TW202143249A - 熱光伏打電力產生器 - Google Patents

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雷戴爾 李 米爾斯
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Abstract

本發明揭示一種提供電力及熱功率之至少一者之熔化金屬燃料至電漿至電之電源，其包括(i)至少一個反應單元，其用於催化原子氫以形成分數氫(hydrinos)，(ii)包括至少兩個組分之一化學燃料混合物，該等組分選自：H2 O觸媒來源或H2 O觸媒；原子氫來源或原子氫；形成該H2 O觸媒來源或H2 O觸媒及一原子氫來源或原子氫之反應物；及導致該燃料變得高度傳導之一熔化金屬，(iii)一燃料噴射系統，其包括一電磁泵，(iv)至少一組電極，其限制該燃料；及一電源，其提供用以起始該分數氫反應之快速動力學之重複性短時間爆發性低電壓、高電流電能及歸因於形成分數氫之一能量增益，從而形成發射亮光之一電漿，(v)一產物回收系統，諸如一電極電磁泵回收系統及一重力回收系統之至少一者，(vi)一H2 O蒸汽來源，其經供應至該電漿，及(vii)一電力轉換器，其能夠將該電池之該高功率光輸出轉換為電，諸如一聚光型太陽能熱光伏打裝置及一可見且紅外線透明窗或複數個紫外線(UV)光伏打電池或複數個光電電池及一UV窗。

Description

熱光伏打電力產生器
相關申請案之交叉參考 本申請案主張以下申請案之權利：2015年5月9日申請之美國臨時申請案第62/159,230號、2015年5月22日申請之美國臨時申請案第62/165,340號、2015年6月7日申請之美國臨時申請案第62/172,169號、2015年6月10日申請之美國臨時申請案第62/173,911號、2015年6月19日申請之美國臨時申請案第62/182,421號、2015年7月10日申請之美國臨時申請案第62/191,204號、2015年7月24日申請之美國臨時申請案第62,196,751號、2015年8月4日申請之美國臨時申請案第62/200,672號、2015年8月21日申請之美國臨時申請案第62/208,205號、2015年9月11日申請之美國臨時申請案第62/217,411號、2015年9月18日申請之美國臨時申請案第62/220,582號、2015年10月5日申請之美國臨時申請案第62/237,375號、2015年11月11日申請之美國臨時申請案第62/254,104號、2015年11月19日申請之美國臨時申請案第62/257,617號、2015年12月4日申請之美國臨時申請案第62/263,395號及2015年12月17日申請之美國臨時申請案第62/268,963號，該等案皆以引用的方式併入本文中。 本發明係關於電力產生領域，且特定言之係關於用於產生電力之系統、裝置及方法。更特定言之，本發明之實施例係關於電力產生裝置及系統以及相關方法，其等產生光功率、電漿及熱功率且經由一光功率至電力轉換器、電漿至電力轉換器、光子至電力轉換器或一熱功率至電力轉換器產生電力。另外，本發明之實施例描述使用水或基於水之燃料來源之點火以使用光伏打電力轉換器產生光功率、機械功率、電力及/或熱功率之系統、裝置及方法。在本發明中詳細描述此等及其他相關實施例。 電力產生可採用許多形式，利用來自電漿之電力。電漿之成功商業化可取決於能夠高效形成電漿且接著捕捉所產生電漿之電力之電力產生系統。 可在特定燃料之點火期間形成電漿。此等燃料可包含水或基於水之燃料來源。在點火期間，形成剝離電子之原子之一電漿雲，且可釋放高光功率。可藉由本發明之一電轉換器利用電漿之高光功率。離子及激發狀態之原子可重組且經受電子鬆弛以發射光功率。可使用光伏打器件將光功率轉換為電。 本發明之特定實施例係關於一種電力產生系統，其包括：複數個電極，其等經組態以將電力遞送至一燃料以對該燃料點火且產生一電漿；一電源，其經組態以將電能遞送至該複數個電極；及至少一個光伏打電力轉換器，其經定位以接收至少複數個電漿光子。 在一項實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一熔化金屬； 至少一個熔化金屬噴射系統，其包括一熔化金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中該等額外反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O，及 c)至少一個原子氫來源或原子氫； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源以導致該等反應物形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，其中該電源自該電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔化金屬； 光輸出及熱輸出之至少一者至電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統； 其中該熔化金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔化金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短時間爆發性高電流電能； 其中該等電極包括一耐火金屬； 其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短時間爆發性高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器； 其中該熔化金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 其中該熔化金屬貯槽包括一感應耦合加熱器以至少首先加熱形成該熔化金屬之一金屬； 其中該熔化金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中藉由該熔化金屬之該噴射閉合該斷路以導致該高電流流動以達成點火； 其中該熔化金屬點火系統電流在500 A至50,000 A之範圍中； 其中該熔化金屬點火系統其中該電路經閉合以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率； 其中該熔化金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者； 其中該等額外反應物包括H2 O蒸汽及氫氣之至少一者； 其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H2 O及H2 壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將該H2 O及H2 壓力之至少一者維持在一所要值； 其中該額外反應物噴射系統將該H2 O蒸汽壓力維持在0.1托至1托之範圍中； 其中回收該等反應物之產物之該系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之該容器、一電極電磁泵及與該容器連通之該貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度下以導致該熔化金屬之金屬蒸汽凝結在該貯槽中； 其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體； 其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之該壓力之一外腔室； 其中將包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度下； 其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬； 其中該黑體輻射器進一步包括一黑體溫度感測器及控制器； 其中該反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括一熱光伏打轉換器及一光伏打轉換器之群組之至少一者； 其中藉由該電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括自以下選擇之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)、III/V族半導體、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge，且該電力系統進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。 在另一實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於大氣壓之一壓力； 丸粒，其包括反應物，該等反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者； 至少一個丸粒噴射系統，其包括至少一個擴充軌道槍，其中該擴充軌道槍包括分開帶電軌道及產生垂直於該等軌道之平面之一磁場之磁體，且該等軌道之間的電路斷開直至被該丸粒與該等軌道之接觸閉合； 至少一個點火系統，其導致該丸粒形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，至少一個點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該丸粒；及 b)一電源，其遞送一短時間爆發性高電流電能； 其中該至少一組電極形成一斷路，其中藉由該丸粒之該噴射閉合該斷路以導致該高電流流動以達成點火，且遞送一短時間爆發性高電流電能之該電源包括以下至少一者： 一電壓，其經選擇以導致在100 A至1,000,000 A、1 kA至100,000 A、10 kA至50 kA之至少一者之範圍中之一高AC、DC或一AC-DC電流混合物； 一DC或峰值AC電流密度，其在100 A/cm2 至1,000,000 A/cm2 、1000 A/cm2 至100,000 A/cm2 及2000 A/cm2 至50,000 A/cm2 之至少一者之範圍中； 藉由該固體燃料之導電率判定該電壓或其中藉由所要電流乘以固體燃料樣本之電阻得出該電壓； 該DC或峰值AC電壓在0.1 V至500 kV、0.1 V至100 kV及1 V至50 kV之至少一者之範圍中，且 該AC頻率在0.1 Hz至10 GHz、1 Hz至1 MHz、10 Hz至100 kHz及100 Hz至10 kHz之至少一者之範圍中。 一系統，其回收該等反應物之反應產物，該系統包括重力及一擴充電漿軌道槍回收系統之至少一者，該擴充電漿軌道槍回收系統包括提供一磁場及該等點火電極之一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 至少一個再生系統，其由該等反應產物再生額外反應物且形成額外丸粒，該至少一個再生系統包括一製粒機，該製粒機包括形成熔化反應物之一熔爐、將H2 及H2 O添加至該等熔化反應物之一系統、一熔體滴落器及形成丸粒之一水貯槽， 其中該等額外反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者；及 光輸出及熱輸出之至少一者至電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統，該至少一個電力轉換器或輸出系統包括以下之群組之至少一或多者：一光伏打轉換器、一光電子轉換器、一電漿動力學轉換器、一熱離子轉換器、一熱電轉換器、一史特林(Sterling)引擎、一布雷頓(Brayton)循環引擎、一郎肯(Rankine)循環引擎及一熱引擎及一加熱器。 在另一實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於大氣壓之一壓力； 丸粒，其包括反應物，該等反應物包括銀、銅、經吸收氫及水之至少一者； 至少一個丸粒噴射系統，其包括至少一個擴充軌道槍，其中該擴充軌道槍包括分開帶電軌道及產生垂直於該等軌道之平面之一磁場之磁體，且該等軌道之間的電路斷開直至被該丸粒與該等軌道之接觸閉合； 至少一個點火系統，其導致該丸粒形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，至少一個點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該丸粒；及 b)一電源，其遞送一短時間爆發性高電流電能； 其中該至少一組電極經分離以形成一斷路，其中藉由該丸粒之噴射閉合該斷路以導致該高電流流動以達成點火，且遞送一短時間爆發性高電流電能之該電源包括以下至少一者： 一電壓，其經選擇以導致在100 A至1,000,000 A、1 kA至100,000 A、10 kA至50 kA之至少一者之範圍中之一高AC、DC或一AC-DC電流混合物； 一DC或峰值AC電流密度，其在100 A/cm2 至1,000,000 A/cm2 、1000 A/cm2 至100,000 A/cm2 及2000 A/cm2 至50,000 A/cm2 之至少一者之範圍中； 藉由該固體燃料之導電率判定該電壓，其中藉由所要電流乘以固體燃料樣本之電阻得出該電壓； 該DC或峰值AC電壓在0.1 V至500 kV、0.1 V至100 kV及1 V至50 kV之至少一者之範圍中，且 該AC頻率在0.1 Hz至10 GHz、1 Hz至1 MHz、10 Hz至100 kHz及100 Hz至10 kHz之至少一者之範圍中。 一系統，其回收該等反應物之反應產物，該系統包括重力及一擴充電漿軌道槍回收系統之至少一者，該擴充電漿軌道槍回收系統包括提供一磁場及該等點火電極之一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 至少一個再生系統，其由該等反應產物再生額外反應物且形成額外丸粒，該至少一個再生系統包括一製粒機，該製粒機包括形成熔化反應物之一熔爐、將H2 及H2 O添加至該等熔化反應物之一系統、一熔體滴落器及形成丸粒之一水貯槽， 其中該等額外反應物包括銀、銅、經吸收氫及水之至少一者； 至少一個電力轉換器或輸出系統，其包括一聚光器紫外線光伏打轉換器，其中該等光伏打電池包括自III族氮化物、GaAlN、GaN及InGaN選擇之至少一種化合物。 在另一實施例中，本發明係關於一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器； 丸粒，其包括反應物，該等反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者； 至少一個丸粒噴射系統； 至少一個丸粒點火系統，其導致該丸粒形成發光電漿及發熱電漿之至少一者； 一系統，其回收該等反應物之反應產物； 至少一個再生系統，其由該等反應產物再生額外反應物且形成額外丸粒， 其中該等額外反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者；及 該光輸出及熱輸出之至少一者至電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統。 本發明之特定實施例係關於一種電力產生系統，其包括：複數個電極，其等經組態以將電力遞送至一燃料以對該燃料點火且產生一電漿；一電源，其經組態以將電能遞送至該複數個電極；及至少一個光伏打電力轉換器，其經定位以接收至少複數個電漿光子。 在一項實施例中，本發明係關於一種產生直接電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器； 反應物，其等包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個原子氫來源或原子氫； c)一導體及一傳導基質之至少一者；及 至少一組電極，其限制該等分數氫反應物， 一電源，其遞送一短時間爆發性高電流電能； 一再裝載系統； 至少一個系統，其由該等反應產物再生該等初始反應物，及 至少一個電漿動力學轉換器或至少一個光伏打轉換器。 在一項例示性實施例中，一種產生電力之方法可包括：將一燃料供應至複數個電極之間的一區域；供電給該複數個電極以對該燃料點火以形成一電漿；使用一光伏打電力轉換器將複數個電漿光子轉換為電力；且輸出該電力之至少一部分。 在另一例示性實施例中，一種產生電力之方法可包括：將一燃料供應至複數個電極之間的一區域；供電給該複數個電極以對該燃料點火以形成一電漿；使用一光伏打電力轉換器將複數個電漿光子轉換為熱功率；且輸出該電力之至少一部分。 在本發明之一項實施例中，一種產生電力之方法可包括：將一燃料量遞送至一燃料裝載區域，其中該燃料裝載區域定位於複數個電極中；藉由將至少約2,000 A/cm2 之一電流施加至該複數個電極以使該電流流動通過該燃料而對該燃料點火以產生電漿、光及熱之至少一者；在一光伏打電力轉換器中接收該光之至少一部分；使用該光伏打電力轉換器將該光轉換為一不同形式之電力；且輸出該不同形式之電力。 在一額外實施例中，本發明係關於一種水電弧電漿電力系統，其包括：至少一個封閉反應容器；反應物，其等包括H2 O來源及H2 O之至少一者；至少一組電極；一電源，其遞送該H2 O之一初始高擊穿電壓且提供一後續高電流；及一熱交換器系統，其中該電力系統產生電弧電漿、光及熱能；及至少一個光伏打電力轉換器。可在該等電極上或跨該等電極作為蒸汽供應該水。可允許該電漿擴張至該電漿電池之一低電壓區域中以防止歸因於限制而導致之對分數氫反應之抑制。該等電弧電極可包括一火星塞設計。該等電極可包括銅、鎳、具有鉻酸銀及鍍鋅以防腐蝕之鎳、鐵、鎳鐵、鉻、貴金屬、鎢、鉬、釔、銥及鈀之至少一者。在一項實施例中，將該水電弧維持在低水壓下，諸如在約0.01托至10托及0.1托至1托之至少一個範圍中。可針對SF-CIHT電池藉由本發明之構件將該壓力範圍維持在本發明之一個範圍中。供應該水汽之例示性構件係一質量流量控制器及包括H2 O之一貯槽之至少一者，諸如一水化沸石或一鹽浴，諸如在所要壓力範圍下脫出氣體H2 O之一KOH溶液。可藉由一注射泵供應該水，其中至真空中之該遞送導致該水之汽化。 本發明之特定實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm2 或至少約5,000 kW之一電源；複數個電極，其等電耦合至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一固體燃料，其中該複數個電極經組態以將電力遞送至該固體燃料以產生一電漿；及一電漿電力轉換器、一光伏打電力轉換器及熱至電力轉換器之至少一者，其經定位以接收藉由該反應產生之該電漿、光子及/或熱之至少一部分。其他實施例係關於一種電力產生系統，其包括：複數個電極；一燃料裝載區域，其定位於該複數個電極之間且經組態以接收一傳導燃料，其中該複數個電極經組態以將足夠對該傳導燃料點火之一電流施加至該傳導燃料且產生電漿及熱功率之至少一者；一遞送機構，其用於將該傳導燃料移動至該燃料裝載區域中；及將該等電漿光子轉換為一形式之電力之一光伏打電力轉換器或將該熱功率轉換為一非熱形式之電力(包括電或機械功率)之一熱至電轉換器之至少一者。進一步實施例係關於一種產生電力之方法，其包括：將一量之燃料遞送至一燃料裝載區域，其中該燃料裝載區域定位於複數個電極間；藉由將至少約2,000 A/cm2 之一電流施加至該複數個電極以使該電流流動通過該燃料而對該燃料點火以產生電漿、光及熱之至少一者；在一光伏打電力轉換器中接收該光之至少一部分；使用該光伏打電力轉換器將該光轉換為一不同形式之電力；且輸出該不同形式之電力。 額外實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極至少部分圍繞一燃料、電連接至該電源、經組態以接收一電流以對該燃料點火，且該複數個電極之至少一者可移動；一遞送機構，其用於移動該燃料；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。在本發明中另外提供的係一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm2 之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極至少部分圍繞一燃料、電連接至該電源、經組態以接收一電流以對該燃料點火，且該複數個電極之至少一者可移動；一遞送機構，其用於移動該燃料；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。 另一實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW或至少約2,000 A/cm2 之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極之至少一者包含一壓縮機構；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域被該複數個電極圍繞，使得該至少一個電極之該壓縮機構定向成朝向該燃料裝載區域，且其中該複數個電極電連接至該電源且經組態以將電力供應至接收於該燃料裝載區域中之該燃料以對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之光子轉換為一非光子形式之電力。本發明之其他實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm2 之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極之至少一者包含一壓縮機構；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域被該複數個電極圍繞，使得該至少一個電極之該壓縮機構定向成朝向該燃料裝載區域，且其中該複數個電極電連接至該電源且經組態以將電力供應至接收於該燃料裝載區域中之該燃料以對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一電漿電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。 本發明之實施例亦係關於電力產生系統，其包括：複數個電極；一燃料裝載區域，其被該複數個電極圍繞且經組態以接收一燃料，其中該複數個電極經組態以對定位於該燃料裝載區域中之該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之光子轉換為一非光子形式之電力；一移除系統，其用於移除該經點火燃料之一副產物；及一再生系統，其可操作地耦合至該移除系統以用於將該經點火燃料之該經移除副產物再循環為再循環燃料。本發明之特定實施例亦係關於一種電力產生系統，其包括：一電源，其經組態以輸出至少約2,000 A/cm2 或至少約5,000 kW之一電流；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域被該複數個電極圍繞，且其中該複數個電極經組態以將電力供應至該燃料以在該燃料接收於該燃料裝載區域中時對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之複數個光子轉換為一非光子形式之電力。特定實施例可進一步包含以下一或多者：輸出電力終端，其可操作地耦合至該光伏打電力轉換器；一電力儲存裝置；一感測器，其經組態以量測與該電力產生系統相關聯之至少一個參數；及一控制器，其經組態以控制與該電力產生系統相關聯之至少一程序。本發明之特定實施例亦係關於一種電力產生系統，其包括：一電源，其經組態以輸出至少約2,000 A/cm2 或至少約5,000 kW之一電流；複數個隔開電極，其中該複數個電極至少部分圍繞一燃料、電連接至該電源、經組態以接收一電流以對該燃料點火，且該複數個電極之至少一者可移動；一遞送機構，其用於移動該燃料；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之光子轉換為一不同形式之電力。 本發明之額外實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW或至少約2,000 A/cm2 之一電源；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域被該複數個電極圍繞，且其中該複數個電極經組態以將電力供應至該燃料以在該燃料接收於該燃料裝載區域中時對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之複數個光子轉換為一非光子形式之電力；一感測器，其經組態以量測與該電力產生系統相關聯之至少一個參數；及一控制器，其經組態以控制與該電力產生系統相關聯之至少一程序。進一步實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm2 之一電源；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域被該複數個電極圍繞，且其中該複數個電極經組態以將電力供應至該燃料以在該燃料接收於該燃料裝載區域中時對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；一電漿電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力；一感測器，其經組態以量測與該電力產生系統相關聯之至少一個參數；及一控制器，其經組態以控制與該電力產生系統相關聯之至少一程序。 本發明之特定實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW或至少約2,000 A/cm2 之一電源；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域被該複數個電極圍繞，且其中該複數個電極經組態以將電力供應至該燃料以在該燃料接收於該燃料裝載區域中時對該燃料點火，且其中該燃料裝載區域中之一壓力係一部分真空；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。一些實施例可包含以下額外特徵之一或多者：該光伏打電力轉換器可定位於一真空電池內；該光伏打電力轉換器可包含一抗反射塗層、一光學阻抗匹配塗層或一保護塗層之至少一者；該光伏打電力轉換器可操作地耦合至一清潔系統，該清潔系統經組態以清潔該光伏打電力轉換器之至少一部分；該電力產生系統可包含一濾光器；該光伏打電力轉換器可包括一單晶電池、一多晶電池、一非晶電池、一串/帶狀矽電池、一多接面電池、一同質接面電池、異質接面電池、一p-i-n裝置、一薄膜電池、一染料敏化電池及一有機光伏打電池之至少一者；且該光伏打電力轉換器可包括一多接面電池，其中該多接面電池包括一倒轉電池、一直立電池、一晶格失配電池、一晶格匹配電池及包括III-V族半導體材料之一電池之至少一者。 額外例示性實施例係關於一種經組態以產生電力之系統，其包括：一燃料供應器，其經組態以供應一燃料；一電源供應器，其經組態以供應一電力；及至少一個齒輪，其經組態以接收該燃料及該電力，其中該至少一個齒輪選擇性地將該電力引導至圍繞該齒輪之一局部區域以對該局部區域內之該燃料點火。在一些實施例中，該系統可進一步具有以下特徵之一或多者：該燃料可包含一粉末；該至少一個齒輪可包含兩個齒輪；該至少一個齒輪可包含一第一材料及具有低於該第一材料之一導電率之一第二材料，該第一材料電耦合至該局部區域；且該局部區域可相鄰於該至少一個齒輪之一齒及一間隙之至少一者。其他實施例可使用一支撐部件替代一齒輪，而其他實施例可使用一齒輪及一支撐部件。一些實施例係關於一種產生電力之方法，其包括：將一燃料供應至滾輪或一齒輪；旋轉該等滾輪或齒輪以將至少一些燃料定位於該等滾輪或齒輪之一區域處；將一電流供應至該滾輪或齒輪以對該經定位燃料點火以產生能量；且將藉由該點火產生之至少一些能量轉換為電力。在一些實施例中，旋轉該等滾輪或齒輪可包含旋轉一第一滾輪或齒輪及一滾輪或第二齒輪，且供應一電流可包含將一電流供應至該第一滾輪或齒輪及該滾輪或第二齒輪。 其他實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約2,000 A/cm2 之一電源；複數個隔開電極，其等電連接至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收一燃料，其中該燃料裝載區域被該複數個電極圍繞，且其中該複數個電極經組態以將電力供應至該燃料以在該燃料接收於該燃料裝載區域中時對該燃料點火，且其中該燃料裝載區域中之一壓力係一部分真空；一遞送機構，其用於將該燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。 進一步實施例係關於一種電力產生電池，其包括：一出口埠，其耦合至一真空泵；複數個電極，其等電耦合至至少約5,000 kW之一電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收包括大部分H2 O之一基於水之燃料，其中該複數個電極經組態以將電力遞送至該基於水之燃料以產生一電弧電漿及熱功率之至少一者；及一電力轉換器，其經組態以將該電弧電漿及該熱功率之至少一者之至少一部分轉換為電力。亦揭示的係一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 A/cm2 之一電源；複數個電極，其等電耦合至該電源；一燃料裝載區域，其經組態以接收包括大部分H2 O之一基於水之燃料，其中該複數個電極經組態以將電力遞送至該基於水之燃料以產生一電弧電漿及熱功率之至少一者；及一電力轉換器，其經組態以將該電弧電漿及該熱功率之至少一者之至少一部分轉換為電力。在一實施例中，該電力轉換器包括將光功率至電之一光伏打轉換器。 額外實施例係關於一種產生電力之方法，其包括：將一燃料裝載至一燃料裝載區域，其中該燃料裝載區域包含複數個電極；將至少約2,000 A/cm2 之一電流施加至該複數個電極以對該燃料點火以產生一電弧電漿及熱功率之至少一者；執行使該電弧電漿通過一光伏打轉換器以產生電力及使該熱功率通過一熱至電轉換器以產生電力之至少一者；且輸出該所產生電力之至少一部分。亦揭示的係一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW之一電源；複數個電極，其等電耦合至該電源，其中該複數個電極經組態以將電力遞送至包括大部分H2 O之一基於水之燃料以產生一熱功率；及一熱交換器，其經組態以將該熱功率之至少一部分轉換為電力；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將該光之至少一部分轉換為電力。另外，另一實施例係關於一種電力產生系統，其包括：至少約5,000 kW之一電源；複數個隔開電極，其中該複數個電極之至少一者包含一壓縮機構；一燃料裝載區域，其經組態以接收包括大部分H2 O之一基於水之燃料，其中該燃料裝載區域被該複數個電極圍繞，使得該至少一個電極之該壓縮機構定向成朝向該燃料裝載區域，且其中該複數個電極電連接至該電源且經組態以將電力供應至接收於該燃料裝載區域中之該基於水之燃料以對該燃料點火；一遞送機構，其用於將該基於水之燃料移動至該燃料裝載區域中；及一光伏打電力轉換器，其經組態以將由該燃料之該點火產生之電漿轉換為一非電漿形式之電力。
2:電源/電源供應器 4:結構支撐件 4a:軸承 5a:製粒機 5b:第一容器/加熱區段/錐體貯槽 5b1:接頭 5b2:錐體 5b3:電池腔室 5b4:頂蓋 5b5:下腔室 5b6:真空連接線 5b31:反應單元腔室 5c:第二容器/熔體貯槽 5d:坩堝 5e:絕緣體 5f:感應耦合加熱器/感應耦合加熱器線圈 5g:入口管線/電極間隙 5h:入口管線 5i:丸粒滴落器 5j:金屬通路 5k:電磁(EM)泵 5k1:EM泵熱交換器/水冷卻熱轉移板/冷卻系統 5k2:匯流條 5k3:匯流條電流源連接件/引線 5k4:磁體/磁性電路 5k5:磁體/磁性電路/熱障/軛 5k6:泵管 5k7:熱轉移塊體 5k8:饋通 5k31:饋通 5ka:電磁(EM)泵總成 5kb:電磁泵冷卻劑管線饋通總成 5l:區域 5m:感應耦合加熱器 5ma:感應耦合加熱器冷卻劑系統入口 5mb:感應耦合加熱器冷卻劑系統出口 5mc:感應耦合加熱器饋通總成 5o:感應耦合加熱器/感應耦合加熱器線圈 5p:感應耦合加熱器引線 5q:噴嘴 5s:噴嘴冷卻器 5t:丸粒 5u:管線/來源/貯槽/罐/氫供應器 5v:管線/罐 5w:歧管/給料管線/氫供應器 5x:歧管/給料管線 5y:管線/連接管道/歧管 5z:管道起泡器 5z1:噴射器 5z2:流量控制器/電磁閥/噴射器閥 6:功率輸出/終端 7:軸件 8:電極 8a:點火系統 8b:燃料形成及遞送系統 8c:亥姆霍茲線圈磁體/點火產物回收系統/磁場源 8c1:磁體 8d:擋板 8e:點火位置 8f:噴射系統/擴充軌道槍噴射器 8g:間隙 8g1:第二電極通道 8h:絕緣體/裂縫 8i:絕緣區段 8j:傳導區段 8k:噴射地點/區域 8l:區域/側 9:匯流條 10:匯流條 10a:點火系統/饋通 11:水貯槽/水浴 12:馬達 13:馬達 13a:真空泵 13b:吸氣劑/真空連接件/泵管線 13c:泵管線/凸緣 13d:凸緣 13e:電池腔室真空泵管線閥 13f:反應單元真空泵管線閥 15:聚光器光伏打電池 16:噴水器/螺鑚 16a:螺鑚攪拌器/噴水器 23:半透明鏡 26:電池 26a:PV轉換器/光學分佈系統 26b:匯流條 31:光伏打轉換器冷卻系統 31a:冷卻系統 31b:入口 31c:出口 31d:入口 31e:出口 31f:入口 31g:出口 31h:被動冷卻系統/電極 31i:被動冷卻系統 61:基座支撐件 66:噴射螺鑚 66a:丸粒運輸螺鑚 66b:噴射器螺鑚漏斗 67:驅動軸件 71:滑輪 71a:滾輪驅動滑輪 72:皮帶 72a:皮帶張力器 73:軸承 73a:滑環 84:熱交換器冷卻劑入口管線 85:熱交換器冷卻劑出口管線 86:產生器 87:熱交換器 88:線電極 89:相對電極/線網 201:透明套管/透明窗 202:陽極或電子收集器 203:抽氣電極間空間/間隙/電極 204:光陰極或電子發射器 205:輻射 206:負載 207:外部電連接件 208:陽極 209:柵陽極
併入本說明書中且構成本說明書之一部分之隨附圖式圖解說明本發明之若干實施例且連同該描述用於說明本發明之原理。在圖式中： 圖2G1e4係根據本發明之一實施例之透射或半透明類型之一光伏打電池之一示意圖。 圖2G1e5係根據本發明之一實施例之反射或不透明類型之一光伏打電池之一示意圖。 圖2G1e6係根據本發明之一實施例之包括一柵陽極或收集器之反射或不透明類型之一光伏打電池之一示意圖。 圖2H1係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有藉由兩個運輸機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、一製粒機及一光伏打轉換器系統之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2H2係根據本發明之一實施例之展示點火系統及其電源供應器之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2H3係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有藉由兩個運輸機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、一製粒機及一光伏打轉換器系統且展示點火系統及光伏打轉換器系統之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2H4係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有藉由兩個運輸機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、一製粒機及一光伏打轉換器系統且展示點火及噴射系統、點火產物回收系統及形成丸粒燃料之製粒機之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I1係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有直接由一製粒機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統之兩個視圖之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I2係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有直接由一製粒機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I3係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有直接由一製粒機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統且展示軌道槍噴射器及點火系統及光伏打轉換器系統之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I4係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有直接由一製粒機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統且展示具有一機械攪拌器之噴射系統、點火系統、點火產物回收系統及形成丸粒燃料之製粒機之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I5係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有直接由一製粒機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統且展示具有一噴水攪拌器之噴射系統、點火系統、點火產物回收系統及形成丸粒燃料之製粒機之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I6係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有直接由一製粒機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統且展示具有一水滑道單行給料機之噴射系統、點火系統、點火產物回收系統及在容器之間具有一電磁泵之形成丸粒燃料之製粒機之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I7係根據本發明之一實施例之展示在圖2I6中展示之製粒機之剖面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I8係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有直接由一製粒機給料之一電磁噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統且展示具有一電磁泵及噴嘴之噴射系統、點火系統、點火產物回收系統及形成丸粒燃料之製粒機之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I9係根據本發明之一實施例之展示在圖2I8中展示之製粒機之剖面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I10係根據本發明之一實施例之展示能夠維持一真空之一電池、具有固定電極及直接由一製粒機給料之一電磁噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統且展示具有一電磁泵及噴嘴之噴射系統、固定電極點火系統、點火產物回收系統及形成丸粒燃料之製粒機之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I11係根據本發明之一實施例之展示在圖2I10中展示之製粒機之剖面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I12係根據本發明之一實施例之展示在圖2I10及圖2I11中展示之電極及電極之兩個剖面視圖之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I13係根據本發明之一實施例之展示在圖2I10中展示之製粒機(具有一管道起泡器以將諸如H2 及水蒸汽之氣體引入至熔體)之剖面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I14係根據本發明之一實施例之展示在第二容器中具有一管道起泡器以將諸如H2 及水蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、兩個電磁泵及將丸粒噴射至電極底部中之一噴嘴之剖面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I15係根據本發明之一實施例之展示具有來自底部之丸粒噴射之電極之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I16係根據本發明之一實施例之展示一電磁泵之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I17係根據本發明之一實施例之展示在第二容器中具有一管道起泡器以將諸如H2 及水蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、兩個電磁泵及將丸粒噴射至電極頂部中之一噴嘴之剖面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I18係根據本發明之一實施例之展示具有來自頂部之丸粒噴射之電極之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I19係根據本發明之一實施例之展示在錐形貯槽及一直接噴射器中皆具有一管道起泡器以將諸如H2 及水蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、一個電磁泵及將丸粒噴射至電極底部中之一噴嘴之剖面之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I20係根據本發明之一實施例之展示具有來自底部之丸粒噴射及氣體噴射(諸如H2 及水蒸汽噴射)之電極之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I21係根據本發明之一實施例之在圖2I19中展示之SF-CIHT電池電力產生器之兩個全視圖之一示意圖。 圖2I22係根據本發明之一實施例之展示一電極冷卻系統之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I23係根據本發明之一實施例之展示具有被動式光伏打轉換器冷卻系統、主動及被動式電極冷卻系統及收氣器系統之電池之兩個視圖之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I24係根據本發明之一實施例之展示一電容器組點火系統之一熱光伏打、光伏打、光電、熱離子及熱電SF-CIHT電池電力產生器之至少一者之一示意圖。 圖2I25係根據本發明之一實施例之在圖2I24中展示之SF-CIHT電池電力產生器之一內部視圖之一示意圖。 圖2I26係根據本發明之一實施例之在圖2I25中展示之SF-CIHT電池電力產生器之噴射及點火系統之進一步細節之一內部視圖之一示意圖。 圖2I27係根據本發明之一實施例之在圖2I26中展示之SF-CIHT電池電力產生器之噴射及點火系統之額外細節之一內部視圖之一示意圖。 圖2I28係根據本發明之一實施例之具有及不具有磁體之在圖2I27中展示之SF-CIHT電池電力產生器之電磁泵之磁軛總成之一示意圖。 圖2I29係根據本發明之一實施例之展示藉由緊固件固持之葉片電極及包括一磁路之一電極電磁泵之一熱光伏打、光伏打、光電、熱離子及熱電SF-CIHT電池電力產生器之至少一者之一示意圖。 圖2I30係根據本發明之一實施例之在圖2I29中展示之SF-CIHT電池電力產生器之噴射及點火系統之進一步細節之一內部視圖之一示意圖。 圖2I31係根據本發明之一實施例之在圖2I29中展示之SF-CIHT電池電力產生器之噴射及點火系統之進一步細節之一剖面視圖之一示意圖。 圖2I32係根據本發明之一實施例之展示一光學分佈及光伏打轉換器系統之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖2I33係根據本發明之一實施例之展示一光學分佈及光伏打轉換器系統之細節之一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖。 圖3係在滴落至展示527 kW之一平均光功率之一水貯槽中之前包括自銀熔體之氣體處理吸收之H2 及H2 O之一80 mg銀丸粒之5 nm至450 nm點火區域中(本質上皆在根據一燃料實施例之紫外線及極紫外線光譜區域中)之絕對光譜。 圖4係根據本發明之一實施例之泵抽至具有約1托之一周圍H2 O蒸汽壓力之大氣氬中之W電極中之一熔化銀之點火光譜(歸因於藍寶石光譜儀窗而在180 nm處具有一截止點之100 nm至500 nm區域)，其在大氣壓對於具有銀汽化之UV輻射在光學上變厚時展示躍遷至5000 K黑體輻射之UV線發射。 圖5係根據本發明之一實施例之一熱功率系統之一示意圖。 在本文中揭示的係釋放來自原子氫之能量以形成較低能態之觸媒系統，其中電子殼處於相對於核更靠近之一位置處。經釋放電力被電力產生利用且另外氫物種及化合物係所要產物。此等能態藉由經典物理定律預測且要求一觸媒接受來自氫之能量，以便經受對應能量釋放躍遷。 經典物理學給出氫原子、氫化物離子、氫分子離子及氫分子之閉型解(closed-form solution)且預測具有分數主量子數(fractional principal quantum number)之對應物種。原子氫可經受與特定物種(包含其自身)之一觸媒反應，該等特定物種可接受呈原子氫之位能之整數倍之能量，
Figure 02_image003
，其中m係一整數。所預測反應涉及自其他穩定原子氫至能夠接受能量之觸媒之一諧振、非輻射能量轉移。乘積係H(1/P)，原子氫之分數芮得柏(Rydberg)狀態稱為「分數氫原子」，其中n=1/2、1/3、1/4、……、1/p (p≤137係一整數)替代用於氫激發狀態之芮得柏方程式中之熟知參數n=整數。各分數氫狀態亦包括一電子、一質子及一光子，但來自光子之場分佈增大結合能而非減小之，此對應於能量解吸而非吸收。由於原子氫之位能係27.2 eV，故m個H原子充當用於另一第(m+1)個H原子[1]之
Figure 02_image005
之一觸媒。舉例而言，一H原子可藉由經由貫穿空間之能量轉移(諸如藉由磁性或感應電偶極-偶極耦合)自另一H接受27.2 eV而用作另一H之一觸媒以形成隨著具有
Figure 02_image007
之短波長截止點及能量之連續譜帶之發射而衰變之一中間產物。除原子H以外，憑藉使一分子之位能之量值減小相同能量而自原子H接受
Figure 02_image009
之該分子亦可充當一觸媒。H2 O之位能係81.6 eV。接著，藉由相同機制，預測藉由一金屬氧化物之一熱力有利減少形成之新生H2 O分子(並非在固態、液態或氣態中鍵結之氫)以充當一觸媒以形成具有204 eV之一能量釋放之H(1/4)，其包括至HOH之一81.6 eV轉移及具有10.1 nm處之一截止點之連續輻射之一釋放(122.4 eV)。 在涉及至
Figure 02_image011
狀態之一躍遷之H原子觸媒反應中，m個H原子充當用於另一第(m+1)個H原子之
Figure 02_image009
之一觸媒。接著，m+1個氫原子之間的反應(藉此m個原子諧振且非輻射地接受來自第(m+1)個氫原子之
Figure 02_image009
，使得mH充當觸媒)由以下得出：
Figure 02_image013
且，總反應係
Figure 02_image015
關於新生H2 O [1]之位能之觸媒反應
Figure 02_image017
係
Figure 02_image019
且，總反應係
Figure 02_image021
在能量轉移至觸媒(方程式(1)及(5))之後，形成具有H原子之半徑及一質子之中心場之m+1倍之一中心場之一中間產物
Figure 02_image023
。半徑經預測為減小，此係由於電子經受徑向加速至具有未催化氫原子之半徑之1/(m+1)之一半徑之一穩定狀態，其具有
Figure 02_image025
之能量釋放。歸因於
Figure 02_image023
中間產物(例如，方程式(2)及方程式(6))之極紫外線連續輻射譜帶經預測以具有由
Figure 02_image028
得出且延伸至比對應截止點長之波長之一短波長截止點及能量
Figure 02_image030
。此處，歸因於
Figure 02_image032
中間產物之衰變之極紫外線連續輻射譜帶經預測以具有處於
Figure 02_image034
且延伸至更長波長之一短波長截止點[其中在方程式(9)中，p=m+1=4且m=3]。處於10.1 nm且針對H至更低能量(所謂「分數氫」狀態H(1/4))之理論預測躍遷進行至更長波長之連續輻射譜帶經觀察以僅由包括一些氫之脈衝自束氣體放電引起。藉由方程式(1)及(5)預測之另一觀察係由快H+之重組形成快速激發狀態之H原子。快原子導致增寬巴耳末(Balmer) α發射。在特定混合氫電漿中顯示超高動能氫原子之一群體之大於50 eV之巴耳末α線增寬係一良好建立之現象，其中原因係歸因於分數氫之形成中釋放之能量。先前在連續發射氫自束電漿中觀察到快H。 形成分數氫之額外觸媒及反應係可能的。可基於其等之已知電子能階識別之特定物種(例如，He+ 、Ar+ 、Sr+ 、K、Li、HCl及NaH、OH、SH、SeH、新生H2 O、nH (n=整數))需與原子氫一起存在以催化過程。反應涉及一非輻射能量轉移，其後接著至H之
Figure 02_image036
連續發射或
Figure 02_image036
轉移以形成超熱激發狀態之H及在能量上低於對應於一分數主量子數之未反應原子氫之一氫原子。即，在氫原子之主能階之公式中：
Figure 02_image038
其中
Figure 02_image040
係氫原子之波爾(Bohr)半徑(52.947 pm)，e係電子之電荷量值，且
Figure 02_image042
係真空介電係數，分數量子數：
Figure 02_image044
其中p≤137係一整數                              (12) 替代用於氫激發狀態之芮得柏方程式中之熟知參數n=整數且表示稱為「分數氫」之較低能態氫原子。氫之n=1狀態及氫之n=
Figure 02_image046
狀態係非輻射的，但可經由一非輻射能量轉移實現兩個非輻射狀態之間的一躍遷(例如，n=1至n=1/2)。氫係藉由方程式(10)及(12)給出之穩定狀態之一特殊情況，其中氫或分數氫原子之對應半徑由以下得出
Figure 02_image048
其中p=1、2、3、……。為節約能量，必須以n=1常態中之氫原子之位能之一整數為單位將能量自氫原子轉移至觸媒，且半徑躍遷至
Figure 02_image050
。藉由使一普通氫原子與具有
Figure 02_image052
(其中m係一整數)之一淨反應焓之一合適觸媒反應而形成分數氫。據信，催化速率由於淨反應焓更緊密匹配至
Figure 02_image054
而增大。已發現，具有
Figure 02_image054
之±10% (較佳地，±5%)內之一淨反應焓之觸媒適用於大部分應用。 觸媒反應涉及能量釋放之兩個步驟：至觸媒之一非輻射能量轉移，其後接著隨著半徑減小至對應穩定最終狀態而釋放額外能量。因此，一般反應由以下得出
Figure 02_image057
Figure 02_image059
Figure 02_image060
且總反應係
Figure 02_image062
q、r、m及p係整數。
Figure 02_image064
具有氫原子之半徑(對應於分母中之1)及等於一質子之中心場之
Figure 02_image066
倍之一中心場，且
Figure 02_image068
係具有H之半徑之
Figure 02_image070
之半徑之對應穩定狀態。 觸媒產物
Figure 02_image072
亦可與一電子反應以形成一分數氫氫化物離子
Figure 02_image074
，或兩個
Figure 02_image072
可反應以形成對應分子分數氫
Figure 02_image076
。特定言之，觸媒產物
Figure 02_image072
亦可與一電子反應以形成具有一結合能
Figure 02_image078
之一新穎氫化物離子
Figure 02_image074
Figure 02_image080
其中p=整數＞1，s=1/2，
Figure 02_image082
係普朗克常數棒(Planck's constant bar)，
Figure 02_image084
係真空磁導率，
Figure 02_image086
係電子質量，
Figure 02_image088
係藉由
Figure 02_image090
得出之減小電子質量，其中
Figure 02_image092
係質子質量，
Figure 02_image094
係波爾半徑，且離子半徑係
Figure 02_image096
。自方程式(19)，氫化物離子之經計算電離能量係0.75418 eV，且實驗值係6082.99±0.15 cm-1 (0.75418 eV)。可藉由X射線光電子光譜(XPS)量測分數氫氫化物離子之結合能。 高磁場位移(upfield-shift)之NMR峰係具有相對於普通氫化物離子之一減小半徑且具有質子之反磁屏蔽之一增大之較低能態氫存在之直接證據。藉由兩個電子之反磁性與具有量值p之光子場之貢獻總和得出位移(Mills GUTCP方程式(7.87))：
Figure 02_image098
其中第一項適用於p=1之
Figure 02_image100
且對於
Figure 02_image102
，p=整數＞1，且α係精細結構常數。所預測分數氫氫化物峰相對於普通氫化物離子存在明顯高磁場位移。在一實施例中，峰係TMS之高磁場。相對於TMS之NMR位移可大於已知的單獨普通
Figure 02_image104
、H、H2 或H+ 或包括一化合物之至少一者之位移。位移可大於0、-1、-2、-3、-4、-5、-6、-7、-8、-9、-10、-11、-12、-13、-14、-15、-16、-17、-18、-19、-20、-21、-22、-23、-24、-25、-26、-27、-28、-29、-30、-31、-32、-33、-34、-35、-36、-37、-38、-39及-40 ppm之至少一者。相對於一裸質子之絕對位移之範圍(其中TMS相對於一裸質子之位移約為-31.5)可為在-(p29.9+p2 2.74) ppm (方程式(20))之±5 ppm、±10 ppm、±20 ppm、±30 ppm、±40 ppm、±50 ppm、±60 ppm、±70 ppm、±80 ppm、±90 ppm及±100 ppm之約至少一者之一範圍內。相對於一裸質子之絕對位移之範圍可為在約0.1%至99%、1%至50%及1%至10%之約至少一者之一範圍內之-(p29.9+P2 1.59 × 10-3 ) ppm (方程式(20))。在另一實施例中，一分數氫物種(諸如一分數氫原子、氫化物離子或一固體基質(諸如NaOH或KOH之氫氧化物之一基質)中之分子)之存在導致基質質子存在高磁場位移。基質質子(諸如NaOH或KOH之基質質子)可互換。在一實施例中，位移可導致基質峰處於相對於TMS之約-0.1 ppm至-5 ppm之範圍中。NMR判定可包括魔角自旋
Figure 02_image106
磁核諧振光譜(
Figure 02_image108
)。
Figure 02_image110
可與一質子反應且兩個
Figure 02_image110
可反應以分別形成
Figure 02_image112
及
Figure 02_image114
。氫分子離子及分子電荷及電流密度函數、鍵距及能量在具有非輻射約束之橢圓座標中自拉普拉斯算符(Laplacian)求解。
Figure 02_image116
在長球體分子軌域之各焦點處具有一中心場
Figure 02_image118
之氫分子離子之總能量
Figure 02_image120
係
Figure 02_image122
其中p係一整數，c係真空中之光速，且
Figure 02_image124
係減小核質量。在長球體分子軌域之各焦點處具有一中心場
Figure 02_image118
之氫分子之總能量係
Figure 02_image126
氫分子
Figure 02_image128
之鍵解離能
Figure 02_image130
係對應氫原子之總能量與
Figure 02_image120
之間的差
Figure 02_image133
其中
Figure 02_image135
Figure 02_image130
由方程式(23-25)得出：
Figure 02_image137
可藉由X射線光電子光譜(XPS)識別
Figure 02_image114
，其中除電離電子以外的電離產物可為諸如包括兩個質子及一電子、一氫(H)原子、一分數氫原子、一分子離子、氫分子離子及
Figure 02_image112
之彼等電離產物之至少一種可能，其中可藉由基質使能量位移。 觸媒產物氣體之NMR提供
Figure 02_image114
之理論預測化學位移之一確定性測試。一般言之，
Figure 02_image114
之
Figure 02_image140
諧振歸因於橢圓座標中之分數半徑(其中電子明顯更接近於核)而經預測為來自
Figure 02_image142
之
Figure 02_image140
諧振之高磁場。藉由兩個電子之反磁性與具有量值p之光子場之貢獻總和得出
Figure 02_image114
之預測位移
Figure 02_image145
(Mills GUTCP方程式(11.415-11.416))：
Figure 02_image147
其中第一項適用於p=1之
Figure 02_image142
且對於
Figure 02_image114
，p=整數＞1。-28.0 ppm之實驗絕對
Figure 02_image142
氣相諧振位移與-28.01 ppm之所預測絕對氣相位移(方程式(28))優良地一致。所預測分子分數氫峰相對於普通
Figure 02_image142
存在明顯高磁場位移。在一實施例中，峰係TMS之高磁場。相對於TMS之NMR位移可大於已知的單獨普通
Figure 02_image104
、H、H2 或H+ 或包括一化合物之至少一者之位移。位移可大於0、-1、-2、-3、-4、-5、-6、-7、-8、-9、-10、-11、-12、-13、-14、-15、-16、-17、-18、-19、-20、-21、-22、-23、-24、-25、-26、-27、-28、-29、-30、-31、-32、-33、-34、-35、-36、-37、-38、-39及-40 ppm之至少一者。相對於一裸質子之絕對位移之範圍(其中TMS相對於一裸質子之位移約為-31.5 ppm)可為在-(p28.01+p2 2.56) ppm (方程式(28))之±5 ppm、±10 ppm、±20 ppm、±30 ppm、±40 ppm、±50 ppm、±60 ppm、±70 ppm、±80 ppm、±90 ppm及±100 ppm之約至少一者之一範圍內。相對於一裸質子之絕對位移之範圍可為在約0.1%至99%、1%至50%及1%至10%之約至少一者之一範圍內之-(p28.01+P2 1.49 × 10-3 ) ppm (方程式(28))。 氫型分子
Figure 02_image114
之
Figure 02_image151
至
Figure 02_image153
躍遷之振動能
Figure 02_image155
係
Figure 02_image157
其中p係整數。 氫型分子
Figure 02_image114
之J至J+1躍遷之旋轉能
Figure 02_image159
係
Figure 02_image161
其中p係整數且I係慣性矩。對於氣體中且捕集於固體基質中之電子束激發分子觀察到
Figure 02_image163
之轉振發射。 旋轉能之
Figure 02_image165
相依性由核間距離之一逆p相依性及對慣性矩I之對應影響而導致。
Figure 02_image114
之所預測核間距離2c’係
Figure 02_image168
可藉由電子束激發發射光譜、拉曼(Raman)光譜及傅里葉(Fourier)變換紅外線(FTIR)光譜之至少一者來量測
Figure 02_image114
之旋轉能及振動能之至少一者。
Figure 02_image114
可捕集於一基質中以便量測，諸如在MOH、MX及M2 CO3 (M=鹼；X=鹵化物)基質之至少一者中。 在一實施例中，分子分數氫產物經觀察為在約1950 cm-1 處之一反拉曼效應(IRE)峰。藉由使用包括相當於支援一表面增強拉曼散射(SERS)展示IRE峰之拉曼雷射波長之粗糙度特徵或粒子大小之一傳導材料來增強峰。I. 觸媒 在本發明中，諸如分數氫反應、H觸媒作用、H觸媒反應、參考氫時之觸媒作用、形成分數氫之氫反應及分數氫形成反應之術語皆係指諸如藉由方程式(14)界定之一觸媒與原子H反應以形成具有藉由方程式(10)及(12)得出之能階之氫狀態之方程式(15-18)之反應。諸如分數氫反應物、分數氫反應混合物、觸媒混合物、用於分數氫形成之反應物、產生或形成較低能態氫或分數氫之反應物之對應術語亦可在參考執行H至具有藉由方程式(10)及(12)得出之能階之H狀態或分數氫狀態之觸媒作用之反應混合物時互換地使用。 本發明之觸媒較低能氫躍遷需要可呈未催化原子氫之位能(27.2 eV)之一整數m之一吸熱化學反應之形式之一觸媒，其接受來自原子H之能量以導致躍遷。吸熱觸媒反應可為自諸如一原子或離子之一物種電離一或多個電子(例如，對於
Figure 02_image170
，m=3)且可進一步包括鍵裂解與自一或多種初始鍵搭配物電離一或多個電子之協同反應(例如，對於
Figure 02_image172
，m=2)。He+ 因其以54.417 eV (其係
Figure 02_image174
)電離而滿足觸媒準則—焓變等於27.2 eV 之整數倍的化學或物理過程。整數個氫原子亦可充當27.2 eV焓之一整數倍之觸媒。觸媒能夠以約
Figure 02_image176
及
Figure 02_image178
之一者為整數單位接受來自原子氫之能量。 在一實施例中，觸媒包括一原子或離子M，其中t個電子自原子或離子M各電離至一連續能階，使得t個電子之電離能之總和約為
Figure 02_image180
及
Figure 02_image182
之一者，其中m係一整數。 在一實施例中，觸媒包括一雙原子分子MH，其中M-H鍵斷裂加上t個電子自原子M各電離至一連續能階，使得t個電子之鍵能與電離能之總和約為
Figure 02_image180
及
Figure 02_image182
之一者，其中m係一整數。 在一實施例中，觸媒包括自AlH、AsH、BaH、BiH、CdH、ClH、CoH、GeH、InH、NaH、NbH、OH、RhH、RuH、SH、SbH、SeH、SiH、SnH、SrH、TlH、C2 、N2 、O2 、CO2 、NO2 及NO3 之分子選擇之原子、離子及/或分子及Li、Be、K、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、As、Se、Kr、Rb、Sr、Nb、Mo、Pd、Sn、Te、Cs、Ce、Pr、Sm、Gd、Dy、Pb、Pt、Kr、2K+ 、He+ 、Ti2+ 、Na+ 、Rb+ 、Sr+ 、Fe3+ 、Mo2+ 、Mo4+ 、In3+ 、He+ 、Ar+ 、Xe+ 、Ar2+ 及H+ 及Ne+ 及H+ 之原子或離子。 在其他實施例中，藉由以下提供產生分數氫之
Figure 02_image186
型氫觸媒：將一電子轉移至一受體A、M-H鍵斷裂加上t個電子自原子M各電離至一連續能階，使得包括MH與A之電子親和力(EA)差異之電子轉移能量、M-H鍵能及t個電子自M電離之電離能之總和約為
Figure 02_image180
，其中m係一整數。能夠提供約
Figure 02_image180
之一淨反應焓之
Figure 02_image186
型氫觸媒係
Figure 02_image188
、
Figure 02_image190
、
Figure 02_image192
、
Figure 02_image194
及
Figure 02_image196
。 在其他實施例中，藉由以下提供產生分數氫之MH+ 型氫觸媒：自一施體A (其可帶負電)轉移一電子、M-H鍵斷裂及t個電子自原子M各電離至一連續能階，使得包括MH與A之電離能差異之電子轉移能量、M-H鍵能及來t個電子自M電離之電離能之總和約為
Figure 02_image180
，其中m係一整數。 在一實施例中，一分子或帶正電或負電之分子離子之至少一者充當接受來自原子H之約m27.2 eV之一觸媒，其中分子或帶正電或負電之分子離子之位能之量值減小約m27.2 eV。例示性觸媒係H2 O、OH、醯胺基NH2 及H2 S。 O2 可充當一觸媒或一觸媒來源。氧分子之鍵能係5.165 eV，且一氧原子之第一、第二及第三電離能分別係13.61806 eV、35.11730 eV及54.9355 eV。反應
Figure 02_image199
、
Figure 02_image201
及
Figure 02_image203
分別提供
Figure 02_image205
之約2、4及1倍之一淨焓，且包括觸媒反應以藉由接受來自H之此等能量以導致分數氫之形成而形成分數氫。II. 分數氫 具有藉由
Figure 02_image207
(其中p係大於1之一整數，較佳地自2至137)得出之一結合能之一氫原子係本發明之H觸媒反應之產物。一原子、離子或分子之結合能(亦稱為電離能)係自原子、離子或分子移除一個電子所需之能量。具有在方程式(10)及(12)中得出之結合能之一氫原子在下文中被稱為一「分數氫原子」或「分數氫」。用於具有半徑
Figure 02_image209
(其中
Figure 02_image211
係一普通氫原子之半徑且p係一整數)之一分數氫之表示法係
Figure 02_image213
。具有一半徑
Figure 02_image211
之一氫原子在下文中被稱為「普通氫原子」或「標準氫原子」。普通原子氫之特徵為其之結合能係13.6 eV。 根據本發明，提供之一分數氫氫化物離子(
Figure 02_image216
)具有根據方程式(19)之一結合能，對於p=2直至23，該結合能大於普通氫化物離子之結合能(約0.75 eV)且對於p=24 (
Figure 02_image216
)則小於普通氫化物離子之結合能。對於方程式(19)之p=2至p=24，氫化物離子結合能分別為3、6.6、11.2、16.7、22.8、29.3、36.1、42.8、49.4、55.5、61.0、65.6、69.2、71.6、72.4、71.6、68.8、64.0、56.8、47.1、34.7、19.3及0.69 eV。亦在本文中提供包括新穎氫化物離子之例示性組成物。 亦提供包括一或多個分數氫氫化物離子及一或多個其他元素之例示性化合物。此一化合物被稱為一「分數氫氫化物化合物」。 普通氫物種之特徵為以下結合能(a)氫化物離子，0.754 eV (「普通氫化物離子」)；(b)氫原子(「普通氫原子」，13.6 eV)；(c)雙原子氫分子，15.3 eV (「普通氫分子」)；(d)氫分子離子，16.3 eV (「普通氫分子離子」)；及(e)
Figure 02_image218
，22.6 eV (「普通三氫分子離子」)。此處，參考氫形式，「標準」及「普通」係同義的。 根據本發明之一進一步實施例，提供一化合物，其包括至少一個增大結合能氫物種，諸如(a)具有約
Figure 02_image220
之一結合能之一氫原子，諸如在
Figure 02_image220
之約0.9至1.1倍之一範圍內，其中p係自2至137之一整數；(b)具有約 結合能=
Figure 02_image222
之一結合能之一氫化物離子(
Figure 02_image216
)，諸如在 結合能=
Figure 02_image222
之約0.9至1.1倍之一範圍內，其中p係自2至24之一整數；(c)
Figure 02_image225
；(d)具有約
Figure 02_image227
之一結合能之三分數氫(trihydrino)分子離子
Figure 02_image229
，諸如在
Figure 02_image227
之約0.9至1.1倍之一範圍內，其中p係自2至137之一整數；(e)具有約
Figure 02_image231
之一結合能之二分數氫(dihydrino)，諸如在
Figure 02_image231
之約0.9至1.1倍之一範圍內，其中p係自2至137之一整數；(f)具有約
Figure 02_image233
之一結合能之二分數氫分子離子，諸如在
Figure 02_image233
之約0.9至1.1倍之一範圍內，其中p係一整數，較佳地自2至137之一整數。 根據本發明之一進一步實施例，提供一化合物，其包括至少一個增大結合能氫物種，諸如(a)具有約
Figure 02_image235
之一總能量之二分數氫分子離子，諸如在
Figure 02_image235
之約0.9至1.1倍之一範圍內，其中p係一整數，
Figure 02_image238
係普朗克式常數棒，
Figure 02_image240
係電子質量，c係真空中之光速，且
Figure 02_image242
係減小核質量，及(b)具有約
Figure 02_image244
之一總能量之二分數氫分子，諸如在
Figure 02_image244
之約0.9至1.1倍之一範圍內，其中p係一整數且
Figure 02_image247
係波爾半徑。 根據本發明之一項實施例，其中化合物包括帶負電之一增大結合能氫物種，化合物進一步包括一或多個陽離子，諸如一質子、普通
Figure 02_image249
或普通
Figure 02_image251
。 在本文中提供一種用於製備包括至少一個分數氫氫化物離子之化合物之方法。此等化合物在下文中被稱為「分數氫氫化物化合物」。該方法包括使原子氫與具有約
Figure 02_image253
(其中m係大於1之一整數，較佳地小於400之一整數)之一淨反應焓之一觸媒反應以產生具有約
Figure 02_image255
之一結合能之一增大結合能氫原子，其中p係一整數，較佳地自2至137之一整數。觸媒作用之一進一步產物係能量。增大結合能氫原子可與一電子來源反應以產生一增大結合能氫化物離子。增大結合能氫化物離子可與一或多個陽離子反應以產生包括至少一個增大結合能氫化物離子之一化合物。 物質之新穎氫成分可包括： (a)具有一結合能之至少一個中性、正或負氫物種(下文中之「增大結合能氫物種」)，該結合能 (i)大於對應普通氫物種之結合能，或 (ii)大於任何氫物種在對應普通氫物種因為在環境條件下(標準溫度及壓力，STP)普通氫物種之結合能小於熱能或為負值而不穩定或觀察不到時之結合能；及 (b)至少一個其他元素。本發明之化合物在下文中被稱為「增大結合能氫化合物」。 此內容脈絡中之「其他元素」意謂除一增大結合能氫物種以外的一元素。因此，其他元素可為一普通氫物種或除氫以外的任何元素。在一個化合物群組中，其他元素及增大結合能氫物種係中性的。在另一化合物群組中，其他元素及增大結合能氫物種帶電，使得其他元素提供平衡電荷以形成一中性化合物。前一個化合物群組之特徵為分子及配位鍵；後一個群組之特徵為離子鍵。 亦提供新穎化合物及分子離子，其等包括 (a)具有一總能量之至少一個中性、正或負氫物種(下文中之「增大結合能氫物種」)，該總能量 (i)大於對應普通氫物種之總能量，或 (ii)大於任何氫物種在對應普通氫物種因為在環境條件下普通氫物種之總能量小於熱能或為負值而不穩定或觀察不到時之總能量；及 (b)至少一個其他元素。 氫物種之總能量係自氫物種移除所有電子之能量總和。根據本發明之氫物種具有大於對應普通氫物種之總能量之一總能量。根據本發明之具有一增大總能量之氫物種亦被稱為一「增大結合能氫物種」，不過具有一增大總能量之氫物種之一些實施例可具有小於對應普通氫物種之第一電子結合能之一第一電子結合能。舉例而言，P=24之方程式(19)之氫化物離子具有小於普通氫化物離子之第一結合能之一第一結合能，而p=24之方程式(19)之氫化物離子之總能量比對應普通氫化物離子之總能量大得多。 亦在本文中提供的係新穎化合物及分子離子，其等包括 (a)具有一結合能之複數個中性、正或負氫物種(下文中之「增大結合能氫物種」)，該結合能 (i)大於對應普通氫物種之結合能，或 (ii)大於任何氫物種在對應普通氫物種因為在環境條件下普通氫物種之結合能小於熱能或為負值而不穩定或觀察不到時之結合能；及 (b)視情況，一個其他元素。本發明之化合物在下文中被稱為「增大結合能氫化合物」。 可藉由使一或多個分數氫原子與一電子、分數氫原子、含有增大結合能氫物種之至少一者及除一增大結合能氫物種以外的至少一個其他原子、分子或離子之一化合物之一或多者反應而形成該等增大結合能氫物種。 亦提供新穎化合物及分子離子，其等包括 (a)具有一總能量之複數個中性、正或負氫物種(下文中之「增大結合能氫物種」)，該總能量 (i)大於普通分子氫之總能量，或 (ii)大於任何氫物種在對應普通氫物種因為在環境條件下普通氫物種之總能量小於熱能或為負值而不穩定或觀察不到時之總能量；及 (b)視情況，一個其他元素。本發明之化合物在下文中被稱為「增大結合能氫化合物」。 在一實施例中，提供一化合物，其包括自以下選擇之至少一個增大結合能氫物種(a)根據方程式(19)之一結合能對於p=2直至23大於且對於p=24小於普通氫化物離子之結合能(約0.8 eV)之氫化物離子(「增大結合能氫化物離子」或「分數氫氫化物離子」)；(b)具有大於普通氫原子之結合能(約13.6 eV)之一結合能之氫原子(「增大結合能氫原子」或「分數氫」)；(c)具有大於約15.3 eV之一第一結合能之氫分子(「增大結合能氫分子」或「二分數氫」)；及(d)具有大於約16.3 eV之一結合能之分子氫離子(「增大結合能分子氫離子」或「二分數氫分子離子」)。在本發明中，增大結合能氫物種及化合物亦被稱為較低能氫物種及化合物。分數氫包括一增大結合能氫物種或等效的一較低能氫物種。III. 化學反應器 本發明亦係關於用於產生本發明之增大結合能氫物種及化合物(諸如二分數氫分子及分數氫氫化物化合物)之其他反應器。催化之進一步產物取決於電池類型而為電力及視情況存在之電漿及光。此一反應器在下文中被稱為一「氫反應器」或「氫電池」。氫反應器包括用於製成分數氫之一電池。用於製成分數氫之電池可採用一化學反應器或氣體燃料電池(諸如一氣體放電電池)、一電漿炬電池或微波電力電池及一電化學電池之形式。在一實施例中，觸媒係HOH且HOH及H之至少一者之來源係冰。在一實施例中，電池包括一電弧放電電池且其包括冰，至少一個電極，使得放電涉及冰之至少一部分。 在一實施例中，電弧放電電池包括一容器、兩個電極、一高電壓電源(諸如能夠具有在約100 V至1 MV之範圍中之一電壓及在約1 A至100 kA之範圍中之一電流之一者)及一水源(諸如形成且供應H2 O液滴之一貯槽及一構件)。液滴可在電極之間行進。在一實施例中，液滴起始電弧電漿之點火。在一實施例中，水電弧電漿包括可反應以形成分數氫之H及HOH。可藉由控制液滴之大小及其等經供應至電極之速率來控制點火速率及對應電率。高電壓源可包括可藉由一高電壓電源充電之至少一個高電壓電容器。在一實施例中，電弧放電電池進一步包括一構件(諸如本發明之一者之一電力轉換器，諸如一PV轉換器及一熱引擎之至少一者)以將來自分數氫程序之功率(諸如光及熱)轉換為電。 用於製成分數氫之電池之例示性實施例可採用一液體燃料電池、一固體燃料電池、一異質燃料電池、一CIHT電池及一SF-CIHT電池之形式。此等電池之各者包括：(i)一原子氫來源；(ii)自用於製成分數氫之一固體觸媒、一熔化觸媒、一液體觸媒、一氣體觸媒或其等之混合物選擇之至少一個觸媒；及(iii)用於使氫與觸媒反應以製成分數氫之一容器。如在本文中使用且如由本發明所預期，除非另外規定，否則術語「氫」不僅包含氕(
Figure 02_image257
)，亦包含氘(
Figure 02_image259
)及氚(
Figure 02_image261
)。例示性化學反應混合物及反應器可包括SF-CIHT、CIHT或本發明之熱電池實施例。在此化學反應器章節中給出額外例示性實施例。在本發明中給出具有在混合物之反應期間形成之H2 O作為觸媒之反應混合物之實例。其他觸媒可用於形成增大結合能氫物種及化合物。可根據此等例示性情況在諸如反應物、反應物wt%、H2 壓力及反應溫度之參數方面調整反應及條件。合適反應物、條件及參數範圍係本發明之反應物、條件及參數範圍。藉由所預測的13.6eV之一整數倍之連續輻射譜帶、由H線之多普勒譜線(Doppler line)增寬所量測的在其他方面無法解釋之超高H動能、H線反轉、在不破壞磁場情況下形成電漿及如在Mills先前公開案中所報導的不規則電漿餘暉持續時間展示分數氫及分子分數氫為本發明之反應器之產物。其他研究人員已在裝置外獨立驗證資料，諸如關於CIHT電池及固體燃料之資料。藉由本發明之電池形成分數氫亦藉由在較長持續時間內連續輸出的電能證實，該等電能為電輸入之多倍，其在大部分情況中超過在無替代性來源情況下之輸入之10倍以上。所預測分子分數氫H2 (1/4)藉由以下方法識別為CIHT電池及固體燃料之一產物：MAS H NMR，其展示約-4.4 ppm之一所預測高磁場位移之基質峰；ToF-SIMS及ESI-ToFMS，其展示H2 (1/4)與吸氣劑基質複合成為m/e=M+n2峰，其中M係一母離子之質量且n係一整數；電子束激發發射光譜及光致發光發射光譜，其展示具有H2 能量之16倍或量子數p=4之平方的H2 (1/4)之所預測旋轉及振動譜；拉曼光譜及FTIR光譜，其展示1950 cm-1 之H2 (1/4)之旋轉能，其為H2 之旋轉能之16倍或量子數p=4的平方；XPS，其展示500 eV之H2 (1/4)之所預測總結合能；及一到達時間在m/e=1峰之前的一ToF-SIMS峰，該m/e=1峰對應於具有約204 eV之一動能之H，其將H至H(1/4)之所預測能量釋放與轉移至一第三體H之能量相匹配，如以下中所報導：Mills先前公開案及R.Mills X Yu、Y.Lu、G Chu、J.He、J.Lotoski之「Catalyst Induced Hydrino Transition(CIHT)Electrochemical Cell」，International Journal of Energy Research，(2013)以及R.Mills、J.Lotoski、J.Kong、G Chu、J.He、J.Trevey之「High-Power-Density Catalyst Induced Hydrino Transition(CIHT)Electrochemical Cell」(2014)，其等之全部內容以引用的方式併入本文中。 使用一水流熱量計及一Seteram DSC 131示差掃描熱量計(DSC)兩者，藉由觀察到來自形成分數氫之固體燃料之超過最大理論能量60倍之熱能，證實了本發明之電池(諸如包括一固體燃料之電池)形成分數氫以產生熱功率。MAS H NMR展示出約-4.4 ppm之一預測H2 (1/4)高磁場基質位移。在1950 cm-1 處開始之拉曼峰匹配H2 (1/4)之自由空間旋轉能(0.2414 eV)。此等結果報導於Mills先前公開案及R.Mills、J.Lotoski、W.Good、J.He之「Solid Fuels that Form HOH Catalyst」，(2014)中，其之全部內容以引用的方式併入本文中。IV. 固體燃料觸媒感應分數氫躍遷 (SF-CIHT) 電池及電力轉換器 在一實施例中，產生直接電能及熱能之至少一者之一電力系統包括至少一個容器、反應物(包括：(a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒；(b)至少一個原子氫來源或原子氫；及(c)一導體及一傳導基質之至少一者)、限制分數氫反應物之至少一組電極、遞送一短時間爆發性高電流電能之一電源、一再裝載系統、由反應產物再生初始反應物之至少一個系統及至少一個直接轉換器(諸如一電漿至電轉換器(諸如PDC)、一光伏打轉換器及至少一個熱至電力轉換器之至少一者)。在一進一步實施例中，容器能夠具有大氣壓、高於大氣壓及低於大氣壓之至少一者之一壓力。在一實施例中，再生系統可包括一水合、熱、化學及電化學系統之至少一者。在另一實施例中，至少一個直接電漿至電轉換器可包括電漿動力學功率轉換器、
Figure 02_image263
直接轉換器、磁流體動力學功率轉換器、磁鏡磁流體動力學功率轉換器、電荷漂移轉換器、潑斯特(Post)或威尼斯百葉窗式(Venetian Blind)功率轉換器、磁旋管、光子聚束微波功率轉換器及光電轉換器之群組之至少一者。在一進一步實施例中，至少一個熱至電轉換器可包括一熱引擎、一水蒸汽引擎、一蒸汽渦輪機及產生器、一氣體渦輪機及產生器、一郎肯循環引擎、一布雷頓循環引擎、一史特林引擎、一熱離子電力轉換器及一熱電電力轉換器之群組之至少一者。轉換器可為在Mills先前公開案及Mills先前申請案中給出之一轉換器。 在一實施例中，H2 O經點火以形成分數氫，其具有呈熱、電漿及電磁(光)功率之至少一者之形式之一高能釋放。(本發明中之「點火」表示H至分數氫之一十分高反應速率，其可顯示為一爆裂、脈衝或其他形式之高功率釋放。) H2 O可包括可由施加一高電流(諸如在約2000 A至100,000 A之範圍中之電流)而點火之燃料。此可藉由將諸如約5,000至100,000 V之一高電壓施加至第一形式之高傳導電漿(諸如一電弧)而達成。替代性地，一高電流可通過包括H2 O之一化合物或混合物，其中所得燃料(諸如一固體燃料)之傳導率係高的。(在本發明中，一固體燃料用於表示形成進一步反應以形成分數氫之諸如HOH及H之一觸媒之一反應混合物。然而，反應混合物可包括除固體以外的其他物理狀態。在實施例中，反應混合物可為氣體、液體、熔化基質(諸如熔化金屬之熔化傳導基質，諸如熔化銀、銀銅合金及銅之至少一者)、固體、泥漿、溶膠凝膠、溶液、混合物、氣體懸浮液、氣動流及此項技術中已知之其他狀態之至少一個狀態)。在一實施例中，具有一十分低電阻之固體燃料包括包含H2 O之一反應混合物。低電阻可係歸因於反應混合物之一導體組分。在實施例中，固體燃料之電阻係在約10-9 歐姆至100歐姆、10-8 歐姆至10歐姆、10-3 歐姆至1歐姆、10-4 歐姆至10-1 歐姆及10-4 歐姆至10-2 歐姆之範圍中之至少一者。在另一實施例中，具有一高電阻之燃料包括包含一添加化合物或材料之一痕量或微量莫耳百分比之H2 O。在後一個情況中，高電流可流動通過燃料以藉由導致擊穿來達成點火以形成諸如一電弧或電弧電漿之一高傳導狀態。 在一實施例中，反應物可包括一H2 O來源及一傳導基質以形成觸媒來源、觸媒、原子氫來源及原子氫之至少一者。在一進一步實施例中，包括一H2 O來源之反應物可包括以下至少一者：整體H2 O、除整體H2 O以外的一狀態、經受反應形成H2 O及釋放經結合H2 O之至少一者之一或多種化合物。另外，經結合H2 O可包括與H2 O相互作用之一化合物，其中H2 O處於經吸收H2 O、經結合H2 O、經物理吸收H2 O、及水合水之至少一者之一狀態。在實施例中，反應物可包括一導體及經受整體H2 O、經吸收H2 O、經結合H2 O、經物理吸收H2 O及水合水釋放之至少一者之一或多種化合物或材料且其具有H2 O作為一反應產物。在其他實施例中，新生H2 O觸媒來源及原子氫來源之至少一者可包括以下至少一者：(a)至少一個H2 O來源；(b)至少一個氧來源；及(c)至少一個氫來源。 在一實施例中，分數氫反應速率取決於一高電流之施加或發展。在一SF-CIHT電池之一實施例中，形成分數氫之反應物經受導致一十分快速反應速率及能量釋放之一低電壓、高電流、高功率脈衝。在一例示性實施例中，一60 Hz之電壓小於15 V峰值、電流係在自10,000 A/cm2 至50,000 A/cm2 峰值之範圍中且功率係在自150,000 W/cm2 至750,000 W/cm2 之範圍中。在此等參數之約1/100倍至100倍之範圍中之其他頻率、電壓、電流及功率係合適的。在一實施例中，分數氫反應速率取決於一高電流之施加或發展。在一實施例中，電壓經選擇以導致在100 A至1,000,000 A、1 kA至100,000 A、10 kA至50 kA之至少一者之範圍中之一高AC、DC或一AC-DC電流混合物。DC或峰值AC電流密度可在100 A/cm2 至1,000,000 A/cm2 、1000 A/cm2 至100,000 A/cm2 及2000 A/cm2 至50,000 A/cm2 之至少一者之範圍中。DC或峰值AC電壓可在自約0.1 V至1000 V、0.1 V至100 V、0.1 V至15 V及1 V至15 V選擇之至少一個範圍中。AC頻率可在約0.1 Hz至10GHz、1 Hz至1 MHz、10 Hz至100 kHz及100 Hz至10 kHz之範圍中。脈衝時間可在自約10-6 s至10 s、10-5 s至1 s、10-4 s至0.1 s及10-3 s至0.01 s選擇之至少一個範圍中。 在一實施例中，自催化至一分數氫狀態之原子氫轉移能量導致觸媒之電離。自觸媒電離之電子可在反應混合物及容器中積累且導致空間電荷建立。空間電荷可改變能階以在隨後使用一減小反應速率自原子氫轉移能量至觸媒。在一實施例中，高電流之施加移除空間電荷以導致分數氫反應速率之一增大。在另一實施例中，諸如一電弧電流之高電流導致諸如可充當一H及HOH觸媒來源之水之反應物極大升高溫度。高溫可引起水熱解為H及HOH觸媒之至少一者。在一實施例中，SF-CIHT電池之反應混合物包括一H來源及一觸媒來源，諸如nH (n係一整數)及HOH之至少一者。可由至少一個物理相之水(諸如固體、液體及氣體水之至少一者)之熱解或熱分解形成nH及HOH之至少一者。熱解可發生在高溫下，諸如在約500 K至10,000 K、1000 K至7000 K及1000 K至5000 K之至少一個範圍中之一溫度。在一例示性實施例中，反應溫度約為3500 K至4000 K，使得原子H之莫耳分數係高的，如藉由以下展示：J. Lede、F. Lapicque及J Villermaux [J. Lédé, F. Lapicque, J. Villermaux，「Production of hydrogen by direct thermal decomposition of water」，International Journal of Hydrogen Energy, 1983, 第8卷，1983，第675至679頁；H. H. G. Jellinek、H Kachi，「The catalytic thermal decomposition of water and the production of hydrogen」，International Journal of Hydrogen Energy，1984，第9卷，第677至688頁；S. Z. Baykara，「Hydrogen production by direct solar thermal decomposition of water, possibilities for improvement of process efficiency」，International Journal of Hydrogen Energy，2004，第29卷，第1451至1458頁；S. Z. Baykara，「Experimental solar water thermolysis」，International Journal of Hydrogen Energy，2004，第29卷，第1459至1469頁，其等以引用的方式併入本文中]。可藉由一固體表面(諸如圖2I10至圖2I23之噴嘴5q、噴射器5z1及電極8之至少一者之固體表面)協助熱解。可藉由輸入功率且藉由使用分數氫反應維持之電漿將固體表面加熱至一高溫。熱解氣體(諸如在點火區域下游之熱解氣體)可經冷卻以防止產物重組或反作用為開始之水。反應混合物可包括一冷卻劑，諸如在低於產物氣體之溫度之一溫度下之一固相、液相或氣相之至少一者。可藉由使產物與冷卻劑接觸來達成熱解反應產物氣體之冷卻。冷卻劑可包括較低溫水蒸汽、水及冰之至少一者。 在一實施例中，SF-CIHT產生器包括產生電能及熱能之至少一者之一電力系統，其包括： 至少一個容器； 丸粒，其包括反應物，該等反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者； 至少一個丸粒噴射系統； 至少一個丸粒點火系統，其導致丸粒形成發光電漿及發熱電漿之至少一者； 一系統，其回收反應物之反應產物； 至少一個再生系統，其由反應產物再生額外反應物且形成額外丸粒， 其中額外反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒 b)至少一個H2 O來源或H2 O c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一導體及一傳導基質之至少一者；及 光輸出及熱輸出之至少一者至電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統，諸如以下之群組之至少一者：一光伏打轉換器、一光電子轉換器、一電漿動力學轉換器、一熱離子轉換器、一熱電轉換器、一史特林引擎、一布雷頓循環引擎、一郎肯循環引擎及一熱引擎及一加熱器。 在一實施例中，丸粒燃料可包括一H來源、H2 、一觸媒來源、一H2 O來源及H2 O之至少一者。合適丸粒包括一導電金屬基質及水合物，諸如一鹼水合物、一鹼土水合物及一過渡金屬水合物之至少一者。水合物可包括
Figure 02_image265
、
Figure 02_image267
及
Figure 02_image269
之至少一者。替代性地，丸粒可包括銀、銅、經吸收氫及水之至少一者。 點火系統可包括： a)至少一組電極，其限制丸粒；及 b)一電源，其遞送一短時間爆發性高電流電能，其中短時間爆發性高電流電能足以導致丸粒反應物反應以形成電漿。電源可自電力轉換器接收電力。在一實施例中，丸粒點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由丸粒之噴射而閉合以導致高電流流動以達成點火。在一實施例中，點火系統包括一開關以達成起始電流及在點火之後中斷電流之至少一者。可藉由填充電極之間的間隙之一丸粒起始電流之流動。可藉由諸如一絕緣閘雙極電晶體(IGBT)、一矽控整流器(SCR)及至少一個金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)之至少一者之構件電子地執行切換。替代性地，可機械地切換點火。可在點火之後中斷電流，以便相對於輸入點火能量最佳化輸出分數氫產生之能量。點火系統可包括一開關以允許可控制量之能量流動至燃料中以導致起爆且在其中產生電漿之階段期間關閉電力。在一實施例中，遞送一短時間爆發性高電流電能之電源包括以下至少一者： 一電壓，其經選擇以導致在100 A至1,000,000 A、1 kA至100,000 A、10 kA至50 kA之至少一者之範圍中之一高AC、DC或一AC-DC電流混合物； 一DC或峰值AC電流密度，其在100 A/cm2 至1,000,000 A/cm2 、1000 A/cm2 至100,000 A/cm2 及2000 A/cm2 至50,000 A/cm2 之至少一者之範圍中； 其中藉由固體燃料之導電率判定電壓，其中藉由所要電流乘以固體燃料樣本之電阻得出電壓； DC或峰值AC電壓在0.1 V至500 kV、0.1 V至100 kV及1 V至50 kV之至少一者之範圍中，且 AC頻率在0.1 Hz至10 GHz、1 Hz至1 MHz、10 Hz至100 kHz及100 Hz至10 kHz之至少一者之範圍中。 SF-CIHT電池之輸出功率可包括熱及光伏打可轉換光功率。在一實施例中，光至電轉換器可包括利用光伏打效應、熱離子效應及光電子效應之至少一者之一光至電轉換器。電力轉換器可為將高動能電子之動能轉換為電之一直接電力轉換器。在一實施例中，SF-CIHT電池之電力可至少部分呈熱能之形式或可至少部分轉換為熱能。電力轉換器可包括一熱離子電力轉換器。一例示性熱離子陰極可包括摻雜鈧之鎢。電池可利用光子增強熱離子發射(PETE)，其中光效應藉由將跨能隙之一半導體發射器中之電子能量提升至傳導帶(自其熱發射電子)中而增強電子發射。在一實施例中，SF-CIHT電池可包括一光(諸如極紫外線(EUV)、紫外線(UV)、可見光及近紅外線光之至少一者)吸收劑。吸收劑可在電池外側。舉例而言，其可在窗20外側。吸收劑可由於吸收而變得升高溫度。吸收劑溫度可在約500 ℃至4000 ℃之範圍中。熱可經輸入至一熱光伏打或熱離子電池。熱電及熱引擎(諸如史特林、郎肯、布雷頓及此項技術中已知之其他熱引擎)在本發明之範疇內。 至少一個第一光至電轉換器(諸如利用複數個轉換器之光伏打效應、熱離子效應及光電子效應之至少一者之一光至電轉換器)可經選擇以用於電磁光譜之一第一部分且對電磁光譜之至少一第二部分透明。可在對應第一轉換器中將第一部分轉換為電，且第二部分(針對其，第一轉換器係非選擇性的)可傳播至經選擇以用於電磁光譜之所傳播第二部分之至少一部分之另一第二轉換器。 在一實施例中，電漿將光功率及能量之一大部分發射為EUV及UV光。可藉由維持反應腔室(電池1)中之一真空來減小壓力以將電漿維持在光學上較薄之條件下以停止短波長光之衰減。在一實施例中，光至電轉換器包括本發明之光伏打轉換器，其包括回應於自電池發射之光之一實質波長區域(諸如對應於至少10%之光功率輸出)之光伏打(PV)電池。在一實施例中，燃料可包括具有經捕集氫及經捕集H2 O之至少一者之銀丸粒。光發射主要可包括紫外線光，諸如在約120 nm至300 nm之波長區域中之光。PV電池可回應於約120 nm至300 nm之波長區域之至少一部分。PV電池可包括III族氮化物，諸如InGaN、GaN及AlGaN之至少一者。在一實施例中，PV電池包括SiC。在一實施例中，PV電池可包括複數個接面。接面可依序分層。在另一實施例中，接面係獨立的或電平行。獨立接面可經機械堆疊或晶圓接合。一例示性多接面PV電池包括至少兩個接面，其等包括諸如來自InGaN、GaN及AlGaN之群組之複數個材料之n-p摻雜半導體。GaN之n摻雜劑可包括氧，且p摻雜劑可包括Mg。一例示性三接面電池可包括InGaN//GaN//AlGaN，其中//可係指一隔離透明晶圓接合層或機械堆疊。PV可在等於聚光器光伏打裝置(CPV)之光強度之高光強度下運行。基板可為藍寶石、Si、SiC及GaN之至少一者，其中後兩者提供用於CPV應用之最佳晶格匹配。可使用此項技術中已知之金屬有機汽相磊晶(MOVPE)方法來沈積層。可藉由諸如在CPV中使用之冷卻板或諸如市售GaN二極體雷射之二極體雷射冷卻電池。如在CPV電池之情況中，柵極接觸件可安裝於電池之前表面及後表面上。在一實施例中，PV轉換器可具有實質上對其回應之光透明之一保護窗。窗可對回應光至少10%透明。窗可對UV光透明。窗可包括一塗層，諸如在PV電池上之一UV透明塗層。塗層可包括本發明之UV窗之材料，諸如一藍寶石或MgF2 窗。其他合適窗包括LiF及CaF2 。可藉由諸如蒸汽沈積之沈積來施加塗層。 SF-CIHT電池電力轉換器可包括一光電子(PE)轉換器。光電子效應包括藉由諸如具有一工作函數
Figure 02_image271
之一金屬之一材料吸收一光子，其中在藉由普朗克方程式得出之光子能超過工作函數時噴出一電子。對於一光子能hv，激發電子之總能量係hv，其中自金屬脫離所需之超過工作函數
Figure 02_image271
之餘量表現為動能
Figure 02_image274
，其中h係普朗克常數，v係光子頻率，
Figure 02_image276
係電子質量，且v係電子速度。能量守恆要求動能係經吸收光子之能量與金屬之工作函數之間的差，其係結合能。關係為
Figure 02_image278
歸因於所發射電子之電流與輻射強度成比例。本發明之一光至電轉換器(諸如紫外線光至電轉換器)利用光電子效應將光子能轉換為電能。熱亦可協助可促成裝置之電流之電子之噴出。光至電轉換器可包括一光電電力轉換器，其包括在圖2G1e4中展示之各能夠接收諸如紫外線光205之入射光之至少一個電池，其等包括一透明套管201、一光陰極或電子發射器204、一陽極或電子收集器202、諸如一抽氣電極間空間203之一分離空間及透過一負載206處於陰極與陽極之間的外部電連接件207。當曝露於光及熱之至少一者時，陰極204發射電子以藉由被一間隙或空間203與陰極分離之陽極202收集。在一實施例中，光陰極204具有高於陽極202之一工作函數，其中當電池曝露於諸如紫外線光之光時，前者充當一電子發射器且後者充當一電子收集器。兩個電極之不同材料之間的工作函數之差用於使來自較高工作函數光陰極之電子加速至較低工作函數陽極以提供在一外部電路中執行有用工作之一電壓。陽極之工作函數可較低以增強輸出至負載之電池功率。光電子電池進一步包括用於將電子引導至光陰極之一電連接件207及用於自陽極移除電子之一電連接件。電連接件可藉由跨一負載206附接而包括一電路，電流流動通過負載206。電池可密封。間隙203可處於真空下。 在實施例中，光陰極可被分為兩個群組：在圖2G1e4中展示之透射或半透明及在圖2G1e5及圖2G1e6中展示之反射或不透明。參考圖2G1e4，一半透明光電子電池實施例通常包括一透明窗201上之一塗層，諸如藍寶石、LiF、MgF2 及CaF2 、其他鹼土鹵化物(諸如氟化物，諸如BaF2 、CdF2 )、石英、熔融石英、UV玻璃、硼矽酸鹽及紅外矽(Thorlabs)，其中光撞擊光陰極204之一個表面且電子自204之相對表面離開。在一「半透明」模式實施例中，電池包括一光陰極204、一陽極202及電極203之間的一分離間隙，且輻射205透過一窗201進入電池，光陰極204在窗201上沈積於電池之內部上。自光陰極204之內面(諸如間隙或真空介面203)發射電子。 在圖2G1e5及圖2G1e6中展示之一不透明或反射光電子電池實施例通常包括形成於一不透明金屬電極基底上之一光陰極材料，其中光進入且電子自相同側離開。一變化係雙反射類型，其中金屬基底係鏡狀，從而導致在不導致發射之情況下通過光陰極之光被彈回以在吸收及光發射處進行一第二通過。在一「不透明」模式實施例中，在圖2G1e5中展示之電池包括一透明套管201、一光陰極204、一透明陽極208、諸如一抽氣電極間空間203之一分離空間及透過一負載206處於陰極與陽極之間的外部電連接件207，其中諸如UV輻射205之輻射進入電池且直接入射於光陰極204上。輻射在間隙203 (諸如真空間隙介面)處進入陰極204，且自相同介面發射電子。參考圖2G1e6，光205可透過一透明窗201進入電池，在窗201之內側上具有諸如一柵陽極209之陽極。不透明模式可被視為包括一直接照明陰極，其中入射輻射首先穿過窗201、陽極208或209及間隙203。 在一實施例中，SF-CIHT產生器之電池可維持在真空下。光電(PE)轉換器可包括一光陰極、一柵陽極及電極之間的一真空空間，其中真空與電池之真空具有連續性。PE轉換器可在一實施例中缺乏一窗。 一電極之電連接柵極可包括一光伏打電池之電連接柵極，諸如一細線柵極，其中光可在柵極線之間通過。熟習此項技術者已知此等柵極。複數個光電子效應電池可進行串聯連接及並聯連接之至少一者以達成一所要電壓及電流。收集可達成較高電流及較高電壓之至少一者。舉例而言，電池可串聯連接以增大電壓，且電池可並聯連接以增大電池電流。柵極及互連件可連接至至少一個匯流條26b以將較高功率攜載至一負載(諸如至功率調節設備及SF-CIHT電池之寄生負載及功率輸出6 (圖2I32))。在一實施例中，可藉由一起動電路提供高起始或起動電流，該起動電路可包括一電力儲存元件(諸如包括至少一個電容器及電池之電力儲存元件)及一電源之至少一者，其中可使用來自電力轉換器26a之輸出為儲存元件再充電。可使用一DC/DC、AC/DC及DC/AC轉換器及熟習此項技術者已知之其他調節設備之至少一者調節DC PV輸出之功率且在終端6處輸出。 作為來自光陰極之一自由電子流之電流發射引起間隙中之空間電荷。歸因於空間電荷之相對負電壓
Figure 02_image280
藉由柴耳得蘭牟方程式(Child Langmuir equation)得出：
Figure 02_image282
其中J係電流密度，
Figure 02_image284
係電子質量，
Figure 02_image286
係磁導率，e係電子電荷，且d係對應於電極之間的間隙之電極分離距離。在一實施例中，光電電池之電壓
Figure 02_image288
藉由使用相對負空間電荷電壓
Figure 02_image280
校正之光陰極
Figure 02_image291
與陽極
Figure 02_image293
之工作函數之差得出：
Figure 02_image295
光電子電池功率密度
Figure 02_image297
可藉由光電電池電壓
Figure 02_image299
與電流密度J之乘積得出：
Figure 02_image301
在表1中給出使用具有電流密度J及電極間距d、相反空間電荷電壓
Figure 02_image280
、光電電池電壓
Figure 02_image299
及功率密度
Figure 02_image297
之選定值之方程式(33-35)。 表1.分別具有
Figure 02_image304
及
Figure 02_image306
之光陰極及陽極工作函數之光電電池之參數
電流密度J (kA/m2 ) 電極間距d (μm) 空間電荷電壓
Figure 02_image280
(-V)		 光電電池電壓
Figure 02_image299
(V)		 功率密度
Figure 02_image297
(kW/m2 )
10 3 0.114 4.14 41.4
50 3 0.334 3.92 196
100 3 0.530 3.72 372
150 3 0.694 3.56 533
200 3 0.841 3.41 682
250 3 0.976 3.27 819
10 5 0.226 4.02 40.2
50 5 0.659 3.59 180
100 5 1.047 3.20 320
150 5 1.372 2.88 432
200 5 1.662 2.59 518
250 5 1.93 2.32 580
10 7 0.353 3.90 39
50 7 1.033 3.22 161
100 7 1.64 2.61 261
150 7 2.148 2.10 315
在一實施例中，間隙或電極間距d在約0.1 μm至1000 μm、1 μm至100 μm、約1 μm至10 μm及約1 μm至5 μm之至少一個範圍中。可使用諸如氧化鋁或氧化鈹之絕緣間隔件達成間隙間隔。在一實施例中，一光電子效應電池進一步包括施加一電子收集電壓之一電壓源以在給定電流及功率密度下改善空間電荷及其電壓。例示性施加電壓係藉由方程式(33)得出之電壓之相反數之約±50%內。可將溫度維持在較低(諸如小於500℃)以避免可導致跨間隙之短路之熱畸變效應。在一高溫下操作之一實施例中，間隙可大於3 μm至5 μm以避免近紅外線損耗。可在高溫下(諸如在500℃至3500℃之範圍中)利用熱離子以及光電子發射。 在一實施例中，可單獨地密封各包括被一間隙分離之兩個電極之單獨光電子電池。間隙可維持在小於大氣壓、大氣壓或高於大氣壓之一壓力下。間隙可維持在真空下。在實施例中，間隙壓力可維持在約0托至10,000托、10-9 托至760托、10-6 托至10托及10-3 托至1托之至少一個範圍中。在一實施例中，各包括被一間隙分離之兩個電極之單獨光電子電池可單獨地不經密封且容納於能夠維持密封電池之壓力之一容器中。容器可為僅含有光電子電池之一容器。在另一實施例中，容器可包括SF-CIHT電池。在一實施例中，間隙可含有減小來自從陰極發射之電子之空間電荷之一材料。例示性材料係諸如銫蒸汽之鹼金屬。在一實施例中，可使用諸如銫蒸汽之一鹼金屬蒸汽及氧減小空間電荷。材料可在一點火模式中產生電漿且在一未點火模式中不產生電漿。利用諸如1 μm至10 μm之一小間隙，銫可在陰極處電離而非藉由電漿電離。電離可藉由來自陰極之熱能及電能之至少一者。 在消除空間電荷之一實施例中，電池可包括間隙中之一閘極電極及導致電子避免在閘極電極處被收集之一縱向磁場。閘極電極可為多孔以允許捕集於磁場線上之電子在不受控制之情況下穿過閘極電極。 在一點火模式中，銫原子之密度可為約1016 /cm3 (1托)，且電漿密度可為電極間空間中之約1013 /cm3 至1014 /cm3 。材料可存在於電極間空間上方之一較大殼體中且可自電極及除電極以外的接觸表面之至少一者接收電能及熱能之至少一者以形成電漿。在一實施例中，需要小於約0.5 eV之一電弧下降以維持電漿。在另一實施例中，電弧壓降在約0.01 V至5 V之範圍中。離子可藉由來自陰極表面(其可為熱的，尤其在低材料電壓之情況中)之發射而形成且封閉最小化電子散射之電極間間隔。電離可係歸因於來自陰極之熱能及電能之至少一者。在稱為克努森放電(Knudsen discharge)之一實施例中，電極之間的壓力維持在足夠低，使得電子平均自由路徑大於電極間間隙，使得電子運輸在本質上不散射之情況下發生。在限制下，歸因於空間電荷之壓降皆不發生。在一實施例中，選擇且維持諸如一氣體材料(諸如一汽化鹼金屬)之材料以提供用於自陰極(發射器)移除電子之一減小工作函數及用於在陽極(收集器)處收集電子之一減小工作函數。在另一實施例中，光陰極可具有相對於入射光方向成角度之一表面，使得輻射壓力可減小空間電荷。 光陰極包括一光電子效應活性材料。光陰極可包括具有匹配入射輻射之電離光譜之工作函數之一工作函數之一材料。光陰極工作函數可大於陽極之工作函數。光陰極工作函數之量值可大於空間電荷之相反電壓能量之量值與收集器或陽極之工作函數之總和。代表性能量量值分別係0.8 eV及1 eV。在一實施例中，來自SF-CIHT電池之輻射包括諸如極紫外線(EUV)及紫外線(UV)之短波長輻射。諸如氦之電池氣體或諸如約真空之操作壓力可有助於短波長光之發射。在一實施例中，光陰極係回應於來自SF-CIHT電池之紫外線輻射。由於高於工作函數之能量輻射可被損耗給動能及潛在的熱，故光陰極之工作函數可經匹配以接近於諸如紫外線輻射之光能。舉例而言，對於短於690 nm之波長之輻射，光陰極工作函數可大於1.8 eV，且對於短於350 nm之波長之輻射，光陰極工作函數可大於3.5 eV。光陰極工作函數可在約0.1 V至100 V、0.5 V至10 V、1 V至6 V及1.85 eV至6 V之至少一個範圍內。光陰極可為以下至少一者：具有約3.5 eV之一能隙之GaN (其回應於在波長區域150 nm至400 nm中之光)及其合金(諸如Alx Ga1-x N、Inx Ga1-x N)；具有約5.4 eV之一能隙之鹼鹵化物(諸如KI、KBr及CsI)，其回應於在小於200 nm之波長區域中之光；多鹼(諸如包括Na-K-Sb-Cs之S20濱松)，其回應於在大於150 nm之波長區域中之光；GaAs，其回應於在大於300 nm之波長區域中之光；CsTe，其回應於在波長區域150 nm至300 nm中之光；具有約5.47 eV之一能隙之鑽石，其回應於在小於200 nm之波長區域中之光；Sb-Cs，其回應於在大於150 nm之波長區域中之光；Au，其回應於具有一峰值波長185 nm之光；Ag-O-Cs，其回應於在波長區域300 nm至1200 nm中之光；雙鹼，諸如Sb-Rb-Cs、Sb-K-Cs或Na-K-Sb；及InGaAs。一例示性不透明光陰極可包括GaN、CSI及SbCs之至少一者。一例示性半透明光陰極可包括CsTe。III-V型材料UV光陰極具有合適大能隙，諸如對於GaN具有3.5 eV且對於AlN具有6.2 eV。可藉由方法(諸如藉由改變光陰極之材料組成，諸如藉由改變Alx Ga1-x N中之GaN對AlN之比率)精細地調諧能量或波長回應區域。舉例而言，可藉由使用銫或Mg及氧進行適當表面處理而將p摻雜材料之薄膜活化為負電子親和力。額外例示性光陰極包括Ag、MgF2 、MgO及CuI2 上之MgO薄膜。例示性金屬光陰極包括Cu、Mg、Pb、Y及Nb。例示性塗佈金屬光陰極包括Cu-CsBr、Cu-MgF2 、Cu-Cs及Cu-CsI。例示性金屬合金光陰極分別包括CsAu及諸如Al、Mg及Cu之純金屬與少量Li、Ba及BaO之合金。例示性半導體光陰極包括CsTe、RbTe、鹼銻化物、Cs3 Sb、K2 CsSb、Na2 KSb、NaK2 Sb、CsK2 Sb、Cs2 Te、苛性鈉、正電子親和力(PEA)型；Cs:GaAs、Cs:GaN、Cs:InGaN、Cs:GaAsP、分級摻雜、三級結構、負電子親和力(NEA)型。半導體光陰極可維持在諸如小於約10-7 Pa之高真空中。PE電池之大小可如預期且能夠被製造。舉例而言，已製造具有次毫米尺寸至20 cm乘以20 cm一樣大之PE電池，其等經氣密地密封以包括一光陰極、一陽極及一窗作為密封結構之一組件。在一實施例中，光電電池可包括包含具有約匹配至諸如Pt之光陰極之一工作函數之一金屬接觸件之一陰極、包括GaN、AlN及Alx Ga1-x N之至少一者之一光陰極、諸如真空之一間隔件或由桿(諸如一蝕刻AlN層之桿)組成之一間隔件及諸如一金屬薄膜或柵極之一陽極。陽極金屬可具有可約匹配至接觸材料之一工作函數。在另一實施例中，光電電池可包括包含具有約匹配至諸如Pt之光陰極之一工作函數之一金屬接觸件之一陰極、包括p摻雜GaN、AlN及Alx Ga1-x N之至少一者之一光陰極(諸如包括約50%之AlN之一光陰極)、諸如Si δ摻雜GaN之一n+ GaN層及諸如一金屬薄膜或柵極之一陽極(其中工作函數可約匹配接觸層之工作函數)。光電電池可包括包含具有約匹配至諸如Pt之光陰極之一工作函數之一金屬接觸件之一陰極、包括p-GaN之一光陰極、諸如Si δ摻雜GaN之一n+ GaN層及諸如一金屬薄膜或柵極之一陽極(其中工作函數可約匹配接觸層之工作函數)。光電電池可包括包含具有約匹配至諸如Pt之光陰極之一工作函數之一金屬接觸件之一陰極、包括p-Alx Ga1-x N (諸如約50%之AlN)之一光陰極、諸如Si δ摻雜GaN之一n+ GaN層及諸如一金屬薄膜或柵極之一陽極(其中工作函數可約匹配接觸層之工作函數)。光電電池可包括包含具有約匹配至諸如Pt之光陰極之一工作函數之一金屬接觸件之一陰極、包括p-Alx Ga1-x N (諸如約50%之AlN)之一光陰極、一n+ InGaN層及諸如一金屬薄膜或柵極之一陽極(其中工作函數可約匹配接觸層之工作函數)。可實質上精確地形成諸如Si δ摻雜GaN之n+ GaN層。該層可包括一單層。分子束磊晶可用於形成單層。分子束磊晶(MBE)或金屬有機化學汽相沈積(MOCVD)可用於形成n+ 摻雜InGaN層。 陰極及陽極接觸件之至少一者可包括一柵極或一薄膜。薄膜可對紫外線(UV)及極紫外線(EUV)輻射之至少一者透明。薄膜可具有在約1 Å至 1μm、1 Å至100 Å及1 Å至50 Å之至少一個範圍中之一厚度。在一實施例中，光電電池可包括一固態裝置，諸如具有一固體間隔件(光電子可穿隧通過其)之一固態裝置。固體間隔件可具有在約1 Å至10 μm、1 Å至1 μm、1 Å至100 Å及1 Å至50 Å之至少一個範圍中之一厚度。一例示性電池包括包含GaN、AlN、Alx Ga1-x N及SiC之至少一者之一陰極、一固體間隔件(諸如由一薄AlN、藍寶石、MgF2 或UV窗層組成之一固體間隔件)及一金屬柵陽極。對UV及EUV光透明之例示性金屬柵陽極係Yb、Eu及Al之至少一者之薄膜。陽極可經選擇以對諸如UV及EUV輻射之電池輻射透明且具有諸如Yb、Eu及Cessiated Al薄膜之至少一者之一低工作函數。其他PV及PE電池接觸件包括Au、Ni、NiAu合金及Pt之至少一者。在其他實施例中，至光陰極之金屬接觸件可在層之前部或頂部上而非在底部或背側上。一例示性電池包括金屬/間隔件或絕緣體/金屬/光陰極，其中金屬可為本發明之一薄膜且間隔件或絕緣體及光陰極係本發明之間隔件或絕緣體及光陰極。 在一實施例中，一光陰極之有效性經表達為量子有效性，其定義為光之所發射電子與衝擊光子或量子之比率。在一實施例中，藉由提供一強電場及藉由諸如添加添加劑(諸如鹼金屬)之方法最佳化幾何形狀、溫度及材料組成之至少一者來最佳化量子有效性。在一實施例中，光陰極經選擇以最佳化光子吸收參數、電子運輸性質及表面能態以達成最大光電子效率。在後一情況中，表面可經處理或活化至負電子親和力，使得到達表面之傳導電子具有高於真空電子之一能量且因此最佳地形成光電子。舉例而言，可藉由cesiation、氫化、塗佈有LiF及RbF之單層及使用PH3 化學蒸汽沈積之磷摻雜將鑽石之表面處理或活化至負電子親和力。可使用Cs及氧活化GaN光陰極之表面。其他例示性摻雜劑包括矽及鍺。在一半透明模式實施例中，窗上之背部上之膜厚度經選擇以最佳化量子效率，其中以一波長相依方式，入射光子之吸收隨著膜厚度增大而電子對表面透明之可能性減小。在一例示性半透明實施例中，光陰極膜厚度可在約0.1 nm至100 μm、1 nm至10 μm、10 nm至5 μm及100 nm至1 μm之至少一個範圍中。一般言之，對於電極、陰極或陽極，諸如電極膜厚度之厚度可在約0.1 nm至100 μm、1 nm至10 μm、10 nm至5 μm及100 nm至1 μm之至少一個範圍中。 在一實施例中，光陰極包括轉換一更寬範圍之光子波長之多個層。多層光陰極可包括對於沿著傳播路徑之連續層之光子透明之薄層。在一例示性實施例中，可針對最不穿透光選擇頂層，且連續層經配置以基於多層結構中之衰減速率或穿透深度來選擇。在一例示性三層光陰極中，頂層可經選擇以用於最不穿透波長且具有對應最高工作函數，中間層可經選擇以用於中間穿透波長且具有對應中間工作函數，且沿著光傳播路徑之底部或最遠層可經選擇以用於最穿透波長且具有對應最低工作函數。穿透深度、相對層位置及工作函數之其他組合在本發明之範疇內。 陽極包括能夠收集電子之一材料。陽極工作函數儘可能低以根據方程式(34)增大電池電壓。陽極工作函數可低於約2 V、1.5 V、1 V、0.9 V、0.8 V、0.7 V、0.6 V、0.5 V、0.4 V及0.3 V之至少一者。陽極可包括具有約0.76 eV之一工作函數之一鹼金屬(諸如銫、鋁酸鈣電子晶體(C12A7:e))、具有約0.9 eV之一工作函數之磷摻雜鑽石奈米膜及鈧摻雜鎢之至少一者。 陰極及陽極之至少一個電極可使其表面之至少一部分結構化或不平坦，使得入射光之一部分可反射至另一光陰極、光陰極之一部分及一光學元件(諸如反射光且將其反射至光陰極之另一部分或至少一個其他光陰極上之一鏡)之至少一者。以此方式，光陰極接收入射光之多個彈跳(反射)以增大光陰極之吸收剖面以用於產生光電子。在一實施例中，光陰極包括一結構化基板以增大效率，其中光陰極中之光子吸收路徑增大而電子脫離路徑保持與一平坦基板之電子脫離路徑相同或小於一平坦基板之電子脫離路徑。一例示性結構化表面具有含有45°交替內角之鋸齒形。在另一實施例中，鋸齒形角度可在45°與90°之間交替。其他角度在本發明之範疇內。 在一實施例中，可藉由改變入射輻射之角度及在光陰極內使用多個總內反射之至少一者來達成材料內之增大光子吸收且同時減小光電子行進至表面必須經過之距離。當各光子最多產生一單一光電子時，使用關於光電子自光陰極之後表面之反射之後一方法促進大於一些材料之50%轉換效率之達成。舉例而言，一些GaN光陰極生長在AlN之一薄緩衝層上，該薄緩衝層具有大能隙能量且充當一反射層。根據入射輻射角度之光轉換之效率隨著相對於法線入射之角度而增大直至達到總反射點。再者，若在一半透明模式中操作之光陰極可生長在一透明基板上以使其具有一鋸齒形光活性層，則傳導電子經產生以與在一平坦基板之情況中相比更接近於脫離表面，且因此應具有脫離至真空中之更高可能性。替代性地，光陰極生長在一平坦表面上以避免來自晶格失配之實質降級。舉例而言，GaN通常生長於在表面處具有C平面之藍寶石或碳化矽基板之一匹配晶格上。在另一實施例中，類似反射系統及方法可應用於陽極。在一半透明模式電池中，陽極可包括一雙反射類型，其中金屬基底係鏡狀，從而導致在不導致發射之情況下通過光陰極之光被彈回至光陰極以進行一第二照明。 用於使光通過至電池中之窗可對諸如短波長光(諸如紫外線光)之光透明。例示性紫外線光具有對應於約小於690 nm之一波長之大於約1.8 eV之能量。窗可包括藍寶石、LiF、MgF2 及CaF2 、其他鹼土鹵化物(諸如氟化物，諸如BaF2 、CdF2 )、石英、熔融石英、UV玻璃、硼矽酸鹽及紅外矽(Thorlabs)之至少一者。 在一實施例中，光電(PE)及光伏打(PV)轉換器之至少一者可安裝在本發明之再循環系統之擋板8d (圖2I10)背後。在一實施例中，PE或PV轉換器替代擋板8d。PE或PV轉換器之窗可將擋板之功能用作阻礙點火產物流之向上軌跡且提供進入至光至電轉換器(此實施例中之PE或PV轉換器)中之光之透明度之一構件。在一實施例中，擋板8d及窗之至少一者可十分薄(諸如約1 Å至100 Å厚)，使得其對來自電池之UV及EUV發射透明。例示性薄透明薄膜係Al、Yb及Eu薄膜。 在一實施例中，擴張電漿由帶正電之粒子及電子組成。在一實施例中，電子具有高於正離子之一移動率。一空間電荷效應可發生。在一實施例中，藉由使電池之至少一個傳導組件(諸如電池壁)接地來消除空間電荷。在另一實施例中，兩個電極皆電連接至電池，其中自電源2 (圖2I2)至滾輪電極之本質上所有電流流動通過燃料以歸因於燃料之十分低電阻(諸如一燃料丸粒或團粒之十分低電阻)而導致點火。空間電荷及其對應電壓之消除可增大分數氫反應速率。在一實施例中，電池在真空下運行。真空條件可促進可減小分數氫反應速率之空間電荷及限制之至少一者之消除。真空條件亦可防止PE轉換至電可期望之UV光之衰減。 在電池在諸如真空之抽氣條件下操作之情況中，SF-CIHT電池產生器可包括一真空泵以將抽氣維持在藉由一壓力計及控制器控制之一所要壓力下。可藉由泵抽及一吸氣劑(諸如可為連續及週期性再生之至少一者之一氧吸氣劑)之至少一者移除諸如氧之產物氣體。後者可藉由施加氫以減少吸氣劑來移除吸氣劑且再生吸氣劑以形成諸如水之一產物而達成。 電池可在抽氣條件下操作。電池可包括一真空腔室，諸如可具有圓頂狀端帽之一圓柱形腔室或錐形圓柱形腔室。在一實施例中，藉由重力達成向上擴張點火電漿之回收，重力抵抗向上速度以減慢、停止且接著向下加速點火產物以最終收集於再生系統中以改造為燃料。收集可藉由本發明之方法。可藉由使初始動能等於重力位能來計算電池之高度：
Figure 02_image310
其中m係粒子質量，v係初始粒子速度，g係重力加速度(9.8 m/s2 )，且h係歸因於重力減速之最大粒子軌跡高度。對於最初以5 m/s行進之一粒子，最大高度係1.2 m，使得電池可高於1.2 m。在一實施例中，可藉由本發明之擋板減慢向上速度以減小電池高度要求。 在另一實施例中，藉由利用軌道槍(諸如可進一步包括一擴充軌道槍類型之一電漿電樞類型)之原理使用勞侖茲力(Lorentz force)達成燃料再循環。勞侖茲力導致點火電漿經引導且流動至諸如一板或一收集倉之一收集區域中，其可將產物材料給料至再生系統中。電流及磁場可在水平或xy平面中，使得沿著負z軸將根據方程式(37)之勞侖茲力向下引導至諸如一板或倉之收集系統組件。在另一實施例中，電流可在xy平面中且沿著z軸引導B磁場，使得在xy平面中將根據方程式(37)之勞侖茲力橫向引導至收集系統組件。點火電漿可攜載來自至電極8之電源2 (圖2I2)之電流或攜載來自一外部電源之電流以充當方程式(37)中之電流。使用點火電流之至少一部分，電極及匯流條及對應電路之至少一者可經設計以在點火期間提供電漿電流及磁場之至少一者以產生所要勞侖茲力以按一所要方式(諸如移動出其中在點火期間形成電漿之區)移動電漿。可藉由一延遲電路元件(諸如在晚於點火事件之一時間提供電流及磁通量之一延遲線)延遲為電漿電流及磁通量之至少一者供電以提供勞侖茲力之點火電流。延遲可允許電漿在其被勞侖茲力移除之前發射光。可藉由此項技術中已知的電路或控制構件控制延遲。亦可藉由具有沿著板間軸之電流方向之平行板電極在一所要方向上藉由一電源施加諸如高DC電流之電流。可自諸如PE或PV轉換器之電力轉換器導出電流源功率，其中電力可儲存於一電容器組中。可藉由在點火期間流動通過電極之電流及擴充磁場(擴充軌道槍設計在本文中被稱為一擴充電漿軌道槍回收系統)之至少一者提供方程式(37)之磁場。擴充磁場源可包括電磁體及永久磁體之至少一者。可藉由亥姆霍茲線圈(Helmholtz coil) (諸如具有在沿著線圈間軸之所要方向上之磁場之一對分開軸對準線圈)施加擴充電漿軌道槍之磁場。可藉由一電流控制器控制磁場強度以控制勞侖茲力之強度及因此點火產物之回收速率。複數個電磁體可具有不同受控磁場以將電漿及點火產物引導至一所要位置以供收集。在一實施例中，可藉由至少一個感應線圈及一交替電壓或電流驅動器感應地產生擴充電場及磁場之至少一者。在另一實施例中，可藉由具有在沿著極面間軸之所要方向上之磁場之一對分開軸對準永久磁體提供磁場。永久磁體可包括AlNiCo、釹、稀土或此項技術中已知的其他高磁場磁體。磁通量可為任何所要值，諸如在約0.001 T至10 T、0.01 T至1 T及0.1 T至0.5 T之至少一個範圍中。可藉由一電源供應器為電磁體供電，其中可自諸如PE或PV轉換器之電力轉換器導出電磁功率，其中電力可儲存於一電容器組中。來自至電極之電源2 (圖2I2)及擴充磁場源之至少一者之磁場經組態以導致點火產物電漿根據勞侖茲力按期望流動至收集系統中。收集系統可包括本發明之收集系統，諸如可給料至再生系統中之一收集板及一倉之至少一者。倉可包括再生系統之一容器。在另一實施例中，擴充電漿軌道槍(電磁泵)可用於聚焦電漿及將電漿泵抽至電池中之一所要位置之至少一者以導致電漿發射之光經引導至光伏打轉換器。擴充電漿軌道槍(電磁泵)可藉由空間地及臨時地引導電漿之至少一者達成將電漿光聚焦或校準至電力轉換器上之效應。在其他實施例中，可使用一磁瓶及此項技術中熟知的其他電漿限制構件磁性地限制電漿。 在電池壓力較低(諸如真空)之情況中，可使用本發明之其他方法(諸如靜電沈澱(ESP))達成點火產物之再循環。ESP收集電極可在藉由分數氫反應產生之光射線路徑外。ESP可在點火電漿區域中操作。可藉由諸如真空之低電池氣體壓力來支援電漿操作。ESP可使用在實質上並不接觸至少一個類型之ESP電極(諸如收集電極(陰極或陽極))之一區域中之點火電漿操作。ESP收集電極可在點火電漿之周邊，其中在自計數器至收集電極之電路徑中存在具有一高電阻之一真空及一低電壓區域之至少一者。一對ESP電極之至少一者可包括一障壁電極。障壁電極可限制電流且維持一高磁場以靜電地收集點火產物。一個電極類型可覆蓋有一高電阻層以允許稱為電阻障壁放電之DC操作。電極障壁可包括諸如砷化鎵之一層之一半導體以替代一介電障壁層以實現高電壓DC之使用。舉例而言，電壓可在580 V至740 V之範圍中。高電壓可經脈衝傳輸。可將點火產物自收集電極運輸至再生系統。運輸可為重力協助運輸及藉由本發明之其他方法(諸如靜電及電磁方法)達成之至少一者。 在一實施例中，由反應產物再生初始反應物且形成丸粒之再生系統包括一製粒機，其包括形成熔化反應物之一熔爐、將H2 及H2 O添加至熔化反應物之一系統、一熔體滴落器及形成丸粒之一冷卻劑。製粒機可包括第一及第二容器，其等可包括用作點火產物之熔化器之加熱器或爐，點火產物可包括諸如一純金屬或合金(諸如Ag、Cu或Ag-Cu合金)之一金屬。形成熔體之加熱器可包括本發明之加熱器，諸如一電阻、電弧或感應耦合加熱器。來自SF-CIHT電池之光輸出可用於加熱燃料樣本以形成團粒。來自一熱交換器之熱可將熱遞送至來自SF-CIHT電池之另一組件之熔體。加熱器可包括具有經受高溫之加熱元件之一電阻加熱器，諸如包括鎳鉻合金、鎢、鉭、鉬、SiC、MoSi2 、貴金屬及耐火金屬之至少一者之加熱器。元件可經氣密地密封。加熱器可包括諸如一電弧加熱器之一非燈絲類型。在一實施例中，藉由諸如重力及一擴充電漿軌道槍回收系統之一構件收集點火產物。經收集產物可流動至進一步包括一加熱器之第一容器、坩堝或漏斗中。可藉由加熱器熔化產物，且熔體可透過一連接通路流動至第二容器中。至第二容器中之通路出口可浸沒在熔體(諸如第二容器中之熔化點火產物)之表面下方。第一容器可將熔體排放在第二容器之表面下方。可藉由諸如一折射層線(諸如一W或Mo線)之電阻探針感測任一容器中之熔體位準，W或Mo線與容器壁電隔離以在不與熔體接觸之情況下感測一斷路且在與熔體接觸時感測一低電阻。可基於第一及第二容器中之熔體位準及第一及第二容器中之任何氣體壓力藉由第一與第二容器之間的壓力差來控制自第一容器至第二容器之流動。熔體位準可經改變以控制容器之間的流動。在一實施例中，通路及第一容器之至少一者中之熔化點火產物之行高使得藉由熔體密度、重力加速度及行高之乘積加上第一容器中之氣體壓力得出之對應壓力大於或等於第二容器中之壓力。第一容器中之氣體壓力可包括SF-CIHT電池之氣體壓力。在一實施例中，使用至少一個壓力感測器、至少一個閥、至少一個氣體壓力控制器、至少一個泵及一電腦控制第一及第二容器之至少一者中之壓力。亦可或進一步藉由一閥、扭塞或閘閥控制通過通路之流動。 第二容器或坩堝進一步包括形成丸粒之至少一個噴嘴或杓。熔體可流動出第二容器之一孔口或噴嘴至一水貯槽以形成丸粒，且所得位準及壓力改變可導致熔體自第一容器流動至第二容器。在一實施例中，孔口或噴嘴開口大小可經控制以控制丸粒大小及金屬流動速率之至少一者。具有可調整大小之例示性孔口可包括一螺線管閥、一快門閥或一閘閥。高溫噴嘴閥可包括一耐火襯底蝶形閥。可使用一電磁圈或其他機械、電子或機電致動器控制開口大小。在另一實施例中，孔口可具有一固定大小，諸如針對諸如Ag-Cu (72wt%/28wt%)之一合金之1 mm直徑。孔口可具有在約0.01 mm至10 mm之範圍中之一直徑。可藉由可控制地調整以下至少一者來控制丸粒大小：孔口大小、燃料熔體溫度、容器之間的連接通路之直徑、第一容器中之壓力、第二容器中之壓力、第一容器與第二容器之間的壓力差、燃料組成(諸如傳導基質之至少一者(諸如，諸如一Ag-Cu合金之一金屬合金之純金屬組分之重量百分比)及一水結合化合物、水含量及氫含量之百分比組成之至少一者之組成)。 在一實施例中，點火產物在具有強熱(諸如藉由一電弧(諸如具有直接攜載至少一些電弧電流之點火產物之一電弧及接近於諸如點火產物粉末流動通過之一耐火金屬管之第一容器之一電弧之至少一者)提供之強熱)之一第一區域或容器中熔化。熔體可流動至具有高於可藉由一第二容器加熱器(諸如一電阻加熱器，諸如包括鎳鉻合金、SiC及MoSi之至少一者之電阻加熱器)維持之點火產物熔點之一溫度之另一區域或容器中。 替代性地，加熱點火產物之加熱器(諸如第一容器加熱器)可包括一感應加熱元件，諸如一電磁加熱器，諸如一交替頻率(AC)感應耦合加熱器。第二容器加熱器可包括一感應耦合加熱器。頻率可在約1 Hz至10 GHz、10 Hz至100 MHz、10 Hz至20 MHz、100 Hz至20 MHz、100 kHz至1 MHz、500 Hz至500 kHz、1 kHz至500 kHz及1 kHz至400 kHz之至少一個範圍中。容器可包括一耐熱AC或RF透明材料，諸如一陶瓷，諸如氮化矽(諸如Si3 N4 )、Al2 O3 、氧化鋁、藍寶石或二氧化鋯、氧化鋯。加熱器可包括可藉由諸如水冷卻之方法冷卻之容器與感應耦合線圈之間的高絕緣性。在另一實施例中，第二容器可為部分及完全藉由在第一容器中形成且升溫之熔體加熱之至少一者。諸如一感應耦合加熱器之第一容器加熱器可將熔體加熱至高於第二容器中所要的一溫度以將熱提供至第二容器。自第一容器流動至第二容器之金屬之溫度及流動速率可經控制以達成第二容器中之所要溫度。在一實施例中，第一及第二容器之至少一者之加熱器包括以下至少一者：一感應耦合加熱器、傳遞源於反應物之反應之熱功率之一熱交換器及傳遞源於反應物之反應之光功率之至少一個光學元件。 在一實施例中，加熱器可包括一微波加熱器，諸如在約2.4 GHz下操作之微波加熱器。在其他實施例中，微波頻率可為約300 MHz至300 GHz之範圍。微波加熱器可包括至少一個微波產生器，諸如至少一個磁控管。微波加熱器可包括圍繞含有固體燃料(諸如包括熔化銀之固體燃料)之諸如5b及5c之容器之一腔。可藉由微波產生器之一天線輸出使用微波泵抽該腔。容器壁可包括諸如吸收微波且間接加熱固體燃料之一金屬之一材料。在另一實施例中，容器壁可包括諸如石英、氧化鋁、藍寶石、氧化鋯或氧化矽之一材料，其可對微波透明，使得微波直接加熱固體燃料以熔化固體燃料。一例示性固體燃料包括與H2 O及H2 之至少一者一起噴射之銀。在一實施例中，將一惰性微波吸收材料添加至固體燃料以吸收微波。微波吸收劑可為H2 O及H2 之至少一者。 製粒機亦可包括一或多個電磁泵以控制粉末及熔體之至少一者透過製粒機之流動。在一實施例中，製粒機進一步包括一復熱器以回收或收回來自冷卻丸粒之至少一些熱且將其傳遞至進入點火產物以在點火產物進入包括一加熱器之熔爐或第一容器時預加熱點火產物。熔體可自滴落器滴落至水貯槽中且形成熱丸粒以在較熱時被回收。可藉由復熱器至少部分回收或收回來自冷卻丸粒之熱。經回收或收回之熱可用於以下至少一者：預加熱經回收點火產物粉末、熔化粉末、加熱熔體及維持製粒機之至少一部分之溫度。製粒機可進一步包括一熱泵以增大經回收之熱之溫度。 第二容器可能夠將一氣體維持在小於、等於或大於大氣壓之一壓力下。第二容器可經密封。第二容器可能夠在氣體流動條件下維持一所要受控氣氛。可在靜態或流動條件下將一氣體(諸如一H來源、H2 、一觸媒來源、一H2 O來源及H2 O之至少一者)供應至第二容器。在一實施例中，可再循環諸如氫及水汽及混合物之氣體。再循環系統可包括至少一個閥、一個泵、一個流量及壓力調節器及一個氣體管線之群組之一或多者。在一實施例中，諸如H2 及H2 O之複數個氣體可為使用一共同管線或分開管線流動至或流動出容器之至少一者。為允許氣體透過熔體起泡，入口氣體埠可浸沒在熔體中，且氣體出口可高於熔體。可藉由流動H2 、H2 O及H2 與H2 O之一混合物之至少一者來供應H2 及H2 O兩者。一載體氣體可流動通過一H2 O起泡器以在一氣流(諸如包括一H2 氣流之氣流)中挾帶H2 O，且接著混合物可流動至熔體中。氫可包括透過H2 O起泡之載體氣體以亦充當分數氫反應中之一反應物。在另一實施例中，載體氣體可包括一惰性氣體，諸如一鈍氣，諸如氬。經氣體處理之熔體可滴落至H2 O中以形成併入諸如H2 O及H2 之至少一者之氣體之丸粒。經添加或流動氣體可單獨包括H2 及單獨包括H2 O。熔體可包括氧化物以進一步增大一H來源、一觸媒來源、H2 及H2 O之至少一者之丸粒含量。可藉由添加可流動至熔體中之O2 或O2 氣體來源而形成氧化物。氧化物可包括本發明之氧化物，諸如一過渡金屬氧化物。諸如CuO之氧化物可使用H2 (CuO+H2 to Cu+H2 O)還原或其可包括抵抗H2 減少之氧化物，諸如一鹼、鹼土或稀土氧化物。氧化物可能夠反向水合。可分別藉由添加H2 O及加熱或點火達成水合/脫水。在一實施例中，諸如硼砂之一熔劑可添加至熔體以增強H2 及H2 O之至少一者併入至丸粒中。 電池可在抽氣條件下操作。電池可包括一真空腔室，諸如可具有圓頂狀端帽之一圓柱形腔室或錐形圓柱形腔室。錐形圓柱形腔室可有利於最佳化光(按一最小電池容積自電極發射)自圓錐體之傳播。在另一實施例中，電池具有足夠直徑，使得點火電漿光實質上在離開至PV或PE轉換器之一窗之至少一者且直接入射於PV或PE轉換器上之前並不接觸壁。點火產物可收集於電池壁上且諸如藉由振動機械地變位。點火電極8可至少部分剛性地連接至壁以將來自丸粒燃料之點火之振動傳遞至壁以使來自壁之點火產物變位。連接可電隔離電極與電池壁。可藉由重力或藉由本發明之其他構件(諸如電磁地或靜電地)將點火產物收集於諸如製粒機之第一腔室之一容器中。電池可在諸如真空之一低壓下操作。 在一實施例中，可藉由以下至少一者移除點火產物：(i)重力，其中電池可在諸如一真空之減小壓力(在0托至100托之範圍中)下操作，(ii)具有點火電漿作為電樞之一擴充軌道槍，其在本文中被稱為一擴充電漿軌道槍回收系統，及(iii)一靜電沈澱器。在一實施例中，可藉由諸如電暈放電之一方法使較大粒子帶電且藉由一電場(諸如可藉由一電源供應器施加至一排斥柵極之一靜電場)自光至電轉換器排斥較大粒子。在一實施例中，擴充電漿軌道槍回收系統移除或回收本質上所有細粒，使得電池對藉由點火產生之光透明。重力可移除或回收剩餘物。在一實施例中，電池高度係足夠的，使得未藉由擴充電漿軌道槍回收系統移除或回收或藉由重力在一向上軌跡中停止之粒子經冷卻至導致粒子未附著至轉換器之窗或轉換器(諸如PV或PE轉換器)之任一者之一溫度。SF-CIHT產生器可包括自轉換器或窗之表面移除點火產物之一構件，諸如可在表面上方掃掠或掃描之一離子濺射束。替代性地，自窗或轉換器之表面移除點火產物之清潔構件可包括一機械刮刀，諸如一刀，諸如跨表面週期性地移動之一剃刀刀片。運動可為具有窗之寬度之一刀片之一掃掠或一較小刀片之情況中之一掃描運動。本發明之擋板可進一步包括機械刮刀，諸如一刀或離子束清潔器以按相同方式自擋板移除點火產物。在諸如一圓柱形錐形電池之一圓柱形對稱電池之情況中，對稱擦拭器可圍繞電池之內側(諸如在錐形表面上)行進。表面清除系統可包括一電池擦拭器及PV轉換器上之擦拭器。可藉由使用一控制器控制之一電馬達移動擦拭器或刀片。擦拭器可包括未被銀潤濕且亦非研磨之碳。碳擦拭器可在窗上維持石墨之一薄塗層以防止諸如銀或銅附著之熔體附著。 在一實施例中，噴射器係靜電、電、電動力學、磁性、磁動力學及電磁之至少一者。路徑之軌跡在電極間區域中，諸如在相對滾輪電極之最接近接觸件之中心點中。目標運輸可包括燃料丸粒或團粒之噴射。噴射可導致滾輪之間的電接觸之完成，此可導致高電流流動以導致丸粒或團粒被點火。在一實施例中，噴射器包括一靜電噴射器，諸如本發明之靜電噴射器。可靜電地使丸粒或團粒帶電，可使滾輪電極帶相反電，且可藉由電場推進丸粒或團粒以噴射至電極間區域中以被點火。在一實施例中，燃料丸粒或團粒之高傳導率允許歸因於一磁場及一電場之至少一者之一時間相依施加而感應一表面電流，其中感應電流引起藉由丸粒或團粒產生之一磁場。可沿著諸如藉由引導磁場(諸如藉由電流攜載軌道提供之引導磁場)提供之一路徑加速對應磁化丸粒或團粒。可隨著時間導致磁場之一梯度以沿著路徑加速丸粒或團粒。 在另一實施例中，丸粒或團粒噴射器包括一軌道槍。在一實施例中，軌道槍包括一高電流源、包括一高導體之至少一對軌道及包括亦充當拋射體之丸粒或團粒之一電樞。軌道槍噴射器可包括可再用之一支承環。替代性地，軌道槍可使用一電漿電樞，其可包括可為點火產物之至少一者之金屬及在攜載高電流且導致丸粒或團粒沿著軌道槍噴射器之軌道加速時汽化且變為丸粒或團粒背後之電漿之燃料。電流源可提供在約1 A至100 MA、10 A至10 MA、100 A至1 MA、1000 A至100 KA及1 kA至10 kA之至少一個範圍中之一電流脈衝。電流源可包括導致點火之至滾輪電極之電源2 (圖2I2)，諸如包括藉由光至電轉換器(諸如PV或PE轉換器)充電之一電容器組之電源。軌道可包括一正軌道及包括諸如銅及銀之至少一者之一高導體之一負軌道。可在諸如1000 Hz之一所要頻率下啟動軌道槍噴射器以提供充足燃料以維持所要燃料點火速率，其中傳導到達丸粒或團粒可完成滾輪電極之間的電路以導致丸粒或團粒點火。在一實施例中，噴射啟動頻率可控制在約0.01 Hz至1 MHz、1 Hz至10 kHz及10 Hz至1 kHz之至少一個範圍內。噴射啟動頻率可經控制以控制SF-CIHT電池之功率輸出。噴射啟動控制可包括一開關。開關可包括用於至滾輪電極之電源2 (圖2I2)之本發明之開關之一者，諸如機械或電子開關，諸如包括一IGBT、SCR及一MOSFET電晶體之至少一者之一開關。在另一實施例中，軌道經持續供能為一斷路，該斷路經閉合以在藉由一燃料丸粒或團粒完成電路之情況下允許高電流流動。在一實施例中，每當一丸粒或團粒接觸軌道以完成電路，其經加速且噴射至電極中以被點火。電源可能夠在任何給定時間維持至沿著軌道加速之複數個丸粒或團粒之各丸粒或團粒之所要電流。可藉由電路元件及一控制器之至少一者控制電流。在另一實施例中，在一給定時刻在軌道上加速之n整數個丸粒或團粒中分配軌道槍電流，使得藉由n個丸粒或團粒之同時加速及依序噴射來補償根據方程式(37)之一單一丸粒或團粒之噴射速度之減小。此補償機制可取決於軌道槍電流而維持約一恆定噴射速率。在另一實施例中，跨軌道之電壓獨立於丸粒或團粒之數目而維持約恆定，使得每一丸粒或團粒之電流歸因於丸粒或團粒之類似電阻而約為相同的。可藉由包括一大電容之一電源(諸如包括一電容器組之一電源)供應約恆定電壓。在一實施例中，軌道可提供一連續導引路徑，但包括用於電流之分段區段，使得電流可在丸粒沿著不同區段傳播時變化且受到控制。可藉由一電腦、感測器及複數個電流源控制各區段中之電流以控制任何給定區段中之丸粒之速度及能量以控制噴射或諸噴射之時序，其中多個丸粒可在包括可變電流區段之軌道上。 恆定電壓可經保持在低於導致發弧及後續丸粒至軌道焊接或軌道電弧損害之一電壓。在一實施例中，電壓可為小於約100 V、小於約50 V、小於約20 V、小於約10 V、小於約5 V、小於約1 V、小於約0.5 V及小於約0.25 V之至少一者。可藉由諸如包括超級電容器之一電容器組、PV轉換器及具有高短路電流之一電池之至少一者供應電力。在一實施例中，軌道可散熱以避免丸粒至軌道焊接。散熱器可與包括軌道及丸粒之電路電隔離。亦可為一良好熱導體之一電絕緣體可提供電隔離。一例示性散熱器包括高質量之一高熱傳導材料，諸如可與鑽石膜(其亦為一良好熱導體以及一電絕緣體)之一頂層電絕緣之Al、Cu或Ag之一塊體。在另一實施例中，軌道可包括一導體，諸如抵抗焊接之石墨。在另一實施例中，軌道可包括一耐火金屬導體，諸如抵抗焊接之鎢或鉬。可藉由諸如空氣或水冷卻之方法冷卻軌道以防止焊接。在一實施例中，軌道至少部分浸沒在冷卻軌道及丸粒且防止焊接之水中。水亦可防止丸粒與軌道之間的發電弧。可具有高於電池氣體之一擊穿電壓之一傳導潤滑劑及電接觸劑(諸如石墨或MoS2 )可塗佈於軌道上以減少發弧。電流可小於導致丸粒至軌道焊接之電流。在一實施例中，軌道可為圍繞其等之縱向軸(圓柱座標中之z軸)旋轉之長圓柱體以與丸粒更好地接觸。相對軌道旋轉可朝向該對中心反向地旋轉以推動丸粒更緊密抵靠軌道。更緊密連接可中止丸粒至軌道之焊接。在一實施例中，藉由一滑輪驅動器驅動之一個滾輪繼而藉由(例如)一滑輪或鏈結在反向旋轉上驅動另一滾輪。在另一實施例中，滾輪在相同方向上延伸，其中一者使用丸粒作為連桿組來驅動另一者。此組態可向下施加壓力於丸粒上以進行更好電接觸，且丸粒之滾動可進一步減小電弧損害。 勞侖茲力可為高的，其中藉由諸如一電磁體或一永久磁體之一磁體使用一所施加磁場擴充磁場而具有來自軌道電流之一低磁場貢獻。在一例示性擴充軌道槍實施例中，可藉由一對亥姆霍茲線圈提供所施加磁場，其中一者在軌道平面(xy平面)上方且一者在軌道平面下方；各者平行於xy平面以提供垂直於xy平面之一磁場。可藉由兩個永久磁體(諸如替代xy平面中之亥姆霍茲線圈之磁盤)產生一類似z軸定向之磁場。在另一實施例中，永久磁體可包括在具有沿著z軸定向之磁場之軌道之上方及下方且平行於該軌道延伸之矩形棒。永久磁體可包括AlNiCo、稀土或此項技術中已知的其他高磁場磁體。磁通量可為任何所要值，諸如在約0.001 T至10 T、0.01 T至1 T及0.1 T至0.5 T之至少一個範圍中。在一實施例中，多個丸粒可存在於軌道上以分配所施加電力以防止發弧及丸粒至軌道之對應焊接或對軌道之電弧損害。可藉由一阻尼電路元件(諸如一分流二極體、一延遲線及電路感應器之至少一者)改善導致焊接或軌道損害之電流驟增。軌道槍噴射器可具有冗餘度，使得若一者故障，則另一者可替代之直至故障軌道槍被修復。在故障係歸因於軌道上之一團粒焊接之情況中，可藉由(例如)研磨或車床加工機械地移除團粒或諸如藉由高電流下之汽化電移除團粒。 軌道槍噴射器可包括一低摩擦、低壓彈簧負載頂導件以促進丸粒與軌道之間的電接觸。在一實施例中，藉由施加至噴射器之振動協助丸粒至軌道電接觸。振動可經施加以導致軌道與丸粒之間的一低電阻電接觸。亦可藉由諸如在圖2I4及圖2I5中展示之機械及噴水攪拌器之一攪拌器促進接觸。在一實施例中，擴充軌道槍噴射器之所施加磁場可包括平行於團粒運動方向且橫向於通過丸粒之電流之一分量，使得根據藉由方程式(37)得出之勞侖茲力迫使丸粒向下至軌道上以進行且維持丸粒與軌道之間的良好電接觸。可藉由永久磁體及電磁體之至少一者提供運動平行磁場。在後一情況中，磁場可經變化以控制丸粒上之向下力以最佳化接觸同時避免過度摩擦。可藉由一電腦、感測器及一可變電流電源供應器提供對磁場之控制。在一實施例中，軌道可包括諸如銀軌道之一耐氧化材料以限制軌道氧化及對應電阻增大。 軌道槍噴射器可包括複數個軌道槍噴射器，其等可具有可使用諸如一微處理器或電腦之一控制器控制之同步噴射啟動。複數個噴射器可增大噴射速率。複數個軌道槍噴射器可包括一噴射器陣列以增大噴射速率。軌道槍之軌道可筆直或彎曲以達成自丸粒或團粒供應器至發生點火之電極間區域之一所要噴射路徑。滾輪電極之旋轉速度可經增大以容納更多燃料且增大SF-CIHT電池之功率輸出。滾輪直徑可按比例調整以達成增大旋轉速度。舉例而言，鋼之最大旋轉速度約為1100 m/s [J. W. Beams，「Ultrahigh-Speed Rotation」，第135至147頁]。考慮到其中一丸粒或團粒之直徑加上一系列丸粒或團粒之分離空間係3 mm之例示性情況，則藉由軌道槍或複數個軌道槍供應之最大燃料流動速率係每秒367,000。在每一丸粒或團粒具有500 J之例示性能量之情況下，轉換為電之對應總功率可為180 MW。可藉由使用噴射器添加複數個滾輪電極對來達成額外功率，其中電極可在相同或不同軸件上。 在另一實施例中，噴射器包括一高斯槍(Gauss gun)或線圈槍，其中團粒或丸粒包括拋射體。團粒或丸粒可包括一鐵磁材料，諸如Ni、Co或Fe之至少一者。一例示性丸粒包括具有經捕集H2 及H2 O之Ag及一鐵磁材料。軌道槍可包括沿著包括用於團粒或丸粒之一導件之一桶之至少一個電流線圈、在至少一個線圈中提供一高電流及一磁場之一電源供應器及導致電流流動以朝向線圈中心拉動丸粒或團粒之一開關，其中在丸粒或團粒藉由通過線圈中心而經歷一反向力之前切斷電流。開關可為本發明之一開關，諸如包括一IGBT之一開關。電源供應器可包括至少一個電容器。在一實施例中，藉由施加外部功率或藉由一外部時間相依場(諸如一時間相依磁場)使電流流動通過丸粒或團粒以產生一丸粒或團粒磁場。可藉由磁感應達成丸粒或團粒電流流動。可藉由電流線圈之時間變化磁場導致磁感應。在一實施例中，至至少一個電流線圈之臨時電流流動經控制以沿著桶推進丸粒或團粒。 在一實施例中，滾輪電極表面上之一丸粒或團粒之遞送之速度及位置可經控制以可控制地修復對表面之任何點火損害。舉例而言，可藉由控制丸粒或團粒加速電流脈衝之時序以及軌道槍噴射器之電流、位置及操縱能力來達成控制。在控制滾輪速度及點火電流之情況下之受控位置遞送可促進丸粒或團粒接合至電極。接合可藉由在所要位置處將丸粒或團粒燒結、熔融及焊接至電極表面之至少一者。在一實施例中，可製成特定百分比之丸粒或團粒以具有較少或不具有分數氫反應物(諸如氫及HOH之至少一者)。在一實施例中，此可藉由在未將水蒸汽及H2 之至少一者添加在製粒機中之情況下形成丸粒而達成。可藉由消除供應或藉由降低丸粒形成期間的熔體溫度以減小熔體中之溶解度而達成H2 O及H2 之減少或消除。替代性地，團粒可缺失或具有減少量之H2 及H2 O之至少一者。對應「失效」丸粒或團粒可經分開施加或按一所要百分比與普通丸粒或團粒混合。在一實例中，非整數n之一個丸粒或團粒係在噴射時變得接合至電極之一失效丸粒或團粒。整數n可取決於待修復之損害量而控制為較大或較小。在一實施例中，點火粉末被回收，停止丸粒形成程序，且藉由一電漿軌道槍噴射器或擴充電漿軌道槍噴射至電極中，其中一些粉末支援電漿以導致其被推進。藉由其他丸粒之點火支援之點火電流及點火電漿之至少一者可導致粉末接合至電極。可藉由諸如使用一精密研磨機或車床之方法機械移除多餘材料。替代性地，可藉由放電機械加工(EDM)移除多餘材料，其中EDM系統可包括電極及電源供應器。 在軌道槍噴射器之一實施例中，電流自電源供應器之正終端行進，向上通過正軌道，跨過包括燃料丸粒或團粒之電樞，且向下通過負軌道返回至電源供應器。在軌道中流動之電流產生圍繞各軌道軸之一方位或圓形磁場。磁場線在圍繞正軌道之一逆時針圓中延伸且在圍繞負軌道之一順時針圓中延伸，其中垂直引導軌道之間的淨磁場。在諸如一擴充軌道槍之其他實施例中，電流穿隧通過額外對平行導體，平行導體經配置以增大施加至丸粒或團粒之磁場。另外，可施加當電流流動通過丸粒或團粒時作用於丸粒或團粒上之外部磁場。丸粒或團粒拋射體經歷垂直於磁場及流動跨過包括丸粒或團粒之電樞之電流之方向引導之一勞侖茲力。平行於軌道之勞侖茲力F藉由以下得出：
Figure 02_image312
其中i係電流，L係通過軌道之間的丸粒或團粒之電流之路徑長度，且B係磁通量。可藉由增大燃料丸粒或團粒之直徑或電流量之任一者來增加該力。可藉由增大軌道長度來增大丸粒或團粒之動能。在勞侖茲力之影響下，拋射體加速至軌道之端部且離開以飛向電極間區域。離開可透過一孔隙。在離開之情況下，電路破壞，此終止電流流動。對於1 kA之一例示性電流、3 mm之丸粒直徑及0.01 T之B通量，力係0.03 N。對於5 cm長之軌道之對應動能係0.0015 J。根據動能，一80 mg丸粒之最終速度係6 m/s。 丸粒或團粒可經給料至噴射器中。給料可自一漏斗。給料機可包括本發明之一給料機，諸如一機械給料機。給料機可包括一振動器。給料機可包括一壓電振動器及一致動器之至少一者。給料機可包括一螺鑚及一溝之至少一者。後者可具有沿著底部之一槽以沿著軌道槍給料。可自沿著軌道槍之複數個位置給料丸粒或團粒。可藉由機械及水力之至少一個方法達成給料。 在一實施例中，自淬火水浴回收之丸粒在進入噴射器系統之抽氣區域(諸如給料至諸如一軌道槍噴射器之一噴射器)之前在諸如一烤爐(諸如一真空烤爐)之一乾燥器中被乾燥。在一實施例中，製粒機、用於冷卻且形成丸粒之水貯槽或水浴及自水貯槽移除丸粒之運輸機之至少一者在真空條件下連接至電池。運輸機可自丸粒排出多餘水。一例示性運輸機包括可滲透水之一傳送器。當足夠熱以使表面吸收之水被汽化時可移除丸粒。可藉由諸如一真空泵或一低溫泵之一泵自電池氣氛移除自丸粒及水貯槽之至少一者汽化之水以維持一所要低壓。低溫泵可包括一水冷凝器。一冷凝器可代替一真空泵使用以執行為電池部分抽氣及將電池維持在減小壓力下之至少一者。一水冷凝器可藉由凝結水而減小歸因於水汽之壓力。該水可再循環至貯槽或浴器。可藉由諸如一返回水滴管之一返回水管將來自冷凝器之水再循環至貯槽或浴器。可使用冷凍器(諸如一空氣冷卻輻射器、冰箱冷凍器及帕耳帖冷凍器(Peltier chiller)之至少一者)冷凍水冷凝器。此項技術中已知的其他冷凍器可用於將冷凝器冷凍至一所要溫度。在一實施例中，藉由冷凝器之溫度(其可在約0℃至100℃之範圍中)判定電池中之水汽壓力。在一例示性實施例中，一典型工業水冷凍器在對應於約13托之一水汽壓力之約17℃下操作。在另一實施例中，冷凍器可直接冷凍貯槽或浴器，使得水汽經直接凝結至貯槽或浴器中且返回水管被消除。可藉由一第二運輸機將乾燥丸粒運輸至噴射器，諸如藉由一螺鑽運輸至丸粒噴射器。丸粒噴射器可包括一軌道槍噴射系統，其中高傳導丸粒可充當電樞且其與帶電軌道之接觸可觸發跨軌道之電流以導致勞侖茲力推進丸粒至諸如滾輪電極之電極中。 例示性丸粒包括具有入陷氣體(諸如H2 及H2 O之至少一者)之銀球。可藉由在諸如一水浴或貯槽之一浴器或貯槽中滴落且淬火對應熔化材料而形成丸粒。在一實施例中，替換丸粒運輸機螺鑚及丸粒噴射器給料螺鑚。在一實施例中，噴水器進行一水流體化床給料至軌道槍噴射器，其中軌道槍之入口在水浴中且在浴器外側行進至噴射地點。流體化水浴可用於防止熱/冷卻丸粒之附著及運輸且裝載丸粒之一目的。在一實施例中，冷卻熔體且形成丸粒之水浴或貯槽進一步包括一攪拌器以攪拌丸粒。攪拌器可包括可藉由至少一個水泵驅動之噴水器。噴水器之作用可形成一流體化床。攪拌器可進一步包括諸如一螺鑚之一機械攪拌器、一攪拌棒或諸如一電磁或壓電振動器之一振動器及此項技術中已知的其他攪拌器。在一實施例中，浴器包括在接收丸粒且將其推進至電極中以供點火之一位置中之一軌道槍。軌道槍之一丸粒輸入區段可定位於浴器之底部中且可包括一溝或漏斗以接收藉由攪拌器在水浴中攪拌之丸粒。軌道槍噴射器可穿透浴器之壁以引導至電極之點火區域處。軌道槍可具有將丸粒自浴器之底部運輸至諸如滾輪電極之電極之點火區域之一導引路徑形狀。軌道槍可包括排出在丸粒行進(具有高於浴器之水位之至少一些垂直行進)時隨著丸粒移動回至浴器中之任何水之一構件。未流動回至浴器中之水(諸如隨著丸粒彈射之水)可落入至電池之底部處之一接收漏斗且使用一排水泵泵抽回至浴器中。藉由熱丸粒汽化之水可藉由浴器冷凍器凝結至浴器中。丸粒可為熱的以提供乾燥。丸粒之高溫可來自未完全冷卻之熔化狀態之餘熱且來自軌道槍中之電阻加熱(來自流動通過丸粒以導致勞侖茲力之電流)。在一實施例中，可在氣體壓力及抽氣電池氣氛方面持續維持電池、製粒機(諸如包括腔室之製粒機)、水浴及噴射軌道槍。 在一實施例中，SF-CIHT電池可根據獨立於其相對於地球之定向及獨立於重力之至少一者而操作。丸粒水浴可經密封、可擴張且能夠維持在約0.001托至100 atm之範圍中之一壓力。壓力P可約匹配或超過藉由方程式(38)得出之浴器高度h之水壓柱之壓力，其中密度
Figure 02_image314
係水密度且g係重力加速度(9.8 m/s2 )。
Figure 02_image316
丸粒滴落器可為高度熱絕緣以藉由與浴水接觸而防止滴落器中之熔體之過度冷卻。運輸燃料及點火產物之系統可使用藉由固有或擴充磁場及電流施加之勞侖茲力來操作。丸粒噴射系統可包括本發明之一擴充軌道槍。點火產物回收系統可包括本發明之一擴充電漿軌道槍。製粒機可使用包括所施加磁場及流動通過粉末及熔體之至少一者之所施加電流之一擴充軌道槍運輸粉末點火產物及熔體之至少一者。在一實施例中，電流及磁場橫向於所要流動方向且根據方程式(37)而相互垂直。系統可包括適當電流電極及磁體以達成運輸。軌道槍運輸機可具有感測器及控制器以監測勞侖茲力、流動速率且施加電流以達成所要力及流動速率。透過製粒機運輸粉末及熔體之至少一者之構件可包括一泵，諸如一電磁泵，諸如文獻中已知的電磁泵。諸如噴水器之攪拌器可攪拌浴器中之丸粒以輸入至軌道槍。一機械攪拌器亦可將丸粒給料至擴充軌道槍噴射器中。在一實施例中，機械攪拌器可相對於水浴而較大，使得攪拌器可無關於電池相對於重力之定向而運作。在一例示性實施例中，與水貯槽之頂部及底部具有一相等間隙之一大直徑螺鑚可獨立於電池之定向而將丸粒推動至軌道槍。水泵可藉由按匹配任何損耗之一速率泵抽自丸粒水浴損耗之任何水而透過軌道槍噴射器返回該水。 在一實施例中，SF-CIHT電池(諸如在圖2I10至圖2I20中展示之實施例)可根據獨立於其相對於地球之定向及獨立於重力之至少一者而操作。電池可固定於一環架上，使得其始終維持成使z軸遠離地球重心。接著，電池將獨立於安裝環架之一軸件之定向而操作。在缺乏重力之一環境中，SF-CIHT電池可包括自旋或允許SF-CIHT電池、至少一個組件及至少一個系統之至少一者自旋或旋轉之一離心平台，其中諸如噴射系統及製粒機系統之組件或系統定位於電池中允許一離心力產生之一位置中，離心力在電池之操作中(諸如在將丸粒或點火產物返回至製粒機之操作中)在重力之作用上替代重力。在一實施例中，自旋或旋轉可迫使點火粒子至製粒機。被迫至周邊之粒子可經運輸至製粒機入口。運輸可藉由本發明之構件及方法，諸如機械運輸或泵抽。一電磁泵可達成泵抽。電流可自一電流源流動通過點火產物且可藉由沿著周邊定位之磁體施加磁場，磁體提供與電流交叉之一磁場以產生一勞侖茲力以導致運輸。在其他實施例中，諸如電池壁、電極、噴射系統、點火產物回收系統及製粒機之至少一個組件或系統可包括導致其自旋以產生一離心力以替代重力作用之一機構。自旋機構可為熟習此項技術者已知的一自旋機構，諸如固持安裝於軸承上且藉由一電馬達驅動之組件或系統之一平台或結構支撐件。 系統可包括(i)一電池，諸如一真空電池，(ii)一點火系統，其包括滾輪電極及匯流條，(iii)一噴射器，諸如一軌道槍噴射器，(iv)一點火產物回收系統，其可包括一擴充電漿軌道槍回收系統及重力流之至少一者，(v)一漏斗，其連接至電池之底部，(vi)一製粒機，其包括自漏斗接收點火產物之一第一容器、熔化點火產物之一加熱器及將氫及水蒸汽之至少一者施加至熔體之一第二容器，(vii)一浴器，諸如自第二容器之一滴落器接收滴落熔體以形成丸粒之一H2 O浴器，(viii)一丸粒傳送器，(ix)一乾燥器，諸如接收丸粒之一真空烤爐，(x)將丸粒運輸至噴射器之一構件，諸如具有可控制真空鎖通路之一滑槽，(xi)一傳送器，諸如將丸粒運輸至諸如軌道槍噴射器之噴射器之一螺鑚，及(xii)一真空泵，其為電池抽氣。 在圖2H1中展示一SF-CIHT電池電力產生器之一實施例，其展示能夠維持一真空之一電池、具有藉由兩個運輸機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、一製粒機及一光伏打轉換器系統。如在圖2H1中展示，SF-CIHT電池電力產生器可包括：i.)一電池26，諸如可包括具有一真空泵13a之一錐形圓柱體之一真空電池；ii.)一點火系統8a，其具有一電源供應器2；iii.)一光伏打轉換器系統26a，其包括光伏打電池或面板15以接收來自經點火燃料之光且將其轉換為電，該轉換器具有用於冷卻之一熱交換器87，其中熱冷卻劑透過入口31b流動至光伏打轉換器冷卻系統31中且冷凍冷卻劑透過出口31c離開；及iv.)一燃料形成及遞送系統8b，其具有用於淬火滴落熔體以形成丸粒之一水貯槽，該貯槽具有一冷卻系統31a，其中熱冷卻劑透過入口31d流動至水貯槽冷卻系統31a中且冷凍冷卻劑透過出口31e離開。在圖2H2中展示點火系統8a及其電源供應器2之細節。在一實施例中，點火系統8a包括一電源2以使一高電流流動通過匯流條9及10、滑環73a、軸件7及滾輪電極8，滾輪電極8安裝於藉由軸承4a懸掛之軸件7上，軸承4a附接至安裝於基座支撐件61上之結構支撐件4。藉由滾輪驅動滑輪71a使軸件及附接電極8轉向，藉由各具有一皮帶張力器72a之皮帶72、懸掛於軸承73上之馬達軸件及滑輪71以及馬達12及13驅動滾輪驅動滑輪71a。在圖2H3中展示點火系統8a及光伏打轉換器系統26a之細節。在一實施例中，可藉由擴充軌道槍噴射器8f噴射燃料。電源供應器2可自光伏打轉換器26a接收電力且將一高電流供應至滾輪電極8以導致燃料之點火以在點火位置8e中形成電漿。可藉由可為凹形之透光擋板8d中斷點火產物之向上軌跡。可藉由抽氣電池26中之重力及藉由包括亥姆霍茲線圈磁體8c及透過電漿在電極8之間流動之電流之擴充電漿軌道槍回收系統之至少一者回收點火產物。在圖2H4中展示點火8a及燃料形成及遞送系統8b之細節，其等包括點火產物回收系統8c及形成丸粒燃料之製粒機5a及噴射系統8f。在一實施例中，可藉由擴充軌道槍噴射器8f將丸粒燃料噴射至滾輪電極8中，擴充軌道槍噴射器8f自製粒機5a之水貯槽11給料團粒，藉由丸粒運輸螺鑚66a將丸粒燃料傳送至噴射器螺鑚漏斗66b及接著藉由噴射器螺鑚馬達及驅動軸件67驅動之噴射螺鑚66中。滾輪電極8可自電源供應器2接收高電流，其流動通過各依序噴射之丸粒以導致燃料之點火以形成一發射亮光之電漿以藉由光伏打轉換器26a (圖2H1及圖2H3)轉換為電。可藉由透光擋板8d中斷點火產物之向上軌跡，且可藉由抽氣電池26中之重力及藉由包括亥姆霍茲線圈磁體8c及透過電漿在電極8之間流動之電流之擴充電漿軌道槍回收系統之至少一者回收點火產物。點火產物可流動至製粒機5a之一第一容器5b中，第一容器5b可包括可使用絕緣體5e絕緣之一坩堝5d。可藉由感應耦合加熱器5f將產物加熱為一熔體。未點火之丸粒可連同經回收點火產物流動至製粒機5a之第一容器5b。熔體可流動至製粒機5a之第二容器5c中，其中熔體可經曝露於藉由入口管線5g及5h供應之水蒸汽及氫氣之至少一者。氣體可再循環以將氣體併入至滴落出丸粒滴落器5i且在水貯槽11中淬火之熔體中以形成丸粒。可自藉由水電解再填充之一罐供應氫，且可為一水罐供應水，其中在消耗水時週期性地再填充兩種情況中之水。可藉由諸如一吸濕材料之一吸水材料自大氣吸收水。替代性地，可使用藉由SF-CIHT電池供電之一冷凝器凝結來自大氣之水。可以相同方式產生多餘飲用水。貯槽可具有一冷卻系統31a，其中熱冷卻劑透過入口31d流動至水貯槽冷卻系統31a中且冷凍冷卻劑透過出口31e離開。浴器以及抽氣電池26之溫度可經控制以控制電池中之水汽之蒸汽壓力。亦可使用在圖2H1中展示之真空泵13a控制電池壓力。 自圖2I1中之兩個透視圖展示一SF-CIHT電池電力產生器之一實施例，其展示能夠維持一真空之一電池、具有直接自一製粒機給料之一軌道槍丸粒噴射系統之一點火系統、擴充電漿軌道槍及重力回收系統、製粒機及一光伏打轉換器系統。如自圖2I2中之透視圖之一者展示，SF-CIHT電池電力產生器可包括：i.)一電池26，諸如可包括具有一真空泵13a之一錐形圓柱體之一真空電池；ii.)一點火系統8a，其具有一電源供應器2；iii.)一光伏打轉換器系統26a，其包括光伏打電池或面板15以接收來自經點火燃料之光且將其轉換為電，該轉換器具有用於冷卻之一熱交換器87，其中熱冷卻劑透過入口31b流動至光伏打轉換器冷卻系統31中且冷凍冷卻劑透過出口31c離開；及iv.)一燃料形成及遞送系統8b，其具有用於淬火滴落熔體以形成丸粒之一水貯槽，該貯槽具有一冷卻系統31a，其中熱冷卻劑透過入口31d流動至水貯槽冷卻系統31a中且冷凍冷卻劑透過出口31e離開。在圖2H2中展示點火系統8a及其電源供應器2之細節。在圖2I3中展示點火系統8a及光伏打轉換器系統26a之細節。在一實施例中，可藉由擴充軌道槍噴射器8f噴射燃料。電源供應器2可自光伏打轉換器26a接收電力且將一高電流供應至滾輪電極8以導致燃料之點火以在點火位置8e中形成電漿。可藉由可為凹形之透光擋板8d中斷點火產物之向上軌跡。可藉由抽氣電池26中之重力及藉由包括亥姆霍茲線圈磁體8c及透過電漿在電極8之間流動之電流之擴充電漿軌道槍回收系統之至少一者回收點火產物。擴充電漿軌道槍回收系統可包括具有諸如亥姆霍茲線圈之電磁體之永久磁體以作為可調整或勻場磁體以改善磁場以給出對燃料回收程序之精確控制。在圖2H4中展示點火8a及燃料形成及遞送系統8b之細節，其等包括點火產物回收系統8c及形成丸粒燃料之製粒機5a及噴射系統8f。在一實施例中，諸如8c之磁體可定位於電池26之外側，其中電池材料可滲透磁體之磁場。在一實施例中，可藉由擴充軌道槍噴射器8f將丸粒燃料噴射至滾輪電極8中，擴充軌道槍噴射器8f自製粒機5a之水貯槽11給料團粒，藉由使用攪拌器噴水管線15 (圖2I5)給料之螺鑚攪拌器16a或一噴水攪拌器傳送丸粒燃料。滾輪電極8可自電源供應器2接收高電流，其流動通過各依序噴射之丸粒以導致燃料之點火以形成一發射亮光之電漿以藉由光伏打轉換器26a (圖2I1、圖2I2及圖2I3)轉換為電。可藉由透光擋板8d中斷點火產物之向上軌跡，且可藉由抽氣電池26中之重力及藉由包括亥姆霍茲線圈磁體8c及透過電漿在電極8之間流動之電流之擴充電漿軌道槍回收系統之至少一者回收點火產物。點火產物可流動至製粒機5a之一第一容器5b中，第一容器5b可包括可使用絕緣體5e絕緣之一坩堝5d。可藉由感應耦合加熱器5f將產物加熱為一熔體。未點火之丸粒可連同經回收點火產物流動至製粒機5a之第一容器5b。熔體可流動至製粒機5a之第二容器5c中，其中熔體可經曝露於藉由入口管線5g及5h供應之水蒸汽及氫氣之至少一者。氣體可再循環以將氣體併入至滴落出丸粒滴落器5i且在水貯槽11中淬火之熔體中以形成丸粒。貯槽可具有一冷卻系統31a，其中熱冷卻劑透過入口31d流動至水貯槽冷卻系統31a中且冷凍冷卻劑透過出口31e離開。浴器以及抽氣電池26之溫度可經控制以控制電池中之水汽之蒸汽壓力。亦可使用在圖2I1、圖2I2及圖2I3中展示之真空泵13a控制電池壓力。 在圖2I6及圖2I7中展示之一實施例中，製粒機5a之第一容器5b及第二容器5c中之壓力相同，使得金屬壓力差平衡，其中可藉由自金屬通路5j之出口至第二容器5c中之金屬位準之高度來判定第二容器5c中之金屬壓力差且可藉由自金屬通路5j之出口至第一容器中之金屬位準之高度來判定第一容器5b中之金屬壓力差。第二容器中之金屬位準可歸因於此原理而自動調整以幾乎恆定維持在平均值。在另一實施例中，諸如在將諸如氫及水蒸汽之至少一者之高壓氣體添加至第二容器以併入至丸粒中之情況中，兩個容器中之壓力不同。在此情況中，諸如一電磁泵5k之一泵可控制第二容器5c中之金屬位準。可使用諸如一傳導感測器或一光學感測器(諸如一紅外線感測器)之一感測器感測位準且藉由電磁泵電源供應器及一電腦控制位準。製粒機可包括用於至泵5k之輸入中之金屬流量之至少一個感測器，其具有一安全閉合閥以當存在至泵中之減小金屬體積或流量之至少一者時切斷至泵之電流。類似地，流量感測器可定位於諸如5b及5c之容器中以用於將諸如熔體流量及熔體體積之至少一者之輸入資料提供至一控制器以當製粒機之此等區段中不存在充足熔體體積或流量時閉合諸如5f及5o之加熱器。 在圖2I6及圖2I7中展示之一實施例中，各丸粒滴落器以匹配噴射速率及點火速率之一速率單行產生丸粒以達成一穩態功率輸出及質量流量連續性。來自滴落器之丸粒流之此匹配速率及單行態樣可用於以匹配速率裝載諸如軌道槍噴射器之噴射器。自滴落器排放之各丸粒最初在一熔化狀態中。丸粒可在至噴射器之輸入之路線中冷卻。丸粒可沿著一水滑道51單行流動。水滑道51可包括諸如具有流動水之一通道、滑槽或溝之一導管，諸如藉由噴水器16或一水浴11提供之導管，其在丸粒自滴落器流動到至諸如軌道槍之噴射器之輸入時冷卻丸粒。通道可將丸粒直接引導至軌道槍噴射器而不將其等排放至水浴11中。水可以將丸粒裝載至軌道上以待噴射之一方式圍繞軌道流動。替代性地，通道可將丸粒排放至一水浴11中，水浴11可足夠淺以維持流動至噴射器輸入之一單行丸粒流。水可透過一冷凍器31a再循環以維持一低溫且移除在丸粒之部分冷卻中釋放之熱。丸粒可單行到達軌道槍噴射器8f，使得滑道及淺浴器之至少一者可替代諸如螺鑚16或噴水器16a (圖2I5)之攪拌器以促進裝載軌道槍噴射器8f。 當停止對具有一高溫之丸粒之丸粒冷卻時，較小冷卻負載將由將丸粒冷卻至一十分低溫之水流滑道與全水貯槽系統導致。在一實施例中，丸粒可僅充分冷卻以在外表面上形成一薄固體殼，諸如具有在約1 nm至100 μm、10 nm至10 μm及100 nm至1 μm之至少一個範圍中之一厚度之一殼。在一實施例中，熱丸粒在點火功率下將需較小能量、較低點火電流及較少時間之至少一者以藉由在預加熱情況下到達而點火；因此，回收來自製粒機之一些熱。再者，點火可更完全，使得燃料形成及功率釋放更高效以具有更高增益。隨著預加熱丸粒之噴射之僅部分冷卻可充當復熱器。預加熱溫度可在約100℃至950℃、300℃至900℃及400℃至900℃之至少一個範圍中。每一丸粒之點火能量可本質上熔化薄殼。點火產物可包括電漿、熔化金屬及高溫熔化金屬之至少一者。產物可在仍處於一高溫(諸如約100℃至950℃、300℃至850℃及400℃至900℃之至少一個溫度範圍)時經回收到至製粒機之輸入。可藉由諸如感應耦合加熱器之加熱器進一步升高熱粉末之溫度。高溫可在約965℃至3000℃、965℃至2000℃及965℃至1500℃之至少一個範圍中。在具有預加熱功率之情況下，製粒機輸入熱能可為熔化室溫點火產物之熱能之一小部分。在一最佳化反應物流量中，可最小化往返能量消耗，其包括來自將預加熱薄殼丸粒及熱回收產物熔化至一高熔化溫度之貢獻。考慮到一77 mg Ag丸粒(對應於歸因於併入H2 及H2 O而具有純Ag之90%密度之2.5 mm直徑之一球體)之一例示性實施例，其中製粒機之第一容器之入口處之粉末溫度約為900℃，Ag熔體經加熱至1300℃，丸粒殼厚度約為1 μm，噴射至滾輪電極中之丸粒之溫度約為800℃，且丸粒可在丸粒熔化時點火。接著，在僅將金屬視為主要貢獻者之情況下，相較於約400 J之輸出光，用於反應物之往返輸入能量約為20 J。 在圖2I8及圖2I9中展示之一實施例中，噴射器包括一泵，諸如將諸如與氫來源及一觸媒來源(諸如H2 及水蒸汽)處理之熔化銀金屬之熔化燃料泵抽至諸如滾輪電極8之電極之間的間隙中之一電磁泵5k。泵5k可藉由相同於軌道槍之原理操作，其中一電流流動通過熔體且一垂直施加之磁場在所要流動方向上產生一勞侖茲力。此項技術中已知的能夠泵抽熔化燃料之其他電磁泵(諸如使用按感應原理工作之特殊線圈之電磁泵)在本發明之範疇內。泵亦可包括一機械泵。在一實施例中，機械熔化金屬泵併入石墨或陶瓷葉輪。 泵5k可包括一電磁泵，電磁泵包括強大永久磁體及DC電流以推進熔化金屬，從而消除一機械泵葉輪。藉由根據勞侖茲力定律供應一電流以通過一強大磁場內之金屬而將一原動力直接施加至液體金屬。在一實施例中，電流強度直接控制金屬上之力及因此流動體積。在一實施例中，藉由高強度永久磁體供應磁場，且電流係藉由工業標準整流器電源供應器供應之直流電或DC電流。在一實施例中，結果係在相較於AC電磁泵之減小能量消耗下具有較高流動速率之一電磁泵。用於液體金屬之合適電磁泵及流量計之例示性製造商及供應商係Hazelett、CMI Novacast、Suzhou Debra Equipment Corporation及Creative Engineers, Inc。 在電磁泵5k之一實施例中，金屬流動通過在其部分長度上部分平坦化之一直管，在直管上定位一磁體之面(使極面之間的間隙保持較小)。為在諸如銀之熔點之高溫(諸如在962℃至1300℃之範圍中)下操作，電磁泵之管可包括一高溫金屬，諸如一耐火金屬，諸如鉬、鉭、鈮或鎢泵管。在泵管難以機械加工之情況中，可藉由此項技術中已知的其他方法製造泵管，諸如鑄造、放電機械加工及金屬印刷。在一實施例中，熔體可包括具有低於不銹鋼及一非耐火金屬之至少一者之一熔點之熔體。舉例而言，熔體可包括諸如一銀銅合金之一合金，諸如具有779℃之一熔點之Ag-Cu (72wt%/28wt%)。具有一較高熔點之例示性泵管係高溫不銹鋼，諸如Haynes 188、Haynes 230、Haynes HR-160、Hastelloy X、鎳及鈦。在一實施例中，泵管具有藉由銀之潤濕性之至少一個性質，使得其受到保護以免與H2 O反應且並不與水反應。用於在足夠熔點情況下缺乏H2 O反應性之管之合適例示性材料係來自以下之群組之金屬及合金之至少一者：Cu、Ni、CuNi、Haynes 188、Haynes 230、Haynes HR-160、Hastelloy C、Hastelloy X、英高鎳、英高合金、碳鋼、不銹鋼、諸如改質9Cr-1Mo-V (P91)、21/4Cr-1Mo鋼(P22)之鉻鉬(chromoly)鋼、Co、Ir、Fe、Mo、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Tc、Ta、Nb及W。可藉由熟習此項技術者已知的方法(諸如化學、機械及電漿蝕刻及電鍍之至少一者)移除泵管之內壁上之任何氧化物塗層，該氧化物塗層可減小通過泵管壁之電流及與熔體(諸如管內側之銀熔體)之連接。移除內壁氧化物之化學方法可包括使用酸及中和作用蝕刻。移除內壁氧化物之電漿方法可包括放電機械加工及蒸汽沈積之至少一者。在一實施例中，藉由此項技術中已知的方法(諸如酸或電漿蝕刻)自泵管之內側移除任何氧化物塗層。管內側可經塗佈有燃料熔體之金屬(諸如銀或銀銅合金)以保護內側壁免受氧化直至投入使用。可藉由包括熔化金屬之施加、電鍍、無電電鍍、蒸汽沈積、化學沈積及熟習此項技術者已知的其他方法之至少一個方法達成塗層。 泵進一步包括具有至管側之電連接之匯流條或金屬片，在此相同區域中，將一電流引入至熔化金屬中。匯流條可與高電阻焊道附接，或陶瓷饋通5k31 (圖2I24及圖2I27)可用於EM泵管之匯流條以將電流供應至諸如Ag金屬之經泵抽熔化金屬。可藉由諸如氣體或水冷卻之方法冷卻陶瓷饋通。各EM泵匯流條或金屬片可藉由以下步驟直接接觸至諸如熔化銀之熔化金屬：(i)在管壁之側中(在相對壁上)機械加工當管處於一高溫時各與匯流條緊密適配之諸如矩形穿透部分之穿透部分，(ii)加熱該管以使穿透部分擴張以容納匯流條，(iii)使匯流條插入穿過穿透部分，(iv)冷卻該管以將匯流條壓縮接合至泵管，且(v)在低於用於使穿透部分擴張以容納匯流條之插入之溫度之一溫度下操作泵。替代性地，各EM泵匯流條或金屬片可藉由以下步驟直接接觸至諸如熔化銀之熔化金屬：(i)在管壁之側中(在相對壁上)機械加工各與匯流條緊密適配之襟翼，(ii)使匯流條插入穿過襟翼之狹縫，且(iii)將襟翼機械地擠壓至匯流條上以形成匯流條至泵管之一壓縮接合。在另一實施例中，金屬片可焊接至在平坦化管之相對側壁中製成之向內突出凹坑。在另一實施例中，可藉由相對於與泵管壁接觸之區域增大泵匯流條與金屬之接觸區域而選擇性地將電流供應至管內側之熔體。可藉由使匯流條凸出穿過管內側之泵管壁以將匯流條插入至熔體中而增大與熔體之接觸區域。内凸出部可包括諸如一彎曲板之一形狀或結構以增大與熔體之接觸表面積。匯流條可藉由焊接及壓縮接合之至少一者緊固至泵管壁。例示性泵管及匯流條包括來自鋯、鈮、鈦及鉭之群組之至少一者。 匯流條各可在匯流條與穿透部分處之管壁之接觸區域處包括諸如氧化物塗層之一低傳導塗層。例示性匯流條及對應低傳導率塗層分別為鋯及氧化鋯、鈮及氧化鈮、鈦及氧化鈦、鎳及氧化鎳以及鉭及氧化鉭。可藉由在氧中加熱或藉由陽極處理形成氧化物。可在氧化期間遮蔽接觸熔體之期望傳導之區段，或可在藉由諸如機械磨損、化學蝕刻或化學還原之方法使匯流條塗佈有氧化物之後自熔體接觸區域移除氧化物。匯流條與電池壁之間的高電阻導致低電阻電路徑穿過泵管內側之金屬熔體。電流可流動跨過平坦化區段而磁通量可以相對於電流流動之直角穿過平坦化區段。電磁泵可按直流電或交流電操作。在前一情況中，磁體可包括永久磁體或DC電磁體。當使用交流電操作時，磁體包括AC電磁體。在AC情況中，金屬中之電之流動方向可在每一半循環改變，且亦可藉由相同交流電為電磁體供電，使得磁場亦可在每一半循環改變方向，因此金屬上之力可脈動但可始終在相同方向上。泵可經對流冷卻。不過，若諸如銀之經泵抽金屬溫度較高(諸如1000℃及更高)，則可使用諸如強制對流及水冷卻之附加冷卻來冷卻泵。在一實施例中，藉由電流流動通過金屬以隨著金屬之歐姆加熱消散能量而藉由電磁泵5k導致泵抽，且此能量藉由第二容器5c之加熱器5o補充加熱。在一實施例中，可藉由使用與金屬接觸之電極使電流流動通過金屬而直接電阻地加熱金屬。 泵5k可包括一3相線性環形感應泵。該泵可包括被一空間分離之兩個環形管。金屬可流動通過兩個同心管之間的環形空間，其中兩個管之內部可含有一磁芯，一移動徑向磁場線環繞穿過磁芯。圍繞管之一3相定子可產生磁場。感應電流之流動可為環形空間內之圓形，從而切割磁場線。一軸向施加之力可將液體金屬移動通過泵。 製粒機可包括一流量計，諸如熟習此項技術者已知的一流量計。流量計可包括量測由運動中之液體金屬與一所施加磁場之間的相互作用導致之整合或整體勞侖茲力之一勞侖茲力速度計或勞侖茲流量計。流量計可包括基於法拉第感應定律(Faraday’s law of induction)之一流量計，其中沿著橫向x軸施加一磁場，沿著橫向y軸施加一組電極，且傳導熔化金屬沿著z軸之流動根據法拉第電磁感應定律產生跨電極之與流動速度成線性比例之一電壓。流量計可包括一無接觸電磁流量計，其藉由量測由一導體在一磁場內之移動導致之該磁場中之畸變量而操作。為達成此，永久磁體可設定在移動材料附近。移動材料可容納於或可不容納於一管道或導管內。可在對應於藉由一校準指示器讀出為一流動速率之熔體速度之熔體流動方向上量測磁場之位移量。 在熔化燃料彈出一噴嘴5q時，熔化燃料之壓力可足以形成丸粒5t。可相對於電池壓力升高氣體壓力，諸如在約0.01托至100 atm、1托至10 atm、10托至5 atm及100托至1 atm之至少一個範圍中。電磁泵5k可產生大於氣體壓力之一壓力以導致熔體流動且自容器及噴嘴彈射。丸粒5t可包括進入電極間區域以導致另外非接觸電極8之間的接觸之拋射體。關聯高電流流動導致燃料之點火，諸如電漿之形成。在一實施例中，燃料可包括一連續流而非丸粒或與丸粒混合之連續流之一間隔組合。在一實施例中，藉由泵5k產生之製粒機5a中之壓力大於施加至諸如H2 及水蒸汽之熔體之任何氣體之壓力及對應於電極超過噴嘴5q之一高度處之重力之壓力之至少一者。在後一情況中，在離開噴嘴5q之後，經彈射燃料具有足夠動能以抵抗重力將其運輸至電極之間的點火地點。 在一實施例中，點火產物經回收且收集於製粒機之第一容器5b中且被熔化。可藉由至少一個電磁泵5k泵抽熔體。在一實施例中，可沿著電池26之垂直軸(z軸)對準第一容器5b之入口。熔體可自第一容器5b流動至泵5k中，泵5k將熔體泵抽至第二容器5c中。第二容器5c可具有一彎曲區段，使得熔體流動方向逐漸由沿著負z軸改變為沿著正z軸朝向包括最緊密接近於相對分離電極8之區域之噴射或點火地點。第一容器5b及第二容器5c之至少一者可為管道狀。容器包括一弧形、半圓形、U狀或其他此形狀以允許在入口處自電池接收點火產物且在出口或噴嘴處將所再生燃料彈射至電池之電極中。在用於製粒機中之電磁(EM)泵之改良封裝之一實施例中，減小自泵管至EM泵之頂部之EM泵高度。諸如一釹磁體及磁路之一淺磁極件之永久磁體之高度可給出所要總高度。遠離於泵管之此EM泵區段可經冷卻。遠區段可包括磁路中之一熱絕緣間隔件及一冷板以熱隔離且冷卻遠磁體。冷卻板或冷板可包括一微通道板，諸如一聚光器光伏打電池(諸如藉由Masimo製成之聚光器光伏打電池)之微通道板或此項技術中已知的一種二極體雷射冷板。 第二容器5c可包括在熔體朝向引導至噴射地點之管道狀第二容器5c之端部處之一噴嘴5q流動時將H2 及氣體H2 O之至少一者供應至熔體之至少一個歧管，諸如氫歧管及輸入管線5w及水蒸汽歧管及輸入管線5x。在一實施例中，H2 及H2 O噴射系統包括氣體管線、歧管、壓力規、調節器、流量計及噴射器且在使用一共同歧管噴射兩種氣體之情況中可進一步包括一H2 -水蒸汽混合器及調節器。在一實施例中，液體水可噴射至熔體中。可藉由諸如一蠕動泵之一泵及重力給料之至少一者達成噴射。在一實施例中，燃料金屬可包括一銅銀合金。透過氫歧管及輸入管線5w噴射至熔體中之H2 氣體可用於減少在電池操作期間形成之諸如CuO之合金之任何氧化物。另外，可藉由可間歇地添加氫氣而在電池中原位減少合金之氧化物。亦可藉由電池外側之氫處理減少合金之氧化物。 可使用諸如至少一個感應耦合加熱器之至少一個加熱器加熱製粒機5a。在一實施例中，感應耦合加熱器可包括一感應耦合加熱器電源供應器5m。可使用沿著第一容器5b自其入口延伸至電磁泵5k之入口之一第一感應耦合加熱器線圈5f加熱製粒機5a。包括線圈5f之第一感應耦合加熱器可圍繞具有坩堝5d及絕緣體5e之第一容器5b之圓周。加熱器可進一步包括可沿著第二容器5c自電磁泵5k之出口延伸至第二容器5c之噴嘴5q之一第二感應耦合加熱器線圈5o。包括線圈5o之第二感應耦合加熱器可圍繞具有坩堝5d及絕緣體5e之第二容器5c之圓周。對應第一及第二加熱線圈界定一第一及第二加熱區段或區域。第一區段可經加熱至至少高於銀之熔點(962℃)之一溫度以形成經泵抽之熔體。容器及線圈可包括一高Q腔，其進一步包括經回收產物熔體。在一實施例中，諸如H2 O及H2 之至少一者之一氣體可經噴射以增大熔體之電阻以改良來自感應耦合加熱器之輻射與熔體之耦合。可相對於第一區段過度加熱第二區段。第二區段中之熔體之溫度可維持在約965℃至3000℃、965℃至2000℃及965℃至1300℃之至少一個範圍中。一光學高溫計、熱阻器或熱電偶可用於監測熔體之溫度。在一實施例中，歸因於諸如電阻加熱之機構而在泵5k中消散之功率可促成加熱熔體。過度加熱可增大至少一種處理氣體(諸如熔體中之H2 及水蒸汽之至少一者)之吸收。 在一實施例中，製粒機可包括複數個加熱器(諸如各包括諸如一線圈天線之天線之感應耦合加熱器)及透過感應耦合加熱器引線5p將電磁功率供應至加熱器線圈5f及5o之一感應耦合加熱器電源供應器5m。感應耦合加熱器電源供應器5m可包括至複數個天線之一共用電源供應器，其中可藉由諸如一匹配或調諧電路之一電路調整至各天線之功率。在另一實施例中，各天線可藉由其獨立電源供應器驅動。在共用或分開電源供應器之情況中，各加熱器可進一步包括藉由各線圈遞送之功率之一控制器。在另一實施例中，感應耦合加熱器包括藉由一個電源供應器驅動之一個天線，其中天線經設計以選擇性地將一所要比例之功率遞送至第一加熱區段及第二加熱區段之各者。可根據諸如以下項目中之固定差異之分割方法在兩個區段之間劃分加熱功率：(i)藉由(例如)不同數目個線圈匝達成之天線增益，(ii)可變可控制天線增益，(iii)開關，及(iv)匹配或調諧網路。可藉由可橋接電磁泵5k之區段之間的額外感應耦合加熱器引線5p連接兩個線圈區段。引線可經設計以傳輸而非消散功率，使得藉由線圈5f及5o將加熱功率選擇性地遞送且消散至燃料熔體中。 藉由感應耦合加熱器加熱之區段各可包括一坩堝，坩堝包括對諸如感應耦合加熱器之RF輻射之輻射透明之材料。例示性材料係二氧化矽(諸如石英或氧化矽)、氧化鋯、及藍寶石、氧化鋁、MgF2 、氮化矽及石墨。各坩堝可使用亦對感應耦合加熱器之輻射透明之高溫絕緣體5e絕緣。第二容器5c與電磁泵5k接觸之部分可包括一導體及一可滲透磁場之材料，使得泵5k之所施加電流及磁場可通過熔體。RF透明區段可藉由接頭(諸如包括一凸緣及一墊圈之接頭)連接至傳導且可滲透磁場之區段。接頭可包括諸如一C夾鉗之一夾鉗、蛤殼形抓斗類型、螺栓配件或拉緊線。接頭可在高溫下操作且可對熔化燃料保持穩定。一例示性墊圈係一石墨墊圈。替代性地，墊圈可包括熔化燃料電池中常見的一濕封類型，其中燃料在容器中係液體且在容器與泵之接頭或套節之周邊處係固體，其中溫度低於熔點。套節可包括用於管道起泡器之穿透部分及閥之至少一者。 在泵具有適用於一常見坩堝及管材料及泵管之一類型之情況中，穿過電磁泵5k之泵管可包括對感應耦合加熱器之輻射透明之一材料。泵管之材料可為與第一容器及第二容器之至少一者之材料相同之材料。接頭可包括一陶瓷至陶瓷接頭，其中陶瓷包括對感應耦合加熱器之輻射透明之一材料，諸如氧化矽、石英、氧化鋁、藍寶石、氧化鋯、MgF2 及氮化矽之至少一者。替代性地，在泵具有適用於一常見坩堝及管材料之一類型且泵管包括與容器之至少一者共同或相同之材料之情況中，可消除接頭，使得存在容器至泵之連續性。一例示性感應型或機械泵之容器及泵管之至少一者之一示例性材料係氮化矽。在另一實施例中，來自第一容器、第二容器、第二容器之歧管區段及泵管之群組之至少一個組件可包括吸收感應耦合加熱器之輻射之一材料(諸如一金屬或石墨)，使得間接加熱組件中含有之燃料金屬。加熱器可加熱組件，且來自經加熱組件之熱轉移可二次加熱組件內側之燃料金屬。 在一特定例示性實施例中，第一容器5b包括諸如石英之一RF透明材料。第一容器之石英區段連接至一金屬肘管，諸如連接至一金屬管道管(諸如電磁泵5k之一高溫不銹鋼(SS)管道管)之一高溫不銹鋼(SS)肘管。該管連接至包括諸如一高溫不銹鋼(SS)肘管之一金屬肘管之第二容器5c，金屬肘管進一步連接至諸如石英之一RF透明材料。石英管在噴嘴5q中結束。第二容器可進一步包括可穿透電池且對準噴嘴5q與電極8之間隙8g之一S或C狀區段。連接之區段之間的各接頭可包括一夾鉗及諸如一石墨墊圈之一墊圈。在一實施例中，製粒機包括諸如一RF透明區段之一短加熱區段5b、至泵管之一金屬接頭過渡、可在容器5b之一垂直區段中之電磁泵5k、至一肘管(諸如具有用於延伸穿過在噴嘴5q中結束之一第二較長RF透明加熱區段5c之一管道起泡器5z之一金屬配件或穿透部分之一金屬肘管)之一過渡。包括第一及第二容器之RF透明區段可包括石英，石英至金屬接頭可包括與夾鉗固持在一起之連結區段上之石英及金屬唇。一例示性管道管大小及容器大小分別為1 cm ID及2 cm ID。管道管可包括一高溫不銹鋼，且RF透明容器可包括石英。 在另一實施例中，製粒機組件之至少一者(諸如熔體導管組件及氣體遞送組件，其等包括第一容器5b、第二容器5c、泵管、第二容器5c之歧管區段(圖2I11)及管道起泡器5z (圖2I13))可包括自(諸)感應耦合加熱器吸收至少一些功率且間接加熱諸如銀或Ag-Cu合金熔體之燃料熔體之一材料。在後一情況中，諸如石英、氧化矽、藍寶石、氧化鋯或陶瓷壁之容器壁可對感應耦合加熱器之RF功率透明。製粒機組件可包括高溫不銹鋼、鈮、鎳、諸如改質9 Cr-1Mo-V (P91)、21/4Cr-1Mo鋼(P22)之鉻鉬鋼、鉬、鎢、H242、TZM、鈦、鉻、鈷、碳化鎢及具有高於燃料熔體之熔點之一熔點之其他金屬及合金。金屬可具有用於吸收來自加熱器之輻射之一高效率。諸如容器之組件可較窄以有效地間接加熱燃料熔體。例示性容器係具有1/4英吋至3/8英吋ID之管大小之管。可藉由諸如在氧氣氛中加熱之方法預氧化諸如容器、泵管及管道起泡器之組件之熔體接觸表面，以便形成一鈍化層以防止與噴射水蒸汽或變為水蒸汽之水反應。在一實施例中，可使用諸如銀熔體之熔體潤濕組件之壁以保護壁以免與水反應。在此情況中，與水反應之金屬可用於製粒機組件。接頭可為焊道、接頭套管及此項技術中已知的用於連接金屬零件之其他接頭。零件可由與泵管相同之材料製成，諸如鋯、鈮、鈦、鉭、其他耐火金屬及諸如Haynes 188、Haynes 230及Haynes HR-160之至少一者之高溫不銹鋼之至少一者。 在一實施例中，藉由諸如5f及5o之感應耦合加熱器之至少一者加熱之製粒機之至少一個容器包括諸如吸收感應耦合加熱器之輻射功率且間接加熱諸如在容器中含有之銀之金屬之一金屬之一材料。十分高效地吸收感應耦合加熱器之RF輻射之例示性金屬係鉭、鈮、鐵金屬及鉻鉬金屬。在一實施例中，製粒機之至少一個容器包括管路，管路包括高效地吸收來自感應耦合加熱器之輻射之一材料，諸如鉭、鈮或諸如鉻鉬之一鐵金屬。管路可捲繞以允許加熱一感應耦合加熱器之一線圈內之一較長長度區段。管路可具有諸如在約1 mm至10 mm之範圍中之一小直徑以有效地間接加熱管路內側之金屬。諸如拋光或電拋光管路之管路可具有一低發射率。可使用諸如實質上對感應耦合加熱器之輻射透明之絕緣體之絕緣體包裹管路。絕緣體可有效地最小化傳導且對流熱損耗且可進一步至少部分反射來自管路之紅外線輻射以減小輻射功率損耗。在一實施例中，製粒機可進一步包括一真空腔室或圍繞製粒機之至少部分提供一真空腔室之一電池延伸部分。圍繞容器之真空可減小傳導且對流熱損耗且降低所需加熱器功率以將熔體維持在所要溫度。真空可進一步減少管路之氧化以維持其所要低發射率。 在包括氣體歧管之氣體處理區段中，容器壁可包括具有一減小之對氫之低滲透性且能夠承受一高溫之一材料。合適材料係諸如鎢及鉬之耐火金屬及氮化物結合氮化矽管。在歧管區段中缺乏感應耦合加熱器之情況下，容器可與絕緣體並列。可藉由第二容器之連續區段絕緣且加熱此區段，熔體自第二容器流動至此區段中。若必要，除絕緣體以外，可藉由加熱金屬壁且間接加熱熔體之一感應耦合加熱器維持溫度。替代性地，可使用另一類型之加熱器，諸如一電阻加熱器。在一實施例中，歧管區段進一步包括一混合器以增大H2 及氣體H2 O併入至熔體中之速率。混合器可包括一電磁類型(諸如利用電流及磁場之至少一者在熔體中產生渦流之電磁類型)及包括一移動攪拌棒葉片或葉輪之機械類型。H2 及氣體H2 O變得併入至熔體中以形成熔化燃料以在點火地點處自一噴嘴5q彈射。製粒機5a進一步包括H2 及H2 O之一來源，諸如分別連接至歧管5w及5x之氣罐及管線5u及5v。替代性地，藉由H2 O罐、水蒸汽產生器及水蒸汽管線5v將H2 O提供為水蒸汽。可使用藉由產生器產生之電由水電解提供氫氣。 自噴嘴5q彈射高壓熔體達成將燃料噴射至電極中，其中藉由至少一個電磁泵5k產生高壓。可藉由相對於熔體容器5c之剖面積控制彈射噴嘴5q之剖面積而增大壓力。可調整及控制噴嘴孔口。諸如傳導或光學感測器(諸如紅外線感測器)之感測器及一電腦可控制泵5k之壓力及噴射速率。噴嘴5q可進一步包括一閥，諸如本發明之可提供額外噴射控制之一閥。該閥可包括一針型，其中噴嘴開口作為閥座。在包括一電磁泵5k之SF-CIHT電池之一實施例中，諸如電磁泵之一快電流控制器之一快控制器充當一閥，此係由於在本質上與根據取決於電流之勞侖茲力(方程式(37))之電流相同之時間標度消除藉由泵產生之壓力。可藉由控制噴嘴大小、跨噴嘴孔口之壓力、使用諸如一電磁或壓電振動器之一振動器施加至噴嘴之振動及熔體之溫度、黏性及表面張力之至少一者來控制丸粒大小。可使用諸如一光學感測器(諸如一紅外線感測器)之一感測器感測丸粒之移動。位置資料可經回饋至噴射及點火之控制器之至少一者中以同步使燃料流動至點火程序中。可藉由一法拉第籠圍繞噴嘴5q以防止RF場感應丸粒中之渦流且防止導致丸粒自一筆直路線偏離至發生點火之電極間隙中。 藉由表面張力隨後接著來自噴嘴5q之彈射形成之丸粒可輻射熱及冷。自噴嘴5q至電極8之間的點火點之飛行距離可足以使金屬形成球體，且各球體可充分冷卻以使一殼形成於外側上。為增強冷卻速率以協助形成球形丸粒及具有一外固體殼之球形丸粒之至少一者，可使用一噴霧器(諸如本發明之一噴霧器)憑藉諸如水滴之水噴灑經彈射熔化燃料流。一例示性水噴霧器係美國專利第5,390,854號之Fog Buster Model #10110。可使用一冷凍器凝結多餘水以維持電池中之一大致真空。在一實施例中，噴霧器及水冷凝器或冷凍器可使用可在丸粒5t彈射時冷卻丸粒5t之一噴嘴冷卻器5s代替。冷卻可包括一散熱器(諸如包括輻射熱之一熱質量之一散熱器)、具有至一冷凍器之管線31d及31e之在噴嘴上之一熱交換器及一冷凍器31a及噴嘴5s上之一帕耳帖冷凍器之至少一者。流動至製粒機5a之噴嘴區段中之熔體可具有一實質上高溫，以便吸收上游氣體施加區段中之諸如H2 及H2 O之所施加氣體。可使用噴嘴冷卻使熔體溫度淬火。正當熔體彈射時可將溫度降低至僅高於熔點。較低溫熔體可形成球體，且各者可在隨後其自噴嘴行進至電極時使用輻射冷卻形成一固體殼。使用諸如散熱器及熱交換器及冷凍器之一大致高容量冷卻構件，彈射處之溫度可經建立在一大致溫度範圍內，諸如在熔體之熔點之約50℃內。可使用諸如帕耳帖冷凍器之一高度可控制低容量冷卻器達成所要溫度附近之一更精確溫度，諸如在熔體之熔點之約1℃至5℃內。 製粒機5a可進一步包括一冷凍器以冷卻感應耦合加熱器，冷凍器可包括一分開冷凍器或與噴嘴冷凍器31a及諸如PV轉換器冷凍器31之電力轉換器冷凍器相同之冷凍器。亦可使用將熱排斥至一冷凍器之一熱交換器來冷卻點火系統8a (圖2H2)，冷凍器可包括亦冷卻諸如PV轉換器之另一系統之諸如31之一冷凍器。點火系統冷卻器可冷卻諸如滑動軸承之電連接軸承或滑環、滾輪軸件及滾輪電極之至少一者。點火系統冷卻器可包括諸如圍繞滑環之一水套之一熱交換器。水套水亦可流動通過軸件7及滾輪電極8。可透過此項技術中熟知的軸件之端部處之水密軸件密封軸承或水密滑環將水流與軸件7連接。 燃料之點火形成分數氫及氧，其可使用一真空泵13a (圖2I2) (諸如一魯氏泵、一渦旋泵、一低溫泵、一隔膜泵、一亁真空魯氏泵及熟習此項技術者已知的其他泵)抽出。多餘水及氫可經回收且再循環。可藉由差分泵抽移除水。在一實施例中，可藉由泵抽及本發明之其他方法(諸如藉由分液方法)移除形成於電漿中之氫及氧。氫及氧之移除可用作移除多餘水之一方法。在電極處維持包括水之一氣氛之情況中，可藉由泵抽移除多餘水。水可在電池26中或與電池26內側連接之一冷凍器處凝結且經再使用。替代性地，舉例而言，亦可使用泵13a抽出水。壓力可維持在防止藉由電池發射之過度衰減之至少一者且允許點火粒子在重力影響下實質上不受阻礙地落下之一壓力範圍中。壓力可維持在約1奈托至100 atm、0.1毫托至1 atm及10毫托至2托之至少一個壓力範圍中。 熱燃料之點火可需少於冷燃料之能量；因此，點火之時序在熱燃料情況中可較早。點火之時序可經控制以達成在一所要區域(諸如提供朝向諸如光伏打轉換器26a (圖2I2)之電力轉換器引導之光之一區域)中形成光。在自滾輪電極8下方噴射燃料之情況中，滾輪速度可經增大以向上運輸燃料以導致在所要區域中發射光。系統可包括諸如一延遲線之一點火電流延遲元件以在藉由滾輪運輸燃料時延遲點火，使得在所要區域中產生光。可藉由控制丸粒之噴射速率及大小來控制功率。可藉由控制泵抽速率來控制流動速率。亦可藉由控制諸如氣體壓力、曝露時間及熔體溫度之氣體吸收條件來控制H2 及H2 O含量以控制SF-CIHT電池之功率輸出。 在原位修復諸如滾輪電極8之電極之一實施例中，可在缺乏氣體處理及冷卻(諸如使用水噴霧器、熱交換器及冷凍器或帕耳帖冷凍器)之至少一者之情況下噴射諸如熔化銀之熔體。未處理金屬充當「無效」材料，其中缺乏形成分數氫之點火，使得材料可接合至電極表面。在熔體未冷卻為具有一外殼之丸粒之情況中，接合可更分散且均勻。熔化液滴可憑藉噴射撞擊電極表面以隨著時間使用新金屬覆蓋表面。可藉由本發明之方法(諸如藉由使用修整輪、精密磨床及車床之至少一者)機械加工多餘金屬。可使用一固定研磨葉片達成碾磨，其在滾輪電極旋轉時碾磨表面。替代性地，可藉由放電機械加工(EDM)移除多餘材料，其中EDM系統可包括電極及電源供應器。各電極可具有一修整輪以調節表面。可藉由碾磨、研磨、研光、超光製及熱處理之至少一者使滾輪平滑且形成為一所要半徑。在另一實施例中，電極修補或修復系統包括諸如一光學感測器(諸如一雷射)之一感測器以偵測滾輪損害。一控制器可控制沈積、多餘材料之移除及修整以修復衝擊損害以將電極維持在特定所要大小容限內。 在可獨立於電池相對於重力之定向之一實施例中，可藉由一靜電及一電磁回收系統之至少一者回收點火產物。在一實施例中，靜電回收系統包括可維持在高壓下之至少一組電極以導致變得藉由一個電極(諸如正(負)電極)使點火產物粉末帶電且藉由帶相反電之電極(諸如負(正)電極)收集帶電粒子。可藉由使用負電極處之一放電(諸如一電暈放電)產生之電子使粒子帶電。替代性地，諸如包括銀之粒子之粒子可在ESP電極之間的一高磁場中變得帶正電。藉由電極產生之磁場之方向可使得粒子在沿著一笛卡兒座標系統(Cartesian coordinate system)之至少兩個方向之一軌跡中行進。粒子可直接行進至一收集器，收集器可為製粒機之輸入。粉末可在製粒機中熔化，且一電磁泵可泵抽熔體以運輸之。可使用氣體處理熔體以變為燃料且噴射至電極中。 在另一實施例中，點火產物粉末可主要沿著笛卡兒座標系統之一個軸運輸以收集於至少一個收集電極上。接著可藉由諸如一機械及靜電運輸機之至少一個運輸機將粉末運輸至製粒機。電極可包括障壁電極，其中在收集電極之表面上維持一電荷。經收集帶電粉末可維持在一帶電狀態中。可藉由一系列經電隔離收集電極運輸粉末，其中藉由施加一電壓而使該系列n整數個電極之電極n+1帶電同時電極n經放電或帶相反電，使得粉末被吸引至電極n+1且不再附接電極n或被電極n排斥。可依序電啟動及電撤銷啟動該系列電極以將粉末移動至一所要位置(諸如至製粒機)。該系列n個電極可在任何所要方向上移動粉末，諸如在具有垂直引導之光之標準設計在一顛倒定向中操作之情況中垂直移動。在一實施例中，該系列電極可將粉末移動至電池之一含有電漿之區域，其中本發明之擴充電漿軌道槍回收系統可完成粉末之回收。在電漿傳導率較低之情況中，一靜電沈澱器可用於收集點火產物或將其等引導至具有一高傳導率之一區域。在具有高電漿傳導率之一區域中，可藉由一障壁電極靜電沈澱器及一擴充電漿軌道槍回收系統之至少一者回收點火產物。 靜電沈澱器(ESP)可包括一高電壓電源供應器，其可關閉光伏打(PV)轉換器及PV轉換器電力之電力調節機之至少一者。電源供應器可在ESP電極之間供應電力以導致靜電沈澱。在一實施例中，ESP沈澱器進一步包括諸如一中心電極之一組電極，諸如具有一極性之一線電極88 (圖2I23)及具有相反極性之至少一個相對電極89。線電極可與(諸)相對電極產生一電暈放電。線可包括諸如尖針之物件以增強電場。諸如收集或沈澱器電極之相對電極可包括電池壁及入口或圍繞製粒機之入口之區域之至少一者。諸如一高電壓電源供應器之ESP電源供應器可將一高負電壓施加至諸如線電極之中心電極，且諸如電池壁及入口之至少一者之收集電極可接地。諸如包括銀之粒子之粒子變得帶正電且經收集於負線或棒上。在一替代實施例中，高電壓電源供應器可將一高正電壓施加至諸如線或棒電極之中心電極，且諸如電池壁及入口之至少一者之收集電極可接地，使得帶正電之銀粒子收集於電池壁及入口上。(當粒子帶負電時，針對兩種情況發生相反狀況。)經收集粒子可經運輸至製粒機之入口。可藉由重力、靜電場、電磁場及機械之至少一者運輸。替代性地，至少一個電極可包括至少一個線(圖2I23之88)、線網(圖2I23之89)或實質上不阻擋電池發射至PV轉換器之一線篩。電極可包括諸如一耐火金屬(諸如Mo或W)之一耐火導體，使得可主要藉由輻射達成冷卻。在一例示性實施例中，一中心線帶負電至500 V至1500 V之間，而具有10 cm之一半徑之兩個相對電極板接地。電池壓力約為30毫托至50毫托。在50 mA下將帶正電之銀粒子靜電地收集於負中心電極上。粒子在接觸中心線之後經中和，且中和銀粒子憑藉重力落入至一收集器。可藉由減小電極之間隔且藉由增大所施加ESP電極電壓而增大電場強度以提供一更高ESP力及ESP效應。可藉由增大電極沿著點火產物之軌跡之垂直長度來增大作用時間及ESP效應。 在一實施例中，電池26可包括一傳輸線或波導，其經設計以具有基於用於沿著電池傳播交替頻率功率之電漿介質之阻抗匹配在與衝擊區域相距一所要距離處反射電漿及粒子之阻抗。交替頻率可具有可受控點火波形之特性。電池之尺寸可經控制。控制可促進電漿功率傳播至電池之一區域中直至用於電漿功率傳播之阻抗不再匹配至電池阻抗。可透過電漿之傳導率可控制地改變電漿阻抗，電漿之傳導率可歸因於離子電子重組而沿著傳播路徑下降。電漿傳播可被停止或反射。可至少部分藉由電漿之停止或反射促進點火產物之回收。 電極之至少一個極性可包括一UV鏡表面(諸如本發明之UV鏡表面，諸如塗佈MgF2 之Al)以反射電池之發射及防止點火產物附著之至少一者。在後一情況中，另一抗附著塗層包括藍寶石。在另一實施例中，壁可包括鋁箔(諸如可包括一薄保護氧化物塗層之Al箔)以作為一抗附著表面。壁可包括鉬(諸如具有氧化物塗層之Mo箔)、碳化鎢(WC)、塗佈WC之金屬(諸如塗佈WC之Mo或W)、鎢、Ta、Nb、TaW、滲碳金屬(諸如鋼或相關合金)、陽極氧化鋁、氧化鋁(諸如可濺射塗佈於諸如不銹鋼之一基板上之α氧化鋁)、石墨、柔性石墨、石墨烯及塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu、Mo或W)之至少一者以作為一抗附著材料。在一實施例中，壁可包括塗佈碳之支撐件，諸如一陶瓷或金屬支撐件。碳可包括石墨。可藉由此項技術中已知的方法(諸如在支撐件上固化之一液體噴霧)施加石墨。其他方法包括蒸汽沈積、濺射、化學沈積及此項技術中已知的其他方法。壁可包括一支撐件，諸如塗佈有可為熱解石墨之石墨之一金屬。塗層可具有熱解石墨瓷磚。塗層可為碳化硼(例如，B4 C)、諸如鐵氟龍(PTFE)之氟碳聚合物、氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石、氧化鋯富鋁紅柱石或可在高溫下操作之氧化釔富鋁紅柱石穩定氧化鋯(YSZ)。塗層(諸如高溫不銹鋼或銅上之塗層)可包括陽極氧化鋁。可藉由此項技術中已知的塗佈方法(諸如熱噴灑或電弧噴灑及電鍍)施加鋁。鋁塗層可經陽極氧化。可在一電解池(諸如包括一硫酸電解質之一電解池)中執行陽極氧化。在一實施例中，電池壁(諸如包括抵抗點火產物之潤濕或附著之表面之電池壁)可與點火產物粒子之傳播軌跡之方向成角度或自其傾斜以促進點火產物粒子在不附著之情況下自壁偏轉。電池壁及電池頂部之至少一者可包括具有諸如抵抗點火產物附著之陽極氧化鋁或石墨之一材料之一波形表面，使得諸如熔化Ag粒子之點火產物粒子並不垂直撞擊且附著。在一實施例中，壁可包括經拉伸以吸收來自受衝擊粒子之撞擊之一箔以防止其等嵌入。在另一實施例中，箔可相對於衝擊方向成角度以偏轉粒子以避免附著。在一實施例中，壁可包括不同材料以便提供所要選擇性能力，諸如耐熱性及UV光在所要電池區域中之反射。舉例而言，電池壁較靠近PV轉換器之頂部可包括塗佈有MgF2 之Al以反射UV光，且在電極及點火產物入口處之電池壁之底部可包括石墨、Mo或碳化鎢以在高溫下操作。壁之底部區段之高溫可促進將點火產物返回至接近於或高於其熔化溫度以減小藉由製粒機再生燃料丸粒之輸入能量。氫氣氛、歸因於泵抽之低氧分壓或氧吸氣劑可保護諸如石墨及鋁之可氧化組分以防氧化。相同情況可應用於可氧化電極組件。 ESP系統可進一步包括一障壁電極區段以使粒子帶電。在一實施例中，光伏打(PV)轉換器之壁及表面之至少一者可帶正電以排斥帶正電之銀粒子以防止其等附著至電池壁或PV轉換器。可藉由一高電壓電暈放電使粒子帶正電。在另一實施例中，光伏打(PV)轉換器之壁及表面之至少一者可包括一障壁電極或可在點火區域與壁或PV轉換器之間具有一障壁電極。障壁電極可經帶電為與點火產物粒子相同之極性以排斥其等且防止附著至壁或轉換器表面。在一例示性實施例中，諸如銀粒子之粒子帶正電，且障壁電極經正極化以排斥粒子。 在另一實施例中，藉由時間變化場(諸如包括激發場之射頻場)在粒子中感應渦流。渦流可感應待藉由粒子產生之一場。感應場可與激發場相互作用以導致粒子經受捕集及平移之至少一者。激發場可經控制以達成遠離電池壁及PV轉換器之至少一者之一平移以防止附著。至少一個天線及RF產生器可施加RF場。至少一個天線可包括一組電極。天線可包括一RF線圈。線圈及RF產生器或電源可包括一感應耦合加熱器。為防止附著於電池壁及PV轉換器之至少一者上，線圈可圍繞其中期望限制點火產物之區域。在一實施例中，在藉由相對天線定向形成之一感應耦合腔中維持一穩定電磁波，其在金屬粒子中感應渦流且將其等捕集於腔中。射頻場對粒子之捕集作用減小其等自點火衝擊獲取之速度，使得重力可最終使其等落下至電池之底部以被收集至製粒機之入口中。防止粒子附著之系統可包括一RF源及至少一個天線以在粒子中感應渦流且可進一步包括諸如一靜態磁場及一靜態電場之至少一者之一所施加場。可藉由一永久磁體及一電磁體之至少一者施加靜態磁場。可藉由一組電極及一電源供應器施加靜態電場。天線激發電磁捕集系統之頻率可在約1 Hz至100 GHz、1 kHz至10 GHz及100 kHz至100 MHz之至少一個頻率範圍中。可基於粒子大小選擇頻率。一較高頻率可應用於較小粒子。熟習此項技術者可測試不同線圈幾何形狀、功率及頻率以達成一力(諸如金屬粉末點火產物之懸浮或其自頂部電池區域之排除)。 在一實施例中，防止藉由固體燃料之點火形成之電漿之電離粒子靜電地附著至電池之表面(諸如PV轉換器之窗、PV轉換器及電池壁)。在包括產生垂直於點火及跨電極之電漿電流之方向之一磁場之磁體(諸如8c (圖2I10))之一實施例中，藉由勞侖茲力自PV轉換器之窗及PV轉換器掃除電離粒子之至少一部分，且其餘未電離粒子之至少一部分歸因於其等之電中性並不靜電地附著至表面。中性粒子可自表面彈性地散射。在一實施例中，使用諸如接地之方法藉由電中和進一步防止粒子靜電地附著至表面。可藉由使用與未中和粒子接觸之一導體達成接地。材料可具有一低工作函數、高表面積、高熱離子活動及高光電活動之特性之至少一者。材料可包括被cessiated之一金屬。在一實施例中，中和諸如帶正電粒子之帶電粒子之一方法包括一中和電子來源，諸如一電接地路徑及自由電子噴射器之至少一者。可藉由諸如一電子束及一光陰極之構件噴射自由電子。光陰極可歸因於使用來自電漿之適當高能光照明而發射光電子。光陰極可為本發明之一光陰極，諸如GaN。亦可藉由使用在加熱時發射電子之一加熱燈絲(諸如一W或塗釷W燈絲)達成中和。可在一加速柵極與燈絲之間施加一正偏壓以改良噴射至電漿中之電流量以中和之。 在一實施例中，光伏打(PV)電池及面板之至少一者遠離於橫向平面傾斜至來自固體燃料丸粒之點火之粒子之傳播方向。PV電池及面板之至少一者之陣列可經配置為一威尼斯百葉窗式，使得來自點火之移動粒子以一角度掠射其等。在一實施例中，掠射入射防止粒子附著至PV電池及面板之至少一者。粒子可彈性地散射。小粒子具有一高表面張力以形成可促進彈性散射及非附著之球體。傾斜PV電池及面板可將粒子彈性地偏轉或散射至一非附著表面(諸如一石墨、鋁、鋯或WC表面)。非附著表面可包括連接配置為一威尼斯百葉窗式組態之陣列之一個部件之上邊緣與一連續部件之下邊緣之垂直縫翼。粒子可落下或可自非附著表面運輸至製粒機之入口。可與本發明之其他方法組合應用PV轉換器之掠射入射特徵以防止粒子之附著，諸如使用諸如點火電流之交叉電流及藉由磁體施加之磁場以導致粒子之一勞侖茲力偏轉，且PV電池各可經塗佈有諸如鋁之一非附著表面。在一實施例中，傾斜或威尼斯百葉窗式PV組態可增大PV轉換器之表面積以允許更高功率輸出。 在一實施例中，電漿及電漿發射以淺入射角度入射一系列鏡(諸如本發明之UV鏡)之各者。淺或掠射角度導致十分高於一更法線入射角度之反射係數之一反射係數。該系列鏡選擇性地分離光與粒子。粒子可經受與鏡之非彈性碰撞以自電漿移除，而光透過該系列鏡反射以被引導至PV轉換器上。包括固體燃料點火產物之粒子經收集於製粒機之入口處。可藉由重力流或本發明之其他方法進行收集。 在另一實施例中，收集電極可包括諸如一抓斗升降機之一機械運輸機。替代性地，運輸機可包括一傳送帶，其中粉末可靜電地附著且經機械地運輸至製粒機。帶電電極可產生一靜電場，其在傳導粒子中感應一鏡偶極且藉由電荷及感應電荷相互作用將粒子靜電地固持於帶上。可藉由一范德格拉夫產生器(van de Graaf generator)之機構使帶帶電。傳送器可包括一范德格拉夫產生器。替代性地，可使用在電流方向上交替且經嵌入於一絕緣體中之電流攜載線產生電場。在光複製技術中熟知此一運輸機，其中一靜電結合板結合且運輸具有一相反感應極性充電之紙。可藉由放電電場而在所要之處釋放粉末，諸如釋放至製粒機中。可使用如在光複製技術之硒板之情況中之照明達成放電。在另一實施例中，粒子可附著至一磁化傳送器，諸如包括一帶之一傳送器，帶包括當與傳送器表面接觸時供應通過粒子之電流之表面電極。粒子電流引起與傳送帶之磁化相互作用之一粒子磁場以導致粒子附著。可藉由終止通過傳導粒子之電流來釋放粒子。在靜電及磁性實施例兩者中，粒子可歸因於頂部帶滾輪處之離心力而飛出帶。舉例而言，亦可使用一刮刀機械地移除粒子。在一實施例中，諸如傳送帶之機械運輸機可替代在圖2I6中展示之軌道槍噴射器，其中燃料丸粒替代本發明之粒子。 藉由混合及匹配本發明之現有實施例之態樣(諸如關於回收系統、噴射系統及點火系統之態樣)預期本發明之其他實施例。舉例而言，丸粒或團粒可從來自滾輪(圖2H1至圖2H4及圖2I1至圖2I9)上方之製粒機或製粒機之丸粒滴落器直接落下至滾輪電極中。點火產物可流動至可在滾輪上方或下方之製粒機中。可在滾輪下方形成丸粒且在滾輪上方運輸丸粒。金屬可經泵抽至其中可製成丸粒之滾輪上方，且丸粒可滴落或噴射至滾輪中。在另一實施例中，點火產物可經運輸至可在滾輪上方之製粒機。PV面板可經定向以最大化光之擷取，其中預期且可藉由具有常規知識之熟習此項技術者判定除針對光伏打轉換器26a (圖2H1、圖2I1及圖2I2)展示之定向以外的其他位置。相同情況應用於本發明之其他系統及系統組合之相對定向。 在圖2I10至圖2I23中展示之一實施例中，點火系統包括一對固定電極8 (在其等之間具有建立一斷路之一間隙8g)、導致燃料之點火之一電源2及將電源2連接至該對電極8之一組匯流條9及10。可藉由點火系統之一冷卻系統冷卻電極及匯流條之至少一者。間隙8g可填充有傳導燃料，伴隨著藉由熔化燃料自噴射系統(諸如包括一電磁泵5k及一噴嘴5q之噴射系統)之噴射閉合電路。經噴射熔化燃料可包括球形丸粒5t，其等可為熔化、部分熔化且與一固化殼一起熔化之至少一者。可作為一丸粒流、一連續流或丸粒與一流之一組合遞送固體燃料。給料至電極之熔化燃料可進一步包括一連續流或間歇週期之丸粒及連續流。電源2可包括至少一個電容器，諸如藉由光至電轉換器(諸如PV或PE轉換器)充電之一電容器組。充電電路可與電源2及電極8並聯。在另一實施例中，充電電路可與電源2及滾輪2串聯，其中一開關在電極處於一斷路狀態中時將充電電路連接至電源。電壓可在約0.1 V至10 V之範圍中。可藉由串聯連接電容器來達成所要最大電壓。一電壓調節器可控制最大充電電壓。峰值電流可在約100 A至40 kA之範圍中。可藉由並聯連接電容器來達成所要最大電流，其中藉由串聯連接之並聯組達成之一所要電壓。點火電路可包括一突波保護器以保護點火系統抵抗點火期間產生之電壓突波。一例示性突波保護器可包括至少一個電容器及諸如威世二極體(Vishay diode) (VS-UFB130FA20)之一個二極體。電壓及電流經選擇以達成點火以在最小化輸入能量時在可選擇電力轉換器之區域中產生最大光發射。一例示性電源包括兩個串聯電容器(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F)以提供約5 V至6 V及2500 A至10,000 A。一例示性電源包括兩個串聯電容器(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F)以提供約5 V至6 V及2500 A至10,000 A。另一例示性電源包括四個串聯電容器(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F)以提供約9.5 V及約4 kA。一例示性電源包括兩個串聯電容器之兩組(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F)，其等並聯連接以提供約5 V至6 V及2500 A至10,000 A。 在圖2I13及圖2I14中展示之一實施例中，歧管及噴射器包括在第一容器5b及第二容器5c之至少一者之內側縱向延伸之一管道起泡器5z。在一實施例中，管道起泡器5z包括用於氣體之一封閉通道或導管及沿著其長度以將氣體遞送至圍繞其之燃料熔體中之至少一個穿透部分。在一實施例中，管道起泡器具有沿著其長度分佈於其表面上之穿透部分或埠以沿著其長度在其表面上遞送氣體。管道起泡器可為至少一個容器內側之中心線。可藉由沿著管道起泡器之輻輪支撐件維持中心線位置。在其輸入端處，管道起泡器可在第一容器之敞開入口處進入第一容器5b之內側且可延伸穿過第一容器5b及第二容器5c之至少一者，使得其在噴嘴5q (圖2I13)之前結束。在圖2I14中展示之避免管道起泡器延伸穿過一電磁泵5k之另一實施例中，管道起泡器在不延伸穿過泵5k之情況下延伸至第一或第二容器之至少一者中。管道起泡器5z可將一穿透部分形成至容器之一壁區域(諸如在一接點或肘管(諸如第二容器5c (圖2I16)之接點或肘管)處)中且可在進入一泵5k (圖2I14)之前終止。管道起泡器可供應有至少一個氫氣管線、液體或氣體水管線及一共同氫及液體或氣體水管線(諸如來自連接至H2 及H2 O之至少一者之一來源之一歧管之一管線5y以及5v及5u)。 在一實施例中，第一容器5b及第二容器5c之至少一者可包括具有一捲繞管道起泡器5z之一線圈，其可增大留存時間以將H2 O及H2 之至少一者噴射至燃料熔體中。製粒機組件之至少一者(諸如容器5b及5c、泵管及管道起泡器5z)可由一金屬組成，其中可間接加熱燃料熔體。可使用穿過容器壁之固定螺釘將管道起泡器定位於容器內側。舉例而言，可藉由調整圍繞容器之圓周以120°隔開設定之三個螺釘之各者之相對凸出長度而達成管道起泡器定心。 製粒機可進一步包括接收來自諸如第一容器之一容器之熔體之一腔室。腔室可包括至少一個起泡器管(諸如腔室中之複數個起泡器管)且可進一步包括給料至起泡器管之一歧管。水可作為水蒸汽供應至腔室以併入至諸如熔化銀之熔體中。水蒸汽可至少經預加熱至腔室之溫度以避免熱損耗。可藉由來自製粒機之一加熱區段(諸如第一容器)之熱交換來預加熱水蒸汽。可使用諸如一感應耦合加熱器之一加熱器加熱水蒸汽。經水蒸汽及氫處理之熔體(諸如熔化銀)之至少一者可流動出腔室至第二容器，第二容器可包括可使用諸如一感應耦合加熱器之一加熱器加熱之管路。管路可穿透電池壁且在將熔體噴射至電極中之一噴嘴5q中終止。腔室可包括一泵，諸如在腔室入口及出口之至少一者中之一電磁泵。 在管道起泡器附接至H2 及H2 O氣罐兩者之情況中，管線5u及5v可分別附接至諸如一歧管之一氣體混合器，歧管接著透過一連接管道5y (圖2I14)附接至管道起泡器。在另一實施例中，管道起泡器可包括複數個管道起泡器。各者可分別藉由管線5u及5v單獨連接至諸如H2 及H2 O氣罐之一分開氣體供應器。管道起泡器可包括多個區段，其等在組裝及拆卸期間(諸如在製造及維護期間)可為被連接及被斷開連接之至少一者。管道起泡器可包括合適接頭以達成連接。一個第一管道起泡器區段可用於將氣體遞送至熔體中直至電磁(EM)泵。一第二管道起泡器區段可執行沿著EM泵區段穿隧及遞送氣體之至少一者，且一第三管道起泡器區段可沿著第二容器5c遞送氣體。在另一實施例中，多區段管道起泡器包括在第一容器內側延伸穿過其入口且沿著其長度之一第一區段及在第二容器5c內側且在噴嘴5q之前終止之一第二管道起泡器區段。在一實施例中，管道起泡器可在泵5k之後進入容器，使得來自經噴射氣體之壓力並不導致熔體逆流。起泡器5z可透過諸如一肘管之一連結區段進入容器，肘管可連接藉由本發明之接頭5b1連接之不相似容器材料(諸如金屬及石英(圖2I14及圖2I16))。感應耦合加熱器可包括兩個完整線圈。第一感應耦合加熱器線圈5f加熱第一容器且第二感應耦合加熱器線圈5o加熱第二容器5c。管道起泡器可包括一金屬或合金，其抵抗在操作溫度下與H2 O反應，能夠維持其完整性且避免在熔體溫度下形成銀合金。在足夠熔點情況下缺乏H2 O反應性之合適例示性材料係來自以下之群組之金屬及合金之至少一者：Cu、Ni、CuNi、Hastelloy C、Hastelloy X、英高鎳、英高合金、碳鋼、不銹鋼、諸如改質9Cr-1Mo-V (P91)、21/4Cr-1Mo鋼(P22)之鉻鉬(chromoly)鋼、Co、Ir、Fe、Mo、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Ru、Tc及W。 管道起泡器可在輸入端處分別藉由管線5u及5v附接至H2 及H2 O氣罐之至少一者。替代性地，藉由H2 O罐、水蒸汽產生器及水蒸汽管線5v將H2 O提供為水蒸汽。在一實施例中，製粒機包括一水蒸汽產生器5v以用於將H2 O添加至容器(諸如5b及5c之至少一者，其可包括石英容器)中之熔體(諸如銀熔體)。在一實施例中，水蒸汽產生器包括一毛細管芯吸系統，其具有一熱梯度以在一端處產生水蒸汽且自相對端將水芯吸出一貯槽。在一實施例中，水蒸汽產生器包括一高表面積加熱材料(諸如一金屬泡沫或墊，諸如包括鎳或銅之金屬泡沫或墊)以提供用於將來自一H2 O貯槽之水轉換為水蒸汽以使丸粒水合之沸騰地點。其他例示性高表面積材料包括諸如沸石、氧化矽及氧化鋁之陶瓷。水蒸汽產生器可在壓力下運行以增大水蒸汽溫度及熱含量。可藉由控制水蒸汽流出口之大小來獲得壓力以控制對流動之一限制，使得以相對於受限輸出流之一速率產生水蒸汽以導致一所要水蒸汽壓力。管線可包括一減壓劑。水蒸汽產生器可包括一冷凝器以凝結水滴及低溫水蒸汽。經凝結之水可回流至池中。水蒸汽可流動通過管道起泡器5z且噴射至熔體(諸如經噴射至電極8中之熔化銀)中。在另一實施例(諸如其中藉由本發明之一氣體噴射器將氣體水噴射至電漿中之一實施例)中，壓力可維持在較低，諸如在約0.001托至760托、0.01托至400托及0.1托至100托之至少一個範圍中。降低熱、冷凍液體水、維持冰及冷卻冰之至少一者可應用於一貯槽或罐(諸如5v)中之水，貯槽或罐在減小壓力下操作以形成低壓氣體水。可使用諸如31及31a之一冷凍器維持冷凍及冰。可藉由真空泵13a提供減小壓力。在一實施例中，銀中水之wt%對於分數氫反應可為最佳的，其中速率隨著H2 O wt%自純金屬電漿開始而增大，在最佳wt%處達到一最大速率及分數氫良率，且可歸因於競爭程序(諸如HOH之氫鍵結以降低新生HOH濃度及原子H之重組以降低原子H濃度)而隨著進一步H2 O電漿含量減小。在一實施例中，包括傳導基質(諸如一金屬，諸如銀、銀銅合金及銅)之點火電漿之H2 O重量百分比(wt%)在約10-10 至25、10-10 至10、10-10 至5、10-10 至1、10-10 至10- 1 、10-10 至10-2 、10-10 至10-3 、10-10 至10-4 、10-10 至10-5 、10-10 至10-6 、10-10 至10-7 、10-10 至10-8 、10-10 至10-9 、10-9 至10-1 、10-8 至10-2 、10-7 至10-2 、10-6 至10-2 、10-5 至10-2 、10-4 至10-1 、10-4 至10-2 、10-4 至10-3 及10-3 至10-1 之至少一個wt%範圍中。在其中丸粒僅包括銅或具有諸如一金屬(諸如銀)之另一材料之一實施例中，電池氣氛可包括氫以與可藉由與形成於電池中之氧反應而形成之任何氧化銅反應。氫壓可在約1毫托至1000托、10毫托至100托及100毫托至10托之至少一個範圍中。氫壓可為以其形成之一速率與氧化銅反應之一氫壓或高於及低於顯著衰減來自燃料點火之UV光之一壓力。SF-CIHT產生器可進一步包括一氫感測器及一控制器以控制來自諸如5u之一來源之電池中之氫壓。 圖2I10至圖2I23之固定電極8可經定型以引起電漿且因此電漿發射之光朝向PV轉換器26a (圖2I2)投射。電極可經定型，使得熔化燃料最初流動通過包括一頸部或較窄間隙之一第一電極區段或區域8i (圖2I12)至具有一較寬間隙之第二電極區段或區域8j。點火優先地發生在第二區段8j中，使得電漿自第二電極區段8j朝向PV轉換器26a擴張。頸部區段可產生一文土里效應(Venturi effect)以導致熔化燃料快速流動至第二電極區段。在一實施例中，電極可包括遠離噴射方向朝向PV轉換器突出點火事件之一形狀。合適例示性形狀係一最小能量表面、一擬球體、一錐形圓柱體、一上薄片拋物線、一上半薄片雙曲線、一上半薄片懸鏈曲面及具有截斷為包括第一區段之一合適入口之頂點之一上半薄片星狀橢圓體。電極可包括呈三維且具有可填充有半區段(圖2I12)之間的絕緣體8h之一裂縫之一表面以包括具有一斷路間隙8g之兩個分開電極8。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以導致跨具有包括間隙8g之幾何形狀之傳導零件之接觸。在另一實施例中，電極可包括分裂三維表面之一矩形區段。在任一實施例中，可藉由機械加工移除材料而形成裂縫8h，使得除包括裂縫8h之遺失材料以外的幾何形狀仍在。在一實施例中，丸粒之速度可經控制以足以導致電漿及經發射之光在引導至PV轉換器26a之區域8l中。電磁泵5k之功率及噴嘴孔口大小可經控制以控制噴嘴5q處之壓力及丸粒之速度。 電極表面上之點火地點之控制可用於控制電池中之區域及電漿擴張及光發射之方向。在一實施例中，電極8經定型以將熔體丸粒5t模製為具有較小電阻之一聚焦區域之一幾何形狀以導致電流集中於聚焦區域中以選擇性地導致聚焦區域中之集中點火。在一實施例中，選擇性集中點火導致電漿擴張及光發射至朝向PV轉換器26a引導之電池之一區域8l中之至少一者。在一實施例中，電極8可部分電傳導且部分電絕緣。絕緣區段8i可將來自噴射地點8k之燃料導引至傳導區段8j中以被點火，使得電漿優先地朝向PV轉換器26a擴張至區域8l中。在一實施例中，自熔化丸粒最初完成電極之間的電連接之時間延遲導致點火之高電流。延遲可允許丸粒熔體行進至噴射地點8i之相對側上之電極8j之一部分。在相對側8j上之隨後點火可朝向PV轉換器26a引導電漿及光。延遲電路可包括一感應器及一延遲線之至少一者。 在一實施例中，電極可包括一最小能量表面，諸如一最小能量表面、一僞球體、一錐形圓柱體、一上薄片拋物線、一上半薄片雙曲線、一上半薄片懸鏈曲面及具有截斷頂點之一上半薄片星狀橢圓形。缺乏氫及H2 O以使其無法經受點火之「失效」熔體可經噴射至電極中。熔體可根據最小能量分佈於電極表面上。分佈可復原原始電極表面以修復任何點火損害。系統可進一步包括將電極表面改造為原始形狀隨後沈積熔體之一工具。工具可為本發明之一工具，諸如一機械工具(諸如一碾磨機或一研磨機)或一電工具(諸如一放電機械加工(EDM)工具)。可使用可藉由一控制器控制之一電馬達移動之一機械工具(諸如一擦拭器、刀片或刀)移除燃料金屬。 在一實施例中，電極可包括諸如高導電金屬之一金屬，諸如不同於諸如銀之燃料之傳導基質之銅。可藉由將電極加熱至超過燃料金屬之熔點但低於電極金屬之熔點之一溫度而移除諸如銀之燃料金屬至電極之多餘黏性。將溫度維持在低於電極之熔點亦可防止電極及諸如Cu及Ag之燃料金屬之合金形成。在此情況中，多餘金屬可流動離開電極以恢復原始形式。多餘金屬可流動至製粒機中以被回收。可藉由使用來自使用來自電源2之電力及來自分數氫形成之電力之點火程序之至少一者之熱達成電極加熱。可藉由使用電極冷卻系統減少電極之任何冷卻而達成加熱。 在一實施例中，電極可包括具有高於丸粒之熔點之一熔點之一傳導材料。例示性材料係來自以下之群組之金屬及合金之至少一者：WC、TaW、CuNi、Hastelloy C、Hastelloy X、英高鎳、英高合金、碳鋼、不銹鋼、諸如改質9Cr-1Mo-V (P91)、21/4Cr-1Mo鋼(P22)之鉻鉬鋼、Nd、Ac、Au、Sm、Cu、Pm、U、Mn、摻雜Be、Gd、Cm、Tb、摻雜Si、Dy、Ni、Ho、Co、Er、Y、Fe、Sc、Tm、Pd、Pa、Lu、Ti、Pt、Zr、Cr、V、Rh、Hf、Tc、Ru、摻雜B、Ir、Nb、Mo、Ta、Os、Re、W及C及合金。電極可在高於丸粒之熔點之一溫度下操作，使得丸粒流出電極而非固化且阻擋間隙8g。在包括Ag之丸粒之情況中，電極操作溫度可高於962℃。在一實施例中，電極可包括具有高於丸粒之沸點之一熔點之一傳導材料。例示性材料係WC、耐火金屬、Tc、Ru、摻雜B、Ir、Nb、Mo、Ta、Os、Re、W及C。電極可在高於丸粒之沸點之一溫度下操作，使得丸粒流動且沸騰出電極而非固化或潤濕電極且阻擋間隙8g。在包括Ag之丸粒之情況中，電極操作溫度可高於2162℃。高操作溫度可藉由傳導及輻射之至少一者提供來自電極之熱移除。 在一實施例中，電極8可包括一起動電極加熱器以升高電極之溫度。電極可包括複數個區域、組件或層，其等之任一者可藉由至少一個加熱器選擇性加熱或可包括一加熱器。加熱可減小丸粒之附著力。加熱器可包括一電阻加熱器或本發明之其他加熱器。在用於起動之一實施例中，電極包括加熱其等以防止丸粒附著之一起動加熱器。電極加熱器可包括電源2及使電極短路之一構件(諸如電極之間的一可移動傳導橋)或移動電極使其等接觸以使其等短路直至達成加熱之一構件。可中止任何電極冷卻直至電極隨著操作溫度(諸如在針對本發明之合適材料之100℃至3000℃之範圍中)改變。電極溫度可維持在低於電極之熔點。可在起動期間之電極升溫週期期間藉由抽出冷卻劑而中止冷卻。冷凍器泵可抽出冷卻劑。電極可在低於丸粒之熔點、高於丸粒之熔點及高於丸粒之沸點之至少一個溫度範圍中操作，其中電極包括適合於此溫度操作之一材料。 在一實施例中，電極可包括一雙層。側8k上之底層可包括諸如一陶瓷之一絕緣體，諸如一鹼土氧化物、氧化鋁、陽極氧化鋁或氧化鋯，且側8l上之頂層可包括一導體，諸如銅、銀、銅銀合金、鉬、碳化鎢(WC)、鎢、Ta、TaW、Nb及塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)。塗佈石墨之W可形成可十分耐磨之一金屬-碳化物-碳(W-WC-C)結構。 在一實施例中，電極8包括一金屬(銀對其具有低附著力或實質上並不潤濕)，諸如鋁、鉬、鎢、Ta、TaW、碳化鎢(WC)及塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)之至少一者。諸如鋁電極之低熔點電極可經冷卻以防止熔化。非傳導底層可包括一絕緣體，諸如一鹼土氧化物、氧化鋁或陽極氧化鋁。在一實施例中，底層可包括具有十分低於電極之傳導率之一導體。底層可為傳導性但電隔離。雙層電極可進一步包括電傳導層之間的一薄絕緣間隔件，其中僅諸如頂層之高傳導層連接至電源2。具有相對於電極之點火部分(諸如一銀、銅、Mo、鎢、Ta、TaW、WC或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W部分))之低傳導率之一例示性底層包括石墨。在一實施例中，石墨充當諸如銀丸粒之丸粒並不附著至其之一層。 在一實施例中，電極可維持在一高溫以防止可導致非所要電短路之熔體快速冷卻且附著至電極。可藉由一點火事件及點火電流之至少一者移除任何附著熔體。在一實施例中，起動電源可預加熱電極以防止冷卻熔體附著至電極。在操作中時，電極冷卻系統可經控制以維持一電極溫度以在電極上之所要位置中達成點火同時防止熔體以一非所要方式附著。 電極溫度可維持在避免諸如銀丸粒之熔化丸粒潤濕或附著至電極之一溫度範圍中。諸如W電極之電極可在諸如約300℃至3000℃及300℃至900℃之至少一個高溫範圍中操作，其中一高Ag收縮角係較佳的。替代性地，諸如WC電極之電極可在諸如約25℃至300℃之較低溫下操作，其中一高Ag收縮角係較佳的。可藉由使用電極冷卻系統入口及出口31f及31g (圖2I13)冷卻來達成較低溫。底層及頂層各可包括經連接之一間隙8g。在一實施例中，諸如W板電極之電極包括W板之間的間隙及諸如銅匯流條之匯流條，使得W電極在導致銀汽化之一溫度下操作，諸如在約1700℃至2500℃之溫度範圍中。 在一起動模式中，電極電磁(EM)泵之通道可藉由EM泵5k噴射有熔化固體燃料。固體燃料可包括可固化之銀。來自電源2之電流可流動通過固體直至其溫度高於熔點，且可藉由電極EM泵將銀抽出通道。電極EM泵之通道中之材料之加熱會加熱電極。因此，電極EM泵之通道可充當起動加熱器。 雙層電極可用於遠離側8k上之噴射方向朝向PV轉換器突出點火事件。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在頂層中導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。非傳導底層之間隙8g可足夠深，使得對來自燃料點火之衝擊之耐壓性可優先迫使擴張發光電漿向上以在區域8l中發射。在一例示性實施例中，一組雙層電極包括在一陶瓷底層(諸如氧化鋁、氧化鋯、MgO或具有至頂層之間隙8g之一孔之耐火磚)上之銅、Mo、鎢、Ta、TaW、碳化鎢(WC)或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)上電極。頂層及底層可包括在兩個層及一間隙之介面處具有一頸部之相反錐體或錐形區段。替代性地，該等層可在剖面中形成背對背之V。此等例示性雙層電極係一向下V狀石墨或氧化鋯底層及一向上V狀W或WC上層。電極沿著橫向軸恆定以形成具有填充有丸粒之一間隙之V狀溝以導致電路被閉合且發生點火。面向下之V狀層可具有低傳導率且可將丸粒導引至對電漿點火之具有高傳導率之第二層。頂層之向上V狀可朝向PV轉換器引導電漿及光。 在一實施例中，電極可包括一雙層電極，諸如包括一向下V狀層(諸如石墨或氧化鋯底層)及具有朝向間隙8g之垂直壁或接近垂直壁之一頂層之一雙層電極。頂層之例示性材料係W、WC及Mo。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在頂層中導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。 在一實施例中，電極可包括一三層電極，諸如包括包含一向下V狀之一底層、一中間電流遞送層(諸如板邊緣稍微延伸至間隙8g中之一平板)及凹置遠離間隙8g之一向上V狀電極引線層之一三層電極。底層可包括抵抗諸如銀丸粒熔體之丸粒熔體之附著之一材料。合適例示性材料係石墨及氧化鋯。石墨可經高度定向以使最佳地抵抗附著之面定向成接觸丸粒。石墨可為熱解石墨。中間電流遞送層可包括具有一高熔點及高硬度之一導體，諸如W、WC或Mo平板。頂電極引線層可包括亦可為高度熱傳導以協助熱轉移之一高導體。合適例示性材料係銅、銀、銅銀合金及鋁。在一實施例中，頂引線電極層亦包括抵抗諸如銀或Ag-Cu合金之丸粒熔體之附著之一材料。合適例示性非附著引線電極係WC及W。替代性地，諸如一銅電極之引線電極可經塗佈有或包覆有抵抗丸粒熔體之附著之一表面。合適塗層或覆層係WC、W、碳或石墨。塗層或覆層可經施加於在點火期間曝露於丸粒熔體之表面區域上方。可藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在中間層中導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。頂引線層可經冷卻，諸如透過內部導管冷卻。中間層與頂冷卻層之間的接觸可散熱且冷卻中間層。底層與中間冷卻層之間的接觸可散熱且冷卻底層。在一測試實施例中，丸粒噴射速率係1000 Hz，跨電極之壓降小於0.5 V，且點火電流在約100 A至10 kA之範圍中。 電極可包括複數個層，諸如一引線部分(諸如一銅部分)上之Mo、鎢、Ta、TaW、WC或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)，其中對Mo、W、Ta、TaW、WC或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W表面)點火，且電極可進一步包括一非傳導層以在PV轉換器之方向上引導點火。W或Mo可經焊接至或電鍍於引線部分上。可藉由此項技術中已知的沈積技術沈積WC，該等沈積技術諸如焊接、熱灑、高速度氧燃料(HVOF)沈積、電漿蒸汽沈積、電火花沈積及化學蒸汽沈積。在另一實施例中，包括一引線部分上之石墨之一雙層電極之石墨層可包括點火電極。石墨點火電極可較薄且包括與諸如銅或銀板引線之一高傳導引線之一大面積連接。接著，電阻可較低，且石墨表面可防止黏貼。在一實施例中，石墨電極可包括傳導元件(諸如一石墨電極中之銅桿)以給予石墨更多傳導性。可藉由在石墨中鑽孔且機械地添加桿或藉由將熔化銅傾倒至孔中接著機械加工面向點火之一乾淨石墨銅桿表面而添加桿。 分別在圖2I14及圖2I17中展示一SF-CIHT電池電力產生器之一示意圖，其展示在第二容器中具有一管道起泡器以將諸如H2 及水蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、兩個電磁泵及將丸粒噴射於電極之底部及頂部上之一噴嘴之剖面。分別在圖2I15及圖2I18中展示對應噴射及點火系統之細節。在圖2I16中展示電磁(EM)泵及管道起泡器容器穿透部分之細節。電磁泵5k可包括複數個階段且可定位於沿著製粒機(圖2I14)之複數個位置處。在圖2I28中展示電磁(EM)泵總成5ka。EM泵5k (圖2I16及圖2I24至圖2I28)可包括一EM泵熱交換器5k1、一電磁泵冷卻劑管線饋通總成5kb、磁體5k4、磁軛及視情況熱障5k5 (其可包括具有可選輻射屏蔽之一氣體或真空間隙)、泵管5k6、匯流條5k2、及具有可藉由來自PV轉換器之電流供應之饋通5k31之匯流條電流源連接件5k3。泵管5k6可經塗佈以減小腐蝕。例示性塗層係具有高於諸如鎳及一貴金屬(諸如Ag或Ag-Cu合金熔體之情況中之Pt或Ir)之燃料金屬之一熔點之抗腐蝕金屬。磁體及磁性電路之至少一者可包括諸如面向間隙之端部表面之一拋光表面以充當輻射屏蔽。可藉由EM泵熱交換器5k1 (諸如使用諸如水之一冷卻劑冷卻之EM泵熱交換器，其具有至一冷凍器31a之冷卻劑入口管線31d及冷卻劑出口管線31e)冷卻磁體5k4及磁性電路之軛5k5之至少一者。EM泵5k之泵管5k6可藉由本發明之接頭5b1連接至諸如第一容器5b、第二容器5c及噴嘴5q之容器區段之容器。在一實施例中，EM泵5k可定位於第一容器5b之端部處，且另一者可定位於第二容器5c之端部處之容器壁處。後者之泵管之一延伸部分可用作穿透電池壁且經密封於電池壁處之管線。泵管延伸部分可包括一S狀管以用於在電極8下方噴射。在另一實施例中，泵管延伸部分可垂直進入電池，在一肘管或彎管處水平平移，且噴嘴5q可包括具有一端部出口之一彎管。替代性地，噴嘴可包括在端部處加蓋之管之側壁中之一孔，使得管中之壓力將熔體彈射出側壁孔且進入至電極8中。電池中之管區段可為絕緣及加熱之至少一者以將熔體維持在一所要溫度。可使用穿透電池壁且圍封管之至少一部分之一感應耦合加熱器線圈進行加熱。電池內側之管區段及電池中之任何其他物件(諸如加熱器線圈及匯流條)可經塗佈有抵抗點火產物之附著之一材料。本發明之例示性材料包括石墨、鎢及碳化鎢。 在一實施例中，自電極彈射電漿及附著金屬丸粒，且藉由採用軌道槍(諸如一丸粒及電漿電樞類型，其可進一步包括在本文中亦被稱為一電極電磁泵之一擴充軌道槍類型)之原理使用勞侖茲力達成燃料再循環。勞侖茲力可導致附著丸粒流動至電極之點火區段中且導致點火電漿經引導且流動至諸如燃料再生系統(諸如製粒機)之入口之一收集區域中。 在圖2I14及圖2I15中展示之一實施例中，電極可包括一向下(負z軸定向)V狀，其在V之頂部處之8g處具有一間隙。可藉由安裝於支撐件之相對面(形成在頂部處具有一間隙之一V)上之平板電極形成V。包括操作一高溫且抵抗Ag之附著之一導體之例示性電極材料係W、WC及Mo。支撐件可經水冷卻。支撐件可為至少部分中空。中空部分各可包括一導管以使冷卻劑流動通過導管且冷卻電極。在一實施例中，電極可進一步包括具有間隙8g處之垂直壁或接近垂直壁之一上區段。壁可形成一通道。可藉由熔體丸粒之噴射閉合電極之點火斷路以在V之頂部處導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。 可經曝露於點火產物之電池表面可經塗佈有一抗黏著材料，諸如可被陽極氧化之石墨或鋁或本發明之另一此材料。表面可經塗佈有氧化鋁，諸如可濺射塗佈於諸如一高溫金屬之一基板上之α氧化鋁。在另一實施例中，表面可經塗佈有一外殼，其包括或經塗佈有抵抗熔體附著之一材料，諸如本發明之一材料。匯流條可透過分離一共同凸緣而穿透電池，其中各匯流條電隔離。匯流條、電極座及電極之至少一者可經定型以最小化用於附著點火產物之表面及擁有用於積累諸如Ag或Ag-Cu熔體之返回熔體之一低剖面之至少一者。在一實施例中，電極8可包括在端部處傾斜之直棒匯流條9及10以形成電極8或電極座。各傾斜匯流條之表面可經覆蓋有一緊固電極板。匯流條可包括具有安裝至內表面之電極之平坦銅匯流條。各匯流條可經覆蓋有諸如一鎢板之一板電極或其他耐久導體。板可經彎曲以形成一間隙8g。彎曲板可包括一管或電連接至匯流條之一管之一半圓形剖面之至少一者。管電極亦可連接至具有諸如一棒之一不同幾何形狀之一匯流條。管可與棒連接點同心。跨間隙8g之一例示性電極間距在約0.05 mm至10 mm及1 mm至3 mm之至少一個範圍中。諸如包括板或管之電極之電極可能夠經受高溫。電極可包括一耐火金屬，諸如Tc、Ru、摻雜B、Ir、Nb、Mo、Ta、Os、Re、W及C及本發明之另一此金屬之至少一者。高溫電極可充當用於熱光伏打電力轉換之一黑體輻射器。電極可包括一抗熱脆化組成物。電極可包括一燒結材料，諸如一燒結耐火金屬。電極可為分段及較厚之至少一者以避免在熱脆化時斷裂。電極可包括耐火金屬板與匯流條之間的一熱絕緣層或間隙以允許電極溫度相對於匯流條之溫度而升高。彎曲板電極可形成一熱絕緣層或間隙。諸如MgO或Al2 O3 之熱絕緣材料可包括可經模製或機械加工之一陶瓷。匯流條及電極座之至少一者可經冷卻，諸如水或空氣冷卻。諸如熔化金屬(諸如熔化鋰)之其他冷卻劑在本發明之範疇內。 在一實施例中，電極進一步包括一磁場源，諸如在電極之通道之相對端處之一組磁體，諸如圖2I14及圖2I15之8c。磁體在跨匯流條9及10安裝時可藉由一電絕緣體(諸如一陶瓷或高溫塗料或塗層，諸如可藉由諸如噴灑之方法施加於匯流條接觸區域上之氮化硼塗層)與匯流條9及10電隔離。諸如一陶瓷管之一絕緣體套筒可電隔離諸如螺栓或螺釘之緊固件。其他此等零件可藉由本發明之電絕緣材料與另一電化系統電隔離。支援點火電流之磁體8c及通道8g可包括一電磁泵，其執行彈射附著至電極及通道之至少一者之任何丸粒且彈射來自電極8及通道8g之點火粒子之功能。彈射可藉由根據方程式(37)之勞侖茲力進行，勞侖茲力藉由一交叉施加磁場(諸如來自磁體8c之交叉施加磁場)及通過電漿粒子及丸粒(諸如附著至電極表面(諸如通道8g之電極表面)之銀丸粒)之至少一者之點火電流形成。電流攜載粒子可帶電。電漿可另外包括電子及離子。點火電流可來自電源2 (圖2I10)。可透過附著底層之電極且使該等電極短路之金屬攜載電流。電流與所施加磁場交叉，使得產生一勞侖茲力以自電極表面推動附著金屬。磁場及電流之方向可經選擇以導致丸粒及電漿粒子(諸如來自丸粒點火之電漿粒子)經引導以在正方向或負方向上離開通道8g (圖2I15及圖2I17)，其中可在正z軸方向(圖2I14及圖2I15)或負z軸方向(圖2I17及圖2I18)上噴射丸粒。磁體可產生沿著y軸之一磁場，y軸平行於電極或通道軸且垂直於沿著x軸之點火電流。包括沿著正z軸引導之一電磁(EM)泵之具有交叉電流及磁場之通道可執行將經噴射丸粒向上泵抽至電極中以被點火、向上泵抽附著丸粒以被點火、將附著丸粒向上泵抽出電極及通道以及將點火粒子向上泵抽出電極及通道之至少一個功能。替代性地，藉由使電流或磁場方向之一者反向，歸因於交叉點火電流及磁場之勞侖茲力可執行向下泵抽附著丸粒以被點火、將附著丸粒向下泵抽出電極及通道、將點火粒子向下泵抽離開PV轉換器及朝向製粒機之入口向下泵抽點火粒子之至少一個功能以回收點火產物。交叉電流及磁場之強度以及通道之尺寸提供貫穿包括電磁泵管之通道之泵壓力。泵管及任何沖積扇之寬度經選擇以分佈來自電源2之電流以用於點火及泵抽以達成兩者之最佳化。電極EM泵可進一步包括一開關，其可使電流方向反向以使EM泵之方向反向。在其中藉由EM泵5k及歸因於附著丸粒之電極短路向上噴射丸粒之一例示性實施例中，電極EM泵開關可經啟動以使電流反向且將丸粒向上泵抽至製粒機之入口。電極可進一步包括一感測器及一控制器。感測器可包括可偵測一電極短路之一電流感測器。感測器可將短路資料饋送至控制器中，控制器可撤銷啟動EM泵5k以停止丸粒之進一步噴射且啟動開關以使電極EM泵之電流反向直至短路被清除。在本發明之其他實施例中，電極及磁體可經設計以引導一向上電弧中之電漿以執行以下至少一個功能：(i)彈射來自電極及諸如8g之通道之丸粒及粒子；及(ii)將點火產物及未點火丸粒回收至製粒機，同時避免將點火粒子導引至PV轉換器26a。 在一實施例中，電極可包括一向下(負z軸定向)V狀，其在V之頂部處具有一間隙8g。可藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以在V之頂部處導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。可藉由安裝於支撐件之相對面(形成在頂部處具有一間隙之一V)上之平板電極形成V。包括操作一高溫且抵抗Ag之附著之一導體之例示性電極材料係W、WC及Mo。電極可進一步包括一第一電極EM泵，其包括高於間隙8g之電極之頂部處之一通道，其中磁場源8c交叉至點火電流。在一例示性實施例中，可在正z軸方向(圖2I14及圖2I15)上自下方噴射熔化丸粒，且電極EM泵可執行促進丸粒向上流動至間隙8g中以導致點火、將附著丸粒泵抽出電極及通道以及將點火產物泵抽出電極及通道8g之至少一個功能。在一實施例中，電極包括包含磁體8c1及第二電極通道8g1之一第二電極EM泵，第二電極通道8g1產生一勞侖茲力以迫使粒子遠離PV轉換器及促進粒子回收至製粒機之至少一者。第二電極EM泵可高於第一電極EM泵以接收來自點火之電漿及粒子且將粒子泵抽離開PV轉換器26a。第二電極EM泵之磁體之極性可與第一電極EM泵之磁體相反但使用與電極及兩個電極EM泵共同之點火電流之一部分。電極EM泵可為擴充類型。第一EM泵及第二電極EM泵之至少一者可包括可在與點火電流相同或不同之方向上之一單獨電流源。電流源可來自PV轉換器。在第二電極EM泵之一實施例中，電流可在與點火電流之方向不同之一方向上，其中交叉磁場經定向以在點火粒子上產生遠離PV轉換器之一力及至少部分促進粒子運輸至製粒機之入口之至少一者。舉例而言，單獨電流可在點火電流之相反方向上，且磁場可在與第一電極EM泵之方向相同之方向上。在一實施例中，第二電極EM泵之磁體及電流之至少一者可稍弱於第一電極EM泵之該等參數，使得點火粒子之速度被減小。在一實施例中，粒子方向可不完全反向。勞侖茲力及重力之至少一者可防止粒子撞擊PV轉換器及促進粒子回收之至少一者。 在一實施例中，第一及第二電極泵之第一及第二組磁體之各者經安裝至匯流條9及10，且藉由熱隔離或冷卻磁體之至少一個方法保護磁體以防過度加熱。各電極電磁泵之磁體可包括一熱障或熱隔離構件(諸如絕緣體或一熱絕緣間隔件)及一冷卻構件(諸如一冷板或水冷卻管線或線圈及一冷凍器)之至少一者。冷卻板或冷板可包括一微通道板，諸如一聚光器光伏打電池(諸如藉由Masimo製成之聚光器光伏打電池)之微通道板或此項技術中已知的一二極體雷射冷板。 在另一實施例中，第二電極EM泵包括一通道、可包括電源之一部分以導致點火之一電流源及磁體，其中通道、電流及磁場之至少一者之定向產生可沿著正或負z軸且具有xy平面中之一分量之一勞侖茲力。第二電極EM泵之勞侖茲力可經定向以在點火粒子上產生遠離PV轉換器之一力及至少部分促進粒子運輸至製粒機之入口之至少一者。在一實施例中，勞侖茲力可在正z方向上且具有xy平面中之一分量。本發明之電極EM泵之實施例之交叉電流及磁場可導致彈射附著丸粒且使電漿粒子流動至諸如製粒機之再生系統。經泵抽點火粒子之軌跡可使撞擊PV轉換器可被避免。粒子軌跡可進一步朝向電池壁之一所要部分，諸如不具有諸如電極穿透部分之穿透部分之一部分。 在一實施例中，電極及點火電漿之至少一者具有沿著z軸之一電流分量及xy平面中之一分量，且諸如8c及8c1之磁體經定向以提供與電流交叉之一磁場。在一實施例中，來自磁體之交叉施加磁場導致具有橫向xy平面中以及z軸方向上之一分量之一勞侖茲力。在z方向上之力可彈射電漿及附著至電極之任何丸粒。在xy平面方向上之力可導致點火粒子被迫至電池壁以被回收。在一實施例中，電極沿著z軸偏移(一者具有稍高於另一者之一高度)，使得點火電流及電漿電流之至少一者之一分量係沿著z軸以及在xy平面中。在一實施例中，可在一順時針或逆時針方向上沿著一彎曲軌跡迫使點火粒子，其中原點在電極之點火點處。彎曲路徑可為以下至少一者：(i)將粒子引導至與匯流條9及10 (圖2I14)及電極8之穿透部分之位置相對之壁；及(ii)將粒子運輸至製粒機之入口。電極及圍繞其等之任何鏡(諸如一拋物線碟)可將經發射之光引導至PV轉換器26a。 在一實施例中，藉由至少一個電漿及粒子偏轉器(諸如在通道之出口中之一中心錐體，其中錐體之尖端面向點火電極之方向)防止粒子撞擊及附著至PV轉換器。偏轉器可包括在基座處連結之兩個錐體以促進粒子返回至製粒機。電漿可經引導至至少一個額外電漿偏轉器，其選擇性地將電漿及光偏轉至PV轉換器。粒子可與複數個偏轉器碰撞以損失速度且落入及流動至製粒機之入口中之至少一者。電漿可順著一S狀軌跡通過藉由中心及周邊偏轉器形成之通道，但粒子被停止，使得其等可流動至製粒機之入口。 在一實施例中，藉由至少一個實體障壁防止粒子撞擊及附著至PV轉換器，至少一個實體障壁在至少部分阻擋點火粒子時選擇性地透射電漿及光。實體障壁可包括沿著z軸定位之複數個元件，各者包括一部分敞開之實體障壁，其中至少部分藉由一系列n個元件之另一元件阻擋穿過第n個元件之一敞開部分之沿著z軸之地點線，其中n係一整數。複數個實體元件可包括複數個水平交錯之柵極，諸如沿著自點火點朝向PV轉換器之方向定位之螢幕。元件可在阻擋粒子時允許電漿及光之實體透射。電漿氣體可圍繞交錯柵極流動，而粒子撞擊阻擋部分以損失動量以促進粒子回收至製粒機之入口中。 在一實施例中，電極總成可進一步包括一磁場源，諸如永久磁體或電磁體。使用磁場，電漿可為受限、聚焦及引導至區域8l (圖2I12)之至少一者，使得來自電漿之光經引導至PV轉換器。電極磁體可將來自間隙8g之電漿迫至電池區域8l。磁體可進一步提供對電漿之限制以導致其在PV轉換器之方向上發射光。限制磁體可包括一磁瓶。諸如圖2I10之8c之磁體可進一步包括本發明之一點火產物回收系統。 SF-CIHT電池可進一步包括諸如本發明之柵極電極之電極，其等可在電漿之周邊且主要在一選定區域中含有電漿，使得電漿在一所要方向上(諸如在PV轉換器26a之方向上)發射。在一實施例中，來自點火之電漿及粒子可帶相反電且以不同速率遷移，使得其等在電池中之各自遷移在時間上分開。電漿可由離子及電子組成。粒子可相對大量。電漿可歸因於電子之十分高移動率而帶負電。粒子可帶正電。電漿與粒子相比可十分快速地遷移，使得其在粒子之前自電極擴張。諸如允許粒子流動之柵極電極之電極可用於選擇性地引導及限制電漿之至少一者，使得光經引導至PV轉換器26a，而勞侖茲力將粒子引導至電池之一所要區域(諸如遠離PV轉換器26a且返回至製粒機)。電極可經浮動、接地及充電之至少一者以達成將電漿選擇性地運輸及限制至電池之一所要區域(諸如8l)之至少一者。所施加電壓及極性可經控制以達成將電漿選擇性地運輸及限制至電池之一所要區域(諸如8l)之至少一者。 在一實施例中，丸粒可經形成以具有一小直徑，使得圍繞一球體形狀維持之表面張力大於電極附著力；因此，丸粒並不附著至電極。丸粒大小可在約0.01 mm至10 mm、0.1 mm至5 mm及0.5 mm至1.5 mm之至少一個直徑範圍中。可藉由使用一較小噴嘴5q、一較高熔體流動速率、一較高熔體壓力及一較低熔體黏性之至少一者使丸粒具有一較小直徑。 在有效防止丸粒附著至電極之另一實施例中，電極包括一丸粒分離器，諸如至少一個細線，諸如跨其中期望丸粒點火之間隙之一耐火線。例示性線包括銅、鎳、具有鉻酸銀及鍍鋅以抗腐蝕之鎳、鐵、鎳鐵、鉻、貴金屬、鎢、鉬、釔、銥、鈀、諸如SiC、TiC、WC之碳化物及諸如氮化鈦之氮化物之至少一者。至少一個線可將丸粒分割為傳播於大於未分離丸粒之一面積上之複數個片段。電極間隙可足夠大(諸如大於丸粒)，使得丸粒通過間隙而不在缺乏分離器之情況下觸發。分離器可傳播丸粒且導致電流流動通過傳播丸粒。丸粒之傳播可導致點火受限於寬間隙區域，使得藉由避免丸粒與電極之其他區域(其中丸粒可另外附著)接觸而避免至電極之附著。電極可傾斜以形成一向上V狀，使得在朝向PV轉換器引導之區域5l中發射光。丸粒分離器可移動且電極間隙可調整，使得可在起動期間使用傳播且在長持續時間操作期間使用升高電極溫度以防止丸粒附著至電極。 在一實施例中，點火系統進一步包括一對準機構，諸如調整電極8及噴嘴5q之至少一者之位置之一機械或壓電機構，使得丸粒5t自噴嘴行進至電極之所要位置(諸如中心孔或間隙8g)。可藉由諸如一光學或電感測器及一電腦之一感測器及控制器感測及控制對準。對準機構可進一步用於在起動期間使電極短路，其中短路用於加熱電極。在一實施例中，噴嘴5q可以一角度偏離中心以防止熔體滴回且中斷該流，其中調整機構可維持丸粒5t自電極8之下方噴射至間隙8g中。 參考圖2I14至圖2I31，電池可在抽氣條件下操作。電池26可包括一真空腔室，諸如可具有圓頂狀端帽之一圓柱形腔室或錐形圓柱形腔室。電池可包括具有至燃料回收及噴射系統之一錐形基座之一直圓柱體，諸如製粒機。電極可穿透可為真空氣密之陽極氧化饋通。替代性地，如在圖2I24至圖2I27中展示，電池26可容置於一腔室5b3中且電磁泵5k可容置於一可真空下腔室5b5中。製粒機之入口及出口(諸如噴嘴)可饋通電池壁至電池之真空空間中，使用用於各入口及出口饋通之密封件維持真空空間。電池26之內側可包括抵抗銀之附著之表面，諸如一Al、W、WC、Mo及石墨表面之至少一者。電池26之內側、匯流條9及10以及除直接接觸熔體以供應點火電流之電極組件以外的電極組件之至少一者可經塗佈有抵抗熔體之附著之材料。例示性塗層包括諸如拋光陽極氧化鋁之鋁、W、Mo、WC、石墨、碳化硼、諸如鐵氟龍(PTFE)之氟碳聚合物、氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ。在另一實施例中，引線及電極組件可覆蓋有一外殼，諸如可經塗佈有抵抗熔體之附著之本發明之一材料之一高溫不銹鋼外殼。可藉由本發明之其他方法以及此項技術中已知的其他方法噴灑、拋光或沈積塗層。塗層可在諸如一耐火金屬(諸如鋯、鈮、鈦或鉭)或一高溫不銹鋼(諸如Hastelloy X)之一支撐件上。真空電池之內側可包括具有抗附著表面之一錐形襯墊。襯墊可包括本發明之壁材料及塗層。製粒機可包括自第一容器5b至第一泵5k之泵管之至少一減壓器、自泵管至第二容器5c之一擴張器及第二容器5c與第二泵5k之泵管之間的一直減壓器。在一例示性實施例中，泵管約為3/8’’ OD且容器各約為1’’ ID。在一實施例中，製粒機入口在電池錐體26之底部處。包括第二容器5c及噴嘴5q之製粒機出口可在電極8 (圖2I14及圖2I15)下方或電極(圖2I17及圖2I18)之頂部處噴射。包括磁體8c及通道8g之第一電極EM泵及包括磁體8c1及第二電極通道8g1之第二電極EM泵之至少一者可進行以下至少一者：(i)促進將丸粒及粒子噴射至間隙8g中以導致點火；(ii)促進將點火產物及未點火丸粒回收至製粒機；(iii)促進引導及導引點火粒子遠離PV轉換器26a之至少一者以避免粒子撞擊；及(iv)提供限制以增大分數氫良率。限制可產生在約1 atm至10,000 atm、2 atm至1000 atm及5 atm至100 atm之至少一個範圍中之一壓力。多餘噴射Ag丸粒及粒子可經泵抽、引導及促進至製粒機入口之至少一者。系統可使用約1000℃之一底壁溫度操作，使得銀保持熔化。因此，即使並非所有丸粒參與點火，能量損耗大部分仍可為可十分低之泵能量。第一容器中之一最小加熱量可為必要的，此係由於來自固體燃料之點火之一些能量可加熱銀。 在一實施例中，可藉由點火產物及點火程序之至少一者加熱包括製粒機之入口之區域中之電池壁之電池底板。底板可在諸如高於燃料金屬(諸如銀)之熔點之一高溫下操作。底板可加熱經回收產物之至少一部分。在被收集時較熱之經回收產物及藉由底板加熱之經回收產物可流動至經預加熱製粒機中以消耗較少能量。熔化點火產物可作為一液體自底板流動至製粒機中。並未在電極8處點火之丸粒5t落下至底板且亦流動至製粒機中。流動可作為一液體或一固體。在顯著功率在被清除之前藉由點火產物吸收之情況中，點火產物可變得十分熱，使得可因此降低在製粒機中消散之能量。 在圖2I19至圖2I21中展示之一實施例中，電池錐體之底部包括一熔體貯槽或錐體貯槽5b。電池錐體可包括具有抗銀附著力、能夠經受高溫及非磁性之群組之至少一個性質之一材料。用於電池之至少一個組件(諸如包括電池壁之錐體貯槽及一上錐體之至少一者)之例示性材料係石墨、鎢、鉬、碳化鎢、氮化硼、碳化硼、碳化矽、塗佈SiC之石墨及高溫不銹鋼。材料可經塗佈。例示性實施例係塗佈SiC之石墨、富鋁紅柱石及塗佈富鋁紅柱石-YSZ之不銹鋼。電池26之內側、匯流條9及10以及除直接接觸熔體以供應點火電流之電極組件以外的電極組件(諸如磁體8c及8c1、通道8g1、電極8至匯流條9及10之連接件、噴嘴5q及噴射器5z1)之至少一者可經塗佈有抵抗熔體之附著之材料。例示性塗層包括諸如拋光陽極氧化鋁之鋁、W、Mo、WC、石墨、碳化硼、諸如鐵氟龍(PTFE)之氟碳聚合物、氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ。在另一實施例中，引線及電極組件可覆蓋有一外殼，諸如可經塗佈有抵抗熔體之附著之本發明之一材料之一高溫不銹鋼外殼。SF-CIHT電池可進一步包括監測塗層之完整性及施加諸如石墨之更多塗層之至少一者之一構件。為執行常規維護，SF-CIHT電池可進一步包括諸如一噴灑器之一石墨塗層施用器。噴灑器可包括將包括石墨之噴霧引導至錐體表面上之至少一個噴嘴及一石墨來源(諸如此項技術中已知的亁石墨潤滑劑)。諸如石墨之材料可經拋光。可使用一精細磨料(諸如至少包括氧化鋁、碳化矽及鑽石粉末之一精細磨料)執行拋光。在一實施例中，可藉由3D印刷製造包括石墨之錐體貯槽。在一實施例中，藉由一切割機自石墨切割電池錐體。切割機可包括一雷射或噴水器。切割機可包括一機械鋸。切割機可成角度且旋轉。替代性地，可自一傾斜且旋轉石墨塊切割錐體。錐體可製成為複數個區段，諸如一上圓柱體、一中間錐體(諸如具有45°壁之中間錐體)及一底部錐體貯槽。 在一實施例中，錐體包括分段件，諸如經組裝以形成一錐體之三角形件。該等件可為薄片。薄片可經切割為三角形件且裝配在一起以形成錐體。該等件可包括諸如一不銹鋼錐形框架或錐體之一支撐結構之覆層。可將包括一總成機構中之公件之該等件裝配至包括母槽之頂環及底環中以接納公件。頂環及底環可直接或間接緊固至一框架(諸如真空腔室26)，其中緊固導致該等件固持在一起。底環可進一步包括附接至錐體貯槽5b之一凸緣。由石墨組成之錐體元件之附接點可包括擴張接頭。 上錐體及錐體貯槽之至少一者之例示性實施例係形成為一錐體之石墨及塗佈SiC之石墨之至少一者、襯砌一支撐件(諸如一不銹鋼錐體)之石墨及塗佈SiC之石墨之至少一者、襯砌一不銹鋼錐體之分段石墨及塗佈SiC之石墨板之至少一者、機械地固持在一起之分段石墨及塗佈SiC之石墨板之至少一者、形成為一錐體之W箔、鍍W之不銹鋼錐體、襯砌一支撐件(諸如一不銹鋼錐體)之W箔、襯砌一不銹鋼錐體之分段W板、機械地固持在一起之分段W板、具有諸如約60°之一陡角且塗佈富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ之不銹鋼、形成為一錐體之Mo箔、鍍Mo之不銹鋼錐體、襯砌一支撐件(諸如一不銹鋼錐體)之Mo箔、襯砌一不銹鋼錐體之分段Mo板、機械地固持在一起之分段Mo板、具有諸如約60°角度之一陡角且塗佈富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ之不銹鋼。諸如一不銹鋼錐體之錐體經加熱至高於熔體(諸如Ag或Ag-Cu合金熔體)之熔點。可藉由諸如一感應耦合加熱器之一加熱器及一電阻加熱器之至少一者及藉由分數氫反應達成加熱。用於上錐體、諸如PV窗之窗及外殼之至少一者以防止點火產物附著之其他材料包括藍寶石、氧化鋁、硼矽玻璃、MgF2 及陶瓷玻璃之至少一者。 在一實施例中，錐體貯槽上方之電池壁可包括諸如一金屬之一材料，諸如可具有低於錐體貯槽之操作溫度之一熔點之鋁。在此情況中，對應上錐體(諸如包括分段鋁件或板之上錐體)可在錐體貯槽之前結束且可進一步延伸於與錐體貯槽之另外連接邊緣上方，使得返回熔體可流過邊緣至錐體貯槽中。上錐體可包括諸如厚板之一散熱器及可經冷卻以防止熔化之至少一者。表面可包括諸如氧化鋁之氧化物以防止熔體之附著。 錐形電池26及錐體貯槽5b之至少一者可包括或經塗佈有雲母、木材、纖維素、木質素、碳纖維及碳纖維強化碳之至少一者，其中至少一些表面可經碳化為石墨。來自分數氫程序之熱可導致錐體壁過熱。木質錐體貯槽或錐體電池可包括一背襯散熱器，諸如可經冷卻之一金屬散熱器。冷卻可包括可附接至錐體貯槽或錐體電池壁之一熱交換器。熱交換器可包括可藉由一冷凍器31a冷卻之一冷卻劑。熱交換器可包括緊固至錐體壁之管道，其中藉由諸如一風扇之一空氣原動機使諸如空氣之一氣體流動通過管道。 可藉由加熱使貯槽中之金屬熔化或維持在一熔化狀態中。可藉由加熱貯槽之外側間接加熱金屬或直接加熱金屬。可使用諸如一電阻加熱器及包括引線5p及線圈5f之一外部或內部感應耦合加熱器5m之至少一者之一加熱器加熱貯槽。由於銀具有一高熱傳導率，故應針對一內部電阻加熱器快速且均勻地轉移內熱。能夠經受高溫之合適電阻加熱器係包括鎳鉻合金、石墨、鎢、鉬、鉭、SiC或MoSi2 、貴金屬及耐火金屬加熱元件之電阻加熱器。幾何形狀可使得存在具有一最小化空間之快速熱轉移，諸如一盤餅狀加熱器。可使用適當保護塗層處理加熱器以與水蒸汽及氫之至少一者介接。替代性地，可藉由使用諸如銀之熔體潤濕加熱元件而使其受到保護以防與水及氫之至少一者反應。來自燃料點火之光主要向上傳播至PV轉換器26a；然而，向下傳播之任何光及熱可用於加熱點火產物(諸如錐體貯槽5b中之點火產物)以限制所消耗之加熱器電量。貯槽可維持在藉由可真空下腔室5b5及真空連接件5b6提供之電池真空中以藉由諸如傳導及對流之方法減小熱損耗。貯槽可進一步包括可具有用於使諸如熔化銀之點火產物返回之通路之輻射屏蔽。如在一燃料電池之例示性情況中，貯槽可包括一熱元件或真空套壁，使得熱損耗最小。在SF-CIHT電池之一空閒條件中，貯槽可僅需週期性地加熱以維持熔體，使得電池在一準備操作之條件中。作為一例示性情況，在燃料電池之技術中已知，需按約每十二小時至二十四小時之一時段執行加熱。 貯槽可包括至少一個起泡器管5z以將水及氫之至少一者供應且併入至熔體中。起泡器管5z可包括一蛇形氣流場或擴散器，諸如燃料電池(諸如熔化燃料電池)之技術中已知的擴散器。起泡器管可包括一倒轉杯以捕集諸如H2 O及H2 之經噴射氣體以經溶解及混合至熔體中之至少一者。氣體可經釋放於倒轉杯狀擴散器內側。擴散器可浸沒於熔體下方，且熔體可圍繞擴散器之頂部流動至下側以接收氣體。經捕集氣體可提供壓力以促進熔體流動至電磁泵5k中。諸如一流場之起泡器管5z可包括銀並不潤濕之一材料，諸如石墨、W及WC之至少一者。潤濕性之缺乏可防止銀阻塞起泡器之氣孔。管道起泡器5z可包括一可滲透氫之薄膜，諸如包括以下材料之至少一個薄膜：諸如木材、雲母或木質素之碳(其中表面可經碳化)及石墨、碳纖維強化碳及Pd-Ag合金、Ni、鈮、Pd、Pt、Ir、貴金屬及此項技術中已知的其他可滲透氫之薄膜。薄膜可諸如自來源5u接收氫氣且促進其跨薄膜擴散至諸如Ag、Ag-Cu合金及Cu熔體之至少一者之熔體。管道起泡器5z可進一步包括一可滲透水之薄膜或熔塊，諸如一多孔陶瓷薄膜或熔塊。可滲透H2 O之熔塊可包括諸如不與H2 O反應且未被熔體潤濕之氧化鋯、富鋁紅柱石、富鋁紅柱石-YSZ或多孔石墨之一材料。薄膜可包括一蜂巢。其他例示性薄膜及熔塊包括氧化釔穩定氧化鋯、氧化鈧穩定氧化鋯、可進一步包括一金屬陶瓷之釓摻雜氧化鈰。替代薄膜包括纖維素、木材、碳化木材及碳纖維強化碳。來自諸如5u及5v之來源之壓力可控制H2 及H2 O經供應至熔體之速率。 H2 O及H2 之至少一者可以獨立於對應所施加氣體之分壓之一方式溶解於熔體中。在諸如在圖2I17中展示之一實施例中，包括一熔化金屬燃料之製粒機5a進一步包括至少兩個閥以選擇性、替代性地密封第二容器5c及來自歧管5y之氣體，使得諸如H2 O及H2 之至少一者之加壓氣體經施加至第二容器5c中之熔體。首先，可關閉第二容器5c之入口上之一閥以防止回流至第一EM泵5k中，且打開一歧管閥以允許使用透過歧管5y供應之加壓氣體處理熔體。接著，第二泵5k及氣體壓力之至少一者可迫使經氣體處理之熔體離開第二容器5c且通過噴嘴5q。接著，關閉歧管5y之閥且打開第二容器5c之入口處之閥以允許第一EM泵5k將熔體泵抽至第二容器5c中以重複加壓氣體處理及經處理熔體之彈射之一循環。熟習此項技術者已知的替代閥、泵及氣體及熔體管線以及連接件在本發明之範疇內。製粒機可包括具有入口及歧管閥之複數個第二腔室5c。可在腔室之間同步燃料水合以達成經處理熔體之約連續噴射。 複數個起泡器可由一歧管5y給料。可藉由各諸如5u及5v之一氣體來源供應H2 及H2 O之至少一者。在一例示性實施例中，自來源5v提供水、水汽及水蒸汽之至少一者。可藉由一水汽產生器及水蒸汽產生器5v之至少一者供應水汽及水蒸汽之至少一者。水汽產生器可包括一載體氣體及一水源，其中載體氣體透過諸如水貯槽5v之水起泡。氫可包括透過H2 O起泡之載體氣體以亦充當分數氫反應中之一反應物。SF-CIHT產生器可進一步包括可經循環之任何未反應H2 之一回收及再循環系統。回收系統可包括諸如一金屬之吸氣劑，其選擇性地結合氫以將其提供至諸如一泵之再循環系統。回收系統可包括用於H2 之一選擇性過濾器或熟習此項技術者已知的其他系統。在另一實施例中，載體氣體可包括一惰性氣體，諸如一鈍氣，諸如氬。SF-CIHT產生器可進一步包括可經循環之載體氣體之一回收及再循環系統。回收系統可包括用於載體氣體之一選擇性過濾器或熟習此項技術者已知的其他系統。包括已吸收H2 O及H2 之至少一者之熔體之燃料可經運輸出貯槽。貯槽可出口至一電磁(EM)泵5k。在圖2I14至圖2I18中展示之實施例中，EM泵可出口至第二容器5c中，第二容器5c包括可使用諸如一感應耦合加熱器5o之一加熱器追蹤加熱之一噴射管。管路(諸如本發明之一管路)可十分高效地吸收感應耦合加熱器輻射。該管可具有一低發射率，諸如可在一真空腔室中延伸之拋光或電拋光管路。替代性地，諸如第二容器5c之一電阻加熱器之加熱器可在第二容器內側，其中第二容器具有足夠直徑或大小以容納內部加熱器。 為起動，泵管5k6可填充有諸如銀或銀銅合金之燃料金屬以增大熱轉移剖面積。面積可經增大以增大沿著自經加熱錐體貯槽5b至泵5k之入口之管路傳導熱之速率。替代性地，可使用電阻追蹤加熱來加熱泵管路或管路可經絕緣。在一實施例中，管路包括可變或可調整之絕緣體以控制絕緣體之間的熱轉移及熱轉移處之效應。在泵起動期間可使絕緣體在高絕緣性之一狀態中，且在操作期間可使絕緣體在提供高熱轉移之一狀態中以防止泵過熱。在一實施例中，可變、可調整或可控制之絕緣體包括圍繞泵管路之一真空套。真空套可在起動期間被抽氣，且氣體可經添加至該套以在泵操作之後進行快速熱轉移。可使用水冷卻來冷卻真空套之歧管之外側以提供額外熱移除能力以防止過熱。替代性地，泵管路及匯流條可包括一高溫材料，諸如能夠在超過泵操作期間可達成之溫度之一溫度下操作之Ta。能夠經受高溫之泵管(諸如一Ta泵管)可經塗佈有一高溫抗氧化塗層。匯流條可包括與泵管金屬相比具更大傳導性之一金屬。匯流條可能夠在高溫下操作。輻射熱轉移可限制最大操作溫度。泵管可包括諸如增大表面積之散熱片之元件以增大熱轉移。能夠經受高溫之管可包括一塗層以防止氧化。替代性地，泵管可包括一冷卻系統(諸如與其表面接觸之一水線圈)，其中在起動期間首先將水抽空。一旦泵在操作溫度下，可透過冷卻系統泵抽水或其他合適冷卻劑以按一受控方式視需要移除多餘熱。可藉由控制冷卻劑泵速度、冷凍器熱排斥速率以及冷卻劑入口及出口溫度而達成控制。在圖2I19中展示之另一實施例中，電磁泵容置於可填充有諸如一惰性氣體(諸如氬或氦)之一熱轉移氣體之一下腔室5b5中。惰性氣體可進一步包括氫(諸如鈍氣-氫混合物，諸如包括約1%至5%之H2 之鈍氣-氫混合物)，以便防止泵管之氧化。可使用一凸緣及諸如一石墨墊圈之一墊圈將下腔室5b5密封至電池26。壓力可經調整以控制泵管溫度。冷卻系統可包括一惰性氣體罐、泵、壓力計、壓力控制器及溫度記錄器以控制來自泵管之熱轉移速率。 在另一實施例中，第二容器5c包括其入口端處之一彎管及在噴嘴5q處結束之一噴射區段，其中噴射區段接收來自泵5k之熔體且充當一導管以將熔體運輸至噴嘴5q以被噴射至電極8中。電池錐體貯槽可漸縮至泵管5k之入口中。泵管可垂直定向。第二容器可彎曲成在約90°至300°之範圍中之一弧形，使得第二容器之噴射區段朝向電極8定向。第二容器5c可在路線上行進返回通過錐體貯槽以將熔體噴射至電極中。諸如第二容器之製粒機組件之直徑或大小可經選擇，使得對流動之拖曳並不過度。另外，可藉由諸如一電阻加熱器或感應耦合加熱器之一加熱器加熱(諸如追蹤加熱)第二容器。諸如加熱噴射區段之感應耦合加熱器之加熱器可包括加熱入口部分之一線圈(諸如5f)且可進一步包括可穿透電池26之壁且加熱噴射區段之線圈5o。第二容器之入口部分可包括一管狀迴路，其藉由具有圍繞管狀迴路之一線圈5f之一感應耦合加熱器來加熱。 在圖2I19及圖2I20中展示之一實施例中，電池壁26包括抵抗銀附著之一材料，諸如石墨、塗佈石墨之金屬(諸如塗佈石墨之高溫不銹鋼)、鎢及碳化鎢之至少一者。電池壁可漸縮至一錐形底部中。電池底部可包括一凸緣，其可連接至連接至一錐體貯槽5b之一配對凸緣以含有諸如銀熔體之熔體。錐體貯槽5b可能夠經受高溫操作且可包括諸如石墨、鉭、鈮、鈦、鎳、鉬、鎢之一材料或諸如一高溫不銹鋼之其他高溫或耐火材料或金屬。錐體貯槽可襯砌有抵抗諸如銀熔體之熔體之附著之材料。一例示性錐體貯槽及襯墊包括石墨或襯砌有石墨之鉭或鈮。石墨襯墊可連接至電池。可藉由使用諸如高溫螺釘(諸如Mo、Ta或Nb螺釘)之緊固件緊固在一起之配對凸緣進行連接。緊固件可包括錨，其中配對螺栓或螺釘螺合至錨中。在其中錐體貯槽處於真空或一惰性氣氛中之一實施例中，其亦可包括不具有襯墊之石墨。可藉由一可真空下腔室5b5提供真空或惰性氣氛。錐體貯槽可包括連接至一電磁泵5k之一泵管之入口之一配對凸緣之一底凸緣。包括圍繞線圈5f之一感應耦合加熱器可將錐體貯槽5b及泵5k之入口之至少一部分加熱至高於熔化金屬(諸如銀、銀銅合金及銅金屬之至少一者)之熔點之一溫度。將凸緣連接界定為原點，該管可首先指向下且接著形成具有一合適曲率半徑之一迴路以在一垂直方向上放置該管以交叉錐體貯槽5b。入口可過渡至直泵管5k6中，其中泵抽方向可垂直定向。泵之出口管可垂直延伸以交叉錐體貯槽壁。交叉可在錐體最大半徑處以提供泵軛及磁體5k4及5k5 (圖2I16)與錐體貯槽5b之最大距離以提供在低於錐體貯槽之溫度之一合適溫度下操作此等泵組件。泵磁性電路5k4及5k5可正切於錐體貯槽定向，且匯流條5k2可較短且垂直於錐體貯槽定向，其中至電流源之引線5k3在與匯流條5k2之方向成約90°處。磁性電路5k4及5k5之定向可最大化與高溫組件之距離。諸如錐體貯槽及入口管、泵管5k6及出口管之高操作溫度組件需高於熔體之熔點，且諸如EM泵5k之磁性電路5k4及5k5之低操作溫度組件需處於一十分低溫度(諸如小於約300℃)。為維持兩種類型之組件之間的一溫度分離，製粒機可包括組件之間的絕緣體。另外，可藉由一冷卻系統(諸如包括水冷卻熱轉移板5k1及一冷凍器31a之一冷卻系統)冷卻磁性電路。感應耦合加熱器5f之水冷卻線圈亦可用於冷卻電磁泵5k之磁性電路且反之亦然。錐體貯槽及泵入口可包括第一容器5b。電磁(EM)泵5k可透過第二容器5c將諸如銀熔體之熔體自錐體貯槽泵抽至電極，第二容器5c可包括泵出口管(諸如具有約3/8英吋直徑之一鉭或鈮管)及噴嘴5q。泵入口及出口管之迴路可包括至少約180°返回穿過錐體貯槽壁之一彎管。管5c可在錐體貯槽5b內側行進(在諸如包含於錐體貯槽中之銀熔體位準下方之一區域中)，且在噴嘴5q中結束之熔體位準上方凸出。噴嘴可稍高於熔體位準，使得熔體在流動至管中時保持熔化而不需一容器加熱器。在噴嘴顯著遠離於熔體位準之其他實施例中，藉由諸如一感應耦合加熱器之一加熱器將加熱施加至第二容器之遠端噴射區段。在諸如前一情況之一實施例中，電極可經定位十分接近於熔體位準。在一實施例中，熔體與電極之分開距離在約1 mm至100 mm、1 mm至50 mm及1 mm至10 mm之至少一個範圍內。電池可在電池之底部處具有一較大直徑真空外殼凸緣以含有內錐體貯槽凸緣及錐體貯槽之入口。能夠維持一真空或一惰性氣氛之一下腔室5b5可連接至真空外殼凸緣。真空外殼之內部真空可藉由一真空連接線5b6連接至電池之內部真空。替代性地，真空連接線5b6可連接至電池真空泵13a之一共同歧管。可真空下腔室5b5可包括可具有一圓頂狀端帽之一直圓柱體。可真空下腔室5b5可含有錐體貯槽5b、包括泵管5k6之電磁泵5k及其入口及出口之至少一部分、EM泵匯流條5k2及磁性電路5k4及5k5之至少一部分以及加熱線圈5f之至少一者。EM泵之匯流條之電連接件5k3、感應耦合加熱器線圈之引線5p及任何感測器引線可穿透可真空下腔室5b5之壁。EM泵磁性電路5k4及5k5之一部分可穿透或具有穿透可真空下腔室5b5之通量，其中磁體及視情況磁性電路5k4及5k5之一部分可在可真空下腔室5b5外側。真空可保護諸如石墨、Ta及Nb之空氣敏感材料以防氧化。在另一實施例中，能夠維持一真空或與大氣之密封之下腔室5b5可不連接至電池之真空。在此情況中，下腔室5b5可填充有諸如氮之一惰性氣體或諸如氬之一鈍氣。可藉由使用諸如一電鍍或實體塗層(諸如陶瓷)之一保護塗層塗佈大氣氣體反應材料而達成進一步保護。 在一實施例中，感應耦合加熱器線圈引線穿透至產生器之一密封區段中，諸如電池26或下腔室5b5之至少一者。對應壁(諸如電池、腔室5b5及兩者之間的一分割(諸如一電磁泵凸緣板)之至少一者)之引線5p穿透部分可電隔離，使得引線5p並未電短路。穿透可發生在壁處或可發生在遠離於壁之一位置處，以便提供其中溫度低於壁之一位置。壁可藉由在不具有電接觸之情況下容置引線之一導管連接至遠端位置。與經密封穿透部分相對之導管端可經焊接至被穿透之壁以在壁位置處形成一密封件。在其中引線穿透一熱傳導元件之一實施例中(其中真空密封件在遠端位置處)，引線可穿過諸如電磁泵凸緣板之元件中之一孔而不與元件電接觸。引線可經拋光以降低發射率及至引線之熱轉移。導管可在導管之與熱傳導元件相對之端部處使用一電絕緣體(其中溫度十分低)圍繞引線經真空密封。絕緣體可包括一低溫密封件，諸如一鐵氟龍密封件，諸如具有Kalrez O環之一鐵氟龍Swagelok或Ultra-Torr。替代性地，真空氣密引線穿透部分可包括市售高溫RF穿透部分。 在一實施例中，錐體貯槽及腔室5b在真空連接器中共同螺合且旋合至真空外殼之一頂板。泵管可穿透頂板。容器5b可藉由諸如焊道之構件附接至頂板。在一實施例中，可藉由諸如一感應耦合加熱器之一加熱器單獨加熱泵管5k6，加熱器可將該管維持在高於熔體之熔點之溫度之一所要溫度。在一實施例中，一個感應耦合加熱器RF電力單元可經多工至複數個感應耦合加熱器線圈。泵管加熱器可包括藉由用於錐體貯槽加熱器之RF產生器按RF產生器之一工作循環間歇地驅動之一加熱器線圈，RF產生器隨著時間在驅動錐體貯槽加熱器線圈與泵管加熱器線圈之間切換。工作循環可經控制以將錐體貯槽及泵管維持在所要溫度。一例示性工作循環範圍約為10%至90%。替代性地，可藉由自產生器之一熱區段轉移之熱來加熱EM泵管。熱可來自一加熱器或來自分數氫反應。在一實施例中，熱轉移係來自藉由諸如銅之一傳導介質轉移之經加熱錐體貯槽5b，傳導介質可包括熱轉移塊體5k7 (圖2I26)。塊體可經機械加工或鑄造以接觸錐體貯槽及泵管。為進行泵管5k6與熱轉移塊體5k7之間的良好熱接觸，泵管可經塗佈有諸如Thermon T-99之一熱轉移化合物。 各匯流條9及10可包括至一電容器組之一連接件。電容器組可包括兩個串聯電容器(其中一者連接至正匯流條且一者連接至負匯流條)之複數個(例如，兩個)並聯組，其中藉由一匯流條連接對應相反極性電容器終端。可以丸粒到達電極之間而完成電路。電容器可連接至一電源以為電容器供電且在操作期間維持其等之電壓，其中在電容器處感測電壓。各匯流條可垂直穿透電池壁且包括諸如具有螺紋之一銅塊之一座以接納對應電容器之終端之螺紋。一水平匯流條可旋合至各垂直匯流條之螺紋端中，且電極可滑動至水平區段之端部上。可藉由諸如具有螺栓或固定螺釘之夾鉗之緊固件固定電極。 電極可包括本發明之電極(諸如在朝向PV轉換器26a之間隙8處形成一通道之一向下V狀)且進一步包括一電極EM泵(其包括通道8及磁體8c)及視情況一第二電極EM泵(其包括磁體8c1及通道8g1)。為防止任一電極EM泵之磁體之過度加熱，諸如8c及8c1之磁體可定位於電池26外側。可藉由一磁性電路8c (圖2I29至圖2I31) (諸如可在高溫下操作之鐵磁軛，諸如鐵、鈷及Hiperco® 50合金(49% Co、49% Fe、2% V)軛之至少一者)將磁場供應至諸如8g及8g1之通道。在另一實施例中，軛可在其中溫度最大之間隙處包括諸如Co或Hiperco® 50合金之一種材料且在介接磁體之較低溫部分處包括諸如鐵之另一材料。磁體可包括具有一高最大操作溫度之一材料，諸如CoSm磁體。為進一步熱隔離CoSm，磁性電路可包括可在較高溫度下操作之一內磁體，諸如可在多至525℃ (相較於CoSm之350℃)之一最大高溫下操作之一AlNiCo磁體。電極EM泵磁性電路可包括磁體及軛且各者可穿透電池壁26。替代性地，磁通量可自一第一外側磁性電路區段穿透壁至電池內側之一第二磁性電路區段。允許通量穿透之一例示性壁材料係一高溫不銹鋼。在一替代實施例中，噴嘴5q可定位成緊密接近於電極8，使得來自EM泵5k之壓力透過電極間隙8g及視情況8g1泵抽熔體，其中第一及第二電極EM泵之至少一者係可選的。噴嘴5q可包括諸如石英之一非導體或諸如石墨之一低導體，使得其可接近於間隙8g或可與電極8接觸以促進透過至少一個電極間隙或通道8g及8g1直接泵抽熔體。替代性地，噴嘴可以諸如一石英或陶瓷套筒之一非導體為尖端，塗佈有諸如氮化硼之一非導體或包括諸如泵管之材料之一導體，但可在噴嘴與電極8之間維持一最小間隙。電池可電浮動而非接地以防止電流動通過噴嘴至電池中之其他組件。電池壁、匯流條9及10以及電池中之任何其他元件可覆蓋有抵抗諸如銀或銀銅合金(諸如Ag 72 wt%-Cu 28 wt%)之熔體之附著之一護套。一例示性護套材料係石墨、碳化硼、諸如鐵氟龍(PTFE)之氟碳聚合物、氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-YSZ。藉由電極點火之丸粒可包括熔化金屬，諸如可進一步包括H2 O及氫之群組之至少一個氣體之熔化Ag。錐體貯槽5b可包括至少一個氣體管線或水管線(諸如來自連接至H2 O及H2 之至少一者之一來源之一歧管5y之一管線5u及5v)及一管道起泡器或氣體流場5z以將氣體添加至熔體。管線可穿透錐體貯槽5b之壁以連接至管道起泡器5z或氣體流場。 替代性地，可藉由使用電極8處之噴射器調節器及閥5z2調節之一噴射器5z1之噴射而添加H2 O及H2 之至少一者。噴射器5z1可將H2 O及H2 之至少一者噴射至點火電漿之一部分、點火電漿之中心之至少一者中，至熔體之一部分中且實質上至熔體流之中間以最大化地將H2 O及H2 之至少一者併入至熔體及電漿之至少一者中。一例示性噴射器5z1包括一不銹鋼管，其在端部處具有一50 μm之孔以將H2 O直接噴射至電漿中。噴射器可包括包含至少一個針孔(諸如各具有在約0.001 μm至5 mm之範圍中之一直徑)之一噴嘴。氣體可自噴射器5z1方向性地流動。氣體可包括一氣體噴流或分子束，諸如一H2 O及H2 噴流或射束之至少一者。噴嘴可定位成接近於點火點(諸如在電極間隙8g之0.1 mm至5 mm內)以高效地將氣體供應至點火，同時避免自電池泵抽過多氣體。噴射可在電極間隙8g上方或下方發生。噴射器5z1之尖端可包括抵抗熱損害之一材料，諸如一耐火材料，諸如本發明之一耐火材料，諸如W或Mo。在另一實施例中，噴射器5z1之噴嘴可包括複數個針孔或針孔陣列(諸如沿著電極之長度對準之針孔)以將氣體噴射至熔化金屬中。在一例示性實施例中，針孔之直徑約為25 μm。噴射可處於高速度。高速度可協助金屬浸滲有氣體，使得可以一較大良率將氣體引入至反應混合物。分子束可促進HOH觸媒之形成。在一實施例中，噴射器5z1之尖端可包括一擴散器以形成噴射至被點火之電漿或燃料中之一細密水霧。 在一實施例中，噴射器5z1經設計以限制自電漿至噴射器之熱轉移速率，使得按其流動速率保持來自分數氫程序之一所要功率之水在處於噴射器內時並未沸騰。噴射器5z1可包括：i.)一最小表面積，ii.)具有低熱轉移速率之材料，iii.)表面絕緣體及iv.)輻射屏蔽以限制至流動水之熱轉移。在其中分數氫反應係H2 O至H2 (l/4)+l/2O2 +50 MJ之一例示性實施例中，產生X瓦特之功率之最小水流速率由以下得出： 流動速率=(X瓦特/50 MJ/莫耳H2 O) × (1公升H2 O/55莫耳)     (39) 在其中X=500 kW之例示性情況中，流動速率係0.18 ml/s。導致每秒0.18 ml水自0℃之一初始溫度沸騰之功率係490 W。因此，噴射器5z1經設計，使得其自電池(諸如自電漿)接受熱之最大速率對應於小於490 W之一功率。使用以下關係：
Figure 02_image318
其中P係壓力，
Figure 02_image320
係水密度，且
Figure 02_image322
係速度，3 atm之一水噴射壓力對應於25 m/s之一噴嘴5q流動速率。按此流動速率遞送0.18 ml/s (0.18×10-6 m3 )之噴嘴5q之孔口大小係7.2×10-9 m2 (95 μm直徑之圓盤)。給出具有此直徑之兩倍之一管(其中3 cm浸沒於電漿中)，管之電漿接觸面積係1×10-5 m2 ，此需要熱轉移速率小於490 W/l×10-5 m2 或4.9×107 W/m2 。具有一低熱接受速率之例示性耐熱噴嘴包括可使用氧化鈣或氧化釔穩定之氧化鋁或氧化鋯。噴嘴5q (諸如包括一針孔之噴嘴)可具有導致水流傳播至貫穿電漿之一所要部分分散水之一體積中之一形狀。傳播可包括水在電漿中之一均勻分散。水源5v可包括一水貯槽及一泵以將水供應至噴射器5z1。閥、流量計及調節器5z2可控制透過噴嘴5q噴射之水流之速率。 噴射器5z1可包括一增濕器，其可維持電極之區域中之一所要部分H2 O壓力，諸如在約0.01托至1000托、0.1托至100托、0.1托至50托及1托至25托之至少一個範圍中之壓力。 分子束可經冷卻以形成可增大分數氫反應之速率之冰晶。可藉由冷凍器31a提供冷卻。可藉由冷卻諸如氫或一鈍氣之一載體氣體而達成冷卻。水可經冷卻至結冰限制。可藉由在水中溶解諸如氫之載體氣體而降低冰點以形成超冷卻之水。可藉由使諸如氫之載體氣體起泡而使超冷卻之水霧化。在一實施例中，可藉由諸如一超音波霧化器之一霧化器形成諸如在0.1 μm至100 μm直徑之範圍中之微水滴。超音波頻率可較高，諸如在約1 kHz至100 kHz之一範圍中。霧化可導致冰晶之形成。水可經噴射至真空中。至真空中之擴張可冷卻水以形成冰。噴射至真空中之水之汽化可形成冰。汽化可冷卻噴射器5z1之尖端以可導致經噴射之水形成冰。可藉由冷凍器31a冷卻經噴射之水及尖端之至少一者。冷卻可為至導致經噴射之水之冰晶形成但防止尖端結冰且阻塞之一溫度。可藉由使經冷卻載體氣體起泡而進一步促進冰晶之形成。亦可藉由減小壓力及消除水貯槽(諸如起泡器)中之成核地點之至少一者達成超冷卻。在一實施例中，一添加劑可經添加至水以降低冰點。例示性添加劑係鹽、無機化合物及有機化合物。在後一情況中，可在電池之操作期間消耗且替換有機化合物。諸如氫氣之氣體可透過水起泡以形成冰晶，冰晶可經噴射至熔體中以充當用於分數氫反應之H及HOH觸媒之至少一者之一來源。在一實施例中，冰可經昇華且引導至電極。汽化之冰可流動通過一歧管。冰可藉由與一合適表面進行實體接觸而成核或經受沈積為較大晶體，其中較大粒子可流動至點火地點中。流動可透過具有複數個針孔之歧管。在一實施例中，噴射器可定位於電極之壁中(諸如通道8g中)。在另一實施例中，噴射器5z1在噴嘴5q之相對側上。在一例示性實施例中，噴嘴5q將熔體噴射至電極8中，且噴射器5z1在電極之另一側上(諸如在通道8g中)自頂部噴射H2 O及H2 之至少一者。水可呈細冰晶、蒸汽及液體水之至少一者之形式。在一實施例中，來自諸如5u及5v之一來源之輸入氣體經噴射至維持在一真空下之電池中。控制可小於大氣壓之輸入壓力可控制氣體通過噴射器5z1之流動速率。可藉由閥、泵、流量控制器及壓力監測器及控制器5z2控制用於噴射之輸入氣體壓力及流動速率之至少一者。可使用諸如一冷凍器、低溫泵及一真空泵13a之至少一者之一水汽冷凝器維持電池真空。可使用一水阱及諸如一真空泵(諸如一渦旋泵)之一泵維持電池真空。水冷凝器可包括一冷凍器及一低溫阱之至少一者。在一實施例中，泵可包括一高溫泵，其在泵抽時將電池氣體維持在一高溫，使得水汽組分本質上作為一理想氣體。任何經噴射或形成之水可作為水蒸汽被移除，此可充當冷卻電池之一方法。 在另一實施例中，電池包括一化學吸氣劑以用於自電池氣體移除水汽以維持真空。吸氣劑可包括與水反應之一化合物，諸如可形成氧化物之一金屬。可藉由加熱使水反應產物可逆。吸氣劑可包括一吸濕化合物，諸如一乾燥劑，諸如一分子篩、矽膠、諸如蒙脫石黏土之黏土、諸如一鹼土氧化物(諸如CaO)之一脫水鹼基、諸如包括一氧離子之一鹼土化合物(諸如一硫酸鹽，諸如CaSO4 )之一脫水水合物化合物及一鹼鹵化物(其形成諸如LiBr之水合物以吸收電池中之水汽)之至少一者。可藉由加熱再生化合物。熱可來自藉由電池產生之多餘熱。 化合物可循環地自與電池氣體之接觸移除、再生及返回。化合物可在加熱時保持於一密封腔室中，使得產生高於大氣壓之一水蒸汽壓力。可透過打開之一閥排放處於一初始高壓之水蒸汽。閥可在相對於初始壓力之一減小壓力(其仍大於大氣壓)下關閉，使得空氣並不流動至腔室中。腔室可經冷卻且化合物曝露於電池氣體以在一重複循環中吸收水。在其中運輸化合物以達成曝露於電池氣體以在一個循環階段中吸收水且曝露於大氣壓以在另一循環階段中釋放經吸收之水之一實施例中，可藉由本發明之一構件(諸如藉由機械構件，諸如藉由一螺鑚或藉由使用一泵)運輸化合物。替代性地，可藉由使用一氣動構件(諸如本發明之一氣動構件)進行運輸。在包括一往復雙閥乾燥劑腔室水移除系統(其中未運輸化合物以達成曝露於電池氣體以在一個循環階段中吸收水且曝露於大氣壓以在另一循環階段中釋放經吸收之水)之一實施例中，化合物在具有至少兩個閥之一腔室中。一第一吸水閥控制與電池氣體之連接且一第二排水閥控制至諸如周圍大氣之排水區域之連接。在吸水階段期間，吸水閥打開且排水閥關閉。在排水階段期間，吸水閥關閉且排水閥打開。閥可交替地打開及關閉以達成吸水及排水。吸水閥可包括諸如一閘閥之一大閥以增大曝露於化合物之氣流。排水閥可包括諸如一吹洩閥之一較小壓力調節閥，其在一所要壓力下打開且在一較低所要壓力下關閉。腔室可接近於電池，使得電池通常加熱之。在吸水階段期間，諸如31a之冷凍器可冷卻腔室。冷卻可被中止以允許電池在排水階段期間加熱。可藉由停止冷卻劑流而達成中止。冷卻劑可具有高於腔室之最高操作溫度之一沸點。在另一實施例中，可藉由諸如一熱管道之一熱交換器將熱移除或供應至腔室。在一實施例中，可藉由複數個往復雙閥乾燥劑腔室水移除系統連續地移除水，其中至少一個系統在吸水階段中操作而另一者在排水階段中操作。 在一實施例中，來自分數氫反應之紫外線及極紫外線光導致電池中之水汽解離為氫及氧。藉由本發明之方法分離氫及氧以提供此等貴重工業氣體之一供應。可藉由此項技術中已知的至少一個方法分離光子解離水之氫及氧產物混合物，諸如來自以下之群組之一或多者：藉由一微孔薄膜分離H2 ；藉由一電擴散薄膜(諸如一耐火氧化物，諸如CaO、CeO2 、Y2 O3 及ZrO2 )分離O2 ；藉由一無孔金屬薄膜(諸如一鈀或Pd-Ag薄膜)分離H2 ；藉由使用一孔口及一射束撇渣器產生一高速噴流而分離氣體；藉由離心作用分離氣體；及藉由低溫蒸餾分離氣體。可藉由將氫及氧供應至一燃料電池(諸如一質子交換薄膜燃料電池、一熔化碳酸鹽燃料電池及此項技術中已知的其他燃料電池之至少一者)而將氣體轉換為電。替代性地，氫及氧或大氣氧可在一熱引擎(諸如一內部燃燒引擎、一布雷頓循環引擎、一氣體渦輪機及此項技術中已知的其他熱引擎之至少一者)中燃燒。 在一實施例中，噴射器5z1可包括具有複數個針孔之一歧管以遞送H2 及H2 O之至少一者，其中H2 O可包括冰晶。噴射器進一步包括一泵5z2。水貯槽5v可至少經冷卻至水之冰點。貯槽可藉由泵5z2而在小於大氣壓之一壓力下操作。低壓可導致冰在一超冷卻狀態中昇華，其中蒸汽具有低於大氣壓下之水之冰點之一溫度。冰之表面積可經增大以增大昇華速率。泵5z2可壓縮超冷卻之水汽以導致其結冰。泵可改變壓力以導致自液體至固體之一相變。泵可包括一蠕動泵。氣泡腔室使用一壓力改變以導致一相變以及在https://en.wikipedia.org/wiki/Bubble_chamber中給出。此原理可經應用以導致細冰晶之形成以用於噴射至點火電漿中，藉由點火分數氫反應物而形成電漿。可使用諸如31a之一冷凍器冷卻接觸超冷卻之水汽及所形成冰晶之泵零件。可藉由泵5z2將冰晶泵抽至噴射器5z1 (諸如具有複數個針孔之歧管)中，且晶體可經噴射至燃料點火地點中。 在一實施例中，氫噴射器5z1可包括一可滲透氫之薄膜，諸如一鎳、石墨或鈀銀合金薄膜，其中氫滲透薄膜且經遞送至維持在低壓下之熔體。可滲透氫之薄膜可將氫流動速率減小至一所要速率，其中在電極處將氫噴射至一低壓區域中(諸如電池中)。流動速率可為並不促成一對應顯著功率消耗之一流動速率。可針對真空泵13a管理流動速率以維持電池壓力。氫流動速率可在每一電池(其產生約100 kW之光)約0.1標準立方厘米/分鐘(sccm)至10標準公升/分鐘(slm)、1 sccm至1 slm及10 sccm至100 sccm之至少一個範圍中。H2 O之電解可包括氫來源5u。在一實施例中，諸如一鈀或Pd-Ag薄膜之薄膜可執行以下至少一個功能：分離一水電解氣體混合物之氫與氧；以一受控方式將H2 噴射至分數氫電漿中(諸如在電極處)；及將分子氫解離為原子氫。可藉由控制薄膜溫度(諸如在約100℃至500℃之範圍中)來控制滲透速率及選擇性地氫滲透。分數氫電漿可提供薄膜加熱。在其他實施例中，可藉由此項技術中已知的至少一個方法分離一電解產物混合物之氫與氧，諸如來自以下之群組之一或多者：藉由一微孔薄膜分離H2 ；藉由一電擴散薄膜(諸如一耐火氧化物，諸如CaO、CeO2 、Y2 O3 及ZrO2 )分離O2 ；藉由一無孔金屬薄膜(諸如一鈀或Pd-Ag薄膜)分離H2 ；藉由使用一孔口及一射束撇渣器產生一高速噴流而分離氣體；藉由離心作用分離氣體；及藉由低溫蒸餾分離氣體。 在一實施例中，噴射器將一冰晶噴流供應至熔化金屬中，其中冰晶可歸因於其等之高速度而浸滲至熔體中。在噴流包括用於運輸水汽之一載體氣體(諸如氫或諸如氬之一鈍氣)之情況中，使用冰晶替代水汽可顯著增大每一載體氣體體積遞送至點火之水之數量及濃度。亦可藉由此項技術中已知的構件(諸如藉由一冰刮刀或削片機)機械地形成冰晶。機械冰晶機器可包括將固體冰分裂為具有一所要大小之小冰粒之至少一個旋轉刀片。可藉由諸如一高速研磨機(諸如一Dremel工具)或一高速鑽機或研磨機(諸如一牙醫鑽機或研磨機)之至少一個機器工具將冰供應至電極。工具或鑽機可在一冰表面上方掃描，冰表面可在其被消耗時前移。可藉由一掃描機構產生掃描。可藉由具有來自基座處之一結冰前端之補足之一對應機構前移具有頂部處之表面之一冰行。諸如31a之一冷凍器可用於達成結冰。機械頻率可在約1000 RPM至50,000 RPM之範圍中。可藉由諸如31a之一冷凍器冷凍諸如5u之一貯槽中之水而供應冰。在一實施例中，低溫可限制H2 O蒸汽壓力以有助於HOH形成。類型I冰結構亦可增強分數氫反應速率。在一實施例中，形成分數氫之固體燃料反應混合物包括冰以作為H及HOH之至少一者之一來源。冰可呈提供一高表面積之一實體形式，諸如可藉由噴射器5z1噴射之冰晶。可在一冰供應器5v中形成冰，冰供應器5v可進一步包括形成細粉末冰或小冰晶之一構件，諸如使水結冰之諸如31a之一冷凍器及一研磨機。替代性地，冰供應器可包括一冰晶製造器，諸如包括經冷凍擴張或霧化H2 O之一來源之一冰晶製造器。 在一實施例中，噴射器5z1包括一噴射噴嘴。噴射器之噴嘴可包括一氣體歧管，諸如與電極8之溝對準之一氣體歧管。噴嘴可進一步包括來自歧管之複數個針孔，其等遞送H2 O及H2 之至少一者之複數個氣體噴流。在一實施例中，在大於電池壓力之一壓力下透過諸如5v之一H2 O貯槽使H2 起泡，且在H2 載體氣體中挾帶H2 O。高壓氣體混合物流動通過針孔至熔體中以維持氣體噴流。可藉由壓力控制器或流量控制器5z2調節流量，在大於電池壓力之一高壓下(諸如在約1毫托至10,000托、1毫托至1000托及1毫托至100托之至少一個範圍中)供應流量。在電極處，可為一混合物之氣體可與傳導基質、金屬熔體組合。在施加一高電流之情況下，對應燃料混合物可點火以形成分數氫。 針孔可為雷射、噴水器或機械鑽孔。噴射器中之氣體可經加壓以促進複數個高速氣體噴射噴流或分子束之形成。未在分數氫之形成中消耗之氣體可被諸如泵13a之構件收集且循環。可凝結且循環水。可使用一低壓泵達成凝結。可循環氫，其中其可在循環之前與其他氣體分離。可使用一選擇性過濾器達成分離。 噴射時序可使丸粒及氣體中之電漿產生同時發生。噴射可約為連續的。連續氣體流動速率可經調整至點火頻率及燃料流動速率之至少一者。燃料噴射可為間歇的且與丸粒之點火同步。可藉由噴射器中之機械諧振達成時序且第n次點火之壓力波延遲且壓縮用於第n+1次點火之噴射氣體，其中n係一整數。替代性地，諸如噴射器5z1之一電磁閥5z2之一閥可控制噴射。可藉由點火電流啟動閥5z2。一例示性閥係一機械回饋伺服閥。閥可包括一壓力控制閥，諸如噴射器出口處之一壓力控制閥，其中可在閥之供應側中維持一超壓。水可經供應及噴射為液體或氣體之至少一者之至少一者。氣體供應可來自來源5u及5v。 在一實施例中，可藉由氫在一程序中經受向具有方程式(18)中之高p值之分數氫之躍遷(在本文中稱為歧化作用，如在Mills GUT Chp. 5中給出，其以引用的方式併入)而達成十分高功率及能量之至少一者。氫原子
Figure 02_image324
可經受藉由方程式(10)及(12)得出之向較低能態之進一步躍遷，其中一個原子之躍遷係由以諧振及非輻射方式接受
Figure 02_image326
且伴隨其位能之相反改變之一第二原子所催化。關於藉由
Figure 02_image326
諧振轉移至H(1/p')所誘導的H(1/p)躍遷至H(1/(p+m))之一般總方程式由方程式(41)得出，其表示為：
Figure 02_image329
來自分數氫程序之EUV光可解離二分數氫分子且所得分數氫原子可充當躍遷至較低能態之觸媒。一例示性反應包括藉由H(1/4)將H催化至H(1/17)，其中H(1/4)可為藉由HOH催化另一H之一反應產物。分數氫之解離反應經預測以引起X射線區域中之特徵。如藉由方程式(5-8)展示，HOH觸媒之反應產物係
Figure 02_image331
。考慮到氫雲中之一類似躍遷反應，其中第一氫類原子
Figure 02_image333
係一H原子且充當一觸媒之第二受體氫類原子
Figure 02_image335
係
Figure 02_image337
。由於
Figure 02_image337
之位能係
Figure 02_image340
，故躍遷反應表示為
Figure 02_image342
且，總反應係
Figure 02_image344
歸因於
Figure 02_image346
中間產物(例如，方程式(16)及方程式(43))之極紫外線連續輻射譜帶經預測以具有由
Figure 02_image348
得出且延伸至比對應截止點長之波長之一短波長截止點及能量
Figure 02_image350
。此處，歸因於
Figure 02_image352
中間產物之衰變之極紫外線連續輻射譜帶經預測以具有處於
Figure 02_image354
且延伸至更長波長之一短波長截止點。最近在藉由NASA之錢德拉X射線天文台及藉由XMM-牛頓衛星之英仙座星系團[E. Bulbul、M. Markevitch、A. Foster、R. K. Smith、M. Loewenstein、S. W. Randall，「Detection of an unidentified emission line in the stacked X-Ray spectrum of galaxy clusters」，The Astrophysical Journal，第789卷，第1號，(2014)；A. Boyarsky、O. Ruchayskiy、D. Iakubovskyi、J. Franse，「An unidentified line in X-ray spectra of the Andromeda galaxy and Perseus galaxy cluster」(2014)，arXiv:1402.4119 [astro-ph.CO]]中觀察到具有一3.48 keV截止點之一寬X射線峰並不匹配至任何已知原子躍遷。藉由BulBul等人指派至具有未知身份之暗物質之3.48 keV特徵匹配
Figure 02_image356
躍遷且進一步將分數氫確認為暗物質之身份。 在一實施例中，產生器可使用H2 O之一低壓產生高功率及能量。水汽壓力可在約0.001托至100托、0.1毫托至50毫托、1毫托至5托、10毫托至1托及100毫托至800托之至少一個範圍中。可藉由一水汽來源及控制流動速率及壓力之至少一者之一構件供應及維持低H2 O蒸汽壓力之至少一者。水供應器可足以維持一所要點火速率。可藉由穩態或動態控制及平衡控制之至少一者控制水汽壓力。可藉由加濕點火區域(諸如電極間及電極EM泵通道區域8g)中之氣氛而將低壓水添加至電漿。產生器可包括維持一所要區域(諸如電極區域外側之一區域)中之一較低水汽壓力之一泵13a。可藉由有差別地泵抽來移除水，使得電極區域外側之電池區域可具有一較低壓力，諸如水之一較低分壓。較低壓力可經維持以減小諸如可入射至PV轉換器26a之EUV光之光之衰減。 可藉由與電池連接之一水貯槽/阱維持電池水汽壓力。電池水汽壓力可在穩態或與水貯槽/阱之水表面上方之水汽壓力平衡之至少一者中。水貯槽/阱可包括降低蒸汽壓力之一構件，諸如維持一減小溫度(諸如一低溫)之一冷凍器、一H2 O吸收材料(諸如活性炭或一乾燥劑)及一溶質之至少一者。水汽壓力可為在平衡或穩態中建立之一低壓，其中可使冰超冷卻。冷卻可包括一低溫冷凍器或浴器，諸如二氧化碳、液氮或液氦浴器。一溶質可經添加至水貯槽/阱以降低水汽壓力。可根據拉午耳定律(Raoult’s Law)降低蒸汽壓力。溶質可高度溶解且呈高濃度。例示性溶質係糖及一離子化合物(諸如鹼、鹼土及鹵化氨、氫氧化物、硝酸鹽、硫酸鹽、重鉻酸鹽、碳酸鹽及醋酸鹽之至少一者)，諸如K2 SO4 、KNO3 、KCl、NH4 SO4 、NaCl、NaNO2 、Na2 Cr2 O7 、Mg(NO3 )2 、K2 CO3 、MgCl2 、KC2 H3 O2 、LiCl及KOH。阱乾燥劑可包括一分子篩，諸如例示性分子篩13X、4-8篩孔團粒。 在移除多餘水之一實施例中，阱可經密封及加熱；接著，液體水可經抽出或其可經排放為水蒸汽。阱可經再冷卻及再運行。在一實施例中，H2 經添加至電池26 (諸如在電極處之一區域中)以與O2 反應產物反應以將其轉換為使用水貯槽/阱控制之水。可藉由一可滲透氫之陰極(諸如一PdAg陰極)處之電解提供H2 。可使用一感測器監測氫壓，感測器提供回饋信號至諸如一電解控制器之一氫供應控制器。 在一例示性實施例中，藉由諸如13X之一水合分子篩將水分壓維持在一所要壓力，諸如在約50毫托至500毫托之範圍中之一壓力。自分子篩釋放之任何水可由一水供應器替代，諸如來自藉由歧管及管線5x供應之罐5v之水供應器。分子篩之面積可足以至少按維持所要分壓所需之一速率供應水。分子篩之排氣速率可匹配分數氫程序之消耗速率與抽出速率之總和。可藉由控制分子篩之溫度來控制釋放速率及分壓之至少一者。電池可包括分子篩之一控制器，其連接至電池26。容器可進一步包括維持分子篩之溫度之一構件，諸如一加熱器及一冷凍器及一溫度控制器。 在一替代穩態實施例中，藉由一流量控制器(諸如控制電池中之質量流量及水汽壓力之至少一者之一流量控制器)維持水汽壓力。水供應速率可經調整以匹配在分數氫及任何其他電池反應中消耗且藉由諸如泵抽之方法移除之速率。泵可包括水貯槽/阱、一低溫泵、一真空泵、一機械真空泵、一渦旋泵及一渦輪泵之至少一者。供應速率及移除速率之至少一者可經調整以達成所要電池水汽壓力。另外，可添加氫之一所要分壓。可藉由感測器及控制器(諸如壓力計，諸如Baratron計及質量流量控制器)感測及控制H2 O及H2 壓力之至少一者。可藉由一注射泵供應氣體。作為一質量流量控制器之一替代方案，可藉由一高精度可電子控制閥(諸如一針閥、比例電子閥及步進器馬達閥之至少一者)維持水汽壓力。可藉由一水汽壓力感測器及一電腦控制閥以維持一所要閥處之電池水汽壓力，諸如在約0.5托至2托之範圍中，其中控制可達諸如20%內之一小容限。閥可具有一快速回應以隨著電池中之水汽壓力之快速改變而維持容限。可藉由改變閥之供應側上之水汽壓力而調整通過閥之流量之動態範圍以適應不同最小及最大範圍。可分別藉由增大或減小一水貯槽5v之溫度來增大或減小供應側壓力。 在另一實施例中，泵5k包括一潛水泵，諸如浸沒在包含於錐體貯槽中之熔體中且透過一導管(諸如一容器，諸如附接至泵5k之出口之一管)將熔體垂直泵抽至電極之一電磁泵。含有單相電磁繞組之一例示性泵在1994年1月11日之美國專利第5,277,551號中給出。泵材料能夠經受高溫。在一實施例中，潛水電磁泵可包括一垂直(z軸)定向之泵管，其之入口浸沒在熔體中。泵可包括一DC電磁泵，其可經定向，使得電流沿著x軸且磁場沿著y軸施加。施加勞侖茲力之磁場之EM泵之對準y軸之磁性電路可包括：一可選周邊磁體冷卻系統之鏡像組，諸如一水冷卻散熱器；一磁性電路，其包括諸如釹磁體之周邊磁體；一磁軛，其可進一步包括與熱泵管接觸之一熱障或絕緣體；及一可選冷板，其毗鄰泵管。在一實施例中，熱障包括一氣隙或真空間隙之至少一者。熱障可進一步包括減小跨間隙之熱輻射之一構件(諸如一輻射反射器或屏蔽之至少一者)及泵之熱零件(諸如磁性電路零件，諸如軛、匯流條及泵管)之一減小發射率。可藉由諸如形成一光滑表面(諸如一拋光、電鍍或電拋光表面)之方法減小發射率。在一例示性實施例中，使用諸如鉻之一材料電鍍Fe或Co軛以使其具有低發射率。可首先施加一銅層且接著鉻。一例示性EM泵設計包括附接至矩形泵管之短側壁之寬、高傳導匯流條，且垂直磁性電路具有以下佈局：諸如釹或SmCo磁體之磁體(經冷卻)/諸如肥粒鐵、鐵或鈷之軛(經冷卻)/真空或氣隙/泵管/真空或氣隙/諸如肥粒鐵、鐵或鈷之軛(經冷卻)/釹或SmCo磁體(經冷卻)。對準y軸之該對鏡像電流匯流條可在周邊端處連接至一高電流源且在相對端上毗鄰至泵管側。包括磁性電路及電流匯流條之泵之xy平面可升高至熔體及錐體貯槽之最熱區域之至少一者外側。替代性地，泵可放置於在熔體位準處或下方之一保護外殼中以維持熔體至泵之一重力饋送，或泵可維持在一活化狀態中，其中金屬在泵電流攜載區段中。匯流條及磁性電路之至少一者可至少部分定位於電池外側，其中穿透部分穿過電池壁。磁性電路可包括電池外側之磁體，其提供穿過一非磁性壁(諸如一不銹鋼壁)之通量，其中磁通量集中於磁性電路之內軛中且經導引跨過泵管。匯流條穿透部分各可包括一凸緣(具有穿透通過凸緣之一陶瓷絕緣導體)或熟習此項技術者已知的其他可高溫電饋通。EM泵之材料(諸如泵管、磁體及磁軛)可能夠在高溫下操作。替代性地，EM泵可包括絕緣體、冷板、熱交換器及此項技術中已知的其他熱移除系統以冷卻材料。具有適合於磁體及磁性電路之一高居里溫度(Curie temperature)之例示性鐵磁材料係Co (1400K)、Fe (1043K)、釹磁體(583-673K)及AlNiCo (973-1133K)。在一實施例中，諸如釹、AlNiCo、SmCo及鐵磁體之磁體具有一高最大操作溫度。在對去磁敏感之磁體(諸如AlNiCo磁體)之情況中，磁體包括一封套，諸如將屏蔽DC場之mu金屬及將掩蔽RF場之一金屬屏(法拉第籠)。此等態樣應用於本發明之EM泵之其他實施例。泵之組件(諸如磁性電路及匯流條)各可覆蓋有一外殼以允許返回點火產物在外殼上方流動且至錐體貯槽中。外殼可包括或可經塗佈有抵抗點火產物附著之一材料。用於銀之例示性非附著材料係石墨、WC、W及Al。泵管之出口可連接至製粒機之一噴射區段，噴射區段包括一導管或容器(諸如至噴嘴5q之一管)以將熔化燃料(諸如包括H2 O及H2 之至少一者之熔化銀)噴射至電極8中。諸如加熱噴射區段之感應耦合加熱器之一加熱器可包括諸如5o之一線圈，其可穿透電池26之壁且加熱噴射區段。 在一實施例中，電池錐體貯槽可用於儲存藉由EM泵使用為容器及EM泵抽氣之一反向泵電流向後泵抽之金屬。可允許金屬藉由移除加熱功率而固化。接著，在起動期間，可使用向前方向上之泵作用首先啟動加熱器且接著啟動EM泵以使SF-CIHT產生器返回操作。 在一實施例中，可使用一噴灑器將水噴灑至電漿中，其中壓力可維持在較低以避免藉由水汽衰減諸如UV光之短波長光。水汽壓力可維持在小於10托。在另一實施例中，水(諸如水蒸汽)及氫之至少一者可與諸如銀丸粒之熔化金屬丸粒同時噴射。水、水蒸汽及氫噴射器之至少一者可包括在一快速電磁閥中終止之一遞送管。電磁閥可串聯電連接及並聯電連接至電極之至少一者，使得在電流流動通過電極時電流流動通過閥。在此情況中，水(諸如水蒸汽)及氫之至少一者可與諸如銀丸粒之熔化金屬丸粒同時噴射。在另一實施例中，噴射器系統包括一光學感測器及一控制器以導致噴射。控制器可在丸粒被感測到時打開及關閉諸如一電磁閥之一快速閥。在一實施例中，用於噴射熔體(諸如銀熔體)、水(諸如水蒸汽)及氫之至少兩者之管線可一致。一致可為透過一共同管線。在一實施例中，噴射器包括一噴射噴嘴。噴射器之噴嘴可包括一氣體歧管，諸如與電極8之溝對準之一氣體歧管。噴嘴可進一步包括來自遞送H2 O及H2 之至少一者之複數個氣體噴流之歧管之複數個針孔。在一實施例中，在大於電池壓力之一壓力下透過一H2 O貯槽使H2 起泡，且在H2 載體氣體中挾帶H2 O。高壓氣體混合物流動通過針孔至熔體中以維持氣體噴流。在電極處，可為一混合物之氣體可與傳導基質、金屬熔體組合。在施加一高電流之情況下，對應燃料混合物可點火以形成分數氫。 在圖2I17中展示在第二容器中具有一管道起泡器以將諸如H2 及水蒸汽之氣體引入至熔體之製粒機、兩個電磁泵及將丸粒噴射於電極頂部上之一噴嘴之剖面，在圖2I18中展示電極之細節。在圖2I17中展示之一實施例中，第一容器5b處之製粒機5a入口可單獨定位於電池26之底部處。電池可經定型為錐體或漏斗以導致點火產物流動至製粒機之入口中。第一容器5b、第二容器5c及噴嘴5q可形成一迴路之至少一部分，其中第一容器5b在電池26之底部處以接收點火產物且第二容器5c及噴嘴5q在一分開位置中以將丸粒遞送至電極8。第二容器5c可穿透電池26之側。在一實施例中，第二容器5c及噴嘴5q可將燃料之彈射點升高至電極8上方。噴嘴可將燃料遞送至第二電極區段8j (圖2I12及圖2I18)，使得點火擴張及光發射在第二電池區域8l中發生。可藉由重力及來自泵之壓力之至少一者促進彈射。在一實施例中，第一電極區段可僅包括電極間隙或可被一絕緣體閉合，使得電漿僅在光伏打轉換器26a之方向上擴張。 在一實施例中，電極可包括一雙層電機組，其包括一頂傳導層(其上發生點火)及具有一絕緣體之一底板(其形成間隙8g中之一底板)。傳導頂層可包括銅、Mo、Ta、TaW、鎢、碳化鎢(WC)或塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W)之至少一者，且非傳導底層可包括一陶瓷，諸如氧化鋁、氧化鋯、MgO及耐火磚。頂傳導層可包括或可覆蓋有銀並不黏貼之一材料，諸如可經冷卻之鋁、鉬、鎢、Ta、TaW、碳化鎢(WC)及塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W電極8)。被銀潤濕之材料(諸如銅、銀及CuAg合金)各可覆蓋有諸如銀丸粒之丸粒並不附著之一材料。 電極可包括複數個層，諸如一覆蓋層、一點火層及一底非傳導板。非附著覆蓋層可包括一絕緣體、具有相對於導致燃料點火之電極部分之低傳導率之一導體及一導體之至少一者。在非附著層係傳導性之情況中，其可與電極之點火部分電隔離。電極可包括一頂丸粒非附著層、一薄絕緣間隔層及僅連接至電源2之一高傳導點火部分層。具有相對於電極之點火部分(諸如一銀或銅部分)之低傳導率之一例示性頂層包括石墨。在一例示性實施例中，石墨或氧化鋯充當諸如銀丸粒之丸粒並不附著之一層。可藉由諸如一陶瓷層之一絕緣層使非附著層與諸如一銅部分之點火部分電隔離。非附著層可包括一漏斗以將丸粒導引至電極之點火部分之間隙8g中。 在一實施例中，電極可包括一雙層電極，諸如包括一向上V狀頂層(諸如石墨或氧化鋯頂層)之一雙層電極。頂層可將丸粒導引至一底點火層。包括一導體之底層可具有朝向間隙8g之垂直壁或接近垂直壁。底層或點火層之例示性材料係W、WC及Mo。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在底層中導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。在一實施例中，可沿著y軸遞送丸粒。噴嘴5q可將丸粒沿著y軸水平遞送至電極(圖2I17及圖2I18)之頂部。光可經約束以歸因於一電極設計而主要向上傳播，電極設計允許來自經點火頂負載丸粒之電漿主要在正z方向上沿著z軸朝向PV轉換器26a擴張。 在一實施例中，電極可包括一三層電極，諸如包括包含一向上V狀之一頂層、一中間電流遞送層(諸如板邊緣稍微延伸至間隙8g中之一平板)及凹置遠離間隙8g之一向下V狀電極層之一三層電極。頂層可包括抵抗諸如銀丸粒熔體之丸粒熔體之附著之一材料。合適例示性材料係一非導體或不良導體(諸如陽極氧化鋁、石墨及氧化鋯)或一導體(諸如鋁、鉬、鎢、Ta、TaW、碳化鎢(WC)及塗佈石墨之導體(諸如塗佈石墨之Cu或W))之至少一者。諸如鋁電極之低熔點電極可經冷卻以防止熔化。頂層可與中間層電絕緣。中間電流遞送層可包括具有一高熔點及高硬度之一導體，諸如W、WC或Mo平板。在一實施例中，電源2可連接至中間層及可充當一引線層之底層之至少一者。底電極引線層可包括亦可為高度熱傳導之一高導體以有助於熱轉移。合適例示性材料係銅、銀、銅銀合金及鋁。在一實施例中，底引線電極層亦包括抵抗諸如銀之丸粒熔體之附著之一材料。合適例示性非附著引線電極係WC及W。替代性地，諸如一銅電極之引線電極可經塗佈有或包覆有抵抗丸粒熔體之附著之一表面。合適塗層或覆層係WC、W、碳或石墨、碳化硼、諸如鐵氟龍(PTFE)之氟碳聚合物、氧化鋯+8%氧化釔、富鋁紅柱石、富鋁紅柱石-YSZ及氧化鋯。塗層或覆層可經施加於在點火期間曝露於丸粒熔體之表面區域上方。藉由熔體丸粒之噴射閉合斷路以僅在中間層中導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。可藉由一冷卻劑流動系統(諸如包括電極內部導管之一冷卻劑流動系統)冷卻底層。中間層與底冷卻層之間的接觸可散熱且冷卻中間層。頂層與中間冷卻層之間的接觸可散熱且冷卻頂層。在一測試實施例中，丸粒噴射速率係1000 Hz，跨電極之壓降小於0.5 V，且點火電流在約100 A至10 kA之範圍中。 諸如圖2I17及圖2I18之8c之磁體可導致電漿粒子(諸如來自丸粒點火之電漿粒子)經引導遠離區域8k (圖2I12)。在其中在負z軸方向上引導勞侖茲力之一例示性實施例中，磁體及通道8g包括執行以下至少一個功能之一電磁泵：(i)將區域8j中之丸粒噴射至間隙8g中以被點火；ii)將已附著至電極之上部(諸如在區域8j處)之丸粒泵抽至間隙8g中以被點火；(iii)彈射來自區域8i及間隙8g之未點火丸粒及粒子；及(iv)將點火產物及未點火丸粒回收至製粒機。可藉由使用一交叉施加磁場(諸如來自磁體8c之交叉施加磁場)及通過電漿粒子及丸粒(諸如附著至諸如8i、8g及8j之電極表面之銀丸粒)之至少一者之點火電流形成之勞侖茲力進行彈射及回收。點火電流可來自電源2 (圖2I10)。 考量具有自圖2I12之區域8k至8l之z軸之笛卡兒座標。在一實施例中，電極可包括一向上(正z軸定向)V狀，在V (圖2I17及圖2I18)之底部處之8g處具有一間隙。可藉由熔體丸粒5t自噴嘴5q之噴射閉合斷路以在V之底部處導致跨間隙8g之傳導部分之接觸。可藉由安裝於支撐件之相對面(形成在底部處具有一間隙之一V)上之平板電極形成V。包括操作一高溫且抵抗Ag之附著之一導體之例示性電極材料係W、WC及Mo。支撐件可經水冷卻。支撐件可為至少部分中空。中空部分各可包括一導管以使冷卻劑流動通過導管且冷卻電極。 在一實施例中，電極可進一步包括具有間隙8g處之垂直壁或接近垂直壁之一下區段。壁可形成一通道。在一實施例中，電極進一步包括一磁場源，諸如在電極之通道之相對端處之一組磁體。磁體可產生平行於電極或通道軸且垂直於點火電流之一磁場。具有交叉電流及磁場之通道可包括一電磁(EM)泵。EM泵可將附著丸粒泵抽至電極中以被點火。在一實施例中，歸因於交叉磁場及點火電流之勞侖茲力可向下泵抽附著至電極之上部之壁之丸粒以被點火及將點火粒子向下泵抽遠離PV轉換器以被回收於製粒機之入口中之至少一者。 在一例示性實施例中，可在V狀電極8 (圖2I17及圖2I18)之頂部上沿著y軸水平噴射丸粒5t。在一實施例中，磁體8c經定位以沿著V狀電極8之溝施加沿著y軸之一磁場。電路被閉合且x軸導向之點火電流流過丸粒以提供跨間隙8g之一電流路徑，其中磁場橫向於電流。交叉電流及磁場根據方程式(37)產生一勞侖茲力以推出附著至電極之任何金屬丸粒。勞侖茲力可進一步向下朝向區域8k (圖2I12)推動點火粒子以回收未點火丸粒且回收點火粒子。勞侖茲力導致附著丸粒流動至電極之點火區段中(在間隙8g處)且導致點火電漿經引導且流動至諸如燃料再生系統(諸如製粒機)之入口之一收集區域中。在本發明之其他實施例中，電極及磁體可經設計以引導一向上電弧中之電漿以執行以下至少一個功能：(i)將區域8i中之丸粒噴射至間隙8g中以被點火；(ii)彈射已附著至電極之上部(諸如在區域8j處)之丸粒；(iii)彈射來自區域8i、8j及間隙8g之未點火丸粒及粒子；及(iv)將點火產物及未點火丸粒回收至製粒機，同時避免將點火粒子導引至PV轉換器26a。 在一實施例中，沿著y軸遞送丸粒(圖2I17及圖2I18)。噴嘴5q可將丸粒沿著y軸水平遞送至電極之頂部。固體燃料可經遞送為一丸粒流、一連續流或丸粒及一流之一組合。光可經約束以歸因於一電極設計而主要向上傳播，電極設計允許來自經點火頂負載丸粒之電漿主要在正z方向上沿著z軸朝向PV轉換器26a擴張。電極可進一步包括至少一個磁體(諸如在電極之相對端處分離之一組磁體8c)以在垂直於點火電流之一方向上產生一磁場。歸因於交叉電流及磁場之勞侖茲力可導致彈射附著丸粒且電漿粒子流動至諸如製粒機之再生系統。勞侖茲力可在負z方向上。在勞侖茲力在負z方向上之情況中，一區域、區段或層(諸如電極8之點火層)可包括一通道，其可充當用於彈射未經彈射為粒子及電漿之點火粒子及丸粒之一電磁泵。通道之大小可經選擇以提供對高壓擴張點火電漿之流量限制以迫使電漿及光朝向電極之區域8l擴張(圖2I12)。電極之點火部分可形成包括一短電磁泵管之一淺通道，使得粒子及附著丸粒填充泵管且將經發射光之路徑限制為僅沿著正z軸。交叉電流及磁場之強度以及通道之尺寸提供貫穿包括電磁泵管之通道之泵壓力。泵管及任何沖積扇之寬度經選擇以分佈來自電源2之電流以用於點火及泵抽以達成兩者之最佳化。 在與電漿擴張所期望之相同側(諸如側8l)上噴射丸粒之情況中，電源可在不具有實質時間延遲之情況下遞送點火電流。噴射可經定時以避免第n+1次噴射被來自第n次噴射之點火衝擊之壓力波中斷，其中n係一整數。可使用衝擊及噴射感測器(諸如光學、電流、電壓及壓力感測器之至少一者)及一控制器達成定時。控制器可控制電磁泵壓力、噴嘴閥及點火電流之至少一者。 在一實施例中，SF-CIHT產生器可包括複數個電極，其中各組可利用以下至少一者：(i)一共同或分開專用噴射系統；(ii)導致點火之一共同或分開專用電源；及(iii)一共同或分開專用PV轉換系統。點火系統可進一步包括如在圖2I22中展示之點火系統之一冷卻系統。在一實施例中，冷卻系統可包括穿過匯流條9及10 (圖2I14)及電極8之導管或入口31f及出口冷卻劑管線31g及一冷卻劑泵及冷凍器31a以冷卻透過導管或管線泵抽之冷卻劑。電極冷卻劑系統可包括服務兩個電極之一對冷卻劑管線31f及31g (圖2I23)，或各電極可具有一單獨入口管線31f及一出口管線31g (圖2I22)。在共用管線之情況中，可取決於平均局部冷卻劑溫度調整管線與電極之接觸面積以達成自電極至冷卻劑之高效熱轉移。在圖2I23中展示之另一實施例中，可藉由一被動冷卻系統31h冷卻點火系統之電極及匯流條，被動冷卻系統31h包括一熱交換器，諸如包括空氣散熱片及視情況至空氣散熱片之熱管道之一熱交換器。在圖2I23中展示之一實施例中，亦可藉由一被動冷卻系統31i冷卻光伏打轉換系統，被動冷卻系統31i包括一熱交換器，諸如包括空氣散熱片及視情況至空氣散熱片之熱管道之一熱交換器。在圖2I22中展示之一實施例中，使用熱交換器87冷卻光伏打(PV)轉換器26a之光伏打電池或面板15，其中熱冷卻劑透過入口31b流動至光伏打轉換器冷卻系統31中且冷凍冷卻劑透過出口31c離開。PV電池可在諸如30℃至450℃之高溫下操作且可在減小電池壓力下操作以防止水汽凝結在PV電池上。 在改良產生器之能量平衡之一實施例中，可藉由可包括藉由電池產生之熱之熱功率驅動諸如31及31a之至少一者之冷凍器。熱功率可來自內部消散且來自分數氫反應。冷凍器可包括熟習此項技術者已知的一吸收冷凍器。在一實施例中，藉由一冷卻劑或冷媒(諸如可汽化之水)吸收被排斥之熱。吸收冷凍器可使用熱凝結冷媒。在一實施例中，水汽經吸收於諸如矽膠、沸石或一奈米結構材料(諸如太平洋西北實驗室之P. McGrail之奈米結構材料)之一吸收材料(清除劑)中。被吸收之水經加熱以導致其釋放於一腔室中，其中壓力充分增大以導致水凝結。 在一實施例中，燃料速度、丸粒大小、熔體丸粒黏性、電極之間的間隙8g之寬度及電極8之形狀之至少一者經選擇以導致點火主要發生在電極8l之相對於噴射側或區域8k之相對側上之一區域中。在一實施例中，電極8j之第二區段充當電池8l之第二區域之入口，其中電漿及光優先朝向PV轉換器26a (圖2I2)引導。諸如熔化燃料之燃料之速度可在約0.01 m/s至1000 m/s、0.1 m/s至100 m/s及0.1 m/s至10 m/s之至少一個範圍中。噴嘴5q處之壓力及燃料黏性之至少一者可用於控制燃料速度。噴嘴孔口大小、熔體壓力、熔體流動速率、熔體黏性及熔體溫度可用於控制熔體丸粒大小。熱平衡可經控制以控制熔體溫度，其繼而控制熔體黏性。電磁泵5k之功率及噴嘴孔口大小可經控制以控制噴嘴5q處之壓力。加熱功率、絕緣、冷卻及熔體流動速率之至少一者可用於控制熱平衡。電磁泵功率可用於控制熔體流動速率。熔體溫度可用於控制熔體表面張力。可手動選擇電極間隙5g。替代性地，可藉由諸如機械、水壓或壓電的方法調整一可調整或可變形電極間隙。可手動選擇電極形狀。替代性地，可藉由諸如機械、水壓或壓電的方法調整一可調整或可變形電極。在一實施例中，諸如一電腦之一控制系統、電磁泵、噴嘴閥及加熱器控制諸如壓力、噴嘴大小及熔體溫度及黏性之參數以控制彈射速度以及彈射速率。彈射速度可經控制以補償重力加速度以維持一所要噴射速率。噴嘴5q之高度可經調整以支援一最大噴射速率。最大高度可係基於一燃料熔體流形成隔離球體或熔體丸粒之速率。在一實施例中，SF-CIHT產生器包括一使用者介面(諸如一電腦之一觸控螢幕顯示器)以控制產生器，產生器進一步包括具有噴射系統、點火系統、燃料回收系統、燃料再生系統(諸如製粒機)及轉換器系統(諸如光伏打及光電子轉換器系統之至少一者)之感測器及控制系統之一電腦。具有感測器及控制系統之電腦可感測及控制電磁泵、感應耦合加熱器、噴射器流量、噴嘴、點火系統電流及脈衝速率、產物回收系統(諸如所施加磁體及電流)及靜電沈澱器(ESP)、光伏打(PV)轉換器系統、冷卻系統、功率調節及其他系統監測及控制以操作熟習此項技術者已知的產生器。感測器可將輸入提供至控制器保護系統(諸如針對經加熱容器區段中之熔體流量及體積以及輸入至EM泵之熔體流量及體積之控制器保護系統)，其中控制器在流量或體積低於一容許限制時關閉加熱器及EM泵。控制系統可進一步包括可程式化邏輯控制器及熟習此項技術者已知的其他此等裝置，以便達成控制。 SF-CIHT產生器包括具有諸如經感測及控制之本發明之參數之組件。在實施例中，具有感測器及控制系統之電腦可感測及控制：(i)各經冷卻系統(諸如PV轉換器、電極、感應耦合加熱器及噴嘴冷凍器之至少一者)之各冷凍器之入口及出口溫度及冷卻劑壓力及流動速率；(ii)點火系統電壓、電流、功率、頻率及工作循環；(iii)使用諸如一光學感測器之一感測器及控制器之丸粒軌跡及使用諸如一光學、多普勒或電極電阻感測器之一感測器及控制器之EM泵噴射流動速率；(iv)感應耦合加熱器、擴充電漿軌道槍、電磁泵5k、電極電磁泵及靜電沈澱器回收系統之電壓、電流及功率；(v)電池中之壓力；(vi)電池之壁溫度；(vii)任何吸氣劑之消耗狀態；(viii)各區段中之加熱器功率；(ix)電磁泵之電流及磁通量；(x)在容器中及在諸如歧管及噴嘴之關鍵位置處之銀熔體溫度、流動速率及壓力；(xi)各噴射氣體(諸如H2 及H2 O及在一共同氣體噴射歧管之情況中藉由調節器形成之混合物)之壓力、溫度及流動速率；(xii)至PV轉換器之入射光之強度；(xiii)PV轉換器之電壓、電流及功率輸出；(xiv)任何功率調節設備之電壓、電流、功率及其他參數；及(xv)至寄生負載及外部負載之至少一者之SF-CIHT產生器輸出電壓、電流及功率；(xvi)輸入至任何寄生負載(諸如感應耦合加熱器、電磁泵、冷凍器及感測器及控制之至少一者)之電壓、電流及功率；及(xii)具有能量儲存之起動器電路之電壓、電流及電荷狀態。在一實施例中，待量測之一參數可與系統之具有一高溫(其將在感測器量測期間損害感測器)之一區域分開。舉例而言，可藉由使用諸如一冷卻塔之一連接氣體管線量測諸如H2 及H2 O之至少一者之一氣體之壓力，冷卻塔連接至諸如5b或5c之電池且在氣體進入諸如一Baratron電容壓力計之一壓力變換器之前冷卻氣體。 電池可包括少量或不包括移動零件。在一實施例中，冷卻可包括至一空氣冷卻熱交換器之熱排斥。在圖2I23中展示用於電極31h及PV轉換系統31i之例示性空氣冷卻系統。在此情況中，電池可不包括或包括十分少移動零件。唯一移動零件可包括循環冷卻劑之一機械泵，且其可由不具有移動零件之一機械泵替代。在冷卻劑係諸如一鹼金屬(諸如鈉)之一液體金屬之情況中，泵可包括可不具有移動零件之一電磁泵。在一實施例中，電磁泵冷卻劑可不易燃。替代性地，熱管道及空氣散熱片或帕耳帖冷凍器可用於作為非機械熱排斥之一構件而移除熱。例示性熱管道係具有焊接縱向銅散熱片(使用水或丙酮作為工作流體)之一銅熱管道及具有焊接縱向鋁散熱片(使用氨作為工作流體)之一鋁熱管道。熱源可為點火電極，其中可藉由大剖面熱匯流條9及10使熱快速傳導遠離電極表面至冷卻系統，大剖面熱匯流條9及10包括高熱傳導材料，諸如銅、銀或一銀銅合金。熱源亦可包括PV轉換器。 機械真空泵亦可經替代以將其作為具有移動零件之一系統消除。在一實施例中，可藉由至少一個吸氣劑13b (圖2I23) (諸如用於氧、氫及水之至少一者)維持電池中之真空。諸如氧反應材料(諸如可細分之碳或一金屬)之氧吸氣劑可掃除形成於電池中之任何氧。在碳之情況中，可使用可逆之一CO2 洗氣劑分接產物二氧化碳。在此項技術中已知二氧化碳洗氣劑，諸如有機化合物(諸如胺類(諸如單乙醇胺))、礦物質及沸石、氫氧化鈉、氫氧化鋰及基於金屬氧化物之系統。細分之碳吸氣劑亦可用於掃除氧之目的以保護電池(諸如包括諸如Mo、W、石墨及Ta之氧敏感材料之容器或泵管)中之氧敏感材料。在此情況中，二氧化碳可使用一CO2 洗氣劑移除或可使用真空泵抽出，其中細分之碳僅用於組件保護。 金屬吸氣劑可選擇性地透過H2 O與氧反應，使得其可使用氫再生。具有低水反應性之例示性金屬包括Cu、Ni、Pb、Sb、Bi、Co、Cd、Ge、Au、Ir、Fe、Hg、Mo、Os、Pd、Re、Rh、Ru、Se、Ag、Tc、Te、Tl、Sn、W及Zn之群組之金屬。吸氣劑或氧洗氣劑可自SF-CIHT電池移除且再生。移除可為週期性或間歇的。可藉由氫還原達成再生。再生可在原地發生。原地再生可為間歇或連續的。熟習此項技術者已知其他氧吸氣劑及其等之再生，諸如形成包括氧之可逆配體鍵之沸石及化合物，諸如鹽，諸如2-氨基第四鄰苯二甲酸鹽-聯結之脫氧系統、[{(bpbp)CO2 II (NO3 )}2 (NH2 bdc)] (NO3 )2 .2H2 O (bpbp- =2,6-雙(N,N-雙(2-吡啶基甲基)氨甲基)-4-叔丁基苯酚、NH2 bdc2- =2-氨基-1,4-苯二甲酸二甲酯)之硝酸鹽。高度可燃金屬亦可用作氧吸氣劑，諸如例示性金屬：鹼、鹼土、鋁及稀土金屬。高度可燃金屬亦可用作一水清除劑。氫儲存材料可用於清除氫。例示性氫儲存材料包括一金屬氫化物、一密鈰合金(mischmetal)(諸如富有Ml:La之密鈰合金，諸如MlNi3.65 Al0.3 Mn0.3 或Ml(NiCoMnCu)5 )、Ni、R-Ni、R-Ni+約8 wt% Vulcan XC-72、LaNi5 、Cu或Ni-Al、Ni-Cr (諸如約10%之Cr)、Ce-Ni-Cr(諸如約3/90/7 wt%)、Cu-Al或Cu-Ni-Al合金、一M-N-H系統之一物種(諸如LiNH2 、Li2 NH或Li3 N)及進一步包括硼(諸如硼氫化物)或鋁(諸如鋁氫化物)之一鹼金屬氫化物。進一步合適氫儲存材料係金屬氫化物(諸如鹼土金屬氫化物，諸如MgH2 )、金屬合金氫化物(諸如BaReH9 、LaNi5 H6 、FeTiH1.7 及MgNiH4 )、金屬硼氫化物(諸如Be(BH4 )2 、Mg(BH4 )2 、Ca(BH4 )2 、Zn(BH4 )2 、Sc(BH4 )3 、Ti(BH4 )3 、Mn(BH4 )2 、Zr(BH4 )4 、NaBH4 、LiBH4 、KBH4 及Al(BH4 )3 )、AlH3 、NaAlH4 、Na3 AlH6 、LiAlH4 、Li3 AlH6 、LiH、LaNi5 H6 、La2 Co1 Ni9 H6 及TiFeH2 、NH3 BH3 )、聚胺基硼烷、胺硼烷錯合物(諸如胺硼烷)、硼氫化物氨合物、聯胺-硼烷錯合物、二硼烷二氨合物、環硼氮烷及銨八氫三硼酸鹽或四氫硼酸鹽、咪唑離子液體(諸如烷基(芳基)-3-甲基咪唑N-雙(三氟甲磺酰基)醯亞胺酯鹽)、磷硼酸鹽及天然焦物質。進一步例示性化合物係氨硼烷、鹼氨硼烷(諸如鋰氨硼烷)及硼烷烷基胺錯合物(諸如硼烷二甲胺錯合物、硼烷三甲胺錯合物)及胺基硼烷及硼烷胺(諸如胺基二硼烷、n-二甲基胺基二硼烷、三(二甲基胺基)硼烷、二-n-丁基硼胺、二甲基胺基硼烷、三甲基胺基硼烷、氨-三甲基硼烷及三乙基胺基硼烷)。進一步合適氫儲存材料係具有經吸收氫之有機液體，諸如咔唑及衍生物，諸如9-(2-乙基己基)咔唑、9-乙基咔唑、9-苯基咔唑、9-甲基咔唑及4,4,-雙(N-咔唑基)-l,l,-聯苯)。吸氣劑可包括能夠儲存氫之一合金，諸如AB5 (LaCePrNdNiCoMnAl)或AB2 (VTiZrNiCrCoMnAlSn)類型之一者，其中「ABx 」名稱係指A型元素(LaCePrNd或TiZr)之比對B型元素(VNiCrCoMnAlSn)之比。額外合適氫吸氣劑係在金屬氫化物電池(諸如熟習此項技術者已知的鎳金屬氫化物電池)中使用之氫吸氣劑。氫化物陽極之例示性合適吸氣劑材料包括R-Ni、LaNi5 H6 、La2 CO1 Ni9 H6 、ZrCr2 H3.8 、LaNi3.55 Mn0.4 Al0.3 Co0.75 、ZrMn0.5 Cr0.2 V0.1 Ni1.2 之群組之氫化物及能夠儲存氫之其他合金，諸如AB5 (LaCePrNdNiCoMnAl)或AB2 (VTiZrNiCrCoMnAlSn)類型之一者，其中「ABx 」名稱係指A型元素(LaCePrNd或TiZr)之比對B型元素(VNiCrCoMnAlSn)之比。在其他實施例中，氫化物陽極吸氣劑材料包括以下至少一者：MmNi5 (Mm=密鈰合金) (諸如MmNi3.5 Co0.7 Al0.8 、AB5 型：MmNi3.2 Co1.0 Mn0.6 Al0.11 Mo0.09 (Mm=密鈰合金：25 wt%之La、50 wt%之Ce、7 wt%之Pr、18 wt%之Nd)、La1-y Ry Ni5-x Mx 、AB2 型：Ti0.51 Zr0.49 V0.70 Ni1.18 Cr0.12 合金)、鎂基合金(諸如Mg1.9 Al0.1 Ni0.8 Co0.1 Mn0.1 合金、Mg0.72 Sc0.28 (Pd0.012 +Rh0.012 )及Mg80 Ti20 、Mg80 V20 )、La0.8 Nd0.2 Ni2.4 C02.5 Si0.1 、LaNi5-x Mx (M=Mn、Al)、(M=Al、Si、Cu)、(M=Sn)、(M=Al、Mn、Cu)及LaNi4 Co、MmNi3.55 Mn0.44 Al0.3 Co0.75 、LaNi3.55 Mn0.44 Al0.3 Co0.75 、MgCu2 、MgZn2 、MgNi2 、AB化合物(諸如TiFe、TiCo及TiNi)、ABn 化合物(n=5、2或1)、AB3-4 化合物及ABX (A=La、Ce、Mn、Mg；B=Ni、Mn、Co、Al)。其他合適氫化物吸氣劑係ZrFe2 、Zr0.5 Cs0.5 Fe2 、Zr0.8 Sc0.2 Fe2 、YNi5 、LaNi5 、LaNi4.5 Co0.5 、(Ce、La、Nd、Pr)Ni5 、密鈰合金-鎳合金、Ti0.98 Zr0.02 V0.43 Fe0.09 Cr0.05 Mn1.5 、La2 Co1 Ni9 、FeNi及TiMn2 。本發明之吸氣劑及熟習此項技術者已知的其他吸氣劑可包括具有一個以上物種之電池氣體之一吸氣劑。額外吸氣劑可為熟習此項技術者已知的吸氣劑。一例示性多氣體吸氣劑包括一鹼或鹼土金屬，諸如可吸氣O2 、H2 O及H2 之至少兩者之鋰。可藉由此項技術中已知的方法(諸如藉由還原、分解及電解)再生吸氣劑。在一實施例中，吸氣劑可包括一低溫阱，其凝結諸如水汽、氧及氫之至少一者之氣體及將氣體捕集於呈一冷卻狀態之一吸收材料中之至少一者。可在一較高溫度下自吸收材料釋放氣體，使得在加熱及泵抽廢氣之情況下，可再生吸氣劑。吸收水汽、氧及氫之至少一者之可藉由加熱及泵抽再生之例示性材料係碳，諸如活性炭及沸石。氧、氫及水洗氣劑再生之時序可在對應氣體位準增大至如藉由對應電池氣體含量之一感測器感測之一不容許位準時判定。在一實施例中，可藉由熟習此項技術者已知的系統及方法將電池產生之氫及氧之至少一者收集且售賣為一商業氣體。替代性地，經收集之氫氣可用於SunCell中。 併入至熔體中之氫及水可在藉由對應泵(諸如機械泵)產生之壓力下自罐5u及5v流動通過歧管及給料管線5w及5x。替代性地，可由藉由加熱水罐來產生水蒸汽壓力而替代水泵，且可由藉由電解產生壓力以使氫流動而替代氫泵。替代性地，藉由H2 O罐、水蒸汽產生器及水蒸汽管線5v將H2 O提供為水蒸汽。氫可滲透通過與藉由電解加壓之氫罐連接之一中空陰極。此等替代系統可消除具有移動零件之對應系統。 在一實施例中，SF-CIHT產生器可包括一閥及貯槽及視情況一貯槽泵，諸如本發明之一貯槽泵，諸如一機械泵。可至少藉由電磁泵5k將諸如銀之燃料金屬泵抽至貯槽中以用於儲存。金屬之轉移可用於停機。貯槽可包括諸如一感應耦合加熱器之一加熱器以熔化諸如銀之燃料金屬以再啟動產生器。可藉由重力及泵抽之至少一者使金屬流動回至第一容器5b、第二容器5c及電磁泵5k之至少一者中。泵抽可藉由貯槽泵。可藉由本發明之能量儲存(諸如藉由一電池或電容器)供應用於加熱及流動(諸如藉由泵抽)之至少一者之功率。在另一實施例中，電磁泵5k可包括一電磁泵加熱器，諸如一電阻加熱器或一感應耦合加熱器。電阻加熱器可至少部分包括產生勞侖茲力之泵之電流源。在一實施例中，電磁泵及加熱器經停止以停機。藉由使用感應耦合加熱器(諸如5f及5o之感應耦合加熱器以及電磁泵加熱器)熔化諸如銀之燃料金屬而達成起動。功率可來自本發明之能量儲存。在另一實施例中，產生器未停機，但仍在一最小功率位準下操作以維持燃料金屬之流動。 在一實施例中，SF-CIHT包括電磁泵之至少一者(諸如5k)上之一開關，其使泵電流之極性反向以使勞侖茲力及泵抽方向反向。在包括包含電磁體之電磁(EM)泵之另一實施例中，磁場方向可反向以使泵抽方向反向。熔體之泵抽方向可反向以將金屬運輸至儲存器。儲存器可包括電池基座處之電池之一部分(諸如第一容器5b之入口處之基座錐體)、第一容器5b及第一EM泵5k之入口之至少一者。可藉由移除加熱功率而使熔體在儲存器中固化。可藉由使用第一感應耦合加熱器5f將熱施加至第一容器5b且藉由EM泵加熱器將熱施加至EM泵5k而達成起動，其中流動通過泵管中之金屬之泵電流可充當泵加熱器。所得熔體可經泵抽至製粒機之其他區段(諸如第二容器5c及噴嘴5q)中以被其他加熱器(諸如加熱第二容器5c之感應耦合加熱器5o)加熱。可藉由本發明之能量儲存(諸如藉由一電池或電容器)供應用於加熱及流動(諸如藉由泵抽)之至少一者之功率。 在一實施例中，SF-CIHT電池組件及系統經組合、小型化及另外最佳化之至少一者以減小重量及大小、減小成本及減少維護之至少一者。在一實施例中，SF-CIHT電池包括用於冷凍器及電池真空泵之一共同壓縮器。用於熱排斥之冷凍器亦可充當一低溫泵以維持電池中之真空。可藉由低溫泵凝結H2 O及H2 以維持所要真空位準。在一實施例中，藉由使用減小數目個電容器(諸如儘可能接近電極之一例示性單一2.75 V、3400 F馬克士威超級電容器)小型化包括一電容器庫之點火系統。在一實施例中，至少一個電容器可使其之正終端直接連接至正匯流條或正電極且至少一個電容器可使其之負終端直接連接至負匯流條或負電極，其中可藉由一匯流條連接具有相反極性之電容器之其他終端，使得電流在丸粒藉由橋接電極而閉合包括電容器之電路時流動通過該電路。在一實施例中，螺紋電容器終端可直接旋合至螺紋電極、電極座或匯流條中。跨電極串聯連接之電容器組可經複製成一整數倍以在需要時提供約整數倍之更多電流。在一實施例中，可藉由使用來自PV轉換器之功率充電而將電容器上之電壓維持在一所要範圍內。由於充電匯流條上之壓降係依據可變充電電流，故可在電容器處感測控制充電電流之電壓。可藉由諸如一電腦之一控制器使用此遠端感測之電壓以控制充電電流。電容器及連接匯流條或諸匯流條可經定位，使得噴嘴5q可具有用於丸粒噴射之一清晰路徑且點火電漿未過度阻礙發射光至PV轉換器。 電源2之接近消除透過廣泛匯流條驅動高峰值點火電流所需之額外電壓。減小電容點火系統可安裝在電極處且使用一穩定電流持續充電，穩定電流可顯著小於脈衝高點火電流(諸如藉由峰值脈衝電流乘以工作循環所得出之電流)。將高電流攜載至電極之電路可包括具有諸如電感、電容及電阻之所要特性之電路元件以允許電容器至點火負載之阻抗匹配。 可藉由使用用於固有負載之所有DC功率簡化SF-CIHT產生器之功率調節，其中藉由PV轉換器供應DC功率。在一實施例中，來自PV轉換器之DC功率可供應以下至少一者：(i)包括至電極8之電源2之點火系統之電容器之DC充電功率；(ii)至少一個電磁泵之DC電流；(iii)電阻或感應耦合加熱器之DC功率；(iv)包括一DC電馬達之冷凍器之DC功率；(v)包括一DC電馬達之真空泵之DC功率；及(vi)至電腦及感測器之DC功率。輸出功率調節可包括來自PV轉換器之DC功率或AC功率(來自使用一反相器將來自PV轉換器之DC功率轉換為AC)。 在一實施例中，光至電轉換器包括包含光伏打(PV)電池之本發明之光伏打轉換器，該等光伏打電池回應於自電池發射之光之一實質波長區域(諸如對應於光學功率輸出之至少10%之波長區域)。在一實施例中，PV電池係可接受高強度光(大於太陽光之強度，諸如在約1.5 suns至75,000 suns、10 suns至10,000 suns及100 suns至2000 suns之至少一者之強度範圍中)之聚光器電池。聚光器PV電池可包括可在約1 sun至1000 suns之範圍中操作之c-Si。PV電池可包括複數個接面，諸如三接面。聚光器PV電池可包括複數個層，諸如III/V族半導體之複數個層，諸如以下之群組之至少一者：InGaP/InGaAs/Ge；InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge；GaInP/GaAsP/SiGe；GaInP/GaAsP/Si；GaInP/GaAsP/Ge；GaInP/GaAsP/Si/SiGe；GaInP/GaAs/InGaAs；GaInP/GaAs/GaInNAs；GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs；GaInP/Ga(In)As/InGaAs；GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs；GaInP-Ga(In)As-Ge；及GaInP-GaInAs-Ge。諸如三接面或雙接面之複數個接面可串聯連接。在另一實施例中，接面可並聯連接。接面可經機械堆疊。接面可經晶圓接合。在一實施例中，可由晶圓接合替代接面之間的隧道二極體。晶圓接合可電隔離且對藉由隨後或更深接面轉換之波長區域透明。各接面可經連接至一獨立電連接件或匯流條。獨立匯流條可串聯或並聯連接。用於各電獨立接面之電接觸件可包括柵極線。可歸因於電流在多個並聯電路或用於獨立接面或接面群組之互連件上方之分佈而最小化線陰影區域。可橫向移除電流。晶圓接合層可包括一透明傳導層。一例示性透明導體係一透明傳導氧化物(TCO) (諸如氧化銦錫(ITO)、摻雜氟之氧化錫(FTO)及摻雜氧化鋅)及傳導聚合物、石墨烯及奈米碳管及熟習此項技術者已知的其他導體。苯環丁烯(BCB)可包括一中間接合層。接合可在諸如一玻璃(諸如硼矽玻璃)之一透明材料與一PV半導體材料之間。一例示性雙接面電池係包括接合至一GaAs底層之一GaInP晶圓頂層之電池(GaInP//GaAs)。一例示性四接面電池包括InP基板上之GaInP/GaAs/GaInAsP/GaInAs，其中各接面可被一隧道二極體(/)或一隔離透明晶圓接合層(//)單獨分開，諸如給出為InP上之GaInP//GaAs//GaInAsP//GaInAs之一電池。二極體及晶圓接合之所有組合皆在本發明之範疇內。藉由法國之SOITEC製成在AM1.5d光譜之297倍濃度處具有44.7%轉換效能之一例示性四接面電池。PV電池可包括一單一接面。一例示性單一接面PV電池可包括一單晶矽電池，諸如Sater等人(B. L. Sater、N. D. Sater，「High voltage silicon VMJ solar cells for up to 1000 suns intensities」，Photovoltaic Specialists Conference, 2002. Conference Record of the Twenty-Ninth IEEE，2002年5月19至24日，第1019至1022頁.) (其之全部內容以引用的方式併入本文中)給出之單晶矽電池之一者。替代性地，單一接面電池可包括GaAs或與其他元素(諸如來自III及V族之元素)摻雜之GaAs。在一例示性實施例中，PV電池包括在約1000 suns下操作之三接面聚光器PV電池或GaAs PV電池。在另一例示性實施例中，PV電池包括在250 suns下操作之c-Si。在一例示性實施例中，PV可包括可選擇性地回應小於900 nm之波長之GaAs及在InP、GaAs及Ge之至少一者上之可選擇性地回應於在900 nm與1800 nm之間的區域中之波長之InGaAs。包括InP上之GaAs及InGaAs之兩種類型之PV電池可組合使用以增大效率。兩個此等單一接面類型電池可經使用以具有一雙接面電池之效應。可藉由使用分色鏡、分色濾鏡及單獨電池或與鏡組合之電池之一架構之至少一者實施組合以達成如在本發明中給出之光之多個彈跳或反射。在一實施例中，各PV電池包括分離且分類入射光、重新引導其以撞擊一多接面電池中之特定層之一多色層。在一例示性實施例中，電池包括用於可見光之一磷化銦鎵層及用於紅外線光之砷化鎵層，其中引導對應光。 電池可包括一多p-n接面電池，諸如包括分別轉換EUV及UV之一AlN頂層及GaN底層之一電池。在一實施例中，光伏打電池可包括在表面附近具有重p摻雜以避免諸如UV及EUV之短波長光之過度衰減之一GaN p層電池。n型底層可包括AlGaN或AlN。在一實施例中，PV電池包括在p-n接面之頂層中具有重p摻雜之GaN及Alx Ga1-x N，其中p摻雜層包括一二維孔氣體。在一實施例中，PV電池可包括具有一半導體接面之GaN、AlGaN及AlN之至少一者。在一實施例中，PV電池可包括具有一金屬接面之n型AlGaN或AlN。在一實施例中，PV電池回應於高於具有多個電子孔對之PV材料之能隙之高能光。光強度可足以使重組機構飽和以改良效率。 轉換器可包括以下至少一者之複數個：(i) GaN；(ii) AlGaN或AlN p-n接面；及(iii)淺超薄p-n異質接面光伏打電池，其等在一n型AlGaN或AlN基底區域中各包括一p型二維孔氣體。各者可包括至一金屬薄膜層(諸如一Al薄膜層)之一引線、一n型層、一空乏層、一p型層及至一金屬薄膜層(諸如歸因於短波長光及真空操作而不具有鈍化層之一Al薄膜層)之一引線。在包括一AlGaN或AlN n型層之光伏打電池之一實施例中，具有適當工作函數之一金屬可替代p層以包括一肖特基整流障壁以包括一肖特基障壁金屬/半導體光伏打電池。 在另一實施例中，轉換器可包括光伏打(PV)電池、光電(PE)電池及PV電池與PE電池之一混體之至少一者。PE電池可包括一固態電池，諸如一GaN PE電池。PE電池各可包括一光陰極、一間隙層及一陽極。一例示性PE電池包括GaN (陰極) cessiated/AlN (分離器或間隙)/可被cessiated之Al、Yb或Eu (陽極)。PV電池各可包括本發明之GaN、AlGaN及AlN PV電池之至少一者。PE電池可為混體之頂層且PV電池可為底層。PE電池可轉換最短波長光。在一實施例中，PE電池之陰極及陽極層以及一PV電池之p層及n層之至少一者可上下顛倒。架構可經改變以改良電流收集。在一實施例中，來自燃料點火之光發射經極化且轉換器經最佳化以使用光極化選擇材料最佳化光至電池之作用層中之穿透。可藉由使用對應電極或磁體(諸如磁體8c)施加諸如一電場或一磁場之一場而使光極化。 在一實施例中，燃料可包括銀、銅或Ag-Cu合金丸粒或具有經捕集氫及經捕集H2 O之至少一者之熔體。光發射可主要包括紫外線光及極紫外線，諸如在約10 nm至300 nm之波長區域中之光。PV電池可回應於約10 nm至300 nm之波長區域之至少一部分。PV電池可包括聚光器UV電池。入射光強度可在約2 suns至100,000 suns及10 suns至10,000 suns之至少一個範圍中。電池可在此項技術中已知的一溫度範圍中操作，諸如約小於300℃及小於150℃之至少一個溫度範圍中。PV電池可包括一III族氮化物，諸如InGaN、GaN及AlGaN之至少一者。在一實施例中，PV電池可包括複數個接面。接面可依序分層。在另一實施例中，接面係獨立的或電平行。獨立接面可經機械堆疊或晶圓接合。一例示性多接面PV電池包括至少兩個接面，其等包括諸如來自InGaN、GaN及AlGaN之群組之複數個材料之n-p摻雜半導體。GaN之n摻雜劑可包括氧，且p摻雜劑可包括Mg。一例示性三接面電池可包括InGaN//GaN//AlGaN，其中//可係指一隔離透明晶圓接合層或機械堆疊。PV可在等於聚光器光伏打裝置(CPV)之光強度之高光強度下運行。基板可為藍寶石、Si、SiC及GaN之至少一者，其中後兩者提供用於CPV應用之最佳晶格匹配。可使用此項技術中已知之金屬有機汽相磊晶(MOVPE)方法來沈積層。可藉由冷板(諸如在CPV或二極體雷射(諸如商業GaN二極體雷射)中使用之冷板)冷卻電池。如在CPV電池之情況中，柵極接觸件可安裝於電池之前表面及後表面上。在一實施例中，可終止PV電池之表面(諸如包括GaN、AlN及GaAlN之至少一者之表面)。終止層可包括H及F之至少一者。終止可減小載體重組缺陷效應。可使用諸如AlN之一窗終止表面。 在一實施例中，光伏打(PV)及光電(PE)轉換器之至少一者可具有實質上對其回應之光透明之一保護窗。窗可對回應光至少10%透明。窗可對UV光透明。窗可包括一塗層，諸如PV或PE電池上之一UV透明塗層。可藉由諸如汽相沈積之沈積來施加塗層。塗層可包括本發明之UV窗之材料，諸如一藍寶石或MgF2 窗。其他合適窗包括LiF及CaF2 。諸如一MgF2 窗之任何窗可製成薄的以限制EUV衰減。在一實施例中，PV或PE材料(諸如硬玻璃狀材料，諸如GaN)充當一可清潔表面。諸如GaN之PV材料可充當窗。在一實施例中，PV或PE電池之表面電極可包括窗。電極及窗可包括鋁。窗可包括鋁、碳、石墨、氧化鋯、石墨烯、MgF2 、一鹼土氟化物、一鹼土鹵化物、Al2 O3 及藍寶石之至少一者。窗可十分薄(諸如約1 Å至100 Å厚)，使得其對來自電池之UV及EUV發射透明。例示性透明薄膜係Al、Yb及Eu薄膜。可藉由MOCVD、汽相沈積、濺射及此項技術中已知的其他方法施加薄膜。在一實施例中，重力回收系統、電漿限制系統、擴充電漿軌道槍回收系統及靜電沈澱回收系統之至少一者可改善點火產物與PV或其窗之接觸及撞擊。SF-CIHT產生器可包括自表面移除點火產物之一構件，諸如一機械刮刀或一離子濺射束。刮刀可包括未被銀潤濕且亦非研磨之碳。 在一實施例中，電池可藉由至少一個機制(諸如來自光伏打效應、光電效應、熱離子效應及熱電效應之群組之至少一個機制)將入射光轉換為電。轉換器可包括各具有一光伏打層之頂部上之一光電層之雙層電池。可藉由頂層選擇性地吸收且轉換諸如極紫外線光之較高能光。複數個層之一層可包括一UV窗，諸如MgF2 窗。UV窗可保護紫外線UV PV以防被電離輻射損害(諸如被軟X射線輻射損害)。在一實施例中，低壓電池氣體可經添加以選擇性地衰減將損害UV PV之輻射。替代性地，可藉由光電子轉換器頂層將此輻射至少部分轉換為電且至少部分被UV PV阻擋。在另一實施例中，諸如GaN之UV PV材料亦可使用光伏打效應及光電效應之至少一者將來自電池之極紫外線發射之至少一部分轉換為電。 光伏打轉換器可包括將紫外線光轉換為電之PV電池。例示性紫外線PV電池包括p型半傳導聚合物PEDOT-PSS：藉由沈積於一摻雜Nb之氧化鈦上之聚(4-苯乙烯磺酸鹽)薄膜摻雜之聚(3,4-乙烯二氧噻吩) (SrTiO3:Nb) (PEDOT-PSS/SrTiO3:Nb異質結構)、GaN、與諸如錳之一過渡金屬摻雜之GaN、SiC、鑽石、Si及TiO2 之至少一者。其他例示性PV光伏打電池包括n-ZnO/p-GaN異質接面電池。 為將高強度光轉換為電，產生器可包括一光學分佈系統26a，諸如在圖2I32及圖2I33中展示之光學分佈系統。光至電面板15可包括PE、PV及熱離子電池之至少一者。轉換器之窗可對電池發射之光(諸如短波長光)透明。PV轉換器之窗可包括藍寶石、LiF、MgF2 及CaF2 、其他鹼土鹵化物(諸如氟化物，諸如BaF2 、CdF2 )、石英、熔融石英、UV玻璃、硼矽酸鹽及紅外矽(Thorlabs)之至少一者。半透明鏡23可對短波長光透明。材料可相同於具有反射材料之一部分覆蓋之PV轉換器窗(諸如鏡，諸如UV鏡)之材料。半透明鏡23可包括反射材料之一網紋圖案，諸如UV鏡，諸如塗佈MgF2 之Al及氟化物薄膜(諸如MgF2 或LiF薄膜)或鋁上之SiC薄膜之至少一者。 在一實施例中，分數氫電力轉換器可包括一熱光伏打(TPV)電力轉換器。諸如Mo或W電極之電極可維持在高溫以產生輻射，諸如可使用光伏打電池轉換為電之黑體輻射。在一實施例中，諸如Ag或AgCu熔體之熔體藉由熱電極加熱且經汽化，使得圍繞電極之區域對諸如EUV及UV之短波長光變得光學上較厚。汽化金屬可加入點火電漿。形成分數氫之來自燃料點火之功率可將電漿加熱至一高黑體溫度。可藉由使用諸如控制燃料流動速率、觸發速率、水汽壓力之方法及本發明之其他方法控制分數氫反應之速率而控制黑體溫度。在一實施例中，電極間隔或間隙8及電流經調整以達成主要發射超過UV及EUV發射之黑體輻射之一電漿。可藉由本發明之方法調整電極間隙8。在一實施例中，可使用重疊脈衝使電流恆定。恆定電流可在約50 A至30,000 A、100 A至10,000 A及200 A至2000 A之至少一個範圍中。峰值電流脈衝可在約50 A至30,000 A、500 A至10,000 A及1000 A至5000 A之至少一個範圍中。電流脈衝之頻率可在約1 Hz至20,000 Hz、100 Hz至10,000 Hz及500 Hz至5000 Hz之至少一個範圍中。 在一實施例中，產生器進一步包括一開關(諸如一IGBT或本發明或此項技術中已知的另一開關)以在藉由熱解傳播分數氫反應自身之事件中關閉點火電流。反應可自保持一升高電池及電漿溫度之至少一者(諸如以一充足速率支援熱解之溫度)以維持溫度及分數氫反應速率。電漿可包括光學上較厚之電漿。電漿可包括一黑體。可藉由維持一高氣體壓力達成光學上較厚之電漿。在一例示性實施例中，隨著在鎢電極處噴射熔化銀及熔化銀銅(28 wt%)合金之各者而發生熱解，其中一連續點火電流在100 A至1000 A之範圍中，重疊脈衝在約2 kA至10 kA之範圍中，一電漿黑體溫度係5000 K且一電極溫度在約3000 K至3700 K之範圍中。熱解可在電漿及與電漿接觸之電池組件之至少一者之高溫下發生。溫度可在約500 K至10,000 K、1000 K至7000 K及1000 K至5000 K之至少一個範圍中。電池組件可為電極8、錐體貯槽5b、錐體5b2及頂蓋5b4之至少一者。在另一實施例中，電池組件之至少一者(諸如錐體貯槽5b2)可充當一冷卻劑以冷卻熱解H以防止其回復至H2 O。匯流條及錐體貯槽之至少一者可經冷卻以充當冷卻劑。 所維持黑體溫度可為發射可使用一光伏打電池轉換為電之輻射之溫度。在一例示性實施例中，黑體溫度可維持在約1000 K至3690 K之至少一個範圍中。光伏打電池可包括一熱光伏打(TPV)電池。用於熱光伏打轉換之例示性光伏打電池包括多晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)電池。轉換器可包括鏡以將輻射引導及重新引導至熱光伏打轉換器上之至少一者。在一實施例中，後鏡將未轉換輻射反射回至來源以促成重新輻射至轉換器之功率。例示性鏡包括錐體材料之至少一者，諸如鋁及陽極氧化鋁、塗佈MgF2 之Al及氟化物薄膜(諸如MgF2 或LiF薄膜)或鋁及藍寶石上之SiC薄膜、氧化鋁(諸如可濺射塗佈於諸如不銹鋼之一基板上之α氧化鋁)、塗佈MgF2 之藍寶石、硼矽玻璃、鹼性鋁矽玻璃(諸如大猩猩玻璃)、LiF、MgF2 及CaF2 、其他鹼土鹵化物(諸如氟化物，諸如BaF2 、CdF2 )、石英、熔融石英、UV玻璃、硼矽酸鹽、紅外矽(ThorLabs)及在透明時可於外表面上呈鏡像之陶瓷玻璃。諸如陽極氧化鋁鏡之鏡可漫射光以均勻地照射PV轉換器。透明材料(諸如藍寶石、氧化鋁、硼矽玻璃、LiF、MgF2 及CaF2 、其他鹼土鹵化物(諸如氟化物，諸如BaF2 、CdF2 )、石英、熔融石英、UV玻璃、硼矽酸鹽、紅外矽(ThorLabs)及陶瓷玻璃之至少一者)可充當用於TPV轉換器之窗。TPV轉換器之另一實施例包括黑體發射器過濾器以使匹配至PV之能隙之波長通過且將未匹配波長反射回至發射器，其中發射器可包括諸如電極之一熱電池組件。 為最佳化包括一多接面電池之一熱光伏打轉換器之效能，自電池發射之光之黑體溫度可維持在約恆定，諸如在10%內。接著，可使用功率調節設備控制功率輸出，其中多餘功率儲存於諸如一電池或電容器之一裝置中或被排斥(諸如作為熱被排斥)。在另一實施例中，可藉由使用本發明之方法(諸如藉由改變觸發頻率及電流、金屬噴射速率及H2 O及H2 之至少一者之噴射速率)減小反應速率而維持來自電漿之功率，其中可藉由控制電漿之發射率而維持黑體溫度。可藉由添加諸如一鈍氣之一電池氣體以改變電池氣氛(諸如最初包括金屬蒸汽之電池氣氛)而改變電漿之發射率。 在一實施例中，使用對應感測器或計感測諸如水汽、氫及氧之壓力及總壓力之電池氣體。在一實施例中，藉由監測回應於至少一種氣體壓力(諸如水壓及氫壓之至少一者)之改變而改變之至少一個電池參數而感測此等電池氣體之至少一者之壓力。可藉由改變一或多個壓力的同時使用氣體供應器監測改變效應而達成一所要水壓及氫壓之至少一者。藉由氣體改變之例示性監測參數包括點火電路之電行為及電池之光輸出。可在氫壓及水汽壓力之至少一者之一所要壓力下最大化點火電流及光輸出之至少一者。一光偵測器(諸如一二極體)及PV轉換器之輸出之至少一者可量測電池之光輸出。一電壓計及電流計之至少一者可監測點火電路之電行為。產生器可包括一壓力控制系統(諸如包括軟體之一壓力控制系統)、一處理器(諸如一電腦)及自參數監測接收輸入資料且調整氣體壓力以達成產生器之所要功率輸出之最佳化之一控制器。在包括包含銅之一燃料金屬之一實施例中，氫可維持在達成來自銅與氧(來自H2 O至分數氫之反應)之反應之氧化銅之減少之一壓力下，其中藉由監測參數調整水汽壓力以最佳化產生器輸出。在一實施例中，可藉由使用電解供應H2 而將氫壓控制在約一恆定壓力下。電解電流可維持在約一恆定電流下。可以與約所有分數氫反應氧產物反應之一速率供應氫。多餘氫可擴散穿過電池壁以維持高於被分數氫反應及與氧產物之反應消耗之壓力之一恆定壓力下。氫可滲透穿過一中空陰極至反應單元腔室5b31。在一實施例中，壓力控制系統回應於點火電流及頻率及光輸出而控制H2 及H2 O壓力以最佳化至少一者。可使用一二極體、功率計或光譜儀監測光。可使用一萬用電錶或數位示波器監測點火電流。電磁泵5k之熔化金屬之噴射器速率亦可經控制以最佳化點火電路之電行為及電池之光輸出之至少一者。 在另一實施例中，感測器可量測多個組件。在一例示性實施例中，使用一質量光譜儀(諸如一四極質量光譜儀，諸如一殘餘氣體分析儀)量測電池氣體及總壓力。質量光譜儀可分批感測或按趨勢模式感測。水或濕度感測器可包括一絕對、一電容及一電阻濕度感測器之至少一者。能夠分析複數種氣體之感測器包括一電漿源，諸如一微波腔室及產生器，其中電漿激發電池氣體發射諸如可見光及紅外線光之光。藉由光譜發射(諸如氣體分量之特性線及強度)判定氣體及濃度。可在取樣之前冷卻氣體。在針對氣體組成物分析電池氣體之前可自電池移除金屬蒸汽。電池中之金屬蒸汽(諸如包括銀及銅之至少一者之金屬蒸汽)可經冷卻以凝結金屬蒸汽，使得電池氣體可在缺乏金屬蒸汽之情況下流動至感測器中。SF-CIHT電池在本文中亦被稱為SF-CIHT產生器或產生器可包括諸如用於來自電池之氣體流動之一管之一通道，其中該管包括來自電池之一入口及用於經凝結金屬蒸汽之流動之一出口及不可凝結氣體至至少一個氣體感測器之一出口。該管可經冷卻。可藉由傳導達成冷卻，其中該管散熱至一經冷卻電池組件，諸如錐體貯槽及其金屬含量、電極、匯流條及電極電磁泵(諸如8c)之磁體之至少一者。可藉由諸如水冷卻之方法及諸如一熱管道之被動構件主動地冷卻該管。包括金屬蒸汽之電池氣體可進入該管，其中金屬蒸汽歸因於管之較低溫而凝結。經凝結金屬可藉由重力流動及泵抽之至少一者之方法流動至錐體貯槽，使得待感測之氣體在缺乏金屬蒸汽之情況下流動至感測器中。 在一實施例中，可藉由方法(諸如藉由量測氧化產物之一參數)或歸因於氧化產物間接感測氧。在一例示性實施例中，產生器可包括一熔體傳導率感測器。錐體貯槽中之Ag-Cu合金熔體歸因於合金熔體之頂部上之CuO之傳導率減小可充當對添加一更高H2 流動速率之一指示。在另一例示性實施例中，產生器包括基於氧之濃度或存在可逆地吸收氧之一標尺及材料。氧感測器可包括具有一H2 可還原金屬氧化物之一可氧化金屬，其中藉由一重量改變判定氧之存在。在一實施例中，藉由將一高度可滲透氣體(諸如反應單元腔室5b31中之氫氣)供應至電池腔室5b3來控制氣體之壓力。可使用電池腔室5b3中之一對應氣體感測器量測氣體壓力。電池腔室氣體壓力可用於控制氫流動至電池腔室5b3中，其隨後流動或滲透至反應單元腔室5b31中。在一實施例中，諸如氫之氣體流動或滲透通過電池26之至少一個壁(諸如錐體5b2或頂蓋5b4之壁)自電池腔室5b3至反應單元腔室5b31。在一實施例中，反應腔室5b31中之H2 維持在將反應腔室5b31中之氧消耗至一所要壓力之一壓力下。在一例示性實施例中，氫壓維持在一足夠濃度以消耗形成於反應單元腔室5b31中之氧。在圖2I24至圖2I31中展示之一實施例中，下腔室5b5與電池腔室5b3連續，其中貯槽5c之基座處之板直徑提供腔室之間的一間隙。兩個腔室皆可填充有相同氣體，諸如亦可滲透至反應單元腔室5b31中之氫。在一實施例中，一不可滲透氣體以使得金屬蒸汽並不捕獲於供應出口中之一方式經直接供應至反應腔室5b31。在一實施例中，水供應噴射器5z1包括一足夠小直徑噴嘴，使得水汽流動速率足以防止金屬蒸汽流動至噴射器中(諸如至噴射器5z1之噴嘴及H2 O蒸汽噴射管中)。 在圖2I24至圖2I28中展示之一實施例中，錐體5b可包括可在不同溫度下操作之複數種材料。舉例而言，底部區段可包括一耐熱金屬，諸如一高溫不銹鋼，諸如可具有一氧化物塗層之Hastelloy，且頂部可包括陽極氧化鋁。陽極氧化鋁可經塗佈於諸如不銹鋼之另一材料上。可藉由控制反應單元腔室5b31中之溫度及氣氛(諸如氧及水之至少一者之分壓)而維持材料之氧化物塗層。在一實施例中，電池26之壁(諸如錐體5b2之壁)可包括藍寶石。藍寶石可包括片段或面板。各面板可依靠諸如一銀薄片之一反射器以將來自電池之入射光反射回至電池中且朝向PV轉換器。反射器可藉由一間隙而與藍寶石分離，間隙可維持在諸如真空之減小壓力下以將反射器維持在低於藍寶石面板之一溫度下。可藉由使間隙與抽氣電池連續而達成低壓條件。電池可進一步包括至PV轉換器26a之一藍寶石窗。 在一實施例中，電池26之壁可包括一錐體5b2及一頂蓋5b4，其等形成可包括一圓頂之一反應單元腔室5b31。圓頂可抵抗被諸如Ag或Ag-Cu合金熔體之燃料熔體潤濕。圓頂可維持在一高溫下以防止被熔體潤濕。溫度可維持在約100℃至1800℃之範圍中。圓頂可為透明的。透明圓頂可包括藍寶石、石英、MgF2 及鹼性鋁矽玻璃(諸如大猩猩玻璃)之至少一者。圓頂可顛倒，使得敞開1/2球體經定向成朝向PV轉換器26a。顛倒圓頂之底部可經分區以形成至圓形錐體貯槽5b之一圓形連接。顛倒圓頂可包括穿透部分、斷流器或匯流條9及10之至少一者之饋通、電極8及諸如水噴射器5z1之氣體噴射器。顛倒圓頂可包括頂邊緣處之一金屬環及一外金屬鏡塗層(諸如一耐火金屬塗層，諸如一W或Mo鏡像)之至少一者。可藉由蒸汽沈積(諸如藉由有機金屬化學汽相沈積(MOCVD))施加鏡像。用於沈積之一例示性化學品係六羰鉬或六羰鎢。替代性地，顛倒圓頂可包括一匹配外圓周、可具有一分離間隙之鏡像圓頂反射器。反射器部分圓頂可藉由一間隙而與藍寶石圓頂分離，間隙可維持在諸如真空之減小壓力下以將反射器維持在低於藍寶石圓頂之一溫度下。可藉由使間隙與抽氣電池連續而達成低壓條件。電池可進一步包括一窗5b4，諸如至PV轉換器26a之一藍寶石窗。顛倒圓頂可包括錐體5b2且錐體5b2之敞開頂部可被可包括藍寶石之一窗5b4覆蓋。窗可具有用於將光透射至PV轉換器之一所要形狀。形狀可匹配至PV轉換器之幾何形狀，諸如平面或圓頂狀。錐體貯槽5b、窗5b4、匯流條9及10或電極8之至少一者可連結至包括具有一墊圈(諸如一石墨墊圈，諸如一Graphoil墊圈)之一顛倒圓頂之錐體5b2。在其他實施例中，顛倒圓頂可包括其他幾何形狀或形狀。顛倒圓頂之例示性替代形狀包括一蓋之一小部分，諸如在對應球體、拋物線、梯形或立方體之表面之90%至10%範圍中之一蓋之一部分。 在一實施例中，圓頂可充當錐體5b2及窗5b4。圓頂可包括具有一敞開部分之一球體之一圓形區段。圓頂可不顛倒，其中敞開部分與錐體貯槽5b連接。在其他實施例中，未顛倒圓頂可包括其他幾何形狀或形狀。未顛倒圓頂之例示性替代形狀包括錐體貯槽之一蓋之一小部分，諸如在對應球體、拋物線、梯形、立方體或錐體貯槽之其他殼體之表面之90%至10%範圍中之一蓋之一部分。圓頂最接近於錐體貯槽5b之下部可經鏡像或包括圓周反射器以包括錐體5b2，且頂部可透明以包括至PV轉換器26a之窗5b4。 錐體5b2可包括一單一圓頂或分段測地結構，且窗5b4可分開或為圓頂之一部分。錐體5b2及窗5b4之至少一者可維持在高於防止諸如Ag或Ag-Cu熔體之燃料熔體附著之溫度之一溫度下。溫度可維持在約200℃至2000℃、300℃至1500℃及400℃至1100℃之至少一個範圍中。諸如可在起動期間藉由諸如一感應耦合加熱器之一加熱器維持溫度。錐體5b2 (諸如一藍寶石圓頂)與窗5b4之組合可包括主要透過窗5b4發射之一高溫黑體光源，窗5b4可足夠小以在起動模式中藉由一感應耦合加熱器方便地加熱。可藉由緊固件(諸如可包括諸如Mo之一耐火金屬之夾鉗或托架)將錐體片段保持在原位。可藉由一框架支撐托架。亦可使用夾鉗或托架將諸如銀面板之後反射器面板緊固至框架。替代性地，面板可經螺合、旋合或焊接至框架。片段及任何饋通(諸如用於電極之饋通)可與一接頭材料(諸如適應擴張及收縮且耐熱之一接頭材料)連結或並列。一例示性接頭材料包括諸如Graphoil之石墨。諸如匯流條(諸如至電極及電磁泵之匯流條)之零件可在接觸點(諸如電池腔室5b3或下真空腔室5b5之饋通處之接觸點)處藉由電絕緣構件(諸如絕緣塗層，諸如接觸點處之富鋁紅柱石或氮化硼)而絕緣。 在一實施例中，電極8包括可包括不同材料之複數個零件。電極可包括在高溫下操作之一電漿接觸層。合適電漿接觸層材料係一耐火金屬，諸如W、Ta或Mo。電漿接觸層可經安裝於可包括匯流條9及10之另一座層上。座層可凹入，使得僅一部分(諸如電漿接觸層之端部處之部分)接觸座層以提供電連接性。凹槽可在電漿接觸層與座層之間產生一間隙以允許電漿接觸層在高於座層之一溫度下操作。可藉由焊道、托架、夾鉗或諸如可凹入之螺釘或螺栓(諸如埋頭螺釘或內六角螺栓，諸如帽頭螺栓)之緊固件製成接觸區域處之附接。旋合在一起之任何零件可經塗佈有諸如一石墨之一潤滑劑以防止銀黏貼至階面。電極可包括葉片(圖2I29至圖2I31)，其等可藉由諸如葉片之匯流條端處之緊固件之構件附接至匯流條9及10。葉片可經定向以形成一V以將經噴射金屬接受至V之最寬部分中。在一實施例中，電極僅包括諸如W或Mo之一耐火金屬。電極可在電剖面中按比例調整以補償相對於銅約低3.5倍之傳導率，其中例示性匯流條包括銅。耐火金屬電極可藉由一焊道或藉由諸如螺栓或螺釘之一緊固件附接至匯流條。電極發射率、表面積、傳導散熱以及被動及主動冷卻之至少一者可經選擇以將電極維持在一所要操作溫度內，諸如在使諸如Ag或Ag-Cu合金之熔體金屬汽化且低於電極之耐火金屬之熔點之一範圍中。可主要藉由黑體輻射造成損耗。電極可維持在約1000℃至3400℃之溫度範圍中。 為允許電極間隙8g之一調整，電極及匯流條總成可包括至電極連接器之一鉸接接頭匯流條。鉸接臂可沿著匯流條偏移，使得電極(諸如鎢葉片電極)之端部上之任何緊固件經交錯以允許電極之緊密間隔而不使任何凸出緊固件緊密接觸。為達成進一步緊密靠近，電極可朝向端部連接件彎曲且在點火區域中變直。為支援高溫操作，饋通(諸如至點火系統10a (圖2I24)之匯流條之饋通及至EM泵之匯流條之饋通之至少一者)可包括電絕緣陶瓷饋通，諸如此項技術中已知的電絕緣陶瓷饋通。可藉由諸如氣體或水冷卻之方法冷卻陶瓷饋通。饋通可包括一微操縱系統以控制諸如葉片電極之經附接電極之間隔及傾角之至少一者。饋通可包括風箱饋通以允許匯流條之移動以藉由微操縱系統(諸如熟習此項技術者已知的微操縱系統)影響電極之定位。在另一實施例中，電極間隙8g之調整機構包括連接至匯流條9及10之螺紋螺栓，其中可藉由移動匯流條而影響電極8之一移動。可藉由推動抵靠匯流條9及10以使用所施加壓力使其等偏轉之螺紋螺栓調整電極間隙8g，且匯流條在螺栓被鬆開時經受彈力復原。在另一實施例中，螺紋螺栓可在匯流條上拉動。 在一實施例中，產生器可包括調整電極間隙8g之一自動控制系統，諸如本發明之一自動控制系統或熟習此項技術者已知的另一自動控制系統。自動間隙控制系統可包括一電腦、至少一個感測器及一機械機構(諸如一伺服機構及馬達)及一螺線管、一電磁定位器及一壓電定位器或微操縱器之至少一者(可使用來自諸如一位置感測器或一電流感測器之至少一個感測器之輸入藉由電腦控制其等)。包括間隙之電極分離可影響電流密度及反應限制，其中兩者皆可隨著一更小間隙而增大。分數氫反應速率可藉由增大電流密度而增大。在一實施例中，熔化金屬噴射速率可經控制以局部化金屬以增大電流密度。電極寬度可經增大以增大限制，其中電極長度可經減小以維持一高電流密度。經縮短長度亦可增大操作溫度，該操作溫度經最佳化以增大分數氫反應速率。在一實施例中，噴射經控制以導致點火電流脈衝以藉由集膚效應增大電流密度。在一實施例中，反應限制可增大分數氫反應速率。在一實施例中，電極振動以提高分數氫反應速率。可藉由歸因於電極及匯流條之至少一者中之電流之勞侖茲力導致振動。替代性地，產生器可包括振動電極之一振動器。例示性振動器係本發明之振動器，諸如一電磁振動器或壓電振動器。振動速率可在約1 Hz至100 MHz、100 Hz至10 MHz及100 Hz至1 MHz之至少一個範圍中。電極電流、質量、彈性常數、長度及阻尼夾具之至少一者可經選擇以達成一所要振動頻率及振幅之至少一者。振動可進一步用於透過電極泵抽熔體。 在圖2I24至圖2I28中展示之一實施例中，電極8可藉由安裝於分開或一單一真空凸緣中之饋通10a電連接至電源2。錐體5b2之壁可包括用於使電極8通過之一單一孔隙。孔隙可包括圍繞匯流條9及10以及電極之至少一者之一蓋板以密封錐體5b2或圓頂以防止諸如Ag或Ag-Cu熔體之熔體之損失。在一實施例中，一藍寶石蓋板覆蓋使電極通過錐體或圓頂(諸如藍寶石圓頂)之一穿透部分或孔隙。電池26可容置於一真空腔室5b3中。電池壁可包括錐體5b2或圓頂。匯流條及電極可通過穿過電池腔室壁及圓頂壁之一圓形導管。具有電極饋通之一凸緣可密封腔室，且具有匯流條斷流器之一藍寶石蓋板或諸蓋板可密封圓頂。 在圖2I24至圖2I28中展示之一實施例中，錐體5b2、內錐體表面及外錐體表面之至少一者可由諸如具有對水之一低反應性之一金屬之一材料組成。具有低水反應性之例示性金屬包括Cu、Ni、Pb、Sb、Bi、Co、Cd、Ge、Au、Ir、Fe、Hg、Mo、Os、Pd、Re、Rh、Ru、Se、Ag、Tc、Te、Tl、Sn、W及Zn之群組之金屬。在一實施例中，錐體5b2、內錐體表面及外錐體表面之至少一者可由諸如具有高於諸如Ag (M.P.=962℃)或Ag-Cu合金(M.P.=779℃)之燃料熔體之熔點之一熔點之一金屬之一材料組成且可進一步具有一低發射率。例示性錐體及錐體表面材料包括拋光金屬表面，諸如包括鋼、鋼型PH-15-7 MO、Ni、Fe、Mo、Ta、鍍鋅金屬(諸如鋼或鐵)及鍍Pt或Au之金屬或包層金屬(諸如Ni或Ti)之拋光金屬表面。諸如錐體貯槽5b及錐體5b2之電池組件可包括內壁及外壁之至少一者上之一高熔點、高發射率材料以將高功率輻射回至電池中，其中可藉由使用電池組件(諸如錐體5b2)之圓周輻射屏蔽優先將熱功率輻射至電池中。 在圖2I24至圖2I28中展示之一實施例中，錐體5b2包括具有內表面上之一低發射率之一高熔點金屬以將黑體輻射反射至PV轉換器26a。在例示性實施例中，錐體5b2包括Mo或W，其在約等於燃料熔體之熔點之一溫度下操作，諸如在Ag或Ag-Cu合金燃料熔體之情況中約為1000℃至1100℃。可藉由防止反射表面之氧化而維持高反射率。可在反應單元腔室5b31中維持一部分氫氣氛以將任何金屬氧化物還原為金屬或與所產生之任何氧反應以形成H2 O。替代性地，電池26可包括與電池氣氛接觸之一相對電極及維持內錐體表面上之一負電位之一電源供應器，內錐體表面充當具有一所施加電壓之陰極以防止反射陰極表面之氧化。錐體金屬(諸如本發明之錐體金屬)可經選擇以具有與水之一低反應性。可藉由真空泵13a及氫供應器5u及5w之至少一者將電池氧維持在一低分壓下，其中H2 消耗氧。 在1300 K下具有一發射率1之黑體輻射功率係162 kW/m2 。為在起動期間按此功率之一分率將錐體加熱至諸如1000℃之一溫度，發射率可維持在較低。外錐體表面可包括具有一低發射率之一材料。在例示性實施例中，外錐體表面包括經拋光Mo或電解Ni，其中在1000℃下之發射率分別為0.18及0.16。經拋光W在室溫下具有一發射率0.04。經拋光銀(M.P.=962℃)在1093℃下具有一發射率0.03，其中較低溫熔化Ag-Cu合金(M.P. 28% Cu=779℃)可用作燃料金屬。可在起動期間使用諸如一感應耦合加熱器之一加熱器加熱表面。可在起動期間使用諸如一感應耦合加熱器之一加熱器加熱窗。在包括一封閉反應單元腔室5b31 (其包括在圖2I24至圖2I27中展示之絕緣錐體5b2之一足夠厚內壁以沿著壁傳導熱)之一實施例中，一單一感應耦合加熱器線圈5f及感應耦合加熱器5m在起動期間可足以將整個反應單元腔室5b31加熱至一所要溫度，諸如防止燃料熔體固化且附著至腔室表面之一溫度。一例示性壁厚度約為1/4英吋。在電池中產生之黑體輻射可經引導至PV轉換器之窗，其中可藉由將窗之溫度(諸如頂蓋5b4之溫度)維持在高於燃料熔體之熔點而防止點火產物之金屬附著。 在其中電漿歸因於燃料(諸如包括Ag或Ag-Cu合金之燃料)之汽化而變得視情況較厚之一實施例中，蒸汽包含於電池26中。在圖2I24至圖2I28中展示之電池組件之至少一者(諸如泵管5k6、泵匯流條5k2、熱轉移塊體5k7、錐體貯槽5b、貯槽5c及錐體5b2)可由一耐火材料(諸如Mo、Ta及W之至少一者)組成。在一實施例中，至少一個電池組件包括一坩堝材料，諸如SiC、石墨、MgO或熟習此項技術者已知的其他陶瓷型材料。可藉由輻射屏蔽圍繞諸如錐體5b2之一電池組件。錐體5b2及屏蔽之至少一者可包括一顛倒金屬圓頂(敞開端向上朝向PV轉換器26a)。可藉由金屬自旋製造圓頂。在一實施例中，電池26之錐體5b2包括諸如熱屏蔽之複數個輻射屏蔽。屏蔽可包括一耐火金屬，諸如本發明之耐火金屬，諸如Mo、Ta或W。屏蔽可包括一設計，諸如一高溫真空爐之一設計，諸如此項技術中已知的一高溫真空爐。熱屏蔽可包括可經滾軋且緊固之薄片或箔。薄片或箔可在端部處與一凸起端部彎管或一榫槽重疊。屏蔽可為錐形且同心以將電漿功率引導至PV轉換器26a。錐體可包括至PV轉換器26a之一大發射孔隙或視角。錐體5b2可包括在錐體5b2之基座處提供一外部密封之外熱屏蔽。替代性地，錐體5b2可包括一密封容器，諸如包括內熱屏蔽之反應單元腔室5b31。錐體5b2 (諸如包括熱屏蔽之錐體)可經密封至錐體貯槽5b以含有電池氣體或蒸汽(諸如水汽、氫及燃料金屬蒸汽之至少一者)。密封可包括一濕封，諸如熔化燃料金屬之濕封。在一實施例中，錐體5b2之壁之基座及內熱屏蔽或外熱屏蔽之一者之基座之至少一者浸沒在諸如熔化Ag或Ag-Cu合金之燃料金屬之一熔化貯槽中以形成一濕封。在另一實施例中，濕封可包括一溝，諸如在含有熔化燃料金屬之錐體貯槽5b周邊之一溝，且錐體5b2之壁之基座及至少一個熱屏蔽之基座之至少一者浸沒在熔化金屬中。替代性地，濕封可包括錐體5b2之壁之基座及至少一個熱屏蔽之基座之至少一者及錐體貯槽5b之循環熔化金屬，其中前者浸沒在後者中。熱屏蔽可包括設定在錐體貯槽5b之底部上之沉水腳架以在維持濕封時允許熔體在屏蔽下方流動。在基座處密封之錐體5b2之壁及熱屏蔽之至少一者可具有朝向PV轉換器26a之充分垂直高度，使得金屬蒸汽並不超過藉由如在圖2I25中展示之電池組件形成之反應單元腔室5b31之高度。反應單元腔室5b31可在真空下操作。電漿之溫度可判定反應單元腔室5b31中之蒸汽抵抗重力之高度。控制藉由SF-CIHT產生器產生之功率可控制電漿之溫度。在一實施例中，來自分數氫程序之功率經控制以控制反應單元腔室5b31中之金屬蒸汽之高度。可藉由本發明之控制方法控制電池功率。例示性方法包括藉由控制泵電流及水汽壓力而控制諸如頻率、電流及電壓、泵速率之點火參數。 在一實施例中，金屬蒸汽可在操作期間變得帶電。帶電可減小或抑制分數氫反應速率直至粒子放電。可藉由電池26之壁上之自發放電而使粒子放電。產生器可包括促進帶電粒子放電之一構件。產生器可包括使金屬蒸汽粒子上之靜電荷放電之一構件。產生器可包括一組電極。電極之一者可包括電池26之一傳導壁。一個電極可浸沒在可包括電漿之金屬蒸汽氣體中。可藉由使用一電壓源在電極88與26 (圖2I23)之間施加諸如一電場之一場而使電荷放電。產生器可包括電極及一電場源之至少一者以使帶電金屬蒸汽放電以傳播且維持分數氫反應。產生器可包括一靜電沈澱器(ESP) (圖2I23)，諸如本發明之一靜電沈澱器。在一實施例中，一ESP系統可經安裝以使金屬蒸汽粒子放電以維持一恆定分數氫反應速率。 在一實施例中，產生器經操作以在電池26中(諸如在反應腔室5b31中)產生至少一部分金屬蒸汽氣氛。可藉由在電極處之汽化形成包括諸如銀或銀銅合金蒸汽之金屬蒸汽之電池氣氛。可藉由點火功率及分數氫反應功率之至少一者供應汽化功率。可藉由本發明之方法控制分數氫反應速率及對應功率以達成一合適或所要分數氫功率貢獻以達成合適或所要金屬蒸汽壓力。可藉由使用方法(諸如本發明之方法，諸如控制泵抽速率及加熱或移除熱之速率)控制熔化金屬噴射速率及熔化金屬溫度之至少一者而控制金屬蒸汽壓力。在一實施例中，泵抽速率及隨後金屬汽化可控制自電極移除熱之速率以將電極維持在一所要溫度下。金屬蒸汽壓力可在約0.01托至100 atm、0.1托至20 atm及1托至10 atm之至少一個範圍中。金屬蒸汽可增強分數氫反應速率。電漿可在進一步包括水汽及氫之至少一者之金屬蒸汽氣氛中形成。電漿可支援H及觸媒形成之至少一者。溫度可較高，使得熱解可支援H及觸媒形成之至少一者。觸媒可包括新生水(HOH)。金屬蒸汽可充當一傳導基質。傳導基質可充當一高電流之一替代以移除藉由觸媒電離形成之電子。電離電子之移除可防止可抑制分數氫反應速率之空間電荷建立。施加至電極之點火電流及脈衝頻率可在本發明之範圍內。在一實施例中，電流可具有在約100 A至15,000 A之範圍中之一脈衝及恆定電流分量之至少一者。在其中分數氫反應產生黑體輻射之一例示性操作模式中，電流恆定且在約100 A至20 kA、1 kA至10 kA及1 kA至5 kA之至少一個範圍中。黑體條件可取決於金屬蒸汽氣氛。氣氛對分數氫反應之高能發射可為光學上較厚的。 噴射器噴嘴5q可在諸如葉片電極(圖2I29至圖2I31)之電極8之端部處，其中葉片電極可在相對端處緊固至匯流條9及10。噴嘴泵管可為端帽式，且噴嘴5q可在管側壁中以在其等之端部處將丸粒噴射至電極之側中。替代性地，可自如在圖2I17及圖2I18中展示之電極之頂部上噴射丸粒。在泵管及噴嘴5q進一步出自錐體貯槽之熔化金屬之情況中，熱可自錐體貯槽5b中之熔化金屬轉移至噴嘴5q之端部以在啟動期間加熱噴嘴5q。泵管之噴嘴端可包括一熱轉移套筒或塊體(諸如包括諸如Mo或W之一耐火金屬之套筒或塊體)以導致熱轉移。替代性地，一噴嘴起動加熱器可包括形成一高電流連接之一連接器(諸如噴嘴5q與一個電極8之間的一螺線管驅動連接器)以充當一電阻加熱器。連接器可包括一高熔點材料，諸如Mo或W。 在另一實施例中，窗可與電極相距一充分垂直距離，使得點火產物歸因於重力並不到達該窗。亦可藉由電極EM泵防止粒子入射至窗。EM泵可進一步減少彈射於錐體壁之上區段上及錐體壁上之點火產物之數量之至少一者。在一實施例中，諸如在圖2I19及圖2I20中展示之一實施例中，丸粒經垂直噴射且包括磁體8c之EM泵向下泵抽點火產物。噴嘴5q可經定位及定向以導致丸粒具有其噴射軌跡之一橫向分量以及垂直分量。導致丸粒軌跡沿著具有相對於垂直之一角度之一軸之噴嘴位置及偏移可經選擇以減少或防止向下泵抽之點火產物與經噴射丸粒碰撞。 可藉由電極上之一電磁泵防止點火產物到達PV轉換器。電極EM泵可迫使點火產物向下。在圖2I24及圖2I27中展示之一實施例中，可透過諸如鎢或熱絕緣銅匯流條之匯流條8及9冷卻磁體。可藉由諸如匯流條電池穿透側上之一磁體之一單一磁體提供電極EM泵磁場，其中可透過匯流條提供冷卻。可藉由流動通過匯流條之一冷卻劑(諸如可處於大氣壓或高壓下之水)冷卻匯流條、電極8及電極EM泵磁體(諸如8c及8c1)之至少一者。諸如一水冷卻系統之匯流條冷卻系統可包括穿過各匯流條之一中心鑽掘通道之一入口管道，其中在中心管道與通道之間的環帶中具有一回流。替代性地，冷卻系統可包括一個匯流條中之一入口中心鑚掘冷卻劑通道及另一匯流條中之一返回中心鑚掘冷卻劑通道。匯流條之間的冷卻劑管線連接可包括一電絕緣體。匯流條9及10在電極緊固端處之端部可包括一中空區段以充當至匯流條之主區段之一熱障。磁體可包括絕緣體，諸如本發明之一高溫絕緣體，諸如AETB、Zicar、ZAL-45或SiC-碳氣凝膠(AFSiC)。絕緣體可在諸如8及9之匯流條與諸如8c及8c1之磁體之間且覆蓋磁體，同時允許貫穿匯流條冷卻系統(諸如具有磁體之冷卻劑迴路)之充分熱接觸。磁體可能夠在諸如CoSm (350℃)或AlNiCo (525℃)之一高溫下操作。 亦可透過自諸如8c及8c1之磁體周邊地延伸至電池外側之冷卻迴路(諸如在本發明中給出之EM泵冷卻系統之冷卻迴路)供應磁體冷卻。替代性地，電極EM泵磁體可在電池26外部以防止其等過熱。外部電極電磁泵磁體可定位於電池外側，其中在磁體與電池壁之間具有一間隙以將磁體之溫度維持在低於其等之居里(Curie)點。磁體可包括提供跨電極軸之通量之單獨隔離磁體。磁體可包括一單一磁體或包括至少一個磁體之一磁性電路(圖2I29至圖2I31)，其中各磁體可圓周地延伸至錐體或錐體貯槽且自電極之一端之區域延伸至另一端。磁性電路可包括具有一高滲透性之至少一個磁體及軛材料(包括電路之其餘部分)。磁體可包括一單一磁體或磁性電路，其在磁體或電路中之一間隙處提供沿著電極軸之通量。電極可包括具有單一磁體或一磁性電路之葉片電極，磁性電路自一端至另一端跨越半個迴路或半圓且提供沿著電極軸且跨電極處之間隙之通量。磁性電路可成一C之形狀。電極之間的磁體或磁性電路區段可經設計以避免使電極短路。可使用電絕緣體或藉由避免電極之間的一電接觸而避免短路。在一例示性實施例中，磁體包括各具有一C狀磁性電路中之約10 cm2 至30 cm2 剖面之CoSm或釹磁體，C狀磁性電路具有包括高純度鐵之鈷之至少一者之一軛，其中間隙約為6 cm至10 cm。可藉由本發明之方法冷卻磁體。磁體可在電池壁外側之一位置處放置於電池之腔室外殼之底板上。磁體可散熱至腔室底板及藉由本發明之方法冷卻之至少一者。舉例而言，磁體包括具有一循環冷卻劑之至少一個冷卻線圈，循環冷卻劑將熱轉移至諸如31或31a之一冷凍器，冷凍器排斥熱且冷卻(諸)磁體及磁性電路之至少一者。 在一實施例中，(諸)磁體可容置於與電池腔室分開之一腔室中。可在一電極磁體腔室中冷卻電極電磁(EM)泵之磁體。電極電磁(EM)泵總成可包括在圖2I28中展示之EM泵5ka之總成。電極電磁(EM)泵冷卻系統總成可包括EM泵(圖2I28)之冷卻系統5k1之一者。電極EM可包括一電磁泵冷卻劑管線饋通總成5kb、磁體5k4、磁軛及視情況熱障5k5 (其可包括具有可選輻射屏蔽之一氣體或真空間隙)、泵管5k6、匯流條5k2及可藉由來自PV轉換器之電流供應之匯流條電流源連接件5k3。磁體可產生平行於匯流條之一場。在匯流條端部處之磁體可包括使匯流條及電極之至少一者通過之一凹口。電極EM泵可包括具有產生主要平行於匯流條之一場之一幾何形狀之一單一磁體。單一磁體可定位成接近於點火地點，諸如靠近電極之端部。至少一個EM泵磁體可包括可在起動中啟動之一電磁體。一旦電池壁較熱以使得點火產物流動至錐體貯槽，磁場可被終止。在另一實施例中，可藉由移除或回縮諸如一永久磁體(或諸永久磁體)之(諸)磁體而終止磁場。可藉由諸如一機械系統或電磁系統之一移動構件回縮磁體。例示性磁體回縮系統包括一伺服馬達及導軌上之一螺釘驅動台或導軌上之一螺線管驅動台。熟習此項技術者已知其他移動構件。替代性地，可藉由在磁體與電極之間插入諸如一mu金屬屏蔽之一磁屏蔽而移除磁場。可使用諸如一機械系統或電磁系統(諸如磁體回縮系統之機械系統或電磁系統)之一移動構件施加屏蔽。在一實施例中，一旦電池處於溫度下，磁場方向或點火電流之極性可經切換以使勞侖茲力及泵抽方向反向以向上而非向下泵抽經噴射金屬以增大通過電極之流動速率及因此功率輸出。可使用一開關(諸如一IGBT或本發明或此項技術中已知的另一開關)使DC點火電流之極性反向。使一電磁體之電流反向或藉由機械地使永久磁體之定向反向可使磁場極性反向。諸如錐體5b2之電池26組件可包括一陶瓷(諸如MgO、ZrB2 、BN或本發明之其他陶瓷)，其等熱絕緣以使內壁溫度快速升高。 在一實施例中，電池高度可足以使點火產物並不抵抗重力到達PV轉換器或被諸如一藍寶石窗之一窗阻擋。窗可維持在足夠熱以防止點火產物附著。在另一實施例中，導致點火產物上之一向下勞侖茲力之來自諸如永久磁體或電磁體之一磁體之磁場可未被終止。在另一實施例中，電池可包括一擋板8d以延遲或阻止點火粒子入射至PV窗。擋板可不透明且能夠第二次發射黑體輻射。擋板可包括可包含諸如W或Mo之一耐火材料之一柵極或板。替代性地，擋板可對黑體光透明。例示性透明擋板包括藍寶石、石英及鹼及鹼土晶體(諸如LiF及MgF2 )之至少一者。 在圖2I24至圖2I31中的係包括一熱光伏打、光伏打、光電、熱離子及熱電SF-CIHT電池電力產生器之至少一者之實施例，其等展示一電容器組點火系統2。在一實施例中，電池26包括一錐體5b2 (其包括一反應容器壁)、一錐體貯槽5b及貯槽5c (其形成一反應單元腔室5b31之底板且充當用於燃料熔體之一貯槽)及一頂蓋5b4 (其包括反應單元腔室5b31之頂部)。在一實施例中，電池包含於一電池腔室5b3中。可藉由泵13a透過真空連接件13b抽空電池腔室5b3及反應單元腔室5b31。可使用反應單元真空泵管線及凸緣13c以及電池腔室真空泵管線及凸緣13d之至少一者或兩者選擇性地抽空腔室，其中選擇性地打開及關閉電池腔室真空泵管線閥13e及反應單元真空泵管線閥13f之至少一者。 在一實施例中，錐體5b2包括具有圍繞電極8之一或多個熱屏蔽之一拋物線反射器碟。應理解，熱屏蔽亦可包括其他形式之熱絕緣體5e，諸如陶瓷絕緣材料(諸如MgO)、耐火磚、Al2 O3 、氧化鋯(諸如Zicar)、氧化鋁增強熱障(AETB) (諸如AETB 12絕緣體)、ZAL-45及SiC-碳氣凝膠(AFSiC)。一例示性AETB 12絕緣體厚度約為0.5 cm至5 cm。絕緣體可經囊封於諸如可包括反射器(諸如錐體5b2之反射器)之一內耐火金屬壁及可包括相同或一不同金屬(諸如不銹鋼)之一外絕緣壁之兩個層之間。包括錐體5b2、絕緣體及外絕緣囊封壁之反射器總成可經冷卻。外絕緣囊封壁可包括一冷卻系統，諸如將熱轉移至諸如31或31a之一冷凍器之冷卻系統。在一實施例中，冷凍器可包括一輻射器且可進一步包括至少一個風扇及一個冷卻劑泵以冷卻輻射器且循環冷卻劑。輻射器可經空氣冷卻。一例示性輻射器包括一汽車或卡車輻射器。冷凍器可進一步包括一冷卻劑貯槽或罐。罐可充當一流動緩衝器。輻射器可充當該罐。諸如輻射器及風扇之冷凍器可具有進出罐之一流動。類似地，待冷卻之各組件(諸如感應耦合加熱器、電極、電池26及PV轉換器26a)可具有與藉由諸如輻射器及風扇之冷凍器冷卻之罐分開之一冷卻劑流動迴路。各迴路可具有一分開泵，其可藉由其之控制器(諸如一熱感測器，諸如一熱電偶、一流量計、一可控制閥、泵控制器及一電腦之至少一者)單獨控制。在另一實施例中，複數個經冷卻電池組件之冷卻劑迴路可經組合。諸如熱轉移塊體或一熱管道之一熱交換器或熱導體可自錐體5b2之外壁或外絕緣囊封壁冷卻。在一實施例中，石墨係可被用作沿著徑向路徑之一高溫絕緣體及沿著平行於錐體壁之軸向路徑之一熱導體之一方向熱導體。亦應理解，諸如錐體5b2之反射器可包括除一拋物線碟以外的其他幾何及結構形式以將來自分數氫反應之光(諸如黑體輻射)反射至PV轉換器26a。例示性其他形式係三稜柱、球形碟、雙曲線碟及拋物線溝。拋物線反射器碟及熱屏蔽之至少一者可包括諸如Mo、Ta或W之一耐火金屬。在一例示性實施例中，錐體貯槽5b可包括諸如Mo、Ta或W之一高溫材料，貯槽5c及EM泵管5k6可包括一高溫不銹鋼，且EM泵匯流條5k2可包括鎳或不銹鋼。諸如具有一或多個熱屏蔽或絕緣體5e之錐體5b2之拋物線反射器碟可經密封至錐體貯槽。包括錐體5b2及錐體貯槽5b之電池可容置於可經密封之一真空腔室5b3中。拋物線反射器碟及熱屏蔽或絕緣體之至少一者可經密封至錐體貯槽5b。密封可包括一濕封、一焊道、螺紋及包括緊固件之密封之至少一者。拋物線反射器碟及熱屏蔽或絕緣體之至少一者可包括用於電極之穿透部分。穿透部分可經密封。密封可包括一高溫電絕緣體，諸如一陶瓷。 在一實施例(諸如一熱光伏打實施例)中，分數氫反應加熱燃料熔體以導致其變得汽化。蒸汽導致電池氣體對藉由分數氫反應產生之輻射變得光學上較厚。經吸收輻射產生強烈、高溫黑體發射。包括具有一或多個熱屏蔽或絕緣體之一拋物線反射器碟之錐體5b2可將黑體發射反射至PV轉換器26a。藉由電漿加熱之具有一或多個熱屏蔽或絕緣體之拋物線反射器碟之至少一者可在低於電漿之一溫度且高於錐體5b2、錐體貯槽5b、熔體(諸如熔化Ag或Ag-Cu)貯槽5c及EM泵之至少一個組件之一溫度下操作。電漿之黑體溫度之一例示性範圍約為1000℃至8000℃。具有一或多個熱屏蔽或絕緣體之拋物線反射器碟可在低於其等之熔點下操作，諸如在Mo之情況中低於約2623℃及在W之情況中低於約3422℃。電池26之至少一個組件(諸如錐體5b2、錐體貯槽5b、熔體(諸如熔化Ag或Ag-Cu)貯槽5c及EM泵(諸如5k4))可經冷卻。電池26之至少一個組件(諸如錐體5b2、錐體貯槽5b、熔體貯槽5c及EM泵)可在低於其等材料之失效溫度下操作，諸如在高溫不銹鋼電池組件之情況中低於約1100℃。在一實施例中，電池26之至少一個組件(諸如錐體5b2、錐體貯槽5b、熔體貯槽5c及EM泵)可在低於燃料熔體之沸點之一溫度下操作。汽化燃料熔體之蒸汽可歸因於其溫度低於沸點而凝結在錐體貯槽5b中。銀燃料熔體之一例示性溫度範圍約為962℃至2162℃。在一實施例中，產生器可包括自錐體貯槽處之凝結蒸汽至經噴射金屬及點火電漿之至少一者之熱之一逆流再循環器。產生器可包括一噴射系統預加熱器或後加熱器，其中在金屬蒸汽凝結中釋放之熱可加熱融化金屬以增大其溫度。預加熱器可包括可將熱轉移至噴嘴5q之一熱交換器。預加熱器可包括熱屏蔽。可使藉由凝結釋放之熱入射於頂蓋5b4上且轉移至PV轉換器26a。在一實施例中，PV轉換器26a之窗5b4 (諸如一石英、鹼性鋁矽玻璃或藍寶石窗)可在高於點火產物之熔點且低於包括窗之材料之失效溫度之一溫度範圍中操作，諸如在Ag-Cu (28 wt%)作為點火產物且藍寶石作為窗材料之情況中在約800℃至2000℃之範圍中。在一實施例中，產生器包括諸如一熱電偶之至少一個感測器以感測系統之一組件(諸如溫度)。所感測參數可經輸入至一電腦以將參數控制在一所要範圍內。在參數超過一所要範圍(諸如經歷一超溫)之事件中，產生器可包括一安全關閉機構，諸如此項技術中已知的一安全關閉機構。關閉機構可包括一電腦及將功率提供至產生器之至少一個組件之一開關(其可經打開以導致關閉)。在圖2I24及圖2I31中展示一例示性熱電偶及其之饋通5k8 (諸如一陶瓷饋通)。 在一實施例中，電池組件之至少一者(諸如錐體5b2、內錐體表面及外錐體表面)可由諸如具有對水之一低反應性、一高熔點及一高發射率之至少一者之一金屬之一材料組成。在發射率較高之情況中，電池組件可由來自分數氫反應之熱功率變得升高溫度且將黑體輻射第二次輻射至PV轉換器26a以被轉換為電。合適材料係耐火金屬，諸如本發明之耐火金屬，諸如Mo、Ta及W及石墨。諸如一金屬之材料之表面可經氧化及粗糙化之至少一者以增大發射率。電池組件可包括至PV轉換器26a之一大發射孔隙或視角。 在一實施例中，包括錐體5b2、錐體貯槽5b、熔體貯槽5c及EM泵之電池26包括被替代透明窗之一不透明頂蓋5b4封閉之一容器。可藉由焊道或使用墊圈在連接或接頭處密封電池組件，其中藉由緊固件固持接頭。一例示性墊圈材料係諸如Graphoil之石墨。反應單元腔室經密封以限制燃料氣體(諸如水汽及氫之至少一者)及燃料熔體之金屬蒸汽(諸如Ag或Ag-Cu合金蒸汽)之至少一者。頂蓋5b4可包括能夠在一十分高溫下(諸如在約1000℃至4000℃之範圍中)操作之一材料，其可充當一黑體。在一實施例中，頂蓋5b4不對輻射透明，使得其加熱以變為一高溫黑體輻射器。頂蓋可包括諸如Mo、Ta或W之一耐火金屬。替代性地，頂蓋可包括石墨或一陶瓷(諸如SiC、MgO)、氧化鋁、Hf-Ta-C或此項技術中已知的可充當一黑體之其他高溫材料。頂蓋吸收來自電漿之黑體輻射及來自錐體及電池之其他組件之二次黑體輻射以加熱至其高操作溫度。頂蓋可具有一高發射率，諸如一個接一個。在一實施例中，發射率可經調整以導致匹配PV轉換器之能力之黑體功率。在例示性實施例中，可藉由本發明之方法增大或減小發射率。在一金屬頂蓋5b4之一例示性情況中，表面可經氧化及粗糙化之至少一者以增大發射率。頂蓋之發射率可不與波長呈線性(諸如與波長成反比)，使得自其外表面有利的係短波長發射。在一熱光伏打實施例中，頂蓋5b4包括提供入射至PV轉換器26a之光之一黑體輻射器。頂蓋黑體輻射器5b4與PV轉換器26a之間的間隙中之透鏡及鏡之至少一者可經選擇以使短波長光通過至PV轉換器，同時使紅外線光返回至輻射器5b4。在一例示性實施例中，一W頂蓋5b4之操作溫度係一W白熾燈泡之操作溫度，諸如多至3700 K。根據史特凡波茲曼方程式(Stefan Boltzmann equation)，在具有一發射率1之情況下，黑體輻射器功率多至10.6 MW/m2 。在一實施例中，使黑體輻射入射至包括聚光器光伏打電池15 (諸如本發明之回應於對應輻射之聚光器光伏打電池，諸如回應於可見光及近紅外線光之聚光器光伏打電池)之PV轉換器26a。電池可包括多接面電池，諸如包括III/V半導體(諸如本發明之半導體)之雙接面或三接面電池。SF-CIHT產生器可進一步包括一黑體溫度感測器及一黑體溫度控制器。頂蓋5b4之黑體溫度可經維持及調整以最佳化黑體光至電之轉換。可使用一感測器(諸如一光譜儀、一光學高溫計、PV轉換器26a及使用發射率判定黑體溫度之一功率計)感測頂蓋5b4之黑體溫度。一控制器(諸如包括一電腦之控制器)及分數氫反應參數感測器及控制器可藉由本發明之方法控制來自分數氫反應之功率。在控制溫度及黑體溫度之穩定性之例示性實施例中，藉由控制水汽壓力、燃料噴射速率、點火頻率及點火電流之至少一者來控制分數氫反應速率。對於來自加熱頂蓋5b4之反應單元腔室5b31之一給定分數氫反應功率，可藉由選擇及控制頂蓋5b4之內表面及外表面之至少一者之發射率之至少一者來達成包括一黑體輻射器之頂蓋5b4之一所要操作黑體溫度。在一實施例中，來自頂蓋5b4之輻射功率約為匹配至PV轉換器26a之一光譜及功率。在一實施例中，外表面之發射率經選擇(諸如在約0.1至1之範圍中之發射率)，以便頂蓋5b4將一功率輻射至PV轉換器，該功率並不超過其在一所要黑體溫度下之最大可接受入射功率。黑體溫度可經選擇以更好地匹配PV電池之光伏打轉換回應性，使得可最大化轉換效率。可藉由修改頂蓋5b4外表面來改變發射率。可藉由施加具有增大或減小發射率之一塗層而增大或減小發射率。在一例示性實施例中，一SiC塗層可經施加至頂蓋5b4以增大其發射率。亦可藉由氧化及粗糙化表面之至少一者增大發射率，且可藉由減小一氧化表面及拋光一粗糙表面之至少一者減小發射率。產生器可包括氧化氣體(諸如氧及H2 O之至少一者)之一來源及還原氣體(諸如氫)之一來源及控制電池腔室中之氣氛組成物及壓力之一構件。產生器可包括氣體感測器，諸如一壓力計、一泵、氣體供應器及氣體供應控制器以控制氣體、組成物及壓力以控制頂蓋5b4之發射率。 可藉由諸如一氣隙或真空間隙之一間隙分離頂蓋5b4與PV轉換器26a以防止歸因於至PV轉換器之熱傳導而使PV轉換器過熱。頂蓋5b4可包括數個合適形狀，諸如一平板或一圓頂。可針對結構完整性及將光透射至PV區域之最佳化之至少一者選擇形狀。為增強電池電輸出及效率，黑體發射器5b4及接收PV轉換器26a之面積可經最大化以限制並不發射光之錐體5b2之面積。在一實施例中，其他電池組件可包括諸如一耐火金屬(諸如W)之一材料以充當至PV轉換器之一黑體輻射器，PV轉換器經配置在組件周邊以接收黑體輻射。諸如頂蓋54b及錐體5b2之電池26組件之至少一者可包括最佳化PV電池15之堆疊之一幾何形狀以接受來自組件之光。在一例示性實施例中，電池組件可包括多面表面，諸如多邊形，諸如具有PV電池15之一匹配幾何形狀之三角形、五邊形、六邊形、方形及矩形之至少一者。電池可經配置成具有匹配幾何形狀之陣列。 在一實施例中，藉由沈積於內電池26壁(諸如包括錐體之壁)上之金屬蒸汽判定壁之發射率。在此情況中，錐體可包括針對除一所要發射率以外的參數(諸如製造簡易性、成本、持續性及高溫操作之至少一者)選擇之一材料。錐體可包括以下材料之至少一者：石墨(昇華點=3642℃)、一耐火金屬、一陶瓷、一超高溫陶瓷及一陶瓷基質複合物(諸如前過渡金屬之硼化物、碳化物、氮化物及氧化物之至少一者，諸如硼化鉿(HfB2 )、二硼化鋯(ZrB2 )、氮化鉿(HfN)、氮化鋯(ZrN)、碳化鈦(TiC)、氮化鈦(TiN)、二氧化釷(ThO2 )、硼化鈮(NbB2 )及碳化鉭(TaC)及其等之相關複合物)。具有一導出高熔點之例示性陶瓷係氧化鎂(MgO) (M.P.=2852℃)、氧化鋯(ZrO) (M.P.=2715℃)、氮化硼(BN) (M.P.=2973℃)、二氧化鋯(ZrO2 ) (M.P.=2715℃)、硼化鉿(HfB2 ) (M.P.=3380℃)、碳化鉿(HfC) (M.P.=3900℃)、氮化鉿(HfN) (M.P.=3385℃)、二硼化鋯(ZrB2 ) (M.P.=3246℃)、碳化鋯(ZrC) (M.P.=3400℃)、氮化鋯(ZrN) (M.P.=2950℃)、硼化鈦(TiB2 ) (M.P.=3225℃)、碳化鈦(TiC) (M.P.=3100℃)、氮化鈦(TiN) (M.P.=2950℃)、碳化矽(SiC) (M.P.=2820℃)、硼化鉭(TaB2 ) (M.P.=3040℃)、碳化鉭(TaC) (M.P.=3800℃)、氮化鉭(TaN) (M.P.=2700℃)、碳化鈮(NbC) (M.P.=3490℃)、氮化鈮(NbN) (M.P.=2573℃)、碳化釩(VC) (M.P.=2810℃)及氮化釩(VN) (M.P.=2050℃)及一渦輪機葉片材料(諸如來自一超合金、包括鉻、鈷及錸之鎳基超合金之群組之一或多者，包括陶瓷基質複合物、U-500、Rene 77、Rene N5、Rene N6、PWA 1484、CMSX-4、CMSX-10、英高鎳、IN-738、GTD-111、EPM-102及PWA 1497之一渦輪機葉片材料)。諸如MgO及ZrO之陶瓷抵抗與H2 反應。諸如錐體5b2之一例示性電池組件包括MgO、ZrO、ZrB2 或BN。諸如石墨之錐體材料可經塗佈有另一高溫或耐火材料，諸如一耐火金屬(諸如鎢)或一陶瓷(諸如ZrB2 )或本發明或此項技術中已知的另一材料。另一石墨表面塗層包括可藉由錐體之電漿處理形成於表面上之類鑽石碳。處理方法可包括此項技術中已知的用於將類鑽石碳沈積於基板上之一方法。在一實施例中，可藉由預塗佈或在操作期間將銀蒸汽沈積於表面上以保護錐體表面以防腐蝕。在一實施例中，反應單元腔室5b31可包括碳與電池氣體(諸如H2 O、H2 及O2 之至少一者)之反應產物以抑制碳之進一步反應。 錐體5b2可經鑄造、碾磨、熱壓、燒結、電漿燒結、浸潤及火花電漿燒結且藉由此項技術中已知的其他方法形成。諸如一W錐體之一耐火金屬錐體可經形成為一繞線或組織。錐體5b2可包括凸緣以與錐體貯槽5b及頂蓋5b4配接，其中凸緣永久地接合至錐體且可在錐體之製造期間併入。替代性地，可藉由使用諸如夾鉗、托架或彈簧之一對應機構壓縮而將錐體緊固至鄰接電池組件(諸如頂蓋5b4及錐體貯槽5b)。頂蓋5b4及錐體貯槽5b可經夾持至錐體5b2。各可使用諸如一Graphoil墊圈之一墊圈密封接頭。配接組件可具有溝槽或具有多面以閂鎖在一起以形成能夠容納金屬蒸汽之一密封。錐體之內表面可為平滑的且可在操作期間覆蓋有諸如銀之燃料熔體。錐體可在操作之前預塗佈有燃料熔體之金屬以降低起動期間的發射率。在一實施例中，錐體貯槽、貯槽、EM泵管、EM泵匯流條及熱轉移塊體之至少一者可包括Mo。在其中燃料熔體係銀之另一實施例中，熱轉移塊體可包括諸如具有高於燃料熔體之金屬之熔點之一熔點之鐵、氮化鋁、鈦或碳化矽之一材料。在塊體係磁性之情況中，其等可在高於其等之居里溫度下操作。 在一實施例中，反應單元腔室5b31之氣氛可包括一鈍氣氣氛(諸如在密度上具有一充分差異之氦氣氛)以導致諸如Ag或Ag-Cu金屬蒸汽之金屬蒸汽沈降至錐體5b及錐體貯槽5b之底部。在一實施例中，可藉由控制電池氣體及壓力來控制密度差異以導致電漿更接近地聚焦至一拋物線錐體5b2之焦點。聚焦可導致頂蓋5b4之更直接照明以在隨後照明熱光伏打轉換器26a。在其他實施例中，熱光伏打轉換器由一光伏打、光電、熱離子及熱電轉換器之至少一者替代以接收來自包括一黑體輻射器之頂蓋5b4之發射或熱流。在熱離子及熱電實施例之情況中，熱離子或熱電轉換器可與熱頂蓋5b4直接接觸。熱頂蓋5b4亦可將熱轉移至可充當熱至電轉換器之一熱引擎(諸如一郎肯、布雷頓或史特林熱引擎)或加熱器。在一實施例中，除諸如水或空氣之標準介質以外的一介質可用作熱引擎之工作介質。在例示性實施例中，一碳氫化合物可替代一渦輪機產生器之一郎肯循環中之水，且超臨界二氧化碳可用作一渦輪機產生器之布雷頓循環之工作介質。替代性地，熱蓋5b4可充當一熱源或一加熱器或一光源。至熱引擎或加熱器之熱流可為直接或間接的，其中SF-CIHT產生器可進一步包括一熱交換器或熱轉移構件，諸如本發明之一熱轉移構件。 可使用泵13a分別透過泵管線13b及13c抽空電池腔室5b3及包括藉由錐體5b2及頂蓋5b4形成之腔室之反應單元腔室之至少一者。對應泵管線閥13d及13e可用於選擇經泵抽容器。電池可進一步包括用於氧、氫、水汽、金屬蒸汽及總壓力之至少一者之能夠經受高溫之一感測器或諸感測器。可藉由本發明之方法將水壓及氫壓控制至一所要壓力，諸如本發明之一壓力，諸如在0.1托至1托之範圍中之一水汽壓力。在一例示性實施例中，藉由一閥及一氣體供應器維持所要氣體壓力，其中使用氣體之經量測壓力之回饋控制閥開口以供應一流以維持所要氣體壓力。可藉由氫罐及管線5u供應H2 O及H2 ，氫罐及管線5u可包括一電解系統以提供H2 、H2 O/水蒸汽罐及管線5v、氫歧管及給料管線5w、H2 O/水蒸汽歧管及給料管線5x、H2 /水蒸汽歧管5y、直接H2 O/H2 噴射器5z1及直接H2 O/H2 噴射器閥5z2。在電池中產生之氧可與供應之氫反應以形成水以作為抽出或吸收氧之一替代方案。分數氫氣體可擴散穿過電池之壁及接頭或流動出一選擇氣體閥。 經密封反應單元腔室5b31中之金屬蒸汽可塗佈電池壁以抑制壁材料之汽化及遷移。在一實施例中，諸如一內電池表面之一表面最初可經塗佈有諸如本發明之一塗層、一金屬或具有低於表面材料之一蒸汽壓力之另一金屬之材料。舉例而言，一Mo錐體可在內部塗佈有W以降低內部Mo蒸汽壓力。塗層可進一步保護表面以防表面材料之氧化及汽化之至少一者。諸如一氣體之一物質組成物可經添加至反應單元腔室5b31氣氛以穩定或再生電池中之至少一個表面。舉例而言，在錐體5b2及頂蓋5b4之至少一者包括鎢之情況中，碘氣體可經添加至反應單元腔室5b31氣氛以導致W重新沈積於W錐體5b2及W頂蓋5b4表面之至少一者上。可類似地再生錐體5b2及頂蓋5b4之外表面。錐體貯槽5b可在低於頂蓋5b4及錐體5b2之至少一者之一溫度下操作以導致燃料熔體之金屬蒸汽凝結在錐體貯槽5b中以供應燃料(諸如包括經噴射熔化燃料金屬及H2 O及H2 之至少一者之燃料)之再生。反應單元腔室5b31及容置電池26之電池腔室5b3之至少一者可在真空下操作以防止諸如錐體5b2及頂蓋5b4之電池組件之氧化。替代性地，反應單元腔室5b31及電池腔室5b3之至少一者可填充有一惰性氣體以防止錐體5b2及頂蓋5b4之氧化及汽化之至少一者。在一實施例中，來自燃料熔體之金屬蒸汽塗佈反應單元腔室5b31之內表面且保護其等以防被H2 O燃料氧化。如在本發明中給出，添加H2 氣體或施加一負電壓至諸如錐體5b2及頂蓋5b4之電池組件可減少或避免其等之氧化。頂蓋5b4可包括一白熾燈泡之材料，諸如鎢或鎢錸合金。惰性氣體可為如熟習此項技術者已知的用於一白熾燈泡中之氣體。惰性氣體可包括諸如氬、氪或氙之一鈍氣及氮及氫之至少一者。惰性氣體可處於諸如用於一白熾燈泡中之一壓力之減小壓力下。惰性氣體壓力可在約0.01 atm至0.95 atm之範圍中。在其中藉由汽化及沈積將頂蓋5b4之金屬(諸如Mo或W)轉移至另一電池組件(諸如錐體5b2之外壁、容置電池之電池腔室及PV轉換器26a之一組件)之一實施例中，可藉由將塗層曝露於氧且收集金屬氧化物來移除及循環諸如一金屬塗層之金屬。氧曝露可在一高溫下。可藉由將面板表面曝露於氧且清除金屬氧化物來清潔PV面板15上之一金屬塗層。 獨立於大小及密度之所有粒子經歷相同重力加速度。在一實施例中，反應單元腔室5b31在真空或缺乏除燃料以外的電池氣體(諸如水汽)之情況下操作，使得金屬蒸汽粒子可藉由重力效應而被限制至反應單元腔室5b31之一所要區域。該區域可包括電極區域。在另一實施例中，反應單元腔室5b31在存在一熱轉移氣體之一部分真空下操作以導致金屬蒸汽形成在重力下落下之粒子以導致金屬蒸汽之限制。限制可為至電極區域。熱轉移氣體可包括包含一高熱轉移劑之氫或諸如一鈍氣(諸如氦)之一惰性氣體。熱轉移氣體之壓力可經調整以達成所要限制。所要限制條件可包括藉由氣體及重力之霧化效應之一平衡。 在另一實施例中，反應單元腔室5b31在一惰性氣氛下操作。惰性氣體可具有低於固體燃料熔體之金屬蒸汽(諸如來自熔化Ag或Ag-Cu之蒸汽)之一密度。例示性較低密度惰性氣體係氫及諸如氦或氬之至少一者之一鈍氣之至少一者。金屬蒸汽可歸因於更活躍惰性氣體之存在而被限制至拋物線反射器碟5b2之電極區域。可利用金屬蒸汽與惰性氣體之密度差異控制限制程度，諸如金屬蒸汽之體積排量。基於密度之惰性氣體選擇及惰性氣體之壓力之至少一者可經控制以控制金屬蒸汽之限制。SF-CIHT產生器可包括一惰性氣體來源(諸如一罐)及一壓力計、一壓力調節器、一流量調節器、至少一個閥、一泵及一電腦之至少一者以讀取壓力且控制壓力。惰性氣體壓力可在約1托至10 atm之範圍中。在一實施例中，歸因於反應單元腔室5b31之氣氛中之溫度梯度之任何氣氛對流可經形成以有利於金屬蒸汽之一所要限制。錐體貯槽5b可冷於金屬蒸汽及與金屬蒸汽接觸之其他接近電池組件(諸如拋物線反射器碟5b2)。氣體對流可歸因於其較低操作溫度而朝向錐體貯槽5b。金屬蒸汽可凝結在錐體貯槽5b中以增強朝向錐體貯槽5b之蒸汽流動方向且增大金屬蒸汽限制。錐體貯槽5b2可經冷卻。包括感應耦合加熱器5f之天線之冷卻劑線圈可用於冷卻錐體貯槽5b，或其可藉由一分開冷卻線圈或熱交換器冷卻。在透過貯槽5c移除熱之情況中，可藉由控制沿著貯槽5c及其剖面區域之熱梯度來控制對應熱功率。在圖2I24至圖2I26中展示感應耦合加熱器饋通總成5mc之一示意圖。感應耦合加熱器包括引線5p，其亦充當透過感應耦合加熱器冷卻劑系統入口5ma及感應耦合加熱器冷卻劑系統出口5mb連接至一冷凍器31之冷卻劑管線。在一實施例中，感應耦合加熱器線圈引線穿透至產生器之一密封區段(諸如電池26或下腔室5b5之至少一者)中。經加熱之電池組件之一壁之引線5p穿透部分(諸如感應耦合加熱器饋通總成5mc之凸緣之穿透部分及下真空腔室5b5之穿透部分之至少一者)可電絕緣，使得引線5p並不電短路。 在一實施例中，可藉由使用如在本發明中針對金屬粉末給出之至少一個鼓風機之被迫氣流控制金屬蒸汽之限制。在另一實施例中，可藉由使用一電流源使一電流流動通過蒸汽且藉由施加磁通量以導致朝向錐體貯槽5b之一勞侖茲力而限制金屬蒸汽，如在本發明中給出。在另一實施例中，可使用如在本發明中給出之一靜電沈澱器限制金屬蒸汽。 在一實施例中，在起動之後，加熱器可脫離接合，且冷卻可經接合以將諸如錐體貯槽5b、EM泵、電極8、錐體5b2、窗5b4及PV轉換器26a之電池組件維持在其等之操作溫度(諸如在本發明中給出之操作溫度)下。 SF-CIHT電池電力產生系統包含一光伏打電力轉換器，其經組態以擷取藉由燃料點火反應產生之電漿光子且將其等轉換為可用能量。在一些實施例中，可期望高轉換效率。反應器可在多個方向(例如，至少兩個方向)上排出電漿，且反應半徑可按約若干毫米至若干米之比例，例如，在半徑上自約1 mm至約25 cm。另外，藉由燃料點火產生之電漿光譜可類似於藉由太陽產生之電漿光譜及/或可包含額外短波長輻射。圖3展示在滴落至展示527 kW之一平均光功率之一水貯槽中之前包括自銀熔體之氣體處理吸收之H2 及H2 O之一80 mg銀丸粒之5 nm至450 nm點火區域中(本質上皆在紫外線及極紫外線光譜區域中)之一例示性絕對光譜。使用一泰勒-溫菲爾德模型ND-24-75點焊接機憑藉一低電壓、高電流達成點火。跨丸粒之壓降小於1 V且電流約為25 kA。高強度UV發射具有約1 ms之一持續時間。控制光譜在UV區域中係平坦的。在一實施例中，電漿本質上100%電離，此可藉由量測H巴耳末α線之斯塔克增寬(Stark broadening)而確認。固體燃料之輻射(諸如線及黑體輻射之至少一者)可具有在約2 suns至200,000 suns、10 suns至100,000 suns、100 suns至75,000 suns之至少一個範圍中之一強度。 UV及EUV光譜可經轉換為黑體輻射。可藉由導致電池氣氛對於UV及EUV光子之至少一者之傳播變得光學上較厚而達成轉換。可藉由導致諸如燃料金屬之金屬在電池中汽化而增大光學厚度。光學上較厚之電漿可包括一黑體。可歸因於分數氫反應之超高功率密度容量及藉由分數氫反應發射之光子高能而使黑體溫度較高。在圖4中展示泵抽至具有約1托之一周圍H2 O蒸汽壓力之大氣氬中之W電極中之一熔化銀之點火光譜(歸因於藍寶石光譜儀窗而在180 nm處具有一截止點之100 nm至500 nm區域)。電源2包括兩個串聯電容器之兩組(馬克士威技術K2超級電容器2.85 V/3400 F)，其等並聯連接以提供約5 V至6 V及300 A之恆定電流且在約1 kHz至2 kHz之頻率下具有至5 kA之重疊電流脈衝。至W電極(1 cm × 4 cm)之平均輸入功率約為75 W。當氣氛在藉由分數氫反應功率使銀汽化之情況下對UV輻射變得光學上較厚時，初始UV線發射躍遷至5000 K黑體輻射。具有0.15之一汽化銀發射率之一5000 K黑體輻射器之功率密度係5.3 MW/m2 。所觀察電漿之面積約為1 m2 。黑體輻射可加熱電池26之一組件，諸如可在本發明之一熱光伏打實施例中充當至PV轉換器26a之一黑體輻射器之頂蓋5b4。 在一實施例中，轉換器包括經同控以包括組合循環之複數個轉換器。組合循環轉換器可自以下之群組選擇：一光伏打轉換器、一光電子轉換器、一電漿動力學轉換器、一熱離子轉換器、一熱電轉換器、一史特林引擎、一布雷頓循環引擎、一郎肯循環引擎及一熱引擎及一加熱器。在一實施例中，SF-CIHT電池主要產生紫外線及極紫外線光。轉換器可包括包含一光電子轉換器接著一光電轉換器之一組合循環，其中光電轉換器對紫外線光透明且可主要回應於極紫外線光。轉換器可進一步包括額外組合循環轉換器元件，諸如一熱電轉換器、一史特林引擎、一布雷頓循環引擎及一郎肯循環引擎之至少一者。 在一實施例中，通過燃料之本發明之高電流在不起爆之情況下啟動分數氫程序。可藉由使用一點焊接機(泰勒-溫菲爾德模型ND-24-75點焊接機，75 KVA)在跨一Mo箔之約1 V之一壓降下施加25 kA而實驗性地確認本發明之此態樣。在缺乏可見發射之情況下在來自UV發射之一金屬箔光陰極處觀察到一光電子效應。效應隨著焊接機重複啟動而相繼減少至零。結果係歸因於剩餘氫反應以形成分數氫，其中高電流起始反應。效應之暗性質指示藉由分數氫程序選擇性地發射UV光子以導致光電子效應。隨著藉由經施加焊接機功率消耗或驅出Mo箔中之氫而使效應減少。V. 其他應用 在一實施例中，SF-CIHT電池之輸出功率經發射為傳輸至一負載之電磁輻射，負載使用一天線接收輻射。可藉由使用由SF-CIHT電池產生之電力為一傳輸器供電而達成發射。可藉由使用諸如天線之方向性且經對準發射及接收裝置而使輻射具有方向性。在另一實施例中，藉由諸如磁感應之感應轉移功率。磁感應可在任何所要功率位準下處於射頻，諸如在約1 kHz至1 GHz之頻率範圍中。 在圖5中展示之一實施例中，產生器包括一熱功率轉換器，其包括電池壁中之一熱交換器87、至少一個熱交換器冷卻劑入口管線84、至少一個熱交換器冷卻劑出口管線85、視情況一第二熱交換器、一鍋爐、諸如一水蒸汽渦輪機之一渦輪機及一產生器86。在一實施例中，熱功率轉換器包括熟習此項技術者已知的除水以外的一冷卻劑。在另一實施例中，電池壁包括加熱冷卻劑之熱交換器。諸如水之冷卻劑可回應於接收來自電池之熱而沸騰。藉由沸騰形成之氣體可流動至諸如一渦輪機(諸如在氣體係水蒸汽之情況中之一水蒸汽渦輪機)之一熱引擎中。在一實施例中，電池可包括鍋爐。系統可進一步包括至少另一熱交換器以及加熱器、預加熱器、鍋爐、冷凝器及一熱功率轉換器之其他組件(諸如熟習此項技術者已知的組件)。 在另一實施例中，電池壁之至少一部分包括與諸如一史特林引擎之一熱引擎接觸之一熱交換器。可藉由諸如一熱管道之一熱導管連接壁與熱引擎，熱管道將來自電池及電池壁之至少一者之熱轉移至熱引擎。 使用微通道支撐具有包括一平板之引擎頭板之史特林引擎以用於熱轉移(諸如CPV之一冷板之熱轉移)。可使用放電機械加工製造微通道。 SF-CIHT產生器可進一步包括一光源及一光學反應器之至少一者以形成分數氫。光源可包括一強烈紫外線及極紫外線光源。為充當一光源，SF-CIHT電池可進一步包括對所要光透明之一窗。分數氫可經收集為一氣體或捕集於諸如KOH-KCl之一吸氣劑中。可低溫地收集分數氫氣體。
2:電源/電源供應器
72:皮帶
73:軸承
84:熱交換器冷卻劑入口管線
85:熱交換器冷卻劑出口管線
86:產生器
87:熱交換器

Claims (24)

  1. 一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一熔化金屬； 至少一個熔化金屬噴射系統，其包括一熔化金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中該等額外反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O，及 c)至少一個原子氫來源或原子氫； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源，其中該電源自電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔化金屬； 光輸出及熱輸出之至少一者至電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統。
  2. 如請求項1之電力系統，其中該熔化金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔化金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短時間爆發性高電流電能。
  3. 如請求項1之電力系統，其中該等電極包括一耐火金屬。
  4. 如請求項3之電力系統，其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短時間爆發性高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器。
  5. 如請求項1之電力系統，其中該熔化金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體。
  6. 如請求項1之電力系統，其中該熔化金屬貯槽包括一感應耦合加熱器。
  7. 如請求項2之電力系統，其中該熔化金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中藉由該熔化金屬之該噴射閉合該斷路以導致該高電流流動以達成點火。
  8. 如請求項7之電力系統，其中該熔化金屬點火系統電流在500 A至50,000 A之範圍中。
  9. 如請求項8之電力系統，其中該熔化金屬點火系統其中該電路經閉合以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率。
  10. 如請求項1之電力系統，其中該熔化金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者。
  11. 如請求項1之電力系統，其中該等額外反應物包括H2 O蒸汽及氫氣之至少一者。
  12. 如請求項1之電力系統，其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H2 O及H2 壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將該H2 O及H2 壓力之至少一者維持在一所要值。
  13. 如請求項12之電力系統，其中該額外反應物噴射系統將該H2 O蒸汽壓力維持在0.1托至1托之範圍中。
  14. 如請求項1之電力系統，其中回收該等反應物之產物之該系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之該容器、一電極電磁泵及與該容器連通之該貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度下以導致該熔化金屬之金屬蒸汽凝結在該貯槽中。
  15. 如請求項14之電力系統，其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體。
  16. 如請求項1之電力系統，其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之該壓力之一外腔室。
  17. 如請求項16之電力系統，其中將包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度下。
  18. 如請求項17之電力系統，其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬。
  19. 如請求項1之電力系統，其中反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括以下之群組之至少一者：一熱光伏打轉換器、一光伏打轉換器、一光電子轉換器、一電漿動力學轉換器、一熱離子轉換器、一熱電轉換器、一史特林(Sterling)引擎、一布雷頓循環(Brayton cycle)引擎、一郎肯循環(Rankie cycle)引擎及一熱引擎以及一加熱器。
  20. 如請求項19之電力系統，其中藉由電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括自以下選擇之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)、銻砷磷化銦(InPAsSb)、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge。
  21. 如請求項19之電力系統，其中由該電池發射之該光主要係紫外線光，且該等光伏打電池係包括自一III族氮化物、GaN、AlN、GaAlN及InGaN選擇之至少一種化合物之聚光器電池。
  22. 如請求項1之電力系統，其進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。
  23. 一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O； c)至少一個原子氫來源或原子氫；及 d)一熔化金屬； 至少一個熔化金屬噴射系統，其包括一熔化金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中該等額外反應物包括： a)包括新生H2 O之至少一個觸媒來源或一觸媒； b)至少一個H2 O來源或H2 O，及 c)至少一個原子氫來源或原子氫； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源以導致該等反應物形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，其中該電源自電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔化金屬； 光輸出及熱輸出之至少一者至電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統； 其中該熔化金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔化金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短時間爆發性高電流電能； 其中該等電極包括一耐火金屬； 其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短時間爆發性高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器； 其中該熔化金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 其中該熔化金屬貯槽包括一感應耦合加熱器； 其中該熔化金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中藉由該熔化金屬之該噴射閉合該斷路以導致該高電流流動以達成點火； 其中該熔化金屬點火系統電流在500 A至50,000 A之範圍中； 其中該熔化金屬點火系統其中該電路經閉合以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率； 其中該熔化金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者； 其中該等額外反應物包括H2 O蒸汽及氫氣之至少一者； 其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H2 O及H2 壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將該H2 O及H2 壓力之至少一者維持在一所要值； 其中該額外反應物噴射系統將該H2 O蒸汽壓力維持在0.1托至1托之範圍中； 其中回收該等反應物之產物之該系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之該容器、一電極電磁泵及與該容器連通之該貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度下以導致該熔化金屬之金屬蒸汽凝結在該貯槽中； 其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體； 其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之該壓力之一外腔室； 其中包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度下； 其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬； 其中該黑體輻射器進一步包括一黑體溫度感測器及控制器； 其中反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括一熱光伏打轉換器及一光伏打轉換器之群組之至少一者； 其中藉由該電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括自以下選擇之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)、III/V族半導體、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge，且該電力系統進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。
  24. 一種產生電能及熱能之至少一者之電力系統，其包括： 至少一個容器，其能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力； 反應物，該等反應物包括： a)至少一個H2 O來源或H2 O； b)H2 氣體；及 c)一熔化金屬； 至少一個熔化金屬噴射系統，其包括一熔化金屬貯槽及一電磁泵； 至少一個額外反應物噴射系統，其中該等額外反應物包括： a)至少一個H2 O來源或H2 O，及 b)H2 ； 至少一個反應物點火系統，其包括一電源以導致該等反應物形成發光電漿及發熱電漿之至少一者，其中該電源自該電力轉換器接收電力； 一系統，其回收該熔化金屬； 光輸出及熱輸出之至少一者至電力及/或熱功率之至少一個電力轉換器或輸出系統； 其中該熔化金屬點火系統包括： a)至少一組電極，其限制該熔化金屬；及 b)一電源，其遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短時間爆發性高電流電能； 其中該等電極包括一耐火金屬； 其中遞送足以導致該等反應物反應以形成電漿之一短時間爆發性高電流電能之該電源包括至少一個超級電容器； 其中該熔化金屬噴射系統包括一電磁泵，該電磁泵包括提供一磁場及電流源以提供一向量交叉電流分量之至少一個磁體； 其中該熔化金屬貯槽包括一感應耦合加熱器以至少首先加熱形成該熔化金屬之一金屬； 其中該熔化金屬點火系統包括經分離以形成一斷路之至少一組電極，其中該斷路藉由該熔化金屬之噴射而閉合以導致該高電流流動以達成點火； 其中該熔化金屬點火系統電流在500 A至50,000 A之範圍中； 其中該熔化金屬點火系統其中該電路經閉合以導致在1 Hz至10,000 Hz之範圍中之一點火頻率； 其中該熔化金屬包括銀、銀銅合金及銅之至少一者； 其中該額外反應物噴射系統包括以下至少一者：一電腦、H2 O及H2 壓力感測器以及包括一質量流量控制器、一泵、一注射泵及一高精度電子可控制閥之群組之至少一或多者之流量控制器；該閥包括一針閥、比例電子閥及步進馬達閥之至少一者，其中藉由該壓力感測器及該電腦控制該閥以將該H2 O及H2 壓力之至少一者維持在一所要值； 其中該額外反應物噴射系統將該H2 O蒸汽壓力維持在0.1托至1托之範圍中； 其中回收該等反應物之產物之該系統包括包含能夠在重力下提供流至熔體之壁之該容器、一電極電磁泵及與該容器連通之該貯槽之至少一者且進一步包括一冷卻系統以將該貯槽維持在低於該容器之另一部分之一溫度下以導致該熔化金屬之金屬蒸汽凝結在該貯槽中； 其中包括一電極電磁泵之該回收系統包括提供一磁場及一向量交叉點火電流分量之至少一個磁體； 其中能夠維持低於、處於或高於大氣壓之一壓力之該容器包括一內反應單元、包括一高溫黑體輻射器之一頂蓋及能夠維持低於、處於或高於大氣壓之該壓力之一外腔室； 其中包括一黑體輻射器之該頂蓋維持在1000 K至3700 K之範圍中之一溫度下； 其中該內反應單元及包括一黑體輻射器之頂蓋之至少一者包括具有一高發射率之一耐火金屬； 其中該黑體輻射器進一步包括一黑體溫度感測器及控制器； 其中反應功率輸出之該至少一個電力轉換器包括一熱光伏打轉換器及一光伏打轉換器之至少一者； 其中由電池發射之光主要係包括可見光及近紅外線光之黑體輻射，且該等光伏打電池係包括自以下選擇之至少一種化合物之聚光器電池：結晶矽、鍺、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦鎵(InGaAs)、銻砷化銦鎵(InGaAsSb)及銻砷磷化銦(InPAsSb)、III/V族半導體、InGaP/InGaAs/Ge、InAlGaP/AlGaAs/GaInNAsSb/Ge、GaInP/GaAsP/SiGe、GaInP/GaAsP/Si、GaInP/GaAsP/Ge、GaInP/GaAsP/Si/SiGe、GaInP/GaAs/InGaAs、GaInP/GaAs/GaInNAs、GaInP/GaAs/InGaAs/InGaAs、GaInP/Ga(In)As/InGaAs、GaInP-GaAs-晶圓-InGaAs、GaInP-Ga(In)As-Ge及GaInP-GaInAs-Ge，且該電力系統進一步包括一真空泵及至少一個冷凍器。
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