TW202139393A - 端子連接結構、顯示單元及顯示器 - Google Patents

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Abstract

本申請涉及光學技術領域，公開了一種端子連接結構，包括：多個端子、多個端子側導電孔、電連接層、以及多個發光器件側導電孔；其中，電連接層能夠通過多個發光器件側導電孔與發光器件層中的多個發光器件電連接，以及通過多個端子側導電孔與多個端子電連接；多個端子呈陣列排佈且不超出發光器件層的覆蓋範圍。上述的端子連接結構，使得即使發光器件的尺寸非常小，也可以有效設置用於從發光器件引線的端子。本申請還公開了一種顯示單元和顯示器。

Description

端子連接結構、顯示單元及顯示器
本申請主張在2020年04月08日提交中國知識産權局、申請號爲202010269351.8、發明名稱爲“端子連接結構、顯示單元及顯示器”的中國專利申請的優先權，其全部內容通過引用結合在本申請中。
本申請涉及光學技術領域，例如涉及一種端子連接結構、顯示單元及顯示器。
為了實現對發光器件的控制，需要設置用於從發光器件引線的端子。
在實現本公開實施例的過程中，發現相關技術中至少存在如下問題：
當發光器件的尺寸非常小時，尚不存在設置用於從發光器件引線的端子的技術方案。
為了對披露的實施例的一些方面有基本的理解，下面給出了簡單的概括。該概括不是泛泛評述，也不是要確定關鍵／重要組成元素或描繪這些實施例的保護範圍，而是作為後面的詳細說明的序言。
本公開實施例提供了一種端子連接結構、顯示單元及顯示器，以解決不存在設置用於從發光器件引線的端子的技術方案的技術問題。
本公開實施例提供的端子連接結構，包括：多個端子、多個端子側導電孔、電連接層、以及多個發光器件側導電孔；其中，
電連接層能夠通過多個發光器件側導電孔與發光器件層中的多個發光器件電連接，以及通過多個端子側導電孔與多個端子電連接；
多個端子呈陣列排佈且不超出發光器件層的覆蓋範圍。
在一些實施例中，多個端子可以不超出發光器件層的縱向投影範圍。
在一些實施例中，多個端子可以不超出發光器件層中的部分或全部發光器件所限定的面的縱向投影範圍。
在一些實施例中，多個端子中的至少一個端子可以位於發光器件層的覆蓋範圍的邊緣。可選地，多個端子中可以沒有端子位於發光器件層的覆蓋範圍的邊緣。
在一些實施例中，位於發光器件層的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子的中心，可以與連接至少一個端子的至少一個端子側導電孔的中心不對位。
在一些實施例中，位於發光器件層的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子，可以具有不同於其他部分或全部端子的形狀。
在一些實施例中，位於發光器件層的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子，可以具有不同於其他部分或全部端子的面積。
在一些實施例中，位於發光器件層的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子，與相鄰的至少一個端子之間的間距，可以不同於端子間平均間距。
在一些實施例中，電連接層可以包括至少兩層電連接層；至少兩層電連接層均能夠通過多個發光器件側導電孔與多個發光器件電連接，以及均通過多個端子側導電孔與多個端子電連接。
在一些實施例中，至少兩層電連接層可以包括發光器件側電連接層、端子側電連接層；多個發光器件側導電孔可以包括多個第一發光器件導電孔、第二發光器件導電孔。
在一些實施例中，發光器件側電連接層能夠通過多個第一發光器件導電孔與多個發光器件電連接。可選地，端子側電連接層能夠通過多個第二發光器件導電孔與多個發光器件電連接。
在一些實施例中，多個發光器件中的至少一個包括第一電極、第二電極。
在一些實施例中，發光器件側電連接層能夠通過多個第一發光器件導電孔中的至少一個與第一電極電連接。可選地，端子側電連接層能夠通過多個第二發光器件導電孔中的至少一個與第二電極電連接。
在一些實施例中，多個發光器件中的每個發光器件可以包括第一電極、第二電極。
在一些實施例中，發光器件側電連接層能夠通過多個第一發光器件導電孔分別與多個發光器件中不同發光器件的第一電極電連接。可選地，端子側電連接層能夠通過多個第二發光器件導電孔分別與多個發光器件中不同發光器件的第二電極電連接。
在一些實施例中，從多個端子向多個發光器件，可以依次設置有：端子側電連接層、發光器件側電連接層。
在一些實施例中，端子連接結構還可以包括以下至少之一的絕緣層：
將多個端子與端子側電連接層相隔離的絕緣層；
將端子側電連接層與發光器件側電連接層相隔離的絕緣層；
將發光器件側電連接層與多個發光器件相隔離的絕緣層。
在一些實施例中，多個端子側導電孔可以包括多個第一端子導電孔、多個第二端子導電孔。
在一些實施例中，發光器件側電連接層可以通過多個第一端子導電孔與多個端子電連接。可選地，端子側電連接層可以通過多個第二端子導電孔與多個端子電連接。
在一些實施例中，多個端子可以包括至少一個第一端子、至少一個第二端子。
在一些實施例中，發光器件側電連接層可以通過多個第一端子導電孔中的至少一個與至少一個第一端子電連接。可選地，端子側電連接層可以通過多個第二端子導電孔中的至少一個與至少一個第二端子電連接。
在一些實施例中，至少一個第一端子可以包括多個第一端子，至少一個第二端子包括多個第二端子。
在一些實施例中，發光器件側電連接層可以通過多個第一端子導電孔分別與多個第一端子電連接。可選地，端子側電連接層可以通過多個第二端子導電孔分別與多個第二端子電連接。
在一些實施例中，發光器件側電連接層和端子側電連接層中至少之一，可以以如下方式設置：
發光器件側電連接層包括至少一層的發光器件側導電走線；
端子側電連接層包括至少一層的端子側導電走線。
在一些實施例中，發光器件側導電走線和端子側導電走線中至少之一可以呈陣列排佈。
在一些實施例中，發光器件側導電走線和端子側導電走線中至少之一可以以行或列的形式呈陣列排佈。
在一些實施例中，發光器件側導電走線可以以行的形式呈陣列排佈，端子側導電走線可以以列的形式呈陣列排佈。可選地，發光器件側導電走線可以以列的形式呈陣列排佈，端子側導電走線可以以行的形式呈陣列排佈。
在一些實施例中，端子側導電走線中的每條走線可以與多個端子中的至少一個端子電連接。可選地，發光器件側導電走線中的每條走線可以與多個端子中的至少一個端子電連接。
在一些實施例中，多個端子中的至少一個端子可以覆蓋多個端子側導電孔中的至少一個端子側導電孔。
在一些實施例中，多個端子中的部分或全部端子之間可以等間距設置。
在一些實施例中，多個端子中的部分可以呈陣列排佈。可選地，多個端子全部可以呈陣列排佈。
本公開實施例提供的顯示單元，包括多個發光器件，以及上述的端子連接結構。
在一些實施例中，多個發光器件可以包括至少一個發光二極體（LED）發光器件。
在一些實施例中，至少一個LED發光器件可以包括至少一個微（Micro）LED發光器件。
在一些實施例中，多個發光器件可以呈陣列排佈。
在一些實施例中，多個發光器件中的部分可以呈陣列排佈。可選地，多個發光器件全部可以呈陣列排佈。
本公開實施例提供的顯示器，包括上述的顯示單元。
本公開實施例提供的端子連接結構、顯示單元及顯示器，可以實現以下技術效果：
即使發光器件的尺寸非常小，也可以有效設置用於從發光器件引線的端子。
以上的總體描述和下文中的描述僅是示例性和解釋性的，不用於限制本申請。
為了能夠更加詳盡地瞭解本公開實施例的特點與技術內容，下面結合附圖對本公開實施例的實現進行詳細闡述，所附附圖僅供參考說明之用，並非用來限定本公開實施例。在以下的技術描述中，為方便解釋起見，通過多個細節以提供對所披露實施例的充分理解。然而，在沒有這些細節的情況下，一個或多個實施例仍然可以實施。在其它情況下，為簡化附圖，熟知的結構和裝置可以簡化展示。
參見圖1A、圖1B，本公開實施例提供了一種端子連接結構，包括：多個端子110、多個端子側導電孔120、電連接層130、以及多個發光器件側導電孔140；其中，
電連接層130能夠通過多個發光器件側導電孔140與發光器件層1510中的多個發光器件150電連接，以及通過多個端子側導電孔120與多個端子110電連接；
多個端子110呈陣列排佈且不超出發光器件層1510的覆蓋範圍。
這樣，即使發光器件150的尺寸非常小，也可以有效設置用於從發光器件150引線的端子110。另外，還有利於端子連接結構的小型化。
在一些實施例中，電連接層130可以包括至少兩層電連接層；該至少兩層電連接層均能夠通過多個發光器件側導電孔140與多個發光器件150電連接，以及均通過多個端子側導電孔120與多個端子110電連接。
參見圖1B，在一些實施例中，多個端子110可以不超出發光器件層1510的縱向投影範圍。在一些實施例中，發光器件層1510的覆蓋範圍可以表示為發光器件層1510的縱向投影範圍。可選地，以虛線框表示的發光器件層1510可以代表發光器件層1510的縱向投影範圍。
如圖1B所示，發光器件層1510的縱向投影範圍可以小於電連接層130的覆蓋範圍。在一些實施例中，發光器件層1510的縱向投影範圍與電連接層130的覆蓋範圍可以相同。可選地，發光器件層1510的縱向投影範圍可以大於電連接層130的覆蓋範圍。可選地，可以根據工藝需求等實際情況，考慮發光器件層1510的覆蓋範圍與電連接層130的覆蓋範圍之間的關係。
參見圖2，在一些實施例中，多個端子110可以不超出發光器件層1510中的部分或全部發光器件150所限定的面1520的縱向投影範圍。在一些實施例中，發光器件層1510中的部分發光器件150所限定的面1520的縱向投影範圍在發光器件層1510的覆蓋範圍內。可選地，發光器件層1510中的全部發光器件150所限定的面1520的縱向投影範圍可以在發光器件層1510的覆蓋範圍內，或可以與發光器件層1510的覆蓋範圍相同。
參見圖3，在一些實施例中，多個端子110中的至少一個端子110可以位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣。如圖3中所示，最左側的兩個端子110位於發光器件層1510的覆蓋範圍的左邊緣，例如：最左側的兩個端子110的左邊緣與發光器件層1510的覆蓋範圍的左邊緣對齊；最右側的兩個端子110位於發光器件層1510的覆蓋範圍的右邊緣，例如：最右側的兩個端子110的右邊緣與發光器件層1510的覆蓋範圍的右邊緣對齊。可選地，針對位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣的端子110，可以根據工藝需求等實際情況對該端子110的數量和位置予以考慮。
在一些實施例中，可以如圖1B中所示，多個端子110中可以沒有端子110位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣。
參見圖4，在一些實施例中，位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子110的中心A，可以與連接至少一個端子110的至少一個端子側導電孔120的中心B不對位。如圖4中所示，最右側的端子110位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣，該端子110的中心A（以中心線的形式表示，也可以稱為軸線）與連接該端子110的端子側導電孔120的中心B（以中心線的形式表示，也可以稱為軸線）不在同一條竪直的直線上。
在一些實施例中，位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子110的中心A，可以與連接至少一個端子110的至少一個端子側導電孔120的中心B對位。可選地，位於發光器件層1510的覆蓋範圍內的至少一個端子110的中心A，可以與連接至少一個端子110的至少一個端子側導電孔120的中心B對位，或不對位。可選地，可以根據工藝需求等實際情況考慮端子110的中心A與端子側導電孔120的中心B之間的對位關係。
參見圖5，在一些實施例中，位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子110，可以具有不同於其他部分或全部端子110的形狀。在一些實施例中，多個端子110中部分或全部端子110的形狀可以相同或不同。可選地，由於端子110的厚度通常非常小，因此端子110的形狀可以是指端子110的縱向投影的形狀。可選地，多個端子110中至少一個端子110的形狀可以為矩形、圓形、球形等，也可以根據工藝需求等實際情況設置多邊形、異形等其他形狀。
在一些實施例中，位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子110，可以具有不同於其他部分或全部端子110的面積。例如：如圖5中所示，形狀為圓形的端子110位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣，該圓形的端子110的面積可以小於其他部分或全部端子110的面積。
在一些實施例中，無論多個端子110中的部分或全部端子110的形狀是否相同，多個端子110中的至少一個端子110，可以具有不同於其他部分或全部端子110的面積，例如：位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子110，可以具有不同於其他部分或全部端子110的面積；或，位於發光器件層1510的覆蓋範圍內的至少一個端子110，可以具有不同於其他部分或全部端子110的面積。可選地，位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子110，可以具有大於或小於其他部分或全部端子110的面積；或，位於發光器件層1510的覆蓋範圍內的至少一個端子110，可以具有大於或小於其他部分或全部端子110的面積。在一些實施例中，多個端子110中的部分或全部端子110的面積可以相同。
參見圖6，在一些實施例中，位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣的至少一個端子110，與相鄰的至少一個端子110之間的間距d，可以不同於端子110間平均間距D。如圖6中所示，假設最下側的兩個端子110之間的間距為端子110間平均間距D，最右側的兩個端子110位於發光器件層1510的覆蓋範圍的邊緣，最右側的兩個端子110之間的間距d可以大於端子110間平均間距D。可選地，最右側的兩個端子110之間的間距d可以小於端子110間平均間距D。在一些實施例中，最左側的兩個端子110之間的間距d可以大於或小於端子110間平均間距D。可選地，可以根據工藝需求等實際情況靈活設置位於不同位置的端子110之間的間距d。
參見圖7，在一些實施例中，上述的至少兩層電連接層可以包括發光器件側電連接層131、端子側電連接層132。可選地，多個發光器件側導電孔140可以包括多個第一發光器件導電孔141、第二發光器件導電孔142。
在一些實施例中，發光器件側電連接層131能夠通過多個第一發光器件導電孔141與多個發光器件150電連接；端子側電連接層132能夠通過多個第二發光器件導電孔142與多個發光器件150電連接。
參見圖8，在一些實施例中，多個發光器件150中的至少一個可以包括第一電極151、第二電極152。
在一些實施例中，發光器件側電連接層131能夠通過多個第一發光器件導電孔141中的至少一個與第一電極151電連接；端子側電連接層132能夠通過多個第二發光器件導電孔142中的至少一個與第二電極152電連接。
參見圖9，在一些實施例中，多個發光器件150中的每個發光器件150可以包括第一電極151、第二電極152。
在一些實施例中，發光器件側電連接層131能夠通過多個第一發光器件導電孔141分別與多個發光器件150中不同發光器件150的第一電極151電連接；端子側電連接層132能夠通過多個第二發光器件導電孔142分別與多個發光器件150中不同發光器件150的第二電極152電連接。
在一些實施例中，從多個端子110向多個發光器件150，可以依次設置有：端子側電連接層132、發光器件側電連接層131。
參見圖10，在一些實施例中，端子連接結構還可以包括以下至少之一的絕緣層：
將多個端子110與端子側電連接層132相隔離的絕緣層160；
將端子側電連接層132與發光器件側電連接層131相隔離的絕緣層170；
將發光器件側電連接層131與多個發光器件150相隔離的絕緣層180。
在一些實施例中，絕緣層160、絕緣層170、絕緣層180中至少之一可以包括至少一層的絕緣結構。
參見圖11，在一些實施例中，多個端子側導電孔120可以包括多個第一端子導電孔121、多個第二端子導電孔122。
在一些實施例中，發光器件側電連接層131可以通過多個第一端子導電孔121與多個端子110電連接；端子側電連接層132可以通過多個第二端子導電孔122與多個端子110電連接。
參見圖12，在一些實施例中，多個端子110可以包括至少一個第一端子111、至少一個第二端子112。
在一些實施例中，發光器件側電連接層131可以通過多個第一端子導電孔121中的至少一個與至少一個第一端子111電連接；端子側電連接層132可以通過多個第二端子導電孔122中的至少一個與至少一個第二端子112電連接。
參見圖13，在一些實施例中，上述的至少一個第一端子111可以包括多個第一端子111，上述的至少一個第二端子112可以包括多個第二端子112。
在一些實施例中，發光器件側電連接層131可以通過多個第一端子導電孔121分別與多個第一端子111電連接；端子側電連接層132可以通過多個第二端子導電孔122分別與多個第二端子112電連接。
參見圖14A、圖14B，在一些實施例中，發光器件側電連接層131和端子側電連接層132中至少之一，可以以如下方式設置：
發光器件側電連接層131包括至少一層的發光器件側導電走線1311；
端子側電連接層132包括至少一層的端子側導電走線1321。
圖14A中，在發光器件側電連接層131中從上向下例舉了不同層的發光器件側導電走線1311。可選地，發光器件側電連接層131中的每條線段代表一層發光器件側導電走線1311。
圖14B中，在端子側電連接層132中從上向下例舉了不同層的端子側導電走線1321。可選地，端子側電連接層132中的每條線段代表一層端子側導電走線1321。
參見圖15A、圖15B、圖15C、圖15D，在一些實施例中，發光器件側導電走線1311和端子側導電走線1321中至少之一可以呈陣列排佈。
在一些實施例中，發光器件側導電走線1311和端子側導電走線1321中至少之一可以以行或列的形式呈陣列排佈。
如圖15A、圖15B中所示，在一些實施例中，發光器件側導電走線1311可以以列的形式呈陣列排佈，端子側導電走線1321可以以行的形式呈陣列排佈。如圖15C、圖15D中所示，在一些實施例中，發光器件側導電走線1311可以以行的形式呈陣列排佈，端子側導電走線1321可以以列的形式呈陣列排佈。
如圖15A、圖15B、圖15C、圖15D中所示，發光器件側導電走線1311和端子側導電走線1321的陣列排佈方式可以是行列式的。在一些實施例中，發光器件側導電走線1311和端子側導電走線1321的陣列排佈方式可以不同於圖1B中所示，而是呈其他陣列形狀的排佈方式，例如：圓形、橢圓形、三角形等陣列排佈方式。可選地，無論發光器件側導電走線1311和端子側導電走線1321的陣列排佈方式如何，只要能夠有效設置用於從發光器件150引線的多個端子110即可。
在一些實施例中，端子側導電走線1321中的每條走線可以與多個端子110中的至少一個端子110電連接。可選地，發光器件側導電走線1311中的每條走線可以與多個端子110中的至少一個端子110電連接。
在一些實施例中，端子側導電走線1321中的每條走線可以與多個第二端子112中的一個第二端子112電連接，以使端子側導電走線1321中的不同走線分別與多個第二端子112中的不同第二端子112電連接。可選地，端子側導電走線1321中的每條走線可以與多個第二端子112中的至少兩個第二端子112電連接，以提供第二端子112與端子側導電走線1321之間電連接的備份。
在一些實施例中，發光器件側導電走線1311中的每條走線可以與多個第一端子111中的一個第一端子111電連接，以使發光器件側導電走線1311中的不同走線分別與多個第一端子111中的不同第一端子111電連接。可選地，發光器件側導電走線1311中的每條走線可以與多個第一端子111中的至少兩個第一端子111電連接，以提供第一端子111與發光器件側導電走線1311之間電連接的備份。
參見圖7，在一些實施例中，多個端子110中的至少一個端子110可以覆蓋多個端子側導電孔120中的至少一個端子側導電孔120，例如：多個端子110中的至少一個端子110可以覆蓋該端子110所電連接的多個端子側導電孔120中的至少一個端子側導電孔120。
在一些實施例中，多個端子110中的至少一個端子110可以覆蓋多個端子側導電孔120中的至少一個端子側導電孔120的部分或全部，例如：多個端子110中的至少一個端子110可以覆蓋該端子110所電連接的多個端子側導電孔120中的至少一個端子側導電孔120的部分或全部。可選地，多個端子110中的至少一個端子110可以不覆蓋該端子110所電連接的多個端子側導電孔120中的至少一個端子側導電孔120。可選地，無論端子110是否覆蓋端子側導電孔120，也無論端子110覆蓋端子側導電孔120的部分還是全部，只要能夠有效實現端子110與端子側導電孔120之間的電連接，以有效設置用於從發光器件150引線的多個端子110即可。
參見圖1B，在一些實施例中，多個端子110中的部分或全部端子110之間可以等間距設置。可選地，多個端子110中的部分或全部端子110之間可以存在距離變動範圍，以使多個端子110中的部分或全部端子110的位置能夠根據該距離變動範圍靈活設置，例如：多個端子110中的部分端子110之間可以等間距設置，其他端子110之間可以非等間距設置，或多個端子110中的全部端子110之間可以非等間距設置。
參見圖1B，在一些實施例中，多個端子110中的部分可以呈陣列排佈。可選地，多個端子110全部可以呈陣列排佈。
如圖1B中所示，無論多個端子110中的部分還是全部呈陣列排佈，多個端子110的陣列排佈方式可以是矩陣式的，例如：行列式。在一些實施例中，多個端子110的陣列排佈方式可以不同於圖1B中所示，而是呈其他陣列形狀的排佈方式，例如：圓形、橢圓形、三角形等陣列排佈方式。可選地，無論多個端子110的陣列排佈方式如何，只要能夠有效設置用於從發光器件150引線的多個端子110即可。
在一些實施例中，多個端子110中部分或全部端子110的形狀可以相同或不同。可選地，由於端子110的厚度通常非常小，因此端子110的形狀可以是指端子110的表面的形狀。可選地，多個端子110中至少一個端子110的形狀可以為矩形、圓形、球形等，也可以根據工藝需求等實際情況設置多邊形、異形等其他形狀。
參見圖16，本公開實施例提供了一種顯示單元200，包括多個發光器件150，以及上述的端子連接結構。
參見圖17，在一些實施例中，多個發光器件150可以包括至少一個發光二極體（LED）發光器件153，例如：多個發光器件150中的部分或全部可以是LED發光器件153。
參見圖18，在一些實施例中，至少一個LED發光器件153可以包括至少一個微發光二極體（Micro LED）發光器件154，例如：多個發光器件150中的部分或全部可以是Micro LED發光器件154。可選地，至少一個LED發光器件153可以包括至少一個迷你（Mini）LED發光器件，例如：多個發光器件150中的部分或全部可以是Mini LED發光器件。
參見圖19，在一些實施例中，多個發光器件150可以呈陣列排佈。
在一些實施例中，多個發光器件150中的部分可以呈陣列排佈。可選地，多個發光器件150全部可以呈陣列排佈。
如圖19中所示，無論多個發光器件150中的部分還是全部呈陣列排佈，多個發光器件150的陣列排佈方式可以是矩陣式的，例如：行列式。在一些實施例中，多個發光器件150的陣列排佈方式可以不同於圖19中所示，而是呈其他陣列形狀的排佈方式，例如：圓形、橢圓形、三角形等陣列排佈方式。可選地，無論多個發光器件150的陣列排佈方式如何，只要能夠有效設置從發光器件150引線的多個端子110即可。
在一些實施例中，多個發光器件150中部分或全部發光器件150的形狀可以相同或不同。可選地，由於發光器件150的厚度通常非常小，因此發光器件150的形狀可以是指發光器件150的縱向投影的形狀。可選地，多個發光器件150中至少一個發光器件150的形狀可以為矩形、圓形、球形等，也可以根據工藝需求等實際情況設置多邊形、異形等其他形狀。
在一些實施例中，顯示單元200可以進行3D顯示。
在一些實施例中，不同的顯示單元200可以拼接到一起。可選地，可以根據工藝需求等實際情況，考慮不同的顯示單元200拼接到一起的方式及所拼接的顯示單元200的數量。可選地，兩個拼接到一起的顯示單元200之間不存在走線邊框。
參見圖20A、圖20B，本公開實施例提供了一種顯示器300，包括上述的顯示單元200。
在一些實施例中，顯示器300可以進行3D顯示。
在一些實施例中，顯示器300可以包括至少一個顯示單元200；例如：顯示器300可以包括一個、兩個、三個或更多顯示單元200。由顯示單元200所構成的顯示器300中，在兩個拼接到一起的顯示單元200之間不存在走線邊框。
如圖20B中所示，顯示器300中設置的多個顯示單元200中的部分或全部可以呈陣列排佈。在一些實施例中，多個顯示單元200的陣列排佈方式可以是矩陣式的，例如：行列式。在一些實施例中，多個顯示單元200的陣列排佈方式可以不同於圖20B中所示，而是呈其他陣列形狀的排佈方式，例如：圓形、橢圓形、三角形等陣列排佈方式。
在一些實施例中，顯示器300中設置的不同的顯示單元200可以拼接到一起。可選地，可以根據工藝需求等實際情況，考慮不同的顯示單元200拼接到一起的方式及所拼接的顯示單元200的數量。可選地，兩個拼接到一起的顯示單元200之間可以不存在走線邊框。
本公開實施例提供的端子連接結構、顯示單元及顯示器，即使在發光器件的尺寸非常小的情況下，也可以有效設置用於從發光器件引線的端子。
以上描述和附圖充分地示出了本公開的實施例，以使本領域技術人員能夠實踐它們。其他實施例可以包括結構的、邏輯的、電氣的、過程的以及其他的改變。實施例僅代表可能的變化。除非明確要求，否則單獨的部件和功能是可選的，並且操作的順序可以變化。一些實施例的部分和特徵可以被包括在或替換其他實施例的部分和特徵。本公開實施例的範圍包括申請專利範圍的整個範圍，以及申請專利範圍的所有可獲得的等同物。當用於本申請中時，雖然術語“第一”、“第二”等可能會在本申請中使用以描述各元件，但這些元件不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件與另一個元件區別開。比如，在不改變描述的含義的情況下，第一元件可以叫做第二元件，並且同樣地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出現的“第一元件”一致重命名並且所有出現的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申請中使用的用詞僅用於描述實施例並且不用於限制申請專利範圍。如在實施例以及申請專利範圍的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否則單數形式的“一個”（a）、“一個”（an）和“所述”（the）旨在同樣包括複數形式。類似地，如在本申請中所使用的術語“和/或”是指包含一個或一個以上相關聯的列出的任何以及所有可能的組合。另外，當用於本申請中時，術語“包括”（comprise）及其變型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陳述的特徵、整體、步驟、操作、元素，和/或組件的存在，但不排除一個或一個以上其它特徵、整體、步驟、操作、元素、組件和/或這些的分組的存在或添加。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個…”限定的要素，並不排除在包括該要素的過程、方法或者設備中還存在另外的相同要素。本文中，每個實施例重點說明的可以是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分可以互相參見。對於實施例公開的方法、産品等而言，如果其與實施例公開的方法部分相對應，那麽相關之處可以參見方法部分的描述。
本領域技術人員可以意識到，結合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、或者計算機軟件和電子硬件的結合來實現。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執行，可以取決於技術方案的特定應用和設計約束條件。本領域技術人員可以對每個特定的應用來使用不同方法以實現所描述的功能，但是這種實現不應認為超出本公開實施例的範圍。本領域技術人員可以清楚地瞭解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的系統、裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應過程，在此不再贅述。
本文所披露的實施例中，所揭露的方法、産品（包括但不限於裝置、設備等），可以通過其它的方式實現。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，單元的劃分，可以僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結合或者可以集成到另一個系統，或一些特徵可以忽略，或不執行。另外，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機械或其它的形式。作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位於一個地方，或者也可以分佈到多個網絡單元上。可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現本實施例。另外，在本公開實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。
110:端子 A:中心 111:第一端子 112:第二端子 120:端子側導電孔 B:中心 d:間距 D:平均間距 121:第一端子導電孔 122:第二端子導電孔 130:電連接層 131:發光器件側電連接層 1311:發光器件側導電走線 132:端子側電連接層 1321:端子側導電走線 140:發光器件側導電孔 141:第一發光器件導電孔 142:第二發光器件導電孔 150:發光器件 1510:發光器件層 1520:面 151:第一電極 152:第二電極 153:發光二極體(LED)發光器件 154:微發光二極體(Micro LED)發光器件 160:絕緣層 170:絕緣層 180:絕緣層 200:顯示單元 300:顯示器
一個或多個實施例通過與之對應的附圖進行示例性說明，這些示例性說明和附圖並不構成對實施例的限定，附圖中具有相同參考數字標號的元件示為類似的元件，附圖不構成比例限制，並且其中：
圖1A、圖1B是本公開實施例提供的端子連接結構的結構示意圖；
圖2是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖3是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖4是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖5是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖6是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖7是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖8是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖9是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖10是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖11是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖12是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖13是本公開實施例提供的端子連接結構的另一結構示意圖；
圖14A、圖14B是本公開實施例提供的發光器件側電連接層、端子側電連接層的結構示意圖；
圖15A、圖15B、圖15C、圖15D是本公開實施例提供的發光器件側導電走線、端子側導電走線的設置示意圖；
圖16是本公開實施例提供的顯示單元的結構示意圖；
圖17是本公開實施例提供的顯示單元的另一結構示意圖；
圖18是本公開實施例提供的顯示單元的另一結構示意圖；
圖19是本公開實施例提供的顯示單元的另一結構示意圖；
圖20A、圖20B是本公開實施例提供的顯示器的結構示意圖。
110:端子
120:端子側導電孔
130:電連接層
140:發光器件側導電孔
150:發光器件
1510:發光器件層

Claims (31)

  1. 一種端子連接結構，包括：多個端子、多個端子側導電孔、電連接層、以及多個發光器件側導電孔；其中， 所述電連接層能夠通過所述多個發光器件側導電孔與發光器件層中的多個發光器件電連接，以及通過所述多個端子側導電孔與所述多個端子電連接； 所述多個端子呈陣列排佈且不超出所述發光器件層的覆蓋範圍。
  2. 如請求項1所述的端子連接結構，其中，所述多個端子不超出所述發光器件層的縱向投影範圍。
  3. 如請求項1所述的端子連接結構，其中，所述多個端子不超出所述發光器件層中的部分或全部發光器件所限定的面的縱向投影範圍。
  4. 如請求項1至3任一項所述的端子連接結構，其中， 所述多個端子中的至少一個端子位於所述發光器件層的覆蓋範圍的邊緣；或 所述多個端子中沒有端子位於所述發光器件層的覆蓋範圍的邊緣。
  5. 如請求項4所述的端子連接結構，其中，位於所述發光器件層的覆蓋範圍的邊緣的所述至少一個端子的中心，與連接所述至少一個端子的至少一個端子側導電孔的中心不對位。
  6. 如請求項4所述的端子連接結構，其中，位於所述發光器件層的覆蓋範圍的邊緣的所述至少一個端子，具有不同於其他部分或全部端子的形狀。
  7. 如請求項6所述的端子連接結構，其中，位於所述發光器件層的覆蓋範圍的邊緣的所述至少一個端子，具有不同於其他部分或全部端子的面積。
  8. 如請求項6所述的端子連接結構，其中，位於所述發光器件層的覆蓋範圍的邊緣的所述至少一個端子，與相鄰的至少一個端子之間的間距，不同於端子間平均間距。
  9. 如請求項1至8中任一項所述的端子連接結構，其中，所述電連接層包括至少兩層電連接層；所述至少兩層電連接層均能夠通過所述多個發光器件側導電孔與多個發光器件電連接，以及均通過所述多個端子側導電孔與所述多個端子電連接。
  10. 如請求項9所述的端子連接結構，其中，所述至少兩層電連接層包括發光器件側電連接層、端子側電連接層；所述多個發光器件側導電孔包括多個第一發光器件導電孔、第二發光器件導電孔； 其中，所述發光器件側電連接層能夠通過所述多個第一發光器件導電孔與所述多個發光器件電連接； 所述端子側電連接層能夠通過所述多個第二發光器件導電孔與所述多個發光器件電連接。
  11. 如請求項10所述的端子連接結構，其中，所述多個發光器件中的至少一個包括第一電極、第二電極； 其中，所述發光器件側電連接層能夠通過所述多個第一發光器件導電孔中的至少一個與所述第一電極電連接； 所述端子側電連接層能夠通過所述多個第二發光器件導電孔中的至少一個與所述第二電極電連接。
  12. 如請求項11所述的端子連接結構，其中，所述多個發光器件中的每個發光器件包括第一電極、第二電極； 其中，所述發光器件側電連接層能夠通過所述多個第一發光器件導電孔分別與所述多個發光器件中不同發光器件的第一電極電連接； 所述端子側電連接層能夠通過所述多個第二發光器件導電孔分別與所述多個發光器件中不同發光器件的第二電極電連接。
  13. 如請求項10所述的端子連接結構，其中，從所述多個端子向所述多個發光器件，依次設置有：所述端子側電連接層、所述發光器件側電連接層。
  14. 如請求項13所述的端子連接結構，還包括以下至少之一的絕緣層： 將所述多個端子與所述端子側電連接層相隔離的絕緣層； 將所述端子側電連接層與所述發光器件側電連接層相隔離的絕緣層； 將所述發光器件側電連接層與所述多個發光器件相隔離的絕緣層。
  15. 如請求項10至14中任一項所述的端子連接結構，其中，所述多個端子側導電孔包括多個第一端子導電孔、多個第二端子導電孔； 其中，所述發光器件側電連接層通過所述多個第一端子導電孔與所述多個端子電連接； 所述端子側電連接層通過所述多個第二端子導電孔與所述多個端子電連接。
  16. 如請求項15所述的端子連接結構，其中，所述多個端子包括至少一個第一端子、至少一個第二端子； 其中，所述發光器件側電連接層通過所述多個第一端子導電孔中的至少一個與所述至少一個第一端子電連接； 所述端子側電連接層通過所述多個第二端子導電孔中的至少一個與所述至少一個第二端子電連接。
  17. 如請求項16所述的端子連接結構，其中，所述至少一個第一端子包括多個第一端子，所述至少一個第二端子包括多個第二端子； 其中，所述發光器件側電連接層通過所述多個第一端子導電孔分別與所述多個第一端子電連接； 所述端子側電連接層通過所述多個第二端子導電孔分別與所述多個第二端子電連接。
  18. 如請求項10至17中任一項所述的端子連接結構，其中，所述發光器件側電連接層和所述端子側電連接層中至少之一，以如下方式設置： 所述發光器件側電連接層包括至少一層的發光器件側導電走線； 所述端子側電連接層包括至少一層的端子側導電走線。
  19. 如請求項18所述的端子連接結構，其中，所述發光器件側導電走線和所述端子側導電走線中至少之一呈陣列排佈。
  20. 如請求項19所述的端子連接結構，其中，所述發光器件側導電走線和所述端子側導電走線中至少之一以行或列的形式呈陣列排佈。
  21. 如請求項20所述的端子連接結構，其中， 所述發光器件側導電走線以行的形式呈陣列排佈，所述端子側導電走線以列的形式呈陣列排佈；或， 所述發光器件側導電走線以列的形式呈陣列排佈，所述端子側導電走線以行的形式呈陣列排佈。
  22. 如請求項18所述的端子連接結構，其中， 所述端子側導電走線中的每條走線與所述多個端子中的至少一個端子電連接，或 所述發光器件側導電走線中的每條走線與所述多個端子中的至少一個端子電連接。
  23. 如請求項1所述的端子連接結構，其中，所述多個端子中的至少一個端子覆蓋所述多個端子側導電孔中的至少一個端子側導電孔。
  24. 如請求項1所述的端子連接結構，其中，所述多個端子中的部分或全部端子之間等間距設置。
  25. 如請求項1所述的端子連接結構，其中， 所述多個端子中的部分呈陣列排佈；或， 所述多個端子全部呈陣列排佈。
  26. 一種顯示單元，包括多個發光器件，以及如請求項1至25中任一項所述的端子連接結構。
  27. 如請求項26所述的顯示單元，其中，所述多個發光器件包括至少一個發光二極體(LED)發光器件。
  28. 如請求項27所述的顯示單元，其中，所述至少一個發光二極體(LED)發光器件包括至少一個微發光二極體(Micro LED)發光器件。
  29. 如請求項26至28中任一項所述的顯示單元，其中，所述多個發光器件呈陣列排佈。
  30. 如請求項29所述的顯示單元，其中， 所述多個發光器件中的部分呈陣列排佈；或， 所述多個發光器件全部呈陣列排佈。
  31. 一種顯示器，包括如請求項26至30中任一項所述的顯示單元。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017103884A1 (de) * 2017-02-24 2018-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung, elektronisches Gerät mit einer Beleuchtungseinrichtung und Verwendung einer Beleuchtungseinrichtung
DE102017103888A1 (de) * 2017-02-24 2018-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungseinrichtung
DE102017113573A1 (de) * 2017-06-20 2018-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen
DE102017118490A1 (de) * 2017-08-14 2019-02-14 Tdk Electronics Ag LED Modul
US10756073B2 (en) * 2018-02-13 2020-08-25 Lumens Co., Ltd. Micro LED module with flexible multilayer circuit substrate
CN109950226B (zh) * 2019-03-26 2020-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置
CN212587494U (zh) * 2020-04-08 2021-02-23 北京芯海视界三维科技有限公司 端子连接结构、显示单元及显示器

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