TW202105083A - 吸附裝置、曝光台、光刻設備及吸附方法 - Google Patents

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Abstract

一種吸附裝置、曝光裝置、光刻設備及吸附方法，吸附裝置包括：吸盤，吸盤的基底吸附面環繞其中心開設有安裝凹槽，且基底吸附面於安裝凹槽的內側開設有用於與真空源連通的吸附凹槽；密封圈，其下端密封設置在安裝凹槽內，其上端用於與基底接觸；當密封圈未與基底接觸時，密封圈的上端凸出吸附面，當吸附凹槽處於真空狀態時，密封圈完全位於安裝凹槽內，且密封圈的上端與基底吸附面平齊。曝光裝置包括上述吸附裝置，光刻設備包括上述曝光裝置，吸附方法應用於上述吸附裝置對基底進行吸附。

Description

吸附裝置、曝光台、光刻設備及吸附方法
本申請涉及光刻技術領域，例如涉及一種吸附裝置、曝光台、光刻設備及吸附方法。
在光刻中，曝光台用於將光罩板上的電路圖形經過光學投影系統進行投影曝光，使電路圖形以預設放大或縮小的倍率投影於製造積體電路的矽片上。在曝光進行之前，通常採用交接機構對矽片進行吸取並放置在曝光台的吸盤上，使吸盤對矽片進行真空吸附，以使矽片固定在在曝光臺上，以防止矽片在曝光過程中產生移動。
隨著積體電路製造行業技術的不斷發展，矽片處理工藝多種多樣，使得經常會有矽片產生較大的翹曲變形。採用常規的吸盤進行翹曲矽片的吸附時，由於矽片的翹曲導致在剛性吸附面上不能形成一個封閉的真空吸附腔，使吸盤難以對矽片進行有效吸附，從而影響矽片曝光的穩定性和曝光的品質。
隨著積體電路製造行業技術的不斷發展，矽片處理工藝多種多樣，使得經常會有矽片產生較大的翹曲變形。採用常規的吸盤進行翹曲矽片的吸附時，由於矽片的翹曲導致在剛性吸附面上不能形成一個封閉的真空吸附腔，使吸盤難以對矽片進行有效吸附，從而影響矽片曝光的穩定性和曝光的品質。
本申請提供了一種吸附裝置，能夠提高吸附裝置對翹曲基底的吸附能力，提高基底吸附穩定性和可靠性。
本申請提供了一種曝光台，能夠提高基底曝光穩定性和基底曝光品質。
本申請提供了一種光刻機，能夠提高光刻穩定性和光刻品質。
本申請提供了一種吸附方法，能夠提高對翹曲基底的吸附能力，提高基底吸附穩定性和可靠性。
一實施例提供一種吸附裝置，包括：
吸盤，所述吸盤的基底吸附面環繞其中心開設有安裝凹槽，且所述基底吸附面於所述安裝凹槽的內側開設有用於與真空源連通的吸附凹槽；
密封圈，其下端密封設置在所述安裝凹槽內，其上端用於與基底接觸；
當所述密封圈未與所述基底接觸時，所述密封圈的上端凸出所述吸附面，當所述吸附凹槽處於真空狀態時，所述密封圈完全位於所述安裝凹槽 內，且所述密封圈的上端與所述基底吸附面平齊。
可選地，所述吸盤於所述安裝凹槽的內側開設有吸附孔，所述吸附孔沿所述吸盤的厚度方向貫通所述吸盤，所述吸附裝置還包括交接機構，所述交接機構包括：
吸附組件，其與所述基底吸附面垂直，所述吸附組件的下端位於所述吸盤下側，所述吸附組件的上端能穿過並密封所述吸附孔，且所述吸附組件能相對所述吸盤沿垂直於所述吸盤的方向運動，所述吸附組件內開設有真空氣道，所述真空氣道貫穿所述吸附組件的上端面以吸附所述基底。
可選地，所述吸附組件包括：
吸附柱，其與所述基底吸附面垂直，所述吸附柱的上端能伸入所述吸附孔中並能相對所述吸附孔沿垂直於所述基底吸附面的方向運動，所述吸附柱內開設有所述真空氣道，所述真空氣道的上端貫穿所述吸附柱的上端面，所述真空氣道與真空源連通；
吸嘴，設置在所述吸附柱的上端且與所述真空氣道連通，所述吸嘴的外表面能與所述吸附孔的內壁密封貼合，且所述吸嘴的上端高於所述吸附柱的上端面。
可選地，所述安裝凹槽包括位於沿所述吸盤厚度方向連通的安裝槽部和容納槽部，所述安裝槽部位於容納槽部的底部，所述容納槽部的槽寬大於所述安裝槽部的槽寬，所述密封圈的下端卡設在所述安裝槽部內。
可選地，所述安裝槽部的槽寬沿其槽底至其槽口逐漸減小。
可選地，所述密封圈包括：
安裝部，其橫截面為下端大、上端小的梯形，所述安裝部與所述容納槽部密封卡接；
變形部，其一端與所述安裝部連接，另一端沿遠離所述安裝部的方向延伸。
可選地，所述變形部的橫截面呈折線型，所述折線型沿所述密封圈的軸向方向延伸；或，
所述變形部呈錐形面形，且所述錐形面靠近所述安裝部的一端小於所述錐形面另一端內徑。
可選地，所述密封圈包括：
密封圈本體，其橫截面呈長條孔結構，所述長條孔結構的長度方向沿所述密封圈的軸向方向設置；
橡膠繩，穿設在所述密封圈本體的下端。
可選地，所述安裝凹槽與所述吸盤同心設置。
可選地，所述基底吸附面沿所述吸盤的徑向分隔形成有多個吸附區，用於適用不同尺寸的所述基底的吸附，每個所述吸附區內至少設置有一個所述密封圈。
可選地，每個所述吸附區的邊緣處均設置有一個所述密封圈。
可選地，所述吸附凹槽呈與所述吸盤同心的環形，且每個所述密封圈的內側均同心設置有多圈所述吸附凹槽，位於同一所述吸附區內的所述吸附凹槽之間相互連通。
可選地，相鄰兩個吸附凹槽之間形成的吸附凸台的上表面為所述基底吸附面，每個所述吸附凹槽的寬度為0.5-1.5mm，每個所述吸附凸台的寬度為0.2-0.8mm，且所述吸附凸台的寬度：所述吸附凹槽的寬度=1：1.5-1：2.5。
可選地，所述吸附孔為上端大、下端小的錐形孔，所述吸嘴為與所述錐形孔適配的錐形吸嘴。
可選地，所述吸嘴的上端高出所述吸附柱的上端面0.2-1mm。
可選地，所述吸附柱的上端外壁開設有環形的卡接槽，所述吸嘴的下端內壁向內凸設有環形凸部，所述環形凸部與所述卡接槽密封卡接。
可選地，所述吸附孔沿所述吸盤的周向間隔設置有多個，所述吸附組件與所述吸附孔一一對應設置。
可選地，所述交接機構還包括：
托板，所述吸附組件的下端與所述托板連接，所述托板內開設有連通氣道，每個所述吸附組件的所述真空氣道均與所述連通氣道連通，所述連通氣道連通有氣源接頭；
垂向運動組件，與所述托板連接並能帶動所述托板沿垂直於所述基底吸附面的方向運動。
一實施例提供一種曝光裝置，包括如上所述的吸附裝置。
一實施例提供一種光刻設備，包括如上所述的曝光裝置。
一實施例提供一種吸附方法，應用於如上所述的吸附裝置 對所述基底進行吸附，所述吸附方法包括：
基底下表面與密封圈上端接觸，使所述密封圈、所述基底與所述吸盤之間形成封閉的真空吸附腔；
對所述吸附凹槽進行抽真空，直至所述密封圈完全位於所述安裝凹槽內，且所述基底下表面與所述基底吸附面完全貼合。
可選地，所述吸盤於所述安裝凹槽的內側開設有吸附孔，所述吸附孔沿所述吸盤的厚度方向貫通所述吸盤，所述吸附裝置還包括交接機構，所述交接機構包括：吸附組件，其與所述基底吸附面垂直，所述吸附組件的下端位於所述吸盤下側，所述吸附組件的上端能穿過並密封所述吸附孔，且所述吸附組件能相對所述吸盤沿垂直於所述吸盤的方向運動，所述吸附組件內開設有真空氣道，所述真空氣道貫穿所述吸附組件的上端面以吸附所述基底；
在所述基底與所述密封圈接觸之前，還包括：
使所述吸附組件的上端伸出所述吸盤上端面並與所述基底接觸；
對所述真空氣道進行抽真空以使所述吸附組件吸附所述基底；
使所述吸附組件帶動所述基底下降至所述基底下表面與所述密封圈上端接觸；
且在對所述吸附凹槽進行抽真空的過程中，持續對所述真空氣道進行抽真空，並使所述吸附組件持續帶動所述基底下降，直至當所述吸附組件的上端位於所述吸盤的最低位置且密封所述吸附孔後，所述吸附組件停止下降，且停止對所述真空氣道的抽真空。
本申請提供的吸附裝置，通過在吸盤的基底吸附面上設置密封圈，當吸盤對翹曲的基底進行吸附時，由於密封圈的上端面凸出基底吸附面，密封圈的上端面首先與基底下表面接觸；由於密封圈具有彈性，密封圈在基底的重力作用下會發生局部變形，以使密封圈上端形狀與基底底面相適配；當對吸附凹槽進行抽真空處理時，基底在真空負壓作用下向下運動，進一步擠壓密封圈，使密封圈上周緣與基底完全貼合，密封圈內側形成封閉的真空吸附腔，不會發生真空洩漏，提高對基底的吸附能力和吸附效果；當密封圈內側的吸附凹槽達到真空狀態時，密封圈在擠壓作用下因彈性變形縮回至安裝凹槽內，基底下表面與基底吸附面接觸，且基底在真空負壓作用下與基底吸附面緊密貼合，由翹曲狀態變為平整狀態，提高基底與吸盤之間的吸附力。
本申請提供的曝光裝置，通過採用上述的吸附裝置，提高了曝光裝置對翹曲基底的吸附能力，擴大了曝光裝置對基底的適用性，提高了曝光穩定性和曝光品質。
本申請提供的光刻設備，通過採用上述的曝光裝置，提高了光刻設備對基底的適用性和翹曲容忍度，提高了光刻穩定性和光刻品質。
本申請提供的吸附方法，通過採用上述的吸附裝置對基底進行吸附，提高了對翹曲基底的吸附能力和吸附穩定性。
1:吸盤組件
10:吸附裝置
11:吸盤
111:吸附凹槽
112:安裝凹槽
1121:安裝槽部
1122:容納槽部
113:連通凹槽
114:吸附孔
115:穿接孔
116:真空孔
12:密封圈
121:安裝部
122:變形部
1221:折線板部
123:橡膠繩
2:交接機構
20:曝光台
201:氣足
202:垂向調節機構
203:上平板
204:吸盤座
205:Rz調節機構
2051:弧形電機
2052:弧形導向塊
206:導氣組件
207:支撐組件
2071:支撐座
2072:彈性片
21:底座
22:垂向運動組件
23:托板
231:第一連通氣道
232:第二連通氣道
233:第三連通氣道
234:堵頭
235:插接槽
236:連接臂
24:吸附柱
241:主體部
242:插接部
243:真空氣道
25:吸嘴
251:連接筒部
2511:環形凸部
26:氣源接頭
27:導向組件
271:導軌
272:導軌座
273:滑塊
28:位移檢測組件
【圖1】為本申請實施例一提供的曝光裝置的結構示意圖。
【圖2】為本申請實施例一提供的曝光台在一個視角的結構示意圖。
【圖3】為本申請實施例一提供的曝光台在另一個視角的結構示意圖。
【圖4】為本申請實施例一提供的吸附裝置的結構示意圖。
【圖5】為本申請實施例一提供的吸盤組件的主視圖。
【圖6】為圖5中A-A向剖視圖。
【圖7】為圖6中I處的局部放大圖。
【圖8】為本申請實施例一提供的交接機構的結構示意圖。
【圖9】為本申請實施例一提供的吸附裝置的剖視圖。
【圖10】為圖9中J處的局部放大圖。
【圖11】為本申請實施例一提供的托板的透視圖。
【圖12】為本申請實施例二提供的吸盤組件的剖視圖。
【圖13】為圖12中K處的局部放大圖。
【圖14】為本申請實施例三提供的吸盤組件的剖視圖。
【圖15】為圖14中L處的局部放大圖。
在本申請的描述中，除非另有明確的規定和限定，術語「相連」、「連接」、「固定」應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是 直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於所屬技術領域中具有通常知識者而言，可以具體情況理解上述術語在本申請中的具體含義。
在本申請中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵之「上」或之「下」可以包括第一和第二特徵直接接觸，也可以包括第一和第二特徵不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特徵接觸。而且，第一特徵在第二特徵「之上」、「上方」和「上面」包括第一特徵在第二特徵正上方和斜上方，或僅僅表示第一特徵水平高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵「之下」、「下方」和「下面」包括第一特徵在第二特徵正下方和斜下方，或僅僅表示第一特徵水平高度小於第二特徵。
在本實施例的描述中，術語「上」、「下」、「右」、等方位或位置關係為基於圖式所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述和簡化操作，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術語「第一」、「第二」僅僅用於在描述上加以區分，並沒有特殊的含義。
圖1為本申請實施例提供的曝光裝置的結構示意圖，如圖1所示，本實施例提供了一種曝光裝置，其主要用於光刻設備中，對矽片基底、玻璃基底等基底進行光刻曝光處理，以使基底上形成積體電路所需的電路圖形。
如圖1所示，在本實施例中，為方便對曝光裝置的結構描述，以曝光裝置在常規使用時的狀態為基準，構建坐標系。在曝光裝置常規使用過程中，基底呈水平設置，以基底所在水平面及圖1所示方向，構 建X和Y坐標系，以豎直方向為Z坐標系，且X、Y和Z滿足右手法則。可選地，在其他使用狀態，基底也可以不呈水平方向設置。
本實施例提供的曝光裝置主要包括曝光台20和吸附裝置10，吸附裝置10用於交接和吸取待曝光的基底，並將基底固定在曝光台20上，保證曝光的穩定性和基底曝光品質；曝光台20用於對基底實現各向粗調和微調，完成對基底的調平調焦後，對基底進行光學曝光處理。示例性地，圖2為本申請實施例提供的曝光台在一個視角的結構示意圖，圖3為本申請實施例提供的曝光台在另一個視角下的結構示意圖，如圖2和3所示，曝光台20包括固定基座(未示出)、氣足201、垂向調節機構202、Rz調節機構205、支撐組件207和吸盤座204。
固定基座用於固定和支撐整個曝光裝置，並對光學系統進行定位，固定基座的底部設置有用於基底曝光的光學系統，且固定基座上開設有用於光學系統光線穿過的透光通孔，固定基座可選為大理石基座。氣足201水平設置在固定基座上，用於對放置在曝光台20上的基底進行X向和Y向的大行程的粗動調節，從而保證基底與光學系統正對設置並實現對基底的掃描性曝光處理。氣足201與固定基座之間設置有X向粗動調節機構和Y向粗動調節機構，以分別實現對氣足201在X向和Y向的粗動調節。在本實施例中，固定基座和氣足201的設置以及採用X向粗動調節機構和Y向粗動調節機構實現氣足201在X向和Y向的粗動調節為本領域的常規技術手段，本實施例不再進行贅述。
上平板203水平設置在氣足201的上方，且上平板203與氣足201之間設置有垂向調節機構202，以實現上平板203在豎直方向的 高度調節。且在本實施例中，上平板203可以為矩形結構，垂向調節機構202在矩形結構的四角處分別設置有一組，通過調節每組垂向調節機構202的調節量，實現上平板203的Rx和Ry向調節，簡化曝光台20的調節難度和調節結構的設置。在本實施例中，垂向調節機構202採用音圈電機進行驅動調節，具體結構可參考專利CN201820746378.X中的垂向調節組件的結構描述。在其他實施例中，垂向調節機構202還可以採用旋轉電機和凸輪組件進行調節或採用本領域其他能夠實現垂向調節的結構，本實施例不再進行贅述。
上平板203與氣足201之間還設置有支撐組件207，以提高對上平板203的支撐，以及實現對Rx和Ry調節的解耦。支撐組件207包括支撐座2071和彈性片2072，其中，支撐座2071的下端與氣足201固定連接，氣足201上設置有用於與支撐座2071連接定位的定位槽。彈性片2072為輪輻狀結構，支撐座2071的上端與彈性片2072的內圈固定連接。彈性片2072的外圈與上平板203的下表面固定連接。當多組垂向調節機構202的調節高度不同時，垂向調節機構202對應的各個彈性片2072外側的部分的變形不同，而彈性片2072內圈由於支撐座2071的限制基本不發生變形，從而可通過彈性片2072外圈的變形實現Z向平移、繞X向轉動及繞Y向轉動的解耦運動。在本實施例中，支撐組件207的設置可參考專利CN201520120168.6中的支撐組件的相關描述，本實施例不再進行贅述。
吸盤座204設置在上平板203上，用於對吸盤11進行真空吸附及連接定位。為實現Rz向的轉動調節，吸盤座204與上平板203之 間設置有Rz調節機構205。在本實施例中，吸盤座204為圓盤狀結構，Rz調節機構205包括弧形電機2051，弧形電機2051包括定子和能相對定子轉動的轉子。定子呈弧形結構並與上平板203固定連接，定子包括弧形的定殼體和線圈，線圈設置在定殼體的容置槽中，並位於定殼體和轉子之間。轉子包括弧形的動殼體和磁鐵，動殼體一側與吸盤座204固定連接，其朝向吸盤座204的一側與吸盤座204外壁緊密貼合，多個磁鐵間隔設置在動殼體遠離吸盤座204的一側，且相鄰兩個磁鐵間的磁性相反。磁鐵和線圈相對設置，當弧形電機2051通電後，通過線圈和磁鐵間產生的磁力作用帶動動殼體相對定殼體轉動，從而實現吸盤座204相對上平板203繞Z向的轉動。
Rz調節機構205還包括多個弧形導向塊2052，以對吸盤座204繞Z向的轉動提供導向。弧形導向塊2052朝向吸盤座204的一側為弧形面，且弧形面的直徑與吸盤座204的外徑配合，多個弧形導向塊2052沿吸盤座204的周向均勻間隔設置。為減小吸盤座204繞Z向轉動的摩擦，提高Z向轉動調節的精度，在本實施例中，弧形導向塊2052為氣浮導向塊。通過向氣浮導向塊內充入正壓氣體，使氣浮導向塊與吸盤座204之間形成氣膜，實現吸盤座204相對氣浮導向塊的無摩擦運動，提高吸盤座204的Rz向運動調節精度。
為提高Rz調節精度，在本實施例中，吸盤座204的下表面和上平板203的上表面為氣浮面，以使吸盤座204進行Rz調節過程中，吸盤座204懸浮在上平板203上，減小上平板203與吸盤座204之間的運動摩擦力，提高吸盤座204的調節精度。可選地，本實施例提供的曝 光台20還包括導氣組件206，用於實現吸盤座204與上平板203之間的懸浮與吸附，以及用於實現吸盤座204對吸盤11的吸附。在本申請中，吸盤座204、上平板203及導氣組件206的設置為本領域的常規技術手段，吸盤座204、上平板203及導氣組件206的設置可具體參考但不限於專利CN201520120168.6中關於吸盤座、上平板及第二導氣組件的設置，本實施例不再進行贅述。
在本實施例中，曝光台20的整體結構可採用專利CN201520120168.6中工作臺的結構，但本實施例不限於此，相關技術中，應用於基底曝光的曝光台20結構均可應用到本實施例中。
圖4為本申請實施例提供的吸附裝置的結構示意圖，如圖4所示，吸附裝置10用於對基底進行交接並吸附，使基底固定在曝光台20的吸盤座204上。示例性地，吸附裝置10包括吸盤組件1及交接機構2，吸盤組件1設置在吸盤座204上，用於對基底進行吸附，使基底固定在曝光裝置上；交接機構2用於交接基底，將待曝光的基底吸取至吸盤組件1上，或將曝光完成的基底從吸盤11上移除，實現基底曝光與前序或後續工序的交接。
示例性地，圖5為本申請實施例提供的吸盤組件的俯視圖，圖6為圖5中A-A向剖視圖，圖7為圖6中I處的局部放大圖。如圖5-圖7所示，吸盤組件1包括吸盤11和密封圈12。吸盤11為圓盤狀結構，以適用於相關技術中通用的矽片或玻璃晶圓等基底形狀。為使吸盤11對基底進行真空吸附，吸盤11朝向吸盤座204的下表面為固定吸附面，以使吸盤11吸附固定在吸盤座204上，吸盤11遠離吸盤座204的上表面 為基底吸附面，用於對基底進行吸附。其中，吸盤座204對吸盤11的真空吸附為本領域的常規設置，本實施例不再進行贅述。
為對基底進行吸附，吸盤11的基底吸附面上開設有用於形成真空吸附腔的吸附凹槽111，吸附凹槽111與真空源連通，通過真空源對吸附凹槽111抽真空處理，使基底下表面與基底吸附面之間形成真空腔，實現吸盤11對基底的真空吸附。在本實施例中，可選地，吸附凹槽111為與吸盤11中心同心設置的環形凹槽，且環形凹槽沿吸盤11的徑向同心設置有多圈，以增加基底吸附面上環形凹槽的數量，從而增加基底與基底吸附面之間的真空腔的面積，從而增大對基底的吸附面積和吸附強度。相鄰兩圈吸附凹槽111之間形成有吸附臺階，吸附臺階的上端面即形成基底吸附面。
為使吸盤11適用於不同尺寸的基底的吸附，如適用於8寸和12寸的基底吸附，在本實施例中，吸盤11沿其徑向分隔形成多個吸附區，每個吸附區內均設置有多圈吸附凹槽111。示例性地，如圖5所示，在本實施例中，吸盤11包括圓形的第一吸附區和位於第一吸附區外側的第二吸附區，第一吸附區的最大外徑與8寸矽片基底相適配，第二吸附區的最大外徑與12寸基底相適配。當需要對8寸基底進行曝光時，使第一吸附區的吸附凹槽111與真空源連通，當需要對12寸的基底進行曝光時，使第一吸附區和第二吸附區的吸附凹槽111均與真空源連通。該種設置方式，能夠在擴大吸盤11對不同尺寸基底的靈活性和適用性的同時，能夠選擇性地使用對應的吸附區對基底進行吸附，節省能耗。在其他實施例中，吸附區的個數可以還可以為三個或多個，每個吸附區的尺寸可以根 據需要適用的基底的尺寸進行確定，本實施例不做具體限制。
在本實施例中，可選地，每個吸附區內的吸附凹槽111相互連通，簡化吸附凹槽111與真空源的連接。示例性地，在每個吸附區內，沿吸盤11的徑向開設有連通凹槽113，連通凹槽113沿徑向貫通該吸附區內的每個吸附凹槽111，使每個吸附凹槽111均與該連通凹槽113連通，從而使同一吸附區內的每個吸附凹槽111均連通。可選地，連通凹槽113的槽底與吸附凹槽111的槽底平齊，方便吸附凹槽111和連通凹槽113的加工。可選地，連通凹槽113沿吸盤11的周向設置有多個，以提高真空腔在吸附區擴展的速度和一致性。
在本實施例中，可選地，相鄰兩個吸附區的連通凹槽113在吸盤11的周向上錯位設置，有利於為不同吸附區的劃分定位，另一方面防止相鄰兩個吸附區之間相互導通，降低吸附區的真空度。
在本實施例中，每個吸附區內均開設有用於連通真空源和吸附凹槽111的真空孔116。可選地，真空孔116沿吸盤11的厚度方向貫穿吸盤11，且真空孔116的下端與開設在吸盤座204上的通氣孔連通，通氣孔與導氣組件206連通，真空孔116的上端與吸附凹槽111連通，通過導氣組件206實現對真空孔116的抽真空處理，從而實現對吸附凹槽111的抽真空，使吸附凹槽111形成真空狀態，以實現吸盤11對基底的吸附。該種設置，能夠使吸盤11與吸盤座204共用一套真空源裝置，簡化吸盤11和吸盤座204的抽真空結構。
可選地，在本實施例中，真空孔116開設在連通凹槽113的槽底，以提高各個吸附凹槽111中抽真空的速度和真空度一致性，實現 對基底的平穩吸附。且示例性地，每個連通凹槽113的槽底均開設有一個真空孔116，提高抽真空效率和吸附區周向真空一致性。可選地，真空孔116開設在連通凹槽113遠離吸盤11中心的一端，以提高對基底邊緣的吸附能力。
在本實施例中，為提高吸盤11對基底的吸附能力，每個吸附凹槽111的寬度可選為0.5mm-1.5mm，例如為1mm，吸附凸台的寬度可選為0.2mm-0.8mm，例如為0.5mm。且吸附凸台的寬度：吸附凹槽111的寬度為1：1.5-1：2.5，且可選為1：2。
在本實施例中，為提高吸盤11對翹曲基底的吸附能力，吸盤組件1還包括設置在吸盤11上的密封圈12。可選地，基底吸附面上還開設有安裝凹槽112，密封圈12的下端密封連接在安裝凹槽112內，密封圈12的上端用於與基底接觸，且密封圈12環繞吸盤11中心設置。當密封圈12未與基底接觸時，密封圈12的上端高出基底吸附面預設距離；當對應的吸附凹槽111達到真空狀態時，密封圈12位於安裝凹槽112內，且其上端面與基底吸附面平齊。
通過在吸盤11的基底吸附面上設置密封圈12，當吸盤11對翹曲的基底進行吸附時，由於密封圈12的上端面凸出基底吸附面，密封圈12的上端面首先與基底下表面接觸；由於密封圈12具有彈性，密封圈12在基底的重力作用下會發生局部變形，以使密封圈12上端形狀與基底底面相適配。當對吸附凹槽111進行抽真空處理時，基底在真空負壓作用下向下運動，進一步擠壓密封圈12，使密封圈12上周緣與基底完全貼合，密封圈12內側形成封閉的真空吸附腔，不會發生真空洩漏，提高對 基底的吸附能力和吸附效果；當密封圈12內側的吸附凹槽111達到真空狀態時，密封圈12在擠壓作用下因彈性變形縮回至安裝凹槽112內，基底下表面與基底吸附面接觸，且基底在真空負壓作用下與基底吸附面緊密貼合，由翹曲狀態變為平整狀態，提高基底與吸盤11之間的吸附力，使基底穩定牢固地吸附在吸盤11上。
在本實施例中，為提高吸盤11對基底的吸附能力，可選地，密封圈12與吸附凹槽111同心設置，以使基底受力更為平穩均衡。示例性地，安裝凹槽112開設在吸附區的邊緣，以使密封圈12對該吸附區對應的基底的邊緣進行支撐和吸附，增加密封圈12內側的吸附凹槽111的數量，擴大密封圈12與基底之間形成的真空吸附腔的面積，提高對基底的吸附能力。且在本實施例中，每個吸附區均設置有一個密封圈12，在其他實施例中，也可以是每個吸附區內沿吸附區的徑向間隔設置兩個或更多個的密封圈12，且每個吸附區的邊緣均設置有一個密封圈12。
示例性地，在本實施例中，安裝凹槽112與吸附凹槽111連通，有利於在對吸附凹槽111抽真空的過程中，對位於密封圈12內側的安裝凹槽112部分進行抽真空處理，提高密封圈12設置處基底承受的負壓作用，增大基底對密封圈12的擠壓作用力，從而提高密封圈12與基底的接觸緊密性及提高對基底的平整作用。
在本實施例中，安裝凹槽112包括沿吸盤11厚度方向連通的安裝槽部1121和容納槽部1122，安裝槽部1121位於容納槽部1122的下方，且安裝槽部1121的槽寬小於容納槽部1122的槽寬。密封圈12的下端卡設在安裝槽部1121內，且當密封圈12被壓縮變形時，密封槽的上 端容納於容納槽部1122中。採用卡接的方式，能夠方便密封圈12的安裝和拆卸，簡化吸盤11的加工。在其他實施例中，密封圈12在安裝凹槽112內的連接也可以是螺紋連接等其他可拆卸的連接方式。
為了提高密封圈12在安裝凹槽112內的安裝穩定性，在本實施例中，可選地，安裝槽部1121的槽寬沿其槽底至其槽口逐漸減小，且安裝槽部1121槽口的寬度小於密封圈12下端的寬度，使收縮的槽口增強對密封圈12下端的卡緊作用，使密封圈12與安裝槽部1121過盈連接，提高連接緊密性和穩定性。示例性地，在本實施例中，安裝槽部1121為燕尾槽，方便加工。
在本實施例中，可選地，容納槽部1122的橫截面為矩形，容納槽部1122的槽寬大於安裝槽部1121的槽寬，提高對密封圈12的容納能力，且便於安裝凹槽112的加工。
在本實施例中，密封圈12可選由矽橡膠製成，具有較好的支撐強度、變形能力和密封性能。在其他實施例中，密封圈12還可以由其他材質製成，如氟橡膠等，只要滿足密封圈12的硬度不能太硬，以免影響基底吸附可靠性，同時不能太軟，以免基底吸附完畢之後密封圈12上端面黏接在矽片上，影響基底的交接可靠性以及矽片的污染的材質均可，且密封圈12的硬度可選為45-55紹爾硬度。
在本實施例中，為提高密封圈12的性能，密封圈12可選包括相連的安裝部121和變形部122，安裝部121與變形部122的下端連接，變形部122的上端沿遠離安裝部121的方向延伸。安裝部121的橫截面可選為與安裝槽部1121適配的梯形，以方便安裝部121卡入安裝槽部 1121中，且安裝部121與安裝槽部1121過盈配合。變形部122主要用於承當密封圈12在擠壓力作用下的變形，且為提高變形部122的變形能力，在本實施例中，變形部122的橫截面可選為沿密封圈12軸向方向延伸的折線形。即變形部122包括多個依次相連的折線板部1221，在密封圈12未受擠壓時，相鄰兩個折線板部1221之間的夾角為60°-100°，且相鄰兩個折線板部1221採用圓弧過渡連接。該種密封圈12結構，在密封圈12受到擠壓作用力時，相鄰兩個折線板部1221相互靠近，變形能力較強，能夠減小基底完全吸附所用的真空吸附壓力大小。
在本實施例中，變形部122包括三個折線板部1221，且單個折線板部1221的板厚為0.3-0.5mm。在其他實施例中，變形部122可以包括兩個、四個或更多個折線板部1221，且折線板部1221的個數以及折線板部1221的板厚可以根據密封圈12所需的變形能力自行設計。
在本實施例中，可選地，位於密封圈12最上端的折線板部1221在遠離安裝部121的方向上沿密封圈12的中心向外延伸，以使密封圈12上端形成錐形開口，有利於提高基底與密封圈12的接觸緊密性，防止真空洩漏。
在本實施例中，密封圈12在未接觸基底時凸出基底吸附面的高度H1與吸盤11能容許的最大翹曲量相關，當吸盤11能容許的最大翹曲量越大時，H1越大。安裝凹槽112的高度H2與密封圈12的變形性能及能容許的基底最大翹曲量相關，當吸盤11能容許的最大翹曲量一定時，密封圈12的變形能力越強，安裝凹槽112的高度越小。因此，密封圈12未接觸基底時凸出基底吸附面的高度H1與安裝凹槽112的深度H2 的大小應根據需求自行設置。在本實施例中，當吸盤11厚度為9mm，基底為8寸矽片，密封圈12採用矽橡膠製成，且H1=6.5mm，H2=5mm時，可以吸附最大翹曲量為13mm的矽片。
在採用上述吸盤組件1對基底進行吸附時，首先，使基底下表面與密封圈12上端接觸，使密封圈12、基底與吸盤11之間形成封閉的真空吸附腔；再者，對吸附凹槽111進行抽真空，直至密封圈12完全位於安裝凹槽112內，且基底下表面與基底吸附面完全貼合，實現吸盤11對基底的完全吸附。
在本實施例中，若基底直接放置在吸盤11上後再採用真空吸附，則密封圈12與基底初始接觸時，密封圈12僅在基底重力作用下與基底接觸，此時，若基底翹曲量較大，則為了吸附凹槽111成功抽真空處理，需要密封圈12在與基底初始接觸過程中，即形成能夠用於真空吸附的封閉的真空吸附腔。即，當基底翹曲量越大時，密封圈12凸出吸附面的高度需要越高，從而會同步增加安裝凹槽112的深度與吸盤11的厚度。為減小密封圈12的尺寸和提高吸盤組件1的結構緊湊性，同時提高對翹曲基底的吸附能力和對基底的交接性能，在本實施例中，吸附裝置10還包括交接機構2。
示例性地，圖8為本申請實施例提供的交接機構的結構示意圖，圖9為本申請實施例提供的吸附裝置的剖視圖，圖10為圖9中J處的局部放大圖。如圖8-圖10所示，交接機構2包括底座21、托板23、垂向運動組件22和吸附組件。底座21用於支撐固定交接機構2，托板23設置在底座21上方，並通過垂向運動組件22與底座21連接，使托板23在 垂向運動組件22的帶動下沿垂直吸盤11的方向運動，以帶動托板23沿垂直吸盤11的方向運動；吸附組件沿垂直於吸盤11的方向設置，且吸附組件的下端與托板23連接。
吸盤11上設置有與交接機構2配合的吸附孔114，吸附組件的上端能伸入吸附孔114內並密封吸附孔114，且吸附組件能在垂向運動組件22的帶動下相對吸附孔114沿垂直於吸盤11的方向運動。吸附組件內開設有真空氣道243，真空氣道243的上端貫穿吸附組件的上端面以對基底進行吸附，真空氣道243與真空源連通，以對真空氣道243進行抽真空處理。
當採用交接機構2吸取基底時，垂向運動組件22帶動托板23和吸附組件上升，使吸附組件上端面高出密封圈12時，將基底放置在吸附組件上端面並與基底下表面接觸；真空源對真空氣道243進行抽真空，使吸附組件對基底進行吸附，從而能夠使吸附組件帶動基底運動。當垂向運動組件22帶動托板23和吸附組件下降時，基底在真空負壓作用下隨吸附組件朝向吸盤11運動，使基底逐漸與密封圈12接觸並擠壓密封圈12，且在基底被帶動向下運動的過程中，密封圈12在基底的重力作用以及基底向下運動力的共同作用下持續變形。從而，在本實施例中，通過設置交接機構2，由交接機構2首先吸附基底並帶動基底下降與密封圈12接觸，使密封圈12與基底接觸時，密封圈12在基底重力和交接機構2對基底的吸附力作用下擠壓變形，能夠增大密封圈12與基底在之間的作用力，即使基底翹曲量較大，也能夠使基底在交接機構2的垂向運動帶動下與密封圈12緊密接觸形成真空吸附腔，降低對密封圈12整體高度的要 求，且能提高吸盤組件1對基底能容許的最大翹曲量，提高吸附裝置10對翹曲基底的吸附能力。
在本實施例中，吸附組件包括吸附柱24和吸嘴25。吸附柱24與吸盤11垂直設置，且吸附柱24的下端與托板23連接，上端能伸入吸附孔114中。吸附柱24沿其軸向開設有真空氣道243，且真空氣道243貫穿吸附柱24的上端面。吸嘴25環繞吸附柱24的上端設置，且吸嘴25的上端面高於吸附柱24的上端面，且吸嘴25的外表面能與吸附孔114的內壁密封貼合，以使吸嘴25在位於吸附孔114內時密封吸附孔114。
該種設置方式，使對基底進行吸附交接時，首先與吸嘴25上端邊緣接觸，然後在吸嘴25與基底之間迅速形成真空腔，實現交接機構2對基底的真空吸附，而後吸嘴25內表面與基底接觸使吸嘴25變形，使吸附柱24上端面與吸嘴25接觸，使吸附柱24對吸嘴25進行二次吸附，提高對基底的吸附穩定性。在本實施例中，示例性地，吸嘴25上端面與吸附柱24上端面之間的高度差可選為0.2mm-1mm。
在本實施例中，為提高吸附孔114與吸嘴25的密封配合性能，可選地，吸附孔114為下端開口小、上端開口大的錐形孔，吸嘴25為與吸附孔114適配的錐形吸嘴，能夠簡化吸附孔114的加工，且提高吸嘴25對吸附孔114的密封性，且能防止吸嘴25從吸附孔114中向下脫出。可選地，吸嘴25採用矽橡膠或其他彈性材料製成。
為實現吸嘴25在吸附柱24上的安裝，吸附柱24的上端外壁上開設有環形的卡接槽，吸嘴25下端沿其軸向延伸有連接筒部251，連接筒部251內壁向內凸設有環形凸部2511，連接筒部251的內徑等於吸附 柱24的外徑，且環形凸部2511密封卡設在卡接槽中，實現吸嘴25與吸附柱24的密封卡接連接。
在本實施例中，吸盤11上還開設有與吸附孔114的下端連通的穿接孔115，穿接孔115與吸附孔114同軸設置，且可選為圓柱形，有利於對吸附孔114的加工定位，在保證吸附孔114上端開口尺寸足夠的同時，避免吸附孔114的下端開口過小影響吸附柱24相對吸附孔114的垂向運動。
在本實施例中，為增強交接機構2對基底交接和吸附的平穩性，可選地，吸盤11上設置有多個吸附孔114，吸附孔114的數量與吸附柱24一一對應設置，且每個吸附孔114的下端均連通有穿接孔115，每個吸附柱24的上端均設置有吸嘴25。多個吸嘴25的上端邊緣位於同一平面，多個吸附柱24的上端面位於同一平面，通過多個吸嘴25和多個吸附柱24對基底在交接過程中進行吸附，能夠提高基底的受力平衡性和吸附穩定性。且示例性地，吸附孔114沿吸盤11的周向均勻間隔分佈，以使多個吸附柱24能夠對環繞基底中心對基底進行吸附，有利於在對基底的吸附過程中，對基底中心區域進行平整，更有利於後續吸盤11對基底的吸附。在本實施例中，吸附孔114、吸附柱24和吸嘴25的個數均為三個，在其他實施例中，吸附孔114、吸附柱24和吸嘴25的個數也可以為兩個、四個或更多個。
在本實施例中，托板23為板狀結構，且其沿徑向向外延伸有多個連接臂236，多個連接臂236沿托板23的周向均勻間隔設置。連接臂236與吸附柱24一一對應，每個吸附柱24的下端均設置在連接臂236 上。連接臂236的設置，有利於減小托板23的尺寸，縮小交接機構2的重量和佔用空間。
在本實施例中，可選地，吸附柱24與連接臂236採用插接連接的方式，示例性地，連接臂236上開設有插接槽235，吸附柱24的下端伸入插接槽235中並與插接槽235過盈配合。本實施例中，吸附柱24包括圓柱狀的主體部241和沿主體部241軸向向下凸設的插接部242，插接部242的外徑小於主體部241的外徑，使主體部241與插接部242之間形成有限位臺階。插接部242插入插接槽235中並與插接槽235過盈配合，且限位臺階與托板23上表面抵接。有利於對吸附柱24與托板23的插接安裝提供定位，另一方面方便吸附柱24和托板23之間的拆卸和組裝，並能有效保證吸附柱24與托板23之間的氣密封性。
吸附柱24沿其軸向開設有圓柱形的真空氣道243，真空氣道243貫穿吸附柱24的上下端面。為實現真空源對多個真空氣道243的同步抽真空處理，可選地，托板23內部開設有連通氣道，各個真空氣道243的下端均與連通氣道連通。圖11為本申請實施例提供的托板的透視圖，如圖11所示，連通氣道包括第一連通氣道231和第二連通氣道232，第一連通氣道231的一端延伸至其中一個連接臂236並貫穿連接臂236的外壁，第一連通氣道231的另一端與第二連通氣道232垂直連通，且第二連通氣道232的兩端分別延伸至另外兩個連接臂236並貫穿連接臂236的外壁。第二連通氣道232的兩端分別垂直連通有第三連通氣道233的一端，第三連通氣道233的另一端貫穿對應連接臂236處的外壁。且各個氣道未連接其他氣道的一端均設置有堵頭234，防止各個氣道中的產生真空 洩漏。
第一連通氣道231和第三連通氣道233均與對應連接臂236處的插接槽235正對連通，從而使第一連通氣道231與其中一個吸附柱24的真空氣道243連通，兩個第三連通氣道233分別與另外兩個吸附柱24的真空氣道243連通。第一連通氣道231處還連通有氣源接頭26，用於與真空源連通。真空源通過氣源接頭26對托板23內的連通氣道進行抽真空，從而對各個吸附柱24進行抽真空。在本實施例中，托板23中連通氣道的開設方式僅為示例性設置，在其他實施例中，連通氣道的開設還可以採用其他的形式，只要能夠實現各吸附柱24中真空氣道243的連通即可。
在本實施例中，為方便交接機構2與曝光台20的配合安裝，底座21為圓盤形底座。在本實施例中，曝光台20上的支撐座2071為圓筒狀結構，底座21設置在氣足201上，且位於支撐座2071的內側。底座21的外徑與支撐座2071的內徑相等，以使底座21能夠卡設在支撐座2071內，實現對交接機構2的定位安裝。上平板203和吸盤座204的中心均開設有用於交接機構2上端穿出的穿接通孔，且穿接通孔的孔徑可選等於底座21的外徑。
垂向運動組件22設置在托板23和底座21之間。在本實施例中，垂向運動組件22可選包括音圈電機，採用音圈電機直接驅動托板23進行垂向運動，結構緊湊，運動精度高，體積較小。在其他實施例中，垂向運動組件22還可以為旋轉電機配合齒輪齒條傳動或絲槓螺母傳動等，且能夠實現垂向運動組件22的結構為本領域的常規設置，本實施例 不再進行贅述。
交接機構2還包括導向組件27，用於對托板23的垂直運動進行導向。在本實施例中，導向組件27為直線導軌組件，其包括與托板23連接的導軌271以及與導軌271配合的滑塊273，且滑塊273通過導軌座272與底座21連接。在其他實施例中，導向組件27還可以為其他能夠實現運動導向的結構形式，且導向組件27的設置為本領域的常規技術手段，本實施例不再進行贅述。
交接機構2還包括位移檢測組件28，用於檢測托板23垂向升降的位移。在本實施例中，位移檢測組件28為光柵尺組件，檢測精度高，可靠性強。在其他實施例中，位移檢測組件28還可以為距離感測器、光電感測器等。且光柵尺組件、距離感測器及光電感測器均為相關技術，本實施例不再進行贅述。
本實施例還提供了一種用於非翹曲基底的吸附方法，包括以下步驟：
步驟S101：吸附柱24向上運動，使吸嘴25伸出吸盤11吸附面。
步驟S102：基底傳輸機械手將基底移動至交接機構2上，並使基底與吸嘴25接觸。
步驟S103：對真空氣道243進行抽真空，使吸嘴25吸附基底。
步驟S104：對真空氣道243進行持續抽真空，基底擠壓吸嘴25，使吸嘴25變形，基底與吸附柱24上端面接觸，吸附柱24對基底進行二次吸附。
步驟S105：基底傳輸機械手退回。
步驟S106：吸附柱24帶動基底向下運動，直至基底與密封圈12接觸，吸盤11的吸附氣道抽真空，使吸盤11對基底進行吸附，同時，對真空氣道243停止抽真空。
步驟S107：吸附柱24繼續下降，直至吸嘴25落入吸附孔114最低處；同時，繼續對吸附氣道進行抽真空，直至基底被吸盤11完全吸附。
本實施例還提供了一種用於翹曲基底的吸附方法，包括以下步驟：
步驟S201：吸附柱24向上運動，使吸嘴25伸出吸盤11吸附面。
步驟S202：基底傳輸機械手將基底移動至交接機構2上，並使基底與吸嘴25接觸。
步驟S203：對真空氣道243進行抽真空，使吸嘴25吸附基底。
步驟S204：對真空氣道243進行持續抽真空，基底擠壓吸嘴25，使吸嘴25變形，基底與吸附柱24上端面接觸，吸附柱24對基底進行二次吸附。
步驟S205：基底傳輸機械手退回。
步驟S206：吸附柱24帶動基底向下運動，直至基底與密封圈12接觸，吸盤11的吸附氣道抽真空，使吸盤11、吸附柱24和吸嘴25同時對基底進行吸附。
步驟S207：吸附柱24帶動基底繼續向下運動，以使基底、密封圈12與吸盤11形成密封吸附腔。
步驟S208：吸附柱24繼續帶動基底向下運動，直至吸嘴25落入吸附孔114最低處後，吸附柱24停止運動，且停止對真空氣道243的抽真 空。
步驟S209：繼續對吸盤11的吸附氣道抽真空，直至密封圈12完全壓入安裝凹槽112中，且基底被吸盤11完全吸附。
在本實施例中，應用於翹曲基底的吸附方法也能同樣適用於對非翹曲基底的吸附。
本實施例還提供了一種光刻設備，包括上述的曝光裝置。
實施例二
本實施例提供了一種曝光裝置，包括曝光台20和吸附裝置10，與實施例一相比，本實施例提供的曝光裝置與實施例一基本相同，不同之處在於吸盤組件1中的密封圈12結構形式不同，本實施例僅對與實施例一不同的結構進行描述，不再對與實施例一相同的結構進行贅述。
圖12為本實施例提供的吸盤組件的剖視圖，圖13為圖12中K處的局部放大圖，如圖12和圖13所示，在本實施例中，密封圈12包括橫截面為長條孔狀的O型密封圈本體，密封圈本體的底部穿過有橡膠繩123，將穿過橡膠繩123的密封圈12利用橡膠繩123壓入吸盤11的安裝槽部1121中，使密封圈12下端密封卡設在安裝槽部1121中。可選地，在本實施例中，密封圈12的橫截面厚度為0.1-0.2mm。
本實施例還提供了一種應用於普通基底的吸附方法，採用上述的吸附裝置10，吸附方法可參考實施例一，本實施例不再進行贅述。
本實施例還提供了一種應用於翹曲基底的吸附方法，採用上述的吸附裝置10，吸附方法可參考實施例一，本實施例不再進行贅述。
本實施例還提供了一種光刻設備，包括上述的曝光裝置。
實施例三
本實施例提供了一種曝光裝置，包括曝光台20和吸附裝置10，與實施例一相比，本實施例提供的曝光裝置與實施例一基本相同，不同之處在於吸盤組件1中的密封圈12結構形式不同，本實施例僅對與實施例一不同的結構進行描述，不再對與實施例一相同的結構進行贅述。
圖14為本申請實施例提供的吸盤組件的剖視圖，圖15為圖14中L處的局部放大圖，如圖14和圖15所示，在本實施例中，密封圈12包括安裝部121和變形部122，安裝部121的橫截面為與安裝槽部1121適配的梯形，變形部122的下端與安裝部121的內側邊緣連接，變形部122的上端沿遠離吸盤11中心的方向延伸，使密封圈12形成上端開口大、下端開口小的錐形結構。可選地，在本實施例中，變形部122的厚度為0.3-0.5mm，密封圈12凸出基底吸附面的高度及安裝凹槽112的厚度由吸盤11能容許的最大翹曲量及密封圈12的變形能力決定。
本實施例還提供了一種應用於普通基底的吸附方法，採用上述的吸附裝置10，吸附方法可參考實施例一，本實施例不再進行贅述。
本實施例還提供了一種應用於翹曲基底的吸附方法，採用上述的吸附裝置10，吸附方法可參考實施例一，本實施例不再進行贅述。
本實施例還提供了一種光刻設備，包括上述的曝光裝置。
本申請要求申請日為2019年7月29日、申請號為201910691314.3的中國專利申請的優先權，該申請的全部內容通過引用結 合在本申請中。
1:吸盤組件
10:吸附裝置
11:吸盤
12:密封圈
2:交接機構
25:吸嘴

Claims (22)

  1. 一種吸附裝置，其特徵係其包括：
    吸盤(11)，所述吸盤(11)的基底吸附面環繞其中心開設有安裝凹槽(112)，且所述基底吸附面於所述安裝凹槽(112)的內側開設有用於與真空源連通的吸附凹槽(111)；
    密封圈(12)，其下端密封設置在所述安裝凹槽(112)內，其上端用於與基底接觸；
    當所述密封圈(12)未與所述基底接觸時，所述密封圈(12)的上端凸出所述吸附面，當所述吸附凹槽(111)處於真空狀態時，所述密封圈(12)完全位於所述安裝凹槽(112)內，且所述密封圈(12)的上端與所述基底吸附面平齊。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之吸附裝置，其中，所述吸盤(11)於所述安裝凹槽(112)的內側開設有吸附孔(114)，所述吸附孔(114)沿所述吸盤(11)的厚度方向貫通所述吸盤(11)，所述吸附裝置(10)還包括交接機構(2)，所述交接機構(2)包括：
    吸附組件，其與所述基底吸附面垂直，所述吸附組件的下端位於所述吸盤(11)下側，所述吸附組件的上端能穿過並密封所述吸附孔(114)，且所述吸附組件能相對所述吸盤(11)沿垂直於所述吸盤(11)的方向運動，所述吸附組件內開設有真空氣道(243)，所述真空氣道(243)貫穿所述吸附組件的上端面以吸附所述基底。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之吸附裝置，其中，所述吸附組件包括：
    吸附柱(24)，其與所述基底吸附面垂直，所述吸附柱(24)的上端能伸入所述吸附孔(114)中並能相對所述吸附孔(114)沿垂直於所述基底吸附面的方向運動，所述吸附柱(24)內開設有所述真空氣道(243)，所述真空氣道(243)的上端貫穿所述吸附柱(24)的上端面，所述真空氣道(243)與真空源連通；
    吸嘴(25)，設置在所述吸附柱(24)的上端且與所述真空氣道(243)連通，所述吸嘴(25)的外表面能與所述吸附孔(114)的內壁密封貼合，且所述吸嘴(25)的上端高於所述吸附柱(24)的上端面。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所記載之吸附裝置，其中，所述安裝凹槽(112)包括位於沿所述吸盤(11)厚度方向連通的安裝槽部(1121)和容納槽部(1122)，所述安裝槽部(1121)位於所述容納槽部(1122)的底部，所述容納槽部(1122)的槽寬大於所述安裝槽部(1121)的槽寬，所述密封圈(12)的下端卡設在所述安裝槽部(1121)內。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之吸附裝置，其中，所述安裝槽部(1121)的槽寬沿其槽底至其槽口逐漸減小。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之吸附裝置，其中，所述密封圈(12)包括：
    安裝部(121)，其橫截面為下端大、上端小的梯形，所述安裝部(121)與所述容納槽部(1122)密封卡接；
    變形部(122)，其一端與所述安裝部(121)連接，另一端沿遠離所述安裝部(121)的方向延伸。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之吸附裝置，其中，所述變形部(122)的橫截面呈折線型，所述折線型沿所述密封圈(12)的軸向方向延伸；或，
    所述變形部(122)呈錐形面形，且所述錐形面靠近所述安裝部(121)的一端小於所述錐形面另一端內徑。
  8. 如申請專利範圍第5項所記載之吸附裝置，其中，所述密封圈(12)包括：
    密封圈(12)本體，其橫截面呈長條孔結構，所述長條孔結構的長度方向沿所述密封圈(12)的軸向方向設置；
    橡膠繩(123)，穿設在所述密封圈(12)本體的下端。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所記載之吸附裝置，其中，所述安裝凹槽(112)與所述吸盤(11)同心設置。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之吸附裝置，其中，所述基底吸附面沿所述吸盤(11)的徑向分隔形成有多個吸附區，用於適用不同尺寸的所述基底的吸附，每個所述吸附區內至少設置有一個所述密封圈(12)。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之吸附裝置，其中，每個所述吸附區的邊緣處均設置有一個所述密封圈(12)。
  12. 如申請專利範圍第10項所記載之吸附裝置，其中，所述吸附凹槽(111)呈與所述吸盤(11)同心的環形，且每個所述密封圈(12)的內側均同心設置有多圈所述吸附凹槽(111)，位於同一所述吸附區內的所述吸附凹槽(111)之間相互連通。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之吸附裝置，其中，相鄰兩個吸附凹槽 (111)之間形成的吸附凸台的上表面為所述基底吸附面，每個所述吸附凹槽(111)的寬度為0.5-1.5mm，每個所述吸附凸台的寬度為0.2-0.8mm，且所述吸附凸台的寬度：所述吸附凹槽(111)的寬度=1：1.5-1：2.5。
  14. 如申請專利範圍第3項所記載之吸附裝置，其中，所述吸附孔(114)為上端大、下端小的錐形孔，所述吸嘴(25)為與所述錐形孔適配的錐形吸嘴(25)。
  15. 如申請專利範圍第3項所記載之吸附裝置，其中，所述吸嘴(25)的上端高出所述吸附柱(24)的上端面0.2-1mm。
  16. 如申請專利範圍第3項所記載之吸附裝置，其中，所述吸附柱(24)的上端外壁開設有環形的卡接槽，所述吸嘴(25)的下端內壁向內凸設有環形凸部(2511)，所述環形凸部(2511)與所述卡接槽密封卡接。
  17. 如申請專利範圍第2項所記載之吸附裝置，其中，所述吸附孔(114)沿所述吸盤(11)的周向間隔設置有多個，所述吸附組件與所述吸附孔(114)一一對應設置。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之吸附裝置，其中，所述交接機構(2)還包括：
    托板(23)，所述吸附組件的下端與所述托板(23)連接，所述托板(23)內開設有連通氣道，每個所述吸附組件的所述真空氣道(243)均與所述連通氣道連通，所述連通氣道連通有氣源接頭(26)；
    垂向運動組件(22)，與所述托板(23)連接並能帶動所述托板(23)沿垂直於所述基底吸附面的方向運動。
  19. 一種曝光裝置，其特徵係其包括申請專利範圍第1至18項中任一項所記載之吸附裝置(10)。
  20. 一種光刻設備，其特徵係其包括申請專利範圍第19項所記載之曝光裝置。
  21. 一種吸附方法，其特徵係其應用於申請專利範圍第1至18項中任一項所記載之吸附裝置(10)對所述基底進行吸附，所述吸附方法包括：
    基底下表面與密封圈(12)上端接觸，使所述密封圈(12)、所述基底與所述吸盤(11)之間形成封閉的真空吸附腔；
    對所述吸附凹槽(111)進行抽真空，直至所述密封圈(12)完全位於所述安裝凹槽(112)內，且所述基底下表面與所述基底吸附面完全貼合。
  22. 如申請專利範圍第21項所記載之吸附方法，其中，所述吸盤(11)於所述安裝凹槽(112)的內側開設有吸附孔(114)，所述吸附孔(114)沿所述吸盤(11)的厚度方向貫通所述吸盤(11)，所述吸附裝置(10)還包括交接機構(2)，所述交接機構(2)包括：吸附組件，其與所述基底吸附面垂直，所述吸附組件的是下端位於所述吸盤(11)下側，所述吸附組件的上端能穿過並密封所述吸附孔(114)，且所述吸附組件能相對所述吸盤(11)沿垂直於所述吸盤(11)的方向運動，所述吸附組件內開設有真空氣道(243)，所述真空氣道(243)貫穿所述吸附組件的上端面以吸附所述基底；
    在所述基底與所述密封圈(12)接觸之前，還包括：
    使所述吸附組件的上端伸出所述吸盤(11)上端面並與所述基底接觸；
    對所述真空氣道(243)進行抽真空以使所述吸附組件吸附所述基底；
    使所述吸附組件帶動所述基底下降至所述基底下表面與所述密封圈(12)上端接觸；
    且在對所述吸附凹槽(111)進行抽真空的過程中，持續對所述真空氣道(243)進行抽真空，並使所述吸附組件持續帶動所述基底下降，直至當所述吸附組件的上端位於所述吸盤(11)的最低位置且密封所述吸附孔(114)後，所述吸附組件停止下降，且停止對所述真空氣道(243)的抽真空。
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