TW202133220A - 液處理裝置、液處理方法及電腦可讀取的記錄媒體 - Google Patents

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三浦拓也
髙橋彰吾
田中公一朗
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本案的課題是在於說明可更均一地控制基板的面內溫度分佈之液處理裝置、液處理方法及電腦可讀取的記錄媒體。 其解決手段，液處理裝置之一例是具備： 被構成為保持基板的基板保持部； 被構成為對基板的表面供給處理液的處理液供給部； 被構成為對基板的表面供給氣體的氣體供給部；及 控制部。 氣體供給部是包含：形成有對於基板的表面分別以不同的角度延伸的複數的噴出口之擴散噴嘴。 控制部是實行控制氣體供給部的處理，而使能在處理液被供給至基板的表面的狀態中，對於基板的表面之中至少包含中央部的區域，從擴散噴嘴噴射氣體。

Description

液處理裝置、液處理方法及電腦可讀取的記錄媒體
本案是關於液處理裝置、液處理方法及電腦可讀取的記錄媒體。
專利文獻1是揭示一種被構成為藉由對基板的表面供給顯像液，將被形成於基板的表面的光阻膜顯像之顯像裝置。 該顯像裝置是具備： 從上方將被調整成預定溫度的空氣吹至基板的送風機；及 藉由被調整成預定溫度的溫調水的循環來將吸盤裝置及顯像液供給管維持於預定溫度的溫度調整器。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2004-274028號公報
(發明所欲解決的課題)
專利文獻1的顯像裝置是藉由送風機及溫度調整器來控制顯像時的基板的溫度成為一定。然而，放熱會容易從基板的周緣部促進，因此即使藉由如此的控制，也會有在基板的面內產生溫度差的情形。因此，在基板的面內顯像速度不同的結果，在基板的面內的光阻圖案的線寬產生偏差。
於是，本案是說明可更均一地控制基板的面內溫度分佈之液處理裝置、液處理方法及電腦可讀取的記錄媒體。 (用以解決課題的手段)
液處理裝置之一例是具備： 被構成為保持基板的基板保持部； 被構成為對基板的表面供給處理液的處理液供給部； 被構成為對基板的表面供給氣體的氣體供給部；及 控制部。 氣體供給部是包含：形成有對於基板的表面分別以不同的角度延伸的複數的噴出口之擴散噴嘴。 控制部是實行控制氣體供給部的處理，而使能在處理液被供給至基板的表面的狀態中，對於基板的表面之中至少包含中央部的區域，從擴散噴嘴噴射氣體。 [發明的效果]
若根據本案的液處理裝置、液處理方法及電腦可讀取的記錄媒體、則可更均一地控制基板的面內溫度分佈。
在以下的説明中，對於同一要素或具有同一機能的要素是使用同一符號，省略重複的説明。
[基板處理系統] 首先，參照圖1~圖3來說明有關基板處理系統1的構成。基板處理系統1是具備塗佈顯像裝置2(液處理裝置)、曝光裝置3及控制器Ctr(控制部)。
曝光裝置3是被構成為在與塗佈顯像裝置2之間授受基板W，進行被形成於基板W的表面Wa(參照圖4等)的光阻膜R的曝光處理(圖案曝光)。曝光裝置3是例如亦可藉由液浸曝光等的方法來選擇性地照射能量線至光阻膜R的曝光對象部分。
能量線是例如可為電離放射線、非電離放射線等。電離放射線是為了使原子或分子電離而具備充分的能量的放射線。電離放射線是例如可為極端紫外線(EUV：Extreme Ultraviolet)、電子線、離子束、X線、α線、β線、γ線、重粒子線、陽子線等。非電離放射線是為了使原子或分子電離而不具有充分的能量的放射線。非電離放射線是例如可為g線、i線、KrF准分子雷射、ArF准分子雷射、F2准分子雷射等。
塗佈顯像裝置2是被構成為在曝光裝置3的曝光處理之前，在基板W的表面Wa形成光阻膜R。塗佈顯像裝置2是被構成為在曝光處理後進行光阻膜R的顯像處理。
基板W是可呈現圓板狀，或亦可呈現多角形等圓形以外的板狀。基板W是亦可具有一部分被開口的缺口部。缺口部是例如可為槽口(notch)(U字形、V字形等的溝)，或亦可為直線狀延伸的直線部(所謂的定向平面(orientation flat))。基板W是例如可為半導體基板(矽晶圓)、玻璃基板、遮罩基板、FPD(Flat Panel Display)基板其他的各種基板。基板W的直徑是例如可為200mm~450mm程度。
如圖1~圖3所示般，塗佈顯像裝置2是具備：載體區塊4、處理區塊5及介面區塊6。載體區塊4、處理區塊5及介面區塊6是排列於水平方向。
載體區塊4是包含載體站12及搬入搬出部13。載體站12是支撐複數的載體11。載體11是以密封狀態收容至少一個的基板W。在載體11的側面11a是設有用以出入基板W的開閉門(未圖示)。載體11是以側面11a會面對搬入搬出部13側的方式，裝卸自如地設置於載體站12上。
搬入搬出部13是位於載體站12及處理區塊5之間。搬入搬出部13是如圖1及圖3所示般，具有複數的開閉門13a。在載體站12上載置載體11時，載體11的開閉門會設為面對開閉門13a的狀態。藉由同時開放開閉門13a及側面11a的開閉門，載體11內與搬入搬出部13內會連通。搬入搬出部13是如圖2及圖3所示般，內藏搬送臂A1。搬送臂A1是被構成為從載體11取出基板W來交給處理區塊5，從處理區塊5接受基板W而回到載體11內。
處理區塊5是如圖2及圖3所示般，包含處理模組PM1~PM4。
處理模組PM1是被構成為在基板W的表面上形成下層膜，亦被稱為BCT模組。處理模組PM1是如圖3所示般，包含：液處理單元U1、熱處理單元U2、及被構成為搬送基板W至該等單元的搬送臂A2。處理模組PM1的液處理單元U1是例如亦可被構成為在基板W塗佈下層膜形成用的塗佈液。處理模組PM1的熱處理單元U2是例如亦可被構成為進行用以使藉由液處理單元U1來形成於基板W的塗佈膜硬化而作為下層膜的加熱處理。下層膜是例如可舉反射防止(SiARC)膜。
處理模組PM2是被構成為在下層膜上形成中間膜(硬質遮罩)，亦被稱為HMCT模組。處理模組PM2是包含：液處理單元U1、熱處理單元U2、及被構成為搬送基板W至該等單元的搬送臂A3。處理模組PM2的液處理單元U1是例如亦可被構成為在基板W塗佈中間膜形成用的塗佈液。處理模組PM2的熱處理單元U2是例如亦可被構成為進行用以使藉由液處理單元U1來形成於基板W的塗佈膜硬化而作為中間膜的加熱處理。中間膜是例如可舉SOC(Spin On Carbon)膜、無定形碳(amorphous carbon)膜。
處理模組PM3是被構成為在中間膜上形成熱硬化性且感光性的光阻膜R，亦被稱為COT模組。處理模組PM3是包含：液處理單元U1、熱處理單元U2、及搬送基板W至該等單元的搬送臂A4。處理模組PM3的液處理單元U1是例如亦可被構成為在基板W塗佈光阻膜形成用的塗佈液(光阻液)。處理模組PM3的熱處理單元U2是例如亦可被構成為進行用以使藉由液處理單元U1來形成於基板W的塗佈膜硬化而作為光阻膜R的加熱處理(PAB：Pre Applied Bake)。
含有光阻液的光阻材料是亦可為正型(positive-typ)光阻材料，或亦可為負型(negative-type)光阻材料。正型光阻材料是圖案曝光部溶出，圖案未曝光部(遮光部)留下的光阻材料。負型光阻材料是圖案未曝光部(遮光部)溶出，圖案曝光部留下的光阻材料。
處理模組PM4是被構成為進行被曝光的光阻膜的顯像處理，亦被稱為DEV模組。處理模組PM4是包含：液處理單元U1、熱處理單元U2、及被構成為搬送基板W至該等單元的搬送臂A5。處理模組PM4的液處理單元U1是例如亦可被構成為部分地除去光阻膜R來形成光阻圖案(未圖示)。處理模組PM4的熱處理單元U2是例如亦可被構成為進行顯像處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯像處理後的加熱處理(PB：Post Bake)等。
處理區塊5是如圖2及圖3所示般，包含位於載體區塊4的附近的棚架單元14。棚架單元14是延伸於上下方向，包含排列於上下方向的複數的單元。在棚架單元14的附近是設有搬送臂A6。搬送臂A6是被構成為在棚架單元14的單元彼此間之間使基板W昇降。
處理區塊5是包含位於介面區塊6的附近的棚架單元15。棚架單元15是延伸於上下方向，包含排列於上下方向的複數的單元。
介面區塊6是內藏搬送臂A7，連接至曝光裝置3。搬送臂A7是被構成為取出棚架單元15的基板W來交給曝光裝置3，從曝光裝置3接受基板W而回到棚架單元15。
控制器Ctr是被構成為部分地或全體地控制塗佈顯像裝置2。有關控制器Ctr的詳細是後述。控制器Ctr是亦可被構成為在與曝光裝置3的控制器之間收發訊號，藉由與曝光裝置3的控制器的合作來控制基板處理系統1全體。
[液處理單元] 接著，參照圖4及圖5，詳細說明有關處理模組PM4的液處理單元U1(液處理裝置)。液處理單元U1是如圖4所示般，在框體H內包含：基板保持部20、供給部30(處理液供給部)、供給部40(氣體供給部、洗淨液供給部、乾燥氣體供給部)、罩構件50及鼓風機B。在框體H的下部是設有被構成為根據來自控制器Ctr的訊號而動作，藉此將框體H內的氣體排氣的排氣部V1。排氣部V1是例如亦可為可按照開度來調節排氣量的節氣閘。藉由排氣部V1調節來自框體H的排氣量，藉此可控制框體H內的溫度、壓力、濕度等。排氣部V1是亦可被控制為基板W的液處理的期間，經常將框體H內排氣。
基板保持部20是包含：旋轉部21、軸22及保持部23。旋轉部21是被構成為根據來自控制器Ctr的動作訊號而動作，使軸22旋轉。旋轉部21是例如電動馬達等的動力源。保持部23是被設在軸22的前端部。在保持部23上是配置基板W。保持部23是被構成為例如藉由吸附等來將基板W大致保持於水平。亦即，基板保持部20是在基板W的姿勢大致水平的狀態下，使基板W繞著對於基板W的表面Wa垂直的中心軸(旋轉軸)旋轉。
供給部30是被構成為對基板W的表面Wa供給處理液L1。處理液L1是例如可為顯像液。
供給部30是包含：供給機構31、驅動機構32及噴嘴33。供給機構31是被構成為根據來自控制器Ctr的訊號，藉由泵等的送液機構(未圖示)來將被積存於容器(未圖示)的處理液L1送出。驅動機構32是被構成為根據來自控制器Ctr的訊號，使噴嘴33在高度方向及水平方向移動。噴嘴33是被構成為將從供給機構31供給的處理液L1噴出至基板W的表面Wa。
供給部40是被構成為將處理液L2、冷卻氣體G1(氣體)及乾燥氣體G2供給至基板W的表面Wa。處理液L2是例如亦可為清洗(rinse)液(洗淨液)。冷卻氣體G1及乾燥氣體G2是只要為氣體，不被特別加以限定，但亦可為惰性氣體(例如氮)。冷卻氣體G1及乾燥氣體G2的溫度是亦可為20℃~25℃程度。
供給部40是包含：供給機構41A~41C、驅動機構42及噴嘴單元43。供給機構41A是如圖4及圖5所示般，被構成為根據來自控制器Ctr的訊號，藉由泵等的送液機構(未圖示)來送出被積存於容器(未圖示)的處理液L2。供給機構41B被構成為根據來自控制器Ctr的訊號，藉由泵等的送氣機構(未圖示)來送出被積存於容器(未圖示)的冷卻氣體G1。供給機構41C是被構成為根據來自控制器Ctr的訊號，藉由泵等的送氣機構(未圖示)來送出被積存於容器(未圖示)的乾燥氣體G2。驅動機構42是被構成為根據來自控制器Ctr的訊號，使噴嘴單元43在高度方向及水平方向移動。
噴嘴單元43是被構成為將從供給機構41A~41C供給的處理液L2、冷卻氣體G1及乾燥氣體G2分別噴出至基板W的表面Wa。噴嘴單元43是如圖5所示般，包含噴嘴頭43a及噴嘴43b~43d。噴嘴頭43a是被構成為一體地保持噴嘴43b~43d。
噴嘴43b是與供給機構41A的容器流體連接。因此，噴嘴43b是被構成為將從供給機構41A供給的處理液L2噴出至基板W的表面Wa。
噴嘴43c(擴散噴嘴)是與供給機構41B的容器流體連接。因此，噴嘴43c是被構成為將從供給機構41B供給的冷卻氣體G1噴射至基板W的表面Wa。在噴嘴43c的前端部(下端部)是形成有對於基板W的表面Wa分別以不同的角度延伸的複數的噴出口。因此，從噴嘴43c噴射的冷卻氣體G1是擴散為隨著離開噴嘴43c的前端部而擴展至與噴嘴43c的長度方向正交的方向(水平方向)。複數的噴出口是亦可延伸於放射狀地擴展。噴嘴43c的前端部是如圖5所示般，亦可呈現半球狀。噴嘴43c是如圖5所舉例表示般，亦可被配置於噴嘴43b與噴嘴43d之間，或亦可被配置於3個的噴嘴43b~43d之中邊緣。或，噴嘴43b~43d亦可被配置為形成環狀。
噴嘴43d是與供給機構41C的容器流體連接。因此，噴嘴43d是被構成為將從供給機構41C供給的乾燥氣體G2噴射至基板W的表面Wa。
罩構件50是如圖4所示般，被設在基板保持部20的周圍。罩構件50是包含：杯本體51、排液口52及排氣口53。杯本體51是被構成為擋住為了基板W的處理而被供給至基板W的處理液L1，L2的集液容器。排液口52是被設在杯本體51的底部，被構成為將藉由杯本體51所收集的排液予以排出至液處理單元U1的外部。
排氣口53是被設在杯本體51的底部。在排氣口53是設有排氣部V2，該排氣部V2是被構成為根據來自控制器Ctr的訊號而動作，藉此將杯本體51內的氣體排氣。因此，流動於基板W的周圍的下降流(downflow)是經由排氣口53及排氣部V2來排出至液處理單元U1的外部。排氣部V2是例如亦可為可按照開度來調節排氣量的節氣閘。藉由利用排氣部V2來調節來自杯本體51的排氣量，可控制杯本體51內的溫度、壓力、濕度等。
鼓風機B是在液處理單元U1中，被配置於基板保持部20及罩構件50的上方。鼓風機B是被構成為根據來自控制器Ctr的訊號，形成朝向罩構件50的下降流。鼓風機B是亦可被構成為基板W的液處理的期間，經常形成下降流。
[控制器的詳細] 控制器Ctr是如圖6所示般，具有：讀取部M1、記憶部M2、處理部M3及指示部M4，作為機能模組。該等的機能模組，不過是為了方便起見將控制器Ctr的機能劃分成複數的模組而已，構成控制器Ctr的硬體未必意思分成如此的模組。各機能模組不限於藉由程式的實行來實現，亦可藉由專用的電路(例如邏輯電路)或予以集成的積體電路(ASIC：Application Specific Integrated Circuit)來實現。
讀取部M1是被構成為從電腦可讀取的記錄媒體RM讀取程式。記錄媒體RM是記錄用以使塗佈顯像裝置2的各部動作的程式。記錄媒體RM是例如可為半導體記憶體、光碟、磁碟、光磁碟。
記憶部M2是被構成為記憶各種的資料。記憶部M2是例如亦可記憶在讀取部M1中從記錄媒體RM讀出的程式、經由外部輸入裝置(未圖示)由操作者輸入的設定資料等。該程式是亦可被構成為使塗佈顯像裝置2的各部動作。記錄媒體RM是例如可為半導體記憶體、光碟、磁碟、光磁碟。
處理部M3是被構成為處理各種資料。處理部M3是例如根據被記憶於記憶部M2的各種資料，產生用以使液處理單元U1、熱處理單元U2等動作的訊號。
指示部M4是被構成為將在處理部M3中產生的動作訊號發送至各種裝置。
控制器Ctr的硬體是例如亦可藉由一個或複數的控制用的電腦所構成。控制器Ctr是如圖7所示般，作為硬體上的構成，包含電路C1。電路C1是亦可以電路要素(circuitry)所構成。電路C1是亦可包含處理器C2、記憶體C3、儲存器C4、驅動器C5及輸出入埠C6。
處理器C2是與記憶體C3及儲存器C4的至少一方合作實行程式，實行經由輸出入埠C6的訊號的輸出入，藉此構成上述的各機能模組。記憶體C3及儲存器C4是作為記憶部M2的機能。驅動器C5是分別驅動塗佈顯像裝置2的各種裝置之電路。輸出入埠C6是在驅動器C5與塗佈顯像裝置2的各種裝置(例如液處理單元U1、熱處理單元U2等)之間進行訊號的輸出入。
基板處理系統1是亦可具備一個的控制器Ctr，或亦可具備以複數的控制器Ctr所構成的控制器群(控制部)。當基板處理系統1為具備控制器群時，上述的機能模組亦可分別藉由一個的控制器Ctr來實現，或亦可藉由2個以上的控制器Ctr的組合來實現。當控制器Ctr為以複數的電腦(電路C1)所構成時，上述的機能模組亦可分別藉由一個的電腦(電路C1)來實現，或亦可藉由2個以上的電腦(電路C1)的組合來實現。控制器Ctr是亦可具有複數的處理器C2。此情況，上述的機能模組亦可分別藉由一個的處理器C2來實現，或亦可藉由2個以上的處理器C2的組合來實現。
[基板的液處理方法] 接著，參照圖8~圖10，說明有關基板W的液處理方法。
首先，控制器Ctr是控制塗佈顯像裝置2的各部，在處理模組PM1~PM3中處理基板W。藉此，在基板W的表面Wa形成光阻膜R(參照圖8的步驟S11)。其次，控制器Ctr是控制塗佈顯像裝置2的各部，將基板W從處理模組PM3搬送至曝光裝置3。其次，與控制器Ctr不同的控制器會控制曝光裝置3，以預定的圖案來將被形成於基板W的表面Wa的光阻膜R曝光(參照圖8的步驟S12)。
其次，控制器Ctr是控制塗佈顯像裝置2的各部，將基板W從曝光裝置3搬送至處理模組PM4的液處理單元U1。藉此，基板W是被保持於基板保持部20。其次，控制器Ctr是控制供給部30，將處理液L1(顯像液)供給至基板W的表面Wa，亦即光阻膜R的上面(參照圖8的步驟S13)。
在步驟S13中，控制器Ctr是亦可控制供給部30，邊在未旋轉的基板W的上方使噴嘴33水平移動，邊從噴嘴33供給處理液L1至基板W的表面Wa。此情況，如圖9(a)所舉例表示般，處理液L1是從基板W的一端往其他端依序供給。或，控制器Ctr是亦可控制基板保持部20及供給部30，使基板W旋轉，且在基板W的上方邊使噴嘴33水平移動，邊從噴嘴33供給處理液L1至基板W的表面Wa。此情況，處理液L1是從基板W的中心到周緣，或從基板W的周緣到中心，螺旋狀地供給。
其次，控制器Ctr是控制供給部40，對基板W的表面Wa亦即處理液L1的上面，從噴嘴43c供給冷卻氣體G1(參照圖8的步驟S14)。在步驟S14中，冷卻氣體G1是如圖9(b)所示般，對於基板W的表面Wa之中至少包含中央部的區域噴射。此時，基板W的表面Wa上的處理液L1是亦可不藉由冷卻氣體G1來吹走。亦即，被供給處理液L1的狀態的基板W的表面Wa亦可不藉由冷卻氣體G1的噴射而露出。
冷卻氣體G1往處理液L1的噴射是亦可在光阻膜R的顯像期間中繼續。冷卻氣體G1往處理液L1的噴射是例如亦可從處理液L1被供給至基板W的表面Wa到顯像完了，或到後續的處理開始為止繼續。在步驟S14中，控制器Ctr是亦可控制排氣部V2，在停止來自杯本體51內的排氣的狀態下，或繼續從杯本體51內排氣的狀態下，進行往基板W的表面Wa的冷卻氣體G1的供給。
其次，控制器Ctr是控制基板保持部20及供給部40，從噴嘴43b供給處理液L2(清洗液)至旋轉中的基板W的表面Wa，亦即處理液L1的上面(參照圖8的步驟S15)。藉此，如圖10(a)所示般，光阻膜R之中與處理液L1的反應下溶解後的光阻的溶解物會與處理液L1一起藉由處理液L2來從基板W的表面Wa沖走(排出)。如此，在基板W的表面Wa形成光阻圖案RP。
在步驟S15中，控制器Ctr是亦可控制供給部40，在基板W的上方，以噴嘴43b會從基板W的中心往周緣移動的方式，使噴嘴43b水平移動。在步驟S15中，控制器Ctr是亦可控制排氣部V2，在從杯本體51內繼續排氣的狀態下，進行往基板W的表面Wa的處理液L2的供給。步驟S15的來自杯本體51內的排氣量是亦可被設定為比步驟S14的來自杯本體51內的排氣量更大。
其次，當噴嘴43d到達基板W的大致中心時，控制器Ctr是控制基板保持部20及供給部40，從噴嘴43d供給乾燥氣體G2至旋轉中的基板W的表面Wa(參照圖8的步驟S16)。
藉此，在基板W的大致中央存在的處理液L2會被吹走至周圍且蒸發，如圖10(b)所示般，在基板W的中央部形成乾燥區域D(參照圖5及圖8)。在此，乾燥區域D是意指藉由處理液L2蒸發而基板W的表面Wa露出的狀態的區域，但亦包含在表面Wa上附著極些微(例如micro order)的液滴時。此乾燥區域D是藉由利用基板W的旋轉所產生的離心力來從基板W的中央部朝向周緣側而擴展。形成乾燥區域D之後，亦可停止來自噴嘴43d的乾燥氣體G2的供給。
在步驟S16中，亦可來自噴嘴43b的處理液L2的供給保持繼續，從噴嘴43d供給乾燥氣體G2。在步驟S16中，控制器Ctr是亦可控制排氣部V2，在從杯本體51內繼續排氣的狀態下，進行往基板W的表面Wa的乾燥氣體G2的供給。步驟S16的來自杯本體51內的排氣量是亦可被設定為比步驟S14的來自杯本體51內的排氣量更大。
另一方面，基板W的表面Wa上的處理液L2也以藉由基板W的旋轉所產生的離心力，從基板W的中央部朝向周緣側擴展。然後，若基板W的表面Wa上的處理液L2從基板W的周緣部甩開，則基板W的乾燥完了。以上，基板W的液處理結束。
[作用] 若根據以上的例子，則從噴嘴43c噴射的冷卻氣體G1會對於基板W的表面Wa之中至少包含中央部的區域廣範圍擴散。因此，基板W的表面Wa上的處理液L1的氣化會被促進，藉由其氣化熱，基板W特別是中央部會被冷卻。因此，基板W的中央部與周緣部之間的溫度差不易發生，所以可更均一地控制基板W的面內溫度分佈。
若根據以上的例子，則由於從噴嘴43c噴射的冷卻氣體G1會廣範圍擴散，因此當冷卻氣體G1到達基板W上的處理液L1時，冷卻氣體G1給予處理液L1的衝撃極小。因此，可抑制基板W上的處理液L1的起浪或走樣。
若根據以上的例子，則噴嘴43c可包含形成複數的噴出口且呈現半球狀的前端部。此情況，冷卻氣體G1容易從噴嘴43c廣範圍均一地噴射。因此，可更均一地冷卻基板W之中被噴射冷卻氣體G1的區域。
若根據以上的例子，則光阻膜R的顯像期間中，冷卻氣體G1往處理液L1的噴射可繼續。此情況，來自噴嘴43c的冷卻氣體G1的噴射是在往基板W的處理液L1的供給與往基板W的處理液L2的供給之間進行。因此，各自的供給處理不會受阻於噴嘴43c。因此，可順暢地進行一連串的液處理。
若根據以上的例子，則可被設定為步驟S14的來自杯本體51內的排氣量會比步驟S15，S16的來自杯本體51內的排氣量更小。此情況，在來自噴嘴43c的冷卻氣體G1的噴射時，基板W的周緣部的溫度降低會被抑制。因此，可更均一的控制基板W的面內溫度分佈。
若根據以上的例子，則噴嘴43b~43d會被保持於相同的噴嘴頭43a。因此，可使噴嘴單元43小型化。
[變形例] 本說明書的記載應思考成在所有的點為舉例說明者，不是限制者。亦可在不脫離申請專利範圍及其主旨的範圍中對於以上的例子進行各種的省略、置換、變更等。
(1)噴嘴43c是亦可呈現半球形狀以外的形狀。例如，如圖11(a)所示般，噴嘴43c是亦可呈現圓柱形狀。如圖11(b)所示般，噴嘴43c是亦可呈現角柱形狀。雖未圖示，但噴嘴43c是亦可為在平坦面或曲面形成有複數的噴出口者。
(2)噴嘴43c的複數的噴出口是亦可被形成於噴嘴43c的周面全體。或，亦可以被噴射的冷卻氣體G1不會碰上位於噴嘴43c的側方的2個噴嘴43b，43d之方式，設定複數的噴出口的角度或噴嘴43c的周面的形成位置等。
(3)亦可以從噴嘴43c的複數的噴出口分別噴射的冷卻氣體G1到達基板W的表面Wa(處理液L1的上面)時的各流速會成為大致相同之方式，設定複數的噴出口的開口面積。例如，亦可以隨著從噴嘴43c的前端(下端)朝向基端而噴出口的開口面積變大之方式，在噴嘴43c形成複數的噴出口。或，以取得同樣的作用效果的目的，亦可以隨著從噴嘴43c的前端(下端)朝向基端而噴出口的數量變多之方式，在噴嘴43c形成複數的噴出口。
(4)在步驟S14中，亦可如圖12(a)所舉例表示般，由鉛直方向看時，噴嘴43c從基板W的旋轉中心偏心而位置。此情況，從噴嘴43c噴射的冷卻氣體G1的噴射範圍AR1也從基板W的旋轉中心偏心，但藉由基板W旋轉，冷卻氣體G1會對於基板W的更廣的範圍AR2擴散。因此，可更均一地控制基板W的面內溫度分佈。
(5)在步驟S14中，亦可如圖12(b)所舉例表示般，由鉛直方向看時，噴嘴43c從基板W的旋轉中心偏心而位置，且噴嘴43c水平移動。此情況，除基板W的旋轉之外，再加上藉由噴嘴43c的水平移動，冷卻氣體G1會對於基板W的更廣的範圍AR3擴散。因此，可更均一地控制基板W的面內溫度分佈。
(6)在步驟S14中，控制器Ctr是亦可控制供給部40，對於比基板W的表面Wa的周緣部更靠中央部長時間供給冷卻氣體G1。此情況，基板W的中央部的冷卻會被更促進。因此，可更均一地控制基板W的面內溫度分佈。
(7)在步驟S14中，控制器Ctr是亦可控制供給部40，對於基板W的表面Wa的中央部供給冷卻氣體G1，但不對於基板W的表面Wa的周緣部供給冷卻氣體G1。不供給冷卻氣體G1的基板W的表面Wa的周緣部的範圍是例如亦可為離基板W的周緣3cm~5cm程度。此情況，基板W的中央部的冷卻會更被促進。因此，可更均一地控制基板W的面內溫度分佈。
(8)亦可不實行步驟S16的乾燥氣體G2的供給。此情況，亦可以藉由基板W的旋轉而產生的離心力來甩掉基板W的表面Wa上的處理液L2，藉此乾燥基板W。
(9)亦可噴嘴43b~43d之中2個的噴嘴被保持於噴嘴頭43a，剩餘的噴嘴為與噴嘴頭43a不同體。或，噴嘴43b~43d皆為不同體。
(10)當噴嘴43b，43c被保持於噴嘴頭43a時，亦可在噴嘴頭43a的高度被保持於一定的狀態下，進行來自噴嘴43b的處理液L2的供給處理，及來自噴嘴43c的冷卻氣體G1的供給處理。當噴嘴43c，43d被保持於噴嘴頭43a時，亦可在噴嘴頭43a的高度被保持於一定的狀態下，進行來自噴嘴43c的冷卻氣體G1的供給處理，及來自噴嘴43d的乾燥氣體G2的供給處理。當噴嘴43b~43d被保持於噴嘴頭43a時，亦可在噴嘴頭43a的高度被保持於一定的狀態下，進行來自噴嘴43b的處理液L2的供給處理，及來自噴嘴43c的冷卻氣體G1的供給處理，以及來自噴嘴43d的乾燥氣體G2的供給處理。該等的情況，上述的一連串的處理是各噴嘴不上下移動進行。因此，噴嘴的動作會被簡略化，所以可謀求液處理的效率化。
[其他的例] 例1. 液處理裝置之一例是具備： 被構成為保持基板的基板保持部； 被構成為對基板的表面供給處理液的處理液供給部； 被構成為對基板的表面供給氣體的氣體供給部；及 控制部。 氣體供給部是包含：形成有對於基板的表面分別以不同的角度延伸的複數的噴出口之擴散噴嘴。 控制部是實行氣體供給部的處理，而使能在處理液被供給至基板的表面的狀態中，對於基板的表面之中至少包含中央部的區域，從擴散噴嘴噴射氣體。 此情況，從擴散噴嘴噴射的氣體會對於基板的表面之中至少包含中央部的區域廣範圍擴散。因此，基板的表面上的處理液的氣化會被促進，藉由其氣化熱，基板的特別是中央部會被冷卻。因此，基板的中央部與周緣部之間的溫度差不易產生，所以可更均一地控制基板的面內溫度分佈。又，此情況，由於從擴散噴嘴噴射的氣體會廣範圍擴散，因此當氣體到達基板上的處理液時，氣體給予處理液的衝撃極小。因此，可抑制基板上的處理液的起浪或走樣。
例2. 在例1的裝置中，擴散噴嘴是亦可包含形成有複數的噴出口且呈現半球狀的前端部。此情況，氣體容易從擴散噴嘴廣範圍均一地噴射。因此，可更均一地冷卻基板之中被噴射氣體的區域。
例3. 在例1或例2的裝置中，控制部是亦可實行控制氣體供給部的處理，而使能在處理液被供給至基板的表面的狀態中，從擴散噴嘴對於基板的表面噴射氣體，比基板的表面的周緣部更長時間供給氣體至中央部。此情況，基板的中央部的冷卻會更被促進。因此，可更均一地控制基板的面內溫度分佈。
例4. 在例3的裝置中，控制部是亦可實行控制氣體供給部的處理，而使能在處理液被供給至基板的表面的狀態中，從擴散噴嘴對於基板的表面之中中央部噴射氣體，另一方面，對基板的表面之中周緣部不從擴散噴嘴噴射氣體。此情況，基板的中央部的冷卻會更被促進。因此，可更均一地控制基板的面內溫度分佈。
例5. 在例1~例4的任一裝置中，控制部是亦可實行控制氣體供給部的處理，而使能在處理液被供給至基板的表面的狀態且由鉛直方向來看擴散噴嘴從基板的旋轉中心偏心的狀態中，對於基板的表面之中至少包含中央部的區域，從擴散噴嘴噴射氣體。 此情況，在來自擴散噴嘴的氣體的噴射中，藉由基板旋轉，來自擴散噴嘴的氣體會對於基板的更廣的範圍擴散。因此，可更均一地控制基板的面內溫度分佈。
例6. 例1~例6的裝置是更具備：被構成為對基板的表面供給洗淨液之洗淨液供給部， 控制部是在控制氣體供給部的處理之後，亦可更實行控制洗淨液供給部的處理，而能對基板的表面供給洗淨液。 此情況，來自擴散噴嘴的氣體的噴射是在往基板的處理液的供給與洗淨液的供給之間進行。因此，各自的供給處理不會受阻於擴散噴嘴。因此，可順暢地進行一連串的液處理。
例7. 例6的裝置是更具備：被構成為將被保持於基板保持部的基板的周圍的環境予以排氣之排氣部， 控制部是亦可更實行控制排氣部的處理，而使控制氣體供給部的處理的排氣量會比控制洗淨液供給部的處理的排氣量更小。 此情況，在來自擴散噴嘴的氣體的噴射時，基板的周緣部的溫度降低會被抑制。因此，可更均一地控制基板的面內溫度分佈。
例8. 在例6或例7的裝置中，洗淨液供給部的噴嘴是被構成為與擴散噴嘴成為一體而移動，控制部是在將擴散噴嘴及洗淨液供給部的噴嘴的高度位置皆保持於一定的狀態下，實行： 控制氣體供給部的處理，而使被供給處理液的狀態的基板的表面不藉由來自擴散噴嘴的氣體的噴射而露出；及 控制洗淨液供給部的處理，而使被供給至基板的表面的處理液排出。 此情況，由於2個的噴嘴被搭載於一個的噴嘴頭，因此可使裝置小型化。又，由於上述的一連串的處理是噴嘴不上下移動進行，因此噴嘴的動作會被簡略化，所以可謀求液處理的效率化。又，由於基板的表面不會藉由來自擴散噴嘴的氣體的噴射而露出，因此當氣體到達基板上的處理液時，氣體給予處理液的衝撃極小。因此，可抑制基板上的處理液的起浪或走樣。
例9. 例7或例8的裝置是更具備： 被構成為供給乾燥氣體至基板的表面之乾燥氣體供給部；及 保持擴散噴嘴及乾燥氣體供給部的噴嘴之噴嘴頭， 控制部是亦可在控制洗淨液供給部的處理之後，更實行控制乾燥氣體供給部的處理，而使對基板的表面噴射乾燥氣體，從基板的表面除去洗淨液。 此情況，由於2個的噴嘴被搭載於一個的噴嘴頭，因此可使裝置小型化。
例10. 在例7~例9的任一裝置中，控制部是亦可在將擴散噴嘴、洗淨液供給部的噴嘴及乾燥氣體供給部的噴嘴的高度位置都保持於一定的狀態下，實行控制氣體供給部的處理、控制洗淨液供給部的處理、及控制乾燥氣體供給部的處理。此情況，上述的一連串的處理是噴嘴不上下移動進行。因此，噴嘴的動作會被簡略化，所以可謀求液處理的效率化。
例11. 液處理方法之一例是包含： 對基板的表面供給處理液；及 在處理液被供給至基板的表面的狀態中，對於基板的表面之中至少包含中央部的區域，從形成有對於基板的表面分別以不同的角度延伸的複數的噴出口之擴散噴嘴來噴射氣體。 此情況，可取得與例1的裝置同樣的作用效果。
例12. 在例11的方法中，擴散噴嘴是亦可包含形成有複數的噴出口且呈現半球狀的前端部。此情況，可取得與例2的裝置同樣的作用效果。
例13. 在例11或例12的方法中，噴射氣體，亦可包含：在處理液被供給至基板的表面的狀態中，從擴散噴嘴對於基板的表面噴射氣體，比基板的表面的周緣部更長時間供給氣體至中央部。此情況，可取得與例3的裝置同樣的作用效果。
例14. 在例13的方法中，噴射氣體，亦可包含：在處理液被供給至基板的表面的狀態中，對於基板的表面之中中央部，從擴散噴嘴噴射氣體，另一方面，對於基板的表面之中周緣部是不從擴散噴嘴噴射氣體。此情況，可取得與例4的裝置同樣的作用效果。
例15. 在例11~例14的任一方法中，噴射氣體，亦可包含：在處理液被供給至基板的表面的狀態且由鉛直方向看擴散噴嘴從基板的旋轉中心偏心的狀態中，對於基板的表面之中至少包含中央部的區域，從擴散噴嘴噴射氣體。此情況，可取得與例5的裝置同樣的作用效果。
例16. 例11~例15的任一方法是亦可在噴射氣體之後，更包含：對基板的表面供給洗淨液。此情況，可取得與例6的裝置同樣的作用效果。
例17. 在例16的方法中，氣體的噴射時的來自基板的周圍的環境的排氣量是亦可比洗淨液的供給時的來自基板的周圍的環境的排氣量更小。此情況，可取得與例7的裝置同樣的作用效果。
例18. 例16或例17的方法是亦可在供給洗淨液之後，更包含：對基板的表面噴射乾燥氣體而從基板的表面除去洗淨液，擴散噴嘴及乾燥氣體的供給用的噴嘴是皆被保持於相同的噴嘴頭。此情況，可取得與例9的裝置同樣的作用效果。
例19. 在例16~例18的任一方法中，噴射氣體、供給洗淨液及供給乾燥氣體，皆亦可在將擴散噴嘴、洗淨液的供給用的噴嘴及乾燥氣體的供給用的噴嘴的高度位置都保持於一定的狀態下進行。此情況，可取得與例10的裝置同樣的作用效果。
例20. 電腦可讀取的記錄媒體是亦可記錄用以使例11~例19的方法實行於液處理裝置的程式。此情況，可取得與例1的裝置同樣的作用效果。在本說明書中，電腦可讀取的記憶媒體是亦可包含非暫時性的有形的媒體(non-transitory computer recording medium)(例如各種的主記憶裝置或輔助記憶裝置)或傳播訊號(transitory computer recording medium)(例如可經由網路來提供的資料訊號)。 [實施例]
以下，說明實施例1~3及比較例，該等不是限定於本說明書揭示的例子的任一個。
(實施例1) 實施例1是使用上述的基板處理系統1，在直徑300mm的基板W的表面Wa上，以步驟S11~S16的程序來形成光阻圖案RP。此時，在步驟S14中，由鉛直方向看時，噴嘴43c位於基板W的旋轉中心上的狀態下，不使基板W旋轉，將冷卻氣體G1噴射40秒至基板W的表面Wa。
(實施例2) 實施例2是使用上述的基板處理系統1，在直徑300mm的基板W的表面Wa上，以步驟S11~S16的程序來形成光阻圖案RP。此時，在步驟S14中，由鉛直方向看時，噴嘴43c從基板W的旋轉中心偏心50mm而位置，且以10rpm旋轉基板W的狀態下，將冷卻氣體G1噴射40秒至基板W的表面Wa。
(實施例3) 實施例3是使用上述的基板處理系統1，在直徑300mm的基板W的表面Wa上，以步驟S11~S16的程序來形成光阻圖案RP。此時，在步驟S14中，由鉛直方向看時，噴嘴43c水平移動成往返3次於離基板W的旋轉中心0mm~100mm的位置，且以10rpm旋轉基板W的狀態下，將冷卻氣體G1噴射40秒至基板W的表面Wa。
(比較例) 比較例是使用上述的基板處理系統1，在直徑300mm的基板W的表面Wa上，以步驟S11~S13，S15~S16的程序來形成光阻圖案RP。亦即，對於基板W的表面Wa，不從噴嘴43c噴射冷卻氣體G1。
(結果) 測定處理液L1被供給至基板W的表面Wa之後，亦即步驟S13開始55秒後的基板W的面內溫度的最大値與最小値的溫度差。其結果，實施例1的溫度差是1.03℃。實施例2的溫度差是0.49℃。實施例3的溫度差是0.52℃。比較例的溫度差是1.13℃。因此，在實施例1~3中，相對於比較例，被確認基板W的面內溫度分佈會形成更均一。
針對實施例1~3及比較例的各者，測定被形成於基板W的表面Wa的光阻圖案RP的面內線寬分佈。將其結果顯示於圖13及圖14。又，針對實施例1~3及比較例的各者，算出面內線寬分佈的偏差(3σ)。在圖15中，針對實施例1~3及比較例的各者，顯示將比較例的3σ設為100時的相對的3σ(相對3σ)。
如圖13~圖15所示般，實施例1~3，相對於比較例，被確認面內線寬分佈形成更均一。特別是在實施例2中，相對於比較例，面內線寬分佈的均一性分別提升40.0%。在實施例3中，相對於比較例，面內線寬分佈的均一性分別提升40.6%。
1:基板處理系統 2:塗佈顯像裝置(液處理裝置) 20:基板保持部 30:供給部(處理液供給部) 31:供給機構 40:供給部(氣體供給部、洗淨液供給部、乾燥氣體供給部) 41A~41C:供給機構 43:噴嘴單元 43a:噴嘴頭 43c:噴嘴(擴散噴嘴) Ctr:控制器(控制部) G1:冷卻氣體(氣體) G2:乾燥氣體 H:框體 L1:處理液 L2:處理液(洗淨液) PM4:處理模組 RM:記錄媒體 U1:液處理單元(液處理裝置) V1,V2:排氣部 W:基板 Wa:表面
[圖1]是表示基板處理系統之一例的立體圖。 [圖2]是概略性地表示圖1的基板處理系統的內部的側面圖。 [圖3]是概略性地表示圖1的基板處理系統的內部的上面圖。 [圖4]是概略性地表示液處理單元之一例的側面圖。 [圖5]是表示噴嘴單元之一例的側面圖。 [圖6]是表示控制器之一例的方塊圖。 [圖7]是表示控制器的硬體構成之一例的概略圖。 [圖8]是用以說明液處理基板的程序之一例的流程圖。 [圖9]是用以說明基板的液處理方法的圖。 [圖10]是用以說明基板的液處理方法的圖。 [圖11是表示噴嘴單元的其他的例子的側面圖。 [圖12]是表示噴嘴單元的動作的其他的例子的側面圖。 [圖13]是表示被形成於基板的表面的光阻圖案的面內線寬分佈的圖、圖13(a)是表示實施例1的面內線寬分佈、圖13(b)是表示實施例2的面內線寬分佈。 [圖14]是表示被形成於基板的表面的光阻圖案的面內線寬分佈的圖、圖14(a)是表示實施例3的面內線寬分佈、圖14(b)是表示比較例的面內線寬分佈。 [圖15]是表示實施例1~3及比較例的各個的面內線寬分佈的偏差(相對3σ)的圖表。
20:基板保持部
21:旋轉部
22:軸
23:保持部
30:供給部(處理液供給部)
31:供給機構
33:噴嘴
40:供給部(氣體供給部、洗淨液供給部、乾燥氣體供給部)
41A~41C:供給機構
42:驅動機構
43:噴嘴單元
50:罩構件
51:杯本體
52:排液口
53:排氣口
Ctr:控制器(控制部)
H:框體
L1:處理液
U1:液處理單元(液處理裝置)
V1,V2:排氣部
B:鼓風機
W:基板
Wa:表面
R:光阻膜

Claims (20)

  1. 一種液處理裝置，其特徵係具備： 被構成為保持基板的基板保持部； 被構成為對前述基板的表面供給處理液的處理液供給部； 被構成為對前述基板的表面供給氣體的氣體供給部；及 控制部， 前述氣體供給部，係包含：形成有對於前述基板的表面分別以不同的角度延伸的複數的噴出口之擴散噴嘴， 前述控制部，係實行前述氣體供給部的處理，而使能在前述處理液被供給至前述基板的表面的狀態中，對於前述基板的表面之中至少包含中央部的區域，從前述擴散噴嘴噴射前述氣體。
  2. 如請求項1記載的裝置，其中，前述擴散噴嘴，係包含：形成有前述複數的噴出口，且呈現半球狀的前端部。
  3. 如請求項1記載的裝置，其中，前述控制部，係實行控制前述氣體供給部的處理，而使能在前述處理液被供給至前述基板的表面的狀態中，從前述擴散噴嘴對於前述基板的表面噴射前述氣體，比前述基板的表面的周緣部更長時間供給前述氣體至中央部。
  4. 如請求項3記載的裝置，其中，前述控制部，係實行控制前述氣體供給部的處理，而使能在前述處理液被供給至前述基板的表面的狀態中，對於前述基板的表面之中中央部，從前述擴散噴嘴噴射前述氣體，另一方面，對前述基板的表面之周緣部不從前述擴散噴嘴噴射前述氣體。
  5. 如請求項1記載的裝置，其中，前述控制部，係實行控制前述氣體供給部的處理，而使能在前述處理液被供給至前述基板的表面的狀態且由鉛直方向來看前述擴散噴嘴從前述基板的旋轉中心偏心的狀態中，對於前述基板的表面之中至少包含中央部的區域，從前述擴散噴嘴噴射前述氣體。
  6. 如請求項1記載的裝置，其中，更具備：具有對前述基板的表面供給洗淨液的噴嘴之洗淨液供給部， 前述控制部，係在控制前述氣體供給部的處理之後，更實行控制前述洗淨液供給部的處理，而使能對前述基板的表面供給前述洗淨液。
  7. 如請求項6記載的裝置，其中，更具備：被構成為將被保持於前述基板保持部的前述基板的周圍的環境予以排氣之排氣部， 前述控制部，係更實行控制前述排氣部的處理，而使控制前述氣體供給部的處理的排氣量會比控制前述洗淨液供給部的處理的排氣量更小。
  8. 如請求項6記載的裝置，其中，前述洗淨液供給部的噴嘴，係被構成為與前述擴散噴嘴成為一體而移動， 前述控制部，係在將前述擴散噴嘴及前述洗淨液供給部的噴嘴的高度位置皆保持於一定的狀態下，實行： 控制前述氣體供給部的處理，而使被供給前述處理液的狀態的前述基板的表面不藉由來自前述擴散噴嘴的前述氣體的噴射而露出；及 控制前述洗淨液供給部的處理，而使被供給至前述基板的表面的前述處理液排出。
  9. 如請求項6~8的任一項記載的裝置，其中，更具備： 具有對前述基板的表面供給乾燥氣體的噴嘴之乾燥氣體供給部；及 保持前述擴散噴嘴及前述乾燥氣體供給部的噴嘴之噴嘴頭， 前述控制部，係在控制前述洗淨液供給部的處理之後，更實行控制前述乾燥氣體供給部的處理，而使對前述基板的表面噴射前述乾燥氣體，從前述基板的表面除去前述洗淨液。
  10. 如請求項9記載的裝置，其中，前述控制部，係在將前述擴散噴嘴、前述洗淨液供給部的噴嘴及前述乾燥氣體供給部的噴嘴的高度位置皆保持於一定的狀態下，實行：控制前述氣體供給部的處理、控制前述洗淨液供給部的處理、及控制前述乾燥氣體供給部的處理。
  11. 一種液處理方法，其特徵係包含： 對基板的表面供給處理液；及 在前述處理液被供給至前述基板的表面的狀態中，對於前述基板的表面之中至少包含中央部的區域，從形成有對於前述基板的表面分別以不同的角度延伸的複數的噴出口之擴散噴嘴噴射氣體。
  12. 如請求項11記載的方法，其中，前述擴散噴嘴，係包含形成有前述複數的噴出口且呈現半球狀的前端部。
  13. 如請求項11記載的方法，其中，噴射前述氣體，包含： 在前述處理液被供給至前述基板的表面的狀態中，從前述擴散噴嘴對於前述基板的表面噴射前述氣體，比前述基板的表面的周緣部更長時間供給前述氣體至中央部。
  14. 如請求項13記載的方法，其中，噴射前述氣體，包含： 在前述處理液被供給至前述基板的表面的狀態中，對於前述基板的表面之中中央部，從前述擴散噴嘴噴射前述氣體，另一方面，對前述基板的表面之中周緣部不從前述擴散噴嘴噴射前述氣體。
  15. 如請求項11記載的方法，其中，噴射前述氣體，包含： 在前述處理液被供給至前述基板的表面的狀態且由鉛直方向看前述擴散噴嘴從前述基板的旋轉中心偏心的狀態中，對於前述基板的表面之中至少包含中央部的區域，從前述擴散噴嘴噴射前述氣體。
  16. 如請求項11記載的方法，其中，更包含：在將前述氣體噴射之後，對前述基板的表面供給洗淨液。
  17. 如請求項16記載的方法，其中，前述氣體的噴射時的來自前述基板的周圍的環境的排氣量，係比前述洗淨液的供給時的來自前述基板的周圍的環境的排氣量更小。
  18. 如請求項16或17記載的方法，其中，在供給前述洗淨液之後，更包含：對前述基板的表面噴射乾燥氣體而從前述基板的表面除去前述洗淨液， 前述擴散噴嘴及前述乾燥氣體的供給用的噴嘴皆被保持於同噴嘴頭。
  19. 如請求項18記載的方法，其中，噴射前述氣體、供給前述洗淨液及供給前述乾燥氣體，皆是將前述擴散噴嘴、前述洗淨液的供給用的噴嘴及前述乾燥氣體的供給用的噴嘴的高度位置都保持於一定的狀態下進行。
  20. 一種電腦可讀取的記錄媒體，其特徵為： 記錄了使請求項11~17的任一項記載的方法實行於液處理裝置的程式。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2648124B2 (ja) * 1995-03-31 1997-08-27 広島日本電気株式会社 薬液塗布装置
JP3816734B2 (ja) 2000-09-13 2006-08-30 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
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JP5084656B2 (ja) 2008-07-29 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP2012114409A (ja) * 2010-11-04 2012-06-14 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体
TWI480937B (zh) * 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5732376B2 (ja) * 2011-06-21 2015-06-10 東京エレクトロン株式会社 ２流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法
JP6026241B2 (ja) 2012-11-20 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
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