TW202106484A - 晶圓修整和清洗設備 - Google Patents

Abstract

本發明實施例是有關於一種晶圓修整和清洗設備，其包含配置成修整晶圓的受損邊緣部分的刀片，由此定義晶圓的新側壁。晶圓修整和清洗設備進一步包含水噴嘴和空氣噴嘴。水噴嘴配置成將去離子水施加到晶圓的新側壁以去除由刀片產生的污染物顆粒。空氣噴嘴配置成將加壓氣體施加到晶圓的第一頂部表面區域以去除由刀片產生的污染物顆粒。第一頂部表面區域上覆於晶圓的新側壁。

Description

晶圓修整和清洗設備

本發明實施例是有關於一種晶圓修整和清洗設備。

半導體器件製造是用於生產存在於日常電子器件中的積體電路的製程。製造製程是微影和化學處理步驟的多步驟序列，在此期間在由半導體材料構成的晶圓上逐漸產生電子電路。在製造期間，晶圓的邊緣可能變得受損或以其它方式不適合與電子電路一起使用。因此，可在製造期間修整晶圓的邊緣。在晶圓邊緣修整期間，可能存在污染物顆粒。使用清洗製程來去除來自晶圓邊緣修整的污染物顆粒以產生可靠的半導體器件。

本發明實施例提供一種晶圓修整和清洗設備，其包括：刀片，配置成修整晶圓的受損邊緣部分且定義所述晶圓的新側壁；水噴嘴，配置成將去離子水施加到所述晶圓的所述新側壁，以去除由所述刀片產生的污染物顆粒；以及空氣噴嘴，配置成將加壓氣體施加到所述晶圓的第一頂部表面區域以去除由所述刀片產生的所述污染物顆粒，其中所述第一頂部表面區域上覆於所述晶圓的所述新側壁。

本發明實施例提供一種晶圓修整和清洗設備，其包括：刀片，配置成去除晶圓的受損邊緣部分但不去除所述晶圓的未受損邊緣部分，其中通過所述刀片去除所述受損邊緣部分定義所述晶圓的新側壁；晶圓卡盤，配置成支撐所述晶圓；水噴嘴，具有第一噴霧區域，所述第一噴霧區域配置成在所述刀片處與所述晶圓的所述新側壁交疊且清洗所述晶圓的所述新側壁；溶液噴嘴，具有第二噴霧區域，所述第二噴霧區域配置成在所述刀片處與所述晶圓的所述未受損邊緣部分交疊且清洗所述晶圓的所述未受損邊緣部分，其中所述第二噴霧區域毗鄰所述第一噴霧區域；以及空氣噴嘴，遠離所述晶圓卡盤的中心向外導向，且具有配置成在所述刀片處與所述晶圓的所述未受損邊緣部分交疊的第三噴霧區域，其中所述第三噴霧區域大於所述第二噴霧區域且包含所述第二噴霧區域。

本發明實施例提供一種用於修整和清洗晶圓的邊緣的方法，所述方法包括：用刀片修整所述晶圓的受損邊緣部分以定義所述晶圓的新側壁，其中所述修整在所述晶圓上產生污染物顆粒；用水噴嘴將去離子水施加到所述晶圓的所述新側壁以去除所述污染物顆粒；以及在所述晶圓的第一頂部表面區域處用空氣噴嘴將加壓氣體施加到所述晶圓，其中所述加壓氣體從所述晶圓的中心向外導向以去除殘留污染物顆粒，且其中在與所述修整相同的腔室中進行所述去離子水的施加和所述加壓氣體的施加。

以下公開提供用於實施所提供主題的不同特徵的許多不同實施例或實例。下文描述元件和佈置的具體實例來簡化本公開。當然，這些僅是實例且並不意欲是限制性的。舉例來說，在以下描述中，第一特徵在第二特徵上方或第二特徵上形成可包含第一特徵與第二特徵直接接觸地形成的實施例，且還可包含額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成，使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本公開可在各種實例中重複附圖標號和/或字母。此重複是出於簡單和清晰的目的，且本身並不指示所論述的各種實施例和/或配置之間的關係。

此外，為了易於描述，在本文中可使用例如“在……下方（beneath）”、“在……之下（below）”、“下部（lower）”、“在……之上（above）”、“上部（upper）”等的空間相關術語，以描述如圖中所示出的一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除圖中所描繪的定向之外，空間相對術語意圖涵蓋器件在使用或操作中的不同定向。設備可以其它方式定向（旋轉90度或處於其它定向），且本文中所使用的空間相對描述詞同樣可相應地進行解釋。

在半導體器件製造期間，積體電路可形成於由半導體材料製成的晶圓上。在一些製造方法中，晶圓的邊緣在製造期間變得受損或不可靠，且因此被去除。舉例來說，在一些實施例中，晶圓可能在其邊緣處翹曲。在其它實施例中，多個晶圓和/或層堆疊在彼此上且彼此接合，且在堆疊的邊緣處，接合可能是弱的。另外，在一些實施例中，機器人可能在邊緣處接觸晶圓以進行運輸，從而造成損壞。

用於去除晶圓的受損邊緣的方法可例如包含將晶圓放置在晶圓卡盤上及使用刀片設備持續修整掉受損的晶圓邊緣。刀片設備可包含旋轉刀片（spinning blade）和多個水噴嘴。當刀片修整掉受損的晶圓邊緣時，污染物顆粒可能留在所修整的晶圓邊緣上。當刀片正在修整時，多個水噴嘴將去離子水施加到所修整的晶圓邊緣，以便通過去除污染物顆粒來清洗晶圓。然而，污染物顆粒可能極小，且難以去除。舉例來說，污染物顆粒可能陷於晶圓邊緣上的不同裂隙中，且還可能陷於晶圓和/或可存在於晶圓的頂部表面上的積體電路內。在一些實施例中，由多個水噴嘴施加的去離子水集中到所修整的晶圓邊緣和與所修整的晶圓邊緣相鄰的晶圓的一小部分頂部表面。通常，污染物顆粒仍然殘留在晶圓的頂部表面上，且污染物顆粒與去離子水的混合物可能朝向晶圓的中心流動而非離開晶圓的頂部表面。另外，在一些實施例中，去離子水可能未有效地去除這種小的污染物顆粒。此外，污染物顆粒可包括不同材料，且因此具有使污染物顆粒保留在晶圓表面上的不同類型的吸引力。舉例來說，在一些實施例中，污染物顆粒可包括半導體材料（例如，矽、鍺等）、氧化物（例如，氧化矽、氮氧化矽等）、金屬（例如，銅、鋁、鎢等）或其組合。因此，在一些實施例中，在晶圓邊緣修整之後，由於存在污染物顆粒，所以半導體器件可能仍然是受損的且不可靠的。

本公開的各種實施例提供晶圓修整和清洗設備和用於修整和清洗晶圓的方法以去除受損邊緣且仍然產生可靠的電子器件。在一些實施例中，設備包含刀片、水噴嘴、溶液噴嘴以及空氣噴嘴。刀片配置成修整掉受損邊緣以定義新側壁，且前述噴嘴配置成當刀片正在修整時通過去除任何污染物顆粒來清洗晶圓；因此，修整和清洗原位（in-situ）進行。水噴嘴配置成通過將去離子水施加到新邊緣來去除存在於晶圓的新側壁上的污染物顆粒。然而，污染物顆粒可存在於晶圓的頂部表面上。因此，溶液噴嘴配置成清洗與晶圓的新側壁相鄰的晶圓的第一頂部表面區域。換句話說，第一頂部表面區域具有與晶圓的新側壁相交的邊緣。溶液噴嘴配置成將清洗溶液施加到第一頂部表面區域以去除掉晶圓的污染物顆粒。清洗溶液可包括表面活性劑、去離子水與奈米氣泡的溶液或另一種清洗化學品。清洗溶液具有有效地去除吸引到晶圓的污染物顆粒的特性。然而，污染物顆粒和/或清洗溶液仍然可存在於晶圓的頂部表面上。舉例來說，一些污染物顆粒仍可在晶圓上的裂隙中，或清洗溶液可能未完全迫使污染物顆粒離開晶圓。因此，空氣噴嘴配置成隨後通過將加壓氣體施加到晶圓以攪動（agitate）、逐出以及推走任何殘留污染物顆粒和/或溶液來清洗晶圓的包含第一頂部表面區域的第二頂部表面區域。

前述方法由於許多原因而產生可靠的器件（例如，具有高晶圓接受度測試（wafer acceptance test）性能的器件）。舉例來說，通過原位進行修整和清洗步驟，所述方法是高效的且不會對製造製程增加額外時間。另外，所述方法提供利用不同溶液的多達三個清洗噴嘴，這提供各種不同特性／科學原理以有效地去除污染物顆粒，所述污染物顆粒的大小、材料以及在晶圓上的位置可能彼此不同。

圖1A示出包括溶液噴嘴和空氣噴嘴的晶圓修整和清洗設備的一些實施例的透視圖100A。

晶圓修整和清洗設備包含刀片設備104，所述刀片設備在結構上支撐刀片124、噴霧噴嘴（spray nozzle）126、噴淋噴嘴（shower nozzle）128以及刀片冷卻器噴嘴130。晶圓卡盤122安置在刀片設備104下方且配置成固持晶圓102。晶圓102示出為透明的，使得刀片設備104仍是可見的。刀片124配置成沿修整路徑108修整晶圓102的外邊緣。當刀片124沿修整路徑108旋轉且修整晶圓102時，去除晶圓102的受損邊緣部分且保留晶圓102的未受損邊緣部分。刀片冷卻器噴嘴130配置成當刀片124正在旋轉且修整晶圓102時將去離子水施加到所述刀片124以避免對晶圓102和/或刀片124的熱損壞。噴霧噴嘴126和噴淋噴嘴128還將去離子水施加到刀片124和晶圓102以有助於沿修整路徑108對晶圓102進行清潔切割。噴霧噴嘴126、噴淋噴嘴128以及刀片冷卻器噴嘴130可一起標記為刀片設備104的水噴嘴。在一些實施例中，噴霧噴嘴126和/或噴淋噴嘴128在修整之後將去離子水導向到晶圓102的新側壁，以從晶圓102的新側壁去除在修整期間由刀片124產生的任何污染物顆粒。噴霧噴嘴126和/或噴淋噴嘴128還可將去離子水導向晶圓102的第一頂部表面區域（其中晶圓102的第一頂部表面區域與晶圓102的新側壁共用邊緣），以從晶圓102的第一頂部表面區域去除任何污染物顆粒。

在一些實施例中，晶圓修整和清洗設備進一步包含溶液噴嘴110。溶液噴嘴110配置成將清洗溶液導向到晶圓102的第二頂部表面區域上，以去除沒有被噴霧噴嘴126和/或噴淋噴嘴128去除的任何污染物顆粒。在一些實施例中，噴霧噴嘴126和/或噴淋噴嘴128導致污染物顆粒和/或去離子水位於晶圓102的第二頂部表面區域中，且不能有效的從晶圓102的第二頂部表面區域去除污染物顆粒和/或去離子水。溶液噴嘴110佈置成使得導向清洗溶液遠離晶圓102的中心且朝向刀片設備104以逐出和迫使污染物顆粒離開晶圓102。此外，清洗溶液具有與由噴霧噴嘴126和噴淋噴嘴128使用的去離子水不同的污染物顆粒去除技術。舉例來說，在一些實施例中，通過溶液噴嘴110施加的清洗溶液可包括遍佈于去離子水或其它液體溶液中的奈米氣泡。奈米氣泡是在溶液內的具有小於1微米的直徑的氣泡（例如，氣體）。在一些實施例中，奈米氣泡具有例如約100奈米的直徑。在一些實施例中，相較于無奈米氣泡的溶液，奈米氣泡可例如提供更多攪動以逐出污染物顆粒。在一些實施例中，奈米氣泡與去離子水的介面可比污染物與晶圓102的介面具有更高的能量，這有助於從晶圓去除污染物顆粒。在其它實施例中，通過溶液噴嘴110施加的清洗溶液包括表面活性劑，所述表面活性劑可例如破壞污染物顆粒與晶圓102之間的吸引力且進一步從晶圓102去除污染物顆粒而沒有再沉積。

在一些實施例中，晶圓修整和清洗設備進一步包含空氣噴嘴112。空氣噴嘴112配置成將加壓氣體施加到晶圓102的第三頂部表面區域上，以去除任何殘留污染物顆粒。晶圓102的第三頂部表面區域包含第一頂部表面區域和第二頂部表面區域。因此，空氣噴嘴112佈置成比溶液噴嘴110和刀片設備104清洗晶圓102的更大的頂部表面區域，且空氣噴嘴112佈置成利用平面流（planar flow）以將任何殘留污染物顆粒、清洗溶液以及去離子水遠離晶圓102的中心且朝向刀片124逐出。

因此，圖1A的晶圓修整和清洗設備利用刀片124、水噴嘴（噴霧噴嘴126、噴淋噴嘴128以及刀片冷卻器噴嘴130）、溶液噴嘴110以及空氣噴嘴112以修整晶圓102的受損邊緣部分，且隨後通過去除由修整產生的污染物顆粒來清洗晶圓102的附近未受損邊緣部分。晶圓修整和清洗設備配置成在與修整相同的腔室中（例如，原位）實施清洗，使得不增加製造製程的時間。

圖1B示出圖1A的晶圓修整和清洗設備的一些實施例的橫截面視圖100B。

圖1B的橫截面視圖100B包含與圖1A的透視圖100A相同的特徵且對應於所述透視圖。晶圓102示出為透明的，使得刀片設備104仍是可見的。在一些實施例中，刀片124具有最低表面，所述最低表面在晶圓102的最低表面之下，使得刀片124完全切穿晶圓102。此外，在一些實施例中，晶圓卡盤122配置成具有小於晶圓102的直徑的直徑，使得晶圓卡盤122不干擾刀片124。類似地，晶圓卡盤122配置成具有小於晶圓102的修整路徑108的直徑，使得晶圓卡盤122不干擾刀片124。因此，在一些實施例中，刀片設備104未直接上覆於晶圓卡盤122（見圖1A的透視圖100A）。在一些實施例中，溶液噴嘴110和空氣噴嘴112直接上覆於晶圓卡盤122。在其它實施例中，溶液噴嘴110和空氣噴嘴112直接上覆於晶圓102但不直接上覆於晶圓卡盤122。此外，在一些實施例中，晶圓102包括彼此接合的多個晶圓的堆疊。因此，刀片124可具有最低表面，所述最低表面在彼此接合的多個晶圓的堆疊的最低表面之下。

圖1C示出對應於圖1A的透視圖100A的具有受損邊緣部分的晶圓的一些實施例的俯視圖100C。

圖1C的俯視圖100C包含圖1A和圖1B的晶圓102的一些額外特徵。在一些實施例中，晶圓102包括環繞未受損邊緣部分102u和中心部分102c的受損邊緣部分102d。受損邊緣部分102d可包括受損區域，例如翹曲區域、非接合區域（non-bonded region）或收縮區域（pinched region），使得受損邊緣部分102d不適合用於電子器件。在一些實施例中，受損邊緣部分102d和未受損邊緣部分102u可各自是環形。未受損邊緣部分102u可使中心部分102c與受損邊緣部分102d分隔開。此外，在一些實施例中，受損邊緣部分102d與未受損邊緣部分102u之間的介面可定義修整路徑108。在其它實施例中，修整路徑108可與未受損邊緣部分102u相交，使得在修整期間去除受損邊緣部分102d和未受損邊緣部分102u的外部區域，而大部分的未受損邊緣部分102u沒有從晶圓102移除。

在一些實施例中，根據俯視圖100C，刀片設備（圖1A的刀片設備104）具有第一噴霧區域（spray area）104a且配置成在第一噴霧區域104a處將去離子水施加到晶圓102。第一噴霧區域104a隨著刀片設備（圖1A的刀片設備104）移動且可例如與通過刀片設備（圖1A的刀片設備104）清洗的晶圓102的第一頂部表面區域相同、包含所述第一頂部表面區域或以其它方式對應於所述第一頂部表面區域。在一些實施例中，第一噴霧區域104a的輪廓與第一頂部表面區域的輪廓相同。當刀片設備（圖1A的刀片設備104）移動時，第一噴霧區域104a在刀片（圖1A的刀片124）前方的位置處與受損邊緣部分102d交疊，且在刀片（圖1A的刀片124）後方的位置處與新側壁交疊。因此，當刀片設備（圖1A的刀片設備104）移動時，刀片設備（圖1A的刀片設備104）可清洗新側壁。去離子水可通過噴霧噴嘴（圖1A的噴霧噴嘴126）和/或噴淋噴嘴（圖1A的噴淋噴嘴128）施加到晶圓102的新側壁。在一些實施例中，第一噴霧區域104a還與未受損邊緣部分102u交疊。

在一些實施例中，溶液噴嘴（圖1A的溶液噴嘴110）具有第二噴霧區域110a且配置成在第二噴霧區域110a處將清洗溶液施加到晶圓。第二噴霧區域110a隨著刀片設備（圖1A的刀片設備104）移動且可例如與通過溶液噴嘴（圖1A的溶液噴嘴110）清洗的晶圓的第二頂部表面區域相同、包含所述第二頂部表面區域或以其它方式對應於所述第二頂部表面區域。在一些實施例中，第二噴霧區域110a的輪廓與第二頂部表面區域的輪廓相同。第二噴霧區域110a與晶圓102的未受損邊緣部分102u交疊且可毗鄰第一噴霧區域104a。在一些實施例中，第二噴霧區域110a與晶圓102的新側壁共用邊緣和/或與第一噴霧區域104a交疊。在其它實施例中，第二噴霧區域110a不與第一噴霧區域104a交疊。

在一些實施例中，空氣噴嘴（圖1A的空氣噴嘴112）具有第三噴霧區域112a且配置成在第三噴霧區域112a處將加壓氣體施加到晶圓102。第三噴霧區域112a隨著刀片設備（圖1A的刀片設備104）移動且可與晶圓102的未受損邊緣部分102u的第三頂部表面區域相同、包含所述第三頂部表面區域或以其它方式對應於所述第三頂部表面區域。在一些實施例中，第三噴霧區域112a的輪廓與第三頂部表面區域的輪廓相同。此外，在一些實施例中，第三噴霧區域112a與第一噴霧區域104a和第二噴霧區域110a交疊且大於所述第一噴霧區域和所述第二噴霧區域。因此，在一些實施例中，第三噴霧區域112a直接上覆於未受損邊緣部分102u和受損邊緣部分102d兩者的一些部分。

因此，圖1A的晶圓修整和清洗設備的噴霧噴嘴和/或噴淋噴嘴（圖1A的噴霧噴嘴126、噴淋噴嘴128）、溶液噴嘴（圖1A的溶液噴嘴110）以及空氣噴嘴（圖1A的空氣噴嘴112）分別在去除晶圓102的受損邊緣部分102d的同時有效地從晶圓的第一噴霧區域104a、第二噴霧區域110a以及第三噴霧區域112a去除由刀片（圖1A的刀片124）產生的污染物顆粒，以產生可靠的晶圓。

圖2A示出晶圓修整和清洗設備的一些替代性實施例的透視圖200A。

除沒有溶液噴嘴（圖1A的溶液噴嘴110）以外，圖2A的透視圖200A中的晶圓修整和清洗設備包含與圖1A的透視圖100A中相同的特徵。在一些實施例中，空氣噴嘴112有效地去除由刀片124產生的未通過噴霧噴嘴126和/或噴淋噴嘴128去除的污染物顆粒。空氣噴嘴112還利用加壓氣體以將來自噴霧噴嘴126、噴淋噴嘴128以及刀片冷卻器噴嘴130的任何殘留污染物顆粒和去離子水從晶圓102推走。在無溶液噴嘴（圖1A的溶液噴嘴110）的情況下，使用更少材料（例如，清洗溶液）且由此產生更少浪費（例如，清洗溶液）。

在一些實施例中，晶圓卡盤122配置成在刀片設備104和空氣噴嘴112保持固定時旋轉202，使得晶圓102朝向刀片124移動以供修整。在其它實施例（未繪示）中，晶圓卡盤122可配置成在刀片設備104和空氣噴嘴112沿修整路徑108移動時固定。在一些實施例中，晶圓卡盤122可配置成以例如約1度每秒的速度旋轉202，以預防晶圓102在修整時破裂。

圖2B示出圖2A的晶圓修整和清洗設備的一些實施例的橫截面視圖200B。因此，除沒有溶液噴嘴（圖1B的溶液噴嘴110）以外，橫截面視圖200B的晶圓修整和清洗設備包含與圖1B的橫截面視圖100B相同的特徵。

圖2C示出對應於圖2A的透視圖的具有受損邊緣部分的晶圓的一些實施例的俯視圖200C。因此，除沒有第二噴霧區域（圖1C的第二噴霧區域110a）以外，圖2C的俯視圖100C示出與圖1C的俯視圖100C相同的特徵，這是因為溶液噴嘴（圖1A的溶液噴嘴110）不包含在圖2A到圖2C的晶圓修整和清洗設備的實施例中。儘管如此，在一些實施例中，第三噴霧區域112a與第一噴霧區域104a交疊。第一噴霧區域104a上覆於受損邊緣部分102d且還部分地上覆於新側壁。因此，刀片設備（圖2A的刀片設備104）配置成去除受損邊緣部分102d且還通過施加去離子水從晶圓102的新側壁去除污染物顆粒。在一些實施例中，空氣噴嘴（圖2A的空氣噴嘴112）配置成施加朝向晶圓102的第三噴霧區域112a的加壓氣體。第三噴霧區域112a包含第一噴霧區域104a。因此，空氣噴嘴（圖2A的空氣噴嘴112）比刀片設備進一步清洗晶圓的更大部分，以確保在去除受損邊緣部分102d期間完全或差不多完全去除由刀片設備（圖2A的刀片設備104）產生的污染物顆粒。

圖3示出空氣噴嘴的一些實施例的橫截面視圖300。

圖3的空氣噴嘴112和晶圓102可對應於圖1A和圖2A中所示出的空氣噴嘴112和晶圓102的一些實施例。在一些實施例中，第一抗靜電系統302聯接到空氣噴嘴112。在一些實施例中，第一抗靜電系統302可包括第一輸入管線304和第二輸入管線306。第一抗靜電系統302可配置成處理來自第一輸入管線304的第一氣體和來自第二輸入管線306的第二氣體，以產生不帶電的（not electrically charged）加壓氣體308。當加壓氣體308不帶電時（例如，加壓氣體308是中性的），加壓氣體308可在沒有電氣相互作用（electrical interactions）的干擾的情況下有效地去除污染物顆粒。在一些實施例中，加壓氣體308可以第一角度A導向至晶圓102且產生平面加壓氣體流308p，以從晶圓102強制去除任何污染物顆粒和/或用於清洗的液體溶液。第一角度A大於90度，以使得平面加壓氣體流308p通過使用平面流來使污染物顆粒和/或液體溶液遠離晶圓102的中心且朝向晶圓102的邊緣導向。因此，在一些實施例中，第一角度A可以是鈍角。在一些實施例中，空氣噴嘴112朝向晶圓102導向，使得加壓氣體308首先在距晶圓102的邊緣第一距離d1處接觸晶圓102。

在一些實施例中，第一輸入管線304接收推進劑（propellant），所述推進劑可以是液體，且第二輸入管線306接收液體或氣體二氧化碳。在這類實施例中，加壓氣體308可包含二氧化碳氣體與二氧化碳固體顆粒的混合物。舉例來說，在一些實施例中，推進劑可通過第一輸入管線304進入第一抗靜電系統302，且可從第一抗靜電系統302和空氣噴嘴112排出，同時攜帶液體或氣體二氧化碳。因此，推進劑將液體或氣體二氧化碳推進到晶圓102上。加壓氣體308中的二氧化碳的不同狀態逐出污染物顆粒且將逐出的污染物顆粒從晶圓102推走。這一製程可稱為二氧化碳雪清洗（snow cleaning）。因此，在一些實施例中，加壓氣體308還可包含氣體與液體的混合物。在其它實施例中，加壓氣體308可僅包含氣體。在一些實施例中，僅需要第一輸入管線304，因為僅將一種氣體用作加壓氣體308。在其它實施例中，多於兩條輸入管線聯接到空氣噴嘴112。在一些實施例中，空氣噴嘴112直接聯接到第一輸入管線304而無需第一抗靜電系統302。

圖4示出溶液噴嘴的一些實施例的橫截面視圖400。

圖4的溶液噴嘴110和晶圓102可對應於圖1A和圖2A中所示出的溶液噴嘴110和晶圓102的一些實施例。在一些實施例中，第二抗靜電系統402聯接到溶液噴嘴110。在一些實施例中，第二抗靜電系統402可包括第三輸入管線404和第四輸入管線406。在一些實施例中，第二抗靜電系統402可配置成：1）接收來自第三輸入管線404的氣體和來自第四輸入管線406的液體，處理所述氣體和所述液體；以及2）產生不帶電的且包括分佈在液體中的氣體的清洗溶液408。清洗溶液408可在沒有電氣相互作用的干擾的情況下有效地去除污染物顆粒。

清洗溶液408可通過溶液噴嘴110以第二角度B朝向晶圓導向。第二角度B大於90度，以使得當清洗溶液408到達晶圓102時，所導向的清洗溶液408d隨後引導污染物顆粒和/或液體溶液遠離晶圓102的中心且朝向晶圓102的邊緣。因此，在一些實施例中，第二角度B可以是鈍角。在一些實施例中，溶液噴嘴110配置成使得清洗溶液408首先在距晶圓102的邊緣第二距離d2處接觸晶圓102。

在一些實施例中，清洗溶液408可包括分散於液體溶液中的奈米氣泡。因此，例如去離子水的液體溶液可通過第三輸入管線404進入第二抗靜電系統402，且例如二氧化碳的氣體可通過第四輸入管線406進入第二抗靜電系統402。在其它實施例中，清洗溶液408可包括表面活性劑。在一些實施例中，清洗溶液408可以例如是烴類表面活性劑。在一些實施例中，溶液噴嘴110直接聯接到第三輸入管線404而無需第二抗靜電系統402和第四輸入管線406。在一些實施例中，僅第三輸入管線404聯接到溶液噴嘴110，而在其它實施例中，多於兩條輸入管線可聯接到溶液噴嘴110。在其它實施例中，清洗溶液408可包括：1）體積濃度在約0.1%與約2%之間的範圍內的稀氫氟酸；2）臭氧水；3）具有40份水、1份過氧化氫以及1份氫氧化銨的SC1清洗劑；或4）其組合。

圖5示出包括空氣噴嘴和清洗溶液的晶圓清洗設備的一些實施例的橫截面視圖500。

晶圓清洗設備包含圖4的溶液110和配置成清洗晶圓102的圖3的空氣噴嘴112。空氣噴嘴112和溶液噴嘴110佈置成導向加壓氣體308和清洗溶液408朝向晶圓102的同一邊緣，以遠離晶圓102的中心且朝向晶圓102的同一邊緣有效地去除污染物顆粒。在一些實施例中，溶液噴嘴110與空氣噴嘴112分隔開且彼此不同。因此，在一些實施例中，溶液噴嘴110和空氣噴嘴112可彼此分開控制。在一些實施例中，第一距離d1大於第二距離d2。在一些實施例中，溶液噴嘴110配置成在第一時間段期間施加清洗溶液408，且空氣噴嘴112配置成在第二時間段期間施加加壓氣體308。在一些實施例中，第一時間段在第二時間段之前且不與所述第二時間段交疊。加壓氣體308隨後去除晶圓102上的任何污染物顆粒和殘留的清洗溶液408。在一些實施例中，第一時間段在第二時間段之前且至少部分地與所述第二時間段交疊。在其它實施例中，第一時間段與第二時間段相同。在一些實施例中，第一角度A可大於第二角度B。在其它實施例（未繪示）中，第一角度A可小於或等於第二角度B。儘管如此，第一角度A和第二角度B均大於90度，以引導污染物顆粒遠離晶圓的中心且朝向晶圓的邊緣。

圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A以及圖8B示出用於修整和清洗具有受損邊緣部分的晶圓的方法的一些實施例的橫截面視圖600A、俯視圖600B、橫截面視圖700A、俯視圖700B、橫截面視圖800A以及俯視圖800B。儘管相對於方法描述圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A以及圖8B，但應瞭解，圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A以及圖8B中所公開的結構不限於此方法，但實際上可單獨作為獨立於方法的結構。

如圖6A的橫截面視圖600A所繪示，開啟刀片設備104，使得刀片124旋轉606以修整晶圓102，且使得刀片冷卻器噴嘴130、噴霧噴嘴126以及噴淋噴嘴128全部施加去離子水602以去除污染物顆粒。去離子水可用於在沒有電氣相互作用的干擾的情況下去除污染物顆粒。圖6A的橫截面視圖600A中的實施例具有與圖1A的透視圖100A相同的特徵。在一些實施例中，刀片124旋轉606且刀片冷卻器噴嘴130、噴霧噴嘴126以及噴淋噴嘴128在第一時間段期間施加去離子水602。在一些實施例中，刀片124在晶圓卡盤122持續旋轉時旋轉606，同時刀片設備104、溶液噴嘴110以及空氣噴嘴112固定，使得刀片124沿修整路徑108持續修整晶圓102。在一些實施例中，修整路徑108定義晶圓102在修整之後的圓周（circumference）。在其它實施例中，刀片設備104、溶液噴嘴110以及空氣噴嘴112持續旋轉，同時晶圓卡盤122固定，使得刀片124沿修整路徑108持續修整晶圓102。

圖6B的俯視圖600B對應於圖6A的橫截面視圖600A。如圖6B的俯視圖600B中所繪示，晶圓102具有環繞晶圓102的未受損邊緣部分102u和中心部分102c的受損邊緣部分102d，類似於圖1C的俯視圖100C中的晶圓102的特徵，且類似於圖2C的俯視圖200C中的晶圓102。在俯視圖600B中，刀片（圖6A的刀片124）已在第一時間段期間沿修整路徑108部分地修整掉晶圓102的受損邊緣部分102d。此外，噴霧噴嘴（圖6A的噴霧噴嘴126）、噴淋噴嘴（圖6A的噴淋噴嘴128）以及刀片冷卻器噴嘴（圖6A的刀片冷卻器噴嘴130）已在第一噴霧區域104a處將去離子水602施加到晶圓102以去除污染物顆粒604。第一噴霧區域104a與在第一時間段期間由刀片（圖6A的刀片124）定義的晶圓102的新側壁102s交疊。污染物顆粒604可積聚在晶圓102的新側壁102s上。此外，第一噴霧區域104a可與第一頂部表面區域交疊，以去除在第一噴霧區域104a中的晶圓102的未受損邊緣部分102u上的任何污染物顆粒604。然而，在一些實施例中，噴霧噴嘴（圖6A的噴霧噴嘴126）、噴淋噴嘴（圖6A的噴淋噴嘴128）以及刀片冷卻器噴嘴（圖6A的刀片冷卻器噴嘴130）沒有引導污染物顆粒604遠離晶圓102的中心部分102c。相反，雖然污染物顆粒604中的一些可從晶圓102的新側壁102s和未受損邊緣部分102u去除，但是其它污染物顆粒604可能留在第一噴霧區域104a以外的晶圓的未受損邊緣部分102u上。

如圖7A的橫截面視圖700A中所繪示，溶液噴嘴110在第二時間段期間將清洗溶液702施加到晶圓102。溶液噴嘴110配置成以第二角度（圖4的第二角度B）施加清洗溶液702，以逐出和去除晶圓102上的污染物顆粒（圖6A的污染物顆粒604）以及晶圓102上的任何殘留去離子水。

圖7B的俯視圖700B對應於圖7A的橫截面視圖700A。如圖7B的俯視圖700B中所繪示，施加清洗溶液702以逐出和去除與第一噴霧區域（圖6B的第一噴霧區域104a）部分地交疊的第二噴霧區域110a中的圖6B的污染物顆粒604。施加清洗溶液702推動污染物顆粒604和去離子水遠離晶圓102的中心部分102c且朝向晶圓102的新側壁102s以去除。然而，在一些實施例中，污染物顆粒604中的一些可仍留在第二噴霧區域110a內的晶圓102的頂部表面上。此外，在一些實施例中，污染物顆粒604中的一些可留在第二噴霧區域110a以外的晶圓102的頂部表面上。

如圖8A的橫截面視圖800A中所繪示，空氣噴嘴112在第三時間段期間將加壓氣體802施加到晶圓102。空氣噴嘴112配置成以第一角度（圖3的第一角度A）施加加壓氣體802以逐出和去除：在第一時間段期間由刀片124產生的晶圓102上的污染物顆粒（圖7A的污染物顆粒604）；在第一時間段期間由噴霧噴嘴126、噴淋噴嘴128以及刀片冷卻器噴嘴130產生的晶圓102上的任何殘留去離子水；以及在第二時間段期間由溶液噴嘴110產生的晶圓102上的任何殘留清洗溶液。

圖8B的俯視圖800B對應於圖8A的橫截面視圖800A。如圖8B的俯視圖800B中所繪示，施加加壓氣體802到晶圓102以逐出和去除在第三噴霧區域112a的圖7B的污染物顆粒604。第三噴霧區域112a包含第一噴霧區域（圖6B的第一噴霧區域104a）和第二噴霧區域（圖7B的第二噴霧區域110a）且大於所述第一噴霧區域和所述第二噴霧區域。施加加壓氣體802推動污染物顆粒604和任何殘留去離子水和/或清洗溶液遠離晶圓102的中心部分102c且朝向晶圓102的新側壁102s以去除。因此，在第二噴霧區域（圖7B的第二噴霧區域110a）處施加清洗溶液（圖7B的702）到晶圓102上和在第三噴霧區域112a處施加加壓氣體802到晶圓102上有效地從晶圓102的頂部表面去除掉污染物顆粒。

應瞭解，在晶圓修整和清洗設備的一些實施例中，溶液噴嘴（圖8A的溶液噴嘴110）不存在，如圖2A、圖2B以及圖2C中的實施例。因此，在這類實施例中，用於修整和清洗具有受損邊緣部分的晶圓的方法不包含圖7A和圖7B；而是圖8A從圖6B繼續進行。此外，應瞭解，在一些實施例中，通過圖6A、圖7A以及圖8A中的實施例，空氣噴嘴（圖6A的空氣噴嘴112）可包括第一抗靜電系統（圖3的第一抗靜電系統302），和/或溶液噴嘴（圖6A的溶液噴嘴110）可包括第二抗靜電系統（圖4的第二抗靜電系統402）。

在一些實施例中，第一時間段、第二時間段以及第三時間段可彼此完全交疊。舉例來說，在這類實施例中，當晶圓卡盤（圖1A的晶圓卡盤114）持續旋轉時，晶圓（圖6A的晶圓102）由刀片（圖6A的刀片124）持續修整。當刀片（圖6A的刀片124）持續修整晶圓（圖6A的晶圓102）時，水噴嘴（圖6A的水噴嘴126、水噴嘴128、水噴嘴130）、溶液噴嘴（圖7A的溶液噴嘴110）以及空氣噴嘴（圖8A的空氣噴嘴112）持續開啟以去除污染物顆粒（圖6A的污染物顆粒604）。因此，在刀片（圖6A的刀片124）正修整晶圓（圖6A的晶圓102）時，進行對晶圓（圖6A的晶圓102）的清洗，使得溶液噴嘴（圖7A的溶液噴嘴110）和空氣噴嘴（圖8A的空氣噴嘴112）的添加不會增加晶圓修整製程的時間。

在其它實施例中，第一時間段可與第二時間段和第三時間段交疊，但第二時間段可以不與第三時間段交疊。舉例來說，在此類其它實施例中，在晶圓卡盤（圖6A的晶圓卡盤114）旋轉（圖2A的旋轉202）時，刀片（圖6A的刀片124）可持續修整晶圓（圖6A的晶圓102），同時水噴嘴（圖6A的水噴嘴126、水噴嘴128、水噴嘴130）在第一噴霧區域（圖6B的第一噴霧區域104a）中持續施加去離子水。在進行修整和施加去離子水時，溶液噴嘴（圖7A的溶液噴嘴110）和空氣噴嘴（圖8A的空氣噴嘴112）可以交替循環清洗晶圓（圖6A的晶圓102）。舉例來說，當空氣噴嘴（圖8A的空氣噴嘴112）關閉時，可開啟溶液噴嘴（圖7A的溶液噴嘴110）以將清洗溶液施加到第二噴霧區域（圖7B的第二噴霧區域110a）。隨後，在關閉溶液噴嘴（圖7A的溶液噴嘴110）之後，可開啟空氣噴嘴（圖8A的空氣噴嘴112）以將加壓氣體施加到第三噴霧區域（圖8B的第三噴霧區域112a）。此可隨著修整和施加去離子水繼續進行而重複。

在另外的其它實施例中，第二時間段可與第一時間段完全交疊，第三時間段可與第一時間段完全交疊，且第二時間段可僅與第三時間段部分地交疊。舉例來說，在這類實施例中，隨著晶圓卡盤（圖6A的晶圓卡盤114）旋轉（圖2A的旋轉202），刀片（圖6A的刀片124）可持續修整晶圓（圖6A的晶圓102），同時水噴嘴（圖6A的水噴嘴126、水噴嘴128、水噴嘴130）在第一噴霧區域（圖6B的第一噴霧區域104a）中持續施加去離子水。在進行修整和施加去離子水時，溶液噴嘴（圖7A的溶液噴嘴110）和空氣噴嘴（圖8A的空氣噴嘴112）可循環地清洗晶圓（圖6A的晶圓102）。舉例來說，可開啟溶液噴嘴（圖7A的溶液噴嘴110）以將清洗溶液施加到第二噴霧區域（圖7B的第二噴霧區域110a）。隨後，當溶液噴嘴（圖7A的溶液噴嘴110）關閉時，可開啟空氣噴嘴（圖8A的空氣噴嘴112）以將加壓氣體施加到第三噴霧區域（圖8B的第三噴霧區域112a）。隨後，當關閉空氣噴嘴（圖8A的空氣噴嘴112）時，可重新開啟溶液噴嘴（圖7A的溶液噴嘴110）。此可隨著修整和施加去離子水繼續進行而重複。

儘管如此，刀片（圖8A的刀片124）沿修整路徑108持續修整受損邊緣部分102d以在晶圓的未受損邊緣部分102u上定義新側壁102s。在刀片（圖8A的刀片124）持續修整時，可原位進行或在與刀片修整相同的腔室中進行如圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A以及圖8B中所示出的用以去除污染物顆粒604的步驟，提供有效的方法以在刀片修整時，在不增加生產時間的情況下從晶圓102去除污染物顆粒604。

圖9示出如圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A以及圖8B中所示出的用於修整和清洗具有受損邊緣部分的晶圓的方法900的一些實施例的流程圖。

雖然方法900在下文示出且描述為一系列動作或事件，但應瞭解，不應以限制意義來解釋此類動作或事件的所示出次序。舉例來說，除本文中所示出和/或所描述的動作或事件之外，一些動作可與其它動作或事件以不同次序進行和/或同時進行。另外，可能並非需要所有的所示出動作以實施本文中的描述的一個或多個方面或實施例。此外，本文中所描繪的動作中的一個或多個可以一個或多個單獨動作和/或階段實現。

在動作902處，用刀片修整晶圓的受損邊緣部分以定義晶圓的新側壁。

在動作904處，用水噴嘴將去離子水施加到晶圓的新側壁以去除由刀片產生的污染物顆粒。圖6A和圖6B分別示出對應於動作902和動作904的一些實施例的橫截面視圖600A和俯視圖600B。

在動作906處，用溶液噴嘴將清洗溶液施加到晶圓的第一頂部表面區域以引導污染物顆粒遠離晶圓的中心且朝向新側壁。圖7A和圖7B分別示出對應於動作906的一些實施例的橫截面視圖700A和俯視圖700B。

在動作908處，用溶液噴嘴將加壓氣體施加到晶圓的第二頂部表面區域以導向污染物顆粒遠離晶圓的中心且朝向新側壁，其中第二頂部表面區域大於第一頂部表面區域且與所述第一頂部表面區域交疊。圖8A和圖8B分別示出對應於動作908的一些實施例的橫截面視圖800A和俯視圖800B。

因此，本公開涉及一種新的晶圓修整和清洗設備以及對應的方法，以去除晶圓的受損邊緣部分以及通過利用具有不同顆粒去除技術的多個清洗噴嘴來有效地去除任何相應的污染物顆粒。

因此，在一些實施例中，本公開涉及一種晶圓修整和清洗設備，包括：刀片，配置成修整晶圓的受損邊緣部分且定義晶圓的新側壁；水噴嘴，配置成將去離子水施加到晶圓的新側壁以去除由刀片產生的污染物顆粒；以及空氣噴嘴，配置成將加壓氣體施加到晶圓的第一頂部表面區域以去除由刀片產生的污染物顆粒，其中第一頂部表面區域上覆於晶圓的新側壁。

在上述晶圓修整和清洗設備中，其中所述空氣噴嘴配置成以與所述晶圓的所述第一頂部表面區域成鈍角的角度施加所述加壓氣體，使得所述加壓氣體迫使所述污染物顆粒遠離所述晶圓的中心且朝向所述刀片以被去除。

在上述晶圓修整和清洗設備中，進一步包括：第一抗靜電系統，聯接到所述空氣噴嘴，其中所述第一抗靜電系統包括用以接收氣體的第一輸入管線和第二輸入管線，且其中所述第一抗靜電系統配置成處理所述氣體且產生所述加壓氣體，使得所述加壓氣體是電中性的。

在上述晶圓修整和清洗設備中，進一步包括：溶液噴嘴，配置成將清洗溶液施加到所述晶圓的第二頂部表面區域以去除由所述刀片產生的所述污染物顆粒，其中所述第一頂部表面區域進一步包含所述晶圓的所述第二頂部表面區域且大於所述晶圓的所述第二頂部表面區域，且其中所述溶液噴嘴不同于所述水噴嘴。

在上述晶圓修整和清洗設備中，其中所述清洗溶液包括表面活性劑。

在上述晶圓修整和清洗設備中，進一步包括：第二抗靜電系統，聯接到所述溶液噴嘴，其中所述第二抗靜電系統包括用以接收氣體的第一輸入管線和用以接收去離子水的第二輸入管線，且其中所述第二抗靜電系統配置成處理所述氣體和去離子水以產生所述清洗溶液，使得所述清洗溶液是電中性的且包括分佈在所述去離子水中的奈米氣泡。

在其它實施例中，本公開涉及一種晶圓修整和清洗設備，包括：刀片，配置成去除晶圓的受損邊緣部分但不去除晶圓的未受損邊緣部分，其中通過刀片去除受損邊緣部分定義晶圓的新側壁；晶圓卡盤，配置成支撐晶圓；水噴嘴，具有第一噴霧區域，所述第一噴霧區域配置成在刀片處與晶圓的新側壁交疊且清洗所述晶圓的所述新側壁；溶液噴嘴，具有第二噴霧區域，所述第二噴霧區域配置成在刀片處與晶圓的未受損邊緣部分交疊且清洗所述晶圓的所述未受損邊緣部分，其中第二噴霧區域毗鄰第一噴霧區域；以及空氣噴嘴，遠離晶圓卡盤的中心向外導向，且具有配置成在刀片處與晶圓的未受損邊緣部分交疊的第三噴霧區域，其中第三噴霧區域大於第二噴霧區域且包含所述第二噴霧區域。

在上述晶圓修整和清洗設備中，其中所述受損邊緣部分和所述未受損邊緣部分各自是環形且環繞所述晶圓的中心部分，且其中所述未受損邊緣部分位於所述晶圓的所述中心部分與所述晶圓的所述受損邊緣部分之間。

在上述晶圓修整和清洗設備中，其中所述第一噴霧區域配置成在所述刀片處與所述晶圓的所述未受損邊緣部分交疊。

在上述晶圓修整和清洗設備中，其中所述溶液噴嘴使用清洗溶液清洗所述未受損邊緣部分，所述清洗溶液包括分散于去離子水中的奈米氣泡。

在上述晶圓修整和清洗設備中，進一步包括：第一抗靜電系統，聯接到所述空氣噴嘴且配置成產生不帶電的加壓氣體。

在上述晶圓修整和清洗設備中，進一步包括：第二抗靜電系統，聯接到所述溶液噴嘴且配置成產生不帶電的清洗溶液。

在上述晶圓修整和清洗設備中，其中所述晶圓卡盤配置成旋轉，且其中所述刀片、所述水噴嘴、所述溶液噴嘴以及所述空氣噴嘴配置成在所述晶圓卡盤旋轉時保持固定。

在另外的其它實施例中，本公開涉及一種用於修整和清洗晶圓的邊緣的方法，所述方法包括：用刀片修整晶圓的受損邊緣部分以定義晶圓的新側壁，其中所述修整在晶圓上產生污染物顆粒；用水噴嘴將去離子水施加到晶圓的新側壁以去除污染物顆粒；以及在晶圓的第一頂部表面區域處用空氣噴嘴將加壓氣體施加到晶圓，其中加壓氣體從晶圓的中心向外導向以去除殘留污染物顆粒，且其中在與修整相同的腔室中進行去離子水的施加和加壓氣體的施加。

在上述用於修整和清洗晶圓的邊緣的方法中，其中修整所述晶圓的所述受損邊緣部分圍繞所述晶圓的圓周持續。

在上述用於修整和清洗晶圓的邊緣的方法中，其中所述晶圓包含不同材料的多個層。

在上述用於修整和清洗晶圓的邊緣的方法中，其中在第一時間進行所述修整和所述去離子水的施加，且其中在所述第一時間之後的第二時間進行所述加壓氣體的施加。

在上述用於修整和清洗晶圓的邊緣的方法中，進一步包括：用溶液噴嘴將清洗溶液施加到所述晶圓的第二頂部表面區域以去除殘留污染物顆粒，其中所述晶圓的所述第二頂部表面區域與所述新側壁共用邊緣，其中所述第一頂部表面區域包含所述第二頂部表面區域且大於所述第二頂部表面區域，且其中在與所述修整相同的腔室中進行所述清洗溶液的施加。

在上述用於修整和清洗晶圓的邊緣的方法中，其中在所述去離子水的施加與所述加壓氣體的施加之間進行所述清洗溶液的施加。

在上述用於修整和清洗晶圓的邊緣的方法中，其中同時進行所述去離子水的施加、所述清洗溶液的施加以及所述加壓氣體的施加。

前文概述若干實施例的特徵以使得本領域的技術人員可更好地理解本公開的方面。本領域的技術人員應瞭解，其可以容易地將本公開用作設計或修改用於實現本文中所引入的實施例的相同目的和/或達成相同優勢的其它製程和結構的基礎。本領域的技術人員還應認識到，此類等效構造並不脫離本公開的精神和範圍，且本領域的技術人員可在不脫離本公開的精神和範圍的情況下在本文中進行各種改變、替代以及更改。

100A、200A:透視圖 100B、200B、300、400、500、600A、700A、800A:橫截面視圖 100C、200C、600B、700B、800B:俯視圖 102:晶圓 102c:中心部分 102d:受損邊緣部分 102s:新側壁 102u:未受損邊緣部分 104:刀片設備 104a:第一噴霧區域 108:修整路徑 110:溶液噴嘴 110a:第二噴霧區域 112:空氣噴嘴 112a:第三噴霧區域 122:晶圓卡盤 124:刀片 126:噴霧噴嘴 128:噴淋噴嘴 130:刀片冷卻器噴嘴 202、606:旋轉 302:第一抗靜電系統 304:第一輸入管線 306:第二輸入管線 308、802:加壓氣體 308p:平面加壓氣體流 402:第二抗靜電系統 404:第三輸入管線 406:第四輸入管線 408、408d、 702:清洗溶液 602:去離子水 604:污染物顆粒 900:方法 902、904、906、908:動作 d1:第一距離 d2:第二距離 A:第一角度 B:第二角度

結合附圖閱讀以下詳細描述會最好地理解本公開的各方面。應注意，根據業界中的標準慣例，不同特徵未按比例繪製。實際上，為論述清楚起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸。 圖1A、圖1B以及圖1C分別示出包括溶液噴嘴和空氣噴嘴的晶圓修整和清洗設備的透視圖、橫截面視圖以及俯視圖。 圖2A、圖2B以及圖2C分別示出包括空氣噴嘴的晶圓修整和清洗設備的透視圖、橫截面視圖以及俯視圖。 圖3示出包括第一抗靜電系統的空氣噴嘴的橫截面視圖。 圖4示出包括第二抗靜電系統的溶液噴嘴的橫截面視圖。 圖5示出配置成清洗晶圓的溶液噴嘴和空氣噴嘴的橫截面視圖。 圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A以及圖8B示出使用刀片設備、溶液噴嘴以及空氣噴嘴來修整和清洗晶圓的方法的一些實施例的橫截面視圖和俯視圖。 圖9示出在圖6A、圖6B、圖7A、圖7B、圖8A以及圖8B中所示出的方法的一些實施例的流程圖。

100A:透視圖

102:晶圓

104:刀片設備

108:修整路徑

110:溶液噴嘴

112:空氣噴嘴

122:晶圓卡盤

124:刀片

126:噴霧噴嘴

128:噴淋噴嘴

130:刀片冷卻器噴嘴

Claims (1)

1. 一種晶圓修整和清洗設備，包括： 刀片，配置成修整晶圓的受損邊緣部分且定義所述晶圓的新側壁； 水噴嘴，配置成將去離子水施加到所述晶圓的所述新側壁，以去除由所述刀片產生的污染物顆粒；以及 空氣噴嘴，配置成將加壓氣體施加到所述晶圓的第一頂部表面區域以去除由所述刀片產生的所述污染物顆粒，其中所述第一頂部表面區域上覆於所述晶圓的所述新側壁。

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