TW202145601A - 具有堆疊接合結構之多彩發光二極體(led)之系統及方法 - Google Patents

具有堆疊接合結構之多彩發光二極體(led)之系統及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202145601A
TW202145601A TW110111498A TW110111498A TW202145601A TW 202145601 A TW202145601 A TW 202145601A TW 110111498 A TW110111498 A TW 110111498A TW 110111498 A TW110111498 A TW 110111498A TW 202145601 A TW202145601 A TW 202145601A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
led
light
emitting layer
substrate
Prior art date
Application number
TW110111498A
Other languages
English (en)
Inventor
徐群超
李起鳴
Original Assignee
中國大陸商上海顯耀顯示科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 中國大陸商上海顯耀顯示科技有限公司 filed Critical 中國大陸商上海顯耀顯示科技有限公司
Publication of TW202145601A publication Critical patent/TW202145601A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本發明揭示一種單像素多彩LED裝置，其包含用於發射一系列色彩之兩個或更多個LED結構。該兩個或更多個LED結構水平形成為子像素以組合光。在一些實施例中，兩個或更多個發光層形成於具有集成電路之一基板上且使用接合層將該兩個或更多個發光層接合在一起。在一些實施例中，藉由利用該各自LED結構之一各自頂部發光層且藉由移除(若干)額外頂部發光層與該各自LED結構而形成該兩個或更多個LED結構。在一些實施例中，第一發光層內之P型區及N型區之上下定向不同於第二發光層內之P型區及N型區之上下定向。

Description

具有堆疊接合結構之多彩發光二極體(LED)之系統及方法
本發明大體上係關於發光二極體(LED)顯示裝置且更特定言之，係關於用於發射不同色彩之具有微米級像素大小及接合層之LED半導體裝置之系統及製造方法。
近年來，隨著迷你LED及微型LED技術之發展，消費型裝置及應用(諸如擴增實境(AR)、投影、抬頭顯示器(HUD)、行動裝置顯示器、佩戴型裝置顯示器及車載顯示器)需要具有經改良解析度之LED面板及高良率製造程序。例如，整合於一護目鏡內且接近一佩戴者之眼睛定位之一AR顯示器可具有一指甲之一尺寸同時仍要求一HD清晰度(1280x720個像素)或更高。許多電子裝置需要LED面板之特定像素大小、鄰近像素之間之距離、亮度及視角。
又，與薄膜電晶體(TFT)技術組合之主動矩陣液晶顯示器(LCD)及有機發光二極體(OLED)顯示器在當今之商業電子裝置中變得愈來愈風行。此等顯示器廣泛用於膝上型個人電腦、智慧型電話及個人數位助理中。數百萬像素一起在一顯示器上產生一影像。TFT用作開關以個別地開啟及關閉各像素，從而使像素變亮或暗，此容許各像素及整個顯示器之方便且有效控制。
然而，習知LCD顯示器遭受低光效率，從而引起高功率消耗及有限電池操作時間。雖然主動矩陣有機發光二極體(AMOLED)顯示面板通常比LCD面板消耗更少功率，但一AMOLED顯示面板仍可係電池操作裝置中之主要功率消耗器。為了延長電池壽命，可期望降低顯示面板之功率消耗。
習知無機半導體發光二極體(LED)已證實優越光效率，此使主動矩陣LED顯示器更適合電池操作電子器件。驅動器電路陣列及發光二極體(LED)用於控制數百萬個像素，從而在顯示器上呈現影像。可根據各種製造方法製造單色顯示面板及全彩顯示面板兩者。
然而，數千或甚至數百萬個微型LED與像素驅動器電路陣列之整合相當具有挑戰性。已提出各種製造方法。在一個方法中，在一個基板上製造控制電路且在一單獨基板上製造LED。將LED轉移至一中間基板且移除原始基板。接著，拾取中間基板上之LED且一次將一個或數個LED放置至具有控制電路之基板上。然而，此製造程序效率低、昂貴且不可靠。另外，不存在用於大規模轉移微型LED之現有製造工具。因此，必須開發新工具。
在另一方法中，整個LED陣列與其原始基板經對準且使用金屬接合接合至控制電路。其上製造LED之基板保留在最終產品中，此可引起光串擾。另外，兩個不同基板之間之熱失配在接合介面處產生應力，此可引起可靠性問題。此外，相較於單色顯示面板，多彩顯示面板通常需要更多LED及不同色彩之LED生長於不同基板材料上，因此使傳統製造程序甚至更複雜且效率低。
因而，將可期望提供解決上文提及之缺點之一或多者以及其他缺點之用於顯示面板之一LED結構。
需要改良且有助於解決習知顯示系統之一或多個缺點(諸如上文描述之缺點)之經改良多彩LED設計。特定言之，需要可改良製造效率、可靠性及解析度同時有效地維持低功率消耗之一LED裝置結構。
顯示面板使用諸如紅色、綠色及藍色之色彩之一混合顯示各種色彩。顯示面板之各像素包含子像素(諸如紅色、綠色及藍色子像素)。基於來自子像素之經疊加色彩判定一特定像素之色彩。藉由顯示面板形成之影像取決於由各像素形成之組合。
本文中描述之多彩LED裝置整合水平地放置於顯示面板上之一像素區域內之單獨區域中之至少兩個微型LED結構。在一些實施例中，藉由以一堆疊結構接合為多彩LED裝置之一起始結構而製造多個發光層。多個發光層之各者經組態以發射一相異色彩。發光層之數目對應於顯示面板之像素區域內之LED結構之數目。例如，若多彩LED裝置包含兩個子像素，則在多彩LED製造程序期間所需之堆疊發光層之數目係2。在另一實例中，若多彩LED裝置包含三個子像素，則在多彩LED製造程序期間所需之堆疊發光層之數目係3。
在一些實施例中，堆疊多層結構中之頂部發光層之色彩判定多彩LED裝置內之個別LED結構之經發射色彩。為了自多個發光層形成具有各種色彩之LED結構，在多彩LED裝置內之一個別LED結構之製造程序中移除額外頂部層。例如，在一堆疊結構中，頂部發光層經組態以發射紅光，中間發光層經組態以發射綠光，且底部發光層經組態以發射藍光。藉由移除頂部兩個發光層，可形成一藍光LED結構。藉由移除頂部發光層且使底部發光層短路，可形成一綠光LED結構。可形成一紅光LED結構而無需移除任何發光層同時使中間及底部發光層短路。
間距係指一顯示面板上之鄰近像素之中心之間之距離。在一些實施例中，間距可自約40微米至約20微米、至約10微米及/或較佳至約5微米或以下變動。已作出許多努力來減小間距。當判定間距規格時，一單像素區域係固定的。
相較於依賴於低效率取放程序之用於微型LED顯示晶片之習知製造程序，本文中揭示之多彩微型LED製造程序有效地增加微型LED裝置製造之效率及可靠性，簡化多彩LED像素裝置結構且減少對LED裝置之磊晶層之損害。例如，多個LED發光層可直接接合在具有像素驅動器之基板上。另外，微型LED結構之基板未保留在最終多彩裝置中，使得可減少串擾及失配。
另外，由於各LED發光層係一PN接面，故在一些實施例中，堆疊結構中之各LED發光層內之相對位置(例如，P型區及N型區層之上及下位置)不一致。此容許多彩LED結構內之電極連接之靈活性及效率。
在一些實施例中，一種用於一顯示面板之多彩發光二極體(LED)像素裝置包含：一基板，其在一底部處；一第一LED結構，其經組態以發射一第一色彩，僅具有在該基板上方之一個第一發光層；一第二LED結構，其在該第一LED結構上方，經組態以發射一第二色彩，具有該第一發光層及一第二發光層且該第二發光層在該第一發光層上方。在一些實施例中，該第一發光層包含一第二類型層及一第一類型層，且該第一發光層之該第一類型層在該第一發光層之該第二類型層上方；且該第二發光層包含一第一類型層及一第二類型層，且該第二發光層之該第二類型層在該第二發光層之該第一類型層上方。
在一些實施例中，該多彩LED像素裝置進一步包含一第三LED結構，該第三LED結構經組態以發射一第三色彩，具有該第一發光層、該第二發光層及一第三發光層。在一些實施例中，該第二發光層在該第一發光層上方，且該第三發光層在該第二發光層上方；且該第三發光層包含一第一類型層及一第二類型層，且該第三發光層之該第二類型層在該第三發光層之該第一類型層上方。
在一些實施例中，該等第一、第二及第三發光層之各者包含一各自PN接面，且該等第一類型層之各者係該各自PN接面之一P型層且該等第二類型層之各者係該各自PN接面之一N型層。
在一些實施例中，該等第一、第二及第三發光層之各者包含一各自PN接面，且該等第一類型層之各者係該各自PN接面之一N型層且該等第二類型層之各者係該各自PN接面之一P型層。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，該基板係一IC基板，且該多彩LED像素裝置形成於該IC基板上；該第一LED結構中之該第一發光層之該第一類型層使用一第一電極電連接至該IC基板；該第二LED結構中之該第二發光層之該第一類型層使用一第二電極電連接至該IC基板；且一頂部透明導電層覆蓋該多彩LED像素裝置且接觸該第一LED結構之該第一發光層之該第二類型層及該第二LED結構之該第二發光層之該第二類型層。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，該第三LED結構中之該第三發光層之該第一類型層使用一第三電極電連接至該IC基板；且該頂部透明導電層接觸該第三LED結構之該第三發光層之該第二類型層。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，一絕緣層形成於該頂部透明導電層與多彩LED像素裝置之一表面之間。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，一第一接合層形成於該IC基板與該第一發光層之間，且一第二接合層形成於該第一發光層與該第二發光層之間。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，一第三接合層形成於該第二發光層與該第三發光層之間。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，一介電層形成於該第一接合層與該第一發光層之間。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，該第二LED結構中之該電極電接觸該第一接合層及該第二接合層。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，該第三LED結構中之該電極電接觸該第一接合層、該第二接合層及該第三接合層。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，該第二類型層具有水平延伸於該第一LED結構中之該第一類型層外部之一突部，一開口形成於覆蓋該突部之該絕緣層中，且該頂部透明導電層經沈積於該突部上之該開口中。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，該第一LED結構中之該第一電極之一第一端觸碰該第一發光層之該第一類型層之一頂表面，且該第一電極之一第二端觸碰該IC基板；該頂部透明導電層觸碰該第一LED結構中之該第一發光層之該第二類型層；該第二LED結構中之該第二電極之一第一端電連接該第二發光層中之該第一類型層之一底部，該第二電極之一第二端觸碰該IC基板，且該第二電極之一側壁接觸該第二LED結構中之該第一發光層之一側壁；且該頂部透明導電層觸碰該第二發光層中之該第二類型層之一頂表面。
在該多彩LED像素裝置之一些實施例中，該第三LED結構中之該第三電極之一第一端電連接該第三發光層中之該第一類型層之一底部，該第三電極之一第二端觸碰該IC基板，且該第三電極之一側壁接觸該第三LED結構中之該第二發光層及該第一發光層之側壁；且該頂部透明導電層觸碰該第三發光層中之一第二類型層之一頂表面。
在一些實施例中，一種用於製造用於一顯示面板之多彩發光二極體(LED)像素裝置之方法包含：提供一第一基板，在該第一基板上製造一第一LED發光層，提供一第二基板，在該第二基板上製造一第二LED發光層，使用一第一金屬接合層將該第一LED發光層與該第二LED發光層接合在一起，移除該第二基板，提供一第三基板，在該第三基板上製造一第三LED發光層，使用一第二金屬接合層將該第二LED發光層與該第三LED發光層接合在一起，移除該第一基板，移除該第三基板，及使用一第三金屬接合層將該第一LED發光層與具有集成電路(IC)之一第四基板接合在一起。
在一些實施例中，用於製造該多彩LED像素之方法進一步包含：在移除該第一基板之後，在該第一LED發光層上製造一介電層。在一些實施例中，該介電層之一位置介於該第一LED發光層與第三金屬接合層之間。
在一些實施例中，用於製造該多彩LED像素裝置之方法進一步包含：在移除該第二及該第三LED發光層時使用該第一LED發光層圖案化一第一LED結構；在移除第三LED發光層時使用該第一及該第二LED發光層圖案化一第二LED結構；及使用該第一、該第二及該第三LED發光層圖案化一第三LED結構。
在一些實施例中，用於製造該多彩LED像素裝置之方法進一步包含：沈積一第一電極以將該第一LED發光層之一第一P型區與該第一LED結構中之該第四基板上之該IC電連接；沈積一第二電極以將該第二LED發光層之一第二P型區與該第二LED結構中之該第四基板上之該IC電連接；沈積一第三電極以將該第三LED發光層之一第三P型區與該第三LED結構中之該第四基板上之該IC電連接；及沈積一共同電極以將該第一LED結構中之該第一LED發光層之一第一N型區、該第二LED結構中之該第二LED發光層之一第二N型區及該第三LED結構中之該第三LED發光層之一第三N型區與一接地電連接。
在用於製造該多彩LED像素裝置之方法之一些實施例中，該第一P型區在該第一LED發光層之一頂層上且該第一N型區在該第一LED發光層之一底層上；該第二P型區在該第二LED發光層之一底層上且該第二N型區在該第二LED發光層之一頂層上；且該第三P型區在該第三LED發光層之一底層上且該第三N型區在該第三LED發光層之一頂層上。
本文中揭示之多彩LED裝置及系統之緊密設計利用橫向不同發光層，藉此降低製造步驟之複雜性且增加LED顯示系統之整體效能對成本比率。此外，多彩LED顯示系統之製造可可靠且有效地形成LED結構圖案而無需使用或保持額外基板。因此，相較於使用習知LED，多彩LED顯示系統之實施方案可滿足AR及VR、抬頭顯示器(HUD)、行動裝置顯示器、佩戴型裝置顯示器、高清晰度小型投影機及車載顯示器之嚴格顯示要求。
應注意，上文描述之各項實施例可與本文中描述之任何其他實施例組合。本說明書中描述之特徵及優點並非皆為包含性且特定言之，鑑於圖式、說明書及發明申請專利範圍，一般技術者將明白許多額外特徵及優點。再者，應注意，本說明書中使用之語言已主要為了可讀性及指令目的而選擇，且可不經選擇以劃界或限定發明標的物。
本文中描述許多細節以便提供隨附圖式中繪示之例示性實施例之一透徹理解。然而，可在無許多具體細節之情況下實踐一些實施例，且發明申請專利範圍之範疇僅由發明申請專利範圍中具體敘述之該等特徵及態樣限制。此外，未詳盡描述熟知程序、組件及材料以免不必要地使本文中描述之實施例之相關態樣不清楚。
一般言之，疊加至少紅色、綠色及藍色以重現廣泛多種色彩。在一些例項中，為了在一像素區域內包含至少紅色、綠色及藍色，在像素區域內之不同非重疊區帶處製造單獨單色LED結構。
圖1A係根據一些實施例之一三彩LED裝置100之一橫截面視圖。在一些實施例中，三彩LED裝置100係在一顯示面板中之一像素區域內之一單像素裝置。在一些實施例中，三彩LED裝置包含三個LED結構01、02及03。各LED結構係單一像素區域內之一子像素。在一些實施例中，三個LED結構各發射一單一色彩，例如，LED結構01發射藍光，LED結構02發射綠光且LED結構03發射紅光。在一些實施例中，由三個LED結構發射之色彩不同且相異。
在一些實施例中，一顯示面板包含複數個像素(諸如數百萬個像素)，且各像素包含一三彩LED裝置。在一些實施例中，LED裝置可係微型LED。微型LED通常具有50微米(um)或更小之一橫向尺寸，且可具有小於10 um且甚至僅數um之橫向尺寸。
在一些實施例中，三彩LED裝置包含一基板07。為了方便起見，「上」用於意指遠離基板07，「下」意指朝向基板07，且相應地解譯其他方向術語(諸如頂部、底部、在...上方、在...下方、在...之下、在...下面等)。支撐基板07係其上製造個別驅動器電路06之陣列之基板。在一些實施例中，驅動器電路亦可定位於基板07上方或微型三彩LED結構100上方之一個層中。各驅動器電路06係一像素驅動器。在一些例項中，像素驅動器係薄膜電晶體像素驅動器或矽CMOS像素驅動器。在一項實施例中，基板07係一Si基板。在另一實施例中，支撐基板07係一透明基板(例如，一玻璃基板)。其他例示性基板包含GaAs、GaP、InP、SiC、ZnO及藍寶石基板。驅動器電路06形成個別像素驅動器以控制個別三彩LED裝置100之操作。基板07上之電路包含至各個別像素驅動器06之接觸件且亦包含一接地接觸件。微型LED結構01、02及03之各者亦具有兩種類型之接觸件：P電極或陽極(諸如103、203及303)，其等連接至各自驅動器電路06；及N電極或陰極(諸如層05)，其連接至接地(即，共同電極)。
在一些實施例中，驅動器電路06 (例如，一像素驅動器)包含數個電晶體及電容器(圖1A中未展示)。電晶體包含連接至一電壓供應器之一驅動電晶體及經組態成其閘極連接至一掃描信號匯流排線之一控制電晶體。電容器包含用於在掃描信號設定其他像素之時間期間維持驅動電晶體之閘極電壓之一儲存電容器。
雖然本文中使用術語「層」描述一些構件，但應理解，此等構件不限於一單一層而可包含複數個子層。在某一例項中，一「結構」可採取一「層」之形式。
在一些實施例中，三個LED結構01、02及03各包含至多三個發光層302、202及102。例如，LED結構01包含一個發光層102。在一些實施例中，一金屬接合層101介於發光層102與基板07及/或驅動器電路06之間。在一些實施例中，一選用介電層106 (圖1A中未展示)經放置於金屬接合層101與發光層102之間。
LED結構02包含兩個發光層102及202，且發光層202在發光層102上方。在一些實施例中，一金屬接合層201介於發光層102與發光層202之間。在一些實施例中，一金屬接合層101介於發光層102與基板07及/或驅動器電路06之間。在一些實施例中，一選用介電層106 (圖1A中未展示)經放置於金屬接合層101與發光層102之間。
LED結構03包含三個發光層102、202及302，且發光層302在發光層202上方，發光層202在發光層102上方。在一些實施例中，一金屬接合層301介於發光層202與發光層302之間。在一些實施例中，一金屬接合層201介於發光層102與發光層202之間。在一些實施例中，一金屬接合層101介於發光層102與基板07及/或驅動器電路06之間。在一些實施例中，一選用介電層106 (圖1A中未展示)經放置於金屬接合層101與發光層102之間。
在一些實施例中，發光層102經組態以發射藍光。在一些實施例中，發光層202經組態以發射綠光。在一些實施例中，發光層302經組態以發射紅光。
在一些實施例中，在製造期間之相同步驟及/或相同程序中形成跨三個LED結構01、02及03之各種層。例如，在相同步驟及/或相同程序中跨全部三個LED結構01、02及03形成金屬接合層101。例如，在相同步驟及/或相同程序中跨全部三個LED結構01、02及03在金屬接合層101與發光層102之間形成一選用介電層106 (圖1A中未展示)。例如，在相同步驟及/或相同程序中跨全部三個LED結構01、02及03形成發光層102。例如，在相同步驟及/或相同程序中跨兩個LED結構02及03形成金屬接合層201。例如，在相同步驟及/或相同程序中跨兩個LED結構02及03形成發光層202。
在一些實施例中，經由塗佈或蒸鍍沈積將一電極103放置於LED結構01之側壁上，電極103自底部金屬接合層101延伸至藍色LED發光層102之一頂部區或頂層102-1。在一些實施例中，電極103係一P電極。在一些實施例中，電極103透過金屬接合層101連接至驅動器電路06。在一些實施例中，驅動器電路06係控制P電極103之一集成電路。在一些實施例中，在LED結構01之表面及側壁上塗佈或沈積一絕緣層04 (諸如二氧化矽層)。在一些實施例中，絕緣層04亦在電極103周圍延伸以防止其觸碰LED結構01中除金屬接合層101及藍色LED發光層102 (圖1A中未展示)之頂部區或頂層102-1之外之其他構件及層。在一些實施例中，在絕緣層04之頂部上塗佈一透明導電層05 (諸如氧化銦錫(ITO)層)。透明導電層05透過絕緣層04中之一經蝕刻開口104連接至藍色LED發光層102之底部區或底層作為N電極或共同電極。在一些實施例中，如圖1A中繪示，發光層102之底部區或底層具有一突出區102-2，突出區102-2具有長於相同發光層102之頂部區或頂層102-1之一水平尺寸。突出部分102-2連接至透明導電層05。LED結構03自藍色LED發光層102發射光。
在一些實施例中，經由塗佈或蒸鍍沈積將一電極203放置於LED結構02之側壁上，電極203自底部金屬接合層101延伸至金屬接合層201。在一些實施例中，電極203連接至金屬接合層201之頂部，如圖1A中展示。電極203使兩個金屬接合層101與201之間之LED發光層(諸如藍色LED發光層102)短路。在一些實施例中，電極203係一P電極，其透過金屬接合層201連接至發光層202之底部區或底層。在一些實施例中，電極203透過金屬接合層101連接至驅動器電路06。在一些實施例中，驅動器電路06係控制P電極203之一集成電路。在一些實施例中，在LED結構02之表面及側壁上塗佈或沈積一絕緣層04 (諸如二氧化矽層)。在一些實施例中，在絕緣層04之頂部上塗佈一透明導電層05 (諸如氧化銦錫(ITO)層)。透明導電層05透過絕緣層04中之一經蝕刻開口204連接至綠色LED發光層202之頂部區或頂層作為N電極或共同電極。由於藍色LED發光層102在LED結構02中短路，故無光自藍色LED發光層102發射且LED結構02自綠色LED發光層202發射光。
在一些實施例中，經由塗佈或蒸鍍沈積將一電極303放置於LED結構03之側壁上，電極303自底部金屬接合層101延伸至頂部金屬接合層301，如圖1A中展示。在一些實施例中，電極303連接至金屬接合層301之頂部。在一些實施例中，電極303與兩個金屬接合層101與301之間之LED發光層及金屬接合層(諸如藍色LED發光層102、綠色LED發光層202及金屬接合層201)電接觸。在一些實施例中，電極303使兩個金屬接合層101與301之間之LED發光層及金屬接合層(諸如藍色LED發光層102、綠色LED發光層202及金屬接合層201)短路。在一些實施例中，電極303係一P電極，其透過金屬接合層301連接至發光層302之底部區或底層。在一些實施例中，電極303透過金屬接合層101連接至驅動器電路06。在一些實施例中，驅動器電路06係控制P電極303之一集成電路。在一些實施例中，在LED結構03之表面及側壁上塗佈或沈積一絕緣層04 (諸如二氧化矽層)。在一些實施例中，在絕緣層04之頂部上塗佈一透明導電層05 (諸如氧化銦錫(ITO)層)。透明導電層05透過絕緣層04中之一經蝕刻開口304連接至紅色LED發光層302之頂部區或頂層作為N電極或共同電極。由於藍色LED發光層102及綠色LED發光層202在LED結構03中短路，故無光自藍色LED發光層102及自綠色LED發光層202發射且LED結構03自紅色LED發光層302發射光。
在一些實施例中，一LED發光層(諸如102、202及302)包含具有不同組合物之許多磊晶子層。LED發光層之實例包含III-V族氮化物、III-V族砷化物、III-V族磷化物及III-V族銻化物磊晶結構。LED發光層之實例包含基於GaN之UV/藍色/綠色發光層、基於AlInGaP之紅色/橙色發光層及基於GaAs或InP之紅外(IR)發光層。
在一些實施例中，可個別地控制LED結構01、02及03之各者以產生其個別光。在一些實施例中，源自三彩LED裝置100中之全部LED結構01、02及03之操作之來自三彩LED裝置100之經組合光可改變一小佔據面積內之一顯示面板上之一單一像素之色彩。
在一些實施例中，取決於三彩LED裝置100之設計，包含於相同裝置中之LED結構之經發射色彩不限於紅色、綠色及藍色。例如，適合色彩可選自在可見色彩範圍中之自380 nm至700 nm之一波長之一系列不同色彩。在一些實施例中，可實施發射來自諸如紫外及紅外之可見範圍之其他色彩之LED結構。例如，LED發光層之自底部至頂部之三色選取可係藍色、綠色及紅色。在另一實施例中，自底部至頂部之三色選取可係紫外、橙色及紅外。在一些實施例中，LED發光層之其他配置係可行的且自底部沈積至頂部之發光層之色彩之順序亦可改變至諸如紅色、綠色及藍色或紅外、橙色及紫外之組合或任何其他組合。在一些實施例中，一特定LED發光層(諸如102、202及302)之色彩可經選擇以發射適合LED裝置100之設計及功能性之任何色彩。
在一些實施例中，發光層102透過金屬接合層101接合至基板07。在一些實施例中，發光層202透過金屬接合層201接合至發光層102。在一些實施例中，發光層302透過金屬接合層301接合至發光層202。在一些實施例中，金屬接合層101、201及301之各者亦可用作用於反射自各自金屬接合層正上方之LED發光層(諸如102、202及302)發射之光之一反射器。在一些實施例中，金屬接合層101、201及301可係一透明金屬接合層。
在一些實施例中，選用反射層(圖1A中未展示)形成於LED發光層之間以改良光發射效率。
圖1B係根據一些實施例之一雙彩LED裝置200之一橫截面視圖。在一些實施例中，一多彩LED裝置僅包含如圖1A中展示且描述之兩個LED結構01及02 (包含於圖1B中)。存在在製造程序中形成於單像素雙彩LED裝置內之兩個發光層。
在一些實施例中，一多彩LED裝置可在一像素區域內包含三個以上LED結構(諸如四個、五個及六個LED結構等)。在製造程序中形成之發光層之數目與單像素多彩LED裝置內之LED結構之數目相同。例如，若在單像素多彩LED裝置內存在四個LED結構，則在製造程序期間所需之發光層之數目亦係四。
圖2繪示根據一些實施例之圖1A中展示之三彩LED裝置100之一俯視圖。如圖1A中展示，三彩LED裝置包含在支撐基板07上之三個LED結構01、02及03。如圖1A中描述，LED結構01發射藍色LED光，LED結構02發射綠色LED光，且LED結構03發射紅色LED光。在一些實施例中，LED結構01、02及03之各者具有一矩形形狀。在一些實施例中，LED結構可採取其他類型之形狀，諸如圓形、橢圓形、正方形、平行四邊形、三角形、梯形、多邊形等。在一些實施例中，三個LED結構之形狀可係不同的。在一些實施例中，LED結構01、02及03之各者之面積不同，例如，在三個LED結構當中，藍色LED結構01之面積最大且綠色LED結構02之面積最小。在一些實施例中，LED結構之面積相同。
圖3A係根據一些實施例之用於形成三彩LED裝置(如在圖1A及圖2中展示為100)之一多層結構310之一橫截面視圖。更具體言之，圖3A繪示三彩LED裝置之多個層之製造程序。
圖3A展示支撐LED發光層102之基板105。在一些實施例中，基板105由藍寶石組成。在一些實施例中，LED發光層102生長於基板105上。在一些實施例中，LED發光層102係基板105上之一磊晶層。在一些實施例中，LED發光層102用於形成藍色微型LED。在一些實施例中，LED發光層102包含基於GaN之藍色發光層。一藍色LED磊晶層之實例包含III-V族氮化物、III-V族砷化物、III-V族磷化物及III-V族銻化物磊晶結構。在一些例項中，藍色LED發光層102內之膜可包含P型GaN/InGaN發光層/N型GaN之層。在一些實施例中，P型通常摻雜Mg，且N型通常摻雜Si。在一些實例中，LED發光層102之厚度係約0.3微米至約5微米。
圖3A亦展示支撐LED發光層202之一單獨基板205。在一些實施例中，基板205由藍寶石組成。在一些實施例中，LED發光層202生長於基板205上。在一些實施例中，LED發光層202係基板205上之一磊晶層。在一些實施例中，LED發光層202用於形成綠色微型LED。在一些實施例中，LED發光層202包含基於GaN之綠色發光層。一綠色LED磊晶層之實例包含III-V族氮化物、III-V族砷化物、III-V族磷化物及III-V族銻化物磊晶結構。在一些例項中，綠色LED發光層202內之膜可包含P型GaN/InGaN發光層/N型GaN之層。在一些實施例中，P型通常摻雜Mg，且N型通常摻雜Si。在一些實例中，LED發光層202之厚度係約0.3微米至約5微米。
在一些實施例中，一金屬接合層201將LED發光層102及202接合在一起。在一個方法中，在LED發光層102及/或202上生長一金屬接合層201。除金屬接合層之外，金屬接合層201亦可包含歐姆接觸層。在一些實施例中，金屬接合層201之厚度係約0.1微米至約3微米。在一些例項中，兩個金屬層包含於金屬接合層201中。金屬層之一者經沈積於發光層102上。一對應金屬接合層亦經沈積於發光層202上。在一些實施例中，金屬接合層201之組合物包含Au-Au接合、Au-Sn接合、Au-In接合、Ti-Ti接合、Cu-Cu接合或其等之一混合物。例如，若選擇Au-Au接合，則Au之兩個層分別需要作為一黏著層之一Cr塗層及作為一抗擴散層之Pt塗層。且Pt塗層介於Au層與Cr層之間。Cr及Pt層定位於兩個經接合Au層之頂部及底部上。在一些實施例中，當兩個Au層之厚度大約相同時，在一高壓及一高溫下，兩個層上之Au之相互擴散將兩個層接合在一起。共晶接合、熱壓縮接合及暫態液相(TLP)接合係可使用之例示性技術。
一般言之，一LED發光層包含與一p型區/層及一n型區/層之一PN接面，及介於p型區/層與n型區/層之間之一有源層。在一些實施例中，LED發光層102之p型區/層接近金屬接合層201且LED發光層102之n型區/層接近基板105。在一些實施例中，LED發光層202之p型區/層接近金屬接合層201且LED發光層202之n型區/層接近基板205。
在一些實施例中，接著在接合之後(例如)藉由一雷射剝離程序或濕式化學蝕刻移除基板205，從而留下包含基板105、發光層102、金屬接合層201及發光層202之結構。
圖3B係根據一些實施例之用於形成三彩LED裝置(如在圖1A及圖2中展示為100)之一多層結構320之一橫截面視圖。更具體言之，圖3B繪示三彩LED裝置之多個層之製造程序。
圖3B展示支撐LED發光層302之基板305。在一些實施例中，基板305由砷化鎵(GaAs)組成。在一些實施例中，LED發光層302生長於基板305上。在一些實施例中，LED發光層302係基板305上之一磊晶層。在一些實施例中，發光層302用於形成紅色微型LED。在一些實施例中，LED發光層302包含紅色發光層。一紅色LED磊晶層之實例包含III-V族氮化物、III-V族砷化物、III-V族磷化物及III-V族銻化物磊晶結構。在一些例項中，紅色LED發光層302內之膜可包含P型GaP/P型AlGaInP發光層/AlGaInP/N型AlGaInP/N型GaAs之層。在一些實施例中，P型通常摻雜Mg，且N型通常摻雜Si。在一些實例中，LED發光層305之厚度係約0.3微米至約5微米。
在一些實施例中，一金屬接合層301將LED發光層202及302接合在一起。在一個方法中，在LED發光層302及/或202上生長一金屬接合層301。除金屬接合層之外，金屬接合層301亦可包含歐姆接觸層。在一些實施例中，金屬接合層301之厚度係約0.1微米至約3微米。在一些例項中，兩個金屬層包含於金屬接合層301中。金屬層之一者經沈積於發光層302上。一對應金屬接合層亦經沈積於發光層202上。在一些實施例中，金屬接合層202之組合物包含Au-Au接合、Au-Sn接合、Au-In接合、Ti-Ti接合、Cu-Cu接合或其等之一混合物。例如，若選擇Au-Au接合，則Au之兩個層分別需要作為一黏著層之一Cr塗層及作為一抗擴散層之Pt塗層。且Pt塗層介於Au層與Cr層之間。Cr及Pt層定位於兩個經接合Au層之頂部及底部上。在一些實施例中，當兩個Au層之厚度大約相同時，在一高壓及一高溫下，兩個層上之Au之相互擴散將兩個層接合在一起。共晶接合、熱壓縮接合及暫態液相(TLP)接合係可使用之例示性技術。
一般言之，一LED發光層由一PN接面組成。在一些實施例中，LED發光層302之p型區/層接近金屬接合層301且LED發光層302之n型區/層接近基板305。
在一些實施例中，接著在接合之後(例如)藉由一雷射剝離程序或濕式化學蝕刻移除基板105，從而留下包含基板305、發光層302、金屬接合層301、發光層202、金屬接合層201及發光層102之結構。
圖3C係根據一些實施例之用於形成三彩LED裝置(如在圖1A及圖2中展示為100)之一多層結構330之一橫截面視圖。更具體言之，圖3C繪示三彩LED裝置之多個層之製造程序。
在一些實施例中，在進一步接合之前在發光層102上塗佈一介電層106。在一些實施例中，介電層106包含一SiO2 層。
圖3D係根據一些實施例之用於形成三彩LED裝置(如在圖1A及圖2中展示為100)之一多層結構340之一橫截面視圖。更具體言之，圖3D繪示三彩LED裝置之多個層之製造程序。
在一些實施例中，例如，如上文描述，在圖3D中，自底部至頂部，發光層102內之層之順序可係N (底部)及P (頂部)，發光層202內之層之順序可係P (底部)及N (頂部)，且發光層302內之層之順序可係P (底部)及N (頂部)。
在一些實施例中，一金屬接合層101將LED發光層102 (當一選用介電層106不存在時)及具有包含像素驅動器06 (如圖1A中展示)之集成電路之一基板接合在一起。在一些實施例中，基板07包含矽。在一些實施例中，一金屬接合層101將在LED發光層102之表面上之介電層106及具有包含像素驅動器06 (如圖1A中展示)之集成電路之一基板接合在一起。在一個方法中，在基板07及/或LED發光層102 (當一選用介電層106不存在時)上生長一金屬接合層101。在另一方法中，在基板07及/或介電層106 (其在LED發光層102之表面上)上生長一金屬接合層101。除金屬接合層之外，金屬接合層101亦可包含歐姆接觸層。在一些實施例中，金屬接合層101之厚度係約0.1微米至約3微米。在一些例項中，兩個金屬層包含於金屬接合層101中。金屬層之一者經沈積於發光層102上(當一選用介電層106不存在時)或在LED發光層102之表面上之介電層106上。一對應金屬接合層亦經沈積於基板07上。在一些實施例中，金屬接合層101之組合物包含Au-Au接合、Au-Sn接合、Au-In接合、Ti-Ti接合、Cu-Cu接合或其等之一混合物。例如，若選擇Au-Au接合，則Au之兩個層分別需要作為一黏著層之一Cr塗層及作為一抗擴散層之Pt塗層。且Pt塗層介於Au層與Cr層之間。Cr及Pt層定位於兩個經接合Au層之頂部及底部上。在一些實施例中，當兩個Au層之厚度大約相同時，在一高壓及一高溫下，兩個層上之Au之相互擴散將兩個層接合在一起。共晶接合、熱壓縮接合及暫態液相(TLP)接合係可使用之例示性技術。
在一些實施例中，介電層106可用作一絕緣層。在一些實施例中，當LED發光層102之n型區/層接近金屬接合層101時，介電層106可將LED發光層102之n型區/層與金屬接合層101電絕緣。
在一些實施例中，介電層106可用作一反射層。在接合之後，反射層106介於金屬接合層101與發光層102之間。在一些例項中，反射層106之厚度係約0.1微米至約5微米。在一些實施例中，反射層106包含一分散式布拉格(Bragg)反射器(DBR)結構。例如，反射層106由具有不同折射率之交替或不同材料之多個層形成。在一些例項中，DBR結構之各層邊界引起一光波之一部分反射。反射層106可用於反射一些選定波長(例如，藍光)。在一些實施例中，反射層106由SiO2 及Ti3 O5 之多個層製成。藉由分別變動SiO2 及Ti3 O5 層之厚度及數目，可形成不同波長之光之選擇性反射或透射。在一些實施例中，用於一紅光LED之反射層106包含Au或/及氧化銦錫(ITO)之多個層。
在一些實施例中，接著在接合之後(例如)藉由一雷射剝離程序或濕式化學蝕刻移除基板305，從而留下自底部至頂部包含基板07、接合金屬層101、選用絕緣層/反射層106、發光層102、金屬接合層201、發光層202、金屬接合層301及發光層302之結構。
在一些實施例中，如上文繪示，在裝置製造程序中，三個LED發光層以一堆疊結構形成，例如，綠色LED發光層202在藍色LED發光層102之頂部上，且紅色LED發光層302在綠色LED發光層202之頂部上。在一些實施例中，各個接合層101、201及301分別經放置於基板07與LED發光層102之間、LED發光層102與202之間及LED發光層202與302之間。
為了形成如圖1A中展示之三個LED結構01、02及03，進一步圖案化自圖3D形成(在移除基板305之後)之結構340。例如，可施用額外遮罩層及不同蝕刻步驟以圖案化圖1A中之三個LED結構01、02及03。在一些實施例中，為了獲得LED結構01，在LED結構01內移除金屬接合層201、發光層202、金屬接合層301及發光層302。在一些實施例中，為了獲得LED結構02，在LED結構02內移除金屬接合層301及發光層302。在一些實施例中，自LED結構01、02及03外部之空間移除包含接合金屬層101、選用絕緣層/反射層106、發光層102、金屬接合層201、發光層202、金屬接合層301及發光層302之全部層。
在一些實施例中，如圖1A中描述，分別在LED結構01、02及03上形成電極103、203及303。在一些實施例中，電極103、203及303分別電連接至發光層102、202及302之p型層。接著在LED結構01、02及03上方形成一絕緣層04 (諸如二氧化矽)，如圖1A中描述。在一些實施例中，亦在LED結構01、02與03 (圖1A中未展示)之間之空間或間隙中形成絕緣層04。在一些實施例中，如圖1A中描述，在絕緣層04中形成一開口104以曝露發光層102之底部N型層102-2之表面。在一些實施例中，如圖1A中描述，在絕緣層04中形成一開口204以曝露發光層202之頂表面(N型層)。在一些實施例中，如圖1A中描述，在絕緣層04中形成一開口304以曝露發光層302之頂表面(N型層)。在一些實施例中，一ITO層05經形成於多彩LED裝置100之整個表面上方且分別透過開口104、204及304連接至發光層102、202及302之N型層。
在一些實施例中，各LED發光層內之全部P型層(或區)及N型層(或區)之位置或定位可互換。例如，針對圖3D，自底部至頂部，發光層102內之層之順序可係P (底部)及N (頂部)，發光層202內之層之順序可係N (底部)及P (頂部)，且發光層302內之層之順序可係N (底部)及P (頂部) (圖3D中未展示)。
經實施以形成圖1至圖3中之本文中揭示之三彩LED裝置100之方法及程序大大簡化形成具有不同色彩之LED結構之製造步驟。由於全部三個發光層係藉由接合而一起形成為一堆疊結構，故可個別地製造具有一特定色彩之各發光層而無需引入在彼此之頂部上逐個生長或沈積多個層之複雜步驟。另外，在製造步驟期間，全部經形成層可跨不同LED結構共用，且因此，可使用最少圖案化及蝕刻步驟自相同基底層形成具有一特定色彩之各LED結構。方法及程序改良在形成多彩微型LED裝置時之製造效率，且亦藉由減少中間步驟及材料而降低成本。
在一些實施例中，為了形成如圖1B中展示之雙彩LED裝置200，製造步驟與形成三彩LED裝置實質上相同，惟不需要形成發光層302以及其相關金屬接合層301及基板305之步驟除外。
多彩LED裝置之各種設計態樣(諸如層之尺寸(例如，各層之寬度、長度、高度及橫截面積)、電極之尺寸、兩個或更多個LED結構、兩個或更多個發光層、接合層、反射層及導電層之大小、形狀、間隔及配置以及集成電路、像素驅動器與電連接之間之組態)經選擇(例如，使用一成本或效能函數最佳化)以獲得所要LED特性。基於上文之設計態樣變動之LED特性包含(例如)大小、材料、成本、製造效率、光發射效率、功率消耗、方向性、發光強度、光通量、色彩、光譜及空間輻射型樣。
進一步實施例亦包含上文實施例之各種子集，包含在各項實施例中組合或以其他方式重新組合之圖1A、圖1B、圖2及圖3A至圖3D中之實施例。
圖4係根據一些實施例之一微型LED顯示面板400之一俯視圖。顯示面板400包含一數據介面410、一控制模組420及一像素區450。數據介面410接收定義待顯示之影像之數據。此數據之(若干)源及格式將取決於應用而變動。控制模組420接收傳入數據且將其轉換為適用於驅動顯示面板中之像素之一形式。控制模組420可包含用於自經接收格式轉換為適於像素區450之一個格式之數位邏輯及/或狀態機、用於儲存且傳送數據之移位暫存器或其他類型之緩衝器及記憶體、數位轉類比轉換器及位準移位器以及包含計時電路之掃描控制器。
像素區450包含一像素陣列。像素包含與像素驅動器整合之微型LED (諸如一三彩LED 434)，例如，如上文描述。在此實例中，顯示面板400係一彩色RGB顯示面板。其包含紅色、綠色及藍色像素。在各像素內，三彩LED 434由一像素驅動器控制。根據先前展示之實施例，像素經由一接地墊436與一供應電壓(未展示)及接地進行接觸且亦與一控制信號進行接觸。雖然在圖4中未展示，但三彩LED 434之p電極及驅動電晶體之輸出定位於LED 434內，且其等透過金屬接合層(諸如圖1A及圖1B中之金屬接合層101)電連接。根據各項實施例進行LED電流驅動信號連接(LED之p電極與像素驅動器之輸出之間)、接地連接(n電極與系統接地之間)、供應電壓Vdd連接(像素驅動器之源與系統Vdd之間)及至像素驅動器之閘極之控制信號連接。
圖4僅係一代表圖。將明白其他設計。例如，色彩不需要為紅色、綠色及藍色。其等亦不需要以行或條帶配置。作為一個實例，除圖4中展示之像素之一方形矩陣之配置之外，像素之六邊形矩陣之一配置亦可用於形成顯示面板400。
在一些應用中，不需要像素之一完全可程式化矩形陣列。亦可使用本文中描述之裝置結構形成具有各種形狀之顯示面板及顯示器之其他設計。一個類別之實例係專業應用，包含標牌及汽車。例如，多個像素可以星形或螺旋形之形狀配置以形成一顯示面板，且可藉由開啟及關閉LED而產生顯示面板上之不同圖案。另一專業實例係汽車頭燈及智慧型照明，其中某些像素經分組在一起以形成各種照明形狀且LED像素之各群組可藉由個別像素驅動器開啟或關閉或以其他方式調整。
甚至各像素內之裝置之橫向配置可變動。在圖1A、圖1B及圖3A至圖3D中，LED及像素驅動器經垂直配置，即，各LED定位於對應像素驅動器電路之頂部上。其他配置係可行的。例如，像素驅動器亦可定位於LED之「後面」、「前面」或「旁邊」。
可製造不同類型之顯示面板。例如，一顯示面板之解析度可通常在自8x8至3840x2160之範圍內。常見顯示解析度包含具有320x240解析度及4:3之一縱橫比之QVGA、具有1024x768解析度及4:3之一縱橫比之XGA、具有1280x720解析度及16:9之一縱橫比之D、具有1920x3020解析度及16:9之一縱橫比之FHD、具有3840x2160解析度及16:9之一縱橫比之UHD及具有4096x2160解析度之4K。亦可存在在自亞微米及以下至10 mm及以上之範圍內之廣泛多種像素大小。整體顯示區之大小亦可在自小至數十微米或更小之對角線直至數百英寸或更大之對角線之範圍內廣泛地變動。
不同應用亦將具有對於光學亮度之不同要求。例示性應用包含直視顯示螢幕、用於家庭/辦公室投影機之光引擎及攜帶型電子器件(諸如智慧型電話、膝上型電腦、佩戴型電子器件、AR及VR眼鏡及視網膜投影)。功率消耗可自用於視網膜投影機之低至數毫瓦至用於大螢幕戶外顯示器、投影機及智慧型汽車頭燈之高至千瓦變動。在圖框速率方面，歸因於無機LED之快速回應(奈秒)，圖框速率可高至KHz，或針對小解析度甚至為MHz。
進一步實施例亦包含上文實施例之各種子集，包含在各項實施例中組合或以其他方式重新組合之圖1A、圖1B、圖2及圖3A至圖3D及圖4中之實施例。
雖然詳細描述含有許多細節，但此等不應解釋為限制本發明之範疇但僅為繪示本發明之不同實例及態樣。應瞭解，本發明之範疇包含上文未詳細論述之其他實施例。例如，上文描述之方法可應用至除LED之外之功能裝置與除像素驅動器之外之控制電路之整合。非LED裝置之實例包含垂直腔表面發射雷射(VCSEL)、光電偵測器、微機電系統(MEMS)、矽光子裝置、功率電子裝置及分散式回饋雷射(DFB)。實例亦包含有機LED (OLED)裝置。其他控制電路之實例包含電流驅動器、電壓驅動器、跨阻抗放大器及邏輯電路。
提供經揭示實施例之前述描述以使任何熟習此項技術者能夠製造或使用本文中描述之實施例及其變動。熟習此項技術者將容易瞭解對此等實施例之各種修改，且本文中定義之通用原理可應用至其他實施例而不脫離本文中揭示之標的物之精神或範疇。因此，本發明不旨在限於本文中展示之實施例，而是應符合與以下發明申請專利範圍及本文中揭示之原理及新穎特徵一致之最廣範疇。
本發明之特徵可實施於其上儲存有指令/其中可用於程式化一處理系統以執行本文中呈現之任何特徵之一電腦程式產品(諸如(若干)儲存媒體或(若干)電腦可讀儲存媒體)中，使用該電腦程式產品實施或在該電腦程式產品之輔助下實施。儲存媒體可包含(但不限於)高速隨機存取記憶體(諸如DRAM、SRAM、DDR RAM或其他隨機存取固態記憶體裝置)且可包含非揮發性記憶體(諸如一或多個磁碟儲存裝置、光碟儲存裝置、快閃記憶體裝置或其他非揮發性固態儲存裝置)。記憶體視情況包含與(若干) CPU遠端定位之一或多個儲存裝置。記憶體或替代地，記憶體內之非揮發性記憶體裝置包括一非暫時性電腦可讀儲存媒體。
儲存於(若干)任何機器可讀媒體上之本發明之特徵可併入軟體及/或韌體中以控制一處理系統之硬體且使一處理系統能夠利用本發明之結果與其他機構互動。此軟體或韌體可包含(但不限於)應用程式碼、裝置驅動器、作業系統及執行環境/容器。
亦將理解，雖然在本文中可使用術語「第一」、「第二」等來描述各種元件，但此等元件不應受限於此等術語。此等術語僅用以區分一元件與另一元件。
本文中使用之術語僅係出於描述特定實施例之目的且不旨在限制發明申請專利範圍。如實施例之描述及隨附發明申請專利範圍中使用，單數形式「一(a/an)」及「該」旨在亦包含複數形式，除非背景內容另有清楚指示。亦將理解，如本文中使用之術語「及/或」係指且涵蓋相關聯所列品項之一或多者之任何及全部可能組合。將進一步理解，當在本說明書中使用時，術語「包括(comprises及/或comprising)」指定所述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但不排除存在或添加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其等之群組。
如本文中所使用，取決於背景內容，術語「若」可解釋為意謂「當...時」或「在...之後」或「回應於判定」或「根據一判定」或「回應於偵測」，一所述先決條件為真。類似地，片語「若判定[一所述先決條件為真]」或「若[一所述先決條件為真]」或「當[一所述先決條件為真]時」可取決於背景內容視為意指「在判定之後」或「回應於判定」或「根據一判定」或「在偵測之後」或「回應於偵測」，所述先決條件為真。
為了解釋之目的，已參考特定實施例描述前述描述。然而，上文之闡釋性論述不旨在為窮舉性或將發明申請專利範圍限於所揭示之精確形式。鑑於上文中之教示，許多修改及變動係可行的。選取且描述實施例以便最佳解釋操作及實際應用之原理以藉此使其他熟習此項技術者最佳利用本發明及各項實施例。
01:發光二極體(LED)結構 02:發光二極體(LED)結構 03:發光二極體(LED)結構 04:絕緣層 05:透明導電層/氧化銦錫(ITO)層 06:驅動器電路 07:基板/支撐基板 100:三彩發光二極體(LED)裝置 101:金屬接合層 102:發光層/藍色發光二極體(LED)發光層 102-1:頂部區/頂層 102-2:突出區/突出部分/底部N型層 103:P電極/陽極 104:開口 105:基板 106:選用介電層 200:雙彩發光二極體(LED)裝置 201:金屬接合層 202:發光層 203:P電極/陽極 204:開口 205:基板 301:金屬接合層 302:發光層 303:P電極/陽極 304:開口 305:基板 310:多層結構 320:多層結構 330:多層結構 340:多層結構 400:微型發光二極體(LED)顯示面板 410:數據介面 420:控制模組 434:三彩發光二極體(LED) 436:接地墊 450:像素區
為了可更詳細理解本發明，可藉由參考各項實施例之特徵而進行一更特定描述，在隨附圖式中繪示該等各項實施例之一些。然而，隨附圖式僅繪示本發明之相關特徵且因此不應被視為限制性，此係因為描述可允許其他有效特徵。
圖1A係根據一些實施例之一三彩LED裝置之一橫截面視圖。
圖1B係根據一些實施例之一雙彩LED裝置之一橫截面視圖。
圖2繪示根據一些實施例之一三彩LED裝置之一俯視圖。
圖3A係根據一些實施例之用於形成一三彩LED裝置之一多層結構之一橫截面視圖。
圖3B係根據一些實施例之用於形成一三彩LED裝置之一多層結構之一橫截面視圖。
圖3C係根據一些實施例之用於形成一三彩LED裝置之一多層結構之一橫截面視圖。
圖3D係根據一些實施例之用於形成一三彩LED裝置之一多層結構之一橫截面視圖。
圖4係根據一些實施例之一微型LED顯示面板之一俯視圖。
根據一般實務，圖式中繪示之各種構件可不按比例繪製。因此，為了清楚起見，可任意擴展或減小各種構件之尺寸。另外，一些圖式可不描繪一給定系統、方法或裝置之全部組件。最後，貫穿說明書及圖，相同元件符號可用於表示相同構件。
01:發光二極體(LED)結構
02:發光二極體(LED)結構
03:發光二極體(LED)結構
04:絕緣層
05:透明導電層/氧化銦錫(ITO)層
06:驅動器電路
07:基板/支撐基板
100:三彩發光二極體(LED)裝置
101:金屬接合層
102:發光層/藍色發光二極體(LED)發光層
102-1:頂部區/頂層
102-2:突出區/突出部分/底部N型層
103:P電極/陽極
104:開口
201:金屬接合層
202:發光層
203:P電極/陽極
204:開口
301:金屬接合層
302:發光層
303:P電極/陽極
304:開口

Claims (20)

  1. 一種用於一顯示面板之多彩發光二極體(LED)像素裝置，其包括： 一基板，其在一底部處； 一第一LED結構，其經組態以發射一第一色彩而僅具有在該基板上方之一個第一發光層； 一第二LED結構，其在該第一LED結構上方，該第二LED結構經組態以發射一第二色彩而具有該第一發光層及一第二發光層，且該第二發光層在該第一發光層上方； 其中： 該第一發光層包含一第二類型層及一第一類型層，且該第一發光層之該第一類型層在該第一發光層之該第二類型層上方；且 該第二發光層包含一第一類型層及一第二類型層，且該第二發光層之該第二類型層在該第二發光層之該第一類型層上方。
  2. 如請求項1之多彩LED像素裝置，其進一步包括經組態以發射一第三色彩之一第三LED結構，該第三LED結構具有該第一發光層、該第二發光層及一第三發光層， 其中： 該第二發光層在該第一發光層上方，且該第三發光層在該第二發光層上方，且 該第三發光層包含一第一類型層及一第二類型層，且該第三發光層之該第二類型層在該第三發光層之該第一類型層上方。
  3. 如請求項2之多彩LED像素裝置，其中該等第一、第二及第三發光層之各者包含一各自PN接面，且該等第一類型層之各者係該各自PN接面之一P型層且該等第二類型層之各者係該各自PN接面之一N型層。
  4. 如請求項2之多彩LED像素裝置，其中該等第一、第二及第三發光層之各者包含一各自PN接面，且該等第一類型層之各者係該各自PN接面之一N型層且該等第二類型層之各者係該各自PN接面之一P型層。
  5. 如請求項2之多彩LED像素裝置，其中 該基板係一IC基板，且該多彩LED像素裝置形成於該IC基板上； 該第一LED結構中之該第一發光層之該第一類型層使用一第一電極電連接至該IC基板； 該第二LED結構中之該第二發光層之該第一類型層使用一第二電極電連接至該IC基板；且 一頂部透明導電層覆蓋該多彩LED像素裝置且接觸該第一LED結構之該第一發光層之該第二類型層及該第二LED結構之該第二發光層之該第二類型層。
  6. 如請求項5之多彩LED像素裝置，其中 該第三LED結構中之該第三發光層之該第一類型層使用一第三電極電連接至該IC基板；且 該頂部透明導電層接觸該第三LED結構之該第三發光層之該第二類型層。
  7. 如請求項5之多彩LED像素裝置，其中一絕緣層形成於該頂部透明導電層與該多彩LED像素裝置之一表面之間。
  8. 如請求項5之多彩LED像素裝置，其中一第一接合層形成於該IC基板與該第一發光層之間，且一第二接合層形成於該第一發光層與該第二發光層之間。
  9. 如請求項8之多彩LED像素裝置，其中一第三接合層形成於該第二發光層與該第三發光層之間。
  10. 如請求項8之多彩LED像素裝置，其中一介電層形成於該第一接合層與該第一發光層之間。
  11. 如請求項8之多彩LED像素裝置，其中該第二LED結構中之該第二電極電接觸該第一接合層及該第二接合層。
  12. 如請求項9之多彩LED像素裝置，其中該第三LED結構中之一電極電接觸該第一接合層、該第二接合層及該第三接合層。
  13. 如請求項7之多彩LED像素裝置，其中 該第二類型層具有水平延伸至該第一LED結構中之該第一類型層外部之一突部， 一開口形成於覆蓋該突部之該絕緣層中，且 該頂部透明導電層經沈積於該突部上之該開口中。
  14. 如請求項5之多彩LED像素裝置，其中 該第一LED結構中之該第一電極之一第一端觸碰該第一發光層之該第一類型層之一頂表面，且該第一電極之一第二端觸碰該IC基板； 該頂部透明導電層觸碰該第一LED結構中之該第一發光層之該第二類型層； 該第二LED結構中之該第二電極之一第一端電連接該第二發光層中之該第一類型層之一底部，該第二電極之一第二端觸碰該IC基板，且該第二電極之一側壁接觸該第二LED結構中之該第一發光層之一側壁；且 該頂部透明導電層觸碰該第二發光層中之該第二類型層之一頂表面。
  15. 如請求項6之多彩LED像素裝置，其中 該第三LED結構中之該第三電極之一第一端電連接該第三發光層中之該第一類型層之一底部，該第三電極之一第二端觸碰該IC基板，且該第三電極之一側壁接觸該第三LED結構中之該第二發光層及該第一發光層之側壁；且 該頂部透明導電層觸碰該第三發光層中之一第二類型層之一頂表面。
  16. 一種用於製造用於一顯示面板之多彩發光二極體(LED)像素裝置之方法，其包括： 提供一第一基板， 在該第一基板上製造一第一LED發光層， 提供一第二基板， 在該第二基板上製造一第二LED發光層， 使用一第一金屬接合層將該第一LED發光層與該第二LED發光層接合在一起， 移除該第二基板， 提供一第三基板， 在該第三基板上製造一第三LED發光層， 使用一第二金屬接合層將該第二LED發光層與該第三LED發光層接合在一起， 移除該第一基板， 移除該第三基板，及 使用一第三金屬接合層將該第一LED發光層與具有集成電路(IC)之一第四基板接合在一起。
  17. 如請求項16之用於製造多彩LED像素裝置之方法，其進一步包括： 在移除該第一基板之後，在該第一LED發光層上製造一介電層，其中該介電層之一位置介於該第一LED發光層與第三金屬接合層之間。
  18. 如請求項16之用於製造多彩LED像素裝置之方法，其進一步包括： 在移除該第二及該第三LED發光層時使用該第一LED發光層圖案化一第一LED結構， 在移除該第三LED發光層時使用該第一及該第二LED發光層圖案化一第二LED結構，及 使用該第一、該第二及該第三LED發光層圖案化一第三LED結構。
  19. 如請求項18之用於製造多彩LED像素裝置之方法，其進一步包括： 沈積一第一電極以將該第一LED發光層之一第一P型區與該第一LED結構中之該第四基板上之該IC電連接， 沈積一第二電極以將該第二LED發光層之一第二P型區與該第二LED結構中之該第四基板上之該IC電連接， 沈積一第三電極以將該第三LED發光層之一第三P型區與該第三LED結構中之該第四基板上之該IC電連接，及 沈積一共同電極以將該第一LED結構中之該第一LED發光層之一第一N型區、該第二LED結構中之該第二LED發光層之一第二N型區及該第三LED結構中之該第三LED發光層之一第三N型區與一接地電連接。
  20. 如請求項19之用於製造多彩LED像素裝置之方法，其中： 該第一P型區在該第一LED發光層之一頂層上且該第一N型區在該第一LED發光層之一底層上， 該第二P型區在該第二LED發光層之一底層上且該第二N型區在該第二LED發光層之一頂層上，且 該第三P型區在該第三LED發光層之一底層上且該第三N型區在該第三LED發光層之一頂層上。
TW110111498A 2020-03-30 2021-03-30 具有堆疊接合結構之多彩發光二極體(led)之系統及方法 TW202145601A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063002092P 2020-03-30 2020-03-30
US63/002,092 2020-03-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202145601A true TW202145601A (zh) 2021-12-01

Family

ID=77857109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110111498A TW202145601A (zh) 2020-03-30 2021-03-30 具有堆疊接合結構之多彩發光二極體(led)之系統及方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20210305220A1 (zh)
EP (1) EP4128206A4 (zh)
JP (1) JP2023520120A (zh)
KR (1) KR20220162161A (zh)
CN (1) CN115335889A (zh)
AU (1) AU2021246026A1 (zh)
DE (1) DE21780070T1 (zh)
TW (1) TW202145601A (zh)
WO (1) WO2021202521A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11476299B2 (en) * 2020-08-31 2022-10-18 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Double color micro LED display panel
WO2023181246A1 (ja) 2022-03-24 2023-09-28 アルディーテック株式会社 半導体発光素子チップ集積装置およびその製造方法
CN117012865B (zh) * 2023-09-27 2023-12-29 季华实验室 全彩Micro LED显示芯片及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9825088B2 (en) * 2015-07-24 2017-11-21 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
KR102651097B1 (ko) * 2016-10-28 2024-03-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 디스플레이 장치
KR20180071743A (ko) * 2016-12-20 2018-06-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 이를 포함하는 발광 다이오드 디스플레이 장치
US10804429B2 (en) * 2017-12-22 2020-10-13 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED for visible light communication
US11114499B2 (en) * 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10325894B1 (en) * 2018-04-17 2019-06-18 Shaoher Pan Integrated multi-color light-emitting pixel arrays based devices by bonding
US10879419B2 (en) * 2018-08-17 2020-12-29 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
US20210175280A1 (en) * 2019-12-09 2021-06-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device for display and display apparatus having the same
US11404473B2 (en) * 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays

Also Published As

Publication number Publication date
EP4128206A4 (en) 2024-04-24
KR20220162161A (ko) 2022-12-07
US20210305220A1 (en) 2021-09-30
JP2023520120A (ja) 2023-05-16
AU2021246026A1 (en) 2022-11-03
EP4128206A1 (en) 2023-02-08
DE21780070T1 (de) 2023-05-25
CN115335889A (zh) 2022-11-11
WO2021202521A1 (en) 2021-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11955505B2 (en) Systems and methods for coaxial multi-color LED
JP7209634B2 (ja) マイクロｌｅｄの階層を積み重ねることによる半導体デバイスの作製
TWI685095B (zh) 以對準接合及基板移除來製造半導體裝置
EP3610476B1 (en) Display chip
US20210384181A1 (en) Systems and methods for multi-color led pixel unit with vertical light emission
US20220344313A1 (en) Systems and Methods for Multi-Color LED Pixel Unit
TW202145601A (zh) 具有堆疊接合結構之多彩發光二極體(led)之系統及方法
US11967589B2 (en) Systems and methods for multi-color LED pixel unit with horizontal light emission
CN112117356A (zh) 一种全彩有源寻址Micro-LED芯片结构及其制作方法
TW202226633A (zh) 用於同軸多色led之系統和方法
JP2023511847A (ja) 高い光抽出効率を有するマイクロ発光ダイオード
WO2022147742A1 (en) Systems and methods for led structures that increase current flow density
AU2021417264A9 (en) Systems and methods for led structures that increase current flow density