度。例如,為了獲得由具有直徑1微米及長度10微米的銅構成之奈米線,較佳為在40分鐘之生長週期內使用0.5-2毫安培/平方公分[每平方公分的毫安培數](直流電)之電流密度。
使用所描述的方法,特別是使用所描述如為較佳的參數可獲得特別高品質之奈米線。而且,這些可在特別大的面積上相關於長度、直徑、結構、密度(也就是說,在毗連的奈米線間之平均間隔)及材料組成物特別一致地生長。所描述的方法亦不限於在實驗室中使用,因為其特別不需要微組合處理操作。例如,以重離子轟炸操作的方法受限於研究設備,因為離子加速器係一種固定式大裝置。
已呈現出而作為本發明的進一步態樣係一種在表面上提供多重性奈米線之配置。該設備包含:
-一電解質分配器,其包含:
-在該電解質分配器的輸出側上之多重性輸出口;及
-至少一個輸入口;
-一具有多重性連續孔洞的箔,其係以一液體電解質可藉由該電解質分配器沈積到該箔上之此方式施用至該電解質分配器;及
-一在該液體電解質與該表面間施加一電壓之電極,如此當該箔係施用至該表面時,該等奈米線可在該箔的孔洞中自該液體電解質生長到該表面上。
上述進一步描述的方法之特別的優點及設計特徵係可應用及可轉移至所描述的配置,及反之亦然。所描述的方法較佳為使用所描述的配置進行。所描述的配置較佳為意欲及係組裝成用以進行所描述的方法。
該表面非為該配置的部分。該配置可接觸到該表面以讓該奈米線生長到該表面上。
該箔係以一液體電解質可藉由該電解質分配器沈積到該箔上之此方式施加至該電解質分配器。為這目的,該箔可直接施用至該電解質分配器的輸出側。若在該箔與該電解質分配器的輸出側間係配置一可讓該電解質滲透的中間層時,該箔係施用至該中間層。例如,若該電解質分配器具有一海綿作為中間層時,其係施用至該電解質分配器的輸出側,該箔較佳為施用至該海綿,及在這方面上,至該電解質分配器。
當該電解質係藉由該電解質分配器沈積到該箔上時,該電極較佳為以能由該電解質製造出一自該電極至該表面的連續傳導路徑之此方式配置。該電極可係該電解質分配器之部分。
在該配置的較佳具體實例中,該電解質分配器包含至少二個輸入口,其中每個輸入口係連接至各別的輸出口群,及其中該等輸出口群係彼此不同。
該等輸入口每個係連接至各別的輸出口群,其中該等輸出口群係彼此不同。
該輸出口群包含至少二個輸出口及至多全部的輸出口。該等群可彼此重疊。該輸出口可屬於一至數個或全部群。該電解質亦可具有不屬於任何群的輸出口,但是此輸出口係與該電解質分配器的功能無關係,因此於此沒有任何進一步考慮。不能有二個相同的群。每個輸入口精確有一個群,因此,該群的數目係與該輸入口的數目相應。
若該電解質分配器具有二個輸入口及四個輸出口時,例如,可提供下列群:
第一實施例:輸入口1係連接至輸出口1及2(群1);
輸入口2係連接至輸出口3及4(群2)。
第二實施例:輸入口1係連接至輸出口1、2及3(群1);
輸入口2係連接至輸出口1、2及4(群2)。
第三實施例:輸入口1係連接至輸出口1、2、3及4(群1);
輸入口2係連接至輸出口1、2及3(群2)。
特別提供這些實施例來闡明該等群之定義。該電解質分配器較佳為具有多於四個輸出口。
該等輸出口在該等群中的配置能讓該電解質在該輸出側上以逐區域方式沈積。依已在那一輸入口中引進該電解質而定,該電解質係在該電解質分配器的輸出側上沈積於該等區域的相應不同區域中。因此,使用所描述的方法,以奈米線之生長來覆蓋不同尺寸及/或不同形式的表面區域係可能的。例如,若意欲以奈米線之生長來覆蓋一表面的一區域,且該區域係小於該電解質分配器的輸出側時,該電解質之沈積可限制至該電解質分配器的輸出側之相應子區域。在將該等輸出口分成數群的可能限度內,該子區域較佳為與該表面之欲以生長來覆蓋的部分相應。其它方面,該電解質較佳為使用該電解質分配器的輸出側之次大子區域沈積,其覆蓋該表面之欲以生長來覆蓋的整個部分。
該電解質分配器之組態使得該電解質可以標靶方式沈積。結果,一方面,可減少該電解質之消耗,因為該電解質不會沈積在不需要的區域中。而且,已經顯示出該電解質分配器之組態亦額外地促成改良該奈米線的品質。特別是,已經顯示出由於該電解質分配器之組態,可製造出特別均勻的奈米線。此係因為沈積到該箔上之電解質的量在所製造的奈米線之性質上具有影響。若該電解質係提供在比欲以生長來覆蓋的表面部分還大之區域中時,於欲以生長來覆蓋的表面部分之側緣區域處會比於中心處獲得更多用於奈米線生長的電解質。此可具有在側緣區域處的奈米線與在中心處的奈米線不同之結果。該電解質分配器的組態可防止此。
該電解質可各別供應至每個欲使用的輸入口。為這目的,該等輸入口較佳為以可分開的方式經由一輸入分配器連接至全部輸入口。該輸入分配器較佳為對每個輸入口具有各別閥。因此,該電解質可經由全部輸入口引進該電解質分配器中及經由該輸入分配器分配至該閥已打開的輸入口。可藉由打開及關閉該輸入分配器的各別閥來決定將沈積該電解質的輸出口群。
根據該配置的進一步較佳具體實例,該電解質分配器的輸出側係平面組態。
該電解質分配器特別合適於奈米線的電化生長。該奈米線較佳為生長到平坦表面上。相應地,該電解質分配器的輸出側係平面組態是有利的。
若意欲以奈米線之生長來覆蓋一彎曲表面時,較佳為在該表面與該電解質分配器的輸出側間配置一海綿。該海綿可補償該表面的曲率。
根據該配置的進一步較佳具體實例,該電解質分配器包含對每個輸出口群具有各別的分配部分之分配裝置,其中該各別的輸入口係經由該相應分配部分與該相應輸出口群連接。
該分配裝置較佳為組裝成分配板形式。該分配部分較佳為組裝在該分配裝置內呈空腔形式。每個分配部分較佳為直接或間接與該相應輸入口連接。若在連接部分與該相應輸入口間提供一進一步裝置以讓該電解質可自該輸入口通過其流至該分配部分時,則存在一間接連接。每個分配部分較佳為直接或間接與該相應輸出口連接。較佳的是,每個分配部分係以該輸出口係以開口形式組裝在該分配裝置中之此方式直接連接至該相應輸出口,其中該開口係在該分配裝置之相應分配部分與週圍間延伸。
根據該配置的進一步較佳具體實例,該電解質分配器包含一預分配裝置,該各別的輸入口係經由其連接至該分配裝置之相應分配部分。
在本具體實施例中,該分配裝置係經由該預分配裝置間接連接至該輸入口。該預分配裝置使得該電解質可自該輸入口傳導進該分配裝置的相應分配部分中。與在該輸入口與分配部分間直接連接比較,由於該預分配裝置,該電解質可以更均勻的方式在該輸出側上沈積。此係因為該電解質可經由該預分配裝置而非直接自該輸入口以更均勻的方式沈積到該分配部分上。結果,該電解質之流速在該分配裝置內已經更一致。
該電解質分配器較佳為以逐層方式建構:第一層係由該預分配裝置形成及第二層係由該分配裝置形成。
根據該配置的進一步較佳具體實例,該電解質分配器之輸出口係在該電解質分配器之罩子中形成。
該電解質分配器較佳為以逐層方式建構:第一層係由該預分配裝置形成,第二層係由該分配裝置形成及第三層係由該罩子形成。一方面,該分配裝置頂住該預分配裝置,及另一方面,頂住該罩子。
該輸出口係在該罩子中形成。該分配裝置較佳為具有多重性孔洞,其經設計及配置以便與該輸出口相應。因此,該電解質可經由該孔洞引出該分配裝置及經由該相應輸出口通過該罩子。
該輸出側的材料可在奈米線之生長上具有影響。依所使用的電解質而定及/或依欲生長的奈米線之材料而定,該輸出側的另一種材料可因此優良。與該分配裝置比較,該罩子可以更簡單的方式交換。由於該罩子,該電解質分配器因此可以特別具彈性的方式使用。在磨損及/或污損的情況中,該罩子亦可以比該分配裝置更簡單的方式交換。
根據該配置的進一步較佳具體實例,該電解質分配器的輸出側係組裝成電極形式。
在此具體實例中,該電解質分配器可特別良好使用於奈米線之電化生長。因此,可在該輸出側與欲以奈米線之生長來覆蓋的表面間施加一電壓。不需要進一步電極,此減少該架構的費用。
特別是,在此具體實例中,較佳的是,該輸出口係在該電解質分配器的罩子中形成。該罩子較佳為在金屬上形成及可使用作為電極。在該奈米線之電化生長期間,可於該罩子上形成沈積物。該罩子可自該分配裝置移除以便清潔。該罩子亦可以比例如該分配裝置更簡單的方式交換。此係該電極的材料可在該奈米線之生長上具有影響的進一步有利理由。
根據該配置的進一步較佳具體實例,該電解質分配器包含一導引裝置用以引導該電解質分配器相關於該輸出側呈垂直移動。
在此具體實例中,該電解質分配器可特別良好使用於奈米線之電化生長。因此,欲以奈米線之生長來覆蓋的主體可配置在該電解質分配器下,可將一箔施用至該欲以生長來覆蓋的主體之表面及該電解質分配器可藉由該導引裝置之引導而施用至該箔。
該導引裝置較佳為設計成與一配置例如在外罩中之對應物交互作用,其中該電解質分配器可於該外罩內部使用。該外罩非為該電解質分配器之部分。以實施例說明之,該導引裝置可由一或多根導引長條構成,其可在相應塞孔中作為對應物進行導引。
根據該配置的進一步較佳具體實例,該電解質分配器包含一頂住該電解質分配器的輸出側之海綿。
該海綿可在其第一側上接收來自該電解質分配器的輸出側之電解質,及在其與該第一側相反的第二側上,再次讓該電解質沈積特別是到用於奈米線之電化生長的箔上。由於該海綿,該電解質之沈積可進一步均勻化。
較佳實施例之詳細說明
圖1顯示出一具有二個輸入口2a、2b及多重性輸出口3的電解質分配器1。該輸出口3係配置在該電解質分配器1的輸出側4上。該輸出側4係平面組態。
第一個輸入口2a係連接至輸出口3的第一群5a。第二輸入口2b係連接至輸出口3的第二群5b。該群5a、5b係彼此不同。
該電解質分配器1具有一分配裝置6及一預分配裝置8。該分配裝置6對輸出口3的群5a、5b各者具有各別的分配部分7a、7b。該輸入口2a、2b係經由該預分配裝置8連接至該分配裝置6的相應分配部分7a、7b,及經由該分配裝置6的分配部分7a、7b連接至輸出口3的相應群5a、5b。
在圖1的截面闡明中,該第二分配部分7b顯示出部分在該第一分配部分7a的右側及部分在其左側。此係由於該截面闡明。該第二分配部分7b之二個顯示出的部分係在該截面平面外彼此連接。相同情況相應地施用於該預分配裝置8:來自該第二輸入口2b的電解質,如由箭號指示出,一方面可進入該第二分配部分7b的左手部分中,及另一方面,進入該第二分配部分7b的右手部分中。
該輸出口係在該電解質分配器1的罩子9中形成。該罩子9係組裝成電極10形式,其結果為該輸出側4係組裝成電極10形式。
再者,該電解質分配器1包含一導引裝置11,其用以引導該電解質分配器1相關於該輸出側4呈垂直移動。
圖2顯示出一在表面15上提供多重性奈米線14之配置12。其描繪出一含有表面15的主體19。該主體19或表面15皆非該配置12的部分。
該配置12包含一電解質分配器1,其係如在圖1中所顯示出般組裝;及額外地,具有一海綿13,其頂住該電解質分配器1的輸出側4。該電解質分配器1在圖2中係以簡化形式闡明。於此,該電解質分配器1僅顯示出的每個部分係在該輸出側4上的電極10、導引裝置11及海綿13。
再者,該配置12包含一具有多重性連續孔洞17的箔16。該箔16係以一液體電解質可藉由該電解質分配器1沈積到該箔16上之此方式施用至該電解質分配器1。為這目的,在所顯示出的具體實例中,該箔16係施用至該電解質分配器1之海綿13。
該電極10係合適於在該液體電解質與該表面15間施加電壓,如此該奈米線14可在該箔16之孔洞17中自該液體電解質生長到該表面15上。該電壓可藉由電流及電壓來源18施加。
該電解質分配器1可進行移動以便藉由該導引裝置11相關於該輸出側4呈垂直地引導。已顯示出在該電解質分配器1上與該導引裝置11交互作用的塞孔23。該電解質分配器1可藉由彈簧22以預定壓力對著該箔16加壓。
該奈米線14之生長可受局部限制,如此整體表面15不會由生長覆蓋。為這目的,該表面15可提供一上面不會生長奈米線之結構化層20。結果,該奈米線14之生長可限制在該結構化層20中的間隙21。例如,該間隙21可藉由微影蝕刻獲得。
圖3顯示出在表面15上提供多重性奈米線14之方法的流程圖。該方法係以來自圖1及2之參考標號進行描述。該方法包含:
a)提供來自圖1的電解質分配器1;
b)提供具有多重性連續孔洞17的箔16;
c)將該箔16配置在該表面15與該電解質分配器1之輸出側4間;
d)將一液體電解質引進該電解質分配器1的輸入口2a、2b之至少一個,如此該液體電解質係經由該電解質分配器1沈積到該箔16上;及
e)在該液體電解質與該表面15間施加一電壓,使得該奈米線14係在該箔16之孔洞17中自該液體電解質生長到該表面15上。
該方法特別可使用來自圖2之配置進行。
參考標號之表列
1:電解質分配器
2a:第一輸入口
2b:第二輸入口
3:輸出口
4:輸出側
5a:第一群
5b:第二群
6:分配裝置
7a:第一分配部分
7b:第二分配部分
8:預分配裝置
9:罩子
10:電極
11:導引裝置
12:配置
13:海綿
14:奈米線
15:表面
16:箔
17:孔洞
18:電流及電壓來源
19:主體
20:結構化層
21:間隙
22:彈簧
23:塞孔
將根據下列圖更詳細地討論本發明及其工藝領域。該等圖顯示出特別佳的範例性具體實例,但是本發明不受限於此。特別要指出的是,該等圖及特別是所闡明的比例僅為示意。在該等圖中示意每種情況:
圖1顯示出根據本發明之配置的電解質分配器之截面圖;
圖2係根據本發明之配置的截面圖,其顯示出包含來自圖1之用以在一表面上提供多重性奈米線的電解質分配器;及
圖3係根據本發明的方法之流程圖,其顯示出使用來自圖2之配置與來自圖1之電解質分配器在一表面上提供多重性奈米線。
1:電解質分配器
2a:第一輸入口
2b:第二輸入口
3:輸出口
4:輸出側
5a:第一群
5b:第二群
6:分配裝置
7a:第一分配部分
7b:第二分配部分
8:預分配裝置
9:罩子
10:電極
11:導引裝置
Claims (10)
- 一種在表面上提供多重性奈米線之方法,其包含: a)提供一電解質分配器; b)提供一具有多重性連續孔洞的箔; c)將該箔配置在該表面與該電解質分配器之輸出側之間; d)將一液體電解質引進該電解質分配器中,使得該液體電解質係在該電解質分配器的輸出側上沈積到該箔上;及 e)在該液體電解質與該表面間施加一電壓,使得該奈米線係在該箔的孔洞中自該液體電解質生長到該表面上。
- 一種在表面上提供多重性奈米線之配置,其包含: 一電解質分配器,其包含: 在該電解質分配器的輸出側上之多重性輸出口;及 至少一個輸入口; 一具有多重性連續孔洞的箔,其係以一液體電解質可藉由該電解質分配器沈積到該箔上之此方式施用至該電解質分配器;及 一用以在該液體電解質與該表面間施加一電壓之電極,使得當該箔係施用至該表面時,該奈米線可在該箔的孔洞中自該液體電解質生長到該表面上。
- 如請求項2之配置,其中該電解質分配器包含至少二個輸入口,及其中該輸入口各者係連接至各別的輸出口群,及其中該等輸出口群係彼此不同。
- 如請求項2之配置,其中該電解質分配器的輸出側係平面組態。
- 如請求項3及4之任一項的配置,其包含對每個輸出口群具有各別的分配部分之分配裝置,其中該各別的輸入口係經由相應的分配部分連接至相應的輸出口群。
- 如請求項5之配置或電解質分配器,其包含一預分配裝置,該各別的輸入口係經由其連接至該分配裝置的相應分配部分。
- 如請求項2至6之任一項的配置,其中該電解質分配器的輸出口係在該電解質分配器之罩子中形成。
- 如請求項2至7之任一項的配置,其中該電解質分配器的輸出側係組裝成電極形式。
- 如請求項2至8之任一項的配置,其包含一導引裝置,用以引導該電解質分配器相關於該輸出側呈垂直移動。
- 如請求項2至9之任一項的配置,其包含一頂住該電解質分配器的輸出側之海綿。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102020107514.6A DE102020107514A1 (de) | 2020-03-18 | 2020-03-18 | Galvanisches Wachstum von Nanodrähten |
DE102020107514.6 | 2020-03-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202200847A true TW202200847A (zh) | 2022-01-01 |
Family
ID=74859936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110108366A TW202200847A (zh) | 2020-03-18 | 2021-03-09 | 奈米線之電化生長 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP4121582A1 (zh) |
JP (1) | JP7565369B2 (zh) |
KR (1) | KR20230019071A (zh) |
CN (1) | CN115698387A (zh) |
DE (1) | DE102020107514A1 (zh) |
TW (1) | TW202200847A (zh) |
WO (1) | WO2021185619A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102021126435A1 (de) | 2021-10-12 | 2023-04-13 | Nanowired Gmbh | Wachstum von Nanodrähten |
WO2023202931A1 (en) | 2022-04-21 | 2023-10-26 | Biotronik Se & Co. Kg | Energy-reduced and automatable joining by means of nanowiring for contacting electrical and mechanical components of active and monitoring implants |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1884578A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-06 | MPG Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | A method of manufacturing a self-ordered porous structure of aluminium oxide, a nanoporous article and a nano object |
DE102017104906A1 (de) | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Olav Birlem | Anordnung und Verfahren zum Bereitstellen einer Vielzahl von Nanodrähten |
DE102017104905A1 (de) | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Olav Birlem | Anordnung und Verfahren zum Bereitstellen einer Vielzahl von Nanodrähten sowie Galvanikkapsel |
WO2018162682A1 (de) * | 2017-03-08 | 2018-09-13 | Technische Universität Darmstadt | Anordnung und verfahren zum bereitstellen einer vielzahl von nanodrähten sowie galvanikkapsel |
-
2020
- 2020-03-18 DE DE102020107514.6A patent/DE102020107514A1/de active Pending
-
2021
- 2021-03-08 CN CN202180021643.2A patent/CN115698387A/zh active Pending
- 2021-03-08 EP EP21710472.8A patent/EP4121582A1/de active Pending
- 2021-03-08 WO PCT/EP2021/055803 patent/WO2021185619A1/de unknown
- 2021-03-08 JP JP2022556497A patent/JP7565369B2/ja active Active
- 2021-03-08 KR KR1020227035716A patent/KR20230019071A/ko unknown
- 2021-03-09 TW TW110108366A patent/TW202200847A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115698387A (zh) | 2023-02-03 |
DE102020107514A1 (de) | 2021-09-23 |
WO2021185619A1 (de) | 2021-09-23 |
JP7565369B2 (ja) | 2024-10-10 |
EP4121582A1 (de) | 2023-01-25 |
KR20230019071A (ko) | 2023-02-07 |
JP2023518077A (ja) | 2023-04-27 |
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