TW202200811A - 用於蒸發源的溫度控制屏蔽、用於在基板上沉積材料的材料沉積設備及方法 - Google Patents

用於蒸發源的溫度控制屏蔽、用於在基板上沉積材料的材料沉積設備及方法 Download PDF

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Abstract

本發明描述一種用於蒸發源的溫度控制屏蔽。溫度控制屏蔽經配置成提供預熱區或後冷卻區。

Description

用於蒸發源的溫度控制屏蔽、用於在基板上沉積材料的材料沉積設備及方法
本揭示案的實施例係關於在真空腔室中藉由熱蒸發塗覆基板。本揭示案的實施例進一步係關於蒸發材料在基板上的材料沉積。實施例亦係關於材料在基板上的溫度受控沉積。
用於在基板上沉積的各種技術是已知的，例如化學氣相沉積(chemical vapor deposition; CVD)及物理氣相沉積(physical vapor deposition; PVD)。對於高沉積速率的沉積，熱蒸發可用作PVD製程。對於熱蒸發，加熱源材料以產生可沉積在例如基板上的蒸氣。升高加熱源材料的溫度會增加蒸氣濃度，並可有利於高沉積速率。實現高沉積速率的溫度取決於源材料的物理性質，例如作為溫度函數的蒸氣壓；及基板的物理極限值，例如熔點。
例如，可在坩堝中加熱要沉積在基板上的材料，以在高蒸氣壓下產生蒸氣。蒸氣可從坩堝輸送到帶有複數個噴嘴的加熱蒸氣分配器。蒸氣可由一或更多個噴嘴引導到塗覆容積中，例如真空腔室中的基板上。
藉由蒸發將金屬（例如鋰）沉積在撓性基板（例如銅基板）上可用於製造電池，如鋰電池。例如，鋰層可沉積在薄的撓性基板上，用於生產電池的陽極。在組裝陽極層堆疊及陰極層堆疊之後，視情況在其間具有電解質及/或隔板，所製造的層佈置可被捲起或以其他方式堆疊以產生鋰電池。
部件的表面，例如真空腔室的真空腔室壁，可曝露在蒸氣中並可被塗覆。頻繁維護以移除冷凝物對於高容量製造，例如薄箔上的卷材塗層，是不切實際的。此外，若真空腔室的部件不同於待塗覆的基板，則可能會浪費昂貴的塗覆材料。
此外，待沉積的材料被加熱到高溫，從而為待塗覆的基板提供高熱負荷。然而，高溫會對基板產生負面影響。因此，有益的是提供一種改進的材料沉積設備來至少部分地克服此項技術中的問題。
根據一個實施例，提供一種用於蒸發源的溫度控制屏蔽。溫度控制屏蔽經配置成提供預熱區或後冷卻區。
根據一個實施例，提供一種用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備。材料沉積設備包括根據本揭示案實施例的一或更多個溫度控制屏蔽。
根據一個實施例，提供一種用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備。該材料沉積設備包括用於向基板提供蒸發材料的蒸發源，該蒸發源具有第一端及與第一端相對的第二端，及在第一端與第二端之間具有一長度的表面；及一或更多個溫度控制屏蔽，其佈置在蒸發源的第一端或第二端中的至少一者處，一或更多個溫度控制屏蔽從蒸發源向外延伸，其中一或更多個溫度控制屏蔽在蒸發源的第一端與第二端之間提供表面長度的至少20%的寬度。
根據一個實施例，提供一種用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備。該材料沉積設備包括：蒸發源，用於向基板提供蒸發的材料，該蒸發源具有第一端及與第一端相對的第二端；及一或更多個溫度控制屏蔽，其佈置在蒸發源的第一端或第二端中的至少一者處，該一或更多個溫度控制屏蔽從蒸發源以廣角向外延伸。
根據一個實施例，提供一種用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備。該材料沉積設備包括：基板輸送裝置，用於沿著基板輸送方向輸送基板；及至少兩個蒸發源，用於沿著基板輸送方向將蒸發的材料提供至基板，該至少兩個蒸發源各自包括一或更多個不對稱的溫度控制屏蔽。
根據一個實施例，提供一種用於向真空腔室中的基板提供蒸發材料的蒸發源。蒸發源包括噴嘴組件屏蔽，其具有佈置成至少一列的複數個噴嘴，該列包括兩個最外側的噴嘴，其中兩個最外側的噴嘴在不同方向上傾斜。
根據一個實施例，提供一種用於向真空腔室中的基板提供蒸發材料的蒸發源。蒸發源包括噴嘴組件屏蔽，其具有第一端及第二端及在第一端與第二端之間面對基板的表面，該噴嘴組件屏蔽具有複數個開口，該等開口在第一端與第二端之間的表面處佈置成至少一列，該至少一列具有鄰近第一端設置的第一最外側開口及鄰近第二端設置的第二最外側開口；及延伸穿過複數個開口的複數個噴嘴，其中複數個噴嘴包括延伸穿過第一最外側開口的第一最外側噴嘴及延伸穿過第二最外側開口的第二最外側噴嘴，第一及第二最外側噴嘴相對於第一端與第二端之間的表面傾斜一個角度。
根據一個實施例，提供一種用於在真空腔室中將材料沉積到基板上的方法。該方法包括在具有蒸氣發射區域的蒸發源中蒸發材料；及藉由溫度控制屏蔽將蒸發材料導向基板區域，基板區域大於蒸氣發射區域。
根據一個實施例，提供一種製造電池陽極的方法。製造電池陽極的方法包括根據本文描述的任何實施例在真空腔室中將材料沉積到基板上的方法。
根據一個實施例，提供一種製造電池陽極的方法。該方法包括在根據本揭示案實施例的材料沉積設備中引導包括陽極層或由陽極層組成的卷材；及用氣相沉積設備在卷材上沉積含鋰材料或鋰。
實施例亦針對用於執行所揭示的方法的設備，並且包括用於執行每個所描述的方法態樣的設備部件。該等方法態樣可藉由硬體部件、由適當軟體程式設計的電腦、兩者的任意組合或以任何其他方式來執行。此外，根據本揭示案的實施例亦針對用於操作所述設備的方法。其包括執行設備每一功能的方法態樣。
現在將詳細參考本揭示案的各種實施例，本案的一或更多個實例在附圖中示出。在附圖的以下描述中，相同的元件符號表示相同的部件。一般而言，僅描述關於個別實施例的差異。每個實例皆藉由解釋本揭示案的方式提供的，並不意味著對本揭示案的限制。此外，作為一個實施例的一部分示出或描述的特徵可用於其他實施例，或與其他實施例結合使用，以產生又一實施例。本說明書意欲包括此種修改及變化。
本文提供的實施例係關於藉由蒸發進行薄膜塗覆，特定而言係關於真空腔室中的薄膜塗覆。典型地，待塗覆的材料被加熱到材料特定的溫度以待蒸發。通常，在更高的溫度下可提供更高的蒸發速率。特定塗覆速率的相應溫度相較於其他者更取決於例如材料蒸氣壓。對於高沉積速率製程，材料的冷凝熱負荷可主導基板上的熱負荷。
在蒸發系統中，蒸發的材料會在系統部件表面冷凝，該等部件具有低於蒸發材料的溫度。在基板的熱塗覆中，基板包括較低的溫度，使得蒸發材料可塗覆到基板上以在基板上形成薄層。然而，基於待沉積材料與基板之間的溫度差異的塗層或材料沉積亦為基板提供了冷凝能。因此，由沉積材料提供的冷凝能加熱基板，特定而言，在蒸發材料直接撞擊基板的位置加熱基板。
因此，提供避免將冷凝能集中到待塗覆的基板上的系統、設備及方法，及提供更佳熱分佈（即冷凝能在待塗覆的基板上的更佳熱分佈）的系統、設備及方法是有益的。
第1圖示例性地示出了根據本文描述的實施例的材料沉積設備，其可與本文描述的任何其他實施例相結合。材料沉積設備100可包括真空腔室105。可在真空腔室中提供真空。例如，材料沉積設備可包括用於在真空腔室中提供真空的真空泵。
本文使用的術語「真空」可理解為真空壓力小於例如10毫巴的技術真空。典型地，如本文所述的真空腔室中的壓力可在10-4 毫巴與約10-8 毫巴之間，更典型地在10-4 毫巴與約10-7 毫巴之間，甚至更典型地在約10-5 毫巴與約10-6 毫巴之間。在一些實施例中，一或更多個真空腔室中的總壓力可在約10-4 毫巴至約10-7 毫巴的範圍內。因此，真空腔室可為「真空沉積腔室」，即配置用於真空沉積的真空腔室。
根據可與本文描述的任何其他實施例結合的實施例，材料沉積設備可包括蒸發源110。蒸發源經配置成向基板122提供蒸發的材料。蒸發源110可設置在真空腔室105中，或者可至少部分設置在真空腔室105中。
根據可與本文描述的任何其他實施例相結合的實施例，材料沉積設備可包括基板輸送裝置120。基板輸送裝置可經配置成輸送基板122。基板122可圍繞基板輸送裝置120佈置。基板輸送裝置120可為如第1圖中示例性示出的塗佈滾筒。塗佈滾筒可包括彎曲滾筒表面，並且氣相沉積設備可經配置為在圓周方向或基板輸送方向D上將彎曲滾筒表面上的基板122移動經過蒸發源110。例如，基板可為撓性卷材或箔，並且材料沉積設備可為卷到卷沉積設備。塗佈滾筒可為在垂直於第1圖紙面的長度方向上延伸的圓筒。基板輸送裝置可為可移動的，即塗佈滾筒可圍繞軸A旋轉。基板輸送裝置可順時針或逆時針移動或旋轉。基板輸送裝置可在沉積期間改變方向，例如，當基板輸送裝置在沉積期間順時針旋轉時，旋轉方向可改變為逆時針，反之亦然。基板可在第1圖中箭頭D所示的圓周方向或基板輸送方向上移動。
根據可與本文所述的其他實施例結合的一些實施例，塗佈滾筒可為氣墊塗佈滾筒。氣墊塗佈滾筒在滾筒表面與基板之間提供冷卻氣體。例如，滾筒及冷卻氣體可經冷卻到低於室溫的溫度。熱量可從基板移除，以允許更高的沉積速率，而不會損壞其上沉積材料的薄箔或卷材。
對於氣墊輥，第一子群組氣體出口，即開放的氣體出口，可設置在處理滾筒的卷材引導區域中。第二子群組氣體出口，即封閉的氣體出口，設置在卷材引導區域的外部。由於氣體僅在需要形成懸停墊的卷材引導區域中排放，因此沒有或極少氣體被直接排放到沒有被卷材重疊的區域中，可減少氣體的浪費及/或可在泵系統上的較小應變下保持更好的真空。
根據可與本文所述的其他實施例結合的一些實施例，除了氣體出口的子群組之外，或替代氣體出口的子群組，處理滾筒的外表面可塗覆有微孔表面。微孔表面可允許少量冷卻氣體從處理滾筒內部流到處理滾筒的表面。冷卻氣體可在處理滾筒與在處理滾筒上被引導用於材料沉積的卷材或箔片之間形成氣墊。
根據可與本文描述的任何其他實施例結合的實施例，基板可為薄基板，例如箔或卷材。待塗覆的基板可具有50微米或更小，特定而言20微米或更小，或者甚至10微米或更小的厚度。例如，可在氣相沉積設備中塗覆金屬箔或撓性金屬塗覆箔。在一些實施方式中，基板10是厚度小於30微米，例如10微米或更小的薄銅箔或薄鋁箔。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，材料沉積設備可包括用於提供未處理基板的基板供應或展開輥（第1圖中未示出）。基板供應或展開輥可移動，即旋轉，使得基板可從基板供應或展開輥展開。此外，材料沉積設備可包括基板接收輥，用於在將材料沉積到基板上之後收取處理過的基板。基板接收輥可移動，即基板接收輥可旋轉以收取處理過的基板。基板接收輥及基板供應或展開輥可沿相同方向旋轉，即該等輥可順時針旋轉，或者基板供應或展開輥可在相反方向上旋轉，即一個輥可順時針旋轉，另一個輥可逆時針旋轉，反之亦然。
然而，應理解，儘管第1圖中未示出，但基板輸送裝置亦可為卷到卷輸送裝置。卷到卷輸送裝置可包括展開或基板供應卷，未處理的基板可從該展開或基板供應輥提供。卷到卷輸送裝置可進一步包括用於捲起處理過的基板的接收輥。展開或基板供應輥及接收輥可各自設置在與蒸發源相比不同的真空腔室中，或者可設置在與蒸發源相同的真空腔室中。在展開輥與接收輥之間，基板可設置在蒸發源附近，用於將材料沉積到基板上。例如，基板可「橫跨」在展開輥與接收輥之間，並且可在蒸發源上方被引導以接收蒸發的材料。例如，基板可具有限定的及/或受控制的力。可提供基板張緊器。
根據可與本文描述的任何其他實施例結合的實施例，蒸發源110可具有第一端及與第一端相對的第二端。第一端與第二端之間可限定一空間。貫穿本揭示案使用的術語「與第一端相對的第二端」可理解為蒸發源的兩側彼此相鄰佈置。例如，蒸發源可包括沿相同方向延伸並且彼此相鄰佈置的第一壁及第二壁。第一端及第二端可理解為蒸發源的側壁限制。特定言之，第一端及第二端可在其二者間限定表面119，即可基本上垂直於蒸發源的第一壁及第二壁的表面。蒸發源的表面可與基板輸送裝置對準，即蒸發源的表面119可經定向使得可增強待沉積材料的供應。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，蒸發源可提供待沉積到基板的材料。蒸發源可包括坩堝，藉由向材料提供適於蒸發材料的溫度，待沉積的材料可在該坩堝中蒸發。例如，待沉積的材料可包括例如金屬，特定而言為鋰、金屬合金及在給定條件下具有氣相的其他可蒸發材料等。根據又一實施例，額外地或替代地，該材料可包括鎂(Mg)、鐿(Yb)及氟化鋰(LiF)。
此外，蒸發源可包括分配器。分配器可分配蒸發的材料。可在分配器中提供材料，例如，藉由經由一入口開口連接到分配器的坩堝來提供。分配器可具有一或更多個開口。待沉積的蒸發材料可通過開口離開分配器。源材料可藉由延伸穿過開口的複數個噴嘴沉積在基板122上。換言之，蒸發源可包括一或更多個噴嘴，用於向基板提供蒸發的材料。待沉積的材料可例如藉由複數個噴嘴噴射到基板上。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，提供了溫度控制屏蔽112。溫度控制屏蔽經配置成提供加熱區或冷卻區，特定而言是預熱區及後冷卻區。特定而言，溫度控制屏蔽可經配置為在基板輸送裝置120中提供預熱區或後冷卻區，即朝向由基板輸送裝置輸送的基板122或在基板122處提供。溫度控制屏蔽112可包括加熱裝置或冷卻裝置之一者。溫度控制屏蔽可設置在蒸發源110處。特定言之，可在蒸發源處提供一或更多個溫度控制屏蔽。溫度控制屏蔽112可為可加熱的，使得當溫度控制屏蔽112被加熱到操作溫度時，例如在一些實施例中為500℃或更高的操作溫度時，可減少或防止溫度控制屏蔽112上的蒸氣冷凝。
根據本揭示案的實施例，溫度控制屏蔽沿輸送方向的寬度比蒸發源的相應寬度大至少10%，特定而言大至少20%。因此，材料沉積不限於蒸發源在輸送方向上的區域。將材料羽流限制在蒸發源區域可能導致基板溫度突然升高，此可能導致基板（例如薄箔或卷材）起皺及翹曲。因此，允許來自蒸發源的材料羽流向蒸發區域的側面擴散，以具有預熱區及/或後冷卻區。由於溫度的升高與沉積的材料量直接相關，加熱屏蔽的延伸形狀導致入口處的沉積速率低。蒸發源的主體處的沉積速率增加，例如，連續增加到最大沉積速率。如本文所述，熱負荷主要由冷凝能提供。因此，卷材或箔的溫度分佈與沉積速率成比例。因此，溫度分佈的增加類似於上述沉積速率分佈。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，溫度控制屏蔽可包括導熱材料。溫度控制屏蔽可包括適於接觸加熱或冷卻的材料。例如，溫度控制屏蔽可由金屬材料製成，例如不銹鋼、鉬、鉭、鎢、因瓦合金或其他高溫材料或高溫金屬。例如，氮化鋁亦可作為良好的導熱陶瓷提供。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，一或更多個溫度控制屏蔽可設置在蒸發源的第一及第二端。特定而言，第一溫度控制屏蔽可設置在蒸發源的第一端，第二溫度控制屏蔽可設置在蒸發源的第二端。額外地或替代地，溫度控制屏蔽的第一部分可設置在蒸發源的第一端，溫度控制屏蔽的第二部分可設置在蒸發源的第二端。
換言之，溫度控制屏蔽112不接觸基板輸送裝置120，使得支撐在基板輸送裝置120上的基板可在材料沉積期間移動經過蒸發源110及溫度控制屏蔽112。溫度控制屏蔽112可僅在溫度控制屏蔽112及基板輸送裝置120之間留下小間隙，例如5毫米或更小、3毫米或更小、2毫米或更小、或者甚至約1毫米的間隙，從而幾乎沒有任何蒸氣可例如在橫向方向上傳播經過溫度控制屏蔽。
根據可與本文所述的任何其他實施例組合的實施例，溫度控制屏蔽可沿圓周方向或基板輸送方向D延伸。溫度控制屏蔽可包括沿基板輸送裝置120的軸線的寬度尺寸，及沿不同於基板輸送裝置120的軸線的方向（即，沿圓周方向或基板輸送方向D）的長度尺寸。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，溫度控制屏蔽可遠離蒸發源徑向或橫向延伸。在下文中，此種溫度控制屏蔽亦可稱為「細長屏蔽」。例如，溫度控制屏蔽可包括從蒸發源徑向或向外延伸的直線部分113。溫度控制屏蔽或直線部分可從蒸發源被引導向基板122。溫度控制屏蔽或直線部分113可朝著基板劃定沉積區域。溫度控制屏蔽或直線部分可相對於蒸發源而傾斜。例如，溫度控制屏蔽可相對於蒸發源110，即相對於蒸發源的第一端與第二端之間的蒸發源的表面119，以廣角α佈置。廣角可在95°與180°之間，特別是在110°與140°之間，更特別是在110°與130°之間。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，溫度控制屏蔽112可為彎曲的，或者可包括彎曲部分或彎曲端111。彎曲部分可相對於直線部分113彎曲。彎曲端111可進一步劃定蒸發源與基板之間的沉積區域。彎曲部分或彎曲端可向基板傾斜，即與直線部分相比，彎曲端可更靠近基板。換言之，直線部分比彎曲端到基板的距離更大。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，材料沉積設備可包括蒸發源110與基板輸送裝置120之間的沉積區域。沉積區域可理解為將要沉積的材料提供至基板的區域。沉積區域可被來自蒸發源的待沉積材料填充，並且可被一或更多個溫度控制屏蔽側向界定，例如，以提供均勻的材料沉積。
根據可與本文所述的任何其他實施例相結合的實施例，與本領域中的習用屏蔽相比，一或更多個溫度控制屏蔽可為細長的。特定而言，直線部分113可為細長的。細長的溫度控制屏蔽可理解為覆蓋或包圍基板的大表面積的屏蔽，從而與此項技術中的短屏蔽或側壁相比提供更大的沉積面積，例如從沉積源向基板以90°角延伸的屏蔽。因此，該一或更多個溫度控制屏蔽可佈置在蒸發源的第一端或第二端中的至少一者處，並且可向外朝向基板輸送裝置延伸，並且可經配置成擴大沉積面積，特別是與以90°角朝向基板延伸的直線屏蔽相比。
根據可與本文所述的任何其他實施例組合的實施例，一或更多個溫度屏蔽各自可具有在蒸發源110的第一端與第二端之間的表面119之長度的至少20%的長度。
根據可與本文描述的任何其他實施例相結合的實施例，可加熱一或更多個溫度控制屏蔽。可控制屏蔽的溫度，從而防止或避免待沉積材料的冷凝。若待沉積的材料在屏蔽處冷凝，則加熱一或更多個溫度控制屏蔽可能會導致冷凝材料再次蒸發。有利地，可實現高沉積良率。
進一步有利的是，由熱蒸發材料帶到基板的冷凝能可分佈在基板的大面積上。溫度控制屏蔽可在基板下提供沉積區域，在該區域中，待沉積的材料可不被主動提供，即，其中沒有佈置蒸發源的噴嘴，但是待沉積的材料可藉由本文描述的溫度控制屏蔽來提供。因此，當待塗覆的基板沿著一或更多個溫度控制屏蔽輸送時，與在具有噴嘴的位置處提供材料的速率相比，即與由複數個噴嘴直接提供材料的速率相比，在沒有噴嘴的區域中可以較低的速率提供待沉積的材料。因此，在塗覆期間，由材料提供至基板的總溫度更均勻地分佈在基板的更大區域上。因此，可避免或防止基板的溫度相關損壞。特別地，可避免或防止基板的褶皺。因此，基板的塗覆更有效，從而使處理過的基板的良率更高，並使處理過的基板的品質更好。
更有利的是，可在基板進入溫度控制屏蔽及基板輸送裝置之間的區域位置提供較低的塗覆速率。隨後，當基板朝向蒸發源前進時，即朝向佈置有複數個噴嘴的蒸發源的區域前進時，可緩慢增加塗覆速率，使得基板的塗覆更均勻。若存在第二溫度控制屏蔽，則當基板進一步前進到佈置在蒸發源第二端的第二溫度控制屏蔽時，可降低塗覆速率。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，並且示例性地參照第2A圖，材料沉積設備200可包括至少兩個蒸發源。至少兩個蒸發源可相對於如第2A圖中箭頭D所示的基板輸送方向排列。換言之，該至少兩個蒸發源可相對於基板輸送方向設置成一列或前後排列設置。該至少兩個蒸發源可為如本文所述的蒸發源。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，至少兩個蒸發源110各自可包括兩個不對稱溫度控制屏蔽，或者可具有兩個部分相對於彼此不對稱的不對稱溫度控制屏蔽。本文使用的術語「不對稱」可理解為兩個溫度控制屏蔽或溫度控制屏蔽的部分在形狀及尺寸上可不同。此外，可理解，該兩個不對稱屏蔽或兩個部分可具有不同的長度，並且該兩個不對稱屏蔽或兩個部分可在不同的方向上皆朝向基板延伸。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，不對稱溫度控制屏蔽可包括第一不對稱溫度控制屏蔽214及第二不對稱溫度控制屏蔽216，該兩者佈置在至少兩個蒸發源中的每一者的相對側。第一不對稱溫度控制屏蔽214可為直屏蔽，即第一溫度控制屏蔽可不包括彎曲端。第一不對稱溫度控制屏蔽214可從每個蒸發源向外延伸，即第一不對稱溫度控制屏蔽214可佈置在至少兩個蒸發源之一者的第一端處，及至少兩個蒸發源中的另一者的第二端處，反之亦然，且一個蒸發源與另一個蒸發源可彼此相鄰佈置。
根據可與本文描述的任何其他實施例相結合的實施例，第二不對稱溫度控制屏蔽216可包括直線部分及彎曲端。彎曲端可遠離基板或朝向另一個屏蔽彎曲。相鄰蒸發源的第二不對稱溫度控制屏蔽216之間提供了一沉積區域。第二不對稱溫度控制屏蔽216可從每個蒸發源向內延伸，即第二不對稱溫度控制屏蔽216可佈置在至少兩個蒸發源之一者的第二端處，及至少兩個蒸發源中的另一者的第一端處，反之亦然，並且可朝向彼此延伸。特定言之，彎曲端可朝向彼此彎曲，即相應的直線部分可指向基板，且相應的彎曲端可視情況遠離基板。例如，彎曲端可相對於第二不對稱溫度控制屏蔽的直線部分彎曲達一個角度。
有利的是，如上所述的在至少兩個蒸發源之間的此種開放式屏蔽設計允許抽真空，但仍然可防止待沉積材料的雜散塗覆。進一步有利的是，不對稱屏蔽佈置，特別是如上所述的兩個第二不對稱溫度控制屏蔽裝置的佈置，防止了兩個蒸發源之間的基板過度冷卻，在該兩個蒸發源之間沒有發生活性粒子沉積。因此，由蒸發的材料帶入材料沉積設備的溫度亦可在兩個蒸發源之間更均勻地分佈，從而可有效地防止或避免例如箔片的基板中出現褶皺。換言之，兩個蒸發源之間的介面可被橋接以允許均勻的塗層，而不會由於兩個蒸發源之間的快速溫度變化而損壞基板，在該兩個蒸發源之間，由於不存在或存在較少材料粒子，基板通常會被冷卻。
應理解，亦可沿著基板輸送方向排列兩個以上的蒸發源，並且在各個蒸發源之間可提供開放式屏蔽設計，即具有兩個彼此面對的彎曲屏蔽的不對稱屏蔽設計。
在第2B圖的示意圖中示例性地呈現了開放式屏蔽設計與蒸發源之間的開放式屏蔽設計相結合的有益效應。第2B圖示出了兩個溫度分佈，其中x軸是以秒為單位的時間，y軸是以℃為單位的基板溫度。虛線曲線234示出了材料沉積設備的溫度分佈，該設備包括在基板輸送方向上排列的四個蒸發源，而蒸發源之間則沒有開放式屏蔽設計，且實線232示出了在基板輸送方向上排列的四個蒸發源的溫度分佈，該四個蒸發源採用開放式屏蔽設計，即在蒸發源之間採用根據本文所述實施例的不對稱溫度控制屏蔽。兩種曲線皆顯示了相同沉積厚度的溫度分佈，即總沉積速率。每個平臺可被視為直接佈置在蒸發源之一者上方的基板。換言之，代表時間的x軸表示一基板段在四個蒸發源上移動的時間。因此，在到達第一平臺之前，基板可被認為在空間上位於第一蒸發源之前，即在第2A圖所示的左側蒸發源的左側。由於第一溫度控制屏蔽，實線曲線232的斜率比虛線曲線234的斜率更平坦，在虛線曲線234中，當基板到達蒸發源時檢測到極其陡的斜率（在第2A圖中左側沒有溫度控制屏蔽）。因此，特別是由於基板的質量較輕，當蒸發源處不存在溫度控制屏蔽時，基板處的溫度以不穩定的方式升高，並且在基板已經經過第一蒸發源之後與溫度快速下降之前保持在非常高的位準。
相比之下，對於具有開放式屏蔽設計的蒸發源，基板的溫度緩慢升高並保持在中等位準。由於蒸發源之間的彎曲屏蔽，沒有檢測到溫度的急劇下降，但即使當基板不直接位於蒸發源上方時，溫度亦幾乎保持恆定。在材料沉積後，與不具有開放式屏蔽設計的蒸發源相比，溫度的降低更平穩。
因此，基板處的溫度可更恆定地保持在中等位準。因此，可避免或防止對基板的熱相關損傷。此外，可減少溫度隨時間推移的變化，從而減少或防止基板的褶皺或翹曲。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，參看第3圖，本文提供一材料沉積設備300，其具有開放式屏蔽設計及具有加熱區域或冷卻區域的溫度控制屏蔽。換言之，第3圖所示的材料沉積設備可被視為關於第1及2A圖所示的實施例的組合。因此，材料沉積設備包括至少兩個蒸發源310，該等蒸發源沿著輸送基板122的基板輸送裝置120下方的基板輸送方向D佈置。該至少兩個蒸發源310可包括第一不對稱屏蔽（或屏蔽部分）及第二不對稱屏蔽（或屏蔽部分），該兩者佈置在至少兩個蒸發源中每一者的相對側。第一不對稱屏蔽是根據本文描述的實施例的溫度控制屏蔽，即第一不對稱溫度控制屏蔽可為溫度控制屏蔽112，例如具有如第1圖所述的直線部分113及彎曲端111的細長屏蔽，並且例如提供擴大的塗覆面積。第二不對稱屏蔽可為如參考第2A圖所述的屏蔽，即第二不對稱溫度控制屏蔽可包括直線部分216及彎曲端217，該端部例如遠離基板並朝向至少兩個蒸發源中的另一個蒸發源的第二不對稱溫度控制屏蔽彎曲。
轉移如本文中關於第1及2A圖描述的實施例所述的有益效應，並返回到第2B圖所示的溫度分佈，第3圖所示的屏蔽設計可導致左側（表示左側最遠蒸發源的左側）的溫度平穩增加，及實線曲線232右側的溫度平穩降低。因此，在蒸發源的左側及右側的最外側位置處的塗覆速率降低，使得總熱負荷（尤其是熱負荷增加或減少）可相對於完整的沉積循環保持在中等位準，在該沉積循環中，基板可經過在基板輸送方向上排列的所有蒸發源。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，提供用於向真空腔室中的基板提供蒸發材料的一蒸發源。蒸發源包括噴嘴組件屏蔽，該屏蔽具有佈置成列的複數個噴嘴。每行包括兩個最外側的噴嘴。兩個最外側的噴嘴向不同的方向傾斜。對於第4A圖所示的蒸發源410，示出了複數列中的一列。複數個列沿著輸送裝置120的軸A佈置。一或更多列，特別是50%或以上的列或所有列皆可具有如第4A圖所示及所述的傾斜噴嘴。
根據可與本文所述的任何其他實施例組合的實施例，蒸發源可具有第一端及第二端，及第一端與第二端之間的表面。噴嘴組件屏蔽可包括在第一端與第二端之間的表面上佈置成至少一列，例如複數列的複數個開口。該至少一列可具有鄰近第一端設置的第一最外側開口及鄰近第二端設置的第二最外側開口。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，噴嘴組件屏蔽可包括具有複數個開口的複數個列。該複數列可平行佈置在表面上，即沿著塗佈滾筒的軸佈置。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，複數個噴嘴可延伸穿過複數個開口。一列的複數個噴嘴可包括延伸穿過第一最外側開口的第一最外側噴嘴及延伸穿過第二最外側開口的第二最外側噴嘴。第一及第二最外側的噴嘴可相對於第一端與第二端之間的表面傾斜達一個角度。例如，第一及第二最外側的噴嘴可傾斜達一個角度，該角度對應於第1圖所示的角度α。額外地或替代地，第一及第二最外側的噴嘴可傾斜5°至25°之間的角度，更特定而言，5°至15°，甚至更特定而言，5°至10°。
根據可與本文所述的任何其他實施例結合的實施例，並參照第4A圖，提供用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備400。材料沉積設備可包括根據本文描述的實施例的蒸發源，即包括如上所述的噴嘴組件屏蔽的蒸發源。材料沉積設備可進一步包括根據本文所述的任何實施例的一或更多個溫度控制屏蔽。因此，材料沉積設備400可包括細長屏蔽或如參考第1圖所述的具有例如直線部分113及彎曲端111的屏蔽112，及如參考第2A圖所述的第一及第二不對稱屏蔽中任一者的任意組合。
根據實施例，該材料沉積設備可包括沿著基板輸送方向D分佈的至少兩個蒸發源。至少兩個蒸發源可各自包括如本文所述的分配器及坩堝。此外，至少兩個蒸發源可包括佈置成至少一列（例如，沿著塗佈滾筒的軸延伸的複數列）的複數個開口。至少一列從至少兩個蒸發源中的每一者的第一端延伸到相應的第二端。複數個開口可包括複數個噴嘴318，用於向基板提供蒸發的材料。複數個開口可包括鄰近相應第一端的第一最外側開口及鄰近至少兩個蒸發源的相應第二端的第二最外側開口。可通過第一最外側開口及第二最外側開口提供第一及第二最外噴嘴。
根據可與本文描述的任何其他實施例結合的實施例，第一及第二最外側的噴嘴315可在不同的方向上傾斜。例如，第一及第二最外側的噴嘴中的每一個都可在相似於溫度控制屏蔽直接佈置在傾斜的噴嘴旁邊的方向上傾斜。換言之，當傾斜噴嘴鄰近第一端佈置時，噴嘴可以與佈置在蒸發源的第一端的溫度控制屏蔽方向相似的方向上傾斜，並且當傾斜噴嘴鄰近第二端佈置時，傾斜噴嘴可以與佈置在第二端的溫度控制屏蔽方向相似的方向上傾斜。更特定而言，相應傾斜噴嘴的傾斜角可類似於相應溫度控制屏蔽的相應直線部分113、216的角度。
傾斜噴嘴設計與包括如第4A圖所示的細長溫度控制屏蔽的開放式屏蔽設計相結合的有益效應可示例性地呈現在第4B圖的圖中。第4B圖示出了兩個蒸發源的兩個熱負荷，該兩個蒸發源具有各自的溫度控制屏蔽設計，並且具有或不具有傾斜的噴嘴。虛線438示出了沒有傾斜噴嘴的蒸發源的熱負荷，實線436示出了具有傾斜噴嘴的蒸發源的熱負荷。
在圖示中，x軸是以蒸發源跨越的總長度測出的基板位置，例如，總長度為沿基板輸送方向分佈的四個蒸發源的總長度。y軸描述了正規化為百分比[%]的層厚度，即y軸提供了沉積在基板上的材料量的相對度量。換言之，y軸提供了利用材料沉積設備達成的有益層厚度的百分比。因為熱負荷取決於沉積在基板上的材料量，因此相對層厚度可提供關於不同位置的相對熱負荷的資訊。
達成高沉積良率，即5至100微米的層厚度是有益的。然而，沉積在基板上的材料越多，提供至基板的冷凝能越大，從而導致基板的高溫，從而可能損壞基板，例如導致例如箔基板形成褶皺。此外，箔片的最高溫度受到沉積材料熔化溫度的限制。在使用鋰的情況下，基板的最高溫度有利地遠低於材料的熔化溫度（例如低於20℃），在鋰的情況下，熔化溫度為180℃。因此，在基板處提供平穩的溫度增加是有利的，可防止基板發生溫度相關的損壞，同時仍然實現高沉積速率，尤其是在製程中沉積的層厚度相同時如此。
第4B圖中方框437中的實線曲線436顯示，與噴嘴沒有傾斜的曲線438輪廓相比，包括傾斜噴嘴的設置進一步使溫度增加更加平滑。因此，溫度控制屏蔽及使用傾斜的最外側噴嘴的組合提供了平穩的溫度增加，同時仍然提供了高的沉積良率。
根據可與本文描述的任何其他實施例結合的實施例，提供一種用於在真空腔室中將材料沉積到基板上的方法。在操作502，材料在具有蒸氣發射區域的蒸發源中蒸發。在操作504，蒸發的材料由溫度控制屏蔽導向基板區域，基板區域大於蒸氣發射區域。根據一些實施例，基板區域在基板的輸送方向上更大。例如，發射區域外的基板區域的沉積速率小於發射區域內的沉積速率，特別是發射區域外的至少10%的基板區域的沉積速率比發射區域內的沉積速率小至少50%。根據一些實施例，可用根據本揭示案實施例的蒸發設備蒸發基板，及/或可用根據本揭示案實施例的溫度控制屏蔽引導基板。
根據又一實施例，提供一種製造電池陽極的方法。該方法可包括根據本文描述的任何實施例的用於在真空腔室中將材料沉積到基板上的方法。
根據又一實施例，提供一種製造電池陽極的方法。該方法可包括在根據本文所述的任何實施例的材料沉積設備中引導包括陽極層或由陽極層組成的卷材，並利用氣相沉積設備在卷材上沉積含鋰材料或鋰。
根據可與本文所述的其他實施例相結合的一些實施例，在製造電池陽極的方法中，卷材包括銅或由銅組成。根據一些實施方式，卷材可進一步包括石墨及矽及/或氧化矽。例如，鋰可對包括石墨及矽及/或氧化矽的層進行預鋰化。
特定而言，本文描述了以下實施例: 實施例1. 一種用於蒸發源的溫度控制屏蔽，該溫度控制屏蔽經配置成提供預熱區或後冷卻區。 實施例2. 根據實施例1所述的用於蒸發源的溫度控制屏蔽，其中該溫度控制屏蔽包括加熱裝置或冷卻裝置之一者。 實施例3. 根據實施例1或2所述的用於蒸發源的溫度控制屏蔽，其中該溫度控制屏蔽佈置在該蒸發源處並從該蒸發源向外延伸。 實施例4. 根據實施例1至3所述的用於蒸發源的溫度控制屏蔽，其中該溫度控制屏蔽包括直線部分及彎曲端。 實施例5. 如實施例4所述的用於蒸發源的溫度控制屏蔽，其中彎曲端在朝向基板支撐件的方向上延伸遠離蒸發源，特別是大體上平行於蒸發源的定向。 實施例6. 如實施例1至5所述的用於蒸發源的溫度控制屏蔽，其中溫度控制屏蔽包括導熱材料。 實施例7. 一種用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，該材料沉積設備包括：實施例1至6中一或更多個溫度控制屏蔽。 實施例8. 一種用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，該材料沉積設備包括用於向基板提供蒸發材料的蒸發源，該蒸發源具有第一端及與第一端相對的第二端，及在第一端與第二端之間具有一長度的表面；及一或更多個溫度控制屏蔽，該等屏蔽佈置在蒸發源的第一端或第二端中的至少一者處，該一或更多個溫度控制屏蔽從蒸發源向外延伸，其中該一或更多個溫度控制屏蔽提供蒸發源的第一端與第二端之間的表面長度的至少20%的寬度。 實施例9. 一種用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，該材料沉積設備包括用於向基板提供蒸發材料的蒸發源，該蒸發源具有第一端及與第一端相對的第二端；及一或更多個溫度控制屏蔽，該等屏蔽佈置在蒸發源的第一端或第二端中的至少一個處，該一或更多個溫度控制屏蔽以一個廣角從蒸發源向外延伸。 實施例10. 如實施例7至9所述的用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，其中該廣角在95°與180°之間。 實施例11. 如實施例7至10所述的用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，其中該一或更多個溫度控制屏蔽朝向該基板輸送裝置延伸，並且經配置為提供加熱區或冷卻區，特別是提供預熱區或後冷卻區。 實施例12. 如實施例7至11所述的用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，該材料沉積設備進一步包括：佈置在該蒸發源上方的基板輸送裝置。 實施例13. 一種用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，該材料沉積設備包括：基板輸送裝置，用於沿著基板輸送方向輸送基板；及至少兩個蒸發源，沿著基板輸送方向佈置，用於向基板提供蒸發的材料，該至少兩個蒸發源中的每一個都包括一或更多個不對稱的溫度控制屏蔽。 實施例14. 如實施例13所述的用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，其中該兩個不對稱的溫度控制屏蔽佈置在該至少兩個蒸發源中的每一個的相對側，並且其中該兩個不對稱的溫度控制屏蔽在不同方向上朝向該基板輸送裝置延伸。 實施例15. 如實施例13或14所述的用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，其中該至少兩個蒸發源的第二溫度控制屏蔽彼此相鄰佈置，並且其中該等第二溫度控制屏蔽遠離基板及/或朝向彼此彎曲。 實施例16. 如實施例13至15所述的用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，其中第一不對稱溫度控制屏蔽是實施例1至6的溫度控制屏蔽。 實施例17. 如實施例7至16所述的用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，該材料沉積設備進一步包括：容納至少溫度控制屏蔽的真空腔室。 實施例18. 如實施例7至16所述的材料沉積設備，當直接或間接依賴於實施例13時，其中兩個不對稱溫度控制屏蔽經配置為在至少兩個蒸發源之間提供材料及/或提供從第一沉積源的第一端到第二沉積源的第二端的沉積區域。 實施例19. 一種用於向真空腔室中的基板提供蒸發材料的蒸發源，該蒸發源包括：噴嘴組件屏蔽，其具有佈置成至少一列的複數個噴嘴，該列包括兩個最外側的噴嘴，其中兩個最外側的噴嘴在不同方向上傾斜。 實施例20. 一種用於向真空腔室中的基板提供蒸發材料的蒸發源，該蒸發源包括：噴嘴組件屏蔽，其具有第一端及第二端，及第一端與第二端之間面對基板的表面，該噴嘴組件屏蔽具有複數個開口，該等開口在第一端與第二端之間的表面處佈置成至少一列，該至少一列具有鄰近第一端設置的第一最外側開口及鄰近第二端設置的第二最外側開口；及延伸穿過該複數個開口的複數個噴嘴，其中該複數個噴嘴包括延伸穿過第一最外側開口的第一最外側噴嘴及延伸穿過第二最外側開口的第二最外側噴嘴，該第一及第二最外噴嘴相對於第一端與第二端之間的表面以一個角度傾斜。 實施例21. 如實施例20所述的蒸發源，其中角度在5°與25°之間，更特定而言，在5°與15°之間，甚至更特定而言，在5°與10°之間。 實施例22. 如實施例7至19所述的用於將蒸發的材料沉積到基板上的材料沉積設備，該材料沉積設備包括如實施例20或21所述的至少一個蒸發源。 實施例23. 一種在真空腔室中將材料沉積到基板上的方法，該方法包括：在具有蒸氣發射區域的蒸發源中蒸發材料；及藉由溫度控制屏蔽將蒸發的材料導向基板區域，該基板區域大於蒸氣發射區域。 實施例24. 如實施例23所述的方法，其中，基板區域在基板的輸送方向上更大。 實施例25. 如實施例23至24所述的方法，其中發射區域外的基板區域具有比發射區域內的沉積速率小的沉積速率，尤其是發射區域外的至少10%的基板區域具有比發射區域內的沉積速率小至少50%的沉積速率。 實施例26. 一種製造電池陽極的方法，包括：在實施例23至25所述的真空腔室中將材料沉積到基板上的方法。 實施例27. 一種製造電池陽極的方法，包括：在實施例7至19的材料沉積設備中引導包含陽極層或由陽極層組成的卷材；及用氣相沉積設備在卷材上沉積含鋰材料或鋰。 實施例28. 如實施例27的方法，其中卷材包括銅。 實施例29. 如實施例27的方法，其中卷材包括石墨及矽及/或氧化矽。 實施例30. 如實施例29的方法，其中陽極層是經預鋰化的。
儘管前述內容針對本揭示案的實施例，但在不脫離本揭示案的基本範疇的情況下，可設計本揭示案的其他及更多實施例，並且本揭示案的範疇由以下專利申請範圍決定。
100:材料沉積設備 105:真空腔室 110:蒸發源 111:彎曲端 112:溫度控制屏蔽 113:直線部分 119:表面 120:基板輸送裝置 122:輸送基板 200:材料沉積設備 214:第一不對稱溫度控制屏蔽 216:第二不對稱溫度控制屏蔽 217:彎曲端 232:實線曲線 234:虛線曲線 300:材料沉積設備 310:蒸發源 315:噴嘴 318:噴嘴 400:材料沉積設備 410:蒸發源 436:實線 437:方框 438:曲線 502:操作 504:操作 A:軸 D:方向 α:角度
為了能夠詳細理解本揭示案的上述特徵，可參考實施例對上文簡要概括的揭示內容進行更具體的描述。附圖係關於本揭示案的實施例，並在下文中描述： 第1圖示出了根據本文描述的實施例的材料沉積設備的示意圖； 第2A圖示出了根據本文描述的實施例的材料沉積設備的示意圖； 第2B圖示出了根據本文描述的實施例的基板處的溫度分佈； 第3圖示出了根據本文描述的實施例的材料沉積設備的示意圖； 第4A圖示出了根據本文描述的實施例的材料沉積設備的示意圖； 第4B圖示出了根據本文描述的實施例的基板處的熱負荷分佈；及 第5圖示出了根據本文描述的實施例的方法的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:材料沉積設備
105:真空腔室
110:蒸發源
111:彎曲端
112:溫度控制屏蔽
113:直線部分
119:表面
120:基板輸送裝置
122:輸送基板
D:方向
α:角度
A:軸

Claims (20)

  1. 一種用於一蒸發源的溫度控制屏蔽，該溫度控制屏蔽經配置成提供一預熱區或一後冷卻區。
  2. 如請求項1所述之用於一蒸發源的溫度控制屏蔽，其中該溫度控制屏蔽包括一加熱裝置或一冷卻裝置之一者。
  3. 如請求項1所述之用於一蒸發源的溫度控制屏蔽，其中該溫度控制屏蔽佈置在該蒸發源處並從該蒸發源向外延伸。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之用於一蒸發源的溫度控制屏蔽，其中該溫度控制屏蔽包括一直線部分及一彎曲端。
  5. 如請求項4所述之用於一蒸發源的溫度控制屏蔽，其中該彎曲端在朝向該基板支撐件的一方向上延伸遠離該蒸發源。
  6. 一種用於將一蒸發的材料沉積到一基板上的材料沉積設備(100)，該材料沉積設備包括： 如請求項1至3及5中任一項所述之一或更多個溫度控制屏蔽。
  7. 一種用於將一蒸發的材料沉積到一基板上的材料沉積設備(100)，該材料沉積設備包括 一蒸發源(110)，用於向該基板提供該蒸發的材料，該蒸發源具有一第一端及與該第一端相對的一第二端，及在該第一端與該第二端之間具有一長度的一表面；及 一或更多個溫度控制屏蔽，該等屏蔽佈置在該蒸發源的該第一端或該第二端中的至少一者處，該一或更多個溫度控制屏蔽從該蒸發源向外延伸，其中該一或更多個溫度控制屏蔽在該蒸發源的該第一端與該第二端之間提供該表面的該長度的至少20%的一寬度。
  8. 一種用於將一蒸發的材料沉積到一基板上的材料沉積設備(100)，該材料沉積設備包括 一蒸發源(110)，用於向該基板提供該蒸發的材料，該蒸發源具有一第一端及與該第一端相對的一第二端；及 一或更多個溫度控制屏蔽，該等屏蔽佈置在該蒸發源的該第一端或該第二端中的至少一者處，該一或更多個溫度控制屏蔽以一廣角從該蒸發源向外延伸。
  9. 如請求項6至8中任一項所述之用於將一蒸發的材料沉積到一基板上的材料沉積設備(100)，其中該一或更多個溫度控制屏蔽朝向該基板輸送裝置延伸，並且經配置為提供一加熱區或一冷卻區。
  10. 一種用於將一蒸發的材料沉積到一基板上的材料沉積設備(200)，該材料沉積設備包括： 一基板輸送裝置(120)，用於沿著一基板輸送方向輸送該基板；及 至少兩個蒸發源(110)，沿著該基板輸送方向佈置，用於向該基板提供該蒸發的材料，該至少兩個蒸發源各自包括一或更多個不對稱的溫度控制屏蔽。
  11. 如請求項10所述之用於將一蒸發的材料沉積到一基板上的材料沉積設備(200)，其中該兩個不對稱溫度控制屏蔽佈置在至少該兩個蒸發源中每一者的相對側，並且其中該兩個不對稱溫度控制屏蔽在不同方向上朝向該基板輸送裝置延伸。
  12. 如請求項10或11中任一項所述之用於將一蒸發的材料沉積到一基板上的材料沉積設備(200)，其中該至少兩個蒸發源的該等第二溫度控制屏蔽彼此相鄰佈置，並且其中該等第二溫度控制屏蔽具有遠離該基板彎曲及朝向彼此彎曲的群組中的一者的一配置。
  13. 如請求項10至11中任一項所述之用於將一蒸發的材料沉積到一基板上的材料沉積設備(200)，其中該第一不對稱溫度控制屏蔽是如請求項1所述之一溫度控制屏蔽。
  14. 如請求項6至8及10至11中任一項所述之用於將一蒸發的材料沉積到一基板上的材料沉積設備，其中該兩個不對稱的溫度控制屏蔽經配置為在該至少兩個蒸發源與從一第一沉積源的一第一端到一第二沉積源的一第二端的一沉積區域之間提供由材料組成的群組中之一者。
  15. 一種用於向一真空腔室中的一基板提供一蒸發材料的蒸發源，該蒸發源包括： 一噴嘴組件屏蔽，具有佈置成至少一列的複數個噴嘴，該列包括兩個外部噴嘴，其中該兩個最外側的噴嘴在不同方向上傾斜。
  16. 一種用於向一真空腔室中的一基板提供一蒸發材料的蒸發源，該蒸發源包括： 一噴嘴組件屏蔽，其具有一第一端及一第二端，及該第一端與該第二端之間面對該基板的一表面，該噴嘴組件屏蔽具有複數個開口，該等開口在該第一端與該第二端之間的該表面處佈置成至少一列，該至少一列具有鄰近該第一端設置的一第一最外側開口及鄰近該第二端設置的一第二最外側開口；及 延伸穿過該複數個開口的複數個噴嘴，其中該複數個噴嘴包括延伸穿過該第一最外側開口的一第一最外側噴嘴及延伸穿過該第二最外側開口的一第二最外側噴嘴，該第一及該第二最外側噴嘴相對於該第一端與該第二端之間的該表面以一個角度傾斜。
  17. 如請求項16所述之用於向一真空腔室中的一基板提供一蒸發材料的蒸發源，其中該角度在5°與25°之間。
  18. 一種用於在一真空腔室中將一材料沉積到一基板上的方法，該方法包括以下步驟： 在具有一蒸氣發射區域的一蒸發源中蒸發該材料；及 藉由一溫度控制屏蔽將該蒸發的材料導向一基板區域，該基板區域大於該蒸氣發射區域。
  19. 如請求項18所述之用於在一真空腔室中將一材料沉積到一基板上的方法，其中該基板區域在該基板的輸送方向上更大。
  20. 如請求項18至19中任一項所述之用於在一真空腔室中將一材料沉積到一基板上的方法，其中該發射區域外的該基板區域的一沉積速率小於該發射區域內的一沉積速率，特別是該發射區域外的至少10%的該基板區域的一沉積速率比該發射區域內的該沉積速率小至少50%。
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