TW202117794A - 用於離子植入的電漿浸漬方法 - Google Patents

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Abstract

本發明描述使用多種前驅物氣體之電漿浸漬離子植入方法，尤其出於相對於在植入過程中亦植入工件內之其他原子物種，控制植入該工件內之特定原子摻雜劑物種之量之目的。

Description

用於離子植入的電漿浸漬方法
下列描述係關於使用多種前驅物氣體之電漿浸漬離子植入方法，尤其出於相對於在植入過程中亦植入該工件內之額外原子物種，控制植入該工件內之特定原子摻雜劑物種之量之目的。
在材料及半導體加工工業中，針對藉由將一或多個額外之化學物種引入固體材料之化學組成中以修飾固體材料之化學組成存在各種原因。將少量之不同原子或離子添加至固體材料之有序結構可對該固體材料之材料性質產生有用且顯著之影響。例如，將少量摻雜劑原子習知添加至半導體材料以影響該半導體材料之導電性。可將氮或碳原子添加至固體材料以改善機械性質(諸如強度或耐磨性)。在其他實例中，可將少量雜質添加至固體材料以影響該固體材料之光學性質。
用於將摻雜劑或雜質植入固體材料內之常用技術係離子束植入。離子束植入技術將相對較純之單一離子物種植入固體材料內，以引起植入材料之化學、光學或機械性質之所需修飾。典型離子束植入系統包括電離室，其發揮作用以形成含有許多離子物種之混合物之離子電漿。離子混合物通過該電離室中之孔並進入高真空區內，在該高真空區中該等離子由電場加速以形成離子束。然後，該離子束通過質量分析器以針對植入選擇並隔離單一離子物種。藉由此方法，可形成離子束以包括來自電漿中之離子物種之混合物之高濃度之所選離子物種，用於將該等單一離子物種植入工件內。
用於離子植入之另一技術係電漿浸漬離子植入。電漿浸漬離子植入技術在腔室中產生電漿，及該電漿含有不同化學離子物種之混合物。將工件放置於該腔室中，並由含有離子物種之混合物之電漿包圍。將電勢放置於該工件附近，諸如在該工件下方，以使該電漿中具有相反電荷(相對於該電勢)之離子向該工件加速並植入該工件中。
將電漿浸漬技術與束線技術進行比較顯示該等兩者之間存在成本、複雜性及性能特徵之平衡。相較於藉由該電漿浸漬離子植入方法植入之低能量離子，習知(束線)離子植入處理室產生之高能量離子之離子束相對更深地滲透至該工件內。該電漿浸漬離子植入方法中提供之離子一般不具有相同之高能量，且相較於束線植入方法，通常植入至減小之深度。因此，進行電漿浸漬離子植入方法所需之能量小於進行束線離子植入方法所需之能量。該束線離子植入方法所需之更高能量可為離子提供更高之植入能量，以自基板表面滲透至更深的區，但增加成本及操作複雜性。相反，該電漿浸漬離子植入方法使用RF功率(射頻功率產生器)將離子解離為電漿，其需較少之能量並減少設備之複雜性。同樣，電漿浸漬離子植入可在相對較短之時間內進行高劑量植入，因此改善通量。因此，如相較於束線植入技術，就某些低能量及高劑量方法而言，可認為電漿浸漬離子植入方法係經濟有效之離子植入技術。
由消除離子束引起之性能差異係藉由電漿浸漬方法植入之離子物種及原子物種之選擇性降低。電漿浸漬技術不涉及可經過濾以針對植入分離(選擇)電漿之所需離子物種之離子束。電漿離子植入技術無法有效針對植入自電漿選擇離子之特定物種。電漿中具有共同電荷之所有離子均向工件加速，並將植入該工件內，意謂多種不同類型之離子物種及原子物種將植入晶圓內。若電漿包括離子物種之混合物，其包括硼、氟及氫原子作為原子物種，則硼、氟及氫中之一些將植入該工件內。
基於此植入技術之非選擇性性質，電漿浸漬技術面臨之重大技術挑戰係對植入工件內之不同原子物種之相對量之控制水平不足。在一定程度上，電漿工具參數調整可影響植入之原子物種之比率。但因為以此方式可提供之控制水平係有限的，所以需當使用電漿浸漬技術時可更好地控制植入之原子物種之量之比率之技術。
本發明描述容許使用電漿浸漬離子植入技術經改善地控制植入工件內之原子物種(「植入之原子物種」)之相對量之技術。該方法包括選擇並使用兩種或更多種不同之氣態前驅物之組合以產生在電漿浸漬離子植入方法中使用之電漿。選擇該等氣態前驅物之化學組成及其等相對量，以使植入該工件內之所選原子物種(例如，「摻雜劑」)之量相對於在植入過程中亦植入工件內之其他較不期望或非所需之原子物種有所增加。
在一項態樣中，本發明係關於離子植入方法。該方法包括：將工件支撐在腔室中；自包括第一前驅物及不同於該第一前驅物之至少一種額外前驅物之前驅物混合物產生電漿，其中該電漿包括至少兩種不同之電漿離子物種，及該等至少兩種不同之電漿離子物種包括所選原子物種及一或多種額外原子物種。該方法亦包括將電勢施加至該工件，使得該等至少兩種不同之電漿離子物種向該工件加速，以使所選原子物種及一或多種額外原子物種植入至該工件表面上。該至少一種額外前驅物引起增加數量之所選原子物種植入至該工件中。
在另一態樣中，本發明係關於電漿浸漬離子植入系統，其包括腔室，該腔室包含：包含RF天線之電漿產生器、工件支撐件及電極。該系統亦包括第一前驅物之來源及不同於該第一前驅物之至少一種額外前驅物之來源。該系統適用於：將工件支撐在該工件支撐件上並自該等前驅體產生電漿。該電漿包括至少兩種不同之電漿離子物種，及該等兩個電漿離子物種包括所選原子物種及一或多種額外原子物種。該系統亦適用於使該等至少兩種不同之電漿離子物種向該工件加速，以使該等所選原子物種及該等一或多種額外原子物種植入至該工件表面上。該至少一種額外前驅物引起增加量之所選原子物種植入該工件內。
下文描述電漿浸漬離子植入技術，其等使用兩種或更多種化學上不同之氣態前驅物以形成電漿。
電漿浸漬技術關於植入工件中之電漿混合物之離子物種係非選擇性的。該等技術一般涉及自含有多種化學上不同之離子物種之混合物之電漿非選擇性植入離子物種。產生之離子物種之數量及類型將取決於用於產生該電漿之氣態前驅物之化學組成。各離子物種可含有一或多個原子物種，及可顯示正電荷或負電荷。將工件放置於腔室中，並由該電漿之離子物種之混合物包圍。電勢使相對於該電勢具有相反電荷之離子向該工件加速並植入該工件中。關於離子之不同類型(具有共同電荷)及該電漿中存在之不同原子物種之量，該植入係非選擇性的，即不受控制。不管化學組分如何，該電漿中具有與該電勢相反之電荷之所有離子物種均向該工件加速。
根據本發明，申請者已識別容許使用電漿浸漬離子植入技術經改善地控制植入工件中之原子物種之相對量之技術。該方法包括選擇並使用兩種或更多種化學上不同之氣態前驅物之組合以產生與該電漿浸漬離子植入技術一起使用之電漿。兩種或更多種不同氣態前驅物之化學組成及經選擇並用於產生該電漿之各者之相對量可經選擇及控制，以引起植入該工件中之特別需要之原子物種(例如，「摻雜劑」) (在本文中稱為「所選原子物種」)之量相對於在植入過程中亦植入工件中之其他較不期望或非所需之原子物種(「附加原子物種」)增加。
本說明書之電漿浸漬離子植入方法涉及自兩種或更多種化學上不同之氣態前驅物產生電漿，用於藉由電漿浸漬植入技術植入。該等氣態前驅物中之至少一者包括植入工件內所需之原子物種(「所選」原子物種)，例如當存在於該工件之組分中時用作摻雜劑物種。如描述之方法容許相較於其他植入之原子物種，經改善地控制植入該工件內之所選原子物種之相對量，尤其使得相較於植入該工件中之其他(額外)原子物種之量，植入更高量(百分比)之所選原子物種。
基於如描述之方法之兩個特定(非限制性)實例，植入工件內之原子物種可為硼、氟或硼及氟之組合。硼及氟通常在半導體材料中用作摻雜劑物種。
儘管本說明書使用硼及氟作為植入(例如，「摻雜劑」)物種之兩個具體實例，其等中之任何一者可為「所選」原子物種，但本說明書之方法對與其他原子物種作為植入物種一起使用而言可為有效的；例如，本文描述之方法可用於控制或增加植入工件中之特定所選原子物種(不同於氟或硼)之量(百分比)相對於植入之原子物種之總量。
相較於在使用僅一種氣態前驅物(即，單一氣態前驅物)以製備電漿之過程中(即，在缺乏一或多種額外前驅物之情況下)達成之控制量(百分比)，植入工件中之所選原子物種之量之增加量可為至少5%、10%、20%、30%、50%，或在一些實例方法中，增加多達100%。例如，若藉由使用一種氣態前驅物(在缺乏一或多種額外前驅物之情況下)產生電漿之方法植入之所選植入原子物種之量為藉由該方法植入工件中之總原子物種之35%，則所選植入原子物種之增加量可比35%基數大至少5%、10%、20%、30%、50%或100%，即，植入原子物種之總量之至少36.75%、38.5%、42%、45.5%、52.5%或70%係該等所選物種(及該等總植入原子物種之其餘63.25%、61.5%、58%、54.5%、47.5%及30%係一或多個額外植入原子物種)。
在此實例中，所選原子物種之35%值係藉由電漿離子浸漬植入技術使用單一氣態前驅物植入以製備電漿之所選物種之量之基線(「基準」)值。作為一實例，當BF3 單獨用作單一氣態電漿前驅物以藉由電漿離子浸漬植入技術製備電漿時，作為植入原子物種植入之硼之基線百分比可在約34至約35% (原子)之範圍內，而其餘之植入原子物種(即，約65%至約66% (原子))為氟。作為所選植入原子物種之硼經增加之相對量可為較35%基數大至少5%、10%、20%、30%、50%或100% (原子)之量，因為基於所有植入原子物種之總量，總植入原子物種之百分比，例如，植入硼之量為至少36.75%、38.5%、42%、45.5%、52.5%或70% (原子)。
根據用於植入硼或氟作為所選原子物種之典型(先前及當前)之商業方法，BF3 或B2 H6 係用作氣態前驅物。當BF3 為前驅物時，電漿將含有B+ 、F+ 、BF+ 、BF2 + 及BF3 + 離子。此等各種離子物種及來自此等離子之硼及氟之原子物種將植入工件內，而離子物種或原子物種均不具選擇性以控制植入之硼及氟之相對量。
根據本說明書之方法，可自兩種或更多種化學上不同之氣態前驅物產生電漿，及相對於植入之所有(所選及未選)原子物種，可特定選擇氣態前驅物以引起相對較高或增加量之尤其需要(即「所選」)之待植入工件中之原子物種。植入該工件中之所選植入原子物種之量作為總植入原子物種之百分比(總所選植入物種及植入之未選物種)可為至少20%，例如，25%、35%、45%、55%、65%；即，所選植入原子物種之量可為植入之所選原子物種及植入之未選原子物種之總量之至少20%，例如，25%、35%、45%、55%、65%或更高。如本文描述，使用兩種或更多種化學上不同之氣態前驅物以產生電漿為一種技術，當相較於自僅單一氣態前驅物產生電漿之類似電漿浸漬離子植入方法時，相對於植入之所有原子物種之總量，該技術可用於增加植入工件內之所選原子物種之量。根據本文描述之方法，電漿係自包括第一前驅物及不同於該第一前驅物之至少一種額外前驅物之前驅物混合物產生。該電漿包括至少兩種不同之電漿離子物種，及該等至少兩種不同之電漿離子物種包括所選原子物種及一或多種額外原子物種。相較於藉由進行該方法而不使用至少一種額外前驅物以形成該電漿，即，藉由以僅該第一前驅物形成該電漿，相對於所有植入原子物種，用於形成該電漿之至少一種額外前驅物引起植入工件中之所選原子物種之量(百分比)增加。
根據本文描述之方法之有用且較佳之實例，所選原子物種可為硼或氟，及可用於產生電漿之氣態前驅物可包括選自下組中之一者(例如，兩種前驅物均可選自單一組)，或選自下組中之兩者或更多者之兩種或更多種化學上不同之氣態前驅物之組合。 A組-氟化硼氣體：BF3 、B2 F4 、Bx Fy 。 B組-氫化硼氣體：B2 H6 、Bx Hy 。 C組-混合氟氫化硼：BHF2 、BH2 F、Bx Hy Fz 。 D組-其他硼氣體：BCl3 、Bx Ay (A可為除氟外之元素)。 E組-氟或氟化物氣體(非硼)：F2 、SiF4 、Si2 F6 、GeF4 、Ge2 F6 、CF4 、C2 F6 、XeF2 、PF3 、PF5 、AsF3 、AsF5 、NF3 、SF6 、Ax Fy (A可為除硼外之元素)。 F組-惰性氣體：He、Ne、Ar、Kr、Xe及N2 。 G組-氫及氫化物氣體：H2 、SiH4 、Si2 H6 、GeH4 、Ge2 H6 、PH3 、AsH3 、CH4 、C2 H6 、NH3 、Ax Hy 。 H組-氧及氧化物氣體：O2 、O3 、N2 O、N4 O、NO2 、N2 O3 、N2 O4 、N2 O5 、CO、CO2 、Ax Oy 。
在此等及其他實例方法中，電漿可自含有如本文描述之兩種化學上不同之氣態前驅物之組合之氣態前驅物產生，該等氣態前驅物選自A、B、C、D及E組中之一或多者，及可額外包括選自F、G及H組之一或多種氣體。第一前驅物與第二前驅物之相對量可為有效或較佳之任何一者，例如10:90至90:10 (莫耳)之相對量，例如在40:60至60:40之範圍內之相對量。
根據其他實例方法，電漿可包括第三氣態前驅物、第四氣態前驅物及第五或額外氣態前驅物中之一或多者，各選自A、B、C、D及E組中之任何一者。
在某些特定之實例方法中，所選原子物種係硼，及兩種氣態前驅物均可選自A組。或者，該等兩種氣態前驅物可藉由使用來自B組之一種氣態前驅物及來自D組之一種氣態前驅物選擇。作為實例：該第一氣態前驅物可為BF3 ，及該第二氣態前驅物可為B2 F4 ；或該第一氣態前驅物可為BF3 ，及該第二氣態前驅物可為B2 H6 ；或該第一氣態前驅物可為B2 F4 ，及該第二氣態前驅物可為B2 F6 。
在此等實例方法中，硼係所選原子物種，及氟及視需要氫係未選原子物種。作為所選原子物種植入工件中之硼之量可為總植入原子物種之至少20%，例如，25%、35%、45%、55%、65%、75%、85%或95% (原子)；即，植入硼之量為植入硼及植入非硼原子物種之總量之至少20%，例如，25%、35%、45%、55%、65%、75%、85%或95% (原子)。在較佳之實例方法中，當電漿來源於如本文描述之兩種或更多種化學上不同之氣態前驅物之組合時，植入工件中之硼之量(百分比，原子)相對於工件中所有植入原子物種(硼加非硼原子物種)之總量可大於藉由類似(例如，相同)電漿浸漬離子植入方法植入之硼之量(百分比，原子)，以相同工件，其自僅一種單一氣態前驅物化合物(例如，BF3 或B2 F4 )而非兩種或更多種氣態前驅物(化合物)之混合物產生電漿。
作為如本文描述之方法之一額外潛在益處，選擇兩種或更多種氣態前驅物之有用或較佳類型及量用於植入硼作為所選原子物種，可導致硼顆粒或硼塗層材料之水平降低，其等在電漿浸漬離子植入過程中，存在或聚集於電漿浸漬離子植入工具之腔室之內部表面。減少腔室內之顆粒形成及沈積亦可藉由減少停機時間增加系統之操作時間(正常運行時間)，及亦可增加電漿浸漬離子植入系統之有用壽命。
在其他實例方法中，摻雜劑原子物種係氟，及兩種氣態前驅物均可選自E組。作為實例：第一氣態前驅物可為F2 ，及第二氣態前驅物可為BF3 或HF；或該第一氣態前驅物可為NF3 ，及該第二氣態前驅物可為CF4 。
在此等實例方法中，氟係所選原子物種，及兩種或更多種氣態前驅物中之任何一者之一或多種非氟原子物種可為未選原子物種。植入工件中之氟之量可為總植入原子物種之至少40%，例如，45%、55%、65%、75%、85%或95% (原子)，即，植入氟之量可為植入氟及任何植入非氟原子物種之總量之至少40%，例如，至少45%、55%、65%、75%、85%或95% (原子)。在較佳方法中，當電漿來源於如本文描述之兩種或更多種化學上不同之氣態前驅物之組合時，植入工件中之氟之量(百分比，原子)相對於工件中所有植入原子物種(氟加非氟原子物種)之總量可大於藉由類似電漿浸漬離子植入方法，使用相同工件，自僅一種氣態前驅物(例如，BF3 )產生電漿所植入之氟之數量(百分比，原子)。
如本文描述之在電漿浸漬離子植入方法中使用多種氣態前驅物以產生電漿之方法可與任何所需氣態前驅物、任何所選原子物種及其中待植入所選原子物種之任何所需工件一起使用。相對於植入原子物種(所選及未選原子物種)之總量，特定方法適用於增加植入工件中之所選原子物種之相對量(百分比，原子)。此等較佳方法可增加植入工件中之所選原子物種之量(百分比，原子)相對於植入使用類似植入方法製備之類似(例如，相同)工件中之所選原子物種之量，該類似植入方法與本發明方法相同，但使用僅單一氣態前驅物以產生電漿。
電漿浸漬離子植入技術可藉由自本文描述之包含不同類型之離子之混合物之電漿提取離子，藉由向工件(保持於該電漿內)或支撐該工件之電極施加高壓以使該等離子向基板加速而適用於表面摻雜或修飾。來自該電漿之該等加速離子滲透至該工件內。該工件可為其中可視需要引入離子中之一者或離子之組合之任何物品或裝置，例如，半導體晶圓或微電子裝置基板。相較於束線植入工具，電漿浸漬植入工具由於缺乏質量分析器(束線離子植入系統中所需)而複雜度降低，該質量分析器可自含有許多不同離子物種之電漿選擇植入所需之離子。該電漿浸漬離子植入工具無需產生、聚焦及細化離子束之裝置。因此，電漿浸漬離子植入技術可產生諸如以下之優點：較低之功率需求；呈遞至工件之離子之能量較低或劑量較高，或兩者；相對更好的保形摻雜；降低總硬體及操作成本；或此等中之兩者或更多者。
如本文描述之方法可使用習知電漿浸漬工具進行，該習知電漿浸漬工具由電漿浸漬離子植入之已知原理操作，並用如本文描述之兩種或更多種氣態前驅物之組合。由來源於兩種或更多種氣態前驅物之不同離子物種之混合物製得之電漿可藉由向含有該等氣態前驅物之處理室施加高壓RF或EM場之任何其他形式(微波或DC)形成。然後使該等離子偏向該工件表面，並距該基板表面植入所需深度。
圖1顯示可適用於進行如本文描述之方法之實例電漿浸漬離子植入室。圖1之腔室適用於進行電漿浸漬離子植入方法，但亦可用於使基板暴露於高能量離子，而不將該等離子植入表面之下。因此，如本文使用，術語「植入」係指藉由如本文描述之方法使離子或原子位於工件之表面或下方。
處理室100包括腔室主體102，該腔室主體102具有底部124、頂部126，及封閉腔室內部空間104之側壁122。基板支撐組件128自腔室主體102之底部124支撐，及包括適於容納基板300用於處理之支撐板200。視需要，基板支撐組件128可包括適用於控制基板300支撐之支撐板200之溫度之嵌入式加熱器元件或冷卻元件(未顯示)。
真空埠132限定於腔室主體102中，及在操作期間耦合至用於排空腔室104之真空泵(未顯示)。
將多種來源之氣態前驅物引入腔室104內，例如，通過一或多個入口埠130，以將氣態前驅物供應至腔室104內用於在基板300上進行之方法。
腔室104內亦存在RF天線310，其連接至RF產生器(未顯示)以藉由解離氣態前驅物化合物活化該RF天線並產生電漿320。
在使用中，包括如本文描述之兩種或更多種氣態前驅物之處理氣體係通過一或多個入口埠130自處理氣體源(未顯示)供應至腔室104，並由RF天線310轉化為電漿320。該RF天線及RF產生器可經組態以將該等兩種或更多種氣態前驅物之化合物有效解離為可植入離子物種，其等將由脈衝產生器330產生之電勢引向基板300之表面。本文闡述之系統之操作參數(諸如該RF產生器之功率及該脈衝產生器之功率及頻率)可經選擇，以產生可向該基板表面加速並在基板300之頂面下之所需深度處在所需離子濃度下植入之電漿之離子離子物種。
在實例操作中，RF功率之功率解離氣態前驅物以在基板之表面產生所需離子通量。將該RF功率控制在可使自處理氣體解離之離子能量向該基板表面加速，並在該基板之頂面下之所需深度處在所需離子濃度下植入之程度。在示例性術語中，相對較低之偏壓(例如，50 V)可導致相對較低之離子能量，例如，在包括50 eV之範圍內。具有低離子能量之解離離子可在距該基板表面較淺之深度處植入。或者，約100 kV之較高偏壓可產生較高之離子能量，例如，在包括100 keV之範圍內。由相對較高之RF功率及偏壓(諸如高於約100 keV)提供及產生之具有高離子能量之解離離子可植入至距該基板表面深的多之基板內。
100:處理室 102:腔室主體 104:腔室內部空間 122:側壁 124:底部 126:頂部 128:基板支撐組件 130:入口埠 132:真空埠 200:支撐板 300:基板 310:RF天線 320:電漿 330:脈衝產生器
圖1繪示適用於描述方法之實例電漿浸漬離子植入工具及系統。
100:處理室
102:腔室主體
104:腔室內部空間
122:側壁
124:底部
126:頂部
128:基板支撐組件
130:入口埠
132:真空埠
200:支撐板
300:基板
310:RF天線
320:電漿
330:脈衝產生器

Claims (10)

  1. 一種離子植入方法，其包括： 將一工件支撐在一腔室中； 自包含第一前驅物及不同於該第一前驅物之至少一種額外前驅物之前驅物混合物產生電漿，其中該電漿包含至少兩種不同之電漿離子物種，及該等至少兩種不同之電漿離子物種包括所選原子物種及一或多種額外原子物種； 向該工件施加電勢，使該等至少兩種不同之電漿離子物種向該工件加速，以引起該等所選原子物種及該等一或多種額外原子物種植入至該工件表面上； 其中該至少一種額外前驅物引起增加量之所選原子物種植入至該工件中。
  2. 如請求項1之方法，其中植入該工件中之該等所選原子物種之量比藉由缺乏該等一或多種額外前驅物之方法植入之該等所選原子物種之量高至少5%。
  3. 如請求項1之方法，其中植入該工件中之該等所選原子物種之量為植入之原子物種之總量之至少20%。
  4. 如請求項1之方法，其中該等所選原子物種係硼或氟，該等一或多種額外之原子物種包含硼、氟、氫或此等之組合，及該第一前驅物及該等一或多種額外之前驅物包含： 選自A、B、C、D或E組之第一前驅物，及 第二前驅物，其不同於該第一前驅物，係來自A、B、C或D組， 其中： A組包括氟化硼氣體諸如BF3 、B2 F4 或Bx Fy B組包括氫化硼氣體諸如B2 H6 或Bx Hy C組包括混合之氟化氫硼氣體諸如BHF2 、BH2 F或Bx Hy Fz D組包括硼氣體諸如BCl3 或Bx Ay (其中A係除氫或氟外之元素) E組包括氟或氟化物氣體諸如HF、F2 、SiF4 、Si2 F6 、GeF4 、Ge2 F6 、CF4 、C2 F6 、XeF2 、PF3 、PF5 、AsF3 、AsF5 、NF3 、SF6 及Ax Fy (其中A係除硼外之元素)。
  5. 如請求項1之方法，其中該前驅物混合物包含來自F、G或H組之一或多種前驅物，其中： F組包括惰性氣體諸如He、Ne、Ar、Kr、Xe或N2 ， G組包括氫及氫化物氣體諸如H2 、SiH4 、Si2 H6 、GeH4 、Ge2 H6 、PH3 、AsH3 、CH4 、C2 H6 、NH3 及Ax Hy ，(其中A係除硼或氟外之元素) H組包括氧及氧化物氣體：O2 、O3 、N2 O、N4 O、NO2 、N2 O3 、N2 O4 、N2 O5 、CO、CO2 及Ax Oy ，其中A係除氧外之元素。
  6. 如請求項1之方法，其中該等所選原子物種係硼，及植入該工件中之硼之量為植入之原子物種之總量之至少20%。
  7. 如請求項1之方法，其中該等所選原子物種係氟，及植入該工件中之氟之量為植入之原子物種之總量之至少40%。
  8. 如請求項7之方法，其中該第一前驅物係選自HF、F2 、SiF4 、Si2 F6 、GeF4 、Ge2 F6 、CF4 、C2 F6 、XeF2 、PF3 、PF5 、AsF3 、AsF5 、NF3 、SF6 及Ax Fy (其中A係除硼外之元素)。
  9. 如請求項7之方法，其中第一前驅物與第二前驅物之相對量係在10:90至90:10 (莫耳)之範圍內。
  10. 一種電漿浸漬離子植入系統，其包含： 一腔室，其包含： 包含一RF天線之一電漿產生器， 一工件支撐件，及 一電極， 第一前驅物之一來源，及 不同於該第一前驅物之至少一種額外前驅物之一來源， 其中該系統經調適以： 將一工件支撐在該工件支撐件上； 自該等前驅物產生電漿，其中該電漿包含至少兩種不同之電漿離子物種，及該等兩種電漿離子物種包括所選原子物種及一或多種額外原子物種；及 使該等至少兩種不同之電漿離子物種向該工件加速，以引起該等所選原子物種及該等一或多種額外原子物種植入至該工件表面上； 其中該至少一種額外前驅物引起增加量之所選原子物種植入至該工件中。
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