TW202147667A - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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黃逸儒
莊東霖
鄭季豪
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Abstract

一種發光裝置，包括成長基板、發光元件、第一導電凸塊以及第二導電凸塊。發光元件設置於成長基板上，包括第一型半導體層、第二型半導體層、發光層、歐姆接觸層、第一導體層以及第二導體層。發光層與第二型半導體層由凹槽貫穿。歐姆接觸層設置於第一型半導體層上且位於凹槽中。歐姆接觸層與第一型半導體層電性連接。第一導電層設置於第一型半導體層上且位於凹槽中。第一導電層覆蓋歐姆接觸層。第二導電層設置於第二型半導體層上且與第二型半導體層電性連接。一種發光裝置的製造方法亦被提出。

Description

發光裝置及其製造方法
本發明是有關於一種半導體裝置及其製造方法，且特別是有關於一種發光裝置及其製造方法。
一般而言，發光二極體包括應用於垂直式封裝及覆晶式封裝的發光二極體。應用於覆晶式封裝的發光二極體包括第一型半導體層、發光層、第二型半導體層、第一金屬層、第二金屬層、第一絕緣層、第一電流傳導層、第二電流傳導層、第二絕緣層、第一接合層及第二接合層。第一型半導體層具有第一部分及第二部分。發光層配置於第一型半導體層的第一部分上。第一型半導體層的第二部分由第一部分向外延伸而凸出於發光層的面積之外。第二型半導體層配置於發光層上。第一金屬層配置於第一型半導體層的第二部分上且與第一型半導體層電性連接。第二金屬層配置於第二型半導體層上且與第二型半導體層電性連接。第一絕緣層覆蓋第一金屬層及第二金屬層，且具有分別暴露第一金屬層及第二金屬層的多個貫穿開口。第一電流傳導層及第二電流傳導層配置於第一絕緣層上且填入第一絕緣層的多個貫穿開口，以分別和第一金屬層及第二金屬層電性連接。第二絕緣層覆蓋第一電流傳導層及第二電流傳導層且具有分別與第一電流傳導層及第二電流傳導層重疊的多個貫穿開口。第一接合層及第二接合層配置於第二絕緣層上且填入多個貫穿開口，以分別與第一電流傳導層及第二電流傳導層電性連接。第一接合層及第二接合層用以共晶接合至外部的電路板。然而，在設置第一金屬層的過程中，第一金屬層不易與第一型半導體層形成歐姆接觸(ohmic contact)，進而對發光二極體的性能造成影響。
本發明提供一種發光裝置及其製造方法，具有良好的性能。
本發明的一種發光裝置，包括成長基板、發光元件、第一導電凸塊以及第二導電凸塊。發光元件設置於成長基板上。發光元件包括第一型半導體層、第二型半導體層、發光層、歐姆接觸層、第一導電層以及第二導電層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。發光層與第二型半導體層具有凹槽貫穿發光層與第二型半導體層。歐姆接觸層設置於第一型半導體層上且位於凹槽中並與第一型半導體層電性連接。第一導電層設置於第一型半導體層上且位於凹槽中。第一導電層覆蓋歐姆接觸層並與歐姆接觸層電性連接。第二導電層設置於第二型半導體層上且與第二型半導體層電性連接。第一導電凸塊藉由第一導電層與歐姆接觸層與第一型半導體層電性連接。第二導電凸塊藉由第二導電層與第二型半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的第一導電層與第一型半導體層直接電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的發光元件還包括第一電流傳導以及第二電流傳導層。第一電流傳導層設置於第一導電層上，且第一電流傳導層透過第一導電層與歐姆接觸層與第一型半導體層電性連接。第二電流傳導層設置於第二導電層上，且第二電流傳導層透過第二導電層與第二型半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的第一導電層位於歐姆接觸層與第一電流傳導層之間。
在本發明的一實施例中，上述的歐姆接觸層的材料包括III-V族化合物。
在本發明的一實施例中，上述的歐姆接觸層的晶格常數與第一型半導體層的晶格常數不匹配。
在本發明的一實施例中，上述的發光裝置更包括絕緣層堆疊、第一連接層以及第二連接層。絕緣層堆疊設置於發光元件上，包括第一絕緣層以及第二絕緣層。第二絕緣層設置於第一絕緣層上。第一連接層設置於第一絕緣層上。第一連接層透過第一導電層與第一型半導體層電性連接。第二連接層設置於第一絕緣層上。第二連接層透過第二導電層與第二型半導體層電性連接。第二封裝層覆蓋第一連接層與第二連接層。第一連接層藉由第一絕緣層與第二絕緣層以與第二連接層電性隔離。
在本發明的一實施例中，上述的第一導電凸塊藉由第一連接層與第一導電層電性連接。第二導電凸塊藉由第二連接層與第二導電層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的發光裝置更包括電性浮置的第三連接層設置於第一絕緣層上。第三連接層藉由第一絕緣層與第二絕緣層以與第一連接層或第二連接層電性隔離。
在本發明的一實施例中，上述的發光裝置更包括無摻雜半導體層。無摻雜半導體層位於成長基板與發光元件之間。
在本發明的一實施例中，上述的歐姆接觸層包括多個開孔以及圍繞多個開孔的島狀部。第一導電層填入多個開口以接觸第一型半導體層。
在本發明的一實施例中，上述的所述歐姆接觸層包括粗糙表面。粗糙表面包括多個微結構。
本發明的一種發光裝置，包括成長基板以及發光元件。發光元件設置於成長基板上。發光元件包括第一型半導體層、第二型半導體層、發光層、歐姆接觸層、第一導電層以及第二導電層。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。發光層與第二型半導體層具有凹槽貫穿發光層與第二型半導體層。歐姆接觸層設置於第一型半導體層上且位於凹槽中並與第一型半導體層電性連接。歐姆接觸層具有多個指部。第一導電層設置於歐姆接觸層的上表面上且位於凹槽中。第一導電層與歐姆接觸層電性連接。第二導電層設置於第二型半導體層上且與第二型半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的指部位於凹槽中，且指部與第二型半導體層之間具有間距。
在本發明的一實施例中，上述的發光元件更包括絕緣反射層設置於發光層、第二型半導體層以及第二導電層上。絕緣反射層包括多個開口。
在本發明的一實施例中，上述的發光裝置更包括第一電流傳導層以及第二電流傳導層。第一電流傳導層設置於第一導電層上。第一電流傳導層透過第一導電層與歐姆接觸層與第一型半導體層電性連接。第二電流傳導層設置於絕緣反射層上。絕緣反射層通過多個開口電性連接至第二導電層，以與第二型半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的發光裝置更包括絕緣層堆疊、第一連接層以及第二連接層。絕緣層堆疊設置於發光元件上，包括反射層以及絕緣層設置於反射層上。第一連接層設置於反射層上。第一連接層透過第一電流傳導層第一型半導體層電性連接。第二連接層設置於反射層上。第二連接層透過第二電流傳導層與第二型半導體層電性連接。絕緣層覆蓋第一連接層與第二連接層。
本發明的一種發光裝置的製作方法，包括以下步驟。提供成長基板。形成無摻雜半導體層於成長基板上。於無摻雜半導體層上形成發光元件。形成發光元件的步驟包括以下步驟。形成第一型半導體層於無摻雜半導體層上。形成發光層於第一型半導體層上。形成第二型半導體層於發光層上。進行第一蝕刻製程，以圖案化發光層與第二型半導體層。至少一個第一凹槽形成於發光層與第二型半導體層中並暴露出第一型半導體層。形成犧牲層覆蓋第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層。進行第二蝕刻製程，以圖案化犧牲層。至少一個第二凹槽形成於犧牲層中。第二凹槽於成長基板上的正投影位於第一凹槽於成長基板上的正投影之中。形成歐姆接觸層於第二凹槽內。移除犧牲層。形成第一導電層於歐姆接觸層上並電性連接歐姆接觸層。以及形成第二導電層於第二型半導體層上。形成第一電流傳導層並電性連接至第一導電層。形成第二電流傳導層並電性連接至第二導電層。形成第一絕緣層於發光元件上。第一絕緣層具有多個開口分別暴露出第一電流傳導層與第二電流傳導層。形成第一連接層、第二連接層與第三連接層於第一絕緣層上。第一連接層與第二連接層分別透過多個開口對應地電性連接至第一電流傳導層與第二電流傳導層。第三連接層為電性浮置。形成第二絕緣層於第一絕緣層上。第二封裝材料隔離第一連接層、第二連接層與第三連接層。第二絕緣層包括多個開口。形成第一導電凸塊與第二導電凸塊。第一導電凸塊與第二導電凸塊分別透過第二封裝材料的多個開口對應地電性連接至第一連接層與第二連接層。
在本發明的一實施例中，上述的形成發光元件的步驟中，還包括形成絕緣反射層於發光層、第二型半導體層以及第二導電層上。第二電流傳導層透過絕緣反射層的多個開口電性連接至第二導電層。
在本發明的一實施例中，上述的第一凹槽具有第一寬度。第二凹槽具有第二寬度。第一寬度大於第二寬度。
基於上述，在本發明實施例的發光二極體中，由於其包括歐姆接觸層電性連接至第一型半導體層，且第一導電層接觸歐姆接觸層，以使金屬材質的第一導電層與磊晶結構的歐姆接觸層在第一型半導體層上形成具有低阻抗及歐姆接觸特性的結構。藉此，第一型半導體層的電性可被提升。藉此，發光裝置可具有優良性能及品質。此外，發光裝置的製程還可以簡單並節省成本。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1為本發明一實施例的發光裝置的上視示意圖。圖2A至圖2N為圖1的發光裝置沿剖面線U-U’的製造方法的剖面示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖1及圖2A至圖2N省略繪示了若干元件。請先參考圖1及圖2N，具體而言，發光裝置1是可應用為覆晶式封裝的發光二極體。發光裝置1包括成長基板10、設置於成長基板10上的發光元件100以及電性連接至發光元件100的第一導電凸塊181與第二導電凸塊182。發光元件100包括第一型半導體層110、第二型半導體層130、位於第一型半導體層110與第二型半導體層130之間的發光層120、第一導電層151與第二導電層152。第一導電層151設置於第一型半導體層110上並與第一型半導體層110電性連接。第二導電層152設置於第二型半導體層130上並與第二型半導體層130電性連接。第一導電凸塊181藉由第一導電層151電性連接至第一型半導體層110。第二導電凸塊182藉由第二導電層152電性連接至第二型半導體層130。在本發明的一實施例中，發光裝置1還包括歐姆接觸層140設置於第一型半導體層110上且與第一型半導體層110電性連接。第一導電層151設置於歐姆接觸層140上並電性連接歐姆接觸層140。由於歐姆接觸層140設置於第一型半導體層110與第一導電層151之間，因此可以解決金屬材質的第一導電層151與第一型半導體層110之間不易形成歐姆接觸的問題。此外，歐姆接觸層140與第一導電層151可具有低阻抗(low resistance)以及歐姆接觸特性，因此可以提升發光裝置1的品質及性能。
請參考圖1，發光裝置1大致上包括成長基板110以及發光單元。發光單元例如包括第一型半導體層110、發光層120、第二型半導體層130、歐姆接觸層140、第一導體層151以及第二導體層152（未繪示於圖1）。發光裝置1還包括第一連接層171與第二連接層172。第一連接層171電性連接至第一導電層151。第二連接層172電性連接至第二導電層152。
由圖1可知，第一連接層171與第二連接層172可以彼此相對設置，且彼此分離。發光層120與第二型半導體層130可具有貫穿發光層120與第二型半導體層130的凹槽O1。於俯視上，凹槽O1可以是缺口並往第一連接層171或第二連接層172的內部延伸。凹槽O1可由發光層120與第二型半導體層130的側壁定義，且與第一連接層171或第二連接層172的側壁隔離。
在一些實施例中，歐姆接觸層140設置於凹槽O1中，且與凹槽O1的側壁（即發光層120與第二型半導體層130的側壁）隔離。具體來說，歐姆接觸層140於成長基板110上的正投影位於凹槽O1於成長基板110上的正投影之中。歐姆接觸層140與凹槽O1之間具有間距SP，間距SP具有寬度W3。在一些實施例中，寬度W3例如為1微米至30微米，但不以此為限。
由圖1可知，歐姆接觸層140的部分可沿著凹槽O1延伸。歐姆接觸層140延伸的部分可定義為指部FP。指部FP不重疊發光層120與第二型半導體層130。在一些實施例中，指部FP的輪廓圍繞發光層120與第二型半導體層130設置。在另一些實施例中，歐姆接觸層140還包括連接部(未繪示)連接多個指部FP，但不以此為限。
由圖1可知，第一導電層151例如是共形地覆蓋於歐姆接觸層140上。第一導電層151的部分設置於凹槽O1中且可沿著凹槽O1延伸。第一導電層151的輪廓圍繞發光層120與第二型半導體層130設置，但不以此為限。在其他實施例中，第一導電層151可以部分重疊歐姆接觸層140。
在一些實施例中，第一連接層171可電性連接至第一導電層151與歐姆接觸層140。第二連接層172可電性連接至第二導電層152（請參考圖2N）。第一導電凸塊181與第二導電凸塊182分別電性連接至第一連接層171與第二連接層172。在上述的設置下，第一導電凸塊181與第二導電凸塊182可分別應用為發光裝置1的正電極或負電極，並電性連接至外部電路元件。藉此，發光裝置1可應用於可見光發光裝置中、紫外光發光裝置或其他合適的發光裝置，不以此為限。
以下將以一實施例來簡單說明發光裝置1的製造流程。
請先參考圖2A，提供成長基板10。成長基板170的材質例如是C-Plane、R-Plane或A-Plane之藍寶石基板（Sapphire）或其它的透明材質。此外，晶格常數接近於第一型半導體層110之單晶化合物亦適於做為成長基板10之材質。在一些實施例中，成長基板的材質還包括碳化矽(SiC)、矽(Si)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)或氮化鋁鎵(AlGaN)或其他合適的材料，不以此為限。
在一實施例中，可選擇性地形成無摻雜半導體層12於成長基板10上。無摻雜半導體層12的材料例如是未經摻雜（undoped）的氮化鋁或氮化鋁鎵或其他合適的材料，但不以此為限。
接著，將發光元件的疊層形成於無摻雜半導體層12上。舉例來說，無摻雜半導體層12位於成長基板10與發光元件之間。本實施例的發光元件的疊層的例如包括第一型半導體材料層110’、發光材料層120’與第二型半導體材料層130’依序成長且疊置於成長基板10上。在其他的實施例中，發光裝置1可以不具有成長基板10或無摻雜半導體層12。
在一些實施例中，第一型半導體材料層110’例如是N型半導體層，包括n-AlGaN基礎(n-AlGaN based)的材料或n-Aly GaN基礎/n-Alx GaN基礎的材料(其中，x≠y)，但不以此為限。第二型半導體材料層130’例如是P型半導體層，包括p-AlGaN基礎(p-AlGaN based)的材料或p-AlGaN基礎/p-GaN基礎的材料，但不以此為限。
在一些實施例中，發光材料層120’可以為量子井結構（Quantum Well, QW）。在其他實施例中，發光材料層120’可以為多重量子井結構（Multiple Quantum Well, MQW），其中多重量子井結構包括以重複的方式交替設置的多個量子井層（Well）和多個量子阻障層（Barrier）。此外，發光材料層120’的組成材料包括能夠發出的峰值波長落在220nm至300nm中(中紫外光)或300nm至400nm中(近紫外光)等發光波長範圍的光束的化合物半導體組成。發光材料層120’的材料包括Alx GaN基礎/Aly GaN基礎的材料，且x≦y，但不以此為限。
在上述的設置下，本發明一實施例的發光元件例如為紫外光發光二極體。
請參考圖2B，進行第一蝕刻製程，以圖案化發光材料層120’與第二型半導體材料層130’，以形成發光層120與第二型半導體層130。圖案化後的發光層120與第二型半導體層130具有第一凹槽O1形成於發光層120與第二型半導體層130中。第一凹槽O1可暴露出第一形半導體材料層110’或第一型半導體層110的表面。在一些實施例中，第一凹槽O1的側壁可以為斜面，但不以此為限。接著可再進行一次蝕刻製程，以圖案化第一型半導體材料層110’，以形成第一型半導體層110。第一型半導體層110位於無摻雜半導體層12的部分上，且無摻雜半導體層12的部分可被暴露。發光層120位於第一型半導體層110上，且第二型半導體層130位於發光層120上。
請參考圖2C，接著形成犧牲層210覆蓋第一型半導體層110、發光層120以及第二型半導體層130。在一些實施例中，犧牲層210可以設置於發光層120以及第二型半導體層130的側壁上並覆蓋第二型半導體層130的上表面。犧牲層210的材料包括有機材料或無機材料，舉例來說無機材料可包括二氧化矽(SiO2 )、氧化鋁(Al2 O3 )或氮化矽(SiN)，但不以此為限。
然後，進行第二蝕刻製程，以圖案化犧牲層210。圖案化後的犧牲層210可形成至少一個第二凹槽O2於犧牲層210中。第二凹槽O2於成長基板10上的正投影位於第一凹槽O1於成長基板10上的正投影之中。在一些實施例中，第一凹槽O1具有第一寬度W1。第一寬度W1可定義為第一凹槽O1的相對側壁之間的最大距離。第二凹槽O2具有第二寬度W2。第二寬度W2可定義為第二凹槽O2的相對側壁之間的最大距離。第一寬度W1大於第二寬度。在一些實施例中，第一寬度W1例如為3微米至100微米。第二寬度W2例如為1微米至100微米，但不以此為限。
請參考圖2D，接著形成歐姆接觸層140於第二凹槽O2內。詳細來說，形成歐姆接觸層140的步驟可包括對成長基板10進行加熱製程，其中加熱溫度的範圍包括100°C至1500°C，以在被犧牲層210所暴露的第一型半導體層150的表面上長晶。在一些實施例中，於上述的加熱製程中，還包括摻雜矽或四價元素(例如碳)至歐姆接觸層140中。歐姆接觸層140為磊晶(epitaxial)結構層，其材料包括氮化鎵、氮化鎵鋁、氮化銦鎵、氮化銦鎵鋁。在一些實施例中，歐姆接觸層140的材料包括III-V族材料的化合物，或摻雜鋁或銦元素的上述材料，但不以此為限。此外，歐姆接觸層140可為高濃度元素摻雜的半導體磊晶層，舉例來說該歐姆接觸層140摻雜高濃度的矽，摻雜後的載子濃度為1017 cm-3 至1020 cm-3 ，但不以此為限。在一些實施例中，歐姆接觸層140可為單晶結構(monocrystalline)、非晶結構(amorphous)或多晶結構(polycrystalline)，本發明不予以限制。
請參考圖2E及圖2F。圖2F為圖2E的區域R1的局部放大示意圖。移除犧牲層210。於移除犧牲層210的步驟後，歐姆接觸層140可位於第一凹槽O1中且不接觸發光層120與第二型半導體層130。歐姆接觸層140與第一凹槽O1的側壁之間具有間距SP。間距SP具有寬度W3。在一些實施例中，寬度W3小於第一寬度W1，而間距SP的寬度例如是1微米至50微米，但並不以此為限。藉此，歐姆接觸層140於生長基板10上的正投影部分地重疊第一型半導體層110於生長基板10上的正投影，第一型半導體層110的部分表面可被暴露出。
在一些實施例中，歐姆接觸層140於剖面的形狀可為梯形。歐姆接觸層140的上表面140T可為平整的表面，但不以此為限。此外，設置於第一凹槽O1中的歐姆接觸層140可以為指部FP，且設置於發光層120與第二型半導體層130的周圍或環繞發光層120與第二型半導體層130，但不以此為限。指部FP與發光層120或第二型半導體層130之間具有間距SP。
請參考圖2G及圖2H。圖2H為圖2G的區域R2的局部放大示意圖。形成第一導電層151於歐姆接觸層140的上表面140T上。在一些實施例中，第一導電層151例如與歐姆接觸層140為共形。舉例來說第一導電層151覆蓋於歐姆接觸層140上，且第一導電層151於成長基板10上的正投影的輪廓與歐姆接觸層140於成長基板10上的正投影的輪廓相似。第一導電層151於成長基板10上的正投影可位於歐姆接觸層140於成長基板10上的正投影之外，但不以此為限。在一些實施例中，第一導電層151於成長基板10上的正投影可位於歐姆接觸層140於成長基板10上的正投影之內。
由圖2G及圖2H可知，第一導電層151可完全覆蓋歐姆接觸層140並直接接觸第一型半導體層110，如此一來，第一導電層151可以直接電性連接至第一型半導體層110。第一導電層151於生長基板10上的正投影部分地重疊第一型半導體層110於生長基板10上的正投影。第一型半導體層110的部分表面可被暴露出。此外，第一導電層151與發光層120及第二型半導體層130隔離。
在一些實施例中，第一導電層151例如為單層金屬或多層金屬的疊層，但不以此為限。第一導電層151的材料包括鉻（Cr）、鈦（Ti）、鋁（Al）、鋁合金（Alloy Al）、鋁銅合金（Alloy Al/Cu）、銀（Ag）、鎳（Ni）、鈀（Pd）、鉑（Pt）、金（Au）或其組合或其組合。
值得注意的是，金屬材質不易在第一型半導體層110上直接形成歐姆接觸。在本發明的一實施例中，歐姆接觸層140與第一型半導體層110為異質結構（heterostructure）。歐姆接觸層140的晶格常數與第一型半導體層110的晶格常數不匹配。因此，歐姆接觸層140的磊晶結構於形成在第一型半導體層110的表面上後，可將金屬材料的第一導電層151形成在歐姆接觸層140上以完成將歐姆接觸結構設置於第一型半導體層110上的製程。在上述的設置下，第一導電層151與歐姆接觸層140可在第一型半導體層110上形成具有低阻抗及歐姆接觸特性的結構。藉此，第一型半導體層110的電性可被提升。發光裝置1可具有優良性能及品質。此外，發光裝置1的製程還可以簡單化並節省成本。
請參考圖2I，接著形成第二導電層152於第二型半導體130上。第二導電層152與第二型半導體130電性連接。在一些實施例中，第二導電層152於成長基板10上的正投影位於第二型半導體130於成長基板10上的正投影之內，但不以此為限。在另一些實施例中，第二導電層152的輪廓可與第二型半導體130的輪廓相似或切齊。
在一些實施例中，第二導電層152的材料與結構與第一導電層151相似，包括金屬或金屬合金的疊層。在另一些實施例中，第二導電層152的材料還包括氧化銦錫（indium tin oxide，ITO）、氧化鋅（ZnO）、氧化鋁鋅（AlZnO）或氧化鎵鋅（GaZnO）或其他合適的透明導電材料。如此一來，可以增加發光元件100的出光面積。此外，第二導電層152可與第二型半導體層130具有低阻抗及歐姆接觸的特性。
在一些實施例中，第二導電層152的厚度例如是0埃至500A，但不以此為限。第二導電層152的厚度可以小於第一導電層151的厚度，但不以此為限。
至此，大致完成發光元件100的製作。以下將繼續說明發光裝置1的製作。
請參考圖2J，然後形成第一電流傳導層161與第二電流傳導層162。第一電流傳導層161形成於第一導電層151上並電性連接至第一導電層151。第一導電層151位於歐姆接觸層140與第一電流傳導層161之間。第一電流傳導層161藉由第一導電層151與歐姆接觸層140以電性連接至第一型半導體層110。第二電流傳導層162形成於第二導電層152上並電性連接至第二導電層152。第二電流傳導層162藉由第二導電層152以電性連接至第二型半導體層130。在一些實施例中，第一電流傳導層161於成長基板10上的正投影重疊第一導電層151於成長基板10上的正投影。第二電流傳導層162於成長基板10上的正投影重疊第二導電層152於成長基板10上的正投影。在一些實施例中，第一電流傳導層161的厚度大於第一導電層151的厚度，但不以此為限。第二電流傳導層162的厚度大於第二導電層152的厚度，但不以此為限。
在一些實施例中，第一電流傳導層161與第二電流傳導層162的材料與結構與第一導電層151相似，包括金屬或金屬合金的疊層，故於此不再贅述。在另一實施例中，也可以在形成第一導電層151與第二導電層152的同一步驟中，形成第一電流傳導層161與第二電流傳導層162。在又一些實施例中，也可以不設置電流傳導層而直接以導電層取代。
請參考圖2K，接著形成絕緣層堆疊220(繪示於圖2M中)於發光元件100上。絕緣層堆疊220包括第一絕緣層211以及第二絕緣層212。詳細說明如下。
在形成第一電流傳導層161與第二電流傳導層162的步驟之後，形成第一絕緣層211於發光元件100上。具體來說，第一絕緣層211覆蓋於無摻雜半導體層12、第一型半導體層110、發光層120、第二型半導體層130、歐姆接觸層140、第一導電層151、第二導電層152、第一電流傳導層161與第二電流傳導層162上。第一絕緣層221的材料包括單層或多層的絕緣材料或由多層具有不同折射率的絕緣材料交互堆疊的結構，其中不同折射率的絕緣材料的堆疊結構例如包括二氧化矽與二氧化鈦（SiO2 /TiO2 ）的堆疊結構或二氧化矽與五氧化二鉭（SiO2 /Ta2 O5 ）的堆疊結構。
在一些實施例中，第一絕緣層221可以是反射層。舉例來說，第一絕緣層221可包括由多層具不同的折射率的絕緣層相互堆疊而成的布拉格反射層(distributed Bragg reflector，DBR)。
在一未繪示的實施例中，第一絕緣層221可包括上絕緣層與下絕緣層以及位於上絕緣層與下絕緣層之間的布拉格反射層。在上述的實施例中，上絕緣層與下絕緣層的材質以及厚度都可以調整布拉格反射層的反射波長範圍。因此，布拉格反射層採用厚度上變化的上絕緣層與下絕緣層，可讓布拉格反射層具有較廣的反射波長範圍而合適應用於需要廣波長範圍的發光效果的終端產品中。不過，上述材質與發光裝置的應用方式僅是舉例說明之用，實際上布拉格反射層採用其他材質製作時，可以依據其呈現的反射波長範圍來調整應用方式。在上述的設置下，第一絕緣層221是反射層時，可將發光單元100的發光層120所發出的光束往成長基板10的方向集中反射，以提升發光裝置1的出光效果以及出光率。
由圖2K可知，可對第一絕緣層221進行圖案化形成多個開口O3及開口O4於第一絕緣層221中。開口O3及開口O4分別暴露出第一電流傳導層161與第二電流傳導層162。
請參考圖2L，接著形成第一連接層171、第二連接層172以及第三連接層173於第一絕緣層211上。第一連接層171、第二連接層172以及第三連接層173的材料與第一導電層151的材料相似，故於此不再贅述。第一連接層171透過開口O3電性連接至第一電流傳導層161。第一連接層171透過第一電流傳導層161、第一導電層151及歐姆接觸層140以與第一型半導體層110電性連接。第二連接層172透過開口O4電性連接至第二電流傳導層162。第二連接層172透過第二電流傳導層162及第二導電層152以與第二型半導體層130電性連接。在一些實施例中，第三電流傳導層173不與發光元件100電性連接而採電性浮置設置於第一絕緣層221上。在上述的設置下，第三電流傳導層173可應用為測試接墊，用於在製程中對發光裝置1進行電性測試。
請參考圖2M，然後形成第二絕緣層222於第一絕緣層221上。第二絕緣層222覆蓋第一連接層171、第二連接層172與第三連接層173。藉此，包含第一絕緣層221與第二絕緣層222的絕緣層堆疊220可用於隔離第一連接層171、第二連接層172與第三連接層173。第二絕緣層222設置於第一絕緣層221（即：反射層）上。第二絕緣層222的材料包括二氧化矽（SiO2 ）、二氧化鈦（TiO2 ）或其他合適的材料，但不以此為限。
由圖2M可知，可對第二絕緣層222進行圖案化，以使第二絕緣層222具有多個開口O5與開口O6。開口O5對應重疊第一連接層171並暴露出第一連接層171。開口O6對應重疊第二連接層172並暴露出第二連接層172。
請參考圖2N，接著形成第一導電凸塊181與第二導電凸塊182。第一導電凸塊181與第二導電凸塊182分別透過第二封裝結構222的開口O5與開口O6對應地電性連接至第一連接層171與第二連接層172。具體來說，第一導電凸塊181對應並重疊開口O5設置。第二導電凸塊182對應並重疊開口O6設置。在上述的設置下，第一導電凸塊181可藉由第一連接層171及第一電流傳導層161以與第一導電層151電性連接，並與歐姆接觸層140及第一型半導體層110電性連接。第二導電凸塊182可藉由第二連接層172及第二電流傳導層162以與第二導電層152電性連接，並與第二型半導體層130電性連接。藉此，第一導電凸塊181可以做為發光裝置1的負極（以第一型半導體層為N型半導體層為例），而第二導電凸塊182可以做為發光裝置1的正極（以第二型半導體層為P型半導體層為例）。
在一些實施例中，第一導電凸塊181與第二導電凸塊182可為導電接墊、導電柱或導電球。第一導電凸塊181與第二導電凸塊182包括焊料或金屬。舉例來說，第一導電凸塊181與第二導電凸塊182的材料包括金（Au）、錫（Sn）、金錫合金、錫合金、錫銀銅合金或其組合，但不以此為限。
簡言之，在本發明一實施例的發光裝置1中，由於發光單元100包括歐姆接觸層140電性連接至第一型半導體層110，且第一導電層151共形地覆蓋歐姆接觸層140，以使金屬材質的第一導電層151與磊晶結構的歐姆接觸層140在第一型半導體層110上形成具有低阻抗及歐姆接觸特性的結構。藉此，第一型半導體層110的電性可被提升。此外，第一絕緣層221可將發光單元100的發光層120所發出的光束集中反射，以提升發光裝置1的出光效果以及出光率。藉此，發光裝置1可具有優良性能及品質。此外，發光裝置1的製程還可以簡單並節省成本。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖3A至圖3D為本發明另一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。圖3B為本發明另一實施例的歐姆接觸層的局部放大示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖3A至圖3D省略繪示了若干元件。本實施例的發光裝置1A類似於圖2A至圖2N的發光裝置1，其主要的差異例如是在於：歐姆接觸層140A包括多個開孔141以及圍繞多個開孔141的島狀部142。
由圖3A及圖3B可知，歐姆接觸層140A的島狀部142可與第一型半導體層110電性連接，且開孔141可在垂直成長基板10的方向上延伸。開孔141可以暴露出第一型半導體層110的部分。在一些實施例中，相較於圖2F的歐姆接觸層140，本實施例的歐姆接觸層140A的加熱製程時間可被縮短，或溫度可被提升或降低，導致歐姆接觸層140A的磊晶結構較為粗糙。藉此，歐姆接觸層140A的接觸面積可被提升。
請參考圖3C與圖3D，接著形成第一導電層151於歐姆接觸層140A上。第一導電層151填入開口141以接觸第一型半導體層110。接著，再依序地形成第一電流傳導層161、第二電流傳導層162、第一連結層171、第二連接層172、第三連接層173、第一導電凸塊181、第二導電凸塊182與絕緣層堆疊220，以完成發光裝置1A的設置。在上述的設置下，第一導電層151與歐姆接觸層140A的接觸面積可以提升，因此可進一步降低阻抗。此外，第一導電層151與歐姆接觸層140A的結合力可被提升。另外，由於歐姆接觸層140A具有多個開孔141，因此可提升開口率以增加出光效果。藉此，可以提升發光元件100A與發光裝置1A的性能以及結構品質。
圖4A至圖4C為本發明另一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。圖4A為本發明另一實施例的歐姆接觸層的局部放大示意圖。圖4B為本發明另一實施例的歐姆接觸層的局部放大示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖4A至圖4C省略繪示了若干元件。本實施例的發光裝置1B類似於圖2A至圖2N的發光裝置1，其主要的差異例如是在於：歐姆接觸層140B具有粗糙表面。具體來說，歐姆接觸層140B的上表面140T為粗糙表面，且粗糙表面包括多個微結構143。微結構143例如為在表面上的缺陷、凹洞或凹凸不平結構。微結構143可由上表面140T往第一型半導體層110延伸。微結構143可以貫穿或不貫穿歐姆接觸層140B。在上述的設置下，微結構143可以增加歐姆接觸層140B的接觸面積。
請參考圖4B與圖4C，接著形成第一導電層151共形地覆蓋歐姆接觸層140B。然後依序地形成第一電流傳導層161、第二電流傳導層162、第一連結層171、第二連接層172、第三連接層173、第一導電凸塊181、第二導電凸塊182與絕緣層堆疊220，以完成發光裝置1B的設置。在上述的設置下，第一導電層151與歐姆接觸層140B的接觸面積可以提升，因此可進一步降低阻抗。此外，第一導電層151與歐姆接觸層140A的結合力可被提升。因此，可以提升發光裝置1B的性能以及結構品質。
圖5A至圖5B為本發明另一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。圖5A為本發明另一實施例的歐姆接觸層的局部放大示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖5A至圖5C省略繪示了若干元件。本實施例的發光裝置1C類似於圖2A至圖2N的發光裝置1，其主要的差異例如是在於：第一導電層151設置於歐姆接觸層140上，且第一導電層151於成長基板10上的正投影位於歐姆接觸層140於成長基板10上的正投影之內。在一些實施例中，歐姆接觸層140具有寬度W4，且第一導電層151具有寬度W5。寬度W4大於寬度W5。在一些實施例中，寬度W4例如為3微米至100微米。寬度W5例如為1微米至100微米，但不以此為限。在上述的設置下，第一導電層151不直接接觸第一型半導體層110。
接著依序地形成第一電流傳導層161、第二電流傳導層162、第一連結層171、第二連接層172、第三連接層173、第一導電凸塊181、第二導電凸塊182與絕緣層堆疊220，以完成發光裝置1C的設置。在上述的設置下，發光裝置1C具有良好的性能以及結構品質。
圖6A至圖6F為本發明另一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖6A至圖6F省略繪示了若干元件。本實施例的發光裝置1D類似於圖2A至圖2N的發光裝置1，其主要的差異例如是在於：發光裝置1D還包括絕緣反射層230。詳細來說，於形成發光元件100的步驟中，還包括在形成第二導電層152的步驟之後，形成絕緣反射層230於發光層120、第二型半導體層130以及第二導電層152上。
接著，在絕緣反射層230中形成多個開口O7。開口O7對應重疊第二導電層152，以暴露出第二導電層152。在一些實施例中，絕緣反射層230的材料包括單層或多層絕緣材料、或由多個具有不同折射率的絕緣材料層交互堆疊的結構，後者例如是布拉格反射層(distributed Bragg reflector，DBR)，不同折射率的絕緣材料層交互堆疊結構例如包括二氧化矽與二氧化鈦（SiO2 /TiO2 ）的堆疊結構、或二氧化矽、五氧化二鉭（SiO2 /Ta2 O5 ）的堆疊結構、或二氧化矽與氟化鎂（SiO2 /MgF2 ）的堆疊結構。
在一未繪示的實施例中，絕緣反射層230可包括上絕緣層與下絕緣層以及位於上絕緣層與下絕緣層之間的布拉格反射層。
在另一未繪示的實施例中，絕緣反射層230可包括上絕緣層與下絕緣層以及位於上絕緣層與下絕緣層之間的金屬反射鏡。上述金屬反射鏡的材料例如是鋁、銀或鋁銅合金，但不以此為限。
在上述的設置下絕緣反射層230可將發光單元100的發光層120所發出的光束往成長基板10的方向集中反射，以提升發光裝置1D的出光效果以及出光率。
請參考圖6B與圖6C，接著形成第一電流傳導層161於第一導電層151上，並形成第二電流傳導層161於絕緣反射層230上。絕緣反射層230通過開口O7電性連接至第二導電層152，以與第二型半導體層130電性連接。
然後，形成第一絕緣層221於發光元件100上並覆蓋絕緣反射層230。第一絕緣層221可為反射層。第一絕緣層221可為單層的反射絕緣材料或包括由多個不同折射率的絕緣材料交互堆疊的結構。第一絕緣層221可為布拉格反射層。在其一些實施例中，第一絕緣層221可包括上絕緣層、下絕緣層及位於上絕緣層與下絕緣層之間的布拉格反射層，但不以此為限。在上述的設置下，發光層120所發出的光束可往成長基板10的方向集中反射，以提升發光裝置1D的出光效果以及出光率。
在一些實施例中，第一絕緣層221還包括開口O3及開口O4。開口O3及開口O4分別暴露出第一電流傳導層161與第二電流傳導層162。
請參考圖6D，接著形成第一連接層171、第二連接層172以及第三連接層173於第一絕緣層211上。第一連接層171透過開口O3電性連接至第一電流傳導層161。第二連接層172透過開口O4電性連接至第二電流傳導層162。在一些實施例中，第三電流傳導層173不與發光元件100電性連接而採電性浮置設置於第一絕緣層221上。第三電流傳導層173可應用為測試接墊，用於在製程中對發光裝置1D進行電性測試。
請參考圖6E，然後形成第二絕緣層222於第一絕緣層221上。第二絕緣層222覆蓋第一連接層171、第二連接層172與第三連接層173。藉此，第一連接層171、第二連接層172與第三連接層173可透過第一絕緣層221與第二絕緣層222以彼此隔離。
在一些實施例中，第二絕緣層222具有多個開口O5與開口O6。開口O5對應重疊第一連接層171並暴露出第一連接層171。開口O6對應重疊第二連接層172並暴露出第二連接層172。
請參考圖6F，接著形成第一導電凸塊181與第二導電凸塊182。第一導電凸塊181與第二導電凸塊182分別透過第二封裝結構222的開口O5與開口O6對應地電性連接至第一連接層171與第二連接層172。第一導電凸塊181與第二導電凸塊182可為導電接墊、導電柱或導電球。
在上述的設置下，發光裝置1D可透過絕緣反射層230以進一步地提升將發光層120所發出的光束集中，以提升發光效果與品質。此外，發光裝置1D還具有良好的性能以及結構品質。
圖7A至圖7C為本發明再一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。為了附圖清楚及方便說明，圖7A至圖7C省略繪示了若干元件。本實施例的發光裝置1E類似於圖6A至圖6F的發光裝置1D，其主要的差異例如是在於：發光裝置1E還包括多個導電件190設置於第二導電層152上。導電件190的材料與第一導電層151的材料相似，故於此不再贅述。
任一個導電件190於成長基板10上的正投影重疊第二導電層152於成長基板10上的正投影。在一些實施例中，導電件190於成長基板10上的正投影位於第二導電層152於成長基板10上的正投影之中。在另一些實施例中，導電件190於成長基板10上的正投影面積小於第一導電層151於成長基板10上的正投影面積。
在一些實施例中，絕緣反射層230設置於第二型半導體層130與第二導電層152上。絕緣反射層230具有多個開口O7。開口O7對應重疊導電件190，以暴露出導電件190。
請參考圖7B與圖7C，接著形成第一電流傳導層161於第一導電層151上，並形成第二電流傳導層161於絕緣反射層230上。絕緣反射層230通過開口O7電性連接至導電件190，以與第二型半導體層130電性連接。
接著依序地形成第一連結層171、第二連接層172、第三連接層173、第一導電凸塊181、第二導電凸塊182與絕緣層堆疊220，以完成發光裝置1E的設置。在上述的設置下，發光裝置1E可透過導電件190以進一步降低第二導電層152與第二電流傳導層162的阻抗。發光裝置1E具有良好性能以及結構品質。
綜上所述，在本發明一實施例的發光裝置中，由於其包括歐姆接觸層電性連接至第一型半導體層，且第一導電層接觸歐姆接觸層，以使金屬材質的第一導電層與磊晶結構的歐姆接觸層在第一型半導體層上形成具有低阻抗及歐姆接觸特性的結構。藉此，第一型半導體層的電性可被提升。此外，第一絕緣層或絕緣反射層可將發光單元的發光層所發出的光束集中反射，以提升發光裝置的出光效果以及出光率。藉此，發光裝置可具有優良性能及品質。此外，發光裝置的製程還可以簡單並節省成本。
1, 1A, 1B, 1C, 1D, 1E:發光裝置 10:成長基板 12:無摻雜半導體層 100:發光元件 110:第一型半導體層 110’:第一型半導體材料層 120:發光層 120’:發光材料層 130:第二型半導體層 130’:第二型半導體材料層 140, 140A, 140B:歐姆接觸層 140T:上表面 141:開孔 142:島狀部 143:微結構 151:第一導電層 152:第二導電層 161:第一電流傳導層 162:第二電流傳導層 171:第一連接層 172:第二連接層 173:第三連接層 181:第一導電凸塊 182:第二導電凸塊 190:導電件 210:犧牲層 220:絕緣層堆疊 221:第一絕緣層 222:第二絕緣層 230:絕緣反射層 FP:指部 R1, R2, R3, R4, R5, R6:區域 SP:間距 W1:第一寬度 W2:第二寬度 W3, W4, W5:寬度 O1, O2:凹槽 O3, O4, O5, O6, O7:開口 U-U’:剖面線
圖1為本發明一實施例的發光裝置的上視示意圖。 圖2A至圖2N為圖1的發光裝置沿剖面線U-U’的製造方法的剖面示意圖。 圖2F為圖2E的區域R1的局部放大示意圖。 圖2H為圖2G的區域R2的局部放大示意圖。 圖3A至圖3D為本發明另一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖3B為本發明另一實施例的歐姆接觸層的局部放大示意圖。 圖4A至圖4C為本發明另一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖4A為本發明另一實施例的歐姆接觸層的局部放大示意圖。 圖4B為本發明另一實施例的歐姆接觸層的局部放大示意圖。 圖5A至圖5B為本發明另一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖5A為本發明另一實施例的歐姆接觸層的局部放大示意圖。 圖6A至圖6F為本發明另一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。 圖7A至圖7C為本發明再一實施例的發光裝置的製造方法的剖面示意圖。
1:發光裝置
10:成長基板
12:無摻雜半導體層
100:發光元件
110:第一型半導體層
120:發光層
130:第二型半導體層
140:歐姆接觸層
151:第一導電層
152:第二導電層
161:第一電流傳導層
162:第二電流傳導層
171:第一連接層
172:第二連接層
173:第三連接層
181:第一導電凸塊
182:第二導電凸塊
220:絕緣層堆疊
221:第一絕緣層
222:第二絕緣層
U-U’:剖面線

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，包括： 成長基板； 發光元件設置於所述成長基板上，包括： 第一型半導體層； 第二型半導體層； 發光層，位於所述第一型半導體層與所述第二型半導體層之間，其中所述發光層與所述第二型半導體層具有凹槽貫穿所述發光層與所述第二型半導體層； 歐姆接觸層，設置於所述第一型半導體層上且位於所述凹槽中並與所述第一型半導體層電性連接； 第一導電層，設置於所述第一型半導體層上且位於所述凹槽中，所述第一導電層覆蓋所述歐姆接觸層並與所述歐姆接觸層電性連接；以及 第二導電層，設置於所述第二型半導體層上且與所述第二型半導體層電性連接； 第一導電凸塊，藉由所述第一導電層與所述歐姆接觸層與所述第一型半導體層電性連接；以及 第二導電凸塊，藉由所述第二導電層與所述第二型半導體層電性連接。
  2. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述第一導電層與所述第一型半導體層直接電性連接。
  3. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述發光元件還包括： 第一電流傳導層，設置於所述第一導電層上，且所述第一電流傳導層透過所述第一導電層與所述歐姆接觸層以與所述第一型半導體層電性連接；以及 第二電流傳導層，設置於所述第二導電層上，且所述第二電流傳導層透過所述第二導電層以與所述第二型半導體層電性連接。
  4. 如請求項3所述的發光裝置，其中所述第一導電層位於所述歐姆接觸層與所述第一電流傳導層之間。
  5. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述歐姆接觸層的材料包括III-V族化合物。
  6. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述歐姆接觸層的晶格常數與所述第一型半導體層的晶格常數不匹配。
  7. 如請求項1所述的發光裝置，更包括： 絕緣層堆疊，設置於所述發光元件上，所述絕緣層堆疊包括： 第一絕緣層；以及 第二絕緣層設置於所述第一絕緣層上； 第一連接層，設置於所述第一絕緣層上，所述第一連接層透過所述第一導電層與所述第一型半導體層電性連接；以及 第二連接層，設置於所述第一絕緣層上，所述第二連接層透過所述第二導電層與所述第二型半導體層電性連接， 其中所述第二封裝層覆蓋所述第一連接層與所述第二連接層，且所述第一連接層藉由所述第一絕緣層與所述第二絕緣層以與所述第二連接層電性隔離。
  8. 如請求項7所述的發光裝置，其中所述第一導電凸塊，藉由所述第一連接層與所述第一導電層電性連接，且所述第二導電凸塊，藉由所述第二連接層與所述第二導電層電性連接。
  9. 如請求項7所述的發光裝置，更包括電性浮置的第三連接層設置於所述第一絕緣層上，其中所述第三連接層藉由所述第一絕緣層與所述第二絕緣層以與所述第一連接層或所述第二連接層電性隔離。
  10. 如請求項1所述的發光裝置，更包括無摻雜半導體層，所述無摻雜半導體層位於所述成長基板與所述發光元件之間。
  11. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述歐姆接觸層包括多個開孔以及圍繞所述多個開孔的島狀部，所述第一導電層填入所述多個開口以接觸所述第一型半導體層。
  12. 如請求項1所述的發光裝置，其中所述歐姆接觸層包括粗糙表面，所述粗糙表面包括多個微結構。
  13. 一種發光裝置，包括： 成長基板； 發光元件設置於所述成長基板上，包括： 第一型半導體層； 第二型半導體層； 發光層，位於所述第一型半導體層與所述第二型半導體層之間，其中所述發光層與所述第二型半導體層具有凹槽貫穿所述發光層與所述第二型半導體層； 歐姆接觸層，設置於所述第一型半導體層上且位於所述凹槽中並與所述第一型半導體層電性連接，所述歐姆接觸層具有多個指部； 第一導電層，設置於所述歐姆接觸層的上表面上且位於所述凹槽中，所述第一導電層與所述歐姆接觸層電性連接；以及 第二導電層，設置於所述第二型半導體層上且與所述第二型半導體層電性連接。
  14. 如請求項13所述的發光裝置，其中所述指部位於所述凹槽中，且所述指部與所述第二型半導體層之間具有間距。
  15. 如請求項13所述的發光裝置，其中所述發光元件更包括絕緣反射層設置於所述發光層、所述第二型半導體層以及所述第二導電層上，其中所述絕緣反射層包括多個開口。
  16. 如請求項15所述的發光裝置，更包括： 第一電流傳導層，設置於所述第一導電層上，且所述第一電流傳導層透過所述第一導電層與所述歐姆接觸層與所述第一型半導體層電性連接；以及 第二電流傳導層，設置於所述絕緣反射層上，所述絕緣反射層通過所述多個開口電性連接至所述第二導電層，以與所述第二型半導體層電性連接。
  17. 如請求項16所述的發光裝置，更包括： 絕緣層堆疊，設置於所述發光元件上，所述絕緣層堆疊包括： 反射層；以及 絕緣層設置於所述反射層上； 第一連接層，設置於所述反射層上，所述第一連接層透過所述第一電流傳導層與所述第一型半導體層電性連接；以及 第二連接層，設置於所述反射層上，所述第二連接層透過所述第二電流傳導層與所述第二型半導體層電性連接， 其中所述絕緣層覆蓋所述第一連接層與所述第二連接層。
  18. 一種發光裝置的製作方法，包括： 提供成長基板； 形成無摻雜半導體層於所述成長基板上； 於所述無摻雜半導體層上形成發光元件，包括： 形成第一型半導體層於所述無摻雜半導體層上； 形成發光層於所述第一型半導體層上； 形成第二型半導體層於所述發光層上； 進行第一蝕刻製程，以圖案化所述發光層與所述第二型半導體層，至少一個第一凹槽形成於所述發光層與所述第二型半導體層中並暴露出所述第一型半導體層； 形成犧牲層覆蓋所述第一型半導體層、所述發光層以及所述第二型半導體層； 進行第二蝕刻製程，以圖案化所述犧牲層，至少一個第二凹槽形成於所述犧牲層中，所述第二凹槽於所述成長基板上的正投影位於所述第一凹槽於所述成長基板上的正投影之中； 形成歐姆接觸層於所述第二凹槽內； 移除所述犧牲層； 形成第一導電層於所述歐姆接觸層上並電性連接所述歐姆接觸層；以及 形成第二導電層於所述第二型半導體層上； 形成第一電流傳導層並電性連接至所述第一導電層，且形成第二電流傳導層並電性連接至所述第二導電層； 形成第一絕緣層於所述發光元件上，所述第一絕緣層具有多個開口分別暴露出所述第一電流傳導層與所述第二電流傳導層； 形成第一連接層、第二連接層與第三連接層於所述第一絕緣層上，所述第一連接層與所述第二連接層分別透過所述多個開口對應地電性連接至所述第一電流傳導層與所述第二電流傳導層，其中所述第三連接層為電性浮置； 形成第二絕緣層於所述第一絕緣層上，所述第二封裝材料隔離所述第一連接層、所述第二連接層與所述第三連接層，其中所述第二絕緣層包括多個開口；以及 形成第一導電凸塊與第二導電凸塊，所述第一導電凸塊與所述第二導電凸塊分別透過所述第二封裝材料的所述多個開口對應地電性連接至所述第一連接層與所述第二連接層。
  19. 如請求項18所述的發光裝置的製作方法，其中於所述形成發光元件的步驟中，還包括： 形成絕緣反射層於所述發光層、所述第二型半導體層以及所述第二導電層上， 其中所述第二電流傳導層透過所述絕緣反射層的多個開口電性連接至所述第二導電層。
  20. 如請求項18所述的發光裝置的製作方法，其中所述第一凹槽具有第一寬度，所述第二凹槽具有第二寬度，所述第一寬度大於所述第二寬度。
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