TW202139324A - 用以管理不均勻性的晶圓平面下方之非對稱沖洗塊 - Google Patents

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Abstract

一種用於基板支座之沖洗擋板包含配置以在該基板支座下方的容積中環繞該基板支座周圍的外側周邊的一環形環部、及一第一部分。該第一部分包含：一充氣部，其係界定在該基板支座下方的該容積中之該第一部分的下方和該環形環部的外部；以及複數開口，其提供從該第一部分上方的區域進入該充氣部之各別的流動路徑。該複數開口中的至少第一開口具有第一傳導度，且該複數開口中的至少第二開口具有不同於該第一傳導度的第二傳導度。

Description

用以管理不均勻性的晶圓平面下方之非對稱沖洗塊
[相關申請案的交互參照]本申請案主張2019年12月18日提交的美國臨時專利申請案第62/949,825號的優先權。本揭示內容之標的涉及2018年10月15日提交的美國專利申請案第14/872,513號(現為美國專利第10,157,755號)、以及2018年12月14日提交的美國專利申請案第16/220,914號。在此將上述申請案之全部內容引入以供參照。
本發明係關於從基板處理系統中之處理腔室中沖除氣體混合物。
此處所提供之先前技術說明係為了大體上介紹本發明之背景。在此先前技術章節中所敘述之範圍內之本案列名之發明人的成果、以及在申請時不適格作為先前技術之說明書的實施態樣，皆非有意地或暗示地被承認為對抗本發明之先前技術。
基板處理系統可用以處理基板(例如半導體晶圓)。基板處理之範例包含蝕刻、沉積、光阻去除等。在處理期間，可將基板設置於基板支座上，並且可將一或更多製程氣體導入處理腔室中。例如，基板支座為一基座、靜電吸盤、及/或界定配置以在處理期間支撐基板之表面的其他結構。可藉由氣體輸送系統利用氣體分配裝置(如噴淋頭)將該一或更多製程氣體輸送至處理腔室。
在處理期間，可將不同的氣體混合物導入處理腔室中，然後將其排空。重複進行該程序多次以沉積薄膜、蝕刻基板、及/或執行其他基板處理。在某些基板處理系統中，可使用射頻(RF)電漿以活化化學反應。在某些範例中，該程序利用原子層沉積(ALD)在基板上沉積薄膜。
一種用於基板支座之沖洗擋板包含一環形環部，其係配置以在該基板支座下方的容積中環繞該基板支座周圍的外側周邊；以及一第一部分。該第一部分包含：一充氣部，其係界定在該基板支座下方的該容積中之該第一部分的下方和該環形環部的外部；以及複數開口，其提供從該第一部分上方的區域進入該充氣部之各別的流動路徑。該複數開口中的至少第一開口具有第一傳導度，且該複數開口中的至少第二開口具有不同於該第一傳導度的第二傳導度。
在其它特徵中，該第一開口與該第二開口具有不同的長度。該第一開口與該第二開口具有不同的直徑。該複數開口對應於複數孔洞。該複數開口對應於複數狹縫。該第一部分具有非對稱的形狀。該第一部分具有橢圓形的形狀。該複數開口之各別的傳導度根據距處理腔室之通口的距離而變化。
在其它特徵中，該第一部分的下表面為階狀的。該下表面包含第一階部及第二階部，該第二階部具有與該第一階部不同的高度，該第一開口係設置於該第一階部中，且該第二開口係設置於該第二階部中。該第一部分的下表面為傾斜的。一種處理腔室包含該沖洗擋板及該基板支座，且該沖洗擋板係設置於該基板支座下方的該容積中。該環形環部的內徑比該基板支座的外徑大1-2 mm。該基板支座下方的該容積為非對稱的。
一種在處理腔室中用於基板支座之沖洗擋板包含：一護罩，其係配置以在該基板支座下方的容積中界定環形的充氣部；複數開口，其位在該護罩中，該複數開口提供從該基板支座上方的區域進入該充氣部之各別的流動路徑；以及複數通道，其係界定在該充氣部內，該複數通道對應於該複數開口之相應者。該複數通道之各者係配置以提供從該基板支座上方的區域至該處理腔室之通口的相同的氣體流率。
在其它特徵中，該複數通道包含對應於該複數開口中之第一開口的第一通道、以及對應於該複數開口中之第二開口的第二通道，其中該第一開口與該通口相距第一距離，且該第二開口與該通口相距不同於該第一距離的第二距離。一種系統包含該處理腔室、該基板支座、及該沖洗擋板，且該沖洗擋板係設置於該基板支座下方的該容積中。該護罩的內徑比該基板支座的外徑大1-2 mm。該容積為非對稱的，且該護罩為大致圓形的。該容積為橢圓形的，且該護罩為大致圓形的。
一種用於基板支座之沖洗擋板包含一環部，其包含界定一中心開口的主體。該環部係配置以環繞該基板支座。該環部包含：一上部，其在該基板支座下方的容積中於該上部下方界定一充氣部；以及複數開口，其係設置於該上部中。該複數開口提供從該上部上方的區域進入該充氣部之各別的流動路徑。該複數開口中的第一開口具有第一傳導度。該複數開口中的第二開口具有不同於該第一傳導度的第二傳導度。該第一開口與該第二開口具有不同長度和不同直徑之其中至少一者。
本揭露內容之進一步的可應用領域將從實施方式、發明申請專利範圍及圖式中變得明顯。詳細說明及具體範例係意圖為僅供說明的目的，而非意欲限制本揭示內容的範圍。
有些基板處理系統在基板與氣體分配裝置(例如噴淋頭)之間實施反應區。可利用氣簾將該反應區與大型處理腔室隔開。大型處理腔室容積可協助減輕與接地的處理腔室壁之寄生耦合(例如，歸因於從反應區至處理腔室壁的距離增加)。然而，大型處理腔室容積可能包含無效容積(dead volumes)，其會阻礙流動的均勻性並導致粒子堆積，從而可能使缺陷增加。例如，無效容積可能存在於噴淋頭的水平面上方。在另一範例中，無效容積可能存在於基板支座的水平面下方(例如，在基板支座下方的「基座井(pedestal well)」中)。
在某些範例中，基座井具有非對稱(例如，橢圓形或長球形)的形狀，且基板支座下方的流動路徑可能不均勻。例如，流動路徑可能在方位角上係不均勻的。換言之，在基座井周圍之各個方位角位置處的流動路徑可能具有不同的長度及/或壓差。因此，基座井中的死角地帶可能未被有效地沖洗。
在其他範例中，基板支座下方之表面的溫度可能與基板支座上方之表面的溫度不同。例如，基板支座下方之表面的溫度可能低於基板支座上方之表面的溫度。因此，在基板支座下方有較長平均自由徑的情況下，前驅物吸附以及與氧化性或清潔氣體自由基之反應可能增加。因此，可能發生殘留物積累情況(例如，形成寄生氧化物或氯氟化物類型(CFx ))。該等殘留物通常不具揮發性，但可能隨時間而影響晶圓上之性能。
根據本發明之原理的系統及方法實施沖洗或泵送擋板，其係配置以在基板支座下方提供非對稱的沖洗流動路徑。例如，沖洗擋板可對應於界定非對稱流動路徑之大致上中空的結構、或其中界定有非對稱流動路徑的實心塊體。非對稱流動路徑係彼此隔離。再者，非對稱流動路徑使得從基板支座下方至基板處理系統之前級管線的方位角流動均等。藉此方式，流動路徑之各者的相應流動係配置為以相同的速率從處理腔室(例如，從對應於基板表面的平面)泵送氣體。
現參照圖1，顯示例示性基板處理系統100。雖然將在原子層沉積(ALD)之背景下描述前述範例，但本揭示內容可應用於配置以執行下列者的其他基板處理系統：包括(但不限於)電漿輔助ALD (PEALD)、熱ALD、化學氣相沉積(CVD)、電漿輔助CVD (PECVD)、原子層蝕刻(ALE)、及電漿輔助ALE (PEALE)的處理。基板處理系統100包含處理腔室104，其包圍基板處理系統100之其他元件並容納RF電漿(若有使用)。處理腔室104包含頂表面、底表面、及側表面。
基板處理系統100包含上電極108及基板支座112。在某些範例中，基板支座112包含靜電吸盤。在操作期間，基板116係設置於基板支座112上。一容積(例如，基座井120)係界定於基板支座與處理腔室104的底表面之間。
僅舉例而言，上電極108可包含氣體分配裝置124(例如噴淋頭)，其導入和分配處理氣體。噴淋頭之基底部的面對基板之表面或面板包含複數孔洞，處理氣體或沖洗氣體經由該等孔洞流過。或者，上電極108可包含導電板。在上電極108包含導電板之範例中，處理氣體可經由另一方式而加以導入。
在某些範例中，基板支座112可包含下電極128。下電極128可支撐加熱板130。加熱板130可對應於陶瓷多區帶加熱板。可將熱阻層132設置於加熱板130與下電極128之間。下電極128可包含一或更多冷卻劑通道134，用以使冷卻劑流過下電極128。
RF產生系統138產生並輸出RF電壓至上電極108及下電極128之其中一者。上電極108及下電極128之其中另一者可為DC接地、AC接地或浮動的。僅舉例而言，RF產生系統138可包含產生RF功率的RF產生器142，該RF功率係藉由匹配及配送網路146饋送至上電極108或下電極128。在其他範例中，可感應式地或遠程地產生電漿。
氣體輸送系統150包含一或更多氣體源152-1、152-2、…、以及152-N(統稱為氣體源152)，其中N為大於零之整數。藉由閥154-1、154-2、…、以及154-N(統稱為閥154)及質量流量控制器156-1、156-2、…、以及156-N(統稱為質量流量控制器156)將氣體源152連接至歧管158。
可將溫度控制器160連接至設置於加熱板130中的複數熱控制元件(TCEs) 164。溫度控制器160可用以控制複數TCEs 164，以控制基板支座112及基板116的溫度。溫度控制器160可與冷卻劑組件168進行通訊，以控制流過通道134的冷卻劑。例如，冷卻劑組件168可包含冷卻劑泵浦及儲存器。溫度控制器160操作冷卻劑組件168以選擇性地使冷卻劑流過通道134，俾將基板支座112冷卻。
閥170及泵浦172可用於自處理腔室104中排空反應物(例如，處理氣體及材料)及沖洗氣體。例如，閥170及泵浦172經由基板處理系統100的前級管線174將氣體從處理腔室104中抽出。系統控制器176可用於控制基板處理系統100之元件。可使用機器人180將基板傳送至基板支座112上和從基板支座112上移除基板。例如，機器人180可於基板支座112與負載鎖室182之間等傳送基板。
根據本揭示內容的處理腔室104包含沖洗擋板186，其係配置以在其中界定一充氣部(例如，經界定之空間或容積)，俾在基板支座112下方提供非對稱的沖洗流動路徑，如下文中更詳細地描述。例如，沖洗氣體經由相應的開口190而被供應至界定在沖洗擋板186內的流動路徑中。沖洗氣體經由通口194從處理腔室104流出並進入前級管線174。
圖2顯示設置於處理腔室204中的根據本發明之例示性沖洗擋板200。在此範例中，沖洗擋板200包含護罩208，其係設置在基板支座216之下的容積212中。在基板支座216之下的容積212對應於界定在基板支座216之下(亦即，下方)的處理腔室204之區域。換言之，容積212係界定在基板支座216與處理腔室204的底部表面或壁部之間。界定在沖洗擋板200內的充氣部218包含複數非對稱沖洗流動路徑。例如，由噴淋頭220所供應之氣體經由相應的開口224而流入界定在沖洗擋板200內的流動路徑中。氣體經由通口228從處理腔室204流出並進入前級管線232。
僅舉例而言，儘管容積212可為非對稱的(例如，在俯視圖中呈橢圓形或長球形)，但沖洗擋板200可具有大致對稱的形狀。例如，沖洗擋板200可具有大致圓形或環形的形狀。護罩208之第一部分的內徑236可比基板支座216的外徑240稍大(例如1-2 mm)。例如，護罩208的第一部分對應於護罩208之與基板支座216的外徑240相鄰且/或接觸的上部。因此，護罩208係配置為向下裝配於基板支座216，以安裝在容積212內。
開口224之各者距離通口228的距離不同。因此，對應於開口224之相應者的流動路徑可具有對應於開口224與通口228之間之不同距離的不同長度。換言之，流過距離通口228較遠之開口224的氣體具有比流過較靠近通口228之開口224的氣體更長的流動路徑。具有不同長度的流動路徑可對應於不同的壓降和不同的流率(亦即，從基板支座216上方的區域進入充氣部218並通過通口228)。不同的壓降及流率導致設置在基板支座216上的基板244上方的徑向流速不同。例如，流動路徑可具有方位角上非對稱的流率。非對稱的流率及相關聯的流速可能導致製程不均勻性。因此，本揭示內容的沖洗擋板200係配置以提供通過開口224的對稱流率。
例如，無論開口224相對於通口228的相應位置為何，對應於開口224的流動路徑可分別配置以提供相同的氣體分子流率。在一範例中，沖洗擋板200可針對開口224之各者而在充氣部218內界定相應的通道(例如，利用擋板、鰭件、管路或管道等)，俾使該等通道之各者從相應的開口224到通口228具有相同的總長度。例如，距離通口228最遠之開口224的通道可提供通往通口228的直接路徑。相反地，最靠近通口228之開口224的通道可提供通往通口228的曲折(例如，蛇形、迷宮式、迂迴式等)路徑。在其他範例中，該等通道的寬度、直徑等可針對開口224之相應者而有所變化。
因此，對應於開口224之通道的構造可有所不同，以補償與開口224相對於通口228之相應位置和距離相關聯的不同流率。藉此方式，沖洗擋板200減低(亦即，調除)流率不均勻性，俾將氣體以相同速率從處理腔室204泵送通過開口224。
圖3A、3B、3C、3D、及3E顯示設置於處理腔室304中之根據本發明的另一例示性沖洗擋板300。圖3A為沿圖3C之線A-A截取的沖洗擋板300的剖視圖。圖3B為沿圖3C之線B-B截取的沖洗擋板300的剖視圖。圖3C顯示沖洗擋板300的俯視圖，而圖3D顯示沖洗擋板300的底視圖。
在此範例中，沖洗擋板300包含設置在基板支座316下方之容積312中的環形環部308。例如，環形環部308包含界定中心開口318的圓形或卵形主體。沖洗擋板300在基板支座316的外周下方和周圍界定環形充氣部320。例如，環形環部308的內徑324比基板支座316的外徑328稍大(例如1-2 mm)。因此，沖洗擋板300係配置為向下裝配於基板支座316，以安裝在容積312內。
由噴淋頭332所供應之氣體流入沖洗擋板300之上部340中的孔洞或開口336中、進入充氣部320、並通過通口344從處理腔室304流出並進入前級管線348。僅舉例而言，容積312可為非對稱的(例如，在俯視圖中呈橢圓形或長球形)。相似地，沖洗擋板300的上部340可具有與容積312之形狀相對應的非對稱形狀。相對地，對應於環形環部308的沖洗擋板300之下部為圓形或圓柱形，其提供通過充氣部320之大致對稱的環形流動路徑。
上部340的外周352比處理腔室304的內表面稍小(例如1-2 mm)。因此，上部340的外周352與處理腔室304的內表面352之間的界面防止基板支座316上方的區域與充氣部320之間的滲漏。在某些範例中，可在上部340的外周352與處理腔室304的內表面352之間設置密封件(未圖示)。
對應於開口336之相應者的流動路徑具有對應於開口336與通口344之間之不同距離的不同長度。換言之，流過距離通口344較遠之開口336的氣體具有比流過較靠近通口344之開口336的氣體更長的流動路徑。具有不同長度的流動路徑可對應於不同的壓降和不同的流率(亦即，從基板支座316上方的區域進入充氣部320並通過通口344)。不同的壓降及流率導致設置在基板支座316上的基板350上方的徑向流速不同。例如，流動路徑可具有方位角上非對稱的流率。非對稱的流率及相關聯的流速可能導致製程不均勻性。因此，本揭示內容的沖洗擋板300係配置以提供可變的傳導度(亦即，與氣體分子之流率相對應的流動或流體傳導度)。
例如，無論開口336的相應位置為何，開口336可分別配置以提供相同的氣體分子流速。換言之，開口336的傳導度可有所不同，以補償與開口336相對於通口344之相應位置和距離相關聯的不同流率。在圖3C及3D所示之範例中，開口336的長度可根據距通口344的距離而變化，以改變開口336之各別的傳導度。例如，開口336之較短長度對應於較大的傳導度。相反地，較長的長度對應於較低的傳導度。由沖洗擋板300所提供的可變傳導度減低(亦即，調除)流率不均勻性，俾將氣體以相同速率從處理腔室304泵送通過開口336。
如圖3D及3E所示，藉由在充氣部320內提供階狀的下表面360以改變開口336的長度。階狀的下表面360為開口336提供不同的高度。相應地，階狀的下表面360為開口336提供不同的長度。例如，開口336中之一或多者可被設置在具有第一高度的第一階部364中。相對地，開口336中之一或更多其它者被設置在具有不同於第一高度之第二高度的第二階部368中。藉此方式，改變開口336的長度以提供不同的傳導度。雖然沖洗擋板300係顯示為具有階狀的下表面360，但在其他範例中，代替下表面360或除了下表面360之外，沖洗擋板300的上表面可為階狀的。在其他範例中，下表面360及/或上表面可為傾斜或波狀而非階狀，以提供開口336之不同長度。
如圖3A-3E所示，開口336的直徑可為相同的，俾有助於開口336之機械加工。在其他範例中，可使開口336的直徑有所不同，以相應地改變開口336之各別的傳導度。再者，雖然開口336係顯示為大致圓形的孔洞，但在其他範例中，開口336可對應於一或多個環形狹縫。在該等範例中，可藉由改變狹縫的寬度、狹縫的長度等而改變傳導度。在某些範例中，可對沖洗擋板300進行加熱以減少在沖洗擋板300及基板支座316之表面上的沉積。
以上敘述在本質上僅為說明性的，而非意圖限制本揭露內容、其應用、或用途。本揭露內容之廣泛指示可以各種形式實行。因此，雖本揭露內容包含特定例子，但由於當研究圖式、說明書、及以下申請專利範圍時，其他變化將更顯清楚，故本揭露內容之真實範疇不應如此受限。吾人應理解，在不改變本揭露內容之原理的情況下，可以不同次序(或同時)執行方法中之一或更多步驟。再者，雖實施例之各者係於以上描述為具有某些特徵，但關於本揭露內容之任何實施例所述之任一或更多該等特徵可在任何其他實施例中實行，及/或與任何其他實施例之特徵組合(即使並未詳細敘述該組合)。換句話說，所述之實施例並非互相排斥，且一或更多實施例彼此之間的置換維持於本揭露內容之範疇內。
元件 (例如，在模組、電路元件、半導體層等) 之間的空間及功能上之關係係使用各種用語所敘述，該等用語包含「連接」、「接合」、「耦合」、「鄰近」、「在…旁邊」、「在…之上」、「上面」、「下面」、以及「設置」。除非明確敘述為「直接」之情形下，否則當於上述揭露內容中描述第一與第二元件之間的關係時，該關係可係在第一與第二元件之間不存在其它中介元件之直接關係，但亦可係在第一與第二元件之間存在一或更多中介元件(空間上或功能上)的間接關係。如本文所使用的，詞組「A、B、及C其中至少一者」應解釋為意指使用非排除性邏輯OR之邏輯(A OR B OR C)，且不應解釋為意指「A之至少一者、B之至少一者、及C之至少一者」。
在一些實施例中，控制器為系統的一部分，該系統可為上述例子的一部分。此系統可包含半導體處理設備，該半導體處理設備包含(複數)處理工具、(複數)腔室、(複數)處理用平台、及/或特定的處理元件(晶圓基座、氣體流動系統等)。該等系統可與電子設備整合，以在半導體晶圓或基板之處理之前、期間、以及之後，控制其運作。電子設備可被稱為「控制器」，其可控制(複數)系統的各種元件或子部件。取決於處理需求及/或系統類型，可將控制器程式設計成控制本文所揭露之任何處理，包含處理氣體的傳送、溫度設定(例如，加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體傳送設定、位置和操作設定、晶圓轉移(進出與特定系統連接或接合之工具及其他轉移工具、及/或負載鎖)。
廣泛來說，可將控制器定義為具有接收指令、發佈指令、控制運作、啟動清洗操作、啟動終點量測等之許多積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。積體電路可包含：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSPs)、定義為特殊應用積體電路(ASICs)的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令(例如，軟體)的微控制器。程式指令可為以不同的單獨設定(或程式檔案)之形式而傳達至控制器或系統的指令，該單獨設定(或程式檔案)為實行特定處理(在半導體晶圓上，或是對半導體晶圓)定義操作參數。在一些實施例中，操作參數可係由製程工程師所定義之配方的一部分，俾在一或更多以下者(包含：覆層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或基板的晶粒)的製造期間實現一或更多處理步驟。
在一些實施例中，控制器可為電腦的一部分，或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、或以網路連接至系統、或以其組合之方式連接至系統。例如，控制器可在能容許遠端存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部或部分中。電腦可使系統能夠遠端存取，以監控製造運作的當前進度、檢查過去製造運作的歷史、由複數之製造運作而檢查趨勢或效能指標，以改變當前處理的參數、設定當前處理之後的處理步驟、或開始新的製程。在一些例子中，遠端電腦(例如，伺服器)可通過網路提供製程配方至系統，該網路可包含局域網路或網際網路。遠端電腦可包含使用者介面，其可達成參數及/或設定的接取、或對參數及/或設定進行程式化，接著將該參數及/或該設定由遠端電腦傳達至系統。在一些例子中，控制器以資料的形式接收指令，該指令為將於一或更多操作期間執行之每個處理步驟指定參數。吾人應理解，參數可特定地針對將執行之製程的類型及將控制器設定以接合或控制之工具的類型。因此，如上所述，控制器可為分散式，例如藉由包含以網路的方式連接彼此且朝向共同目的(例如，本文所敘述的製程及控制)而運作的一或更多分離的控制器。用於此目的之分散式控制器的範例將係在腔室上、與位於遠端的一或更多積體電路(例如，在作業平臺位準處、或作為遠端電腦的一部分)進行通訊的一或更多積體電路，兩者結合以控制腔室上的製程。
範例系統可包含但不限於以下各者：電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉淋洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清洗腔室或模組、斜角緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、以及可在半導體晶圓的製造及/或加工中相關聯、或使用的任何其他半導體處理系統。
如上所述，取決於將藉由工具執行之(複數)處理步驟，控制器可與半導體製造工廠中之一或更多的以下各者進行通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、群集工具、其他工具介面、鄰近之工具、相鄰之工具、遍布工廠的工具、主電腦、另一控制器、或材料運輸中所使用之工具，該材料運輸中所使用之工具將晶圓容器輸送往返於工具位置及/或裝載埠。
100:基板處理系統 104:處理腔室 108:上電極 112:基板支座 116:基板 120:基座井 124:氣體分配裝置 128:下電極 130:加熱板 132:熱阻層 134:冷卻劑通道 138:RF產生系統 142:RF產生器 146:匹配及配送網路 150:氣體輸送系統 152-1:氣體源 152-2:氣體源 152-N:氣體源 152:氣體源 154-1:閥 154-2:閥 154-N:閥 154:閥 156-1:質量流量控制器 156-2:質量流量控制器 156-N:質量流量控制器 156:質量流量控制器 158:歧管 160:溫度控制器 168:冷卻劑組件 170:閥 172:泵浦 174:前級管線 176:系統控制器 180:機器人 182:負載鎖室 186:沖洗擋板 190:開口 194:通口 200:沖洗擋板 204:處理腔室 208:護罩 212:容積 216:基板支座 218:充氣部 220:噴淋頭 224:開口 228:通口 232:前級管線 236:內徑 240:外徑 244:基板 300:沖洗擋板 304:處理腔室 308:環形環部 312:容積 316:基板支座 318:中心開口 320:充氣部 324:內徑 328:外徑 332:噴淋頭 334:通口 336:開口 340:上部 344:通口 348:前級管線 350:基板 352:外周 360:下表面 364:第一階部 368:第二階部
本揭露內容從實施方式及隨附圖式可更完全了解，其中：
圖1為根據本發明之基板處理系統之範例的功能方塊圖；
圖2顯示根據本發明之例示性沖洗擋板；
圖3A為根據本發明之另一例示性沖洗擋板的剖面圖；
圖3B為圖3A之例示性沖洗擋板的另一剖面圖；
圖3C為根據本發明之例示性沖洗擋板的俯視圖；
圖3D為根據本發明之例示性沖洗擋板的底視圖；以及
圖3E顯示根據本發明之沖洗擋板的階狀下表面。
在圖式中，元件符號可被再次使用以辨別相似及/或相同的元件。
300:沖洗擋板
304:處理腔室
308:環形環部
312:容積
316:基板支座
320:充氣部
324:內徑
328:外徑
332:噴淋頭
336:開口
340:上部
350:基板
352:外周

Claims (20)

  1. 一種用於基板支座之沖洗擋板，包含： 一環形環部，其係配置以在該基板支座下方的容積中環繞該基板支座周圍的外側周邊；以及 一第一部分，其中該第一部分包含： 一充氣部，其係界定在該基板支座下方的該容積中之該第一部分的下方和該環形環部的外部；以及 複數開口，其提供從該第一部分上方的區域進入該充氣部之各別的流動路徑，其中該複數開口中的至少第一開口具有第一傳導度，且該複數開口中的至少第二開口具有不同於該第一傳導度的第二傳導度。
  2. 如請求項1之用於基板支座之沖洗擋板，其中該第一開口與該第二開口具有不同的長度。
  3. 如請求項1之用於基板支座之沖洗擋板，其中該第一開口與該第二開口具有不同的直徑。
  4. 如請求項1之用於基板支座之沖洗擋板，其中該複數開口對應於複數孔洞。
  5. 如請求項1之用於基板支座之沖洗擋板，其中該複數開口對應於複數狹縫。
  6. 如請求項1之用於基板支座之沖洗擋板，其中該第一部分具有非對稱的形狀。
  7. 如請求項1之用於基板支座之沖洗擋板，其中該第一部分具有橢圓形的形狀。
  8. 如請求項1之用於基板支座之沖洗擋板，其中該複數開口之各別的傳導度根據距處理腔室之通口的距離而變化。
  9. 如請求項1之用於基板支座之沖洗擋板，其中該第一部分的下表面為階狀的。
  10. 如請求項9之用於基板支座之沖洗擋板，其中該下表面包含第一階部及第二階部，該第二階部具有與該第一階部不同的高度，該第一開口係設置於該第一階部中，且該第二開口係設置於該第二階部中。
  11. 如請求項1之用於基板支座之沖洗擋板，其中該第一部分的下表面為傾斜的。
  12. 一種處理腔室，包含： 如請求項1之沖洗擋板；以及 該基板支座，其中該沖洗擋板係設置於該基板支座下方的該容積中。
  13. 如請求項12之處理腔室，其中該環形環部的內徑比該基板支座的外徑大1-2 mm。
  14. 如請求項12之處理腔室，其中該基板支座下方的該容積為非對稱的。
  15. 一種在處理腔室中用於基板支座之沖洗擋板，包含： 一護罩，其係配置以在該基板支座下方的容積中界定環形的充氣部； 複數開口，其位在該護罩中，該複數開口提供從該基板支座上方的區域進入該充氣部之各別的流動路徑；以及 複數通道，其係界定在該充氣部內，該複數通道對應於該複數開口之相應者，其中該複數通道之各者係配置以提供從該基板支座上方的區域至該處理腔室之通口的相同的氣體流率。
  16. 如請求項15之在處理腔室中用於基板支座之沖洗擋板，其中該複數通道包含對應於該複數開口中之第一開口的第一通道、以及對應於該複數開口中之第二開口的第二通道，其中該第一開口與該通口相距第一距離，且該第二開口與該通口相距不同於該第一距離的第二距離。
  17. 一種用於基板處理之系統，包含： 一處理腔室； 一基板支座；以及 如請求項15之沖洗擋板，其中該沖洗擋板係設置於該基板支座下方的該容積中。
  18. 如請求項17之用於基板處理之系統，其中該護罩的內徑比該基板支座的外徑大1-2 mm。
  19. 如請求項17之用於基板處理之系統，其中該容積為非對稱的，且該護罩為大致圓形的。
  20. 一種用於基板支座之沖洗擋板，包含： 一環部，其包含界定一中心開口的主體，其中該環部係配置以環繞該基板支座； 一上部，其在該基板支座下方的容積中於該上部下方界定一充氣部；以及 複數開口，其係設置於該上部中，其中該複數開口提供從該上部上方的區域進入該充氣部之各別的流動路徑，其中 該複數開口中的第一開口具有第一傳導度， 該複數開口中的第二開口具有不同於該第一傳導度的第二傳導度，以及 該第一開口與該第二開口具有不同長度和不同直徑之其中至少一者。
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